JP7309882B2 - Vapor deposition apparatus and method for coating a substrate in a vacuum chamber - Google Patents

Vapor deposition apparatus and method for coating a substrate in a vacuum chamber Download PDF

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Description

技術分野
本開示の実施態様は、真空チャンバ内での熱蒸発による基板コーティングに関する。本開示の実施態様はさらに、真空堆積装置の表面上に形成される凝縮物に関する。具体的には、実施態様は、真空チャンバ内で基板をコーティングするための気相堆積装置及び方法に関する。
TECHNICAL FIELD Embodiments of the present disclosure relate to substrate coating by thermal evaporation in a vacuum chamber. Embodiments of the present disclosure further relate to condensates that form on surfaces of a vacuum deposition apparatus. In particular, embodiments relate to vapor deposition apparatus and methods for coating substrates in vacuum chambers.

背景
基板上への堆積のための様々な技術、例えば、化学気相堆積(CVD)及び物理的気相堆積(PVD)が知られている。速い堆積速度での堆積のために、熱蒸発がPVDプロセスとして使用され得る。熱蒸発のために、ソース材料は、例えば基板上に堆積され得る蒸気を生成するために加熱される。加熱されたソース材料の温度を上昇させると、蒸気濃度を増加させ、速い堆積速度を促進することができる。速い堆積速度を達成するための温度は、ソース材料の物理的特性、例えば、温度の関数としての蒸気圧、及び基板の物理的限界、例えば、融点に依存する。
BACKGROUND Various techniques are known for deposition on substrates, such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD). Thermal evaporation can be used as a PVD process for deposition at high deposition rates. For thermal evaporation, a source material is heated to produce a vapor that can be deposited, for example, on a substrate. Increasing the temperature of the heated source material can increase the vapor concentration and promote faster deposition rates. The temperature to achieve high deposition rates depends on the physical properties of the source material, eg vapor pressure as a function of temperature, and the physical limits of the substrate, eg melting point.

例えば、基板上に堆積されるソース材料は、るつぼ内で加熱されて、高い蒸気圧で蒸気を生成することができる。蒸気は、るつぼから、加熱されたマニホールド内のコーティング容積に輸送することができる。ソース材料蒸気は、加熱されたマニホールドからコーティング容積内の基板、例えば真空チャンバ上に分配することができる。 For example, a source material deposited on a substrate can be heated in a crucible to produce vapor at a high vapor pressure. Vapor can be transported from the crucible to the coating volume within the heated manifold. A source material vapor can be dispensed from a heated manifold onto a substrate within the coating volume, such as a vacuum chamber.

構成要素の表面、例えば、真空チャンバの真空チャンバ壁は、蒸発したソース材料にさらされてもよく、コーティングされてもよい。凝縮物を除去するための頻繁なメンテナンスは、大量の製造、例えば薄箔上のウェブ被覆には実用的ではない。 A surface of the component, eg, a vacuum chamber wall of a vacuum chamber, may be exposed to the vaporized source material and may be coated. Frequent maintenance to remove condensate is not practical for high volume production, such as web coating on thin foil.

さらに、コーティングされることが意図されていない堆積装置構成要素上のソース材料は、汚染され、及び/又は回収不能になり得る。したがって、真空堆積装置を作動させるためのコストは、非効率的なソース材料の利用のためにさらに増加し得る。 Additionally, source material on deposition apparatus components that are not intended to be coated can become contaminated and/or unrecoverable. Therefore, the cost of operating a vacuum deposition apparatus can be further increased due to inefficient source material utilization.

したがって、保全周期を減少させることができ、且つ/又は予防的保全時間周期間の最小間隔を減少させることができる、真空チャンバ内で基板をコーティングするための気相堆積装置、材料を蒸発させる方法、及び方法を有することが有利である。さらに、ソース材料の利用が有利に改善される。したがって、例えば、製造コストを低減することができる。 Accordingly, a vapor deposition apparatus for coating a substrate in a vacuum chamber, a method of evaporating a material, in which the maintenance period can be reduced and/or the minimum interval between preventive maintenance time periods can be reduced. , and methods. Furthermore, utilization of the source material is advantageously improved. Therefore, for example, manufacturing costs can be reduced.

概要
以上の点に鑑み、独立請求項による、真空チャンバ内で基板をコーティングするための気相堆積装置及び方法が提供される。本開示のさらなる態様、利点及び特徴は、明細書、及び添付の図面から明らかとなる。
SUMMARY In view of the above, there is provided a vapor deposition apparatus and method for coating a substrate in a vacuum chamber according to the independent claims. Further aspects, advantages and features of the present disclosure will become apparent from the specification and accompanying drawings.

一実施態様によれば、気相堆積装置が提供される。気相堆積装置は、チャンバ壁を有する真空チャンバと;チャンバ壁を遮蔽するように構成された温度制御シールドと;コーティングされる基板に面する熱シールドであって、1つ又は複数の開口部を有する熱シールドと;少なくとも部分的に真空チャンバ内にある蒸発器であって、1つ又は複数の開口部を通って延びる1つ又は複数のノズルを備える蒸発器とを含む。 According to one embodiment, a vapor deposition apparatus is provided. A vapor deposition apparatus includes a vacuum chamber having a chamber wall; a temperature control shield configured to shield the chamber wall; an evaporator at least partially within the vacuum chamber, the evaporator having one or more nozzles extending through one or more openings.

一実施態様によれば、真空チャンバ内で基板をコーティングするための方法が提供される。本方法は、真空チャンバ内で材料を蒸発させることと;蒸発器の少なくとも一部を熱シールドで遮蔽することであって、熱シールドが通路を形成する開口部を有する、遮蔽することと;真空チャンバのシールドチャンバ壁を温度制御シールドで遮蔽することとを含み、ここで、蒸発器の温度は温度制御シールドの温度よりも高い。 According to one embodiment, a method is provided for coating a substrate within a vacuum chamber. The method comprises evaporating a material in a vacuum chamber; shielding at least a portion of the evaporator with a heat shield, the heat shield having an opening forming a passageway; Shielding the chamber wall of the chamber with a temperature control shield, wherein the temperature of the evaporator is higher than the temperature of the temperature control shield.

一実施態様によれば、真空チャンバ内で基板をコーティングするための方法が提供される。本方法は、真空チャンバ内で材料を蒸発させることと;真空チャンバのチャンバ壁を、温度制御シールドで遮蔽することであって、ここで、蒸発器の温度は温度制御シールドの温度よりも高い、遮蔽することと;蒸発器の少なくとも一部を、受動的に加熱される熱シールドで遮蔽することであって、ここで、蒸発器の温度は、熱シールドの温度よりも高い、遮蔽することとを含む。 According to one embodiment, a method is provided for coating a substrate within a vacuum chamber. The method comprises evaporating a material in a vacuum chamber; and shielding a chamber wall of the vacuum chamber with a temperature control shield, wherein the temperature of the evaporator is higher than the temperature of the temperature control shield. shielding; shielding at least a portion of the evaporator with a passively heated heat shield, wherein the temperature of the evaporator is higher than the temperature of the heat shield; including.

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施態様を参照することによって得ることができる。添付の図面は本開示の実施態様に関連しており、以下で説明される。 So that the above features of the disclosure can be understood in detail, a more particular description of the disclosure briefly summarized above can be obtained by reference to the embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.

図1Aは、本開示の実施態様による、1つ又は複数の温度制御シールド又は熱シールドを有する気相堆積装置の概略図を示す。FIG. 1A shows a schematic diagram of a vapor deposition apparatus having one or more temperature control shields or heat shields, according to embodiments of the present disclosure. 図1Bは、本開示の実施態様による、1つ又は複数の温度制御シールド又は加熱シールド又は熱シールドを有するさらなる気相堆積装置の概略図を示す。FIG. 1B shows a schematic diagram of a further vapor deposition apparatus having one or more temperature control shields or heating shields or heat shields according to embodiments of the present disclosure. 図2は、本開示の実施態様による、フレーム状の加熱シールド及び熱シールドの斜視図を示す。FIG. 2 shows a frame-like heat shield and a perspective view of the heat shield, according to an embodiment of the present disclosure. 図3は、本開示の実施態様による、1つ又は複数の温度制御シールド又は加熱シールド又は熱シールドを有するさらなる気相堆積装置の概略図を示す。FIG. 3 shows a schematic diagram of a further vapor deposition apparatus having one or more temperature control shields or heating shields or thermal shields according to embodiments of the present disclosure. 図4は、本開示の実施態様によるロールツーロール堆積装置であるさらなる気相堆積装置の概略図を示す。FIG. 4 shows a schematic diagram of a further vapor phase deposition apparatus, which is a roll-to-roll deposition apparatus according to embodiments of the present disclosure. 図5は、本明細書に記載の実施態様による、真空チャンバ内で基板をコーティングする方法を説明するためのフロー図を示す。FIG. 5 shows a flow diagram for describing a method of coating a substrate in a vacuum chamber according to embodiments described herein.

実施態様の詳細な説明
ここで、本開示の様々な実施態様を詳細に参照し、その1つ又は複数の例を図面に示す。以下の図面の説明では、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。個々の実施態様に関する相違点のみが説明されている。各実施例は、本開示の説明のために提供され、本開示の限定を意味するものではない。さらに、1つの実施態様の一部として図示又は説明された特徴は、さらに別の実施態様を創出するために、他の実施態様で使用され得るか又は他の実施態様と併せて使用され得る。説明は、そのような修正及び変形を含むことが意図される。
DETAILED DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to various embodiments of the disclosure, one or more examples of which are illustrated in the drawings. In the following description of the drawings, same reference numbers refer to same components. Only differences relating to individual implementations are described. Each example is provided by way of explanation of the disclosure and is not meant as a limitation of the disclosure. Moreover, features illustrated or described as part of one embodiment can be used on or in conjunction with other embodiments to create yet a further embodiment. The description is intended to include such modifications and variations.

図面の以下の説明では、同じ参照番号は、同じ又は類似の構成要素を指す。概して、個々の実施態様に関する相違点のみが説明される。別段の指定がない限り、一実施態様における一部分又は一態様の説明は、別の実施態様における対応する部分又は態様にも同様に適用される。 In the following description of the drawings, same reference numbers refer to same or similar components. Generally, only the differences with respect to individual implementations are described. Unless otherwise specified, a description of a portion or aspect in one embodiment applies equally to corresponding portions or aspects in another embodiment.

本開示の実施態様によれば、真空チャンバ内での蒸発によるコーティングのための装置及び方法が提供される。蒸発によってソース材料を基板に堆積させるために、ソース材料は、ソース材料の蒸発又は昇華温度を超えて加熱され得る。本開示の実施態様は、表面、例えば、より低い温度を有し得る基板以外の表面上の凝縮の低減をもたらす。このような表面は、例えば、チャンバ壁であり得る。 Embodiments of the present disclosure provide an apparatus and method for evaporative coating in a vacuum chamber. To deposit the source material onto the substrate by evaporation, the source material may be heated above the evaporation or sublimation temperature of the source material. Embodiments of the present disclosure provide reduced condensation on surfaces, such as surfaces other than the substrate, which may have lower temperatures. Such surfaces can be, for example, chamber walls.

本開示の実施態様は、例えば、シールド、マスク、及びチャンバ壁上のコーティング(例えば、漂遊コーティング)を防止するために、温度制御されたコーティングチャンバ環境を提供する。したがって、予防的保全周期間のより長い作動時間に加えて、有利に改善された基材コーティング品質及び歩留まりを提供することができる。 Embodiments of the present disclosure provide a temperature controlled coating chamber environment, for example, to prevent coatings (eg, stray coatings) on shields, masks, and chamber walls. Advantageously improved substrate coating quality and yield can thus be provided in addition to longer operating times between preventative maintenance cycles.

一実施態様によれば、真空チャンバ内で基板をコーティングするための方法が提供される。この方法は、真空チャンバ内でソース材料を蒸発させることを含む。蒸発器の少なくとも一部は熱シールドで遮蔽されており、熱シールドは通路を形成する開口部を有する。真空チャンバのチャンバ壁は、温度制御シールドで遮蔽されており、ここで、蒸発器の温度はシールドの温度よりも高い。 According to one embodiment, a method is provided for coating a substrate within a vacuum chamber. The method includes evaporating a source material in a vacuum chamber. At least a portion of the evaporator is shielded by a heat shield, the heat shield having openings forming passageways. The chamber wall of the vacuum chamber is shielded with a temperature control shield, where the temperature of the evaporator is higher than the temperature of the shield.

別の実施態様によれば、気相堆積装置が提供される。気相堆積装置は、チャンバ壁を有する真空チャンバを含む。真空チャンバ内には蒸発器が設けられている。コーティングされる基板に面するように配置され、通路を形成する開口部を有する熱シールドが提供される。蒸発器は、熱シールドの通路を通って延びるノズルを備える。装置は、真空チャンバの内部とチャンバ壁との間に温度制御シールドをさらに含む。 According to another embodiment, a vapor deposition apparatus is provided. A vapor deposition apparatus includes a vacuum chamber having a chamber wall. An evaporator is provided in the vacuum chamber. A heat shield positioned to face the substrate to be coated and having an opening defining a passageway is provided. The evaporator includes a nozzle that extends through passages in the heat shield. The apparatus further includes a temperature control shield between the interior of the vacuum chamber and the chamber wall.

図1Aは、真空堆積装置100を示す。真空堆積装置100は、真空チャンバ105を含む。真空チャンバ105は、1つ又は複数のチャンバ壁150を含む。いくつかの実施態様によれば、蒸発器135は、真空チャンバ105内に設けられ得るか、又は少なくとも部分的に真空チャンバ105内に設けられ得る。図1Aは、蒸発器の分配器133を示す。分配器は、例えば、入口開口部101を通して、分配器に提供された蒸気を分配することができる。分配器は、1つ又は複数の開口部182を有し得る。堆積されるソース材料の蒸気は、開口部を通って分配器133を出ることができる。ソース材料は、基板110上に堆積される。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、1つ又は複数のノズル136を、1つ又は複数の開口部182にそれぞれ設けることができる。 FIG. 1A shows a vacuum deposition apparatus 100. FIG. Vacuum deposition apparatus 100 includes a vacuum chamber 105 . Vacuum chamber 105 includes one or more chamber walls 150 . According to some embodiments, vaporizer 135 may be provided within vacuum chamber 105 or may be provided at least partially within vacuum chamber 105 . FIG. 1A shows the distributor 133 of the evaporator. The distributor may, for example, distribute steam provided to the distributor through the inlet opening 101 . A distributor may have one or more openings 182 . Vapor of the deposited source material can exit the distributor 133 through the opening. A source material is deposited on the substrate 110 . According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, one or more nozzles 136 can be provided in one or more openings 182, respectively.

図1Aにおいて、分配器133は真空チャンバ105の下部に設けられ、基板110は上部に設けられている。堆積されるソース材料は、下部から上部へと誘導される。1つ又は複数の側壁150は、分配器133から、すなわち、真空チャンバ105の下部から、基板位置、すなわち、真空チャンバ105の上部まで延びる。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、真空チャンバの1つ又は複数のチャンバ壁を、蒸発器と基板位置との間に設けることができる。側壁150は、温度制御シールド又はフレーム140によってコーティングから保護することができる。温度制御シールドは、加熱されてもよい。したがって、加熱シールド上に堆積されている材料又はソース材料を再蒸発させることができる。 In FIG. 1A, the distributor 133 is located at the bottom of the vacuum chamber 105 and the substrate 110 is located at the top. The deposited source material is directed from bottom to top. One or more sidewalls 150 extend from distributor 133 , ie, the bottom of vacuum chamber 105 , to the substrate location, ie, the top of vacuum chamber 105 . According to some implementations, which can be combined with other implementations described herein, one or more chamber walls of the vacuum chamber can be provided between the vaporizer and the substrate position. Sidewalls 150 may be protected from the coating by temperature control shields or frames 140 . The temperature control shield may be heated. Therefore, the material or source material deposited on the heating shield can be re-evaporated.

いくつかの実施態様によれば、温度制御シールド又は加熱シールドは、1つ又は複数のチャンバ壁を覆うことができる。特に、加熱シールドは、複数のチャンバ壁を覆うことができる。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、加熱シールドは、フレーム又は温度制御フレームとすることができる。例えば、加熱シールドは、堆積ゾーンを取り囲むことができ、それを通して蒸発した材料が基板に向かって誘導される。さらに、加熱シールドは、連続した表面を形成することができる。実施態様によれば、加熱シールドは、加熱シールドの均質な又は均一な加熱を促進するために熱伝導性であり得る。 According to some implementations, a temperature control shield or heating shield can cover one or more chamber walls. In particular, the heating shield can cover multiple chamber walls. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the heating shield can be a frame or a temperature control frame. For example, a heating shield can surround the deposition zone through which vaporized material is directed toward the substrate. Additionally, the heating shield can form a continuous surface. According to embodiments, the heating shield may be thermally conductive to facilitate homogeneous or uniform heating of the heating shield.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、気相堆積装置は、温度シールド又は加熱シールドを加熱するヒータ部に接続されたコントローラを備える。コントローラは、加熱シールド温度が蒸発器の温度より低くなるように制御する。ヒータ部は、加熱シールドを加熱するように構成することができ、特に、生成された熱が加熱シールドに伝達される熱を生成するように構成することができる。ヒータ部は、例えば、加熱シールドに配置することができる。加熱シールドに配置されていることは、加熱シールドと直接的及び/又は物理的に接触していると理解することもできる。ヒータ部は、例えば、加熱コイル、加熱管、加熱支柱、加熱ランプなどを含むことができる。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the vapor deposition apparatus comprises a controller connected to a heater section for heating the temperature shield or heating shield. The controller controls the heating shield temperature to be below the evaporator temperature. The heater portion may be configured to heat the heating shield, and in particular may be configured to generate heat that is transferred to the heating shield. The heater portion can be arranged, for example, in a heating shield. Being placed on the heating shield can also be understood as being in direct and/or physical contact with the heating shield. The heater section can include, for example, heating coils, heating tubes, heating posts, heating lamps, and the like.

ヒータ部は、加熱シールドの外面上に配置することができ、ここで、加熱シールドの外面は、チャンバ壁に面し、加熱シールドの内面は、真空チャンバの内部に面する。また、ヒータ部は、加熱シールド内に一体化することができ、特に、加熱シールド内に配置することができる。 The heater portion may be disposed on the outer surface of the heating shield, where the outer surface of the heating shield faces the chamber wall and the inner surface of the heating shield faces the interior of the vacuum chamber. Also, the heater section can be integrated in the heating shield, in particular it can be arranged in the heating shield.

図1Bは、本開示の実施態様による、1つ又は複数のフレーム又は加熱シールドを有するさらなる気相堆積装置の概略図を示す。堆積される材料170、すなわちソース材料は、材料170を加熱することによってるつぼ160内で蒸発される。材料170は、例えば、所与の条件下で気相を有する金属、特にリチウム、金属合金、及び他の気化可能な材料などを含むことができる。さらなる実施態様によれば、追加的又は代替的に、材料は、マグネシウム(Mg)、イッテルビウム(YB)及びフッ化リチウム(LiF)を含み得る。るつぼ160内で生成された蒸発材料は、矢印137cによって表される方向に沿って分配器133に入ることができる。分配器133は、例えば、堆積装置の幅及び/又は長さに沿って蒸発材料を分配するための輸送システムを提供するチャネル又は管を含むことができる。分配器は、「シャワーヘッド反応器」の設計を有することができる。 FIG. 1B shows a schematic diagram of a further vapor deposition apparatus having one or more frames or heat shields, according to embodiments of the present disclosure. Material 170 to be deposited, ie the source material, is vaporized in crucible 160 by heating material 170 . Materials 170 may include, for example, metals that have a vapor phase under given conditions, particularly lithium, metal alloys, and other vaporizable materials. According to further embodiments, the material may additionally or alternatively include magnesium (Mg), ytterbium (YB) and lithium fluoride (LiF). Evaporated material produced in crucible 160 may enter distributor 133 along the direction represented by arrow 137c. Distributor 133 can include, for example, channels or tubes that provide a transport system for distributing vaporized material along the width and/or length of the deposition apparatus. The distributor can have a "showerhead reactor" design.

例示的に示されるように、蒸発されたソース材料は、方向137a及び137bに沿って、分配器133内でそれぞれのチャンバ壁150に向かって誘導され得る。方向137a及び137bは、平坦な基板110に本質的に平行であり得、特に平坦な基板110の表面110aに平行であり得る。ロールツーロールコーターのコーティングドラムの場合、方向137a及び137bは、コーティングドラムの軸に平行であり得るか、又は供給源及びドラムの最短距離でコーティングドラムの接線に平行であり得る。蒸発材料は、ノズル136によって蒸発器135から真空チャンバ105の内部145に噴射される。ノズル136は、熱シールド180の開口部182内に配置される。ノズル136によって噴射された蒸発材料185は、基板110の表面110a上に堆積され、基板110のコーティングを形成する。 As exemplarily shown, vaporized source material may be directed toward respective chamber walls 150 within distributor 133 along directions 137a and 137b. Directions 137 a and 137 b may be essentially parallel to planar substrate 110 , particularly parallel to surface 110 a of planar substrate 110 . For roll-to-roll coater coating drums, the directions 137a and 137b can be parallel to the axis of the coating drum, or parallel to the tangent of the coating drum at the shortest distance between the source and the drum. Evaporative material is injected from the vaporizer 135 into the interior 145 of the vacuum chamber 105 by nozzles 136 . Nozzle 136 is positioned within opening 182 of heat shield 180 . Evaporative material 185 ejected by nozzle 136 is deposited on surface 110 a of substrate 110 to form a coating of substrate 110 .

熱シールド180は、蒸発器、例えば、分配器133から基板に向かって来る放射熱を低減する。本開示の実施態様によれば、熱シールド180は、開口部182を含む。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、分配器133のノズル136は、熱シールド180の開口部を通って延びることができる。 The heat shield 180 reduces radiant heat coming from the evaporator, eg, distributor 133, toward the substrate. According to an embodiment of the present disclosure, heat shield 180 includes opening 182 . According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, nozzle 136 of distributor 133 can extend through an opening in heat shield 180 .

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、熱シールドの開口部は、ノズルの対応する寸法よりも大きくてもよい。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、ノズルの開口部サイズは、ノズル寸法と比較して、熱膨張をさらに可能にするのに十分に大きくすることができる。追加的に又は代替的に、分配器又は蒸発器のノズルは、熱シールドと機械的に接触していなくてもよく、特に直接機械的に接触していなくてもよい。したがって、コンダクタンスによる蒸発器から熱シールドへの温度伝達を低減又は回避することができ、例えば、熱シールドを断熱材で支持することができる。 According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the opening of the heat shield may be larger than the corresponding dimensions of the nozzle. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the nozzle opening size is large enough to allow for additional thermal expansion compared to the nozzle dimensions. can do. Additionally or alternatively, the distributor or evaporator nozzles may not be in mechanical contact, particularly direct mechanical contact, with the heat shield. Thus, temperature transfer from the evaporator to the heat shield due to conductance can be reduced or avoided, eg, the heat shield can be supported by thermal insulation.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、ノズルは、熱シールドから突出している。特に、ノズルは、開口部を通して突出し、熱シールドの表面から突出することができる。図1Bの例示的な実施態様を参照すると、ノズル136の上端136aと分配器133の側壁134とによって定義されるノズル長と、熱シールド180と側壁134とによって定義される距離との間の比率は、少なくとも1.1、特に少なくとも1.3、又はより具体的には少なくとも1.5とすることができる。追加的に又は代替的に、ノズル長は有利に短く、例えば、ノズル先端に良好なコンダクタンスを提供するために3以下の比率である。 According to some implementations, which can be combined with other implementations described herein, the nozzle protrudes from the heat shield. In particular, the nozzle can protrude through the opening and protrude from the surface of the heat shield. Referring to the exemplary embodiment of FIG. 1B, the ratio between the nozzle length defined by upper end 136a of nozzle 136 and sidewall 134 of distributor 133 and the distance defined by heat shield 180 and sidewall 134 may be at least 1.1, particularly at least 1.3, or more particularly at least 1.5. Additionally or alternatively, the nozzle length is advantageously short, eg a ratio of 3 or less to provide good conductance at the nozzle tip.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、分配器の側壁の面積と、ノズルによって覆われる真空チャンバの内部の表面の面積との間の比率は、少なくとも10:1、特に少なくとも20:1、又はより具体的には50:1を超える。本明細書に記載されるような、分配器の側壁とノズル領域との間の比率を有することにより、分配器内の圧力は、真空チャンバの内部の圧力よりもはるかに高くすることができる。特に、分配器内の圧力は、真空チャンバの内部の圧力よりも少なくとも10倍高く、特に少なくとも50倍高く、より具体的には100倍以上高くすることができる。 According to an embodiment, which can be combined with other embodiments described herein, the ratio between the area of the sidewall of the distributor and the area of the interior surface of the vacuum chamber covered by the nozzle is at least 10. :1, especially at least 20:1, or more specifically greater than 50:1. By having the ratio between the sidewalls of the distributor and the nozzle area as described herein, the pressure within the distributor can be much higher than the pressure inside the vacuum chamber. In particular, the pressure in the distributor can be at least 10 times higher than the pressure inside the vacuum chamber, in particular at least 50 times higher, more in particular 100 times higher or more.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、蒸発材料は、リチウム、Yb、若しくはLiFを含むことができ、又はそれらからなることができる。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、蒸発器及び/又はノズルの温度は、少なくとも600℃、又は特に600℃から1000℃の間、又はより具体的には600℃から800℃の間であり得る。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、加熱シールドの温度は、450℃から550℃の間、特に+/10℃の偏差で約500℃であり得る。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the evaporative material can comprise or consist of lithium, Yb, or LiF. According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the temperature of the evaporator and/or nozzle is at least 600° C., or in particular between 600° C. and 1000° C., or more particularly can be between 600°C and 800°C. According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the temperature of the heating shield can be between 450°C and 550°C, in particular about 500°C with a deviation of +/10°C.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、加熱シールドの温度は、蒸発器の温度よりも少なくとも100℃低く、特に300℃まで低く、より具体的には少なくとも100℃から300℃まで低い。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the temperature of the heating shield is at least 100° C. below the temperature of the evaporator, in particular up to 300° C., more in particular at least Low from 100°C to 300°C.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、熱シールドは、2つ以上の熱シールド層を含む。熱シールド層は、互いに離間して配置することができる。熱シールド層を互いに離間して配置することにより、遮蔽効果を高めることができる。さらに、熱シールド層は、異なる熱伝導係数を有する異なる材料で作製することもできる。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the heat shield includes two or more heat shield layers. The heat shield layers can be spaced apart from each other. By arranging the heat shield layers apart from each other, the shielding effect can be enhanced. Additionally, the heat shield layer can be made of different materials with different heat transfer coefficients.

分配器の側壁に面する下部熱シールド層の温度は、基板に面する上部熱シールド層よりも高くすることができる。熱シールド層は、例えば、特に固定ピンにより分配器の側壁に取り付けて配置することができる。ピンは、絶縁合金又はセラミックなどの遮熱材料を含むことができる。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、熱シールドは、1~10の熱シールド層を含む。実施態様によれば、1つの熱シールド層は、例えば、金属シート又は鋼シートであり得る。実施態様によれば、熱シールド層の厚さは、0.1mmから1mmの間、より具体的には、0.2mmから0.5mmの間であり得る。 The temperature of the lower heat shield layer facing the sidewalls of the distributor can be higher than the temperature of the upper heat shield layer facing the substrate. The heat shield layer can be arranged, for example, attached to the side wall of the distributor, in particular by fixing pins. The pins may include a thermally insulating material such as an insulating alloy or ceramic. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the heat shield includes 1-10 heat shield layers. According to embodiments, one heat shield layer can be, for example, a metal sheet or a steel sheet. According to embodiments, the thickness of the heat shield layer may be between 0.1 mm and 1 mm, more particularly between 0.2 mm and 0.5 mm.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、熱シールドは、側壁と基板との間に配置される。熱シールドは、基板よりも蒸発器に近づけることができる。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the heat shield is positioned between the sidewall and the substrate. The heat shield can be closer to the evaporator than the substrate.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、熱シールドは、蒸発器の側壁によって、例えば放射によって受動的に加熱される。熱シールドは、例えば、蒸発器、特に分配器の側壁からの放射熱によって加熱することができる。「受動的に」という用語は、熱シールドが真空堆積装置の他の構成要素によってのみ加熱されることを理解することができる。熱シールドは、例えば、熱、特に蒸発器の側壁の放射熱を吸収、反射及び/又は遮蔽するように構成することができる。本明細書で記載されるように、熱シールドによって基板の方へ向けられる熱を下げることによって、基板を蒸発器の近くに配置することができ、これにより、真空チャンバのより小型でよりコンパクトな設計が可能となる。 According to an embodiment, which can be combined with other embodiments described herein, the heat shield is passively heated by the sidewalls of the evaporator, eg by radiation. The heat shield can be heated, for example, by radiant heat from the sidewalls of the evaporator, particularly the distributor. The term "passively" can be understood to mean that the heat shield is heated only by other components of the vacuum deposition apparatus. The heat shield may, for example, be configured to absorb, reflect and/or shield heat, particularly radiant heat from the sidewalls of the evaporator. By reducing the heat directed toward the substrate by the heat shield, as described herein, the substrate can be placed closer to the evaporator, which allows for a smaller, more compact vacuum chamber. design becomes possible.

さらに、熱シールドを加熱することによって、例えば漂遊コーティングによって熱シールドの表面上に堆積される材料は、再度蒸発させることもできる。熱シールド上の漂遊コーティング材料は、本明細書に記載されているように、再蒸発によって有利に除去することができる。さらに、熱シールドから材料を再蒸発させることによって、基板上のコーティングをより均一にすることもできる。 Furthermore, by heating the heat shield, material deposited on the surface of the heat shield, for example by stray coating, may be re-vaporized. Stray coating material on the heat shield can be advantageously removed by re-evaporation as described herein. Additionally, re-evaporation of material from the heat shield can also result in a more uniform coating on the substrate.

図2は、本開示の実施態様による、フレーム状のシールド及び熱シールド180の斜視図を示す。加熱シールドは、長方形及び/又は正方形の形状のフレーム140を形成する。フレーム140は、熱シールド180の上部に配置されている。熱シールド180は、平坦又は均一な上面183を形成することができる。フレーム140は、熱シールド180の外周を囲んでいる。フレーム140は、フレーム140の内側142が真空チャンバの内部に露出している。熱シールド180の上面183に対するフレーム140の上方エッジ143との間の距離は、フレーム140の上方エッジと基板(図示せず)との間の距離よりも大きくすることができる。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができるいくつかの実施態様によれば、フレーム及び/又は熱シールドの形状は、複数の開口部又はノズルを設けるように構成される。例えば、少なくとも4列の開口部又はノズルを設けることができる。追加的に又は代替的に、開口部及び/又はノズルのアレイ又はパターンを設けることができ、ここで、4つ以上の開口部及び/又はノズルは、2つの異なる方向、例えば直交方向に配置される。 FIG. 2 shows a perspective view of a frame-like shield and heat shield 180, according to an embodiment of the present disclosure. The heating shield forms a rectangular and/or square shaped frame 140 . Frame 140 is positioned on top of heat shield 180 . Heat shield 180 may form a flat or uniform top surface 183 . Frame 140 surrounds the perimeter of heat shield 180 . The frame 140 exposes the inside 142 of the frame 140 to the interior of the vacuum chamber. The distance between the upper edge 143 of the frame 140 to the top surface 183 of the heat shield 180 can be greater than the distance between the upper edge of the frame 140 and the substrate (not shown). According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the shape of the frame and/or heat shield is configured to provide multiple openings or nozzles. For example, at least four rows of openings or nozzles can be provided. Additionally or alternatively, an array or pattern of openings and/or nozzles may be provided, wherein four or more openings and/or nozzles are arranged in two different directions, e.g. be.

本明細書の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、加熱シールドは、蒸発器と基板との間の真空チャンバの内部に面するチャンバ壁の大部分を覆う。ここで、「大部分」という用語は、加熱シールドが、蒸発器と基板との間の全チャンバ壁面積の面積の少なくとも50%、特に少なくとも75%、又はより具体的には90%以上を覆うように理解することができる。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments herein, the heating shield covers most of the interior facing chamber wall of the vacuum chamber between the vaporizer and the substrate. Here the term "most part" means that the heating shield covers at least 50%, especially at least 75%, or more specifically 90% or more of the area of the total chamber wall area between the evaporator and the substrate. can be understood as

コントローラは、加熱シールドの温度を能動的に制御するように構成されている。能動的に制御することは、ヒータ部に供給される電力を制御することを含むことができ、且つ/又はヒータ部に供給される加熱液の流量を制御することを含むことができる。コントローラは、蒸発器、るつぼ、熱シールド及び/又は加熱シールド内の温度を測定するようにさらに構成することができる。さらに、コントローラは、蒸発器内及び真空チャンバの内部の圧力を測定するように構成することもできる。さらに、コントローラは、るつぼ及び/若しくは蒸発器内の蒸発速度、並びに/又は基板上の蒸発材料の堆積速度を制御するように構成することができる。それぞれのパラメータは、例えば、温度、速度、及び圧力とすることができる。それぞれのパラメータは、例えば、真空チャンバのそれぞれの構成要素に配置されたセンサによって測定することができる。 A controller is configured to actively control the temperature of the heating shield. Actively controlling may include controlling power supplied to the heater section and/or may include controlling the flow rate of heating liquid supplied to the heater section. The controller may be further configured to measure the temperature within the evaporator, crucible, heat shield and/or heat shield. Additionally, the controller may be configured to measure pressure within the evaporator and within the vacuum chamber. Additionally, the controller can be configured to control the evaporation rate within the crucible and/or vaporizer and/or the deposition rate of the vaporized material on the substrate. Respective parameters can be, for example, temperature, velocity, and pressure. Each parameter can be measured, for example, by a sensor arranged in each component of the vacuum chamber.

図3は、本開示の実施態様による、1つ又は複数のフレーム又はシールドを有するさらなる気相堆積装置の概略図を示す。この装置は、図1Aに示される気相堆積装置とは対照的に、垂直処理方向を有する。真空チャンバ105は、真空ポンプ210に接続されている。垂直に配向された分配器133は、基板110の表面100aに面する熱シールド180によって覆われている。材料はるつぼ160内で加熱され、分配器を通って流れ、ノズル136を通って真空チャンバ105の内部145に入る。材料は、本明細書に記載の実施態様による、熱シールド140によって、並びに熱シールド180によって再蒸発させることができる。 FIG. 3 shows a schematic diagram of a further vapor deposition apparatus having one or more frames or shields according to embodiments of the present disclosure. This apparatus has a vertical process direction, in contrast to the vapor deposition apparatus shown in FIG. 1A. Vacuum chamber 105 is connected to vacuum pump 210 . The vertically oriented distributor 133 is covered by a heat shield 180 facing the surface 100 a of the substrate 110 . Material is heated in crucible 160 , flows through a distributor, and through nozzle 136 into interior 145 of vacuum chamber 105 . The material can be re-evaporated by heat shield 140 as well as by heat shield 180 according to embodiments described herein.

図4は、本開示の実施態様によるロールツーロール堆積装置であるさらなる気相堆積装置400の概略図を示す。堆積される基板は、真空チャンバ105を通って2つのドラム450によって誘導されるウェブ410又はホイルであり得る。ウェブ410は、分配器133の側壁134及びノズル136に面する真空チャンバの内部145に沿って移動することができる。この例示的な気相堆積装置400内の基板は、ウェブ410とすることができる。気相堆積装置及びプロセスの構成要素は、本明細書の他の実施態様に記載されている構成要素及びプロセスと同様である。 FIG. 4 shows a schematic diagram of a further vapor deposition apparatus 400, which is a roll-to-roll deposition apparatus according to embodiments of the present disclosure. The substrate to be deposited can be a web 410 or foil guided by two drums 450 through the vacuum chamber 105 . The web 410 can move along the sidewall 134 of the distributor 133 and the interior 145 of the vacuum chamber facing the nozzle 136 . The substrate in this exemplary vapor deposition apparatus 400 can be web 410 . The vapor deposition apparatus and process components are similar to those described in other embodiments herein.

図5は、本明細書に記載の実施態様による、真空チャンバ内で基板をコーティングする方法を説明するためのフロー図を示す。ボックス501によって示されるように、材料は、例えば、本明細書に記載されるようにるつぼを含む蒸発器によって蒸発される。ボックス502によって示されるように、蒸発器の少なくとも一部は、本明細書に記載される実施態様による熱シールドで遮蔽される。ボックス503に示すように、真空チャンバのチャンバ壁は、温度制御された加熱シールドで遮蔽されており、ここで、蒸発器の温度は、本明細書に記載の実施態様による加熱シールドの温度よりも高い。 FIG. 5 shows a flow diagram for describing a method of coating a substrate in a vacuum chamber according to embodiments described herein. As indicated by box 501, the material is evaporated by an evaporator including, for example, a crucible as described herein. As indicated by box 502, at least a portion of the evaporator is shielded with a heat shield according to embodiments described herein. As shown in box 503, the chamber wall of the vacuum chamber is shielded with a temperature controlled heating shield, where the temperature of the evaporator is lower than the temperature of the heating shield according to embodiments described herein. expensive.

本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、温度制御シールドの温度は能動的に制御される。本明細書に記載の他の実施態様と組み合わせることができる実施態様によれば、温度制御又は加熱シールドの温度は、蒸発器の温度よりも低く設定される。 According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the temperature of the temperature control shield is actively controlled. According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the temperature of the temperature control or heating shield is set below the temperature of the evaporator.

熱シールドの基板の通路を通って延びるノズルは、蒸発材料の出口を提供し、ここで、蒸発材料を蒸発器から真空チャンバの内部に移すことができる。
ノズルは、チャンバの内部と蒸発器との間の圧力、特に蒸気圧の差を可能にすることができる。特に、ノズルは、真空チャンバの内部のガス圧力を蒸発器内の蒸気圧よりも低くすることを可能にすることができる。
A nozzle extending through a passageway in the substrate of the heat shield provides an outlet for vaporized material where it can be transferred from the vaporizer to the interior of the vacuum chamber.
The nozzle can allow a pressure difference between the interior of the chamber and the evaporator, in particular vapor pressure. In particular, the nozzle can allow the gas pressure inside the vacuum chamber to be lower than the vapor pressure in the evaporator.

本開示の実施態様は、いくつかの有利な効果を有する。温度制御シールドは、真空チャンバの内部の堆積プロセスを改善することができる。温度制御シールドの温度は、チャンバ壁上の蒸発材料の凝縮を低減するのに十分に高くすることができる。さらに、温度制御又は加熱シールドの温度も、基板の熱負荷を低く保つのに十分に低くすることができる。 Embodiments of the present disclosure have several advantageous effects. A temperature control shield can improve the deposition process inside the vacuum chamber. The temperature of the temperature control shield can be sufficiently high to reduce condensation of evaporative material on the chamber walls. Additionally, the temperature of the temperature control or heating shield can also be low enough to keep the heat load on the substrate low.

さらに、加熱シールド上の漂遊コーティング材料を再蒸発させて、基板上に堆積させることができる。さらに、熱シールドから材料を再蒸発させることによって、基板上のコーティングをより均一にすることもできる。加熱シールドによってチャンバ壁上の漂遊コーティングを低減することによって、真空堆積チャンバは、蒸発材料のより高いスループットで作動させることができ、これはコーティングされた基板の生産速度をさらに高める。 Additionally, stray coating material on the heat shield can be re-evaporated and deposited on the substrate. Additionally, re-evaporation of material from the heat shield can also result in a more uniform coating on the substrate. By reducing stray coating on the chamber walls with the heat shield, the vacuum deposition chamber can be operated at a higher throughput of vaporized material, which further increases the production rate of coated substrates.

本明細書に記載の実施態様による熱シールドは、本明細書に記載されるように、基板に向けられた蒸発器からの熱負荷を低下させることができ、基板は蒸発器のより近くに配置することができ、これにより真空チャンバのより小さくよりコンパクトな設計が可能になる。さらに、蒸発器は、放射熱によって基板を損傷することなく、より高い温度で作動させることができる。さらに、真空チャンバ内部の基板以外の構成要素、例えばマスク、シールド及びチャンバ壁などへの漂遊コーティングによる材料損失は、熱シールド及び加熱シールド上での再蒸発によって低減することができる。漂遊コーティングが少ないと、保全周期間の機械の稼働時間が長くなり、材料の利用率が高くなる可能性がある。 A heat shield according to the embodiments described herein can reduce the heat load from the evaporator directed at the substrate, as described herein, where the substrate is located closer to the evaporator. can be used, which allows a smaller and more compact design of the vacuum chamber. Additionally, the evaporator can be operated at higher temperatures without damaging the substrate by radiant heat. In addition, material loss due to stray coatings on components other than the substrate inside the vacuum chamber, such as masks, shields and chamber walls, can be reduced by heat shields and re-evaporation on heat shields. Less stray coating can result in longer machine uptime between maintenance cycles and higher material utilization.

上述の記載は実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱せずに他の実施態様及びさらなる実施態様が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
While the above description is directed to implementations, other and further implementations may be devised without departing from the basic scope of this disclosure, the scope of which is defined by the following claims: determined by

Claims (15)

チャンバ壁を有する真空チャンバと;
前記チャンバ壁を遮蔽するように構成された温度制御シールドと;
コーティングされる基板に面する熱シールドであって、1つ又は複数の開口部を有する熱シールドと;
前記基板上に堆積される材料を蒸発させるための、少なくとも部分的に前記真空チャンバ内に配置された蒸発器であって、
前記1つ又は複数の開口部を通って延びる1つ又は複数のノズルを備える、蒸発器と
を備え、
前記蒸発器が、前記基板に面する側壁を有し、前記ノズルが、前記側壁に設けられており、
前記熱シールドが、前記側壁と前記基板との間に配置され、
前記熱シールドが、前記蒸発器の前記側壁によって前記蒸発器の温度よりも低い温度に受動的に加熱されることで、漂遊コーティングにより前記熱シールド上に堆積される前記材料の再蒸発が可能となる、気相堆積装置。
a vacuum chamber having a chamber wall;
a temperature control shield configured to shield the chamber walls;
a heat shield facing the substrate to be coated, the heat shield having one or more openings;
an evaporator disposed at least partially within the vacuum chamber for evaporating material deposited on the substrate, comprising :
an evaporator comprising one or more nozzles extending through the one or more openings ;
the vaporizer having a sidewall facing the substrate, the nozzle being mounted on the sidewall;
the heat shield is positioned between the sidewall and the substrate;
The heat shield is passively heated by the sidewalls of the evaporator to a temperature below the temperature of the evaporator to allow re-evaporation of the material deposited on the heat shield by stray coating. Vapor deposition equipment.
前記熱シールドの開口部が通路を形成し、前記ノズルが通路を通って延びている、請求項1に記載の気相堆積装置。 2. The vapor deposition apparatus of claim 1, wherein the opening in the heat shield forms a passageway and the nozzle extends through the passageway. 前記蒸発器の温度は、前記熱シールドの温度よりも高い、請求項1又は2のいずれかに記載の気相堆積装置。 3. The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the temperature of said evaporator is higher than the temperature of said heat shield. 前記温度制御シールドを加熱するヒータ部に接続されたコントローラであって、前記温度制御シールドの温度が前記蒸発器の温度より低くなるように制御する、コントローラ
をさらに備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の気相堆積装置。
4. The controller according to any one of claims 1 to 3, further comprising a controller connected to a heater unit that heats the temperature control shield, the controller controlling the temperature of the temperature control shield to be lower than the temperature of the evaporator. or the vapor phase deposition apparatus according to any one of items.
前記熱シールドが、2つ以上の熱シールド層を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の気相堆積装置。 5. The vapor deposition apparatus of any one of claims 1-4, wherein the heat shield comprises two or more heat shield layers. 前記温度制御シールドが、前記チャンバ壁を覆う、請求項1から5のいずれか一項に記載の気相堆積装置。 6. The vapor deposition apparatus of any one of claims 1-5, wherein the temperature control shield covers the chamber wall . 前記熱シールドが、前記基板よりも前記蒸発器の方に近い、請求項1からのいずれか一項に記載の気相堆積装置。 7. The vapor deposition apparatus of any one of claims 1-6 , wherein the heat shield is closer to the evaporator than to the substrate . 前記温度制御シールドが、前記熱シールドの上部に配置されるフレームを形成する、請求項1からのいずれか一項に記載の気相堆積装置。 8. The vapor deposition apparatus of any one of claims 1-7 , wherein the temperature control shield forms a frame positioned over the heat shield . 前記フレームの上方エッジと前記熱シールドの上面との間の距離は、前記フレームの上方エッジと前記基板との間の距離よりも長い、請求項8に記載の気相堆積装置。 9. The vapor deposition apparatus of claim 8, wherein the distance between the upper edge of the frame and the top surface of the heat shield is greater than the distance between the upper edge of the frame and the substrate. 真空チャンバ内で基板をコーティングするための方法であって、
請求項1に記載の気相堆積装置に設けられた前記真空チャンバ内で材料を蒸発させることと;
前記蒸発器の少なくとも一部を前記熱シールドで遮蔽することであって、前記熱シールドが通路を形成する前記開口部を有する、遮蔽することと;
前記真空チャンバのチャンバ壁を前記温度制御シールドで遮蔽することであって、ここで、前記蒸発器の温度は前記温度制御シールドの温度よりも高い、遮蔽することと
を含み、
前記温度制御シールド上に堆積される前記材料は、前記基板のコーティング中に前記温度制御シールドが加熱されることによって再蒸発させられる、方法。
A method for coating a substrate in a vacuum chamber comprising:
evaporating a material in the vacuum chamber provided in the vapor deposition apparatus of claim 1 ;
shielding at least a portion of the evaporator with the heat shield, the heat shield having the opening forming a passageway;
shielding a chamber wall of the vacuum chamber with the temperature control shield, wherein the temperature of the evaporator is higher than the temperature of the temperature control shield ;
The method of claim 1, wherein the material deposited on the temperature control shield is re-evaporated by heating the temperature control shield during coating of the substrate.
前記温度制御シールドの温度を能動的に制御すること
をさらに含む、請求項10に記載の方法。
11. The method of claim 10 , further comprising actively controlling the temperature of said temperature control shield.
前記温度制御シールドの前記温度が、前記蒸発器の前記温度よりも低く設定される、請求項11に記載の方法。 12. The method of claim 11 , wherein the temperature of the temperature control shield is set lower than the temperature of the evaporator. 前記熱シールドが、放射によって受動的に加熱される、請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。 13. A method according to any one of claims 10-12 , wherein the heat shield is passively heated by radiation . 前記蒸発器内部の圧力を設定することであって、前記蒸発器内部の前記圧力が、前記真空チャンバ内部の圧力よりも高い、設定すること
をさらに含む、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
14. Any one of claims 10 to 13 , further comprising setting a pressure inside the evaporator, wherein the pressure inside the evaporator is higher than the pressure inside the vacuum chamber. The method described in .
真空チャンバ内で基板をコーティングするための方法であって、
前記真空チャンバ内で材料を蒸発させることと;
前記真空チャンバのチャンバ壁を温度制御シールドで遮蔽することであって、ここで、蒸発器の温度は前記温度制御シールドの温度よりも高い、遮蔽することと;
前記蒸発器の少なくとも一部を熱シールドで遮蔽することであって、ここで、前記熱シールドは、該熱シールド上に堆積される材料を再蒸発させるために受動的に加熱され、前記蒸発器の前記温度は、前記熱シールドの温度よりも高い、遮蔽することと
を含み、
前記熱シールドが、前記蒸発器の側壁と前記基板との間に配置され、
前記熱シールドが、前記蒸発器の前記側壁によって前記蒸発器の前記温度よりも低い温度に受動的に加熱されることで、漂遊コーティングにより前記熱シールド上に堆積される前記材料の再蒸発が可能となる、
方法。
A method for coating a substrate in a vacuum chamber comprising:
evaporating a material in the vacuum chamber;
shielding a chamber wall of the vacuum chamber with a temperature control shield, wherein the temperature of the evaporator is higher than the temperature of the temperature control shield;
shielding at least a portion of the evaporator with a heat shield, wherein the heat shield is passively heated to re-evaporate material deposited on the heat shield; wherein the temperature of is greater than the temperature of the heat shield ;
the heat shield is positioned between a sidewall of the evaporator and the substrate;
The heat shield is passively heated by the sidewalls of the evaporator to a temperature below the temperature of the evaporator to allow re-evaporation of the material deposited on the heat shield by stray coating. becomes
Method.
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