JP7302396B2 - image display device - Google Patents

image display device Download PDF

Info

Publication number
JP7302396B2
JP7302396B2 JP2019163006A JP2019163006A JP7302396B2 JP 7302396 B2 JP7302396 B2 JP 7302396B2 JP 2019163006 A JP2019163006 A JP 2019163006A JP 2019163006 A JP2019163006 A JP 2019163006A JP 7302396 B2 JP7302396 B2 JP 7302396B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display device
self
light
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019163006A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021044611A (en
Inventor
修司 川口
大輔 松浦
綱一 鈴木
誠司 武
浩 山本
啓吾 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2019163006A priority Critical patent/JP7302396B2/en
Publication of JP2021044611A publication Critical patent/JP2021044611A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7302396B2 publication Critical patent/JP7302396B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Waveguide Aerials (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Description

本開示の実施の形態は、画像表示装置に関する。 An embodiment of the present disclosure relates to an image display device.

現在、スマートフォン、タブレット等の携帯端末機器の高機能、小型化、薄型化及び軽量化が進んでいる。これら携帯端末機器は、複数の通信帯域を使用するため、通信帯域に応じた複数のアンテナが必要とされる。例えば、携帯端末機器には、電話用アンテナ、WiFi(Wireless Fidelity)用アンテナ、3G(Generation)用アンテナ、4G(Generation)用アンテナ、LTE(Long Term Evolution)用アンテナ、Bluetooth(登録商標)用アンテナ、NFC(Near Field Communication)用アンテナ等の複数のアンテナが搭載されている。しかしながら、携帯端末機器の小型化に伴い、アンテナの搭載スペースは限られており、アンテナ設計の自由度は狭まっている。また、限られたスペース内にアンテナを内蔵していることから、電波感度が必ずしも満足できるものではない。 Currently, mobile terminal devices such as smartphones and tablets are becoming more sophisticated, smaller, thinner and lighter. Since these mobile terminal devices use a plurality of communication bands, they require a plurality of antennas corresponding to the communication bands. For example, mobile terminal devices include telephone antennas, WiFi (Wireless Fidelity) antennas, 3G (Generation) antennas, 4G (Generation) antennas, LTE (Long Term Evolution) antennas, and Bluetooth (registered trademark) antennas. , an NFC (Near Field Communication) antenna, and the like. However, with the miniaturization of mobile terminal devices, the mounting space for antennas is limited, and the degree of freedom in antenna design is narrowing. Also, since the antenna is built in a limited space, the radio sensitivity is not always satisfactory.

特開2011-66610号公報JP 2011-66610 A 特許第5636735号明細書Patent No. 5636735 特許第5695947号明細書Patent No. 5695947

また近年、第5世代通信すなわち5G(Generation)用の携帯端末機器の開発が進められている。この5G用のアンテナ(特にミリ波)は、指向性が高く、携帯端末機器に複数個のアンテナを内蔵させる必要がある。 Further, in recent years, the development of mobile terminal equipment for fifth-generation communication, ie, 5G (Generation), is underway. Antennas for 5G (especially millimeter waves) have high directivity, and it is necessary to incorporate multiple antennas into mobile terminal devices.

そこで、携帯端末機器の発光面側に肉眼で視認できない程度の細い配線をもつ無給電型のメッシュアンテナを配置し、携帯端末機器の発光面の反対側に通信アンテナモジュールを配置することが検討されている。これにより、メッシュアンテナと通信アンテナモジュールとの間で二重共振が生じ、広帯域の特性が得られると考えられる。しかしながら、携帯端末機器の内部に例えば有機EL表示装置等の表示装置が存在すると、表示装置内に存在する金属によって二重共振が阻害され、通信アンテナモジュールとメッシュアンテナとの共振が円滑に行われないおそれがある Therefore, it has been considered to arrange a parasitic mesh antenna with wires too thin to be visible to the naked eye on the side of the light emitting surface of the mobile terminal device, and to arrange a communication antenna module on the opposite side of the light emitting surface of the mobile terminal device. ing. As a result, it is considered that double resonance occurs between the mesh antenna and the communication antenna module, and broadband characteristics are obtained. However, if a display device such as an organic EL display device exists inside the mobile terminal device, the metal present in the display device inhibits the double resonance, and the resonance between the communication antenna module and the mesh antenna is not performed smoothly. may not

本実施の形態は、無給電型メッシュ配線層と通信アンテナモジュールとの間で円滑に二重共振を生じさせることが可能な、画像表示装置を提供する。 The present embodiment provides an image display device capable of smoothly generating double resonance between a parasitic mesh wiring layer and a communication antenna module.

本実施の形態による画像表示装置は、発光面を有する自発光型表示装置と、前記自発光型表示装置の前記発光面側に位置するとともに、透明性を有する基板と、前記基板上に配置された無給電型メッシュ配線層とを有する配線基板と、前記自発光型表示装置の前記発光面の反対側に位置する通信アンテナモジュールと、を備え、前記自発光型表示装置は、発光体と、前記発光体よりも前記発光面の反対側に位置する金属層とを有し、前記金属層のうち、前記通信アンテナモジュールに対応するアンテナ領域に、開口又は切欠きが設けられている。 An image display device according to this embodiment includes a self-luminous display device having a light-emitting surface, a transparent substrate positioned on the light-emitting surface side of the self-luminous display device, and a transparent substrate disposed on the substrate. a wiring board having a parasitic mesh wiring layer; and a communication antenna module located on the opposite side of the light-emitting surface of the self-luminous display device, wherein the self-luminous display device includes a light emitter, and a metal layer located on the opposite side of the light emitting surface than the light emitter, and an opening or a notch is provided in the metal layer in an antenna region corresponding to the communication antenna module.

本実施の形態による画像表示装置において、前記通信アンテナモジュールは、前記開口又は前記切欠きの内部に収容されていても良い。 In the image display device according to this embodiment, the communication antenna module may be accommodated inside the opening or the notch.

本実施の形態による画像表示装置において、前記開口又は前記切欠き内に絶縁体が埋め込まれ、前記絶縁体上に前記通信アンテナモジュールが配置されていても良い。 In the image display device according to this embodiment, an insulator may be embedded in the opening or the notch, and the communication antenna module may be arranged on the insulator.

本実施の形態による画像表示装置は、発光面を有する自発光型表示装置と、前記自発光型表示装置の前記発光面側に位置するとともに、透明性を有する基板と、前記基板上に配置された無給電型メッシュ配線層とを有する配線基板と、前記自発光型表示装置の前記発光面の反対側に位置する通信アンテナモジュールと、を備え、前記自発光型表示装置は、発光体を有し、前記自発光型表示装置のうち、前記通信アンテナモジュールに対応するアンテナ領域に位置する前記発光体の画素密度が、前記アンテナ領域以外の領域に位置する前記発光体の画素密度よりも低くなっている。 An image display device according to this embodiment includes a self-luminous display device having a light-emitting surface, a transparent substrate positioned on the light-emitting surface side of the self-luminous display device, and a transparent substrate disposed on the substrate. a wiring board having a parasitic mesh wiring layer; and a communication antenna module located on the opposite side of the light-emitting surface of the self-luminous display device, the self-luminous display device having a light emitter. In the self-luminous display device, the pixel density of the light emitters located in the antenna area corresponding to the communication antenna module is lower than the pixel density of the light emitters located in areas other than the antenna area. ing.

本実施の形態による画像表示装置において、前記アンテナ領域における前記発光体の画素密度(ppi)は、前記アンテナ領域以外の領域における前記発光体の画素密度(ppi)の20%以上50%以下であっても良い。 In the image display device according to this embodiment, the pixel density (ppi) of the light emitter in the antenna area is 20% or more and 50% or less of the pixel density (ppi) of the light emitter in the area other than the antenna area. can be

本実施の形態による画像表示装置は、発光面を有する自発光型表示装置と、前記自発光型表示装置の前記発光面側に位置するとともに、透明性を有する基板と、前記基板上に配置された無給電型メッシュ配線層とを有する配線基板と、前記自発光型表示装置の前記発光面の反対側に位置する通信アンテナモジュールと、を備え、前記自発光型表示装置は、複数の発光体と、前記発光体よりも前記発光面側に位置する透明電極とを有し、前記自発光型表示装置のうち、少なくとも前記通信アンテナモジュールに対応するアンテナ領域に位置する前記透明電極がパターニングされている。 An image display device according to this embodiment includes a self-luminous display device having a light-emitting surface, a transparent substrate positioned on the light-emitting surface side of the self-luminous display device, and a transparent substrate disposed on the substrate. and a communication antenna module located on the opposite side of the light-emitting surface of the self-luminous display device, wherein the self-luminous display device includes a plurality of light emitters. and a transparent electrode positioned closer to the light-emitting surface than the light emitter, wherein at least the transparent electrode positioned in an antenna area corresponding to the communication antenna module in the self-luminous display device is patterned. there is

本実施の形態による画像表示装置において、前記透明電極は、各発光体に対応する画素対応部と、前記画素対応部同士を連結する連結部とを有し、前記画素対応部及び前記連結部の周囲には、電極開口部が形成されていても良い。 In the image display device according to this embodiment, the transparent electrode has a pixel corresponding portion corresponding to each light emitter and a connecting portion connecting the pixel corresponding portions. An electrode opening may be formed in the periphery.

本実施の形態による画像表示装置において、少なくとも前記アンテナ領域において、単位面積あたりの前記電極開口部の割合は50%以上80%以下であっても良い。 In the image display device according to this embodiment, at least in the antenna region, a ratio of the electrode openings per unit area may be 50% or more and 80% or less.

本実施の形態による画像表示装置において、前記配線基板の前記基板上であって、前記無給電型メッシュ配線層の周囲に、アレー型メッシュ配線層が配置されていても良い。 In the image display device according to this embodiment, an array type mesh wiring layer may be arranged on the substrate of the wiring board and around the parasitic mesh wiring layer.

本実施の形態による画像表示装置において、前記配線基板の前記無給電型メッシュ配線層は、複数の第1配線を含み、前記第1配線の線幅は0.1μm以上5.0μm以下であっても良い。 In the image display device according to this embodiment, the parasitic mesh wiring layer of the wiring substrate includes a plurality of first wirings, and the first wirings have a line width of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. Also good.

本開示の実施の形態によると、無給電型メッシュ配線層と通信アンテナモジュールとの間で円滑に二重共振を生じさせることができる。 According to the embodiments of the present disclosure, double resonance can be smoothly generated between the parasitic mesh wiring layer and the communication antenna module.

図1は、一実施の形態による画像表示装置を示す平面図。1 is a plan view showing an image display device according to an embodiment; FIG. 図2は、一実施の形態による画像表示装置を示す断面図(図1のII-II線断面図)。FIG. 2 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1) showing the image display device according to the embodiment; 図3は、一実施の形態による画像表示装置の断面構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional configuration of the image display device according to the embodiment; 図4(a)(b)は、自発光型表示装置及び通信アンテナモジュールを示す底面図。4A and 4B are bottom views showing a self-luminous display device and a communication antenna module; FIG. 図5は、自発光型表示装置及び通信アンテナモジュールの変形例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modification of the self-luminous display device and the communication antenna module; 図6は、アンテナ領域と他の領域における有機発光層の配置を比較して示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a comparison of the arrangement of organic light-emitting layers in the antenna area and other areas; 図7は、アンテナ領域と他の領域における第1電極の配置を比較して示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing a comparison of the arrangement of the first electrodes in the antenna area and other areas; 図8は、第2電極(透明電極)を示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing a second electrode (transparent electrode); 図9は、配線基板を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing a wiring board; 図10は、配線基板の無給電型メッシュ配線層を示す拡大平面図。FIG. 10 is an enlarged plan view showing a parasitic mesh wiring layer of the wiring board; 図11は、配線基板を示す断面図(図10のXI-XI線断面図)。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the wiring board (a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 10); 図12は、配線基板を示す断面図(図10のXII-XII線断面図)。FIG. 12 is a cross-sectional view showing the wiring substrate (a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 10); 図13(a)-(i)は、一実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図。13A to 13I are cross-sectional views showing a method of manufacturing a wiring board according to an embodiment; FIG. 図14は、変形例による画像表示装置を示す平面図。FIG. 14 is a plan view showing an image display device according to a modification; 図15は、変形例による画像表示装置の配線基板のアレー型メッシュ配線層を示す拡大平面図。FIG. 15 is an enlarged plan view showing an array-type mesh wiring layer of a wiring board of an image display device according to a modification;

まず、図1乃至図13により、一実施の形態について説明する。図1乃至図13は本実施の形態を示す図である。 First, an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 13. FIG. 1 to 13 are diagrams showing this embodiment.

以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下に示す各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また、本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値及び材料名は、実施の形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。本明細書において、形状や幾何学的条件を特定する用語、例えば平行や直交、垂直等の用語については、厳密に意味するところに加え、実質的に同じ状態も含むものとする。 Each figure shown below is shown typically. Therefore, the size and shape of each part are appropriately exaggerated for easy understanding. In addition, it is possible to modify and implement as appropriate without departing from the technical idea. In addition, in each figure shown below, the same code|symbol is attached|subjected to the same part and detailed description may be partially abbreviate|omitted. In addition, numerical values such as dimensions and material names of each member described in this specification are examples as an embodiment, and are not limited to these, and can be appropriately selected and used. In this specification, terms specifying shapes and geometrical conditions, such as parallel, orthogonal, perpendicular, etc., not only have strict meanings but also include substantially the same states.

また、以下の実施の形態において、「X方向」とは、画像表示装置の一辺に対して平行な方向である。「Y方向」とは、X方向に垂直かつ画像表示装置の他の一辺に対して平行な方向である。「Z方向」とは、X方向及びY方向の両方に垂直かつ画像表示装置の厚み方向に平行な方向である。また、「表面」とは、Z方向プラス側の面であって、画像表示装置の発光面側であり、観察者側を向く面をいう。「裏面」とは、Z方向マイナス側の面であって、画像表示装置の発光面及び観察者側を向く面と反対側の面をいう。 Further, in the following embodiments, "X direction" is a direction parallel to one side of the image display device. The “Y direction” is a direction perpendicular to the X direction and parallel to the other side of the image display device. The “Z direction” is a direction perpendicular to both the X direction and the Y direction and parallel to the thickness direction of the image display device. Further, the “surface” refers to a surface on the positive side in the Z direction, which is on the side of the light emitting surface of the image display device, and which faces the viewer. The term “back surface” refers to the surface on the negative side in the Z direction, which is opposite to the surface facing the light-emitting surface and the viewer side of the image display device.

[画像表示装置の構成]
図1乃至図8を参照して、本実施の形態による画像表示装置の構成について説明する。
[Configuration of image display device]
The configuration of the image display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG.

図1及び図2に示すように、画像表示装置(表示装置)60は、筐体62内に収容された自発光型表示装置(ディスプレイ)61と、自発光型表示装置61の発光面64側に位置する配線基板10と、自発光型表示装置61の発光面64の反対側に位置する通信アンテナモジュール63と、を備えている。このうち配線基板10は、透明性を有する基板11と、基板11上に配置された無給電型メッシュ配線層20とを有する。 As shown in FIGS. 1 and 2, an image display device (display device) 60 includes a self-luminous display device (display) 61 housed in a housing 62 and a light-emitting surface 64 side of the self-luminous display device 61. and a communication antenna module 63 located on the opposite side of the light-emitting surface 64 of the self-luminous display device 61 . The wiring substrate 10 has a transparent substrate 11 and a parasitic mesh wiring layer 20 arranged on the substrate 11 .

図1に示すように、通信アンテナモジュール63は、平面視で自発光型表示装置61の周縁に位置している。また配線基板10は、自発光型表示装置61内であって発光面64側に配置されている。配線基板10の無給電型メッシュ配線層20は、平面視で少なくとも一部が通信アンテナモジュール63に重なる位置に設けられている。この画像表示装置60において、通信アンテナモジュール63を介して、所定の周波数の電波を送受信することができ、通信を行うことができる。通信アンテナモジュール63は、電話用アンテナ、WiFi用アンテナ、3G用アンテナ、4G用アンテナ、5G用アンテナ、LTE用アンテナ、Bluetooth(登録商標)用アンテナ、NFC用アンテナ等のいずれかを含んでいても良い。 As shown in FIG. 1, the communication antenna module 63 is located on the periphery of the self-luminous display device 61 in plan view. Further, the wiring substrate 10 is arranged inside the self-luminous display device 61 and on the side of the light emitting surface 64 . The parasitic mesh wiring layer 20 of the wiring board 10 is provided at a position where at least a portion thereof overlaps the communication antenna module 63 in plan view. In this image display device 60, radio waves of a predetermined frequency can be transmitted and received via the communication antenna module 63, and communication can be performed. The communication antenna module 63 may include any of a telephone antenna, a WiFi antenna, a 3G antenna, a 4G antenna, a 5G antenna, an LTE antenna, a Bluetooth (registered trademark) antenna, an NFC antenna, and the like. good.

一般に、通信アンテナモジュール63が例えば5Gアンテナ(特にミリ波用アンテナ)である場合、通信アンテナモジュール63の帯域幅が狭く、指向性も強い傾向がある。これに対して本実施の形態においては、基板11上であって通信アンテナモジュール63に重なる位置に、無給電型メッシュ配線層20が設けられている。これにより、基板11が誘電体としての役割を果たし、無給電型メッシュ配線層20によって二重共振を生じさせ、通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げることができる。 In general, when the communication antenna module 63 is, for example, a 5G antenna (particularly a millimeter wave antenna), the communication antenna module 63 tends to have a narrow bandwidth and strong directivity. On the other hand, in the present embodiment, parasitic mesh wiring layer 20 is provided on substrate 11 at a position overlapping communication antenna module 63 . As a result, the substrate 11 serves as a dielectric, and the parasitic mesh wiring layer 20 causes double resonance, thereby widening the bandwidth of the communication antenna module 63 .

このような画像表示装置60としては、例えばスマートフォン、タブレット等の携帯端末機器を挙げることができる。なお、配線基板10の詳細については後述する。 Examples of such an image display device 60 include mobile terminal devices such as smartphones and tablets. Details of the wiring board 10 will be described later.

次に、図3を参照して、画像表示装置60の断面構成について更に説明する。 Next, a cross-sectional configuration of the image display device 60 will be further described with reference to FIG.

図3に示すように、画像表示装置60は、自発光型表示装置61と、自発光型表示装置61の発光面64側(Z方向プラス側)に位置する配線基板10と、自発光型表示装置61の発光面64の反対側(Z方向マイナス側)に位置する通信アンテナモジュール63と、を備えている。なお、図3においては、主に配線基板10、自発光型表示装置61及び通信アンテナモジュール63の断面について示しており、筐体62等の表示を省略している。 As shown in FIG. 3, the image display device 60 includes a self-luminous display device 61, a wiring substrate 10 positioned on the side of the light-emitting surface 64 of the self-luminous display device 61 (positive side in the Z direction), and a self-luminous display device. and a communication antenna module 63 located on the opposite side (Z direction negative side) of the light emitting surface 64 of the device 61 . Note that FIG. 3 mainly shows cross sections of the wiring board 10, the self-luminous display device 61, and the communication antenna module 63, and omits the display of the housing 62 and the like.

本実施の形態において、自発光型表示装置61のうち、通信アンテナモジュール63に対応する領域であるアンテナ領域Rの金属の密度が、アンテナ領域R以外の領域(他の領域ともいう)Rの金属の密度よりも低くなっている。すなわち、アンテナ領域Rは、他の領域Rよりも単位面積あたりの金属の量が少なくなっている。具体的には、後述するように、(i)自発光型表示装置61の金属層66のうち、通信アンテナモジュール63に対応するアンテナ領域Rに、開口77又は切欠き78が設けられている。(ii)また、自発光型表示装置61のうち、アンテナ領域Rに位置する有機発光層(発光体)86の画素密度が、他の領域Rに位置する有機発光層(発光体)86の画素密度よりも低くなっている。(iii)さらに、自発光型表示装置61のうち、少なくともアンテナ領域Rに位置する第2電極(透明電極)87がパターニングされている。 In the present embodiment, in the self-luminous display device 61, the metal density of the antenna region Ra , which is the region corresponding to the communication antenna module 63, is the same as that of the region other than the antenna region Ra (also referred to as other region) R It is lower than the metal density of x . That is, the antenna region Ra has a smaller amount of metal per unit area than the other regions Rx . Specifically, as will be described later, (i) in the metal layer 66 of the self-luminous display device 61, an opening 77 or a notch 78 is provided in the antenna region Ra corresponding to the communication antenna module 63. . (ii) In the self-luminous display device 61, the pixel density of the organic light-emitting layer (light-emitting body) 86 located in the antenna region Ra is lower than that of the organic light-emitting layer (light-emitting body) 86 located in the other region Rx . is lower than the pixel density of (iii) Further, in the self-luminous display device 61, at least the second electrode (transparent electrode) 87 located in the antenna region Ra is patterned.

このように、アンテナ領域Rにおける単位面積あたりの金属の量(密度)を、他の領域Rにおける単位面積あたりの金属の量(密度)よりも少なくすることにより、自発光型表示装置61の厚み方向(Z方向)に沿って電波の透過が妨げられることを抑えることができる。これにより、無給電型メッシュ配線層20に二重共振を生じさせやすくすることができ、通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げることができる。 In this way, by making the amount (density) of metal per unit area in the antenna region Ra smaller than the amount (density) of metal per unit area in the other region Rx , the self-luminous display device 61 It is possible to prevent the transmission of radio waves from being obstructed along the thickness direction (Z direction) of the . As a result, double resonance can be easily generated in the parasitic mesh wiring layer 20, and the bandwidth of the communication antenna module 63 can be widened.

ここで、通信アンテナモジュール63に対応するアンテナ領域Rとは、平面方向(Z方向プラス側)から見て、自発光型表示装置61のうち通信アンテナモジュール63と少なくとも部分的に重なる領域をいう(図1乃至図3参照)。なお、アンテナ領域Rは、必ずしも平面方向から見て通信アンテナモジュール63の全域と重なっていなくても良く、通信アンテナモジュール63の少なくとも一部と重なる領域であっても良い。また、アンテナ領域Rは、平面方向から見て通信アンテナモジュール63よりも広い領域であっても良い。アンテナ領域Rの面積は、自発光型表示装置61の全表示領域の面積の10%以下とすることが好ましく、5%以下とすることが更に好ましい。 Here, the antenna region Ra corresponding to the communication antenna module 63 refers to a region of the self-luminous display device 61 that at least partially overlaps with the communication antenna module 63 when viewed from the plane direction (Z-direction plus side). (See FIGS. 1-3). Note that the antenna area Ra does not necessarily have to overlap the entire area of the communication antenna module 63 when viewed in the planar direction, and may overlap with at least a portion of the communication antenna module 63 . Also, the antenna area Ra may be an area wider than the communication antenna module 63 when viewed in the planar direction. The area of the antenna region Ra is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, of the total display region of the self-luminous display device 61 .

自発光型表示装置61は、例えば有機EL(Electro Luminescence)表示装置からなる。自発光型表示装置61は、発光面64の反対側(Z方向マイナス側)から順に、グラファイト層65と、金属層66と、支持基材67と、樹脂基材68と、薄膜トランジスタ(TFT)69と、有機EL層71と、偏光板72と、タッチセンサ73と、加飾フィルム74と、カバーガラス75とを含んでいる。 The self-luminous display device 61 is, for example, an organic EL (Electro Luminescence) display device. The self-luminous display device 61 includes a graphite layer 65 , a metal layer 66 , a support base material 67 , a resin base material 68 , and a thin film transistor (TFT) 69 in this order from the side opposite to the light emitting surface 64 (Z direction minus side). , an organic EL layer 71 , a polarizing plate 72 , a touch sensor 73 , a decorative film 74 , and a cover glass 75 .

グラファイト層65及び金属層66は、互いに積層されて放熱層76を構成する。放熱層76は、有機EL層71の有機発光層(発光体)86よりも発光面64の反対側(Z方向マイナス側)に位置する。この放熱層76は、自発光型表示装置61よりも発光面64の反対側に位置する図示しない他の電子機器からの熱を有機EL層71側に伝達しにくくする役割を果たす。なお、放熱層76は、必ずしもグラファイト層65を有していなくても良く、金属層66のみから構成されても良い。金属層66は、例えば銅等の熱伝導性が良好な金属からなっても良い。 The graphite layer 65 and the metal layer 66 are stacked together to form a heat dissipation layer 76 . The heat dissipation layer 76 is located on the opposite side of the light emitting surface 64 (minus side in the Z direction) of the organic light emitting layer (light emitter) 86 of the organic EL layer 71 . The heat dissipation layer 76 plays a role of making it difficult for heat from other electronic devices (not shown) located on the opposite side of the light-emitting surface 64 from the self-luminous display device 61 to be transferred to the organic EL layer 71 side. Note that the heat dissipation layer 76 does not necessarily have the graphite layer 65 and may be composed only of the metal layer 66 . The metal layer 66 may be made of a metal with good thermal conductivity, such as copper.

本実施の形態において、放熱層76(グラファイト層65及び金属層66)のうち、通信アンテナモジュール63に対応するアンテナ領域Rに、開口77が設けられている。すなわち図3に示すように、放熱層76には、通信アンテナモジュール63の周囲を取り囲むように開口77が形成されている。この開口77は、放熱層76を厚み方向に貫通している。また通信アンテナモジュール63は、開口77の内部に収容されている。この場合、通信アンテナモジュール63は、開口77内で支持基材67に接着されている。このように、アンテナ領域Rに開口77を設けたことにより、通信アンテナモジュール63と無給電型メッシュ配線層20との間に存在する導電体によって電波の透過が妨げられることを抑え、無給電型メッシュ配線層20に二重共振を生じさせやすくすることができる。また、通信アンテナモジュール63が開口77の内部に収容されていることにより、自発光型表示装置61を薄型に構成することができる。 In the present embodiment, an opening 77 is provided in the antenna region Ra corresponding to the communication antenna module 63 in the heat dissipation layer 76 (graphite layer 65 and metal layer 66). That is, as shown in FIG. 3 , an opening 77 is formed in the heat dissipation layer 76 so as to surround the communication antenna module 63 . The opening 77 penetrates the heat dissipation layer 76 in the thickness direction. Also, the communication antenna module 63 is housed inside the opening 77 . In this case, the communication antenna module 63 is glued to the support substrate 67 within the opening 77 . By providing the opening 77 in the antenna region Ra in this way, it is possible to suppress the transmission of radio waves from being hindered by the conductor existing between the communication antenna module 63 and the parasitic mesh wiring layer 20, Double resonance can be easily generated in the mold mesh wiring layer 20 . Further, since the communication antenna module 63 is housed inside the opening 77, the self-luminous display device 61 can be made thin.

図4(a)(b)は、自発光型表示装置61及び通信アンテナモジュール63を裏面側から見た図である。図4(a)は、図3のIV方向矢視図である。図4(a)に示すように、放熱層76(グラファイト層65及び金属層66)には平面視矩形状の開口77が形成され、開口77内に通信アンテナモジュール63が収容されている。この場合、放熱層76は、開口77の周囲を全周にわたって取り囲むように設けられている。 4A and 4B are diagrams of the self-luminous display device 61 and the communication antenna module 63 as seen from the back side. FIG. 4(a) is a view taken in the direction of arrow IV in FIG. As shown in FIG. 4A, a heat dissipation layer 76 (graphite layer 65 and metal layer 66) is formed with a rectangular opening 77 in plan view, and the communication antenna module 63 is accommodated in the opening 77. As shown in FIG. In this case, the heat dissipation layer 76 is provided so as to surround the entire periphery of the opening 77 .

図4(b)は、自発光型表示装置61の変形例を示している。図4(b)に示すように、放熱層76(グラファイト層65及び金属層66)のうち、通信アンテナモジュール63に対応するアンテナ領域Rに、切欠き78が設けられている。この切欠き78は、放熱層76の周縁に向けて切り欠かれており、放熱層76は、切欠き78の周囲を取り囲むようにコ字状に設けられている。この場合、通信アンテナモジュール63は、切欠き78の内部に収容されている。 FIG. 4B shows a modification of the self-luminous display device 61. As shown in FIG. As shown in FIG. 4B, a notch 78 is provided in the antenna region Ra corresponding to the communication antenna module 63 in the heat dissipation layer 76 (graphite layer 65 and metal layer 66). This notch 78 is cut out toward the periphery of the heat dissipation layer 76 , and the heat dissipation layer 76 is provided in a U-shape so as to surround the circumference of the notch 78 . In this case, the communication antenna module 63 is accommodated inside the cutout 78 .

また、図5に示すように、放熱層76(グラファイト層65及び金属層66)の開口77又は切欠き78内に樹脂等の絶縁体79を埋め込み、この絶縁体79上(Z方向マイナス側の面上)に通信アンテナモジュール63を配置しても良い。 Further, as shown in FIG. 5, an insulator 79 such as resin is embedded in the opening 77 or the notch 78 of the heat dissipation layer 76 (the graphite layer 65 and the metal layer 66). The communication antenna module 63 may be arranged on the surface).

再度図3を参照すると、支持基材67は、金属層66上に配置されている。支持基材67は、自発光型表示装置61の全体を支持するものであり、例えば可撓性を有するフィルムからなっていても良い。支持基材67の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレートを用いることができる。 Referring again to FIG. 3, a support substrate 67 is positioned over metal layer 66 . The support base material 67 supports the entire self-luminous display device 61, and may be made of, for example, a flexible film. As a material of the support base material 67, for example, polyethylene terephthalate can be used.

樹脂基材68は、支持基材67上に配置されている。樹脂基材68は、薄膜トランジスタ69及び有機EL層71等を支持するものであり、可撓性を有する平坦な層からなる。樹脂基材68は、ダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマCVD法又は熱CVD法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものであっても良い。樹脂基材68としては、例えば、有色のポリイミドを用いることができる。 A resin base material 68 is arranged on the support base material 67 . The resin base material 68 supports the thin film transistor 69, the organic EL layer 71, and the like, and is composed of a flexible flat layer. The resin base material 68 is formed by applying a method such as a die coating method, an inkjet method, a spray coating method, a plasma CVD method, a thermal CVD method, a capillary coating method, a slit and spin method, or a center dropping method. Also good. As the resin base material 68, for example, colored polyimide can be used.

薄膜トランジスタ(TFT)69は、樹脂基材68上に配置されている。薄膜トランジスタ69は、有機EL層71を駆動するためのものであり、有機EL層71の後述する第1電極85及び第2電極87に印加される電圧を制御するようになっている。 A thin film transistor (TFT) 69 is arranged on the resin base material 68 . The thin film transistor 69 is for driving the organic EL layer 71 and controls the voltage applied to a first electrode 85 and a second electrode 87 of the organic EL layer 71, which will be described later.

薄膜トランジスタ69は、絶縁層81と、絶縁層81内に埋設されたゲート電極82、ソース電極83及びドレイン電極84と、を有している。絶縁層81は、例えば、電気絶縁性を有する材料を積層することによって構成されたものであり、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。例えば、絶縁層81の材料としては、酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)、窒化シリコン(SiN)、又は酸化アルミニウム(AlO)を用いても良い。ゲート電極82としては、例えば、モリブデンータングステン合金、チタンとアルミニウムとの積層体等を採用することができる。ソース電極83及びドレイン電極84としては、例えば、チタンとアルミニウムとの積層体、銅マンガンと銅とモリブデンとの積層体等を用いることができる。 The thin film transistor 69 has an insulating layer 81 and a gate electrode 82 , a source electrode 83 and a drain electrode 84 embedded in the insulating layer 81 . The insulating layer 81 is formed, for example, by laminating materials having electrical insulation properties, and either known organic materials or inorganic materials can be used. For example, the insulating layer 81 may be made of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiN), or aluminum oxide (AlO x ). As the gate electrode 82, for example, a molybdenum-tungsten alloy, a laminate of titanium and aluminum, or the like can be used. As the source electrode 83 and the drain electrode 84, for example, a laminate of titanium and aluminum, a laminate of copper-manganese, copper, and molybdenum, or the like can be used.

有機EL層71は、薄膜トランジスタ69上に配置されており、薄膜トランジスタ69に電気的に接続されている。有機EL層71は、樹脂基材68上に配置された第1電極(反射電極、アノード電極)85と、第1電極85上に配置された有機発光層(発光体)86と、有機発光層86上に配置された第2電極(透明電極、カソード電極)87とを有している。また薄膜トランジスタ69上には、第1電極85の端縁を被覆するようにバンク88が形成されている。このバンク88に取り囲まれることにより、各画素に対応する開口が形成され、この開口内に上述した有機発光層86が配置されている。さらに、第1電極85、有機発光層86、第2電極87及びバンク88は、封止樹脂89によって封止されている。なお、ここでは第1電極85がアノード電極を構成し、第2電極87がカソード電極を構成する。しかしながら、第1電極85及び第2電極87の極性が特に限られることはない。 The organic EL layer 71 is arranged on the thin film transistor 69 and electrically connected to the thin film transistor 69 . The organic EL layer 71 includes a first electrode (reflective electrode, anode electrode) 85 arranged on the resin base material 68, an organic light emitting layer (light emitter) 86 arranged on the first electrode 85, an organic light emitting layer 86 and a second electrode (transparent electrode, cathode electrode) 87 disposed thereon. A bank 88 is formed on the thin film transistor 69 so as to cover the edge of the first electrode 85 . An opening corresponding to each pixel is formed by being surrounded by the bank 88, and the above-described organic light emitting layer 86 is arranged in this opening. Furthermore, the first electrode 85 , the organic light emitting layer 86 , the second electrode 87 and the bank 88 are sealed with a sealing resin 89 . Here, the first electrode 85 constitutes an anode electrode, and the second electrode 87 constitutes a cathode electrode. However, the polarities of the first electrode 85 and the second electrode 87 are not particularly limited.

第1電極85は、樹脂基材68上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等の手法により形成されたものである。第1電極85の材質としては、効率良く正孔を注入できる材質を用いることが好ましく、例えば、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀又は金、及びそれらの合金等の金属材料を挙げることができる。 The first electrode 85 is formed on the resin base material 68 by a method such as sputtering, vapor deposition, ion plating, CVD, or the like. As the material of the first electrode 85, it is preferable to use a material that can efficiently inject holes. Examples include metal materials such as aluminum, chromium, molybdenum, tungsten, copper, silver or gold, and alloys thereof. can be done.

有機発光層(発光体)86は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成されて発光する機能を有する。有機発光層86は、第1電極85上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成されたものである。有機発光層86としては、所定の電圧を印加することにより発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが好ましく、例えば、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等が挙げられる。なお、複数の有機発光層86は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のいずれかであり、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が、繰り返して並んで形成されている。 The organic light-emitting layer (light-emitting body) 86 has a function of emitting light by generating an excited state by injecting and recombining holes and electrons. The organic light-emitting layer 86 is formed on the first electrode 85 by a vapor deposition method, a nozzle coating method in which a coating liquid is applied from a nozzle, or a printing method such as inkjet. The organic light-emitting layer 86 preferably contains a fluorescent organic substance configured to emit light upon application of a predetermined voltage. mentioned. The plurality of organic light-emitting layers 86 are any one of a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer, and the red light-emitting layer, the green light-emitting layer, and the blue light-emitting layer are repeatedly formed side by side.

本実施の形態において、上述したように、自発光型表示装置61のうち、アンテナ領域Rに位置する有機発光層(発光体)86の画素密度が、他の領域Rに位置する有機発光層(発光体)86の画素密度よりも低くなっている。 In the present embodiment, as described above, in the self-luminous display device 61, the pixel density of the organic light-emitting layer (emitter) 86 located in the antenna region Ra is the same as that of the organic light-emitting layer located in the other region Rx . It is lower than the pixel density of layer (emitter) 86 .

例えば、図6に示すように、有機発光層86は、他の領域Rよりもアンテナ領域Rの方が低密度で配置されている。すなわち、アンテナ領域Rにおける有機発光層86同士の間隔d1aは、他の領域Rにおける有機発光層86同士の間隔d1xよりも広くなっている(d1a>d1x)。 For example, as shown in FIG. 6, the organic light-emitting layers 86 are arranged at a lower density in the antenna region Ra than in the other regions Rx . That is, the distance d 1a between the organic light-emitting layers 86 in the antenna region R a is wider than the distance d 1x between the organic light-emitting layers 86 in the other regions R x (d 1a >d 1x ).

このため、図7に示すように、有機発光層86にそれぞれ対応して配置される第1電極85についても同様に、アンテナ領域Rの方が他の領域Rよりも低密度で配置される。すなわち、アンテナ領域Rにおける第1電極85同士の間隔d2aは、他の領域Rにおける第1電極85同士の間隔d2xよりも広くなっている(d2a>d2x)。なお、薄膜トランジスタ69の各電極(ゲート電極82、キャパシタ電極(図示せず)及びデータ配線(図示せず))についても、アンテナ領域Rの方が、他の領域Rよりも低密度で配置されてもよい。 For this reason, as shown in FIG. 7, the first electrodes 85 arranged corresponding to the organic light-emitting layers 86 are similarly arranged with a lower density in the antenna region Ra than in the other regions Rx . be. That is, the spacing d2a between the first electrodes 85 in the antenna region R a is wider than the spacing d2x between the first electrodes 85 in the other region R x (d 2a >d 2x ). The electrodes of the thin film transistor 69 (the gate electrode 82, the capacitor electrode (not shown), and the data wiring (not shown)) are also arranged at a lower density in the antenna region Ra than in the other region Rx . may be

ここで画素密度とは、解像度ともいい、自発光型表示装置61が表示する画像を表現する格子の細かさである。画素密度は、一般に1インチあたりのピクセルの数(ppi)で表現される。ピクセルの数(ppi)で表現した場合、アンテナ領域Rにおける有機発光層86の画素密度は、他の領域Rにおける有機発光層86の画素密度の20%以上50%以下とすることが好ましい。アンテナ領域Rにおける有機発光層86の画素密度を、他の領域Rにおける画素密度の20%以上とすることにより、アンテナ領域Rと他の領域Rとの間で画像の粗さの違いを目立たなくすることができる。またアンテナ領域Rにおける有機発光層86の画素密度を、他の領域Rにおける画素密度の50%以下とすることにより、通信アンテナモジュール63と無給電型メッシュ配線層20との間に存在する導電体によって電波の透過が妨げられることを抑えることができる。 Here, the pixel density is also referred to as resolution, and is the fineness of the lattice that expresses the image displayed by the self-luminous display device 61 . Pixel density is commonly expressed in pixels per inch (ppi). When expressed by the number of pixels (ppi), the pixel density of the organic light-emitting layer 86 in the antenna region Ra is preferably 20% or more and 50% or less of the pixel density of the organic light-emitting layer 86 in the other regions Rx . . By setting the pixel density of the organic light-emitting layer 86 in the antenna region Ra to 20% or more of the pixel density in the other region Rx , the roughness of the image between the antenna region Ra and the other region Rx is reduced. You can make the difference invisible. Further, by setting the pixel density of the organic light-emitting layer 86 in the antenna region Ra to 50% or less of the pixel density in the other region Rx , It is possible to prevent the transmission of radio waves from being hindered by the conductor.

このように、アンテナ領域Rにおける有機発光層86の画素密度を、他の領域Rよりも低くすることにより、アンテナ領域Rにおける導電体(第1電極85等)の密度を他の領域Rよりも低くすることができる。これにより、通信アンテナモジュール63と無給電型メッシュ配線層20との間に存在する導電体によって電波の透過が妨げられることを抑え、無給電型メッシュ配線層20に二重共振を生じさせやすくすることができる。 In this way, by making the pixel density of the organic light-emitting layer 86 in the antenna region Ra lower than that in the other regions Rx , the density of the conductors (the first electrode 85 and the like) in the antenna region Ra is reduced to that of the other regions Rx. can be lower than Rx . This prevents the transmission of radio waves from being hindered by the conductor existing between the communication antenna module 63 and the parasitic mesh wiring layer 20, and facilitates the generation of double resonance in the parasitic mesh wiring layer 20. be able to.

図3を参照すると、第2電極(透明電極)87は、有機発光層86上に形成されている。第2電極87は、例えばスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等の手法により形成されても良い。第2電極87の材質としては、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材質を用いることが好ましい。具体的には、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化リチウム、炭酸セシウム等が挙げられる。 Referring to FIG. 3, a second electrode (transparent electrode) 87 is formed on the organic light emitting layer 86 . The second electrode 87 may be formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, a CVD method, or the like. As a material for the second electrode 87, it is preferable to use a material that is easy to inject electrons and has good light transmittance. Specific examples include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), lithium oxide, and cesium carbonate.

本実施の形態において、上述したように、少なくともアンテナ領域Rに位置する第2電極87(透明電極)がパターニングされている。すなわち、図8に示すように、第2電極87は、各有機発光層86(画素部)に対応する画素対応部91と、画素対応部91同士を互いに連結する連結部92とを有している。画素対応部91及び連結部92の周囲には、電極開口部93が形成されている。電極開口部93は、第2電極87を構成する導電体が存在しない部分であり、第2電極87の厚み方向(Z方向)に貫通している。なお、図8において、有機発光層86を二点鎖線で示している。第2電極87をパターニングする方法は問わないが、例えばメタルマスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィ法、リフトオフ法等を挙げることができる。 In this embodiment, as described above, at least the second electrode 87 (transparent electrode) located in the antenna region Ra is patterned. That is, as shown in FIG. 8, the second electrode 87 has a pixel corresponding portion 91 corresponding to each organic light emitting layer 86 (pixel portion) and a connecting portion 92 connecting the pixel corresponding portions 91 to each other. there is An electrode opening 93 is formed around the pixel corresponding portion 91 and the connecting portion 92 . The electrode opening 93 is a portion where the conductor constituting the second electrode 87 does not exist, and penetrates through the second electrode 87 in the thickness direction (Z direction). In addition, in FIG. 8, the organic light-emitting layer 86 is indicated by a chain double-dashed line. Although the method for patterning the second electrode 87 is not limited, for example, a vapor deposition method using a metal mask, a photolithography method, a lift-off method, and the like can be used.

このように、少なくともアンテナ領域Rにおける第2電極87をパターニングすることにより、アンテナ領域Rにおける導電体(第2電極87)の密度を、第2電極87をパターニングしない場合と比較して低くすることができる。これにより、通信アンテナモジュール63と無給電型メッシュ配線層20との間に存在する導電体によって電波の透過が妨げられることを抑え、無給電型メッシュ配線層20に二重共振を生じさせやすくすることができる。 By patterning at least the second electrode 87 in the antenna region Ra in this manner, the density of the conductors (the second electrode 87) in the antenna region Ra is reduced compared to when the second electrode 87 is not patterned. can do. This prevents the transmission of radio waves from being hindered by the conductor existing between the communication antenna module 63 and the parasitic mesh wiring layer 20, and facilitates the generation of double resonance in the parasitic mesh wiring layer 20. be able to.

なお、少なくともアンテナ領域Rにおいて、単位面積あたりの電極開口部93の割合は、50%以上80%以下とすることが好ましい。ここで、「単位面積あたりの電極開口部93の割合」は、{(少なくともアンテナ領域R内の所定領域に存在する電極開口部93の合計面積)/(上記所定領域の面積)}×100(%)によって算出することができる。単位面積あたりの電極開口部93の割合を50%以上とすることにより、通信アンテナモジュール63と無給電型メッシュ配線層20との間に存在する導電体によって電波の透過が妨げられることを抑えることができる。また単位面積あたりの電極開口部93の割合を80%以下とすることにより、第2電極87から各有機発光層86に対して確実に電気を供給することができる。 In addition, at least in the antenna region Ra , the ratio of the electrode openings 93 per unit area is preferably 50% or more and 80% or less. Here, the "proportion of the electrode openings 93 per unit area" is {(total area of the electrode openings 93 existing at least in a predetermined region within the antenna region Ra )/(area of the predetermined region)}×100. (%) can be calculated. By setting the ratio of the electrode openings 93 per unit area to 50% or more, it is possible to prevent the transmission of radio waves from being hindered by the conductor existing between the communication antenna module 63 and the parasitic mesh wiring layer 20. can be done. By setting the ratio of the electrode openings 93 per unit area to 80% or less, electricity can be reliably supplied from the second electrode 87 to each organic light-emitting layer 86 .

なお、第2電極87(透明電極)がパターニングされている領域は、アンテナ領域Rに限られるものではない。アンテナ領域Rに加えて、他の領域Rに位置する第2電極87がパターニングされていても良い。また、自発光型表示装置61の全域(アンテナ領域R及び他の領域Rの全体)にわたって第2電極87がパターニングされていても良い。 The region where the second electrode 87 (transparent electrode) is patterned is not limited to the antenna region Ra . In addition to the antenna region Ra , the second electrode 87 located in another region Rx may be patterned. Further, the second electrode 87 may be patterned over the entire area of the self-luminous display device 61 (entire antenna area Ra and other areas Rx ).

図3を参照すると、バンク88は、樹脂等の絶縁性をもつ有機材料を用いて形成されている。バンク88の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。 Referring to FIG. 3, the bank 88 is formed using an insulating organic material such as resin. Examples of the organic material used for forming the bank 88 include acrylic resin, polyimide resin, novolak phenol resin, and the like.

封止樹脂89は、バンク88上及び第2電極87上に配置されている。この封止樹脂89は、有機発光層86を保護するものである。封止樹脂89としては、例えば、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。 A sealing resin 89 is arranged on the bank 88 and the second electrode 87 . This sealing resin 89 protects the organic light emitting layer 86 . As the sealing resin 89, for example, silicone resin or acrylic resin can be used.

なお、有機EL層71において発光した光は、発光面64から取り出される。すなわち、有機EL層71からの光は、封止樹脂89の上方から取り出される。このように本実施の形態における自発光型表示装置61は、いわゆるトップエミッション型の表示装置となっている。 Light emitted from the organic EL layer 71 is extracted from the light emitting surface 64 . That is, light from the organic EL layer 71 is extracted from above the sealing resin 89 . Thus, the self-luminous display device 61 in this embodiment is a so-called top emission display device.

偏光板72は、有機EL層71上に配置されている。この偏光板72は、有機EL層71からの光をフィルタリングするものである。偏光板72は、偏光子と、偏光子の両面に貼り合わされた透光性を有する一対の保護フィルムとを有していても良い。 A polarizing plate 72 is arranged on the organic EL layer 71 . This polarizing plate 72 filters the light from the organic EL layer 71 . The polarizing plate 72 may have a polarizer and a pair of translucent protective films attached to both sides of the polarizer.

タッチセンサ73は、偏光板72上に配置されている。このタッチセンサ73は、自発光型表示装置61に指等を接触させたときに、接触位置データを検出して出力するものである。 The touch sensor 73 is arranged on the polarizing plate 72 . The touch sensor 73 detects and outputs contact position data when a finger or the like is brought into contact with the self-luminous display device 61 .

図3に示すように、配線基板10は、上述したように、自発光型表示装置61内であって有機発光層(発光体)86よりも発光面64側に配置されている。この場合、配線基板10は、自発光型表示装置61のタッチセンサ73と加飾フィルム74との間に配置されている。なお、配線基板10の詳細については後述する。 As shown in FIG. 3, the wiring substrate 10 is arranged in the self-luminous display device 61 and closer to the light emitting surface 64 than the organic light emitting layer (light emitter) 86, as described above. In this case, the wiring board 10 is arranged between the touch sensor 73 and the decorative film 74 of the self-luminous display device 61 . Details of the wiring board 10 will be described later.

加飾フィルム74は、配線基板10上に配置されている。この加飾フィルム74は、例えば、観察者側から見て自発光型表示装置61の表示領域と重なる部分が開口しており、表示領域以外の部分を遮光する。すなわち、加飾フィルム74は、観察者側から見て自発光型表示装置61の端部を覆うように配置される。 The decorative film 74 is arranged on the wiring board 10 . The decorative film 74 has an opening, for example, in a portion overlapping the display area of the self-luminous display device 61 when viewed from the observer side, and shields portions other than the display area from light. That is, the decorative film 74 is arranged so as to cover the end portion of the self-luminous display device 61 when viewed from the observer side.

カバーガラス75は、加飾フィルム74上に配置されている。このカバーガラス75は、光を透過するガラス製の部材である。カバーガラス75は、板状であり、平面視で矩形状であってもよい。 A cover glass 75 is arranged on the decorative film 74 . This cover glass 75 is a member made of glass that transmits light. The cover glass 75 is plate-shaped and may be rectangular in plan view.

なお、上述した自発光型表示装置61は、それ自体が発光する機能を持つ表示装置であれば良く、有機EL表示装置に限られるものではない。例えばマイクロLED素子(発光体)を含むマイクロLED表示装置であっても良い。 Note that the self-luminous display device 61 described above may be any display device having a function of emitting light itself, and is not limited to an organic EL display device. For example, it may be a micro LED display device including micro LED elements (emitters).

[配線基板の構成]
次に、図9乃至図12を参照して、配線基板の構成について説明する。図9乃至図12は、本実施の形態による配線基板を示す図である。
[Configuration of Wiring Board]
Next, the configuration of the wiring board will be described with reference to FIGS. 9 to 12. FIG. 9 to 12 are diagrams showing the wiring board according to this embodiment.

図9に示すように、本実施の形態による配線基板10は、画像表示装置60に用いられるものであり、上述したように、画像表示装置60の自発光型表示装置61内であって有機発光層(発光体)86よりも発光面64側に配置されるものである。このような配線基板10は、透明性を有する基板11と、基板11上に配置された無給電型メッシュ配線層20と、を備えている。 As shown in FIG. 9, the wiring board 10 according to the present embodiment is used in an image display device 60. It is arranged closer to the light emitting surface 64 than the layer (light emitter) 86 is. Such a wiring board 10 includes a transparent substrate 11 and a parasitic mesh wiring layer 20 arranged on the substrate 11 .

このうち基板11は、平面視で略長方形状であり、その長手方向がY方向に平行であり、その短手方向がX方向に平行となっている。基板11は、透明性を有するとともに略平板状であり、その厚みは全体として略均一となっている。基板11の長手方向(Y方向)の長さLは、例えば100mm以上200mm以下の範囲で選択することができ、基板11の短手方向(X方向)の長さLは、例えば50mm以上100mm以下の範囲で選択することができる。 Among them, the substrate 11 has a substantially rectangular shape in plan view, with its longitudinal direction parallel to the Y direction and its short direction parallel to the X direction. The substrate 11 is transparent, has a substantially flat plate shape, and has a substantially uniform thickness as a whole. The length L1 of the substrate 11 in the longitudinal direction (Y direction) can be selected in the range of, for example, 100 mm or more and 200 mm or less, and the length L2 of the substrate 11 in the lateral direction (X direction) is, for example, 50 mm or more. It can be selected within a range of 100 mm or less.

基板11の材料は、可視光線領域での透明性及び電気絶縁性を有する材料であればよい。本実施の形態において基板11の材料はポリエチレンテレフタレートであるが、これに限定されない。基板11の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂、ポメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂、或いは、シクロオレフィン重合体などのポリオレフィン系樹脂、トリアセチルセルロースなどのセルロース系樹脂材料等の有機絶縁性材料を用いることが好ましい。また、基板11の材料としては、用途に応じてガラス、セラミックス等を適宜選択することもできる。なお、基板11は、単一の層によって構成された例を図示したが、これに限定されず、複数の基材又は層が積層された構造であってもよい。また、基板11はフィルム状であっても、板状であってもよい。このため、基板11の厚さは特に制限はなく、用途に応じて適宜選択できるが、一例として、基板11の厚み(Z方向)T(図11参照)は、例えば10μm以上200μm以下の範囲とすることができる。 The material of the substrate 11 may be any material that has transparency in the visible light region and electrical insulation. Although the material of the substrate 11 is polyethylene terephthalate in this embodiment, the material is not limited to this. Examples of materials for the substrate 11 include polyester resins such as polyethylene terephthalate, acrylic resins such as polymethyl methacrylate, polycarbonate resins, polyimide resins, polyolefin resins such as cycloolefin polymers, and triacetyl cellulose. It is preferable to use an organic insulating material such as a cellulose resin material. Further, as the material of the substrate 11, glass, ceramics, or the like can be appropriately selected depending on the application. Although the substrate 11 is illustrated as being composed of a single layer, it is not limited to this, and may have a structure in which a plurality of base materials or layers are laminated. Further, the substrate 11 may be film-like or plate-like. Therefore, the thickness of the substrate 11 is not particularly limited and can be appropriately selected according to the application. can be

図9において、無給電型メッシュ配線層20は、基板11上に形成されている。この無給電型メッシュ配線層20は、上述した画像表示装置60の通信アンテナモジュール63(図1及び図2参照)の帯域幅を広げる役割を果たす。無給電型メッシュ配線層20は、その少なくとも一部が平面視で画像表示装置60の通信アンテナモジュール63と重なる位置に設けられている(図1参照)。このため、無給電型メッシュ配線層20は、基板11の外縁近傍に設けられる。無給電型メッシュ配線層20は、基板11の外縁から間隔Pだけ離れた位置にあり、この間隔Pは、例えば1mm以上10mm以下としても良い。 In FIG. 9, the parasitic mesh wiring layer 20 is formed on the substrate 11 . The parasitic mesh wiring layer 20 serves to widen the bandwidth of the communication antenna module 63 (see FIGS. 1 and 2) of the image display device 60 described above. The parasitic mesh wiring layer 20 is provided at a position where at least a portion thereof overlaps the communication antenna module 63 of the image display device 60 in plan view (see FIG. 1). Therefore, the parasitic mesh wiring layer 20 is provided near the outer edge of the substrate 11 . The parasitic mesh wiring layer 20 is located at a distance Pa from the outer edge of the substrate 11, and the distance Pa may be, for example, 1 mm or more and 10 mm or less.

無給電型メッシュ配線層20の大きさは、画像表示装置60の通信アンテナモジュール63に使用される周波数に対応している。すなわち、無給電型メッシュ配線層20は、平面視で略正方形状であり、その一辺がX方向に平行であり、他の一辺がY方向に平行となっている。無給電型メッシュ配線層20の一辺の長さ(X方向及びY方向の長さ)Lは、通信アンテナモジュール63に使用される周波数の波長の半分に対応した長さ(L=λ/2)となっている。具体的には、無給電型メッシュ配線層20の一辺の長さLは、例えば4mm以上50mm以下の範囲で選択することができる。また、基板11上に複数の無給電型メッシュ配線層20が配置されていても良い。 The size of the parasitic mesh wiring layer 20 corresponds to the frequency used for the communication antenna module 63 of the image display device 60 . That is, the parasitic mesh wiring layer 20 has a substantially square shape in plan view, one side of which is parallel to the X direction and the other side of which is parallel to the Y direction. The length of one side of the parasitic mesh wiring layer 20 (the length in the X direction and the Y direction) L a corresponds to half the wavelength of the frequency used in the communication antenna module 63 (L a =λ/ 2). Specifically, the length L a of one side of the parasitic mesh wiring layer 20 can be selected within a range of, for example, 4 mm or more and 50 mm or less. Also, a plurality of parasitic mesh wiring layers 20 may be arranged on the substrate 11 .

図10に示すように、無給電型メッシュ配線層20は、それぞれ金属線が格子形状又は網目形状に形成され、X方向及びY方向に繰り返しパターンを有している。すなわち無給電型メッシュ配線層20は、X方向に延びる部分(後述する第1連結配線22の一部)とY方向に延びる部分(後述する第1配線21の一部)とから構成されるL字状の単位パターン形状20aの繰り返しから構成されている。 As shown in FIG. 10, each parasitic mesh wiring layer 20 has metal wires formed in a lattice shape or mesh shape, and has a pattern repeated in the X direction and the Y direction. That is, the parasitic mesh wiring layer 20 is composed of a portion extending in the X direction (a portion of the first connecting wiring 22 to be described later) and a portion extending in the Y direction (a portion of the first wiring 21 to be described later). It is composed of repetition of character-like unit pattern shapes 20a.

図10に示すように、無給電型メッシュ配線層20は、互いに平行に配置された複数の第1配線21と、複数の第1配線21を連結する複数の第1連結配線22とを含んでいる。具体的には、複数の第1配線21と複数の第1連結配線22とは、全体として一体となって格子形状又は網目形状を形成している。各第1配線21は、無給電型メッシュ配線層20の一辺に平行な方向(Y方向)に延びており、各第1連結配線22は、第1配線21に直交する方向(X方向)に延びている。第1配線21及び第1連結配線22は、それぞれ所定の周波数の波長の半分(λ/2)に対応する長さL(上述した無給電型メッシュ配線層20の辺の長さ、図9参照)を有する。これにより、無給電型メッシュ配線層20は、無給電素子として通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げる機能を発揮する。また、第1配線21及び第1連結配線22は、互いに連結されることにより、第1配線21及び第1連結配線22の断線を抑える役割を果たす。 As shown in FIG. 10, the parasitic mesh wiring layer 20 includes a plurality of first wirings 21 arranged parallel to each other and a plurality of first connecting wirings 22 connecting the plurality of first wirings 21. there is Specifically, the plurality of first wirings 21 and the plurality of first connecting wirings 22 are integrated as a whole to form a lattice shape or a mesh shape. Each first wiring 21 extends in a direction (Y direction) parallel to one side of the parasitic mesh wiring layer 20, and each first connecting wiring 22 extends in a direction (X direction) perpendicular to the first wiring 21. extended. The first wiring 21 and the first connecting wiring 22 each have a length L a corresponding to half the wavelength (λ/2) of a predetermined frequency (the side length of the parasitic mesh wiring layer 20 described above, FIG. 9). reference). Thereby, the parasitic mesh wiring layer 20 exhibits a function of widening the bandwidth of the communication antenna module 63 as a parasitic element. In addition, the first wiring 21 and the first connection wiring 22 are connected to each other, thereby playing a role of suppressing disconnection of the first wiring 21 and the first connection wiring 22 .

複数の第1配線21は、X方向に互いに等間隔に配置されている。第1配線21のピッチPは、例えば0.05mm以上1mm以下の範囲とすることができる。また、複数の第1連結配線22は、Y方向に互いに等間隔に配置されている。複数の第1連結配線22のピッチPは、例えば0.01mm以上1mm以下の範囲とすることができる。 The plurality of first wirings 21 are arranged at regular intervals in the X direction. The pitch P1 of the first wirings 21 can be, for example, in the range of 0.05 mm or more and 1 mm or less. Also, the plurality of first connecting wires 22 are arranged at equal intervals in the Y direction. The pitch P2 of the plurality of first connecting wires 22 can be, for example, in the range of 0.01 mm or more and 1 mm or less.

無給電型メッシュ配線層20においては、互いに隣接する第1配線21と、互いに隣接する第1連結配線22とに取り囲まれることにより、複数の開口部23が形成されている。各開口部23は、それぞれ平面視略正方形形状となっている。また、各開口部23からは透明性を有する基板11が露出している。このため、各開口部23の面積を広くすることにより、配線基板10全体としての透明性を高めることができる。なお、各第1配線21と各第1連結配線22とは、互いに直交しているが、これに限らず、互いに鋭角又は鈍角に交差していてもよい。また、第1配線21のピッチP及び第1連結配線22のピッチPは、無給電型メッシュ配線層20内で均一であるが、これに限らず無給電型メッシュ配線層20内で不均一としても良い。 In the parasitic mesh wiring layer 20, a plurality of openings 23 are formed by being surrounded by the first wirings 21 adjacent to each other and the first connecting wirings 22 adjacent to each other. Each opening 23 has a substantially square shape in plan view. Further, the transparent substrate 11 is exposed from each opening 23 . Therefore, by increasing the area of each opening 23, the transparency of the wiring board 10 as a whole can be improved. Although the first wirings 21 and the first connecting wirings 22 are orthogonal to each other, they may cross each other at an acute angle or an obtuse angle. In addition, the pitch P1 of the first wiring 21 and the pitch P2 of the first connecting wiring 22 are uniform within the parasitic mesh wiring layer 20. It may be uniform.

図11に示すように、各第1配線21は、その長手方向に垂直な断面(X方向断面)が略長方形形状又は略正方形形状となっている。この場合、第1配線21の断面形状は、第1配線21の長手方向(Y方向)に沿って略均一となっている。また、図12に示すように、各第1連結配線22の長手方向に垂直な断面(Y方向断面)の形状は、略長方形形状又は略正方形形状であり、上述した第1配線21の断面(X方向断面)形状と略同一である。この場合、第1連結配線22の断面形状は、第1連結配線22の長手方向(X方向)に沿って略均一となっている。第1配線21と第1連結配線22の断面形状は、必ずしも略長方形形状又は略正方形形状でなくても良く、例えば表面側(Z方向プラス側)が裏面側(Z方向マイナス側)よりも狭い略台形形状、あるいは、長手方向両側に位置する側面が湾曲した形状であっても良い。 As shown in FIG. 11, each first wiring 21 has a substantially rectangular or square cross section perpendicular to its longitudinal direction (X direction cross section). In this case, the cross-sectional shape of the first wiring 21 is substantially uniform along the longitudinal direction (Y direction) of the first wiring 21 . Further, as shown in FIG. 12, the shape of the cross section (Y direction cross section) perpendicular to the longitudinal direction of each first connecting wiring 22 is substantially rectangular or substantially square. X-direction cross section) is substantially the same as the shape. In this case, the cross-sectional shape of the first connecting wiring 22 is substantially uniform along the longitudinal direction (X direction) of the first connecting wiring 22 . The cross-sectional shape of the first wiring 21 and the first connecting wiring 22 does not necessarily have to be substantially rectangular or substantially square. It may have a substantially trapezoidal shape, or a shape in which the side surfaces located on both sides in the longitudinal direction are curved.

本実施の形態において、第1配線21の線幅W(X方向の長さ、図11参照)及び第1連結配線22の線幅W(Y方向の長さ、図12参照)は、特に限定されず、用途に応じて適宜選択できる。例えば、第1配線21の線幅Wは0.1μm以上5.0μm以下の範囲で選択することができ、第1連結配線22の線幅Wは、0.1μm以上5.0μm以下の範囲で選択することができる。また、第1配線21の高さH(Z方向の長さ、図11参照)及び第1連結配線22の高さH(Z方向の長さ、図12参照)は特に限定されず、用途に応じて適宜選択することができ、例えば0.1μm以上5.0μm以下の範囲で選択することができる。 In the present embodiment, the line width W 1 (length in the X direction, see FIG. 11) of the first wiring 21 and the line width W 2 (length in the Y direction, see FIG. 12) of the first connecting wiring 22 are It is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the application. For example, the line width W1 of the first wiring 21 can be selected in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less, and the line width W2 of the first connection wiring 22 can be selected in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. A range can be selected. Further, the height H 1 (length in the Z direction, see FIG. 11) of the first wiring 21 and the height H 2 (length in the Z direction, see FIG. 12) of the first connecting wiring 22 are not particularly limited. It can be appropriately selected according to the application, for example, it can be selected in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less.

第1配線21及び第1連結配線22の材料は、導電性を有する金属材料であればよい。本実施の形態において第1配線21及び第1連結配線22の材料は銅であるが、これに限定されない。第1配線21及び第1連結配線22の材料は、例えば、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄、ニッケルなどの金属材料(含む合金)を用いることができる。 The material of the first wiring 21 and the first connecting wiring 22 may be a metal material having conductivity. Although the material of the first wiring 21 and the first connecting wiring 22 is copper in the present embodiment, the material is not limited to this. Metal materials (including alloys) such as gold, silver, copper, platinum, tin, aluminum, iron, and nickel can be used as the material of the first wiring 21 and the first connecting wiring 22, for example.

本実施の形態において、無給電型メッシュ配線層20の開口率Atは、例えば87%以上100%未満の範囲とすることができる。無給電型メッシュ配線層20の開口率Atをこの範囲とすることにより、配線基板10の導電性と透明性を確保することができる。なお、開口率とは、所定の領域(例えば無給電型メッシュ配線層20)の単位面積に占める、開口領域(第1配線21、第1連結配線22等の金属部分が存在せず、基板11が露出する領域)の面積の割合(%)をいう。 In the present embodiment, the aperture ratio At of the parasitic mesh wiring layer 20 can be, for example, in the range of 87% or more and less than 100%. By setting the aperture ratio At of the parasitic mesh wiring layer 20 within this range, the conductivity and transparency of the wiring board 10 can be ensured. In addition, the opening ratio is defined as the opening area (the first wiring 21, the first connecting wiring 22, etc.) in the unit area of a predetermined area (for example, the parasitic mesh wiring layer 20), and the substrate 11 is the area ratio (%) of the exposed area).

本実施の形態において、無給電型メッシュ配線層20は、無給電型であり、給電部に電気的に接続されることはない。すなわち無給電型メッシュ配線層20の外周縁は、全周にわたって他の金属部分と接続されることがなく、平面視で全周にわたって基板11に取り囲まれている。 In the present embodiment, the parasitic mesh wiring layer 20 is of a parasitic type and is not electrically connected to a power supply section. That is, the outer periphery of parasitic mesh wiring layer 20 is not connected to other metal parts over the entire periphery, and is surrounded by substrate 11 over the entire periphery in plan view.

さらに、図11及び図12に示すように、基板11の表面上であって、無給電型メッシュ配線層20を覆うように保護層17が形成されている。保護層17は、無給電型メッシュ配線層20を保護するものであり、基板11の表面の略全域に形成されている。保護層17の材料としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート等のアクリル樹脂とそれらの変性樹脂と共重合体、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニル樹脂とそれらの共重合体、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアミド、塩素化ポリオレフィン等の無色透明の絶縁性樹脂を用いることができる。また、保護層17の厚みTは、0.3μm以上100μm以下の範囲で選択することができる。なお、保護層17は、基板11のうち少なくとも無給電型メッシュ配線層20を覆うように形成されていれば良い。 Furthermore, as shown in FIGS. 11 and 12, a protective layer 17 is formed on the surface of the substrate 11 so as to cover the parasitic mesh wiring layer 20 . The protective layer 17 protects the parasitic mesh wiring layer 20 and is formed over substantially the entire surface of the substrate 11 . Examples of materials for the protective layer 17 include acrylic resins such as polymethyl (meth)acrylate and polyethyl (meth)acrylate, modified resins and copolymers thereof, and polyvinyls such as polyester, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, polyvinyl acetal, and polyvinyl butyral. Colorless and transparent insulating resins such as resins and their copolymers, polyurethanes, epoxy resins, polyamides, and chlorinated polyolefins can be used. Also, the thickness T2 of the protective layer 17 can be selected in the range of 0.3 μm or more and 100 μm or less. The protective layer 17 may be formed so as to cover at least the parasitic mesh wiring layer 20 of the substrate 11 .

[配線基板の製造方法]
次に、図13(a)-(i)を参照して、本実施の形態による配線基板の製造方法について説明する。図13(a)-(i)は、本実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。
[Method for manufacturing wiring board]
Next, with reference to FIGS. 13(a) to 13(i), a method for manufacturing a wiring board according to this embodiment will be described. 13A to 13I are cross-sectional views showing the method of manufacturing the wiring board according to this embodiment.

まず、図13(a)に示すように、基板11を準備し、この基板11の表面の略全域に導電層51を形成する。本実施の形態において導電層51の厚さは、200nmである。しかしながらこれに限定されず、導電層51の厚さは10nm以上1000nm以下の範囲で適宜選択することができる。本実施の形態において導電層51は、銅を用いてスパッタリング法によって形成する。導電層51を形成する方法としては、プラズマCVD法を用いても良い。 First, as shown in FIG. 13A, a substrate 11 is prepared, and a conductive layer 51 is formed over substantially the entire surface of the substrate 11 . In this embodiment, the thickness of the conductive layer 51 is 200 nm. However, the thickness is not limited to this, and the thickness of the conductive layer 51 can be appropriately selected within the range of 10 nm or more and 1000 nm or less. In this embodiment, the conductive layer 51 is formed by sputtering using copper. As a method for forming the conductive layer 51, a plasma CVD method may be used.

次に、図13(b)に示すように、基板11の表面の略全域に光硬化性絶縁レジスト52を供給する。この光硬化性絶縁レジスト52としては、例えばエポキシ系樹脂等の有機樹脂を挙げることができる。 Next, as shown in FIG. 13B, a photocurable insulating resist 52 is supplied over substantially the entire surface of the substrate 11 . As the photocurable insulating resist 52, for example, an organic resin such as an epoxy resin can be used.

続いて、凸部53aを有する透明なインプリント用のモールド53を準備し(図13(c))、このモールド53と基板11とを近接させて、モールド53と基板11との間に光硬化性絶縁レジスト52を展開する。次いで、モールド53側から光照射を行い、光硬化性絶縁レジスト52を硬化させることにより、絶縁層54を形成する。これにより、絶縁層54の表面に、凸部53aが転写された形状をもつトレンチ54aが形成される。トレンチ54aは、第1配線21、第1連結配線22、第2配線31及び第2連結配線32に対応する平面形状パターンを有する。 Subsequently, a transparent imprint mold 53 having convex portions 53a is prepared (FIG. 13(c)), the mold 53 and the substrate 11 are brought close to each other, and photocuring is performed between the mold 53 and the substrate 11. Then, the insulating resist 52 is developed. Next, the insulating layer 54 is formed by curing the photocurable insulating resist 52 by light irradiation from the mold 53 side. As a result, a trench 54a is formed on the surface of the insulating layer 54 to have a shape to which the projection 53a is transferred. The trench 54 a has a planar shape pattern corresponding to the first wiring 21 , the first connecting wiring 22 , the second wiring 31 and the second connecting wiring 32 .

その後、モールド53を絶縁層54から剥離することにより、図13(d)に示す断面構造の絶縁層54を得る。 Thereafter, the mold 53 is separated from the insulating layer 54 to obtain the insulating layer 54 having the cross-sectional structure shown in FIG. 13(d).

このように、絶縁層54の表面に、インプリント法によってトレンチ54aを形成することにより、トレンチ54aの形状を微細なものとすることができる。なお、これに限らず、絶縁層54をフォトリソグラフィ法により形成しても良い。この場合、フォトリソグラフィ法により、第1配線21、第1連結配線22、第2配線31及び第2連結配線32に対応する導電層51を露出するようにレジストパターンを形成する。 By forming the trenches 54a on the surface of the insulating layer 54 by imprinting in this manner, the shape of the trenches 54a can be made finer. Note that the insulating layer 54 may be formed by a photolithography method without being limited to this. In this case, a resist pattern is formed by photolithography so as to expose the conductive layer 51 corresponding to the first wiring 21 , the first connecting wiring 22 , the second wiring 31 and the second connecting wiring 32 .

図13(d)に示すように、絶縁層54のトレンチ54aの底部には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液やN-メチル-2-ピロリドンを用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。このように、絶縁材料の残渣を除去することによって、図13(e)に示すように導電層51を露出したトレンチ54aを形成することができる。 As shown in FIG. 13D, a residue of the insulating material may remain at the bottom of the trench 54a of the insulating layer 54. As shown in FIG. Therefore, a wet treatment using a permanganate solution or N-methyl-2-pyrrolidone or a dry treatment using oxygen plasma is performed to remove the residue of the insulating material. By removing the residue of the insulating material in this manner, a trench 54a exposing the conductive layer 51 can be formed as shown in FIG. 13(e).

次に、図13(f)に示すように、絶縁層54のトレンチ54aを、導電体55で充填する。本実施の形態において、導電層51をシード層として、電解メッキ法を用いて絶縁層54のトレンチ54aを銅で充填する。 Next, as shown in FIG. 13( f ), the trenches 54 a of the insulating layer 54 are filled with a conductor 55 . In the present embodiment, the trenches 54a of the insulating layer 54 are filled with copper by electroplating using the conductive layer 51 as a seed layer.

続いて、図13(g)に示すように、絶縁層54を除去する。この場合、過マンガン酸塩溶液やN-メチル-2-ピロリドンを用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、基板11上の絶縁層54を除去する。 Subsequently, as shown in FIG. 13(g), the insulating layer 54 is removed. In this case, the insulating layer 54 on the substrate 11 is removed by wet processing using a permanganate solution or N-methyl-2-pyrrolidone or dry processing using oxygen plasma.

次いで、図13(h)に示すように、基板11の表面上の導電層51を除去する。この際、過酸化水素水を用いたウェット処理を行うことによって、基板11の表面が露出するように導電層51をエッチングする。このようにして、基板11と、基板11上に配置された無給電型メッシュ配線層20と、を有する配線基板10が得られる。この場合、無給電型メッシュ配線層20は、第1配線21及び第1連結配線22を含む。 Next, as shown in FIG. 13(h), the conductive layer 51 on the surface of the substrate 11 is removed. At this time, the conductive layer 51 is etched so that the surface of the substrate 11 is exposed by performing wet processing using a hydrogen peroxide solution. Thus, the wiring substrate 10 having the substrate 11 and the parasitic mesh wiring layer 20 arranged on the substrate 11 is obtained. In this case, the parasitic mesh wiring layer 20 includes first wirings 21 and first connecting wirings 22 .

その後、図13(i)に示すように、基板11上の無給電型メッシュ配線層20を覆うように保護層17を形成する。保護層17を形成する方法としては、ロールコート、グラビアコート、グラビアリバースコート、マイクログラビアコート、スロットダイコート、ダイコート、ナイフコート、インクジェットコート、ディスペンサーコート、キスコート、スプレーコート、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷を用いても良い。 Thereafter, as shown in FIG. 13I, a protective layer 17 is formed to cover the parasitic mesh wiring layer 20 on the substrate 11 . Methods for forming the protective layer 17 include roll coating, gravure coating, gravure reverse coating, micro gravure coating, slot die coating, die coating, knife coating, inkjet coating, dispenser coating, kiss coating, spray coating, screen printing, offset printing, and flexographic coating. Printing may be used.

[本実施の形態の作用]
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
[Action of the present embodiment]
Next, the operation of this embodiment having such a configuration will be described.

図1乃至図3に示すように、配線基板10は、自発光型表示装置61を有する画像表示装置(表示装置)60に組み込まれる。このような画像表示装置60において、配線基板10の無給電型メッシュ配線層20は、平面視で少なくとも一部が通信アンテナモジュール63に重なる位置に設けられている。このため、画像表示装置60において、通信アンテナモジュール63を介して、所定の周波数の電波を送受信することができ、通信を行うことができる。 As shown in FIGS. 1 to 3, the wiring board 10 is incorporated into an image display device (display device) 60 having a self-luminous display device 61. FIG. In such an image display device 60, the parasitic mesh wiring layer 20 of the wiring board 10 is provided at a position where at least a portion thereof overlaps the communication antenna module 63 in plan view. Therefore, in the image display device 60, radio waves of a predetermined frequency can be transmitted and received via the communication antenna module 63, and communication can be performed.

ところで、一般に、通信アンテナモジュール63が例えば5Gアンテナ(特にミリ波用アンテナ)である場合、通信アンテナモジュール63の帯域幅が狭く、指向性も強い傾向がある。これに対して本実施の形態においては、基板11上であって通信アンテナモジュール63に重なる位置に、無給電型メッシュ配線層20が設けられている。これにより、基板11が誘電体としての役割を果たし、無給電型メッシュ配線層20が二重共振を生じさせ、通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げることができる。 By the way, in general, when the communication antenna module 63 is, for example, a 5G antenna (particularly a millimeter wave antenna), the communication antenna module 63 tends to have a narrow bandwidth and strong directivity. On the other hand, in the present embodiment, parasitic mesh wiring layer 20 is provided on substrate 11 at a position overlapping communication antenna module 63 . As a result, the substrate 11 serves as a dielectric, the parasitic mesh wiring layer 20 causes double resonance, and the bandwidth of the communication antenna module 63 can be widened.

また、本実施の形態において、自発光型表示装置61のうちアンテナ領域Rにおける金属の密度が、他の領域Rにおける金属の密度よりも低くなっている(図3参照)。具体的には、上述したように、(i)放熱層76(グラファイト層65及び金属層66)のうち、アンテナ領域Rに、開口77又は切欠き78が設けられている。(ii)また、アンテナ領域Rに位置する有機発光層(発光体)86の画素密度が、他の領域Rに位置する有機発光層(発光体)86の画素密度よりも低くなっている。(iii)さらに、少なくともアンテナ領域Rに位置する第2電極87(透明電極)がパターニングされている。 In the present embodiment, the metal density in the antenna region Ra of the self-luminous display device 61 is lower than the metal density in the other regions Rx (see FIG. 3). Specifically, as described above, (i) the heat dissipation layer 76 (the graphite layer 65 and the metal layer 66) has an opening 77 or a notch 78 in the antenna region Ra . (ii) Further, the pixel density of the organic light-emitting layer (light-emitting body) 86 located in the antenna region Ra is lower than the pixel density of the organic light-emitting layer (light-emitting body) 86 located in the other region Rx . . (iii) Further, at least the second electrode 87 (transparent electrode) located in the antenna region Ra is patterned.

このように、アンテナ領域Rにおける単位面積あたりの金属の量(密度)を、他の領域Rにおける単位面積あたりの金属の量(密度)よりも少なくすることにより、アンテナ領域Rに存在する導電体によって電波の透過が妨げられることを抑えることができる。これにより、無給電型メッシュ配線層20と通信アンテナモジュール63との間で円滑に二重共振を生じさせることができ、通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げることができる。 In this way , by making the amount (density) of metal per unit area in the antenna region Ra smaller than the amount (density) of metal per unit area in the other regions Rx , It is possible to prevent the transmission of radio waves from being hindered by the conductive material. As a result, double resonance can be smoothly generated between the parasitic mesh wiring layer 20 and the communication antenna module 63, and the bandwidth of the communication antenna module 63 can be widened.

なお、本実施の形態において、アンテナ領域Rにおける金属の密度を低減する手法として、(i)放熱層76に開口77又は切欠き78を設けること、(ii)有機発光層(発光体)86の画素密度を低くすること、及び、(iii)第2電極87をパターニングすること、の全てを実施する場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、上記(i)、(ii)及び(iii)のうち、いずれか1つ又は複数を実施しても良い。 In this embodiment, as a method for reducing the density of metal in the antenna region Ra , (i) openings 77 or cutouts 78 are provided in the heat dissipation layer 76, (ii) the organic light emitting layer (light emitter) 86 and (iii) patterning the second electrode 87 are both performed. However, without being limited to this, any one or more of the above (i), (ii) and (iii) may be implemented.

また、本実施の形態によれば、配線基板10は、透明性を有する基板11と、基板11上に配置され、無給電型メッシュ配線層20とを備えている。この無給電型メッシュ配線層20は、不透明な導電体層の形成部としての導体部と多数の開口部とによるメッシュ状のパターンを有しているので、配線基板10の透明性が確保されている。これにより、配線基板10が自発光型表示装置61上に配置されたとき、無給電型メッシュ配線層20の開口部23から自発光型表示装置61を視認することができ、自発光型表示装置61の視認性が妨げられることがない。 Further, according to the present embodiment, the wiring substrate 10 includes the transparent substrate 11 and the parasitic mesh wiring layer 20 arranged on the substrate 11 . Since the parasitic mesh wiring layer 20 has a mesh-like pattern of conductor portions as opaque conductor layer forming portions and a large number of openings, the transparency of the wiring board 10 is ensured. there is As a result, when the wiring board 10 is placed on the self-luminous display device 61, the self-luminous display device 61 can be seen through the opening 23 of the parasitic mesh wiring layer 20. 61 visibility is not hindered.

(変形例)
次に、画像表示装置の変形例について説明する。
(Modification)
Next, a modified example of the image display device will be described.

図14及び図15は、画像表示装置の一変形例を示している。図14及び図15に示す変形例は、無給電型メッシュ配線層20の周囲にアレー型メッシュ配線層30が配置されている点が異なるものであり、他の構成は上述した図1乃至図13に示す実施の形態と略同一である。図14において、図1乃至図13に示す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 14 and 15 show a modified example of the image display device. The modifications shown in FIGS. 14 and 15 are different in that the array type mesh wiring layer 30 is arranged around the parasitic mesh wiring layer 20, and the other configurations are the same as those shown in FIGS. 1 to 13 described above. is substantially the same as the embodiment shown in FIG. In FIG. 14, the same reference numerals are assigned to the same parts as those shown in FIGS. 1 to 13, and detailed description thereof will be omitted.

図14に示す画像表示装置60において、配線基板10の基板11上であって、無給電型メッシュ配線層20の周囲に、アレー型メッシュ配線層30が配置されている。具体的には、アレー型メッシュ配線層30は、無給電型メッシュ配線層20のX方向両側にそれぞれ配置されている。これら一対のアレー型メッシュ配線層30は、互いに同一の形状からなり、無給電型メッシュ配線層20からそれぞれ離間して配置されている。 In the image display device 60 shown in FIG. 14, the array type mesh wiring layer 30 is arranged on the substrate 11 of the wiring substrate 10 and around the parasitic mesh wiring layer 20 . Specifically, the array type mesh wiring layers 30 are arranged on both sides of the parasitic type mesh wiring layer 20 in the X direction. The pair of array-type mesh wiring layers 30 have the same shape and are spaced apart from the parasitic mesh wiring layer 20 .

アレー型メッシュ配線層30の長さLは、それぞれ上述した無給電型メッシュ配線層20の辺の長さLと同一、又は若干異なる長さを有する。また、アレー型メッシュ配線層30の短手方向(X方向)の長さLは、例えば1mm以上10mm以下の範囲で選択することができる。アレー型メッシュ配線層30と無給電型メッシュ配線層20との間隔Pは、通信アンテナモジュール63の帯域幅に応じて適宜選択することができ、例えば0.3mm以上5mm以下の範囲とすることができる。この場合、一方のアレー型メッシュ配線層30と無給電型メッシュ配線層20との間隔と、他方のアレー型メッシュ配線層30と無給電型メッシュ配線層20との間隔は互いに同一となっているが、異なっていても良い。 The length Lb of the array type mesh wiring layer 30 is the same as or slightly different from the side length La of the parasitic type mesh wiring layer 20 described above. In addition, the length Lc of the array-type mesh wiring layer 30 in the lateral direction (X direction) can be selected within a range of, for example, 1 mm or more and 10 mm or less. The interval Pb between the array-type mesh wiring layer 30 and the non-feeding-type mesh wiring layer 20 can be appropriately selected according to the bandwidth of the communication antenna module 63. For example, it should be in the range of 0.3 mm or more and 5 mm or less. can be done. In this case, the interval between one array type mesh wiring layer 30 and the parasitic mesh wiring layer 20 and the interval between the other array type mesh wiring layer 30 and the parasitic mesh wiring layer 20 are the same. but can be different.

図15に示すように、アレー型メッシュ配線層30は、それぞれ金属線が格子形状又は網目形状に形成され、X方向及びY方向に繰り返しパターンを有している。すなわちアレー型メッシュ配線層30は、X方向に延びる部分(後述する第2連結配線32の一部)とY方向に延びる部分(後述する第2配線31の一部)とから構成されるL字状の単位パターン形状30aの繰り返しから構成されている。 As shown in FIG. 15, the array-type mesh wiring layer 30 has metal wires formed in a lattice shape or mesh shape, and has a pattern repeated in the X direction and the Y direction. That is, the array-type mesh wiring layer 30 is an L-shaped portion composed of a portion extending in the X direction (a portion of the second connecting wiring 32 to be described later) and a portion extending in the Y direction (a portion of the second wiring 31 to be described later). It is composed of repeating unit pattern shapes 30a each having a shape.

アレー型メッシュ配線層30は、互いに平行に配置された複数の第2配線31と、複数の第2配線31を連結する複数の第2連結配線32とを含んでいる。具体的には、複数の第2配線31と複数の第2連結配線32とは、全体として一体となって格子形状又は網目形状を形成している。各第2配線31は、アレー型メッシュ配線層30の長手方向に平行な方向(Y方向)に延びており、各第2連結配線32は、アレー型メッシュ配線層30の幅方向に平行な方向(X方向)に延びている。 The array-type mesh wiring layer 30 includes a plurality of second wirings 31 arranged parallel to each other and a plurality of second connecting wirings 32 connecting the plurality of second wirings 31 . Specifically, the plurality of second wirings 31 and the plurality of second connecting wirings 32 are integrated as a whole to form a lattice shape or a mesh shape. Each second wiring 31 extends in a direction (Y direction) parallel to the longitudinal direction of the array-type mesh wiring layer 30, and each second connecting wiring 32 extends in a direction parallel to the width direction of the array-type mesh wiring layer 30. (X direction).

第2配線31の長さ(すなわちアレー型メッシュ配線層30の長さ)L(図14参照)は、それぞれ無給電型メッシュ配線層20の辺の長さL(通信アンテナモジュール63の周波数の波長の半分(λ/2)に対応する長さ)と同一、又は若干異なる長さを有する。具体的には、第2配線31の長さLは、無給電型メッシュ配線層20の辺の長さLの80%以上120%以下の長さを有する(0.8L≦L≦1.2L)。アレー型メッシュ配線層30が設けられていることにより、通信アンテナモジュール63の帯域幅をさらに広げ、かつ通信アンテナモジュール63の放射パターンを広げることができる。とりわけ、第2配線31の長さLが無給電型メッシュ配線層20の辺の長さLと若干異なることにより、通信アンテナモジュール63の共振周波数のピークを調整することができ、通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げることができる。一方、第2連結配線32は、第2配線31同士を連結することにより、第2配線31の断線を抑える役割を果たす。 The length of the second wiring 31 (that is, the length of the array-type mesh wiring layer 30) L b (see FIG. 14) is the side length L a of the parasitic mesh wiring layer 20 (the frequency of the communication antenna module 63). (corresponding to half the wavelength of λ/2)), or have a length that is slightly different. Specifically, the length L b of the second wiring 31 has a length of 80% or more and 120% or less of the length L a of the side of the parasitic mesh wiring layer 20 (0.8L a ≦L b < 1.2 L a ). By providing the array type mesh wiring layer 30, the bandwidth of the communication antenna module 63 can be further widened and the radiation pattern of the communication antenna module 63 can be widened. In particular, by making the length Lb of the second wiring 31 slightly different from the length L a of the side of the parasitic mesh wiring layer 20, the peak of the resonance frequency of the communication antenna module 63 can be adjusted. The bandwidth of module 63 can be increased. On the other hand, the second connecting wirings 32 play a role of suppressing disconnection of the second wirings 31 by connecting the second wirings 31 to each other.

複数の第2配線31は、アレー型メッシュ配線層30の幅方向(X方向)に互いに等間隔に配置されている。第2配線31のピッチPは、上述した第1配線21のピッチPと同一とすることができる。複数の第2連結配線32は、アレー型メッシュ配線層30の長手方向(Y方向)に互いに等間隔に配置されている。複数の第2連結配線32のピッチPは、上述した第1連結配線22のピッチPと同一とすることができる。 The plurality of second wirings 31 are arranged at regular intervals in the width direction (X direction) of the array-type mesh wiring layer 30 . The pitch P3 of the second wirings 31 can be the same as the pitch P1 of the first wirings 21 described above. The plurality of second connecting wires 32 are arranged at regular intervals in the longitudinal direction (Y direction) of the array-type mesh wiring layer 30 . The pitch P4 of the plurality of second connection wires 32 may be the same as the pitch P2 of the first connection wires 22 described above.

アレー型メッシュ配線層30においては、互いに隣接する第2配線31と、互いに隣接する第2連結配線32とに取り囲まれることにより、複数の開口部33が形成されている。各開口部33は、それぞれ平面視略正方形形状となっている。また、各開口部33からは、透明性を有する基板11が露出している。このため、各開口部33の面積を広くすることにより、配線基板10全体としての透明性を高めることができる。なお、各第2配線31と各第2連結配線32とは、互いに直交しているが、これに限らず、互いに鋭角または鈍角に交差していてもよい。また、第2配線31のピッチP及び第2連結配線32のピッチPは、アレー型メッシュ配線層30内で均一であるが、これに限らずアレー型メッシュ配線層30内で不均一としても良い。 In the array-type mesh wiring layer 30, a plurality of openings 33 are formed by being surrounded by the second wirings 31 adjacent to each other and the second connecting wirings 32 adjacent to each other. Each opening 33 has a substantially square shape in plan view. Further, the transparent substrate 11 is exposed from each opening 33 . Therefore, by increasing the area of each opening 33, the transparency of the wiring board 10 as a whole can be improved. Although each second wiring 31 and each second connecting wiring 32 are orthogonal to each other, they may cross each other at an acute angle or an obtuse angle. In addition, the pitch P3 of the second wiring 31 and the pitch P4 of the second connecting wiring 32 are uniform within the array-type mesh wiring layer 30. Also good.

各第2配線31の長手方向に垂直な断面(X方向断面)の形状は、上述した第1配線21の断面形状と同一とすることができる。また、各第2連結配線32の長手方向に垂直な断面(Y方向断面)の形状は、上述した第1連結配線22の断面形状と同一とすることができる。また、第2配線31の線幅(X方向の長さ)及び第2連結配線32の線幅(Y方向の長さ)は、それぞれ上述した第1配線21の線幅W及び第1連結配線22の線幅Wと同一とすることができる。さらに、第2配線31の高さ(Z方向の長さ)及び第2連結配線32の高さ(Z方向の長さ)は、上述した第1配線21の高さH及び第1連結配線22の高さHと同一とすることができる。 The shape of the cross section (X-direction cross section) perpendicular to the longitudinal direction of each second wiring 31 can be the same as the cross-sectional shape of the first wiring 21 described above. Also, the shape of the cross section (Y-direction cross section) perpendicular to the longitudinal direction of each second connecting wire 32 can be the same as the cross-sectional shape of the first connecting wire 22 described above. Further, the line width (length in the X direction) of the second wiring 31 and the line width (length in the Y direction) of the second connecting wiring 32 are the line width W1 of the first wiring 21 and the first connecting wiring 32, respectively. It can be made the same as the line width W2 of the wiring 22 . Furthermore, the height (length in the Z direction) of the second wiring 31 and the height (length in the Z direction) of the second connecting wiring 32 are equal to the height H1 of the first wiring 21 and the first connecting wiring. 22 height H2 .

第2配線31及び第2連結配線32の材料についても、上述した第1配線21及び第1連結配線22の材料と同一とすることができる。 The material of the second wiring 31 and the second connecting wiring 32 can also be the same as the material of the first wiring 21 and the first connecting wiring 22 described above.

本変形例によれば、基板11上であって、無給電型メッシュ配線層20の周囲に、アレー型メッシュ配線層30が配置されている。これにより、通信アンテナモジュール63の帯域幅をより広げることができるとともに、通信アンテナモジュール63の指向性を広げることができる。この場合、アレー型メッシュ配線層30の長さ(Y方向距離)を調整することにより、さらに通信アンテナモジュール63の帯域幅を広げることができる。 According to this modification, the array type mesh wiring layer 30 is arranged on the substrate 11 and around the parasitic type mesh wiring layer 20 . Thereby, the bandwidth of the communication antenna module 63 can be further widened, and the directivity of the communication antenna module 63 can be widened. In this case, the bandwidth of the communication antenna module 63 can be further widened by adjusting the length (Y-direction distance) of the array-type mesh wiring layer 30 .

上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。 It is also possible to appropriately combine a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments and modifications as necessary. Alternatively, some components may be deleted from all the components shown in the above embodiments and modifications.

10 配線基板
11 基板
17 保護層
20 無給電型メッシュ配線層
60 画像表示装置
61 自発光型表示装置
63 通信アンテナモジュール
64 発光面
66 金属層
69 薄膜トランジスタ(TFT)
71 有機EL層
76 放熱層
77 開口
78 切欠き
85 第1電極(反射電極、アノード電極)
86 有機発光層(発光体)
87 第2電極(透明電極、カソード電極)
REFERENCE SIGNS LIST 10 Wiring substrate 11 Substrate 17 Protective layer 20 Non-feeding mesh wiring layer 60 Image display device 61 Self-luminous display device 63 Communication antenna module 64 Light emitting surface 66 Metal layer 69 Thin film transistor (TFT)
71 Organic EL layer 76 Heat dissipation layer 77 Opening 78 Notch 85 First electrode (reflective electrode, anode electrode)
86 organic light-emitting layer (emitter)
87 second electrode (transparent electrode, cathode electrode)

Claims (10)

発光面を有する自発光型表示装置と、
前記自発光型表示装置の前記発光面側に位置するとともに、透明性を有する基板と、前記基板上に配置された無給電型メッシュ配線層とを有する配線基板と、
前記自発光型表示装置の前記発光面の反対側に位置する通信アンテナモジュールと、を備え、
前記自発光型表示装置は、発光体と、前記発光体よりも前記発光面の反対側に位置する金属層とを有し、
前記金属層のうち、前記通信アンテナモジュールに対応するアンテナ領域に、開口又は切欠きが設けられている、画像表示装置。
a self-luminous display device having a light-emitting surface;
a wiring substrate located on the light emitting surface side of the self-luminous display device and having a transparent substrate and a parasitic mesh wiring layer disposed on the substrate;
a communication antenna module located on the opposite side of the light-emitting surface of the self-luminous display device;
The self-luminous display device has a luminous body and a metal layer located on the opposite side of the luminous surface from the luminous body,
An image display device, wherein an opening or a notch is provided in an antenna area corresponding to the communication antenna module in the metal layer.
前記通信アンテナモジュールは、前記開口又は前記切欠きの内部に収容されている、請求項1に記載の画像表示装置。 2. The image display device according to claim 1, wherein said communication antenna module is housed inside said opening or said notch. 前記開口又は前記切欠き内に絶縁体が埋め込まれ、前記絶縁体上に前記通信アンテナモジュールが配置されている、請求項1に記載の画像表示装置。 2. The image display device according to claim 1, wherein an insulator is embedded in said opening or said notch, and said communication antenna module is arranged on said insulator. 発光面を有する自発光型表示装置と、
前記自発光型表示装置の前記発光面側に位置するとともに、透明性を有する基板と、前記基板上に配置された無給電型メッシュ配線層とを有する配線基板と、
前記自発光型表示装置の前記発光面の反対側に位置する通信アンテナモジュールと、を備え、
前記自発光型表示装置は、発光体を有し、
前記自発光型表示装置のうち、前記通信アンテナモジュールに対応するアンテナ領域に位置する前記発光体の画素密度が、前記アンテナ領域以外の領域に位置する前記発光体の画素密度よりも低くなっている、画像表示装置。
a self-luminous display device having a light-emitting surface;
a wiring substrate located on the light emitting surface side of the self-luminous display device and having a transparent substrate and a parasitic mesh wiring layer disposed on the substrate;
a communication antenna module located on the opposite side of the light-emitting surface of the self-luminous display device;
The self-luminous display device has a light emitter,
In the self-luminous display device, the pixel density of the light emitters located in an antenna area corresponding to the communication antenna module is lower than the pixel density of the light emitters located in an area other than the antenna area. , an image display device.
前記アンテナ領域における前記発光体の画素密度(ppi)は、前記アンテナ領域以外の領域における前記発光体の画素密度(ppi)の20%以上50%以下である、請求項4に記載の画像表示装置。 5. The image display device according to claim 4, wherein the pixel density (ppi) of the light emitters in the antenna area is 20% or more and 50% or less of the pixel density (ppi) of the light emitters in an area other than the antenna area. . 発光面を有する自発光型表示装置と、
前記自発光型表示装置の前記発光面側に位置するとともに、透明性を有する基板と、前記基板上に配置された無給電型メッシュ配線層とを有する配線基板と、
前記自発光型表示装置の前記発光面の反対側に位置する通信アンテナモジュールと、を備え、
前記自発光型表示装置は、複数の発光体と、前記発光体よりも前記発光面側に位置する透明電極とを有し、
前記自発光型表示装置のうち、少なくとも前記通信アンテナモジュールに対応するアンテナ領域に位置する前記透明電極がパターニングされている、画像表示装置。
a self-luminous display device having a light-emitting surface;
a wiring substrate located on the light emitting surface side of the self-luminous display device and having a transparent substrate and a parasitic mesh wiring layer disposed on the substrate;
a communication antenna module located on the opposite side of the light-emitting surface of the self-luminous display device;
The self-luminous display device has a plurality of light emitters and a transparent electrode positioned closer to the light emitting surface than the light emitters,
An image display device, wherein at least the transparent electrode located in an antenna region corresponding to the communication antenna module is patterned in the self-luminous display device.
前記透明電極は、各発光体に対応する画素対応部と、前記画素対応部同士を連結する連結部とを有し、前記画素対応部及び前記連結部の周囲には、電極開口部が形成されている、請求項6に記載の画像表示装置。 The transparent electrode has a pixel corresponding portion corresponding to each light emitter and a connecting portion connecting the pixel corresponding portions, and an electrode opening is formed around the pixel corresponding portion and the connecting portion. 7. The image display device according to claim 6, wherein 少なくとも前記アンテナ領域において、単位面積あたりの前記電極開口部の割合は50%以上80%以下である、請求項7に記載の画像表示装置。 8. The image display device according to claim 7, wherein a ratio of said electrode openings per unit area is 50% or more and 80% or less at least in said antenna region. 前記配線基板の前記基板上であって、前記無給電型メッシュ配線層の周囲に、アレー型メッシュ配線層が配置されている、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の画像表示装置。 9. The image display device according to claim 1, wherein an array type mesh wiring layer is arranged on said substrate of said wiring board and around said parasitic type mesh wiring layer. 前記配線基板の前記無給電型メッシュ配線層は、複数の第1配線を含み、前記第1配線の線幅は0.1μm以上5.0μm以下である、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の画像表示装置。 10. The parasitic mesh wiring layer of the wiring board according to any one of claims 1 to 9, wherein the non-feeding mesh wiring layer includes a plurality of first wirings, and the first wirings have a line width of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. The image display device according to .
JP2019163006A 2019-09-06 2019-09-06 image display device Active JP7302396B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019163006A JP7302396B2 (en) 2019-09-06 2019-09-06 image display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019163006A JP7302396B2 (en) 2019-09-06 2019-09-06 image display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021044611A JP2021044611A (en) 2021-03-18
JP7302396B2 true JP7302396B2 (en) 2023-07-04

Family

ID=74864313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019163006A Active JP7302396B2 (en) 2019-09-06 2019-09-06 image display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7302396B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022205121A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Method for forming semiconductor structure
JP2022161726A (en) * 2021-04-09 2022-10-21 大日本印刷株式会社 Laminate for image display device and image display device
CN114937867B (en) * 2022-07-20 2022-12-23 荣耀终端有限公司 Display device and terminal equipment

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010507929A (en) 2006-09-21 2010-03-11 レイセオン カンパニー Tile subarrays and associated circuits and techniques
JP2011505774A (en) 2007-12-06 2011-02-24 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Display configuration
US20140139379A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sony Mobile Communications Ab Transparent antennas for wireless terminals
JP2014513493A (en) 2011-05-05 2014-05-29 インテル・コーポレーション High-performance glass-based 60 GHz / MM wave phased array antenna and method of manufacturing the same
WO2018055999A1 (en) 2016-09-23 2018-03-29 富士フイルム株式会社 Portable communication terminal
WO2019138565A1 (en) 2018-01-15 2019-07-18 凸版印刷株式会社 Electronic apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010507929A (en) 2006-09-21 2010-03-11 レイセオン カンパニー Tile subarrays and associated circuits and techniques
JP2011505774A (en) 2007-12-06 2011-02-24 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Display configuration
JP2014513493A (en) 2011-05-05 2014-05-29 インテル・コーポレーション High-performance glass-based 60 GHz / MM wave phased array antenna and method of manufacturing the same
US20140139379A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sony Mobile Communications Ab Transparent antennas for wireless terminals
WO2018055999A1 (en) 2016-09-23 2018-03-29 富士フイルム株式会社 Portable communication terminal
WO2019138565A1 (en) 2018-01-15 2019-07-18 凸版印刷株式会社 Electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021044611A (en) 2021-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10734440B2 (en) Display panel and fabrication method, and display device thereof
JP7302396B2 (en) image display device
JP6807178B2 (en) Display device, manufacturing method of display device
US20180342563A1 (en) Oled display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display apparatus
CN102163617B (en) Method for manufacturing organic light-emitting display device
CN109728186B (en) Organic light emitting diode display device
CN110943112B (en) Array substrate, preparation method thereof and display panel
CN110600511A (en) Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
US11289685B2 (en) Display panel with patterned light absorbing layer, and manufacturing method thereof
KR20180130021A (en) Light-emitting device
TW201244204A (en) Light-emitting device and electronic device using light-emitting device
CN108899346B (en) Display panel and display device
US10014482B2 (en) Electronic device assembly and protection member
CN111668242A (en) OLED display panel and preparation method thereof
KR102467812B1 (en) Display devices and methods of manufacturing display devices
CN112687190B (en) Display panel, display device and preparation method of display panel
CN110391283B (en) Organic light emitting display panel and organic light emitting display device
CN109686744B (en) TFT substrate, OLED display panel and manufacturing method
KR102177587B1 (en) Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
CN112909053A (en) Display device, display panel and manufacturing method thereof
JP2014027192A (en) Light-emitting element, display device having the same, and electronic apparatus
KR20120049512A (en) Method of fabricating luminescence dispaly
WO2022215674A1 (en) Laminate for image display device and image display device
KR100785030B1 (en) Field emission device and method of manufacturing the same
CN213424992U (en) Display panel and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220726

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230515

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230523

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230605

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7302396

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150