KR101953469B1 - Wafer polishing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 슬러리가 정반 측의 연마패드 표면에 원활하게 공급될 뿐 아니라 균일하게 분배될 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치에 관한 것이다.
본 발명은 슬러리가 공급하는 복수개의 슬러리 홀이 구비된 정반; 상기 정반에 부착되고, 상기 슬러리 홀들과 대응되는 위치에 상기 슬러리 홀들과 동일한 크기의 홀들이 구비되는 연마패드;를 포함하고, 상기 연마패드는, 상기 홀들 중 일부에 적어도 일방향으로 확장된 슬릿들(slit)이 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치를 제공한다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus in which the slurry can be smoothly distributed as well as smoothly supplied to the polishing pad surface on the surface side.
The present invention is a surface plate having a plurality of slurry holes supplied by the slurry; And a polishing pad attached to the surface plate and having holes having the same size as the slurry holes at positions corresponding to the slurry holes, wherein the polishing pad includes slits extending in at least one direction in some of the holes ( Provided is a wafer polishing apparatus provided with a slit).

Description

웨이퍼 폴리싱 장치 {Wafer polishing apparatus}Wafer polishing apparatus

본 발명은 슬러리가 정반 측의 연마패드 표면에 원활하게 공급될 뿐 아니라 균일하게 분배될 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus in which the slurry can be smoothly distributed as well as smoothly supplied to the polishing pad surface on the surface side.

일반적으로 반도체 소자 제조용 재료로 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.Generally, a wafer widely used as a material for manufacturing a semiconductor device refers to a single crystalline silicon thin plate made of polycrystalline silicon as a raw material.

이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시킨 다음, 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정과, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정과, 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.Such wafers include a slicing process that grows polycrystalline silicon into a single crystalline silicon ingot, and then cuts the silicon ingot into wafer form, a lapping process that equalizes and flattens the thickness of the wafer, and a machine. It is manufactured through an etching process for removing or mitigating damage caused by ordinary polishing, a polishing process for mirror-mirroring the wafer surface, a cleaning process for cleaning the wafer, and the like.

그런데, 웨이퍼의 상/하면을 동시에 연마시키는 양면 연마 공정(Double Side Polishing : DSP)이 많이 적용되는데, 이러한 양면 연마 공정에 사용되는 DSP 장비는 슬러리(slurry)를 연마제로 사용하고, 상/하정반에 부착된 각각 연마 패드(pad)와 그 사이에 위치된 웨이퍼의 마찰을 통하여 연마를 수행하도록 구성된다.However, many double side polishing processes (DSPs) that simultaneously polish the upper and lower surfaces of the wafer are applied. The DSP equipment used in the double side polishing process uses slurry as an abrasive and the upper and lower surfaces. And polishing through a friction of a polishing pad each attached to the wafer and a wafer positioned therebetween.

도 1은 일반적인 웨이퍼 폴리싱 장치의 정반 하부가 도시된 도면이다.1 is a view showing a lower surface plate of a general wafer polishing apparatus.

일반적인 웨이퍼 폴리싱 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 링 판 형상의 정반(1)을 관통하는 복수개의 슬러리 홀(1h)이 형성되고, 상기 정반(1)의 하면 전체에 슬러리를 머금을 수 있는 복수개의 그루브(1g)가 형성된다.In a typical wafer polishing apparatus, as illustrated in FIG. 1, a plurality of slurry holes 1h are formed to penetrate a ring plate-shaped plate 1, and a plurality of slurry holes may be contained in the entire lower surface of the plate 1. Grooves 1g are formed.

따라서, 상기 정반(1) 상측에서 슬러리가 공급되면, 상기 슬러리 홀들(1h)을 통하여 상기 정반(1)의 하측으로 유입되고, 상기 그루브들(1g)을 통하여 흐르면서 상기 정반(1)의 하면 전체에 퍼지도록 한다.Accordingly, when the slurry is supplied from the upper side of the surface plate 1, the slurry flows into the lower side of the surface plate 1 through the slurry holes 1h, and flows through the grooves 1g to form the entire lower surface of the surface plate 1. To spread.

그러나, 종래 기술에 따르면, 정반 표면에 형성된 그루브를 따라 배출되기 때문에 연마 패드와 웨이퍼 사이로 균일하게 공급되기 어렵고, 웨이퍼 표면을 균일하게 연마시키기 어려운 문제점이 있다.However, according to the prior art, since it is discharged along the groove formed on the surface of the surface, it is difficult to uniformly supply between the polishing pad and the wafer, and it is difficult to uniformly polish the surface of the wafer.

도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마 공정 중 웨이퍼와 연마패드 상태가 도시된 측단면도이다.Figure 2 is a side cross-sectional view showing the state of the wafer and the polishing pad during the polishing process of the wafer polishing apparatus according to the prior art.

종래 기술에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이 링 판 형상의 정반(1)에 이와 대응되는 형상의 연마패드(2)가 부착되고, 웨이퍼가 가압된 상태로 상기 연마패드(2)와 마찰되는 연마 공정이 진행된다.According to the related art, as shown in FIG. 2, a polishing pad 2 having a shape corresponding thereto is attached to a ring plate-shaped plate 1, and the wafer is pressed against the polishing pad 2 while the wafer is pressed. The polishing process proceeds.

따라서, 종래 기술에 따르면, 웨이퍼가 정반에 가압된 상태로 이동됨에 따라 웨이퍼의 에지(edge) 주변에서도 연마패드의 압축이 이뤄지기 때문에 웨이퍼의 에지 부분이 다른 부분에 비해 상대적으로 연마되지 못하는 wafer edge roll off 현상이 발생되고, 웨이퍼의 에지 영역에 연마 성능을 떨어뜨리는 문제점이 있다.Therefore, according to the prior art, since the polishing pad is compressed around the edge of the wafer as the wafer is moved to the platen state, the edge of the wafer cannot be polished relatively compared to other portions. A roll off phenomenon occurs, and there is a problem in that polishing performance is degraded in the edge region of the wafer.

도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마 공정 중 슬러리 공급 상태가 도시된 측단면도이다.3A and 3B are side cross-sectional views showing a slurry supply state during a polishing process of a wafer polishing apparatus according to the prior art.

종래 기술에 따르면, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 연마 공정 중 캐리어(C)에 편심 장착된 웨이퍼(W)가 정반(1)의 원주 방향 뿐 아니라 반경 방향으로도 이동되는데, 웨이퍼의 위치에 따라 정반(1)의 슬러리 홀들(1h) 중 일부를 통해서만 슬러리(S)가 공급된다.According to the prior art, the wafer W, which is eccentrically mounted on the carrier C, during the polishing process as shown in FIGS. 3A and 3B is moved not only in the circumferential direction of the surface plate 1 but also in the radial direction. According to this, the slurry S is supplied only through some of the slurry holes 1h of the surface plate 1.

이때, 웨이퍼(W)가 캐리어(C)에 편심 장착되기 때문에 웨이퍼가 정반(1)의 원주 방향을 따라 자전 및 공전함에 따라 정반(1)의 내주 영역과 외주 영역 사이에 위치한 중간 영역에서 반복적인 마찰이 이루어지게 된다.At this time, since the wafer W is eccentrically mounted on the carrier C, the wafer is rotated and revolved along the circumferential direction of the base 1 so that the wafer W is repetitive in an intermediate region located between the inner and outer peripheral areas of the base 1. Friction is achieved.

그런데, 종래 기술에 따르면, 정반의 중간 영역에서 웨이퍼의 마찰이 가장 활발하게 이뤄지지만, 웨이퍼가 정반의 내/외주 영역 사이에 위치하는 중간 영역에 있는 슬러리 홀들을 항상 막기 때문에 정반의 중간 영역으로 슬러리의 공급이 원활하게 이뤄지지 않아 웨이퍼의 연마 성능을 저하시키는 문제점이 있다.By the way, according to the prior art, the friction of the wafer is most active in the middle region of the surface plate, but since the wafer always blocks the slurry holes in the middle region located between the inner and outer regions of the surface plate, the slurry is moved to the middle region of the surface plate. There is a problem in that the supply of is not made smoothly, thereby lowering the polishing performance of the wafer.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 슬러리가 정반 측의 연마패드 표면에 원활하게 공급될 뿐 아니라 균일하게 분배될 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a wafer polishing apparatus in which the slurry can be smoothly distributed as well as smoothly supplied to the polishing pad surface on the surface side.

본 발명은 슬러리가 공급하는 복수개의 슬러리 홀이 구비된 정반; 상기 정반에 부착되고, 상기 슬러리 홀들과 대응되는 위치에 상기 슬러리 홀들과 동일한 크기의 홀들이 구비되는 연마패드;를 포함하고, 상기 연마패드는, 상기 홀들 중 일부에 적어도 일방향으로 확장된 슬릿들(slit)이 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치를 제공한다.The present invention is a surface plate having a plurality of slurry holes supplied by the slurry; And a polishing pad attached to the surface plate and having holes having the same size as the slurry holes at positions corresponding to the slurry holes, wherein the polishing pad includes slits extending in at least one direction in some of the holes ( Provided is a wafer polishing apparatus provided with a slit).

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치는 정반의 슬러리 홀들과 대응되는 연마패드의 홀들을 중심으로 적어도 일방향으로 확장된 슬릿들(slit)이 구비된다.The wafer polishing apparatus according to the present invention is provided with slits extending in at least one direction about the holes of the polishing pad corresponding to the slurry holes of the surface plate.

따라서, 웨이퍼가 정반의 슬러리 홀들 중 일부를 막더라도 슬러리가 연마패드의 슬릿들을 통하여 연마패드 표면에 보다 넓은 면적에 공급되기 때문에 웨이퍼의 표면을 균일하게 연마시킬 뿐 아니라 고평탄도의 웨이퍼를 제작할 수 있는 이점이 있다.Therefore, even if the wafer blocks some of the slurry holes of the surface plate, the slurry is supplied to the polishing pad surface through the slits of the polishing pad, so that the surface of the wafer can be uniformly polished and the wafer can be manufactured with high flatness. There is an advantage.

나아가, 웨이퍼가 연마패드를 가압하더라도 연마패드의 슬릿들에 의해 웨이퍼의 에지 주변에 연마패드가 압축되지 않기 때문에 wafer edge roll off 현상을 방지하여 웨이퍼의 에지 영역에 연마 성능도 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Furthermore, even when the wafer presses the polishing pad, the polishing pad is not compressed around the edge of the wafer by the slits of the polishing pad, thereby preventing the wafer edge roll off phenomenon, thereby improving the polishing performance in the edge region of the wafer. have.

도 1은 일반적인 웨이퍼 폴리싱 장치의 정반 하부가 도시된 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마 공정 중 웨이퍼와 연마패드 상태가 도시된 측단면도.
도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마 공정 중 슬러리 공급 상태가 도시된 측단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마패드 제1,2실시예가 도시된 도면.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마 공정 중 슬러리 공급 상태가 도시된 도면. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing the lower surface of a general wafer polishing apparatus.
Figure 2 is a side cross-sectional view showing the wafer and the polishing pad state during the polishing process of the wafer polishing apparatus according to the prior art.
3A and 3B are side cross-sectional views showing a slurry supply state during a polishing process of a wafer polishing apparatus according to the prior art;
4 and 5 show a first and second embodiments of the polishing pad of the wafer polishing apparatus according to the present invention.
6 is a view illustrating a slurry supply state during a polishing process of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings for the present embodiment will be described in detail. However, the scope of the inventive idea of the present embodiment may be determined from the matters disclosed by the present embodiment, and the inventive idea of the present embodiment may be implemented by adding, deleting, or modifying components to the proposed embodiment. It will be said to include variations.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마패드 제1,2실시예가 도시된 도면이다.Figure 4 is a view showing the first and second embodiments of the polishing pad of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 연마패드 제1실시예는 도 4에 도시된 바와 같이 정반의 슬릿 홀들과 대응되는 위치에 홀들(110h)이 구비되는데, 웨이퍼가 적게 연마되는 내/외주 영역(111,112)보다 많이 연마되는 중간 영역(113)에 걸쳐서 있는 상기 홀들(110h)을 중심으로 사방으로 확장된 슬릿들(slit : 110s)이 구비된다.In the first embodiment of the polishing pad according to the present invention, as shown in FIG. 4, the holes 110h are provided at positions corresponding to the slit holes of the surface plate, and the polishing pad is polished more than the inner and outer regions 111 and 112 where the wafer is polished. Slits (slit: 110s) that extend in all directions around the holes (110h) over the intermediate region 113 is provided.

물론, 상기 슬릿들(110s)은 'X', '+' 등과 같이 다양한 각도로 형성될 수 있으며, 그 길이도 다양하게 구성될 수 있다.Of course, the slits 110s may be formed at various angles such as 'X', '+', and the like, and may have various lengths.

따라서, 연마 공정이 진행됨에 따라 웨이퍼가 연마패드(110)의 원주 방향 및 반경 방향을 따라 이동되는데, 웨이퍼가 연마패드(110)의 중간 영역에 있는 해당 홀(110h)을 막기 전에 슬러리가 연마패드의 중간 영역(113)에 있는 해당 홀(110h) 및 이에 구비된 슬릿(110s)을 통하여 넓은 영역에 공급되고, 웨이퍼가 연마패드의 중간 영역(113)에 있는 해당 홀(110h)을 막더라도 이전에 공급된 슬러리에 의해 연마패드의 중간 영역(113)에서 웨이퍼의 연마가 활발하게 이뤄지도록 한다.Accordingly, as the polishing process proceeds, the wafer is moved along the circumferential and radial directions of the polishing pad 110, and the slurry is polished before the wafer blocks the corresponding hole 110h in the middle region of the polishing pad 110. Is supplied to a wide area through the corresponding hole 110h in the middle region 113 and the slit 110s provided therein, even if the wafer blocks the corresponding hole 110h in the middle region 113 of the polishing pad. The slurry supplied to the wafer enables active polishing of the wafer in the intermediate region 113 of the polishing pad.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마패드 제1,2실시예가 도시된 도면이다.5 is a view showing the first and second embodiments of the polishing pad of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 연마패드 제2실시예는 도 5에 도시된 바와 같이 정반의 슬러리 홀들과 대응되는 위치에 제1,2,3홀들(121h,122h,123h)이 구비되는데, 웨이퍼가 적게 연마되는 내/외주 영역(121,122)에 걸쳐서 있는 상기 제1,2홀들(121h,122h)을 중심으로 사방으로 확장된 제1,2슬릿들(121s,122s)이 구비되고, 웨이퍼가 많이 연마되는 중간 영역(123)에 걸쳐서 있는 상기 제3홀들(123h)을 중심으로 사방으로 확장된 제3슬릿들(123s)이 구비된다.In the second embodiment of the polishing pad according to the present invention, as shown in FIG. 5, first, second, and third holes 121h, 122h, and 123h are provided at positions corresponding to the slurry holes of the surface plate. An intermediate region in which the first and second slits 121s and 122s extend in all directions with respect to the first and second holes 121h and 122h over the inner and outer regions 121 and 122 and the wafer is polished a lot. Third slits 123s extending in all directions with respect to the third holes 123h that extend over 123 are provided.

실시예에서, 상기 제3슬릿들(123s)은 상기 제1,2슬릿들(121s,122s)보다 더 길게 구성되는데, 이는 웨이퍼가 많이 연마되는 중간 영역으로 슬러리가 원활하게 공급될 수 있도록 한다.In an embodiment, the third slits 123s are configured to be longer than the first and second slits 121s and 122s, so that the slurry can be smoothly supplied to the intermediate region where the wafer is heavily polished.

따라서, 연마 공정이 진행됨에 따라 웨이퍼가 연마패드(120)의 원주 방향 및 반경 방향을 따라 이동되는데, 슬러리가 연마패드의 제1,2,3홀들(121h,122h,123h) 및 제1,2,3슬릿들(121s,122s,123s)을 통하여 넓은 영역으로 공급되도록 하여 웨이퍼의 연마가 균일하게 이뤄지도록 한다.Accordingly, as the polishing process proceeds, the wafer is moved along the circumferential direction and the radial direction of the polishing pad 120, and the slurry is first, second, and third holes 121h, 122h, and 123h and the first and second holes of the polishing pad. Through the three slits 121s, 122s, and 123s, the wafer is supplied to a wide area so that the wafer is uniformly polished.

또한, 웨이퍼가 연마패드의 중간 영역(123)에 있는 해당 제3홀(123h)을 막기 전에 슬러리가 연마패드의 중간 영역(123)에 있는 해당 제3홀(123h) 및 이에 구비된 제3슬릿(123s)을 통하여 넓은 영역에 공급되고, 웨이퍼가 연마패드의 중간 영역(123)에 있는 해당 제3홀(123h)을 막더라도 이전에 공급된 슬러리에 의해 연마패드의 중간 영역(123)에서 웨이퍼의 연마가 활발하게 이뤄지도록 한다.In addition, before the wafer blocks the corresponding third hole 123h in the middle region 123 of the polishing pad, the slurry includes the corresponding third hole 123h in the middle region 123 of the polishing pad and the third slit provided therein. The wafer in the middle region 123 of the polishing pad by the previously supplied slurry even if the wafer is supplied to a wide area through the 123s and the wafer blocks the corresponding third hole 123h in the middle region 123 of the polishing pad. Polishing is to be actively performed.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 연마 공정 중 슬러리 공급 상태가 도시된 도면이다.6 is a view showing a slurry supply state during the polishing process of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치는 도 6에 도시된 바와 같이 정반(미도시)의 슬러리 홀들(미도시) 위치와 연계하여 연마패드(110)의 홀들(110h)이 구비되는데, 상기 홀들(110h)은 X축 및 Y축 방향으로 일정 간격을 두고 형성되고, 상기 홀들(110h)을 중심으로 'X' 형태의 슬릿들(110s)이 구비된다.As shown in FIG. 6, the wafer polishing apparatus according to the present invention includes holes 110h of the polishing pad 110 in association with positions of slurry holes (not shown) of a surface plate (not shown). Are formed at predetermined intervals in the X- and Y-axis directions, and the slits 110s having an 'X' shape are provided around the holes 110h.

마찬가지로, 상기 정반(미도시)에는 상기 연마패드의 슬릿들(110s) 위치와 연계하여 동일한 형상으로 슬러리 슬릿들(미도시)이 구비될 수 있으며, 한정되지 아니한다.Similarly, the slurry plate (not shown) may be provided in the same plate in the same shape in association with the position of the slits 110s of the polishing pad, but is not limited thereto.

따라서, 상기 정반의 슬러리 홀들(미도시) 및 슬러리 슬릿들(미도시)로부터 슬러리(S)가 공급되면, 슬러리(S)가 상기 연마패드의 홀들(110h) 및 슬릿들(110s)을 통하여 상기 연마패드(110) 전체에 걸쳐서 균일하게 공급되고, 웨이퍼의 연마 성능을 균일하게 구현할 수 있다.Therefore, when the slurry S is supplied from the slurry holes (not shown) and the slurry slits (not shown) of the surface plate, the slurry S passes through the holes 110h and the slits 110s of the polishing pad. The polishing pad 110 may be uniformly supplied throughout, and the polishing performance of the wafer may be uniformly implemented.

110 : 연마패드 110h : 홀
110s : 슬릿110: polishing pad 110h: hole
110s: slit

Claims (7)

상부와 하부에 마주보도록 구비된 한 쌍의 링 판 형상의 정반; 및
상기 정반들의 마주보는 표면에 대응된 형상으로 부착된 연마패드;를 포함하고,
상기 정반들 사이에 가압된 웨이퍼가 이동됨에 웨이퍼의 상면과 하면을 동시에 연마시키는 웨이퍼 폴리싱 장치에 있어서,
상기 정반은,
슬러리가 공급되는 복수개의 슬러리 홀이 구비되고,
상기 연마패드는,
상기 슬러리 홀들 중 일부와 연통하도록, 내주 영역과 외주 영역에 구비된 제1,2홀들과,
상기 슬러리 홀들 중 나머지와 연통하도록, 상기 내주 영역과 외주 영역 사이에 위치한 중간 영역에 구비된 제3홀들과,
상기 제3홀들 중 일부에 적어도 일방향으로 설정 길이만큼 확장된 제3슬릿들을 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치.A pair of ring plate-shaped surface plates provided to face the upper and lower portions; And
And a polishing pad attached in a shape corresponding to the facing surfaces of the surface plates.
In the wafer polishing apparatus for polishing the upper and lower surfaces of the wafer at the same time as the pressed wafer is moved between the surface plate,
The surface plate,
A plurality of slurry holes to be supplied with the slurry is provided,
The polishing pad,
First and second holes provided in an inner circumferential region and an outer circumferential region to communicate with some of the slurry holes;
Third holes provided in an intermediate region located between the inner circumferential region and the outer circumferential region so as to communicate with the rest of the slurry holes;
And a third slit extending to a set length in at least one direction in some of the third holes. 제1항에 있어서,
상기 연마패드는,
상기 제1,2홀들 중 일부에 적어도 일방향으로 설정 길이만큼 확장된 제1,2슬릿들을 더 포함하고,
상기 제3슬릿들은,
상기 제1,2슬릿들보다 더 길게 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치.The method of claim 1,
The polishing pad,
Further comprising a plurality of first and second slits extending in a predetermined length in at least one direction in some of the first and second holes,
The third slits,
Wafer polishing apparatus provided longer than the first, second slits. 제2항에 있어서,
상기 제1,2,3슬릿들은,
상기 제1,2,3홀들의 중심에서만 교차되고, 상기 제1,2,3홀들을 중심으로 설정 길이만큼 사방으로 확장된 웨이퍼 폴리싱 장치.The method of claim 2,
The first, second and third slits,
A wafer polishing apparatus intersecting only at the centers of the first, second and third holes and extending in all directions by a predetermined length about the first, second and third holes. 삭제delete 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 정반은,
상기 슬러리 홀들 중 일부에 적어도 일방향으로 확장된 슬러리 슬릿들이 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치.The method of claim 3,
The surface plate,
And at least one slurry slit extending in at least one direction in some of the slurry holes. 제6항에 있어서,
상기 정반의 슬릿들은,
상기 연마패드의 제1,2,3슬릿들과 대응되는 위치에 상기 연마패드의 제1,2,3슬릿들과 동일한 크기로 구비되는 웨이퍼 폴리싱 장치.
The method of claim 6,
The slits on the surface plate,
And a polishing pad having the same size as the first, second and third slits of the polishing pad at a position corresponding to the first, second and third slits of the polishing pad.
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