JP7291811B2 - Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device - Google Patents

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Description

本開示は、半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device.

半導体発光装置の一例として、側面発光型の半導体発光装置が知られている。特許文献１の側面発光型の半導体発光装置は、基板と、基板に形成された電極に載置された半導体発光素子と、半導体発光素子を被覆する透光性樹脂とを主に備える。この半導体発光装置の製造方法では、まず、複数の基板を一体的に連接した基板用素材板における各基板に電極を形成するとともに半導体発光素子を搭載する。次に、複数の基板のそれぞれの半導体発光素子を被覆するように透光性樹脂を形成する。最後に、１つの半導体発光装置ごとに基板用素材板及び透光性樹脂を切断する。 As an example of a semiconductor light emitting device, a side emission type semiconductor light emitting device is known. The side emission type semiconductor light emitting device of Patent Document 1 mainly includes a substrate, a semiconductor light emitting element mounted on an electrode formed on the substrate, and a translucent resin covering the semiconductor light emitting element. In this method of manufacturing a semiconductor light emitting device, first, an electrode is formed on each substrate of a substrate material plate in which a plurality of substrates are integrally connected, and a semiconductor light emitting element is mounted thereon. Next, translucent resin is formed so as to cover the respective semiconductor light emitting elements of the plurality of substrates. Finally, the board material plate and the translucent resin are cut for each semiconductor light emitting device.

特開平７－３２６７９７号公報JP-A-7-326797

ところで、１つの半導体発光装置として透光性樹脂が切断されるため、透光性樹脂のうちの半導体発光素子の光を装置外部へ出射する出射面が透光性樹脂の切断面となる。この切断面では、切削痕に起因して半導体発光素子の光が散乱されてしまい、半導体発光装置の光出力が低下するおそれがある。 By the way, since the light-transmitting resin is cut as one semiconductor light-emitting device, the output surface of the light-transmitting resin from which the light of the semiconductor light-emitting element is emitted to the outside of the device becomes the cut surface of the light-transmitting resin. At this cut surface, the light from the semiconductor light emitting element may be scattered due to the cutting marks, and the light output of the semiconductor light emitting device may be reduced.

本開示の目的は、光出力の低下を抑制できる半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting device that can suppress a decrease in light output.

上記課題を解決する半導体発光装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、前記基板主面に形成された配線層と、前記配線層に実装されており、前記厚さ方向と交差する方向に出射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備えた半導体発光装置であって、前記封止樹脂は、前記半導体発光素子の光の出射方向と交差する樹脂側面として、前記半導体発光素子の光が通過する透光面と、前記透光面と同じ側を向き、かつ切削痕が形成されたダイシング側面と、を有し、前記封止樹脂のうちの前記半導体発光素子と前記透光面との間、及び前記透光面が透光性の樹脂からなり、前記半導体発光素子の出射方向に沿う方向を第１方向とすると、前記厚さ方向からみて、前記第１方向において、前記透光面は、前記ダイシング側面よりも前記半導体発光素子側に位置している。 A semiconductor light emitting device for solving the above problems includes a substrate having a substrate main surface and a substrate back surface facing opposite sides in a thickness direction, a wiring layer formed on the substrate main surface, and mounted on the wiring layer. , a semiconductor light emitting element that emits light in a direction intersecting with the thickness direction, and a sealing resin that seals the semiconductor light emitting element, wherein the sealing resin is the semiconductor light emitting element a light-transmitting surface through which light from the semiconductor light-emitting element passes; and a dicing side surface facing the same side as the light-transmitting surface and having cut marks formed therein, , between the semiconductor light-emitting element and the light-transmitting surface of the sealing resin and between the light-transmitting surface and the light-transmitting surface are made of a light-transmitting resin, and the direction along the emission direction of the semiconductor light-emitting element Then, when viewed from the thickness direction, the light-transmitting surface is located closer to the semiconductor light emitting element than the dicing side surface in the first direction.

この構成によれば、透光面は、ダイシング側面とは異なり、切削痕が形成された面ではないため、切削痕に起因して半導体発光素子の光が散乱することが抑制される。したがって、半導体発光装置の光出力の低下を抑制できる。 According to this configuration, unlike the dicing side surface, the translucent surface is not a surface on which cutting marks are formed, so scattering of light from the semiconductor light emitting element due to the cutting marks is suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the light output of the semiconductor light emitting device.

上記課題を解決する半導体発光装置の製造方法は、基板に配線層を形成する配線層形成工程と、前記配線層に半導体発光素子を実装する素子実装工程と、前記半導体発光素子を封止する透光性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層をダイシング加工することによって前記樹脂層にダイシング側面を形成するダイシング工程と、を備えた半導体発光装置の製造方法であって、前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層は、厚さ方向からみて、前記半導体発光素子の光が通過する透光面が内側に位置するように凹部が形成され、前記半導体発光素子の出射方向に沿う方向を第１方向とし、前記厚さ方向からみて前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、前記ダイシング工程では、前記樹脂層のうちの前記第１方向において前記透光面よりも前記半導体発光素子とは反対側に突出する部分を前記第２方向に沿って切断することによって前記ダイシング側面を形成する。 A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device for solving the above-described problems includes a wiring layer forming step of forming a wiring layer on a substrate, an element mounting step of mounting a semiconductor light emitting element on the wiring layer, and a transparent seal of sealing the semiconductor light emitting element. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: a resin layer forming step of forming a light resin layer; and a dicing step of forming a dicing side surface in the resin layer by dicing the resin layer, In the resin layer forming step, the resin layer is formed with a concave portion so that the light-transmitting surface through which the light of the semiconductor light emitting element passes is located inside when viewed from the thickness direction, and the concave portion is along the emission direction of the semiconductor light emitting element. Assuming that the direction is a first direction, and the direction perpendicular to the first direction when viewed from the thickness direction is a second direction, in the dicing step, the resin layer is formed in the first direction relative to the light-transmitting surface. The dicing side surface is formed by cutting along the second direction the portion protruding to the side opposite to the semiconductor light emitting element.

この構成によれば、透光面がダイシング加工によって形成された面ではないため、透光面にはダイシング加工による切削痕が形成されていない。このため、切削痕に起因して半導体発光素子の光が散乱することが抑制される。したがって、半導体発光装置の光出力の低下を抑制できる。 According to this configuration, since the light-transmitting surface is not a surface formed by dicing, the light-transmitting surface does not have cutting marks due to dicing. Therefore, scattering of the light from the semiconductor light emitting element due to the cutting marks is suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the light output of the semiconductor light emitting device.

上記半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法によれば、光出力の低下を抑制できる。 According to the semiconductor light emitting device and the method for manufacturing the semiconductor light emitting device described above, it is possible to suppress a decrease in light output.

一実施形態の半導体発光装置の平面図。1 is a plan view of a semiconductor light emitting device according to one embodiment; FIG. 図１の半導体発光装置の内部構造を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing the internal structure of the semiconductor light emitting device of FIG. 1; 図１の半導体発光装置の底面図。FIG. 2 is a bottom view of the semiconductor light emitting device of FIG. 1; 図１の４－４線の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 4-4 of FIG. 1; 図１の５－５線の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 5-5 of FIG. 1; 一実施形態の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to one embodiment; 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device; 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device; 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device; 図９の１０－１０線の断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line 10-10 of FIG. 9; 図９の１１－１１線の断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line 11-11 of FIG. 9; 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device; 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device; 半導体発光装置の光出力の推移を示すグラフ。4 is a graph showing changes in optical output of a semiconductor light emitting device; 変更例の半導体発光装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of a modification. 図１５の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 16 is an explanatory view showing an example of a manufacturing process in the method of manufacturing the semiconductor light emitting device of FIG. 15; 変更例の半導体発光装置の平面図。The top view of the semiconductor light-emitting device of a modification. 図１７の半導体発光装置の底面図。FIG. 18 is a bottom view of the semiconductor light emitting device of FIG. 17; 図１７の１９－１９線の断面図。FIG. 19 is a cross-sectional view taken along line 19-19 of FIG. 17; 変更例の半導体発光装置の平面図。The top view of the semiconductor light-emitting device of a modification. 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一工程の一例を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to a modification;

以下、半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。 Embodiments of a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device will be described below with reference to the drawings. The embodiments shown below are examples of configurations and methods for embodying technical ideas, and the materials, shapes, structures, layouts, dimensions, etc. of each component are not limited to the following. . Various modifications can be made to the following embodiments.

（半導体発光装置の構成）
図１～図３に示すように、半導体発光装置１は、絶縁部材の一例である基板１０、配線層２０、半導体発光素子３０、封止樹脂４０、及び外部電極５０を備える。ここで、説明の便宜上、基板１０の厚さ方向を厚さ方向ｚ（図４参照）と呼ぶ。また、厚さ方向ｚに対して直交する半導体発光装置１の１つの辺に沿った方向を第１方向ｘと呼ぶ。また、基板１０の厚さ方向ｚ及び第１方向ｘの双方に対して直交する方向を第２方向ｙと呼ぶ。半導体発光装置１は、半導体発光素子３０が厚さ方向ｚと直交する方向に向けて光を出射する側面発光型の半導体発光装置である。本実施形態では、半導体発光素子３０は、第１方向ｘに向けて光を出射する。(Structure of semiconductor light-emitting device)
As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor light emitting device 1 includes a substrate 10 which is an example of an insulating member, a wiring layer 20, a semiconductor light emitting element 30, a sealing resin 40, and an external electrode 50. FIG. Here, for convenience of explanation, the thickness direction of the substrate 10 is called the thickness direction z (see FIG. 4). A direction along one side of the semiconductor light emitting device 1 perpendicular to the thickness direction z is called a first direction x. A direction orthogonal to both the thickness direction z of the substrate 10 and the first direction x is called a second direction y. The semiconductor light emitting device 1 is a side emission type semiconductor light emitting device in which a semiconductor light emitting element 30 emits light in a direction perpendicular to the thickness direction z. In this embodiment, the semiconductor light emitting device 30 emits light in the first direction x.

図１に示すように、厚さ方向ｚからみた半導体発光装置１の形状は、矩形状である。本実施形態では、厚さ方向ｚからみた半導体発光装置１の形状は、第２方向ｙが長辺方向となり、第１方向ｘが短辺方向となる矩形状である。図１に示すとおり、半導体発光装置１の第１方向ｘの寸法Ｄｘは、３．０ｍｍ程度であり、半導体発光装置１の第２方向ｙの寸法Ｄｙは、３．５ｍｍ程度である。また半導体発光装置１の厚さ方向ｚの寸法Ｄｚ（図４参照）は、１．５ｍｍ程度である。このように、半導体発光装置１は、矩形平板状に形成されている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 1 has a rectangular shape when viewed from the thickness direction z. In this embodiment, the shape of the semiconductor light emitting device 1 viewed from the thickness direction z is a rectangular shape in which the second direction y is the long side direction and the first direction x is the short side direction. As shown in FIG. 1, the dimension Dx of the semiconductor light emitting device 1 in the first direction x is approximately 3.0 mm, and the dimension Dy of the semiconductor light emitting device 1 in the second direction y is approximately 3.5 mm. A dimension Dz (see FIG. 4) in the thickness direction z of the semiconductor light emitting device 1 is approximately 1.5 mm. Thus, the semiconductor light emitting device 1 is formed in a rectangular flat plate shape.

基板１０は、半導体発光素子３０を搭載し、半導体発光装置１の基礎となる支持部材である。厚さ方向ｚからみた基板１０の形状は、矩形状である。本実施形態では、厚さ方向ｚからみた基板１０の形状は、第２方向ｙが長辺方向となり、第１方向ｘが短辺方向となる矩形状である。基板１０は、厚さ方向ｚにおいて反対側を向く基板主面１０ｓ及び基板裏面１０ｒを有する。基板主面１０ｓは平坦であり、基板裏面１０ｒは平坦である。基板１０は、厚さ方向ｚにおいて基板主面１０ｓと基板裏面１０ｒとの間に設けられており、基板主面１０ｓ及び基板裏面１０ｒと交差する方向を向く４つの基板側面１１～１４を有する。本実施形態では、基板側面１１～１４はそれぞれ、基板主面１０ｓ及び基板裏面１０ｒと直交する方向に向いている。基板側面１１～１４はそれぞれ、基板主面１０ｓ及び基板裏面１０ｒに対して交差、本実施形態では直交している。基板側面１１，１２は第１方向ｘに沿う面であり、基板側面１３，１４は第２方向ｙに沿う面である。基板側面１１及び基板側面１２は、第２方向ｙにおいて互いに離間して配置されており、かつ第２方向ｙにおいて互いに反対側を向いている。基板側面１３及び基板側面１４は、第１方向ｘにおいて互いに離間して配置されており、かつ第１方向ｘにおいて互いに反対側を向いている。なお、以降の説明において、便宜上、厚さ方向ｚにおいて、基板裏面１０ｒから基板主面１０ｓに向かう方向を「上方」とし、基板主面１０ｓから基板裏面１０ｒに向かう方向を「下方」とする。したがって、基板主面１０ｓは基板１０の上面ともいえ、基板裏面１０ｒは基板１０の下面ともいえる。 The substrate 10 is a supporting member on which the semiconductor light emitting element 30 is mounted and which is the base of the semiconductor light emitting device 1 . The shape of the substrate 10 viewed from the thickness direction z is rectangular. In this embodiment, the shape of the substrate 10 viewed from the thickness direction z is a rectangular shape with the second direction y being the long side direction and the first direction x being the short side direction. The substrate 10 has a substrate main surface 10s and a substrate rear surface 10r facing opposite sides in the thickness direction z. The substrate main surface 10s is flat, and the substrate rear surface 10r is flat. The substrate 10 is provided between the substrate main surface 10s and the substrate rear surface 10r in the thickness direction z, and has four substrate side surfaces 11 to 14 facing in a direction intersecting the substrate main surface 10s and the substrate rear surface 10r. In this embodiment, the substrate side surfaces 11 to 14 are oriented in a direction orthogonal to the substrate main surface 10s and the substrate rear surface 10r, respectively. The substrate side surfaces 11 to 14 intersect, or in this embodiment are perpendicular to, the substrate main surface 10s and the substrate rear surface 10r. The substrate side surfaces 11 and 12 are surfaces along the first direction x, and the substrate side surfaces 13 and 14 are surfaces along the second direction y. The substrate side surface 11 and the substrate side surface 12 are spaced apart from each other in the second direction y and face opposite sides to each other in the second direction y. The substrate side surface 13 and the substrate side surface 14 are spaced apart from each other in the first direction x and face opposite sides in the first direction x. In the following description, in the thickness direction z, the direction from the substrate rear surface 10r to the substrate main surface 10s is referred to as "upper" and the direction from the substrate main surface 10s to the substrate rear surface 10r is referred to as "downward" for convenience. Therefore, the substrate main surface 10 s can be said to be the upper surface of the substrate 10 , and the substrate rear surface 10 r can be said to be the lower surface of the substrate 10 .

基板１０は、例えば電気絶縁性を有する材料からなる。この材料としては、例えば、エポキシ樹脂等を主剤とした合成樹脂、セラミックス、ガラス等を用いることができる。本実施形態では、基板１０の厚さ方向ｚの寸法Ｄｚｃ（図４参照）は、０．７ｍｍ程度である。 The substrate 10 is made of, for example, an electrically insulating material. As this material, for example, a synthetic resin containing epoxy resin or the like as a main component, ceramics, glass, or the like can be used. In this embodiment, the dimension Dzc (see FIG. 4) in the thickness direction z of the substrate 10 is approximately 0.7 mm.

図２に示すように、基板１０の基板主面１０ｓには、配線層２０が形成されている。配線層２０は、例えばＣｕ（銅）又はＣｕ合金からなり、例えば電解めっきによって形成されている。配線層２０は、第１配線部２１、第２配線部２２、第３配線部２３、第４配線部２４、第５配線部２５、及び第６配線部２６を有する。各配線部２１～２６は、互いに離間して配置されている。 As shown in FIG. 2, a wiring layer 20 is formed on the main surface 10s of the substrate 10. As shown in FIG. The wiring layer 20 is made of, for example, Cu (copper) or a Cu alloy, and is formed by, for example, electrolytic plating. The wiring layer 20 has a first wiring portion 21 , a second wiring portion 22 , a third wiring portion 23 , a fourth wiring portion 24 , a fifth wiring portion 25 and a sixth wiring portion 26 . The wiring portions 21 to 26 are arranged apart from each other.

第１配線部２１は、素子実装部２１ａを有する。素子実装部２１ａは、第１方向ｘにおいて基板１０の基板側面１３側に配置されており、第２方向ｙにおいて基板１０の中央部に配置されている。厚さ方向ｚからみた素子実装部２１ａの形状は、第２方向ｙが長辺方向となり、第１方向ｘが短辺方向となる矩形状である。素子実装部２１ａには、第１貫通配線２７ａが設けられている。 The first wiring portion 21 has an element mounting portion 21a. The element mounting portion 21a is arranged on the substrate side surface 13 side of the substrate 10 in the first direction x, and is arranged in the central portion of the substrate 10 in the second direction y. The shape of the element mounting portion 21a viewed from the thickness direction z is a rectangular shape with the second direction y being the long side direction and the first direction x being the short side direction. A first through wire 27a is provided in the element mounting portion 21a.

第１配線部２１の素子実装部２１ａには、半導体発光素子３０が実装されている。半導体発光素子３０は、第２方向ｙにおいて素子実装部２１ａの中央部に配置されている。換言すると、半導体発光素子３０は、第２方向ｙにおいて基板１０の中央部に配置されている。半導体発光素子３０は、第１方向ｘにおいて素子実装部２１ａの中央部に配置されている。本実施形態では、半導体発光素子３０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。 A semiconductor light emitting device 30 is mounted on the device mounting portion 21 a of the first wiring portion 21 . The semiconductor light emitting element 30 is arranged in the central portion of the element mounting portion 21a in the second direction y. In other words, the semiconductor light emitting device 30 is arranged in the central portion of the substrate 10 in the second direction y. The semiconductor light emitting device 30 is arranged in the central portion of the device mounting portion 21a in the first direction x. In this embodiment, the semiconductor light emitting device 30 is a light emitting diode (LED).

本実施形態では、半導体発光素子３０は、素子内部に１つの発光部位を有する、所謂１チャンネル式の半導体発光素子である。厚さ方向ｚからみた半導体発光素子３０の形状は、第１方向ｘが長辺方向となり、第２方向ｙが短辺方向となる矩形状である。図４に示すように、半導体発光素子３０は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面３０ｓ及び素子裏面３０ｒを有する。素子主面３０ｓは基板主面１０ｓと同じ方向を向いており、素子裏面３０ｒは基板裏面１０ｒと同じ方向を向いている。本実施形態では、素子主面３０ｓにはアノード電極が形成されており、素子裏面３０ｒにはカソード電極が形成されている。また本実施形態では、図１の太矢印によって示されるとおり、半導体発光素子３０は、第１方向ｘにおいて基板１０の基板側面１３に向けて光を出射するように構成されている。 In this embodiment, the semiconductor light emitting device 30 is a so-called one-channel semiconductor light emitting device having one light emitting portion inside the device. The shape of the semiconductor light emitting element 30 when viewed from the thickness direction z is a rectangular shape with the first direction x being the long side direction and the second direction y being the short side direction. As shown in FIG. 4, the semiconductor light emitting element 30 has an element main surface 30s and an element rear surface 30r facing opposite sides in the thickness direction z. The element main surface 30s faces the same direction as the substrate main surface 10s, and the element rear surface 30r faces the same direction as the substrate rear surface 10r. In this embodiment, an anode electrode is formed on the element main surface 30s, and a cathode electrode is formed on the element rear surface 30r. Further, in this embodiment, as indicated by the thick arrow in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 30 is configured to emit light toward the substrate side surface 13 of the substrate 10 in the first direction x.

素子主面３０ｓには、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金、Ａｕ（金）、Ａｕ合金、Ｃｕ、又はＣｕ合金からなる接続部材６０が接続されている。本実施形態では、接続部材６０は、２本のワイヤからなり、素子主面３０ｓのアノード電極と第５配線部２５とを接続している。なお、接続部材６０の本数は任意に変更可能である。一例では、接続部材６０は、１本又は３本以上のワイヤから構成されてもよい。 A connection member 60 made of Al (aluminum), an Al alloy, Au (gold), an Au alloy, Cu, or a Cu alloy is connected to the element main surface 30s. In this embodiment, the connection member 60 is made of two wires and connects the anode electrode on the element main surface 30 s and the fifth wiring portion 25 . The number of connection members 60 can be changed arbitrarily. In one example, the connecting member 60 may consist of one or more wires.

第２配線部２２～第５配線部２５は、半導体発光素子３０と電気的に接続可能な配線部として構成されている。すなわち、例えば半導体発光装置１が複数の半導体発光素子３０を備える場合、各半導体発光素子３０は第２配線部２２～第５配線部２５のいずれかの配線部に電気的に接続される。第６配線部２６は、半導体発光装置１の温度を検出するためのサーミスタ等の半導体発光素子３０とは異なる電子部品を実装できる。 The second wiring portion 22 to the fifth wiring portion 25 are configured as wiring portions that can be electrically connected to the semiconductor light emitting element 30 . That is, for example, when the semiconductor light emitting device 1 includes a plurality of semiconductor light emitting elements 30, each semiconductor light emitting element 30 is electrically connected to any one of the second wiring portion 22 to the fifth wiring portion 25. FIG. The sixth wiring portion 26 can mount an electronic component different from the semiconductor light emitting element 30 such as a thermistor for detecting the temperature of the semiconductor light emitting device 1 .

第２配線部２２及び第３配線部２３は、第１方向ｘにおいて素子実装部２１ａと揃った状態で第２方向ｙにおいて素子実装部２１ａの両側に配置されている。第２配線部２２は、第２方向ｙにおいて素子実装部２１ａに対して基板１０の基板側面１１側に配置されている。第３配線部２３は、第２方向ｙにおいて素子実装部２１ａに対して基板１０の基板側面１２側に配置されている。厚さ方向ｚからみた第２配線部２２及び第３配線部２３は、互いに同一形状であり、第１方向ｘが長辺方向となり、第２方向ｙが短辺方向となる矩形状である。第２配線部２２には第２貫通配線２７ｂが設けられており、第３配線部２３には第３貫通配線２７ｃが設けられている。 The second wiring portion 22 and the third wiring portion 23 are arranged on both sides of the element mounting portion 21a in the second direction y while aligned with the element mounting portion 21a in the first direction x. The second wiring portion 22 is arranged on the substrate side surface 11 side of the substrate 10 with respect to the element mounting portion 21a in the second direction y. The third wiring portion 23 is arranged on the substrate side surface 12 side of the substrate 10 with respect to the element mounting portion 21a in the second direction y. The second wiring portion 22 and the third wiring portion 23 when viewed from the thickness direction z have the same shape, and are rectangular with the first direction x being the long side direction and the second direction y being the short side direction. The second wiring portion 22 is provided with a second through wire 27b, and the third wiring portion 23 is provided with a third through wire 27c.

第４配線部２４～第６配線部２６はそれぞれ、第１方向ｘにおいて、素子実装部２１ａよりも基板１０の基板側面１４側に配置されている。第４配線部２４及び第５配線部２５は、第１方向ｘにおいて互いに揃った状態で第２方向ｙに互いに離間して配置されている。厚さ方向ｚからみた第４配線部２４及び第５配線部２５の形状はそれぞれ、Ｌ字状である。第６配線部２６は、第２方向ｙにおいて、第４配線部２４と第５配線部２５との間に配置されている。本実施形態では、第６配線部２６は、第２方向ｙにおいて第４配線部２４よりも第５配線部２５寄りに配置されている。第４配線部２４と第５配線部２５との間において、第４配線部２４寄りの領域には、第１配線部２１の一部が配置されている。第４配線部２４には第４貫通配線２７ｄが設けられており、第５配線部２５には第５貫通配線２７ｅが設けられており、第６配線部２６には第６貫通配線２７ｆが設けられている。各貫通配線２７ａ～２７ｅは、例えばＣｕ又はＣｕ合金からなる。 Each of the fourth wiring portion 24 to the sixth wiring portion 26 is arranged closer to the side surface 14 of the substrate 10 than the element mounting portion 21a in the first direction x. The fourth wiring portion 24 and the fifth wiring portion 25 are aligned with each other in the first direction x and spaced apart from each other in the second direction y. Each of the fourth wiring portion 24 and the fifth wiring portion 25 has an L shape when viewed from the thickness direction z. The sixth wiring portion 26 is arranged between the fourth wiring portion 24 and the fifth wiring portion 25 in the second direction y. In the present embodiment, the sixth wiring portion 26 is arranged closer to the fifth wiring portion 25 than the fourth wiring portion 24 in the second direction y. Between the fourth wiring portion 24 and the fifth wiring portion 25 , a portion of the first wiring portion 21 is arranged in a region near the fourth wiring portion 24 . The fourth wiring portion 24 is provided with a fourth through-wiring 27d, the fifth wiring portion 25 is provided with a fifth through-wiring 27e, and the sixth wiring portion 26 is provided with a sixth through-wiring 27f. It is Each through wire 27a to 27e is made of, for example, Cu or a Cu alloy.

図３に示すように、基板１０の基板裏面１０ｒには、外部電極５０が形成されている。外部電極５０は、第１外部電極５１、第２外部電極５２、第３外部電極５３、第４外部電極５４、第５外部電極５５、及び第６外部電極５６を有する。 As shown in FIG. 3, an external electrode 50 is formed on the substrate rear surface 10r of the substrate 10. As shown in FIG. The external electrode 50 has a first external electrode 51 , a second external electrode 52 , a third external electrode 53 , a fourth external electrode 54 , a fifth external electrode 55 and a sixth external electrode 56 .

第１～第３外部電極５１～５３は、第１方向ｘにおいて互いに揃った状態で第２方向ｙに互いに離間して配置されている。第１～第３外部電極５１～５３はそれぞれ、第１方向ｘにおいて基板１０の基板側面１３側に配置されている。第１外部電極５１は第１貫通配線２７ａと導通しており、第２外部電極５２は第２貫通配線２７ｂと導通しており、第３外部電極５３は第３貫通配線２７ｃと導通している。換言すると、図２及び図３に示すように、第１貫通配線２７ａを介して第１配線部２１と第１外部電極５１とは電気的に接続されている。第２貫通配線２７ｂを介して第２配線部２２と第２外部電極５２とは電気的に接続されている。第３貫通配線２７ｃを介して第３配線部２３と第３外部電極５３とは電気的に接続されている。 The first to third external electrodes 51 to 53 are aligned in the first direction x and spaced apart in the second direction y. The first to third external electrodes 51 to 53 are arranged on the substrate side surface 13 side of the substrate 10 in the first direction x. The first external electrode 51 is electrically connected to the first through wire 27a, the second external electrode 52 is electrically connected to the second through wire 27b, and the third external electrode 53 is electrically connected to the third through wire 27c. . In other words, as shown in FIGS. 2 and 3, the first wiring portion 21 and the first external electrode 51 are electrically connected via the first through wiring 27a. The second wiring portion 22 and the second external electrode 52 are electrically connected via the second through wiring 27b. The third wiring portion 23 and the third external electrode 53 are electrically connected via the third through-wiring 27c.

第４～第６外部電極５４～５６は、第１方向ｘにおいて互いに揃った状態で第２方向ｙに互いに離間して配置されている。第４～第６外部電極５４～５６はそれぞれ、第１方向ｘにおいて基板１０の基板側面１４側に配置されている。第４外部電極５４は第４貫通配線２７ｄと導通しており、第５外部電極５５は第５貫通配線２７ｅと導通しており、第６外部電極５６は第６貫通配線２７ｆと導通している。換言すると、第４貫通配線２７ｄを介して第４配線部２４と第４外部電極５４とは電気的に接続されている。第５貫通配線２７ｅを介して第５配線部２５と第５外部電極５５とは電気的に接続されている。第６貫通配線２７ｆを介して第６配線部２６と第６外部電極５６とは電気的に接続されている。 The fourth to sixth external electrodes 54 to 56 are aligned in the first direction x and spaced apart in the second direction y. The fourth to sixth external electrodes 54 to 56 are arranged on the substrate side surface 14 side of the substrate 10 in the first direction x. The fourth external electrode 54 is electrically connected to the fourth through wire 27d, the fifth external electrode 55 is electrically connected to the fifth through wire 27e, and the sixth external electrode 56 is electrically connected to the sixth through wire 27f. . In other words, the fourth wiring portion 24 and the fourth external electrode 54 are electrically connected via the fourth through-wiring 27d. The fifth wiring portion 25 and the fifth external electrode 55 are electrically connected via the fifth through-wiring 27e. The sixth wiring portion 26 and the sixth external electrode 56 are electrically connected via the sixth through-wiring 27f.

図４に示すように、封止樹脂４０は、厚さ方向ｚにおいて基板１０の基板主面１０ｓに積層されている。封止樹脂４０は、半導体発光素子３０の光を透過するとともに、配線層２０、半導体発光素子３０、及び接続部材６０をそれぞれ封止している。すなわち、封止樹脂４０は、半導体発光素子３０の光が出力される部分は透明又は半透明となるように構成されている。封止樹脂４０において半導体発光素子３０の光が出力される部分以外の部分は、透明又は半透明でなくてもよい。このように、封止樹脂４０は、透明又は半透明な部分と、光が透過しない部分との２種類の部分構成であってもよい。本実施形態では、封止樹脂４０は、その全体が透明又は半透明になるように構成されている。封止樹脂４０は、例えば透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなり、例えばモールド成型によって形成されている。 As shown in FIG. 4, the sealing resin 40 is laminated on the main surface 10s of the substrate 10 in the thickness direction z. The sealing resin 40 transmits light from the semiconductor light emitting element 30 and seals the wiring layer 20, the semiconductor light emitting element 30, and the connection member 60, respectively. That is, the sealing resin 40 is configured so that the portion from which the light of the semiconductor light emitting element 30 is output is transparent or translucent. A portion of the sealing resin 40 other than the portion from which the light of the semiconductor light emitting element 30 is output may not be transparent or translucent. In this way, the sealing resin 40 may have two types of partial structures, a transparent or translucent part and a light-impermeable part. In this embodiment, the sealing resin 40 is configured to be transparent or translucent as a whole. The sealing resin 40 is made of, for example, transparent epoxy resin or silicone resin, and is formed by molding, for example.

図１に示すように、厚さ方向ｚからみた封止樹脂４０の形状は、一部に凹みを有する略矩形状である。封止樹脂４０は、樹脂天面４０ｓ、及び樹脂側面４１～４４を有する。樹脂天面４０ｓは、厚さ方向ｚにおいて封止樹脂４０のうちの基板１０とは反対側を向く面である。すなわち樹脂天面４０ｓは、基板１０の基板主面１０ｓと同じ方向を向く面である。本実施形態では、樹脂天面４０ｓは、第１方向ｘ及び第２方向ｙに沿った平坦面である。各樹脂側面４１～４４は、樹脂天面４０ｓと基板１０の基板主面１０ｓとの厚さ方向ｚの間に形成される面であり、樹脂天面４０ｓと交差する方向を向く面である。樹脂側面４１及び樹脂側面４２は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く面である。樹脂側面４１は、第２方向ｙにおいて基板１０の基板側面１１と同じ方向を向く面である。樹脂側面４２は、第２方向ｙにおいて基板１０の基板側面１２と同じ方向を向く面である。樹脂側面４３及び樹脂側面４４は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く面である。樹脂側面４３は、第１方向ｘにおいて基板１０の基板側面１３と同じ方向を向く面である。樹脂側面４４は、第１方向ｘにおいて基板１０の基板側面１４と同じ方向を向く面である。 As shown in FIG. 1, the shape of the sealing resin 40 when viewed from the thickness direction z is a substantially rectangular shape having a recess in part. The sealing resin 40 has a resin top surface 40s and resin side surfaces 41-44. The resin top surface 40s is a surface of the sealing resin 40 facing away from the substrate 10 in the thickness direction z. That is, the resin top surface 40s is a surface facing the same direction as the substrate main surface 10s of the substrate 10 . In this embodiment, the resin top surface 40s is a flat surface along the first direction x and the second direction y. Each of the resin side surfaces 41 to 44 is a surface formed between the resin top surface 40s and the substrate main surface 10s of the substrate 10 in the thickness direction z, and is a surface facing the direction intersecting the resin top surface 40s. The resin side surface 41 and the resin side surface 42 are surfaces facing opposite sides in the second direction y. The resin side surface 41 is a surface facing the same direction as the substrate side surface 11 of the substrate 10 in the second direction y. The resin side surface 42 is a surface facing the same direction as the substrate side surface 12 of the substrate 10 in the second direction y. The resin side surface 43 and the resin side surface 44 are surfaces facing opposite sides in the first direction x. The resin side surface 43 is a surface facing the same direction as the substrate side surface 13 of the substrate 10 in the first direction x. The resin side surface 44 is a surface facing the same direction as the substrate side surface 14 of the substrate 10 in the first direction x.

樹脂側面４１，４２は、厚さ方向ｚ及び第１方向ｘに沿った平面として形成されている。本実施形態では、樹脂側面４１と基板１０の基板側面１１とは面一となり、樹脂側面４２と基板１０の基板側面１２とは面一となる。図５に示すように、樹脂側面４１，４２と樹脂天面４０ｓとの間には、湾曲面（Ｒ面）が形成されていない。換言すると、樹脂側面４１，４２と樹脂天面４０ｓとは、直交するように接続されている。 The resin side surfaces 41 and 42 are formed as flat surfaces along the thickness direction z and the first direction x. In this embodiment, the resin side surface 41 and the substrate side surface 11 of the substrate 10 are flush with each other, and the resin side surface 42 and the substrate side surface 12 of the substrate 10 are flush with each other. As shown in FIG. 5, no curved surface (R surface) is formed between the resin side surfaces 41, 42 and the resin top surface 40s. In other words, the resin side surfaces 41 and 42 and the resin top surface 40s are connected so as to be orthogonal.

図１及び図４に示すように、樹脂側面４４は、基板１０の基板側面１４よりも基板側面１３側に位置している。図４に示すように、樹脂側面４４は、基板１０の基板主面１０ｓから封止樹脂４０の樹脂天面４０ｓに向かうにつれて樹脂側面４３側に向けて傾斜する傾斜面を有する。本実施形態では、厚さ方向ｚに対する樹脂側面４４の傾斜角度は、モールド成型の金型の抜き勾配に相当する角度となる。一例では、厚さ方向ｚに対する樹脂側面４４の傾斜角度は、５°である。また樹脂側面４４と樹脂天面４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面４８Ａが設けられている。湾曲面４８Ａは、封止樹脂４０のモールド成型時に形成される。 As shown in FIGS. 1 and 4 , the resin side surface 44 is positioned closer to the substrate side surface 13 than the substrate side surface 14 of the substrate 10 . As shown in FIG. 4 , the resin side surface 44 has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 43 from the substrate main surface 10 s of the substrate 10 toward the resin top surface 40 s of the sealing resin 40 . In this embodiment, the inclination angle of the resin side surface 44 with respect to the thickness direction z is an angle corresponding to the draft angle of the mold for molding. In one example, the inclination angle of the resin side surface 44 with respect to the thickness direction z is 5°. An arc-shaped curved surface 48A is provided between the resin side surface 44 and the resin top surface 40s. The curved surface 48A is formed when the sealing resin 40 is molded.

封止樹脂４０のうちの樹脂側面４３側の部分には、樹脂側面４３から第１方向ｘに向けて凹む凹部４５が設けられている。厚さ方向ｚからみて、凹部４５は、封止樹脂４０の第２方向ｙの中央部に設けられている。このため、樹脂側面４３は、第１方向ｘに互いに揃った状態で第２方向ｙに互いに離間した樹脂側面４３Ａ，４３Ｂと、樹脂側面４３Ａ，４３Ｂの第２方向ｙの間に設けられた透光面４６と、樹脂側面４３Ａと透光面４６とを接続する接続面４７Ａと、樹脂側面４３Ｂと透光面４６とを接続する接続面４７Ｂと、を有する。 A recessed portion 45 recessed from the resin side surface 43 in the first direction x is provided in a portion of the sealing resin 40 on the side of the resin side surface 43 . The concave portion 45 is provided in the central portion of the sealing resin 40 in the second direction y when viewed from the thickness direction z. Therefore, the resin side surfaces 43 are aligned in the first direction x and separated from each other in the second direction y. It has a light surface 46 , a connection surface 47 A connecting the resin side surface 43 A and the light transmission surface 46 , and a connection surface 47 B connecting the resin side surface 43 B and the light transmission surface 46 .

樹脂側面４３Ａは透光面４６に対して樹脂側面４１側に位置しており、樹脂側面４３Ｂは透光面４６に対して樹脂側面４２側に位置している。樹脂側面４３Ａ，４３Ｂは、基板１０の基板側面１３と同じ側を向く面である。本実施形態では、樹脂側面４３Ａ，４３Ｂは、厚さ方向ｚ及び第２方向ｙに沿う平坦面であり、基板側面１３と面一となる。図４に示すように、樹脂側面４３Ａと樹脂天面４０ｓとの間には、湾曲面（Ｒ面）が形成されていない。換言すると、樹脂側面４３Ａと樹脂天面４０ｓとは、直交するように接続されている。なお、図示していないが、樹脂側面４３Ｂと樹脂天面４０ｓとの間には、湾曲面（Ｒ面）が形成されていない。換言すると、樹脂側面４３Ｂと樹脂天面４０ｓとは、直交するように接続されている。 The resin side surface 43A is positioned on the resin side surface 41 side with respect to the translucent surface 46, and the resin side surface 43B is positioned on the resin side surface 42 side with respect to the translucent surface 46. The resin side surfaces 43A and 43B are surfaces facing the same side as the substrate side surface 13 of the substrate 10 . In the present embodiment, the resin side surfaces 43A and 43B are flat surfaces along the thickness direction z and the second direction y, and are flush with the substrate side surface 13 . As shown in FIG. 4, no curved surface (R surface) is formed between the resin side surface 43A and the resin top surface 40s. In other words, the resin side surface 43A and the resin top surface 40s are connected orthogonally. Although not shown, a curved surface (R surface) is not formed between the resin side surface 43B and the resin top surface 40s. In other words, the resin side surface 43B and the resin top surface 40s are connected orthogonally.

透光面４６は、樹脂側面４３の第２方向ｙの中央部に設けられており、樹脂側面４３Ａ，４３Ｂと同じ側を向いている。厚さ方向ｚからみて、第１方向ｘにおいて、透光面４６は、樹脂側面４３Ａ，４３Ｂよりも半導体発光素子３０側に位置している。換言すると、第１方向ｘにおいて、透光面４６は、樹脂側面４３Ａ，４３Ｂよりも樹脂側面４４側に位置している。このように、透光面４６は、凹部４５の底面を構成している。また、透光面４６は、厚さ方向ｚからみて、基板側面１３よりも内側に凹んだ位置に配置されている。図１及び図４に示すように、半導体発光素子３０は、第１方向ｘにおいて透光面４６と隣接するように配置されている。すなわち半導体発光素子３０からの光は、透光面４６から出射される。 The translucent surface 46 is provided at the center of the resin side surface 43 in the second direction y, and faces the same side as the resin side surfaces 43A and 43B. When viewed from the thickness direction z, the translucent surface 46 is positioned closer to the semiconductor light emitting element 30 than the resin side surfaces 43A and 43B in the first direction x. In other words, in the first direction x, the translucent surface 46 is located closer to the resin side surface 44 than the resin side surfaces 43A and 43B. Thus, the translucent surface 46 constitutes the bottom surface of the recess 45 . In addition, the translucent surface 46 is arranged at a position recessed inward from the substrate side surface 13 when viewed in the thickness direction z. As shown in FIGS. 1 and 4, the semiconductor light emitting device 30 is arranged adjacent to the translucent surface 46 in the first direction x. That is, the light from the semiconductor light emitting device 30 is emitted from the translucent surface 46 .

図１及び図４に示すとおり、透光面４６は、厚さ方向ｚ及び第２方向ｙに沿った平面である。透光面４６は、例えば鏡面加工によって形成された平滑面である。換言すると、透光面４６は、鏡面加工された平滑面によって構成されている。なお、鏡面加工とは、極めて凹凸が少なくなるように加工することをいう。このため、鏡面加工によって形成される面は、極めて凹凸が少ない面となる。鏡面加工されるとは、成形金型等における鏡面加工された面によって間接的に形成されることをいう。本実施形態では、封止樹脂４０を形成するための金型において透光面４６を形成する面が鏡面加工されており、その鏡面加工された面によって透光面４６が形成される。本実施形態では、透光面４６は、樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂよりも平坦な面である。また、透光面４６は、接続面４７Ａ，４７Ｂよりも平坦な面である。また、透光面４６は、樹脂側面４４よりも平坦な面である。 As shown in FIGS. 1 and 4, the translucent surface 46 is a plane along the thickness direction z and the second direction y. The translucent surface 46 is a smooth surface formed by mirror finishing, for example. In other words, the translucent surface 46 is a mirror-finished smooth surface. In addition, the mirror-finishing refers to processing so that unevenness is extremely reduced. Therefore, the surface formed by the mirror-finishing process is a surface with extremely few irregularities. To be mirror-finished means to be formed indirectly by a mirror-finished surface of a molding die or the like. In the present embodiment, the surface forming the translucent surface 46 of the mold for forming the sealing resin 40 is mirror-finished, and the translucent surface 46 is formed by the mirror-finished surface. In this embodiment, the translucent surface 46 is flatter than the resin side surfaces 41, 42, 43A, 43B. Also, the translucent surface 46 is flatter than the connection surfaces 47A and 47B. Further, the translucent surface 46 is flatter than the resin side surface 44 .

図４に示すように、透光面４６と樹脂天面４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面４８Ｂが形成されている。湾曲面４８Ｂは、封止樹脂４０のモールド成型時に形成される。本実施形態では、湾曲面４８Ｂの大きさは、樹脂側面４４と樹脂天面４０ｓとの間の湾曲面４８Ａの大きさと等しい。換言すると、湾曲面４８Ｂの曲率半径は、湾曲面４８Ａの曲率半径と等しい。湾曲面４８Ｂは、厚さ方向ｚにおいて半導体発光素子３０の素子主面３０ｓよりも樹脂天面４０ｓ側に位置している。換言すると、透光面４６は、厚さ方向ｚにおいて基板１０の基板主面１０ｓから半導体発光素子３０の素子主面３０ｓよりも離れた位置まで、すなわち素子主面３０ｓよりも樹脂天面４０ｓ側まで形成されている。 As shown in FIG. 4, an arc-shaped curved surface 48B is formed between the translucent surface 46 and the resin top surface 40s. The curved surface 48B is formed when the sealing resin 40 is molded. In this embodiment, the size of the curved surface 48B is equal to the size of the curved surface 48A between the resin side surface 44 and the resin top surface 40s. In other words, the radius of curvature of curved surface 48B is equal to the radius of curvature of curved surface 48A. The curved surface 48B is positioned closer to the resin top surface 40s than the element main surface 30s of the semiconductor light emitting element 30 in the thickness direction z. In other words, the translucent surface 46 extends from the substrate main surface 10s of the substrate 10 to a position apart from the element main surface 30s of the semiconductor light emitting element 30 in the thickness direction z, that is, the resin top surface 40s side of the element main surface 30s. formed up to

図１及び図５に示すように、接続面４７Ａは樹脂側面４２側を向く面であり、接続面４７Ｂは樹脂側面４１側を向く面である。すなわち接続面４７Ａ，４７Ｂは、第２方向ｙにおいて透光面４６を挟んで互いに対向する面である。 As shown in FIGS. 1 and 5, the connection surface 47A is a surface facing the resin side surface 42 side, and the connection surface 47B is a surface facing the resin side surface 41 side. That is, the connection surfaces 47A and 47B are surfaces that face each other with the translucent surface 46 interposed therebetween in the second direction y.

図５に示すように、接続面４７Ａは、基板１０の基板主面１０ｓから封止樹脂４０の樹脂天面４０ｓに向かうにつれて樹脂側面４１側に傾斜する傾斜面を有する。本実施形態では、厚さ方向ｚに対する接続面４７Ａの傾斜角度は、モールド成型の金型の抜き勾配に相当する角度となる。一例では、厚さ方向ｚに対する接続面４７Ａの傾斜角度は、５°である。また接続面４７Ａと樹脂天面４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面４８Ｃが設けられている。湾曲面４８Ｃは、封止樹脂４０のモールド成型時に形成される。本実施形態の湾曲面４８Ｃの大きさは、湾曲面４８Ａの大きさと等しい。換言すると、湾曲面４８Ｃの曲率半径は、湾曲面４８Ａの曲率半径と等しい。 As shown in FIG. 5 , the connection surface 47A has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 41 from the substrate main surface 10s of the substrate 10 toward the resin top surface 40s of the sealing resin 40 . In this embodiment, the angle of inclination of the connection surface 47A with respect to the thickness direction z is an angle corresponding to the draft angle of the mold for molding. In one example, the inclination angle of the connecting surface 47A with respect to the thickness direction z is 5°. An arc-shaped curved surface 48C is provided between the connection surface 47A and the resin top surface 40s. The curved surface 48C is formed when the sealing resin 40 is molded. The size of the curved surface 48C of this embodiment is equal to the size of the curved surface 48A. In other words, the radius of curvature of curved surface 48C is equal to the radius of curvature of curved surface 48A.

接続面４７Ｂは、基板１０の基板主面１０ｓから封止樹脂４０の樹脂天面４０ｓに向かうにつれて樹脂側面４２側に傾斜する傾斜面を有する。本実施形態では、厚さ方向ｚに対する接続面４７Ｂの傾斜角度は、モールド成型の金型の抜き勾配に相当する角度となる。一例では、厚さ方向ｚに対する接続面４７Ｂの傾斜角度は、５°である。また接続面４７Ｂと樹脂天面４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面４８Ｄが設けられている。湾曲面４８Ｄは、封止樹脂４０のモールド成型時に形成される。本実施形態の湾曲面４８Ｄの大きさは、湾曲面４８Ａの大きさと等しい。換言すると、湾曲面４８Ｄの曲率半径は、湾曲面４８Ａの曲率半径と等しい。 The connection surface 47B has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 42 from the substrate main surface 10s of the substrate 10 toward the resin top surface 40s of the sealing resin 40 . In this embodiment, the angle of inclination of the connection surface 47B with respect to the thickness direction z is an angle corresponding to the draft angle of the mold for molding. In one example, the inclination angle of the connecting surface 47B with respect to the thickness direction z is 5°. An arc-shaped curved surface 48D is provided between the connection surface 47B and the resin top surface 40s. The curved surface 48D is formed when the sealing resin 40 is molded. The size of the curved surface 48D of this embodiment is equal to the size of the curved surface 48A. In other words, the radius of curvature of curved surface 48D is equal to the radius of curvature of curved surface 48A.

このような構成の半導体発光装置１では、半導体発光装置１の外部電源（図示略）から第５外部電極５５に電流が供給されると、第５配線部２５及び接続部材６０を介して半導体発光素子３０のアノード電極に電流が供給される。これにより、半導体発光素子３０が光を射出する。半導体発光素子３０からの光は、封止樹脂４０の透光面４６を介して半導体発光装置１の外部に射出される。 In the semiconductor light emitting device 1 having such a configuration, when a current is supplied from an external power supply (not shown) of the semiconductor light emitting device 1 to the fifth external electrode 55 , the semiconductor light is emitted through the fifth wiring portion 25 and the connection member 60 . Current is supplied to the anode electrode of element 30 . Thereby, the semiconductor light emitting element 30 emits light. Light from the semiconductor light emitting element 30 is emitted to the outside of the semiconductor light emitting device 1 through the translucent surface 46 of the sealing resin 40 .

（半導体発光装置の製造方法）
図６～図１３を参照して、半導体発光装置１の製造方法について説明する。(Method for manufacturing semiconductor light-emitting device)
A method for manufacturing the semiconductor light emitting device 1 will be described with reference to FIGS.

図６に示すように、まず基材８１０を準備する。基材８１０は、平板状の基材本体８１１と、基材本体８１１の厚さ方向ｚの両側に積層された銅箔８１２（ともに図１０参照）とからなる。基材本体８１１は、厚さ方向ｚにおいて反対側を向く基材主面８１１ｓ及び基材裏面８１１ｒ（図１０参照）を有する。基材本体８１１は、電気絶縁性を有する材料からなる。この材料としては、例えば、エポキシ樹脂等を主剤とした合成樹脂、セラミックス、ガラス等を用いることができる。 As shown in FIG. 6, first, a substrate 810 is prepared. The base material 810 is composed of a flat base material body 811 and copper foils 812 laminated on both sides of the base material body 811 in the thickness direction z (see FIG. 10 for both). The base body 811 has a base main surface 811s and a base back surface 811r (see FIG. 10) facing opposite sides in the thickness direction z. The base body 811 is made of an electrically insulating material. As this material, for example, a synthetic resin containing epoxy resin or the like as a main component, ceramics, glass, or the like can be used.

次に、基材８１０に、厚さ方向ｚにおいて基材８１０を貫通する複数の貫通孔８１３（図１１参照）を形成する。そして、各貫通孔８１３に貫通配線８２７（図１１参照）を形成する。貫通配線８２７は、各貫通孔８１３に銅めっきを行うことによって形成される。 Next, a plurality of through holes 813 (see FIG. 11) are formed in the base material 810 so as to penetrate the base material 810 in the thickness direction z. Then, a through wire 827 (see FIG. 11) is formed in each through hole 813 . The through wiring 827 is formed by plating each through hole 813 with copper.

次に、図７に示すように、基材本体８１１の基材主面８１１ｓに複数の配線層２０を形成する。また、本実施形態では、複数の配線層２０を形成する工程（配線層形成工程）において、基材裏面８１１ｒに複数の外部電極５０（図１０参照）も形成する。一例では、エッチングによって複数の配線層２０をそれぞれ形成する。 Next, as shown in FIG. 7 , a plurality of wiring layers 20 are formed on the substrate main surface 811 s of the substrate main body 811 . In addition, in the present embodiment, in the step of forming the plurality of wiring layers 20 (wiring layer forming step), the plurality of external electrodes 50 (see FIG. 10) are also formed on the back surface 811r of the substrate. In one example, each of the plurality of wiring layers 20 is formed by etching.

まず、レジスト層によって基材８１０の厚さ方向ｚの両側の銅箔８１２（図１０参照）を覆い、それらレジスト層のうちの複数の配線層２０に対応する部分及び複数の外部電極５０に対応する部分を焼付けする。そして、レジスト層のうちの複数の配線層２０に対応する部分及び複数の外部電極５０に対応する部分以外の不要部分を除去することによって配線層形成用レジスト層及び外部電極形成用レジストがそれぞれ形成される。次に、エッチングによって基材主面８１１ｓ側の銅箔８１２のうちの複数の配線層２０に対応する部分以外の部分、及び基材裏面８１１ｒ側の銅箔８１２のうちの複数の外部電極５０に対応する部分以外の部分をそれぞれ除去する。そして配線層形成用レジスト及び外部電極形成用レジストをそれぞれ基材８１０から剥離する。ここで、基材主面８１１ｓ側の銅箔８１２のうちの複数の配線層２０に対応する部分以外の部分が除去されることによって、この部分には基材主面８１１ｓが露出する。基材裏面８１１ｒ（図１０参照）側の銅箔８１２のうちの複数の外部電極５０に対応する部分以外の部分が除去されることによって、この部分には基材裏面８１１ｒが露出する。 First, the copper foil 812 (see FIG. 10) on both sides of the substrate 810 in the thickness direction z is covered with a resist layer, and the portions of the resist layer corresponding to the plurality of wiring layers 20 and the plurality of external electrodes 50 are covered. Bake the part. Then, unnecessary portions of the resist layer other than those corresponding to the plurality of wiring layers 20 and the portions corresponding to the plurality of external electrodes 50 are removed to form a wiring layer forming resist layer and an external electrode forming resist, respectively. be done. Next, by etching, portions of the copper foil 812 on the base main surface 811s side other than the portions corresponding to the plurality of wiring layers 20 and the plurality of external electrodes 50 of the copper foil 812 on the base back surface 811r side are etched. Each part other than the corresponding part is removed. Then, the wiring layer forming resist and the external electrode forming resist are removed from the substrate 810 . Here, by removing portions other than the portions corresponding to the plurality of wiring layers 20 of the copper foil 812 on the substrate main surface 811s side, the substrate main surface 811s is exposed at this portion. By removing portions other than the portions corresponding to the plurality of external electrodes 50 of the copper foil 812 on the substrate rear surface 811r (see FIG. 10) side, the substrate rear surface 811r is exposed at this portion.

次に、図８に示すように、複数の配線層２０のそれぞれの第１配線部２１の素子実装部２１ａに半導体発光素子３０を実装する。図８に示す工程は、素子実装工程に対応する。一例では、まず、複数の配線層２０のそれぞれの素子実装部２１ａの中央部に、ペースト状のはんだ又は銀ペーストを塗布する。そして各素子実装部２１ａのはんだ上に半導体発光素子３０を載置したうえで、リフロー炉で加熱することによって、各素子実装部２１ａに半導体発光素子３０を接合する。そして、各配線層２０の第５配線部２５と、各配線層２０に実装された半導体発光素子３０のアノード電極とを接続する接続部材６０を形成する。一例では、ボンディング装置を用いたワイヤボンディングによって接続部材６０を形成する。 Next, as shown in FIG. 8, the semiconductor light emitting device 30 is mounted on the device mounting portion 21a of the first wiring portion 21 of each of the plurality of wiring layers 20. Next, as shown in FIG. The process shown in FIG. 8 corresponds to the element mounting process. In one example, first, paste-like solder or silver paste is applied to the central portion of each element mounting portion 21 a of the plurality of wiring layers 20 . Then, the semiconductor light emitting element 30 is placed on the solder of each element mounting portion 21a, and then heated in a reflow furnace to bond the semiconductor light emitting element 30 to each element mounting portion 21a. Then, a connection member 60 for connecting the fifth wiring portion 25 of each wiring layer 20 and the anode electrode of the semiconductor light emitting element 30 mounted on each wiring layer 20 is formed. In one example, the connection member 60 is formed by wire bonding using a bonding device.

次に、図１０に示すように、基材本体８１１の基材主面８１１ｓ側に樹脂層８４０を形成する。本実施形態では、図９に示すように、樹脂層８４０は、２つの配線層２０及び各配線層２０に実装された半導体発光素子３０を封止するように形成される。換言すると、図１２に示すように、基材本体８１１の基材主面８１１ｓには、複数の樹脂層８４０が互いに離間した状態で形成されている。ここで、樹脂層８４０は、モールド成型によって形成される。図９に示すように、各樹脂層８４０の形成において、モールド成型の金型における２つの透光面４６を形成する面はそれぞれ鏡面加工された極めて凹凸の少ない面となる。これにより、樹脂層８４０のモールド成型において、各樹脂層８４０の２つの透光面４６が鏡面加工によって形成される。つまり、２つの透光面４６は、各樹脂層８４０の他の表面よりも平坦な面となる。 Next, as shown in FIG. 10 , a resin layer 840 is formed on the side of the substrate main surface 811 s of the substrate main body 811 . In this embodiment, as shown in FIG. 9, the resin layer 840 is formed so as to seal the two wiring layers 20 and the semiconductor light emitting elements 30 mounted on each wiring layer 20 . In other words, as shown in FIG. 12 , a plurality of resin layers 840 are formed on the substrate main surface 811 s of the substrate main body 811 while being spaced apart from each other. Here, the resin layer 840 is formed by molding. As shown in FIG. 9, in the formation of each resin layer 840, the surfaces forming the two light-transmitting surfaces 46 of the metal mold for molding are mirror-finished surfaces with very little unevenness. Thereby, in the molding of the resin layer 840, the two translucent surfaces 46 of each resin layer 840 are formed by mirror finishing. That is, the two translucent surfaces 46 are flatter than the other surface of each resin layer 840 .

図９～図１１及び図１３を参照して、樹脂層８４０の構成について説明する。 The configuration of the resin layer 840 will be described with reference to FIGS. 9 to 11 and 13. FIG.

樹脂層８４０は、図１０に示す樹脂天面８４０ｓ及び図９に示す樹脂側面８４１～８４４を有する。図９に示すように、樹脂側面８４１及び樹脂側面８４２は、第２方向ｙにおいて互いに離間しており、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向いている。樹脂側面８４３及び樹脂側面８４４は、第１方向ｘにおいて互いに離間しており、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向いている。 The resin layer 840 has a resin top surface 840s shown in FIG. 10 and resin side surfaces 841 to 844 shown in FIG. As shown in FIG. 9, the resin side surface 841 and the resin side surface 842 are separated from each other in the second direction y and face opposite sides in the second direction y. The resin side surface 843 and the resin side surface 844 are separated from each other in the first direction x and face opposite sides in the first direction x.

図９に示すように、厚さ方向ｚからみて、樹脂層８４０は、２つの凹部８４５Ａ，８４５Ｂを有する。２つの凹部８４５Ａ，８４５Ｂは、第１方向ｘにおいて揃った状態で第２方向ｙにおいて互いに離間して設けられている。凹部８４５Ａ，８４５Ｂはそれぞれ、樹脂側面８４３から第１方向ｘにおいて樹脂側面８４４に向けて凹んでいる。このように、樹脂側面８４３は、３つの樹脂側面８４３Ａ～８４３Ｃ、２つの透光面４６、４つの接続面８４７Ａ～８４７Ｄを有する。２つの透光面４６は、モールド成型による樹脂層８４０の形成時に形成される。 As shown in FIG. 9, the resin layer 840 has two concave portions 845A and 845B when viewed from the thickness direction z. The two recesses 845A and 845B are aligned in the first direction x and spaced apart from each other in the second direction y. The recesses 845A and 845B are recessed from the resin side surface 843 toward the resin side surface 844 in the first direction x. Thus, the resin side surface 843 has three resin side surfaces 843A to 843C, two translucent surfaces 46, and four connection surfaces 847A to 847D. The two translucent surfaces 46 are formed when the resin layer 840 is formed by molding.

樹脂側面８４３Ａ～８４３Ｃは、第１方向ｘにおいて揃った状態で第２方向ｙにおいて互いに離間して配置されている。樹脂側面８４３Ｂは、第２方向ｙにおいて樹脂側面８４３Ａと樹脂側面８４３Ｃとの間に配置されている。樹脂側面８４３Ａは樹脂側面８４３Ｂよりも樹脂側面８４１側に配置されており、樹脂側面８４３Ｃは樹脂側面８４３Ｂよりも樹脂側面８４２側に配置されている。 The resin side surfaces 843A to 843C are aligned in the first direction x and spaced apart from each other in the second direction y. The resin side surface 843B is arranged between the resin side surface 843A and the resin side surface 843C in the second direction y. The resin side surface 843A is arranged closer to the resin side surface 841 than the resin side surface 843B, and the resin side surface 843C is arranged closer to the resin side surface 842 than the resin side surface 843B.

凹部８４５Ａは、第２方向ｙにおいて樹脂側面８４３Ａと樹脂側面８４３Ｂとの間に設けられており、２つの透光面４６の一方及び接続面８４７Ａ，８４７Ｂから構成されている。 The recessed portion 845A is provided between the resin side surface 843A and the resin side surface 843B in the second direction y, and is composed of one of the two translucent surfaces 46 and connection surfaces 847A and 847B.

２つの透光面４６の一方は、第２方向ｙにおいて樹脂側面８４３Ａと樹脂側面８４３Ｂとの間に設けられており、樹脂側面８４３Ａ，８４３Ｂよりも樹脂側面８４４側に位置している。すなわち、２つの透光面４６の一方は、凹部８４５Ａの底面を構成している。図１１に示すように、２つの透光面４６の一方は、厚さ方向ｚ及び第２方向ｙに沿った平坦面である。すなわち、２つの透光面４６の一方には、樹脂層８４０のモールド成型による抜き勾配が形成されていない。２つの透光面４６の一方と樹脂天面８４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面８４８Ｂが形成されている。湾曲面８４８Ｂは、封止樹脂４０の湾曲面４８Ｂに対応する。 One of the two translucent surfaces 46 is provided between the resin side surfaces 843A and 843B in the second direction y, and positioned closer to the resin side surface 844 than the resin side surfaces 843A and 843B. That is, one of the two translucent surfaces 46 constitutes the bottom surface of the recess 845A. As shown in FIG. 11, one of the two translucent surfaces 46 is a flat surface along the thickness direction z and the second direction y. That is, one of the two translucent surfaces 46 is not formed with a draft due to molding of the resin layer 840 . An arcuate curved surface 848B is formed between one of the two translucent surfaces 46 and the resin top surface 840s. The curved surface 848B corresponds to the curved surface 48B of the sealing resin 40. As shown in FIG.

図９に示すように、接続面８４７Ａは、２つの透光面４６の一方と樹脂側面８４３Ａとを接続する面である。接続面８４７Ｂは、２つの透光面４６の一方と樹脂側面８４３Ｂとを接続する面である。接続面８４７Ａは樹脂側面８４２側を向く面であり、接続面８４７Ｂは樹脂側面８４１側を向く面である。すなわち接続面８４７Ａ，８４７Ｂは、第２方向ｙにおいて２つの透光面４６の一方を挟んで互いに対向する面である。上述のように２つの透光面４６が鏡面加工によって形成されるため、２つの透光面４６の一方は、接続面８４７Ａ，８４７Ｂよりも平坦な面となる。 As shown in FIG. 9, the connection surface 847A is a surface that connects one of the two translucent surfaces 46 and the resin side surface 843A. The connection surface 847B is a surface that connects one of the two translucent surfaces 46 and the resin side surface 843B. The connection surface 847A faces the resin side surface 842 side, and the connection surface 847B faces the resin side surface 841 side. That is, the connection surfaces 847A and 847B are surfaces that face each other with one of the two translucent surfaces 46 interposed therebetween in the second direction y. Since the two translucent surfaces 46 are formed by mirror finishing as described above, one of the two translucent surfaces 46 is flatter than the connecting surfaces 847A and 847B.

図１０に示すように、接続面８４７Ａと樹脂天面８４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面８４８Ｃが形成されており、接続面８４７Ｂと樹脂天面８４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面８４８Ｄが形成されている。湾曲面８４８Ｃは半導体発光装置１の湾曲面４８Ｃに対応し、湾曲面８４８Ｄは半導体発光装置１の湾曲面４８Ｄに対応する。 As shown in FIG. 10, an arc-shaped curved surface 848C is formed between the connection surface 847A and the resin top surface 840s, and an arc-shaped curved surface 848C is formed between the connection surface 847B and the resin top surface 840s. A curved surface 848D is formed. The curved surface 848C corresponds to the curved surface 48C of the semiconductor light emitting device 1, and the curved surface 848D corresponds to the curved surface 48D of the semiconductor light emitting device 1. FIG.

図９に示すように、凹部８４５Ｂは、第２方向ｙにおいて樹脂側面８４３Ｂと樹脂側面８４３Ｃとの間に設けられており、２つの透光面４６の他方及び接続面８４７Ｃ，８４７Ｄから構成されている。 As shown in FIG. 9, the recess 845B is provided between the resin side surface 843B and the resin side surface 843C in the second direction y, and is composed of the other of the two translucent surfaces 46 and connection surfaces 847C and 847D. there is

２つの透光面４６の他方は、第２方向ｙにおいて樹脂側面８４３Ｂと樹脂側面８４３Ｃとの間に設けられており、樹脂側面８４３Ｂ，８４３Ｃよりも樹脂側面８４４側に位置している。すなわち、２つの透光面４６の他方は、凹部８４５Ｂの底面を構成している。２つの透光面４６の他方は、厚さ方向ｚ及び第２方向ｙに沿った平坦面である。すなわち、２つの透光面４６の他方には、樹脂層８４０のモールド成型による抜き勾配が形成されていない。 The other of the two translucent surfaces 46 is provided between the resin side surface 843B and the resin side surface 843C in the second direction y and positioned closer to the resin side surface 844 than the resin side surfaces 843B and 843C. That is, the other of the two translucent surfaces 46 constitutes the bottom surface of the recess 845B. The other of the two translucent surfaces 46 is a flat surface along the thickness direction z and the second direction y. That is, the other of the two translucent surfaces 46 does not have a draft due to molding of the resin layer 840 .

接続面８４７Ｃは、２つの透光面４６の他方と樹脂側面８４３Ｂとを接続する面である。接続面８４７Ｄは、２つの透光面４６の他方と樹脂側面８４３Ｃとを接続する面である。接続面８４７Ｃは樹脂側面８４２側を向く面であり、接続面８４７Ｄは樹脂側面８４１側を向く面である。すなわち接続面８４７Ｃ，８４７Ｄは、第２方向ｙにおいて２つの透光面４６の他方を挟んで互いに対向する面である。上述のように２つの透光面４６が鏡面加工によって形成されるため、２つの透光面４６の他方は、接続面８４７Ｃ，８４７Ｄよりも平坦な面となる。 The connection surface 847C is a surface that connects the other of the two translucent surfaces 46 and the resin side surface 843B. The connection surface 847D is a surface that connects the other of the two translucent surfaces 46 and the resin side surface 843C. The connection surface 847C faces the resin side surface 842 side, and the connection surface 847D faces the resin side surface 841 side. That is, the connection surfaces 847C and 847D are surfaces that face each other with the other of the two translucent surfaces 46 interposed therebetween in the second direction y. Since the two light-transmitting surfaces 46 are formed by mirror finishing as described above, the other of the two light-transmitting surfaces 46 is flatter than the connecting surfaces 847C and 847D.

図１０に示すように、接続面８４７Ｃと樹脂天面８４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面８４８Ｅが形成されており、接続面８４７Ｄと樹脂天面８４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面８４８Ｆが形成されている。湾曲面８４８Ｅは半導体発光装置１の湾曲面４８Ｃに対応し、湾曲面８４８Ｆは半導体発光装置１の湾曲面４８Ｄに対応する。 As shown in FIG. 10, an arc-shaped curved surface 848E is formed between the connection surface 847C and the resin top surface 840s, and an arc-shaped curved surface 848E is formed between the connection surface 847D and the resin top surface 840s. A curved surface 848F is formed. The curved surface 848E corresponds to the curved surface 48C of the semiconductor light emitting device 1, and the curved surface 848F corresponds to the curved surface 48D of the semiconductor light emitting device 1. FIG.

図１０に示すように、樹脂側面８４１は、基材８１０の基材主面８１１ｓから樹脂層８４０の樹脂天面８４０ｓに向かうにつれて樹脂側面８４２側に傾斜する傾斜面を有する。樹脂側面８４２は、基材８１０の基材主面８１１ｓから樹脂層８４０の樹脂天面８４０ｓに向かうにつれて樹脂側面８４１側に傾斜する傾斜面を有する。 As shown in FIG. 10 , the resin side surface 841 has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 842 from the substrate principal surface 811 s of the substrate 810 toward the resin top surface 840 s of the resin layer 840 . The resin side surface 842 has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 841 from the substrate main surface 811 s of the substrate 810 toward the resin top surface 840 s of the resin layer 840 .

図１１に示すように、樹脂側面８４３Ａは、基材８１０の基材主面８１１ｓから樹脂層８４０の樹脂天面８４０ｓに向かうにつれて樹脂側面８４４側に傾斜する傾斜面を有する。図示しないが、樹脂側面８４３Ｂ，８４３Ｃについても樹脂側面８４３Ａと同様に、基材８１０の基材主面８１１ｓから樹脂層８４０の樹脂天面８４０ｓに向かうにつれて樹脂側面８４４側に傾斜する傾斜面を有する。樹脂側面８４４は、基材８１０の基材主面８１１ｓから樹脂層８４０の樹脂天面８４０ｓに向かうにつれて樹脂側面８４３側に傾斜する傾斜面を有する。 As shown in FIG. 11 , the resin side surface 843A has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 844 from the substrate main surface 811s of the substrate 810 toward the resin top surface 840s of the resin layer 840 . Although not shown, the resin side surfaces 843B and 843C, like the resin side surface 843A, also have inclined surfaces that incline toward the resin side surface 844 from the substrate principal surface 811s of the substrate 810 toward the resin top surface 840s of the resin layer 840. . The resin side surface 844 has an inclined surface that inclines toward the resin side surface 843 from the substrate main surface 811 s of the substrate 810 toward the resin top surface 840 s of the resin layer 840 .

図１０及び図１１に示すように、樹脂側面８４１～８４４と樹脂天面８４０ｓとの間には、円弧状の湾曲面８４８Ｘが形成されている。湾曲面８４８Ｘのうちの樹脂側面８４４と樹脂天面８４０ｓとの間の部分は、封止樹脂４０の湾曲面４８Ａに対応する。 As shown in FIGS. 10 and 11, arcuate curved surfaces 848X are formed between the resin side surfaces 841 to 844 and the resin top surface 840s. A portion of the curved surface 848</b>X between the resin side surface 844 and the resin top surface 840 s corresponds to the curved surface 48</b>A of the sealing resin 40 .

このように、樹脂層８４０では、封止樹脂４０とは異なり、樹脂側面８４１～８４３がそれぞれ傾斜しており、かつ樹脂側面８４１～８４３と樹脂天面８４０ｓとの間に湾曲面８４８Ｘが形成されている。 Thus, in the resin layer 840, unlike the sealing resin 40, the resin side surfaces 841 to 843 are respectively inclined, and the curved surface 848X is formed between the resin side surfaces 841 to 843 and the resin top surface 840s. ing.

最後に、図１３に示すように、樹脂層８４０及び基材８１０を切断し、配線層２０を１つの単位とした個片に分割する。分割にあたっては、一点鎖線によって囲まれた切断領域ＣＬを例えばダイシングブレードによって樹脂層８４０及び基材８１０を厚さ方向ｚに切断する。図１３に示す工程は、ダイシング工程に対応する。当該個片は、基板１０及び封止樹脂４０を含む半導体発光装置１である。以上の工程を経て、半導体発光装置１を製造できる。 Finally, as shown in FIG. 13, the resin layer 840 and the base material 810 are cut into individual pieces each having the wiring layer 20 as one unit. For the division, the resin layer 840 and the base material 810 are cut in the thickness direction z in the cutting region CL surrounded by the dashed-dotted line, for example, with a dicing blade. The process shown in FIG. 13 corresponds to the dicing process. The piece is the semiconductor light emitting device 1 including the substrate 10 and the sealing resin 40 . Through the above steps, the semiconductor light emitting device 1 can be manufactured.

ダイシング工程では、ダイシングブレードによって樹脂層８４０及び基材８１０を切断することによって、基板１０及び封止樹脂４０（ともに図２参照）が形成される。より詳細には、ダイシングブレードによる基材８１０の切断面が基板側面１１～１４を構成する。またダイシングブレードによる樹脂層８４０の切断面が封止樹脂４０の樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂを構成する。このように、樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂは、ダイシング加工によって切断された面であるダイシング側面を構成している。このため、樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚに沿った平坦面となり、樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂと樹脂天面４０ｓ（図２参照）との間に湾曲面が形成されていない。また、樹脂側面４３Ａ，４３Ｂを形成することによって、接続面８４７Ａ～８４７Ｄが切削されるため、接続面４７Ａ，４７Ｂが形成される。これにより、ダイシングブレードによって接続面８４７Ａ，８４７Ｃが切断されることによって接続面４７Ａが形成され、ダイシングブレードによって接続面８４７Ｂ，８４７Ｄが切断されることによって接続面４７Ｂが形成される。つまり、切断後の接続面８４７Ａ及び接続面８４７Ｃはそれぞれ、接続面４７Ａに対応し、切断後の接続面８４７Ｂ及び接続面８４７Ｄはそれぞれ、接続面４７Ｂに対応する。 In the dicing process, the substrate 10 and the sealing resin 40 (see FIG. 2 for both) are formed by cutting the resin layer 840 and the base material 810 with a dicing blade. More specifically, the substrate 810 cut by the dicing blade constitutes the side surfaces 11 to 14 of the substrate. Also, the surfaces of the resin layer 840 cut by the dicing blade constitute the resin side surfaces 41 , 42 , 43 A and 43 B of the sealing resin 40 . Thus, the resin side surfaces 41, 42, 43A, and 43B constitute dicing side surfaces that are cut by dicing. Therefore, the resin side surfaces 41, 42, 43A, and 43B each become a flat surface along the thickness direction z, and are curved between the resin side surfaces 41, 42, 43A, and 43B and the resin top surface 40s (see FIG. 2). No faces formed. Further, since the connection surfaces 847A to 847D are cut by forming the resin side surfaces 43A and 43B, the connection surfaces 47A and 47B are formed. As a result, the connection surfaces 847A and 847C are cut by the dicing blade to form the connection surface 47A, and the connection surfaces 847B and 847D are cut by the dicing blade to form the connection surface 47B. That is, the connection surfaces 847A and 847C after cutting correspond to the connection surface 47A, respectively, and the connection surfaces 847B and 847D after cutting respectively correspond to the connection surface 47B.

一方、切断領域ＣＬは、第１方向ｘにおいて樹脂側面４４よりも外側に位置しているため、樹脂側面４４はダイシングブレードによって形成されない。また、切断領域ＣＬは、第１方向ｘにおいて透光面４６よりも外側に位置しているため、透光面４６はダイシングブレードによって形成されない。つまり、樹脂側面４４及び透光面４６はダイシングブレードの影響を受けない。上述のように透光面４６が鏡面加工によって形成されるため、透光面４６は、ダイシング側面となる樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂよりも平坦な面となる。 On the other hand, since the cutting area CL is located outside the resin side surface 44 in the first direction x, the resin side surface 44 is not formed by the dicing blade. In addition, since the cutting area CL is positioned outside the translucent surface 46 in the first direction x, the translucent surface 46 is not formed by the dicing blade. That is, the resin side surface 44 and the translucent surface 46 are not affected by the dicing blade. Since the light-transmitting surface 46 is formed by mirror finishing as described above, the light-transmitting surface 46 is flatter than the resin side surfaces 41, 42, 43A, 43B, which are the dicing side surfaces.

（作用）
次に、本実施形態の半導体発光装置１の作用について説明する。(action)
Next, the operation of the semiconductor light emitting device 1 of this embodiment will be described.

樹脂層８４０には、凹部８４５Ａ，８４５Ｂが形成されており、凹部８４５Ａ，８４５Ｂのそれぞれの底面が透光面４６を構成している。そしてダイシング工程において、樹脂層８４０を切断するときの切断領域ＣＬは、透光面４６よりも樹脂層８４０の外側に位置している。これにより、透光面４６は、ダイシングブレードによって形成されない。すなわち、透光面４６は、モールド成型によって形成された面を維持している。 Recesses 845 A and 845 B are formed in the resin layer 840 , and the bottom surfaces of the recesses 845 A and 845 B constitute the translucent surface 46 . In the dicing process, the cutting area CL for cutting the resin layer 840 is positioned outside the resin layer 840 with respect to the translucent surface 46 . Thereby, the translucent surface 46 is not formed by the dicing blade. That is, the translucent surface 46 maintains the surface formed by molding.

図１４は、封止樹脂４０を備えていない半導体発光装置（第１比較例の半導体発光装置）の光出力の推移、封止樹脂を備え、透光面がダイシング加工によって形成された半導体発光装置（第２比較例の半導体発光装置）の光出力の推移、及び本実施形態の半導体発光装置１の光出力の推移を示している。第１比較例の半導体発光装置の光出力は二点鎖線のグラフＧＸ１によって示され、第２比較例の半導体発光装置の光出力は破線のグラフＧＸ２によって示されている。本実施形態の半導体発光装置１の光出力は実線のグラフＧによって示されている。 FIG. 14 shows changes in the light output of a semiconductor light emitting device (semiconductor light emitting device of the first comparative example) that does not include the sealing resin 40, and a semiconductor light emitting device that includes a sealing resin and has a light-transmitting surface formed by dicing. It shows transitions in the light output of (the semiconductor light emitting device of the second comparative example) and transitions in the light output of the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment. The light output of the semiconductor light-emitting device of the first comparative example is indicated by the double-dot chain line graph GX1, and the light output of the semiconductor light-emitting device of the second comparative example is indicated by the dashed line graph GX2. The light output of the semiconductor light emitting device 1 of this embodiment is indicated by a solid line graph G. FIG.

一般的に、透光性の封止樹脂に光を通過させると、光が散乱されるため、封止樹脂から出射する光の出力は、封止樹脂に光を通過させない場合よりも低下してしまう。このため、図１４に示すように、第１比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値は、封止樹脂４０を備えていないため、第２比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値及び本実施形態の半導体発光装置１の光出力のピーク値よりも大きい。 In general, when light passes through a translucent sealing resin, the light is scattered, so the output of the light emitted from the sealing resin is lower than when the sealing resin does not transmit light. put away. Therefore, as shown in FIG. 14, the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the first comparative example does not have the sealing resin 40, so the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the second comparative example is and larger than the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device 1 of this embodiment.

第２比較例の半導体発光装置では、透光面がダイシングブレードによる切断面となるため、半導体発光素子３０からの光が透光面に形成された切削痕によって散乱されてしまう。その結果、図１４のグラフＧＸ２に示すように、第２比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値が第１比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値の半分程度となる。 In the semiconductor light-emitting device of the second comparative example, the light-transmitting surface is the cut surface by the dicing blade, so the light from the semiconductor light-emitting element 30 is scattered by the cutting marks formed on the light-transmitting surface. As a result, as shown in the graph GX2 of FIG. 14, the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the second comparative example is approximately half the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the first comparative example.

この点に鑑みて、本実施形態の半導体発光装置１では、透光面４６がダイシングブレードによって切断されないため、透光面４６に切削痕が形成されない。これにより、切削痕に起因して、半導体発光素子３０からの光が散乱しない。したがって、本実施形態の半導体発光装置１の光出力のピーク値は、封止樹脂４０を備えるため、第１比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値に対して低下するものの、第２比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値よりも大きくなる。図１４に示すとおり、本実施形態の半導体発光装置１の光出力のピーク値は、第２比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値よりも第１比較例の半導体発光装置の光出力のピーク値に近い値となる。 In view of this point, in the semiconductor light-emitting device 1 of the present embodiment, since the light-transmitting surface 46 is not cut by the dicing blade, no cut mark is formed on the light-transmitting surface 46 . As a result, the light from the semiconductor light emitting element 30 is not scattered due to the cutting marks. Therefore, although the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment is lower than the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the first comparative example due to the provision of the sealing resin 40, It is larger than the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the example. As shown in FIG. 14, the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device 1 of this embodiment is higher than the peak value of the light output of the semiconductor light emitting device of the second comparative example. A value close to the peak value.

（効果）
本実施形態の半導体発光装置１によれば、以下の効果が得られる。(effect)
According to the semiconductor light emitting device 1 of this embodiment, the following effects are obtained.

（１）厚さ方向ｚからみて、第１方向ｘにおいて、封止樹脂４０の透光面４６は、ダイシング側面となる樹脂側面４３よりも半導体発光素子３０側に位置している。この構成によれば、透光面４６がダイシング加工によって形成された面ではないため、透光面４６にはダイシング加工による切削痕が形成されていない。このため、切削痕に起因して半導体発光素子３０の光が散乱することが抑制される。したがって、半導体発光装置１の光出力の低下を抑制できる。 (1) In the first direction x when viewed from the thickness direction z, the translucent surface 46 of the sealing resin 40 is positioned closer to the semiconductor light emitting element 30 than the resin side surface 43, which is the dicing side surface. According to this configuration, since the light-transmitting surface 46 is not a surface formed by dicing, the light-transmitting surface 46 is not formed with cutting marks due to dicing. Therefore, scattering of the light from the semiconductor light emitting element 30 due to the cutting marks is suppressed. Therefore, a decrease in the light output of the semiconductor light emitting device 1 can be suppressed.

（２）透光面４６は、厚さ方向ｚに沿って延びており、半導体発光素子３０の光の出射方向（第１方向ｘ）と直交している。この構成によれば、半導体発光素子３０の光が散乱することを一層抑制できるため、半導体発光装置１の光出力の低下を一層抑制できる。 (2) The translucent surface 46 extends along the thickness direction z and is orthogonal to the light emitting direction (first direction x) of the semiconductor light emitting element 30 . According to this configuration, scattering of light from the semiconductor light emitting element 30 can be further suppressed, so that reduction in light output of the semiconductor light emitting device 1 can be further suppressed.

（３）封止樹脂４０の透光面４６は、鏡面加工によって形成された平滑面である。この構成によれば、透光面４６は、極めて凹凸の少ない面となる。これにより、半導体発光素子３０からの光の散乱を抑制でき、光の出射効率を高めることができる。 (3) The translucent surface 46 of the sealing resin 40 is a smooth surface formed by mirror finishing. According to this configuration, the translucent surface 46 becomes a surface with very little unevenness. As a result, the scattering of light from the semiconductor light emitting element 30 can be suppressed, and the light output efficiency can be enhanced.

（４）透光面４６は、ダイシング加工によって形成されたダイシング側面である封止樹脂４０の樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂよりも平坦な面である。すなわち、透光面４６は、樹脂側面４１，４２，４３Ａ，４３Ｂよりも凹凸の少ない面である。これにより、半導体発光素子３０からの光の散乱を抑制でき、光の出射効率を高めることができる。 (4) The translucent surface 46 is flatter than the resin side surfaces 41, 42, 43A, 43B of the sealing resin 40, which are dicing side surfaces formed by dicing. That is, the translucent surface 46 is a surface with less unevenness than the resin side surfaces 41, 42, 43A, and 43B. As a result, the scattering of light from the semiconductor light emitting element 30 can be suppressed, and the light output efficiency can be enhanced.

また、透光面４６は、鏡面加工されていない金型の面によって形成された接続面４７Ａ，４７Ｂよりも平坦な面である。すなわち、透光面４６は、接続面４７Ａ，４７Ｂよりも凹凸の少ない面である。これにより、半導体発光素子３０からの光の散乱を抑制でき、光の出射効率を高めることができる。 In addition, the translucent surface 46 is flatter than the connection surfaces 47A and 47B formed by the surfaces of the mold that are not mirror-finished. That is, the translucent surface 46 is a surface with less unevenness than the connection surfaces 47A and 47B. As a result, the scattering of light from the semiconductor light emitting element 30 can be suppressed, and the light output efficiency can be enhanced.

（５）透光面４６と樹脂天面４０ｓとの間には、湾曲面４８Ｂが形成されている。この構成によれば、樹脂層８４０のモールド成型時において透光面４６が抜き勾配なしで形成されたとしても、モールド成型の金型が樹脂層８４０から抜き易くなる。 (5) A curved surface 48B is formed between the translucent surface 46 and the resin top surface 40s. According to this configuration, even if the translucent surface 46 is formed without a draft when molding the resin layer 840 , the mold for molding can be easily removed from the resin layer 840 .

（６）透光面４６と樹脂天面４０ｓとの間の湾曲面４８Ｂは、厚さ方向ｚにおいて、半導体発光素子３０よりも樹脂天面４０ｓ側に設けられている。換言すると、透光面４６は、厚さ方向ｚにおいて基板１０の基板主面１０ｓから半導体発光素子３０の素子主面３０ｓよりも離れた位置まで形成されている。この構成によれば、半導体発光素子３０の光が湾曲面４８Ｂを通過することを回避できるため、湾曲面４８Ｂを介して半導体発光素子３０の光が屈折してしまうことを抑制できる。 (6) The curved surface 48B between the translucent surface 46 and the resin top surface 40s is provided closer to the resin top surface 40s than the semiconductor light emitting element 30 in the thickness direction z. In other words, the translucent surface 46 is formed from the substrate main surface 10s of the substrate 10 to a position apart from the element main surface 30s of the semiconductor light emitting element 30 in the thickness direction z. According to this configuration, it is possible to prevent the light from the semiconductor light emitting element 30 from passing through the curved surface 48B, so it is possible to suppress the light from the semiconductor light emitting element 30 from being refracted through the curved surface 48B.

（７）半導体発光素子３０は、透光面４６と隣接するように配置されている。この構成によれば、半導体発光素子３０と透光面４６との間の封止樹脂４０の影響を小さくできる。したがって、半導体発光装置１の光出力の低下を一層抑制できる。 (7) The semiconductor light emitting device 30 is arranged adjacent to the translucent surface 46 . According to this configuration, the influence of the sealing resin 40 between the semiconductor light emitting element 30 and the translucent surface 46 can be reduced. Therefore, the decrease in the light output of the semiconductor light emitting device 1 can be further suppressed.

（８）第１方向ｘにおいて、封止樹脂４０における透光面４６とは反対側の樹脂側面４４は、厚さ方向ｚに対して傾斜している傾斜面を有する。この構成によれば、半導体発光素子３０の光が樹脂側面４４側に漏れた場合に樹脂側面４４から反射しても半導体発光素子３０から透光面４６に向けて出射する光への影響を低減できる。したがって、樹脂側面４４からの反射光に起因して、半導体発光装置１の光出力の低下を抑制できる。 (8) In the first direction x, the resin side surface 44 of the sealing resin 40 opposite to the translucent surface 46 has an inclined surface that is inclined with respect to the thickness direction z. According to this configuration, even if the light from the semiconductor light emitting element 30 leaks to the resin side surface 44 and is reflected from the resin side surface 44 , the influence on the light emitted from the semiconductor light emitting element 30 toward the translucent surface 46 is reduced. can. Therefore, it is possible to suppress the decrease in the light output of the semiconductor light emitting device 1 due to the reflected light from the resin side surface 44 .

（９）透光面４６と樹脂側面４３Ａ，４３Ｂとを接続する接続面４７Ａ，４７Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚにおいて樹脂天面４０ｓから基板１０に向かうにつれて第２方向ｙに傾斜している傾斜面を有する。この構成によれば、樹脂層８４０のモールド成型時におけるモールド成型の金型が抜き勾配を有するため、金型が樹脂層８４０から抜き易くなる。 (9) The connection surfaces 47A and 47B connecting the translucent surface 46 and the resin side surfaces 43A and 43B are inclined in the second direction y from the resin top surface 40s toward the substrate 10 in the thickness direction z. have a face. According to this configuration, the mold for molding the resin layer 840 has a draft, so that the mold can be easily removed from the resin layer 840 .

（１０）接続面４７Ａ，４７Ｂと樹脂天面４０ｓとは、湾曲面４８Ｃ，４８Ｄによって接続されている。この構成によれば、樹脂層８４０のモールド成型時において、モールド成型の金型が樹脂層８４０から抜き易くなる。 (10) The connecting surfaces 47A, 47B and the resin top surface 40s are connected by curved surfaces 48C, 48D. According to this configuration, when the resin layer 840 is molded, the mold for molding can be easily removed from the resin layer 840 .

（１１）透光面４６は、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の樹脂側面４３の一部に形成されている。この構成によれば、透光面４６が樹脂側面４３の全体にわたり形成される構成と比較して、樹脂層８４０をモールド成型するときに抜き勾配を０°で透光面４６を形成する場合に金型を抜き易くなる。 (11) The translucent surface 46 is formed on a part of the resin side surface 43 of the sealing resin 40 in the second direction y. According to this configuration, compared to the configuration in which the light-transmitting surface 46 is formed over the entire resin side surface 43, when the resin layer 840 is molded, the light-transmitting surface 46 is formed with a draft angle of 0°. Easier to remove the mold.

（変更例）
上記実施形態は本開示に関する半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。(Change example)
The above-described embodiments are examples of possible forms of the semiconductor light emitting device and the method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and are not intended to limit the forms. A semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure may take forms different from those exemplified in the above embodiments. One example is a form in which part of the configuration of the above embodiment is replaced, changed, or omitted, or a form in which a new configuration is added to the above embodiment. Each of the following modifications can be combined with each other as long as there is no technical contradiction.

・上記実施形態において、半導体発光装置１は、複数の半導体発光素子３０を備えていてもよい。複数の半導体発光素子３０は、第１方向ｘにおいて互いに揃った状態で第２方向ｙにおいて互いに離間するように素子実装部２１ａに実装されている。複数の半導体発光素子３０はそれぞれ、接続部材６０によって第２配線部２２～第５配線部２５のいずれかに電気的に接続されている。 - In the above embodiment, the semiconductor light emitting device 1 may include a plurality of semiconductor light emitting elements 30 . The plurality of semiconductor light emitting elements 30 are mounted on the element mounting portion 21a so as to be aligned in the first direction x and separated from each other in the second direction y. Each of the plurality of semiconductor light emitting elements 30 is electrically connected to one of the second wiring portion 22 to the fifth wiring portion 25 by a connecting member 60 .

・上記実施形態において、半導体発光素子３０の構成は任意に変更可能である。一例では、半導体発光素子３０は、複数の発光部位を素子内部に有する、所謂マルチチャンネル式の半導体発光素子であってもよい。この場合、たとえば厚さ方向ｚから視た半導体発光素子３０の形状は、第２方向ｙが長辺方向となり、第１方向ｘが短辺方向となる矩形状である。 - In the above embodiment, the configuration of the semiconductor light emitting device 30 can be arbitrarily changed. In one example, the semiconductor light emitting device 30 may be a so-called multi-channel semiconductor light emitting device having a plurality of light emitting parts inside the device. In this case, for example, the shape of the semiconductor light emitting element 30 viewed from the thickness direction z is a rectangular shape in which the second direction y is the long side direction and the first direction x is the short side direction.

・上記実施形態において、基板１０の基板側面１４に対する封止樹脂４０の樹脂側面４４の位置は任意に変更可能である。一例では、図１５に示すように、封止樹脂４０の樹脂側面４４と基板１０の基板側面１４とが面一であってもよい。この場合の樹脂側面４４の形成方法は、例えば図１６に示すように、一点鎖線により示す切断領域ＣＬが樹脂層８４０の樹脂側面８４４よりも内側に位置している。そして、ダイシングブレードによって切断領域ＣＬに沿って樹脂層８４０及び基材８１０を切断することによって、図１５に示す封止樹脂４０の樹脂側面４４と基板１０の基板側面１４とが面一となる構造となる。 - In the above embodiment, the position of the resin side surface 44 of the sealing resin 40 with respect to the substrate side surface 14 of the substrate 10 can be arbitrarily changed. In one example, as shown in FIG. 15, the resin side surface 44 of the sealing resin 40 and the substrate side surface 14 of the substrate 10 may be flush with each other. In the method of forming the resin side surface 44 in this case, for example, as shown in FIG. By cutting the resin layer 840 and the base material 810 along the cutting area CL with a dicing blade, the resin side surface 44 of the sealing resin 40 and the substrate side surface 14 of the substrate 10 shown in FIG. becomes.

・上記実施形態において、配線層２０の配線部の数は任意に変更可能である。例えば、配線部の数は、半導体発光装置１に搭載可能な半導体発光素子３０の数に応じて設定されてもよい。 - In the above embodiment, the number of wiring portions of the wiring layer 20 can be changed arbitrarily. For example, the number of wiring portions may be set according to the number of semiconductor light emitting elements 30 that can be mounted on the semiconductor light emitting device 1 .

・上記実施形態では、配線層２０は第１配線部２１～第６配線部２６の６つの配線部を有していたが、これに限られない。例えば配線層２０は、２つの配線部から構成されてもよい。一例では、図１７～図１９に示すように、配線層２０は、第１配線部２１Ｘ及び第２配線部２２Ｘを有する。外部電極５０は、配線層２０の個数に対応して設けられている。すなわち、外部電極５０は、第１配線部２１Ｘに対応する第１外部電極５１Ｘ及び第２配線部２２Ｘに対応する第２外部電極５２Ｘを有する。なお、図示していないが、第１配線部２１Ｘと第１外部電極５１Ｘとは第１貫通配線によって導通しており、第２配線部２２Ｘと第２外部電極５２Ｘとは第２貫通配線によって導通している。 - In the above-described embodiment, the wiring layer 20 has six wiring portions, that is, the first wiring portion 21 to the sixth wiring portion 26, but the present invention is not limited to this. For example, the wiring layer 20 may be composed of two wiring portions. In one example, as shown in FIGS. 17 to 19, the wiring layer 20 has a first wiring portion 21X and a second wiring portion 22X. The external electrodes 50 are provided corresponding to the number of wiring layers 20 . That is, the external electrode 50 has a first external electrode 51X corresponding to the first wiring portion 21X and a second external electrode 52X corresponding to the second wiring portion 22X. Although not shown, the first wiring portion 21X and the first external electrode 51X are electrically connected by a first through wire, and the second wiring portion 22X and the second external electrode 52X are electrically connected by a second through wire. are doing.

図１７及び図１９に示すように、第１配線部２１Ｘ及び第２配線部２２Ｘは、第２方向ｙにおいて揃った状態で第１方向ｘにおいて互いに離間して配置されている。第１配線部２１Ｘは第１方向ｘにおいて基板側面１３側に位置しており、第２配線部２２Ｘは第１方向ｘにおいて基板側面１４側に位置している。第１配線部２１Ｘには半導体発光素子３０が実装されている。半導体発光素子３０のアノード電極は、接続部材６０を介して第２配線部２２Ｘに接続されている。 As shown in FIGS. 17 and 19, the first wiring portion 21X and the second wiring portion 22X are aligned in the second direction y and arranged apart from each other in the first direction x. The first wiring portion 21X is located on the substrate side surface 13 side in the first direction x, and the second wiring portion 22X is located on the substrate side surface 14 side in the first direction x. A semiconductor light emitting element 30 is mounted on the first wiring portion 21X. The anode electrode of the semiconductor light emitting element 30 is connected to the second wiring portion 22X via the connection member 60. As shown in FIG.

・上記実施形態において、透光面４６と樹脂天面４０ｓとの間の湾曲面４８Ｂの大きさは任意に変更可能である。湾曲面４８Ｂは、厚さ方向ｚにおいて半導体発光素子３０よりも樹脂天面４０ｓ側に位置する範囲内で曲率半径を大きくすることができる。このため、湾曲面４８Ｂの大きさは、接続面４７Ａ，４７Ｂと樹脂天面４０ｓとの間の湾曲面４８Ｃ，４８Ｄの大きさよりも大きくしてもよい。また、湾曲面４８Ｂの大きさは、樹脂側面４４と樹脂天面４０ｓとの間の湾曲面４８Ａの大きさよりも大きくしてもよい。 - In the above embodiment, the size of the curved surface 48B between the translucent surface 46 and the resin top surface 40s can be arbitrarily changed. The curved surface 48B can have a large radius of curvature within a range positioned closer to the resin top surface 40s than the semiconductor light emitting element 30 in the thickness direction z. Therefore, the size of the curved surface 48B may be larger than the size of the curved surfaces 48C, 48D between the connection surfaces 47A, 47B and the resin top surface 40s. Also, the size of the curved surface 48B may be larger than the size of the curved surface 48A between the resin side surface 44 and the resin top surface 40s.

このような構成によれば、透光面４６と樹脂天面４０ｓとの間の湾曲面４８Ｂの大きさを大きくすることによって、モールド成型時に抜き勾配なしで透光面４６を形成したとしても封止樹脂４０を成形後に金型を封止樹脂４０から離間し易くなる。 With such a configuration, by increasing the size of the curved surface 48B between the translucent surface 46 and the resin top surface 40s, even if the translucent surface 46 is formed without a draft angle during molding, sealing is possible. It becomes easy to separate the mold from the sealing resin 40 after the sealing resin 40 is molded.

・上記実施形態において、湾曲面４８Ａ～４８Ｄの大きさはそれぞれ任意に変更可能である。例えば、湾曲面４８Ａ～４８Ｄの大きさのそれぞれが互いに異なってもよい。また、湾曲面４８Ａ～４８Ｄの少なくとも１つを省略してもよい。 - In the above embodiment, the sizes of the curved surfaces 48A to 48D can be changed arbitrarily. For example, the sizes of the curved surfaces 48A-48D may differ from each other. Also, at least one of the curved surfaces 48A to 48D may be omitted.

・上記実施形態において、直接的な鏡面加工によって透光面４６を形成してもよい。例えば、ダイシング加工において切削痕の凹凸を小さくできる場合がある。つまり、ダイシング加工によって樹脂側面４３を形成する際に、例えばダイシングブレードの送り量を微少としてダイシングブレードの振動を抑制することによって、切削痕の凹凸を極めて小さくできる、つまりダイシング加工面を透光面４６として利用できる。このように鏡面加工した透光面４６では、通過する光の散乱を小さくでき、光出力の低下を抑制できる。 - In the above embodiment, the translucent surface 46 may be formed by direct mirror finishing. For example, it may be possible to reduce unevenness of cutting marks in dicing. That is, when forming the resin side surface 43 by dicing, for example, by suppressing the vibration of the dicing blade by making the feeding amount of the dicing blade very small, the unevenness of the cutting marks can be made extremely small. Available as 46. The mirror-finished translucent surface 46 can reduce the scattering of light passing therethrough, thereby suppressing a decrease in light output.

・上記実施形態では、透光面４６が接続面４７Ａ，４７Ｂよりも平坦な面であったが、これに限られない。例えば、接続面４７Ａ，４７Ｂを形成する金型の面を鏡面加工された面とすることによって、接続面４７Ａ，４７Ｂを透光面４６と同様に平坦な面としてもよい。 - In the above embodiment, the translucent surface 46 is flatter than the connection surfaces 47A and 47B, but this is not the only option. For example, the connection surfaces 47A and 47B may be made flat like the translucent surface 46 by mirror-finishing the surfaces of the molds that form the connection surfaces 47A and 47B.

・上記実施形態において、厚さ方向ｚからみた封止樹脂４０の形状は任意に変更可能である。封止樹脂４０は、樹脂側面４３と樹脂側面４３よりも内側に位置する透光面４６とを有していればよい。このため、例えば図２０に示すように、厚さ方向ｚからみた封止樹脂４０の形状は上記実施形態のような凹部４５に代えて、段差状に形成されてもよい。より詳細には、図２０に示す封止樹脂４０では、第２方向ｙにおいて樹脂側面４３Ａが透光面４６よりも樹脂側面４１側に配置されている。換言すると、透光面４６は、第２方向ｙにおいて樹脂側面４３Ａよりも樹脂側面４２側に配置されている。第１方向ｘにおいて、透光面４６は、第１方向ｘにおいて樹脂側面４３Ａよりも樹脂側面４４側に配置されている。透光面４６の構成は、上記実施形態の透光面４６の構成と同じである。また樹脂側面４３Ａは樹脂側面４１と接続されており、透光面４６は樹脂側面４３Ａとは第２方向ｙの反対側において樹脂側面４２と接続されている。透光面４６と樹脂側面４３Ａとの間には、透光面４６と樹脂側面４３Ａとを接続する接続面４７が設けられている。接続面４７の構成は、上記実施形態の接続面４７Ｂの構成と同じである。このような構成によっても上記実施形態の（１）の効果が得られる。 - In the above embodiment, the shape of the sealing resin 40 viewed from the thickness direction z can be arbitrarily changed. The sealing resin 40 may have a resin side surface 43 and a translucent surface 46 located inside the resin side surface 43 . For this reason, for example, as shown in FIG. 20, the shape of the sealing resin 40 viewed from the thickness direction z may be formed in a stepped shape instead of the concave portion 45 as in the above embodiment. More specifically, in the sealing resin 40 shown in FIG. 20, the resin side surface 43A is arranged closer to the resin side surface 41 than the translucent surface 46 in the second direction y. In other words, the translucent surface 46 is arranged closer to the resin side surface 42 than the resin side surface 43A in the second direction y. In the first direction x, the translucent surface 46 is arranged closer to the resin side surface 44 than the resin side surface 43A in the first direction x. The structure of the translucent surface 46 is the same as the structure of the translucent surface 46 of the above embodiment. The resin side surface 43A is connected to the resin side surface 41, and the translucent surface 46 is connected to the resin side surface 42 on the side opposite to the resin side surface 43A in the second direction y. A connection surface 47 is provided between the translucent surface 46 and the resin side surface 43A to connect the translucent surface 46 and the resin side surface 43A. The configuration of the connection surface 47 is the same as the configuration of the connection surface 47B of the above embodiment. With such a configuration, the effect (1) of the above embodiment can be obtained.

・上記実施形態において、封止樹脂４０から凹部４５を省略してもよい。この場合、封止樹脂４０の樹脂側面４３が半導体発光素子３０の光が通過する透光面を構成する。樹脂側面４３は、樹脂層８４０を形成するモールド成型の金型における鏡面加工された面によって形成された平滑面である。この構成によれば、上記実施形態の（１）の効果が得られる。 - In the above embodiment, the recess 45 may be omitted from the sealing resin 40 . In this case, the resin side surface 43 of the sealing resin 40 constitutes a translucent surface through which light from the semiconductor light emitting element 30 passes. The resin side surface 43 is a smooth surface formed by a mirror-finished surface of the mold for molding the resin layer 840 . According to this configuration, the effect (1) of the above embodiment can be obtained.

・上記実施形態において、配線層２０の構成は任意に変更可能である。一例では、配線層２０は、金属板からなるリードフレームによって構成されてもよい。 - In the above embodiment, the configuration of the wiring layer 20 can be arbitrarily changed. In one example, the wiring layer 20 may be configured by a lead frame made of a metal plate.

・上記実施形態の半導体発光装置１は、基板１０の基板裏面１０ｒに外部電極５０が形成される表面実装型であったが、これに限られない。例えば、半導体発光装置１は、外部電極５０を構成する端子（図示略）が基板１０又は封止樹脂４０の側方から突出した構成であってもよい。 - Although the semiconductor light emitting device 1 of the above embodiment is a surface mount type in which the external electrode 50 is formed on the substrate rear surface 10r of the substrate 10, it is not limited to this. For example, the semiconductor light emitting device 1 may have a configuration in which a terminal (not shown) forming the external electrode 50 protrudes from the side of the substrate 10 or the sealing resin 40 .

・上記実施形態の半導体発光装置１の製造方法において、スパッタリング法によって配線層２０及び外部電極５０の少なくとも一方を形成してもよい。 - In the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device 1 of the above embodiment, at least one of the wiring layer 20 and the external electrode 50 may be formed by a sputtering method.

・上記実施形態の半導体発光装置１の製造方法では、樹脂層８４０が２つの半導体発光素子３０（２つの配線層２０）の封止樹脂４０を形成するように基材８１０にモールド成型されていたが、これに限られない。例えば図２１に示すように、樹脂層８４０は、４つの半導体発光素子３０（４つの配線層２０）を覆うように基材８１０にモールド成型されてもよい。詳細には、図２１の樹脂層８４０では、樹脂側面８４３と同様の形状として樹脂側面８４４が設けられている。樹脂側面８４４は、第２方向ｙにおいて互いに離間した状態で配置されており、第２方向ｙにおいて同じ方向を向く樹脂側面８４４Ａ，８４４Ｂ，８４４Ｃを有する。樹脂側面８４４Ｂは、第２方向ｙにおいて樹脂側面８４４Ａと樹脂側面８４４Ｃとの間に配置されている。樹脂側面８４４Ａは樹脂側面８４４Ｂよりも樹脂側面８４１側に配置されており、樹脂側面８４４Ｃは樹脂側面８４４Ｂよりも樹脂側面８４２側に配置されている。樹脂層８４０において第１方向ｘの樹脂側面８４４側の部分には、２つの凹部８４５Ｃ，８４５Ｄが設けられている。凹部８４５Ｃ，８４５Ｄは、第２方向ｙにおいて互いに離間した状態で設けられている。凹部８４５Ｃは樹脂側面８４４Ａと樹脂側面８４４Ｂとの第２方向ｙの間に設けられており、凹部８４５Ｄは樹脂側面８４４Ｂと樹脂側面８４４Ｃとの第２方向ｙの間に設けられている。 - In the method for manufacturing the semiconductor light emitting device 1 of the above embodiment, the resin layer 840 is molded on the base material 810 so as to form the sealing resin 40 of the two semiconductor light emitting elements 30 (two wiring layers 20). However, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 21, the resin layer 840 may be molded on the base material 810 so as to cover the four semiconductor light emitting elements 30 (four wiring layers 20). Specifically, the resin layer 840 of FIG. 21 is provided with a resin side surface 844 having the same shape as the resin side surface 843 . The resin side surfaces 844 are spaced apart from each other in the second direction y, and have resin side surfaces 844A, 844B, and 844C facing the same direction in the second direction y. The resin side surface 844B is arranged between the resin side surface 844A and the resin side surface 844C in the second direction y. The resin side surface 844A is arranged closer to the resin side surface 841 than the resin side surface 844B, and the resin side surface 844C is arranged closer to the resin side surface 842 than the resin side surface 844B. Two recesses 845C and 845D are provided in a portion of the resin layer 840 on the side of the resin side surface 844 in the first direction x. The recesses 845C and 845D are provided in a state separated from each other in the second direction y. The recess 845C is provided between the resin side surfaces 844A and 844B in the second direction y, and the recess 845D is provided between the resin side surfaces 844B and 844C in the second direction y.

ダイシング工程では、ダイシングブレードによって図２１の一点鎖線で示す切断領域ＣＬに沿って樹脂層８４０及び基材８１０を切断する。これにより、４つの半導体発光装置１に個片化される。 In the dicing step, a dicing blade cuts the resin layer 840 and the base material 810 along the cutting area CL indicated by the dashed line in FIG. As a result, the four semiconductor light emitting devices 1 are singulated.

この構成によれば、樹脂層８４０が２つの半導体発光素子３０（２つの配線層２０）の封止樹脂４０を形成するように基材８１０にモールド成型された構成と比較して、半導体発光装置１を個片化するためのダイシング加工の回数を減らすことができる。 According to this configuration, the semiconductor light emitting device is compared with the configuration in which the resin layer 840 is molded on the base material 810 so as to form the sealing resin 40 of the two semiconductor light emitting elements 30 (two wiring layers 20). It is possible to reduce the number of dicing processes for singulating 1.

（付記）
次に、上記実施形態及び上記各変更例から把握できる技術的思想について説明する。(Appendix)
Next, technical ideas that can be grasped from the above-described embodiment and each modification will be described.

（付記１）
厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に形成された配線層と、
前記配線層に実装されており、前記厚さ方向と交差する方向に出射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を備えた半導体発光装置であって、
前記封止樹脂は、前記半導体発光素子の光の出射方向と交差する樹脂側面として、
前記半導体発光素子の光が通過する透光面と、
前記透光面と同じ側を向き、かつ切削痕が形成されたダイシング側面と、
を有し、
前記封止樹脂のうちの前記半導体発光素子と前記透光面との間、及び前記透光面が透光性の樹脂からなり、
前記半導体発光素子の出射方向に沿う方向を第１方向とすると、
前記厚さ方向からみて、前記第１方向において、前記透光面は、前記ダイシング側面よりも前記半導体発光素子側に位置している半導体発光装置。(Appendix 1)
a substrate having a main surface and a back surface facing opposite to each other in the thickness direction;
a wiring layer formed on the main surface of the substrate;
a semiconductor light emitting element mounted on the wiring layer and emitting light in a direction intersecting with the thickness direction;
a sealing resin that seals the semiconductor light emitting element;
A semiconductor light emitting device comprising
The sealing resin has a resin side surface that intersects with the light emitting direction of the semiconductor light emitting element,
a translucent surface through which light from the semiconductor light emitting element passes;
A dicing side surface facing the same side as the light-transmitting surface and having a cutting mark formed thereon;
has
Between the semiconductor light emitting element and the translucent surface of the sealing resin and the translucent surface are made of translucent resin,
Assuming that a direction along the emission direction of the semiconductor light emitting element is a first direction,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the translucent surface is located closer to the semiconductor light emitting element than the dicing side surface in the first direction when viewed from the thickness direction.

（付記２）
前記透光面は、前記厚さ方向に沿って延びており、前記出射方向と直交する付記１に記載の半導体発光装置。(Appendix 2)
The semiconductor light-emitting device according to appendix 1, wherein the light-transmitting surface extends along the thickness direction and is orthogonal to the emission direction.

（付記３）
前記透光面は、鏡面加工された平滑面である付記１又は付記２に記載の半導体発光装置。(Appendix 3)
The semiconductor light-emitting device according to appendix 1 or appendix 2, wherein the translucent surface is a mirror-finished smooth surface.

（付記４）
前記透光面は、前記ダイシング側面よりも平坦な面である付記１～付記３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 4)
3. The semiconductor light emitting device according to any one of appendices 1 to 3, wherein the translucent surface is flatter than the dicing side surface.

（付記５）
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記基板主面から離間して配置されるとともに前記基板主面と同じ側を向く樹脂天面を有し、
前記透光面と前記樹脂天面とは、湾曲面によって接続されている付記１～付記４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 5)
The sealing resin has a resin top surface that is spaced apart from the main surface of the substrate in the thickness direction and faces the same side as the main surface of the substrate,
5. The semiconductor light emitting device according to any one of appendices 1 to 4, wherein the translucent surface and the resin top surface are connected by a curved surface.

（付記６）
前記半導体発光素子は、前記厚さ方向に反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
前記素子主面は、前記樹脂天面と同じ側を向いており、
前記透光面は、前記厚さ方向において前記基板主面から前記素子主面よりも離れた位置まで形成されている付記５に記載の半導体発光装置。(Appendix 6)
The semiconductor light emitting device has an element main surface and an element back surface facing opposite sides in the thickness direction,
The element main surface faces the same side as the resin top surface,
6. The semiconductor light-emitting device according to claim 5, wherein the translucent surface extends from the main surface of the substrate to a position apart from the main surface of the element in the thickness direction.

（付記７）
前記半導体発光素子は、前記透光面と隣接するように配置されている付記１～付記６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 7)
7. The semiconductor light-emitting device according to any one of appendices 1 to 6, wherein the semiconductor light-emitting element is arranged so as to be adjacent to the light-transmitting surface.

（付記８）
前記第１方向において、前記樹脂側面のうちの前記透光面とは反対側の樹脂側面は、前記厚さ方向に対して傾斜している傾斜面を有する付記１～付記７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 8)
7. Any one of appendices 1 to 7, wherein, in the first direction, the resin side surface opposite to the light-transmitting surface among the resin side surfaces has an inclined surface that is inclined with respect to the thickness direction. 2. The semiconductor light emitting device according to .

（付記９）
前記第１方向において、前記樹脂側面のうちの前記透光面とは反対側の樹脂側面は、前記ダイシング側面からなる付記１～付記７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 9)
8. The semiconductor light emitting device according to any one of appendices 1 to 7, wherein, in the first direction, a resin side surface opposite to the light transmitting surface among the resin side surfaces is the dicing side surface.

（付記１０）
前記厚さ方向からみて、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第２方向において、前記透光面の両側には、前記ダイシング側面が配置されている付記１～付記９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 10)
Assuming that a direction orthogonal to the first direction as viewed from the thickness direction is a second direction,
10. The semiconductor light emitting device according to any one of appendices 1 to 9, wherein the dicing side surfaces are arranged on both sides of the light transmitting surface in the second direction.

（付記１１）
前記封止樹脂は、前記透光面の両側の前記ダイシング側面と前記透光面とを前記第１方向において接続する接続面を有し、
前記接続面は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて前記第２方向に向けて傾斜している傾斜面を有する付記１０に記載の半導体発光装置。(Appendix 11)
The sealing resin has a connection surface that connects the dicing side surfaces on both sides of the light-transmitting surface and the light-transmitting surface in the first direction,
11. The semiconductor light emitting device according to appendix 10, wherein the connection surface has an inclined surface that is inclined in the second direction toward the substrate in the thickness direction.

（付記１２）
前記透光面は、前記接続面よりも平坦な面である付記１１に記載の半導体発光装置。(Appendix 12)
12. The semiconductor light emitting device according to appendix 11, wherein the translucent surface is flatter than the connection surface.

（付記１３）
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記基板主面から離間して配置されるとともに前記基板主面と同じ側を向く樹脂天面を有し、
前記接続面と前記樹脂天面とは、湾曲面によって接続されている付記１１又は付記１２に記載の半導体発光装置。(Appendix 13)
The sealing resin has a resin top surface that is spaced apart from the main surface of the substrate in the thickness direction and faces the same side as the main surface of the substrate,
13. The semiconductor light-emitting device according to Appendix 11 or 12, wherein the connecting surface and the resin top surface are connected by a curved surface.

（付記１４）
前記半導体発光装置は、前記半導体発光装置の外部と前記半導体発光素子とを電気的に接続するための外部端子を有し、
前記外部端子は、前記基板裏面に設けられている付記１～付記１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。(Appendix 14)
The semiconductor light emitting device has an external terminal for electrically connecting the outside of the semiconductor light emitting device and the semiconductor light emitting element,
14. The semiconductor light emitting device according to any one of appendices 1 to 13, wherein the external terminal is provided on the back surface of the substrate.

（付記１５）
基板に配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層に半導体発光素子を実装する素子実装工程と、
前記半導体発光素子を封止する透光性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層をダイシング加工することによって前記樹脂層にダイシング側面を形成するダイシング工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法であって、
前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層は、厚さ方向からみて、前記半導体発光素子の光が通過する透光面が内側に位置するように凹部が形成され、
前記半導体発光素子の出射方向に沿う方向を第１方向とし、前記厚さ方向からみて前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記ダイシング工程では、前記樹脂層のうちの前記第１方向において前記透光面よりも前記半導体発光素子とは反対側に突出する部分を前記第２方向に沿って切断することによって前記ダイシング側面を形成する半導体発光装置の製造方法。(Appendix 15)
a wiring layer forming step of forming a wiring layer on the substrate;
an element mounting step of mounting a semiconductor light emitting element on the wiring layer;
a resin layer forming step of forming a translucent resin layer that seals the semiconductor light emitting element;
a dicing step of forming a dicing side surface on the resin layer by dicing the resin layer;
A method for manufacturing a semiconductor light emitting device comprising
In the resin layer forming step, a concave portion is formed in the resin layer so that a light-transmitting surface through which light of the semiconductor light emitting element passes is positioned inside when viewed from the thickness direction,
Assuming that a direction along the emission direction of the semiconductor light emitting element is a first direction and a direction orthogonal to the first direction when viewed from the thickness direction is a second direction,
In the dicing step, a portion of the resin layer that protrudes in the first direction from the light-transmitting surface to the side opposite to the semiconductor light emitting element is cut along the second direction to form the dicing side surface. A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device to be formed.

（付記１６）
前記樹脂層形成工程では、モールド成型によって前記樹脂層が形成される付記１５に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 16)
16. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to appendix 15, wherein in the resin layer forming step, the resin layer is formed by molding.

（付記１７）
前記樹脂層形成工程では、前記厚さ方向において前記基板とは反対側に位置する樹脂天面と、前記透光面と前記樹脂天面とを接続する湾曲面とが前記樹脂層に形成される付記１６に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 17)
In the resin layer forming step, a resin top surface located on the side opposite to the substrate in the thickness direction and a curved surface connecting the translucent surface and the resin top surface are formed in the resin layer. 17. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to appendix 16.

（付記１８）
前記樹脂層形成工程において、前記透光面は、モールド成型の金型における鏡面加工された面によって形成されている付記１６又は付記１７に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 18)
18. The method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to appendix 16 or 17, wherein in the resin layer forming step, the translucent surface is formed by a mirror-finished surface of a metal mold for molding.

（付記１９）
前記樹脂層形成工程において、前記透光面を形成する金型の抜き勾配が０°である付記１６～付記１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 19)
19. The method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to any one of appendices 16 to 18, wherein, in the resin layer forming step, a mold for forming the light-transmitting surface has a draft angle of 0°.

（付記２０）
前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層のうちの前記透光面以外の樹脂側面を形成する金型の抜き勾配が０°よりも大きい付記１６～付記１９のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 20)
19. The semiconductor light emitting device according to any one of appendices 16 to 19, wherein in the resin layer forming step, a mold for forming a resin side surface other than the light transmitting surface of the resin layer has a draft angle larger than 0°. Method of manufacturing the device.

（付記２１）
前記透光面以外の前記樹脂側面を形成する金型の抜き勾配は５°である付記２０に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 21)
21. The method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to appendix 20, wherein the mold for forming the resin side surface other than the light-transmitting surface has a draft angle of 5 degrees.

（付記２２）
前記ダイシング工程では、前記樹脂層の樹脂側面のうちの前記第１方向において前記透光面とは反対側の樹脂側面を切断しない付記１５～付記２１のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。(Appendix 22)
22. The semiconductor light-emitting device according to any one of appendices 15 to 21, wherein, in the dicing step, a resin side surface of the resin layer opposite to the light-transmitting surface in the first direction is not cut. Production method.

（付記２３）
厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、前記基板主面に形成された配線層と、前記配線層に実装されており、前記厚さ方向と交差する方向に出射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備えた半導体発光装置であって、前記封止樹脂は、前記出射方向と交差する樹脂側面として、前記半導体発光素子の光が通過する透光面を有し、前記封止樹脂のうちの前記半導体発光素子と前記透光面との間、及び前記透光面が透光性の樹脂からなり、前記透光面は、鏡面加工された平滑面である、半導体発光装置。(Appendix 23)
a substrate having a substrate main surface and a substrate back surface facing opposite sides in the thickness direction; a wiring layer formed on the substrate main surface; A semiconductor light-emitting device comprising: a semiconductor light-emitting element for emitting light; and a sealing resin for sealing the semiconductor light-emitting element, wherein the sealing resin serves as a resin side surface that intersects with the light emitting direction. of the sealing resin between the semiconductor light-emitting element and the light-transmitting surface, and the light-transmitting surface is made of a translucent resin, and the light-transmitting surface is a semiconductor light-emitting device having a mirror-finished smooth surface.

（付記２４）
基板に配線層を形成する配線層形成工程と、前記配線層に半導体発光素子を実装する素子実装工程と、前記半導体発光素子を封止する透光性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層をダイシング加工することによって前記樹脂層に、前記半導体発光素子の光が通過する透光面と、前記透光面とは異なる樹脂側面であるダイシング側面とを形成するダイシング工程と、を備えた半導体発光装置の製造方法であって、前記ダイシング工程において、前記透光面を形成するときのダイシングブレードの送り量を、前記ダイシング側面を形成するときの前記ダイシングブレードの送り量よりも少なくする、半導体発光装置の製造方法。(Appendix 24)
A wiring layer forming step of forming a wiring layer on a substrate, an element mounting step of mounting a semiconductor light emitting element on the wiring layer, and a resin layer forming step of forming a translucent resin layer sealing the semiconductor light emitting element. a dicing step of forming a light-transmitting surface through which light from the semiconductor light emitting element passes and a dicing side surface, which is a resin side surface different from the light-transmitting surface, in the resin layer by dicing the resin layer; wherein, in the dicing step, the feed amount of the dicing blade when forming the light-transmitting surface is larger than the feed amount of the dicing blade when forming the dicing side surface A method for manufacturing a semiconductor light-emitting device that reduces

１…半導体発光装置
１０…基板
１０ｓ…基板主面
１０ｒ…基板裏面
２０…配線層
３０…半導体発光素子
３０ｓ…素子主面
３０ｒ…素子裏面
４０…封止樹脂
４０ｓ…樹脂天面
４１，４２，４３Ａ，４３Ｂ…樹脂側面（ダイシング側面）
４４…樹脂側面（透光面とは反対側の樹脂側面）
４５…凹部
４６…透光面
４７，４７Ａ，４７Ｂ…接続面
４８…湾曲面
５０…外部電極（外部端子）
８４０…樹脂層
８４０ｓ…樹脂天面
８４５Ａ，８４５Ｂ，８４５Ｃ，８４５Ｄ…凹部
ｘ…第１方向
ｙ…第２方向
ｚ…厚さ方向DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor light-emitting device 10... Substrate 10s... Substrate main surface 10r... Substrate back surface 20... Wiring layer 30... Semiconductor light-emitting element 30s... Element main surface 30r... Element back surface 40... Sealing resin 40s... Resin top surface 41, 42, 43A , 43B... resin side (dicing side)
44... Resin side surface (resin side surface opposite to the translucent surface)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 45... Recessed part 46... Translucent surface 47, 47A, 47B... Connection surface 48... Curved surface 50... External electrode (external terminal)
840... Resin layer 840s... Resin top surface 845A, 845B, 845C, 845D... Recess x... First direction y... Second direction z... Thickness direction

Claims (20)

厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に形成された配線層と、
前記配線層に実装されており、前記厚さ方向と交差する方向に出射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を備えた半導体発光装置であって、
前記封止樹脂は、前記半導体発光素子の光の出射方向と交差する樹脂側面として、
前記半導体発光素子の光が通過する透光面と、
前記透光面と同じ側を向き、かつ切削痕が形成されたダイシング側面と、
を有し、
前記封止樹脂のうちの前記半導体発光素子と前記透光面との間、及び前記透光面が透光性の樹脂からなり、
前記半導体発光素子の出射方向に沿う方向を第１方向とすると、
前記厚さ方向からみて、前記第１方向において、前記透光面は、前記ダイシング側面よりも前記半導体発光素子側に位置している
半導体発光装置。a substrate having a main surface and a back surface facing opposite to each other in the thickness direction;
a wiring layer formed on the main surface of the substrate;
a semiconductor light emitting element mounted on the wiring layer and emitting light in a direction intersecting with the thickness direction;
a sealing resin that seals the semiconductor light emitting element;
A semiconductor light emitting device comprising
The sealing resin has a resin side surface that intersects with the light emitting direction of the semiconductor light emitting element,
a translucent surface through which light from the semiconductor light emitting element passes;
A dicing side surface facing the same side as the light-transmitting surface and having a cutting mark formed thereon;
has
Between the semiconductor light emitting element and the translucent surface of the sealing resin and the translucent surface are made of translucent resin,
Assuming that a direction along the emission direction of the semiconductor light emitting element is a first direction,
A semiconductor light-emitting device, wherein the light-transmitting surface is located closer to the semiconductor light-emitting element than the dicing side surface in the first direction when viewed from the thickness direction. 前記透光面は、前記厚さ方向に沿って延びており、前記出射方向と直交する
請求項１に記載の半導体発光装置。The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the light-transmitting surface extends along the thickness direction and is orthogonal to the emission direction. 前記透光面は、鏡面加工された平滑面である
請求項１又は２に記載の半導体発光装置。3. The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the translucent surface is a mirror-finished smooth surface. 前記透光面は、前記ダイシング側面よりも平坦な面である
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the translucent surface is flatter than the dicing side surface. 前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記基板主面から離間して配置されるとともに前記基板主面と同じ側を向く樹脂天面を有し、
前記透光面と前記樹脂天面とは、湾曲面によって接続されている
請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。The sealing resin has a resin top surface that is spaced apart from the main surface of the substrate in the thickness direction and faces the same side as the main surface of the substrate,
5. The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the translucent surface and the resin top surface are connected by a curved surface. 前記半導体発光素子は、前記厚さ方向に反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
前記素子主面は、前記樹脂天面と同じ側を向いており、
前記透光面は、前記厚さ方向において前記基板主面から前記素子主面よりも離れた位置まで形成されている
請求項５に記載の半導体発光装置。The semiconductor light emitting device has an element main surface and an element back surface facing opposite sides in the thickness direction,
The element main surface faces the same side as the resin top surface,
6. The semiconductor light-emitting device according to claim 5, wherein the light-transmitting surface extends from the main surface of the substrate to a position apart from the main surface of the element in the thickness direction. 前記半導体発光素子は、前記透光面と隣接するように配置されている
請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。7. The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein said semiconductor light-emitting element is arranged adjacent to said translucent surface. 前記第１方向において、前記樹脂側面のうちの前記透光面とは反対側の樹脂側面は、前記厚さ方向に対して傾斜している傾斜面を有する
請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。8. The resin side surface of the resin side surface opposite to the light transmitting surface in the first direction has an inclined surface that is inclined with respect to the thickness direction. 2. The semiconductor light emitting device according to . 前記第１方向において、前記樹脂側面のうちの前記透光面とは反対側の樹脂側面は、前記ダイシング側面からなる
請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。8. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein, in the first direction, one of the resin side surfaces opposite to the light transmitting surface is the dicing side surface. 前記厚さ方向からみて、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第２方向において、前記透光面の両側には、前記ダイシング側面が配置されている
請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。Assuming that a direction orthogonal to the first direction as viewed from the thickness direction is a second direction,
10. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the dicing side surfaces are arranged on both sides of the light transmitting surface in the second direction. 前記封止樹脂は、前記透光面の両側の前記ダイシング側面と前記透光面とを前記第１方向において接続する接続面を有し、
前記接続面は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて前記第２方向に向けて傾斜している傾斜面を有する
請求項１０に記載の半導体発光装置。The sealing resin has a connection surface that connects the dicing side surfaces on both sides of the light-transmitting surface and the light-transmitting surface in the first direction,
11. The semiconductor light-emitting device according to claim 10, wherein said connection surface has an inclined surface inclined in said second direction toward said substrate in said thickness direction. 前記透光面は、前記接続面よりも平坦な面である
請求項１１に記載の半導体発光装置。The semiconductor light-emitting device according to claim 11, wherein the translucent surface is flatter than the connection surface. 前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記基板主面から離間して配置されるとともに前記基板主面と同じ側を向く樹脂天面を有し、
前記接続面と前記樹脂天面とは、湾曲面によって接続されている
請求項１１又は１２に記載の半導体発光装置。The sealing resin has a resin top surface that is spaced apart from the main surface of the substrate in the thickness direction and faces the same side as the main surface of the substrate,
13. The semiconductor light emitting device according to claim 11, wherein said connection surface and said resin top surface are connected by a curved surface. 前記半導体発光装置は、前記半導体発光装置の外部と前記半導体発光素子とを電気的に接続するための外部端子を有し、
前記外部端子は、前記基板裏面に設けられている
請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。The semiconductor light emitting device has an external terminal for electrically connecting the outside of the semiconductor light emitting device and the semiconductor light emitting element,
The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 13, wherein the external terminal is provided on the back surface of the substrate. 基板に配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層に半導体発光素子を実装する素子実装工程と、
前記半導体発光素子を封止する透光性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層をダイシング加工することによって前記樹脂層にダイシング側面を形成するダイシング工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法であって、
前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層は、厚さ方向からみて、前記半導体発光素子の光が通過する透光面が内側に位置するように凹部が形成され、
前記半導体発光素子の出射方向に沿う方向を第１方向とし、前記厚さ方向からみて前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記ダイシング工程では、前記樹脂層のうちの前記第１方向において前記透光面よりも前記半導体発光素子とは反対側に突出する部分を前記第２方向に沿って切断することによって前記ダイシング側面を形成する
半導体発光装置の製造方法。a wiring layer forming step of forming a wiring layer on the substrate;
an element mounting step of mounting a semiconductor light emitting element on the wiring layer;
a resin layer forming step of forming a translucent resin layer that seals the semiconductor light emitting element;
a dicing step of forming a dicing side surface on the resin layer by dicing the resin layer;
A method for manufacturing a semiconductor light emitting device comprising
In the resin layer forming step, a concave portion is formed in the resin layer so that a light-transmitting surface through which light of the semiconductor light emitting element passes is positioned inside when viewed from the thickness direction,
Assuming that a direction along the emission direction of the semiconductor light emitting element is a first direction and a direction orthogonal to the first direction when viewed from the thickness direction is a second direction,
In the dicing step, a portion of the resin layer that protrudes in the first direction from the light-transmitting surface to the side opposite to the semiconductor light-emitting element is cut along the second direction to form the dicing side surface. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device. 前記樹脂層形成工程では、モールド成型によって前記樹脂層が形成される
請求項１５に記載の半導体発光装置の製造方法。16. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 15, wherein in said resin layer forming step, said resin layer is formed by molding. 前記樹脂層形成工程では、前記厚さ方向において前記基板とは反対側に位置する樹脂天面と、前記透光面と前記樹脂天面とを接続する湾曲面とが前記樹脂層に形成される
請求項１６に記載の半導体発光装置の製造方法。In the resin layer forming step, a resin top surface located on the side opposite to the substrate in the thickness direction and a curved surface connecting the translucent surface and the resin top surface are formed in the resin layer. 17. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 16. 前記樹脂層形成工程において、前記透光面は、モールド成型の金型における鏡面加工された面によって形成されている
請求項１６又は１７に記載の半導体発光装置の製造方法。18. The method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to claim 16, wherein in said resin layer forming step, said translucent surface is formed by a mirror-finished surface of a metal mold for molding. 前記樹脂層形成工程において、前記透光面を形成する金型の抜き勾配が０°である
請求項１６～１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。19. The method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to claim 16, wherein in said resin layer forming step, a mold for forming said transparent surface has a draft angle of 0°. 前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層のうちの前記透光面以外の樹脂側面を形成する金型の抜き勾配が０°よりも大きい
請求項１６～１９のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。20. The semiconductor light emitting device according to any one of claims 16 to 19, wherein in said resin layer forming step, a mold for forming a resin side surface of said resin layer other than said light transmitting surface has a draft angle larger than 0°. Method of manufacturing the device.
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