JP7251927B2 - Surface treated copper foil, copper clad laminate and printed wiring board - Google Patents

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Description

本開示は、表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板に関する。 TECHNICAL FIELD The present disclosure relates to surface-treated copper foils, copper-clad laminates, and printed wiring boards.

近年、電子機器の小型化、高性能化などのニーズの増大に伴い、電子機器に搭載されるプリント配線板に対する回路パターン(「導体パターン」ともいう)のファインピッチ化(微細化)が要求されている。
プリント配線板の製造方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの様々な方法が知られている。その中でもサブトラクティブ法では、銅箔に絶縁基材を接着させて銅張積層板を形成した後、銅箔表面にレジストを塗布及び露光して所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない部分(不要部)をエッチングにて除去することによって回路パターンが形成される。
In recent years, with the increasing needs for smaller size and higher performance of electronic devices, there is a demand for finer pitch (miniaturization) of circuit patterns (also called "conductor patterns") for printed wiring boards mounted on electronic devices. ing.
Various methods such as a subtractive method and a semi-additive method are known as methods for manufacturing printed wiring boards. Among them, in the subtractive method, after forming a copper clad laminate by bonding an insulating base material to a copper foil, a resist is applied to the surface of the copper foil and exposed to light to form a predetermined resist pattern, and the resist pattern is formed. A circuit pattern is formed by removing the unfilled portion (unnecessary portion) by etching.

上記のファインピッチ化の要求に対し、例えば、特許文献1には、銅箔の表面に銅-コバルト-ニッケル合金めっきによる粗化処理を行った後、コバルト-ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛-ニッケル合金めっき層を形成することにより、回路パターンのファインピッチ化が可能な表面処理銅箔が得られることが記載されている。 In response to the above demand for finer pitches, for example, Patent Document 1 discloses that the surface of a copper foil is subjected to a roughening treatment by copper-cobalt-nickel alloy plating, and then a cobalt-nickel alloy plating layer is formed. It is described that a surface-treated copper foil capable of forming a fine-pitched circuit pattern can be obtained by forming a zinc-nickel alloy plating layer.

特許第2849059号公報Japanese Patent No. 2849059

しかしながら、従来の表面処理銅箔は、表面処理層(めっき層)のエッチング速度が銅箔のエッチング速度に比べて遅いため、銅箔表面(トップ)から絶縁基材(ボトム)側に向かって末広がりにエッチングされてしまい、回路パターンのエッチングファクタが低下するという問題がある。そして、回路パターンのエッチングファクタが低いと、隣接する回路間のスペースを広くする必要があるため、回路パターンのファインピッチ化が難しくなる。 However, in conventional surface-treated copper foils, the etching speed of the surface treatment layer (plating layer) is slower than the etching speed of copper foil, so the copper foil surface (top) spreads from the copper foil surface (top) toward the insulating substrate (bottom) side. There is a problem that the etching factor of the circuit pattern is lowered. Further, when the etching factor of the circuit pattern is low, it is necessary to widen the space between adjacent circuits, which makes it difficult to achieve a finer pitch of the circuit pattern.

また、回路パターンには絶縁基材から剥がれ難いことも一般に要求されるが、回路パターンのファインピッチ化によって絶縁基材との接着性を確保することが難しくなっている。そのため、回路パターンと絶縁基材との接着性を高めることも必要となっている。 In addition, circuit patterns are generally required to be difficult to peel off from the insulating base material. Therefore, it is necessary to improve the adhesiveness between the circuit pattern and the insulating base material.

本発明の実施形態は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、絶縁基材との接着性に優れると共に、ファインピッチ化に適した高エッチングファクタの回路パターンを形成することが可能な表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することを目的とする。
また、本発明の実施形態は、絶縁基材との接着性に優れる高エッチングファクタの回路パターンを有するプリント配線板を提供することを目的とする。
The embodiments of the present invention have been made to solve the above-described problems, and are capable of forming a circuit pattern with excellent adhesion to an insulating substrate and a high etching factor suitable for fine pitching. An object of the present invention is to provide a surface-treated copper foil and a copper-clad laminate capable of
Another object of the embodiments of the present invention is to provide a printed wiring board having a circuit pattern with a high etching factor and excellent adhesion to an insulating substrate.

本発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究を行った結果、銅箔の一方の面に形成された表面処理層において、JIS B0601:2013に基づく粗さ曲線要素の平均長さRSmを特定の範囲に制御することにより、絶縁基材に対する回路パターンの接着性及び回路パターンのエッチングファクタの両方を高め得ることを見出し、本発明の実施形態に至った。 The present inventors have made intensive studies to solve the above problems, and found that the average length of the roughness curve element based on JIS B0601:2013 RSm is controlled within a specific range, both the adhesion of the circuit pattern to the insulating substrate and the etching factor of the circuit pattern can be enhanced, leading to an embodiment of the present invention.

すなわち、本発明の実施形態は、銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第一表面処理層とを有し、前記第一表面処理層は、Ni付着量が20~200μg/dm 2 、Zn付着量が20~1000μg/dm 2 JIS B0601:2013に基づく粗さ曲線要素の平均長さRSmが6.65~10μm、及びCIE L***表色系のa*5.0~28.0である表面処理銅箔に関する。
また、本発明の実施形態は、表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板に関する。
さらに、本発明の実施形態は、前記銅張積層板の前記表面処理銅箔から形成された回路パターンを備えるプリント配線板に関する。
That is, an embodiment of the present invention has a copper foil and a first surface treatment layer formed on one surface of the copper foil, and the first surface treatment layer has a Ni adhesion amount of 20 to 200 μg/ dm 2 , Zn deposition amount of 20 to 1000 μg/dm 2 , average length RSm of roughness curve element based on JIS B0601:2013 of 6.65 to 10 μm, and CIE L * a * b * color system a * of 5.0 to 28.0.
Further, an embodiment of the present invention relates to a copper-clad laminate comprising a surface-treated copper foil and an insulating base material adhered to the first surface treatment layer of the surface-treated copper foil.
Furthermore, an embodiment of the present invention relates to a printed wiring board comprising a circuit pattern formed from the surface-treated copper foil of the copper-clad laminate.

本発明の実施形態によれば、絶縁基材との接着性に優れると共に、ファインピッチ化に適した高エッチングファクタの回路パターンを形成することが可能な表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することができる。
また、本発明の実施形態によれば、絶縁基材との接着性に優れる高エッチングファクタの回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
According to an embodiment of the present invention, a surface-treated copper foil and a copper-clad laminate are provided that are excellent in adhesion to an insulating substrate and capable of forming a circuit pattern with a high etching factor suitable for fine pitching. can do.
Moreover, according to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a printed wiring board having a circuit pattern with a high etching factor and excellent adhesiveness to an insulating substrate.

本発明の実施形態の表面処理銅箔を用いた銅張積層板の断面図である。1 is a cross-sectional view of a copper-clad laminate using a surface-treated copper foil according to an embodiment of the present invention; FIG. 第二表面処理層をさらに有する本発明の実施形態の表面処理銅箔を用いた銅張積層板の断面図である。1 is a cross-sectional view of a copper-clad laminate using a surface-treated copper foil according to an embodiment of the present invention, which further has a second surface treatment layer. FIG. サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a printed wiring board by a subtractive method.

以下、本発明の好適な実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されて解釈されるべきものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、改良などを行うことができる。この実施形態に開示されている複数の構成要素は、適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、この実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described, but the present invention should not be construed as being limited to these, and as long as it does not depart from the gist of the present invention, , various modifications, improvements, etc. may be made. A plurality of constituent elements disclosed in this embodiment can be appropriately combined to form various inventions. For example, some components may be omitted from all the components shown in this embodiment, and components of different embodiments may be combined as appropriate.

図1は、本発明の実施形態の表面処理銅箔を用いた銅張積層板の断面図である。
表面処理銅箔1は、銅箔2と、銅箔2の一方の面に形成された第一表面処理層3とを有する。また、銅張積層板10は、表面処理銅箔1と、表面処理銅箔1の第一表面処理層3に接着された絶縁基材11とを有する。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a copper-clad laminate using a surface-treated copper foil according to an embodiment of the present invention.
The surface-treated copper foil 1 has a copper foil 2 and a first surface treatment layer 3 formed on one surface of the copper foil 2 . Moreover, the copper-clad laminate 10 has the surface-treated copper foil 1 and the insulating base material 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface-treated copper foil 1 .

第一表面処理層3は、JIS B0601:2013に基づく粗さ曲線要素の平均長さRSmが5~10μmである。
ここで、RSmは、表面の凹凸形状の平均間隔を表す指標である。一般的に、第一表面処理層3を形成する粒子のサイズが大きくなると、表面の凹凸間隔が広くなるためRSmが大きくなる。RSmが大きくなると、表面処理銅箔1の絶縁基材に対する接着力は強くなるが、エッチング処理で溶け残る部分が発生し易くなる。すなわち、エッチング処理によってボトム部が裾を引いたような台形形状の回路パターンになり易く、エッチングファクタが低下する傾向にある。一方、第一表面処理層3を形成する粒子のサイズが小さくなると、上記と逆の傾向になり易い。すなわち、エッチングファクタは向上するが、表面処理銅箔1の絶縁基材に対する接着力が低下する傾向にある。
そこで、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるために、第一表面処理層3のRSmを上記の範囲に制御している。このようなRSmの制御を行うことにより、第一表面処理層3の表面を、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるのに適した表面形状にすることができる。具体的には、第一表面処理層3の表面の凹凸形状が適切なバランスで形成されるため、回路パターンのエッチングファクタ及び絶縁基材に対する接着性を高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、RSmを5~9μmに制御することが好ましい。
The first surface treatment layer 3 has an average length RSm of roughness curve elements based on JIS B0601:2013 of 5 to 10 μm.
Here, RSm is an index representing the average spacing of the unevenness on the surface. In general, as the size of the particles forming the first surface treatment layer 3 increases, RSm increases because the intervals between surface irregularities increase. As RSm increases, the adhesive strength of the surface-treated copper foil 1 to the insulating base material increases, but portions that remain undissolved during the etching process tend to occur. That is, the etching process tends to form a trapezoidal circuit pattern in which the bottom part is tapered, and the etching factor tends to decrease. On the other hand, when the size of the particles forming the first surface treatment layer 3 becomes small, the opposite tendency to the above tends to occur. That is, although the etching factor is improved, the adhesion of the surface-treated copper foil 1 to the insulating substrate tends to be lowered.
Therefore, in order to achieve both an improvement in adhesion to the insulating substrate and an improvement in etching properties, the RSm of the first surface treatment layer 3 is controlled within the above range. By controlling RSm in this way, the surface of the first surface treatment layer 3 can have a surface shape suitable for achieving both improved adhesion to the insulating substrate and improved etchability. Specifically, since the irregularities on the surface of the first surface treatment layer 3 are formed with an appropriate balance, the etching factor of the circuit pattern and the adhesiveness to the insulating substrate can be increased. From the viewpoint of stably obtaining such effects, it is preferable to control RSm to 5 to 9 μm.

第一表面処理層3は、JIS Z8730:2009の幾何条件Cに基づき測定されるCIE L***表色系のa*(以下、「a*」ともいう。)が3.0~28.0であることが好ましい。a*は赤色を表現する値であり、銅は赤色に近い色を呈する。そのため、a*を上記の範囲内に制御することにより、第一表面処理層3中の銅の量を、エッチング液への溶解性が良好な範囲に調整することができるため、回路パターンのエッチングファクタを高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、a*を5.0~23.0に制御することが好ましい。 The first surface treatment layer 3 has a* in the CIE L * a * b * color system measured based on the geometric condition C of JIS Z8730:2009 (hereinafter also referred to as “a * ”) of 3.0 to 28.0 is preferred. a * is a value expressing red color, and copper presents a color close to red. Therefore, by controlling a * within the above range, the amount of copper in the first surface treatment layer 3 can be adjusted to a range in which the solubility in the etchant is good. factor can be increased. From the viewpoint of stably obtaining such effects, it is preferable to control a * to 5.0 to 23.0.

第一表面処理層3は、XPSのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート2.5nm/分(SiO2換算)で7分スパッタリングを行ったときのC、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及びCuの元素の合計量に対するCu濃度が80~100atm%(原子%)であることが好ましい。この範囲に銅濃度を制御することにより、エッチング液に対する溶解性を調節することができるため、回路パターンのエッチングファクタを高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、Cu濃度を85~100atm%に制御することが好ましい。 The first surface treatment layer 3 is C, N, O, Zn, Cr, Ni, Co, Si when sputtering is performed for 7 minutes at a sputtering rate of 2.5 nm / minute (in terms of SiO 2 ) in the XPS depth profile. It is preferable that the concentration of Cu with respect to the total amount of elements of Cu and Cu is 80 to 100 atm % (atomic %). By controlling the copper concentration within this range, the solubility in the etchant can be adjusted, so that the etching factor of the circuit pattern can be increased. From the viewpoint of stably obtaining such effects, it is preferable to control the Cu concentration to 85 to 100 atm %.

第一表面処理層3は、付着元素としてNi及びZnを少なくとも含むことが好ましい。
Niはエッチング液に溶解し難い成分であるため、第一表面処理層3のNi付着量を200μg/dm2以下に制御することにより、第一表面処理層3がエッチング液に溶解し易くなる。その結果、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。このエッチングファクタを安定して高める観点からは、第一表面処理層3のNi付着量を、好ましくは180μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以下に制御する。一方、第一表面処理層3による所定の効果(例えば、耐熱性など)を確保する観点から、第一表面処理層3のNi付着量を20μg/dm2以上に制御する。
また、回路パターンを形成した後には金めっきなどの表面処理が行われることがあるが、その前処理として、回路パターンの表面から不要な物質を取り除くソフトエッチングを行うと、回路パターンのエッジ部にソフトエッチング液が染み込むことがある。Niは、このソフトエッチング液の染み込みを抑制する効果がある。この効果を十分に確保する観点からは、第一表面処理層3のNi付着量を、30μg/dm2以上に制御することが好ましく、40μg/dm2以上に制御することがより好ましい。
Preferably, the first surface treatment layer 3 contains at least Ni and Zn as attachment elements.
Since Ni is a component that is difficult to dissolve in the etchant, the first surface treatment layer 3 can be easily dissolved in the etchant by controlling the Ni adhesion amount of the first surface treatment layer 3 to 200 μg/dm 2 or less. As a result, it becomes possible to increase the etching factor of the circuit pattern. From the viewpoint of stably increasing this etching factor, the Ni deposition amount of the first surface treatment layer 3 is controlled to preferably 180 μg/dm 2 or less, more preferably 100 μg/dm 2 or less. On the other hand, from the viewpoint of ensuring a predetermined effect (for example, heat resistance) of the first surface treatment layer 3, the Ni adhesion amount of the first surface treatment layer 3 is controlled to 20 μg/dm 2 or more.
In addition, after the circuit pattern is formed, surface treatment such as gold plating is sometimes performed. However, as a pretreatment, soft etching is performed to remove unnecessary substances from the surface of the circuit pattern. The soft etchant may penetrate. Ni has the effect of suppressing penetration of the soft etching solution. From the viewpoint of sufficiently ensuring this effect, the Ni adhesion amount of the first surface treatment layer 3 is preferably controlled to 30 μg/dm 2 or more, more preferably 40 μg/dm 2 or more.

Znは、Niに比べてエッチング液に溶解し易いため、比較的多く付着させることができる。そのため、第一表面処理層3のZn付着量を1000μg/dm2以下に制御することにより、第一表面処理層3が溶解し易くなる結果、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。このエッチングファクタを安定して高める観点からは、第一表面処理層3のZn付着量を、好ましくは700μg/dm2以下、より好ましくは600μg/dm2以下に制御する。一方、第一表面処理層3による所定の効果(例えば、耐熱性、耐薬品性など)を確保する観点から、第一表面処理層3のZn付着量を20μg/dm2以上、好ましくは100μg/dm2以上、より好ましくは300μg/dm2以上に制御する。例えば、Znは銅の熱拡散を防止するバリア効果があるため、粗化粒子及び銅箔中の銅が熱拡散によって表層に出てくることを抑制することができる。その結果、銅がソフトエッチング液などの薬液に直接触れ難くなるため、回路パターンのエッジ部にソフトエッチング液が染み込むことを抑制することが可能になる。 Zn is more easily dissolved in an etchant than Ni, and can be deposited in relatively large amounts. Therefore, by controlling the amount of Zn attached to the first surface treatment layer 3 to 1000 μg/dm 2 or less, the first surface treatment layer 3 becomes easier to dissolve, and as a result, it becomes possible to increase the etching factor of the circuit pattern. From the viewpoint of stably increasing this etching factor, the Zn deposition amount of the first surface treatment layer 3 is preferably controlled to 700 μg/dm 2 or less, more preferably 600 μg/dm 2 or less. On the other hand, from the viewpoint of ensuring the predetermined effects (for example, heat resistance, chemical resistance, etc.) of the first surface treatment layer 3, the Zn adhesion amount of the first surface treatment layer 3 is 20 μg/dm 2 or more, preferably 100 μg/dm 2 or more. dm 2 or more, more preferably 300 μg/dm 2 or more. For example, Zn has a barrier effect to prevent thermal diffusion of copper, so it can suppress the roughening particles and copper in the copper foil from coming out to the surface layer due to thermal diffusion. As a result, copper is less likely to come into direct contact with a chemical solution such as a soft etchant, so that it is possible to prevent the soft etchant from penetrating the edges of the circuit pattern.

第一表面処理層3は、付着元素として、Ni及びZn以外にCo、Crなどの元素をさらに含むことができる。
第一表面処理層3のCo付着量は、第一表面処理層3の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは1500μg/dm2以下、より好ましくは500μg/dm2以下、さらに好ましくは100μg/dm2以下、特に好ましくは30μg/dm2以下である。第一表面処理層3のCo付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。なお、Co付着量の下限は、特に限定されないが、典型的に0.1μg/dm2、好ましくは0.5μg/dm2である。
また、Coは磁性金属であるため、第一表面処理層3のCo付着量を特に100μg/dm2以下、好ましくは0.5~100μg/dm2に抑えることにより、高周波特性に優れたプリント配線板を作製可能な表面処理銅箔1を得ることができる。
The first surface treatment layer 3 can further contain elements such as Co and Cr in addition to Ni and Zn as attachment elements.
The Co adhesion amount of the first surface treatment layer 3 is not particularly limited because it depends on the type of the first surface treatment layer 3, but is preferably 1500 μg/dm 2 or less, more preferably 500 μg/dm 2 or less, and still more preferably 100 μg. /dm 2 or less, particularly preferably 30 μg/dm 2 or less. By setting the Co deposition amount of the first surface treatment layer 3 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased. Although the lower limit of the Co adhesion amount is not particularly limited, it is typically 0.1 μg/dm 2 , preferably 0.5 μg/dm 2 .
Further, since Co is a magnetic metal, printed wiring with excellent high-frequency characteristics can be obtained by suppressing the Co adhesion amount of the first surface treatment layer 3 to 100 μg/dm 2 or less, preferably 0.5 to 100 μg/dm 2 . A surface-treated copper foil 1 from which a plate can be produced can be obtained.

第一表面処理層3のCr付着量は、第一表面処理層3の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは500μg/dm2以下、より好ましくは0.5~300μg/dm2、さらに好ましくは1~100μg/dm2である。第一表面処理層3のCr付着量を上記範囲内とすることにより、防錆効果を得るととともに、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The Cr adhesion amount of the first surface treatment layer 3 is not particularly limited because it depends on the type of the first surface treatment layer 3, but is preferably 500 μg/dm 2 or less, more preferably 0.5 to 300 μg/dm 2 , and It is preferably 1 to 100 μg/dm 2 . By setting the amount of Cr adhered to the first surface treatment layer 3 within the above range, it is possible to obtain an antirust effect and stably increase the etching factor of the circuit pattern.

第一表面処理層3の種類は、特に限定されず、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。第一表面処理層3に用いられる表面処理層の例としては、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層などが挙げられる。これらの層は、単一又は2種以上を組み合わせて用いることができる。その中でも第一表面処理層3は、絶縁基材11との接着性の観点から、粗化処理層を有することが好ましい。
ここで、本明細書において「粗化処理層」とは、粗化処理によって形成される層であり、粗化粒子の層を含む。また、粗化処理では、前処理として通常の銅メッキなどが行われたり、仕上げ処理として粗化粒子の脱落を防止するために通常の銅メッキなどが行われたりする場合があるが、本明細書における「粗化処理層」は、これらの前処理及び仕上げ処理によって形成される層を含む。
The type of the first surface treatment layer 3 is not particularly limited, and various surface treatment layers known in the technical field can be used. Examples of the surface treatment layer used for the first surface treatment layer 3 include a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, an antirust layer, a chromate treatment layer, a silane coupling treatment layer, and the like. These layers can be used singly or in combination of two or more. Among them, the first surface treatment layer 3 preferably has a roughening treatment layer from the viewpoint of adhesion to the insulating base material 11 .
Here, the term "roughened layer" as used herein means a layer formed by roughening treatment, and includes a layer of roughened particles. In addition, in the roughening treatment, ordinary copper plating or the like may be performed as a pretreatment, or ordinary copper plating or the like may be performed as a finishing treatment to prevent the roughening particles from falling off. The "roughened layer" in the book includes layers formed by these pretreatments and finishing treatments.

粗化粒子としては、特に限定されないが、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金から形成することができる。また、粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体又は合金などで二次粒子及び三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。 The roughening particles are not particularly limited, but are formed from an alloy containing any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc. can do. Further, after the roughened particles are formed, a roughening treatment can be performed to form secondary particles and tertiary particles of nickel, cobalt, copper, zinc or the like.

粗化処理層は、電気めっきによって形成することができる。その条件は、特に限定されないが、典型的な条件は以下の通りである。また、電気めっきは2段階に分けて行ってもよい。
めっき液組成:10~20g/LのCu、50~100g/Lの硫酸
めっき液温度:25~50℃
電気めっき条件:電流密度1~60A/dm2、時間1~10秒
The roughened layer can be formed by electroplating. The conditions are not particularly limited, but typical conditions are as follows. Also, the electroplating may be performed in two steps.
Plating solution composition: 10-20 g/L Cu, 50-100 g/L sulfuric acid Plating solution temperature: 25-50°C
Electroplating conditions: current density 1-60 A/dm 2 , time 1-10 seconds

耐熱層及び防錆層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。なお、耐熱層は防錆層としても機能することがあるため、耐熱層及び防錆層として、耐熱層及び防錆層の両方の機能を有する1つの層を形成してもよい。
耐熱層及び/又は防錆層としては、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選択される1種以上の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい)を含む層であることができる。耐熱層及び/又は防錆層の例としては、ニッケル-亜鉛合金を含む層が挙げられる。
The heat-resistant layer and the antirust layer are not particularly limited, and can be formed from materials known in the art. In addition, since the heat-resistant layer may also function as a rust-preventive layer, one layer having the functions of both the heat-resistant layer and the rust-preventive layer may be formed as the heat-resistant layer and the rust-preventive layer.
As a heat-resistant layer and/or an antirust layer, the group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum It can be a layer containing one or more elements (in any form of metals, alloys, oxides, nitrides, sulfides, etc.) selected from. Examples of heat-resistant and/or rust-resistant layers include layers comprising nickel-zinc alloys.

耐熱層及び防錆層は、電気めっきによって形成することができる。その条件は、特に限定されないが、典型的な耐熱層(Ni-Zn層)の条件は以下の通りである。
めっき液組成:1~30g/LのNi、1~30g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度1~10A/dm2、時間0.1~5秒
The heat-resistant layer and the antirust layer can be formed by electroplating. The conditions are not particularly limited, but typical conditions for the heat-resistant layer (Ni--Zn layer) are as follows.
Plating solution composition: 1 to 30 g/L Ni, 1 to 30 g/L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating solution temperature: 30-50°C
Electroplating conditions: current density 1-10 A/dm 2 , time 0.1-5 seconds

クロメート処理層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。
ここで、本明細書において「クロメート処理層」とは、無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩又は二クロム酸塩を含む液で形成された層を意味する。クロメート処理層は、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素、チタンなどの元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい)を含む層であることができる。クロメート処理層の例としては、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム及び亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層などが挙げられる。
The chromate treatment layer is not particularly limited, and can be formed from materials known in the technical field.
As used herein, the term "chromate treatment layer" means a layer formed of a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate, or dichromate. The chromating layer contains elements such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, titanium, etc. (any metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) morphology). Examples of the chromate-treated layer include a chromate-treated layer treated with an aqueous solution of chromic acid anhydride or potassium dichromate, a chromate-treated layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc, and the like.

クロメート処理層は、浸漬クロメート処理によって形成することができる。その条件は、特に限定されないが、典型的なクロメート処理層の条件は以下の通りである。
めっき液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
The chromate treatment layer can be formed by immersion chromate treatment. The conditions are not particularly limited, but typical conditions for the chromate treatment layer are as follows.
Plating solution composition: 1-10 g/L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01-10 g/L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating solution temperature: 30-50°C

シランカップリング処理層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。
ここで、本明細書において「シランカップリング処理層」とは、シランカップリング剤で形成された層を意味する。
シランカップリング剤としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。シランカップリング剤の例としては、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤などが挙げられる。これらは、単独又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
The silane coupling-treated layer is not particularly limited, and can be formed from materials known in the art.
Here, the term "silane coupling treated layer" as used herein means a layer formed with a silane coupling agent.
The silane coupling agent is not particularly limited, and those known in the art can be used. Examples of silane coupling agents include amino-based silane coupling agents, epoxy-based silane coupling agents, and mercapto-based silane coupling agents. These can be used singly or in combination of two or more.

また、表面処理銅箔1は、図2に示すように、銅箔2の他方の面に形成された第二表面処理層4をさらに有することができる。
第二表面処理層4の種類は、特に限定されず、第一表面処理層3と同様に、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。また、第二表面処理層4の種類は、第一表面処理層3と同一であっても異なっていてもよい。
Moreover, the surface-treated copper foil 1 can further have a second surface-treated layer 4 formed on the other surface of the copper foil 2, as shown in FIG.
The type of the second surface treatment layer 4 is not particularly limited, and like the first surface treatment layer 3, various surface treatment layers known in the art can be used. Moreover, the type of the second surface treatment layer 4 may be the same as or different from that of the first surface treatment layer 3 .

第二表面処理層4は、付着元素として、Ni、Zn、Crなどの元素を含むことができる。
第二表面処理層4のNi付着量に対する第一表面処理層3のNi付着量の比は、好ましくは0.01~2.5、より好ましくは0.6~2.2である。Niはエッチング液に溶解し難い成分であるため、Ni付着量の比を上記の範囲とすることにより、銅張積層板10をエッチングする際に、回路パターンのボトム側となる第一表面処理層3の溶解を促進すると共に、回路パターンのトップ側となる第二表面処理層4の溶解を抑制することができる。そのため、トップ幅とボトム幅との差が小さく、エッチングファクタが高い回路パターンを得ることが可能になる。
The second surface treatment layer 4 can contain elements such as Ni, Zn, and Cr as attachment elements.
The ratio of the Ni deposition amount of the first surface treatment layer 3 to the Ni deposition amount of the second surface treatment layer 4 is preferably 0.01 to 2.5, more preferably 0.6 to 2.2. Since Ni is a component that is difficult to dissolve in the etching solution, by setting the ratio of the Ni adhesion amount within the above range, when etching the copper-clad laminate 10, the first surface treatment layer that becomes the bottom side of the circuit pattern 3 can be promoted, and dissolution of the second surface treatment layer 4, which is the top side of the circuit pattern, can be suppressed. Therefore, it is possible to obtain a circuit pattern with a small difference between the top width and the bottom width and a high etching factor.

第二表面処理層4のNi付着量は、第二表面処理層4の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは0.1~500μg/dm2、より好ましくは0.5~200μg/dm2、さらに好ましくは1~100μg/dm2である。第二表面処理層4のNi付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The Ni adhesion amount of the second surface treatment layer 4 is not particularly limited because it depends on the type of the second surface treatment layer 4, but is preferably 0.1 to 500 μg/dm 2 , more preferably 0.5 to 200 μg/dm. 2 , more preferably 1 to 100 μg/dm 2 . By setting the Ni adhesion amount of the second surface treatment layer 4 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第二表面処理層4のZn付着量は、第二表面処理層4の種類に依存するため特に限定されないが、第二表面処理層4にZnが含有される場合、好ましくは10~1000μg/dm2、より好ましくは50~500μg/dm2、さらに好ましくは100~300μg/dm2である。第二表面処理層4のZn付着量を上記範囲内とすることにより、耐熱性及び耐薬品性の効果を得るとともに、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The amount of Zn attached to the second surface treatment layer 4 is not particularly limited because it depends on the type of the second surface treatment layer 4, but when the second surface treatment layer 4 contains Zn, it is preferably 10 to 1000 μg/dm. 2 , more preferably 50 to 500 μg/dm 2 , still more preferably 100 to 300 μg/dm 2 . By setting the amount of Zn attached to the second surface treatment layer 4 within the above range, the effect of heat resistance and chemical resistance can be obtained, and the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第二表面処理層4のCr付着量は、第二表面処理層4の種類に依存するため特に限定されないが、第二表面処理層4にCrが含有される場合、好ましくは0μg/dm2超過500μg/dm2以下、より好ましくは0.1~100μg/dm2、さらに好ましくは1~50μg/dm2である。第二表面処理層4のCr付着量を上記範囲内とすることにより、防錆効果を得るとともに、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The amount of Cr deposited on the second surface treatment layer 4 is not particularly limited because it depends on the type of the second surface treatment layer 4, but when the second surface treatment layer 4 contains Cr, it preferably exceeds 0 μg/dm 2 500 μg/dm 2 or less, more preferably 0.1 to 100 μg/dm 2 , still more preferably 1 to 50 μg/dm 2 . By setting the amount of Cr adhered to the second surface treatment layer 4 within the above range, it is possible to obtain an anticorrosive effect and stably increase the etching factor of the circuit pattern.

銅箔2としては、特に限定されず、電解銅箔又は圧延銅箔のいずれであってもよい。電解銅箔は、硫酸銅メッキ浴からチタン又はステンレスのドラム上に銅を電解析出させることによって一般に製造されるが、ドラム側に形成される平坦なS面(シャイン面)と、S面の反対側に形成されるM面(マット面)とを有する。一般に、電解銅箔のM面は凹凸を有しているため、第一表面処理層3を電解銅箔のM面、第二表面処理層4を電解銅箔のS面に形成することにより、第一表面処理層3と絶縁基材11との接着性を高めることができる。 The copper foil 2 is not particularly limited, and may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. Electrodeposited copper foil is generally manufactured by electrolytically depositing copper from a copper sulfate plating bath onto a titanium or stainless steel drum. It has an M surface (matte surface) formed on the opposite side. In general, since the M surface of the electrolytic copper foil has unevenness, by forming the first surface treatment layer 3 on the M surface of the electrolytic copper foil and the second surface treatment layer 4 on the S surface of the electrolytic copper foil, Adhesion between the first surface treatment layer 3 and the insulating base material 11 can be enhanced.

銅箔2の材料としては、特に限定されないが、銅箔2が圧延銅箔の場合、プリント配線板の回路パターンとして通常使用されるタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)、無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020又はJIS H3510 合金番号C1011)などの高純度の銅を用いることができる。また、例えば、Sn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMgなどを添加した銅合金、Ni及びSiなどを添加したコルソン系銅合金のような銅合金も用いることができる。なお、本明細書において「銅箔2」とは、銅合金箔も含む概念である。 The material of the copper foil 2 is not particularly limited. High purity copper such as alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011) can be used. Copper alloys such as Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloys containing Cr, Zr, Mg, etc., and Corson copper alloys containing Ni, Si, etc. can also be used. In addition, in this specification, the "copper foil 2" is a concept including a copper alloy foil.

銅箔2の厚みは、特に限定されないが、例えば1~1000μm、或いは1~500μm、或いは1~300μm、或いは3~100μm、或いは5~70μm、或いは6~35μm、或いは9~18μmとすることができる。 The thickness of the copper foil 2 is not particularly limited. can.

上記のような構成を有する表面処理銅箔1は、当該技術分野において公知の方法に準じて製造することができる。ここで、第一表面処理層3及び第二表面処理層4のNi付着量、Ni付着量の比は、例えば、形成する表面処理層の種類、厚みなどを変えることによって制御することができる。また、第一表面処理層3のRzは、例えば、第一表面処理層3の形成条件などを調整することによって制御することができる。 The surface-treated copper foil 1 having the configuration as described above can be manufactured according to a method known in the art. Here, the Ni deposition amount of the first surface treatment layer 3 and the second surface treatment layer 4 and the ratio of the Ni deposition amount can be controlled by changing the type and thickness of the surface treatment layers to be formed, for example. Also, the Rz of the first surface treatment layer 3 can be controlled by adjusting the formation conditions of the first surface treatment layer 3, for example.

銅張積層板10は、表面処理銅箔1の第一表面処理層3に絶縁基材11を接着することによって製造することができる。
絶縁基材11としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。絶縁基材11の例としては、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマー、フッ素樹脂などが挙げられる。
The copper clad laminate 10 can be produced by adhering the insulating substrate 11 to the first surface treatment layer 3 of the surface treatment copper foil 1 .
The insulating base material 11 is not particularly limited, and one known in the art can be used. Examples of the insulating base material 11 include paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth/paper composite base epoxy resin, glass cloth/glass nonwoven cloth composite base epoxy resin, Glass cloth substrate epoxy resin, polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer, fluororesin, and the like.

表面処理銅箔1と絶縁基材11との接着方法としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の方法に準じて行うことができる。例えば、表面処理銅箔1と絶縁基材11とを積層させて熱圧着すればよい。 The method of adhering the surface-treated copper foil 1 and the insulating base material 11 is not particularly limited, and can be carried out according to a method known in the technical field. For example, the surface-treated copper foil 1 and the insulating base material 11 may be laminated and thermocompression bonded.

上記のようにして製造された銅張積層板10は、プリント配線板の製造に用いることができる。プリント配線板の製造方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの公知の方法を用いることができる。その中でも銅張積層板10は、サブトラクティブ法で用いるのに最適である。 The copper-clad laminate 10 manufactured as described above can be used for manufacturing a printed wiring board. The method for manufacturing the printed wiring board is not particularly limited, and known methods such as the subtractive method and the semi-additive method can be used. Among them, the copper-clad laminate 10 is most suitable for use in the subtractive method.

図3は、サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法を説明するための断面図である。
図3において、まず、銅張積層板10の表面処理銅箔1の表面にレジストを塗布、露光及び現像することによって所定のレジストパターン20を形成する(工程(a))。次に、レジストパターン20が形成されていない部分(不要部)の表面処理銅箔1をエッチングによって除去する(工程(b))。最後に、表面処理銅箔1上のレジストパターン20を除去する(工程(c))。
なお、このサブトラクティブ法における各種条件は、特に限定されず、当該技術分野において公知の条件に準じて行うことができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a printed wiring board by a subtractive method.
In FIG. 3, first, a predetermined resist pattern 20 is formed by applying a resist to the surface of the surface-treated copper foil 1 of the copper-clad laminate 10, exposing it, and developing it (step (a)). Next, the portion (unnecessary portion) of the surface-treated copper foil 1 where the resist pattern 20 is not formed is removed by etching (step (b)). Finally, the resist pattern 20 on the surface-treated copper foil 1 is removed (step (c)).
Various conditions in this subtractive method are not particularly limited, and can be carried out according to conditions known in the technical field.

以下、本発明の実施形態を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。 EXAMPLES The embodiments of the present invention will be described in more detail below with reference to Examples, but the present invention is not limited by these Examples.

(実施例1)
厚さ12μmの圧延銅箔(JX金属社製HA-V2箔)を準備し、一方の面に第一表面処理層として粗化処理層、耐熱層及びクロメート処理層を順次形成すると共に、他方の面に第二表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
(Example 1)
A rolled copper foil (HA-V2 foil manufactured by JX Metals Co., Ltd.) with a thickness of 12 μm is prepared, and a roughening treatment layer, a heat-resistant layer and a chromate treatment layer are sequentially formed as a first surface treatment layer on one surface, and the other surface is A surface-treated copper foil was obtained by successively forming a heat-resistant layer and a chromate-treated layer as a second surface-treated layer on the surface. The conditions for forming each layer are as follows.

<第一表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。電気めっきは2段階に分けて行った。
(1段目の条件)
めっき液組成:11g/LのCu、50g/Lの硫酸
めっき液温度:25℃
電気めっき条件:電流密度42.7A/dm2、時間1.4秒
(2段目の条件)
めっき液組成:20g/LのCu、100g/Lの硫酸
めっき液温度:50℃
電気めっき条件:電流密度3.8A/dm2、時間2.8秒
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating. Electroplating was performed in two stages.
(Conditions for the first stage)
Plating solution composition: 11 g/L Cu, 50 g/L sulfuric acid
Plating solution temperature: 25°C
Electroplating conditions: current density 42.7 A/dm 2 , time 1.4 seconds (second stage conditions)
Plating solution composition: 20 g/L Cu, 100 g/L sulfuric acid
Plating solution temperature: 50°C
Electroplating conditions: current density 3.8 A/dm 2 , time 2.8 seconds

<第一表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度1.1A/dm2、時間0.7秒
<Heat-resistant layer of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 1.1 A/dm 2 , time 0.7 seconds

<第一表面処理層のクロメート処理層>
電気めっきによってクロメート処理層を形成した。
めっき液組成:3.0g/LのK2Cr27、0.33g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:50℃
電気めっき条件:電流密度2.1A/dm2、時間1.4秒
<Chromate treatment layer of the first surface treatment layer>
A chromate treatment layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 3.0 g/L K2Cr2O7 , 0.33 g/ L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 50°C
Electroplating conditions: current density 2.1 A/dm 2 , time 1.4 seconds

<第二表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度2.8A/dm2、時間0.7秒
<Heat-resistant layer of the second surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 2.8 A/dm 2 , time 0.7 seconds

<第二表面処理層のクロメート処理層>
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成:3.0g/LのK2Cr27、0.33g/LのZn
クロメート液pH:3.6
クロメート液温度:50℃
<Chromate treatment layer of the second surface treatment layer>
A chromate treatment layer was formed by immersion chromate treatment.
Chromate liquid composition: 3.0 g/L K2Cr2O7 , 0.33 g / L Zn
Chromate solution pH: 3.6
Chromate liquid temperature: 50°C

(実施例2)
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第一表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度2.6A/dm2、時間0.7秒
(Example 2)
A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as in Example 1, except that the conditions for forming the heat-resistant layer of the first surface treatment layer were changed as follows.
<Heat-resistant layer of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 2.6 A/dm 2 , time 0.7 seconds

(実施例3)
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第一表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度3.7A/dm2、時間0.7秒
(Example 3)
A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as in Example 1, except that the conditions for forming the heat-resistant layer of the first surface treatment layer were changed as follows.
<Heat-resistant layer of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 3.7 A/dm 2 , time 0.7 seconds

(実施例4)
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第一表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度4.2A/dm2、時間0.7秒
(Example 4)
A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as in Example 1, except that the conditions for forming the heat-resistant layer of the first surface treatment layer were changed as follows.
<Heat-resistant layer of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 4.2 A/dm 2 , time 0.7 seconds

(実施例5)
第一表面処理層及び第二表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第一表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度2.1A/dm2、時間0.7秒
<第二表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度1.7A/dm2、時間0.7秒
(Example 5)
A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as in Example 1, except that the conditions for forming the heat-resistant layers of the first surface treatment layer and the second surface treatment layer were changed as follows.
<Heat-resistant layer of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 2.1 A/dm 2 , time 0.7 seconds <Heat resistant layer of second surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 1.7 A/dm 2 , time 0.7 seconds

(比較例1)
厚さ12μmの圧延銅箔(JX金属社製HA-V2箔)を準備し、一方の面に第一表面処理層として粗化処理層、耐熱層及びクロメート処理層を順次形成すると共に、他方の面に第二表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
<第一表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成:15g/LのCu、7.5g/LのCo、9.5g/LのNi
めっき液pH:2.4
めっき液温度:36℃
電気めっき条件:電流密度31.5A/dm2、時間1.8秒
(Comparative example 1)
A rolled copper foil (HA-V2 foil manufactured by JX Metals Co., Ltd.) with a thickness of 12 μm is prepared, and a roughening treatment layer, a heat-resistant layer and a chromate treatment layer are sequentially formed as a first surface treatment layer on one surface, and the other surface is A surface-treated copper foil was obtained by successively forming a heat-resistant layer and a chromate-treated layer as a second surface-treated layer on the surface. The conditions for forming each layer are as follows.
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 15 g/L Cu, 7.5 g/L Co, 9.5 g/L Ni
Plating solution pH: 2.4
Plating solution temperature: 36°C
Electroplating conditions: current density 31.5 A/dm 2 , time 1.8 seconds

<第一表面処理層の耐熱層(1)>
電気めっきによって耐熱層(1)を形成した。
めっき液組成:3g/LのCo、13g/LのNi
めっき液pH:2.0
めっき液温度:50℃
電気めっき条件:電流密度19.1A/dm2、時間0.4秒
<Heat-resistant layer (1) of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer (1) was formed by electroplating.
Plating solution composition: 3 g/L Co, 13 g/L Ni
Plating solution pH: 2.0
Plating solution temperature: 50°C
Electroplating conditions: current density 19.1 A/dm 2 , time 0.4 seconds

<第一表面処理層の耐熱層(2)>
電気めっきによって耐熱層(2)を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度3.5A/dm2、時間0.4秒
<Heat-resistant layer (2) of the first surface treatment layer>
A heat-resistant layer (2) was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 3.5 A/dm 2 , time 0.4 seconds

<第一表面処理層のクロメート処理層>
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成:3g/LのK2Cr27、0.33g/LのZn
クロメート液pH:3.6
クロメート液温度:50℃
<Chromate treatment layer of the first surface treatment layer>
A chromate treatment layer was formed by immersion chromate treatment.
Chromate liquid composition: 3 g/ L K2Cr2O7 , 0.33 g/L Zn
Chromate solution pH: 3.6
Chromate liquid temperature: 50°C

<第二表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:23.5g/LのNi、4.5g/LのZn
めっき液pH:3.6
めっき液温度:40℃
電気めっき条件:電流密度4.1A/dm2、時間0.4秒
<Heat-resistant layer of the second surface treatment layer>
A heat-resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 23.5 g/L Ni, 4.5 g/L Zn
Plating solution pH: 3.6
Plating solution temperature: 40°C
Electroplating conditions: current density 4.1 A/dm 2 , time 0.4 seconds

<第二表面処理層のクロメート処理層>
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成:3g/LのK2Cr27、0.33g/LのZn
クロメート液pH:3.6
クロメート液温度:50℃
<Chromate treatment layer of the second surface treatment layer>
A chromate treatment layer was formed by immersion chromate treatment.
Chromate liquid composition: 3 g/ L K2Cr2O7 , 0.33 g/L Zn
Chromate solution pH: 3.6
Chromate liquid temperature: 50°C

上記の実施例及び比較例で得られた表面処理銅箔について、下記の評価を行った。
<第一表面処理層及び第二表面処理層における各元素の付着量の測定>
Ni、Zn及びCoの付着量は、各表面処理層を濃度20質量%の硝酸に溶解し、VARIAN社製の原子吸光分光光度計(型式:AA240FS)を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。また、Crの付着量は各表面処理層を濃度7質量%の塩酸に溶解し、上記と同様に原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。
The surface-treated copper foils obtained in the above examples and comparative examples were evaluated as follows.
<Measurement of adhesion amount of each element in first surface treatment layer and second surface treatment layer>
The amount of Ni, Zn and Co deposited is determined by dissolving each surface treatment layer in nitric acid having a concentration of 20% by mass and performing quantitative analysis by atomic absorption spectrophotometry using an atomic absorption spectrophotometer (model: AA240FS) manufactured by VARIAN. measured by The Cr deposition amount was measured by dissolving each surface treatment layer in hydrochloric acid having a concentration of 7% by mass and performing quantitative analysis by atomic absorption spectrometry in the same manner as described above.

<表面処理銅箔の第一表面処理層の粗さ曲線要素の平均長さRSmの測定>
JIS B0601:2013に準拠し、オリンパス株式会社製のレーザー顕微鏡(LEXT OLS4100)を用いてRSmを測定した。RSmは、任意の10か所で測定した値の平均値を測定結果とした。なお、測定時の温度は23~25℃とした。また、レーザー顕微鏡における主要な設定条件は下記の通りである。
対物レンズ:MPLAPONLEXT50(×50倍)
走査モード:XYZ高精度
取込み画像サイズ[画素数]:横257μm×縦258μm[1024×1024]
(横方向に測定するため、評価長さとしては257μmに相当)
カットオフ:無し(λc、λs、λf全て無し)
フィルタ:ガウシアンフィルタ
ノイズ除去及び傾き補正:実施
<Measurement of average length RSm of roughness curve element of first surface treatment layer of surface-treated copper foil>
Based on JIS B0601:2013, RSm was measured using a laser microscope (LEXT OLS4100) manufactured by Olympus Corporation. For RSm, the average value of values measured at arbitrary 10 locations was used as the measurement result. The temperature during the measurement was 23 to 25°C. Also, the main setting conditions in the laser microscope are as follows.
Objective lens: MPLAPONLEXT50 (x50x)
Scanning mode: XYZ high precision Captured image size [Number of pixels]: Horizontal 257 μm × Vertical 258 μm [1024 × 1024]
(Since it is measured in the horizontal direction, it corresponds to 257 μm as an evaluation length)
Cutoff: none (no λc, λs, λf)
Filter: Gaussian filter Noise removal and tilt correction: Implemented

<表面処理銅箔の第一表面処理層のa*の測定>
測定器としてHunterLab社製のMiniScan(登録商標)EZ Model 4000Lを用い、JIS Z8730:2009に準拠してCIE L***表色系のa*の測定を行った。具体的には、上記の実施例及び比較例で得られた表面処理銅箔の第一表面処理層を測定器の感光部に押し当て、外から光が入らないようにしつつa*を測定した。また、a*の測定は、JIS Z8722の幾何条件Cに基づいて行った。なお、測定器の主な条件は下記の通りである。
光学系 d/8°、積分球サイズ:63.5mm、観察光源 D65
測定方式 反射
照明径 25.4mm
測定径 20.0mm
測定波長・間隔 400~700nm・10nm
光源 パルスキセノンランプ・1発光/測定
トレーサビリティ標準 CIE 44及びASTM E259に基づく、米国標準技術研究所(NIST)準拠校正
標準観察者 10°
また、測定基準となる白色タイルは、下記の物体色のものを使用した。
D65/10°にて測定した場合に、CIE XYZ表色系での値がX:81.90、Y:87.02、Z:93.76(これは、CIE L***表色系に数値を変換すると、L*:94.8、a*:-1.6、b*:0.7に相当する)である。
<Measurement of a * of first surface treatment layer of surface-treated copper foil>
Using HunterLab's MiniScan (registered trademark) EZ Model 4000L as a measuring instrument, a * in the CIE L * a * b * color system was measured according to JIS Z8730:2009. Specifically, the first surface treatment layer of the surface-treated copper foil obtained in the above examples and comparative examples was pressed against the photosensitive part of the measuring instrument, and a * was measured while preventing light from entering from the outside. . Moreover, the measurement of a * was performed based on the geometric condition C of JIS Z8722. The main conditions of the measuring instrument are as follows.
Optical system d/8°, Integrating sphere size: 63.5mm, Observation light source D65
Measurement method Reflection Illumination diameter 25.4mm
Measurement diameter 20.0mm
Measurement wavelength/interval 400-700nm/10nm
Light source Pulsed xenon lamp, 1 light emission/measurement Traceability standards Based on CIE 44 and ASTM E259, US National Institute of Standards and Technology (NIST) compliant calibration Standard observer 10°
In addition, the following object colors were used for the white tiles used as the measurement standard.
When measured at D65/10°, the values in the CIE XYZ color system are X: 81.90, Y: 87.02, Z: 93.76 (this is the CIE L * a * b * color system Converting the numerical values to the system, L * : 94.8, a * : -1.6, b * : 0.7).

<表面処理銅箔の第一表面処理層のXPSのデプスプロファイルにおける銅濃度の測定>
表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にXPS分析を行い、スパッタリングレート2.5nm/分(SiO2換算)で7分スパッタリングを行ったときのCu濃度を測定した。その他の条件は以下の通りとした。
装置:アルバック・ファイ株式会社製5600MC
到達真空度:5.7×10-7Pa
励起源:単色化 MgKα
出力:400W
検出面積:800μmφ
入射角:81°
取り出し角:45°
中和銃なし
測定対象元素:C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及びCu
<スパッタ条件>
イオン種:Ar+
加速電圧:3kV
掃引領域:3mm×3mm
<Measurement of Copper Concentration in XPS Depth Profile of First Surface Treated Layer of Surface Treated Copper Foil>
XPS analysis was performed in the depth direction on the first surface-treated layer of the surface-treated copper foil, and the Cu concentration was measured when sputtering was performed for 7 minutes at a sputtering rate of 2.5 nm/min (in terms of SiO 2 ). Other conditions were as follows.
Device: 5600MC manufactured by ULVAC-Phi, Inc.
Ultimate degree of vacuum: 5.7×10 −7 Pa
Excitation source: monochromatic MgKα
Output: 400W
Detection area: 800 μmφ
Incident angle: 81°
Take-off angle: 45°
No neutralization gun Elements to be measured: C, N, O, Zn, Cr, Ni, Co, Si and Cu
<Sputtering conditions>
Ion species: Ar+
Accelerating voltage: 3 kV
Sweep area: 3mm x 3mm

<エッチングファクタの評価>
表面処理銅箔の第一表面処理層上にポリイミド基板を積層して300℃で1時間加熱して圧着させることによって銅張積層板を作製した。次に、表面処理銅箔の第二表面処理層上に感光性レジストを塗布して露光及び現像することにより、L/S=29μm/21μm幅のレジストパターンを形成した。その後、表面処理銅箔の露出部(不要部)をエッチングによって除去することにより、L/S=25μm/25μm幅の銅の回路パターンを有するプリント配線板を得た。なお、前記回路パターンのL及びSの幅は、回路のボトム面、すなわちポリイミド基板に接している面の幅である。エッチングはスプレーエッチングを用いて下記の条件にて行った。
エッチング液:塩化銅エッチング液(塩化銅(II)2水和物400g/L、35%塩酸として200ml/L)
液温:45℃
スプレー圧:0.18MPa
次に、形成された回路パターンをSEM観察し、下記の式に基づいてエッチングファクタ(EF)を求めた。
EF=回路高さ/{(回路ボトム幅-回路トップ幅)/2}
エッチングファクタは、数値が大きいほど回路側面の傾斜角が大きいことを意味する。
上記の評価結果を表1に示す。
EFの値は各実施例及び比較例につき5回実験した結果の平均値である。
<Evaluation of etching factor>
A copper-clad laminate was produced by laminating a polyimide substrate on the first surface-treated layer of the surface-treated copper foil, followed by heating at 300° C. for 1 hour and pressure bonding. Next, a resist pattern having a width of L/S=29 μm/21 μm was formed by applying a photosensitive resist onto the second surface treatment layer of the surface treatment copper foil, exposing and developing the resist. Thereafter, the exposed portion (unnecessary portion) of the surface-treated copper foil was removed by etching to obtain a printed wiring board having a copper circuit pattern of L/S=25 μm/25 μm width. The width of L and S of the circuit pattern is the width of the bottom surface of the circuit, that is, the width of the surface in contact with the polyimide substrate. Etching was performed under the following conditions using spray etching.
Etching solution: Copper chloride etching solution (400 g/L of copper (II) chloride dihydrate, 200 ml/L as 35% hydrochloric acid)
Liquid temperature: 45°C
Spray pressure: 0.18MPa
Next, the formed circuit pattern was observed with an SEM, and the etching factor (EF) was obtained based on the following formula.
EF=circuit height/{(circuit bottom width−circuit top width)/2}
The etching factor means that the larger the numerical value, the larger the inclination angle of the side surface of the circuit.
Table 1 shows the above evaluation results.
The EF value is the average value of the results of 5 experiments for each example and comparative example.

<ピール強度の評価>
90度ピール強度の測定は、JIS C6471:1995に準拠して行った。具体的には、回路(表面処理銅箔)幅を3mmとし、90度の角度で50mm/分の速度で市販の基材(FR-4プリプレグ)と表面処理銅箔との間を引き剥がしたときの強度を測定した。測定は2回行い、その平均値をピール強度の結果とした。なお、ピール強度は、0.5kgf/cm以上であれば、導体と基材との接着性が良好であるといえる。
なお、回路幅の調整は、塩化銅エッチング液を用いる通常のサブトラクティブエッチング方法によって行った。また、ピール強度の評価は、初期(エッチング直後)、及びはんだリフロー相当の熱履歴(260℃、20秒)後の2条件で評価した。
<Evaluation of peel strength>
The 90-degree peel strength was measured according to JIS C6471:1995. Specifically, the width of the circuit (surface-treated copper foil) was 3 mm, and the substrate (FR-4 prepreg) on the market and the surface-treated copper foil were peeled off at an angle of 90 degrees at a rate of 50 mm/min. The strength was measured when The measurement was performed twice, and the average value was used as the result of the peel strength. If the peel strength is 0.5 kgf/cm or more, it can be said that the adhesion between the conductor and the substrate is good.
The circuit width was adjusted by a normal subtractive etching method using a copper chloride etchant. The peel strength was evaluated under two conditions, the initial stage (immediately after etching) and the thermal history (260° C., 20 seconds) corresponding to solder reflow.

上記の評価結果を表1及び2に示す。 The above evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

Figure 0007251927000001
Figure 0007251927000001

Figure 0007251927000002
Figure 0007251927000002

表1及び2に示されるように、第一表面処理層のRSmが5~10μmである実施例1~5は、エッチングファクタ及びピール強度が高かったのに対し、第一表面処理層のRSmが5μm未満である比較例1は、エッチングファクタが低かった。また、実施例1~5は、初期だけでなく熱履歴後のピール強度も高かった。 As shown in Tables 1 and 2, Examples 1 to 5 in which RSm of the first surface treatment layer was 5 to 10 μm had high etching factors and peel strengths, whereas RSm of the first surface treatment layer was Comparative Example 1 with a thickness of less than 5 μm had a low etching factor. In Examples 1 to 5, the peel strength was high not only at the initial stage but also after thermal history.

以上の結果からわかるように、本発明の実施形態によれば、絶縁基材との接着性に優れると共に、ファインピッチ化に適した高エッチングファクタの回路パターンを形成することが可能な表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することができる。また、本発明の実施形態によれば、絶縁基材との接着性に優れる高エッチングファクタの回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。 As can be seen from the above results, according to the embodiment of the present invention, the surface-treated copper that has excellent adhesion to the insulating substrate and can form a circuit pattern with a high etching factor suitable for fine pitch. Foils and copper clad laminates can be provided. Moreover, according to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a printed wiring board having a circuit pattern with a high etching factor and excellent adhesiveness to an insulating substrate.

1 表面処理銅箔
2 銅箔
3 第一表面処理層
4 第二表面処理層
10 銅張積層板
11 絶縁基材
20 レジストパターン
Reference Signs List 1 surface-treated copper foil 2 copper foil 3 first surface-treated layer 4 second surface-treated layer 10 copper-clad laminate 11 insulating substrate 20 resist pattern

Claims (7)

銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第一表面処理層とを有し、
前記第一表面処理層は、Ni付着量が20~200μg/dm 2 、Zn付着量が20~1000μg/dm 2 JIS B0601:2013に基づく粗さ曲線要素の平均長さRSmが6.65~10μm、及びCIE L***表色系のa*5.0~28.0である表面処理銅箔。
Having a copper foil and a first surface treatment layer formed on one surface of the copper foil,
The first surface treatment layer has a Ni adhesion amount of 20 to 200 μg/dm 2 , a Zn adhesion amount of 20 to 1000 μg/dm 2 , and an average length RSm of roughness curve elements based on JIS B0601:2013 of 6.65 to 10 μm, and a surface-treated copper foil having a * of 5.0 to 28.0 in the CIE L * a * b * color system.
前記RSmが6.65~9μmである、請求項1に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to claim 1, wherein said RSm is 6.65 to 9 µm. 前記a*が5.0~23.0である、請求項1又は2に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to claim 1 or 2, wherein said a * is 5.0 to 23.0. 前記第一表面処理層は、XPSのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート2.5nm/分(SiO2換算)で7分スパッタリングを行ったときのC、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及びCuの元素の合計量に対するCu濃度が80~100atm%である、請求項1~のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The first surface treatment layer is C, N, O, Zn, Cr, Ni, Co, Si when sputtering is performed for 7 minutes at a sputtering rate of 2.5 nm / min (in terms of SiO 2 ) in the XPS depth profile. 4. The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 3 , wherein the concentration of Cu is 80 to 100 atm% with respect to the total amount of elements of Cu and Cu. 前記銅箔が圧延銅箔である、請求項1~のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 4 , wherein the copper foil is a rolled copper foil. 請求項1~のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板。 A copper-clad laminate comprising the surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 5 and an insulating substrate adhered to the first surface treatment layer of the surface-treated copper foil. 請求項に記載の銅張積層板の前記表面処理銅箔から形成された回路パターンを備えるプリント配線板。 A printed wiring board comprising a circuit pattern formed from the surface-treated copper foil of the copper-clad laminate according to claim 6 .
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