JP7267327B2 - Wafer mounting station and method for forming wafer embedding structure - Google Patents

Wafer mounting station and method for forming wafer embedding structure Download PDF

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Description

本発明は、ウェハマウントステーションに関するものであり、特に、ワックスを用いたウェハ埋め込み構造を形成するのに適したウェハマウントステーションに関するものである。 The present invention relates to a wafer mount station, and more particularly to a wafer mount station suitable for forming a wafer embedding structure using wax.

ウェハ加工の流れには、結晶成長（crystal growth）、スライシング（slicing）、ラッピング（lapping）、エッチング（etching）、研磨（polishing）、および／または洗浄（cleaning）等の工程が含まれる。加工が終わった後のウェハは、ベアウェハ（bare wafer）と称される。その後、ベアウェハの表面に対応する半導体プロセスを行い、チップを形成する。 Wafer processing flows include steps such as crystal growth, slicing, lapping, etching, polishing, and/or cleaning. A wafer after processing is called a bare wafer. After that, semiconductor processes corresponding to the surface of the bare wafer are performed to form chips.

ウェハのラッピングまたは研磨を行うステップの前に、ラッピングまたは研磨に用いるキャリアにワックスを塗布することができる。その後、ラッピングまたは研磨されていないウェハをキャリア上のワックスに付着させる。そして、キャリアおよび／またはウェハに対して適切な圧力を印加し、ラッピングまたは研磨されていないウェハをワックスでキャリアに緊密に接着することにより、ウェハ埋め込み構造を構成することができる。ウェハ埋め込み構造は、キャリアと、キャリア上にあるワックスと、ワックスに埋め込まれたウェハとを含むことができる。その後、上述したウェハ埋め込み構造をラッピング設備または研磨設備に移動し、ウェハに対してラッピングまたは研磨を行う。 Wax may be applied to the carrier used for lapping or polishing prior to the step of lapping or polishing the wafer. A wafer that has not been lapped or polished is then adhered to the wax on the carrier. A wafer-embedded structure can then be constructed by applying appropriate pressure to the carrier and/or wafer and tightly bonding the unlapped or polished wafer to the carrier with wax. A wafer-embedded structure can include a carrier, wax on the carrier, and a wafer embedded in the wax. After that, the wafer-embedded structure described above is moved to lapping or polishing equipment, and the wafer is lapped or polished.

ベアウェハの平坦度は、半導体プロセスの生産高または品質に対して一定の影響を与える。したがって、いかにしてベアウェハのウェハ全体の平坦度を上げるかが、現在解決すべき課題となっている。 The flatness of bare wafers has a certain impact on the yield or quality of semiconductor processes. Therefore, how to improve the flatness of the entire wafer of bare wafers is a problem to be solved at present.

本発明は、ウェハマウントステーションを提供し、それを使用して製造したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行うことにより、ウェハ全体の平坦度を上げることができる。 The present invention provides a wafer mount station and polishes a bare wafer having a wafer-embedded structure manufactured using the wafer mount station, thereby improving the flatness of the entire wafer.

本発明のウェハマウントステーションは、ベアウェハを載置するのに適している。ウェハマウントステーションは、マウントベースと、環状パッドとを含む。マウントベースは、ベース面を含む。環状パッドは、マウントベースのベース面にある。マウントベースのベース面と環状パッドの頂面の間は、間隔を有する。環状パッドの頂面とマウントベースのベース面は、ウェハマウント面を構成し、且つベアウェハは、ウェハマウント面に置かれるのに適している。 The wafer mounting station of the present invention is suitable for mounting bare wafers. The wafer mount station includes a mount base and an annular pad. The mounting base includes a base surface. An annular pad is on the base surface of the mounting base. A space is provided between the base surface of the mounting base and the top surface of the annular pad. The top surface of the annular pad and the base surface of the mount base constitute a wafer mounting surface, and the bare wafer is suitable to be placed on the wafer mounting surface.

本発明のウェハ埋め込み構造の形成方法は、上述したウェハマウントステーションのウェハマウント面にウェハ、ワックス、およびキャリアを置き、ワックスがウェハとキャリアの間にあるステップと、ウェハマウントステーション上のウェハまたはキャリアに力を加え、ウェハ埋め込み構造を形成するステップとを含む。 The method for forming a wafer-embedded structure of the present invention comprises the steps of placing a wafer, wax, and carrier on the wafer mounting surface of the wafer mounting station as described above, with the wax between the wafer and the carrier; and forming a wafer-embedded structure.

以上のように、本発明のウェハマウントステーションを使用して製造されたウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行うことにより、ウェハ全体の平坦度を上げることができる。 As described above, by polishing a bare wafer having a wafer-embedded structure manufactured using the wafer mount station of the present invention, the flatness of the entire wafer can be improved.

本発明の上記および他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。 In order to make the above and other objects, features, and advantages of the present invention more comprehensible, several embodiments accompanied with drawings are described below.

添付図面は、本発明の原理がさらに理解されるために含まれており、本明細書に組み込まれ、且つその一部を構成するものである。図面は、本発明の実施形態を例示しており、説明とともに、本発明の原理を説明する役割を果たしている。 The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the principles of the invention, and are incorporated in and constitute a part of this specification. The drawings illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

図１Ａは、本発明の第１実施形態のウェハマウントステーションの立体概略図である。図１Ｂは、本発明の第１実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。FIG. 1A is a three-dimensional schematic diagram of the wafer mounting station of the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a partial cross-sectional schematic diagram of the wafer mount station of the first embodiment of the present invention. 図２は、本発明の第２実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to a second embodiment of the present invention. 図３Ａは、本発明の第３実施形態のウェハマウントステーションの拡大概略図である。図３Ｂは、本発明の第３実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。FIG. 3A is an enlarged schematic diagram of a wafer mount station according to a third embodiment of the present invention. FIG. 3B is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to a third embodiment of the present invention. 図４Ａは、本発明の第４実施形態のウェハマウントステーションの拡大概略図である。図４Ｂは、本発明の第４実施形態のウェハマウントステーションの立体概略図である。FIG. 4A is an enlarged schematic diagram of a wafer mount station according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 4B is a three-dimensional schematic diagram of a wafer mounting station according to a fourth embodiment of the present invention; 図５は、本発明の第５実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to a fifth embodiment of the present invention. 図６は、本発明の第６実施形態のウェハマウントステーションの立体概略図である。FIG. 6 is a three-dimensional schematic diagram of a wafer mounting station according to a sixth embodiment of the present invention. 図７は、本発明の１つの実施形態のベアウェハ埋め込み構造の一部を形成する方法の局部立体概略図である。FIG. 7 is a partial three-dimensional schematic diagram of a method of forming part of the bare wafer embedded structure of one embodiment of the present invention. 図８Ａ～図８Ｂは、本発明の１つの実施形態のベアウェハ埋め込み構造の一部を形成する方法の局部側面概略図である。8A-8B are partial side schematic views of a method of forming part of a bare wafer embedded structure in accordance with one embodiment of the present invention. 比較例と試験例１の間の比較図である。2 is a comparison diagram between Comparative Example and Test Example 1. FIG. 異なる試験例の間の比較図である。FIG. 4 is a comparison diagram between different test examples; 異なる試験例の間の比較図である。FIG. 4 is a comparison diagram between different test examples;

以下の詳細な説明では、限定ではなく説明の目的で、本開示の様々な原理の完全な理解を提供するために具体的な詳細を開示する例示的な実施形態を述べる。しかし、本開示の利益を享受した当業者には、本開示が、本明細書に開示された具体的な詳細とは異なる他の実施形態で実施され得ることは自明である。更に、本開示の様々な原理の記載を不明瞭にしないために、周知の装置、方法および材料の説明は省略され得る。最後に、当てはまる場合には、類似の参照番号は類似の要素を示す。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description, for purposes of explanation and not limitation, sets forth exemplary embodiments disclosing specific details in order to provide a thorough understanding of various principles of the present disclosure. However, it will be apparent to one skilled in the art having the benefit of this disclosure that the present disclosure may be embodied in other embodiments that differ from the specific details disclosed herein. Moreover, descriptions of well-known devices, methods and materials may be omitted so as not to obscure the description of various principles of the disclosure. Finally, like reference numbers indicate like elements where applicable.

本明細書で用いる「基本的に」、「およそ」、「約」等の用語は、許容される公差範囲（tolerance range）を含むことができる。 The terms "essentially," "approximately," "about," and the like as used herein can include an acceptable tolerance range.

本明細書で用いる方向を表す用語（例えば、上、下、右、左、前、後、上部、下部等）は、単に描かれた図面を参照したものであり、絶対的な向きを暗示することは意図しない。 The directional terms used herein (e.g., up, down, right, left, front, back, top, bottom, etc.) refer only to the drawing figures and imply absolute orientation. I don't mean to.

図１Ａは、本発明の第１実施形態に係るウェハマウントステーションの立体概略図である。図１Ｂは、本発明の第１実施形態に係るウェハマウントステーションの局部断面概略図である。具体的に説明すると、図１Ｂは、図１Ａにおける断面Ｓ１の断面概略図である。 1A is a three-dimensional schematic diagram of a wafer mounting station according to a first embodiment of the present invention; FIG. FIG. 1B is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to the first embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of section S1 in FIG. 1A.

図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、ウェハマウントステーション１００は、マウントベース（mounting base）１１０と、環状パッド１２０とを含む。マウントベース１１０は、ベース面１１２を有する。環状パッド１２０は、マウントベース１１０のベース面１１２にある。マウントベース１１０のベース面１１２（または、そこから外側に延伸する仮想平面）と環状パッド１２０の頂面１２２（または、そこから外側に延伸する仮想平面）の間は、間隔を有する。環状パッド１２０の頂面１２２とマウントベース１１０のベース面１１２は、ウェハマウント面１３０を構成する。 Referring to FIGS. 1A and 1B, wafer mount station 100 includes mounting base 110 and annular pad 120 . Mount base 110 has a base surface 112 . Annular pad 120 is on base surface 112 of mounting base 110 . There is a gap between the base surface 112 of the mounting base 110 (or an imaginary plane extending outwardly therefrom) and the top surface 122 of the annular pad 120 (or an imaginary plane extending outwardly therefrom). Top surface 122 of annular pad 120 and base surface 112 of mount base 110 form wafer mount surface 130 .

１つの実施形態において、１片のベアウェハ（bare wafer）（例えば、図７に示したベアウェハ９０と同じ、または類似する）は、ウェハマウント面１３０に置くのに適している。 In one embodiment, a piece of bare wafer (eg, the same or similar to bare wafer 90 shown in FIG. 7) is suitable for placement on wafer mounting surface 130 .

ベアウェハは、機械の方法（例えば、粉砕、剪断、切断、鋸で切る、研磨等の方法）で素子を異なる単一材料に切り離すことのできない均質材料である。つまり、ベアウェハの正面および背面には、基本的に、いかなる膜層（例えば、シリコン膜層、酸化シリコン膜層、窒化シリコン膜層、金属膜層、フォトレジスト層、またはその他の半導体プロセスにおいて使用される膜層（film layer））または局所注入（例えば、Ｐ型局所注入、Ｎ型局所注入、またはその他の類似する局所注入（local implantation）領域）も存在しない。１つの実施形態において、ベアウェハは、シリコンウェハであってもよいが、本発明はこれに限定されない。１つの実施形態において、ベアウェハの周縁にノッチ（notch）またはフラット（flat）を有してもよい。後続のプロセス（本発明はこれに限定されない）において、ノッチまたはフラットは、ウェハの結晶方向をより簡単に揃えるために使用することができる。 A bare wafer is a homogenous material from which elements cannot be separated into different single materials by mechanical methods (eg, grinding, shearing, cutting, sawing, polishing, etc.). That is, the front and back sides of the bare wafer are essentially any film layer (e.g., silicon film layer, silicon oxide film layer, silicon nitride film layer, metal film layer, photoresist layer, or other film used in semiconductor processes). There are no film layers) or local implants (eg, P-type local implants, N-type local implants, or other similar local implantation regions). In one embodiment, the bare wafer may be a silicon wafer, although the invention is not so limited. In one embodiment, the bare wafer may have a notch or flat around its perimeter. In subsequent processes (the invention is not so limited), the notches or flats can be used to more easily align the crystal orientation of the wafer.

本実施形態において、マウントベース１１０のベース面１１２は、基本的に、円形であり、且つベース面１１２は、ベース面直径１１２Ｒを有する。 In this embodiment, base surface 112 of mounting base 110 is essentially circular, and base surface 112 has a base surface diameter 112R.

１つの実施形態において、ベース面１１２のベース面直径１１２Ｒは、基本的に、載置するベアウェハの直径よりもわずかに大きい。一般的な８インチウェハを例に挙げると、８インチベアウェハを載置するのに適したウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００）において、ベース面（例えば、ベース面１１２）のベース面直径（例えば、ベース面直径１１２Ｒ）は、約２００ミリメートル（または、約８インチ）である。一般的に言うと、ベース面１１２のベース面直径１１２Ｒは、基本的に、研磨したいウェハの直径よりもわずかに大きい。 In one embodiment, the base surface diameter 112R of the base surface 112 is essentially slightly larger than the diameter of the bare wafer on which it rests. Taking a typical 8-inch wafer as an example, in a wafer mounting station (eg, wafer mounting station 100) suitable for mounting an 8-inch bare wafer, the base surface diameter of the base surface (eg, base surface 112) is (eg, base surface diameter 112R) is about 200 millimeters (or about 8 inches). Generally speaking, the base surface diameter 112R of the base surface 112 is essentially slightly larger than the diameter of the wafer to be polished.

環状パッド１２０は、内縁１２３および外縁１２１を有し、パッド幅１２０Ｗは、基本的に、内縁１２３と外縁１２１の間の最短距離である。 Annular pad 120 has an inner edge 123 and an outer edge 121 , and pad width 120 W is essentially the shortest distance between inner edge 123 and outer edge 121 .

本実施形態において、内縁１２３の輪郭は、基本的に、円形であり、外縁１２１の輪郭は、基本的に、円形であり、且つ内縁１２３と外縁１２１は、基本的に、平行である。 In this embodiment, the contour of inner edge 123 is essentially circular, the contour of outer edge 121 is essentially circular, and inner edge 123 and outer edge 121 are essentially parallel.

本実施形態において、環状パッド１２０の外縁１２１は、基本的に、マウントベース１１０の外縁１１１を切り揃える。つまり、ベース面１１２のベース面直径１１２Ｒは、基本的に、ウェハマウント面１３０のマウント面直径とみなすことができる。 In this embodiment, the outer edge 121 of the annular pad 120 essentially trims the outer edge 111 of the mounting base 110 . That is, the base surface diameter 112R of the base surface 112 can basically be regarded as the mount surface diameter of the wafer mount surface 130. FIG.

本実施形態において、パッド幅１２０Ｗとベース面直径１１２Ｒの比率は、０．５％～３．０％の間である。８インチベアウェハを載置するのに適したウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００）を例に挙げると、環状パッド（例えば、環状パッド１２０）のパッド幅（例えば、パッド幅１２０Ｗ）は、およそ１ミリメートル（millimeter, mm）～６ミリメートルである。 In this embodiment, the ratio of pad width 120W to base surface diameter 112R is between 0.5% and 3.0%. Taking a wafer mounting station (eg, wafer mounting station 100) suitable for mounting an 8-inch bare wafer as an example, the pad width (eg, pad width 120 W) of the annular pad (eg, annular pad 120) is Approximately 1 millimeter (mm) to 6 millimeters.

より好ましい実施形態において、パッド幅１２０Ｗとベース面直径１１２Ｒの比率は、０．５％～２．５％の間である。８インチベアウェハを載置するのに適したウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００）を例に挙げると、環状パッド（例えば、環状パッド１２０）のパッド幅（例えば、パッド幅１２０Ｗ）は、およそ１ミリメートル～５ミリメートルである。 In a more preferred embodiment, the ratio of pad width 120W to base surface diameter 112R is between 0.5% and 2.5%. Taking a wafer mounting station (eg, wafer mounting station 100) suitable for mounting an 8-inch bare wafer as an example, the pad width (eg, pad width 120 W) of the annular pad (eg, annular pad 120) is Approximately 1 to 5 millimeters.

本実施形態において、環状パッド１２０は、頂面１２２を有し、頂面１２２は、内縁１２３と外縁１２１の間の間にあり、パッド高さ１２０Ｈは、基本的に、環状パッド１２０の頂面１２２とマウントベース１１０のベース面１１２の間（または、ベース面１１２から延伸した仮想面）の最長距離である。 In this embodiment, annular pad 120 has a top surface 122 that is between inner edge 123 and outer edge 121, and pad height 120H is essentially the top surface of annular pad 120. 122 and the base surface 112 of the mount base 110 (or an imaginary surface extending from the base surface 112).

本実施形態において、パッド高さ１２０Ｈとベース面直径１１２Ｒの比率は、０．７％以下であり、且つ０％よりも大きい。８インチベアウェハを載置するのに適したウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００）を例に挙げると、環状パッド（例えば、環状パッド１２０）のパッド高さ（例えば、パッド高さ１２０Ｈ）は、およそ１．４ミリメートル以下であり、且つ０ミリメートルよりも大きい。 In this embodiment, the ratio of pad height 120H to base surface diameter 112R is less than or equal to 0.7% and greater than 0%. Taking a wafer mount station (eg, wafer mount station 100) suitable for mounting an 8-inch bare wafer as an example, the pad height (eg, pad height 120H) of the annular pad (eg, annular pad 120) is approximately less than or equal to 1.4 millimeters and greater than 0 millimeters.

より好ましい実施形態において、パッド高さ１２０Ｈとベース面直径１１２Ｒの比率は、０．５％以下であり、且つ０．０２５％よりも大きい。８インチベアウェハを載置するのに適したウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００）を例に挙げると、環状パッド（例えば、環状パッド１２０）のパッド高さ（例えば、パッド高さ１２０Ｈ）は、およそ１．０ミリメートル以下であり、且つ０．０５ミリメートルよりも大きい。 In a more preferred embodiment, the ratio of pad height 120H to base surface diameter 112R is less than or equal to 0.5% and greater than 0.025%. Taking a wafer mount station (eg, wafer mount station 100) suitable for mounting an 8-inch bare wafer as an example, the pad height (eg, pad height 120H) of the annular pad (eg, annular pad 120) is approximately less than or equal to 1.0 millimeters and greater than 0.05 millimeters.

本実施形態において、マウントベース１１０のベース面１１２は、基本的に、平面である。つまり、ベアウェハをウェハマウント面１３０に置き、ベアウェハと環状パッド１２０の頂面１２２とマウントベース１１０のベース面１１２を部分的に接触させた（直接接触させる、または間接的に接触させることを含む）時、ベアウェハの内側は、概ね凹んだ状態を表す。このようにして、ベアウェハに対してウェハ研磨（wafer polish）を行った時に、ウェハ全体の平坦度を上げることができる。 In this embodiment, the base surface 112 of the mount base 110 is basically flat. That is, the bare wafer is placed on the wafer mount surface 130, and the bare wafer and the top surface 122 of the annular pad 120 are brought into partial contact with the base surface 112 of the mount base 110 (including direct contact or indirect contact). At this time, the inner side of the bare wafer presents a generally recessed state. In this way, when wafer polish is performed on a bare wafer, the flatness of the entire wafer can be improved.

本実施形態において、マウントベース１１０と環状パッド１２０は、異なる部材であってもよいが、本発明はこれに限定されない。つまり、マウントベース１１０と環状パッド１２０は、インターフェースを有してもよい。 In this embodiment, the mount base 110 and the annular pad 120 may be different members, but the invention is not limited to this. That is, the mount base 110 and the annular pad 120 may have an interface.

また、本発明は、マウントベース１１０の材質と環状パッド１２０の材質を限定しない。例を挙げて説明すると、環状パッド１２０は、金属環状シート、プラスチック環状シート、セラミック環状シート、またはその他の適切な環状シートであってもよい。より好ましくは、環状パッド１２０は、耐酸耐アルカリ性の材質（例えば、耐酸耐アルカリ性の合金）で製造してもよい。 Also, the present invention does not limit the material of the mount base 110 and the material of the annular pad 120 . By way of example, annular pad 120 may be a metal annular sheet, a plastic annular sheet, a ceramic annular sheet, or any other suitable annular sheet. More preferably, the annular pad 120 may be made of an acid- and alkali-resistant material (eg, an acid- and alkali-resistant alloy).

図２は、本発明の第２実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。本実施形態のウェハマウントステーション２００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００は類似しているため、類似する部材を同じ番号で示し、且つ類似する機能、材質、または相対関係については、説明を省略する。 FIG. 2 is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to a second embodiment of the present invention. Since the wafer mount station 200 of the present embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment are similar, similar members are denoted by the same reference numerals, and descriptions of similar functions, materials, or relative relationships are omitted. do.

本実施形態のウェハマウントステーション２００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００の外観は、類似している。例を挙げて説明すると、本実施形態のウェハマウントステーション２００の外観は、図1に示したウェハマウントステーション１００と同じ、または類似していてもよい。また、図２は、図１Ａにおける断面Ｓ１のウェハマウントステーションの断面概略図と類似していてもよい。 The appearance of the wafer mount station 200 of this embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment are similar. By way of example, the appearance of the wafer mount station 200 of this embodiment may be the same as or similar to the wafer mount station 100 shown in FIG. Also, FIG. 2 may be similar to the cross-sectional schematic view of the wafer mounting station at section S1 in FIG. 1A.

本実施形態において、マウントベース２１０および環状パッド２２０は、同一体である。つまり、マウントベース２１０と環状パッド２２０の間には、インターフェースがない。 In this embodiment, mounting base 210 and annular pad 220 are one and the same. That is, there is no interface between mounting base 210 and annular pad 220 .

また、マウントベース２１０のベース面２１２およびそこから延伸する仮想面で区分する場合、例を挙げて説明すると、ベース面２１２およびそこから延伸する仮想面の下方は、マウントベース２１０とみなすことができ、ベース面２１２およびそこから延伸する仮想面の上方は、環状パッド２２０とみなすことができる。つまり、環状パッド２２０は、マウントベース２１０のベース面２１２から延伸する仮想面にあるとみなすことができ、且つパッド高さ１２０Ｈは、基本的に、環状パッド２２０の頂面１２０とマウントベース２１０のベース面２１２から延伸する仮想面の最長距離である。 In addition, when the base surface 212 of the mount base 210 and the imaginary surface extending therefrom are used for division, for example, the area below the base surface 212 and the imaginary surface extending therefrom can be regarded as the mount base 210. , base surface 212 and an imaginary surface extending therefrom can be considered an annular pad 220 . That is, annular pad 220 can be considered to be in an imaginary plane extending from base surface 212 of mount base 210, and pad height 120H is essentially the height of top surface 120 of annular pad 220 and mount base 210. It is the longest distance of the imaginary surface extending from the base surface 212 .

図３Ａは、本発明の第３実施形態のウェハマウントステーションの拡大概略図である。図３Ｂは、本発明の第３実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。本実施形態のウェハマウントステーション３００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００は類似しているため、類似する部材を同じ番号で示し、且つ類似する機能、材質、または相対関係については、説明を省略する。 FIG. 3A is an enlarged schematic diagram of a wafer mount station according to a third embodiment of the present invention. FIG. 3B is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to a third embodiment of the present invention. Since the wafer mount station 300 of the present embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment are similar, similar members are denoted by the same numbers, and descriptions of similar functions, materials, or relative relationships are omitted. do.

本実施形態のウェハマウントステーション３００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００の組み立てた後の外観は、類似している。例を挙げて説明すると、本実施形態のウェハマウントステーション３００の外観は、図1に示したウェハマウントステーション１００と同じ、または類似していてもよい。つまり、図３Ａに示したマウントベース３１０と環状パッド３２０の組み立てた後のウェハマウントステーション３００は、外観が図1に示したウェハマウントステーション１００と同じ、または類似していてもよい。また、図３Ｂは、図１Ａにおける断面Ｓ１のウェハマウントステーションの断面概略図と類似していてもよい。 The wafer mount station 300 of this embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment are similar in appearance after assembly. By way of example, the appearance of the wafer mount station 300 of this embodiment may be the same as or similar to the wafer mount station 100 shown in FIG. That is, the wafer mount station 300 after assembly of the mount base 310 and annular pad 320 shown in FIG. 3A may be the same or similar in appearance to the wafer mount station 100 shown in FIG. Also, FIG. 3B may be similar to the cross-sectional schematic view of the wafer mounting station at section S1 in FIG. 1A.

本実施形態において、マウントベース３１０は、環状凹溝３１３を有し、環状パッド３２０は、環状凸部３２４を有する。組み立てた後のウェハマウントステーション３００において、環状凸部３２４は、凹溝３１３の中に嵌入することができる。このようにして、環状パッド３２０をマウントベース３１０のベース面３１２に固定させることができる。 In this embodiment, the mount base 310 has an annular groove 313 and the annular pad 320 has an annular protrusion 324 . In the assembled wafer mount station 300 , the annular protrusion 324 can fit into the recess 313 . In this manner, annular pad 320 can be secured to base surface 312 of mount base 310 .

図４Ａは、本発明の第４実施形態のウェハマウントステーションの拡大概略図である。図４Ｂは、本発明の第４実施形態のウェハマウントステーションの立体概略図である。本実施形態のウェハマウントステーション４００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００または第３実施形態のウェハマウントステーション３００は類似しているため、類似する部材を同じ番号で示し、且つ類似する機能、材質、または相対関係については、説明を省略する。 FIG. 4A is an enlarged schematic diagram of a wafer mount station according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 4B is a three-dimensional schematic diagram of a wafer mounting station according to a fourth embodiment of the present invention; Since the wafer mount station 400 of the present embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment or the wafer mount station 300 of the third embodiment are similar, similar members are denoted by the same numbers and have similar functions and materials. , or the relative relationship will be omitted.

図４Ａに示したマウントベース４１０と環状パッド４２０を組み立てた後のウェハマウントステーション４００は、図４Ｂに示した外観であってもよい。つまり、本実施形態のウェハマウントステーション４００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００または第３実施形態のウェハマウントステーション３００の組み立てた後の外観は、類似している。また、図４Ｂにおいて、断面Ｓ２（つまり、環状パッド４２０の凸部４２４とマウントベース４１０の凹溝４１３がある位置）のウェハマウントステーション４００の断面概略図は、図３Ｂと同じ、または類似していてもよく、断面Ｓ３（つまり、環状パッド４２０の凸部４２４とマウントベース４１０の凹溝４１３から離れた位置）のウェハマウントステーション４００の断面概略図は、図１Ｂと同じ、または類似していてもよい。 After assembling the mounting base 410 and annular pad 420 shown in FIG. 4A, the wafer mount station 400 may have the appearance shown in FIG. 4B. That is, the wafer mount station 400 of the present embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment or the wafer mount station 300 of the third embodiment are similar in appearance after assembly. Also, in FIG. 4B, a schematic cross-sectional view of wafer mount station 400 at cross section S2 (that is, the position where convex portion 424 of annular pad 420 and concave groove 413 of mount base 410 are located) is the same as or similar to FIG. 3B. Alternatively, a cross-sectional schematic view of wafer mount station 400 at cross-section S3 (that is, away from convex portion 424 of annular pad 420 and concave groove 413 of mount base 410) is the same or similar to FIG. 1B. good too.

本実施形態において、マウントベース４１０は、複数の凹溝４１３を有し、環状パッド４２０は、複数の凸部４２４を有し、マウントベース４１０の凹溝４１３の個数は、環状パッド４２０の凸部４２４の個数よりも多いか、それに等しい。組み立てた後のウェハマウントステーション４００において、環状パッド４２０の凸部４２４は、マウントベース４１０の凹溝４１３の中に嵌入することができる。このようにして、環状パッド４２０をマウントベース４１０のベース面４１２に固定させることができ、且つ環状パッド４２０がマウントベース４１０のベース面４１２で回転する可能性をさらに下げることができる。 In this embodiment, the mount base 410 has a plurality of grooves 413 , the annular pad 420 has a plurality of protrusions 424 , and the number of the grooves 413 of the mount base 410 is equal to the number of protrusions of the annular pad 420 . greater than or equal to the number of 424. In the assembled wafer mount station 400 , the convex portion 424 of the annular pad 420 can fit into the concave groove 413 of the mount base 410 . In this manner, the annular pad 420 can be secured to the base surface 412 of the mount base 410 and the likelihood of the annular pad 420 rotating on the base surface 412 of the mount base 410 can be further reduced.

本実施形態において、マウントベース４１０の凹溝４１３の個数は、環状パッド４２０の凸部４２４の個数に等しいが、本発明はこれに限定されない。図示していない実施形態において、マウントベース４１０の凹溝４１３の個数は、環状パッド４２０の凸部４２４の個数よりも大きくてもよい。 In this embodiment, the number of grooves 413 of mount base 410 is equal to the number of protrusions 424 of annular pad 420, but the present invention is not limited thereto. In an embodiment not shown, the number of grooves 413 of mounting base 410 may be greater than the number of protrusions 424 of annular pad 420 .

また、本発明は、環状パッド４２０の凸部４２４をマウントベース４１０の凹溝４１３に嵌入することさえできれば、マウントベース４１０の凹溝４１３の輪郭と環状パッド４２０の凸部４２４の外形を限定しない。 In addition, the present invention does not limit the outline of the groove 413 of the mount base 410 and the outer shape of the projection 424 of the annular pad 420 as long as the projection 424 of the annular pad 420 can be fitted into the groove 413 of the mount base 410. .

１つの実施形態において、複数の凹溝４１３および複数の凸部４２４は、非対称の方法で配置してもよい。このようにして、環状パッド４２０とマウントベース４１０を互いに何度も分解する、または組み立てる過程において、環状パッド４２０の方位（orientation）を一致させることができる。 In one embodiment, the plurality of grooves 413 and the plurality of protrusions 424 may be arranged in an asymmetric manner. In this way, the orientation of the annular pad 420 can be matched during the process of disassembling or assembling the annular pad 420 and the mounting base 410 multiple times.

図５は、本発明の第５実施形態のウェハマウントステーションの局部断面概略図である。本実施形態のウェハマウントステーション５００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００、第３実施形態のウェハマウントステーション３００、または第４実施形態のウェハマウントステーション４００は類似しているため、類似する部材を同じ番号で示し、且つ類似する機能、材質、または相対関係については、説明を省略する。 FIG. 5 is a partial cross-sectional schematic diagram of a wafer mount station according to a fifth embodiment of the present invention. Since the wafer mount station 500 of this embodiment is similar to the wafer mount station 100 of the first embodiment, the wafer mount station 300 of the third embodiment, or the wafer mount station 400 of the fourth embodiment, similar members are used. Descriptions of functions, materials, or relative relationships indicated by the same numbers will be omitted.

本実施形態のウェハマウントステーション５００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００は、組み立てた後の外観が類似している。例を挙げて説明すると、本実施形態のウェハマウントステーション５００の外観は、図１に示したウェハマウントステーション１００または図４Ｂに示したウェハマウントステーション４００と同じ、または類似していてもよい。また、図５は、図３Ｂにおけるウェハマウントステーションの断面概略図と類似していてもよく；あるいは図５は、図４Ｂにおける断面Ｓ２のウェハマウントステーションの断面概略図と類似していてもよい。 The wafer mount station 500 of this embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment are similar in appearance after assembly. By way of example, the wafer mount station 500 of this embodiment may have the same or similar appearance as the wafer mount station 100 shown in FIG. 1 or the wafer mount station 400 shown in FIG. 4B. Also, FIG. 5 may be similar to the cross-sectional schematic of the wafer mounting station in FIG. 3B; or FIG. 5 may be similar to the cross-sectional schematic of the wafer mounting station of section S2 in FIG. 4B.

本実施形態において、環状パッド５２０は、第１リング５２０ａおよび第２リング５２０ｂを含む。第１リング５２０ａは、マウントベース３１０のベース面３１２にある。第２リング５２０ｂは、第１リング５２０ａの上にある。第２リング５２０ｂは、少なくとも上述した第１リング５２０ａの頂面５２２ａを覆う。 In this embodiment, annular pad 520 includes a first ring 520a and a second ring 520b. The first ring 520 a is on the base surface 312 of the mount base 310 . A second ring 520b overlies the first ring 520a. The second ring 520b covers at least the top surface 522a of the first ring 520a described above.

本実施形態において、環状パッド５２０は、２つのリング（すなわち第１リング５２０ａおよび第２リング５２０ｂ）で構成される。つまり、第２リング５２０ｂの頂面５２２ａは、基本的に、環状パッド５２０の頂面である。 In this embodiment, annular pad 520 consists of two rings (ie, first ring 520a and second ring 520b). That is, the top surface 522 a of the second ring 520 b is basically the top surface of the annular pad 520 .

１つの実施形態において、環状パッドは、複数のリング（例えば、２個以上のリング）で構成されてもよい。つまり、最上層のリングの頂面は、基本的に、環状パッドの頂面である。 In one embodiment, the annular pad may consist of multiple rings (eg, two or more rings). That is, the top surface of the topmost ring is essentially the top surface of the annular pad.

複数のリング（すなわち第１リング５２０ａおよび第２リング５２０ｂ）により、環状パッド５２０は、パッド高さ１２０Ｈを調整する際に、よりフレキシブルになる。 The multiple rings (ie, first ring 520a and second ring 520b) allow annular pad 520 to be more flexible in adjusting pad height 120H.

図６は、本発明の第６実施形態のウェハマウントステーションの立体概略図である。本実施形態のウェハマウントステーション６００と第１実施形態のウェハマウントステーション１００は類似しているため、類似する部材を同じ番号で示し、且つ類似する機能、材質、または相対関係については、説明を省略する。 FIG. 6 is a three-dimensional schematic diagram of a wafer mounting station according to a sixth embodiment of the present invention. Since the wafer mount station 600 of the present embodiment and the wafer mount station 100 of the first embodiment are similar, similar members are denoted by the same numbers, and similar functions, materials, or relative relationships will not be described. do.

本実施形態において、ウェハマウントステーション６００は、さらに、位置決めピン６４０を含む。位置決めピン６４０は、ベース面１１２の外側にある。位置決めピン６４０は、頂斜面６４３を有し、且つ頂斜面６４３は、基本的に、少なくともマウントベース１１０に面している。つまり、位置決めピン６４０の頂端は、円錐状に類似していてもよい。このようにして、ベアウェハをウェハマウント面１３０に容易に置くことができ、且つベアウェハ（例えば、図7に示したベアウェハ９０と同じ、または類似する）をおよそウェハマウント面１３０の範囲内に置くことができる。 In this embodiment, wafer mount station 600 further includes locating pins 640 . Locating pins 640 are outside of base surface 112 . The locating pin 640 has a top slope 643 and the top slope 643 basically faces at least the mount base 110 . That is, the apex of the locating pin 640 may resemble a cone. In this manner, a bare wafer can be easily placed on wafer mount surface 130 and a bare wafer (eg, the same or similar to bare wafer 90 shown in FIG. 7) can be placed approximately within wafer mount surface 130. can be done.

注意すべきこととして、本実施形態において、ウェハマウントステーション６００におけるマウントベース１１０および環状パッド１２０は、第１実施形態のウェハマウントステーション１００におけるマウントベース１１０および環状パッド１２０と同じ、または類似していてもよいが、本発明はこれに限定されない。その他の図示していない実施形態において、位置決めピン６４０を有するウェハマウントステーションにおけるマウントベースおよび環状パッドは、その他の実施形態のウェハマウントステーションにおけるマウントベースおよび環状パッドと同じ、または類似していてもよい。 It should be noted that in this embodiment, the mount base 110 and annular pad 120 in the wafer mount station 600 are the same as or similar to the mount base 110 and annular pad 120 in the wafer mount station 100 of the first embodiment. However, the invention is not limited to this. In other not shown embodiments, the mount base and annular pad in the wafer mount station with locating pins 640 may be the same or similar to the mount base and annular pad in the wafer mount station of other embodiments. .

図７は、本発明の１つの実施形態のベアウェハ埋め込み構造の一部を形成する方法の局部立体概略図である。図８Ａ～図８Ｂは、本発明の１つの実施形態のベアウェハ埋め込み構造の一部を形成する方法の局部側面概略図である。注意すべきこととして、図７および図８Ａ～図８Ｂに示した実施形態において、第１実施形態のウェハマウントステーション１００をウェハマウントステーションとして例示的に使用しているが、本発明はこれに限定されない。その他の図示していない実施形態において、その他のウェハマウントステーション１００と同じ、または類似するウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００、ウェハマウントステーション２００、ウェハマウントステーション３００、ウェハマウントステーション４００、ウェハマウントステーション５００、ウェハマウントステーション６００、またはこれらの組み合わせと同じ、または類似する）を使用してもよい。 FIG. 7 is a partial three-dimensional schematic diagram of a method of forming part of the bare wafer embedded structure of one embodiment of the present invention. 8A-8B are partial side schematic views of a method of forming part of a bare wafer embedded structure in accordance with one embodiment of the present invention. It should be noted that although the embodiments shown in FIGS. 7 and 8A-8B illustratively use the wafer mount station 100 of the first embodiment as a wafer mount station, the present invention is so limited. not. In other not shown embodiments, wafer mount stations identical or similar to other wafer mount stations 100 (e.g., wafer mount station 100, wafer mount station 200, wafer mount station 300, wafer mount station 400, wafer mount station 500, wafer mount station 600, or a combination thereof) may be used.

図７を参照すると、ベアウェハ９０をウェハマウントステーション１００のマウントベース１１０上に置くことができる。その後、ベアウェハ９０をキャリア７５０上のワックス７６０に付着させる。１つの実施形態において、まず、ワックス７６０をキャリア７５０のマウント面７５２に塗布した後、キャリア７５０上に塗布したワックス７６０をマウントベース１１０上のベアウェハ９０に接触させることができるが、本発明はこれに限定されない。別の可能な実施形態において、ワックス７６０をベアウェハ９０に塗布した後、キャリア７５０のマウント面７５２をベアウェハ９０に塗布したワックス７６０と接触させてもよい。 Referring to FIG. 7, bare wafer 90 can be placed on mount base 110 of wafer mount station 100 . Bare wafer 90 is then adhered to wax 760 on carrier 750 . In one embodiment, the wax 760 can be first applied to the mounting surface 752 of the carrier 750 and then the wax 760 applied on the carrier 750 can be brought into contact with the bare wafer 90 on the mounting base 110, but the present invention does this. is not limited to In another possible embodiment, after wax 760 is applied to bare wafer 90 , mounting surface 752 of carrier 750 may be brought into contact with wax 760 applied to bare wafer 90 .

本実施形態において、ウェハマウントステーション１００は、さらに、位置決めベース９１を含んでもよく、マウントベース１１０は、位置決めベース９１に固定されるが、本発明はこれに限定されない。 In this embodiment, the wafer mount station 100 may further include a positioning base 91, and the mount base 110 is fixed to the positioning base 91, but the invention is not limited thereto.

図７および図８Ａを参照すると、本実施形態において、マウントベース１１０のウェハマウント面１３０にウェハマウントパッド（wafer mount pad）７７０を配置することができる。ウェハマウントパッド７７０は、ベアウェハ９０をより簡単にウェハマウント面１３０に固定させることができる。 7 and 8A, in this embodiment, a wafer mount pad 770 can be placed on the wafer mount surface 130 of the mount base 110. As shown in FIG. Wafer mount pad 770 allows bare wafer 90 to be more easily secured to wafer mount surface 130 .

図８Ａ～図８Ｂを参照すると、ベアウェハ９０をキャリア７５０上のワックス７６０に接触させた後、マウント蓋（mount lid）７８０によりキャリア７５０に適切な圧力を印加して、ベアウェハ９０をワックス７６０でキャリア７５０上に緊密に接着することにより、図８Ｂに示したウェハ埋め込み構造８００を構成することができる。また、作用力と反作用力に類似する原理に基づいて、キャリア７５０に印加する圧力は、キャリア７５０のベアウェハ９０に印加する圧力と同じであってもよい。図８Ｂに示すように、ウェハ埋め込み構造８００は、キャリア７５０と、キャリア７５０上にあるワックス７６０’と、ワックス７６０’に埋め込まれたベアウェハ９０とを含むことができる。その後、通常使用するラッピング方法または研磨方法と同じ、または類似する方法により、図８Ｂに示したウェハ埋め込み構造８００に対してラッピングまたは研磨を行うことができるため、ラッピング方法または研磨方法の詳細については、説明を省略する。 8A-8B, after the bare wafer 90 is brought into contact with the wax 760 on the carrier 750, a mount lid 780 applies appropriate pressure to the carrier 750 to force the bare wafer 90 into contact with the wax 760 on the carrier. By bonding tightly onto 750, the wafer-embedded structure 800 shown in FIG. 8B can be constructed. Also, the pressure applied to the carrier 750 may be the same as the pressure applied to the bare wafer 90 of the carrier 750, based on similar principles of action and reaction forces. As shown in FIG. 8B, wafer embedded structure 800 may include carrier 750, wax 760' on carrier 750, and bare wafer 90 embedded in wax 760'. After that, the wafer-embedded structure 800 shown in FIG. 8B can be lapped or polished by the same or similar method of lapping or polishing that is commonly used. , the description is omitted.

本実施形態において、ウェハマウントステーション１００は、環状パッド１２０を含むため、マウント蓋７８０でキャリア７５０に適切な圧力を印加した時、ベアウェハ９０を埋め込むためのワックス７６０とベアウェハ９０の間の受力は、ウェハマウントステーション１００の環状パッド１２０によって変更されてもよい。このようにして、ベアウェハ９０をワックス７６０に埋め込んだ後、ワックス７６０の辺縁と中央の間の受力によって分布が不均一になる問題を減らす、またはさらに解決することができる。 In this embodiment, the wafer mount station 100 includes an annular pad 120, so that when a suitable pressure is applied to the carrier 750 by the mount lid 780, the received force between the wax 760 for embedding the bare wafer 90 and the bare wafer 90 is , may be modified by the annular pad 120 of the wafer mount station 100 . In this way, after the bare wafer 90 is embedded in the wax 760, the problem of non-uniform distribution due to the received force between the edges and the center of the wax 760 can be reduced or even solved.

［比較例と試験例］ [Comparative example and test example]

本発明のウェハマウントステーション（例えば、ウェハマウントステーション１００、ウェハマウントステーション２００、ウェハマウントステーション３００、ウェハマウントステーション４００、ウェハマウントステーション５００、ウェハマウントステーション６００と同じ、または類似するウェハマウントステーション）で製造されたウェハ埋め込み構造（例えば、図８Ｂに示したウェハ埋め込み構造８００と同じ、または類似する）を使用して研磨を行うことにより、ウェハ全体の平坦度を上げることができることを証明するため、特に、比較例と試験例を用いて説明を行う。しかしながら、これらの試験例は、いかなる意義においても、本発明の範囲を限定するものと解釈されてはならない。 manufactured in a wafer mount station of the present invention (e.g., a wafer mount station the same as or similar to wafer mount station 100, wafer mount station 200, wafer mount station 300, wafer mount station 400, wafer mount station 500, wafer mount station 600) In particular, the , a comparative example and a test example. However, these test examples should not be construed as limiting the scope of the present invention in any way.

一般的に、ウェハ全体の平坦度は、ＳＴＩＲ（Site Total Indicator Reading）で表すことができる。数値は、ＳＴＩＲが小さければ小さいほど、ウェハの平坦度が良好であることを表す。 In general, the flatness of the entire wafer can be represented by STIR (Site Total Indicator Reading). Numerical values indicate that the smaller the STIR, the better the flatness of the wafer.

図９～図１１に示すように、比較例と各試験例の統計データは、一般的な統計において通常使用されている箱ひげ図（box plot）で表示する。箱ひげ図は、１組のデータにおける最大値、最小値、中央値、および上下四分位数を示すために使用することができる。また、図９～図１１において、縦の座標は、比較例と試験例１～８の間の相対するＳＴＩＲを示す。 As shown in FIGS. 9 to 11, the statistical data of the comparative example and each test example are displayed in box plots commonly used in general statistics. Boxplots can be used to show the maximum, minimum, median, and upper and lower quartiles in a set of data. Also, in FIGS. 9-11, the vertical coordinates indicate the relative STIR between the comparative example and test examples 1-8.

［比較例と試験例１］ [Comparative Example and Test Example 1]

図９は、比較例と試験例１の間の比較図である。具体的に説明すると、図９は、「比較例のウェハマウントステーションで製造したウェハ埋め込み構造のベアウェハ」と「試験例のウェハマウントステーションで製造したウェハ埋め込み構造のベアウェハ」に対して研磨を行った後の比較図である。 9 is a comparison diagram between Comparative Example and Test Example 1. FIG. Specifically, in FIG. 9, polishing was performed on "a bare wafer with a wafer-embedded structure manufactured by a wafer mount station of a comparative example" and "a bare wafer with a wafer-embedded structure manufactured by a wafer mount station of a test example". It is a later comparison diagram.

試験例１は、第１実施形態～第６実施形態のウェハマウントステーション１００、２００、３００、４００、５００、６００で製造したウェハ埋め込み構造と同じ、または類似するウェハ埋め込み構造を使用した。簡単に説明すると、試験例１が使用したウェハマウントステーションは、マウントベースのベース面にある環状パッドを含む。 Test Example 1 used a wafer embedding structure that was the same as or similar to the wafer embedding structures manufactured in the wafer mount stations 100, 200, 300, 400, 500, and 600 of the first to sixth embodiments. Briefly, the wafer mount station used by Test Example 1 includes an annular pad on the base surface of the mount base.

比較例が使用したウェハマウントステーションは異なるが、試験例１のウェハマウントステーションと類似しており、相違点は、比較例が使用したウェハマウントステーションのマウントベースのベース面に環状パッドがないことである。 The wafer mount station used in the comparative example is different but similar to the wafer mount station of Test Example 1, the difference being that the base surface of the mount base of the wafer mount station used in the comparative example does not have an annular pad. be.

図９に示すように、比較例のウェハマウントステーションと比較して、試験例１のウェハマウントステーションでウェハ埋め込み構造を製造してから、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後、ウェハ全体の平坦度は、比較的良好であった。 As shown in FIG. 9, compared with the wafer mount station of the comparative example, after manufacturing the wafer-embedded structure in the wafer mount station of Test Example 1 and then polishing the bare wafer of the wafer-embedded structure described above. , the flatness of the entire wafer was relatively good.

［試験例２～試験例５］ [Test Examples 2 to 5]

図１０は、異なる試験例の間の比較図である。具体的に説明すると、図１０は、試験例２、試験例３、試験例４、および試験例５（以降、試験例２～試験例５と称す）のウェハマウントステーションを使用してウェハ埋め込み構造を製造し、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後の比較図である。 FIG. 10 is a comparison diagram between different test examples. Specifically, FIG. 10 shows a wafer embedding structure using the wafer mount station of Test Example 2, Test Example 3, Test Example 4, and Test Example 5 (hereinafter referred to as Test Examples 2 to 5). is manufactured, and a bare wafer having the above-described wafer-embedded structure is polished.

試験例２～試験例５で使用するウェハマウントステーションは、上述した実施形態のウェハマウントステーションと同じ、または類似していてもよい。つまり、試験例２～試験例５で使用するウェハマウントステーションは、第１実施形態～第６実施形態のウェハマウントステーション１００、２００、３００、４００、５００、６００と同じ、または類似するウェハマウントステーションを含むことができ、相違点は：試験例２～試験例５で使用するウェハマウントステーションにおいて、環状パッドのパッド幅がそれぞれ異なることである。 The wafer mount stations used in Test Examples 2-5 may be the same as or similar to the wafer mount stations of the embodiments described above. That is, the wafer mount stations used in Test Examples 2 to 5 are the same as or similar to the wafer mount stations 100, 200, 300, 400, 500, and 600 of the first to sixth embodiments. The difference is: the pad widths of the annular pads are different in the wafer mounting stations used in Test Examples 2-5.

詳しく説明すると、試験例２～試験例５において、８インチベアウェハに対してウェハ埋め込み構造を形成してから、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対してウェハ研磨試験を行った。さらに、試験例２～試験例５で使用したウェハマウントステーションにおいて、マウントベースのベース面のベース面直径は、約２００ミリメートルであり、且つ環状パッドのパッド高さは、約１．２ミリメートルである。また、各試験例の環状パッドのパッド幅に対し、試験例２のパッド幅は、約３ミリメートリであり、試験例３のパッド幅は、約４ミリメートリであり、試験例４のパッド幅は、約５ミリメートリであり、試験例５のパッド幅は、約６ミリメートリである。つまり、各試験例のパッド幅とベース面直径の比率は、試験例２が約１．５％であり、試験例３が約２．０％であり、試験例４が約２．５％であり、試験例５が約３％である。 Specifically, in Test Examples 2 to 5, a wafer-embedded structure was formed on an 8-inch bare wafer, and then a wafer polishing test was performed on the above-described bare wafer having the wafer-embedded structure. Further, in the wafer mount stations used in Test Examples 2 to 5, the base surface diameter of the base surface of the mount base is approximately 200 millimeters, and the pad height of the annular pad is approximately 1.2 millimeters. . Further, with respect to the pad width of the annular pad of each test example, the pad width of test example 2 is about 3 mm, the pad width of test example 3 is about 4 mm, and the pad width of test example 4 is It is about 5 millimeters, and the pad width of Test Example 5 is about 6 millimeters. That is, the ratio of the pad width to the base surface diameter in each test example was about 1.5% in test example 2, about 2.0% in test example 3, and about 2.5% in test example 4. and about 3% in Test Example 5.

図９および図１０に示すように、比較例のウェハマウントステーションと比較して、試験例２～試験例５のウェハマウントステーションによりウェハ埋め込み構造を製造してから、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後、ウェハ全体の平坦度は、比較的良好であった。 As shown in FIGS. 9 and 10, compared with the wafer mount station of the comparative example, the wafer-embedded structure was manufactured by the wafer mount stations of Test Examples 2 to 5, and then the bare wafer of the above-described wafer-embedded structure was obtained. After polishing, the flatness of the entire wafer was relatively good.

図１０に示すように、試験例２～試験例５のウェハマウントステーションで製造したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後、ＳＴＩＲの最大値を比較すると、試験例２、試験例３、および試験例４は、試験例５よりも優れていた。 As shown in FIG. 10, after polishing the bare wafers of the wafer-embedded structure manufactured by the wafer mount stations of Test Examples 2 to 5, the maximum values of STIR were compared. , and Test Example 4 were superior to Test Example 5.

［試験例６～試験例８］ [Test Examples 6 to 8]

図１１は、異なる試験例の間の比較図である。具体的に説明すると、図１１は、試験例６、試験例７、および試験例８（以降、試験例６～試験例８と称す）のウェハマウントステーションを使用してウェハ埋め込み構造を製造してから、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後の比較図である。 FIG. 11 is a comparison diagram between different test examples. Specifically, FIG. 11 shows a wafer embedding structure manufactured using the wafer mount stations of Test Examples 6, 7, and 8 (hereinafter referred to as Test Examples 6 to 8). 1 is a comparison diagram after polishing a bare wafer having the wafer-embedded structure described above.

試験例６～試験例８で使用するウェハマウントステーションは、上述した実施形態のウェハマウントステーションと同じ、または類似していてもよい。つまり、試験例６～試験例８で使用するウェハマウントステーションは、第１実施形態～第６実施形態のウェハマウントステーション１００、２００、３００、４００、５００、６００と同じ、または類似するウェハマウントステーションを含むことができ、相違点は：試験例６～試験例８で使用するウェハマウントステーションにおいて、環状パッドのパッド高さがそれぞれ異なることである。 The wafer mount stations used in Examples 6-8 may be the same as or similar to the wafer mount stations of the embodiments described above. That is, the wafer mount stations used in Test Examples 6 to 8 are the same as or similar to the wafer mount stations 100, 200, 300, 400, 500, and 600 of the first to sixth embodiments. The difference is: the pad heights of the annular pads are different in the wafer mount stations used in Examples 6-8.

詳しく説明すると、試験例６～試験例８において、８インチベアウェハに対してウェハ埋め込み構造を形成してから、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対してウェハ研磨試験を行った。さらに、試験例６～試験例８で使用したウェハマウントステーションにおいて、マウントベースのベース面のベース面直径は、約２００ミリメートルであり、且つ環状パッドのパッド高さは、約３ミリメートルである。また、各試験例の環状パッドのパッド高さに対し、試験例６のパッド幅は、約０．６５ミリメートリであり、試験例７のパッド幅は、約１．２ミリメートリであり、試験例８のパッド幅は、約１．４ミリメートリである。つまり、各試験例のパッド高さとベース面直径の比率は、試験例６が約０．３２５％であり、試験例７が約０．６％であり、試験例８が約０．７％である。 Specifically, in Test Examples 6 to 8, a wafer-embedded structure was formed on an 8-inch bare wafer, and then a wafer polishing test was performed on the above-described bare wafer having the wafer-embedded structure. Further, in the wafer mount stations used in Test Examples 6-8, the base surface diameter of the base surface of the mount base is approximately 200 millimeters, and the pad height of the annular pad is approximately 3 millimeters. Further, the pad width of Test Example 6 was about 0.65 mm, the pad width of Test Example 7 was about 1.2 mm, and the pad width of Test Example 8 was about 0.65 mm with respect to the pad height of the annular pad of each Test Example. is about 1.4 millimeters. That is, the ratio of the pad height to the base surface diameter in each test example was about 0.325% in test example 6, about 0.6% in test example 7, and about 0.7% in test example 8. be.

図９および図１１に示すように、比較例のウェハマウントステーションと比較して、試験例６～試験例８のウェハマウントステーションによりウェハ埋め込み構造を製造してから、上述したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後、ウェハ全体の平坦度は、比較的良好であった。 As shown in FIGS. 9 and 11, compared with the wafer mount station of the comparative example, the wafer-embedded structure was manufactured by the wafer mount stations of Test Examples 6 to 8, and then the bare wafer of the above-described wafer-embedded structure was obtained. After polishing, the flatness of the entire wafer was relatively good.

図１１に示すように、試験例６～試験例８のウェハマウントステーションで製造したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行った後、ＳＴＩＲの最大値を比較すると、試験例６は、試験例７よりも優れており、且つ試験例７は、試験例８よりも優れていた。 As shown in FIG. 11, after polishing the bare wafers of the wafer-embedded structure manufactured by the wafer mount stations of Test Examples 6 to 8, the maximum values of STIR were compared. 7, and Test Example 7 was better than Test Example 8.

以上のように、本発明のウェハマウントステーションを使用して製造されたウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行うことにより、ウェハ全体の平坦度を上げることができる。 As described above, by polishing a bare wafer having a wafer-embedded structure manufactured using the wafer mount station of the present invention, the flatness of the entire wafer can be improved.

以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。 As described above, the present invention has been disclosed through the embodiments, but it is not intended to limit the present invention. Since variations and modifications are naturally possible, the scope of patent protection should be determined with reference to the appended claims and their equivalents.

本発明が提供するウェハマウントステーションを使用して製造したウェハ埋め込み構造のベアウェハに対して研磨を行うことができる。 A bare wafer having a wafer-embedded structure manufactured using the wafer mount station provided by the present invention can be polished.

１００、２００、３００、４００、５００、６００ ウェハマウントステーション
１１０、２１０、３１０、４１０ マウントベース
１１１ 外縁
１１２、２１２、３１２、４１２ ベース面
１１２Ｒ ベース面直径
３１３、４１３ 凹溝
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０ 環状パッド
１２１ 外縁
１２２、５２２ａ、５２２ｂ 頂面
１２３ 内縁
１２０Ｗ パッド幅
１２０Ｈ パッド高さ
３２４、４２４ 凸部
５２０ａ 第１リング
５２０ｂ 第２リング
１３０ ウェハマウント面
６４０ 位置決めピン
６４３ 頂斜面
７５０ キャリア
７５２ マウント面
７６０、７６０’ ワックス
７８０ マウント蓋
７７０ ウェハマウントパッド
９０、９０’ ヴェアウェハ
９１ 位置決めベース
８００ ウェハ埋め込み構造
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 断面
100, 200, 300, 400, 500, 600 Wafer mount stations 110, 210, 310, 410 Mount base 111 Outer edge 112, 212, 312, 412 Base surface 112R Base surface diameter 313, 413 Grooves 120, 220, 320, 420 , 520 annular pad 121 outer edge 122, 522a, 522b top surface 123 inner edge 120W pad width 120H pad height 324, 424 convex portion 520a first ring 520b second ring 130 wafer mounting surface 640 positioning pin 643 top slope 750 carrier 752 mounting surface 760, 760' wax 780 mount lid 770 wafer mount pad 90, 90' bare wafer 91 positioning base 800 wafer embedding structure S1, S2, S3 cross section

Claims (12)

ベアウェハを載置するウェハマウントステーションであって、
ベース面を含むマウントベースと、
前記マウントベースの前記ベアウェハに対応する周辺の前記ベース面のみにあり、前記マウントベースの前記ベース面と頂面の間に間隔を有するし、前記マウントべースの外縁で切り揃えられた環状パッドと、
を含み、
前記環状パッドの前記頂面と前記マウントベースの前記ベース面が、ウェハマウント面を構成し、且つ前記ベアウェハが、前記ウェハマウント面に置かれるウェハマウントステーション。 A wafer mounting station for mounting a bare wafer,
a mounting base including a base surface;
An annular pad located only on the peripheral base surface of the mount base corresponding to the bare wafer, having a space between the base surface and the top surface of the mount base, and trimmed at the outer edge of the mount base. and,
including
A wafer mounting station wherein the top surface of the annular pad and the base surface of the mount base form a wafer mounting surface, and the bare wafer is placed on the wafer mounting surface. 前記ベース面が円形であり、且つ前記ベース面が、ベース面直径を有し、
前記環状パッドが、パッド幅を有し、
前記パッド幅と前記ベース面直径の比率が、０．５％～３％である請求項１に記載のウェハマウントステーション。 the base surface is circular, and the base surface has a base surface diameter;
the annular pad has a pad width,
2. The wafer mount station as claimed in claim 1, wherein the ratio of said pad width to said base surface diameter is 0.5% to 3%. 前記パッド幅と前記ベース面直径の比率が、０．５％～ ２．５％である請求項２に記載のウェハマウントステーション。 3. The wafer mounting station as claimed in claim 2, wherein the pad width to base surface diameter ratio is between 0.5% and 2.5%. 前記ベース面が円形であり、且つ前記ベース面が、ベース面直径を有し、
前記環状パッドが、パッド高さを有し、
前記パッド高さと前記ベース面直径の比率が、０．７％以下である請求項１に記載のウェハマウントステーション。 the base surface is circular, and the base surface has a base surface diameter;
the annular pad has a pad height,
2. The wafer mount station of claim 1, wherein a ratio of said pad height to said base surface diameter is 0.7% or less. 前記パッド高さと前記ベース面直径の比率が、０．３２５％～ ０．６％である請求項４に記載のウェハマウントステーション。 5. The wafer mount station of claim 4, wherein the pad height to base surface diameter ratio is between 0.325% and 0.6%. 前記マウントベースが、少なくとも１つの凹溝を有し、
前記環状パッドが、少なくとも１つの凸部を有し、
前記凸部が、前記凹溝の中に嵌入する請求項１に記載のウェハマウントステーション。 wherein the mounting base has at least one concave groove;
wherein the annular pad has at least one protrusion;
2. A wafer mount station as set forth in claim 1, wherein said protrusion fits into said recess. 前記少なくとも１つの凹溝が、環状凹溝であり、
前記少なくとも１つの凸部が、環状凸部である請求項６に記載のウェハマウントステーション。 the at least one groove is an annular groove,
7. The wafer mount station of claim 6, wherein said at least one protrusion is an annular protrusion. 前記少なくとも１つの凹溝が、複数の凹溝であり、
前記少なくとも１つの凸部が、複数の凸部であり、
前記複数の凹溝の個数が、前記複数の凸部の個数よりも多いか、それに等しい請求項６に記載のウェハマウントステーション。 the at least one groove is a plurality of grooves,
the at least one protrusion is a plurality of protrusions;
7. The wafer mount station according to claim 6, wherein the number of said plurality of grooves is greater than or equal to the number of said plurality of protrusions. 前記環状パッドが、
前記マウントベースの前記ベース面にある第１リングと、
前記第１リングの上にあり、且つ少なくとも前記第１リングの頂面を覆う第２リングと、
を含む請求項１に記載のウェハマウントステーション。 The annular pad is
a first ring on the base surface of the mounting base;
a second ring overlying the first ring and covering at least the top surface of the first ring;
2. The wafer mount station of claim 1, comprising: 前記マウントベースおよび前記環状パッドが、同一体である請求項１に記載のウェハマウントステーション。 2. The wafer mount station of claim 1, wherein said mount base and said annular pad are one and the same. 前記ベース面の外側にあり、頂斜面を有し、且つ前記頂斜面が少なくとも前記マウントベースに面した位置決めピンをさらに含む請求項１に記載のウェハマウントステーション。 2. The wafer mount station of claim 1, further comprising a locating pin outboard of said base surface and having a top slope, said top slope facing at least said mount base. 請求項１～１１のいずれか１項に記載のウェハマウントステーションの前記ウェハマウント面にウェハ、ワックス、およびキャリアを置き、前記ワックスが前記ウェハと前記キャリアの間にあることと、
前記ウェハマウントステーション上の前記ウェハまたは前記キャリアに力を加えて、ウェハ埋め込み構造を形成することと、
を含むウェハ埋め込み構造の形成方法。 placing a wafer, wax and a carrier on the wafer mounting surface of a wafer mounting station according to any one of claims 1 to 11, the wax being between the wafer and the carrier;
applying force to the wafer or the carrier on the wafer mount station to form a wafer embedding structure;
A method of forming a wafer-embedded structure comprising:
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