JP7017369B2 - Surface-treated copper foil, copper-clad laminate and printed wiring board - Google Patents

Surface-treated copper foil, copper-clad laminate and printed wiring board Download PDF

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Description

本開示は、表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板に関する。 The present disclosure relates to surface-treated copper foil, copper-clad laminates and printed wiring boards.

近年、電子機器の小型化、高性能化などのニーズの増大に伴い、電子機器に搭載されるプリント配線板に対する回路パターン(「導体パターン」ともいう)のファインピッチ化(微細化)が要求されている。
プリント配線板の製造方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの様々な方法が知られている。その中でもサブトラクティブ法では、銅箔に絶縁基材を接着させて銅張積層板を形成した後、銅箔表面にレジストを塗布及び露光して所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない部分(不要部)をエッチングにて除去することによって回路パターンが形成される。
In recent years, with the increasing needs for miniaturization and high performance of electronic devices, fine pitching (miniaturization) of circuit patterns (also referred to as "conductor patterns") for printed wiring boards mounted on electronic devices is required. ing.
As a method for manufacturing a printed wiring board, various methods such as a subtractive method and a semi-additive method are known. Among them, in the subtractive method, an insulating base material is adhered to a copper foil to form a copper-clad laminate, and then a resist is applied and exposed on the surface of the copper foil to form a predetermined resist pattern, and a resist pattern is formed. A circuit pattern is formed by removing the unused portion (unnecessary portion) by etching.

上記のファインピッチ化の要求に対し、例えば、特許文献1には、銅箔の表面に銅-コバルト-ニッケル合金めっきによる粗化処理を行った後、コバルト-ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛-ニッケル合金めっき層を形成することにより、回路パターンのファインピッチ化が可能な表面処理銅箔が得られることが記載されている。 In response to the above-mentioned request for fine pitch, for example, in Patent Document 1, the surface of a copper foil is roughened by copper-cobalt-nickel alloy plating, and then a cobalt-nickel alloy plating layer is formed, and further. It is described that by forming a zinc-nickel alloy plating layer, a surface-treated copper foil capable of fine pitching a circuit pattern can be obtained.

特許第2849059号公報Japanese Patent No. 2849059

しかしながら、従来の表面処理銅箔は、表面処理層(めっき層)のエッチング速度が銅箔のエッチング速度に比べて遅いため、銅箔表面(トップ)から絶縁基材(ボトム)側に向かって末広がりにエッチングされてしまい、回路パターンのエッチングファクタが低下するという問題がある。そして、回路パターンのエッチングファクタが低いと、隣接する回路間のスペースを広くする必要があるため、回路パターンのファインピッチ化が難しくなる。 However, in the conventional surface-treated copper foil, the etching rate of the surface-treated layer (plating layer) is slower than the etching rate of the copper foil, so that the surface spreads from the copper foil surface (top) toward the insulating base material (bottom). There is a problem that the etching factor of the circuit pattern is lowered due to the etching. If the etching factor of the circuit pattern is low, it is necessary to widen the space between adjacent circuits, which makes it difficult to make the circuit pattern fine pitch.

本開示は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、ファインピッチ化に適した高エッチングファクタの回路パターンを形成することが可能な表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することを目的とする。
また、本開示は、高エッチングファクタの回路パターンを有するプリント配線板を提供することを目的とする。
The present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a surface-treated copper foil and a copper-clad laminate capable of forming a circuit pattern having a high etching factor suitable for fine pitching. The purpose is to do.
It is also an object of the present disclosure to provide a printed wiring board having a circuit pattern with a high etching factor.

本発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究を行った結果、銅箔の両面に表面処理層を形成し、該表面処理層において、エッチング液に溶解し難いNiの付着量を制御することにより、回路パターンのエッチングファクタを高め得ることを見出し、本開示に至った。 As a result of diligent research to solve the above problems, the present inventors have formed surface-treated layers on both sides of the copper foil, and controlled the amount of Ni that is difficult to dissolve in the etching solution in the surface-treated layer. By doing so, it has been found that the etching factor of the circuit pattern can be increased, and the present disclosure has been made.

すなわち、本開示は、銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第1表面処理層と、前記銅箔の他方の面に形成された第2表面処理層とを有し、前記第1表面処理層を絶縁基材と接着し、前記第2表面処理層側からエッチングして回路パターンを形成するために用いられる表面処理銅箔であって、前記第2表面処理層のNi付着量に対する前記第1表面処理層のNi付着量の比が0.01~2であり、前記第1表面処理層のZn付着量が400~500μg/dm 2 である表面処理銅箔に関する。
また、本開示は、前記表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第1表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板に関する。
さらに、本開示は、前記銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板に関する。
That is, the present disclosure includes a copper foil, a first surface-treated layer formed on one surface of the copper foil, and a second surface-treated layer formed on the other surface of the copper foil. A surface-treated copper foil used for adhering a first surface-treated layer to an insulating base material and etching from the second surface-treated layer side to form a circuit pattern, wherein Ni adhesion of the second surface-treated layer is performed. The present invention relates to a surface-treated copper foil in which the ratio of the Ni adhesion amount of the first surface-treated layer to the amount is 0.01 to 2, and the Zn adhesion amount of the first surface-treated layer is 400 to 500 μg / dm 2 .
The present disclosure also relates to a copper-clad laminate comprising the surface-treated copper foil and an insulating base material adhered to a first surface-treated layer of the surface-treated copper foil.
Further, the present disclosure relates to a printed wiring board having a circuit pattern formed by etching the surface-treated copper foil of the copper-clad laminate.

本開示によれば、ファインピッチ化に適した高エッチングファクタの回路パターンを形成することが可能な表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することができる。
また、本開示によれば、高エッチングファクタの回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
According to the present disclosure, it is possible to provide a surface-treated copper foil and a copper-clad laminate capable of forming a circuit pattern having a high etching factor suitable for fine pitching.
Further, according to the present disclosure, it is possible to provide a printed wiring board having a circuit pattern having a high etching factor.

本開示の表面処理銅箔を用いた銅張積層板の断面図である。It is sectional drawing of the copper-clad laminated board using the surface-treated copper foil of this disclosure. サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board by the subtractive method.

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。本開示は以下の実施形態に限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施形態に対して変更、改良などが適宜加えられたものも本開示の範囲に入ることが理解されるべきである。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be specifically described with reference to the drawings. The present disclosure is not limited to the following embodiments, and changes, improvements, etc. may be made to the following embodiments as appropriate based on the ordinary knowledge of those skilled in the art, without departing from the spirit of the present disclosure. It should be understood that any of these are also within the scope of this disclosure.

図1は、本開示の表面処理銅箔を用いた銅張積層板の断面図である。
表面処理銅箔1は、銅箔2と、銅箔2の一方の面に形成された第1表面処理層3と、銅箔2の他方の面に形成された第2表面処理層4とを有する。また、銅張積層板10は、表面処理銅箔1と、表面処理銅箔1の第1表面処理層3に接着された絶縁基材11とを有する。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a copper-clad laminate using the surface-treated copper foil of the present disclosure.
The surface-treated copper foil 1 comprises a copper foil 2, a first surface-treated layer 3 formed on one surface of the copper foil 2, and a second surface-treated layer 4 formed on the other surface of the copper foil 2. Have. Further, the copper-clad laminate 10 has a surface-treated copper foil 1 and an insulating base material 11 adhered to the first surface-treated layer 3 of the surface-treated copper foil 1.

第1表面処理層3及び第2表面処理層4は、付着元素としてNiを少なくとも含む。
表面処理銅箔1において、第2表面処理層4のNi付着量に対する第1表面処理層3のNi付着量の比は、0.01~2、好ましくは0.8~1.5である。Niはエッチング液に溶解し難い成分であるため、Ni付着量の比を上記の範囲とすることにより、銅張積層板10をエッチングする際に、回路パターンのボトム側となる第1表面処理層3の溶解を促進すると共に、回路パターンのトップ側となる第2表面処理層4の溶解を遅くすることができる。そのため、トップ幅とボトム幅との差が小さく、エッチングファクタが高い回路パターンを得ることが可能になる。
The first surface treatment layer 3 and the second surface treatment layer 4 contain at least Ni as an adhering element.
In the surface-treated copper foil 1, the ratio of the Ni adhesion amount of the first surface-treated layer 3 to the Ni adhesion amount of the second surface-treated layer 4 is 0.01 to 2, preferably 0.8 to 1.5. Since Ni is a component that is difficult to dissolve in the etching solution, by setting the ratio of the amount of Ni adhered to the above range, the first surface treatment layer that becomes the bottom side of the circuit pattern when etching the copper-clad laminate 10. It is possible to promote the dissolution of 3 and delay the dissolution of the second surface treatment layer 4, which is the top side of the circuit pattern. Therefore, it is possible to obtain a circuit pattern in which the difference between the top width and the bottom width is small and the etching factor is high.

第1表面処理層3のNi付着量は、Ni付着量の比が上記の範囲内であれば特に限定されないが、好ましくは20~200μg/dm2、より好ましくは20~100μg/dm2である。第1表面処理層3のNi付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The amount of Ni attached to the first surface treatment layer 3 is not particularly limited as long as the ratio of the amount of attached Ni is within the above range, but is preferably 20 to 200 μg / dm 2 , and more preferably 20 to 100 μg / dm 2 . .. By setting the amount of Ni adhered to the first surface treatment layer 3 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第1表面処理層3は、付着元素として、Ni以外にZn、Co、Crなどの元素を含むことができる。
第1表面処理層3のZn付着量は、第1表面処理層3の種類に依存するため特に限定されないが、第1表面処理層3にZnが含有される場合、好ましくは20~1000μg/dm2、より好ましくは400~500μg/dm2である。第1表面処理層3のZn付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。
The first surface treatment layer 3 can contain elements such as Zn, Co, and Cr in addition to Ni as an adhering element.
The amount of Zn adhered to the first surface treatment layer 3 is not particularly limited because it depends on the type of the first surface treatment layer 3, but when Zn is contained in the first surface treatment layer 3, it is preferably 20 to 1000 μg / dm. 2 , more preferably 400 to 500 μg / dm 2 . By setting the amount of Zn adhered to the first surface treatment layer 3 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第1表面処理層3のCo付着量は、第1表面処理層3の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは1500μg/dm2以下、より好ましくは0.1~500μg/dm2、さらに好ましくは0.5~100μg/dm2である。第1表面処理層3のCo付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。また、Coは磁性金属であるため、第1表面処理層3のCo付着量を特に100μg/dm2以下、好ましくは0.5~100μg/dm2に抑えることにより、高周波特性に優れたプリント配線板を作製可能な表面処理銅箔1を得ることができる。 The amount of Co adhered to the first surface treatment layer 3 is not particularly limited because it depends on the type of the first surface treatment layer 3, but is preferably 1500 μg / dm 2 or less, more preferably 0.1 to 500 μg / dm 2 , and further. It is preferably 0.5 to 100 μg / dm 2 . By setting the amount of Co adhered to the first surface treatment layer 3 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased. Further, since Co is a magnetic metal, the amount of Co adhered to the first surface treatment layer 3 is suppressed to 100 μg / dm 2 or less, preferably 0.5 to 100 μg / dm 2 , so that the printed wiring has excellent high frequency characteristics. A surface-treated copper foil 1 capable of producing a plate can be obtained.

第1表面処理層3のCr付着量は、第1表面処理層3の種類に依存するため特に限定されないが、500μg/dm2以下、より好ましくは0.5~300μg/dm2、さらに好ましくは1~100μg/dm2である。第1表面処理層3のCr付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The amount of Cr adhered to the first surface treatment layer 3 is not particularly limited because it depends on the type of the first surface treatment layer 3, but is 500 μg / dm 2 or less, more preferably 0.5 to 300 μg / dm 2 , and even more preferably. It is 1 to 100 μg / dm 2 . By setting the amount of Cr adhered to the first surface treatment layer 3 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第1表面処理層3のRzjisは、特に限定されないが、好ましくは0.3~1.5μm、より好ましくは0.5~0.8μmである。第1表面処理層3のRzjisを上記範囲内とすることにより、絶縁基材11との接着性を向上させることができる。
ここで、本明細書において「Rzjis」とは、JIS B0601:2001に規定される十点平均粗さを意味する。
The Rzjis of the first surface treatment layer 3 is not particularly limited, but is preferably 0.3 to 1.5 μm , and more preferably 0.5 to 0.8 μm . By setting the Rzjis of the first surface treatment layer 3 within the above range, the adhesiveness with the insulating base material 11 can be improved.
Here, "Rzjis" in the present specification means a ten-point average roughness defined in JIS B0601: 2001.

第1表面処理層3の種類は、Ni付着量の比が上記の範囲内となれば特に限定されず、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。表面処理層の例としては、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層などが挙げられる。これらの層は、単一又は2種以上を組み合わせて用いることができる。その中でも第1表面処理層3は、絶縁基材11との接着性の観点から、粗化処理層を有することが好ましい。
ここで、本明細書において「粗化処理層」とは、粗化処理によって形成される層であり、粗化粒子の層を含む。また、粗化処理では、前処理として通常の銅メッキなどが行われたり、仕上げ処理として粗化粒子の脱落を防止するために通常の銅メッキなどが行なわれたりする場合があるが、本明細書における「粗化処理層」は、これらの前処理及び仕上げ処理によって形成される層を含む。
The type of the first surface treatment layer 3 is not particularly limited as long as the ratio of the Ni adhesion amount is within the above range, and various surface treatment layers known in the art can be used. Examples of the surface treatment layer include a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer, a silane coupling treatment layer and the like. These layers can be used alone or in combination of two or more. Among them, the first surface-treated layer 3 preferably has a roughened-treated layer from the viewpoint of adhesiveness to the insulating base material 11.
Here, the "roughened layer" in the present specification is a layer formed by the roughening treatment, and includes a layer of roughened particles. Further, in the roughening treatment, normal copper plating or the like may be performed as a pretreatment, or normal copper plating or the like may be performed as a finishing treatment to prevent the roughened particles from falling off. The "roughened layer" in the book includes layers formed by these pretreatments and finishing treatments.

粗化粒子としては、特に限定されないが、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金から形成することができる。また、粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体又は合金などで二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。 The roughened particles are not particularly limited, but are formed from any simple substance selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing any one or more thereof. can do. Further, after forming the roughened particles, it is also possible to perform a roughening treatment in which secondary particles and tertiary particles are further provided with a simple substance or an alloy of nickel, cobalt, copper, zinc or the like.

耐熱層及び防錆層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。なお、耐熱層は防錆層としても機能することがあるため、耐熱層及び防錆層として、耐熱層及び防錆層の両方の機能を有する1つの層を形成してもよい。
耐熱層及び/又は防錆層としては、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選択される1種以上の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい)を含む層であることができる。耐熱層及び/又は防錆層の例としては、ニッケル-亜鉛合金を含む層が挙げられる。
The heat-resistant layer and the rust-preventive layer are not particularly limited, and can be formed from a material known in the art. Since the heat-resistant layer may also function as a rust-preventive layer, one layer having both the functions of the heat-resistant layer and the rust-preventive layer may be formed as the heat-resistant layer and the rust-preventive layer.
The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer includes nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. It can be a layer containing one or more elements selected from the above (which may be in any form such as metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.). Examples of the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer include a layer containing a nickel-zinc alloy.

クロメート処理層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。
ここで、本明細書において「クロメート処理層」とは、無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩又は二クロム酸塩を含む液で形成された層を意味する。クロメート処理層は、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素、チタンなどの元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい)を含む層であることができる。クロメート処理層の例としては、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム及び亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層などが挙げられる。
The chromate-treated layer is not particularly limited and can be formed from a material known in the art.
Here, the term "chromate-treated layer" as used herein means a layer formed of a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, chromic acid, chromate or dichromate. The chromate-treated layer can be any element (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. It can be a layer containing). Examples of the chromate-treated layer include a chromate-treated layer treated with an aqueous solution of chromic acid anhydride or potassium dichromate, and a chromate-treated layer treated with a treatment liquid containing chromic acid anhydride or potassium dichromate and zinc.

シランカップリング処理層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。
ここで、本明細書において「シランカップリング処理層」とは、シランカップリング剤で形成された層を意味する。
シランカップリング剤としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。シランカップリング剤の例としては、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤などが挙げられる。これらは、単独又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
The silane coupling treatment layer is not particularly limited and can be formed from a material known in the art.
Here, the term "silane coupling-treated layer" as used herein means a layer formed of a silane coupling agent.
The silane coupling agent is not particularly limited, and those known in the art can be used. Examples of the silane coupling agent include an amino-based silane coupling agent, an epoxy-based silane coupling agent, and a mercapto-based silane coupling agent. These can be used alone or in combination of two or more.

第2表面処理層4の種類は、Ni付着量の比が上記の範囲内となれば特に限定されず、第1表面処理層3と同様に、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。また、第2表面処理層4の種類は、第1表面処理層3と同一であっても異なっていてもよい。 The type of the second surface treatment layer 4 is not particularly limited as long as the ratio of the Ni adhesion amount is within the above range, and various surface treatment layers known in the art are used as in the first surface treatment layer 3. be able to. Further, the type of the second surface treatment layer 4 may be the same as or different from that of the first surface treatment layer 3.

第2表面処理層4のNi付着量は、Ni付着量の比が上記の範囲内であれば特に限定されないが、好ましくは0.1~500μg/dm2、より好ましくは0.5~200μg/dm2、さらに好ましくは1~100μg/dm2である。第2表面処理層4のNi付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The amount of Ni attached to the second surface treatment layer 4 is not particularly limited as long as the ratio of the amount of attached Ni is within the above range, but is preferably 0.1 to 500 μg / dm 2 , more preferably 0.5 to 200 μg /. It is dm 2 , more preferably 1 to 100 μg / dm 2 . By setting the amount of Ni adhered to the second surface treatment layer 4 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第2表面処理層4は、付着元素として、Ni以外にZn、Crなどの元素を含むことができる。
第2表面処理層4のZn付着量は、第2表面処理層4の種類に依存するため特に限定されないが、第2表面処理層4にZnが含有される場合、好ましくは10~1000μg/dm2、より好ましくは50~500μg/dm2、さらに好ましくは100~300μg/dm2である。第2表面処理層4のZn付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。
The second surface treatment layer 4 can contain elements such as Zn and Cr as adhesion elements in addition to Ni.
The amount of Zn adhered to the second surface treatment layer 4 is not particularly limited because it depends on the type of the second surface treatment layer 4, but when Zn is contained in the second surface treatment layer 4, it is preferably 10 to 1000 μg / dm. 2 , more preferably 50 to 500 μg / dm 2 , still more preferably 100 to 300 μg / dm 2 . By setting the amount of Zn adhered to the second surface treatment layer 4 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

第2表面処理層4のCr付着量は、第2表面処理層4の種類に依存するため特に限定されないが、第2表面処理層4にCrが含有される場合、好ましくは0μg/dm2超過500μg/dm2以下、より好ましくは0.1~100μg/dm2、さらに好ましくは1~50μg/dm2である。第2表面処理層4のCr付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。 The amount of Cr adhered to the second surface treatment layer 4 is not particularly limited because it depends on the type of the second surface treatment layer 4, but when Cr is contained in the second surface treatment layer 4, it preferably exceeds 0 μg / dm 2 . It is 500 μg / dm 2 or less, more preferably 0.1 to 100 μg / dm 2 , and even more preferably 1 to 50 μg / dm 2 . By setting the amount of Cr adhered to the second surface treatment layer 4 within the above range, the etching factor of the circuit pattern can be stably increased.

銅箔2としては、特に限定されず、電解銅箔又は圧延銅箔のいずれであってもよい。銅箔は、硫酸銅メッキ浴からチタン又はステンレスのドラム上に銅を電解析出させることによって一般に製造されるが、ドラム側に形成される平坦なS面(シャイン面)と、S面の反対側に形成されるM面(マット面)とを有する。電解銅箔のM面は凹凸を有しているため、第1表面処理層3を電解銅箔のM面、第2表面処理層4を電解銅箔のS面に形成することにより、第1表面処理層3と絶縁基材11との接着性を高めることができる。 The copper foil 2 is not particularly limited, and may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. Copper foil is generally manufactured by electrolytically depositing copper on a titanium or stainless steel drum from a copper sulfate plating bath, but the flat S-plane (shine surface) formed on the drum side is the opposite of the S-plane. It has an M surface (matte surface) formed on the side. Since the M surface of the electrolytic copper foil has irregularities, the first surface treatment layer 3 is formed on the M surface of the electrolytic copper foil and the second surface treatment layer 4 is formed on the S surface of the electrolytic copper foil. The adhesiveness between the surface treatment layer 3 and the insulating base material 11 can be enhanced.

銅箔2の材料としては、特に限定されないが、銅箔2が圧延銅箔の場合、プリント配線板の回路パターンとして通常使用されるタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)、無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020又はJIS H3510 合金番号C1011)などの高純度の銅を用いることができる。また、例えば、Sn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMgなどを添加した銅合金、Ni及びSiなどを添加したコルソン系銅合金のような銅合金も用いることができる。なお、本明細書において「銅箔2」とは、銅合金箔も含む概念である。 The material of the copper foil 2 is not particularly limited, but when the copper foil 2 is a rolled copper foil, tough pitch copper (JIS H3100 alloy number C1100) and oxygen-free copper (JIS H3100) usually used as a circuit pattern of a printed wiring board are used. High-purity copper such as alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011) can be used. Further, for example, a copper alloy such as Sn-containing copper, Ag-containing copper, a copper alloy to which Cr, Zr or Mg is added, and a Corson-based copper alloy to which Ni and Si are added can also be used. In addition, in this specification, "copper foil 2" is a concept including a copper alloy foil.

銅箔2の厚みは、特に限定されないが、例えば1~1000μm、或いは1~500μm、或いは1~300μm、或いは3~100μm、或いは5~70μm、或いは6~35μm、或いは9~18μmとすることができる。 The thickness of the copper foil 2 is not particularly limited, but may be, for example, 1 to 1000 μm, 1 to 500 μm, 1 to 300 μm, 3 to 100 μm, 5 to 70 μm, 6 to 35 μm, or 9 to 18 μm. can.

上記のような構成を有する本開示の表面処理銅箔1は、当該技術分野において公知の方法に準じて製造することができる。ここで、第1表面処理層3及び第2表面処理層4のNi付着量、Ni付着量の比は、例えば、形成する表面処理層の種類、厚みなどを変えることによって制御することができる。また、第1表面処理層3のRzjisは、第1表面処理層3の形成条件などを調整することによって制御することができる。 The surface-treated copper foil 1 of the present disclosure having the above-mentioned structure can be manufactured according to a method known in the art. Here, the ratio of the Ni adhesion amount and the Ni adhesion amount of the first surface treatment layer 3 and the second surface treatment layer 4 can be controlled by changing, for example, the type and thickness of the surface treatment layer to be formed. Further, the Rzjis of the first surface treatment layer 3 can be controlled by adjusting the formation conditions of the first surface treatment layer 3 and the like.

銅張積層板10は、表面処理銅箔1の第1表面処理層3に絶縁基材11を接着することによって製造することができる。
絶縁基材11としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。絶縁基材11の例としては、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマー、フッ素樹脂などが挙げられる。
The copper-clad laminate 10 can be manufactured by adhering the insulating base material 11 to the first surface-treated layer 3 of the surface-treated copper foil 1.
The insulating base material 11 is not particularly limited, and those known in the art can be used. Examples of the insulating base material 11 include a paper base material phenol resin, a paper base material epoxy resin, a synthetic fiber cloth base material epoxy resin, a glass cloth / paper composite base material epoxy resin, a glass cloth / glass non-woven material composite base material epoxy resin, and the like. Examples thereof include a glass cloth base material epoxy resin, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer, and a fluororesin.

表面処理銅箔1と絶縁基材11との接着方法としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の方法に準じて行うことができる。例えば、表面処理銅箔1と絶縁基材11とを積層させて熱圧着すればよい。 The method for adhering the surface-treated copper foil 1 and the insulating base material 11 is not particularly limited, and can be performed according to a method known in the art. For example, the surface-treated copper foil 1 and the insulating base material 11 may be laminated and thermocompression bonded.

上記のようにして製造された銅張積層板10は、プリント配線板の製造に用いることができる。プリント配線板の製造方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの公知の方法を用いることができる。その中でも銅張積層板10は、サブトラクティブ法で用いるのに最適である。 The copper-clad laminate 10 manufactured as described above can be used for manufacturing a printed wiring board. The method for manufacturing the printed wiring board is not particularly limited, and a known method such as a subtractive method or a semi-additive method can be used. Among them, the copper-clad laminate 10 is most suitable for use in the subtractive method.

図2は、サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法を説明するための断面図である。
図2において、まず、銅張積層板10の表面処理銅箔1の表面にレジストを塗布及び露光することによって所定のレジストパターン20を形成する(工程(a))。次に、レジストパターン20が形成されていない部分(不要部)の表面処理銅箔1をエッチングによって除去する(工程(b))。最後に、表面処理銅箔1上のレジストパターン20を除去する(工程(c))。
なお、このサブトラクティブ法における各種条件は、特に限定されず、当該技術分野において公知の条件に準じて行うことができる。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a printed wiring board by a subtractive method.
In FIG. 2, first, a predetermined resist pattern 20 is formed by applying and exposing a resist on the surface of the surface-treated copper foil 1 of the copper-clad laminated plate 10 (step (a)). Next, the surface-treated copper foil 1 in the portion (unnecessary portion) where the resist pattern 20 is not formed is removed by etching (step (b)). Finally, the resist pattern 20 on the surface-treated copper foil 1 is removed (step (c)).
The various conditions in this subtractive method are not particularly limited, and can be performed according to the conditions known in the art.

以下、本開示を実施例によって更に具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present disclosure will be described in more detail by way of examples, but the present disclosure is not limited to these examples.

(実施例1)
厚さ12μmの圧延銅箔(JX金属社製HA-V2箔)を準備し、一方の面に第1表面処理層として粗化処理層、耐熱層及びクロメート処理層を順次形成すると共に、他方の面に第2表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
(Example 1)
A rolled copper foil (HA-V2 foil manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.) having a thickness of 12 μm is prepared, and a roughening treatment layer, a heat resistant layer and a chromate treatment layer are sequentially formed on one surface as a first surface treatment layer, and the other. A surface-treated copper foil was obtained by sequentially forming a heat-resistant layer and a chromate-treated layer as a second surface-treated layer on the surface. The conditions for forming each layer are as follows.

<第1表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成:10~20g/LのCu、50~100g/Lの硫酸
めっき液温度:25~50℃
電気めっき条件:電流を2段階に分けて印加
1段目:電流密度45.0A/dm2、時間1.4秒、クーロン量60.8As/dm2
2段目:電流密度4.1A/dm2、時間2.8秒、クーロン量11.8As/dm2
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 10 to 20 g / L Cu, 50 to 100 g / L sulfuric acid Plating solution temperature: 25 to 50 ° C.
Electroplating conditions: Current is applied in two stages 1st stage: Current density 45.0 A / dm 2 , Time 1.4 seconds, Coulomb amount 60.8 As / dm 2
Second stage: current density 4.1 A / dm 2 , time 2.8 seconds, coulomb amount 11.8 As / dm 2

<第1表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:1~30g/LのNi、1~30g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度2.1A/dm2、時間0.7秒、クーロン量1.4As/dm2
<Heat-resistant layer of the first surface treatment layer>
A heat resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 30 g / L Ni, 1 to 30 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 2.1 A / dm 2 , time 0.7 seconds, coulomb amount 1.4 As / dm 2

<第1表面処理層のクロメート処理層>
電気めっきによってクロメート処理層を形成した。
めっき液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度2.1A/dm2、時間1.4秒、クーロン量2.9As/dm2
<Chromate treatment layer of the first surface treatment layer>
A chromate-treated layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 10 g / L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01 to 10 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 2.1 A / dm 2 , time 1.4 seconds, coulomb amount 2.9 As / dm 2

<第2表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:1~30g/LのNi、1~30g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度2.1A/dm2、時間0.7秒、クーロン量1.4As/dm2
<Heat-resistant layer of the second surface treatment layer>
A heat resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 30 g / L Ni, 1 to 30 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 2.1 A / dm 2 , time 0.7 seconds, coulomb amount 1.4 As / dm 2

<第2表面処理層のクロメート処理層>
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
クロメート液pH:2~5
クロメート液温度:30~50℃
<Chromate treatment layer of the second surface treatment layer>
A chromate-treated layer was formed by immersion chromate treatment.
Chromate solution composition: 1 to 10 g / L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01 to 10 g / L Zn
Chromate solution pH: 2-5
Chromate liquid temperature: 30-50 ° C

(実施例2)
第1表面処理層の粗化処理層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第1表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成:10~20g/LのCu、50~100g/Lの硫酸
めっき液温度:25~50℃
電気めっき条件:電流を2段階に分けて印加
1段目:電流密度42.7A/dm2、時間1.4秒、クーロン量57.6As/dm2
2段目:電流密度3.8A/dm2、時間2.8秒、クーロン量11.1As/dm2
(Example 2)
A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the roughening-treated layer of the first surface-treated layer were changed as follows.
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 10 to 20 g / L Cu, 50 to 100 g / L sulfuric acid Plating solution temperature: 25 to 50 ° C.
Electroplating conditions: Current is applied in two stages First stage: Current density 42.7 A / dm 2 , Time 1.4 seconds, Coulomb amount 57.6 As / dm 2
Second stage: current density 3.8 A / dm 2 , time 2.8 seconds, coulomb amount 11.1 As / dm 2

(比較例1)
厚さ12μmの圧延銅箔(JX金属社製HA-V2箔)を準備し、一方の面に第1表面処理層として粗化処理層、耐熱層(1)、耐熱層(2)及びクロメート処理層を順次形成すると共に、他方の面に第2表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
(Comparative Example 1)
A rolled copper foil (HA-V2 foil manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.) having a thickness of 12 μm is prepared, and a roughening treatment layer, a heat-resistant layer (1), a heat-resistant layer (2) and a chromate treatment are prepared on one surface as a first surface treatment layer. A surface-treated copper foil was obtained by sequentially forming layers and sequentially forming a heat-resistant layer and a chromate-treated layer as a second surface-treated layer on the other surface. The conditions for forming each layer are as follows.

<第1表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成:10~20g/LのCu、1~10g/LのCo、1~10g/LのNi
めっき液pH:1~4
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度32.9A/dm2、時間1.8秒、クーロン量58.3As/dm2
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 10 to 20 g / L Cu, 1 to 10 g / L Co, 1 to 10 g / L Ni
Plating solution pH: 1-4
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 32.9 A / dm 2 , time 1.8 seconds, coulomb amount 58.3 As / dm 2

<第1表面処理層の耐熱層(1)>
電気めっきによって耐熱層(1)を形成した。
めっき液組成:1~20g/LのCo、1~20g/LのNi
めっき液pH:1~4
めっき液温度:30~60℃
電気めっき条件:電流密度18.4A/dm2、時間0.4秒、クーロン量7.7As/dm2
<Heat-resistant layer (1) of the first surface treatment layer>
The heat-resistant layer (1) was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 20 g / L Co, 1 to 20 g / L Ni
Plating solution pH: 1-4
Plating liquid temperature: 30-60 ° C
Electroplating conditions: current density 18.4 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 7.7 As / dm 2

<第1表面処理層の耐熱層(2)>
電気めっきによって耐熱層(2)を形成した。
めっき液組成:1~30g/LのNi、1~30g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度3.5A/dm2、時間0.4秒、クーロン量1.5As/dm2
<Heat-resistant layer (2) of the first surface treatment layer>
The heat-resistant layer (2) was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 30 g / L Ni, 1 to 30 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 3.5 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 1.5 As / dm 2

<第1表面処理層のクロメート処理層>
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
クロメート液pH:2~5
クロメート液温度:30~50℃
<Chromate treatment layer of the first surface treatment layer>
A chromate-treated layer was formed by immersion chromate treatment.
Chromate solution composition: 1 to 10 g / L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01 to 10 g / L Zn
Chromate solution pH: 2-5
Chromate liquid temperature: 30-50 ° C

<第2表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:1~30g/LのNi、1~30g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度4.1A/dm2、時間0.4秒、クーロン量1.7As/dm2
<Heat-resistant layer of the second surface treatment layer>
A heat resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 30 g / L Ni, 1 to 30 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 4.1 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 1.7 As / dm 2

<第2表面処理層のクロメート処理層>
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
クロメート液pH:2~5
クロメート液温度:30~50℃
<Chromate treatment layer of the second surface treatment layer>
A chromate-treated layer was formed by immersion chromate treatment.
Chromate solution composition: 1 to 10 g / L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01 to 10 g / L Zn
Chromate solution pH: 2-5
Chromate liquid temperature: 30-50 ° C

(比較例2)
第1表面処理層の粗化処理層及び耐熱層(1)の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は比較例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第1表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成:10~20g/LのCu、1~10g/LのCo、1~10g/LのNi
めっき液pH:1~4
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度31.5A/dm2、時間1.8秒、クーロン量55.8As/dm2
(Comparative Example 2)
A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the formation conditions of the roughened-treated layer and the heat-resistant layer (1) of the first surface-treated layer were changed as follows.
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 10 to 20 g / L Cu, 1 to 10 g / L Co, 1 to 10 g / L Ni
Plating solution pH: 1-4
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 31.5 A / dm 2 , time 1.8 seconds, coulomb amount 55.8 As / dm 2

<第1表面処理層の耐熱層(1)>
電気めっきによって耐熱層(1)を形成した。
めっき液組成:1~20g/LのCo、1~20g/LのNi
めっき液pH:1~4
めっき液温度:30~60℃
電気めっき条件:電流密度19.1A/dm2、時間0.4秒、クーロン量7.9As/dm2
<Heat-resistant layer (1) of the first surface treatment layer>
The heat-resistant layer (1) was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 20 g / L Co, 1 to 20 g / L Ni
Plating solution pH: 1-4
Plating liquid temperature: 30-60 ° C
Electroplating conditions: current density 19.1 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 7.9 As / dm 2

(比較例3)
第1表面処理層の粗化処理層、耐熱層(1)及びクロメート処理層の形成条件、並びに第2表面処理層の耐熱層及びクロメート処理層を下記の通りに変更したこと以外は比較例1と同様にして表面処理銅箔を得た。
<第1表面処理層の粗化処理層>
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成:10~20g/LのCu、1~10g/LのCo、1~10g/LのNi
めっき液pH:1~4
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度36.5A/dm2、時間0.9秒、クーロン量32.3As/dm2
(Comparative Example 3)
Comparative Example 1 except that the conditions for forming the roughening-treated layer, the heat-resistant layer (1) and the chromate-treated layer of the first surface-treated layer, and the heat-resistant layer and the chromate-treated layer of the second surface-treated layer were changed as follows. A surface-treated copper foil was obtained in the same manner as above.
<Roughening treatment layer of the first surface treatment layer>
A roughened layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 10 to 20 g / L Cu, 1 to 10 g / L Co, 1 to 10 g / L Ni
Plating solution pH: 1-4
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 36.5 A / dm 2 , time 0.9 seconds, coulomb amount 32.3 As / dm 2

<第1表面処理層の耐熱層(1)>
電気めっきによって耐熱層(1)を形成した。
めっき液組成:1~20g/LのCo、1~20g/LのNi
めっき液pH:1~4
めっき液温度:30~60℃
電気めっき条件:電流密度22.2A/dm2、時間0.4秒、クーロン量9.2As/dm2
<Heat-resistant layer (1) of the first surface treatment layer>
The heat-resistant layer (1) was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 20 g / L Co, 1 to 20 g / L Ni
Plating solution pH: 1-4
Plating liquid temperature: 30-60 ° C
Electroplating conditions: current density 22.2 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 9.2 As / dm 2

<第1表面処理層のクロメート処理層>
電気めっきによってクロメート処理層を形成した。
めっき液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度1.1A/dm2、時間0.8秒、クーロン量0.9As/dm2
<Chromate treatment layer of the first surface treatment layer>
A chromate-treated layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 10 g / L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01 to 10 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 1.1 A / dm 2 , time 0.8 seconds, coulomb amount 0.9 As / dm 2

<第2表面処理層の耐熱層>
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成:1~30g/LのNi、1~30g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度2.6A/dm2、時間0.4秒、クーロン量1.1As/dm2
<Heat-resistant layer of the second surface treatment layer>
A heat resistant layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 30 g / L Ni, 1 to 30 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 2.6 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 1.1 As / dm 2

<第2表面処理層のクロメート処理層>
電気めっきによってクロメート処理層を形成した。
めっき液組成:1~10g/LのK2Cr27、0.01~10g/LのZn
めっき液pH:2~5
めっき液温度:30~50℃
電気めっき条件:電流密度1.2A/dm2、時間0.4秒、クーロン量0.5As/dm2
<Chromate treatment layer of the second surface treatment layer>
A chromate-treated layer was formed by electroplating.
Plating solution composition: 1 to 10 g / L K 2 Cr 2 O 7 , 0.01 to 10 g / L Zn
Plating solution pH: 2-5
Plating liquid temperature: 30 to 50 ° C
Electroplating conditions: current density 1.2 A / dm 2 , time 0.4 seconds, coulomb amount 0.5 As / dm 2

上記の実施例及び比較例で得られた表面処理銅箔について、下記の評価を行った。
<第1表面処理層及び第2表面処理層における各元素の付着量の測定>
Ni、Zn及びCoの付着量は、各表面処理層を濃度20質量%の硝酸に溶解し、VARIAN社製の原子吸光分光光度計(型式:AA240FS)を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。また、Crの付着量は各表面処理層を濃度7質量%の塩酸に溶解し、上記と同様に原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。
The surface-treated copper foils obtained in the above Examples and Comparative Examples were evaluated as follows.
<Measurement of adhesion amount of each element in the first surface treatment layer and the second surface treatment layer>
The amount of Ni, Zn and Co adhered is quantitatively analyzed by the atomic absorption spectroscopy using an atomic absorption spectrophotometer (model: AA240FS) manufactured by VARIAN by dissolving each surface treatment layer in nitric acid having a concentration of 20% by mass. Measured by The amount of Cr adhered was measured by dissolving each surface-treated layer in hydrochloric acid having a concentration of 7% by mass and performing quantitative analysis by the atomic absorption method in the same manner as described above.

<表面処理銅箔の第1表面処理層のRzjisの測定>
株式会社小坂研究所製の接触粗さ計Surfcorder SE-3Cを用い、JIS B0601:2001に準拠してRzjis(十点平均粗さ)を測定した。この測定は、測定基準長さを0.8mm、評価長さを4mm、カットオフ値を0.25mm、送り速さを0.1mm/秒とし、表面処理銅箔の幅方向に測定位置を変えて10回行い、10回の測定値の平均値を評価結果とした。
<Measurement of Rzjis of the first surface-treated layer of surface-treated copper foil>
Rzjis (10-point average roughness) was measured according to JIS B0601: 2001 using a contact roughness meter Surfcorder SE-3C manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd. In this measurement, the measurement reference length is 0.8 mm, the evaluation length is 4 mm, the cutoff value is 0.25 mm, the feed speed is 0.1 mm / sec, and the measurement position is changed in the width direction of the surface-treated copper foil. The evaluation was performed 10 times, and the average value of the measured values of 10 times was used as the evaluation result.

<エッチングファクタの評価>
表面処理銅箔の第1表面処理層上にポリイミド基板を積層して300℃で1時間加熱して圧着させることによって銅張積層板を作製した。次に、表面処理銅箔の第2表面処理層上に感光性レジストを塗布して露光及び現像することにより、L/S=29μm/21μm幅のレジストパターンを形成した。その後、表面処理銅箔の露出部(不要部)をエッチングによって除去することにより、L/S=25μm/25μm幅の銅の回路パターンを有するプリント配線板を得た。なお、前記回路パターンのL及びSの幅は、回路のボトム面、すなわちポリイミド基板に接している面の幅である。エッチングはスプレーエッチングを用いて下記の条件にて行った。
エッチング液:塩化銅水溶液
液温:50℃
スプレー圧:0.2MPa
次に、形成された回路パターンをSEM観察し、下記の式に基づいてエッチングファクタ(EF)を求めた。
EF=回路高さ/{(回路ボトム幅-回路トップ幅)/2}
エッチングファクタは、数値が大きいほど回路側面の傾斜角が大きいことを意味する。
上記の評価結果を表1に示す。なお、表1において、Rzjisの単位はμmである。
EFの値は各実施例及び比較例につき5回実験した結果の平均値である。
<Evaluation of etching factor>
A copper-clad laminate was produced by laminating a polyimide substrate on the first surface-treated layer of the surface-treated copper foil, heating it at 300 ° C. for 1 hour, and crimping it. Next, a photosensitive resist was applied onto the second surface-treated layer of the surface-treated copper foil, exposed and developed to form a resist pattern having a width of L / S = 29 μm / 21 μm. Then, the exposed portion (unnecessary portion) of the surface-treated copper foil was removed by etching to obtain a printed wiring board having a copper circuit pattern having a width of L / S = 25 μm / 25 μm. The widths of L and S of the circuit pattern are the widths of the bottom surface of the circuit, that is, the surface in contact with the polyimide substrate. Etching was performed using spray etching under the following conditions.
Etching solution: Copper chloride aqueous solution Liquid temperature: 50 ° C
Spray pressure: 0.2MPa
Next, the formed circuit pattern was observed by SEM, and the etching factor (EF) was determined based on the following formula.
EF = circuit height / {(circuit bottom width-circuit top width) / 2}
The etching factor means that the larger the value, the larger the inclination angle of the side surface of the circuit.
The above evaluation results are shown in Table 1. In Table 1, the unit of Rzjis is μm.
The value of EF is the average value of the results of five experiments for each Example and Comparative Example.

Figure 0007017369000001
Figure 0007017369000001

表1に示されるように、Ni付着量の比が0.01~2の範囲内である実施例1及び2の表面処理銅箔は、Ni付着量の比が当該範囲外の比較例1~3に比べてエッチングファクタ(EF)が高かった。
以上の結果からわかるように、本開示によれば、ファインピッチ化に適した高エッチングファクタの回路パターンを形成することが可能な表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することができる。
また、本開示によれば、高エッチングファクタの回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
As shown in Table 1, the surface-treated copper foils of Examples 1 and 2 in which the ratio of the Ni adhesion amount is in the range of 0.01 to 2 are Comparative Examples 1 to 2 in which the ratio of the Ni adhesion amount is out of the range. The etching factor (EF) was higher than that of 3.
As can be seen from the above results, according to the present disclosure, it is possible to provide a surface-treated copper foil and a copper-clad laminate capable of forming a circuit pattern having a high etching factor suitable for fine pitching.
Further, according to the present disclosure, it is possible to provide a printed wiring board having a circuit pattern having a high etching factor.

1 表面処理銅箔
2 銅箔
3 第1表面処理層
4 第2表面処理層
10 銅張積層板
11 絶縁基材
20 レジストパターン
1 Surface-treated copper foil 2 Copper foil 3 First surface-treated layer 4 Second surface-treated layer 10 Copper-clad laminate 11 Insulation base material 20 Resist pattern

Claims (9)

銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第1表面処理層と、前記銅箔の他方の面に形成された第2表面処理層とを有し、前記第1表面処理層を絶縁基材と接着し、前記第2表面処理層側からエッチングして回路パターンを形成するために用いられる表面処理銅箔であって、
前記第2表面処理層のNi付着量に対する前記第1表面処理層のNi付着量の比が0.01~2であり、
前記第1表面処理層のZn付着量が400~500μg/dm 2 である表面処理銅箔。
It has a copper foil, a first surface-treated layer formed on one surface of the copper foil, and a second surface-treated layer formed on the other surface of the copper foil, and the first surface-treated layer is formed. A surface-treated copper foil used for adhering to an insulating base material and etching from the second surface-treated layer side to form a circuit pattern.
The ratio of the Ni adhesion amount of the first surface treatment layer to the Ni adhesion amount of the second surface treatment layer is 0.01 to 2 .
A surface-treated copper foil having a Zn adhesion amount of 400 to 500 μg / dm 2 in the first surface-treated layer .
前記Ni付着量の比が0.8~1.5である、請求項1に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to claim 1, wherein the ratio of the Ni adhesion amount is 0.8 to 1.5. 前記第1表面処理層のNi付着量が20~200μg/dm2である、請求項1又は2に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to claim 1 or 2, wherein the amount of Ni adhered to the first surface-treated layer is 20 to 200 μg / dm 2 . 前記第1表面処理層のNi付着量が20~100μg/dm2である、請求項3に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to claim 3, wherein the amount of Ni adhered to the first surface-treated layer is 20 to 100 μg / dm 2 . 前記第1表面処理層のRzjisが0.3~1.5μmである、請求項1~のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 4 , wherein the Rzjis of the first surface-treated layer is 0.3 to 1.5 μm. 前記第1表面処理層のRzjisが0.5~0.8μmである、請求項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to claim 5 , wherein the Rzjis of the first surface-treated layer is 0.5 to 0.8 μm. 前記銅箔が圧延銅箔である、請求項1~のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 6 , wherein the copper foil is a rolled copper foil. 請求項1~のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第1表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板。 A copper-clad laminate comprising the surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 7 and an insulating base material adhered to a first surface-treated layer of the surface-treated copper foil. 請求項に記載の銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板。 A printed wiring board comprising a circuit pattern formed by etching the surface-treated copper foil of the copper-clad laminate according to claim 8 .
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