JP7253421B2 - 検出センサ、及び測定装置 - Google Patents
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Description
例えば、検出装置10において、制御装置20からの制御信号に基づく不図示の駆動部の動作により、センサホルダ13が試料導入部15に移動される。試料導入部15では、検出センサ12の表面への検出用試料の導入、センサホルダ13への検出センサ12の配置が行われる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]
電磁波の反射率又は透過率の変化に基づいて被検出物を検出する検出装置に用いられる、前記電磁波が照射される表面を備えた検出センサであって、
前記検出センサの前記表面には、照射された前記電磁波に特性変化を及ぼす複数の貫通孔が形成されており、
前記複数の貫通孔の大きさは、前記表面に添加される被検出物及び夾雑物を含む試料の前記被検出物よりも小さく、前記夾雑物よりも大きい、検出センサ。
[2]
少なくとも前記表面が導電体からなる、[1]に記載の検出センサ。
[3]
前記複数の貫通孔間のピッチが、前記検出装置による前記電磁波の検出特性に応じて設定されている、[1]又は[2]に記載の検出センサ。
[4]
前記複数の貫通孔は、前記表面上に規則的に配置された円形状又は楕円形状の孔である、[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の検出センサ。
[5]
[1]乃至[4]のいずれか1項に記載の検出センサと、
前記表面上に配置された前記被検出物に電磁波を照射する照射部と、
前記被検出物で反射した前記電磁波の反射波、又は前記被検出物を透過した前記電磁波の透過波を検出する検出器と、
前記検出器で検出した前記電磁波の特性変化に基づいて、前記被検出物中の測定対象物の有無を特定する又は量を測定する制御部と、を具備する、測定装置。
Claims (6)
- 電磁波の反射率又は透過率の変化に基づいて被検出物を検出する検出装置に用いられる、前記電磁波が照射される表面を備えた検出センサであって、
前記検出センサの前記表面には、照射された前記電磁波に特性変化を及ぼす複数の貫通孔が形成されており、
前記複数の貫通孔の大きさは、前記表面に添加される試料に含まれる、磁性粒子と測定対象物とが結合した被検出物は通さないが、前記測定対象物と結合していない前記磁性粒子は通す大きさであり、
前記被検出物を前記表面に捕捉している、検出センサ。 - 少なくとも前記表面が導電体からなる、請求項1に記載の検出センサ。
- 前記複数の貫通孔は、前記表面上に規則的に配置されており、前記検出センサは、メタマテリアル共振器を形成する、請求項1又は2に記載の検出センサ。
- 前記複数の貫通孔がある部分は、電気的にLC回路のように振る舞い、前記複数の貫通孔間のピッチは、前記LC回路の共振周波数が前記電磁波の周波数近傍の周波数になるように設定されている、請求項3に記載の検出センサ。
- 前記複数の貫通孔は、前記表面上に規則的に配置された円形状又は楕円形状の孔である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検出センサ。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の検出センサと、
前記表面上に配置された前記被検出物に電磁波を照射する照射部と、
前記被検出物で反射した前記電磁波の反射波、又は前記被検出物を透過した前記電磁波の透過波を検出する検出器と、
前記検出器で検出した前記電磁波の特性変化に基づいて、前記被検出物中の測定対象物の有無を特定する又は量を測定する制御部と、を具備する、測定装置。
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