JP7299616B2 - ゼロフラックス型磁気センサ及びそれを備える非接触電流計並びにゼロフラックス型磁気センサの制御回路及び制御方法 - Google Patents
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Description
図1に代表的な磁気検出素子10の例を示す。代表的な磁気検出素子10は4つのGMR素子(第1のGMR素子11~第4のGMR素子14)を備え、4つのGMR素子はブリッジ回路を構成する。電源電圧Vcc15とGND16の間において第1のGMR素子11と第3のGMR素子13、第2のGMR素子12と第4のGMR素子14がそれぞれ直列に接続される。代表的な磁気検出素子10の出力は、第1のGMR素子11と第3のGMR素子13の第1の中間電位Vout17と、第2のGMR素子12と第4のGMR素子14の第2の中間電位Vout18との差電圧(出力電圧)Voutである。
Hx=Ix/dx+c1 (式1)
Bx=μ・Hx+c2 (式2)
Vx=a・Bx+c3 (式3)
Ix=dx/(a・μ)×(Vx-(a・μ・c1+a・c2+c3)) (式4)
Ix=dx/(a・μ)×Vx (式5)
高級な非接触電流計等、高い精度が求められる磁気センサにはゼロフラックス法(磁気平衡方式)がよく用いられてきた。図2に、特許文献1に記載されている従来のゼロフラックス型磁気センサ20を示す。従来のゼロフラックス型磁気センサ20は、導体21に通流される被測定電流からの誘導磁界により特性が変化する磁気検出素子22と、磁気検出素子22の近傍に配置され、誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイル(励磁素子)23と、IC(制御回路)24とを備える。磁気検出素子22の構造は、特許文献1には記載されていないが、図3に概要を示すように、絶縁基板25と、その上に形成されたMR素子やホール素子等の磁束検出素子26とを備え、絶縁基板25はフィードバックコイル23の上に配置されると考えられる。絶縁基板25は磁気検出素子22の機械的強度と、フィードバックコイル23と磁束検出素子26との絶縁を確保すると考えられる。
-Hy=-Iy/dy+c1’ (式6)
-By=-μ・Hy+c2’ (式7)
-Vy=-a・By+c3’ (式8)
Vx-Vy=a・(Bx-By)+c3+c3’ (式9)
Ix=dx/(a・μ)×Vx(1-(a・μ・c1+a・c2+c3)/Vx) (式10)
Claims (4)
- 磁気検出素子と、励磁素子と、制御回路とを備え、
前記磁気検出素子は偶関数特性を有し、
測定対象の磁束密度Bxと、前記磁束密度Bxのキャンセル磁束密度-Byは前記磁気検出素子で加算され、
前記磁気検出素子は加算された前記磁束密度Bxと前記キャンセル磁束密度-Byを出力電圧Voutに変換し、
前記制御回路は交流電流源と、+周期検波回路と、-周期検波回路と、差動アンプと、V/I変換とを備え、
前記交流電流源は電流0を中心にプラス(+)とマイナス(-)に等しい振幅の交流電流Iacを発生し、
前記交流電流Iacの振幅は前記磁気検出素子を磁気飽和させない範囲であり、
前記+周期検波回路及び前記-周期検波回路は前記交流電流Iacに同期し、
前記交流電流Iacが+周期のとき、前記+周期検波回路は前記出力電圧Voutを検波、サンプルホールドし、
前記交流電流Iacが-周期のとき、前記-周期検波回路は前記出力電圧Voutを検波、サンプルホールドし、
前記差動アンプは前記+周期検波回路にサンプルホールドされた前記出力電圧Voutと、前記-周期検波回路にサンプルホールドされた前記出力電圧Voutとを比較して差分Vdiffを出力し、
前記V/I変換は前記差分Vdiffを負帰還電流に変換して前記励磁素子に負帰還し、
前記交流電流源は前記負帰還電流に前記交流電流Iacを重畳してキャンセル電流-Iyとし、
前記励磁素子は前記キャンセル電流-Iyを前記キャンセル磁束密度-Byに変換し、
前記制御回路は前記差分Vdiffがゼロになるように前記キャンセル電流-Iyを制御することを特徴とするゼロフラックス型磁気センサ。 - 請求項1に記載のゼロフラックス型磁気センサを備えることを特徴とする非接触電流計。
- 磁気検出素子と、励磁素子とを備えるゼロフラックス型磁気センサに備えられ、
前記磁気検出素子は偶関数特性を有し、
測定対象の磁束密度Bxと、前記磁束密度Bxのキャンセル磁束密度-Byは前記磁気検出素子で加算され、
前記磁気検出素子は加算された前記磁束密度Bxと前記キャンセル磁束密度-Byを出力電圧Voutに変換し、
交流電流源と、+周期検波回路と、-周期検波回路と、差動アンプと、V/I変換とを備え、
前記交流電流源は電流0を中心にプラス(+)とマイナス(-)に等しい振幅の交流電流Iacを発生し、
前記交流電流Iacの振幅は前記磁気検出素子を磁気飽和させない範囲であり、
前記+周期検波回路及び前記-周期検波回路は前記交流電流Iacに同期し、
前記交流電流Iacが+周期のとき、前記+周期検波回路は前記出力電圧Voutを検波、サンプルホールドし、
前記交流電流Iacが-周期のとき、前記-周期検波回路は前記出力電圧Voutを検波、サンプルホールドし、
前記差動アンプは前記+周期検波回路にサンプルホールドされた前記出力電圧Voutと、前記-周期検波回路にサンプルホールドされた前記出力電圧Voutとを比較して差分Vdiffを出力し、
前記V/I変換は前記差分Vdiffを負帰還電流に変換して前記励磁素子に負帰還し、
前記交流電流源は前記負帰還電流に前記交流電流Iacを重畳してキャンセル電流-Iyとし、
前記励磁素子は前記キャンセル電流-Iyを前記キャンセル磁束密度-Byに変換し、
前記差分Vdiffがゼロになるように前記キャンセル電流-Iyを制御することを特徴とするゼロフラックス型磁気センサの制御回路。 - ゼロフラックス型磁気センサは磁気検出素子と、励磁素子と、制御回路とを備え、
前記磁気検出素子は偶関数特性を有し、
測定対象の磁束密度Bxと、前記磁束密度Bxのキャンセル磁束密度-Byは前記磁気検出素子で加算され、
前記磁気検出素子は加算された前記磁束密度Bxと前記キャンセル磁束密度-Byを出力電圧Voutに変換し、
前記制御回路は交流電流源と、+周期検波回路と、-周期検波回路と、差動アンプと、V/I変換とを備え、
前記交流電流源は電流0を中心にプラス(+)とマイナス(-)に等しい振幅の交流電流Iacを発生し、
前記交流電流Iacの振幅は前記磁気検出素子を磁気飽和させない範囲であり、
前記+周期検波回路及び前記-周期検波回路は前記交流電流Iacに同期し、
前記交流電流Iacが+周期のとき、前記+周期検波回路は前記出力電圧Voutを検波、サンプルホールドし、
前記交流電流Iacが-周期のとき、前記-周期検波回路は前記出力電圧Voutを検波、サンプルホールドし、
前記差動アンプは前記+周期検波回路にサンプルホールドされた前記出力電圧Voutと、前記-周期検波回路にサンプルホールドされた前記出力電圧Voutとを比較して差分Vdiffを出力し、
前記V/I変換は前記差分Vdiffを負帰還電流に変換して前記励磁素子に負帰還し、
前記交流電流源は前記負帰還電流に前記交流電流Iacを重畳してキャンセル電流-Iyとし、
前記励磁素子は前記キャンセル電流-Iyを前記キャンセル磁束密度-Byに変換し、
前記制御回路は前記差分Vdiffがゼロになるように前記キャンセル電流-Iyを制御し、
磁気的オフセットc1の影響を相殺して前記磁気的オフセットc1を見積もり、
B/V曲線の最小値から電気的オフセットc3を見積もった後に測定対象の前記磁束密度Bxを入力することを特徴とするゼロフラックス型磁気センサの制御方法。
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