JP7254033B2 - ポルフィリン-フラーレンのアセンブリおよびその使用 - Google Patents
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Description
a)溶媒中のテトラフェニルポルフィリンと溶媒中のC60とを混合した後、得られた溶液を撹拌せずに2~5分間以上静置する工程;
b)シリコン基板上に工程(a)の溶液を数滴加えた後、2~4時間乾燥させてテトラフェニルポルフィリンおよびフラーレン(C60)のアセンブリを得る工程
を含む、調製プロセスを提供する。
a)溶媒中のテトラフェニルポルフィリンと溶媒中のC60とを混合した後、得られた溶液を撹拌せずに2~5分間以上静置する工程;
b)シリコン基板上に工程(a)の溶液を数滴加えた後、2~4時間乾燥させてテトラフェニルポルフィリンおよびフラーレン(C60)のアセンブリを得る工程
を含む、調製プロセスを提供する。
新たに蒸留されたピロール(56ml、0.8モル)と試薬グレードのベンズアルデヒド80ml(0.8モル)とを、還流試薬グレードのプロピオン酸を含むRBに添加した。30分間還流し、溶液を冷却およびろ過し、ろ過した化合物をメタノールで十分に洗浄した。熱水で洗浄した後、得られた紫色の結晶を風乾し、最後に真空乾燥して吸着酸を除去し、25g(20%、収率)のTPPを得た。
紫色の結晶H2TPPを、DCMを含むRBに添加し、これにZn(OAc)2・2H2Oを添加し、反応混合物を室温で一晩撹拌した。溶液の色が、反応の過程で暗紫色から赤紫色に変化した。反応混合物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、DCM)により精製し、紫色のバンドを回収した。溶媒を減圧下で除去して、ZnTPPを紫色の固体として得た(77%)。
H2TPP/ZnTPPおよびC60の等モルm-キシレン溶液0.5mlを、周囲条件で同時に混合した。得られた溶液を撹拌せずに2分以上静置した。2滴(10μL)のH2TPP/ZnTPP-C60混合m-キシレン溶液をシリコン基板上に置き、2時間乾燥させた。2時間後、ロッド状のアセンブリの形成が観察された。
a)PXRD、ラマンおよび固体UV-Vis吸収
H2TPP/ZnTPPおよびC60の等モルm-キシレン溶液0.5mlを、周囲条件で同時に混合した。得られた溶液を撹拌せずに1週間以上静置した(サンプルはAl箔により覆った)。ガラスバイアルの底に茶色の結晶が形成された。
OM、ESEMおよびAFMサンプルを、m-キシレン中のH2TPP/ZnTPP-C60の混合溶液をシリコン基板上にドロップキャスティング(10μL)し、2時間に乾燥して調製した。溶媒が完全に蒸発した後、サンプルをOMおよびAFM分析に直接使用した。ESEM分析の5分前に、サンプルをイオンコーター内でAuでコーティングした。
TEMのサンプルを、カーボンコーティングしたCuグリッドにm-キシレン中のH2TPP/ZnTPP-C60の混合溶液をドロップキャスティングし、デシケーターで一晩乾燥さることにより調製した。
微細構造に基づいたデバイス製造を行うために、ボトムゲートのトップコンタクトOFETデバイスの形状を採用した。このデバイスは、アルミニウム(Al)ボトムゲート、Al2O3/PVA二重層誘電体システム、有機アクティブチャネル、および金(Au)ソース-ドレイン電極から構成されていた。最初に、厚さ約300nmのAlゲートコンタクトを、予め洗浄したガラス基板に堆積させた。次いで、Al膜の一部を陽極酸化して、Al2O3層を形成し、ゲート誘電体層として機能させた。陽極酸化により、表面が粗くなり、それにより容量結合が不十分になります。滑らかな表面を実現し、有機界面を得るために、Al2O3表面に厚さ30nmの5重量%のPVA(MW~125,000)層をスピンコートした。不要な残留物を除去するために、PVAコーティングされた基板を100℃で30分間さらにアニールした。二層誘電体システムを提供する主な意図は、界面誘導効果を最小限に抑え、有機界面を確立することにある。二層誘電体システムの製造に成功した後、自己アセンブリ有機微細構造をその上に堆積した。最後に、120nmの厚さのAuソース-ドレイン電極を、シャドウマスクを介して熱成長させた。移動度の計算に使用される容量値は、CV測定から取得された。
トランジスタは、3つのプローブの自家製プローブステーションで組み立てられている、Keithley4200半導体特性評価システムの助けを借りて特徴付けられた。電流-電圧特性を収集しながら、デバイスをアルゴン(Ar)雰囲気下のチャンバーに配置した。一定の掃引速度でゲート電圧を掃引しながら、固定されたソース-ドレインバイアスを維持することにより、デバイスの伝達特性が測定された。同様に、固定ゲートバイアスのドレイン電圧を掃引して、出力特性を測定した。
ID:ドレイン電流;W:チャネル幅;L:チャネル長さ;μ:キャリア移動度;
Ci:静電容量;VG:ゲート電圧;Vth:しきい電圧;VD=ドレイン電圧。]
1.FETの一般的な用途はアンプとしてである。
2.FETは化学センサーとして機能する。
3.FETはバイオセンサーとして機能する。
4.有機発光ダイオード(OLED)、太陽電池、
5.本発明のアセンブリを使用して調製されたOFETは、非常に高い両極性移動度を示す。
Claims (9)
- テトラフェニルポルフィリンおよびフラーレン(C60)を含む、有機電界効果トランジスタ(OFET)において使用するためのアセンブリであって、前記有機電界効果トランジスタ(OFET)が、0.8~3.4cm2/V/sの範囲の高い両極性移動度を示し、前記OFETが、ボトムゲートとしてアルミニウム(Al)、ソース-ドレイン電極として金(Au)、および二層誘電体システムとしてAl2O3/PVAをさらに含む、前記アセンブリ。
- 前記アセンブリが、亜鉛(Zn)、Co(コバルト)、銅(Cu)またはニッケル(Ni)から選択される遷移金属イオンをさらに含む、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記アセンブリが、H2TPPおよびフラーレン、またはZnTPPおよびフラーレンから構成される、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記アセンブリが、結晶ロッド、ナノワイヤ、ナノファイバー、ナノベルトまたはナノシートの形態である、請求項3に記載のアセンブリ。
- 請求項1に記載のテトラフェニルポルフィリンおよびフラーレン(C60)のアセンブリの調製方法であって、
a)m-キシレン中のテトラフェニルポルフィリンとm-キシレン中のC60とを混合した後、得られた溶液を撹拌せずに2~5分以上静置する工程、
b)シリコン基板上に工程(a)の溶液を数滴加えた後、2~4時間乾燥させてテトラフェニルポルフィリンおよびフラーレン(C60)のアセンブリを得る工程を含む、前記調製方法。 - 前記テトラフェニルポルフィリンが、H2TPPまたはZnTPPから選択される、請求項5に記載の方法。
- 請求項1または3に記載のテトラフェニルポルフィリンおよびフラーレン(C60)のアセンブリを含む、有機電界効果トランジスタ(OFET)。
- 有機電界効果トランジスタ(OFET)のH2TPP-C60の電子移動度が0.86cm2/V/sであるか、または有機電界効果トランジスタ(OFET)のZnTPP-C60の電子移動度が1.35cm2/V/sである、請求項7に記載の有機電界効果トランジスタ(OFET)。
- 有機電界効果トランジスタ(OFET)のH2TPP-C60の正孔移動度が1.12cm2/V/sであるか、または有機電界効果トランジスタ(OFET)のZnTPP-C60の正孔移動度が3.42cm2/V/sである、請求項7に記載の有機電界効果トランジスタ(OFET)。
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Takatsugu Wakahara, et.al,Fullerene/Cobalt Porphyrin Hybid Nanosheets with Ambipolar Charge Transporting Characteristics,Journal of the american chemical society,米国,2012年04月19日 |
Also Published As
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