JP7255600B2 - Optical filter and its use - Google Patents

Optical filter and its use Download PDF

Info

Publication number
JP7255600B2
JP7255600B2 JP2020546021A JP2020546021A JP7255600B2 JP 7255600 B2 JP7255600 B2 JP 7255600B2 JP 2020546021 A JP2020546021 A JP 2020546021A JP 2020546021 A JP2020546021 A JP 2020546021A JP 7255600 B2 JP7255600 B2 JP 7255600B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical filter
group
wavelength
infrared
transmittance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020546021A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2020054695A1 (en
Inventor
寛之 岸田
勝也 長屋
達之 山本
敦記 長尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of JPWO2020054695A1 publication Critical patent/JPWO2020054695A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7255600B2 publication Critical patent/JP7255600B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/208Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/22Absorbing filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B11/00Filters or other obturators specially adapted for photographic purposes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B17/00Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
    • G03B17/02Bodies
    • G03B17/12Bodies with means for supporting objectives, supplementary lenses, filters, masks, or turrets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、光学フィルターおよびその用途に関する。詳しくは、特定の光学特性を有する光学フィルター(例えば近赤外線カットフィルター)、ならびに該光学フィルターを用いた固体撮像装置およびカメラモジュールに関する。 The present invention relates to optical filters and uses thereof. More specifically, it relates to an optical filter having specific optical properties (for example, a near-infrared cut filter), and a solid-state imaging device and camera module using the optical filter.

ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などの固体撮像装置には、カラー画像の固体撮像素子であるCCDやCMOSイメージセンサーが使用されている。これら固体撮像素子は、その受光部において近赤外線に感度を有するセンサーを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、光学フィルター(例えば近赤外線カットフィルター)を用いることが多い。 2. Description of the Related Art Solid-state imaging devices such as video cameras, digital still cameras, and mobile phones with camera functions use CCD and CMOS image sensors, which are solid-state imaging devices for color images. Since these solid-state imaging devices use a sensor sensitive to near-infrared rays in the light receiving part, it is necessary to perform visibility correction, and an optical filter (for example, a near-infrared cut filter) is often used. .

このような光学フィルターとしては、従来から、各種方法で製造されたものが使用されており、例えばノルボルネン系樹脂に誘電体多層膜を積層した、近赤外線反射膜を有する近赤外線カットフィルターが知られている(例えば特許文献1参照)。しかしながら、このような近赤外線反射膜を有する近赤外線カットフィルターでは、光線透過特性の入射角依存性が大きく、視野角が広い固体撮像装置では画像の中央と周辺部で色味が異なる不具合が発生していた。 As such optical filters, those manufactured by various methods have been conventionally used. For example, a near-infrared cut filter having a near-infrared reflective film obtained by laminating a dielectric multilayer film on a norbornene-based resin is known. (See Patent Document 1, for example). However, with a near-infrared cut filter having such a near-infrared reflective film, the light transmission characteristics are highly dependent on the incident angle, and solid-state imaging devices with a wide viewing angle have the problem that the color tone differs between the center and the periphery of the image. Was.

入射角依存性を改良した例として、近赤外線吸収剤を含有する近赤外線カットフィルター等の光学フィルターが広く知られている。具体的には、基材として樹脂を用い、樹脂中に急峻な吸収特性を有する近赤外線吸収剤を含有させることで、近赤外線領域の入射角依存性を改良した近赤外線カットフィルターが知られている(例えば、特許文献2参照)。 Optical filters such as near-infrared cut filters containing near-infrared absorbers are widely known as examples of improved incident angle dependence. Specifically, a near-infrared cut filter is known in which a resin is used as a base material, and a near-infrared absorber having steep absorption characteristics is contained in the resin to improve the incident angle dependence of the near-infrared region. (See, for example, Patent Document 2).

近年、人間の視感度が高い波長400nm~700nmだけでなく、近赤外線を検出し、植物の育成度合いや人間の酸素化ヘモグロビン量を測る画像センシングシステムが検討されている(例えば、特許文献3および4参照)。例えば特許文献3では、稲の葉の波長500nm~800nmにおける反射率は窒素含有量に応じて変化することが知られており、可視光の反射強度と近赤外線光の反射強度から、植物の育成指標を求める方法が提案されている。 In recent years, image sensing systems that detect not only wavelengths of 400 nm to 700 nm, to which humans have high visibility, but also near-infrared rays, and measure the degree of growth of plants and the amount of oxygenated hemoglobin in humans have been studied (for example, Patent Document 3 and 4). For example, in Patent Document 3, it is known that the reflectance of rice leaves at a wavelength of 500 nm to 800 nm varies depending on the nitrogen content. A method for obtaining the index has been proposed.

また、例えば、波長355nmの紫外線レーザーを光源とし、波長690nmの蛍光強度(F690)と波長740nmの蛍光強度(F740)の比(F690/F740)は植物生体内でのクロロフィル濃度の指標として、植生診断できることが知られている(例えば、非特許文献1参照)。 Further, for example, using an ultraviolet laser with a wavelength of 355 nm as a light source, the ratio (F690/F740) of the fluorescence intensity (F690) at a wavelength of 690 nm and the fluorescence intensity (F740) at a wavelength of 740 nm (F690/F740) is an indicator of the chlorophyll concentration in the plant body. It is known that it can be diagnosed (see, for example, Non-Patent Document 1).

しかしながら、このような波長400~700nmの可視光と近赤外線とを組み合わせた画像センシングシステムにおいて、従来の近赤外線吸収剤を含有する近赤外線カットフィルター等の光学フィルターでは、検出に使用する波長700~750nmの光線透過率が低く、十分な感度を保つことが困難であった。 However, in such an image sensing system that combines visible light with a wavelength of 400 to 700 nm and near-infrared light, an optical filter such as a near-infrared cut filter containing a conventional near-infrared absorbent has a wavelength of 700 to 700 nm used for detection. Light transmittance at 750 nm was low, and it was difficult to maintain sufficient sensitivity.

誘電体多層膜を積層した近赤外線反射膜を有する近赤外線カットフィルターでは、積層する誘電体多層膜の厚みを厚くすることで、反射帯域を長波長シフトさせることが知られている。そのため、波長700nm~750nmの透過率が高い誘電体多層膜を設けることは容易であるが、このような近赤外線カットフィルターにおいては、高角度入射時の入射角依存性が大きく、画像化した際に中央と画像周辺において、センシングで得られる光の強度が入射角に応じて異なる問題があった。 It is known that a near-infrared cut filter having a near-infrared reflective film formed by laminating a dielectric multilayer film shifts the reflection band to a longer wavelength by increasing the thickness of the laminated dielectric multilayer film. Therefore, it is easy to provide a dielectric multilayer film with a high transmittance at a wavelength of 700 nm to 750 nm. Another problem is that the intensity of light obtained by sensing differs depending on the incident angle between the center and the periphery of the image.

また、固体撮像素子の高性能化が進み、従来の光学フィルターでは、光学フィルターの反射によるゴーストにより画質を低下させる場合があった。特に波長680~720nmの光線による光学フィルターの反射によって、一部の迷光がセンサーの別の位置に再入射することによるゴーストの発生が問題となっていた。それゆえ、波長680~720nmの反射率を低くすることが求められている。
しかしながら、従来の光学フィルターは、上記ゴーストの抑制と赤色のセンサー感度向上とを両立する要求に対して十分に応えられていなかった。
In addition, as the performance of solid-state imaging devices has advanced, conventional optical filters sometimes degrade image quality due to ghosts caused by reflection of the optical filters. In particular, there has been a problem of ghost generation due to re-injection of part of the stray light into another position of the sensor due to reflection of light rays of wavelength 680 to 720 nm on the optical filter. Therefore, it is required to lower the reflectance at wavelengths of 680 to 720 nm.
However, conventional optical filters have not satisfactorily met the demand for both suppression of ghosts and improvement in red sensor sensitivity.

特許第4513420号公報Japanese Patent No. 4513420 特開2012-8532号公報JP-A-2012-8532 特開2016-146784号公報JP 2016-146784 A 国際公開第2018/123676号パンフレットInternational Publication No. 2018/123676 pamphlet

H.K.Lichtenthaler et al.: Detection of Vegetation Stress Via a New High Resolution Fluorescence Imaging System,」.Plant Physiol.,148,599-612(1996)H. K. Lichtenthaler et al. : Detection of Vegetation Stress Via a New High Resolution Fluorescence Imaging System,". Plant Physiol. , 148, 599-612 (1996)

本発明の目的は、近赤外線領域の入射角依存性が低いことと、センシングに必要な波長700~750nmの光の透過率特性に優れることを両立するとともにゴーストが改善された光学フィルターおよび該光学フィルターを用いた装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an optical filter having low incidence angle dependence in the near-infrared region and excellent transmittance characteristics of light with a wavelength of 700 to 750 nm required for sensing, and improved ghost, and the optical filter. An object of the present invention is to provide a device using a filter.

本発明の一態様に係る光学フィルターは、下記要件(A)~(D)を満たすことを特徴とする。
(A)波長430~580nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が75%以上である。
(B)波長800~1000nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が10%以下である。
(C)波長700~750nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が46%超である。
(D)波長560~800nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率が50%となる最も短い波長の値(Ya)と、光学フィルターの面に対して垂直方向から30°の角度から測定した場合の透過率が50%となる最も短い波長の値(Yb)との差の絶対値が15nm未満である。
An optical filter according to one aspect of the present invention is characterized by satisfying the following requirements (A) to (D).
(A) In the wavelength range of 430 to 580 nm, the average value of transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 75% or more.
(B) In the wavelength range of 800 to 1000 nm, the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 10% or less.
(C) In the wavelength range of 700 to 750 nm, the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is more than 46%.
(D) In the wavelength range of 560 to 800 nm, the shortest wavelength value (Ya) at which the transmittance is 50% when measured from the direction perpendicular to the surface of the optical filter, and the value perpendicular to the surface of the optical filter The absolute value of the difference from the value of the shortest wavelength (Yb) at which the transmittance is 50% when measured from an angle of 30° from the direction is less than 15 nm.

本発明によれば、近赤外線領域の入射角依存性が低いことと、センシングに必要な波長700~750nmの光の透過率特性に優れることを両立するとともにゴーストが改善された光学フィルターおよび該光学フィルターを用いた装置を提供することができる。本発明の光学フィルターは近赤外線カットフィルターとして好適である。 According to the present invention, an optical filter having low incidence angle dependence in the near-infrared region and excellent transmittance characteristics of light with a wavelength of 700 to 750 nm necessary for sensing, and improved ghost, and the optical filter. A device using a filter can be provided. The optical filter of the present invention is suitable as a near-infrared cut filter.

本発明の光学フィルターの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the optical filter of this invention. 本発明の光学フィルターの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the optical filter of this invention. 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構が公開している、ある日時の岐阜の照射量データを最大値1.0で規格化した波長別強度のデータである。This is intensity data for each wavelength, which is made public by the New Energy and Industrial Technology Development Organization, and is obtained by normalizing the irradiation amount data in Gifu on a certain date and time with a maximum value of 1.0. 緑、近赤外線の各センサー画素の波長別感度の一例である。It is an example of the wavelength-dependent sensitivity of each sensor pixel for green and near-infrared rays. 緑の感度および近赤外線の感度評価用に作成した緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターの光学特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing optical characteristics of a dual-wavelength region transmission filter that transmits green and near-infrared rays and is prepared for green sensitivity and near-infrared sensitivity evaluation. 光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率を測定する方法の例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a method of measuring transmittance when measured in a direction perpendicular to the surface of an optical filter; 光学フィルターの面に対して垂直方向から30°の角度で測定した場合の透過率を測定する方法の例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a method of measuring transmittance when measured at an angle of 30° from the direction perpendicular to the plane of the optical filter; 光学フィルターの面に対して垂直方向から5°の角度で入射した光の反射率を測定する方法の例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a method for measuring the reflectance of light incident at an angle of 5° from the perpendicular direction to the surface of an optical filter; カメラモジュールの一例を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing an example of a camera module; FIG. カメラモジュールにおけるゴースト発生メカニズムの一例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a ghosting mechanism in a camera module; ゴーストの一例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a ghost; 実施例1で得られた光学フィルターの光学特性を示す図である。2 is a diagram showing optical properties of the optical filter obtained in Example 1. FIG. 実施例5で得られた光学フィルターの光学特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing optical properties of an optical filter obtained in Example 5; 比較例1で得られた光学フィルターの光学特性を示す図である。3 is a diagram showing optical properties of an optical filter obtained in Comparative Example 1. FIG. 比較例4で得られた光学フィルターの光学特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing optical characteristics of an optical filter obtained in Comparative Example 4; 比較例7で得られた光学フィルターの光学特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing optical characteristics of an optical filter obtained in Comparative Example 7;

本発明の実施の形態について、必要に応じて図面に基づいて説明するが、それらの図面は単に図解のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に何ら限定されない。また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、厚みの比率等は実際のものとは異なることに留意されたい。さらに、以下の説明において、同一もしくは略同一の機能および構成を有する構成用途については、同一符号を付し、重複する説明は省略する。本発明の光学フィルターの一実施形態として、図1に示すように、基材10および近赤外線反射膜21、22を有する態様が挙げられる。また、本発明の光学フィルターは、図2に示すように、その他の機能膜13を有してもよい。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as necessary, but these drawings are provided for illustration purposes only and the present invention is not limited to these drawings. Also, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between thickness and planar dimensions, the ratio of thicknesses, etc. are different from the actual ones. Furthermore, in the following description, constituents having the same or substantially the same functions and configurations are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted. As one embodiment of the optical filter of the present invention, as shown in FIG. Also, the optical filter of the present invention may have other functional films 13 as shown in FIG.

[光学フィルター]
本発明の光学フィルターは、下記要件(A)~(D)を満たす。
(A)波長430~580nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が75%以上である。
(B)波長800~1000nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が10%以下である。
(C)波長700~750nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が46%超である。
(D)波長560~800nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率が50%となる最も短い波長の値(Ya)と、光学フィルターの面に対して垂直方向から30°の角度から測定した場合の透過率が50%となる最も短い波長の値(Yb)との差の絶対値が15nm未満である。
[Optical filter]
The optical filter of the present invention satisfies the following requirements (A) to (D).
(A) In the wavelength range of 430 to 580 nm, the average value of transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 75% or more.
(B) In the wavelength range of 800 to 1000 nm, the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 10% or less.
(C) In the wavelength range of 700 to 750 nm, the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is more than 46%.
(D) In the wavelength range of 560 to 800 nm, the shortest wavelength value (Ya) at which the transmittance is 50% when measured from the direction perpendicular to the surface of the optical filter, and the value perpendicular to the surface of the optical filter The absolute value of the difference from the value of the shortest wavelength (Yb) at which the transmittance is 50% when measured from an angle of 30° from the direction is less than 15 nm.

要件(A)を満たす光学フィルターを使用することで、波長430nm~580nmの範囲において固体撮像素子が取り込む光の量を多くできる。要件(A)における透過率の平均値は、好ましくは80%以上である。80%以上であれば、より暗い環境においても撮像が可能となる。 By using an optical filter that satisfies the requirement (A), the amount of light captured by the solid-state imaging device can be increased in the wavelength range of 430 nm to 580 nm. The average transmittance in requirement (A) is preferably 80% or more. If it is 80% or more, imaging becomes possible even in a darker environment.

要件(B)を満たす光学フィルターを使用することで、波長800nm~1000nmの範囲において固体撮像素子が取り込む光の量を少なくできる。これにより人間の目に見えず、かつセンシングに不要な光を遮蔽することができる。要件(B)における透過率の平均値は、好ましくは7%以下、より好ましくは6%以下、さらに好ましくは5%以下である。 By using an optical filter that satisfies the requirement (B), the amount of light captured by the solid-state imaging device can be reduced in the wavelength range of 800 nm to 1000 nm. This makes it possible to shield light that is invisible to the human eye and unnecessary for sensing. The average transmittance in requirement (B) is preferably 7% or less, more preferably 6% or less, and even more preferably 5% or less.

要件(C)を満たす光学フィルターを使用することで、波長700nm~750nmの範囲において固体撮像素子が取り込む光の量が確保され、センシング感度が良くなる。要件(C)における透過率の平均値は、好ましくは55%以上、より好ましくは65%以上、さらに好ましくは75%以上である。前記透過率は高ければ高いほど良いが、例えば上限は好ましくは100%、より好ましくは90%、さらに好ましくは80%である。前記範囲であれば、固体撮像素子が取り込む光の量が調整され、センシングに必要な光を効率よく透過することができる。 By using an optical filter that satisfies the requirement (C), the amount of light captured by the solid-state imaging device is ensured in the wavelength range of 700 nm to 750 nm, and the sensing sensitivity is improved. The average transmittance in requirement (C) is preferably 55% or higher, more preferably 65% or higher, and even more preferably 75% or higher. The higher the transmittance, the better. For example, the upper limit is preferably 100%, more preferably 90%, and even more preferably 80%. Within this range, the amount of light taken in by the solid-state imaging device is adjusted, and the light necessary for sensing can be efficiently transmitted.

要件(D)を満たす光学フィルターを使用することで、波長560nm~800nmの範囲において、固体撮像素子に入射される光の量の入射角依存性を低くできる。その結果、この波長の範囲における固体撮像素子の分光感度の入射角依存性を小さくできる。入射角依存性が小さくなることで、固体撮像素子で得られる画像の中央と周辺の色味や、センサー感度の差が少なく、より高感度となる。 By using an optical filter that satisfies the requirement (D), the incident angle dependence of the amount of light incident on the solid-state imaging device can be reduced in the wavelength range of 560 nm to 800 nm. As a result, the incident angle dependency of the spectral sensitivity of the solid-state imaging device in this wavelength range can be reduced. By reducing the incident angle dependence, the difference in color tone between the center and the periphery of the image obtained by the solid-state imaging device and sensor sensitivity is small, resulting in higher sensitivity.

本発明の光学フィルターは、さらに下記要件(E)を満たすことが好ましい。
(E)前記要件(D)における波長の値(Ya)が730nm以上800nm以下である。
Preferably, the optical filter of the present invention further satisfies the following requirement (E).
(E) The wavelength value (Ya) in the requirement (D) is 730 nm or more and 800 nm or less.

要件(E)を満たす光学フィルターを使用することで、波長400~700nmの可視光透過率とセンシングに用いる波長700~750nmの近赤外線の透過率とを高く保つことと、センシングに不要な波長800~1200nmの低い透過率(高い遮蔽性)とを両立することが容易となる。前記波長(Ya)は、好ましくは740nm以上800nm以下であり、さらに好ましくは745nm以上800nm以下である。 By using an optical filter that satisfies the requirement (E), the visible light transmittance with a wavelength of 400 to 700 nm and the transmittance of near infrared rays with a wavelength of 700 to 750 nm used for sensing are kept high, and a wavelength of 800 nm, which is unnecessary for sensing, is kept high. It becomes easy to achieve both a low transmittance (high shielding property) of up to 1200 nm. The wavelength (Ya) is preferably 740 nm or more and 800 nm or less, more preferably 745 nm or more and 800 nm or less.

本発明の光学フィルターは、さらに下記要件(Z1)および(Z2)を満たすことが好ましい。
(Z1)波長700nmにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から5°の角度から測定した場合の反射率が、光学フィルターのどちらの面から入射した場合においても10%以下である。
(Z2)波長600nm以上の範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から5°の角度から測定した場合の反射率が50%となる最も短い波長の値(Za)が、光学フィルターのどちらの面から入射した場合においても730nm以上である。
要件(Z1)および(Z2)を満たす光学フィルターを使用することで、光学フィルターで反射された光を原因とするゴーストの発生を抑制することができる。
The optical filter of the present invention preferably further satisfies the following requirements (Z1) and (Z2).
(Z1) At a wavelength of 700 nm, the reflectance when measured at an angle of 5° from the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 10% or less regardless of the surface of the optical filter.
(Z2) In the wavelength range of 600 nm or more, which of the optical filters has the shortest wavelength value (Za) at which the reflectance is 50% when measured at an angle of 5° from the direction perpendicular to the surface of the optical filter. It is 730 nm or more even when incident from the surface of .
By using an optical filter that satisfies the requirements (Z1) and (Z2), it is possible to suppress the occurrence of ghost caused by the light reflected by the optical filter.

誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜は、光学フィルターの面からより高角度に斜入射になるにつれ反射帯域が短波長に移動する傾向にある。そのため、前記要件(Z2)における波長(Za)は、より好ましくは740nm以上、さらに好ましくは750nm以上、特に好ましくは780nm以上である。これにより、人間の目で確認される光において、光学フィルターの面に対して高角度に入射した光にでもゴーストが発生することを十分に抑制することができる。
本発明の光学フィルターは、近赤外線吸収剤を含有する基材と近赤外線反射膜を有することが好ましい。
A near-infrared reflective film made of a dielectric multilayer film tends to shift the reflection band to a shorter wavelength as the oblique incidence increases at a higher angle from the surface of the optical filter. Therefore, the wavelength (Za) in the requirement (Z2) is more preferably 740 nm or longer, still more preferably 750 nm or longer, and particularly preferably 780 nm or longer. As a result, it is possible to sufficiently suppress the occurrence of a ghost even in light that is visible to the human eye and that has entered the surface of the optical filter at a high angle.
The optical filter of the present invention preferably has a substrate containing a near-infrared absorbing agent and a near-infrared reflecting film.

近赤外線吸収剤を含有する基材を有する光学フィルターは、光学フィルターの近赤外線の反射を抑制することができ、ゴーストを低減することができる。近赤外線反射膜を有する光学フィルターは、近赤外線遮蔽性能に優れ、かつ波長430~580nmの範囲の可視光線の透過性能に優れ、得られる固体撮像装置を高感度にすることができる。 An optical filter having a substrate containing a near-infrared absorber can suppress near-infrared reflection of the optical filter and reduce ghosts. An optical filter having a near-infrared reflective film has excellent near-infrared shielding performance and excellent transmission performance for visible light in the wavelength range of 430 to 580 nm, and can make the obtained solid-state imaging device highly sensitive.

前記近赤外線吸収剤は波長751~950nmの範囲に吸収極大波長を有すること、および、該吸収極大波長における前記基材の透過率が10%となる量で前記近赤外線吸収剤を含有させた場合、波長430nm以上かつ該吸収極大波長以下の範囲において前記基材の透過率が70%となる最も長い波長(Aa)と、波長580nm以上の範囲において前記基材の透過率が30%となる最も短い波長(Ab)との差の絶対値が150nm未満であることが好ましい。 When the near-infrared absorbing agent has an absorption maximum wavelength in the wavelength range of 751 to 950 nm, and the near-infrared absorbing agent is contained in an amount such that the transmittance of the base material at the absorption maximum wavelength is 10%. , the longest wavelength (Aa) at which the transmittance of the base material is 70% in the range of 430 nm or more and the maximum absorption wavelength or less, and the longest wavelength (Aa) at which the transmittance of the base material is 30% in the range of 580 nm or more. It is preferred that the absolute value of the difference from the short wavelength (Ab) is less than 150 nm.

前記(Aa)と前記(Ab)との差の絶対値が150nm未満となる近赤外線吸収剤を含む基材を有する光学フィルターを使用することで、波長700~750nmの近赤外線の透過率を高く保つことと、センシングに不要な波長800~1200nmの低い透過率(高い遮蔽性)とを両立することが容易となる。前記差の絶対値は少なければ少ない程よく、より好ましくは100nm未満、さらに好ましくは70nm未満である。下限は1nmである。 By using an optical filter having a substrate containing a near-infrared absorbing agent in which the absolute value of the difference between (Aa) and (Ab) is less than 150 nm, the transmittance of near-infrared rays having a wavelength of 700 to 750 nm is increased. It becomes easy to achieve both a low transmittance (high shielding property) at a wavelength of 800 to 1200 nm, which is not necessary for sensing. The smaller the absolute value of the difference, the better, more preferably less than 100 nm, and even more preferably less than 70 nm. The lower limit is 1 nm.

前記近赤外線吸収剤の好ましい範囲の特性である、波長751~950nmに吸収極大波長を有すること、および、前記(Aa)と前記(Ab)との差の絶対値が150nm未満であることは、吸収剤1種の特性が満たしてもよく、複数種を混合した特性でもよい。また、複数種を混合した近赤外線吸収剤には、単独では特性を満たさないものを含んでもよい。 Having an absorption maximum wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm, which is a characteristic of the preferred range of the near-infrared absorbent, and that the absolute value of the difference between the (Aa) and the (Ab) is less than 150 nm, The characteristics of one type of absorbent may be satisfied, or the characteristics of a mixture of multiple types may be satisfied. In addition, the near-infrared absorbing agent in which multiple types are mixed may include one that does not satisfy the properties by itself.

[基材]
前記基材は透明性を有しているものが好ましい。本発明でいう透明性とは、波長420~600nmの範囲の透過率の平均値が50%以上であることを表す。このような基材の材質として、例えば、ガラス、強化ガラスや、リン酸ガラス、フツリン酸ガラス、アルミナガラス、アルミン酸イットリウム、酸化イットリウムなどの特殊ガラス、および樹脂が挙げられる。
[Base material]
The substrate preferably has transparency. The term "transparency" as used in the present invention means that the average value of transmittance in the wavelength range of 420 to 600 nm is 50% or more. Examples of materials for such a substrate include glass, tempered glass, special glass such as phosphate glass, fluorophosphate glass, alumina glass, yttrium aluminate, and yttrium oxide, and resin.

また、基材は、1層でも複数層から構成されてもよく、上記材料から選ばれる1種の材質から構成されても、複数種から構成されてもよく、適宜混合した材料でもよい。基材を構成する層のうち少なくとも1層は、近赤外線吸収剤を含有するものが好ましく、また近紫外線吸収剤を含有してもよい。近赤外線吸収剤が含まれる層と、近紫外線吸収剤が含まれる層とは、同一の層であってもよく、異なる層であってもよい。 The base material may be composed of one layer or multiple layers, may be composed of one material selected from the above materials, may be composed of a plurality of materials, or may be an appropriately mixed material. At least one of the layers constituting the substrate preferably contains a near-infrared absorbent, and may also contain a near-ultraviolet absorbent. The layer containing the near-infrared absorbent and the layer containing the near-ultraviolet absorbent may be the same layer or different layers.

<ガラス>
前記ガラスとしては、例えば、ケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられる。
<Glass>
Examples of the glass include silicate glass, soda lime glass, borosilicate glass, and quartz glass.

<強化ガラス>
前記強化ガラスとしては、例えば、物理強化ガラス、強化合わせガラス、化学強化ガラスなどが挙げられる。これらの中では、圧縮層の厚みが薄く、基材厚みを薄く加工することができる化学強化ガラスが好ましい。化学強化ガラスの具体例としては、旭硝子社製「Dragontrail」、Corning社「Gorilla Glass」などが挙げられる。
<Tempered glass>
Examples of the tempered glass include physically tempered glass, tempered laminated glass, and chemically tempered glass. Among these, chemically strengthened glass is preferable because it has a thin compressed layer and can be processed to have a thin base material. Specific examples of the chemically strengthened glass include "Dragontrail" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. and "Gorilla Glass" manufactured by Corning.

<特殊ガラス>
前記リン酸ガラスや前記フツリン酸ガラスとしては、例えば、松浪硝子工業社製のBS3、BS4、BS6、BS7、BS8、BS10、BS11、BS12、BS13、BS16、BS17等、国際公開第2012/018026号に記載のフツリン酸塩系ガラスなどが挙げられる。前記アルミナガラスとしては、例えば日本ガイシ社製「ハイセラム」などが挙げられる。前記アルミン酸イットリウムや前記酸化イットリウムとしては、例えば、クアーズテック社製「EXYRIA(登録商標)」などが挙げられる。
<Special glass>
Examples of the phosphate glass and the fluorophosphate glass include BS3, BS4, BS6, BS7, BS8, BS10, BS11, BS12, BS13, BS16, BS17 manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd., International Publication No. 2012/018026. and the fluorophosphate-based glass described in . Examples of the alumina glass include "Hiceram" manufactured by NGK Insulators, Ltd., and the like. Examples of the yttrium aluminate and the yttrium oxide include "EXYRIA (registered trademark)" manufactured by CoorsTek.

<樹脂>
前記樹脂としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリシクロオレフィン系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エン・チオール系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂などが挙げられる。これらの中では、ノルボルネン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂が好ましい。
<Resin>
Examples of the resin include polyester-based resins, polyether-based resins, acrylic-based resins, polyolefin-based resins, polycycloolefin-based resins, norbornene-based resins, polycarbonate-based resins, ene-thiol-based resins, epoxy-based resins, and polyamide-based resins. Resins, polyimide-based resins, polyurethane-based resins, polystyrene-based resins, and the like can be used. Among these, norbornene-based resins, polyimide-based resins, and polyether-based resins are preferred.

前記樹脂は、原料成分の分子構造を調整する方法等により、屈折率を調整できる。具体的には、原料成分のポリマーの主鎖や側鎖に特定の構造を付与する方法が挙げられる。ポリマー内に付与する構造は特に限定されないが、例えば、ノルボルネン骨格、フルオレン骨格が挙げられる。 The refractive index of the resin can be adjusted by a method of adjusting the molecular structure of the raw material component. Specifically, there is a method of imparting a specific structure to the main chain or side chain of the polymer of the raw material component. Although the structure to be imparted in the polymer is not particularly limited, examples thereof include a norbornene skeleton and a fluorene skeleton.

前記樹脂として、市販品を用いてもよい。市販品としては、大阪ガスケミカル(株)製「オグソール(登録商標)EA-F5003」(アクリル系樹脂、屈折率:1.60)、東京化成工業(株)製「ポリメチルメタクリレート」(屈折率:1 .49)、東京化成工業(株)製「ポリイソブチルメタクリレート」(屈折率:1.48)、三菱レイヨン(株)製「BR50」(屈折率:1.56)等が挙げられる。 A commercially available product may be used as the resin. Commercially available products include “Ogsol (registered trademark) EA-F5003” (acrylic resin, refractive index: 1.60) manufactured by Osaka Gas Chemicals Co., Ltd., “Polymethyl methacrylate” manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. (refractive index : 1.49), "Polyisobutyl methacrylate" (refractive index: 1.48) manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., "BR50" (refractive index: 1.56) manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd., and the like.

また、ポリエステル系樹脂の市販品としては、例えば、大阪ガスケミカル(株)製「OKP4HT」(屈折率:1.64)、「OKP4」(屈折率:1.61)、「B-OKP2」(屈折率:1.64) 、「OKP-850」(屈折率:1.65)、東洋紡(株)製「バイロン(登録商標)103」(屈折率:1.55)などが挙げられ、ポリカーボネート系樹脂の市販品としては、例えば、sabic社製「LeXan(登録商標)ML9103」(屈折率:1.59)、「xylex(登録商標)7507」、三菱ガス化学(株)製「EP5000」(屈折率:1.63) 、帝人化成(株)製「SP3810」(屈折率:1.63)、「SP1516」(屈折率:1.60) 、「TS2020」(屈折率:1.59)などが挙げられ、ノルボルネン系樹脂の市販品としては、例えば、JSR(株)製「ARTON(登録商標)(屈折率:1.51)、日本ゼオン(株)製「ZEONEX(登録商標)(屈折率:1.53)などが挙げられる。 Commercially available polyester resins include, for example, "OKP4HT" (refractive index: 1.64), "OKP4" (refractive index: 1.61), "B-OKP2" (manufactured by Osaka Gas Chemicals Co., Ltd.). refractive index: 1.64), "OKP-850" (refractive index: 1.65), Toyobo Co., Ltd. "Vylon (registered trademark) 103" (refractive index: 1.55), etc., polycarbonate-based Commercially available resins include, for example, “LeXan (registered trademark) ML9103” (refractive index: 1.59) manufactured by Sabic, “xylex (registered trademark) 7507” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. “EP5000” (refractive index: index: 1.63), Teijin Kasei Co., Ltd. "SP3810" (refractive index: 1.63), "SP1516" (refractive index: 1.60), "TS2020" (refractive index: 1.59), etc. Examples of commercially available norbornene resins include "ARTON (registered trademark) (refractive index: 1.51)" manufactured by JSR Corporation, "ZEONEX (registered trademark) (refractive index: 1.51) manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd." 1.53) and the like.

ポリエーテル系樹脂は、主鎖にエーテル結合を形成する反応により得られる重合体であり、下記式(1)および(2)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する重合体であることが好ましい。また、下記式(3)で表される構造単位を有してもよい。 A polyether resin is a polymer obtained by a reaction to form an ether bond in the main chain, and contains at least one structural unit selected from the group consisting of structural units represented by the following formulas (1) and (2). It is preferably a polymer having In addition, it may have a structural unit represented by the following formula (3).

Figure 0007255600000001
Figure 0007255600000001

Figure 0007255600000002
Figure 0007255600000002

Figure 0007255600000003
前記式(1)中、R1~R4は、それぞれ独立に炭素数1~12の1価の有機基を示す。a~dは、それぞれ独立に0~4の整数を示し、好ましくは0または1であり、より好ましくは0である。
Figure 0007255600000003
In formula (1), R 1 to R 4 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms. a to d each independently represents an integer of 0 to 4, preferably 0 or 1, more preferably 0;

炭素数1~12の1価の有機基としては、炭素数1~12の1価の炭化水素基、ならびに、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1~12の1価の有機基等が挙げられる。 The monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms includes a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and a 1 carbon atom containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom. to 12 monovalent organic groups.

炭素数1~12の1価の炭化水素基としては、炭素数1~12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基および炭素数6~12の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 Examples of monovalent hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms include linear or branched hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 12 carbon atoms and 6 to 12 carbon atoms. An aromatic hydrocarbon group etc. are mentioned.

前記炭素数1~12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数1~8の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数1~5の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。 The straight or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is preferably a straight or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and a straight or branched hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms. A hydrogen group is more preferred.

前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基およびn-ヘプチル基等が挙げられる。 Preferred specific examples of the linear or branched hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and n-pentyl. groups, n-hexyl groups and n-heptyl groups.

前記炭素数3~12の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~8の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数3または4の脂環式炭化水素基がより好ましい。
炭素数3~12の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基;シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。
As the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and an alicyclic hydrocarbon group having 3 or 4 carbon atoms is more preferable.
Preferred specific examples of alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group; cyclobutenyl group, cyclopentenyl group and cyclohexenyl group; cycloalkenyl groups such as The binding site of the alicyclic hydrocarbon group may be any carbon on the alicyclic ring.

前記炭素数6~12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。 Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a biphenyl group and a naphthyl group. The attachment site of the aromatic hydrocarbon group may be any carbon on the aromatic ring.

酸素原子を含む炭素数1~12の有機基としては、水素原子、炭素原子および酸素原子からなる有機基が挙げられ、中でも、エーテル結合、カルボニル基またはエステル結合と炭化水素基とからなる総炭素数1~12の有機基等を好ましく挙げることができる。 The organic group having 1 to 12 carbon atoms containing an oxygen atom includes an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom and an oxygen atom. Organic groups of numbers 1 to 12 and the like can be mentioned preferably.

エーテル結合を有する総炭素数1~12の有機基としては、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数2~12のアルケニルオキシ基、炭素数2~12のアルキニルオキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基および炭素数1~12のアルコキシアルキル基等が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基およびメトキシメチル基等が挙げられる。 Examples of organic groups having a total of 1 to 12 carbon atoms and having an ether bond include alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, alkenyloxy groups having 2 to 12 carbon atoms, alkynyloxy groups having 2 to 12 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. aryloxy groups and alkoxyalkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, and specifically, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropyloxy group, butoxy group, phenoxy group, propenyloxy group, cyclohexyloxy group and methoxymethyl groups.

カルボニル基を有する総炭素数1~12の有機基としては、炭素数2~12のアシル基等が挙げられ、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基およびベンゾイル基等が挙げられる。 The organic group having a total carbon number of 1 to 12 and having a carbonyl group includes an acyl group having a carbon number of 2 to 12, and specific examples thereof include an acetyl group, a propionyl group, an isopropionyl group and a benzoyl group. .

エステル結合を有する総炭素数1~12の有機基としては、炭素数2~12のアシルオキシ基等が挙げられ、具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。 Organic groups having a total of 1 to 12 carbon atoms and having an ester bond include acyloxy groups having 2 to 12 carbon atoms, and specifically, acetyloxy, propionyloxy, isopropionyloxy and benzoyloxy groups. etc.

窒素原子を含む炭素数1~12の有機基としては、水素原子、炭素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、シアノ基、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基およびベンズトリアゾール基等が挙げられる。 The organic group having 1 to 12 carbon atoms containing a nitrogen atom includes an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom and a nitrogen atom, and specifically includes a cyano group, an imidazole group, a triazole group, a benzimidazole group and a benz A triazole group and the like can be mentioned.

酸素原子および窒素原子を含む炭素数1~12の有機基としては、水素原子、炭素原子、酸素原子、および、窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基およびベンズオキサジアゾール基等が挙げられる。 The organic group having 1 to 12 carbon atoms containing an oxygen atom and a nitrogen atom includes an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom, an oxygen atom and a nitrogen atom, and specifically includes an oxazole group and an oxadiazole group. groups, benzoxazole groups and benzoxadiazole groups.

前記式(1)におけるR1~R4としては、樹脂(1)の吸水(湿)性の点から炭素数1~12の1価の炭化水素基が好ましく、炭素数6~12の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。R 1 to R 4 in the formula (1) are preferably monovalent hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, and aromatic groups having 6 to 12 carbon atoms, from the viewpoint of water absorption (wetness) of the resin (1). A hydrocarbon group is more preferred, and a phenyl group is even more preferred.

前記式(2)中、R1~R4およびa~dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1~R4およびa~dと同義であり、Yは、単結合、-SO2-または-CO-を示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1~12の1価の有機基またはニトロ基を示し、mは0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。gおよびhは、それぞれ独立に0~4の整数を示し、好ましくは0である。In the above formula (2), R 1 to R 4 and a to d are each independently the same as R 1 to R 4 and a to d in the above formula (1), Y is a single bond, —SO 2- or -CO-, R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and m represents 0 or 1; However, when m is 0, R7 is not a cyano group. g and h each independently represents an integer of 0 to 4, preferably 0;

炭素数1~12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1~12の1価
の有機基と同様のものが挙げられる。
前記樹脂(1)は、前記構造単位(1)と前記構造単位(2)とのモル比(但し、両者(構造単位(1)+構造単位(2))の合計は100である。)が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から、構造単位(1):構造単位(2)=50:50~100:0であることが好ましく、構造単位(1):構造単位(2)=70:30~100:0であることがより好ましく、構造単位(1):構造単位(2)=80:20~100:0であることがさらに好ましい。なお、本明細書において、力学的特性とは、樹脂の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms include those similar to the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms in the formula (1).
In the resin (1), the molar ratio of the structural unit (1) and the structural unit (2) (where the total of both (structural unit (1) + structural unit (2)) is 100) is , From the viewpoint of optical properties, heat resistance and mechanical properties, it is preferable that structural unit (1): structural unit (2) = 50: 50 to 100: 0, structural unit (1): structural unit (2) = 70:30 to 100:0, more preferably Structural Unit (1): Structural Unit (2) = 80:20 to 100:0. In this specification, mechanical properties refer to properties such as tensile strength, elongation at break, and tensile elastic modulus of resin.

また、前記樹脂(1)は、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(以下「構造単位(3-4)」ともいう。)を有してもよい。前記樹脂(1)がこのような構造単位(3-4)を有すると、該樹脂(1)を含む基材の力学的特性が向上するため好ましい。 Further, the resin (1) further contains at least one structural unit selected from the group consisting of structural units represented by the following formula (3) and structural units represented by the following formula (4) (hereinafter referred to as "structural unit (3 -4)”.). When the resin (1) has such a structural unit (3-4), the mechanical properties of the substrate containing the resin (1) are improved, which is preferable.

前記式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1~12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-CONH-、-COO-または炭素数1~12の2価の有機基を示し、nは0または1を示す。eおよびfは、それぞれ独立に0~4の整数を示し、好ましくは0である。In the above formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, Z is a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, -CO-, -CONH-, -COO- or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, where n is 0 or 1; e and f each independently represents an integer of 0 to 4, preferably 0;

炭素数1~12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1~12の1価の有機基と同様のものが挙げられる。
炭素数1~12の2価の有機基としては、炭素数1~12の2価の炭化水素基、炭素数1~12の2価のハロゲン化炭化水素基、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1~12の2価の有機基、ならびに、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1~12の2価のハロゲン化有機基等が挙げられる。
Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms include those similar to the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms in the formula (1).
The divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms is a group consisting of a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an oxygen atom and a nitrogen atom. A divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from, and a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom and the like.

炭素数1~12の2価の炭化水素基としては、炭素数1~12の直鎖または分岐鎖の2価の炭化水素基、炭素数3~12の2価の脂環式炭化水素基および炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 The divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms includes a linear or branched divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and Examples thereof include divalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 12 carbon atoms.

炭素数1~12の直鎖または分岐鎖の2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピリデン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基およびヘプタメチレン基等が挙げられる。 The linear or branched divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms includes methylene group, ethylene group, trimethylene group, isopropylidene group, pentamethylene group, hexamethylene group and heptamethylene group.

炭素数3~12の2価の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基およびシクロへキシレン基等のシクロアルキレン基;シクロブテニレン基、シクロペンテニレン基およびシクロヘキセニレン基等のシクロアルケニレン基などが挙げられる。 Examples of divalent alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkylene groups such as cyclopropylene group, cyclobutylene group, cyclopentylene group and cyclohexylene group; cyclobutenylene group, cyclopentenylene group and A cycloalkenylene group such as a cyclohexenylene group and the like can be mentioned.

炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基およびビフェニレン基等が挙げられる。
炭素数1~12の2価のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数1~12の直鎖または分岐鎖の2価のハロゲン化炭化水素基、炭素数3~12の2価のハロゲン化脂環式炭化水素基および炭素数6~12の2価のハロゲン化芳香族炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include phenylene group, naphthylene group and biphenylene group.
Examples of the divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and a divalent halogenated lipid having 3 to 12 carbon atoms. Cyclic hydrocarbon groups and divalent halogenated aromatic hydrocarbon groups having 6 to 12 carbon atoms are included.

炭素数1~12の直鎖または分岐鎖の2価のハロゲン化炭化水素基としては、ジフオロメチレン基、ジクロロメチレン基、テトラフルオロエチレン基、テトラクロロエチレン基、ヘキサフルオロトリメチレン基、ヘキサクロロトリメチレン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基およびヘキサクロロイソプロピリデン基等が挙げられる。 The linear or branched divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms includes a difluoromethylene group, a dichloromethylene group, a tetrafluoroethylene group, a tetrachloroethylene group, a hexafluorotrimethylene group and a hexachlorotrimethylene group. , hexafluoroisopropylidene group and hexachloroisopropylidene group.

炭素数3~12の2価のハロゲン化脂環式炭化水素基としては、前記炭素数3~12の2価の脂環式炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。 As the divalent halogenated alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, at least some of the hydrogen atoms in the groups exemplified for the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms are fluorine atoms. , a group substituted with a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

炭素数6~12の2価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、前記炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。 As the divalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, at least some of the hydrogen atoms in the groups exemplified in the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms are fluorine atoms, chlorine A group substituted with an atom, a bromine atom or an iodine atom, and the like.

酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1~12の有機基としては、水素原子および炭素原子と、酸素原子および/または窒素原子とからなる有機基が挙げられ、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合またはアミド結合と炭化水素基とを有する総炭素数1~12の2価の有機基等が挙げられる。 The organic group having 1 to 12 carbon atoms and containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom includes an organic group consisting of a hydrogen atom and a carbon atom and an oxygen atom and/or a nitrogen atom. and divalent organic groups having a total of 1 to 12 carbon atoms having an ether bond, a carbonyl group, an ester bond or an amide bond and a hydrocarbon group.

酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1~12の2価のハロゲン化有機基としては、具体的には、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1~12の2価の有機基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。 The divalent halogenated organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom is specifically selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom. Groups in which at least part of the hydrogen atoms of the exemplified groups in the divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom are substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and the like. .

前記式(3)におけるZとしては、単結合、-O-、-SO2-、-CO-または炭素数1~12の2価の有機基が好ましく、樹脂(1)の吸水(湿)性の点から炭素数1~12の2価の炭化水素基、炭素数1~12の2価のハロゲン化炭化水素基または炭素数3~12の2価の脂環式炭化水素基がより好ましい。Z in the above formula (3) is preferably a single bond, —O—, —SO 2 —, —CO—, or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms. From the point of view, a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is more preferable.

前記基材は、近赤外線吸収剤を含有する樹脂層を有し、かつ、該樹脂層がノルボルネン系樹脂、ポリイミド系樹脂およびポリエーテル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。 The substrate preferably has a resin layer containing a near-infrared absorber, and the resin layer preferably contains at least one selected from the group consisting of norbornene-based resins, polyimide-based resins and polyether resins.

前記樹脂層を有することにより、波長430~580nmにおける透明性が高く、耐熱性が高く、反りにくい、破断しにくい、面内位相差R0が低い光学フィルターが得られる。そのため、前記樹脂層を有する光学フィルターを具備する固体撮像装置は、画質が高く、製造を容易とすることができる。By having the resin layer, it is possible to obtain an optical filter having high transparency at a wavelength of 430 to 580 nm, high heat resistance, resistance to warping and fracture, and low in-plane retardation R 0 . Therefore, a solid-state imaging device including an optical filter having the resin layer has high image quality and can be easily manufactured.

前記樹脂層の波長430~580nmにおける透過率の平均値は、固体撮像装置が高感度となることから、厚み1μmにおいて70%以上であることが好ましい。
前記樹脂層のガラス転移温度は、固体撮像装置を低温リフロー工程で製造することができることから、140℃以上であることが好ましい。
The average transmittance of the resin layer at a wavelength of 430 to 580 nm is preferably 70% or more at a thickness of 1 μm, because the solid-state imaging device has high sensitivity.
The glass transition temperature of the resin layer is preferably 140° C. or higher because the solid-state imaging device can be manufactured by a low-temperature reflow process.

前記樹脂層のヤング率は、反りにくい光学フィルターを得る観点から、好ましくは2GPa以上である。
前記樹脂層の面内位相差R0は、好ましくは50nm以下、より好ましくは20nm以下、さらに好ましくは10nm以下、特に好ましくは5nm以下である。面内位相差R0が少ない光学フィルターは、偏光に応じて感度が異なる撮像素子を設けた場合に、偏光特性を精確に検出可能となり、誤差が少なくなる。
The Young's modulus of the resin layer is preferably 2 GPa or more from the viewpoint of obtaining an optical filter that is less likely to warp.
The in-plane retardation R 0 of the resin layer is preferably 50 nm or less, more preferably 20 nm or less, still more preferably 10 nm or less, and particularly preferably 5 nm or less. An optical filter with a small in-plane phase difference R 0 enables accurate detection of polarization characteristics and reduces errors when an imaging device having different sensitivities depending on polarization is provided.

前記樹脂層は基材中に1層でもよく、複数層含んでもよく、基材が樹脂層のみから構成されてもよい。
前記基材の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択することができ、特に制限されないが、上限は、好ましくは250μm以下、より好ましくは200μm以下、さらに好ましくは150μm以下であり、下限は、好ましくは30μm以上、より好ましくは40μm以上である。厚みが前記範囲であれば、光学フィルターの反りが少なく、十分に薄い固体撮像素子が得られる。
The resin layer may be one layer in the base material, or may include a plurality of layers, and the base material may be composed of only the resin layer.
The thickness of the base material can be appropriately selected according to the desired application and is not particularly limited, but the upper limit is preferably 250 μm or less, more preferably 200 μm or less, and still more preferably 150 μm or less, and the lower limit is It is preferably 30 μm or more, more preferably 40 μm or more. If the thickness is within the above range, a sufficiently thin solid-state imaging device with little warping of the optical filter can be obtained.

<樹脂層の製造方法>
前記樹脂層は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができ、必要により、成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および/または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングする方法により製造することができる。
<Method for producing resin layer>
The resin layer can be formed, for example, by melt molding or cast molding, and if necessary, after molding, it can be manufactured by a method of coating with a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and/or an antistatic agent. can be done.

(A)溶融成形
前記樹脂層は、樹脂と近赤外線吸収剤とを溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法;樹脂と近赤外線吸収剤とを含有する樹脂組成物を溶融成形する方法;または、近赤外線吸収剤、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法などにより製造することができる。溶融成形方法としては、例えば、射出成形、溶融押出成形またはブロー成形などを挙げることができる。
(A) Melt molding The resin layer is formed by melt-molding pellets obtained by melt-kneading a resin and a near-infrared absorber; melt-molding a resin composition containing a resin and a near-infrared absorber. method; or a method of melt-molding pellets obtained by removing the solvent from a resin composition containing a near-infrared absorber, a resin and a solvent. Examples of melt molding methods include injection molding, melt extrusion molding, and blow molding.

(B)キャスト成形
前記樹脂層は、近赤外線吸収剤、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶剤を除去する方法;反射防止剤、ハードコート剤および/または帯電防止剤等のコーティング剤と、近赤外線吸収剤と、樹脂とを含む樹脂組成物を適当な支持体の上にキャスティングする方法;または、反射防止剤、ハードコート剤および/または帯電防止剤等のコーティング剤と、色素化合物と、樹脂とを含む硬化性組成物を適当な支持体の上にキャスティングして硬化および乾燥させる方法などにより製造することもできる。
(B) Cast molding The resin layer is formed by casting a resin composition containing a near-infrared absorber, a resin and a solvent on a suitable support and removing the solvent; antireflection agent, hard coating agent and/or A method of casting a resin composition containing a coating agent such as an antistatic agent, a near-infrared absorbent, and a resin on a suitable support; A curable composition containing a coating agent, a dye compound, and a resin may be cast on a suitable support, cured and dried.

前記支持体としては、特に限定されず、基材の材質の例として挙げたガラス、強化ガラス、特殊ガラスまたは樹脂からなる支持体を用いることができ、また、基材の材質以外の支持体、例えばスチールベルト、スチールドラムなどを用いてもよい。 The support is not particularly limited, and a support made of glass, tempered glass, special glass, or a resin, which is exemplified as the material of the substrate, can be used. For example, steel belts, steel drums, etc. may be used.

前記基材が樹脂製基板からなる基材である場合には、該基材は、キャスト成形後、支持体から塗膜を剥離することにより得ることができ、また、前記基材が、支持体上に樹脂層が積層された基材である場合には、該基材は、キャスト成形後、塗膜を剥離しないことで得ることができる。 When the substrate is a substrate made of resin, the substrate can be obtained by peeling off the coating film from the support after cast molding. In the case of a base material having a resin layer laminated thereon, the base material can be obtained by not peeling off the coating film after cast molding.

前記方法で得られた樹脂層中の残留溶剤量は可能な限り少ない方がよく、通常樹脂層の重さに対して3質量%以下、好ましくは1質量%以下、さらに好ましくは0.5質量%以下である。残留溶剤量が前記範囲にあると、光学フィルターの変形や光学特性の変化が起こりにくい、所望の機能を容易に発揮できる樹脂層が得られる。 The amount of residual solvent in the resin layer obtained by the above method should be as small as possible. % or less. When the amount of residual solvent is within the above range, a resin layer that can easily exhibit desired functions without causing deformation of the optical filter or change in optical properties can be obtained.

[近赤外線吸収剤]
前記近赤外線吸収剤は、好ましくは波長751~950nm、より好ましくは760~940nm、さらに好ましくは770~930nm、特に好ましくは775~925nmの範囲に吸収極大波長を有する。吸収極大波長が前記範囲にあることにより、波長700nm~750nmの範囲において固体撮像素子が取り込む光の量が調整されるとともに、人間の視感度が低い波長751nm以上の範囲の光が固体撮像素子に入る量を減らすことができ、固体撮像装置を人間の視感度により近づけることができる。
[Near-infrared absorber]
The near-infrared absorber preferably has a maximum absorption wavelength in the range of 751 to 950 nm, more preferably 760 to 940 nm, even more preferably 770 to 930 nm, particularly preferably 775 to 925 nm. Since the absorption maximum wavelength is in the above range, the amount of light taken in by the solid-state imaging device is adjusted in the wavelength range of 700 nm to 750 nm, and light in the range of wavelengths 751 nm or more, to which human visibility is low, enters the solid-state imaging device. The amount of light entering can be reduced, and the solid-state imaging device can be brought closer to human visibility.

前記近赤外線吸収剤としては、例えば、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ジチオール系色素、ジイモニウム系色素、スクアリリウム系色素、クロコニウム系色素、リン酸銅塩などが挙げられる。これら色素の構造は特に限定されるものではなく、本発明の効果を損なわないものであれば一般的に知られているものや市販品を使用することができる。また、本発明の効果を損なわないものであれば、光学フィルターに添加する近赤外線吸収剤は、1種でも複数種でもよい。 Examples of the near-infrared absorber include cyanine dyes, phthalocyanine dyes, dithiol dyes, diimmonium dyes, squarylium dyes, croconium dyes, and copper phosphate salts. The structure of these dyes is not particularly limited, and generally known dyes and commercial products can be used as long as they do not impair the effects of the present invention. Further, the near-infrared absorbing agent added to the optical filter may be of one type or plural types as long as it does not impair the effects of the present invention.

前記近赤外線吸収剤は、前記樹脂層に対して0.01~60.0質量%の範囲で含有されていることが好ましい。近赤外線吸収剤の含有量が前記範囲であれば、適切な光学特性が得られやすい。60.0質量%より多く含む場合、前述した透明性が高く、耐熱性が高く、反りにくい、破断しにくい等の性能が失われ、固体撮像装置の画質の低下、製造の難度を上げる要因となる。 The near-infrared absorbing agent is preferably contained in a range of 0.01 to 60.0% by mass with respect to the resin layer. If the content of the near-infrared absorbing agent is within the above range, appropriate optical properties are likely to be obtained. If it is contained in an amount of more than 60.0% by mass, the aforementioned properties such as high transparency, high heat resistance, resistance to warping, and resistance to breakage are lost. Become.

また、前記近赤外線吸収剤は、下記条件(a)および(b)を満たすことが好ましい。
(a)(吸光度λ700) / (吸光度λmax) ≦0.1
(b)(吸光度λ751) / (吸光度λmax) ≧0.1
Moreover, the near-infrared absorbent preferably satisfies the following conditions (a) and (b).
(a) (absorbance λ 700 ) / (absorbance λ max ) ≤ 0.1
(b) (absorbance λ 751 ) / (absorbance λ max ) ≧0.1

ここで、前記近赤外線吸収剤の波長700nmにおける吸光度を「吸光度λ700」、波長751nmにおける吸光度を「吸光度λ751」、吸収極大波長における吸光度を「吸光度λmax」とし、波長λにおける吸光度λは、一般に用いられる以下の式に従い、波長λにおける透過率λより算出される。Here, the absorbance of the near-infrared absorbent at a wavelength of 700 nm is "absorbance λ 700 ", the absorbance at a wavelength of 751 nm is "absorbance λ 751 ", the absorbance at the maximum absorption wavelength is "absorbance λ max ", and the absorbance λ at wavelength λ is , is calculated from the transmittance λ at the wavelength λ according to the generally used formula below.

吸光度λ = -Log(内部透過率λ)
例えば内部透過率λが0.1(10%)の場合、吸光度は1.0である。内部透過率とは、得られた透過率から表面反射率を除いた値であり、得られた透過率から近赤外線吸収剤を除いた媒体の透過率で除することで得られる。
Absorbance λ = -Log (internal transmittance λ)
For example, when the internal transmittance λ is 0.1 (10%), the absorbance is 1.0. The internal transmittance is a value obtained by subtracting the surface reflectance from the obtained transmittance, and is obtained by dividing the obtained transmittance by the transmittance of the medium excluding the near-infrared absorbent.

前記条件(a)および(b)を満たすと、センシングに必要な波長700~750nmの透過率が高く、視感度およびセンシングのどちらにも不要な波長を充分に遮蔽する光学フィルターを得ることができる。ところで、センシングに必要な波長700~750nmの透過率が高く、要件(C)を維持するため、光学フィルターの吸光度λ700は、好ましくは0.25以下、より好ましくは0.2以下、さらに好ましくは0.18以下、特に好ましくは0.16以下である。前記光学フィルターの吸光度λ700の下限は0である。前記条件(a)を満たす近赤外線吸収剤を用いることで、光学フィルターの吸光度λ700を前記範囲にすることが可能となる。When the above conditions (a) and (b) are satisfied, it is possible to obtain an optical filter that has a high transmittance at a wavelength of 700 to 750 nm required for sensing and sufficiently shields unnecessary wavelengths for both visibility and sensing. . By the way, the absorbance λ 700 of the optical filter is preferably 0.25 or less, more preferably 0.2 or less, and still more preferably 0.2 or less, in order to maintain high transmittance at a wavelength of 700 to 750 nm required for sensing and to maintain the requirement (C). is 0.18 or less, particularly preferably 0.16 or less. The lower limit of the absorbance λ 700 of the optical filter is zero. By using a near-infrared absorbing agent that satisfies the condition (a), it is possible to set the absorbance λ 700 of the optical filter within the above range.

また、視感度およびセンシングどちらにも不要な751nmから長波長の光を充分に遮蔽して要件(D)を達成するために、光学フィルターの吸光度λ751は、好ましくは0.2以上、より好ましくは0.21以上、さらに好ましくは0.23以上、特に好ましくは0.25以上である。また、光学フィルターの吸光度λ751は、好ましくは0.8以下、より好ましくは0.6以下、さらに好ましくは0.5以下である。前記条件(b)を満たす近赤外線吸収剤を用いることで、光学フィルターの吸光度λ751を前記範囲にすることが可能となる。In addition, in order to sufficiently block light with long wavelengths from 751 nm that is unnecessary for both visual sensitivity and sensing to achieve requirement (D), the absorbance λ 751 of the optical filter is preferably 0.2 or more, more preferably is 0.21 or more, more preferably 0.23 or more, and particularly preferably 0.25 or more. Also, the absorbance λ 751 of the optical filter is preferably 0.8 or less, more preferably 0.6 or less, still more preferably 0.5 or less. By using a near-infrared absorbing agent that satisfies the above condition (b), the absorbance λ 751 of the optical filter can be made within the above range.

しかしながら、条件(b)を満たす近赤外線吸収剤は、吸収極大波長λmaxが751nmから950nmへと長波長のものとなるにつれ、(吸光度λ751) / (吸光度λmax)は小さくなる傾向にある。そのため、吸収極大波長(λmax)が751nmから950nmへと長波長のものになるつれ、基材に含まれる近赤外線吸収剤の濃度を上げる必要がある。一方、条件(a)を満たす近赤外線吸収剤を基材に過剰に含有させると、光学フィルターが要件(C)を維持することが困難となる場合がある。そのため、基材に含まれる近赤外線吸収剤は、下記条件(c)を満たすことが好ましい。
(c)1.5≧Σdye(n)[((950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ)]>0.2
However, in near-infrared absorbents that satisfy the condition (b), (absorbance λ 751 ) / (absorbance λ max ) tends to decrease as the maximum absorption wavelength λ max increases from 751 nm to 950 nm. . Therefore, as the maximum absorption wavelength (λ max ) increases from 751 nm to 950 nm, it is necessary to increase the concentration of the near-infrared absorbent contained in the substrate. On the other hand, if the substrate contains an excessive amount of the near-infrared absorbing agent that satisfies the condition (a), it may become difficult for the optical filter to maintain the requirement (C). Therefore, the near-infrared absorbent contained in the substrate preferably satisfies the following condition (c).
(c) 1.5≧Σ dye(n) [((950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness)]>0.2

ここで「Σdye(n)」における「dye(n)」とは、基材に含まれる各近赤外線吸収剤のことを意味する。また、「最短吸収極大波長」とは、波長751~950nmにおける吸収極大波長の中で最も短い波長(nm)を意味し、「色素濃度」とは、基材に含まれる近赤外線吸収剤の濃度(質量%)を意味し、「色素媒体厚さ」とは、近赤外線吸収剤を含有する基材の厚さ(mm)を意味する。Here, " dye(n) " in "Σ dye(n)" means each near-infrared absorbing agent contained in the substrate. In addition, "shortest absorption maximum wavelength" means the shortest wavelength (nm) among absorption maximum wavelengths at wavelengths 751 to 950 nm, and "dye concentration" means the concentration of the near-infrared absorbent contained in the base material. (% by mass), and "dye medium thickness" means the thickness (mm) of the substrate containing the near-infrared absorber.

前記条件(a)および(b)を満たす近赤外線吸収剤を、前記条件(c)の濃度で用いることで、光学フィルターの吸光度λ700および吸光度λ751を前述の好ましい範囲とすることが可能となり、要件(C)および(D)を満たすことが容易となる。By using the near-infrared absorbent that satisfies the conditions (a) and (b) at the concentration of the condition (c), the absorbance λ 700 and the absorbance λ 751 of the optical filter can be set within the preferred ranges described above. , it becomes easier to satisfy requirements (C) and (D).

<シアニン系色素>
前記シアニン系色素としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば特開2009-108267号公報、特開2010-72575号公報、特開2016-060774号公報に記載のシアニン系色素が挙げられる。
<Cyanine dye>
The cyanine dye is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. cyanine dyes.

シアニン系色素の一部は波長751~950nmに吸収極大波長を持たないものも含まれるが、波長751~950nmに吸収極大波長を持つシアニン系色素を選択する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないシアニン系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つシアニン系色素を併用する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないシアニン系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つシアニン系色素以外の色素を併用することで、本発明の効果を得る近赤外線吸収剤として使用できる。 Some of the cyanine dyes include those that do not have a maximum absorption wavelength in the wavelength range of 751 to 950 nm. Combined use of a cyanine dye that has no wavelength and a cyanine dye that has a maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm, or a cyanine dye that has no maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm and a maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm. It can be used as a near-infrared absorbing agent for obtaining the effect of the present invention by using a dye other than a cyanine dye with

<フタロシアニン系色素>
前記フタロシアニン系色素としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば特開昭60-224589号公報、特表1005-537319号公報、特開平4-23868号公報、特開平4-39361号公報、特開平5-78364号公報、特開平5-222047号公報、特開平5-222301号公報、特開平5-222302号公報、特開平5-345861号公報、特開平6-25548号公報、特開平6-107663号公報、特開平6-192584号公報、特開平6-228533号公報、特開平7-118551号公報、特開平7-118552号公報、特開平8-120186号公報、特開平8-225751号公報、特開平9-202860号公報、特開平10-120927号公報、特開平10-182995号公報、特開平11-35838号公報、特開2000-26748号公報、特開2000-63691号公報、特開2001-106689号公報、特開2004-18561号公報、特開2005-220060号公報、特開2007-169343号公報、特開2013-195480号公報の段落[0026]~[0027]、国際公開第2015/025779号の表1等に記載の化合物等が挙げられる。
<Phthalocyanine dye>
The phthalocyanine dye is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. JP-A-4-39361, JP-A-5-78364, JP-A-5-222047, JP-A-5-222301, JP-A-5-222302, JP-A-5-345861, JP-A-H9 6-25548, JP-A-6-107663, JP-A-6-192584, JP-A-6-228533, JP-A-7-118551, JP-A-7-118552, JP-A-8- 120186, JP-A-8-225751, JP-A-9-202860, JP-A-10-120927, JP-A-10-182995, JP-A-11-35838, JP-A-2000-26748 Publications, JP 2000-63691, JP 2001-106689, JP 2004-18561, JP 2005-220060, JP 2007-169343, JP 2013-195480 Paragraphs [0026] to [0027], compounds described in Table 1 of WO 2015/025779 and the like.

フタロシアニン系色素の一部は波長751~950nmに吸収極大波長を持たないものも含まれるが、波長751~950nmに吸収極大波長を持つフタロシアニン系色素を選択する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないフタロシアニン系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つフタロシアニン系色素を併用する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないフタロシアニン系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つフタロシアニン系色素以外の色素を併用することで、本発明の効果を得る近赤外線吸収剤として使用できる。フタロシアニン系色素は、吸収極大波長近傍が急峻な吸収特性を有することが多く、本発明の光学フィルターにフタロシアニン系色素を用いる場合には、少なくとも1種の他の近赤外線吸収剤と併用することが好ましい。 Some of the phthalocyanine dyes include those that do not have a maximum absorption wavelength in the wavelength range of 751 to 950 nm. A combination of a phthalocyanine dye that has no wavelength and a phthalocyanine dye that has a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm, or a phthalocyanine dye that has no maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm and a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm. By using a dye other than the phthalocyanine-based dye having Phthalocyanine dyes often have steep absorption characteristics in the vicinity of the maximum absorption wavelength, and when a phthalocyanine dye is used in the optical filter of the present invention, it can be used in combination with at least one other near-infrared absorber. preferable.

<ジチオール系色素>
前記ジチオール系色素としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば特開2006-215395号公報、WO2008/086931号に記載のジチオール系色素が挙げられる。
<Dithiol dye>
The dithiol-based dye is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention.

ジチオール系色素の一部は波長751~950nmに吸収極大波長を持たないものも含まれるが、波長751~950nmに吸収極大波長を持つジチオール系色素を選択する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないジチオール系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つジチオール系色素を併用する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないジチオール系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つジチオール系色素以外の色素を併用することで、本発明の効果を得る近赤外線吸収剤として使用できる。
また、例えばWO1998/034988号に記載のようにジチオール系色素の対イオン結合体を用いてもよい。
Some dithiol dyes include those that do not have a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm, but select a dithiol dye that has a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm, or have a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm. A combination of a dithiol dye that has no wavelength and a dithiol dye that has a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm, or a dithiol dye that has no maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm and a maximum absorption wavelength at a wavelength of 751 to 950 nm. It can be used as a near-infrared absorbing agent to obtain the effect of the present invention by using a dye other than a dithiol dye in combination.
Alternatively, a counterion conjugate of a dithiol dye may be used as described in WO1998/034988, for example.

<スクアリリウム系色素>
前記スクアリリウム系色素としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式(4)~(6)で表されるスクアリリウム系色素、特開2014-074002号公報、特開2014-052431号公報に記載のスクアリリウム系色素などが挙げられ、一般に知られている方法で合成すればよい。
<Squarylium dye>
The squarylium-based dye is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. , and squarylium-based dyes described in JP-A-2014-052431, and may be synthesized by a generally known method.

Figure 0007255600000004
Figure 0007255600000004

Figure 0007255600000005
Figure 0007255600000005

Figure 0007255600000006
Figure 0007255600000006

前記式(4)~(6)中、Xは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子または-NH-を表し、 前記R1およびR1'としてはそれぞれ独立に、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ニトロ基が好ましく、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、水酸基がより好ましい。R2~R8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、-L1または-NRgh基を表す。RgおよびRhはそれぞれ独立に、水素原子、-La、-Lb、-Lc、-Ld、-Le、-Lf、-Lg、-Lhまたは-C(O)Ri基(Riは、-La、-Lb、-Lc、-Ldまたは-Leを表す。)を表し、R9は独立に、水素原子、-La、-Lb、-Lc、-Ld、-Le、-Lf、-Lgまたは-Lhを表す。
1は、La、Lb、Lc、Ld、Le、Lf、LgまたはLhである。
In the above formulas (4) to (6), X independently represents an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom or —NH—, and each of the R 1 and R 1′ independently represents a hydrogen atom, a chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, phenyl group, hydroxyl group, amino group, dimethylamino group and nitro group; Preferred are a hydrogen atom, a chlorine atom, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group and a hydroxyl group. R 2 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a sulfo group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a phosphoric acid group, -L 1 or -NR g R h group. R g and R h are each independently a hydrogen atom, -L a , -L b , -L c , -L d , -L e , -L f , -L g , -L h or -C(O) R i group (R i represents -L a , -L b , -L c , -L d or -L e ), R 9 is independently a hydrogen atom, -L a , -L b , -L c , -L d , -L e , -L f , -L g or -L h .
L 1 is L a , L b , L c , L d , L e , L f , L g or L h .

前記La~Lhは、以下の基を表す。
(La)前記置換基Lを有してもよい炭素数1~12の脂肪族炭化水素基
(Lb)前記置換基Lを有してもよい炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基
(Lc)前記置換基Lを有してもよい炭素数3~14の脂環式炭化水素基
(Ld)前記置換基Lを有してもよい炭素数6~14の芳香族炭化水素基
(Le)前記置換基Lを有してもよい炭素数3~14の複素環基
(Lf)前記置換基Lを有してもよい炭素数1~12のアルコキシ基
(Lg)前記置換基Lを有してもよい炭素数1~12のアシル基
(Lh)前記置換基Lを有してもよい炭素数1~12のアルコキシカルボニル基
(Li)前記置換基Lを有してもよい炭素数1~12のスルフィド基またはジスルフィド基
9は独立に、水素原子、-La、-Lb、-Lc、-Ldまたは-Leを表す。
The above L a to L h represent the following groups.
(L a ) an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent L (L b ) a halogen-substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent L ( L c ) an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms which may have a substituent L (L d ) an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent L (L e ) the heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms which may have a substituent L (L f ) the alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent L (L g ) the above an acyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent L (L h ) an alkoxycarbonyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent L (L i ) having a substituent L a sulfide group or disulfide group having 1 to 12 carbon atoms which may be substituted R 9 independently represents a hydrogen atom, -L a , -L b , -L c , -L d or -L e ;

化合物(5)は置換基によって吸収極大波長を調整可能であるが、前記Xとしては、極大吸収波長が751~950nmにある化合物になりやすい等の点から、好ましくは硫黄原子である。 The maximum absorption wavelength of the compound (5) can be adjusted by a substituent, and X is preferably a sulfur atom because it tends to be a compound having a maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm.

スクアリリウム系色素の一部は波長751~950nmに吸収極大波長を持たないものも含まれるが、波長751~950nmに吸収極大波長を持つスクアリリウム系色素を選択する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないスクアリリウム系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つスクアリリウム系色素を併用する、または、波長751~950nmに吸収極大波長を持たないスクアリリウム系色素と波長751~950nmに吸収極大波長を持つスクアリリウム系色素以外の色素を併用することで、本発明の効果を得る近赤外線吸収剤として使用できる。 Some squarylium-based dyes include those that do not have a maximum absorption wavelength in the wavelength range of 751 to 950 nm. A combination of a squarylium dye with no wavelength and a squarylium dye with a maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm, or a squarylium dye without a maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm and a maximum absorption wavelength of 751 to 950 nm. It can be used as a near-infrared absorber to obtain the effect of the present invention by using a dye other than the squarylium dye.

<ジイモニウム系色素>
前記ジイモニウム系色素としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式(7-1)または(7-2)で表されるジイモニウム系色素、特許第4168031号公報、特許第4252961号公報、特開昭63-165392号公報、WO2004/048480等に記載のジイモニウム系色素などが挙げられ、一般的に知られている方法で合成すればよい。
<Diimmonium dye>
The diimonium-based dye is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. Japanese Patent No. 4252961, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-165392, WO2004/048480, etc., and diimmonium-based dyes, which may be synthesized by a generally known method.

Figure 0007255600000007
Figure 0007255600000007

式(7-1)および(7-2)中、Rdi1~Rdi12は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、-SRi基、-SO2i基、-OSO2i基または下記La~Lhのいずれかを表し、RgおよびRhは、それぞれ独立に水素原子、-C(O)Ri基または下記La~Leのいずれかを表し、Riは下記La~Leのいずれかを表し、
(La)炭素数1~12の脂肪族炭化水素基
(Lb)炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基
(Lc)炭素数3~14の脂環式炭化水素基
(Ld)炭素数6~14の芳香族炭化水素基
(Le)炭素数3~14の複素環基
(Lf)炭素数1~12のアルコキシ基
(Lg)置換基Lを有してもよい炭素数1~12のアシル基、
(Lh)置換基Lを有してもよい炭素数1~12のアルコキシカルボニル基
In formulas (7-1) and (7-2), Rdi1 to Rdi12 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a sulfo group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a phosphate group, a -SR i group. , —SO 2 R i group, —OSO 2 R i group, or any of L a to L h below, wherein R g and R h each independently represent a hydrogen atom, —C(O)R i group, or —C(O)R i group, or Represents any one of L a to L e , R i represents any one of L a to L e below,
(L a ) Aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms (L b ) Halogen-substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (L c ) Alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms (L d ) Carbon Aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms (L e ) Heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms (L f ) Alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms (L g ) Number of carbon atoms which may have substituent L 1 to 12 acyl groups,
(L h ) an alkoxycarbonyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent L

置換基Lは、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基、炭素数3~14の脂環式炭化水素基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基および炭素数3~14の複素環基からなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
隣り合うRdi1とRdi2、Rdi3とRdi4、Rdi5とRdi6、およびRdi7とRdi8は置換基Lを有してもよい環を形成してもよく、
Xは電荷を中和させるのに必要なアニオンを表し、
The substituent L is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen-substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. at least one selected from the group consisting of a hydrogen group and a heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms,
adjacent Rdi1 and Rdi2, Rdi3 and Rdi4, Rdi5 and Rdi6, and Rdi7 and Rdi8 may form a ring optionally having a substituent L;
X represents an anion necessary to neutralize the charge,

前記Rdi1~Rdi8は、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基から選ばれる基であり、より好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ベンジル基から選ばれる基である。 Rdi1 to Rdi8 are preferably selected from hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, phenyl group and benzyl group. more preferably a group selected from an isopropyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group and a benzyl group.

前記Rdi9~Rdi12は、好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、N-メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、tert-ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、n-ブチルスルホニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基から選ばれる基であり、より好ましくは塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、水酸基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、tert-ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基から選ばれる基であり、特に好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基から選ばれる基である。 Rdi9 to Rdi12 are preferably hydrogen atom, chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, phenyl group, hydroxyl group, amino group, dimethylamino group, cyano group, nitro group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, acetylamino group, propionylamino group, N-methylacetylamino group, trifluoro a group selected from a methanoylamino group, pentafluoroethanoylamino group, tert-butanoylamino group, cyclohexynoylamino group, n-butylsulfonyl group, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group and n-butylthio group; and more preferably chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, hydroxyl group, dimethylamino group, methoxy group, ethoxy group, acetylamino group, propionylamino group , a trifluoromethanoylamino group, a pentafluoroethanoylamino group, a tert-butanoylamino group and a cyclohexynoylamino group, and particularly preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group and isopropyl is a group selected from groups.

前記X-は電荷を中和するのに必要なアニオンであり、式(7-2)のようにアニオンが2価である場合には1イオン、式(7-1)のようにアニオンが1価の場合には2イオンが必要となる。後者の場合は2つのアニオンX-が同一であっても異なっていてもよいが、合成上の観点から同一である方が好ましい。X-またはX2-はこのようなアニオンであれば特に制限されない。The X - is an anion necessary to neutralize the charge, and when the anion is divalent as in formula (7-2), one ion In the case of valence, two ions are required. In the latter case, the two anions X may be the same or different, but are preferably the same from the viewpoint of synthesis. X or X 2− is not particularly limited as long as it is such an anion.

前記近赤外線吸収剤の中でも、式(4)、式(5)、式(7-1)および式(7-2)で表わされる化合物が、可視光透過率の高さ、波長700~750nmの範囲の吸収特性、波長800~1100nmの範囲の遮蔽性能から好ましい。 Among the near-infrared absorbents, the compounds represented by formula (4), formula (5), formula (7-1) and formula (7-2) have high visible light transmittance and a wavelength of 700 to 750 nm. It is preferable from the absorption characteristics in the range and the shielding performance in the wavelength range of 800 to 1100 nm.

[近赤外線反射膜]
本発明に用いることができる近赤外線反射膜は、近赤外線を反射する能力を有する膜である。このような近赤外線反射膜としては、アルミ蒸着膜、貴金属薄膜、酸化インジウムを主成分とし酸化錫を少量含有させた金属酸化物微粒子を分散させた樹脂膜、または高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜などが挙げられる。このような近赤外線反射膜を有すると、近赤外線をさらに効果的にカットすることができる。
[Near-infrared reflective film]
The near-infrared reflective film that can be used in the present invention is a film that has the ability to reflect near-infrared rays. As such a near-infrared reflective film, an aluminum deposition film, a noble metal thin film, a resin film in which metal oxide fine particles containing indium oxide as a main component and containing a small amount of tin oxide are dispersed, or a high refractive index material layer and a low refractive index material layer and a low refractive index material layer A dielectric multilayer film in which dielectric layers are alternately laminated and the like. With such a near-infrared reflective film, near-infrared rays can be cut more effectively.

本発明では、近赤外線反射膜は基材の片面に設けてもよいし、両面に設けてもよい。片面に設ける場合、製造コストや製造容易性に優れ、両面に設ける場合、高い強度を有し、反りの生じにくい光学フィルターを得ることができる。 In the present invention, the near-infrared reflective film may be provided on one side or both sides of the substrate. When provided on one side, the manufacturing cost and ease of manufacture are excellent, and when provided on both sides, an optical filter having high strength and less warping can be obtained.

前記近赤外線反射膜の中では、散乱が少ないことや、密着性が良いこと、波長430~580nmの範囲の可視光の透過特性が高いこと、波長800~1100nmの範囲の光の遮蔽性能が高いことから、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜が好ましい。前記近赤外線反射膜が誘電体多層膜であると、得られる固体撮像装置の画質を良くすることができる。 Among the near-infrared reflective films, it has little scattering, good adhesion, high transmission characteristics of visible light in the wavelength range of 430 to 580 nm, and high light shielding performance in the wavelength range of 800 to 1100 nm. Therefore, a dielectric multilayer film in which high refractive index material layers and low refractive index material layers are alternately laminated is preferable. When the near-infrared reflective film is a dielectric multilayer film, the image quality of the obtained solid-state imaging device can be improved.

<誘電体多層膜>
高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が1.7以上の材料を用いることができ、屈折率の範囲が通常は1.7~2.5の材料が選択される。このような材料としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、または、酸化インジウム等を主成分とし、酸化チタン、酸化錫および/または酸化セリウムなどを少量(例えば、主成分に対し0~10%)含有させたものなどが挙げられる。
<Dielectric multilayer film>
A material having a refractive index of 1.7 or more can be used as a material constituting the high refractive index material layer, and a material having a refractive index ranging from 1.7 to 2.5 is usually selected. Examples of such materials include titanium oxide, zirconium oxide, tantalum pentoxide, niobium pentoxide, lanthanum oxide, yttrium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, or indium oxide. and/or those containing a small amount (for example, 0 to 10% relative to the main component) of cerium oxide or the like.

低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が1.7未満の材料を用いることができ、屈折率の範囲が通常は1.2以上1.7未満の材料が選択される。このような材料としては、例えば、樹脂、シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウム、およびこれらを混合したもの、上記材料を屈折率1.7未満となるように空乏を設けたものなどが挙げられる。 A material having a refractive index of less than 1.7 can be used as a material constituting the low refractive index material layer, and a material having a refractive index ranging from 1.2 to less than 1.7 is usually selected. Such materials include, for example, resin, silica, alumina, lanthanum fluoride, magnesium fluoride, sodium aluminum hexafluoride, mixtures thereof, and depleted materials having a refractive index of less than 1.7. and the like.

高屈折率材料層と低屈折率材料層とを積層する方法については、これら材料層を積層した誘電体多層膜が形成される限り特に制限はない。例えば、前記基材上に、直接、CVD法、真空蒸着法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング法、ラジカルアシストスパッタ法、イオンビームスパッタ法などにより、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することができる。イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング法、ラジカルアシストスパッタ法は、得られる多層膜の光学膜厚が環境に応じて変化しにくい良質な膜が得られ好ましい。イオンアシスト蒸着法は得られる光学フィルターの反りが少なくさらに好ましい。 The method of stacking the high refractive index material layer and the low refractive index material layer is not particularly limited as long as the dielectric multilayer film is formed by stacking these material layers. For example, a high refractive index material layer and a low refractive index material layer and a low refractive index material layer are formed directly on the base material by CVD, vacuum deposition, sputtering, ion-assisted deposition, ion plating, radical-assisted sputtering, ion beam sputtering, or the like. A dielectric multilayer film can be formed by alternately laminating dielectric material layers. The ion-assisted vapor deposition method, the ion-plating method, and the radical-assisted sputtering method are preferable because the optical film thickness of the multilayer film to be obtained is less likely to change depending on the environment, and a good quality film can be obtained. The ion-assisted vapor deposition method is more preferable because the resulting optical filter is less warped.

これら高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みは、通常、遮蔽しようとする近赤外線波長をλ(nm)とすると、基材に隣接する2層および最外層以外は0.1λ~0.5λの光学厚みが好ましい。光学厚みがこの範囲にあると、屈折率(n)と膜厚(d)との積(n×d)がλ/4で算出される光学的膜厚と高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みとがほぼ同じ値となって、反射・屈折の光学的特性の関係から、特定波長の遮蔽・透過を容易にコントロールできる傾向にある。基材に隣接する2層は物理厚み5nm~45nm以下であることが好ましい。また最外層は0.05~0.2λの光学厚みが好ましい。基材に隣接する2層および最外層が上記範囲の厚みであれば、可視光の反射率を低減することができ、上記要件(Z)と合わせることで、ゴーストを低減される。 The thickness of each of the high refractive index material layer and the low refractive index material layer is usually 0.1λ except for the two layers adjacent to the substrate and the outermost layer, where λ (nm) is the near-infrared wavelength to be shielded. An optical thickness of ~0.5λ is preferred. When the optical thickness is in this range, the product (n × d) of the refractive index (n) and the film thickness (d) is calculated as λ/4. The thickness of each layer of the material layer becomes almost the same value, and there is a tendency to easily control the shielding and transmission of a specific wavelength from the relationship between the optical characteristics of reflection and refraction. The two layers adjacent to the substrate preferably have a physical thickness of 5 nm to 45 nm or less. Further, the outermost layer preferably has an optical thickness of 0.05 to 0.2λ. If the thickness of the two layers adjacent to the substrate and the outermost layer are within the above range, the reflectance of visible light can be reduced, and together with the above requirement (Z), the ghost can be reduced.

また、誘電体多層膜における高屈折率材料層と低屈折率材料層との合計の積層数は、5~60層、好ましくは10~50層であることが望ましい。
さらに、誘電体多層膜を形成した際に基材に反りが生じてしまう場合には、これを解消するために、基材両面に誘電体多層膜を形成したり、基材の誘電体多層膜を形成した面に紫外線等の電磁波を照射したりする方法等をとることができる。なお、電磁波を照射する場合、誘電体多層膜の形成中に照射してもよいし、形成後別途照射してもよい。
Also, the total number of laminated layers of the high refractive index material layer and the low refractive index material layer in the dielectric multilayer film is desirably 5 to 60 layers, preferably 10 to 50 layers.
Furthermore, if the base material is warped when the dielectric multilayer film is formed, in order to solve this problem, the dielectric multilayer film is formed on both sides of the base material, or the dielectric multilayer film is formed on the base material. A method of irradiating electromagnetic waves such as ultraviolet rays to the surface on which the is formed can be adopted. When the electromagnetic wave is applied, the irradiation may be performed during the formation of the dielectric multilayer film, or may be performed separately after the formation.

しかしながら、前記特許文献1および特許文献2に記載されているような従来の設計方法では、波長751~1200nmを遮蔽する誘電体多層膜を形成した場合、センシングに必要な波長700~750nmの透過率も低下するおそれがある。それゆえ、要件(C)および要件(Z2)を満たす光学フィルターを得るために、誘電体多層膜は下記条件(e)を満たす設計であることが好ましい。
(e)基材に隣接する2層および最外層以外の層が、光学膜厚205nm以下の層(以下「層(e1)」ともいう。)を含まない。
However, in the conventional design method as described in Patent Document 1 and Patent Document 2, when a dielectric multilayer film that shields wavelengths of 751 to 1200 nm is formed, the transmittance at wavelengths of 700 to 750 nm required for sensing may also decrease. Therefore, in order to obtain an optical filter that satisfies the requirements (C) and (Z2), the dielectric multilayer film is preferably designed to satisfy the following condition (e).
(e) Layers other than the two layers adjacent to the substrate and the outermost layer do not include a layer having an optical thickness of 205 nm or less (hereinafter also referred to as "layer (e1)").

ここで光学膜厚とは、物理膜厚×屈折率の物理量を表わし、屈折率は波長550nmにおける屈折率である。
屈折率の異なる層を積層した誘電体多層膜では、光学膜厚×4近傍の波長を遮蔽するように設計される。基材に隣接する2層および出射媒体に近接した最外層以外の層は、透過率を低減する遮蔽層の形成に寄与する層であることから、要件(C)を満たすために、前記層(e1)を含まないことが好ましい。
Here, the optical film thickness represents a physical quantity of physical film thickness×refractive index, and the refractive index is the refractive index at a wavelength of 550 nm.
A dielectric multilayer film in which layers having different refractive indices are laminated is designed to block wavelengths in the vicinity of (optical film thickness)×4. Since the layers other than the two layers adjacent to the substrate and the outermost layer adjacent to the emission medium are layers that contribute to the formation of a shielding layer that reduces transmittance, in order to satisfy requirement (C), the layer ( It is preferred not to include e1).

要件(Z2)を満たすためには、基材の両面に形成された誘電体多層膜のいずれもが条件(e)を満たすことが好ましい。これにより、センシングに必要な波長700~750nmの透過率が高く、かつ、波長751~1200nmを遮蔽する光学フィルターが得られる。条件(e)における前記層(e1)の光学膜厚は、好ましくは210nm以下、より好ましくは215nm以下である。
また、要件(Z1)を満たすために、誘電体多層膜は、下記条件(f)を満たす設計であることが好ましい。
(f)基材に隣接する2層および最外層以外の層において、光学膜厚の標準偏差が6~20nmである。
In order to satisfy the requirement (Z2), it is preferable that both dielectric multilayer films formed on both sides of the base material satisfy the condition (e). As a result, an optical filter that has a high transmittance of wavelengths of 700 to 750 nm required for sensing and blocks wavelengths of 751 to 1200 nm can be obtained. The optical thickness of the layer (e1) under condition (e) is preferably 210 nm or less, more preferably 215 nm or less.
Moreover, in order to satisfy the requirement (Z1), the dielectric multilayer film is preferably designed to satisfy the following condition (f).
(f) The standard deviation of the optical film thickness of the two layers adjacent to the substrate and the layers other than the outermost layer is 6 to 20 nm.

条件(f)を満たす誘電体多層膜の設計とすることで、要件(B)の「波長800~1000nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が10%以下である」特性と、要件(Z1)の特性の両立が容易となる。光学フィルターが基材の両面に誘電体多層膜を有する場合、両面の誘電体多層膜のいずれもが条件(f)を満たすことがより好ましい。条件(f)における光学膜厚の標準偏差は、好ましくは6~18nm、より好ましくは6~16nmである。 By designing a dielectric multilayer film that satisfies the condition (f), the requirement (B), "In the wavelength range of 800 to 1000 nm, the average transmittance when measured from the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 10% or less" and the requirement (Z1). When the optical filter has dielectric multilayer films on both sides of the substrate, it is more preferable that both the dielectric multilayer films on both sides satisfy the condition (f). The standard deviation of the optical film thickness under the condition (f) is preferably 6-18 nm, more preferably 6-16 nm.

[近紫外線吸収剤]
本発明で用いることができる近紫外線吸収剤は、アゾメチン系化合物、インドール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、トリアジン系化合物、メロフタロシアニン系化合物、オキサゾール系化合物、ナフチルイミド系化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサゾリジン系化合物、アントラセン系化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、波長300~420nmに少なくとも一つの吸収極大を持つことが好ましい。前記近赤外線吸収剤に加え、このような近紫外線吸収剤を含有することにより、近紫外波長領域においても入射角依存性が小さい光学フィルターを得ることができる。
[Near UV absorber]
Near-ultraviolet absorbers that can be used in the present invention include azomethine-based compounds, indole-based compounds, benzotriazole-based compounds, triazine-based compounds, merophthalocyanine-based compounds, oxazole-based compounds, naphthylimide-based compounds, oxadiazole-based compounds, It is preferably at least one selected from the group consisting of oxazine-based compounds, oxazolidine-based compounds, and anthracene-based compounds, and preferably has at least one absorption maximum at a wavelength of 300 to 420 nm. By containing such a near-ultraviolet absorber in addition to the near-infrared absorber, it is possible to obtain an optical filter having a small incident angle dependence even in the near-ultraviolet wavelength region.

(A)アゾメチン系化合物
前記アゾメチン系化合物は、特に限定されるものではないが、例えば下記式(8)で表すことができる。
(A) Azomethine-based compound The azomethine-based compound is not particularly limited, but can be represented, for example, by the following formula (8).

Figure 0007255600000008
式(8)中、Ra1~Ra5は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、炭素数1~15のアルキル基、炭素数1~9のアルコキシ基または炭素数1~9のアルコキシカルボニル基を表す。
Figure 0007255600000008
In formula (8), R a1 to R a5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxy group, an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms. represents an alkoxycarbonyl group.

(B)インドール系化合物
前記インドール系化合物は、特に限定されるものではないが、例えば下記式(9)で表すことができる。
(B) Indole-based compound Although the indole-based compound is not particularly limited, it can be represented, for example, by the following formula (9).

Figure 0007255600000009
式(9)中、Rb1~Rb5は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、フェニル基、アラルキル基、炭素数1~9のアルキル基、炭素数1~9のアルコキシ基または炭素数1~9のアルコキシカルボニル基を表す。
Figure 0007255600000009
In formula (9), R b1 to R b5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group, a phenyl group, an aralkyl group, an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. or an alkoxycarbonyl group having 1 to 9 carbon atoms.

(C)ベンゾトリアゾール系化合物
前記ベンゾトリアゾール系化合物は、特に限定されるものではないが、例えば下記式(10)で表すことができる。
(C) Benzotriazole-Based Compound Although the benzotriazole-based compound is not particularly limited, it can be represented, for example, by the following formula (10).

Figure 0007255600000010
式(10)中、Rc1~Rc3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アラルキル基、炭素数1~9のアルキル基、炭素数1~9のアルコキシ基、または置換基として炭素数1~9のアルコキシカルボニル基を有する炭素数1~9のアルキル基を表す。
Figure 0007255600000010
In formula (10), R c1 to R c3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an aralkyl group, an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, or a carbon atom as a substituent. It represents an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms and having 1 to 9 alkoxycarbonyl groups.

(D)トリアジン系化合物
前記トリアジン系化合物は、特に限定されるものではないが、例えば下記式(11)、(12)または(13)で表すことができる。
(D) Triazine-based compound The triazine-based compound is not particularly limited, but can be represented by, for example, the following formulas (11), (12), or (13).

Figure 0007255600000011
Figure 0007255600000011

Figure 0007255600000012
Figure 0007255600000012

Figure 0007255600000013
Figure 0007255600000013

式(11)~(13)中、Rd1は、独立に水素原子、炭素原子数1~15のアルキル基、炭素原子数3~8 のシクロアルキル基、炭素原子数3~8のアルケニル基、炭素原子数6~18のアリール基、炭素原子数7~18のアルキルアリール基またはアリールアルキル基を表す。ただし、これらアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルキルアリール基およびアリールアルキル基は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭素原子数1~12のアルキル基またはアルコキシ基で置換されてもよく、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、エステル基、アミド基またはイミノ基で中断されてもよい。また、前記置換及び中断は組み合わされてもよい。Rd2~Rd9は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素原子数1~15のアルキル基、炭素原子数3~8 のシクロアルキル基、炭素原子数3~8のアルケニル基、炭素原子数6~18のアリール基、炭素原子数7~18のアルキルアリール基またはアリールアルキル基を表す。In formulas (11) to (13), R d1 is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, an alkenyl group having 3 to 8 carbon atoms, It represents an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, an alkylaryl group having 7 to 18 carbon atoms or an arylalkyl group. However, these alkyl groups, cycloalkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, alkylaryl groups and arylalkyl groups may be substituted with a hydroxy group, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group, It may be interrupted by an oxygen atom, sulfur atom, carbonyl group, ester group, amide group or imino group. Also, the replacement and interruption may be combined. R d2 to R d9 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, an alkenyl group having 3 to 8 carbon atoms, a carbon It represents an aryl group having 6 to 18 atoms, an alkylaryl group having 7 to 18 carbon atoms or an arylalkyl group.

(E)市販品
FewChemicals社製「S0511」、BASF社製「Lumogen(登録商標) Fviolet 570」、「Uvitex(登録商標)O B」、昭和化学工業(株)製「Hakkol RF-K」、日本化学工業(株)製「Nikkafluor EFS」、「Nikkafluor SB-conc」などが挙げられる。Exiton社製「A BS 407」、QCRSolutions Corp.社製「UV 381A 」、「UV 381B」 、「UV 382A 」、「UV 386A 」、BASF社製「TINUVIN 326」 、「TINUVIN 460」、「TINUVIN 479」、オリヱント化学(株)製「BONASORB UA3911」などを用いてもよい。
(E) Commercial products “S0511” manufactured by FewChemicals, “Lumogen (registered trademark) Fviolet 570” manufactured by BASF, “Uvitex (registered trademark) OB”, “Hakkol RF-K” manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd., Japan Examples include "Nikkafluor EFS" and "Nikkafluor SB-conc" manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd. "ABS 407" manufactured by Exiton, QCR Solutions Corp. "UV 381A", "UV 381B", "UV 382A", "UV 386A" manufactured by BASF, "TINUVIN 326", "TINUVIN 460", "TINUVIN 479" manufactured by Orient Chemical Co., Ltd. "BONASORB UA3911" manufactured by Orient Chemical Co., Ltd. etc. may be used.

<その他成分>
前記樹脂層は、本発明の効果を損なわない範囲において、さらに、酸化防止剤、分散剤、難燃剤、可塑剤、熱安定剤、光安定剤、および金属錯体系化合物等の添加剤を含有してもよい。また、上述のキャスト成形により樹脂製基材を製造する場合には、レベリング剤や消泡剤を添加することで樹脂製基材の製造を容易にすることができる。これらその他成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Other ingredients>
The resin layer further contains additives such as an antioxidant, a dispersant, a flame retardant, a plasticizer, a heat stabilizer, a light stabilizer, and a metal complex compound within a range that does not impair the effects of the present invention. may Moreover, when manufacturing a resin base material by the above-mentioned cast molding, it is possible to facilitate the manufacture of the resin base material by adding a leveling agent or an antifoaming agent. These other components may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記酸化防止剤としては、例えば2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、2,2'-ジオキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-5,5'-ジメチルジフェニルメタン、およびテトラキス[メチレン-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、1,3,5-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)-1,3,5-トリアジル-2,4,6(1H,3H,5H)-トリオンなどが挙げられる。なお、これら添加剤は、樹脂製基材を製造する際に、樹脂などとともに混合してもよいし、樹脂を製造する際に添加してもよい。また、添加量は、所望の特性に応じて適宜選択されるものであるが、樹脂100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部、好ましくは0.05~2.0質量部である。 Examples of the antioxidant include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,2'-dioxy-3,3'-di-t-butyl-5,5'-dimethyldiphenylmethane, and Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane, 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)- 1,3,5-triazyl-2,4,6(1H,3H,5H)-trione and the like. These additives may be mixed together with the resin when manufacturing the resin base material, or may be added when manufacturing the resin. Further, the amount to be added is appropriately selected according to the desired properties, but it is usually 0.01 to 5.0 parts by mass, preferably 0.05 to 2.0 parts by mass, per 100 parts by mass of the resin. Department.

[その他の機能膜]
本発明の光学フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、機能膜を適宜設けることができる。
[Other functional films]
The optical filter of the present invention can be appropriately provided with a functional film as long as the effects of the present invention are not impaired.

本発明の光学フィルターは、機能膜からなる層を1層含んでもよく、2層以上含んでもよい。本発明の光学フィルターが機能膜からなる層を2層以上含む場合には、同様の層を2層以上含んでもよいし、異なる層を2層以上含んでもよい。 The optical filter of the present invention may contain one layer of functional films, or may contain two or more layers. When the optical filter of the present invention contains two or more layers of functional films, it may contain two or more similar layers or two or more different layers.

機能膜を積層する方法としては、特に限定されないが、反射防止剤、ハードコート剤および/または帯電防止剤等のコーティング剤などを基材または近赤外線反射膜上に、溶融成形またはキャスト成形する方法等を挙げることができる。 The method of laminating the functional film is not particularly limited, but a method of melt molding or cast molding a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and/or an antistatic agent on the substrate or the near-infrared reflective film. etc. can be mentioned.

また、前記コーティング剤は、硬化性組成物をバーコーター等で基材または近赤外線反射膜上に塗布した後、紫外線照射および/または加熱等により硬化することによっても製造することができる。得られる基材の破断強度の向上、傷つきにくさ、反りの低減などから、硬化性組成物の機能膜を有することが好ましい。 The coating agent can also be produced by coating the curable composition on the substrate or the near-infrared reflective film using a bar coater or the like, and then curing the composition by ultraviolet irradiation and/or heating. It is preferable to have a functional film of a curable composition in order to improve the breaking strength of the resulting substrate, make it less likely to be damaged, reduce warping, and the like.

前記硬化性組成物としては、紫外線(UV)/電子線(EB)硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、具体的には、ビニル化合物類や、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。これらのコーティング剤を含む前記硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。 Examples of the curable composition include ultraviolet (UV)/electron beam (EB) curable resins and thermosetting resins. Specifically, vinyl compounds, urethane-based, urethane-acrylate-based, and acrylate-based , epoxy and epoxy acrylate resins. Examples of the curable composition containing these coating agents include vinyl-based, urethane-based, urethane-acrylate-based, acrylate-based, epoxy-based and epoxy-acrylate-based curable compositions.

前記ウレタン系もしくはウレタンアクリレート系硬化性組成物に含まれる成分としては、例えば、トリス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、ビス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、分子内に2以上の(メタ)アクリロイル基を有するオリゴウレタン(メタ)アクリレート類を挙げることができる。これら成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。さらにポリウレタン(メタ)アクリレート等のオリゴマーまたはポリマーや、ポリエステル(メタ)アクリレート等のオリゴマーまたはポリマーを配合してもよい。 Components contained in the urethane-based or urethane acrylate-based curable composition include, for example, tris(2-hydroxyethyl)isocyanurate tri(meth)acrylate, bis(2-hydroxyethyl)isocyanurate di(meth)acrylate, Oligourethane (meth)acrylates having two or more (meth)acryloyl groups in the molecule can be mentioned. These components may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Further, an oligomer or polymer such as polyurethane (meth)acrylate or an oligomer or polymer such as polyester (meth)acrylate may be blended.

前記ビニル化合物類としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル等を挙げることができるが、これらの例示に限定されるものではない。これら成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 Examples of the vinyl compounds include vinyl acetate, vinyl propionate, divinylbenzene, ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, and triethylene glycol divinyl ether, but are not limited to these examples. do not have. These components may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記エポキシ系もしくはエポキシアクリレート系硬化性組成物に含まれる成分としては、特に限定されないが、グリシジル(メタ)アクリレート、メチルグリシジル(メタ)アクリレート、分子内に2以上の(メタ)アクリロイル基を有するオリゴエポキシ(メタ)アクリレート類等を挙げることができる。これら成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。さらにポリエポキシ(メタ)アクリレート等のオリゴマーまたはポリマーを配合してもよい。 Components contained in the epoxy-based or epoxy-acrylate-based curable composition are not particularly limited, but glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, and oligos having two or more (meth)acryloyl groups in the molecule. Epoxy (meth)acrylates and the like can be mentioned. These components may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Furthermore, an oligomer or polymer such as polyepoxy (meth)acrylate may be blended.

前記硬化性組成物の市販品としては、東洋インキ製造(株)製「LCH」、「LAS」;荒川化学工業(株)製「ビームセット」;ダイセル・サイテック(株)製「EBECRYL」、「UVACURE」;JSR(株)製「オプスター」、「デソライトZ」などが挙げられる。 Commercially available products of the curable composition include "LCH" and "LAS" manufactured by Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.; "Beamset" manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.; UVACURE"; "Opstar" and "Desolite Z" manufactured by JSR Corporation.

また、前記硬化性組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。前記重合開始剤としては、公知の光重合開始剤または熱重合開始剤を用いることができ、光重合開始剤と熱重合開始剤を併用してもよい。重合開始剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 Moreover, the curable composition may contain a polymerization initiator. As the polymerization initiator, a known photopolymerization initiator or thermal polymerization initiator can be used, and a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator may be used in combination. A polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記硬化性組成物中、重合開始剤の配合割合は、硬化性組成物の全量を100質量%とした場合、好ましくは0.1~10質量%、より好ましくは0.5~10質量%、さらに好ましくは1~5質量%である。重合開始剤の配合割合が前記範囲にあると、硬化性組成物の硬化特性および取り扱い性が優れ、所望の硬度を有する反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を得ることができる。 In the curable composition, the mixing ratio of the polymerization initiator is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, when the total amount of the curable composition is 100% by mass. More preferably, it is 1 to 5% by mass. When the blending ratio of the polymerization initiator is within the above range, the curing properties and handling properties of the curable composition are excellent, and functional films such as antireflection films, hard coat films and antistatic films having desired hardness can be obtained. can.

さらに、前記硬化性組成物には溶剤として有機溶剤を加えてもよく、有機溶剤としては、公知のものを使用することができる。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類を挙げることができる。これら溶剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 Furthermore, an organic solvent may be added as a solvent to the curable composition, and known organic solvents can be used. Specific examples of organic solvents include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol and octanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone and propylene. esters such as glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate; ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; dimethylformamide, dimethylacetamide, N- Amides such as methylpyrrolidone can be mentioned. These solvents may be used singly or in combination of two or more.

前記機能膜の厚さは、好ましくは0.1μm~20μm、さらに好ましくは0.5μm~10μm、特に好ましくは0.7μm~5μmである。
また、基材と機能膜および/または近赤外線反射膜との密着性や、機能膜と近赤外線反射膜との密着性を上げる目的で、基材や機能膜の表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。
The thickness of the functional film is preferably 0.1 μm to 20 μm, more preferably 0.5 μm to 10 μm, particularly preferably 0.7 μm to 5 μm.
In addition, for the purpose of increasing the adhesion between the base material and the functional film and/or the near-infrared reflective film, and the adhesion between the functional film and the near-infrared reflective film, the surface of the base material and the functional film may be subjected to corona treatment, plasma treatment, or the like. surface treatment may be applied.

上記の材料は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、監視カメラ、車載用カメラ、ウェブカメラ、無人航空機等の撮像装置において、モアレや偽色を低減するためのローパスフィルタや波長板の材料として使用される場合がある。 The above materials are used as materials for low-pass filters and wavelength plates to reduce moire and false colors in imaging devices such as digital still cameras, digital video cameras, surveillance cameras, vehicle-mounted cameras, web cameras, and unmanned aerial vehicles. may occur.

[光学フィルターの用途]
本発明の光学フィルターは、視野角が広く、赤色の感度が高く、ゴーストを改善した特性を有する。したがって、カメラモジュールのCCDやCMOSなどの固体撮像素子の視感度補正用として有用である。特に、デジタルスチルカメラ、携帯電話用カメラ、デジタルビデオカメラ、PCカメラ、監視カメラ、自動車用カメラ、テレビ、カーナビ、携帯情報端末、パソコン、ビデオゲーム機、携帯ゲーム機、指紋認証システム、距離測定センサー、虹彩認証システム、顔認証システム、距離測定カメラ、デジタルミュージックプレーヤー等に有用である。
[Applications of optical filters]
The optical filter of the present invention has characteristics of wide viewing angle, high red sensitivity, and improved ghost. Therefore, it is useful for visibility correction of solid-state imaging devices such as CCDs and CMOSs in camera modules. In particular, digital still cameras, mobile phone cameras, digital video cameras, PC cameras, surveillance cameras, automobile cameras, televisions, car navigation systems, personal digital assistants, personal computers, video game machines, portable game machines, fingerprint authentication systems, distance measurement sensors , iris recognition systems, face recognition systems, range finding cameras, digital music players, etc.

<固体撮像装置>
本発明の固体撮像装置は、本発明の光学フィルターを具備する。ここで、固体撮像装置とはCCDやCMOSなどといった固体撮像素子を備えたイメージセンサーである。固体撮像素子を構成する部材としては、シリコンフォトダイオードや有機半導体などの特定の波長の光を電荷に変換する光電変換素子が使用される。また、固体撮像素子を構成する画素には、少なくとも波長700~750nmの近赤外線に感度を有する画素を有する。
<Solid-state imaging device>
A solid-state imaging device of the present invention comprises the optical filter of the present invention. Here, the solid-state imaging device is an image sensor having a solid-state imaging device such as CCD or CMOS. Photoelectric conversion elements such as silicon photodiodes and organic semiconductors that convert light of a specific wavelength into electric charges are used as members constituting the solid-state imaging device. Further, the pixels constituting the solid-state imaging device have pixels sensitive to at least near-infrared rays with a wavelength of 700 to 750 nm.

本発明の固体撮像装置には、固体撮像素子の全面に位相差フィルム、ワイヤーグリッド等の偏光子を設けてもよい。偏光素子を設けた場合、画像の位相情報が得られ、被写体の反射光を除いた像や、被写体の形状を三次元計測が可能となりより好ましい。 In the solid-state imaging device of the present invention, a polarizer such as a retardation film or wire grid may be provided over the entire surface of the solid-state imaging device. When a polarizing element is provided, phase information of an image can be obtained, and an image excluding the reflected light of the object and the shape of the object can be three-dimensionally measured, which is more preferable.

<ワイヤーグリッド>
本発明の固体撮像素子に設けるワイヤーグリッドは、アルミニウム、ニッケル、銀、白金、タングステン、あるいはこれらの金属を含む合金等などを用いることができ、特開2017-003878号公報、特開2017-005111号公報に記載の偏光子を設けることが好ましい。
<Wire grid>
The wire grid provided in the solid-state imaging device of the present invention can be made of aluminum, nickel, silver, platinum, tungsten, or alloys containing these metals, etc. It is preferable to provide the polarizer described in the publication.

<カメラモジュール>
本発明のカメラモジュールは、本発明の光学フィルターを具備する。ここで、カメラモジュールとは、イメージセンサーや焦点調整機構、あるいは位相検出機構、距離測定機構等を備え、画像や距離情報を電気信号として出力する装置である。ここで、本発明の光学フィルターをカメラモジュールに用いる場合について具体的に説明する。カメラモジュール400の断面概略図9を示す。
<Camera module>
A camera module of the present invention comprises the optical filter of the present invention. Here, the camera module is a device that includes an image sensor, a focus adjustment mechanism, a phase detection mechanism, a distance measurement mechanism, or the like, and outputs an image and distance information as electrical signals. Here, the case where the optical filter of the present invention is used in a camera module will be specifically described. A cross-sectional schematic diagram 9 of the camera module 400 is shown.

本発明の光学フィルター1の場合、垂直方向から入射する光と、フィルター1の垂直方向に対して30°から入射する光の透過波長に大きな差はない(吸収(透過)波長の入射角依存性が小さい)ため、フィルター1は、レンズ301とセンサー302の間に具備してもセンサー全体の色味変化が少ない。このため、本発明の光学フィルター1をカメラモジュールに用いる場合には、より高角度入射に対応したレンズを用いることができ、カメラモジュールの低背化が可能となる。 In the case of the optical filter 1 of the present invention, there is no significant difference in transmission wavelength between light incident from the vertical direction and light incident at 30° to the vertical direction of the filter 1 (incidence angle dependency of absorption (transmission) wavelength is small), even if the filter 1 is provided between the lens 301 and the sensor 302, the color change of the entire sensor is small. Therefore, when the optical filter 1 of the present invention is used in a camera module, it is possible to use a lens that can handle a higher angle of incidence, and the height of the camera module can be reduced.

[ゴースト]
本発明における画質低下を起こすゴーストとは、被写体と撮像素子間の光学部品表面または裏面で反射した光が、他の部品等に反射し、本来の撮像位置とは異なる位置の撮像素子に入射した光が原因で発生する画像不良である。
[ghost]
A ghost that causes image quality deterioration in the present invention means that light reflected on the surface or back surface of an optical component between the subject and the image pickup device is reflected by other components, etc., and enters the image pickup device at a position different from the original image pickup position. This is an image defect caused by light.

図10に示すように、光学フィルター1の表面で反射した光がレンズでさらに反射し、光学フィルター1を透過し、センサー302に入射されるとき、ゴースト304として発生する。あるいはセンサー302から反射した光が光学フィルター1の裏面でさらに反射し、センサー302に入射されるとき、ゴースト305として発生する。 As shown in FIG. 10, when the light reflected by the surface of the optical filter 1 is further reflected by the lens, transmitted through the optical filter 1, and incident on the sensor 302, a ghost 304 is generated. Alternatively, when the light reflected from the sensor 302 is further reflected by the rear surface of the optical filter 1 and enters the sensor 302, a ghost 305 is generated.

従来の光学フィルターは、特に波長680~720nm近傍の反射が大きく、ゴースト発生の原因となっていた。しかし、本発明の光学フィルター1は、波長700nmにおける両面の反射率が10%以下であり、かつ、両面の(Za)の値が730nm以上であることから、波長700~(Za)nmの反射率は50%より低いこととなる。よって波長680~720nm近傍におけるフィルターの表面の反射が両面とも少ない。そのため、センサーに誤って入射されるゴースト304やゴースト305の発生が少なく、良好な画質が得られる。
図11はゴーストの一例である。
Conventional optical filters have a large reflection, especially in the vicinity of wavelengths of 680 to 720 nm, causing ghosts. However, the optical filter 1 of the present invention has a reflectance of 10% or less on both surfaces at a wavelength of 700 nm and a value of (Za) on both surfaces of 730 nm or more. The rate will be lower than 50%. Therefore, both surfaces of the filter have little reflection in the vicinity of wavelengths of 680 to 720 nm. Therefore, ghosts 304 and 305 that are erroneously incident on the sensor are less likely to occur, and good image quality can be obtained.
FIG. 11 is an example of a ghost.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。なお、「部」および「%」は、特に断りのない限り「質量部」および「質量%」を意味する。
実施例における各種物性の測定方法および評価方法は以下のとおりである。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. "Parts" and "%" mean "mass parts" and "mass%" unless otherwise specified.
Methods for measuring and evaluating various physical properties in Examples are as follows.

<透過率>
透過率は、(株)日立ハイテクノロジーズ社製の分光光度計「U-4100」を用いて測定した。基材や光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率は、図6のように光学フィルターに対し垂直に透過した無偏光光線を測定した。また、光学フィルターの面に対して垂直方向に対して30°の角度から測定した場合の透過率は、図7のようにフィルターの垂直方向に対して30°の角度で透過したP偏光光線およびS偏光光線を測定し、それらの平均より算出した。
<Transmittance>
The transmittance was measured using a spectrophotometer "U-4100" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation. The transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the base material or the optical filter was obtained by measuring a non-polarized light beam passing through the optical filter perpendicularly as shown in FIG. Also, the transmittance when measured at an angle of 30° with respect to the direction perpendicular to the surface of the optical filter is, as shown in FIG. S-polarized light was measured and calculated from their average.

なお、波長A~Bnmの透過率の平均値は、Anm以上Bnm以下の、1nm刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数(波長範囲、B-A+1)で除した値により算出した。 In addition, the average value of the transmittance at wavelengths A to B nm is obtained by measuring the transmittance at each wavelength of 1 nm or less from Anm to Bnm, and summing the transmittances. −A+1).

<反射率>
分光反射率は、(株)日立ハイテクノロジーズ社製の分光光度計「U-4100」を用いて、図8のように5°入射における無偏光光線の、光学フィルターの一方の面から入射した表面および裏面から反射される光の強度、ならびに、もう一方の面から入射した表面および裏面から反射される光の強度を絶対反射率測定法より測定した。
<Reflectance>
The spectral reflectance was measured using a spectrophotometer "U-4100" manufactured by Hitachi High-Technologies Co., Ltd., as shown in FIG. and the intensity of light reflected from the back surface, and the intensity of light reflected from the front surface and the back surface incident from the other surface were measured by absolute reflectometry.

なお、波長A~Bnmの反射率の平均値は、Anm以上Bnm以下の、1nm刻みの各波長における反射率を測定し、その反射率の合計を、測定した反射率の数(波長範囲、B-A+1)で除した値により算出した。 In addition, the average value of the reflectance of wavelengths A to B nm is obtained by measuring the reflectance at each wavelength in increments of 1 nm from A nm to B nm, and calculating the total reflectance as the number of measured reflectances (wavelength range, B −A+1).

<吸収剤の評価>
吸収剤の評価は、JSR(株)社製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、各種吸収剤を添加し、さらに塩化メチレンを加えて、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で8時間、さらに減圧下100℃で1時間乾燥後に剥離し、厚さ0.1mmの基材を得た。各種吸収剤の添加量は、得られる基材の吸収極大波長における透過率が10%となる濃度とした。得られた基材の透過率より、吸収極大波長、最短吸収極大波長、吸光度λ700、吸光度λ751、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値を算出した。
<Evaluation of absorbent>
The evaluation of the absorbent is carried out by adding various absorbents to 100 parts by mass of norbornene resin "ARTON" (refractive index 1.52, glass transition temperature 160 ° C.) manufactured by JSR Corporation, and then adding methylene chloride. A solution with a solid content of 30% by mass was obtained. Next, the obtained solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50° C. for 8 hours, and further dried at 100° C. under reduced pressure for 1 hour, and peeled off to obtain a substrate having a thickness of 0.1 mm. The amount of the various absorbents added was adjusted to a concentration at which the transmittance of the resulting base material at the maximum absorption wavelength was 10%. From the transmittance of the obtained base material, the absorption maximum wavelength, the shortest absorption maximum wavelength, the absorbance λ 700 , the absorbance λ 751 , and the absolute value of the difference between (Aa) and (Ab) were calculated.

<屈折率>
本明細書における種々の材料の屈折率は、特に指定が無い場合、波長550nmの値とした。
<Refractive index>
Unless otherwise specified, the refractive indices of various materials in this specification are values at a wavelength of 550 nm.

<ガラス転移温度>
エスアイアイ・ナノテクノロジーズ(株)社製の示差走査熱量計「DSC6200」を用いて、昇温速度:毎分20℃、窒素気流下で測定した。
<Glass transition temperature>
Using a differential scanning calorimeter "DSC6200" manufactured by SII Nanotechnologies Co., Ltd., the temperature was measured at a rate of temperature increase of 20°C per minute under a nitrogen stream.

<面内位相差R0
位相差計(王子計測機器(株)社製「KOBRA-HBR」)を用いて、実施例で得られた基材の550nmの位相差を測定し、面内位相差R0とした。
<In-plane retardation R 0 >
Using a phase difference meter (“KOBRA-HBR” manufactured by Oji Scientific Instruments Co., Ltd.), the 550 nm phase difference of the base material obtained in the example was measured and defined as an in-plane phase difference R 0 .

<緑の感度および近赤外線の感度評価>
光学フィルターによる可視光感度および近赤外線感度への効果として、図9(b)の構成とした撮像装置の評価に相当する数値として、光学フィルターの面から垂直方向から入射した際の波長別透過率T0(λ)および垂直方向から30度の角度で入射した波長別透過率T30(λ)を用いて以下の数式(i)~(v)より緑画素の感度、近赤外線画素の感度を算出した。
<Evaluation of green sensitivity and near-infrared sensitivity>
As the effect of the optical filter on the visible light sensitivity and near-infrared sensitivity, as a numerical value corresponding to the evaluation of the imaging device configured as shown in FIG. Using T 0 (λ) and transmittance T 30 (λ) for each wavelength incident at an angle of 30 degrees from the vertical direction, the sensitivity of the green pixel and the sensitivity of the near-infrared pixel can be calculated from the following equations (i) to (v). Calculated.

Figure 0007255600000014
Figure 0007255600000014

0は、太陽光線が光学フィルターの垂直方向から入射した際の緑の画素の感度を表し、具体的には、数式(i)に基づいて、光学フィルターの波長別透過率T0(λ)と、太陽光線の波長別強度I(λ)と、緑のセンサー画素の波長別感度G(λ)と、緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターの波長別透過率DT(λ)との積の1nm毎の計算値の総和として算出した。G 0 represents the sensitivity of the green pixel when sunlight enters the optical filter from the vertical direction . , the intensity of sunlight by wavelength I (λ), the sensitivity by wavelength G (λ) of the green sensor pixel, and the transmittance by wavelength DT (λ) of the two-wavelength region transmission filter that transmits green and near-infrared rays. It was calculated as the sum of calculated values for each 1 nm of the product of .

IR0は、太陽光線が光学フィルターの垂直方向から入射した際の近赤外線の画素の感度を表し、具体的には、数式(ii)に基づいて、光学フィルターの波長別透過率T0(λ)と、太陽光線の波長別強度I(λ)と、近赤外線のセンサー画素の波長別感度IR(λ)と、緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターの波長別透過率DT(λ)との積の1nm毎の計算値の総和として、算出した。IR 0 represents the sensitivity of a pixel to near - infrared rays when sunlight enters the optical filter from the vertical direction. ), the intensity of sunlight by wavelength I (λ), the sensitivity by wavelength IR (λ) of the near-infrared sensor pixel, and the transmittance by wavelength DT (λ ) and calculated as the sum of calculated values for each 1 nm.

30は、太陽光線が光学フィルターの垂直方向から30°の角度で入射した際の緑の画素の感度を表し、具体的には、数式(iii)に基づいて、光学フィルターの波長別透過率T0(λ)と、太陽光線の波長別強度I(λ)と、緑のセンサー画素の波長別感度G(λ)と、緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターの波長別透過率DT(λ)との積の1nm毎の計算値の総和として、算出した。G 30 represents the sensitivity of the green pixel when sunlight is incident on the optical filter at an angle of 30° from the vertical direction. T 0 (λ), intensity of sunlight by wavelength I (λ), sensitivity of green sensor pixel by wavelength G (λ), and transmittance by wavelength of dual wavelength region transmission filter that transmits green and near-infrared rays. It was calculated as the sum of calculated values for each 1 nm of the product with DT(λ).

IR30は、太陽光線が光学フィルターの垂直方向から30°の角度で入射した際の近赤外線の画素の感度を表し、具体的には、数式(iv)に基づいて、光学フィルターの波長別透過率T0(λ)と、太陽光線の波長別強度I(λ)と、近赤外線のセンサー画素の波長別感度IR(λ)と、緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターの波長別透過率DT(λ)との積の1nm毎の計算値の総和として、算出した。IR 30 represents the sensitivity of a pixel to near-infrared rays when sunlight is incident on the optical filter at an angle of 30° from the vertical direction. rate T 0 (λ), intensity I (λ) of sunlight at different wavelengths, sensitivity IR (λ) of near-infrared sensor pixels at different wavelengths, and wavelengths of dual-wavelength transmission filters that transmit green and near-infrared rays. It was calculated as the sum of the calculated values for each 1 nm of the product with the transmittance DT(λ).

Nは、緑画素における波長800~1200nmのノイズ量を表し、具体的には、数式(v)に基づいて、光学フィルターの波長別透過率T0(λ)と、太陽光線の波長別強度I(λ)と、近赤外線のセンサー画素の波長別感度IR(λ)と、緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターの波長別透過率DT(λ)との積の1nm毎の計算値の総和として、算出した。G N represents the amount of noise in the green pixel at a wavelength of 800 to 1200 nm. Calculation of the product of I (λ), the sensitivity IR (λ) by wavelength of the near-infrared sensor pixel, and the transmittance DT (λ) by wavelength of the dual wavelength region transmission filter that transmits green and near infrared rays for each 1 nm Calculated as the sum of the values.

太陽光線の波長別強度I(λ)は、図3に示す通り、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構が公開している、ある日時の岐阜の照射量データを、最大強度が1.0となるように規格化した値を用いた。緑と近赤外線の各センサー画素の波長別感度は、特開2017-216678号公報の記載に基づき、図4に示す値を用いた。 As shown in Fig. 3, the intensity of sunlight by wavelength I(λ) is calculated based on the irradiation dose data in Gifu on a certain date and time published by the National Research and Development Agency New Energy and Industrial Technology Development Organization, with a maximum intensity of 1 A value normalized to 0.0 was used. Based on the description of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-216678, the values shown in FIG. 4 were used for the sensitivity by wavelength of each sensor pixel for green and near-infrared rays.

緑と近赤外線を透過する二波長領域透過フィルターは、ガラス基材(SCHOTT社製D263、厚み0.1mm)の一方の面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で、表2に示す設計(0) [シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]の誘電体多層膜を形成することで得た。二波長領域透過フィルターの波長別透過率DT(λ)を図5に示す。A dual-wavelength region transmission filter that transmits green and near-infrared rays was applied to one surface of a glass substrate (SCHOTT D263, thickness 0.1 mm) using an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120 ° C. Design (0) shown in 2. Dielectric of [silica (SiO 2 : refractive index 1.46 at 550 nm) layers and titania (TiO 2 : refractive index 2.48 at 550 nm) layers are alternately laminated] It was obtained by forming a multilayer film. FIG. 5 shows the wavelength-dependent transmittance DT(λ) of the dual-wavelength transmission filter.

得られた画素感度より、下記要件(Xa)および(Xb)を共に満たす光学フィルターは、緑画素において高入射角時おいても感度の変化量が少なく、人間の視感度の低い波長800~1200nmのノイズ量が少なく、緑の感度〇とした。要件(Xa)および(Xb)を共に満たす光学フィルターでないものは、緑の感度×とした。
要件(Xa)0.8≦G30/G0≦1.2
要件(Xb)GN/G0≦ 0.05
From the obtained pixel sensitivity, an optical filter that satisfies both the following requirements (Xa) and (Xb) has a small amount of change in sensitivity even at a high incident angle in green pixels, and a wavelength of 800 to 1200 nm, which has low human visibility. The amount of noise was small, and the green sensitivity was set to 〇. An optical filter that does not satisfy both the requirements (Xa) and (Xb) was evaluated as x for green sensitivity.
Requirement (Xa) 0.8≤G30 / G0≤1.2
Requirement (Xb) G N /G 0 ≤ 0.05

また、下記要件(Y)および(Z)を共に満たす光学フィルターは、緑画素対比の近赤外線感度が高く、また広視野角時においても近赤外線感度の変化量が少ないことから近赤外線感度〇とした。要件(Y)を満たさない場合、IR0はG0対比約5倍以上センサー感度を上げる必要があり、ノイズ量も5倍以上に増大することが予想される。また要件(Z)を満たさない場合ではIR30においてIR0対比0.2倍感度が変動する。即ち要件(Y)および(Z)を満たさない場合、太陽光源の下におけるセンシング時にIR30のノイズ量をオフセットすることが困難となる。このことから要件(Y)および(Z)を共に満たす光学フィルターでないものは近赤外線感度×とした。
要件(Y)IR0/G0が0.21以上
要件(Z) 0.8≦IR30/IR0≦1.2
An optical filter that satisfies both the following requirements (Y) and (Z) has high near-infrared sensitivity compared to green pixels, and the change in near-infrared sensitivity is small even at wide viewing angles. bottom. If the requirement (Y) is not satisfied, IR 0 needs to increase the sensor sensitivity by about 5 times or more compared to G 0 , and it is expected that the amount of noise will also increase by 5 times or more. Also, when the requirement (Z) is not satisfied, the sensitivity at IR 30 fluctuates by 0.2 times that of IR 0 . That is, if the requirements (Y) and (Z) are not met, it will be difficult to offset the amount of noise in the IR 30 during sensing under a solar light source. For this reason, optical filters that do not satisfy both the requirements (Y) and (Z) were given the near-infrared sensitivity x.
Requirement (Y) IR 0 /G 0 is 0.21 or more Requirement (Z) 0.8≦IR 30 /IR 0 ≦1.2

<ゴースト評価>
撮像装置(シキノハイテック社製「KBCR-M04VG」)に用いられているレンズとセンサーの間に、得られた光学フィルターを具備した撮像装置を構築した。周囲の迷光を遮蔽する環境の下、画像を横方向に5分割し左から右へ1~5行とし、縦方向に5分割した際の上から下へ1~5列とした場合に、ハロゲン光源(朝日分光(株)社製「ALA-100」)が2行-4列の位置となるように撮像した。その際に、1行-5列の領域に発生するゴーストにおいて、赤の感度が80以上である領域をゴーストの領域とし、その面積を評価した。1行-5列の領域の20%以下であるものをゴースト性能〇とし、20%を超えるものをゴースト性能×とした。
<Ghost evaluation>
An imaging device ("KBCR-M04VG" manufactured by Shikino Hitec Co., Ltd.) was constructed by using the obtained optical filter between the lens and the sensor. Under an environment that shields the surrounding stray light, when the image is divided horizontally into 5 with 1 to 5 rows from left to right and 1 to 5 rows from top to bottom when vertically divided into 5, halogen The image was taken so that the light source ("ALA-100" manufactured by Asahi Spectrosco Co., Ltd.) was located at the position of 2 rows and 4 columns. At this time, in the ghost generated in the 1st row-5th column region, the region having a red sensitivity of 80 or more was defined as the ghost region, and the area thereof was evaluated. A ghost performance of 20% or less in the 1st row-5th column region was evaluated as ◯, and a ghost performance of more than 20% was evaluated as x.

[実施例1]
JSR(株)製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、下記式(14)で表わされる化合物(14)(吸収極大波長;887nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:94nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.08、吸光度λ751/吸光度λmax:0.31)0.078質量部、およびフェノール系酸化防止剤(ADEKA社製、「アデカスタブAO-20」)0.05質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で8時間、さらに減圧下100℃で1時間乾燥後に剥離した。この樹脂フィルムを180℃で延伸することで、厚さ0.1mm、一辺が60mm、面内位相差Roが5nmである基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、1.3であり条件(c)を満たしていた。
[Example 1]
Compound (14) represented by the following formula (14) (absorption maximum wavelength: 887 nm, the above ( Absolute value of difference between Aa) and (Ab): 94 nm, absorbance λ700 /absorbance λmax : 0.08, absorbance λ751 /absorbance λmax : 0.31) 0.078 parts by mass, and a phenolic antioxidant 0.05 part by mass of ("adekastab AO-20" manufactured by ADEKA) was added, and further methylene chloride was added to dissolve, to obtain a solution with a solid content of 30% by mass. Then, the resulting solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50° C. for 8 hours, further dried at 100° C. under reduced pressure for 1 hour, and then peeled off. By stretching this resin film at 180° C., a substrate having a thickness of 0.1 mm, a side length of 60 mm and an in-plane retardation Ro of 5 nm was obtained. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness” of 1.3, satisfying the condition (c).

Figure 0007255600000015
Figure 0007255600000015

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を、それぞれ設計(1)および設計(2)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.107mmの光学フィルターを得た。前記設計(1)および設計(2)を表2に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。Design (1) and design (2) [silica (SiO 2 : layers with a refractive index of 1.46 at 550 nm and titania (TiO 2 : layers with a refractive index of 2.48 at 550 nm) are alternately laminated] to obtain an optical filter with a thickness of 0.107 mm. . Design (1) and Design (2) are shown in Table 2. Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定した、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1および図12に示す。
この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度〇、近赤外線の感度〇であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置に好適であった。
Table 1 and FIG. 12 show the results of the requirements (A) to (E) and (Za), which were obtained by measuring the transmittance and reflectance of the obtained optical filter.
As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was ◯. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter was suitable for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[実施例2]
実施例1における化合物(14)を下記式(15)で表わされる化合物(15)(吸収極大波長;898nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:110nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.05、吸光度λ751/吸光度λmax:0.1)0.05質量部に変えた他は同様の手順で、基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、0.74であり条件(c)を満たしていた。
[Example 2]
Compound (14) in Example 1 was replaced with compound (15) represented by the following formula (15) (maximum absorption wavelength: 898 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 110 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.05, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.1) A substrate was obtained in the same manner except that the ratio was changed to 0.05 parts by mass. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness” of 0.74, which satisfied the condition (c).

Figure 0007255600000016
Figure 0007255600000016

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を設計(2)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.107mmの光学フィルターを得た。前記設計(2)を表2に示す。On both sides of the obtained base material, using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was designed at a vapor deposition temperature of 120° C. (2) [Silica (SiO 2 : refractive index 1.0 at 550 nm). 46) layer and titania (TiO 2 : refractive index 2.48 at 550 nm) layer] to obtain an optical filter having a thickness of 0.107 mm. The design (2) is shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定した、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 shows the results of the requirements (A) to (E) and (Za), which were obtained by measuring the transmittance and reflectance of the obtained optical filter. Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度〇、近赤外線の感度〇であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置に好適であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was ◯. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter was suitable for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[実施例3]
実施例1における化合物(14)を下記式(16)で表わされる化合物(16)(吸収極大波長;897nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:134nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.1、吸光度λ751/吸光度λmax:0.2)0.064質量部に変えた他は同様の手順で、基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、0.32であり条件(c)を満たしていた。
[Example 3]
Compound (14) in Example 1 was replaced with compound (16) represented by the following formula (16) (maximum absorption wavelength: 897 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 134 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.1, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.2) A base material was obtained in the same procedure except that it was changed to 0.064 parts by mass. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye density×dye medium thickness” of 0.32, which satisfied the condition (c).

Figure 0007255600000017
Figure 0007255600000017

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を設計(3)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.104mmの光学フィルターを得た。前記設計(3)を表2に示す。On both sides of the obtained base material, using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was designed at a vapor deposition temperature of 120° C. (3) [Silica (SiO 2 : refractive index 1.0 at 550 nm). 46) layer and titania (TiO 2 : refractive index 2.48 at 550 nm) layer] to obtain an optical filter having a thickness of 0.104 mm. The design (3) is shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定した、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 shows the results of the requirements (A) to (E) and (Za), which were obtained by measuring the transmittance and reflectance of the obtained optical filter. Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度〇、近赤外線の感度〇であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置に好適であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was ◯. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter was suitable for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[実施例4]
実施例1における化合物(14)を下記式(17)で表わされる化合物(17)(吸収極大波長;844nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:84nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.08、吸光度λ751/吸光度λmax:0.26)0.05質量部に変えた他は同様の手順で、基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、0.54であり条件(c)を満たしていた。
[Example 4]
Compound (14) in Example 1 was replaced with compound (17) represented by the following formula (17) (maximum absorption wavelength: 844 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 84 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.08, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.26) A substrate was obtained in the same manner except that the ratio was changed to 0.05 parts by mass. "(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye density×dye medium thickness" of the obtained substrate was 0.54, which satisfied the condition (c).

Figure 0007255600000018
Figure 0007255600000018

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を設計(3)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.104mmの光学フィルターを得た。前記設計(3)を表2に示す。On both sides of the obtained base material, using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was designed at a vapor deposition temperature of 120° C. (3) [Silica (SiO 2 : refractive index 1.0 at 550 nm). 46) layer and titania (TiO 2 : refractive index 2.48 at 550 nm) layer] to obtain an optical filter having a thickness of 0.104 mm. The design (3) is shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定した、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 shows the results of the requirements (A) to (E) and (Za), which were obtained by measuring the transmittance and reflectance of the obtained optical filter. Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度〇、近赤外線の感度〇であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置に好適であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was ◯. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter was suitable for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[実施例5]
実施例1における化合物(14)の量を0.07質量部に変えた他は同様の手順で、基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、1.1であり条件(c)を満たしていた。
[Example 5]
A substrate was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount of compound (14) in Example 1 was changed to 0.07 parts by mass. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness” of 1.1, which satisfied the condition (c).

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜をそれぞれ設計(4)および設計(5)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.104mmの光学フィルターを得た。前記設計(4)、(5)を表2に示す。On both sides of the obtained substrate, using an ion-assisted vacuum deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was formed at a deposition temperature of 120 ° C. (4) and (5) [Silica (SiO 2 : A 550 nm refractive index 1.46) layer and a titania (TiO 2 : 550 nm refractive index 2.48) layer are laminated alternately] to obtain an optical filter having a thickness of 0.104 mm. The designs (4) and (5) are shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定した、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1および図13に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 and FIG. 13 show the results of the requirements (A) to (E) and (Za), which were obtained by measuring the transmittance and reflectance of the obtained optical filter. Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度〇、近赤外線の感度〇であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置に好適であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was ◯. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter was suitable for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[実施例6]
厚さ0.1mmのガラス板(SCHOTT社製D263)に、下記樹脂組成物(1)をスピンコートで塗布した後、ホットプレート上80℃で2分間加熱し、溶剤を揮発除去することで硬化層を形成した。この際、該硬化層の膜厚が0.8μm程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。
[Example 6]
After applying the following resin composition (1) to a glass plate (D263 manufactured by SCHOTT) with a thickness of 0.1 mm by spin coating, it is heated on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes and cured by volatilizing and removing the solvent. formed a layer. At this time, the coating conditions of the spin coater were adjusted so that the film thickness of the cured layer was about 0.8 μm.

樹脂組成物(1):イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート(商品名:アロニックスM-315、東亜合成化学(株)製)30部、1,9-ノナンジオールジアクリレート20部、メタクリル酸20部、メタクリル酸グリシジル30部、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン5部、1-ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン(商品名:IRGACURE184、チバ・スペシャリティ・ケミカル(株)製)5部及びサンエイドSI-110主剤(三新化学工業(株)製)1部を混合し、固形分濃度が50質量%になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後、孔径0.2μmのミリポアフィルタでろ過した溶液。 Resin composition (1): isocyanuric acid ethylene oxide-modified triacrylate (trade name: Aronix M-315, manufactured by Toagosei Chemical Co., Ltd.) 30 parts, 1,9-nonanediol diacrylate 20 parts, methacrylic acid 20 parts, 30 parts of glycidyl methacrylate, 5 parts of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 5 parts of 1-hydroxycyclohexylbenzophenone (trade name: IRGACURE 184, manufactured by Chiba Specialty Chemical Co., Ltd.) and San-Aid SI-110 main agent (Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.) was mixed, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration was 50% by mass, and then filtered through a Millipore filter having a pore size of 0.2 μm.

JSR(株)製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、上記式(14)で表わされる化合物(14)0.7質量部、およびフェノール系酸化防止剤(ADEKA社製「アデカスタブAO-20」)0.1質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて10%の溶液(A)を得た。前記硬化層の上に、スピンコーターにより乾燥後の膜厚が0.01mmとなるように前記溶液(A)を塗布し、ホットプレート上80℃で30分間加熱し、溶剤を揮発除去することで、樹脂層を形成した。次いで、ガラス板側からUVコンベア式露光機を用いて露光(露光量:500mJ/cm2、照度:200mW)し、その後オーブン中210℃で5分間焼成し、ガラス基板と樹脂層からなる基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、1.3であり条件(c)を満たしていた。To 100 parts by mass of norbornene resin "ARTON" (refractive index 1.52, glass transition temperature 160 ° C.) manufactured by JSR Corporation, 0.7 parts by mass of the compound (14) represented by the above formula (14), and a phenolic 0.1 part by mass of an antioxidant ("ADEKA STAB AO-20" manufactured by ADEKA) was added, and further methylene chloride was added to dissolve the solution to obtain a solution (A) having a solid content of 10% by mass. On the cured layer, the solution (A) is applied with a spin coater so that the film thickness after drying is 0.01 mm, heated on a hot plate at 80 ° C. for 30 minutes, and the solvent is removed by volatilization. , to form a resin layer. Next, the substrate was exposed from the glass plate side using a UV conveyor type exposure machine (exposure amount: 500 mJ/cm 2 , illuminance: 200 mW) and then baked in an oven at 210°C for 5 minutes to form a base material consisting of a glass substrate and a resin layer. got The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness” of 1.3, satisfying the condition (c).

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を、それぞれ設計(4)および設計(5)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.104mmの光学フィルターを得た。前記設計(4)、(5)を表2に示す。Using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was formed on both sides of the obtained substrate at a vapor deposition temperature of 120° C. (Design (4) and Design (5) [Silica (SiO 2 : layers with a refractive index of 1.46 at 550 nm and titania (TiO 2 : layers with a refractive index of 2.48 at 550 nm) are alternately laminated] to obtain an optical filter with a thickness of 0.104 mm. . The designs (4) and (5) are shown in Table 2.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度〇、近赤外線の感度〇であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置に好適であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was ◯. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter was suitable for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例1]
JSR(株)製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、QCR Solutions社製の吸収剤「NIR829A」(吸収極大波長;840nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:90nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.15、吸光度λ751/吸光度λmax:0.38であり、条件(a)を満たしていない。)0.113質量部、およびフェノール系酸化防止剤(ADEKA社製、「アデカスタブAO-20」)0.05質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で8時間、さらに減圧下100℃で1時間乾燥後に剥離した。この樹脂フィルムを150℃で延伸することで、厚さ0.1mm、一辺が60mm、面内位相差Roが5nmである基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、1.2であり条件(c)を満たしていた。
[Comparative Example 1]
100 parts by mass of norbornene resin "ARTON" (refractive index 1.52, glass transition temperature 160 ° C.) manufactured by JSR Corporation, absorbent "NIR829A" manufactured by QCR Solutions (maximum absorption wavelength: 840 nm, above (Aa) Absolute value of difference between (Ab) and (Ab): 90 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.15, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.38, which does not satisfy condition (a)). 113 parts by mass, and 0.05 parts by mass of a phenolic antioxidant (ADEKA Co., Ltd., "ADEKA STAB AO-20") are added, and methylene chloride is added to dissolve, and the solid content is 30% by mass. got Then, the resulting solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50° C. for 8 hours, further dried at 100° C. under reduced pressure for 1 hour, and then peeled off. By stretching this resin film at 150° C., a substrate having a thickness of 0.1 mm, a side length of 60 mm, and an in-plane retardation Ro of 5 nm was obtained. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness” of 1.2, satisfying the condition (c).

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を、それぞれ設計(7)および設計(6)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.106mmの光学フィルターを得た。前記設計(6)および設計(7)を表2に示す。Using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was formed on both sides of the obtained substrate at a vapor deposition temperature of 120° C. (Design (7) and Design (6) [Silica (SiO 2 : layers with a refractive index of 1.46 at 550 nm and titania (TiO 2 : layers with a refractive index of 2.48 at 550 nm) are alternately laminated] to obtain an optical filter with a thickness of 0.106 mm. . Design (6) and Design (7) are shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1および図14に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 and FIG. 14 show the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は〇であったが、近赤外線の感度は×であった。また、得られた光学フィルターのゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯, but the near-infrared sensitivity was x. Further, the obtained optical filter was evaluated for ghost, and the ghost performance was ◯. The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例2]
温度計、撹拌器、窒素導入管、側管付き滴下ロート、ディーンスターク管および冷却管を備えた500mLの5つ口フラスコに、窒素気流下、1,4-ビス(4-アミノ-α,α-ジメチルベンジル)ベンゼン27.66g(0.08モル)および4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル7.38g(0.02モル)をγ-ブチロラクトン68.65g及びN,N-ジメチルアセトアミド17.16gに溶解させた。得られた溶液を、氷水バスを用いて5℃に冷却した。同温に保ちながら1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物22.62g(0.1モル)およびイミド化触媒としてトリエチルアミン0.50g(0.005モル)を前記溶液に一括添加した。添加終了後、180℃に昇温し、随時留出液を留去させながら、6時間還流させた。反応終了後、内温が100℃になるまで空冷した後、N,N-ジメチルアセトアミド143.6gを加えて希釈し、攪拌しながら冷却することにより、固形分濃度20質量%のポリイミド樹脂溶液264.16gを得た。このポリイミド樹脂溶液の一部を1Lのメタノール中に注ぎ入れてポリイミド樹脂を沈殿させた。濾別したポリイミド樹脂をメタノールで洗浄した後、100℃の真空乾燥機中で24時間乾燥させて白色粉末状のポリイミド樹脂を得た。得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度310℃であった。
[Comparative Example 2]
1,4-bis(4-amino-α,α -Dimethylbenzyl)benzene 27.66 g (0.08 mol) and 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl 7.38 g (0.02 mol) were mixed with γ-butyrolactone 68.65 g and N,N-dimethyl. Dissolved in 17.16 g of acetamide. The resulting solution was cooled to 5°C using an ice water bath. While maintaining the same temperature, 22.62 g (0.1 mol) of 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride and 0.50 g (0.005 mol) of triethylamine as an imidization catalyst were added all at once to the solution. bottom. After the addition was completed, the temperature was raised to 180° C., and the mixture was refluxed for 6 hours while distilling off the distillate as needed. After completion of the reaction, the internal temperature was air-cooled to 100 ° C., diluted by adding 143.6 g of N,N-dimethylacetamide, and cooled with stirring to obtain a polyimide resin solution 264 with a solid content concentration of 20% by mass. .16 g was obtained. A portion of this polyimide resin solution was poured into 1 L of methanol to precipitate the polyimide resin. The filtered polyimide resin was washed with methanol and then dried in a vacuum dryer at 100° C. for 24 hours to obtain a white powdery polyimide resin. The glass transition temperature of the resulting polyimide resin was 310°C.

得られたポリイミド樹脂100質量部に、前記式(4)におけるR1が水素基、R1'がメチル基、R2が水素基、R3がiso-プロピル基、R4が水素基、R5が水素基、R6がメチル基のスクアリリウム系吸収剤(吸収極大波長は770nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:82nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.4、吸光度λ751/吸光度λmax:0.9であり、条件(a)を満たしていない)0.05質量部、および前記式(7-1)におけるRdi1~Rdi8がtert-ブチル基、Rdi9~Rdi12が水素基、アニオン(X-)がビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドアニオンであるジイモニウム系吸収剤(吸収極大波長;1094nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:124nm)0.0005質量部を加え、さらにN,N-ジメチルアセトアミドを加えて溶解し、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で8時間、さらに減圧下140℃で1時間乾燥後に剥離し、厚さ0.05mm、一辺が60mmの基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、0.45であり条件(c)を満たしていた。In 100 parts by mass of the obtained polyimide resin, R 1 in the formula (4) is a hydrogen group, R 1' is a methyl group, R 2 is a hydrogen group, R 3 is an iso-propyl group, R 4 is a hydrogen group, R A squarylium-based absorbent in which 5 is a hydrogen group and R 6 is a methyl group (maximum absorption wavelength is 770 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 82 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.4, Absorbance λ 751 / Absorbance λ max : 0.9, which does not satisfy the condition (a)) 0.05 parts by mass, and Rdi1 to Rdi8 in the formula (7-1) are tert-butyl groups, Rdi9 to Rdi12 is a hydrogen group, and the anion (X ) is a bis(trifluoromethanesulfonyl)imide anion (absorption maximum wavelength: 1094 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 124 nm) 0.0005 Parts by mass were added, and N,N-dimethylacetamide was further added and dissolved to obtain a solution with a solid content of 30% by mass. Next, the resulting solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50°C for 8 hours, and further dried at 140°C under reduced pressure for 1 hour, and then peeled off to obtain a substrate having a thickness of 0.05 mm and a side of 60 mm. rice field. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye density×dye medium thickness” of 0.45, satisfying the condition (c).

得られた基材の両面に、重合開始剤2質量部を含むアクリレート系紫外線硬化性ハードコート剤(JSR(株)製「デソライトZ-7524」)をメチルエチルケトンにて希釈して固形分濃度を45質量%とした溶液をコーターバー(安田精機製作所製オートマチックフィルムアプリケーター、型番No.542-AB)により塗布した。これを80℃で3分間乾燥後、アイグラフィックス社製のUVコンベア紫外線硬化装置「US2-X040560Hz」を用い、窒素雰囲気化、メタルハライドランプ照度270mW/cm2、積算光量150mJ/cm2 でUV硬化させることで、樹脂フィルムの両面に厚さ1μmのハードコート層を有する、厚さ0.052mmの積層体を得た。An acrylate UV-curable hard coating agent ("Desolite Z-7524" manufactured by JSR Corporation) containing 2 parts by mass of a polymerization initiator was diluted with methyl ethyl ketone to a solid concentration of 45 on both sides of the obtained base material. The solution adjusted to % by mass was applied using a coater bar (Automatic film applicator manufactured by Yasuda Seiki Seisakusho, Model No. 542-AB). After drying this at 80° C. for 3 minutes, UV curing was performed using a UV conveyor ultraviolet curing device “US2-X040560Hz” manufactured by igraphics in a nitrogen atmosphere, with a metal halide lamp illuminance of 270 mW/cm 2 and an integrated light intensity of 150 mJ/cm 2 . As a result, a laminate having a thickness of 0.052 mm and having a hard coat layer having a thickness of 1 μm on both sides of the resin film was obtained.

得られた積層体の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を、それぞれ設計(8)および設計(6)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.056mmの光学フィルターを得た。前記設計(8)および設計(6)を表2に示す。On both surfaces of the obtained laminate, using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was formed at a vapor deposition temperature of 120° C. (8) and (6) [silica (SiO 2 ) ], respectively. : Layers with a refractive index of 1.46) at 550 nm and titania (TiO 2 : layers with a refractive index of 2.48 at 550 nm) are laminated alternately] to obtain an optical filter with a thickness of 0.056 mm. . Design (8) and Design (6) are shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 shows the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は〇、近赤外線の感度は×であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was x. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例3]
3Lの4つ口フラスコに2,6-ジフルオロベンゾニトリル35.12g(0.253mol)、9,9-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレン87.60g(0.250mol)、炭酸カリウム41.46g(0.300mol)、N,N-ジメチルアセトアミド(以下「DMAc」ともいう。)443gおよびトルエン111gを添加した。続いて、4つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、ディーンスターク管および冷却管を取り付けた。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を140℃で3時間反応させ、生成する水をディーンスターク管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を160℃まで上昇させ、そのままの温度で6時間反応させた。室温(25℃)まで冷却後、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物(残渣)を単離した。得られたろ物を60℃で一晩真空乾燥し、ポリエーテル樹脂を得た。得られたポリエーテル樹脂の屈折率は1.60、ガラス転移温度285℃であった。
[Comparative Example 3]
35.12 g (0.253 mol) of 2,6-difluorobenzonitrile, 87.60 g (0.250 mol) of 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene, 41.46 g of potassium carbonate ( 0.300 mol), 443 g of N,N-dimethylacetamide (hereinafter also referred to as "DMAc") and 111 g of toluene were added. Subsequently, the four-necked flask was equipped with a thermometer, a stirrer, a three-way cock with a nitrogen inlet tube, a Dean-Stark tube and a cooling tube. Then, after the inside of the flask was replaced with nitrogen, the obtained solution was reacted at 140° C. for 3 hours, and the generated water was removed from the Dean-Stark tube at any time. When the formation of water was no longer observed, the temperature was gradually raised to 160° C., and the reaction was carried out at that temperature for 6 hours. After cooling to room temperature (25° C.), the produced salt was removed with a filter paper, the filtrate was poured into methanol to reprecipitate, and the filtrate (residue) was isolated by filtration. The obtained filter cake was vacuum-dried at 60° C. overnight to obtain a polyether resin. The resulting polyether resin had a refractive index of 1.60 and a glass transition temperature of 285°C.

得られたポリエーテル樹脂100質量部に、H.W.SANDS社製の吸収剤「SDB4927」(吸収極大波長;825nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:98nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.1、吸光度λ751/吸光度λmax:0.3)0.05質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて15%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑な厚さ0.1mmのガラス板(SCHOTT社製D263)上にスピンコートし、50℃で8時間、さらに減圧下150℃で1時間乾燥し、厚さ0.01mmの樹脂層を形成することにより、ガラス板と樹脂層を含む、一辺が60mmの基材を得た。得られた基材の面内位相差Roは8nmであった。To 100 parts by mass of the obtained polyether resin, H.I. W. Absorbent "SDB4927" manufactured by SANDS (maximum absorption wavelength: 825 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 98 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.1, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.3) 0.05 parts by mass was added, and further methylene chloride was added and dissolved to obtain a solution with a solid content of 15% by mass. The resulting solution was then spin-coated onto a smooth glass plate (SCHOTT D263) with a thickness of 0.1 mm, dried at 50° C. for 8 hours, and then dried under reduced pressure at 150° C. for 1 hour to give a thickness of 0.1 mm. By forming a resin layer of 01 mm, a substrate having a side of 60 mm including the glass plate and the resin layer was obtained. The in-plane retardation Ro of the obtained substrate was 8 nm.

続いて、得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を設計(7)および設計(6)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.116mmの光学フィルターを得た。前記設計(7)および設計(6)を表2に示す。Subsequently, using an ion-assisted vacuum deposition apparatus, design (7) and design (6) [silica (SiO 2 : a layer with a refractive index of 1.46 at 550 nm and a layer of titania (TiO 2 : with a refractive index of 2.48 at 550 nm)] to obtain an optical filter with a thickness of 0.116 mm. rice field. Design (7) and Design (6) are shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。
Table 1 shows the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は〇、近赤外線の感度は×であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was x. Also, as a result of conducting a ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例4]
JSR(株)製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、FewChemicals社製の吸収剤「S-2084」(吸収極大波長;667nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:26nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.06、吸光度λ751/吸光度λmax:0.0であり、条件(b)を満たしていない)0.0087質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で8時間、さらに減圧下140℃で3時間乾燥後に剥離し、厚さ0.1mm、一辺が60mmの基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、1.26であり条件(c)を満たしていた。
[Comparative Example 4]
100 parts by mass of norbornene resin "ARTON" (refractive index 1.52, glass transition temperature 160 ° C.) manufactured by JSR Corporation, absorbent "S-2084" manufactured by FewChemicals (maximum absorption wavelength: 667 nm, above (Aa ) and (Ab): 26 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.06, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.0, which does not satisfy the condition (b)) 0. 0087 parts by mass was added, and further methylene chloride was added to dissolve, to obtain a solution with a solid content of 30% by mass. Next, the obtained solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50°C for 8 hours, and further dried at 140°C under reduced pressure for 3 hours, and then peeled off to obtain a substrate having a thickness of 0.1 mm and a side of 60 mm. rice field. "(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness" of the obtained substrate was 1.26, which satisfied the condition (c).

続いて、得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を、それぞれ設計(1)および設計(9)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.106mmの光学フィルターを得た。前記設計(1)および設計(9)を表2に示す。Subsequently, on both sides of the obtained substrate, using an ion-assisted vacuum deposition apparatus, a near-infrared reflective film composed of a dielectric multilayer film was formed at a deposition temperature of 120 ° C. (Design (1) and Design (9) [Silica (SiO 2 : 550 nm refractive index 1.46) layers and titania (TiO 2 : 550 nm refractive index 2.48) layers are alternately laminated] and has a thickness of 0.106 mm. got Design (1) and Design (9) are shown in Table 2.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1および図15に示す。なお、波長700nmでの反射率は10%を超えていた。 Table 1 and FIG. 15 show the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). In addition, the reflectance at a wavelength of 700 nm exceeded 10%.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は〇、近赤外線の感度は×であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は×であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was x. As a result of the ghost evaluation, the ghost performance was x. The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例5]
JSR(株)製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、(株)林原社製の吸収剤「SMP-54」(吸収極大波長;721nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:65nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.53、吸光度λ751/吸光度λmax:0.08であり、条件(a)および(b)を満たしていない)0.05質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で3時間、さらに減圧下100℃で3時間乾燥後に剥離し、厚さ0.1mm、一辺が60mmの基材を得た。得られた基材の「(950-最短吸収極大波長)×色素濃度×色素媒体厚さ」は、1.15であり条件(c)を満たしていた。
[Comparative Example 5]
Norbornene resin "ARTON" manufactured by JSR Corporation (refractive index 1.52, glass transition temperature 160 ° C.) 100 parts by mass, absorber "SMP-54" manufactured by Hayashibara Co., Ltd. (maximum absorption wavelength: 721 nm, The absolute value of the difference between (Aa) and (Ab): 65 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.53, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.08, and conditions (a) and (b) not satisfied) was added, and further methylene chloride was added and dissolved to obtain a solution with a solid content of 30% on a mass basis. Next, the obtained solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50°C for 3 hours, and further dried at 100°C under reduced pressure for 3 hours, and then peeled off to obtain a substrate having a thickness of 0.1 mm and a side of 60 mm. rice field. The obtained base material had a value of “(950−shortest absorption maximum wavelength)×dye concentration×dye medium thickness” of 1.15, satisfying the condition (c).

得られた基材の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を、それぞれ設計(2)および設計(10)[シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.45、膜厚37~194nm)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.45、膜厚11~108nm)層とが交互に積層されてなるもの]で形成し、厚さ0.106mmの光学フィルターを得た。Using an ion-assisted vacuum vapor deposition apparatus, a near-infrared reflective film consisting of a dielectric multilayer film was formed on both sides of the obtained substrate at a vapor deposition temperature of 120° C. (2) and (10) [silica (SiO 2 : refractive index 1.45 at 550 nm, thickness 37-194 nm) and titania (TiO 2 : refractive index 2.45 at 550 nm, thickness 11-108 nm) layer]. , an optical filter with a thickness of 0.106 mm was obtained.

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1に示す。なお、波長700nmでの反射率は10%を超えていた。 Table 1 shows the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). In addition, the reflectance at a wavelength of 700 nm exceeded 10%.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は〇、近赤外線の感度は×であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は×であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was x. As a result of the ghost evaluation, the ghost performance was x. The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例6]
JSR(株)製のノルボルネン樹脂「ARTON」(屈折率1.52、ガラス転移温度160℃)100質量部に、前記化合物(15)0.05質量部および下記式(18)で表わされる化合物(18)(吸収極大波長;1064nm、前記(Aa)と(Ab)の差の絶対値:139nm、吸光度λ700/吸光度λmax:0.05、吸光度λ751/吸光度λmax:0.1)0.04質量部を加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が質量基準にて30%の溶液を得た。次いで、得られた溶液を平滑なガラス板上にキャスト成形し、50℃で3時間、さらに減圧下100℃で3時間乾燥後に剥離し、厚さ0.1mm、一辺が60mmの光学フィルターを得た。
[Comparative Example 6]
To 100 parts by mass of norbornene resin "ARTON" (refractive index 1.52, glass transition temperature 160° C.) manufactured by JSR Corporation, 0.05 parts by mass of the compound (15) and the compound represented by the following formula (18) ( 18) (Maximum absorption wavelength: 1064 nm, absolute value of difference between (Aa) and (Ab): 139 nm, absorbance λ 700 /absorbance λ max : 0.05, absorbance λ 751 /absorbance λ max : 0.1) 0 0.04 part by mass was added, and methylene chloride was further added and dissolved to obtain a solution with a solid content of 30% by mass. Next, the obtained solution was cast on a smooth glass plate, dried at 50°C for 3 hours, and further dried at 100°C under reduced pressure for 3 hours, and peeled off to obtain an optical filter having a thickness of 0.1 mm and a side of 60 mm. rice field.

Figure 0007255600000019
Figure 0007255600000019

得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。 Table 1 shows the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は×、近赤外線の感度は〇であった。また、ゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は〇であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was x and the near infrared sensitivity was ◯. In addition, as a result of the ghost evaluation, the ghost performance was ◯. The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

[比較例7]
ガラス基材(SCHOTT社製D263、厚み0.1mm)の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用いて、蒸着温度120℃で誘電体多層膜を、それぞれ表2に示す設計(11)および設計(12) [シリカ(SiO2:550nmの屈折率1.46)層とチタニア(TiO2:550nmの屈折率2.48)層とが交互に積層されてなるもの]で形成することで光学フィルターを得た。得られた光学フィルターの透過率および反射率の測定結果、前記要件(A)~(E)および(Za)の結果を表1および図16に示す。なお、波長700nmでの反射率はどちらの面も10%以下であった。
[Comparative Example 7]
On both sides of a glass substrate (SCHOTT D263, thickness 0.1 mm), using an ion-assisted vacuum deposition apparatus, a dielectric multilayer film was deposited at a deposition temperature of 120 ° C. Design (11) and Design (11) shown in Table 2, respectively. 12) The optical filter is formed by alternately stacking silica (SiO 2 : refractive index at 550 nm: 1.46) layers and titania (TiO 2 : refractive index at 550 nm: 2.48) layers. Obtained. Table 1 and FIG. 16 show the measurement results of the transmittance and reflectance of the obtained optical filter and the results of the requirements (A) to (E) and (Za). Both surfaces had a reflectance of 10% or less at a wavelength of 700 nm.

この光学フィルターの感度評価を行った結果、緑の感度は〇、近赤外線の感度は×であった。またゴースト評価を行った結果、ゴースト性能は×であった。得られた光学フィルターは近赤外線に感度を有する固体撮像装置には性能不十分であった。 As a result of evaluating the sensitivity of this optical filter, the green sensitivity was ◯ and the near-infrared sensitivity was x. As a result of the ghost evaluation, the ghost performance was x . The obtained optical filter had insufficient performance for a solid-state imaging device sensitive to near-infrared rays.

Figure 0007255600000020
Figure 0007255600000020

Figure 0007255600000021
Figure 0007255600000021

本発明の光学フィルターは、カメラモジュールのCCDやCMOSなどの波長700~750nmの近赤外線感度を有した固体撮像素子に感度補正用として有用である。特に、デジタルスチルカメラ、携帯電話用カメラ、スマートフォン用カメラ、デジタルビデオカメラ、PCカメラ、監視カメラ、自動車用カメラ、テレビ、カーナビ、携帯情報端末、パソコン、ビデオゲーム機、携帯ゲーム機、指紋認証システム、虹彩認証システム、顔認証システム、距離測定センサー、距離測定カメラ、デジタルミュージックプレーヤー、植生センシングシステム、脳血流量センシングシステム等に有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The optical filter of the present invention is useful for correcting the sensitivity of solid-state imaging devices having sensitivity to near-infrared rays with a wavelength of 700 to 750 nm, such as CCDs and CMOSs of camera modules. In particular, digital still cameras, mobile phone cameras, smartphone cameras, digital video cameras, PC cameras, surveillance cameras, automobile cameras, televisions, car navigation systems, personal digital assistants, personal computers, video game machines, portable game machines, fingerprint authentication systems , iris authentication system, face authentication system, distance measurement sensor, distance measurement camera, digital music player, vegetation sensing system, cerebral blood flow sensing system, etc.

1: 本発明に係る光学フィルターの一例
10:基材
11:支持体
12:樹脂層
13:その他の機能膜
21:近赤外線反射膜1
22:近赤外線反射膜2
201:検出器
301:レンズ
302:センサー
303:バンドパスフィルター
304:正常検出部
305:ゴースト
306:ゴースト
400:カメラモジュール
401:光源
402:ゴースト
1: An example of the optical filter according to the present invention 10: Substrate 11: Support 12: Resin layer 13: Other functional film 21: Near-infrared reflective film 1
22: Near-infrared reflective film 2
201: Detector 301: Lens 302: Sensor 303: Bandpass filter 304: Normal detector 305: Ghost 306: Ghost 400: Camera module 401: Light source 402: Ghost

Claims (9)

下記要件(A)~(D)、(Z1)および(Z2)を満たすことを特徴とする光学フィルター:
(A)波長430~580nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が75%以上である;
(B)波長800~1000nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が10%以下である;
(C)波長700~750nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が46%超である;
(D)波長560~800nmの範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から測定した場合の透過率が50%となる最も短い波長の値(Ya)と、光学フィルターの面に対して垂直方向から30°の角度から測定した場合の透過率が50%となる最も短い波長の値(Yb)との差の絶対値が15nm未満である
(Z1)波長700nmにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から5°の角度から測定した場合の反射率が、光学フィルターのどちらの面から入射した場合においても10%以下である;
(Z2)波長600nm以上の範囲において、光学フィルターの面に対して垂直方向から5°の角度から測定した場合の反射率が50%となる600nm以上の波長の値(Za)が、光学フィルターのどちらの面から入射した場合においても730nm以上である
An optical filter characterized by satisfying the following requirements (A) to (D) , (Z1) and (Z2) :
(A) In the wavelength range of 430 to 580 nm, the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 75% or more;
(B) in the wavelength range of 800 to 1000 nm, the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 10% or less;
(C) the average transmittance measured in the direction perpendicular to the surface of the optical filter is greater than 46% in the wavelength range of 700 to 750 nm;
(D) In the wavelength range of 560 to 800 nm, the shortest wavelength value (Ya) at which the transmittance is 50% when measured from the direction perpendicular to the surface of the optical filter, and the value perpendicular to the surface of the optical filter the absolute value of the difference from the value of the shortest wavelength (Yb) at which the transmission is 50% when measured from an angle of 30° from the direction is less than 15 nm ;
(Z1) At a wavelength of 700 nm, the reflectance when measured at an angle of 5° from the direction perpendicular to the surface of the optical filter is 10% or less when incident from either surface of the optical filter;
(Z2) In the wavelength range of 600 nm or more, the value (Za) of the wavelength of 600 nm or more at which the reflectance is 50% when measured at an angle of 5° from the direction perpendicular to the surface of the optical filter is It is 730 nm or more when incident from either surface .
前記光学フィルターが、さらに下記要件(E)を満たすことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルター:
(E)前記波長の値(Ya)が730nm以上800nm以下である。
The optical filter according to claim 1, wherein the optical filter further satisfies the following requirement (E):
(E) The wavelength value (Ya) is 730 nm or more and 800 nm or less.
近赤外線吸収剤を含有する基材と、近赤外線反射膜とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の光学フィルター。 3. The optical filter according to claim 1, comprising a substrate containing a near-infrared absorbing agent and a near-infrared reflective film. 前記近赤外線吸収剤が波長751~950nmの範囲に吸収極大波長を有すること、および、
該吸収極大波長における前記基材の透過率が10%となる量で前記近赤外線吸収剤を含有させた場合、波長430nm以上かつ該吸収極大波長以下の範囲において前記基材の透過率が70%となる最も長い波長(Aa)と、波長580nm以上の範囲において前記基材の透過率が30%となる最も短い波長(Ab)との差の絶対値が150nm未満であることを特徴とする請求項3に記載の光学フィルター。
The near-infrared absorbent has an absorption maximum wavelength in the wavelength range of 751 to 950 nm, and
When the near-infrared absorbing agent is contained in an amount such that the transmittance of the base material at the maximum absorption wavelength is 10%, the transmittance of the base material is 70% in the range of a wavelength of 430 nm or more and the maximum absorption wavelength or less. The absolute value of the difference between the longest wavelength (Aa) and the shortest wavelength (Ab) at which the transmittance of the substrate is 30% in the wavelength range of 580 nm or more is less than 150 nm. Item 4. The optical filter according to item 3.
前記基材が樹脂層を有し、かつ、該樹脂層が、ノルボルネン系樹脂、ポリイミド系樹脂およびポリエーテル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項3または4に記載の光学フィルター。 5. The substrate according to claim 3 or 4, wherein the base material has a resin layer, and the resin layer contains at least one selected from the group consisting of norbornene-based resins, polyimide-based resins and polyether resins. Optical filter as described. 前記近赤外線吸収剤が、前記樹脂層に対して0.01~60.0質量%の範囲で含有されていることを特徴とする請求項5に記載の光学フィルター。 6. The optical filter according to claim 5, wherein the near-infrared absorbing agent is contained in a range of 0.01 to 60.0% by mass with respect to the resin layer. 前記近赤外線反射膜が誘電体多層膜であることを特徴とする請求項3~6のいずれか1項に記載の光学フィルター。 The optical filter according to any one of claims 3 to 6, wherein the near-infrared reflective film is a dielectric multilayer film. 請求項1~のいずれか1項に記載の光学フィルターを具備することを特徴とする固体撮像装置。 A solid-state imaging device comprising the optical filter according to any one of claims 1 to 7 . 請求項1~のいずれか1項に記載の光学フィルターを具備することを特徴とするカメラモジュール。 A camera module comprising the optical filter according to any one of claims 1 to 7 .
JP2020546021A 2018-09-12 2019-09-10 Optical filter and its use Active JP7255600B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018170316 2018-09-12
JP2018170316 2018-09-12
PCT/JP2019/035476 WO2020054695A1 (en) 2018-09-12 2019-09-10 Optical filter and use thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020054695A1 JPWO2020054695A1 (en) 2021-08-30
JP7255600B2 true JP7255600B2 (en) 2023-04-11

Family

ID=69778435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020546021A Active JP7255600B2 (en) 2018-09-12 2019-09-10 Optical filter and its use

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7255600B2 (en)
KR (1) KR20210055704A (en)
CN (1) CN112585508B (en)
TW (1) TWI753299B (en)
WO (1) WO2020054695A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4182835A1 (en) * 2020-07-17 2023-05-24 Evatec AG Biometric authentication system
CN116097133A (en) * 2020-07-24 2023-05-09 华为技术有限公司 Infrared cut-off filter, infrared cut-off lens and camera module
KR20230074417A (en) * 2020-09-25 2023-05-30 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 Cyanine compounds and photoelectric conversion devices
TW202405503A (en) * 2020-11-25 2024-02-01 大立光電股份有限公司 Optical lens assembly, imaging apparatus and electronic device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338395A (en) 2004-05-26 2005-12-08 Jsr Corp Near ir ray cut-off filter and its manufacturing method
JP2014048402A (en) 2012-08-30 2014-03-17 Kyocera Corp Optical filter member and imaging device
JP2016142891A (en) 2015-02-02 2016-08-08 Jsr株式会社 Optical filter and apparatus using optical filter
WO2016133099A1 (en) 2015-02-18 2016-08-25 旭硝子株式会社 Optical filter and imaging device
WO2018043564A1 (en) 2016-08-31 2018-03-08 Jsr株式会社 Optical filter and device using optical filter
WO2018088561A1 (en) 2016-11-14 2018-05-17 日本板硝子株式会社 Light-absorbing composition, and optical filter
WO2018155634A1 (en) 2017-02-24 2018-08-30 株式会社オプトラン Camera structure and image capturing device
JP2019012121A (en) 2017-06-29 2019-01-24 Agc株式会社 Optical filter and imaging device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5810604B2 (en) 2010-05-26 2015-11-11 Jsr株式会社 Near-infrared cut filter and device using near-infrared cut filter
JP6380390B2 (en) * 2013-05-29 2018-08-29 Jsr株式会社 Optical filter and apparatus using the filter
JP6451374B2 (en) 2015-02-12 2019-01-16 コニカミノルタ株式会社 Plant growth index measuring apparatus and method
WO2017018419A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Jsr株式会社 Optical filter and environment light sensor provided with optical filter
JPWO2017094672A1 (en) * 2015-11-30 2018-09-13 Jsr株式会社 Optical filters, ambient light sensors and sensor modules
US11163098B2 (en) * 2016-06-08 2021-11-02 Jsr Corporation Optical filter and optical sensor device
JPWO2018123676A1 (en) 2016-12-27 2019-07-11 アルプスアルパイン株式会社 Sensor module and biological information display system

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338395A (en) 2004-05-26 2005-12-08 Jsr Corp Near ir ray cut-off filter and its manufacturing method
JP2014048402A (en) 2012-08-30 2014-03-17 Kyocera Corp Optical filter member and imaging device
JP2016142891A (en) 2015-02-02 2016-08-08 Jsr株式会社 Optical filter and apparatus using optical filter
WO2016133099A1 (en) 2015-02-18 2016-08-25 旭硝子株式会社 Optical filter and imaging device
WO2018043564A1 (en) 2016-08-31 2018-03-08 Jsr株式会社 Optical filter and device using optical filter
WO2018088561A1 (en) 2016-11-14 2018-05-17 日本板硝子株式会社 Light-absorbing composition, and optical filter
WO2018155634A1 (en) 2017-02-24 2018-08-30 株式会社オプトラン Camera structure and image capturing device
JP2019012121A (en) 2017-06-29 2019-01-24 Agc株式会社 Optical filter and imaging device

Also Published As

Publication number Publication date
CN112585508A (en) 2021-03-30
JPWO2020054695A1 (en) 2021-08-30
TW202022414A (en) 2020-06-16
WO2020054695A1 (en) 2020-03-19
CN112585508B (en) 2023-02-28
KR20210055704A (en) 2021-05-17
TWI753299B (en) 2022-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7255600B2 (en) Optical filter and its use
JP6508247B2 (en) Optical filter and solid-state imaging device and camera module using the optical filter
JP6627864B2 (en) Optical filter and device using optical filter
JP7088261B2 (en) Optical filters and devices using optical filters
KR101661088B1 (en) Optical filter, solid-state image pickup device, and camera module
JP7200985B2 (en) Optical filters, camera modules and electronics
JP7326993B2 (en) OPTICAL FILTER, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND USE THEREOF
JP6380390B2 (en) Optical filter and apparatus using the filter
JP7163918B2 (en) Near-infrared cut filter and device using the near-infrared cut filter
JP2021039369A (en) Optical filter and device having the same
JP7251423B2 (en) Optical components and camera modules
JP2018159925A (en) Optical filter and use of the same
JP7331635B2 (en) Optical filter and its use
JP2023013953A (en) Optical member, optical filter, solid-state imaging device and optical sensor device
JP2021120733A (en) Optical filter and application of the same
CN220584520U (en) Optical filter, imaging device, camera module, and optical sensor
JP2022103108A (en) Optical filter, solid-state imaging apparatus and camera module

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210416

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230228

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230313

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7255600

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150