JP7269947B2 - 周波数発生器の共通した励起のための方法及び装置 - Google Patents
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Description
従って、発明者は、マルチ発生器システムにおいてRF電力周波数を制御するための改善された方法及び装置を提供した。
第1出力周波数が基準周波数から分離されたとき、第2出力ランプを使用して、第1出力周波数を基準周波数に調整し、第1出力周波数を基準周波数に結合する工程と、第1出力周波数が基準周波数に同期しているとき、第1出力周波数を基準周波数に結合する工程と、
基準周波数が時間と伴に変化するとき、複数の第2クロックランプを使用して、第1出力周波数を基準周波数に調整する工程と、
更新期間の時点での基準周波数に基づいて、更新期間中に複数の第2クロックランプの別の1つに変える工程と、
第2RF発生器により、第1RF発生器からの基準周波数を受信する工程と、第2RF電力出力の第2出力周波数が基準周波数と同期していないとき、第2RF発生器の第2RF電力出力を基準周波数から分離する工程と、
第2RF発生器により、第2RF電力出力とは無関係に、基準周波数を少なくとも第3RF発生器に出力する工程と、
第2出力周波数が基準周波数から分離されるとき、第2クロックランプを使用して、第2出力周波数を基準周波数に調整して、第2出力周波数を基準周波数に結合する工程と、第2出力周波数が基準周波数と同期するとき、第2出力周波数を基準周波数に結合する工程を含むことができる。
マスター出力周波数が基準周波数と同期しているとき、第1クロックランプを使用してマスター出力周波数と基準周波数を新しい基準周波数に調整する工程と、
マスター出力周波数が基準周波数から分離される場合、第2クロックランプを使用してマスター出力周波数を基準周波数に調整し、マスター出力周波数を基準周波数に結合する工程と、マスター出力周波数が基準周波数に同期するとき、マスター出力周波数を基準周波数に結合する工程と、
スレーブ出力周波数が基準周波数から分離されるとき、第3クロックランプを使用して、スレーブ出力周波数を基準周波数に調整し、スレーブ出力周波数を基準周波数に結合する工程と、スレーブ出力周波数が基準周波数に同期するとき、スレーブ出力周波数を基準出力周波数に結合する工程を含む。
RF電力発生器は、基準周波数を生成する第1周波数発生器と、RF電力出力周波数を生成する第2周波数発生器とを有し、
RF電力発生器は、RF電力出力周波数が周波数チューニング又はランピングであるとき、基準周波数からRF電力出力を分離し、
基準周波数が第2クロックランプを使用して変化するとき、RF電力発生器は基準周波数を備えるRF電力出力を調整し、RF電力出力が基準周波数にロックされるとき、RF電力出力と基準周波数を変更し、
RF電力発生器は変化する周波数の周波数変化率を決定し、RF電力出力周波数を変化する基準周波数に収束するために用いられるクロックランプを定期的に更新し、
RF電力発生器は基準周波数を受領し、RF電力出力とは独立して基準周波数を出力し、
RF電力発生器は有効化/無効化コモンエキサイタ(CEX)入力なしで動作し、及び又は
RF電力発生器は、ツイン処理チャンバの他のマスター/スレーブRF周波数発生器セットにリンクして設定されたマスター/スレーブRF周波数発生器を動作させる。
Claims (14)
- 高周波(RF)電力を処理チャンバに供給する方法であって、
第1RF発生器で基準周波数を生成する工程と、
第1RF電力出力の第1出力周波数が基準周波数と異なるとき、第1RF発生器の第1RF電力出力を基準周波数から分離する工程と、
第2RF発生器により、第1RF発生器からの基準周波数を受信する工程と、
第2RF電力出力の第2出力周波数が基準周波数と同期していないとき、第2RF発生器の第2RF電力出力を基準周波数から分離する工程を含む方法。 - 第1出力周波数が基準周波数と同期しているとき、第1クロックランプを使用して、第1出力周波数と基準周波数を新しい基準周波数に調整する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 第1出力周波数が基準周波数から分離されたとき、第2出力ランプを使用して、第1出力周波数を基準周波数に調整し、第1出力周波数を基準周波数に結合する工程と、
第1出力周波数が基準周波数に同期しているとき、第1出力周波数を基準周波数に結合する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 基準周波数が時間と伴に変化するとき、複数の第2クロックランプを使用して、第1出力周波数を基準周波数に調整する工程を更に含む、請求項3に記載の方法。
- 更新期間の時点での基準周波数に基づいて、更新期間中に複数の第2クロックランプの別の1つに変える工程を更に含む、請求項4に記載の方法。
- 第2RF発生器により、第2RF電力出力とは無関係に、基準周波数を少なくとも第3RF発生器に出力する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 第2出力周波数が基準周波数から分離されるとき、第2クロックランプを使用して、第2出力周波数を基準周波数に調整して、第2出力周波数を基準周波数に結合する工程と、
第2出力周波数が基準周波数と同期するとき、第2出力周波数を基準周波数に結合する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 少なくとも1セットのRF発生器を備えた少なくとも1つの処理チャンバに高周波(RF)電力を供給する方法であって、
マスターRF発生器で基準周波数を生成する工程と、
基準周波数をマスターRF発生器からスレーブRF発生器に送信する工程と、
スレーブRF電力出力とは独立して、基準周波数を再送信するようにスレーブRF発生器を構成する工程と、
マスターRF発生器のマスターRF電力出力のためのマスター出力周波数を生成する工程と、
マスターRF電力出力のマスター出力周波数が基準周波数と異なる場合、基準周波数からマスターRF発生器のマスターRF電力出力を分離する工程と、
スレーブRF電力出力のスレーブ出力周波数が基準周波数と異なる場合、基準周波数からスレーブRF発生器のスレーブRFパワー出力を分離する工程を含む方法。 - マスター出力周波数が基準周波数と同期しているとき、第1クロックランプを使用してマスター出力周波数と基準周波数を新しい基準周波数に調整する工程を更に含む、請求項8に記載の方法。
- マスター出力周波数が基準周波数から分離される場合、第2クロックランプを使用してマスター出力周波数を基準周波数に調整し、マスター出力周波数を基準周波数に結合する工程と、
マスター出力周波数が基準周波数に同期するとき、マスター出力周波数を基準周波数に結合する工程を更に含む、請求項8に記載の方法。 - 処理チャンバに高周波(RF)電力を供給するための装置であって、
基準周波数とは独立して、RF電力出力のRF電力出力周波数を調整し、
RF電力出力が基準周波数からアンロックされたとき、第1クロックランプを使用してRF電力出力を基準周波数にロックし、RF電力出力のRF電力出力周波数を変更し、基準周波数に整合させるように構成されたRF電力出力を備えたRF電力発生器を備えた装置。 - RF電力発生器は、基準周波数を生成する第1周波数発生器と、RF電力出力周波数を生成する第2周波数発生器とを有する、請求項11に記載の装置。
- RF電力発生器は、RF電力出力周波数が周波数チューニング又はランピングであるとき、基準周波数からRF電力出力を分離する、請求項11に記載の装置。
- RF電力発生器は基準周波数を受領し、RF電力出力とは独立して基準周波数を出力する、請求項11に記載の装置。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310245A (ja) | 2005-02-25 | 2006-11-09 | Daihen Corp | 高周波電源装置および高周波電源の制御方法 |
US20100224321A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor having rf phase control and methods of use thereof |
JP2011216369A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2013054856A (ja) | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ生成用電源装置及びプラズマ生成パラメータ設定方法 |
JP2014239029A (ja) | 2013-04-26 | 2014-12-18 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | 複数の無線周波数電力供給装置の周波数および位相の制御 |
US20150130354A1 (en) | 2013-11-11 | 2015-05-14 | Applied Materials, Inc. | Frequency tuning for dual level radio frequency (rf) pulsing |
US20170018593A1 (en) | 2015-07-18 | 2017-01-19 | Cista System Corp. | System, method, and apparatus for generating a ramp signal with a changing slope |
JP2017079127A (ja) | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 誘導性結合プラズマ発生装置、セルフバイアス印加装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法、およびセルフバイアス印加方法 |
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---|---|---|---|---|
WO2002071631A2 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of improving impedance matching between an rf signal and a multi-segmented electrode |
US7276135B2 (en) | 2004-05-28 | 2007-10-02 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage |
US20100123502A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-05-20 | Bhutta Imran A | System for providing a substantially uniform potential profile |
US7825719B2 (en) * | 2008-12-29 | 2010-11-02 | Advanced Energy Industries, Inc. | System and method for wideband phase-adjustable common excitation |
US20100276391A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-11-04 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor having rf phase control and methods of use thereof |
US10288254B2 (en) * | 2011-02-25 | 2019-05-14 | 3M Innovative Properties Company | Front-lit reflective display device |
FR2974701B1 (fr) * | 2011-04-27 | 2014-03-21 | Sairem Soc Pour L Applic Ind De La Rech En Electronique Et Micro Ondes | Installation de production d'un plasma micro-onde |
CN103748665B (zh) * | 2011-05-10 | 2016-11-02 | 朗姆研究公司 | 具有多个解耦等离子体源的半导体处理系统 |
US20140367043A1 (en) * | 2013-06-17 | 2014-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method for fast and repeatable plasma ignition and tuning in plasma chambers |
US9876476B2 (en) * | 2015-08-18 | 2018-01-23 | Mks Instruments, Inc. | Supervisory control of radio frequency (RF) impedance tuning operation |
US10187032B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-01-22 | Lam Research Corporation | Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310245A (ja) | 2005-02-25 | 2006-11-09 | Daihen Corp | 高周波電源装置および高周波電源の制御方法 |
US20100224321A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor having rf phase control and methods of use thereof |
JP2011216369A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
JP2013054856A (ja) | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ生成用電源装置及びプラズマ生成パラメータ設定方法 |
JP2014239029A (ja) | 2013-04-26 | 2014-12-18 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | 複数の無線周波数電力供給装置の周波数および位相の制御 |
US20150130354A1 (en) | 2013-11-11 | 2015-05-14 | Applied Materials, Inc. | Frequency tuning for dual level radio frequency (rf) pulsing |
US20170018593A1 (en) | 2015-07-18 | 2017-01-19 | Cista System Corp. | System, method, and apparatus for generating a ramp signal with a changing slope |
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