KR102467812B1 - Display devices and methods of manufacturing display devices - Google Patents

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KR102467812B1
KR102467812B1 KR1020160008520A KR20160008520A KR102467812B1 KR 102467812 B1 KR102467812 B1 KR 102467812B1 KR 1020160008520 A KR1020160008520 A KR 1020160008520A KR 20160008520 A KR20160008520 A KR 20160008520A KR 102467812 B1 KR102467812 B1 KR 102467812B1
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Abstract

표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 화소 전극, 기판 상에 배치되고, 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막, 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 발광층 및 화소 정의막 상에 배치되는 공통 전극을 포함할 수 있다.The display device includes a pixel definition including a substrate, a pixel electrode disposed on the substrate, an electrochromic material disposed on the substrate, partially covering the pixel electrode, and reversibly changed between a transparent state and an opaque state by a color change. It may include a film, a light emitting layer disposed on the pixel electrode, and a common electrode disposed on the light emitting layer and the pixel defining layer.

Figure R1020160008520
Figure R1020160008520

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES}Display device and manufacturing method of the display device {DISPLAY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기 변색 물질을 함유하는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치들 및 이러한 표시 장치들의 제조 방법들에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to display devices including a pixel defining layer containing an electrochromic material and methods of manufacturing such display devices.

표시 장치는 정보를 전달하는 매개체로서 활용되어 왔고, 이러한 표시 장치에 대한 수요는 꾸준히 증가하고 있다. 지금까지의 표시 장치는 일 방향으로만 화상을 표시할 수 있는 불투명한 스크린을 구비하고 있다. 그러나, 최근 들어 표시 장치의 전면 및/또는 후면으로부터 입사되는 광이 상기 표시 장치를 투과하여 전면 및/또는 후면에 위치하는 대상의 이미지를 표시할 수 있는 투명 표시 장치가 개발되고 있다.Display devices have been used as a medium for transmitting information, and demand for such display devices is steadily increasing. Conventional display devices have opaque screens capable of displaying images in only one direction. However, recently, a transparent display device capable of displaying an image of an object positioned on the front and/or rear surface of the display device by allowing light incident from the front and/or rear surface of the display device to pass through the display device has been developed.

이와 같은 투명 표시 장치는 기판 상에 배치되는 화소 전극들에 대응되는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들은 화소 정의막에 의해 구분될 수 있다. 상기 화소 정의막은 대체로 상기 화소 전극의 주변부를 커버하면서 상기 화소 전극의 중앙부를 노출시킨다.Such a transparent display device includes a plurality of pixels corresponding to pixel electrodes disposed on a substrate, and the plurality of pixels may be distinguished by a pixel defining layer. The pixel-defining layer substantially covers a peripheral portion of the pixel electrode and exposes a central portion of the pixel electrode.

종래의 투명 표시 장치에 있어서, 상기 화소 정의막이 투명할 경우에 상기 표시 장치의 전면 및/또는 후면에 위치하는 대상의 이미지를 표시할 수 있지만, 상기 표시 장치가 표시하는 영상의 명암비가 낮아질 수 있다. 또한, 상기 화소 정의막이 불투명한 경우에는 상기 표시 장치에 의해 표시되는 영상의 명암비는 향상되지만, 상기 표시 장치의 전면 및/또는 후면에 위치하는 대상의 이미지를 표시할 수 없게 된다.In a conventional transparent display device, when the pixel defining layer is transparent, an image of an object located on the front and/or rear surface of the display device may be displayed, but the contrast ratio of the image displayed by the display device may be lowered. . Also, when the pixel-defining layer is opaque, the contrast ratio of the image displayed by the display device is improved, but images of objects positioned on the front and/or rear surface of the display device cannot be displayed.

본 발명의 일 목적은 색상 변화를 통해 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가변적으로 변화될 수 있는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a display device including a pixel defining layer that can variably change between a transparent state and an opaque state through color change.

본 발명의 다른 목적은 색상 변화를 통해 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가변적으로 변화될 수 있는 변화될 수 있는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device including a changeable pixel defining layer capable of variably changing between a transparent state and an opaque state through color change.

다만, 본 발명의 목적들이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to these objects, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 화소 전극, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막, 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 배치되는 공통 전극을 포함할 수 있다.In order to achieve one object of the present invention described above, a display device according to exemplary embodiments includes a substrate, a pixel electrode disposed on the substrate, a pixel electrode disposed on the substrate and partially covering the pixel electrode, and a color A pixel defining layer including an electrochromic material that is reversibly changed between a transparent state and an opaque state by change, a light emitting layer disposed on the pixel electrode, and a common electrode disposed on the light emitting layer and the pixel defining layer. can

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 투명하거나 검은색으로 상기 색상 변화를 일으킬 수 있다.In example embodiments, the pixel defining layer may cause the color change to be transparent or black.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 화소 정의막 아래에 배치되는 제1 전극, 및 상기 화소 정의막 상에 배치되며, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 더 포함하며, 상기 화소 정의막은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 발생되는 제1 전계에 의해 상기 색상 변화를 일으킬 수 있다.In example embodiments, the display device further includes a first electrode disposed under the pixel defining layer, and a second electrode disposed on the pixel defining layer and facing the first electrode; The pixel defining layer may cause the color change by a first electric field generated between the first electrode and the second electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않을 경우에는 투명하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 생성될 경우에는 검은색을 나타낼 수 있다.In example embodiments, the electrochromic material is transparent when the first electric field is not generated between the first electrode and the second electrode, and the first electric field is formed between the first electrode and the second electrode. 1 Black color can be displayed when an electric field is generated.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the display device may further include a first insulating layer disposed between the first electrode and the pixel electrode and electrically insulating the first electrode from the pixel electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 발생되는 제2 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다.In example embodiments, the first insulating layer may include an electrochromic material that changes color to transparent or black by a second electric field generated between the first electrode and the pixel electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 화소 정의막과 일체로 형성될 수 있다.In example embodiments, the first insulating layer may be integrally formed with the pixel defining layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되며, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the display device may further include a second insulating layer disposed between the second electrode and the common electrode and electrically insulating the second electrode from the common electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 발생되는 제3 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다.In example embodiments, the second insulating layer may include an electrochromic material that changes color to transparent or black by a third electric field generated between the second electrode and the common electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 동일한 레벨에 위치할 수 있다.In example embodiments, the first electrode and the pixel electrode may be positioned on the same level above the substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 공통 전극의 아래에 배치될 수 있다.In example embodiments, the second electrode may be disposed below the common electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 전계에 의해 상기 화소 정의막이 외광을 투과시키는 상기 투명 상태 및 상기 외광을 차단하는 상기 불투명 상태로 변화될 수 있다.In example embodiments, the display device may be changed into the transparent state in which the pixel defining layer transmits external light and the opaque state in which external light is blocked by the first electric field.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.In example embodiments, the electrochromic material may include a polymer compound including a functional group, and the functional group may include perfluorocyclobutane, a hydroxy group, an amino group, an alkyl amino group, an aryl amino group, a heteroarylamino group, It may include one or more selected from the group consisting of a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryl alkyl group, a heteroaryl group, and a heterocyclic group.

전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 기판을 제공한 후, 상기 기판 상에 화소 전극을 형성할 수 있다. 상기 기판 상에 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막을 형성할 수 있다. 상기 화소 전극 상에 발광층을 형성할 수 있으며, 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 공통 전극을 형성할 수 있다.In order to achieve another object of the present invention described above, in the method of manufacturing a display device according to example embodiments, after providing a substrate, a pixel electrode may be formed on the substrate. A pixel defining layer including an electrochromic material that partially covers the pixel electrode and is reversibly changed between a transparent state and an opaque state by color change may be formed on the substrate. An emission layer may be formed on the pixel electrode, and a common electrode may be formed on the emission layer and the pixel defining layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 화소 정의막 상에 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 사이에 전계를 발생시키는 제2 전극을 형성할 수 있다.In example embodiments, a first electrode may be formed on the substrate, and a second electrode facing the first electrode and generating an electric field between the first electrode may be formed on the pixel defining layer. can

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 형성할 수 있다.In example embodiments, a first insulating layer electrically insulating the first electrode and the pixel electrode may be formed between the first electrode and the pixel electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 형성할 수 있다.In example embodiments, a second insulating layer electrically insulating the second electrode and the common electrode may be formed between the second electrode and the common electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 제1 전극은 동시에 형성될 수 있다.In example embodiments, the pixel electrode and the first electrode may be formed at the same time.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.In example embodiments, the electrochromic material may include a polymer compound including a functional group, and the functional group may include perfluorocyclobutane, a hydroxy group, an amino group, an alkyl amino group, an aryl amino group, a heteroarylamino group, It may include one or more selected from the group consisting of a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryl alkyl group, a heteroaryl group, and a heterocyclic group.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가변적으로 변화될 수 있는 화소 정의막을 포함할 수 있으므로, 상기 투명 상태에서는 외광의 투과도를 증가시킬 수 있고, 상기 불투명 상태에서는 상기 표시 장치에 의해 표시되는 영상의 명암비를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 화소 전극과 제1 전극이 동시에 형성되기 때문에, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.Since the display device according to exemplary embodiments of the present invention may include a pixel defining layer that can variably change between a transparent state and an opaque state, transmittance of external light can be increased in the transparent state, and the transmittance of external light can be increased in the opaque state. The contrast ratio of the image displayed by the display device can be improved. In addition, in the manufacturing method of the display device according to the exemplary embodiments of the present invention, since the pixel electrode and the first electrode are formed at the same time, manufacturing cost and manufacturing time can be reduced.

다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
1 is a plan view illustrating a display device according to exemplary embodiments of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views illustrating a display device according to exemplary embodiments of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a display device according to other exemplary embodiments of the present disclosure.
5 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to exemplary embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들에서 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.Hereinafter, display devices and methods of manufacturing the display devices according to exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or similar reference numerals are used for like elements.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 예시하는 평면도일 수 있다.1 is a plan view illustrating a display device according to exemplary embodiments of the present invention. For example, FIG. 1 may be a plan view illustrating a part of a display device according to exemplary embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 복수의 화소들이 반복적으로 배치될 수 있는 표시 영역을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 화소들은 제1 방향 및 상기 제1 방향에 실직적으로 직교하는 제2 방향을 따라 반복적으로 배치되는 매트릭스(matrix)의 구조로 상기 표시 영역에 배열될 수 있으나, 상기 화소들의 배열은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 화소들은 상기 표시 장치(100)의 구성에 따라 다양한 방식으로 배열될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a display device 100 according to exemplary embodiments of the present invention may have a display area in which a plurality of pixels may be repeatedly disposed. For example, the plurality of pixels may be arranged in the display area in a matrix structure that is repeatedly arranged along a first direction and a second direction substantially orthogonal to the first direction. The arrangement of pixels is not limited thereto, and the pixels may be arranged in various ways according to the configuration of the display device 100 .

상기 복수의 화소들은 서로 인접하게 배치되는 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 여기서, 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb)에서 방출되는 광들이 결합하여 상기 표시 영역에서 영상이 표시될 수 있다.The plurality of pixels may include a red pixel Pr, a green pixel Pg, and a blue pixel Pb disposed adjacent to each other. Here, an image may be displayed in the display area by combining light emitted from the red pixel Pr, the green pixel Pg, and the blue pixel Pb.

도 2 및 도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다. 예를 들어, 도 2 및 도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 취한 표시 장치를 예시하는 단면도들일 수 있다.2 and 3 are cross-sectional views illustrating a display device according to exemplary embodiments of the present invention. For example, FIGS. 2 and 3 may be cross-sectional views illustrating the display device taken along line II′ of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 화소 회로, 발광 구조물, 화소 정의막(170) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(100)는 제1 전극(160), 제2 전극(180), 제1 절연층(165), 제2 절연층(185) 등을 추가적으로 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , a display device 100 according to example embodiments may include a substrate 110 , a pixel circuit, a light emitting structure, a pixel defining layer 170 , and the like. In example embodiments, the display device 100 may additionally include a first electrode 160, a second electrode 180, a first insulating layer 165, a second insulating layer 185, and the like. .

기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다.The substrate 110 may include a transparent substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a transparent plastic substrate. Optionally, the substrate 110 may be made of a flexible substrate.

기판(110) 상에는 버퍼막(115)이 배치될 수 있다. 버퍼막(115)은 기판(110)으로부터 발생되는 불순물들의 확산을 방지할 수 있고, 액티브 패턴(120)의 형성을 위한 결정화 공정 시에 열의 전달 속도를 조절할 수 있다. 또한, 버퍼막(115)은 기판(110)의 표면을 실질적으로 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 버퍼막(115)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이러한 버퍼막(115)이 필수적인 것은 아니며, 기판(110)의 종류, 표시 장치(100)의 공정 조건들 등을 고려하여 형성되지 않을 수도 있다.A buffer layer 115 may be disposed on the substrate 110 . The buffer layer 115 can prevent diffusion of impurities generated from the substrate 110 and can control a heat transfer rate during a crystallization process for forming the active pattern 120 . In addition, the buffer layer 115 may serve to substantially planarize the surface of the substrate 110 . For example, the buffer layer 115 may include a silicon compound such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiOxNy). The buffer layer 115 may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a silicon compound. However, such a buffer layer 115 is not essential and may not be formed in consideration of the type of substrate 110, process conditions of the display device 100, and the like.

상기 화소 회로는 상기 발광 구조물에 상기 발광 구조물로부터 광을 발생시키기 위한 전압 또는 전류를 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 회로는 복수의 트랜지스터들 및 복수의 커패시터들을 포함할 수 있다. 도 2에는 편의상 1개의 트랜지스터가 도시되지만, 상기 화소 회로는 복수의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 구비할 수 있다.The pixel circuit may supply voltage or current to the light emitting structure to generate light from the light emitting structure. For example, the pixel circuit may include a plurality of transistors and a plurality of capacitors. Although one transistor is shown in FIG. 2 for convenience, the pixel circuit may include a plurality of transistors and at least one capacitor.

상기 트랜지스터들은 각기 액티브 패턴(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함할 수 있다.Each of the transistors may include an active pattern 120 , a gate electrode 130 , a source electrode 140 and a drain electrode 145 .

버퍼막(115) 상에는 액티브 패턴(120)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(120)은 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다. 액티브 패턴(120)의 양측부들에는 불순물을 함유하는 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)이 형성될 수 있고, 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)의 사이에는 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(123)이 정의될 수 있다.An active pattern 120 may be disposed on the buffer layer 115 . The active pattern 120 may be made of polysilicon. A source region 121 and a drain region 122 containing impurities may be formed on opposite sides of the active pattern 120 , and a channel not doped with impurities may be formed between the source region 121 and the drain region 122 . An area 123 may be defined.

버퍼막(115) 상에는 액티브 패턴(120)을 실질적으로 커버하는 게이트 절연막(125)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(125)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 화합물을 함유하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.A gate insulating layer 125 substantially covering the active pattern 120 may be disposed on the buffer layer 115 . For example, the gate insulating layer 125 may include a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. The gate insulating layer 125 may have a single-layer structure or a multi-layer structure containing a silicon compound.

게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(130)이 배치될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(130)은 액티브 패턴(120)의 적어도 일부, 예를 들면 채널 영역(123) 상부에 위치할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(130)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금들 또는 상기 금속들의 질화물들을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.A gate electrode 130 may be disposed on the gate insulating layer 125 . Here, the gate electrode 130 may be positioned on at least a portion of the active pattern 120, for example, the upper portion of the channel region 123. For example, the gate electrode 130 may include aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), It may include a metal such as platinum (Pt), tantalum (Ta), neodymium (Nd), scandium (Sc), alloys of the metals, or nitrides of the metals. These may be used alone or in combination of two or more.

게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(130)을 실질적으로 커버하는 층간 절연막(135)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(135)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 층간 절연막(135)은 실리콘 화합물을 함유하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 게이트 절연막(125) 및 층간 절연막(135)에는 액티브 패턴(120)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)을 각기 노출시키는 제1 콘택 홀들이 제공될 수 있다.An interlayer insulating layer 135 substantially covering the gate electrode 130 may be disposed on the gate insulating layer 125 . For example, the interlayer insulating layer 135 may include a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. The interlayer insulating film 135 may have a single-layer structure or a multi-layer structure containing a silicon compound. First contact holes exposing the source region 121 and the drain region 122 of the active pattern 120 may be provided in the gate insulating layer 125 and the interlayer insulating layer 135 .

층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 배치될 수 있다. 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 각기 상기 제1 콘택 홀들을 통해 액티브 패턴(120)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 각기 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금들 또는 상기 금속들의 질화물들을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.A source electrode 140 and a drain electrode 145 may be disposed on the interlayer insulating layer 135 . The source electrode 140 and the drain electrode 145 may be electrically connected to the source region 121 and the drain region 122 of the active pattern 120 through the first contact holes, respectively. For example, the source electrode 140 and the drain electrode 145 may be formed of aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), or molybdenum (Mo). ), titanium (Ti), platinum (Pt), tantalum (Ta), neodymium (Nd), scandium (Sc), alloys of the metals, or nitrides of the metals. These may be used alone or in combination of two or more.

층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 실질적으로 커버하는 절연막(150)이 배치될 수 있다. 절연막(150)에는 상기 트랜지스터의 드레인 전극(145)을 노출시키는 제2 콘택 홀이 제공될 수 있고, 화소 전극(155)은 이러한 제2 콘택 홀을 채우면서 드레인 전극(145)에 접촉될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 절연막(150)에는 화소 전극(155)과 드레인 전극(145)을 전기적으로 연결시키는 비아(via) 구조가 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 콘택 홀에는 도전성 물질로 구성된 콘택(도시되지 않음)이 배치될 수 있고, 화소 전극(155)과 드레인 전극(145)은 각기 상기 콘택의 상부와 하부에 접촉될 수 있다. 또한, 절연막(150)은 상부 구조물들을 위해 실질적으로 평탄화층의 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 절연막(150)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.An insulating layer 150 substantially covering the source electrode 140 and the drain electrode 145 may be disposed on the interlayer insulating layer 135 . A second contact hole exposing the drain electrode 145 of the transistor may be provided in the insulating layer 150, and the pixel electrode 155 may come into contact with the drain electrode 145 while filling the second contact hole. . In other embodiments, a via structure electrically connecting the pixel electrode 155 and the drain electrode 145 may be provided in the insulating layer 150 . For example, a contact (not shown) made of a conductive material may be disposed in the second contact hole, and the pixel electrode 155 and the drain electrode 145 may contact upper and lower portions of the contact, respectively. . In addition, the insulating layer 150 may substantially serve as a planarization layer for upper structures. For example, the insulating layer 150 may include an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester.

상기 발광 구조물은 화소 전극(155), 발광층(175), 공통 전극(190) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(175)은 유기 발광층을 포함할 수 있다.The light emitting structure may include a pixel electrode 155 , a light emitting layer 175 , a common electrode 190 , and the like. In example embodiments, the light emitting layer 175 may include an organic light emitting layer.

절연막(150) 상에는 화소 전극(155)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 화소 전극(155)은 상기 제2 콘택 홀을 채우면서 드레인 전극(145)과 접촉될 수 있거나, 상기 제2 콘택 홀 내에 제공되는 상기 콘택을 통해 드레인 전극(145)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 화소 전극(155)은 상기 각 화소 마다 독립적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(155)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 화소 전극(155)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 화소 전극(155)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 화소 전극(155)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.A pixel electrode 155 may be disposed on the insulating layer 150 . As described above, the pixel electrode 155 may be in contact with the drain electrode 145 while filling the second contact hole, or may be electrically connected to the drain electrode 145 through the contact provided in the second contact hole. can be connected In example embodiments, as shown in FIG. 1 , the pixel electrode 155 may be independently disposed for each pixel. For example, the pixel electrode 155 may include a metal such as aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, scandium, or an alloy of these metals. According to other embodiments, the pixel electrode 155 may include a transparent conductive material. For example, the pixel electrode 155 may include indium tin compound (ITO), indium zinc compound (IZO), zinc oxide, or indium oxide. Optionally, the pixel electrode 155 may have a multilayer structure including the transparent conductive material and the metal.

절연막(150) 상에는 제1 전극(160)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(160)은 상기 복수의 화소들에 인접하여 상기 복수의 화소들을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금들을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(160)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 제1 전극(160)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.A first electrode 160 may be disposed on the insulating layer 150 . For example, as shown in FIG. 1 , the first electrode 160 may be disposed adjacent to and surrounding the plurality of pixels. For example, the first electrode 160 may include a metal such as aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, scandium, or alloys of these metals. According to other exemplary embodiments, the first electrode 160 may include a transparent conductive material. For example, the first electrode 160 may include indium tin compound (ITO), indium zinc compound (IZO), zinc oxide, or indium oxide. Optionally, the first electrode 160 may have a multilayer structure including the transparent conductive material and the metal.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(160)과 화소 전극(155)은 기판(110) 상부의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(160)과 화소 전극(155)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.In example embodiments, the first electrode 160 and the pixel electrode 155 may be disposed on substantially the same level above the substrate 110 . In this case, the first electrode 160 and the pixel electrode 155 may include substantially the same material.

절연막(150) 상에는 제1 절연층(165)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(165)은 제1 전극(160)과 화소 전극(155) 사이에 배치되어 제1 전극(160)과 화소 전극(155)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(165)은 화소 전극(155)을 실질적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(165)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.A first insulating layer 165 may be disposed on the insulating layer 150 . The first insulating layer 165 may be disposed between the first electrode 160 and the pixel electrode 155 to electrically insulate the first electrode 160 and the pixel electrode 155 . For example, as shown in FIG. 1 , the first insulating layer 165 may be disposed to substantially surround the pixel electrode 155 . For example, the first insulating layer 165 may include an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester.

제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에는 화소 전극(155)을 부분적으로 커버하는 화소 정의막(170)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(170)의 저면 아래에는 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(170)은 화소 전극(155)의 주변부를 커버하면서 화소 전극(155)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(170)에는 화소 전극(155)의 중심부를 노출시키는 화소 개구가 제공될 수 있다.A pixel defining layer 170 partially covering the pixel electrode 155 may be disposed on the first electrode 160 and the first insulating layer 165 . In other words, the first electrode 160 and the first insulating layer 165 may be positioned below the bottom surface of the pixel defining layer 170 . For example, the pixel defining layer 170 may expose a central portion of the pixel electrode 155 while covering a peripheral portion of the pixel electrode 155 . Accordingly, a pixel opening exposing a central portion of the pixel electrode 155 may be provided in the pixel defining layer 170 .

화소 정의막(170)은 제1 전극(160)과 후속하는 제2 전극(180) 사이에 발생되는 제1 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색과 같이 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(170)은 투명 상태로부터 불투명 상태로 변화될 수 있다. 이러한 전기 변색 물질은 전기 화학적 산화 및 환원 반응에 의해 물질의 광 특성이 가역적으로 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기 변색 물질은 전기장이 인가되지 않는 경우에 투명할 수 있지만, 전기장이 인가되면 소정의 색상을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 전기 변색 물질은 전기장이 인가되지 않는 경우에는 소정의 색상을 나타낼 수 있지만, 전기장이 인가되면 투명하게 될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않는 경우에는 투명할 수 있고, 상기 제1 전계가 생성되는 경우에는 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있다.The pixel defining layer 170 includes an electrochromic material capable of changing color from transparent to substantially black by a first electric field generated between the first electrode 160 and the subsequent second electrode 180. can do. Accordingly, the pixel defining layer 170 may change from a transparent state to an opaque state. In such an electrochromic material, optical properties of the material may be reversibly changed by electrochemical oxidation and reduction reactions. For example, the electrochromic material may be transparent when an electric field is not applied, but may exhibit a predetermined color when an electric field is applied. In addition, the electrochromic material may exhibit a predetermined color when an electric field is not applied, but may become transparent when an electric field is applied. In example embodiments, the electrochromic material may be transparent when the first electric field is not generated between the first electrode 160 and the second electrode 180, and the first electric field is generated. In some cases, it may be substantially black.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질로는 상기 제1 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 물질이면 제한 없이 사용될 수 있다. 적용 가능한 전기 변색 물질의 예로는 비올로겐(viologen) 기를 포함하는 화합물, 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다. 여기서, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, any material capable of causing a color change from transparent to substantially black by the first electric field may be used as the electrochromic material without limitation. Examples of the applicable electrochromic material include a compound containing a viologen group and a polymer compound containing a functional group. Here, the functional group is a perfluorocyclobutane, a hydroxy group, an amino group, an alkyl amino group, an aryl amino group, a heteroaryl amino group, a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryl alkyl group, a heteroaryl group, and a heterocyclic group. It may include one or more selected from the group consisting of groups.

화소 정의막(170) 상에는 제2 전극(180)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(180)은 화소 정의막(170)의 상면 상에 위치할 수 있다. 이 경우, 제2 전극(180)은 화소 정의막(170)을 개재하여 제1 전극(160)에 실질적으로 대향할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(170)을 중심으로 제1 전극(160)과 제2 전극(180)이 서로 실질적으로 대응될 수 있고, 제1 전극(160) 및/또는 제2 전극(180)에 인가되는 전압에 따라 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 발생될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(180)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 제2 전극(180)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제2 전극(180)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 제2 전극(180)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.A second electrode 180 may be disposed on the pixel defining layer 170 . For example, the second electrode 180 may be positioned on the upper surface of the pixel defining layer 170 . In this case, the second electrode 180 may substantially face the first electrode 160 through the pixel defining layer 170 . Accordingly, the first electrode 160 and the second electrode 180 may substantially correspond to each other with the pixel defining layer 170 at the center, and the first electrode 160 and/or the second electrode 180 may The first electric field may be generated between the first electrode 160 and the second electrode 180 according to the applied voltage. For example, the second electrode 180 may include a metal such as aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, scandium, or alloys of these metals. According to other embodiments, the second electrode 180 may include a transparent conductive material. For example, the second electrode 180 may include indium tin compound (ITO), indium zinc compound (IZO), zinc oxide, or indium oxide. Optionally, the second electrode 180 may have a multilayer structure including the transparent conductive material and the metal.

예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)에 있어서, 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에서 생성될 수 있는 상기 제1 전계에 의해 화소 정의막(170)이 외광을 투과시킬 수 있는 투명 상태 및 외광을 실질적으로 차단할 수 있는 불투명 상태로 변화될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않을 경우에는 상기 전기 변색 물질을 함유하는 화소 정의막(170)이 투명할 수 있으며, 이에 따라 표시 장치(100)로 입사되는 외광이 화소 정의막(170)을 통과함으로써, 표시 장치(100)가 투명 모드로 동작할 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(160)과 제2 전극(180) 사이에 상기 제1 전계가 생성될 경우에는 상기 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막(170)이 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있고, 이에 따라 표시 장치(100)로 입사되는 외광이 화소 정의막(170)에 의해 실질적으로 차단됨으로써, 표시 장치(100)가 불투명 모드로 동작될 수 있다.In the display device 100 according to example embodiments, the pixel defining layer 170 transmits external light by the first electric field generated between the first electrode 160 and the second electrode 180. It can be changed into a transparent state that can be used and an opaque state that can substantially block external light. For example, as shown in FIG. 2 , when the first electric field is not generated between the first electrode 160 and the second electrode 180, the pixel defining layer 170 containing the electrochromic material This may be transparent, and thus external light incident on the display device 100 passes through the pixel defining layer 170, so that the display device 100 can operate in a transparent mode. In addition, as shown in FIG. 3 , when the first electric field is generated between the first electrode 160 and the second electrode 180, the pixel defining layer 170 including the electrochromic material is substantially Black color may be displayed, and thus external light incident on the display device 100 is substantially blocked by the pixel defining layer 170 , so that the display device 100 may be operated in an opaque mode.

화소 정의막(170) 상에는 제2 전극(180)을 실질적으로 커버하는 제2 절연층(185)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(185)은 제2 전극(180)과 공통 전극(190) 사이에 배치되어 제2 전극(180)과 공통 전극(190)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(185)은 제2 전극(180)의 측면과 상면을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(185)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.A second insulating layer 185 substantially covering the second electrode 180 may be disposed on the pixel defining layer 170 . The second insulating layer 185 may be disposed between the second electrode 180 and the common electrode 190 to electrically insulate the second electrode 180 and the common electrode 190 . In example embodiments, the second insulating layer 185 may cover the side surface and top surface of the second electrode 180 . For example, the second insulating layer 185 may include an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester.

화소 정의막(170)의 화소 개구에 의해 노출되는 화소 전극(155) 상에는 발광층(175)이 배치될 수 있다. 발광층(175)은 화소 전극(155) 및 공통 전극(190)으로부터 각기 주입되는 정공 및 전자가 결합하여 광이 방출되는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(175)은 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)을 더 포함할 수 있다.An emission layer 175 may be disposed on the pixel electrode 155 exposed by the pixel opening of the pixel defining layer 170 . The light emitting layer 175 may include an organic light emitting layer in which light is emitted by combining holes and electrons respectively injected from the pixel electrode 155 and the common electrode 190 . In example embodiments, the light emitting layer 175 may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. can

화소 전극(155) 상에는 상기 정공 주입층이 배치되고, 상기 정공 주입층 상에는 상기 정공 수송층이 배치될 수 있다. 상기 정공 수송층 상에는 상기 유기 발광층이 배치될 수 있다. 상기 유기 발광층은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질 및 에너지의 흡수와 방출을 통해 발광 효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층 상에는 상기 전자 수송층이 배치될 수 있고, 상기 전자 수송층 상에는 상기 전자 주입층이 배치될 수 있다.The hole injection layer may be disposed on the pixel electrode 155 , and the hole transport layer may be disposed on the hole injection layer. The organic emission layer may be disposed on the hole transport layer. The organic emission layer may include a host material excited by holes and electrons, and a dopant material that increases luminous efficiency through energy absorption and emission. The electron transport layer may be disposed on the organic emission layer, and the electron injection layer may be disposed on the electron transport layer.

발광층(175) 및 제2 절연층(185) 상에는 공통 전극(190)이 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(180)은 공통 전극(190)의 아래에 위치할 수 있다. 공통 전극(190)은 발광층(175)을 개재하여 화소 전극(155)과 실질적으로 마주할 수 있다. 공통 전극(190)은 복수의 화소들에 의해 공유될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(190)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 상대적으로 낮은 일 함수를 갖는 금속 또는 이들 금속의 합금들을 포함할 수 있다.A common electrode 190 may be disposed on the light emitting layer 175 and the second insulating layer 185 . In this case, the second electrode 180 may be positioned below the common electrode 190 . The common electrode 190 may substantially face the pixel electrode 155 through the light emitting layer 175 . The common electrode 190 may be shared by a plurality of pixels. For example, the common electrode 190 may include aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), A metal having a relatively low work function, such as platinum (Pt), tantalum (Ta), neodymium (Nd), or scandium (Sc), or alloys of these metals may be included.

도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들어, 도 4는 도 1의 I-I' 선을 따라 취한 표시 장치를 예시하는 단면도일 수 있다.4 is a cross-sectional view illustrating a display device according to other exemplary embodiments of the present disclosure. For example, FIG. 4 may be a cross-sectional view illustrating the display device taken along line II′ of FIG. 1 .

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(200)는 기판(210), 화소 회로, 발광 구조물, 화소 정의막(270) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(200)는 제1 전극(260), 제2 전극(280), 제1 절연층(265), 제2 절연층(285) 등을 추가적으로 포함할 수 있다. 도 4에 예시한 표시 장치에 있어서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략한다.Referring to FIG. 4 , a display device 200 according to other exemplary embodiments of the present disclosure may include a substrate 210 , a pixel circuit, a light emitting structure, a pixel defining layer 270 , and the like. In example embodiments, the display device 200 may additionally include a first electrode 260, a second electrode 280, a first insulating layer 265, a second insulating layer 285, and the like. . In the display device illustrated in FIG. 4 , redundant descriptions of elements substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 2 and 3 will be omitted.

절연막(250) 상에는 제1 절연층(265)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(265)은 제1 전극(260)과 화소 전극(255) 사이에 배치되어 제1 전극(260)과 화소 전극(255)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(265)은 화소 전극(255)을 실질적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다.A first insulating layer 265 may be disposed on the insulating layer 250 . The first insulating layer 265 may be disposed between the first electrode 260 and the pixel electrode 255 to electrically insulate the first electrode 260 and the pixel electrode 255 . For example, as shown in FIG. 1 , the first insulating layer 265 may be disposed to substantially surround the pixel electrode 255 .

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층(265)은 제1 전극(260) 및/또는 화소 전극(255)에 인가되는 전압에 따라 제1 전극(260)과 화소 전극(255) 사이에 발생되는 제2 전계에 의해 투명하거나 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기 변색 물질은 제1 전극(260)과 화소 전극(255) 사이에 상기 제2 전계가 생성되지 않을 경우에는 투명할 수 있고, 상기 제2 전계가 생성될 경우에는 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있다. 여기서, 제1 절연층(265)은 화소 정의막(270)과 실질적으로 일체로 형성될 수 있다.In example embodiments, the first insulating layer 265 may be formed between the first electrode 260 and the pixel electrode 255 according to a voltage applied to the first electrode 260 and/or the pixel electrode 255 . It may include an electrochromic material capable of causing a color change to transparent or substantially black by the generated second electric field. For example, the electrochromic material may be transparent when the second electric field is not generated between the first electrode 260 and the pixel electrode 255, and may be substantially black when the second electric field is generated. color can be displayed. Here, the first insulating layer 265 may be substantially integrally formed with the pixel defining layer 270 .

화소 정의막(270) 상에는 제2 전극(280)을 실질적으로 커버하는 제2 절연층(285)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(285)은 제2 전극(280)과 공통 전극(290) 사이에 배치되어 제2 전극(280)과 공통 전극(290)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(285)은 제2 전극(280)의 측면과 상면을 덮을 수 있다.A second insulating layer 285 substantially covering the second electrode 280 may be disposed on the pixel defining layer 270 . The second insulating layer 285 may be disposed between the second electrode 280 and the common electrode 290 to electrically insulate the second electrode 280 and the common electrode 290 . For example, the second insulating layer 285 may cover the side surface and top surface of the second electrode 280 .

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(285)은 제2 전극(280) 및/또는 공통 전극(290)에 인가되는 전압에 따라 제2 전극(280)과 공통 전극(290) 사이에 발생되는 제3 전계에 의해 투명하거나 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기 변색 물질은 제2 전극(280)과 공통 전극(290) 사이에 상기 제3 전계가 생성되지 않을 경우에는 투명할 수 있고, 상기 제3 전계가 발생될 경우에는 실질적으로 검은색을 나타낼 수 있다.In example embodiments, the second insulating layer 285 may be formed between the second electrode 280 and the common electrode 290 according to a voltage applied to the second electrode 280 and/or the common electrode 290 . It may include an electrochromic material capable of causing a color change to transparent or substantially black by the generated third electric field. For example, the electrochromic material may be transparent when the third electric field is not generated between the second electrode 280 and the common electrode 290, and may be substantially black when the third electric field is generated. color can be displayed.

도 5 내지 도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.5 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to exemplary embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼막(115)을 형성할 수 있다. 버퍼막(115)은 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)을 공정 챔버 내에 적재하고, 실리콘 산화물 전구체, 질소 소스 가스 캐리어 가스 등을 도입하여 기판(110) 상에 버퍼막(115)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5 , a buffer layer 115 may be formed on the substrate 110 . The buffer layer 115 may be formed using a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, a high-density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, or the like. For example, the buffer layer 115 may be formed on the substrate 110 by loading the substrate 110 into a process chamber and introducing a silicon oxide precursor, a nitrogen source gas, or a carrier gas.

버퍼막(115) 상에는 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 버퍼막(115) 상에 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘을 사용하여 반도체막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 반도체막을 패터닝함으로써, 버퍼막(115) 상에 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다. 선택적으로는, 상기 버퍼막(115) 상에 반도체막을 형성한 다음, 저온 폴리실리콘(LTPS) 공정 또는 레이저 결정화 공정과 같은 결정화 공정을 수행할 수 있다. 또한, 상기 액티브 패턴(120)은 IGZO, ZTO, ITZO 등과 같은 산화물 반도체를 사용하여 형성될 수도 있다.An active pattern 120 may be formed on the buffer layer 115 . For example, the active pattern 120 may be formed on the buffer layer 115 by forming a semiconductor layer using amorphous silicon or polysilicon on the buffer layer 115 and then patterning the semiconductor layer through an etching process. can Optionally, after forming a semiconductor film on the buffer film 115, a crystallization process such as a low-temperature polysilicon (LTPS) process or a laser crystallization process may be performed. Also, the active pattern 120 may be formed using an oxide semiconductor such as IGZO, ZTO, or ITZO.

버퍼막(115) 상에 액티브 패턴(120)을 덮으면서 게이트 절연막(125)을 형성한 다음, 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(125) 상에 제1 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 도전막은 금속, 합금 또는 금속 질화물을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전막은 복수의 금속층을 적층하여 형성될 수도 있다. 게이트 전극(130)은 게이트 절연막(125)을 사이에 두고 액티브 패턴(120)과 실질적으로 중첩되도록 위치할 수 있다.After the gate insulating layer 125 is formed on the buffer layer 115 while covering the active pattern 120 , the gate electrode 130 may be formed on the gate insulating layer 125 . For example, after forming the first conductive layer on the gate insulating layer 125 , the gate electrode 130 may be formed on the gate insulating layer 125 by patterning the first conductive layer using an etching process. In this case, the first conductive layer may be formed using a metal, alloy, or metal nitride. Also, the first conductive layer may be formed by stacking a plurality of metal layers. The gate electrode 130 may be positioned to substantially overlap the active pattern 120 with the gate insulating layer 125 interposed therebetween.

예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(130)을 이온 주입 마스크로 이용하여 액티브 패턴(120)에 불순물을 주입함으로써, 액티브 패턴(120)의 양측부들에 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)을 형성할 수 있다.In example embodiments, impurities are implanted into the active pattern 120 using the gate electrode 130 as an ion implantation mask to form a source region 121 and a drain region 122 on opposite sides of the active pattern 120 . ) can be formed.

게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 덮는 층간 절연막(135)을 형성한 후, 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 부분적으로 식각하여 액티브 패턴(120)을 부분적으로 노출시키는 제1 콘택 홀들을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크를 사용하는 식각 공정이나 사진 식각 공정을 이용하여 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 부분적으로 식각함으로써, 상기 제1 콘택 홀들을 형성할 수 있다.After forming an interlayer insulating film 135 covering the gate electrode 130 on the gate insulating film 125, the interlayer insulating film 135 and the gate insulating film 125 are partially etched to partially expose the active pattern 120. First contact holes may be formed. For example, the first contact holes may be formed by partially etching the interlayer insulating layer 135 and the gate insulating layer 125 using an etching process using a mask or a photolithography process.

층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 관통하여 액티브 패턴(120)과 접촉하는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(135) 상에 상기 제1 콘택 홀들을 채우면서 제2 도전막을 형성한 후, 이러한 제2 도전막을 패터닝하여 소스 전극(140)과 드레인 전극(145)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제2 도전막은 금속, 합금 또는 금속 질화물을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전막은 복수의 금속층을 적층하여 형성될 수도 있다.A source electrode 140 and a drain electrode 145 contacting the active pattern 120 may be formed through the interlayer insulating layer 135 and the gate insulating layer 125 . For example, after forming a second conductive layer on the interlayer insulating layer 135 while filling the first contact holes, the second conductive layer may be patterned to form the source electrode 140 and the drain electrode 145. . Here, the second conductive layer may be formed using a metal, alloy, or metal nitride. Also, the second conductive layer may be formed by stacking a plurality of metal layers.

층간 절연막(135) 상에 소스 전극(140)과 드레인 전극(145)을 덮으면서 절연막(150)을 형성한 후, 절연막(150)을 부분적으로 식각하여 드레인 전극(145)을 부분적으로 노출시키는 제2 콘택 홀을 형성할 수 있다. 예를 들어, 절연막(150)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 절연막(150)은 실질적으로 평탄한 상면을 가지도록 충분한 두께로 형성될 수 있다. 절연막(150)은, 예를 들어, 스핀 코팅 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크를 사용하는 식각 공정이나 사진 식각 공정을 이용하여 절연막(150)을 부분적으로 식각함으로써, 상기 제2 콘택 홀을 형성할 수 있다.After forming the insulating film 150 on the interlayer insulating film 135 while covering the source electrode 140 and the drain electrode 145, the insulating film 150 is partially etched to partially expose the drain electrode 145. 2 contact holes may be formed. For example, the insulating layer 150 may be formed using an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester. In this case, the insulating layer 150 may be formed to a thickness sufficient to have a substantially flat upper surface. The insulating layer 150 may be formed using, for example, a spin coating process or a printing process. In addition, the second contact hole may be formed by partially etching the insulating layer 150 using an etching process using a mask or a photolithography process.

절연막(150) 상에 상기 제2 콘택 홀을 채우면서 제3 도전막(154)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제3 도전막(154)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 제3 도전막(154)은 ITO, IZO, 아연 산화물 또는 인듐 산화물과 같은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수도 있다.A third conductive layer 154 may be formed on the insulating layer 150 while filling the second contact hole. For example, the third conductive layer 154 may be formed using a metal material such as aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, scandium, or an alloy of these metals. have. Optionally, the third conductive layer 154 may be formed using a transparent conductive material such as ITO, IZO, zinc oxide or indium oxide.

도 6을 참조하면, 제3 도전막(154)을 패터닝하여 화소 전극(155) 및 제1 전극(160)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 식각 공정을 이용하여 제3 도전막(154)을 패터닝함으로써, 절연막(150) 상에 화소 전극(155) 및 제1 전극(160)을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(160)을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않으므로, 제조 비용이 절감되고, 제조 시간이 단축될 수 있다.Referring to FIG. 6 , the pixel electrode 155 and the first electrode 160 may be formed by patterning the third conductive layer 154 . For example, the pixel electrode 155 and the first electrode 160 may be simultaneously formed on the insulating layer 150 by patterning the third conductive layer 154 using an etching process. Accordingly, since a separate process for forming the first electrode 160 is not required, manufacturing cost and manufacturing time can be reduced.

도 7을 참조하면, 절연막(150) 상에 제1 전극(160)과 화소 전극(155)을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층(165)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(165)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 절연층(165)은 절연막(150)의 노출된 상면 및 제1 전극(160)과 화소 전극(155)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7 , a first insulating layer 165 electrically insulating the first electrode 160 and the pixel electrode 155 may be formed on the insulating film 150 . For example, the first insulating layer 165 may be formed using an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester. In this case, the first insulating layer 165 may be formed to cover the exposed top surface of the insulating film 150 and side surfaces of the first electrode 160 and the pixel electrode 155 .

도 8을 참조하면, 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에는 화소 전극(155)을 부분적으로 커버하도록 화소 정의막(170)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(155), 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에 제1 전극(160)과 후속하는 제2 전극(180) 사이에 발생되는 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색과 같이 색상 변화를 일으킬 수 있는 전기 변색 물질을 사용하여 예비 화소 정의막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 예비 화소 정의막을 패터닝함으로써, 제1 전극(160) 및 제1 절연층(165) 상에 화소 정의막(170)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8 , a pixel defining layer 170 may be formed on the first electrode 160 and the first insulating layer 165 to partially cover the pixel electrode 155 . For example, by an electric field generated between the first electrode 160 and the subsequent second electrode 180 on the pixel electrode 155, the first electrode 160, and the first insulating layer 165, the transparent After forming a preliminary pixel defining layer using an electrochromic material capable of causing a color change such as substantially black, and then patterning the preliminary pixel defining layer through an etching process, the first electrode 160 and the first insulating layer ( 165 , a pixel defining layer 170 may be formed.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기 변색 물질로는 상기 제1 전계에 의해 투명으로부터 실질적으로 검은색으로 색상 변화를 일으킬 수 있는 물질이면 제한 없이 사용될 수 있다. 적용 가능한 전기 변색 물질의 예로는 비올로겐(viologen) 기를 포함하는 화합물, 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다. 여기서, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, any material capable of causing a color change from transparent to substantially black by the first electric field may be used as the electrochromic material without limitation. Examples of the applicable electrochromic material include a compound containing a viologen group and a polymer compound containing a functional group. Here, the functional group is a perfluorocyclobutane, a hydroxy group, an amino group, an alkyl amino group, an aryl amino group, a heteroaryl amino group, a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryl alkyl group, a heteroaryl group, and a heterocyclic group. It may include one or more selected from the group consisting of groups.

도 9를 참조하면, 화소 전극(155) 상에 발광층(175)을 형성할 수 있다. 발광층(175)은, 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색 발광을 위한 유기 발광 물질을 사용하여 화소 전극(155) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(175)은 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소가 형성될 영역을 노출시키는 개구부를 포함하는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask; FMM)를 사용하여 스핀 코팅 공정, 롤 프린팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 각 화소 별로 상기 유기 발광 물질을 포함하는 유기 발광층이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9 , a light emitting layer 175 may be formed on the pixel electrode 155 . The light emitting layer 175 may be formed on the pixel electrode 155 using, for example, an organic light emitting material for emitting red, green, or blue light. For example, the light emitting layer 175 may be formed by a spin coating process, a roll printing process, or a nozzle using a fine metal mask (FMM) including openings exposing regions where red, green, and blue pixels are to be formed. It may be formed through a printing process, an inkjet printing process, or the like. Accordingly, an organic light emitting layer including the organic light emitting material may be formed for each pixel.

일부 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층을 형성하기 전에 정공 수송 물질을 사용하여 정공 수송층을 더 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층 상에 상기 전자 수송 물질을 사용하여 전자 수송층을 더 형성할 수 있다. 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 화소 정의막(170) 및 화소 전극(155) 표면들을 따라 형성되어 복수의 화소들에 공통으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 상기 유기 발광층과 유사한 공정을 통해 각 화소 별로 패터닝될 수도 있다.In some embodiments, before forming the organic emission layer, a hole transport layer may be further formed using a hole transport material. In addition, an electron transport layer may be further formed on the organic light emitting layer using the electron transport material. The hole transport layer and the electron transport layer may be formed along surfaces of the pixel defining layer 170 and the pixel electrode 155 to be commonly provided to a plurality of pixels. Alternatively, the hole transport layer and the electron transport layer may be patterned for each pixel through a process similar to that of the organic light emitting layer.

도 10을 참조하면, 화소 정의막(170) 상에 제2 전극(180)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(170) 및 발광층(175) 상에 제4 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제4 도전막을 패터닝함으로써, 화소 정의막(170) 상에 제2 전극(180)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 전극(180)은 화소 정의막(170)을 사이에 두고 제1 전극(160)과 실질적으로 중첩되도록 위치할 수 있다.Referring to FIG. 10 , a second electrode 180 may be formed on the pixel defining layer 170 . For example, by forming a fourth conductive layer on the pixel defining layer 170 and the light emitting layer 175 and then patterning the fourth conductive layer using an etching process, the second electrode ( 180) can be formed. In this case, the second electrode 180 may be positioned to substantially overlap the first electrode 160 with the pixel defining layer 170 interposed therebetween.

도 11을 참조하면, 절연막(150) 상에 제2 전극(180)과 공통 전극(190)을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층(185)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(185)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 절연층(185)은 제2 전극(180)의 측면과 상면을 덮도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11 , a second insulating layer 185 electrically insulating the second electrode 180 and the common electrode 190 may be formed on the insulating film 150 . For example, the second insulating layer 185 may be formed using an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester. In this case, the second insulating layer 185 may be formed to cover the side surface and top surface of the second electrode 180 .

도 12를 참조하면, 상기 발광층(175) 및 제2 절연층(185) 상에는, 예를 들면, 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 일 함수가 낮은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 증착하여 공통 전극(190)을 형성할 수 있다. 공통 전극(190)은 상기 금속 물질을, 예를 들어, 스퍼터링 공정을 통해 증착함으로써 형성될 수 있다.12, on the light emitting layer 175 and the second insulating layer 185, for example, aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, scandium, etc. The common electrode 190 may be formed by depositing a metal material having a low work function or an alloy of these metals. The common electrode 190 may be formed by depositing the metal material through, for example, a sputtering process.

이상, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치들의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.In the above, display devices and manufacturing methods of the display devices according to embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, but the described embodiments are exemplary and the technical spirit of the present invention described in the claims below is provided. It may be modified and changed by those skilled in the art to the extent that it does not deviate.

본 발명은 표시 장치를 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 디지털 카메라, 비디오 캠코더 등에 적용될 수 있다.The present invention can be variously applied to electronic devices having a display device. For example, the present invention can be applied to computers, notebooks, mobile phones, smart phones, smart pads, PMPs, PDAs, MP3 players, digital cameras, video camcorders, and the like.

100: 표시 장치 110: 기판
155: 화소 전극 160: 제1 전극
165: 제1 절연층 170: 화소 정의막
175: 발광층 180: 제2 전극
185: 제2 절연층 190: 공통 전극
100: display device 110: substrate
155: pixel electrode 160: first electrode
165: first insulating layer 170: pixel defining layer
175: light emitting layer 180: second electrode
185: second insulating layer 190: common electrode

Claims (20)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 화소 전극;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막;
상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층;
상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 배치되는 공통 전극;
상기 기판과 상기 화소 정의막 사이의 상기 화소 전극과 같은 층에 배치되는 제1 전극; 및
상기 화소 정의막과 상기 공통 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 포함하는 표시 장치.
Board;
a pixel electrode disposed on the substrate;
a pixel defining layer disposed on the substrate, partially covering the pixel electrode, and including an electrochromic material that is reversibly changed between a transparent state and an opaque state by color change;
a light emitting layer disposed on the pixel electrode;
a common electrode disposed on the light emitting layer and the pixel defining layer;
a first electrode disposed on the same layer as the pixel electrode between the substrate and the pixel defining layer; and
and a second electrode disposed between the pixel defining layer and the common electrode and facing the first electrode.
제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 투명하거나 검은색으로 상기 색상 변화를 일으키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 1 , wherein the pixel defining layer causes the color change to be transparent or black. 제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 발생되는 제1 전계에 의해 상기 색상 변화를 일으키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 1 , wherein the pixel defining layer causes the color change by a first electric field generated between the first electrode and the second electrode. 제3항에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 발생되지 않을 경우에는 투명하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 생성될 경우에는 검은색을 나타내는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The electrochromic material of claim 3 , wherein the electrochromic material is transparent when the first electric field is not generated between the first electrode and the second electrode, and the first electric field is generated between the first electrode and the second electrode. A display device characterized in that it displays black when is generated. 제3항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 3 , further comprising a first insulating layer disposed between the first electrode and the pixel electrode and electrically insulating the first electrode from the pixel electrode. 제5항에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 발생되는 제2 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6 . The display device of claim 5 , wherein the first insulating layer includes an electrochromic material that changes color to transparent or black by a second electric field generated between the first electrode and the pixel electrode. . 제5항에 있어서, 상기 제1 절연층은 상기 화소 정의막과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 5 , wherein the first insulating layer is integrally formed with the pixel defining layer. 제3항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치되며, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 3 , further comprising a second insulating layer disposed between the second electrode and the common electrode and electrically insulating the second electrode from the common electrode. 제8항에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 발생되는 제3 전계에 의해 투명하거나 검은색으로 색상 변화를 일으키는 전기 변색 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.9. The display device of claim 8, wherein the second insulating layer includes an electrochromic material that changes color to transparent or black by a third electric field generated between the second electrode and the common electrode. . 제3항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 동일한 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 3 , wherein the first electrode and the pixel electrode are located on the same level above the substrate. 제3항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 공통 전극의 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 3 , wherein the second electrode is disposed below the common electrode. 제3항에 있어서, 상기 제1 전계에 의해 상기 화소 정의막이 외광을 투과시키는 상기 투명 상태 및 상기 외광을 차단하는 상기 불투명 상태로 변화되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device according to claim 3 , wherein the pixel defining layer is changed into the transparent state in which external light is transmitted and the opaque state in which external light is blocked by the first electric field. 제1항에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The display device of claim 1 , wherein the electrochromic material comprises a polymer compound including a functional group. 제13항에 있어서, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.14. The method of claim 13, wherein the functional group is perfluorocyclobutane, a hydroxy group, an amino group, an alkyl amino group, an aryl amino group, a heteroaryl amino group, a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryl alkyl group, a heteroaryl group. A display device comprising at least one selected from the group consisting of a group and a heterocyclic group. 기판을 제공하는 단계;
상기 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하며, 색상 변화에 의해 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변화되는 전기 변색 물질을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 화소 전극 상에 발광층을 형성하는 단계;
상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 공통 전극을 형성하는 단계;
상기 기판과 상기 화소 정의막 사이에 상기 화소 전극과 같은 층에 배치되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및
상기 화소 정의막과 상기 공통 전극 사이에 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
providing a substrate;
forming a pixel electrode on the substrate;
forming a pixel defining layer on the substrate that partially covers the pixel electrode and includes an electrochromic material that is reversibly changed between a transparent state and an opaque state by color change;
forming a light emitting layer on the pixel electrode;
forming a common electrode on the light emitting layer and the pixel defining layer;
forming a first electrode disposed on the same layer as the pixel electrode between the substrate and the pixel defining layer; and
and forming a second electrode opposite the first electrode between the pixel defining layer and the common electrode.
제15항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 사이에 전계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 15 , wherein an electric field is generated between the second electrode and the first electrode. 제16항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 화소 전극 사이에 상기 제1 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 절연시키는 제1 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 16 , further comprising forming a first insulating layer between the first electrode and the pixel electrode to electrically insulate the first electrode from the pixel electrode. . 제16항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 공통 전극 사이에 상기 제2 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 16 , further comprising forming a second insulating layer between the second electrode and the common electrode to electrically insulate the second electrode from the common electrode. . 제16항에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 제1 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.17. The method of claim 16, wherein the pixel electrode and the first electrode are formed at the same time. 제15항에 있어서, 상기 전기 변색 물질은 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함하고, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15, wherein the electrochromic material includes a polymer compound including a functional group, and the functional group is a perfluorocyclobutane, a hydroxyl group, an amino group, an alkylamino group, an arylamino group, a heteroarylamino group, a cyano group, or an alkyl group. , A method of manufacturing a display device comprising at least one selected from the group consisting of a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryl alkyl group, a heteroaryl group, and a heterocyclic group.
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