JP7257565B2 - マイクロ流体デバイス、その製造方法、およびその使用 - Google Patents
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Description
特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5は、比較的単純な生体機能チップデバイスについて述べており、これは複雑な感知/刺激要素を含むことはできない;したがって、これらのデバイスはほとんどの用途に適していない。
図2~図12は、本デバイスの例示的な詳細を示す。
図13~図16は、本デバイスおよびその構造の例を示している。
少なくとも1つのセンサ90と、微小電極アレイ(29)と、少なくとも2組の微小溝(27)とを任意に含むSi基板10を設け、
a1)基板の少なくとも片面に第1の誘電体層(51a、b)を堆積/成長させ、
a2)誘電層を上側および/または底側、すなわちいずれか一方の面または両方の面にパターニングし;
b1)基板の上側に金属層を堆積し;
b2)金属層をパターニングし;
cl)基板の上側に第1の可撓性および/または伸縮性の誘電層を堆積し;
c2)第1の可撓性および/または伸縮性の誘電層をパターニングし;
dl)基板の上側に金属および/または導電性ポリマーなどの導電層を堆積し;
d2)導電層をパターニングし;
el)第2の可撓性および/または伸縮性の誘電層を堆積し;
e2)第2の可撓性および/または伸縮性の誘電層をパターニングし;
f1)微小溝の第1の組用の第1の犠牲層を堆積し;
f2)第1の犠牲層71をパターニングし;
g)第2の誘電体層の第1の箔層61を堆積し;パターン化されていないSi側ではPDMSスピニングし
h)リソグラフィまたは電子ビームマシンを使用して第1の箔層61をパターニングし;
i)微小溝の第2の組用にリソグラフィまたは電子ビームマシンを使用して第1の膜層61を部分的にエッチングし
l1)PRなど第1の箔層に第2の犠牲層72を堆積し、PRスピニングし、
l2)リソグラフィまたは電子ビームマシンを用いて第2の犠牲層72をパターニングし;
m)犠牲層72に第2の箔層62を堆積し;
n)第2の箔層61をパターニングし;
o)シリコン基板10を底側でドライまたはウェットエッチングし、好ましくは第1の誘電体上でエッチングを停止して、Si内の流路11/チャンバ12のための開口部を設け;
p1)白金・パリレンなどの導電性および/または絶縁性チャンバコーティングの堆積をし、任意で化学的表面処理、例えば親水性処理をし、
p1)導電性または絶縁性チャンバコーティングのエッチングをし;
q)第1の誘電体層51bを底側から(ウェット)エッチングして、流路/チャンバ用の開口部を設け;
r)犠牲層72を(ウェット)エッチングし、それによって流路21/チャンバ22を開放する。
10 基板ベースのマイクロ流体素子
11 第1のマイクロ流路
12 第1のマイクロチャンバ(マクロチャンバ)
14 コーティング層
16 入力部
18 出力部
20 ポリマーベースのマイクロ流体素子
20a ポリマー上層
20b ポリマー底層
21 第2のマイクロ流路
21b 隔離された流路
21c 流路
22 第2のチャンバ
26 コラム(のアレイ)
27 パターン構造
28 孔のマトリクス
28a ドラッグデリバリーなどのための、単一孔
29 電極
29a 電極のアクセス可能領域
31 シリンダ
32 マイクロ流体入口部
34 空気圧チャンバ
35 リザーバ
36 空気入口部
37 電気的接点
38 電気的入力部/出力部
39 プリント基板
51a、b第1の誘電体層
52 第2の誘電体層
53 第3の誘電体層
61 第1の膜ポリマー層
62 第2の膜ポリマー層
71 第1の犠牲層
72 第2の犠牲層
81 コンタクトパッド
82 金属線と電極
90 センサ
[訳注:ここに記載されていた図面の説明文は「図面の簡単な説明」の項に移動]
(実施例/実験)
詳細な説明の文中で本発明を説明してきたが、添付の実施例および図面と併せることで最もよく理解されるであろう。
Claims (16)
- マイクロ流体デバイス(100)であって、以下を含むもの:
(a) 光学的に透明なポリマー(20)フィルムであり、以下を有する:
- 光学的に透明なポリマーで構成されており、0.05μmから30μmまでの範囲の第1の厚みを有するポリマー上層(20a)、および
- 光学的に透明なポリマーで構成されており、前記ポリマー上層と接触するポリマー底層(20b)。このポリマー底層(20b)は50μmから2000μmまでの範囲の第2の厚みを有しており、少なくとも部分的に前記ポリマー底層に埋め込まれた第2のマイクロ流路(21)と第2のマイクロチャンバ(22)とのうち少なくとも1つを備える。
(b) シリコンまたはシリコン上の誘電体で構成される硬質の基板(10)。この基板は前記第1のポリマー上層(20a)と接触しており、以下を含む:
- 前記基板に埋め込まれた空洞を形成する第1のマイクロチャンバ(12)。この空洞は前記ポリマー上層(20a)によって下方から境界付けられており、前記基板(10)の上面に設けられたアクセス開口を介して開放されていると共に前記マイクロ流体デバイスの上側からアクセス可能である。
- 前記基板に埋め込まれた第1のマイクロ流路(11)。この第1のマイクロ流路(11)は前記基板の上面に形成された少なくとも1つの入力部(16)を介してアクセス可能であり、前記第1のマイクロ流路は、前記第2のマイクロ流路(21)と前記第2のマイクロチャンバ(22)とのうち少なくとも1つと前記入力部(16)との間の相互マイクロ流体接続を形成している。
そして、前記ポリマー上層(20a)は、前記第1のマイクロチャンバ(12)を前記第2のマイクロ流路(21)と前記第2のマイクロチャンバ(22)とのうち少なくとも1つから分離する選択的バリアを形成する孔(28)のマトリクスを備える。 - マイクロチップとして形成された、請求項1に記載のデバイス(100)。
- 前記ポリマー(20)が、1[MPa](ISO527)より大きい引張強度の伸縮性、3[GPa](ISO527)より小さいヤング率の可撓性、10[GPa](ISO527)より大きいヤング率の剛性、のうちの少なくとも1つを持つ、請求項1または請求項2に記載のデバイス(100)。
- 前記ポリマーが、生体適合性ポリマー、ポリイミド、ポリウレタン、ブチルゴム、スチレン-エチレン-ブチレン-スチレン(SEBS)、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエステル、および、生分解性ポリマー、ならびにそれらの組み合わせ、から独立して選択されたものである、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 前記ポリマーが、ポリシロキサン、バイオラバー(PGS)、ポリ(1,8-オクタンジオール-co-シトレート)(POC)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ostemer、あるいはこれらの組み合わせである、請求項4に記載のデバイス(100)。
- 前記ポリマー上層(20a)に備えられた孔(28)のマトリクスが、100μm 2 あたり0.001個から250個の範囲の、孔の面密度を有しており、前記孔のマトリクスにおける平均孔面積が0.05μm 2 から500μm 2 の範囲である、請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- デバイスに埋め込まれた、センサ、ポンプ、微小電極、バルブ、歪みゲージ、アクチュエータ、加熱器、冷却器、刺激装置、流量センサ、温度センサ、pHセンサ、IC回路、増幅器、アクチュエータ、ホットプレート、微小電極アレイ、化学刺激装置、光刺激装置、イオンセンサ、圧力調節器、のうちの少なくとも1つをさらに含む、請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 前記ポリマー上層(20a)に埋め込まれた少なくとも1つの電極(29)を含み、前記電極が、前記第1のマイクロチャンバ(12)内に露出電極領域(29a)を定め、前記露出電極領域が0.1μm 2 から5000μm 2 の範囲である、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 前記ポリマー上層(20a)が、その片面に、前記第1のマイクロチャンバ(12)に対して整列しているx*y微小溝(27)のアレイを含み、前記微小溝は100μm 2 あたり1本から25本の範囲の面密度および0.1μm 2 から10 6 μm 2 の範囲の平均溝面積を有する、請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 前記第1のマイクロ流路(11)が、50~2000μmの高さを有し、ポリマーに埋め込まれた前記第2のマイクロ流路(21)および前記第2のマイクロチャンバ(22)の少なくとも1つが、1~1000μmの高さを有する、請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 前記第1のマイクロ流路(11)および前記第2のマイクロチャンバ(22)の少なくとも1つが、上側と底側とを接続するポリマー製の少なくとも1つのコラム(26)を含む、請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 前記マイクロチャンバ(12)の壁および前記マイクロ流路(11)の壁が、絶縁層または導電層(14)でコーティングされている、請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載のデバイス。
- ポリマー層(20a、20b)が開口部(18)を備え、前記開口部が、金属パッド、IC、センサ、加熱器のうちの少なくとも1つへのアクセスを提供する、請求項1ないし請求項12のいずれか1項に記載のデバイス(100)。
- 請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載の少なくとも1つのデバイス(100)を製造する方法であり、少なくとも1つのセンサ(90)を含むSi基板(10)を提供するステップを含んでおり、
a1)基板の両面に第1の誘電体層(51a,b)を堆積/成長させ、
b)底側に誘電体層をパターニングし;
c)誘電体層のパターニングされていないSi側に第1のポリマー層(61)を堆積し;
d)リソグラフィまたは電子ビーム装置を用いて第1のポリマー層(61)をパターニングし;
e1)第1のポリマー層(61)に犠牲層(72)を堆積し;
e2)リソグラフィまたは電子ビームマシンを使用して犠牲層(72)をパターニングし;プラズマエッチング/ドライエッチングにより第1ポリマー層をエッチングし;
f)犠牲層(72)に第2の層(62)を堆積し;
g)底側でシリコン基板(10)をドライエッチングし、それによってSi内に流路(11)/チャンバ(12)用の開口部を設け;
h)第1の誘電体層(51b)を底側から(ウェット)エッチングして流路/チャンバ用の開口部を設け;
i)犠牲層(72)を(ウェット)エッチングし、それによって流路(21)/チャンバ(22)を開放すること
を行う方法。 - 前記第1および第2の誘電体層(51a,51b,52)が、Si誘電体材料から独立して選択される材料から作成される、請求項14に記載の方法。
- 生物学的細胞実験、生体機能チップの実験、光学顕微鏡実験、初代細胞の増殖および分化の実験、細胞の機械的および電気的刺激、層状構造、生体組織および/または器官内のマイクロ環境のシミュレーション、の少なくとも1つのための、Lab-on-Chipとしての、マイクロ流体素子デバイスとしての、そしてマイクロリアクターとしての、請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載のデバイス(100)の使用。
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