JP7281781B2 - マイクロホンモジュール及び該マイクロホンモジュールの検査装置 - Google Patents
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Description
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るマイクロホンモジュール1及び該マイクロホンモジュール1の検査装置2それぞれの回路構成を示す図である。なお、図1において、前述した図9と同じ構成要素には同一の参照符号を付与している。図1において、マイクロホンモジュール1は、2つのMEMSマイクロホン(マイクロホン素子)101と、DSP104と、アンプ105と、PDM clock用テストポイント106と、PDM data用テストポイント107と、Microphone Output端子108と、抵抗(第1の抵抗)102と、抵抗(第2の抵抗)103とを備えている。
図6は、本発明の第2実施形態に係るマイクロホンモジュール及びマイクロホンモジュールの検査装置それぞれの回路構成を示す図である。前述した第1実施形態に係る検査装置2では、MEMSマイクロホン205からの音声データをNPN型トランジスタ206から外部に取り出すようにようにしたが、第2実施形態に係る検査装置5では、MEMSマイクロホン205からの音声データをPNP型トランジスタ208から外部に取り出すようにようしている点で異なっている。
図8は、本発明の第3実施形態に係るマイクロホンモジュール6及びマイクロホンモジュール6の検査装置7それぞれの回路構成を示す図である。図8において、マイクロホンモジュール6は、TDM(Time Division Multiplexing)インターフェースのMEMSマイクロホン601、TDM clock用テストポイント606、TDM data用テストポイント607及びTDM WS(Word Select)用テストポイント608を有している。検査装置7は、TDMインターフェースのMEMSマイクロホン705を有している。
2,5,7 マイクロホンモジュールの検査装置
101,205 MEMSマイクロホン
102,103,207 抵抗
104 DSP
105,202 アンプ
106 PDM clock用テストポイント
107 PDM data用テストポイント
108 Microphone Output端子
120,210 PDM clockライン
121,211 PDM dataライン
212 電源ライン
201 信号発生部
203 スピーカ
204 有響空間
206 NPN型トランジスタ
208 PNP型トランジスタ
601,705 TDMインターフェースのMEMSマイクロホン
606 TDM clock用テストポイント
607 TDM data用テストポイント
608 TDM WS用テストポイント
1010 MEMSマイクロホンのCMOS出力
Claims (7)
- マイクロホン素子とデジタルシグナルプロセッサを備えたマイクロホンモジュールの前記デジタルシグナルプロセッサの性能を検査するマイクロホンモジュールの検査装置であって、
有響空間内に配置されるスピーカと、
前記有響空間内に前記スピーカの放音方向に向けて配置される検査用マイクロホン素子と、
前記スピーカにテスト用信号を出力する信号発生部と、
前記検査用マイクロホン素子からの音声データのHi/Lowに応じてオン/オフするスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の出力端とグランドとの間に介挿される第3の抵抗と、
を備える、
マイクロホンモジュールの検査装置。 - 前記スイッチング素子は、NPN型のトランジスタであって、ベース端子が前記検査用マイクロホン素子のデータラインに接続され、コレクタ端子が電源電圧ラインに接続され、エミッタ端子が前記第3の抵抗を介してグランドに接続される、
請求項1に記載のマイクロホンモジュールの検査装置。 - マイクロホン素子とデジタルシグナルプロセッサを備えたマイクロホンモジュールの前記デジタルシグナルプロセッサの性能を検査するマイクロホンモジュールの検査装置であって、
有響空間内に配置されるスピーカと、
前記有響空間内に前記スピーカの放音方向に向けて配置される検査用マイクロホン素子と、
前記スピーカにテスト用信号を出力する信号発生部と、
前記検査用マイクロホン素子からの音声データのHi/Lowに応じてオン/オフするスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の出力端と接続される第3の抵抗と、を備え、
前記スイッチング素子は、PNP型のトランジスタであって、ベース端子が前記検査用マイクロホン素子のデータラインに接続され、コレクタ端子がグランドに接続され、エミッタ端子が前記第3の抵抗を介して電源電圧ラインに接続される、
マイクロホンモジュールの検査装置。 - クロックを受信し、音声データを出力するマイクロホン素子と、
前記マイクロホン素子に前記クロックを供給し、前記マイクロホン素子から出力される音声データを取り込み、指向性制御、周波数特性制御、雑音抑制、レベル調整、出力フォーマット変換を含む各種信号処理を行うデジタルシグナルプロセッサと、
を備えたマイクロホンモジュールであって、
前記マイクロホン素子から前記デジタルシグナルプロセッサへの音声データ伝送用のデータライン上に設けられるデータ用テストポイントと、
前記デジタルシグナルプロセッサから前記マイクロホン素子へのクロック伝送用のクロックライン上に設けられるクロック用テストポイントと、
前記データラインとグランドとの間に介挿される第1の抵抗と、
前記第1の抵抗より前記デジタルシグナルプロセッサ側で、前記マイクロホン素子と前記デジタルシグナルプロセッサとの間の前記データライン上に挿入される第2の抵抗と、
を備え、
前記デジタルシグナルプロセッサの検査時に、
前記データ用テストポイントが、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のマイクロホンモジュールの検査装置の前記スイッチング素子の出力端に接続され、
前記クロック用テストポイントが、前記マイクロホンモジュールの検査装置の前記検査用マイクロホン素子のクロックラインに接続される、
マイクロホンモジュール。 - 前記マイクロホン素子の出力ドライブ電流は、電源電圧を前記第2の抵抗の抵抗値と請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のマイクロホンモジュールの検査装置の前記第3の抵抗の抵抗値の和で除した値よりも大きい、
請求項4に記載のマイクロホンモジュール。 - 前記第2の抵抗と前記第3の抵抗の組み合わせは、
前記第3の抵抗の抵抗値を、前記第2の抵抗の抵抗値と前記第3の抵抗の抵抗値の和で除した値に電源電圧を乗算して得られた電圧値がデジタル入力Lowレベルの最大値を超えない組み合わせである、
請求項5に記載のマイクロホンモジュール。 - 前記第2の抵抗と前記第3の抵抗の組み合わせは、
前記第2の抵抗の抵抗値を、前記第2の抵抗の抵抗値と前記第3の抵抗の抵抗値の和で除した値に電源電圧を乗算して得られた電圧値がデジタル入力Hiレベルの最小値を下回らない組み合わせである、
請求項5に記載のマイクロホンモジュール。
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