JP7288834B2 - Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method - Google Patents

Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.

近年、ディスプレイの一種として、有機材料の電界発光を用いた有機EL素子を備えた有機EL装置が注目を集めている。かかる有機EL装置の製造の際には、成膜室を有する成膜装置において、基板上に金属電極材料や有機材料などの成膜材料を付着させて成膜を行う工程がある。 2. Description of the Related Art In recent years, as a type of display, an organic EL device having an organic EL element using electroluminescence of an organic material has been attracting attention. When manufacturing such an organic EL device, there is a step of depositing a film forming material such as a metal electrode material or an organic material on a substrate in a film forming apparatus having a film forming chamber.

成膜装置の成膜室内では、容器内に収容された蒸着材料を加熱したり、ターゲットにスパッタリングを行ったりすることで、成膜材料を飛翔させて基板に付着させて、基板上に膜を形成する。その際、均一な膜を形成する等の目的から、成膜室内で基板を回転させながら成膜を行う場合がある。また、成膜室内が高温となる場合に、成膜室内で基板を支持する部材の内部に冷却液が入る空間を設けておき、当該空間と成膜室の外部の間で冷却液を循環させることで、基板を冷却して成膜材料の品質劣化を防止する場合がある。 In the film forming chamber of the film forming apparatus, the vapor deposition material contained in the container is heated and the target is sputtered to cause the film forming material to fly and adhere to the substrate, thereby forming a film on the substrate. Form. At that time, for the purpose of forming a uniform film, etc., the film formation may be performed while rotating the substrate in the film formation chamber. In addition, when the inside of the film formation chamber becomes hot, a space is provided inside the member that supports the substrate in the film formation chamber to receive the cooling liquid, and the cooling liquid is circulated between the space and the outside of the film formation chamber. Thus, the substrate may be cooled to prevent quality deterioration of the deposition material.

特許文献1(特開2006-336034号公報)には、真空の成膜室内で基板を回転させながら成膜する装置が開示されている。この装置では、成膜室の内部と外部を貫通するように回転体が配置されている。回転体の成膜室内部側の端部には、内部に流体路が形成された基板ホルダが設けられており、回転体の回転に伴って基板を回転させることができる。また回転体は、成膜室の外部に配置され、成膜室に対して固定された外枠部材(筐体)により支持されている。外枠部材には、冷却液の供給口と排出口が設けられており、成膜室外部に配置された恒温槽と接続されている。また、外枠部材と回転体の間には、供給口と排出口にそれぞれ対応する位置に、環状の流体路が設けられている。 Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-336034) discloses an apparatus for forming a film while rotating a substrate in a vacuum film forming chamber. In this apparatus, a rotating body is arranged so as to pass through the interior and exterior of the film forming chamber. A substrate holder having a fluid path formed therein is provided at the end of the rotating body on the inside of the film formation chamber, so that the substrate can be rotated as the rotating body rotates. The rotating body is arranged outside the film forming chamber and supported by an outer frame member (housing) fixed to the film forming chamber. The outer frame member is provided with a cooling liquid supply port and a cooling liquid discharge port, and is connected to a constant temperature bath arranged outside the film forming chamber. Annular fluid passages are provided between the outer frame member and the rotor at positions corresponding to the supply port and the discharge port, respectively.

特許文献1では、このようなロータリージョイント構成により、回転体が回転しながらでも、成膜室外部の恒温槽と基板ホルダ内部の流体路の間での冷却液の循環が可能となっている。すなわち、恒温槽から外枠部材の供給口に供給された冷却液は、環状流体路を経て回転体内部の供給路に流入し、基板ホルダ内の流体路まで到達する。続いて冷却液は、基板ホルダ内の流体路から回転体内部の排出路に流入し、環状流体路を経て外枠部材の排出口から排出されたのち、再び恒温槽に到達する。このように、基板ホルダ内の流体路には常に温度調節された冷却液が循環しているので、成膜に好ましい基板温度を維持することができる。 In Patent Document 1, such a rotary joint configuration enables the circulation of the cooling liquid between the constant temperature bath outside the film formation chamber and the fluid passage inside the substrate holder even while the rotor rotates. That is, the coolant supplied from the constant temperature bath to the supply port of the outer frame member passes through the annular fluid path, flows into the supply path inside the rotating body, and reaches the fluid path in the substrate holder. Subsequently, the cooling liquid flows from the fluid path in the substrate holder into the discharge path inside the rotating body, passes through the annular fluid path, is discharged from the discharge port of the outer frame member, and then reaches the constant temperature bath again. In this way, the temperature-controlled cooling liquid is always circulating in the fluid path in the substrate holder, so that the substrate temperature suitable for film formation can be maintained.

特開2006-336034号公報JP 2006-336034 A

しかし、このような成膜装置においては、成膜を行っている間は基本的に、常時冷却液を循環させる必要がある。その結果、ロータリージョイントにおける各部材の接続部分において(特に回転力が作用する回転体と筐体の間から)、冷却液が漏出するという問題がある。かかる冷却液の漏れは、回転体と筐体の間に磁気シールやOリングなどのシール部材を配置したとしても、ある程度発生してしまう。冷却液としてフッ素系不活性液体などの比較的高価な材料を用いた場合、漏出による損失がコスト面に及ぼす影響が大きい。 However, in such a film forming apparatus, it is basically necessary to constantly circulate the cooling liquid during film formation. As a result, there is a problem that the cooling liquid leaks from the connection portion of each member in the rotary joint (especially from between the rotating body and the housing where the rotational force acts). Even if a sealing member such as a magnetic seal or an O-ring is arranged between the rotating body and the housing, such leakage of the coolant will occur to some extent. When a relatively expensive material such as a fluorine-based inert liquid is used as the coolant, loss due to leakage has a large impact on cost.

本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、成膜装置のロータリージョイントに用いる液体を有効に利用するための技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a technique for effectively using a liquid used in a rotary joint of a film forming apparatus.

本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜装置であって、
被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を備え、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成される成膜装置において、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記固定部に設けられたドレイン口と、
前記ドレイン口から排出されたドレイン液から不純物を除去する除去機構と、
前記除去機構から送出された前記ドレイン液を前記供給口まで供給する経路と、
を有することを特徴とする成膜装置である。

The present invention employs the following configurations. i.e.
A film forming apparatus for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber,
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
with
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
In a film forming apparatus in which a liquid channel through which a liquid flows in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a drain port provided in the fixed part;
a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid discharged from the drain port;
a path for supplying the drain liquid delivered from the removal mechanism to the supply port;
It is a film forming apparatus characterized by having

本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜方法であって、
前記成膜装置は、被成膜物を支持する被成膜物支持部、ならびに、前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部、および、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部を有するロータリージョイントを備えており、
前記固定部は、液体が供給される供給口および液体が排出される排出口を有し、前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路、および、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路を有し、前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置はさらに、前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路、前記固定部に設けられたドレイン口を有しており、
前記ドレイン口から排出されたドレイン液から不純物を除去する除去機構から送出された前記ドレイン液を前記供給口まで供給するステップを含む
ことを特徴とする成膜方法である。

The present invention also employs the following configurations. i.e.
A film forming method for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber of a film forming apparatus,
The film deposition apparatus includes a film formation target supporter that supports a film formation target, a rotating part that is connected to the deposition target supporter and rotates, and the deposition device that is provided around the rotation part. Equipped with a rotary joint having a fixed part fixed to the membrane chamber,
The fixed portion has a supply port through which liquid is supplied and a discharge port through which liquid is discharged, and the rotating portion is a supply flow that supplies the liquid supplied from the supply port to the film-forming object supporting portion. and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film-forming object supporting portion to the discharge port, wherein the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, and the discharge flow A liquid channel is formed in which the liquid flows in the order of the channel and the outlet,
The film forming apparatus further includes a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port, and a drain port provided in the fixed part,
The film forming method is characterized by including the step of supplying the drain liquid sent from a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid discharged from the drain port to the supply port.

本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜材料が成膜される、電子デバイスの製造方法であって、
前記成膜装置は、被成膜物を支持する被成膜物支持部、ならびに、前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部、および、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部を有するロータリージョイントを備えており、
前記固定部は、液体が供給される供給口および液体が排出される排出口を有し、前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路、および、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路を有し、前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置はさらに、前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路、前記固定部に設けられたドレイン口を有しており、
前記ドレイン口から排出されたドレイン液から不純物を除去する除去機構から送出された前記ドレイン液を前記供給口まで供給するステップを含む
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
The present invention also employs the following configurations. i.e.
A method for manufacturing an electronic device, in which a film of a film-forming material is formed on a film-forming object in a film-forming chamber of a film-forming apparatus,
The film deposition apparatus includes a film formation target supporter that supports a film formation target, a rotating part that is connected to the deposition target supporter and rotates, and the deposition device that is provided around the rotation part. Equipped with a rotary joint having a fixed part fixed to the membrane chamber,
The fixed portion has a supply port through which liquid is supplied and a discharge port through which liquid is discharged, and the rotating portion is a supply flow that supplies the liquid supplied from the supply port to the film-forming object supporting portion. and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film-forming object supporting portion to the discharge port, wherein the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, and the discharge flow A liquid channel is formed in which the liquid flows in the order of the channel and the outlet,
The film forming apparatus further includes a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port, and a drain port provided in the fixed part,
A method of manufacturing an electronic device, comprising the step of supplying the drain liquid sent from a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid discharged from the drain port to the supply port.

本発明によれば、成膜装置のロータリージョイントに用いる液体を有効に利用するための技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technique for effectively using the liquid used in the rotary joint of the film forming apparatus.

実施形態1の成膜装置の概略構成を示すブロック図1 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus according to Embodiment 1; FIG. 成膜装置に用いるロータリージョイントの構成を示す模式断面図Schematic cross-sectional view showing the configuration of a rotary joint used in a film forming apparatus 実施形態2の成膜装置の概略構成を示すブロック図FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus according to Embodiment 2; 実施形態3の成膜装置の概略構成を示すブロック図3 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus according to Embodiment 3; FIG. 背景となる技術にかかる成膜装置の概略構成を示すブロック図Block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus according to the background technology 成膜装置を含む、有機電子デバイスの製造システムを示す図A diagram showing a manufacturing system for an organic electronic device, including a film forming apparatus. 有機電子デバイスの製造方法を説明するための図A diagram for explaining a method for manufacturing an organic electronic device

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定するものではない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Preferred embodiments and examples of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely exemplify preferred configurations of the present invention, and do not limit the scope of the present invention to those configurations. In addition, unless otherwise specified, the scope of the present invention is limited only to the hardware configuration and software configuration of the apparatus, process flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc., in the following description. It's not intended.

本発明は、蒸着やスパッタリングにより被成膜物に蒸着材料の膜を形成するための、成膜装置および成膜方法、蒸着装置および蒸着方法、ならびに、電子デバイスの製造方法、などに、好ましく適用される。本発明はまた、成膜方法、蒸着方法、成膜装置または蒸着装置の制御方法や、これらの方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is preferably applied to a film-forming apparatus and a film-forming method, a vapor-depositing apparatus and a vapor-depositing method, an electronic device manufacturing method, etc. for forming a film of a vapor-depositing material on a film-forming object by vapor deposition or sputtering. be done. The present invention can also be regarded as a film forming method, a vapor deposition method, a film forming apparatus or a vapor deposition apparatus control method, a program for causing a computer to execute these methods, and a storage medium storing the program. The storage medium may be a non-transitory computer-readable storage medium.

本発明は、例えば、被成膜物である基板の表面や、基板表面に形成された別の材料の膜の上に、所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択できる。なお、被成膜物は、平板状の基板に限られない。例えば、凹凸や開口のある機械部品に成膜してもよい。また、成膜材料として、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択できる。有機膜だけではなく金属膜を成膜することも可能である。本発明の技術は、例えば、有機電子デバイス(例えば、有機EL素子を用いた有機EL装置、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。 The present invention can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) with a desired pattern on the surface of a substrate, which is an object to be deposited, or a film of another material formed on the substrate surface. Any material such as glass, resin, or metal can be selected as the material of the substrate. Note that the object to be deposited is not limited to a flat substrate. For example, a film may be formed on a machine part having irregularities or openings. Also, any material such as an organic material or an inorganic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected as a film forming material. It is possible to form not only an organic film but also a metal film. The technology of the present invention is applicable to, for example, manufacturing apparatuses for organic electronic devices (eg, organic EL devices using organic EL elements, thin-film solar cells), optical members, and the like.

以下の実施形態では、成膜装置の一例として、成膜材料として蒸発源の容器に収容された有機材料を用いる蒸着装置を挙げて説明する。 In the following embodiments, as an example of a film forming apparatus, a vapor deposition apparatus using an organic material stored in a container of an evaporation source as a film forming material will be described.

[従来の漏出液の処理]
まず、図5のブロック図を参照して、本発明の背景となる成膜装置の構成と、従来の漏出液処理方法について説明する。
成膜装置100は、概略、成膜室1、それに接続されたロータリージョイント11、冷却液80を循環させるポンプ50、ドレイン液容器70、および制御部110を備える。
詳しくは後述するが、ポンプ50は、冷却液80を循環経路51(51a)に送出し、
ロータリージョイント11の供給口31に供給する。供給された冷却液80は、回転体内部の供給流路を経由して成膜室内部に配置された基板ホルダ内に到達し、該基板ホルダ内の流路を通りながら基板を冷却する。冷却液80は、続いて、回転体内部の排出流路を経由してロータリージョイント11の排出口33から排出される。そして、循環経路51(51b)を介してポンプ50に戻る。
[Conventional treatment of leaked liquid]
First, with reference to the block diagram of FIG. 5, the configuration of the film forming apparatus that serves as the background of the present invention and the conventional leaked liquid treatment method will be described.
A film forming apparatus 100 generally includes a film forming chamber 1 , a rotary joint 11 connected thereto, a pump 50 for circulating a cooling liquid 80 , a drain liquid container 70 , and a controller 110 .
Although the details will be described later, the pump 50 sends the coolant 80 to the circulation path 51 (51a),
It is supplied to the supply port 31 of the rotary joint 11 . The supplied cooling liquid 80 reaches the inside of the substrate holder arranged inside the film formation chamber via the supply channel inside the rotating body, and cools the substrate while passing through the channel inside the substrate holder. The coolant 80 is then discharged from the discharge port 33 of the rotary joint 11 via the discharge channel inside the rotating body. Then, it returns to the pump 50 via the circulation path 51 (51b).

一方、ロータリージョイント11の各部材の接続部分、特に回転体と筐体の接続部分から漏出した冷却液80は、筐体に設けられたドレイン口37から排出され、ドレイン液81としてドレイン経路71に流出する。ドレイン液81はドレイン液容器70に収容され、適切なタイミングで回収される。このように従来、ロータリージョイントを用いる成膜装置においては、冷却液の循環経路とドレイン液の排出経路が別れており、タンクに収容されたドレイン液は別途回収されていた。 On the other hand, the cooling liquid 80 leaking from the connection portion of each member of the rotary joint 11, especially the connection portion between the rotating body and the housing, is discharged from the drain port 37 provided in the housing, and flows into the drain path 71 as the drain liquid 81. leak. The drain liquid 81 is stored in the drain liquid container 70 and collected at an appropriate timing. As described above, conventionally, in a film forming apparatus using a rotary joint, the cooling liquid circulation path and the drain liquid discharge path are separate, and the drain liquid stored in the tank is collected separately.

[実施形態1]
<成膜装置の構成>
図1および図2を参照しつつ、本実施形態にかかる成膜装置の構成を説明する。図1は、成膜装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、成膜装置に用いるロータリージョイントの構成と、成膜室内部の構成を示す模式断面図である。
[Embodiment 1]
<Configuration of deposition apparatus>
The configuration of the film forming apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a rotary joint used in the film forming apparatus and the internal structure of the film forming chamber.

成膜装置100は、概略、成膜室1、それに接続されたロータリージョイント11、冷却液80を循環させるポンプ50、ドレイン液容器70、および制御部110を備える。ドレイン液容器70は、ドレイン液81を回収し収容するタンクである。 A film forming apparatus 100 generally includes a film forming chamber 1 , a rotary joint 11 connected thereto, a pump 50 for circulating a cooling liquid 80 , a drain liquid container 70 , and a controller 110 . The drain liquid container 70 is a tank that collects and stores the drain liquid 81 .

成膜室1の内部は真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。成膜室1の内部には基板ホルダ3(被成膜物支持部)と蒸発源2が配置されている。基板ホルダ3は、搬送ロボットにより成膜室内部に搬入された基板5(被成膜物)を、マスク6とともに支持する。基板ホルダ3は、搬入された基板5およびマスク6を水平に保持する。基板ホルダ3は、基板5やマスク6を挟持するためのクランプ機構や、載置するための受け爪などの支持具を備えていることが好ましい。さらに成膜装置100は、基板5とマスク6を位置合わせして基板ホルダ3に支持させるためのアライメント機構を設けてもよい。アライメント機構としては、成膜室内部に設けられたクランプ機構や支持機構と、成膜室外部に設けられたXYθアクチュエータなどの駆動機構を用いるとよい。 The inside of the film forming chamber 1 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. A substrate holder 3 (substrate supporting portion) and an evaporation source 2 are arranged inside the film forming chamber 1 . The substrate holder 3 supports, together with the mask 6 , the substrate 5 (object to be film-formed) carried into the film-forming chamber by the transfer robot. The substrate holder 3 horizontally holds the loaded substrate 5 and mask 6 . The substrate holder 3 preferably has a clamping mechanism for clamping the substrate 5 and the mask 6 and supports such as receiving claws for mounting. Furthermore, the film forming apparatus 100 may be provided with an alignment mechanism for aligning the substrate 5 and the mask 6 and supporting them on the substrate holder 3 . As the alignment mechanism, it is preferable to use a clamp mechanism or a support mechanism provided inside the film formation chamber, and a drive mechanism such as an XYθ actuator provided outside the film formation chamber.

上述した通り、基板5としてはガラス、樹脂、金属などの任意の材料を使用できる。マスク6は、基板上に(または、先に基板5に形成された膜の上に)形成される所定の薄膜パターンに対応する開口パターンをもつマスクである。ただし、形成する膜の種類によっては、必ずしもマスク6は必要ない。成膜室内部には他に、成膜の状況を確認するための蒸着モニタを設けてもよい。 As described above, the substrate 5 can be made of any material such as glass, resin, and metal. The mask 6 is a mask having an opening pattern corresponding to a predetermined thin film pattern to be formed on the substrate (or on the film previously formed on the substrate 5). However, depending on the type of film to be formed, the mask 6 is not necessarily required. In addition, a deposition monitor may be provided inside the film formation chamber for checking the state of film formation.

本実施形態では、成膜源として蒸発源2を用いる。蒸発源2は、内部に蒸着材料を収容するための坩堝等の容器と、ヒータ等の加熱装置を備える。ヒータによって加熱された蒸着材料が飛翔して、マスク6を介して基板5に到達して堆積することにより、所定のパターンに応じた層が形成される。蒸発源2は、成膜の内容に応じて選択できる。例えば、ノズルの有無、点状や線状など蒸発源の種類、基板5と平行な面内で蒸発源を移動させる移動機構の有無など、任意のものを利用してよい。 In this embodiment, an evaporation source 2 is used as a film forming source. The evaporation source 2 includes a container such as a crucible for containing an evaporation material and a heating device such as a heater. The vapor deposition material heated by the heater flies, reaches the substrate 5 through the mask 6 and deposits thereon, thereby forming a layer according to a predetermined pattern. The evaporation source 2 can be selected according to the contents of film formation. For example, the presence or absence of a nozzle, the type of evaporation source such as point-like or linear, and the presence or absence of a movement mechanism for moving the evaporation source within a plane parallel to the substrate 5 may be used.

なお、スパッタ法により成膜を行う場合、成膜源として、ターゲットと磁石を含み、電圧印加に応じてターゲットから成膜材料を飛翔させる磁石ユニットを用いてもよい。
図示例での基板5は、成膜室1の上部に、被成膜面が重力方向に垂直となるように配置されている。そして、蒸発源2から蒸着材料が上方に飛翔する、いわゆるデポアップの構
成となっている。しかし、基板5が下方に配置されるデポダウンの構成でもよいし、基板5の被成膜面が重力方向と平行な構成でもよい。
When the film is formed by the sputtering method, a magnet unit may be used as the film forming source, which includes a target and a magnet and causes the film forming material to fly from the target in response to voltage application.
In the illustrated example, the substrate 5 is arranged in the upper part of the film forming chamber 1 so that the surface on which the film is to be formed is perpendicular to the direction of gravity. Then, the vapor deposition material flies upward from the evaporation source 2, which is a so-called deposit-up configuration. However, a deposition-down configuration in which the substrate 5 is placed downward, or a configuration in which the film formation surface of the substrate 5 is parallel to the direction of gravity may be employed.

冷却液80は、基板5を冷却するための液体である。ここでは冷却液と呼んでいるが、本発明の構成は、冷却の場合に限られず、温度維持や加熱など、液体の温度調整全般に適用できる。蒸着材料の種類にもよるが、成膜室内部は非常に高温となるため、冷却液80としては反応性が低く化学的に不活性な材料が好ましい。例えば、フルオロカーボンとも呼ばれる、炭素-フッ素結合を持つ有機フッ素化合物を好適に使用できる。有機フッ素化合物の例として、3M社のフロリナート(商標)や、ソルベイ社のガルデン(商標)などが挙げられる。ただしこれらの液体には限定されない。 The cooling liquid 80 is liquid for cooling the substrate 5 . Although referred to as a cooling liquid here, the configuration of the present invention is not limited to cooling, and can be applied to temperature control of liquids in general, such as temperature maintenance and heating. Although it depends on the type of vapor deposition material, since the inside of the film forming chamber becomes extremely hot, a chemically inert material with low reactivity is preferable as the cooling liquid 80 . For example, an organic fluorine compound having a carbon-fluorine bond, also called fluorocarbon, can be preferably used. Examples of organic fluorine compounds include Fluorinert (trademark) from 3M and Galden (trademark) from Solvay. However, it is not limited to these liquids.

制御部110は、成膜装置100の制御、例えば基板5やマスク6の搬出入およびアライメント、成膜の開始や終了のタイミング制御、温度制御を行う。本実施形態の制御部110は、流路のポンプや弁を制御することにより、冷却液の流量、流速、経路などを制御してもよい。なお、複数の制御手段を組み合わせて制御部110を構成してもよい。複数の制御手段とは、蒸発源の加熱制御手段、アライメント制御手段、搬出入制御手段などである。制御部110は、不図示の制御線により他のブロックと接続され、情報通信が可能となっている。 The control unit 110 controls the film forming apparatus 100, for example, controls the loading/unloading and alignment of the substrate 5 and the mask 6, controls the timing of starting and ending the film formation, and controls the temperature. The control unit 110 of the present embodiment may control the flow rate, flow velocity, route, etc. of the cooling liquid by controlling the pumps and valves in the flow path. Note that the control unit 110 may be configured by combining a plurality of control means. The plurality of control means includes a heating control means for the evaporation source, an alignment control means, a loading/unloading control means, and the like. The control unit 110 is connected to other blocks by control lines (not shown) to enable information communication.

制御部110は、例えば、プロセッサ、メモリ、入出力手段(I/O)、UIなどを有するコンピュータにより構成される。この場合、制御部110の機能は、メモリに保存されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部110の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。
本実施形態の成膜装置100が、成膜システムに含まれる複数の成膜装置の一つである場合、成膜装置ごとに制御部を設けてもよいし、単一の制御部が成膜システム全体を制御してもよい。
The control unit 110 is configured by, for example, a computer having a processor, memory, input/output means (I/O), UI, and the like. In this case, the functions of the control unit 110 are implemented by the processor executing the program stored in the memory. As a computer, a general-purpose computer may be used, or a built-in computer or PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, part or all of the functions of the control unit 110 may be configured with a circuit such as ASIC or FPGA.
When the film deposition apparatus 100 of the present embodiment is one of a plurality of film deposition apparatuses included in a film deposition system, a control unit may be provided for each film deposition apparatus, or a single control unit may It may control the entire system.

<ロータリージョイントの構成>
図2に示すように、ロータリージョイント11は概略、筐体30、筐体30によって外周を支持された回転体20(回転部)、成膜室内部において基板5を支持する基板ホルダ3を有する。回転体20は、成膜室1の上壁に設けられた貫通孔に挿通されており、その下端部は成膜室内部の基板ホルダ3に接続されている。回転体20は、筐体30に対して軸回りに回転可能である。成膜中に回転体20が回転することにより、共に基板ホルダ3も回転し、基板5への均一な成膜が可能になる。
<Configuration of Rotary Joint>
As shown in FIG. 2, the rotary joint 11 generally includes a housing 30, a rotating body 20 (rotating portion) whose outer periphery is supported by the housing 30, and a substrate holder 3 that supports the substrate 5 inside the deposition chamber. The rotating body 20 is inserted through a through hole provided in the upper wall of the film forming chamber 1, and its lower end is connected to the substrate holder 3 inside the film forming chamber. The rotating body 20 is rotatable about its axis with respect to the housing 30 . As the rotor 20 rotates during film formation, the substrate holder 3 also rotates, enabling uniform film formation on the substrate 5 .

一方、筐体30(固定部)は成膜室1に対して位置関係が固定されているため、回転体20とその周囲の筐体30の間にベアリング40を設けることで、回転体20がスムーズに回転するようにしている。通常、ベアリング40には潤滑性向上や摩擦防止のために、潤滑剤(グリース)が用いられている。詳しくは後述するが、グリースの材質としては、冷却液80との反応性が低いものが好ましい。これは、摺動部で漏出した冷却液80は、増ちょう剤と分離したグリースの基油(ベースオイル)と混ざってドレイン液81となるが、このドレイン液81からグリースに由来する成分を容易に除去可能とするためである。すなわち、グリースの基油は、冷却液80と接触反応を起こさず、溶け合わない、不溶性のものを用いる。例えば冷却液80が有機フッ素化合物である場合、グリースを選定する際に、基油がフッ素系のものを避けて、鉱油系のもの等を用いるとよい。また、比重差に基づいて冷却液と基油を分離する場合、両者の比重が異なるようにする。 On the other hand, since the housing 30 (fixed part) has a fixed positional relationship with respect to the film forming chamber 1, by providing the bearing 40 between the rotating body 20 and the surrounding housing 30, the rotating body 20 can be Makes it rotate smoothly. A lubricant (grease) is usually used in the bearing 40 to improve lubricity and prevent friction. Although the details will be described later, it is preferable that the material of the grease has low reactivity with the cooling liquid 80 . This is because the cooling liquid 80 leaked from the sliding portion is mixed with the thickener and the separated base oil of the grease to form a drain liquid 81, and the component derived from the grease can be easily removed from the drain liquid 81. This is to make it removable. That is, as the base oil of the grease, an insoluble one that does not cause a contact reaction with the cooling liquid 80 and does not mix with it is used. For example, when the cooling liquid 80 is an organic fluorine compound, when selecting grease, it is preferable to use a mineral oil-based grease instead of a fluorine-based base oil. Further, when the coolant and the base oil are separated based on the difference in specific gravity, the specific gravities of the two are made different.

筐体30には、冷却液80の供給口31と、環状供給流路32が設けられている。供給
口31は外部から冷却液80を導入するポートである。環状供給流路32は、筐体30の内周面に回転体20と対向するように設けられた環状の流路である。環状供給流路32は、回転体内部の供給流路22に接続されている。なお、環状供給流路32を回転体20の側に設けても構わない。かかる構成により、回転体20が回転しながらでも、供給口31から導入された冷却液80が、環状供給流路32と供給流路22を介して基板ホルダ内の流路4に到達することができる。
The housing 30 is provided with a supply port 31 for the coolant 80 and an annular supply channel 32 . The supply port 31 is a port for introducing the coolant 80 from the outside. The annular supply channel 32 is an annular channel provided on the inner peripheral surface of the housing 30 so as to face the rotating body 20 . The annular supply channel 32 is connected to the supply channel 22 inside the rotating body. Note that the annular supply channel 32 may be provided on the rotating body 20 side. With such a configuration, the cooling liquid 80 introduced from the supply port 31 can reach the flow path 4 in the substrate holder through the annular supply flow path 32 and the supply flow path 22 even while the rotating body 20 is rotating. can.

筐体30にはまた、冷却液80の排出口33と、環状排出流路34が設けられている。排出口33は外部に冷却液80を排出するポートである。環状排出流路34は、筐体30の内周面に回転体20と対向するように設けられた環状の流路である。環状排出流路34は、回転体内部の排出流路23に接続されている。なお、環状排出流路34を回転体20の側に設けても構わない。かかる構成により、回転体20が回転しながらでも、基板ホルダ内の流路4から流れてきた冷却液80が、排出流路23と環状排出流路34を介して排出口33に到達することができる。環状供給流路32、供給流路22、基板ホルダ内の流路4、排出流路23、および環状排出流路34は、まとめて、液体を供給口から排出口まで導く液体流路であると言える。 The housing 30 is also provided with an outlet 33 for the coolant 80 and an annular outlet channel 34 . The discharge port 33 is a port for discharging the coolant 80 to the outside. The annular discharge channel 34 is an annular channel provided on the inner peripheral surface of the housing 30 so as to face the rotating body 20 . The annular discharge channel 34 is connected to the discharge channel 23 inside the rotating body. Note that the annular discharge channel 34 may be provided on the rotating body 20 side. With this configuration, the cooling liquid 80 flowing from the flow path 4 in the substrate holder can reach the discharge port 33 through the discharge flow path 23 and the annular discharge flow path 34 even while the rotating body 20 is rotating. can. The annular supply channel 32, the supply channel 22, the channel 4 in the substrate holder, the discharge channel 23, and the annular discharge channel 34 are collectively considered to be liquid channels that lead the liquid from the supply port to the discharge port. I can say

環状供給流路32および環状排出流路34が位置するのは、それぞれ別の部材である筐体30と回転体20の摺動面であるため、冷却液80が摺動面に漏れ出す場合がある。筐体30と回転体20の接する面には、磁気シールやOリングなどのシール部材39が設けられているが、冷却液80の漏出を完全に防止することは難しい。
そこで、ロータリージョイント11の高さ方向における適当な位置に、ドレイン口35,37と、環状ドレイン流路36,38が設けられている。ここでは2つのドレイン口を設けたが、数はこれには限定されない。これにより、摺動面から漏出したドレイン液81が、ドレイン口35,37から外部に排出される。
Since the annular supply channel 32 and the annular discharge channel 34 are positioned on the sliding surfaces of the housing 30 and the rotating body 20, which are separate members, the coolant 80 may leak onto the sliding surfaces. be. A sealing member 39 such as a magnetic seal or an O-ring is provided on the contact surface between the housing 30 and the rotating body 20, but it is difficult to completely prevent the coolant 80 from leaking.
Therefore, drain ports 35 and 37 and annular drain channels 36 and 38 are provided at appropriate positions in the height direction of the rotary joint 11 . Although two drain ports are provided here, the number is not limited to this. As a result, the drain liquid 81 leaked from the sliding surfaces is discharged to the outside through the drain ports 35 and 37 .

なお図1では、簡潔化のために、一方のドレイン口37のみを示した。しかし、ドレイン口35からのドレイン液81をドレイン液容器70まで輸送する別の経路があると考えても良い。あるいは、ドレイン口35からのドレイン液81が、ドレイン口37からのドレイン経路に合流すると考えても良い。 Note that FIG. 1 shows only one drain port 37 for simplification. However, it may be considered that there is another route for transporting the drain liquid 81 from the drain port 35 to the drain liquid container 70 . Alternatively, it may be considered that the drain liquid 81 from the drain port 35 joins the drain path from the drain port 37 .

<本実施形態での冷却液とドレイン液の経路>
図1を参照して、本実施形態に特徴的な冷却液とドレイン液の移動について説明する。成膜装置100の動作が開始されると、制御部110は、成膜室1に基板5とマスク6を搬入してアライメントを行い、ヒータに蒸発源2を加熱させる。そして、ポンプ50を駆動して冷却液80を循環させる。
<Path of cooling liquid and drain liquid in this embodiment>
Referring to FIG. 1, movement of the cooling liquid and drain liquid, which is characteristic of this embodiment, will be described. When the operation of the film forming apparatus 100 is started, the control unit 110 carries the substrate 5 and the mask 6 into the film forming chamber 1 , aligns them, and causes the heater to heat the evaporation source 2 . Then, the pump 50 is driven to circulate the coolant 80 .

ポンプ50から循環経路51(51a)に送出された冷却液80(80a)は、供給口31に導入される。上述したように、ロータリージョイント11内部において、冷却液80は基板5の冷却に用いられる。そして、排出口33から循環経路51(51b)に冷却液80(80b)が送出される。なお、循環経路上に、冷却液80の温度を維持するための温調機構や恒温槽を設けてもよい。このように、通常、冷却液80は循環経路上で循環しながら移動している。 Coolant 80 ( 80 a ) delivered from pump 50 to circulation path 51 ( 51 a ) is introduced into supply port 31 . As described above, the coolant 80 is used to cool the substrate 5 inside the rotary joint 11 . Then, the coolant 80 (80b) is delivered from the outlet 33 to the circulation path 51 (51b). A temperature control mechanism or a constant temperature bath for maintaining the temperature of the coolant 80 may be provided on the circulation path. In this manner, the coolant 80 normally moves while circulating on the circulation path.

一方、筐体30と回転体20の摺動面などから漏出した冷却液80は、ドレイン口37から排出され、ドレイン経路71(71a)に流入してドレイン液81となる。ドレイン液81には、冷却液80の成分と不純物成分が含まれている。不純物の成分として例えば、ベアリング40などに用いられるグリースから分離した基油が挙げられる。ドレイン液81は、ドレイン液容器70に収容される。
ドレイン液81の収容をスムーズに行うために、ドレイン液容器70への流入口を、ド
レイン口37よりも垂直方向において低い位置に設けて重力による流入を可能にしてもよい。あるいは、ドレイン経路71(71a)にポンプ等の輸送機構を設けてもよい。なお、図1には示していないものの、ドレイン口35から排出されたドレイン液もドレイン液容器70に流入している。
On the other hand, the cooling liquid 80 leaking from the sliding surfaces of the housing 30 and the rotating body 20 is discharged from the drain port 37 and flows into the drain path 71 (71a) to become the drain liquid 81 . The drain liquid 81 contains the components of the cooling liquid 80 and the impurity components. An example of an impurity component is base oil separated from grease used for the bearing 40 or the like. The drain liquid 81 is contained in the drain liquid container 70 .
In order to accommodate the drain liquid 81 smoothly, the inlet to the drain liquid container 70 may be provided at a position lower than the drain port 37 in the vertical direction to allow the inflow by gravity. Alternatively, a transportation mechanism such as a pump may be provided in the drain path 71 (71a). Although not shown in FIG. 1 , the drain liquid discharged from the drain port 35 also flows into the drain liquid container 70 .

<ドレイン液からの不純物の除去と冷却液の再利用>
本実施形態では、ドレイン液容器70は、ドレイン液81から不純物を除去する除去機構としても機能する。不純物82は、例えば、ロータリージョイント11のベアリング40に用いられるグリースの基油である。本実施形態のドレイン液容器70は、ドレイン液81に含まれる冷却液80と不純物82の比重差を利用して、両者を垂直方向で上下に分離する。
なお、ドレイン液81から不純物82を取り除けるのであれば、その方法は問わない。例えば遠心分離により短時間で不純物82を除去してもよい。また、フィルタ等を用いた濾過分離を行っても良い。また、ドレイン液81中に、不純物82とは反応するが冷却液80とは反応しない成分を混合し、反応生成物を比重差やフィルタを利用して取り除いてもよい。
<Removal of impurities from drain liquid and reuse of cooling liquid>
In this embodiment, the drain liquid container 70 also functions as a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid 81 . The impurities 82 are, for example, base oil of grease used for the bearing 40 of the rotary joint 11 . The drain liquid container 70 of the present embodiment utilizes the difference in specific gravity between the cooling liquid 80 and the impurities 82 contained in the drain liquid 81 to vertically separate the two.
Any method can be used as long as the impurity 82 can be removed from the drain liquid 81 . Impurities 82 may be removed in a short period of time, for example by centrifugation. Alternatively, filtration separation using a filter or the like may be performed. Alternatively, a component that reacts with the impurity 82 but does not react with the cooling liquid 80 may be mixed in the drain liquid 81, and the reaction product may be removed using a specific gravity difference or a filter.

そしてドレイン液容器70は、容器の下方に分離された冷却液80(80c)を、再利用送出口72からドレイン経路71(71b)に送出する。このときも、液体が重力により送出されるように再利用送出口72とドレイン経路71(71b)の位置関係を決定すると良い。あるいは、液体送出用のポンプを設けてもよい。また、再利用送出口72からの液体送出状態を制御するためのシャッタや流量制御弁を設けてもよい。制御部110が、ドレイン液容器70の内部状態や循環経路51における液流の状態に基づいて、シャッタの開閉や流量制御弁の開度を制御することも好ましい。 Then, the drain liquid container 70 delivers the cooling liquid 80 (80c) separated below the container from the recycling outlet 72 to the drain path 71 (71b). Also at this time, it is preferable to determine the positional relationship between the recycling delivery port 72 and the drain path 71 (71b) so that the liquid is delivered by gravity. Alternatively, a pump for liquid delivery may be provided. Further, a shutter or a flow control valve may be provided for controlling the liquid delivery state from the reuse delivery port 72 . It is also preferable for the controller 110 to control the opening/closing of the shutter and the degree of opening of the flow control valve based on the internal state of the drain liquid container 70 and the state of the liquid flow in the circulation path 51 .

送出された冷却液80(80c)は、ドレイン経路71(71b)から三方弁75を介して循環経路51(51a)に合流する。制御部110が三方弁75の開閉や開度を制御して、循環する冷却液(80a,80b)と再利用される冷却液80cの比率を変更したり、ロータリージョイント11に流入する液量を調整したりすることも好ましい。 The sent cooling liquid 80 (80c) joins the circulation path 51 (51a) via the three-way valve 75 from the drain path 71 (71b). The control unit 110 controls the opening and closing and opening degree of the three-way valve 75 to change the ratio between the circulating cooling liquid (80a, 80b) and the reused cooling liquid 80c, and to control the amount of liquid flowing into the rotary joint 11. Adjusting is also preferable.

以上述べたように、図1の構成を持つ成膜装置100によれば、ロータリージョイント11から漏出したドレイン液81を回収し、ドレイン液81から不純物を除去して冷却液80(80c)を生成できる。そのため、漏出した冷却液80を有効な再利用が可能になるため、成膜装置100の運用コストを低減できる。 As described above, according to the film forming apparatus 100 having the configuration shown in FIG. 1, the drain liquid 81 leaked from the rotary joint 11 is recovered, impurities are removed from the drain liquid 81, and the cooling liquid 80 (80c) is generated. can. Therefore, since the leaked cooling liquid 80 can be effectively reused, the operating cost of the film forming apparatus 100 can be reduced.

[実施形態2]
図3を参照しながら、実施形態2について説明する。本実施形態では、循環する冷却液80とドレイン液81の合流に関する構成が実施形態1と異なる。付加的に、成膜装置100の各ブロックの配置や、冷却液80の温度維持のための構成のバリエーションについても説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同じ符号を付し、説明を簡略化する。
[Embodiment 2]
Embodiment 2 will be described with reference to FIG. This embodiment differs from the first embodiment in the configuration regarding the confluence of the circulating cooling liquid 80 and the drain liquid 81 . Additionally, the arrangement of each block of the film forming apparatus 100 and variations of the configuration for maintaining the temperature of the cooling liquid 80 will also be described. In addition, the same code|symbol is attached|subjected to the component similar to Embodiment 1, and description is simplified.

図3の構成では、成膜室1とチラー90が別のフロアに設置されている。成膜装置100は実施形態1と同様の構成と機能を有する。成膜装置100は装置フロアに設置されており、装置フロア床部121に固定されている。なお、本実施形態でも簡略化のためにドレイン口35を省略している。ドレイン口35からのドレイン経路は、ドレイン口37からのドレイン経路に合流しても良いし、ドレイン液容器70に接続してもよい。 In the configuration of FIG. 3, the film forming chamber 1 and the chiller 90 are installed on separate floors. The film forming apparatus 100 has the same configuration and functions as those of the first embodiment. The film forming apparatus 100 is installed on the apparatus floor and fixed to the apparatus floor floor section 121 . Note that the drain port 35 is also omitted in this embodiment for the sake of simplification. The drain path from the drain port 35 may join the drain path from the drain port 37 or may be connected to the drain liquid container 70 .

チラー90は、冷却液80の温度を管理しながら循環させるための機構であり、ポンプ50とドレイン液容器70を含んでいる。本実施形態のドレイン液容器70は、温度セン
サおよび熱交換機構を含む、温度調節機構を備えている。温度調節機構が温度センサの検出値に基づいて熱交換機構を制御することで、冷却液80の温度が一定に維持される。本実施形態では、チラー90は、装置フロアより下の設備フロアに設置されており、設備フロア床部122に固定されている。この構成により、冷却液80(80b)やドレイン液81がスムーズに下方のチラー90に移動できる。
なお、ドレイン液容器70とは別に恒温槽を設けてもよい。また、本実施形態では基板5の温度の過剰上昇を抑制する目的で冷却液80を用いているため「チラー(chiller)」と称呼しているが、温度調節機構の目的は冷却に限られない。
The chiller 90 is a mechanism for circulating the coolant 80 while controlling its temperature, and includes a pump 50 and a drain liquid container 70 . The drain liquid container 70 of this embodiment has a temperature control mechanism including a temperature sensor and a heat exchange mechanism. The temperature control mechanism controls the heat exchange mechanism based on the detected value of the temperature sensor, so that the temperature of the coolant 80 is kept constant. In this embodiment, the chiller 90 is installed on the equipment floor below the equipment floor and is fixed to the equipment floor floor section 122 . With this configuration, the cooling liquid 80 (80b) and the drain liquid 81 can smoothly move to the chiller 90 below.
A constant temperature bath may be provided separately from the drain liquid container 70 . Further, in this embodiment, the cooling liquid 80 is used for the purpose of suppressing an excessive rise in the temperature of the substrate 5, so it is called a "chiller", but the purpose of the temperature control mechanism is not limited to cooling. .

<本実施形態での冷却液とドレイン液の経路>
本実施形態での各液体の移動について、実施形態1との相違点を中心に説明する。
成膜装置100の動作が開始されると、制御部110はチラー90のポンプ50を駆動して冷却液80の循環を開始させる。冷却液80(80a)は、循環経路51(51a)を介して供給口31に導入される。続いて冷却液80は、基板5を冷却した後、排出口33から循環経路51(51b)に流出する。そして、ドレイン液容器70に収容される。
<Path of cooling liquid and drain liquid in this embodiment>
The movement of each liquid in this embodiment will be described, focusing on differences from the first embodiment.
When the film forming apparatus 100 starts operating, the controller 110 drives the pump 50 of the chiller 90 to start circulation of the coolant 80 . The coolant 80 (80a) is introduced into the supply port 31 via the circulation path 51 (51a). Subsequently, after cooling the substrate 5, the cooling liquid 80 flows out from the outlet 33 to the circulation path 51 (51b). Then, it is stored in the drain liquid container 70 .

一方、漏出した冷却液80と不純物82が混ざったドレイン液81は、ドレイン経路71(71a)を経由してドレイン液容器70に収容される。
図3ではドレイン液81を容器内の液面の上方から流入させており、これにより不純物82を上澄みとして分離しやすくしている。一方、冷却液80(80b)の導入口は、容器の下方に設けている。これにより、上澄みの不純物82との混合を避けている。
On the other hand, the drain liquid 81 mixed with the leaked cooling liquid 80 and impurities 82 is stored in the drain liquid container 70 via the drain path 71 (71a).
In FIG. 3, the drain liquid 81 is caused to flow in from above the liquid surface in the container, thereby facilitating the separation of the impurities 82 as the supernatant. On the other hand, the introduction port for the coolant 80 (80b) is provided below the container. This avoids mixing with impurities 82 of the supernatant.

<不純物の除去>
本実施形態では、チラー90内部の容器において、循環する冷却液80(80b)とドレイン液81が合流する。容器内で冷却液80と不純物82が比重に基づいて分離され、循環経路51(51c)に流入して、再利用される冷却液80(80c)となる。これ以降は循環経路51に復帰する。
<Removal of impurities>
In this embodiment, the circulating cooling liquid 80 (80b) and the drain liquid 81 merge in the container inside the chiller 90 . The cooling liquid 80 and the impurities 82 are separated based on the specific gravity in the container, flow into the circulation path 51 (51c), and become the reused cooling liquid 80 (80c). After that, it returns to the circulation route 51 .

本実施形態にかかる成膜装置100によれば、ロータリージョイント11から漏出したドレイン液中の冷却液80を再利用し、コストを低減するという、実施形態1と同様のメリットを享受できる。さらに、成膜装置100に設けられているチラー90の構成を利用して不純物除去を実施できる。 According to the film forming apparatus 100 according to the present embodiment, the cooling liquid 80 in the drain liquid leaked from the rotary joint 11 can be reused, and the cost can be reduced, which is the same merit as in the first embodiment. Furthermore, impurities can be removed using the configuration of the chiller 90 provided in the film forming apparatus 100 .

[実施形態3]
図4を参照しながら、実施形態3について説明する。上記実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付し、説明を簡略化する。本実施形態では、ドレイン液81からの不純物の除去工程に特徴がある。
[Embodiment 3]
Embodiment 3 will be described with reference to FIG. The same reference numerals are given to the same components as in the above embodiment, and the description is simplified. This embodiment is characterized by the step of removing impurities from the drain liquid 81 .

図4の構成では、成膜室1とドレイン液容器70が同じ装置フロアに設置され、ドレイン液容器70からの再利用のための冷却液80cと、循環する冷却液80bが、途中で合流しつつ下方の設備フロアに配置されたチラー90に導入される。ただし、各ブロックの配置はこれに限定されない。チラー90は実施形態2と同様に温度調節機構と輸液機構を備える装置である。 In the configuration of FIG. 4, the film forming chamber 1 and the drain liquid container 70 are installed on the same equipment floor, and the cooling liquid 80c for reuse from the drain liquid container 70 and the circulating cooling liquid 80b join in the middle. It is introduced into a chiller 90 located on the equipment floor below. However, the arrangement of each block is not limited to this. The chiller 90 is a device having a temperature control mechanism and an infusion mechanism as in the second embodiment.

図4においては、ドレイン液容器70にはドレイン液81のみが供給される。ドレイン液容器70は、レベルセンサ95と、第2のポンプ97を有する。レベルセンサ95は、容器中のドレイン液81の液面の高さを示す液面情報を検知して制御部110に送信する。レベルセンサ95は液面情報を取得できれば良く、静電容量式、光センサ式、フロート式など方式を問わない。
レベルセンサ95として、より好ましくは、分離された冷却液80と不純物の境界面の
高さ情報を取得できるものを用いる。
In FIG. 4, only the drain liquid 81 is supplied to the drain liquid container 70 . The drain liquid container 70 has a level sensor 95 and a second pump 97 . The level sensor 95 detects liquid level information indicating the height of the liquid level of the drain liquid 81 in the container and transmits the information to the control section 110 . The level sensor 95 may be of any type as long as it can acquire liquid level information, and may be of a capacitance type, an optical sensor type, a float type, or the like.
As the level sensor 95, it is more preferable to use one capable of acquiring height information of the interface between the separated cooling liquid 80 and the impurities.

第2のポンプ97は、不純物82と分離された冷却液80(80c)を容器の下方から汲み出し、ドレイン経路71(71c)に送出する。本実施形態では冷却液80の方が不純物82よりも比重が大きいことを前提としているため、汲み出し位置を容器の下方としている。しかし、冷却液80(80c)を分離状態を維持したまま汲み出せるのであれば、汲み出し位置やポンプの方式を問わない。ドレイン経路71(71c)は、循環経路51(51b)と合流する。本実施形態ではさらに、合流位置に、ドレイン液容器70側からチラー90側への液体の流入と、ロータリージョイント11側からチラー90側への液体の流入を可能にし、逆方向の流れを規制する、逆止弁77を設けている。 The second pump 97 pumps out the cooling liquid 80 (80c) separated from the impurities 82 from the bottom of the container and delivers it to the drain path 71 (71c). In this embodiment, it is assumed that the cooling liquid 80 has a higher specific gravity than the impurities 82, so the pumping-out position is set below the container. However, as long as the cooling liquid 80 (80c) can be pumped out while maintaining the separated state, the pumping position and pump system are not limited. The drain path 71 (71c) merges with the circulation path 51 (51b). Further, in this embodiment, at the confluence position, the inflow of liquid from the drain liquid container 70 side to the chiller 90 side and the inflow of liquid from the rotary joint 11 side to the chiller 90 side are allowed, and the flow in the opposite direction is restricted. , a check valve 77 is provided.

<本実施形態での冷却液とドレイン液の経路>
本実施形態での各液体の移動について、上記各実施形態との相違点を中心に説明する。
制御部110は、チラー90内のポンプを駆動して冷却液80を循環させる。冷却液80(80a)は、循環経路51(51a)を介して供給口31に導入される。続いて冷却液80は、基板5を冷却した後、排出口33から循環経路51(51b)に流出し、チラー90に到達する。
<Path of cooling liquid and drain liquid in this embodiment>
The movement of each liquid in this embodiment will be described, focusing on differences from the above-described embodiments.
The control unit 110 drives the pump inside the chiller 90 to circulate the coolant 80 . The coolant 80 (80a) is introduced into the supply port 31 via the circulation path 51 (51a). Subsequently, after cooling the substrate 5 , the cooling liquid 80 flows out from the outlet 33 to the circulation path 51 ( 51 b ) and reaches the chiller 90 .

一方、漏出した冷却液80と不純物82が混ざったドレイン液81は、ドレイン経路71(71a)を経由してドレイン液容器70に収容される。 On the other hand, the drain liquid 81 mixed with the leaked cooling liquid 80 and impurities 82 is stored in the drain liquid container 70 via the drain path 71 (71a).

<不純物の除去>
ドレイン液容器70内では、比重差を利用して冷却液80と不純物82が分離され、冷却液80は容器の下方に滞留する。第2のポンプ97は、冷却液80を汲み上げてドレイン経路71(71c)に送出する。再利用のために送出された冷却液80(80c)は、逆止弁77を介して循環経路中の冷却液80(80b)に合流する。
<Removal of impurities>
In the drain liquid container 70, the cooling liquid 80 and impurities 82 are separated by using the difference in specific gravity, and the cooling liquid 80 stays in the lower part of the container. The second pump 97 pumps up the coolant 80 and delivers it to the drain path 71 (71c). The coolant 80 (80c) sent for reuse joins the coolant 80 (80b) in the circulation path via the check valve 77. As shown in FIG.

ここで、制御部110は、レベルセンサ95が検知した液面情報に基づいて、第2のポンプ97による液体送出を制御する。具体的には、冷却液80の送出が続くと第2のポンプ97の吸込口付近に不純物82の層が接近し、汲み上げられてしまうおそれがあるため、液面が所定の高さを下回った場合は汲み上げを停止するか、流量を少なくする。 Here, the control unit 110 controls liquid delivery by the second pump 97 based on the liquid level information detected by the level sensor 95 . Specifically, if the cooling liquid 80 continues to be sent, the layer of impurities 82 approaches the vicinity of the suction port of the second pump 97 and may be pumped up. If so, stop pumping or reduce the flow rate.

ここで、分離された冷却液80と不純物82の境界面の高さをLBとする。また、不純物82の液面、すなわちドレイン液81全体の液面の高さをLAとする。
また、容器の底面の高さをh0とする。また、第2のポンプ97の吸込口の高さをh1とする。また、吸込口高さh1から所定の距離だけ高い閾値高さをh2とする。閾値高さh2は、ドレイン液81の流入等の影響で対流や波が発生し、境界面LBが変動した場合でも、第2のポンプ97の吸込口に不純物82が流入しない程度の距離とする。
Here, the height of the interface between the separated coolant 80 and the impurity 82 is LB. The liquid level of the impurity 82, that is, the liquid level of the entire drain liquid 81 is denoted by LA.
Also, let h0 be the height of the bottom surface of the container. Also, the height of the suction port of the second pump 97 is h1. Also, let h2 be a threshold height that is higher than the suction port height h1 by a predetermined distance. The threshold height h2 is set to a distance such that the impurities 82 do not flow into the suction port of the second pump 97 even if convection or waves occur due to the inflow of the drain liquid 81 or the like and the boundary surface LB fluctuates. .

制御部110による液面制御をより精度良く行うためには、レベルセンサ95として、分離された冷却液80と不純物82の境界面LBの高さを検知可能なものを用いることが好ましい。その場合、制御部は、境界面LBの高さが閾値高さより高い場合に第2のポンプ97を駆動し、閾値高さ以下となった場合に、第2のポンプ97の駆動を停止する。これにより、再利用のための冷却液80(80c)への不純物82の混入を防止できる。 In order to control the liquid level by the control unit 110 with higher accuracy, it is preferable to use a level sensor 95 capable of detecting the height of the boundary surface LB between the separated cooling liquid 80 and the impurities 82 . In that case, the controller drives the second pump 97 when the height of the boundary surface LB is higher than the threshold height, and stops driving the second pump 97 when the height of the boundary surface LB is equal to or lower than the threshold height. As a result, it is possible to prevent the impurities 82 from being mixed into the coolant 80 (80c) for reuse.

一方、レベルセンサ95が、ドレイン液全体の液面高さLAのみを測定可能な場合もある。その場合、制御部110は液面高さLAから境界面高さLBを推測し、閾値高さh2と比較してポンプ駆動を制御する。推測方法としては、例えば、予め、通常の使用状態において漏出するドレイン液81の時間あたりの液量と、ドレイン液81中のグリース由来の基油の割合と、成膜装置100の処理が開始してからの時間に基づいて、不純物82の
層の厚さを求める方法がある。
以上の記載は一例であり、レベルセンサ95の検出値に基づいてポンプ駆動を制御できるのであれば、方法は問わない。
On the other hand, the level sensor 95 may be able to measure only the liquid level LA of the entire drain liquid. In this case, the controller 110 estimates the boundary surface height LB from the liquid level LA, compares it with the threshold height h2, and controls the pump drive. As an estimation method, for example, the amount of the drain liquid 81 that leaks in a normal use state per hour, the ratio of the grease-derived base oil in the drain liquid 81, and the start of the process of the film forming apparatus 100 are used in advance. One method is to determine the thickness of the layer of impurity 82 based on the time since.
The above description is just an example, and any method may be used as long as the pump drive can be controlled based on the detection value of the level sensor 95 .

本実施形態にかかる成膜装置100によれば、ロータリージョイント11から漏出したドレイン液中の冷却液80を再利用し、コストを低減するという、実施形態1、2と同様のメリットを享受できる。さらに、従来のドレイン液回収タンクにレベルセンサ95と第2のポンプ97を付加するという比較的簡易な構成で、循環経路51に不純物82を混入させることなく、冷却液80を再利用できる。 According to the film forming apparatus 100 according to the present embodiment, the cooling liquid 80 in the drain liquid leaked from the rotary joint 11 can be reused, and the cost can be reduced, which is the same merit as in the first and second embodiments. Furthermore, with a relatively simple configuration in which the level sensor 95 and the second pump 97 are added to the conventional drain liquid recovery tank, the cooling liquid 80 can be reused without the impurities 82 entering the circulation path 51 .

[実施形態4]
本実施形態では、有機ELディスプレイ等を製造するための電子デバイス製造装置に、上記各実施形態の成膜装置を適用する方法について説明する。図6は、電子デバイスの製造装置500の一部を模式的に示す平面図である。電子デバイスの製造装置500は、電子デバイス製造において、基板の前処理から成膜・封止までの工程を自動で行う。なお、図示したような、搬送室の周囲に複数の処理室を配置したクラスタ型の構成に代えて、複数の処理室を工程順に配置したインライン型の構成を採用してもよい。
[Embodiment 4]
In this embodiment, a method of applying the film forming apparatus of each of the above embodiments to an electronic device manufacturing apparatus for manufacturing an organic EL display or the like will be described. FIG. 6 is a plan view schematically showing a part of the electronic device manufacturing apparatus 500. As shown in FIG. The electronic device manufacturing apparatus 500 automatically performs processes from substrate pretreatment to film formation and sealing in electronic device manufacturing. Instead of the illustrated cluster configuration in which a plurality of processing chambers are arranged around a transfer chamber, an in-line configuration in which a plurality of processing chambers are arranged in order of steps may be adopted.

搬送室510の周囲には、前処理室511、有機処理室512、金属処理室513、測定室514が放射状に配置されている。なお、図6は簡略化した図であり、処理室の種類や数はこれに限られない。例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの処理室を設けてもよいし、R(赤),G(緑),B(青)などの色ごとに発光層の処理室を設けてもよい。搬送室510には、基板5を保持し搬送する搬送ロボット519が設けられている。搬送ロボット519は、例えば、多関節アームに、基板を保持するロボットハンドが取り付けられた構造をもつロボットであり、各処理室および測定室への基板の搬入と搬出を行う。 A pretreatment chamber 511 , an organic treatment chamber 512 , a metal treatment chamber 513 and a measurement chamber 514 are radially arranged around the transfer chamber 510 . Note that FIG. 6 is a simplified diagram, and the types and number of processing chambers are not limited to this. For example, processing chambers such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be provided. of processing chambers may be provided. A transfer robot 519 that holds and transfers the substrate 5 is provided in the transfer chamber 510 . The transport robot 519 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand for holding a substrate is attached to an articulated arm, and carries the substrate into and out of each processing chamber and measurement chamber.

電子デバイスの製造プロセスは概略次のとおりである。まず、基板5が前処理室511に搬入され、洗浄等の前処理が行われる。その後基板は、成膜材料の種類に応じて、搬送ロボット519により有機処理室512や金属処理室513に搬送される。各処理室では、蒸発源からの蒸着やスパッタリングにより、蒸着材料が基板に付着して膜が形成される。次いで、基板5が測定室514に搬入される。測定室内では、膜厚や成膜の均一性などが測定される。 The outline of the manufacturing process of the electronic device is as follows. First, the substrate 5 is carried into the pretreatment chamber 511 and subjected to pretreatment such as cleaning. After that, the substrate is transported to an organic processing chamber 512 or a metal processing chamber 513 by a transport robot 519 according to the type of film forming material. In each processing chamber, a deposition material adheres to a substrate by deposition or sputtering from an evaporation source to form a film. The substrate 5 is then loaded into the measurement chamber 514 . In the measurement chamber, the film thickness and the uniformity of film formation are measured.

成膜を行う各処理室にはそれぞれ成膜装置が設けられている。搬送ロボットとの基板の受け渡し、基板とマスクの相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板の固定、成膜(蒸着)などの一連のプロセスは、成膜装置によって自動で行われる。また、測定室における測定の工程も自動化が可能である。さらに測定後の処理として、乾燥剤や接着剤を塗布した封止ガラスによる封止処理が行われてもよい。完成したパネルは製造装置から自動搬出され、次の工程(例えばディスプレイパネルのアセンブル工程)へと供給される。ただし、上記の構成は一例であり、本発明の成膜装置やそれを含んだ電子デバイス製造装置の構成を限定するものではない。 Each processing chamber for film formation is provided with a film formation device. A series of processes such as transfer of the substrate to and from the transfer robot, adjustment of the relative positions of the substrate and mask (alignment), fixing of the substrate on the mask, and deposition (deposition) are automatically performed by the deposition apparatus. Also, the measurement process in the measurement room can be automated. Furthermore, as a post-measurement treatment, a sealing treatment using a sealing glass coated with a desiccant or an adhesive may be performed. The completed panel is automatically unloaded from the manufacturing equipment and supplied to the next process (for example, the process of assembling the display panel). However, the above configuration is an example, and does not limit the configuration of the film forming apparatus of the present invention or the electronic device manufacturing apparatus including the same.

以上の電子デバイス製造装置や、それを用いた電子デバイス製造方法によれば、成膜装置において基板の温度調節が良好に行われているので、良好に成膜がなされる。その結果、品質の良い電子デバイスを製造可能となる。 According to the electronic device manufacturing apparatus and the electronic device manufacturing method using the same, the temperature of the substrate is satisfactorily adjusted in the film forming apparatus, so that the film is formed satisfactorily. As a result, it is possible to manufacture high-quality electronic devices.

[実施形態5]
<有機電子デバイスの製造方法>
本実施形態では、蒸発源装置を備える成膜装置を用いた有機電子デバイスの製造方法の
一例を説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図7(a)は有機EL表示装置60の全体図、図7(b)は一つの画素の断面構造を表している。
[Embodiment 5]
<Method for producing organic electronic device>
In this embodiment, an example of a method for manufacturing an organic electronic device using a film forming apparatus including an evaporation source device will be described. Hereinafter, as an example of the organic electronic device, the structure and manufacturing method of an organic EL display device will be illustrated. First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 7(a) shows an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 7(b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

図7(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本図の有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。 As shown in FIG. 7A, in a display area 61 of an organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 each having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 61. FIG. In the case of the organic EL display device of this figure, the pixel 62 is configured by a combination of a first light emitting element 62R, a second light emitting element 62G, and a third light emitting element 62B that emit light different from each other. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element and a white light emitting element. It is not limited.

図7(b)は、図7(a)のA-B線における部分断面模式図である。画素62は、基板5上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R,66G,66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。 FIG. 7(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB in FIG. 7(a). The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, any one of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a second electrode (cathode) 68 on the substrate 5. and an organic EL element. Among these layers, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to organic layers. In this embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue.

発光層66R,66G,66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層Pが設けられている。 The light-emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (also referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue, respectively. Also, the first electrode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the second electrode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 to prevent short-circuiting between the first electrodes 64 and the second electrodes 68 due to foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer P is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

次に、電子デバイスとしての有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板5を準備する。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device as an electronic device will be specifically described. First, a substrate 5 having a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a first electrode 64 formed thereon is prepared.

次に、第1電極64が形成された基板5の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。 Next, an acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 5 on which the first electrode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the portion where the first electrode 64 is formed. and an insulating layer 69 is formed. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.

次に、絶縁層69がパターニングされた基板5を第1の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。ここで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる成膜装置は、上記各実施形態のいずれかに記載された成膜装置である。 Next, the substrate 5 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first film forming apparatus, the substrate is held by the substrate holding unit, and the hole transport layer 65 is placed on the first electrode 64 in the display area. It is deposited as a common layer. The hole transport layer 65 is deposited by vacuum deposition. Since the hole transport layer 65 is actually formed to have a size larger than that of the display area 61, a high-definition mask is not required. Here, the film deposition apparatus used in the film formation in this step and the film formation of each layer described below is the film formation apparatus described in any of the above embodiments.

次に、正孔輸送層65までが形成された基板5を第2の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板5の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。
本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。
Next, the substrate 5 with the hole transport layer 65 formed thereon is carried into the second film forming apparatus and held by the substrate holding unit. The substrate and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and the red-emitting light-emitting layer 66R is formed on the portion of the substrate 5 where the red-emitting element is to be arranged.
According to this example, the mask and the substrate can be satisfactorily overlapped, and highly accurate film formation can be performed.

発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層65は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。 Similarly to the deposition of the light emitting layer 66R, a green light emitting layer 66G is deposited by the third deposition apparatus, and a blue light emitting layer 66B is deposited by the fourth deposition apparatus. After the formation of the light-emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed over the entire display area 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 65 is formed as a layer common to the three color light-emitting layers 66R, 66G, and 66B.

電子輸送層65までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第2電極68を成膜し、その後プラズマCVD装置に移動して保護層Pを成膜して、有機EL表示装置60が完成する。 The substrate on which the electron transport layer 65 has been formed is transferred to a sputtering apparatus, a second electrode 68 is formed thereon, and then transferred to a plasma CVD apparatus to form a protective layer P, whereby the organic EL display device 60 is completed. do.

絶縁層69がパターニングされた基板5を成膜装置に搬入してから保護層Pの成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。 If the substrate 5 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film-forming apparatus and is exposed to an atmosphere containing moisture and oxygen until the film-forming of the protective layer P is completed, the light-emitting layer made of the organic EL material will be damaged. It may deteriorate due to moisture and oxygen. Therefore, in this example, substrates are carried in and out between film forming apparatuses under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

本実施形態に係る成膜方法または電子デバイスの製造方法によれば、成膜時の温度調節が適切に行われるので、良好な成膜が可能となる。 According to the film forming method or the method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment, temperature control during film formation is appropriately performed, so favorable film formation is possible.

100:成膜装置、1:成膜室、3:基板ホルダ、5:基板、11:ロータリージョイント、20:回転体、30:筐体、31:供給口,32:供給流路、33:排出口,34:排出流路、35,37:ドレイン口、80:冷却液、81:ドレイン液 100: film forming apparatus, 1: film forming chamber, 3: substrate holder, 5: substrate, 11: rotary joint, 20: rotary body, 30: housing, 31: supply port, 32: supply channel, 33: exhaust Outlet, 34: discharge channel, 35, 37: drain port, 80: cooling liquid, 81: drain liquid

Claims (16)

成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜装置であって、
被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を備え、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成される成膜装置において、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記固定部に設けられたドレイン口と、
前記ドレイン口から排出されたドレイン液から不純物を除去する除去機構と、
前記除去機構から送出された前記ドレイン液を前記供給口まで供給する経路と、
を有することを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber,
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
with
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
In a film forming apparatus in which a liquid channel through which a liquid flows in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a drain port provided in the fixed part;
a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid discharged from the drain port;
a path for supplying the drain liquid delivered from the removal mechanism to the supply port;
A film forming apparatus, comprising:
前記排出口から排出された前記液体は、三方弁を介して、前記ドレイン口から排出された前記ドレイン液が供給される前記経路に合流する
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein the liquid discharged from the discharge port joins the path through which the drain liquid discharged from the drain port is supplied via a three-way valve. .
前記除去機構から送出された前記ドレイン液は、前記循環経路に合流する
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein the drain liquid sent from the removing mechanism joins the circulation path.
前記不純物を除去した前記ドレイン液と前記排出口から排出された前記液体とが合流する箇所に逆方向の流れを規制する逆止弁を備えている
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
4. The apparatus according to claim 3 , further comprising a check valve for regulating reverse flow at a location where the drain liquid from which the impurities have been removed and the liquid discharged from the discharge port join. membrane device.
前記除去機構は、前記循環経路に配置されており、
前記排出口から排出された前記液体と、前記ドレイン口から排出された前記ドレイン液は、前記除去機構において合流し、前記不純物を除去されて前記供給口に供給される
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
The removal mechanism is arranged in the circulation path,
3. The liquid discharged from the discharge port and the drain liquid discharged from the drain port join together in the removal mechanism, and the impurities are removed and supplied to the supply port. 1. The film forming apparatus according to 1 .
前記除去機構は、前記液体の温度を調節する温度調節機構に含まれている
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
6. The film forming apparatus according to claim 5 , wherein the removal mechanism is included in a temperature control mechanism that controls the temperature of the liquid.
前記除去機構は、前記成膜室のある場所とは別の場所に設置されている
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
6. The film forming apparatus according to claim 5 , wherein said removing mechanism is installed at a place other than a place where said film forming chamber is located.
前記除去機構は、前記ドレイン液が収容されるドレイン液容器を有し、
前記ドレイン液容器において、前記液体と前記不純物の比重差に基づいて、前記不純物が前記液体から分離される
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
The removal mechanism has a drain liquid container that stores the drain liquid,
2. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein in said drain liquid container, said impurities are separated from said liquid based on a difference in specific gravity between said liquid and said impurities.
前記ドレイン液容器には、前記不純物が分離された前記液体を、再利用のために前記循環経路に送出するための送出口が設けられている
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
9. The film formation according to claim 8 , wherein the drain liquid container is provided with a delivery port for delivering the liquid from which the impurities have been separated to the circulation path for reuse. Device.
前記ドレイン液容器には、収容されている前記液体の液面の高さを検知するレベルセンサが設けられており、かつ、吸込口から吸い込んだ前記液体を再利用のために送出するポンプを有しており、
前記除去機構は、前記液面の高さが、前記吸込口の高さから所定の距離だけ高い閾値高さ以下の場合には、前記液体の送出を行わない
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
The drain liquid container is provided with a level sensor for detecting the level of the liquid contained therein, and has a pump for sending out the liquid sucked from the suction port for reuse. and
9. The removing mechanism does not deliver the liquid when the height of the liquid surface is equal to or lower than a threshold height higher than the height of the suction port by a predetermined distance. Film deposition apparatus described.
前記液体は、前記被成膜物の温度を調節するための液体であり、
前記不純物は、前記ロータリージョイントに用いられるグリースの成分である
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
The liquid is a liquid for adjusting the temperature of the film-forming object,
2. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein said impurity is a component of grease used for said rotary joint.
前記グリースの基油として、前記液体に対して不溶性の材料を用いる
ことを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
12. The film forming apparatus according to claim 11 , wherein a material insoluble in the liquid is used as the base oil of the grease.
前記液体と前記グリースとの比重が異なる
ことを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
12. The film forming apparatus according to claim 11 , wherein the liquid and the grease have different specific gravities.
前記液体は、フルオロカーボンを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the liquid contains fluorocarbon.
成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜方法であって、
前記成膜装置は、被成膜物を支持する被成膜物支持部、ならびに、前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部、および、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部を有するロータリージョイントを備えており、
前記固定部は、液体が供給される供給口および液体が排出される排出口を有し、前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路、および、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路を有し、前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置はさらに、前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経
路、前記固定部に設けられたドレイン口を有しており、
前記ドレイン口から排出されたドレイン液から不純物を除去する除去機構から送出された前記ドレイン液を前記供給口まで供給するステップを含む
ことを特徴とする成膜方法。
A film forming method for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber of a film forming apparatus,
The film deposition apparatus includes a film formation target supporter that supports a film formation target, a rotating part that is connected to the deposition target supporter and rotates, and the deposition device that is provided around the rotation part. Equipped with a rotary joint having a fixed part fixed to the membrane chamber,
The fixed portion has a supply port through which liquid is supplied and a discharge port through which liquid is discharged, and the rotating portion is a supply flow that supplies the liquid supplied from the supply port to the film-forming object supporting portion. and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film-forming object supporting portion to the discharge port, wherein the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, and the discharge flow A liquid channel is formed in which the liquid flows in the order of the channel and the outlet,
The film forming apparatus further includes a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port, and a drain port provided in the fixed part,
A film forming method, comprising: supplying the drain liquid sent from a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid discharged from the drain port to the supply port.
成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜材料が成膜される、電子デバイスの製造方法であって、
前記成膜装置は、被成膜物を支持する被成膜物支持部、ならびに、前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部、および、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部を有するロータリージョイントを備えており、

前記固定部は、液体が供給される供給口および液体が排出される排出口を有し、前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路、および、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路を有し、前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置はさらに、前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路、前記固定部に設けられたドレイン口を有しており、
前記ドレイン口から排出されたドレイン液から不純物を除去する除去機構から送出された前記ドレイン液を前記供給口まで供給するステップを含む
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
A method for manufacturing an electronic device, in which a film of a film-forming material is formed on a film-forming object in a film-forming chamber of a film-forming apparatus,
The film deposition apparatus includes a film formation target supporter that supports a film formation target, a rotating part that is connected to the deposition target supporter and rotates, and the deposition device that is provided around the rotation part. Equipped with a rotary joint having a fixed part fixed to the membrane chamber,

The fixed portion has a supply port through which liquid is supplied and a discharge port through which liquid is discharged, and the rotating portion is a supply flow that supplies the liquid supplied from the supply port to the film-forming object supporting portion. and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film-forming object supporting portion to the discharge port, wherein the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, and the discharge flow A liquid channel is formed in which the liquid flows in the order of the channel and the outlet,
The film forming apparatus further includes a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port, and a drain port provided in the fixed part,
A method of manufacturing an electronic device, comprising the step of supplying the drain liquid sent from a removal mechanism for removing impurities from the drain liquid discharged from the drain port to the supply port.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000002340A (en) 1998-06-16 2000-01-07 Sony Corp Rotary joint
JP2003130234A (en) 2001-10-22 2003-05-08 Canon Inc Vacuum treatment device and vacuum treatment method
JP2006336034A (en) 2005-05-31 2006-12-14 Canon Anelva Corp Vacuum treatment system

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0754712Y2 (en) * 1993-03-15 1995-12-18 株式会社南武 Outer cylinder connection type rotary joint
JP4324932B2 (en) * 2000-07-19 2009-09-02 Smc株式会社 Constant temperature coolant circulation device
LU90794B1 (en) * 2001-06-26 2002-12-27 Wurth Paul Sa Loading device of a shaft furnace
WO2008120445A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Shinmaywa Industries, Ltd. Sensor fixing structure and vacuum film deposition apparatus
JP2011508436A (en) * 2007-12-21 2011-03-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Method and apparatus for controlling the temperature of a substrate
JP5485784B2 (en) * 2010-05-17 2014-05-07 オークマ株式会社 Machine tool spindle cooling structure
JP6196078B2 (en) * 2012-10-18 2017-09-13 株式会社アルバック Deposition equipment
US20180363993A1 (en) * 2015-11-11 2018-12-20 Motoaki saito Cooling system for electronic device
JP2018017193A (en) * 2016-07-28 2018-02-01 ダイハツ工業株式会社 Cooling device of internal combustion engine
US10697061B2 (en) * 2016-11-21 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two zone flow cooling plate design with concentric or spiral channel for efficient gas distribution assembly cooling
CN108611615B (en) * 2018-06-21 2020-05-15 中国电子科技集团公司第四十八研究所 Substrate table for magnetron sputtering coating

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000002340A (en) 1998-06-16 2000-01-07 Sony Corp Rotary joint
JP2003130234A (en) 2001-10-22 2003-05-08 Canon Inc Vacuum treatment device and vacuum treatment method
JP2006336034A (en) 2005-05-31 2006-12-14 Canon Anelva Corp Vacuum treatment system

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