JP7287300B2 - power converter - Google Patents

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Description

この明細書における開示は、電力変換装置に関する。 The disclosure in this specification relates to power converters.

特許文献１は、電力変換装置を開示している。電力変換装置は、冷媒が流通する流路を備え、間隔を有しつつ積層配置された複数の熱交換部と、熱交換部の積層方向において多段に配置された複数のモジュールを備えている。熱交換部とモジュールとが交互に配置されて積層体をなしている。モジュールは、半導体素子を有する半導体モジュールと、半導体素子を有していないダミーモジュールを含んでいる。先行技術文献の記載内容は、この明細書における技術的要素の説明として、参照により援用される。 Patent Literature 1 discloses a power converter. A power converter includes a flow path through which a refrigerant flows, a plurality of heat exchange units arranged in layers with intervals therebetween, and a plurality of modules arranged in multiple stages in the stacking direction of the heat exchange units. The heat exchange units and modules are alternately arranged to form a laminate. The modules include semiconductor modules having semiconductor elements and dummy modules having no semiconductor elements. The contents of the prior art documents are incorporated by reference as descriptions of technical elements in this specification.

特開２０１１－１２５０８３号公報JP 2011-125083 A

特許文献１の電力変換装置では、モジュールを構成する半導体モジュールとダミーモジュールの個数、配置について特に言及されていない。特許文献１の構成では、積層体の体格を変えずに、電力変換装置の出力を調整することができない。上述の観点において、または言及されていない他の観点において、電力変換装置にはさらなる改良が求められている。 In the power conversion device of Patent Document 1, there is no particular reference to the number and arrangement of semiconductor modules and dummy modules that constitute a module. With the configuration of Patent Document 1, the output of the power converter cannot be adjusted without changing the physical size of the laminate. Further improvements are required in the power conversion device in the above-mentioned viewpoints or in other viewpoints not mentioned.

開示されるひとつの目的は、積層体の体格を変えずに出力を調整できる電力変換装置を提供することにある。 One object of the disclosure is to provide a power converter capable of adjusting the output without changing the physical size of the laminate.

ここに開示された電力変換装置は、
冷媒が流通する流路をそれぞれ備え、間隔を有しつつ積層配置された複数の熱交換部（４１）と、
熱交換部の積層方向に並ぶ数である段数が所定の複数段とされ、隣り合う熱交換部によりそれぞれが両面側から挟まれた複数のモジュール（３０）と、
を備えており、
所定段のモジュールは、半導体素子（３０１）をそれぞれ有し、複数相の上下アーム回路（９）を構成する複数の半導体モジュール（３００）と、半導体素子を有しておらず、積層方向において半導体モジュールと並んで配置されたダミーモジュール（３１０）と、を含み、
熱交換部と所定段のモジュールとが積層方向において交互に配置されて、積層体（１００）をなしている。 The power conversion device disclosed here is
a plurality of heat exchange parts (41) each provided with a flow path through which a refrigerant flows and arranged in layers with intervals therebetween;
a plurality of modules (30) having a predetermined number of stages, which is the number of heat exchange sections arranged in a stacking direction, and sandwiched from both sides by adjacent heat exchange sections;
and
Modules in a predetermined stage include a plurality of semiconductor modules (300) each having a semiconductor element (301) and constituting a multi-phase upper and lower arm circuit (9), a dummy module (310) arranged alongside the module;
The heat exchange units and the modules of predetermined stages are alternately arranged in the stacking direction to form a stack (100).

そして、積層体は、上下アーム回路の相に対応し、互いに等しい段数のモジュールが配置されるように設定された複数の相領域（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）を有し、
複数の相領域には、相領域に設定される段数よりも少ない段数であり、互いに等しい段数の半導体モジュールと、互いに等しい段数のダミーモジュールと、がそれぞれ配置され、
複数の相領域のそれぞれにおいて、複数の半導体モジュールが配置されて互いに並列接続され、
半導体モジュールのそれぞれは、出力端子（３０３Ｓ）を含む主端子（３０３）を複数有し、
相ごとに設けられて積層方向に並んで配置された端子部（８１）を有する出力端子台（８０）と、対応する相の半導体モジュールの出力端子と端子部とを電気的に接続するように相ごとに設けられたバスバー（９０）と、をさらに備え、
各相のバスバーは、複数の出力端子と電気的に接続されたノード（Ｎ１）を有し、単一の端子部に接続されており、
各相のバスバーは、複数の端子部の積層方向中心に対して、線対称配置されている。 The laminate has a plurality of phase regions (100U, 100V, 100W) that correspond to the phases of the upper and lower arm circuits and are set so that the same number of modules are arranged,
In the plurality of phase regions, semiconductor modules having the same number of stages that are smaller than the number of stages set in the phase areas and dummy modules having the same number of stages are arranged, respectively ;
a plurality of semiconductor modules arranged and connected in parallel in each of the plurality of phase regions;
Each of the semiconductor modules has a plurality of main terminals (303) including an output terminal (303S),
An output terminal block (80) having terminal portions (81) provided for each phase and arranged side by side in the stacking direction is electrically connected to the output terminal and the terminal portion of the semiconductor module of the corresponding phase. and a bus bar (90) provided for each phase,
Each phase bus bar has a node (N1) electrically connected to a plurality of output terminals and is connected to a single terminal,
The busbars of each phase are arranged line-symmetrically with respect to the center of the plurality of terminal portions in the stacking direction .

開示された電力変換装置によれば、複数の相領域に互いに等しい段数のダミーモジュールが配置され、相領域の段数に対して半導体モジュールの足りない分が補われている。これにより、たとえば複数の相領域のすべての段に、半導体モジュールが配置される構成と同等の体格が維持される。この結果、積層方向において積層体の体格を変えることなく、出力を調整できる電力変換装置を提供することができる。 According to the disclosed power conversion device, the same number of stages of dummy modules are arranged in a plurality of phase regions, and the shortage of the semiconductor modules with respect to the number of stages of the phase regions is compensated. As a result, for example, a physical size equivalent to a configuration in which semiconductor modules are arranged in all stages of a plurality of phase regions is maintained. As a result, it is possible to provide a power conversion device capable of adjusting the output without changing the physical size of the stack in the stacking direction.

この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、及び効果は、後続の詳細な説明、及び添付の図面を参照することによってより明確になる。 The multiple aspects disclosed in this specification employ different technical means to achieve their respective objectives. Reference numerals in parentheses described in the claims and this section are intended to exemplify the correspondence with portions of the embodiments described later, and are not intended to limit the technical scope. Objects, features, and advantages disclosed in this specification will become clearer with reference to the following detailed description and accompanying drawings.

第１実施形態に係る電力変換装置の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the power converter device which concerns on 1st Embodiment. 電力変換装置を示す部分断面図である。It is a partial sectional view showing a power converter. 積層体を図２のＸ１方向から見た平面図である。FIG. 3 is a plan view of the laminate as seen from the X1 direction in FIG. 2 ; 参考例を示す図である。It is a figure which shows a reference example. 変形例を示す図である。It is a figure which shows a modification. 半導体モジュール、コンデンサモジュール、および出力端子台の接続構造を示す図である。It is a figure which shows the connection structure of a semiconductor module, a capacitor module, and an output terminal block. 第２実施形態に係る電力変換装置において、積層体周辺を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the periphery of a laminate in the power conversion device according to the second embodiment; 第３実施形態に係る電力変換装置において、積層体周辺を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the periphery of a laminate in a power conversion device according to a third embodiment; 第４実施形態に係る電力変換装置において、積層体と回路基板との位置関係を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a positional relationship between a laminate and a circuit board in a power conversion device according to a fourth embodiment; 第５実施形態に係る電力変換装置において、積層体周辺を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the periphery of a laminate in a power conversion device according to a fifth embodiment;

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下に示す電力変換装置は、回転電機を駆動源とする移動体に適用可能である。移動体は、たとえば電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド自動車（ＨＶ）、燃料電池車（ＦＣＶ）などの車両、ドローンなどの飛行体、船舶、建設機械、農業機械である。 A number of embodiments will be described with reference to the drawings. In several embodiments, functionally and/or structurally corresponding parts are provided with the same reference numerals. The power conversion device described below can be applied to a moving body that uses a rotating electrical machine as a drive source. Examples of mobile objects include vehicles such as electric vehicles (EV), hybrid vehicles (HV), and fuel cell vehicles (FCV), aircraft such as drones, ships, construction machinery, and agricultural machinery.

（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、電力変換装置が適用される車両の駆動システムの概略構成について説明する。 (First embodiment)
First, based on FIG. 1, a schematic configuration of a vehicle drive system to which a power converter is applied will be described.

＜車両の駆動システム＞
図１に示すように、車両の駆動システム１は、直流電源２と、モータジェネレータ３と、電力変換装置４を備えている。 <Vehicle drive system>
As shown in FIG. 1 , a vehicle drive system 1 includes a DC power supply 2 , a motor generator 3 , and a power conversion device 4 .

直流電源２は、充放電可能な二次電池で構成された直流電圧源である。二次電池は、たとえばリチウムイオン電池、ニッケル水素電池である。モータジェネレータ３は、三相交流方式の回転電機である。モータジェネレータ３は、車両の走行駆動源、すなわち電動機として機能する。モータジェネレータ３は、回生時に発電機として機能する。電力変換装置４は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で電力変換を行う。 The DC power supply 2 is a DC voltage source composed of a rechargeable secondary battery. Secondary batteries are, for example, lithium ion batteries and nickel metal hydride batteries. The motor generator 3 is a three-phase alternating-current rotating electric machine. The motor generator 3 functions as a vehicle drive source, that is, as an electric motor. The motor generator 3 functions as a generator during regeneration. The power converter 4 performs power conversion between the DC power supply 2 and the motor generator 3 .

＜電力変換装置の回路構成＞
次に、図１に基づき、電力変換装置４の回路構成について説明する。図１に示すように、電力変換装置４は、平滑コンデンサ５と、インバータ６と、制御回路１６と、駆動回路１７を備えている。 <Circuit Configuration of Power Converter>
Next, based on FIG. 1, the circuit configuration of the power conversion device 4 will be described. As shown in FIG. 1 , the power conversion device 4 includes a smoothing capacitor 5 , an inverter 6 , a control circuit 16 and a drive circuit 17 .

平滑コンデンサ５は、主として、直流電源２から供給される直流電圧を平滑化する。平滑コンデンサ５は、高電位側の電力ラインであるＰライン７と低電位側の電力ラインであるＮライン８との間に接続されている。Ｐライン７は直流電源２の正極に接続され、Ｎライン８は直流電源２の負極に接続されている。平滑コンデンサ５の正極は、直流電源２とインバータ６との間において、Ｐライン７に接続されている。同じく負極は、直流電源２とインバータ６との間において、Ｎライン８に接続されている。 Smoothing capacitor 5 mainly smoothes the DC voltage supplied from DC power supply 2 . The smoothing capacitor 5 is connected between a P line 7 that is a power line on the high potential side and an N line 8 that is a power line on the low potential side. The P line 7 is connected to the positive pole of the DC power supply 2 and the N line 8 is connected to the negative pole of the DC power supply 2 . The positive terminal of smoothing capacitor 5 is connected to P line 7 between DC power supply 2 and inverter 6 . Similarly, the negative pole is connected to the N line 8 between the DC power supply 2 and the inverter 6 .

インバータ６は、ＤＣ－ＡＣ変換回路である。インバータ６は、三相分の上下アーム回路９を備えて構成されている。上下アーム回路９のそれぞれは、出力ライン１０を介して、モータジェネレータ３における対応する相の巻線３ａに接続されている。具体的には、Ｕ相の上下アーム回路９Ｕは、出力ライン１０を介してＵ相の巻線３ａに接続されている。同様に、Ｖ相の上下アーム回路９ＶはＶ相の巻線３ａに接続され、Ｗ相の上下アーム回路９ＷはＷ相の巻線３ａに接続されている。 The inverter 6 is a DC-AC conversion circuit. The inverter 6 is configured with upper and lower arm circuits 9 for three phases. Each of the upper and lower arm circuits 9 is connected to a corresponding phase winding 3 a of the motor generator 3 via an output line 10 . Specifically, the U-phase upper and lower arm circuit 9U is connected to the U-phase winding 3a via an output line 10. As shown in FIG. Similarly, the V-phase upper and lower arm circuit 9V is connected to the V-phase winding 3a, and the W-phase upper and lower arm circuit 9W is connected to the W-phase winding 3a.

各相の上下アーム回路９（９Ｕ、９Ｖ、９Ｗ）は、直列回路１１を２つ備えて構成されている。２つの直列回路１１は、Ｐライン７とＮライン８との間にそれぞれ設けられており、互いに並列接続されている。直列回路１１は、上アーム側のスイッチング素子と下アーム側のスイッチング素子とを、Ｐライン７とＮライン８との間で直列接続して構成されている。本実施形態では、上記スイッチング素子として、ｎチャネル型のＩＧＢＴ１２、１３を採用している。上アーム側のＩＧＢＴ１２において、コレクタがＰライン７に接続されている。下アーム側のＩＧＢＴ１３において、エミッタがＮライン８に接続されている。ＩＧＢＴ１２のエミッタとＩＧＢＴ１３のコレクタとの接続点が、出力ライン１０を介して対応する巻線３ａに接続されている。 The upper and lower arm circuits 9 ( 9 U, 9 V, 9 W) of each phase are configured with two series circuits 11 . The two series circuits 11 are provided between the P line 7 and the N line 8, respectively, and are connected in parallel with each other. The series circuit 11 is configured by connecting a switching element on the upper arm side and a switching element on the lower arm side in series between the P line 7 and the N line 8 . In this embodiment, n-channel IGBTs 12 and 13 are employed as the switching elements. The collector of the IGBT 12 on the upper arm side is connected to the P line 7 . The emitter of the IGBT 13 on the lower arm side is connected to the N line 8 . A connection point between the emitter of the IGBT 12 and the collector of the IGBT 13 is connected through the output line 10 to the corresponding winding 3a.

ＩＧＢＴ１２、１３には、還流のため、ダイオード１４、１５がそれぞれ逆並列に接続されている。ダイオード１４、１５のアノードは、対応するＩＧＢＴ１２、１３のエミッタに接続され、カソードはコレクタに接続されている。上アームを構成するＩＧＢＴ１２およびダイオード１４を、ひとつの半導体チップに構成してもよいし、異なる半導体チップに構成してもよい。下アームを構成するＩＧＢＴ１３およびダイオード１５についても同様である。 Diodes 14 and 15 are connected in anti-parallel to the IGBTs 12 and 13 for freewheeling. The anodes of the diodes 14, 15 are connected to the emitters of the corresponding IGBTs 12, 13, and the cathodes are connected to the collectors. The IGBT 12 and the diode 14 that constitute the upper arm may be configured on one semiconductor chip, or may be configured on different semiconductor chips. The same applies to IGBT 13 and diode 15 that constitute the lower arm.

インバータ６は、制御回路１６によるスイッチング制御にしたがって、直流電圧を三相交流電圧に変換し、モータジェネレータ３へ出力する。これにより、モータジェネレータ３は、所定のトルクを発生するように駆動する。インバータ６は、車両の回生制動時、車輪からの回転力を受けてモータジェネレータ３が発電した三相交流電圧を、制御回路１６によるスイッチング制御にしたがって直流電圧に変換し、Ｐライン７へ出力する。このように、インバータ６は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で双方向の電力変換を行う。 Inverter 6 converts the DC voltage into a three-phase AC voltage according to switching control by control circuit 16 and outputs the same to motor generator 3 . Thereby, the motor generator 3 is driven to generate a predetermined torque. During regenerative braking of the vehicle, inverter 6 converts the three-phase AC voltage generated by motor generator 3 in response to the rotational force from the wheels into DC voltage according to switching control by control circuit 16 and outputs the DC voltage to P line 7 . . Thus, inverter 6 performs bidirectional power conversion between DC power supply 2 and motor generator 3 .

制御回路１６は、ＩＧＢＴ１２、１３を動作させるための駆動指令を生成し、駆動回路１７に出力する。制御回路１６は、図示しない上位ＥＣＵから入力されるトルク要求、各種センサにて検出された信号に基づいて、駆動指令を生成する。各種センサとして、たとえば電流センサ、回転角センサ、電圧センサがある。電流センサは、各相の巻線３ａに流れる相電流を検出する。回転角センサは、モータジェネレータ３の回転子の回転角を検出する。電圧センサは、平滑コンデンサ５の両端電圧を検出する。電力変換装置４は、これらの図示しないセンサを備えている。制御回路１６は、駆動指令としてＰＷＭ信号を出力する。制御回路１６は、たとえばマイコン（マイクロコンピュータ）を備えて構成されている。ＥＣＵは、Electronic Control Unitの略称である。ＰＷＭは、Pulse Width Modulationの略称である。 The control circuit 16 generates drive commands for operating the IGBTs 12 and 13 and outputs them to the drive circuit 17 . The control circuit 16 generates a drive command based on a torque request input from a host ECU (not shown) and signals detected by various sensors. Various sensors include, for example, a current sensor, a rotation angle sensor, and a voltage sensor. The current sensor detects a phase current flowing through each phase winding 3a. The rotation angle sensor detects the rotation angle of the rotor of motor generator 3 . A voltage sensor detects the voltage across the smoothing capacitor 5 . The power conversion device 4 includes these sensors (not shown). The control circuit 16 outputs a PWM signal as a drive command. The control circuit 16 includes, for example, a microcomputer. ECU is an abbreviation for Electronic Control Unit. PWM is an abbreviation for Pulse Width Modulation.

駆動回路１７は、制御回路１６の駆動指令に基づいて、対応するＩＧＢＴ１２、１３のゲートに駆動電圧を供給する。駆動回路１７は、駆動電圧の印加により、対応するＩＧＢＴ１１、１２を駆動、すなわちオン駆動、オフ駆動させる。駆動回路１７は、ドライバと称されることがある。本実施形態では、上下アーム回路９のひとつのアームに対して、ひとつの駆動回路１７を設けている。すなわち、並列接続された２つのＩＧＢＴ１２に対してひとつの駆動回路１７を設け、並列接続された２つのＩＧＢＴ１３に対してひとつの駆動回路を設けている。 The drive circuit 17 supplies a drive voltage to the corresponding gates of the IGBTs 12 and 13 based on the drive command from the control circuit 16 . The drive circuit 17 drives the corresponding IGBTs 11 and 12 by applying a drive voltage, that is, turns them on and off. The drive circuit 17 is sometimes called a driver. In this embodiment, one drive circuit 17 is provided for one arm of the upper and lower arm circuits 9 . That is, one driving circuit 17 is provided for two IGBTs 12 connected in parallel, and one driving circuit is provided for two IGBTs 13 connected in parallel.

電力変換装置４が、制御回路１６を備える例を示したが、これに限定されない。たとえば制御回路１６の機能を上位ＥＣＵにもたせることで、制御回路１６を備えない構成としてもよい。上下アーム回路９を構成するひとつのアームごとに駆動回路１７を設ける例を示したが、これに限定されない。たとえば、ひとつの上下アーム回路９に対して、ひとつの駆動回路１７を設けてもよい。 Although an example in which the power conversion device 4 includes the control circuit 16 is shown, the present invention is not limited to this. For example, a configuration without the control circuit 16 may be employed by giving the function of the control circuit 16 to the host ECU. Although an example in which the drive circuit 17 is provided for each arm constituting the upper and lower arm circuit 9 has been shown, the present invention is not limited to this. For example, one drive circuit 17 may be provided for one upper and lower arm circuit 9 .

＜電力変換装置の構造＞
次に、図２および図３に基づき、電力変換装置４の構造について説明する。以下では、積層体１００の積層方向をＸ方向と示す。Ｘ方向に直交し、主端子３０３の延設方向をＺ方向と示す。Ｘ方向およびＺ方向に直交する方向をＹ方向と示す。 <Structure of power converter>
Next, the structure of the power conversion device 4 will be described based on FIGS. 2 and 3. FIG. Hereinafter, the stacking direction of the stack 100 is indicated as the X direction. The extending direction of the main terminals 303 perpendicular to the X direction is indicated as the Z direction. A direction orthogonal to the X direction and the Z direction is indicated as the Y direction.

図２では、ケース２０の内部を示すために、ケース２０を断面で示し、その他の要素を平面で示している。図３は、積層体１００をＸ１方向から見た平面図であり、便宜上、排出管４３を省略して図示している。図２および図３では、明確化のために、モジュール３０のうち、ダミーモジュール３１０にハッチングを施している。 In FIG. 2, the case 20 is shown in cross section to show the inside of the case 20, and other elements are shown in plan. FIG. 3 is a plan view of the laminate 100 viewed from the X1 direction, and for the sake of convenience, the discharge pipe 43 is omitted. 2 and 3, the dummy module 310 among the modules 30 is hatched for clarity.

図２および図３に示すように、電力変換装置４は、ケース２０と、複数のモジュール３０と、冷却器４０と、加圧部材５０と、回路基板６０と、コンデンサモジュール７０と、出力端子台８０を備えている。電力変換装置４は、上記要素以外にも、図示しない入力端子台やバスバーなどを備えている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the power converter 4 includes a case 20, a plurality of modules 30, a cooler 40, a pressure member 50, a circuit board 60, a capacitor module 70, and an output terminal block. It has 80. The power conversion device 4 includes an input terminal block, a bus bar, and the like (not shown) in addition to the above elements.

ケース２０は、電力変換装置４を構成する他の要素を収容すべく、箱状をなしている。たとえば、ケース２０はアルミダイカストによる成形体であり、略直方体状をなしている。ケース２０は、複数の部材（たとえば２つ）を組み付けることで構成される。ケース２０は、導入管４２が挿通される貫通孔２１と、排出管４３が挿通される貫通孔２２を有している。貫通孔２１、２２は、ケース２０において共通の側面に設けられている。複数の部材によって内外を貫通する開口部が形成される場合、開口部が貫通孔２１、２２に相当する。 The case 20 has a box shape to accommodate other elements that constitute the power conversion device 4 . For example, the case 20 is an aluminum die-cast molding and has a substantially rectangular parallelepiped shape. Case 20 is configured by assembling a plurality of members (for example, two). The case 20 has a through hole 21 through which the introduction pipe 42 is inserted and a through hole 22 through which the discharge pipe 43 is inserted. Through holes 21 and 22 are provided on a common side surface of case 20 . When openings penetrating inside and outside are formed by a plurality of members, the openings correspond to the through holes 21 and 22 .

貫通孔２１の壁面と導入管４２との間、貫通孔２２の壁面と排出管４３との間には、貫通孔２１、２２周りを水密にシールする図示しないシール部材が配置されている。シール部材として、グロメットなどの弾性部材、シール用の接着材などを用いることができる。 Between the wall surface of the through hole 21 and the introduction pipe 42 and between the wall surface of the through hole 22 and the discharge pipe 43, sealing members (not shown) are arranged to seal the surroundings of the through holes 21 and 22 watertightly. As the sealing member, an elastic member such as a grommet, an adhesive for sealing, or the like can be used.

ケース２０は、支持部２３を有している。支持部２３は、Ｘ方向において、複数のモジュール３０および熱交換部４１による積層体１００を支持している。本実施形態では、ケース２０が、支持部２３として、内面から突出する凸部を有している。支持部２３は、たとえばケース２０の底壁に設けられている。 The case 20 has a support portion 23 . The support section 23 supports the laminate 100 of the plurality of modules 30 and the heat exchange section 41 in the X direction. In this embodiment, the case 20 has a convex portion protruding from the inner surface as the support portion 23 . Support portion 23 is provided, for example, on the bottom wall of case 20 .

モジュール３０は、Ｘ方向において熱交換部４１と交互に配置されている。モジュール３０のそれぞれは、隣り合う熱交換部４１の間に配置され、両面側から熱交換部４１により挟まれている。複数のモジュール３０は、間隔を有しつつＸ方向に沿って所定の複数段、配置されている。モジュール３０は、半導体モジュール３００と、ダミーモジュール３１０を含んでいる。本実施形態では、モジュール３０の段数が９段に設定されている。なお、モジュール３０の段数とは、積層方向に配置されたモジュール３０の数である。 The modules 30 are alternately arranged with the heat exchange sections 41 in the X direction. Each of the modules 30 is arranged between adjacent heat exchange portions 41 and sandwiched by the heat exchange portions 41 from both sides. A plurality of modules 30 are arranged in a predetermined plurality of stages along the X direction while having intervals. Module 30 includes semiconductor module 300 and dummy module 310 . In this embodiment, the number of stages of the modules 30 is set to nine. The number of stages of modules 30 is the number of modules 30 arranged in the stacking direction.

半導体モジュール３００は、インバータ６（電力変換回路）を構成する。図３に示すように、半導体モジュール３００は、インバータ６を構成する半導体素子３０１と、封止樹脂体３０２と、主端子３０３および信号端子３０４を有している。 The semiconductor module 300 constitutes the inverter 6 (power conversion circuit). As shown in FIG. 3 , the semiconductor module 300 has a semiconductor element 301 forming the inverter 6 , a sealing resin body 302 , main terminals 303 and signal terminals 304 .

半導体素子３０１は、半導体基板に素子が形成されてなる。半導体素子３０１は、半導体チップと称されることがある。半導体モジュール３００は、２つの半導体素子３０１を備えている。半導体素子３０１のひとつには、ＩＧＢＴ１２およびダイオード１４が形成され、他のひとつには、ＩＧＢＴ１３およびダイオード１５が形成されている。半導体素子３０１のそれぞれにおいて、一面にはコレクタが形成され、裏面にはエミッタおよび信号用のパッドが形成されている。２つの半導体素子３０１は、共通構造である。半導体素子３０１は、板厚方向がＸ方向と略平行となるように配置されている。 A semiconductor element 301 is formed on a semiconductor substrate. The semiconductor element 301 is sometimes called a semiconductor chip. A semiconductor module 300 includes two semiconductor elements 301 . The IGBT 12 and the diode 14 are formed in one of the semiconductor elements 301, and the IGBT 13 and the diode 15 are formed in the other one. In each semiconductor element 301, a collector is formed on one surface, and an emitter and signal pads are formed on the back surface. The two semiconductor elements 301 have a common structure. The semiconductor element 301 is arranged such that the plate thickness direction is substantially parallel to the X direction.

封止樹脂体３０２は、２つの半導体素子３０１を一体的に封止している。封止樹脂体３０２は、たとえばエポキシ系樹脂を材料とし、トランスファモールド、ポッティング等により成形されている。 The sealing resin body 302 integrally seals the two semiconductor elements 301 . The encapsulating resin body 302 is made of, for example, an epoxy-based resin, and is formed by transfer molding, potting, or the like.

主端子３０３および信号端子３０４は、外部接続用の端子である。主端子３０３は、半導体素子３０１の主電極に、電気的に接続されている。主端子３０３は、正極端子３０３Ｐと、負極端子３０３Ｎと、出力端子３０３Ｓを有している。正極端子３０３Ｐは、ＩＧＢＴ１２のコレクタに接続されている。正極端子３０３Ｐは、図示しない正極側のバスバーを介して、コンデンサモジュール７０の正極端子に接続されている。負極端子３０３Ｎは、ＩＧＢＴ１３のエミッタに接続されている。負極端子３０３Ｎは、図示しない負極側のバスバーを介して、コンデンサモジュール７０の負極端子に接続されている。出力端子３０３Ｓは、ＩＧＢＴ１２、１３の接続点に接続されている。出力端子３０３Ｓは、対応する相の出力バスバーを介して、出力端子台８０に接続されている。 The main terminal 303 and the signal terminal 304 are terminals for external connection. The main terminal 303 is electrically connected to the main electrode of the semiconductor element 301 . The main terminal 303 has a positive terminal 303P, a negative terminal 303N, and an output terminal 303S. The positive terminal 303P is connected to the collector of the IGBT12. The positive terminal 303P is connected to the positive terminal of the capacitor module 70 via a positive bus bar (not shown). The negative terminal 303N is connected to the emitter of the IGBT13. The negative terminal 303N is connected to the negative terminal of the capacitor module 70 via a negative bus bar (not shown). The output terminal 303S is connected to the connection point of the IGBTs 12 and 13. FIG. The output terminals 303S are connected to the output terminal block 80 via corresponding phase output bus bars.

主端子３０３（３０３Ｐ、３０３Ｎ、３０３Ｓ）は、封止樹脂体３０２の互いに共通する側面から同じ側に突出している。主端子３０３は、Ｚ方向に延設されている。主端子３０３の突出部分は、正極端子３０３Ｐ、負極端子３０３Ｎ、出力端子３０３Ｓの順にＹ方向に並んで配置されている。信号端子３０４は、半導体素子３０１のパッドに、電気的に接続されている。信号端子３０４は、主端子３０３とは反対の方向に延設されている。 The main terminals 303 (303P, 303N, 303S) protrude from the common side surface of the sealing resin body 302 to the same side. The main terminal 303 extends in the Z direction. The projecting portions of the main terminals 303 are arranged in the Y direction in order of the positive terminal 303P, the negative terminal 303N, and the output terminal 303S. The signal terminals 304 are electrically connected to pads of the semiconductor element 301 . The signal terminal 304 extends in the direction opposite to the main terminal 303 .

図示を省略するが、半導体モジュール３００は、上アーム側の半導体素子３０１を挟む一対のヒートシンクと、下アーム側の半導体素子３０１を挟む一対のヒートシンクを備えている。ヒートシンクは、はんだ等の接合材を介して、対応する半導体素子３０１の主電極に接続されている。半導体素子３０１を挟む一対のヒーシンクのひとつはコレクタに接続され、他のひとつはエミッタに接続されている。ヒートシンクにおいて、たとえば半導体素子側の実装面とは反対の面は、封止樹脂体３０２から露出している。上アーム側の半導体素子３０１のエミッタに接続されたヒートシンクと、下アーム側の半導体素子３０１のコレクタに接続されたヒートシンクとが、封止樹脂体３０２内で電気的に接続されている。 Although not shown, the semiconductor module 300 includes a pair of heat sinks sandwiching the semiconductor element 301 on the upper arm side and a pair of heat sinks sandwiching the semiconductor element 301 on the lower arm side. The heat sinks are connected to corresponding main electrodes of the semiconductor elements 301 via a bonding material such as solder. One of a pair of heat sinks sandwiching the semiconductor element 301 is connected to the collector, and the other is connected to the emitter. In the heat sink, for example, the surface opposite to the mounting surface on the semiconductor element side is exposed from the sealing resin body 302 . A heat sink connected to the emitter of the semiconductor element 301 on the upper arm side and a heat sink connected to the collector of the semiconductor element 301 on the lower arm side are electrically connected in the sealing resin body 302 .

主端子３０３は、ヒートシンクに連なっている。主端子３０３は、ヒートシンクを介して、主電極に接続されている。たとえば主端子３０３とヒートシンクとは、共通の金属部材（リードフレーム）として提供される。 The main terminals 303 are connected to the heat sink. A main terminal 303 is connected to the main electrode via a heat sink. For example, the main terminals 303 and the heat sink are provided as a common metal member (lead frame).

上記した半導体モジュール３００は、ひとつの直列回路１１を構成している。したがって、２つの半導体モジュール３００により、一相分の上下アーム回路９が構成される。電力変換装置４は、三相の上下アーム回路９（インバータ６）に対応して６つの半導体モジュール３００を備えている。具体的には、Ｕ相の上下アーム回路９Ｕを構成する２つの半導体モジュール３００Ｕと、Ｖ相の上下アーム回路９Ｖを構成する２つの半導体モジュール３００Ｖと、Ｗ相の上下アーム回路９Ｗを構成する２つの半導体モジュール３００Ｗを備えている。６つの半導体モジュール３００は、Ｘ方向に沿って並んでおり、モジュール３０の９段中、６段を占めている。各相の半導体モジュール３００Ｕ、３００Ｖ、３００Ｗが２段ずつ占めている。 The semiconductor module 300 described above constitutes one series circuit 11 . Therefore, two semiconductor modules 300 constitute the upper and lower arm circuits 9 for one phase. The power conversion device 4 includes six semiconductor modules 300 corresponding to the three-phase upper and lower arm circuits 9 (inverters 6). Specifically, two semiconductor modules 300U forming a U-phase upper and lower arm circuit 9U, two semiconductor modules 300V forming a V-phase upper and lower arm circuit 9V, and two semiconductor modules 300V forming a W-phase upper and lower arm circuit 9W. It has two semiconductor modules 300W. The six semiconductor modules 300 are arranged along the X direction and occupy six of the nine modules 30 . Two stages of semiconductor modules 300U, 300V, and 300W of each phase are occupied.

ダミーモジュール３１０は、上下アーム回路９、すなわちインバータ６（電力変換回路）を構成しないモジュールである。ダミーモジュール３１０は、半導体素子３０１を有していない。ダミーモジュール３１０は、所定段のモジュール３０において、半導体モジュール３００が配置されない空きを埋めるモジュールである。ダミーモジュール３１０のＸ方向の長さ、すなわち厚みは、半導体モジュール３００の厚みとほぼ同じである。 The dummy module 310 is a module that does not constitute the upper and lower arm circuits 9, that is, the inverter 6 (power conversion circuit). Dummy module 310 does not have semiconductor element 301 . The dummy module 310 is a module that fills an empty space in which the semiconductor module 300 is not arranged in the module 30 at a predetermined stage. The length of the dummy module 310 in the X direction, that is, the thickness, is substantially the same as the thickness of the semiconductor module 300 .

ダミーモジュール３１０は、隣り合う熱交換部４１の間に介在し、熱交換部４１の間に間隔を設ける。このように、スペーサとして機能するものであれば、ダミーモジュール３１０として採用することができる。たとえば、金属ブロック体、樹脂などの絶縁体を採用してもよい。本実施形態では、ダミーモジュール３１０として、熱交換部４１と同材料を用いて略直方体状に形成された金属ブロック体を採用している。 The dummy module 310 is interposed between the adjacent heat exchange portions 41 to provide a space between the heat exchange portions 41 . In this way, anything that functions as a spacer can be employed as the dummy module 310 . For example, an insulator such as a metal block or resin may be employed. In this embodiment, as the dummy module 310, a metal block made of the same material as the heat exchange section 41 and formed in a substantially rectangular parallelepiped shape is adopted.

電力変換装置４は、３つのダミーモジュール３１０を備えている。３つのダミーモジュール３１０は、半導体モジュール３００とともにＸ方向に沿って並んでおり、９段のモジュール３０中、３段を示している。 The power conversion device 4 has three dummy modules 310 . Three dummy modules 310 are arranged along the X direction together with the semiconductor modules 300, and show three stages of the nine modules 30. FIG.

冷却器４０は、熱伝導性に優れた金属材料、たとえばアルミニウム系の材料を用いて形成されている。冷却器４０は、熱交換部４１と、導入管４２と、排出管４３と、固定部材４４を有している。熱交換部４１は、ケース２０に収容されている。熱交換部４１は、全体として扁平形状の管状体となっている。熱交換部４１は、たとえば、一対のプレート（金属製薄板）の少なくとも一方を、プレス加工によってＸ方向に膨らんだ形状に加工する。その後、一対のプレートの外周縁部同士を、かしめなどによって固定するとともに、ろう付けなどによって全周で互いに接合する。これにより、一対のプレート間に冷媒が流通可能な流路が形成され、熱交換部４１として用いることが可能となる。 Cooler 40 is made of a metal material with excellent thermal conductivity, such as an aluminum-based material. The cooler 40 has a heat exchange section 41 , an introduction pipe 42 , an exhaust pipe 43 and a fixing member 44 . The heat exchange portion 41 is housed in the case 20 . The heat exchange portion 41 is a flat tubular body as a whole. For example, the heat exchange portion 41 is formed by pressing at least one of a pair of plates (thin metal plates) into a bulging shape in the X direction. After that, the outer peripheral edges of the pair of plates are fixed to each other by caulking or the like, and the entire circumference is joined to each other by brazing or the like. As a result, a flow path through which the coolant can flow is formed between the pair of plates, and the heat exchange section 41 can be used.

熱交換部４１は、Ｘ方向において間隔を有しつつ積層配置されている。熱交換部４１は、モジュール３０のそれぞれを両面側から挟むように、複数のモジュール３０と交互に積層されている。熱交換部４１は、９段配置のモジュール３０をそれぞれ挟むように、１０段配置とされている。半導体モジュール３００と熱交換部４１との間には、図示しない絶縁部材が介在している。絶縁部材は、熱交換部４１と半導体モジュール３００とを電気的に分離している。絶縁部材としては、たとえば、セラミック板、グリスやゲル状の熱伝導部材、およびそれらの組み合わせを採用することができる。ダミーモジュール３１０は配線機能を有していない。よって、ダミーモジュール３１０と熱交換部４１との間には、絶縁部材を配置してもよいし、配置しなくてもよい。 The heat exchange portions 41 are stacked and arranged with intervals in the X direction. The heat exchange section 41 is alternately stacked with a plurality of modules 30 so as to sandwich each of the modules 30 from both sides. The heat exchange sections 41 are arranged in ten stages so as to sandwich the modules 30 arranged in nine stages. An insulating member (not shown) is interposed between the semiconductor module 300 and the heat exchange section 41 . The insulating member electrically separates the heat exchanging portion 41 and the semiconductor module 300 . As the insulating member, for example, a ceramic plate, a grease or gel-like thermally conductive member, or a combination thereof can be adopted. The dummy module 310 has no wiring function. Therefore, an insulating member may or may not be arranged between the dummy module 310 and the heat exchange section 41 .

導入管４２および排出管４３のそれぞれは、ケース２０の内外にわたって配置されている。導入管４２および排出管４３のそれぞれは、ひとつの部材により構成されてもよいし、複数の部材を連結してなる構成としてもよい。導入管４２および排出管４３は、熱交換部４１のそれぞれに連結されている。図示しないポンプによって冷媒を導入管４２に供給することにより、積層された熱交換部４１内の流路に冷媒が流れる。これにより、積層体１００を構成する半導体モジュール３００のそれぞれが、冷媒によって冷却される。ダミーモジュール３１０も冷媒によって冷却される。熱交換部４１のそれぞれを流れた冷媒は、排出管４３を介して排出される。冷媒としては、水やアンモニアなどの相変化する冷媒や、エチレングリコール系などの相変化しない冷媒を用いることができる。 Each of the introduction pipe 42 and the discharge pipe 43 is arranged inside and outside the case 20 . Each of the introduction pipe 42 and the discharge pipe 43 may be configured by one member, or may be configured by connecting a plurality of members. The introduction pipe 42 and the discharge pipe 43 are connected to each of the heat exchange portions 41 . By supplying the refrigerant to the introduction pipe 42 by a pump (not shown), the refrigerant flows through the channels in the stacked heat exchange portions 41 . Thereby, each of the semiconductor modules 300 forming the stacked body 100 is cooled by the coolant. Dummy module 310 is also cooled by the coolant. The refrigerant that has flowed through each of the heat exchange portions 41 is discharged through the discharge pipe 43 . As the refrigerant, a phase-change refrigerant such as water or ammonia, or a phase-invariable refrigerant such as an ethylene glycol-based refrigerant can be used.

固定部材４４は、導入管４２および排出管４３のそれぞれを、ケース２０に固定している。本実施形態において、固定部材４４は、貫通孔２１、２２の形成されたケース２０の側壁と熱交換部４１（積層体１００）との間に設けられている。固定部材４４としては、たとえばクランプを採用することができる。固定部材４４（クランプ）は、管ごとに設けられている。固定部材４４は、管を跨いだ状態で、ケース２０にねじ締結されている。 A fixing member 44 fixes each of the introduction pipe 42 and the discharge pipe 43 to the case 20 . In this embodiment, the fixing member 44 is provided between the side wall of the case 20 in which the through holes 21 and 22 are formed and the heat exchanging portion 41 (laminated body 100). A clamp, for example, can be employed as the fixing member 44 . A fixing member 44 (clamp) is provided for each tube. The fixing member 44 is screwed to the case 20 while straddling the pipe.

上記したように、モジュール３０と熱交換部４１とがＸ方向において交互に配置され、積層体１００をなしている。積層体１００は、Ｘ方向に多段に配置された複数のモジュール３０と、モジュール３０それぞれの両側面を挟むように多段に配置された複数の熱交換部４１を有している。熱交換部４１が、積層体１００においてＸ方向の両端をなしている。図３に示すように、積層体１００は、インバータ６（すなわち上下アーム回路９）の相に対応する複数の相領域を有している。相領域とは、相ごとに割り振られたモジュール３０の配置領域である。積層体１００は、Ｕ相領域１００Ｕと、Ｖ相領域１００Ｖと、Ｗ相領域１００Ｗを有している。以下では、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗと示すことがある。 As described above, the modules 30 and the heat exchange sections 41 are alternately arranged in the X direction to form the laminate 100 . The laminate 100 has a plurality of modules 30 arranged in multiple stages in the X direction, and a plurality of heat exchange units 41 arranged in multiple stages so as to sandwich both side surfaces of the modules 30 . The heat exchange portions 41 form both ends of the laminate 100 in the X direction. As shown in FIG. 3, the laminate 100 has a plurality of phase regions corresponding to the phases of the inverter 6 (that is, the upper and lower arm circuits 9). A phase area is an arrangement area of the modules 30 allocated for each phase. The laminate 100 has a U-phase region 100U, a V-phase region 100V, and a W-phase region 100W. In the following, phase regions 100U, 100V, and 100W may be indicated.

３つの相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗは、互いに等しい段数のモジュール３０が配置されるように設定されている。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗには、それぞれ３段のモジュール３０が配置されている。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれは、隣り合う熱交換部４１間に形成されるモジュール配置用の隙間を３つ（３段）提供する。加圧部材５０側から、Ｕ相領域１００Ｕ、Ｖ相領域１００Ｖ、Ｗ相領域１００Ｗの順に設定されている。 The three phase regions 100U, 100V, and 100W are set so that the same number of stages of modules 30 are arranged. Three stages of modules 30 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. Each of the phase regions 100U, 100V, and 100W provides three gaps (three stages) for module placement formed between adjacent heat exchange portions 41 . The U-phase region 100U, the V-phase region 100V, and the W-phase region 100W are set in this order from the pressing member 50 side.

Ｕ相領域１００Ｕにおいて、３つのモジュール３０は、加圧部材５０側から、半導体モジュール３００Ｕ、半導体モジュール３００Ｕ、ダミーモジュール３１０の順に配置されている。同様に、Ｖ相領域１００Ｖにおいて、加圧部材５０側から、半導体モジュール３００Ｖ、半導体モジュール３００Ｖ、ダミーモジュール３１０の順に配置されている。Ｗ相領域１００Ｗにおいて、加圧部材５０側から、半導体モジュール３００Ｗ、半導体モジュール３００Ｗ、ダミーモジュール３１０の順に配置されている。いずれの相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗにおいても、半導体モジュール３００、半導体モジュール３００、ダミーモジュール３１０の並びとなっている。 In the U-phase region 100U, the three modules 30 are arranged in the order of the semiconductor module 300U, the semiconductor module 300U, and the dummy module 310 from the pressure member 50 side. Similarly, in the V-phase region 100V, the semiconductor module 300V, the semiconductor module 300V, and the dummy module 310 are arranged in this order from the pressure member 50 side. In the W-phase region 100W, the semiconductor module 300W, the semiconductor module 300W, and the dummy module 310 are arranged in this order from the pressure member 50 side. The semiconductor modules 300, the semiconductor modules 300, and the dummy modules 310 are aligned in any of the phase regions 100U, 100V, and 100W.

加圧部材５０は、弾性部材５１と、支持部材５２と、当接プレート５３を有している。弾性部材５１は、ケース２０において貫通孔２１、２２の形成された側壁とは反対の側壁（以下、対向壁と示す）と、積層体１００との間に設けられている。本実施形態では、弾性部材５１として、湾曲形成された板ばねを採用している。弾性部材５１としては、金属製のばね以外に、ゴムなどの弾性変形により加圧力を発生するものを採用することができる。 The pressure member 50 has an elastic member 51 , a support member 52 and a contact plate 53 . The elastic member 51 is provided between the side wall of the case 20 opposite to the side wall where the through holes 21 and 22 are formed (hereinafter referred to as the facing wall) and the laminate 100 . In this embodiment, a curved plate spring is used as the elastic member 51 . As the elastic member 51, other than a metal spring, a member such as rubber that generates a pressure force by elastic deformation can be used.

支持部材５２は、弾性部材５１とケース２０の対向壁との間に設けられている。加圧部材５０は、２本の支持部材５２を有している。２本の支持部材５２は、Ｙ方向において離間して設けられている。２本の支持部材５２により、弾性部材５１の両端が支持されている。弾性部材５１は、Ｙ方向の中央において積層体１００を押圧する。支持部材５２は、たとえばケース２０の底壁に固定されている。弾性部材５１は、ケース２０の底壁から浮いた位置に支持されている。 The support member 52 is provided between the elastic member 51 and the opposing wall of the case 20 . The pressure member 50 has two support members 52 . The two support members 52 are spaced apart in the Y direction. Both ends of the elastic member 51 are supported by two supporting members 52 . The elastic member 51 presses the laminate 100 at the center in the Y direction. Support member 52 is fixed to, for example, the bottom wall of case 20 . The elastic member 51 is supported at a position floating from the bottom wall of the case 20 .

当接プレート５３は、平板状をなしている。当接プレート５３は、弾性部材５１と積層体１００との間に配置されている。当接プレート５３は、積層体１００の一端をなす熱交換部４１に面接触している。積層体１００の他端をなす熱交換部４１が支持部２３によって支持された状態で、弾性部材５１は、当接プレート５３を介して積層体１００を押圧している。これにより、モジュール３０が熱交換部４１によって挟持される。また、積層体１００が、ケース２０内において所定の位置に保持される。 The contact plate 53 has a flat plate shape. The contact plate 53 is arranged between the elastic member 51 and the laminate 100 . The contact plate 53 is in surface contact with the heat exchange portion 41 forming one end of the laminate 100 . The elastic member 51 presses the laminate 100 via the contact plate 53 while the heat exchange portion 41 forming the other end of the laminate 100 is supported by the support portion 23 . As a result, the module 30 is sandwiched between the heat exchange portions 41 . Also, the laminate 100 is held at a predetermined position within the case 20 .

回路基板６０は、図示を省略するが、樹脂などの絶縁基材に配線が配置された配線基板、配線基板に実装された電子部品、コネクタなどを備えている。実装された電子部品と配線により回路が構成されている。回路基板６０には、上記した制御回路１６および駆動回路１７が構成されている。回路基板６０は、Ｚ方向の平面視において、積層体１００（モジュール３０）と重なる位置に配置されている。回路基板６０に、半導体モジュール３００の信号端子３０４が接続されている。 Although not shown, the circuit board 60 includes a wiring board in which wiring is arranged on an insulating base material such as resin, electronic components mounted on the wiring board, connectors, and the like. A circuit is composed of mounted electronic components and wiring. The circuit board 60 includes the control circuit 16 and the drive circuit 17 described above. The circuit board 60 is arranged at a position overlapping the laminate 100 (module 30) in plan view in the Z direction. Signal terminals 304 of the semiconductor module 300 are connected to the circuit board 60 .

コンデンサモジュール７０は、ケース２０に固定されている。コンデンサモジュール７０は、図示しないコンデンサ素子を有している。コンデンサ素子として、たとえばフィルムコンデンサ素子を採用することができる。コンデンサ素子は、たとえば樹脂または金属を用いて形成されたコンデンサケースに収容され、この収容状態で、樹脂封止されている。コンデンサケースに収容されるコンデンサ素子の数は特に限定されない。ひとつのみでもよいし、複数でもよい。 Capacitor module 70 is fixed to case 20 . The capacitor module 70 has capacitor elements (not shown). A film capacitor element, for example, can be employed as the capacitor element. The capacitor element is housed in a capacitor case made of, for example, resin or metal, and is resin-sealed in this housed state. The number of capacitor elements accommodated in the capacitor case is not particularly limited. It may be one or more.

コンデンサ素子の電極には、図示しないコンデンサバスバーが接続されている。正極側のコンデンサバスバーには正極端子が連なっており、負極側のコンデンサバスバーには負極端子が連なっている。上記したように、コンデンサモジュール７０の正極端子は、バスバーを介して正極端子３０３Ｐに接続されている。コンデンサモジュール７０の負極端子は、バスバーを介して負極端子３０３Ｎに接続されている。コンデンサバスバーのそれぞれには、半導体モジュール３００との接続用の端子とは別に、コンデンサ素子を直流電源２に接続するための入力端子が連なっている。入力端子は、図示しない入力端子台を介して、直流電源２に接続される。入力端子台は、ケース２０に形成された図示しない開口部を通じて、直流電源２との電気的な接続が可能となっている。 A capacitor bus bar (not shown) is connected to the electrodes of the capacitor element. A positive electrode terminal is connected to the capacitor bus bar on the positive electrode side, and a negative electrode terminal is connected to the capacitor bus bar on the negative electrode side. As described above, the positive terminal of the capacitor module 70 is connected to the positive terminal 303P through the busbar. A negative terminal of the capacitor module 70 is connected to the negative terminal 303N via a bus bar. Each of the capacitor bus bars has an input terminal for connecting the capacitor element to the DC power supply 2 in addition to the terminal for connection with the semiconductor module 300 . The input terminals are connected to the DC power supply 2 via an input terminal block (not shown). The input terminal block can be electrically connected to the DC power supply 2 through an opening (not shown) formed in the case 20 .

出力端子台８０は、ケース２０に固定されている。出力端子台８０は、モータジェネレータ３と電力変換装置４とを電気的に接続する。出力端子台８０は、図示しないバスバーを介して、半導体モジュール３００の出力端子３０３Ｓに接続されている。出力端子台８０は、ハウジングに保持された各相の出力端子を有している。出力端子台８０は、ケース２０に形成された図示しない開口部を通じて、モータジェネレータ３の巻線３ａとの電気的な接続が可能となっている。 The output terminal block 80 is fixed to the case 20 . The output terminal block 80 electrically connects the motor generator 3 and the power converter 4 . The output terminal block 80 is connected to the output terminal 303S of the semiconductor module 300 via a bus bar (not shown). The output terminal block 80 has output terminals for each phase held in a housing. The output terminal block 80 can be electrically connected to the windings 3 a of the motor generator 3 through an opening (not shown) formed in the case 20 .

本実施形態では、コンデンサモジュール７０と出力端子台８０との間に、積層体１００が配置されている。コンデンサモジュール７０は、Ｙ方向において、正極端子３０３Ｐ側に配置されている。出力端子台は、Ｙ方向において、出力端子３０３Ｓ側に配置されている。 In this embodiment, the laminate 100 is arranged between the capacitor module 70 and the output terminal block 80 . The capacitor module 70 is arranged on the positive terminal 303P side in the Y direction. The output terminal block is arranged on the output terminal 303S side in the Y direction.

＜第１実施形態のまとめ＞
図４は、上記構成の電力変換装置４において、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのすべての段に半導体モジュール３００を配置した参考例を示している。９段配置のモジュール３０が、すべて半導体モジュール３００である。Ｕ相領域１００Ｕには、３つの半導体モジュール３００Ｕが配置されている。３つの半導体モジュール３００Ｕは互いに並列接続されて、Ｕ相の上下アーム回路９Ｕを構成している。同様に、Ｖ相領域１００Ｖには、３つの半導体モジュール３００Ｖが配置されている。３つの半導体モジュール３００Ｖは互いに並列接続されて、Ｖ相の上下アーム回路９Ｖを構成している。Ｗ相領域１００Ｗには、３つの半導体モジュール３００Ｗが配置されている。３つの半導体モジュール３００Ｗは互いに並列接続されて、Ｗ相の上下アーム回路９Ｗを構成している。 <Summary of the first embodiment>
FIG. 4 shows a reference example in which semiconductor modules 300 are arranged in all stages of the phase regions 100U, 100V, and 100W in the power converter 4 having the above configuration. All of the modules 30 arranged in nine stages are semiconductor modules 300 . Three semiconductor modules 300U are arranged in the U-phase region 100U. The three semiconductor modules 300U are connected in parallel to form a U-phase upper and lower arm circuit 9U. Similarly, three semiconductor modules 300V are arranged in the V-phase region 100V. The three semiconductor modules 300V are connected in parallel to form a V-phase upper and lower arm circuit 9V. Three semiconductor modules 300W are arranged in the W-phase region 100W. The three semiconductor modules 300W are connected in parallel to form a W-phase upper and lower arm circuit 9W.

このように、各相の上下アーム回路９（９Ｕ、９Ｖ、９Ｗ）を３並列の構成とすると、電流容量が大きくなる。よって、負荷であるモータジェネレータ３の大電流駆動が可能となる。参考例のインバータ６は、言うなれば出力範囲が広いタイプである。 In this way, when the upper and lower arm circuits 9 (9U, 9V, 9W) of each phase are arranged in three parallel configurations, the current capacity increases. Therefore, the motor generator 3, which is the load, can be driven with a large current. The inverter 6 of the reference example is of a type with a wide output range, so to speak.

本実施形態では、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに、２つの半導体モジュール３００が配置されている。すなわち、各相の上下アーム回路９が２並列の構成となっている。２並列であるため、３並列よりも電流容量が小さくなり、通電電流能力が低くなる。よって、３並列よりも出力範囲が狭くなる。参考例ほどの大電流を必要としないモータジェネレータ３（負荷）に好適となる。 In this embodiment, two semiconductor modules 300 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. That is, two upper and lower arm circuits 9 for each phase are arranged in parallel. Since there are 2 parallel connections, the current capacity is smaller than that of 3 parallel connections, and the current-carrying capacity is lower. Therefore, the output range is narrower than that of 3-parallel. This is suitable for the motor generator 3 (load) that does not require a large current as in the reference example.

そして、半導体モジュール３００の並列数を減らした分、ダミーモジュール３１０で補っている。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに、ひとつのダミーモジュール３１０が配置されている。これにより、参考例と同等の体格が維持される。この結果、積層方向（Ｘ方向）において積層体１００の体格を変えずに、出力を調整できる電力変換装置４を提供することができる。積層体１００の体格を変えずに、複数ラインナップを揃えることができる。積層体１００の体格を変えないため、複数ラインナップにおいて、積層体１００を構成する冷却器４０、加圧部材５０やバスバーなどの、積層体１００の周辺部品を共通化することができる。これにより、複数ラインナップにおいて、部品点数を低減することができる。また、製造工程を簡素化することもできる。 The reduced number of semiconductor modules 300 in parallel is compensated for by dummy modules 310 . One dummy module 310 is arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. Thereby, the physique equivalent to that of the reference example is maintained. As a result, it is possible to provide the power conversion device 4 capable of adjusting the output without changing the physique of the laminate 100 in the lamination direction (X direction). A plurality of lineups can be arranged without changing the physique of the laminate 100.例文帳に追加Since the physique of the laminate 100 is not changed, peripheral parts of the laminate 100, such as the cooler 40, the pressure member 50, and the busbar, which constitute the laminate 100, can be shared among multiple lineups. As a result, the number of parts can be reduced in a multiple lineup. Also, the manufacturing process can be simplified.

なお、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに、２つの半導体モジュール３００とひとつのダミーモジュール３１０が配置される例を示したが、これに限定されない。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに、ひとつの半導体モジュール３００と２つのダミーモジュール３１０が配置された構成としてもよい。各相の上下アーム回路９がひとつの直列回路１１のみにより構成されるため、図２および図３に示した構成よりも電流容量が小さくなり、出力範囲がさらに狭くなる。本実施形態の電力変換装置４によれば、負荷側の要求に応じて並列数を調整しつつ、積層体１００の体格を一定に維持することができる。 Although an example in which two semiconductor modules 300 and one dummy module 310 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W has been shown, the present invention is not limited to this. A configuration in which one semiconductor module 300 and two dummy modules 310 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W may be employed. Since the upper and lower arm circuits 9 for each phase are composed of only one series circuit 11, the current capacity is smaller than the configurations shown in FIGS. 2 and 3, and the output range is further narrowed. According to the power conversion device 4 of the present embodiment, the physical size of the laminate 100 can be maintained constant while adjusting the number of parallel connections according to a request from the load side.

図５に示す変形例のように、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれにおいて、２つの半導体モジュール３００の間に、ひとつのダミーモジュール３１０を配置してもよい。ダミーモジュール３１０が介在するため、並列接続すべき２つの半導体モジュール３００が積層方向において離れる。これにより、配線インダクタンスが増加する。 As in the modification shown in FIG. 5, one dummy module 310 may be arranged between two semiconductor modules 300 in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. Since the dummy module 310 is interposed, the two semiconductor modules 300 to be connected in parallel are separated in the stacking direction. This increases wiring inductance.

たとえば、出力端子３０３Ｓと出力端子台８０とを電気的に接続する出力バスバー９０の長さ、すなわち出力側の電流経路が長くなる。特に、出力端子３０３Ｓ間の経路が長くなり、出力端子３０３Ｓから接続点であるノードＮ１までの経路が長くなる。同様に、電源端子である正極端子３０３Ｐ、３０３Ｎとコンデンサモジュール７０とを電気的に接続する電源バスバー９１それぞれの長さも長くなる。図５では、便宜上、正極側の電源バスバー９１のみを示している。特に、正極端子３０３Ｐ間の経路が長くなり、正極端子３０３Ｐから接続点であるノードＮ２までの経路が長くなる。図示しない負極側の電源バスバーについても同様である。このように、平滑コンデンサ５との間に形成される電流経路である主回路のインダクタンスが増加する。 For example, the length of the output bus bar 90 electrically connecting the output terminal 303S and the output terminal block 80, that is, the current path on the output side is increased. In particular, the path between the output terminals 303S becomes longer, and the path from the output terminal 303S to the node N1, which is the connection point, becomes longer. Similarly, the length of each of the power bus bars 91 electrically connecting the positive terminals 303P and 303N, which are power terminals, to the capacitor module 70 is also increased. For the sake of convenience, FIG. 5 shows only the power bus bar 91 on the positive electrode side. In particular, the path between the positive terminals 303P becomes longer, and the path from the positive terminals 303P to the node N2, which is the connection point, becomes longer. The same applies to the power bus bar on the negative electrode side (not shown). Thus, the inductance of the main circuit, which is the current path formed between the smoothing capacitor 5 and the smoothing capacitor 5, increases.

本実施形態では、図２および図３に示したように、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれにおいて、２つの半導体モジュール３００が隣り合って配置され、ダミーモジュール３１０が積層方向の端部に配置されている。半導体モジュール３００の間にダミーモジュール３１０が介在しないため、図６に示すように、出力バスバー９０の長さ、すなわち出力側の電流経路を短くすることができる。特に、出力端子３０３Ｓ間の経路、出力端子３０３ＳからノードＮ１までの経路を短くすることができる。同様に、電源バスバー９１の長さ、すなわち主回路側の電流経路も短くすることができる。特に、正極端子３０３Ｐ間の経路、正極端子３０３ＰからノードＮ２までの経路を短くすることができる。図示しない負極側の電源バスバーについても同様である。以上により、並列接続によるインダクタンスの増加を抑制することができる。たとえば、出力電流の低下、スイッチングサージ（サージ電圧）の発生などを抑制することができる。 In this embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W, two semiconductor modules 300 are arranged adjacent to each other, and dummy modules 310 are arranged at the ends in the stacking direction. It is Since the dummy module 310 is not interposed between the semiconductor modules 300, the length of the output bus bar 90, that is, the current path on the output side can be shortened as shown in FIG. In particular, the path between the output terminals 303S and the path from the output terminal 303S to the node N1 can be shortened. Similarly, the length of the power bus bar 91, that is, the current path on the main circuit side can also be shortened. In particular, the path between the positive terminal 303P and the path from the positive terminal 303P to the node N2 can be shortened. The same applies to the power bus bar on the negative electrode side (not shown). As described above, an increase in inductance due to parallel connection can be suppressed. For example, it is possible to suppress a decrease in output current, generation of a switching surge (surge voltage), and the like.

相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに、３段のモジュール３０が配置される例を示したが、これに限定されない。４以上の段数にしてもよい。たとえば、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗを４段配置とし、少なくとも１段を半導体モジュール３００、残りの段をダミーモジュール３１０としてもよい。積層体１００を構成するモジュール３０の段数も９に限定されない。 Although an example in which three stages of modules 30 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W has been shown, the present invention is not limited to this. The number of stages may be four or more. For example, phase regions 100U, 100V, and 100W may be arranged in four stages, with semiconductor modules 300 in at least one stage and dummy modules 310 in the remaining stages. The number of stages of the modules 30 forming the laminate 100 is not limited to nine, either.

相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれにおいて、支持部２３側の端部にダミーモジュール３１０を配置する例を示したが、これに限定されない。加圧部材５０側の端部に、ダミーモジュール３１０を配置してもよい。 Although an example in which the dummy module 310 is arranged at the end portion on the support portion 23 side in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W is shown, the present invention is not limited to this. A dummy module 310 may be arranged at the end on the pressure member 50 side.

（第２実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、モジュール３０が９段配置されて積層体１００をなし、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに３段のモジュール３０が配置される例を示した。これに代えて、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに２段のモジュール３０を配置してもよい。 (Second embodiment)
This embodiment is a modification based on the preceding embodiment, and the description of the preceding embodiment can be used. In the preceding embodiment, an example in which nine modules 30 are arranged to form the laminate 100 and three modules 30 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W was shown. Alternatively, two stages of modules 30 may be arranged in each of phase regions 100U, 100V, and 100W.

図７は、本実施形態の電力変換装置４において積層体１００の周辺を示す図であり、図６に対応している。積層体１００は、６段配置されたモジュール３０と、熱交換部４１とを交互に積層して構成されている。積層体１００の相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗには、それぞれ２段のモジュール３０が配置されている。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれには、ひとつの半導体モジュール３００と、ひとつのダミーモジュール３１０が配置されている。それ以外の構成は、先行実施形態の構成（たとえば図６参照）と同様である。 FIG. 7 is a diagram showing the periphery of the laminate 100 in the power conversion device 4 of this embodiment, and corresponds to FIG. The laminate 100 is configured by alternately stacking the modules 30 arranged in six stages and the heat exchange sections 41 . In each of the phase regions 100U, 100V, and 100W of the laminate 100, two modules 30 are arranged. One semiconductor module 300 and one dummy module 310 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. The rest of the configuration is the same as the configuration of the preceding embodiment (for example, see FIG. 6).

＜第２実施形態のまとめ＞
相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに２つの半導体モジュール３００を配置した場合、各相の上下アーム回路９は２並列となる。これに対し、本実施形態では、半導体モジュール３００をひとつずつ減らして並列接続を解消した分、ダミーモジュール３１０で補っている。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれに、ひとつのダミーモジュール３１０が配置されている。２並列に対して電流容量は小さくなる。 <Summary of Second Embodiment>
When two semiconductor modules 300 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W, two parallel upper and lower arm circuits 9 are provided for each phase. In contrast, in the present embodiment, the semiconductor modules 300 are reduced one by one to eliminate the parallel connection, and the dummy modules 310 are used to compensate. One dummy module 310 is arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. The current capacity is smaller than that of two parallel circuits.

これにより、２並列の場合と同等の体格が維持される。この結果、積層体１００の体格を変えずに、出力を調整できる電力変換装置４を提供することができる。積層体１００の体格を変えずに、複数ラインナップを揃えることができる。積層体１００の体格を変えないため、複数ラインナップにおいて、積層体１００を構成する冷却器４０や積層体１００の周辺部品を共通化することができる。 This maintains the same physique as in the case of two parallels. As a result, it is possible to provide the power conversion device 4 capable of adjusting the output without changing the physical size of the laminate 100 . A plurality of lineups can be arranged without changing the physique of the laminate 100.例文帳に追加Since the physique of the laminate 100 is not changed, the cooler 40 constituting the laminate 100 and the peripheral parts of the laminate 100 can be shared among multiple lineups.

（第３実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、出力バスバー９０の相互の位置関係について特に言及しなかった。これに代えて、各相の出力バスバー９０を、所定の位置関係を満たすように配置してもよい。 (Third Embodiment)
This embodiment is a modification based on the preceding embodiment, and the description of the preceding embodiment can be used. In the preceding embodiment, no particular reference was made to the mutual positional relationship of the output busbars 90 . Alternatively, the output busbars 90 of each phase may be arranged so as to satisfy a predetermined positional relationship.

図８は、本実施形態の電力変換装置４において積層体１００の周辺を示す図であり、図６に対応している。図８に示すように、出力端子台８０は、出力バスバー９０が接続される端子部８１を有している。端子部８１は、相ごとに設けられている。三相に対応する３つの端子部８１は、所定の間隔を有して積層方向に並んでいる。 FIG. 8 is a diagram showing the periphery of the laminate 100 in the power conversion device 4 of this embodiment, and corresponds to FIG. As shown in FIG. 8, the output terminal block 80 has a terminal portion 81 to which the output busbar 90 is connected. A terminal portion 81 is provided for each phase. The three terminal portions 81 corresponding to the three phases are arranged in the stacking direction at predetermined intervals.

図中の一点鎖線は、積層方向において、３つの端子部８１の中心ＣＬを示している。中心ＣＬが積層方向中心に相当する。中心ＣＬは、３つの端子部８１の積層方向（Ｘ方向）における中心位置を通り、Ｙ方向に平行な仮想線である。出力バスバー９０は、中心ＣＬに対して、線対称配置されている。図８に示す例では、中心ＣＬが、６段配置された半導体モジュール３００の積層方向の中心と略一致している。それ以外の構成は、先行実施形態の構成（たとえば図６参照）と同様である。 A dashed-dotted line in the drawing indicates the center CL of the three terminal portions 81 in the stacking direction. The center CL corresponds to the stacking direction center. The center CL is an imaginary line that passes through the central positions of the three terminal portions 81 in the stacking direction (X direction) and is parallel to the Y direction. The output busbars 90 are arranged line-symmetrically with respect to the center CL. In the example shown in FIG. 8, the center CL substantially coincides with the center in the stacking direction of the semiconductor modules 300 arranged in six stages. The rest of the configuration is the same as the configuration of the preceding embodiment (for example, see FIG. 6).

＜第３実施形態のまとめ＞
本実施形態では、各相の出力バスバー９０を、端子部８１の中心ＣＬに対して線対称となるように配置している。これにより、各相の出力バスバー９０の配線長を互いにほぼ等しくし、三相でのインダクタンスばらつきを抑制することができる。したがって、三相での出力ばらつきを抑制することができる。たとえば、モータジェネレータ３に回転ムラが生じるのを抑制することができる。 <Summary of Third Embodiment>
In the present embodiment, the output busbars 90 of each phase are arranged line-symmetrically with respect to the center CL of the terminal portion 81 . As a result, the wiring lengths of the output busbars 90 of the respective phases can be made substantially equal, and inductance variations among the three phases can be suppressed. Therefore, output variations in three phases can be suppressed. For example, it is possible to suppress uneven rotation of the motor generator 3 .

相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗに配置されるモジュール３０の構成は、図８に示す例に限定されない。たとえば、第２実施形態に示した構成（図７参照）に適用してもよい。相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれが２段配置であっても、上記した線対称配置を採用することで、三相でのインダクタンスばらつきを抑制することができる。 The configuration of the modules 30 arranged in the phase regions 100U, 100V, and 100W is not limited to the example shown in FIG. For example, it may be applied to the configuration (see FIG. 7) shown in the second embodiment. Even if each of the phase regions 100U, 100V, and 100W is arranged in two stages, by adopting the line-symmetrical arrangement described above, it is possible to suppress variations in inductance in the three phases.

（第４実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、回路基板６０と半導体モジュール３００（信号端子３０４）の位置関係について特に言及しなかった。これに代えて、回路基板６０と半導体モジュール３００とを、所定の位置関係を満たすようにしてもよい。 (Fourth embodiment)
This embodiment is a modification based on the preceding embodiment, and the description of the preceding embodiment can be used. In the preceding embodiment, no particular reference was made to the positional relationship between the circuit board 60 and the semiconductor module 300 (signal terminals 304). Alternatively, the circuit board 60 and the semiconductor module 300 may satisfy a predetermined positional relationship.

図９は、本実施形態の電力変換装置４において、積層体１００を構成するモジュール３０と回路基板６０との位置関係を示す図である。図９では、便宜上、積層体１００のうち、モジュール３０のみを図示している。回路基板６０は、複数の固定部６１を有している。固定部６１は、回路基板６０におけるケース２０に固定された部分である。回路基板６０は、たとえばねじ締結によりケース２０に固定されており、固定部６１は締結部である。図６に示すように、積層体１００の周囲に複数の固定部６１が設けられている。一点鎖線は、積層体１００において、任意の固定部６１を直線的に結ぶ仮想線を示している。図９では、積層体と重なる仮想線のみを図示している。 FIG. 9 is a diagram showing the positional relationship between the module 30 and the circuit board 60 that constitute the laminate 100 in the power conversion device 4 of this embodiment. In FIG. 9, only the module 30 of the laminate 100 is shown for convenience. The circuit board 60 has a plurality of fixing portions 61 . The fixed portion 61 is a portion of the circuit board 60 fixed to the case 20 . The circuit board 60 is fixed to the case 20 by screwing, for example, and the fixed portion 61 is a fastening portion. As shown in FIG. 6, a plurality of fixing portions 61 are provided around the laminate 100 . A dashed-dotted line indicates an imaginary line that linearly connects arbitrary fixing portions 61 in the laminate 100 . In FIG. 9, only virtual lines that overlap the laminate are shown.

積層体１００は、先行実施形態（たとえば図６参照）同様、９段配置されたモジュール３０を有している。図示を省略するが、相領域１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗのそれぞれには、２つの半導体モジュール３００と、ひとつのダミーモジュール３１０が配置されている。Ｚ方向からの平面視において、複数の仮想線が交差する交差点と重なるモジュール３０は、半導体モジュール３００とされている。図９では、２つのモジュール３０が交差点上に設けられている。交差点上のモジュール３０は、相領域１００Ｖ側の半導体モジュール３００Ｕと、相領域１００Ｗ側の半導体モジュール３００Ｖである。ダミーモジュール３１０は、交差点と重ならない位置に設けられている。それ以外の構成は、先行実施形態の構成と同様である。 The laminate 100 has modules 30 arranged in nine stages, as in the previous embodiment (see FIG. 6, for example). Although illustration is omitted, two semiconductor modules 300 and one dummy module 310 are arranged in each of the phase regions 100U, 100V, and 100W. A semiconductor module 300 is a module 30 that overlaps an intersection where a plurality of virtual lines intersect in a plan view from the Z direction. In FIG. 9, two modules 30 are provided on the intersection. The modules 30 on the intersection are the semiconductor module 300U on the side of the phase region 100V and the semiconductor module 300V on the side of the phase region 100W. The dummy module 310 is provided at a position that does not overlap the intersection. Other configurations are the same as those of the preceding embodiment.

＜第４実施形態のまとめ＞
半導体モジュール３００の信号端子３０４は、回路基板６０に接続されている。信号端子３０４の接続点も、固定部６１同様、回路基板６０の固定点として機能する。ダミーモジュール３１０は、信号端子３０４を有していない。半導体モジュール３００に代えてダミーモジュール３１０を配置すると、信号端子３０４と回路基板６０との接続点が減少する。固定点間の距離が長くなると、回路基板６０の一次共振の周波数が低くなり、外部から印加された振動によって回路基板６０が振動しやすくなる。このため、振動に対する回路基板６０の耐性が低下する虞がある。 <Summary of the fourth embodiment>
A signal terminal 304 of the semiconductor module 300 is connected to the circuit board 60 . The connection point of the signal terminal 304 also functions as a fixing point of the circuit board 60 in the same manner as the fixing portion 61 . Dummy module 310 does not have signal terminals 304 . If the dummy module 310 is arranged in place of the semiconductor module 300, the connection points between the signal terminals 304 and the circuit board 60 are reduced. As the distance between the fixed points increases, the primary resonance frequency of the circuit board 60 becomes lower, and the circuit board 60 is more likely to vibrate due to externally applied vibrations. Therefore, there is a possibility that the resistance of the circuit board 60 to vibration is lowered.

本実施形態では、固定部６１間を結ぶ仮想線の交差点上に、半導体モジュール３００を配置している。これにより、交差点と重なる位置またはその近傍に、信号端子３０４と回路基板６０との接続点が形成される。複数の仮想線において、固定部６１の間に信号端子３０４による接続点が配置される。これにより、回路基板６０の固定点間の距離が短くなり、回路基板６０が振動し難くなる。したがって、先行実施形態に記載の効果を奏しつつ、振動に対する回路基板６０の耐性低下を抑制することができる。本実施形態に記載の構成は、先行実施形態に記載の構成のそれぞれとの組み合わせが可能である。 In this embodiment, the semiconductor module 300 is arranged on the intersection of imaginary lines connecting the fixed portions 61 . As a result, a connection point between the signal terminal 304 and the circuit board 60 is formed at or near the intersection. A connection point by the signal terminal 304 is arranged between the fixed portions 61 on a plurality of virtual lines. As a result, the distance between the fixed points of the circuit board 60 is shortened, making it difficult for the circuit board 60 to vibrate. Therefore, it is possible to suppress the reduction in the resistance of the circuit board 60 to vibration while exhibiting the effects described in the preceding embodiment. The configurations described in this embodiment can be combined with each of the configurations described in the preceding embodiments.

（第５実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、回路基板６０の振動に対する耐性低下を抑制する配置を示した。積層体１００の振動に対する耐性低下を抑制するように、モジュール３０を所定の配置としてもよい。 (Fifth embodiment)
This embodiment is a modification based on the preceding embodiment, and the description of the preceding embodiment can be used. In the previous embodiment, the arrangement for suppressing deterioration of resistance to vibration of the circuit board 60 was shown. The modules 30 may be arranged in a predetermined manner so as to suppress deterioration in resistance to vibration of the laminate 100 .

図１０は、本実施形態の電力変換装置４において、積層体１００の周辺を示す図である。図１０では、図６に対して、支持部２３および加圧部材５０を追加している。支持部２３は積層体１００の一端を支持し、加圧部材５０は弾性変形の反力により積層体１００の他端を押圧する。このような挟持構造では、外部から振動が印加されると、加圧部材５０（弾性部材５１）が弾性変形するため、積層体１００の両端付近において応力が高くなる。端部から離れるほど応力が低くなる。 FIG. 10 is a diagram showing the periphery of the laminate 100 in the power conversion device 4 of this embodiment. In FIG. 10, a support portion 23 and a pressure member 50 are added to FIG. The support portion 23 supports one end of the laminate 100, and the pressure member 50 presses the other end of the laminate 100 by the reaction force of elastic deformation. In such a sandwiching structure, when vibration is applied from the outside, the pressure member 50 (elastic member 51) is elastically deformed, so stress increases near both ends of the laminate 100 . The further away from the edge, the lower the stress.

本実施形態では、積層体１００を構成する９段配置のモジュール３０において、積層方向端部に、半導体モジュール３００を配置している。具体的には、支持部２３側の端部と、加圧部材５０側の端部の両方に、半導体モジュール３００を配置している。モジュール３０の両端を除く段に、ダミーモジュール３１０を配置している。図１０では、相領域１００Ｗにおいて、加圧部材５０側から、ダミーモジュール３１０、半導体モジュール３００Ｗ、半導体モジュール３００Ｗの順に配置している。相領域１００Ｗにおけるモジュール３０の配置以外は、先行実施形態（図６参照）の構成と同様である。 In the present embodiment, the semiconductor modules 300 are arranged at the ends in the stacking direction of the nine-tiered modules 30 forming the laminate 100 . Specifically, the semiconductor modules 300 are arranged at both the end on the support portion 23 side and the end on the pressure member 50 side. Dummy modules 310 are arranged in stages excluding both ends of the module 30 . In FIG. 10, the dummy module 310, the semiconductor module 300W, and the semiconductor module 300W are arranged in this order from the pressure member 50 side in the phase region 100W. The configuration is the same as that of the preceding embodiment (see FIG. 6) except for the arrangement of the modules 30 in the phase region 100W.

＜第５実施形態のまとめ＞
上記したように、半導体モジュール３００の主端子３０３は、バスバー９０、９１を介してコンデンサモジュール７０や出力端子台８０に接続されている。モジュール３０の端部に半導体モジュール３００を配置することで、外部振動印加時に応力が高くなる部分に、主端子３０３による固定点を設けることができる。固定点を設けることで、積層体１００が振動し難くなる。したがって、ダミーモジュール３１０を配置しつつ、振動に対する積層体１００の耐性低下を抑制することができる。特に図１０に示す例では、モジュール３０の両端を半導体モジュール３００にするため、振動に対する積層体１００の耐性低下を、より効果的に抑制することができる。 <Summary of the fifth embodiment>
As described above, the main terminals 303 of the semiconductor module 300 are connected to the capacitor module 70 and the output terminal block 80 via the busbars 90 and 91 . By arranging the semiconductor module 300 at the end of the module 30, it is possible to provide a fixed point by the main terminal 303 in a portion where stress is high when external vibration is applied. By providing the fixing point, the laminate 100 is less likely to vibrate. Therefore, while arranging the dummy module 310, it is possible to suppress the deterioration of the resistance of the laminate 100 to vibration. Especially in the example shown in FIG. 10, since both ends of the module 30 are the semiconductor modules 300, the deterioration of the resistance of the laminate 100 to vibration can be suppressed more effectively.

モジュール３０の両端を半導体モジュール３００にする例を示したが、これに限定されない。先行実施形態（たとえば図２参照）に示したように、モジュール３０の両端のひとつを半導体モジュール３００とし、他のひとつをダミーモジュール３１０としてもよい。半導体モジュール３００を配置した端部側に固定点を設けることができるため、両端をダミーモジュール３１０にする構成に較べて、振動に対する積層体１００の耐性低下を抑制することができる。 Although an example in which semiconductor modules 300 are formed at both ends of the module 30 is shown, the present invention is not limited to this. As shown in the previous embodiment (eg, see FIG. 2), one of the ends of module 30 may be semiconductor module 300 and the other may be dummy module 310 . Since fixing points can be provided on the end side where the semiconductor modules 300 are arranged, it is possible to suppress deterioration of the resistance of the laminate 100 to vibration compared to a configuration in which dummy modules 310 are provided at both ends.

上記したように、冷却器４０を構成する導入管４２および排出管４３は、固定部材４４によりケース２０に固定されている。すなわち、積層方向において支持部２３側には、固定部材４４により固定点が存在する。このため、加圧部材５０側の端部のほうが、支持部２３側の端部よりも応力が高くなる。端部の一方のみに半導体モジュール３００を設ける場合、加圧部材５０側の端部に設けるとよい。 As described above, the introduction pipe 42 and the discharge pipe 43 that constitute the cooler 40 are fixed to the case 20 by the fixing member 44 . That is, there is a fixed point by the fixing member 44 on the side of the supporting portion 23 in the stacking direction. For this reason, the end portion on the pressure member 50 side has a higher stress than the end portion on the support portion 23 side. When the semiconductor module 300 is provided only on one of the ends, it is preferable to provide it on the end on the pressure member 50 side.

本実施形態に記載の構成は、先行実施形態に記載の構成のそれぞれとの組み合わせが可能である。 The configurations described in this embodiment can be combined with each of the configurations described in the preceding embodiments.

（他の実施形態）
この明細書及び図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された部品及び／又は要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品及び／又は要素が省略されたものを包含する。開示は、ひとつの実施形態と他の実施形態との間における部品及び／又は要素の置き換え、又は組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。 (Other embodiments)
The disclosure in this specification, drawings, etc. is not limited to the illustrated embodiments. The disclosure encompasses the illustrated embodiments and variations thereon by those skilled in the art. For example, the disclosure is not limited to the combinations of parts and/or elements shown in the embodiments. The disclosure can be implemented in various combinations. The disclosure can have additional parts that can be added to the embodiments. The disclosure encompasses omitting parts and/or elements of the embodiments. The disclosure encompasses permutations or combinations of parts and/or elements between one embodiment and another. The disclosed technical scope is not limited to the description of the embodiments. The disclosed technical scope is indicated by the description of the claims, and should be understood to include all modifications within the meaning and range of equivalents to the description of the claims.

明細書及び図面等における開示は、請求の範囲の記載によって限定されない。明細書及び図面等における開示は、請求の範囲に記載された技術的思想を包含し、さらに請求の範囲に記載された技術的思想より多様で広範な技術的思想に及んでいる。よって、請求の範囲の記載に拘束されることなく、明細書及び図面等の開示から、多様な技術的思想を抽出することができる。 The disclosure in the specification, drawings, etc. is not limited by the description in the claims. The disclosure in the specification, drawings, etc. encompasses the technical ideas described in the claims, and further extends to technical ideas that are more diverse and broader than the technical ideas described in the claims. Therefore, various technical ideas can be extracted from the disclosure of the specification, drawings, etc., without being bound by the scope of claims.

制御回路１６及び駆動回路１７は、少なくともひとつのコンピュータを含む制御システムによって提供される。制御システムは、ハードウェアである少なくともひとつのプロセッサ（ハードウェアプロセッサ）を含む。ハードウェアプロセッサは、下記（ｉ）、（ｉｉ）、又は（ｉｉｉ）により提供することができる。 Control circuitry 16 and drive circuitry 17 are provided by a control system including at least one computer. The control system includes at least one processor in hardware (hardware processor). A hardware processor may be provided by (i), (ii), or (iii) below.

（ｉ）ハードウェアプロセッサは、ハードウェア論理回路である場合がある。この場合、コンピュータは、プログラムされた多数の論理ユニット（ゲート回路）を含むデジタル回路によって提供される。デジタル回路は、プログラム及び／又はデータを格納したメモリを備える場合がある。コンピュータは、アナログ回路によって提供される場合がある。コンピュータは、デジタル回路とアナログ回路との組み合わせによって提供される場合がある。 (i) a hardware processor may be a hardware logic circuit; In this case, the computer is provided by digital circuits containing a large number of programmed logic units (gate circuits). A digital circuit may include a memory that stores programs and/or data. Computers may be provided by analog circuits. Computers may be provided by a combination of digital and analog circuits.

（ｉｉ）ハードウェアプロセッサは、少なくともひとつのメモリに格納されたプログラムを実行する少なくともひとつのプロセッサコアである場合がある。この場合、コンピュータは、少なくともひとつのメモリと、少なくともひとつのプロセッサコアとによって提供される。プロセッサコアは、たとえばＣＰＵと称される。メモリは、記憶媒体とも称される。メモリは、プロセッサによって読み取り可能な「プログラム及び／又はデータ」を非一時的に格納する非遷移的かつ実体的な記憶媒体である。 (ii) the hardware processor may be at least one processor core executing a program stored in at least one memory; In this case, the computer is provided by at least one memory and at least one processor core. A processor core is called a CPU, for example. Memory is also referred to as storage medium. A memory is a non-transitory and tangible storage medium that non-temporarily stores "programs and/or data" readable by a processor.

（ｉｉｉ）ハードウェアプロセッサは、上記（ｉ）と上記（ｉｉ）との組み合わせである場合がある。（ｉ）と（ｉｉ）とは、異なるチップの上、又は共通のチップの上に配置される。 (iii) The hardware processor may be a combination of (i) above and (ii) above. (i) and (ii) are located on different chips or on a common chip.

すなわち、制御回路１６及び駆動回路１７が提供する手段及び／又は機能は、ハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、又はそれらの組み合わせにより提供することができる。 That is, the means and/or functions provided by control circuit 16 and drive circuit 17 may be provided by hardware only, software only, or a combination thereof.

電力変換回路（インバータ６）を構成するスイッチング素子は、ＩＧＢＴ１２、１３に限定されない。たとえば、ＭＯＳＦＥＴを用いてもよい。 The switching elements forming the power conversion circuit (inverter 6) are not limited to the IGBTs 12 and 13. For example, MOSFETs may be used.

ひとつの半導体モジュール３００が、ＩＧＢＴ１２を構成する半導体チップと、ＩＧＢＴ１３を構成する半導体チップを備える例を示した。すなわち、ひとつの半導体モジュール３００により、ひとつの直列回路１１が形成される例を示した。しかしながら、この例に限定されない。ひとつの直列回路１１を２つの半導体モジュール３００にて構成してもよい。上アーム側のＩＧＢＴ１２を備える半導体モジュール３００と、下アーム側のＩＧＢＴ１３を備える半導体モジュール３００とをＹ方向に並べて配置し、共通する一対の熱交換部４１により両側から挟む構造としてもよい。この場合、モジュール３０は二列配置となる。 An example in which one semiconductor module 300 includes a semiconductor chip forming the IGBT 12 and a semiconductor chip forming the IGBT 13 is shown. That is, an example in which one series circuit 11 is formed by one semiconductor module 300 is shown. However, it is not limited to this example. One series circuit 11 may be composed of two semiconductor modules 300 . The semiconductor module 300 having the IGBT 12 on the upper arm side and the semiconductor module 300 having the IGBT 13 on the lower arm side may be arranged side by side in the Y direction and sandwiched from both sides by a pair of common heat exchanging portions 41 . In this case, the modules 30 are arranged in two rows.

ひとつのモータジェネレータ３に対応する半導体モジュール３００を積層体１００に含む例を示したが、これに限定されない。たとえば２つのモータジェネレータに対応する半導体モジュール３００を積層体１００に含むようにしてもよい。 Although an example in which the semiconductor module 300 corresponding to one motor generator 3 is included in the laminate 100 has been shown, the present invention is not limited to this. For example, semiconductor modules 300 corresponding to two motor generators may be included in laminate 100 .

電力変換装置４は、電力変換回路として、コンバータをさらに備えてもよい。コンバータは、直流電圧を異なる値の直流電圧に変換するＤＣ－ＤＣ変換回路である。コンバータは、直流電源２と平滑コンデンサ５との間に設けられる。コンバータは、たとえばリアクトルと、上記した直列回路１１を備えて構成される。この場合、積層体１００は、コンバータの直列回路１１を構成する半導体モジュール３００と、インバータ６を構成する半導体モジュール３００を含むことになる。 The power conversion device 4 may further include a converter as a power conversion circuit. A converter is a DC-DC conversion circuit that converts a DC voltage into DC voltages of different values. The converter is provided between the DC power supply 2 and the smoothing capacitor 5 . The converter includes, for example, a reactor and the series circuit 11 described above. In this case, the laminate 100 includes the semiconductor modules 300 forming the series circuit 11 of the converter and the semiconductor modules 300 forming the inverter 6 .

さらに電力変換装置４は、直流電源２からの電源ノイズを除去するフィルタコンデンサを備えてもよい。フィルタコンデンサは、直流電源２とコンバータとの間に設けられる。 Furthermore, the power conversion device 4 may include a filter capacitor that removes power noise from the DC power supply 2 . A filter capacitor is provided between the DC power supply 2 and the converter.

積層体１００、コンデンサモジュール７０、および出力端子台８０の配置は、上記した例に限定されない。たとえばコンデンサモジュール７０を、積層体１００に対して回路基板６０とは反対側に配置してもよい。 The arrangement of the laminate 100, the capacitor module 70, and the output terminal block 80 is not limited to the above example. For example, capacitor module 70 may be arranged on the opposite side of circuit board 60 with respect to laminate 100 .

加圧部材５０側から、Ｕ相領域１００Ｕ、Ｖ相領域１００Ｖ、Ｗ相領域１００Ｗの順とする例を示したが、相の順番はこれに限定されない。 An example in which the order of the U-phase region 100U, the V-phase region 100V, and the W-phase region 100W from the pressurizing member 50 side has been shown, but the order of the phases is not limited to this.

１…駆動システム、２…直流電源、３…モータジェネレータ、３ａ…巻線、４…電力変換装置、５…平滑コンデンサ、６…インバータ、７…Ｐライン、８…Ｎライン、９、９Ｕ、９Ｖ、９Ｗ…上下アーム回路、１０…出力ライン、１１…直列回路、１２、１３…ＩＧＢＴ、１４、１５…ダイオード、１６…制御回路、１７…駆動回路、２０…ケース、２１、２２…貫通孔、２３…支持部、３０…モジュール、３００、３００Ｕ、３００Ｖ、３００Ｗ…半導体モジュール、３０１…半導体素子、３０２…封止樹脂体、３０３…主端子、３０３Ｐ…正極端子、３０３Ｎ…負極端子、３０３Ｓ…出力端子、３０４…信号端子、３１０…ダミーモジュール、４０…冷却器、４１…熱交換部、４２…導入管、４３…排出管、４４…固定部材、５０…加圧部材、５１…弾性部材、５２…支持部材、５３…当接プレート、６０…回路基板、６１…固定部、７０…コンデンサモジュール、８０…出力端子台、８１…端子部、９０…出力バスバー、９１…電源バスバー、１００…積層体、１００Ｕ…Ｕ相領域、１００Ｖ…Ｖ相領域、１００Ｗ…Ｗ相領域、Ｎ１、Ｎ２…ノード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Drive system, 2... DC power supply, 3... Motor generator, 3a... Winding, 4... Power converter, 5... Smoothing capacitor, 6... Inverter, 7... P line, 8... N line, 9, 9U, 9V , 9W... Upper and lower arm circuits, 10... Output line, 11... Series circuit, 12, 13... IGBT, 14, 15... Diode, 16... Control circuit, 17... Drive circuit, 20... Case, 21, 22... Through hole, 23 Supporting portion 30 Module 300, 300U, 300V, 300W Semiconductor module 301 Semiconductor element 302 Sealing resin body 303 Main terminal 303P Positive terminal 303N Negative terminal 303S Output Terminal 304 Signal terminal 310 Dummy module 40 Cooler 41 Heat exchange unit 42 Introduction pipe 43 Discharge pipe 44 Fixed member 50 Pressure member 51 Elastic member 52 Support member 53 Abutment plate 60 Circuit board 61 Fixing part 70 Capacitor module 80 Output terminal block 81 Terminal part 90 Output bus bar 91 Power supply bus bar 100 Laminated body , 100U...U-phase area, 100V...V-phase area, 100W...W-phase area, N1, N2...nodes

Claims (4)

冷媒が流通する流路をそれぞれ備え、間隔を有しつつ積層配置された複数の熱交換部（４１）と、
前記熱交換部の積層方向に並ぶ数である段数が所定の複数段とされ、隣り合う前記熱交換部によりそれぞれが両面側から挟まれた複数のモジュール（３０）と、を備え、
所定段の前記モジュールは、半導体素子（３０１）をそれぞれ有し、複数相の上下アーム回路（９）を構成する複数の半導体モジュール（３００）と、前記半導体素子を有しておらず、前記積層方向において前記半導体モジュールと並んで配置されたダミーモジュール（３１０）と、を含み、
前記熱交換部と所定段の前記モジュールとが前記積層方向において交互に配置されて、積層体（１００）をなしており、
前記積層体は、前記上下アーム回路の相に対応し、互いに等しい段数の前記モジュールが配置されるように設定された複数の相領域（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）を有し、
前記複数の相領域には、前記相領域に設定される段数よりも少ない段数であり、互いに等しい段数の前記半導体モジュールと、互いに等しい段数の前記ダミーモジュールと、がそれぞれ配置され、
前記複数の相領域のそれぞれにおいて、複数の前記半導体モジュールが配置されて互いに並列接続され、
前記半導体モジュールのそれぞれは、出力端子（３０３Ｓ）を含む主端子（３０３）を複数有し、
相ごとに設けられて前記積層方向に並んで配置された複数の端子部（８１）を有する出力端子台（８０）と、対応する相の前記半導体モジュールの前記出力端子と前記端子部とを電気的に接続するように相ごとに設けられた複数のバスバー（９０）と、をさらに備え、
各相の前記バスバーは、複数の前記出力端子と電気的に接続されたノード（Ｎ１）を有し、単一の前記端子部に接続されており、
各相の前記バスバーは、複数の前記端子部の積層方向中心に対して、線対称配置されている電力変換装置。 a plurality of heat exchange parts (41) each provided with a flow path through which a refrigerant flows and arranged in layers with intervals therebetween;
A plurality of modules (30) each having a predetermined number of stages, which is the number of stages arranged in the stacking direction of the heat exchange parts, and sandwiched from both sides by the adjacent heat exchange parts,
The modules in a predetermined stage include a plurality of semiconductor modules (300) each having a semiconductor element (301) and constituting a multi-phase upper and lower arm circuit (9), and a plurality of semiconductor modules (300) which do not have the semiconductor element, and which are stacked in the stack. a dummy module (310) oriented side by side with the semiconductor module;
The heat exchanging parts and the modules at predetermined stages are alternately arranged in the stacking direction to form a stack (100),
The laminate has a plurality of phase regions (100U, 100V, 100W) that correspond to the phases of the upper and lower arm circuits and are set so that the modules of the same number of stages are arranged,
In the plurality of phase regions, the semiconductor modules having the same number of stages as the number of stages set in the phase areas and the dummy modules having the same number of stages are arranged, respectively ;
a plurality of the semiconductor modules are arranged and connected in parallel in each of the plurality of phase regions;
Each of the semiconductor modules has a plurality of main terminals (303) including an output terminal (303S),
an output terminal block (80) having a plurality of terminal portions (81) provided for each phase and arranged side by side in the stacking direction; a plurality of bus bars (90) provided for each phase so as to be connected in a symmetrical manner,
the bus bar of each phase has a node (N1) electrically connected to a plurality of the output terminals and is connected to the single terminal portion;
The power conversion device , wherein the bus bars of each phase are arranged line-symmetrically with respect to the center of the plurality of terminal portions in the stacking direction . 前記ダミーモジュールは、前記複数の相領域のそれぞれにおいて前記積層方向の端部に配置されている請求項１に記載の電力変換装置。 2. The power converter according to claim 1, wherein said dummy module is arranged at an end in said lamination direction in each of said plurality of phase regions. 前記半導体モジュールは、信号端子（３０４）を有し、
前記電力変換装置は、前記信号端子が接続される回路基板（６０）と、前記回路基板および前記積層体を収容するケース（２０）と、をさらに備え、
前記回路基板は、前記ケースに対する固定部（６１）を複数有し、
任意の前記固定部を結ぶ仮想線同士の交差点であって、前記モジュールと重なる前記交差点上に、前記半導体モジュールが配置されている請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。 The semiconductor module has a signal terminal (304),
The power conversion device further includes a circuit board (60) to which the signal terminals are connected, and a case (20) that houses the circuit board and the laminate,
The circuit board has a plurality of fixing portions (61) for the case,
3. The power converter according to claim 1 , wherein the semiconductor module is arranged on an intersection of imaginary lines connecting arbitrary fixed portions and overlapping with the module. 前記半導体モジュールは、主端子（３０３）を複数有し、
前記電力変換装置は、前記積層体の一端を支持する支持部（２３）と、前記積層体の他端側を弾性変形の反力により押圧する加圧部材（５０）と、をさらに備え、
所定段の前記モジュールにおいて、前記積層方向の端部の少なくとも一方には前記半導体モジュールが配置されている請求項１～３いずれか１項に記載の電力変換装置。 The semiconductor module has a plurality of main terminals (303),
The power conversion device further includes a support portion (23) that supports one end of the laminate, and a pressure member (50) that presses the other end of the laminate by a reaction force of elastic deformation,
The power converter according to any one of claims 1 to 3, wherein the semiconductor module is arranged at least one of the ends in the stacking direction of the modules in a predetermined stage.
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