JP7267524B2 - ガスセルおよびガスセルの製造方法 - Google Patents
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Description
図1乃至図8は、本発明の実施の形態のガスセルおよびガスセルの製造方法を示している。
11 上部ガラス板
12 シリコンウエハ
13 下部ガラス板
14 反射空間
15 収納空間
16 入出射光反射面
17 平面内反射部
17a 第1反射面
17b 第2反射面
18 アルカリ金属ディスペンサー
19 誘電体多層膜
21 SiO2膜
22、23 レジスト膜
24 ステンシルマスク
16a 入射光反射面
16b 出射光反射面
17c 第3反射面
Claims (14)
- アルカリ金属原子を含むガスを収納可能に設けられた反射空間と、
前記反射空間の内部に設けられた入射光反射面と平面内反射部と出射光反射面とを有し、
前記入射光反射面は、外部の所定の方向から入射する入射光を、前記入射光に対してほぼ垂直を成す光路平面内に反射するよう、記光路平面からの仰角がほぼ45度を成しており、
前記平面内反射部は、前記入射光反射面からの反射光を前記光路平面内で1回または複数回反射させるよう、前記入射光反射面からの反射光を反射する反射面が、前記光路平面に対してほぼ垂直を成しており、
前記出射光反射面は、前記平面内反射部からの反射光を前記光路平面に対してほぼ垂直を成す方向に反射して、外部に出射光を出射するよう、前記光路平面からの仰角がほぼ45度を成していることを
特徴とするガスセル。 - 前記出射光反射面は、前記入射光の入射方向に対して平行かつ逆方向に、前記出射光を出射するよう設けられていることを特徴とする請求項1記載のガスセル。
- 前記入射光反射面および前記出射光反射面は、同じ一つの平面から成り、
前記平面内反射部は、前記入射光反射面で反射された反射光と、前記出射光反射面に入射する反射光とが、進行方向が逆向きで互いに平行を成すよう設けられていることを
特徴とする請求項1または2記載のガスセル。 - 前記平面内反射部は、前記入射光反射面で反射された反射光を反射して、その進行方向を90度曲げるよう設けられた第1反射面と、前記第1反射面で反射された反射光を反射して、その進行方向を90度曲げるよう設けられた第2反射面とを有することを特徴とする請求項3記載のガスセル。
- 前記入射光反射面、前記入射光反射面からの反射光を反射する前記平面内反射部の反射面、および前記出射光反射面は、誘電体多層膜で覆われていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のガスセル。
- 前記アルカリ金属原子は、CsまたはRbであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のガスセル。
- 前記反射空間は密封されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガスセル。
- 前記反射空間と通気可能に設けられ、前記アルカリ金属原子を放出可能なアルカリ金属ディスペンサーを収納した収納空間を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のガスセル。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載のガスセルを製造するガスセルの製造方法であって、
板状のシリコンを結晶異方性エッチングして、前記入射光反射面と前記出射光反射面とを形成するとともに、前記シリコンを深掘り反応性イオンエッチング(DRIE)して、前記入射光反射面からの反射光を反射する前記平面内反射部の反射面を形成することを特徴とするガスセルの製造方法。 - 前記シリコンは、(100)面からのオフ角が9.74°のシリコンウエハから成ることを特徴とする請求項9記載のガスセルの製造方法。
- 前記結晶異方性エッチングおよび前記深掘り反応性イオンエッチングの後、1000℃以上の温度で水素アニールを行うことを特徴とする請求項9または10記載のガスセルの製造方法。
- 前記結晶異方性エッチングおよび前記深掘り反応性イオンエッチングの後、または、前記水素アニールの後、前記入射光反射面、前記出射光反射面、および、前記平面内反射部の反射面に、蒸着により、誘電体多層膜を形成することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載のガスセルの製造方法。
- 蒸着材料が前記入射光反射面、前記出射光反射面、および、前記平面内反射部の反射面に、同じ角度で衝突するよう、前記蒸着を行うことを特徴とする請求項12記載のガスセルの製造方法。
- 前記入射光反射面と前記出射光反射面と前記平面内反射部の反射面とを形成した後、または、前記誘電体多層膜を形成した後、1対のガラス板で前記シリコンを挟んで前記反射空間を密封することを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載のガスセルの製造方法。
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