JP7249745B2 - Optical subassemblies and optical modules - Google Patents

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Description

本発明は、光サブアッセンブリ及び光モジュールに関する。 The present invention relates to optical subassemblies and optical modules.

現在、インターネットや電話ネットワークの大部分が光通信網によって構築されている。光通信機器であるルータ/スイッチや伝送装置のインターフェースとして使用される光モジュールは、電気信号を光信号に変換する重要な役割を担っている。光モジュールは、一般的に、光素子を収容した光サブアッセンブリと、変調電気信号を含む信号を処理するIC等実装したプリント基板(以下PCB)と、その間を電気的に接続するフレキシブルプリント基板(以下FPC)を備えた形態をとる。 Currently, most of the Internet and telephone networks are constructed by optical communication networks. An optical module used as an interface for routers/switches and transmission equipment, which are optical communication devices, plays an important role in converting electrical signals into optical signals. An optical module generally consists of an optical subassembly that houses optical elements, a printed circuit board (PCB) on which ICs for processing signals including modulated electrical signals are mounted, and a flexible printed circuit board that electrically connects them. It takes the form provided with hereinafter FPC).

近年では、光モジュールは高速化のみならず、低価格化への要求が著しく、低コストでかつ、高速光信号を送受信可能な光モジュールの需要が高まっている。例えば、上述のような要求を満たす光モジュールとして、例えば缶状のパッケージに内包される金属製ステムからFPC等に差し込むリード端子が突出した形態を有するTO-CANパッケージ型の光サブアッセンブリ等を用いることが知られている。金属製ステムは、略円盤形状のアイレットと、アイレットから突出するように設けられた台座と、を含んで構成されている。 In recent years, there has been a marked demand not only for higher speed optical modules, but also for lower prices, and the demand for low-cost optical modules capable of transmitting and receiving high-speed optical signals is increasing. For example, as an optical module that satisfies the above-described requirements, a TO-CAN package type optical subassembly or the like having a form in which lead terminals to be inserted into an FPC or the like protrude from a metal stem contained in a can-shaped package is used. It is known. The metal stem includes a substantially disk-shaped eyelet and a base that protrudes from the eyelet.

下記特許文献1、2においては、25Gbit/s級の変調電気信号を光素子に伝達させる技術が開示されている。 Patent Documents 1 and 2 below disclose techniques for transmitting a 25 Gbit/s class modulated electrical signal to an optical device.

リード端子を電気的なインターフェースとするTO-CAN型の光サブアッセンブリは特性インピーダンスを所望の値に整合させることが困難であるが、下記特許文献1、2ではリード端子部でインダクタンスが大きくなることを防ぐため、リード端子直下に誘電体基板を挿入し、誘電体基板の高い誘電率によって、グラウンド導体となる台座との電気的な結合を強化し、インダクタンスをキャパシタンスによって緩和し、望ましくないインピーダンスの増加を防いでいる。 It is difficult to match the characteristic impedance to a desired value in a TO-CAN optical subassembly that uses lead terminals as an electrical interface. In order to prevent this, a dielectric substrate is inserted directly under the lead terminals, and the high dielectric constant of the dielectric substrate strengthens the electrical coupling with the pedestal, which acts as a ground conductor. prevent an increase.

また、リード端子と誘電体基板との間の接続は、ワイヤ接続ではなく、ろう接とすることにより、余計なインダクタンス成分の発生を抑制していた。また、リード端子と誘電体基板との間の接続が容易な構成としていた。 Further, the connection between the lead terminal and the dielectric substrate is not wire connection but solder connection, thereby suppressing generation of an unnecessary inductance component. In addition, the configuration facilitates connection between the lead terminal and the dielectric substrate.

特開2017-50357号公報JP 2017-50357 A 特開2011-134740号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-134740

近年の高速化要求は著しく、例えば伝送レートが40Gbit/s級以上の光モジュールの需要が高まっている。このような更なる高速化要求に応じた設計を実現する上では、インピーダンス整合をより厳密に行う必要があるが、それが容易ではないことが課題となっていた。 In recent years, there has been a remarkable demand for higher speed, and for example, the demand for optical modules with a transmission rate of 40 Gbit/s class or higher is increasing. In order to realize a design that meets such a demand for further speeding up, it is necessary to perform impedance matching more strictly, but it has been a problem that it is not easy.

インピーダンス整合をより厳密に行うためには、アイレットに設けられる貫通孔の直径を、当該貫通孔を充填する誘電体の誘電率とリード端子径とから決定される所望の値とする必要があり、結果として台座とリード端子間に大きな間隙が生じる場合がある。グラウンド導体を伝搬するリターン電流は、貫通孔を迂回し、台座を経由して誘電体基板に伝搬されるが、台座から誘電体基板との距離に応じたインダクタンス成分を寄生させてしまい、インピーダンス整合を厳密に行うことがより困難となっていた。 In order to perform impedance matching more strictly, the diameter of the through hole provided in the eyelet must be a desired value determined from the dielectric constant of the dielectric filling the through hole and the diameter of the lead terminal. As a result, a large gap may occur between the pedestal and the lead terminal. The return current that propagates through the ground conductor bypasses the through hole and propagates to the dielectric substrate via the pedestal. It has become more difficult to strictly perform

本開示は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、リード端子と誘電体基板とがろう接された光モジュールにおいて、インピーダンス整合をより厳密に行うことである。 The present disclosure has been made in view of the above problems, and an object thereof is to more strictly perform impedance matching in an optical module in which lead terminals and dielectric substrates are soldered.

上記課題を解決するために、本開示に係る光サブアッセンブリは、第1の面と、前記第1の面の反対側に配置された第2の面と、前記第1の面から前記第2の面までを貫通する第1の貫通孔と、を含むアイレットと、前記第1の貫通孔に挿入され、電気信号を伝送する第1のリード端子と、前記第1の貫通孔と前記第1のリード端子との間に充填された誘電体と、光信号と前記電気信号の少なくとも一方を他方に変換する光素子が搭載された素子搭載基板と、前記電気信号を前記光素子に伝送する第1の導体パターンを含む中継基板と、前記第1の面から前記第1の貫通孔の延伸方向に突出し、前記中継基板と前記素子搭載基板とが載置される台座と、を含み、前記第1のリード端子は、小径部と、前記小径部の端部に設けられ前記小径部よりも大きな直径を有する大径部と、を含み、前記大径部の少なくとも一部が、前記第1の面側において、前記誘電体から露出し、前記第1のリード端子と前記第1の導体パターンとが、ろう接されている。 In order to solve the above problems, an optical subassembly according to the present disclosure includes a first surface, a second surface arranged on the opposite side of the first surface, and an optical subassembly extending from the first surface to the second surface. a first through hole that penetrates to the surface of the eyelet; a first lead terminal that is inserted into the first through hole and transmits an electrical signal; the first through hole and the first a dielectric filled between the lead terminals of the device, an element mounting board mounted with an optical device that converts at least one of an optical signal and the electrical signal to the other, and a second device that transmits the electrical signal to the optical device a relay board including one conductor pattern; and a pedestal that protrudes from the first surface in a direction in which the first through-hole extends and on which the relay board and the element mounting board are mounted; 1 lead terminal includes a small-diameter portion and a large-diameter portion provided at an end of the small-diameter portion and having a larger diameter than the small-diameter portion; The first lead terminal and the first conductor pattern exposed from the dielectric are brazed on the surface side.

また、本開示に係る光モジュールは、上記光サブアッセンブリと、プリント基板と、前記プリント基板と前記光サブアッセンブリと電気的に接続されるフレキシブル基板と、を備える。 Further, an optical module according to the present disclosure includes the optical subassembly, a printed board, and a flexible board electrically connected to the printed board and the optical subassembly.

本開示の光サブアッセンブリ及び光モジュールによれば、更なるインピーダンス整合を実現することができる。 Further impedance matching can be achieved with the optical subassemblies and optical modules of the present disclosure.

図1は第1の実施形態に係る光モジュールの外観図である。FIG. 1 is an external view of the optical module according to the first embodiment. 図2は第1の実施形態に係る光サブアッセンブリの内部構造を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the internal structure of the optical subassembly according to the first embodiment. 図3は第1の実施形態に係る光サブアッセンブリの断面構造を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of the optical subassembly according to the first embodiment. 図4は第1の実施形態に係る光サブアッセンブリの模式的な平面図であるFIG. 4 is a schematic plan view of the optical subassembly according to the first embodiment; 図5Aは第1の実施形態において高周波3次元電磁界シミュレータHFSS(High Frequency Structure Simulator)に用いたデータの表である。FIG. 5A is a table of data used for a high frequency three-dimensional electromagnetic field simulator HFSS (High Frequency Structure Simulator) in the first embodiment. 図5Bは第1の実施形態に係るリード端子の突出量、及び大径部の直径と、反射特性と、の関係を高周波3次元電磁界シミュレータHFSS(High Frequency Structure Simulator)によって計算したグラフである。FIG. 5B is a graph obtained by calculating the relationship between the protrusion amount of the lead terminal, the diameter of the large-diameter portion, and the reflection characteristics according to the first embodiment, using a high-frequency three-dimensional electromagnetic field simulator HFSS (High Frequency Structure Simulator). . 図6は大径部の直径と反射特性との関係について30GHzでの振る舞いと40GHzでの振る舞いとを比較した図である。FIG. 6 is a diagram comparing the behavior at 30 GHz and the behavior at 40 GHz with respect to the relationship between the diameter of the large-diameter portion and the reflection characteristics. 図7は第1の実施形態における第1のリード端子の第1の面からの突出量別で、大径部の直径ごとに30GHzおよび40GHzのS11特性の関係をグラフ化した図である。FIG. 7 is a graph showing the relationship between S11 characteristics at 30 GHz and 40 GHz for each diameter of the large-diameter portion for each protrusion amount from the first surface of the first lead terminal in the first embodiment. 図8は第1の実施形態に係る光モジュールの模式的な上面図である。FIG. 8 is a schematic top view of the optical module according to the first embodiment.

本開示の第1の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。 A first embodiment of the present disclosure will be described below with reference to the drawings.

図1は、本実施形態における光通信用途の光モジュール1の外観図である。PCB200に搭載される駆動IC(図示せず)から、PCB200に半田等によって接続されるFPC300を介し、光サブアッセンブリ100に変調電気信号が伝達される。光サブアッセンブリ100は、光素子を収容し、かつ出射光をもしくは入射光を送受するインターフェースを備えている。光サブアッセンブリ100は、アイレット120と、光レセプタクル2を含む。この光レセプタクル2の具体的な構造については、図3を用いて後述する。なお、図示しないが光サブアッセンブリ100、PCB200、そしてFPC300は、金属製などの筐体に内蔵されて、光モジュール1は構成されている。 FIG. 1 is an external view of an optical module 1 for optical communication according to this embodiment. A modulated electric signal is transmitted from a drive IC (not shown) mounted on the PCB 200 to the optical subassembly 100 via the FPC 300 connected to the PCB 200 by soldering or the like. The optical subassembly 100 contains an optical element and has an interface for transmitting and receiving outgoing light or incoming light. Optical subassembly 100 includes eyelet 120 and optical receptacle 2 . A specific structure of the optical receptacle 2 will be described later with reference to FIG. Although not shown, the optical subassembly 100, the PCB 200, and the FPC 300 are housed in a housing made of metal or the like to form the optical module 1. FIG.

ここで、光サブアッセンブリ100の例としては、レーザダイオードなどの発光素子を内部に有し、電気信号を光信号に変換して送信する光送信モジュール(TOSA; Transmitter Optical Subassembly)や、内部にフォトダイオードに代表される受光素子を有し、受信した光信号を電気信号に変換する光受信モジュール(ROSA; Receiver Optical Subassembly)や、これらの両方の機能を内包した双方向モジュール(BOSA;Bidirectional Optical Subassembly)などがある。本願発明は、上記いずれの光サブアセンブリにも適用でき、本実施形態では光送信モジュールを例として説明する。 Here, examples of the optical subassembly 100 include an optical transmitter module (TOSA; Transmitter Optical Subassembly) that has a light-emitting element such as a laser diode inside and converts an electrical signal into an optical signal for transmission; An optical receiving module (ROSA; Receiver Optical Subassembly) that has a light receiving element represented by a diode and converts the received optical signal into an electrical signal, and a bidirectional module (BOSA: Bidirectional Optical Subassembly) that incorporates both of these functions. )and so on. The present invention can be applied to any of the above optical subassemblies, and the present embodiment will be described with an optical transmission module as an example.

図2は、本開示の第1の実施形態に係る光サブアッセンブリ100の内部構造を示す模式的な斜視図である。光サブアッセンブリ100は、例えば、直径5.6mmの円盤形状をした、金属からなる導電性のアイレット120を有する。アイレット120は、第1の面121と、第1の面121の反対側に配置された第2の面122と、を有する。また、アイレット120は、第1の面121から第2の面122までを貫通する第1の貫通孔123、第2の貫通孔126を有する。 FIG. 2 is a schematic perspective view showing the internal structure of the optical subassembly 100 according to the first embodiment of the present disclosure. The optical subassembly 100 has a conductive eyelet 120 made of metal, for example in the shape of a disk with a diameter of 5.6 mm. Eyelet 120 has a first side 121 and a second side 122 located opposite first side 121 . The eyelet 120 also has a first through hole 123 and a second through hole 126 penetrating from the first surface 121 to the second surface 122 .

また、光サブアッセンブリ100は、アイレット120の第1の面121から第1の貫通孔123の延伸方向に突出する台座124を含む。台座124は、光信号と電気信号の少なくとも一方を他方に変換する光素子160が搭載された素子搭載基板140が載置される第3の面125を有する。アイレット120と、この台座124と、により、ステムを構成している。 The optical subassembly 100 also includes a pedestal 124 that protrudes from the first surface 121 of the eyelet 120 in the extending direction of the first through hole 123 . The pedestal 124 has a third surface 125 on which a device mounting substrate 140 mounted with an optical device 160 that converts at least one of an optical signal and an electrical signal to the other is mounted. The eyelet 120 and the base 124 constitute a stem.

本実施形態において、素子搭載基板140は、光素子160と近い熱膨張係数を持つ窒化アルミニウムなどのセラミックからなり、光素子160が、素子搭載基板140にダイボンディングされている。素子搭載基板140は、表裏面にメタライズパタンを有しており、素子搭載基板140の裏面はグラウンド導体となるステムの台座124に接続されている。また、光素子160が搭載される素子搭載基板140の表面(搭載面)側には、伝送線路となる第2の導体パターン141(図8参照)が形成されている。 In this embodiment, the device mounting substrate 140 is made of ceramic such as aluminum nitride having a coefficient of thermal expansion close to that of the optical device 160 , and the optical device 160 is die-bonded to the device mounting substrate 140 . The element mounting board 140 has metallized patterns on its front and back surfaces, and the back surface of the element mounting board 140 is connected to the stem pedestal 124 serving as a ground conductor. A second conductor pattern 141 (see FIG. 8) serving as a transmission line is formed on the surface (mounting surface) side of the element mounting substrate 140 on which the optical element 160 is mounted.

アイレット120の第1の貫通孔123には、電気信号を伝送する第1のリード端子110が挿入されており、第1の貫通孔123と第1のリード端子110との間には、誘電体130が充填されている。このアイレット120、誘電体130、及び第1のリード端子110によって、同軸線路を形成している。以下、この同軸線路を「ガラス同軸部」という。 A first lead terminal 110 for transmitting electrical signals is inserted into the first through hole 123 of the eyelet 120 , and a dielectric material is provided between the first through hole 123 and the first lead terminal 110 . 130 is filled. The eyelet 120, the dielectric 130, and the first lead terminal 110 form a coaxial line. Hereinafter, this coaxial line will be referred to as a "glass coaxial portion".

第3の面125には、上述した素子搭載基板140と、電気信号を光素子160に伝送する中継基板150と、が載置されている。なお、図2に示す例おいては、第3の面125が、素子搭載基板140が載置される領域と、中継基板150が載置される領域との間に段差を有する例を図示しているが、双方の領域の間に段差を設けない構成としても構わない。なお、本実施形態では中継基板150と第3の面125との間にはスペーサ170を配置している。スペーサ170の詳細は後述するが、スペーサ170の中継基板140と接する面、及び第3の面125と接する面の両面は、グラウンド電位となっている。 On the third surface 125, the element mounting board 140 described above and the relay board 150 for transmitting electrical signals to the optical element 160 are mounted. In the example shown in FIG. 2, the third surface 125 has a step between the area where the element mounting board 140 is mounted and the area where the relay board 150 is mounted. However, a configuration in which no step is provided between the two regions may be employed. Note that a spacer 170 is arranged between the relay substrate 150 and the third surface 125 in this embodiment. Although the details of the spacer 170 will be described later, both the surface of the spacer 170 in contact with the relay substrate 140 and the surface in contact with the third surface 125 are at ground potential.

ただし、図2に示すように、第3の面125における素子搭載基板140が載置される領域が、中継基板150が載置される領域よりも高い(第3の面125に直交する方向において、アイレット120の中央位置に近い)構成とすることが望ましい。後述するように、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させる場合、第1の貫通孔123の直径を大きくする必要がある。ここで、製造プロセス上、第1のリード端子110の延伸方向から見て、第1の貫通孔123と台座124とは重畳しないことが望ましい。即ち、第1のリード端子110の延伸方向から見て、第1の貫通孔123と台座124とを重畳させない構成とすることにより、台座124とアイレット120とを一体形成する場合において、第1の貫通孔123を形成しやすく望ましい。この第1の貫通孔123と台座124とを重畳させない構成を採用すると、大きな直径を有する第1の貫通孔123を避けるように台座124を設ける必要があるため、台座124の中継基板150が載置される領域を、中央位置からずらす必要がある。一方で、光素子160は、アイレット120の中央位置に配置する必要がある。そのため、光素子160を載置する素子搭載基板140が載置される領域を、中継基板150が載置される領域よりも高い位置に配置されるよう、第3の面125が段差を有する構成とすることにより、製造プロセス上の効率を下げることなく、光素子160の位置を中央位置に保ちながら、第1の貫通孔123の直径を大きくすることができ、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させることができるのである。なお、50オーム±10オームに整合させれば、十分な特性は得られる。 However, as shown in FIG. 2, the area of the third surface 125 on which the element mounting substrate 140 is mounted is higher than the area on which the relay substrate 150 is mounted (in the direction orthogonal to the third surface 125). , near the center position of the eyelet 120). As will be described later, when matching the characteristic impedance of the glass coaxial portion to 50 ohms, the diameter of the first through hole 123 must be increased. Here, in view of the manufacturing process, it is desirable that the first through-hole 123 and the base 124 do not overlap when viewed from the extending direction of the first lead terminal 110 . That is, when viewed from the extending direction of the first lead terminal 110, the first through hole 123 and the pedestal 124 are configured so as not to overlap each other. It is desirable because the through hole 123 can be easily formed. If a configuration in which the first through-hole 123 and the pedestal 124 are not overlapped is adopted, the pedestal 124 must be provided so as to avoid the first through-hole 123 having a large diameter. It is necessary to shift the area where the On the other hand, the optical element 160 should be placed in the center position of the eyelet 120 . Therefore, the third surface 125 has a step so that the area where the element mounting substrate 140 on which the optical element 160 is mounted is placed at a higher position than the area where the relay substrate 150 is mounted. As a result, the diameter of the first through-hole 123 can be increased while maintaining the position of the optical element 160 at the central position without lowering the efficiency of the manufacturing process. Ohms can be matched. Sufficient characteristics can be obtained by matching to 50 ohms±10 ohms.

本実施形態において、変調電気信号を伝送する第1のリード端子110は、小径部114と、小径部114の端部に設けられ、小径部114よりも大きな直径を有する大径部115と、を含む。大径部115の少なくとも一部は、第1の面121側において、第1の面121から露出している。そして、大径部115と、中継基板150に載置された第1の導体パターン152とが、ろう接されている。例えば、第1のリード端子110の大径部115と中継基板150は、金錫合金などからなる半田70によって接続されている。 In this embodiment, the first lead terminal 110 that transmits the modulated electrical signal has a small diameter portion 114 and a large diameter portion 115 provided at the end of the small diameter portion 114 and having a larger diameter than the small diameter portion 114. include. At least part of large diameter portion 115 is exposed from first surface 121 on the first surface 121 side. The large diameter portion 115 and the first conductor pattern 152 placed on the relay substrate 150 are soldered. For example, the large-diameter portion 115 of the first lead terminal 110 and the relay board 150 are connected by solder 70 made of gold-tin alloy or the like.

このような構成することにより、第1のリード端子110と中継基板150とがろう接された光モジュール1において、更なるインピーダンス整合を実現することができる。 With such a configuration, further impedance matching can be realized in the optical module 1 in which the first lead terminal 110 and the relay board 150 are soldered.

即ち、第1のリード端子110と中継基板150とがろう接される場合には、第1のリード端子110と中継基板150との間の電気信号の伝達は直線的に行われる。これに対し、グラウンド導体を伝搬するリターン電流は、第1の貫通孔123を迂回し、台座124を経由し、更にスペーサ170を介して中継基板150に伝達されるため、インダクタンス成分の増加を招いてしまい、インピーダンス整合を行うことがより困難となる。しかしながら、上述した通り、第1のリード端子110が、第1の面121から突出する第1の端部111に大径部115を有する構成とすることにより、この大径部115と第1の貫通孔123の内周面との間の容量成分を大きくすることができる。そのため、インダクタンス成分を容量成分で緩和することができ、インピーダンス整合を行うことが可能となる。 That is, when the first lead terminal 110 and the relay board 150 are soldered, the electrical signal is transmitted linearly between the first lead terminal 110 and the relay board 150 . On the other hand, the return current propagating through the ground conductor bypasses the first through hole 123, passes through the pedestal 124, and is further transmitted to the relay substrate 150 via the spacer 170, resulting in an increase in the inductance component. This makes it more difficult to perform impedance matching. However, as described above, by configuring the first lead terminal 110 to have the large-diameter portion 115 at the first end portion 111 protruding from the first surface 121, the large-diameter portion 115 and the first It is possible to increase the capacitance component with the inner peripheral surface of the through hole 123 . Therefore, the inductance component can be mitigated by the capacitance component, and impedance matching can be performed.

特に、後述するように、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オーム付近にする際には、第1の貫通孔123の直径を大きくする必要があり、台座124と第1のリード端子110との距離が大きくなるため、リターン電流の経路の増加に伴うインダクタンス成分の増加を招く。そのため、上述した大径部115と第1の貫通孔123との間の容量成分を大きくすることによるインピーダンス整合の必要性とメリットは大きくなる。 In particular, as will be described later, when the characteristic impedance of the glass coaxial portion is set to around 50 ohms, it is necessary to increase the diameter of the first through hole 123, and the distance between the pedestal 124 and the first lead terminal 110 is increases, the inductance component increases as the number of return current paths increases. Therefore, the necessity and merit of impedance matching by increasing the capacitive component between the large-diameter portion 115 and the first through-hole 123 are increased.

なお、更に望ましくは、中継基板150に載置された第1の導体パターン152が、この第1のリード端子110の大径部115とろう接される部分に幅広部154を有する構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、幅広部154にもスタブとしての役割を担わせ、容量成分を増加させることができ、その結果、更なるインピーダンス整合を行うことが可能となる。 More preferably, the first conductor pattern 152 placed on the relay substrate 150 has a wide portion 154 at the portion where it is soldered to the large diameter portion 115 of the first lead terminal 110. is desirable. With such a configuration, the wide portion 154 can also serve as a stub, increasing the capacitance component, and as a result, further impedance matching can be achieved.

なお、特開2014-107733号公報などに開示されているように、中継基板の表層にリターンパスを設け、インダクタンスの寄生を防ぐ方法もあるが、本開示においては、上述したように、大径部115と第1の貫通孔123との間の容量成分を大きくすることによるインピーダンス整合を行う構成とすることにより、中継基板150の表面における部品搭載を可能とすることができる。即ち、中継基板150の表層にグラウンド導体となるリターンパスを設けると、中継基板150の表面に部品を搭載することが困難となるが、上述の構成とすることで、そのようなグラウンド導体を中継基板150の表層に設ける必要がなくなり、中継基板150の表面における部品搭載を可能とすることができる。 As disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014-107733, etc., there is a method of providing a return path on the surface layer of the relay substrate to prevent parasitic inductance. Components can be mounted on the surface of the relay substrate 150 by configuring impedance matching by increasing the capacitance component between the portion 115 and the first through hole 123 . That is, if a return path serving as a ground conductor is provided on the surface of the relay board 150, it becomes difficult to mount components on the surface of the relay board 150. It is no longer necessary to provide on the surface layer of the substrate 150, and components can be mounted on the surface of the relay substrate 150. FIG.

なお、光素子160は、直接変調型レーザ、電界吸収型変調器集積型レーザ、及びレーザとマッハツェンダー変調器を組み合わせたもののいずれであってもよいが、本実施形態においては、光素子160として、電界吸収型変調器集積型レーザ(以下、EML)を使用する。そのため、駆動インピーダンスは50オームである。変調電気信号は第1のリード端子110によって光サブアッセンブリ100の内部に伝達される。 The optical device 160 may be a direct modulation laser, an electroabsorption modulator integrated laser, or a combination of a laser and a Mach-Zehnder modulator. , an electro-absorption modulator integrated laser (EML) is used. Therefore, the drive impedance is 50 ohms. The modulated electrical signal is transmitted to the interior of optical subassembly 100 by first lead terminal 110 .

なお、低速通信用途の光モジュールにおいては、ガラス同軸部の特性インピーダンスは、厳密に50オームに整合する必要は無く、例えば30オーム程度であってもよかった。例えば、リード端子径を0.25mm、誘電体130の直径を0.8mmとし、誘電体130として、比誘電率が6.7のガラスを用いることにより、ガラス同軸部を実現することができた。これは、低速用途においては、この特性インピーダンスであっても信号の伝送は可能であるため、小型化を優先していたためであった。しかし、例えば伝送レートが40Gbit/s以上の高速通信用途の光モジュールにおいては、広帯域でかつ特性インピーダンスが50オームに整合したTO-CAN型パッケージが必要になる。 In optical modules for low-speed communication applications, the characteristic impedance of the glass coaxial portion need not be strictly matched to 50 ohms, and could be, for example, about 30 ohms. For example, by setting the lead terminal diameter to 0.25 mm, the diameter of the dielectric 130 to 0.8 mm, and using glass having a dielectric constant of 6.7 as the dielectric 130, the glass coaxial portion could be realized. . This is because, in low-speed applications, signal transmission is possible even with this characteristic impedance, so miniaturization was prioritized. However, an optical module for high-speed communication with a transmission rate of 40 Gbit/s or higher, for example, requires a TO-CAN type package with a wide band and matching characteristic impedance of 50 ohms.

しかし、第1のリード端子110を保持する誘電体130であるガラスの比誘電率は4~7であり、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させるためには、物理的なスペースを必要としてしまう。例えば、比誘電率が6.7のガラスで50オームに整合した同軸線路を設けるためには、直径が2mm以上に及ぶ第1の貫通孔123が必要となる。そのため、光モジュール1は自ずと、その制約を受けサイズが決定される。なお、50オーム±10オームに整合させれば、十分な特性は得られる。 However, the relative dielectric constant of glass, which is the dielectric 130 that holds the first lead terminal 110, is 4 to 7, and a physical space is required to match the characteristic impedance of the glass coaxial portion to 50 ohms. and end up. For example, in order to provide a coaxial line matched to 50 ohms with glass having a dielectric constant of 6.7, the first through hole 123 with a diameter of 2 mm or more is required. Therefore, the size of the optical module 1 is naturally determined under these restrictions. Sufficient characteristics can be obtained by matching to 50 ohms±10 ohms.

本実施形態においては、第1のリード端子110の大径部115の直径が、小径部114である第2の端部112の直径の1.6倍以上、2.4倍以下の構成としている。具体例としては、第2の端部112における第1のリード端子110の直径が、0.25mmであるのに対し、大径部115の直径は0.4mmとしている。 In this embodiment, the diameter of the large-diameter portion 115 of the first lead terminal 110 is 1.6 times or more and 2.4 times or less the diameter of the second end portion 112, which is the small-diameter portion 114. . As a specific example, the diameter of the first lead terminal 110 at the second end portion 112 is 0.25 mm, while the diameter of the large diameter portion 115 is 0.4 mm.

図3は、本実施形態における光サブアッセンブリ100の断面構造を示す模式図である。図3に示すように、本実施形態に係る光サブアッセンブリ100は、光レセプタクル2と光パッケージ3とを含んでいる。そして、光レセプタクル2は、光レセプタクル本体20と、スタブ22と、スリーブ24とを備えている。 FIG. 3 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of the optical subassembly 100 in this embodiment. As shown in FIG. 3, the optical subassembly 100 according to this embodiment includes an optical receptacle 2 and an optical package 3. As shown in FIG. The optical receptacle 2 includes an optical receptacle body 20, a stub 22, and a sleeve 24.

本実施形態に係る光レセプタクル本体20は、一体的に形成された樹脂部材を含んで構成されており、円柱状の外形を有する光パッケージ収容部20fと、光パッケージ収容部20fの外径より小さな外径を有する概略円柱形状の光ファイバ挿入部20dとを備えている。光パッケージ収容部20fと光ファイバ挿入部20dとは、それぞれの一端面同士が、連結されている。 The optical receptacle body 20 according to the present embodiment includes an integrally formed resin member, and has an optical package housing portion 20f having a cylindrical outer shape and an outer diameter smaller than that of the optical package housing portion 20f. and a substantially cylindrical optical fiber insertion portion 20d having an outer diameter. The optical package accommodating portion 20f and the optical fiber insertion portion 20d are connected at their one end surfaces.

光パッケージ収容部20fには、その外形状と同軸に円型の凹部20aが形成されており、円筒形をなしている。 A circular concave portion 20a is formed coaxially with the outer shape of the optical package housing portion 20f to form a cylindrical shape.

光レセプタクル本体20には、光ファイバ挿入部20dの先端面から、この光ファイバ挿入部20dの外形状と同軸に延びて、光パッケージ収容部20fに形成された凹部20aの底面に至る貫通孔20bが形成されている。すなわち、光レセプタクル本体20には、凹部20aと、凹部20aから外部に貫通する貫通孔20bと、が形成されている。 The optical receptacle main body 20 has a through hole 20b extending from the tip end surface of the optical fiber insertion portion 20d coaxially with the outer shape of the optical fiber insertion portion 20d and reaching the bottom surface of the recess 20a formed in the optical package housing portion 20f. is formed. That is, the optical receptacle main body 20 is formed with a recess 20a and a through hole 20b penetrating from the recess 20a to the outside.

貫通孔20bの内壁面の先端に形成されているテーパ部20cは、その径が外側に向かって増加するテーパ形状である。そのため、光ファイバ50を備えたコネクタを貫通孔20bに挿入しやすいようになっている。 A tapered portion 20c formed at the tip of the inner wall surface of the through hole 20b has a tapered shape in which the diameter increases toward the outside. Therefore, the connector having the optical fiber 50 can be easily inserted into the through hole 20b.

光ファイバ挿入部20dには、その外周に沿ってフランジ20eが形成されている。 A flange 20e is formed along the outer periphery of the optical fiber insertion portion 20d.

スタブ22は、ジルコニアなどを含んで構成されている。そして、スタブ22は、光レセプタクル本体20の光ファイバ挿入部20dに形成されている貫通孔20bとほぼ同径の概略円柱形状であり、スタブ22と同軸の光ファイバ50を保持している。そして、スタブ22は光レセプタクル本体20の光ファイバ挿入部20dに圧入などにより挿入固定されている。スタブ22の右側端面は斜め研磨されている。このようにして、光ファイバ50から入力される光と、その反射光との干渉を防止している。 The stub 22 is configured including zirconia or the like. The stub 22 has a substantially cylindrical shape with a diameter substantially the same as the through hole 20b formed in the optical fiber insertion portion 20d of the optical receptacle body 20, and holds an optical fiber 50 coaxial with the stub 22. The stub 22 is inserted and fixed to the optical fiber insertion portion 20d of the optical receptacle main body 20 by press fitting or the like. The right end face of the stub 22 is obliquely ground. In this manner, interference between light input from the optical fiber 50 and its reflected light is prevented.

光レセプタクル2のスタブ22の左側側面は、外部から貫通孔20bに挿入された光ファイバ50を備えたコネクタ(図示せず)と当接されて、コネクタが備える光ファイバ50と、スタブ22が保持する光ファイバ50との結合を行う。 The left side surface of the stub 22 of the optical receptacle 2 is brought into contact with a connector (not shown) having an optical fiber 50 inserted into the through hole 20b from the outside, and the optical fiber 50 and the stub 22 are held by the connector. coupling with the optical fiber 50 is performed.

スリーブ24は、弾性を有するジルコニアなどを含んで構成されている。そして、スリーブ24は、貫通孔20bとほぼ同径の円筒形状をしており、光レセプタクル本体20の内壁面に設けられた溝に埋め込まれている。このスリーブ24によって、光ファイバ挿入部20dに挿入される光ファイバ50の、貫通孔20b内における位置の調整ができるようになっている。 The sleeve 24 is made of elastic zirconia or the like. The sleeve 24 has a cylindrical shape with substantially the same diameter as the through hole 20 b and is embedded in a groove provided in the inner wall surface of the optical receptacle main body 20 . The sleeve 24 allows the position of the optical fiber 50 inserted into the optical fiber insertion portion 20d to be adjusted within the through hole 20b.

光パッケージ3は、球体のレンズ30を備えている。また、光パッケージ3は、レンズ30と略同径の開口が底面に形成された金属製の有底円筒状の部材であるレンズ支持部32を備えている。レンズ支持部32の開口は、レンズ支持部32の底面の形状と同軸に形成されている。そして、レンズ30はレンズ支持部32の開口に嵌め込まれている。すなわち、レンズ支持部32はレンズ30を支持する。 The optical package 3 has a spherical lens 30 . The optical package 3 also includes a lens supporting portion 32 which is a bottomed cylindrical member made of metal and having an opening having substantially the same diameter as that of the lens 30 on its bottom surface. The opening of the lens supporting portion 32 is formed coaxially with the shape of the bottom surface of the lens supporting portion 32 . The lens 30 is fitted into the opening of the lens supporting portion 32 . That is, the lens supporting portion 32 supports the lens 30 .

また、光パッケージ3は、上述したアイレット120、台座124と、を含むステムを備えている。 The optical package 3 also includes a stem including the eyelet 120 and the base 124 described above.

光レセプタクル2の凹部20aとアイレット120の第1の面121との接合面を接着固定することでサブアッセンブリ100は組み立てられる。このとき、アイレット120に溶接されたレンズ支持部32、このレンズ支持部32に嵌め込まれたレンズ30は、光レセプタクル2の凹部20aの中に入るように形成される。すなわち、レンズ30やレンズ支持部32は、光レセプタクル本体20の凹部20aに収容される。なお、光レセプタクル2と光パッケージ3とを接着する方法はこの限りではない。 The subassembly 100 is assembled by adhesively fixing the joint surface between the concave portion 20 a of the optical receptacle 2 and the first surface 121 of the eyelet 120 . At this time, the lens supporting portion 32 welded to the eyelet 120 and the lens 30 fitted in the lens supporting portion 32 are formed to be inserted into the concave portion 20 a of the optical receptacle 2 . That is, the lens 30 and the lens supporting portion 32 are accommodated in the concave portion 20 a of the optical receptacle body 20 . The method for bonding the optical receptacle 2 and the optical package 3 is not limited to this.

図4は、図2に示した第1の実施形態に係る光サブアッセンブリ100の模式的な平面図である。図3に示したように、アイレット120の第1の面121には、レンズ支持部32が溶接されており、図4においては、このレンズ支持部32の内周32aの位置を一点鎖線で示している。本実施形態においては、直径5.6mmのアイレット120を使用しており、このアイレット120に組み合わせるレンズ支持部32としては、その内周32aが、3.2mmの直径を持つ円形状であるものを使用する例について説明する。 4 is a schematic plan view of the optical subassembly 100 according to the first embodiment shown in FIG. 2. FIG. As shown in FIG. 3, the lens supporting portion 32 is welded to the first surface 121 of the eyelet 120, and in FIG. ing. In this embodiment, an eyelet 120 with a diameter of 5.6 mm is used, and the lens supporting portion 32 combined with this eyelet 120 has a circular inner circumference 32a with a diameter of 3.2 mm. An example of use will be described.

本実施形態においては、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させるため、第1の貫通孔123の直径を、直流信号を伝達するための第2のリード端子116が挿入される第2の貫通孔126の直径の1.5倍以上としている。一方、第1の貫通孔123の直径が大きすぎると、アイレット120内での設計自由度が低下するため、第1の貫通孔123の直径を、第2の貫通孔126の直径の3倍以下としている。ガラス同軸部の具体例としては、誘電体130として、比誘電率が4~5程度の低誘電ガラスを使用し、第1の貫通孔123の直径を1.5mmとしている。なお、比誘電率が4よりも低い低誘電材料のガラスを誘電体130として使用する場合においても、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させるためには、第1の貫通孔123の直径を1.2mm程度にする必要がある。この場合、上述した、直径が3.2mm程度の内周32aを有するレンズ支持部32を使用すると、図4に示すように第1の貫通孔123の延伸方向から見た、レンズ支持部32の内周32a側に配置された第1の貫通孔123の面積が、レンズ支持部32の内周側の面積の14%以上となる。また、比誘電率が7程度のガラスを使用する場合には、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させるためには、第1の貫通孔123の直径を2mm以上にする必要がある。この場合、上述した、直径が3.2mm程度の内周32aを有するレンズ支持部32を使用すると、第1の貫通孔123の延伸方向から見た、レンズ支持部32の内周32a側に配置された第1の貫通孔123の面積が、レンズ支持部32の内周側の面積の40%を占めることになる。 In this embodiment, in order to match the characteristic impedance of the glass coaxial portion to 50 ohms, the diameter of the first through-hole 123 is set to the second diameter through which the second lead terminal 116 for transmitting the DC signal is inserted. It is 1.5 times or more the diameter of the through-hole 126 . On the other hand, if the diameter of the first through-hole 123 is too large, the degree of design freedom within the eyelet 120 is reduced. and As a specific example of the glass coaxial portion, a low dielectric glass having a dielectric constant of about 4 to 5 is used as the dielectric 130, and the diameter of the first through hole 123 is 1.5 mm. Note that even when a low-dielectric glass material having a dielectric constant lower than 4 is used as the dielectric 130, the diameter of the first through-hole 123 must be equal to should be about 1.2 mm. In this case, if the lens supporting portion 32 having the inner circumference 32a with a diameter of about 3.2 mm is used, as shown in FIG. The area of the first through hole 123 arranged on the inner periphery 32a side is 14% or more of the area of the lens supporting portion 32 on the inner periphery side. When glass having a dielectric constant of about 7 is used, the diameter of the first through hole 123 must be 2 mm or more in order to match the characteristic impedance of the glass coaxial portion to 50 ohms. In this case, if the above-described lens support portion 32 having an inner circumference 32a with a diameter of about 3.2 mm is used, then the lens support portion 32 is arranged on the inner circumference 32a side of the lens support portion 32 when viewed from the extending direction of the first through-hole 123. The area of the first through hole 123 thus formed occupies 40% of the area of the inner peripheral side of the lens supporting portion 32 .

よって、本実施形態に係るアイレット120は、第1の貫通孔123の延伸方向から見た、レンズ支持部32の内周側に配置された第1の貫通孔123の面積が、組み合わせるレンズ支持部32の直径で定義される面積、即ちレンズ支持部32の内周側の面積の14%以上、40%以下としている。 Therefore, in the eyelet 120 according to the present embodiment, the area of the first through-hole 123 arranged on the inner peripheral side of the lens supporting portion 32 when viewed from the extending direction of the first through-hole 123 is the same as that of the lens supporting portion to be combined. 14% or more and 40% or less of the area defined by the diameter of the lens support portion 32, that is, the area of the inner peripheral side of the lens support portion 32. As shown in FIG.

なお、ガラス同軸部の特性インピーダンスを50オームに整合させるためには、上述した通り、第1の貫通孔123の直径を1.2mm以上にする必要があるため、第1のリード端子110と台座124との間に0.5mm以上の間隙ができてしまう。一方、中継基板150は、特性インピーダンスが50オームとなるマイクロストリップ線路を成す必要があり、グラウンドとなるアイレット120との間に挿入される中継基板150、スペーサ170の厚みに応じて、中継基板150に形成する導体パターンの線路幅が変わる。中継基板150を構成する材料として窒化アルミニウムを用いた場合、その比誘電率は8.7であるため、中継基板150の厚みを0.5mmとすると、導体パターンの線路幅は0.5mm幅とする必要がある。しかし、本実施形態においては、中継基板150と台座124との間に、スペーサ170を介在させ、このスペーサ170が、その上面にまで、台座124のグラウンド電位を持ち上げる構成としているため、中継基板150の厚みを、例えば0.2mmのように薄くすることが可能となる。その結果として、中継基板150に形成する第1の導体パターン152の線路幅を0.2mmとすることが可能となる。なお、図4に示すように、第1のリード端子110の延伸方向から見て、グラウンド導体を含むスペーサ170は、誘電体130と重畳する構成となっている。このスペーサ170としては、例えば窒化アルミニウムなどのセラミックで構成するとともに、このセラミック基板内に、複数の埋め込みビアホールを設けることによって、スペーサ170の表裏を導通させる構成としてもよい。あるいは厚み0.3mmの金属板によりスペーサ170を構成してもよい。 In order to match the characteristic impedance of the glass coaxial portion to 50 ohms, as described above, the diameter of the first through hole 123 must be 1.2 mm or more. 124, a gap of 0.5 mm or more is created. On the other hand, the relay substrate 150 must form a microstrip line with a characteristic impedance of 50 ohms. The line width of the conductor pattern formed in . When aluminum nitride is used as the material forming the relay board 150, its dielectric constant is 8.7. There is a need to. However, in this embodiment, the spacer 170 is interposed between the relay substrate 150 and the base 124, and the spacer 170 raises the ground potential of the base 124 to the upper surface thereof. can be made as thin as 0.2 mm, for example. As a result, it is possible to set the line width of the first conductor pattern 152 formed on the relay board 150 to 0.2 mm. As shown in FIG. 4, the spacer 170 including the ground conductor overlaps the dielectric 130 when viewed from the extending direction of the first lead terminal 110 . The spacer 170 may be made of a ceramic such as aluminum nitride, and a plurality of embedded via holes may be provided in the ceramic substrate so that the front and back surfaces of the spacer 170 are electrically connected. Alternatively, the spacer 170 may be made of a metal plate with a thickness of 0.3 mm.

なお、第1のリード端子110が大径部115を有する構成とすることにより、上述した特性面のメリットの他、製造上のメリットも得ることができる。即ち、中継基板150は低コスト化のため、面積を小さくすることが好ましい。しかしながら、搭載ばらつきが起こった場合に、第1のリード端子110と、中継基板150に形成した第1の導体パターン152と、が乖離すると、第1のリード端子110と第1の導体パターン152との間に金錫合金などからなる半田70が付かず、製造歩留まりを悪化させてしまう。この課題に対して、第1のリード端子110の第1の端部111が大径部115である構成とすることにより、中継基板150の位置が多少ずれたとしても、第1のリード端子110の第1の端部111と中継基板150の第1の導体パターン152とを半田70で接合することが可能となる。また、その結果として、中継基板150のサイズを縮小することができ、低コスト化にも寄与することができる。 By configuring the first lead terminal 110 to have the large-diameter portion 115, it is possible to obtain not only the advantages of the characteristics described above but also the advantages of manufacturing. That is, it is preferable to reduce the area of the relay substrate 150 for cost reduction. However, when mounting variations occur, if the first lead terminal 110 and the first conductor pattern 152 formed on the relay substrate 150 are separated from each other, the first lead terminal 110 and the first conductor pattern 152 may become separated from each other. The solder 70 made of a gold-tin alloy or the like does not stick between them, which deteriorates the manufacturing yield. To solve this problem, by configuring the first end portion 111 of the first lead terminal 110 as the large-diameter portion 115, even if the position of the relay substrate 150 is slightly deviated, the first lead terminal 110 and the first conductor pattern 152 of the relay board 150 can be joined with the solder 70 . Moreover, as a result, the size of the relay board 150 can be reduced, which can contribute to cost reduction.

次に、直径0.25mmの第1のリード端子110を用いた場合において、大径部115の直径と、第1の面121からの第1のリード端子110の突出量を変化させた場合における反射特性を高周波3次元電磁界シミュレータHFSS(High Frequency Structure Simulator)によって計算した結果を図5A、図5Bに示す。図5Aは、当該シミュレータに用いたデータの表であり、図5Bは、図5Aに記載のシミュレーション番号(S1~S25)に対応した高周波3次元電磁界シミュレータHFSSの算出結果を示すグラフである。なお、第1の面121からの第1のリード端子110の突出量とは、第1の貫通孔123の延伸方向における、大径部115の端面と第1の面121との距離を意味する。図5Bにおいて、横軸は伝送される電気信号の周波数、縦軸は第1のリード端子110の第2の端部112側から伝送された電気信号が、第1の端部111に伝送され、再度、第2の端部112に戻ってきたときの信号レベルを表している。そのため、縦軸の値であるS11[dB]は、小さい値であることが望ましい。 Next, when the first lead terminal 110 with a diameter of 0.25 mm is used, the diameter of the large diameter portion 115 and the amount of protrusion of the first lead terminal 110 from the first surface 121 are changed. FIG. 5A and FIG. 5B show the results of calculation of reflection characteristics by a high-frequency three-dimensional electromagnetic field simulator HFSS (High Frequency Structure Simulator). FIG. 5A is a table of data used in the simulator, and FIG. 5B is a graph showing calculation results of the high-frequency three-dimensional electromagnetic field simulator HFSS corresponding to the simulation numbers (S1 to S25) shown in FIG. 5A. The amount of protrusion of first lead terminal 110 from first surface 121 means the distance between the end surface of large-diameter portion 115 and first surface 121 in the extending direction of first through-hole 123 . . In FIG. 5B, the horizontal axis represents the frequency of the transmitted electrical signal, and the vertical axis represents the electrical signal transmitted from the second end 112 side of the first lead terminal 110, which is transmitted to the first end 111, Again, it represents the signal level upon returning to the second end 112 . Therefore, it is desirable that S11 [dB], which is the value on the vertical axis, be a small value.

図5Bに示すように、特に大径部115の直径と、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)での振る舞いは30GHz帯と40GHz帯とで異なり、特に40GHz帯では、大径部115の直径は0.55mm以上が好ましいが、逆に30GHz帯では、0.35mm程度が最適である。 As shown in FIG. 5B, the diameter of the large-diameter portion 115 and the amount of protrusion (pin height) of the first lead terminal 110 in particular differ between the 30 GHz band and the 40 GHz band. The diameter of the portion 115 is preferably 0.55 mm or more, but in the 30 GHz band, the optimum diameter is about 0.35 mm.

図6は、大径部115の直径と反射特性との関係について、30GHzでの振る舞いと40GHzでの振る舞いとを比較した図である。このシミュレーションにおいては、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)を0.1mmとし、小径部114の直径を0.25mmとしている。 FIG. 6 is a diagram comparing the behavior at 30 GHz and the behavior at 40 GHz with respect to the relationship between the diameter of large diameter portion 115 and the reflection characteristics. In this simulation, the protrusion amount (pin height) of the first lead terminal 110 is set to 0.1 mm, and the diameter of the small diameter portion 114 is set to 0.25 mm.

広帯域な伝送路を実現するためには、広い周波数範囲でS11は-15dB以下であることが好ましい。図6に示すように、小径部114の直径が0.25mmの第1のリード端子110を用いた場合において、大径部115の直径が0.4mm~0.6mmであれば、伝送される電気信号の周波数が30GHzであっても40GHzであっても、S11を-15dB以下にすることができることがわかる。よって、本実施形態における第1のリード端子110の大径部115の直径は、第2の端部112などの小径部114の直径の1.6倍から2.4倍である構成とすることが望ましい。 In order to realize a wideband transmission line, S11 is preferably −15 dB or less over a wide frequency range. As shown in FIG. 6, in the case of using the first lead terminal 110 in which the diameter of the small diameter portion 114 is 0.25 mm, if the diameter of the large diameter portion 115 is 0.4 mm to 0.6 mm, the transmission It can be seen that S11 can be reduced to -15 dB or less regardless of whether the frequency of the electric signal is 30 GHz or 40 GHz. Therefore, the diameter of the large-diameter portion 115 of the first lead terminal 110 in this embodiment should be 1.6 to 2.4 times the diameter of the small-diameter portion 114 such as the second end portion 112. is desirable.

図7は、第1のリード端子110の、第1の面121からの突出量(ピン高さ)別で、大径部の直径ごとに30GHzおよび40GHzのS11特性の関係をグラフ化した図である。なお、この図7においては、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)は、0.2mm以下の範囲で示している。この範囲を選択する理由は、以下のとおりである。まず、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)を0.2mmより大きくしてしまうと、大径部115の外周面と第1の貫通孔123との内周面との距離が離れてしまうため、大径部115の外周面と第1の貫通孔123の内周面との間の容量成分が小さくなってしまう。また、大径部115の外周面と第1の貫通孔123との内周面との間に介在するのが、誘電体130ではなく空気となることによって、大径部115の外周面と第1の貫通孔123との内周面との間の比誘電率が小さくなってしまう。そのため、上述した容量成分が小さくなってしまう。更に、大径部115の周囲の比誘電率が小さくなることにより、インダクタンス成分が大きくなってしまう。そのため、インダクタンス成分を容量成分で緩和することが難しくなり、特性インピーダンス整合が難しくなってしまう。従って、本実施形態においては、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)は、0.2mm以下の範囲としている。 FIG. 7 is a graph showing the relationship between the S11 characteristics at 30 GHz and 40 GHz for each diameter of the large-diameter portion of the first lead terminal 110 by the protrusion amount (pin height) from the first surface 121. be. In addition, in FIG. 7, the projection amount (pin height) of the first lead terminal 110 is shown in the range of 0.2 mm or less. The reason for selecting this range is as follows. First, if the protrusion amount (pin height) of the first lead terminal 110 is made larger than 0.2 mm, the distance between the outer peripheral surface of the large-diameter portion 115 and the inner peripheral surface of the first through hole 123 becomes Since they are separated from each other, the capacitance component between the outer peripheral surface of the large diameter portion 115 and the inner peripheral surface of the first through hole 123 becomes small. In addition, instead of the dielectric 130, air is interposed between the outer peripheral surface of the large-diameter portion 115 and the inner peripheral surface of the first through hole 123, so that the outer peripheral surface of the large-diameter portion 115 and the first The dielectric constant between the through hole 123 of 1 and the inner peripheral surface becomes small. Therefore, the capacitance component mentioned above becomes small. Furthermore, the inductance component increases due to the decrease in the dielectric constant around the large-diameter portion 115 . Therefore, it becomes difficult to relax the inductance component with the capacitance component, and characteristic impedance matching becomes difficult. Therefore, in the present embodiment, the protrusion amount (pin height) of the first lead terminal 110 is set to 0.2 mm or less.

図7に示すように、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)を0~0.2mmの範囲で変化させた場合、第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)が小さい方がS11をより小さくできることがわかるが、0~0.2mmの範囲で第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)を変化させても、各周波数(30GHz、40GHz)におけるS11の変化量は非常に小さく、理想的な大径部115の直径はいずれの状況においても、0.5mm程度であることがわかる。従って、本実施形態に係る光モジュール1における第1のリード端子110の突出量(ピン高さ)は0~0.2mmが望ましいといえる。 As shown in FIG. 7, when the protrusion amount (pin height) of the first lead terminal 110 is changed in the range of 0 to 0.2 mm, the protrusion amount (pin height) of the first lead terminal 110 is It can be seen that the smaller the value, the smaller the S11. The amount of change is very small, and it can be seen that the ideal diameter of the large diameter portion 115 is about 0.5 mm in any situation. Therefore, it can be said that the protrusion amount (pin height) of the first lead terminal 110 in the optical module 1 according to this embodiment is preferably 0 to 0.2 mm.

図8は、本実施形態に係る光モジュール1の模式的な上面図である。本実施形態においては、図8に示すように、高周波線路の両側にグラウンド電位の柱となるビア142と、キャスタレーション144と、を配置している。ビア142は、貫通孔内に導体が充填されたものであり、素子搭載基板140の表裏面(光素子160を搭載する搭載面とその裏面)を導通させている。また、キャスタレーション144は、素子搭載基板140の表面から裏面にかけて設けられた凹部形状の切り欠き部を有し、この凹部形状の内周面に金属膜が形成されているものである。キャスタレーション144は、素子搭載基板140の表裏面(光素子160を搭載する搭載面とその裏面)を導通させている。素子搭載基板140の表面(搭載面)側に設けられたグラウンドパターン146はビア142、キャスタレーション144等を介して、素子搭載基板140の裏面のグラウンド層と導通されている。単なる表裏面の導通が目的であれば、ビア142の位置は特に制限されないが、高周波の観点では、ビア142の位置や個数は重要となる。本実施形態の場合、高周波信号が、中継基板150から素子搭載基板140に、複数の第1のワイヤ182で伝達され、その後、素子搭載基板140上の第2の導体パターン141を通り、第2のワイヤ184を介して変調素子186に伝達される。本実施形態における変調素子186としては、例えば電界吸収型変調器を用いることができる。この高周波の電気信号の伝達区間において、高周波信号の電磁界を閉じ込めるために高周波の電気信号の周りにグラウンド電位があることは特性上有利となる。本実施形態においては、中継基板150と素子搭載基板140との接続部付近で、素子搭載基板140の表面のグラウンドパターン146と裏面のグラウンド層とを、ビア142、及びキャスタレーション144で接続させている。また、素子搭載基板140の表面(搭載面)のグラウンドパターン146と、素子搭載基板140の裏面のグラウンド層とをつなぐ領域があることで、さらに高周波特性の劣化を低減することができる。 FIG. 8 is a schematic top view of the optical module 1 according to this embodiment. In this embodiment, as shown in FIG. 8, vias 142 serving as pillars of ground potential and castellations 144 are arranged on both sides of the high-frequency line. The via 142 is a through hole filled with a conductor, and electrically connects the front and rear surfaces of the element mounting substrate 140 (the mounting surface on which the optical element 160 is mounted and its rear surface). Further, the castellation 144 has a recess-shaped notch portion provided from the front surface to the back surface of the element mounting substrate 140, and a metal film is formed on the inner peripheral surface of the recess shape. The castellations 144 electrically connect the front and rear surfaces of the device mounting substrate 140 (the mounting surface on which the optical device 160 is mounted and its rear surface). A ground pattern 146 provided on the surface (mounting surface) side of the device mounting substrate 140 is electrically connected to the ground layer on the back surface of the device mounting substrate 140 via vias 142, castellations 144, and the like. The position of the via 142 is not particularly limited if the purpose is simply to conduct the front and back surfaces, but the position and the number of the via 142 are important from the viewpoint of high frequencies. In the case of this embodiment, high-frequency signals are transmitted from the relay board 150 to the device mounting board 140 through a plurality of first wires 182, then pass through the second conductor pattern 141 on the device mounting board 140, and pass through the second conductor pattern 141 on the device mounting board 140. is transmitted to the modulating element 186 via a wire 184 of . An electro-absorption modulator, for example, can be used as the modulation element 186 in this embodiment. In this high-frequency electrical signal transmission section, it is characteristically advantageous to have a ground potential around the high-frequency electrical signal in order to confine the electromagnetic field of the high-frequency electrical signal. In this embodiment, the ground pattern 146 on the surface of the element mounting board 140 and the ground layer on the back side of the element mounting board 140 are connected by vias 142 and castellations 144 in the vicinity of the connecting portion between the relay board 150 and the element mounting board 140. there is Moreover, since there is a region connecting the ground pattern 146 on the front surface (mounting surface) of the device mounting substrate 140 and the ground layer on the back surface of the device mounting substrate 140, deterioration of high frequency characteristics can be further reduced.

また、本実施形態においては、素子搭載基板140と中継基板150とを、複数の第1のワイヤ182で接続している。このような構成とすることにより、インダクタンス成分の増加を抑え、高周波領域におけるインピーダンス整合を可能としている。 Further, in this embodiment, the element mounting board 140 and the relay board 150 are connected by a plurality of first wires 182 . Such a configuration suppresses an increase in inductance component and enables impedance matching in a high frequency region.

一方、素子搭載基板140から、光素子160への電気信号の伝達については、1本の第2のワイヤ184で連絡している。これは、光素子160における寄生容量の増加を抑えるべく、光素子160の電極サイズを小さくする必要があるためである。そこで、この第2のワイヤ184におけるインダクタンス成分の発生を抑制するため、本実施形態の素子搭載基板140には、第2のワイヤ184の左右に強固なグラウンドパターン146を設けて、グランデッドコプレナー線路を構成している。そして、グラウンドを強固にするため、光素子160の発光点側にはキャスタレーション144、後方側にはビア142を設けて、強固なグラウンドとなる台座124と、グラウンドパターン146とを最短で接続されるようにしている。そして、素子搭載基板140のグラウンドパターン146が、台座124のグラウンド電位と第1の接続部(例えば、ビア142)、及び第2の接続部(例えば、キャスタレーション144)を介して接続されており、光素子160が搭載される搭載面に直交する方向から見て、第1の接続部と第2の接続部とを結ぶ線分が、第2の導体パターン141と光素子160とを接続する第2のワイヤ184と交差する構成としている。この構成により、光素子160と素子搭載基板140との間の接続が、例えば1本の第2のワイヤ184による接続であっても、インダクタンス成分の増加を低減することができ、高周波領域までのインピーダンス整合を実現することができる。 On the other hand, a single second wire 184 is used for transmission of electrical signals from the device mounting board 140 to the optical device 160 . This is because the electrode size of the optical element 160 needs to be reduced in order to suppress an increase in parasitic capacitance in the optical element 160 . Therefore, in order to suppress the generation of the inductance component in the second wire 184, the device mounting substrate 140 of the present embodiment is provided with strong ground patterns 146 on the left and right sides of the second wire 184 to provide a grounded coplanar structure. constitutes the line. In order to strengthen the ground, a castellation 144 is provided on the light emitting point side of the optical element 160, and a via 142 is provided on the rear side, so that the pedestal 124 serving as a strong ground and the ground pattern 146 are connected at the shortest distance. I'm trying to A ground pattern 146 of the element mounting board 140 is connected to the ground potential of the pedestal 124 via a first connecting portion (for example via 142) and a second connecting portion (for example castellation 144). , the line segment connecting the first connection portion and the second connection portion connects the second conductor pattern 141 and the optical element 160 when viewed from the direction orthogonal to the mounting surface on which the optical element 160 is mounted. It is configured to intersect with the second wire 184 . With this configuration, even if the connection between the optical device 160 and the device mounting board 140 is, for example, a connection by a single second wire 184, it is possible to reduce the increase in the inductance component, and the Impedance matching can be achieved.

なお、本明細書中では、金属円盤を表すアイレットという文言を使用したが、アイレット120が円盤形状であることに本質的な意味はなく、多角柱などのその他の形状であってもかまわない。 In the present specification, the word eyelet is used to represent a metal disk, but it is not essential that the eyelet 120 has a disk shape, and other shapes such as a polygonal prism may be used.

なお、光サブアッセンブリ100は、光素子160であるレーザダイオードへのバイアスや、後方出力をモニタするフォトダイオードへのバイアス、及びレーザ温度をモニタするためのサーミスタ端子を備えていてもよい。 The optical subassembly 100 may include a bias to a laser diode, which is the optical element 160, a bias to a photodiode for monitoring rear output, and a thermistor terminal for monitoring the laser temperature.

1 光モジュール、2 光レセプタクル、3 光パッケージ、20 光レセプタクル本体、20a 凹部、20b 貫通孔、20c テーパ部、20d 光ファイバ挿入部、20e フランジ、20f 光パッケージ収容部、22 スタブ、24 スリーブ、30 レンズ、32 レンズ支持部、32a 内周、50 光ファイバ、70 半田、100 光サブアッセンブリ、110 第1のリード端子、111 第1の端部、112 第2の端部、114 小径部、115 大径部、116 第2のリード端子、120 アイレット、121 第1の面、122 第2の面、123 第1の貫通孔、124 台座、125 第3の面、126 第2の貫通孔、130 誘電体、140 素子搭載基板、141 第2の導体パターン、142 ビア、144 キャスタレーション、146 グラウンドパターン、150 中継基板、152 第1の導体パターン、154 幅広部、160 光素子、170 スペーサ、182 第1のワイヤ、184 第2のワイヤ、186 変調素子、200 PCB、300 FPC。

1 optical module, 2 optical receptacle, 3 optical package, 20 optical receptacle body, 20a concave portion, 20b through hole, 20c taper portion, 20d optical fiber insertion portion, 20e flange, 20f optical package housing portion, 22 stub, 24 sleeve, 30 Lens 32 Lens supporting portion 32a Inner circumference 50 Optical fiber 70 Solder 100 Optical subassembly 110 First lead terminal 111 First end 112 Second end 114 Small diameter portion 115 Large Radial portion 116 Second lead terminal 120 Eyelet 121 First surface 122 Second surface 123 First through hole 124 Base 125 Third surface 126 Second through hole 130 Dielectric body 140 element mounting board 141 second conductor pattern 142 via 144 castellation 146 ground pattern 150 relay board 152 first conductor pattern 154 wide portion 160 optical element 170 spacer 182 first 184 second wire, 186 modulating element, 200 PCB, 300 FPC.

Claims (12)

第1の面と、前記第1の面の反対側に配置された第2の面と、前記第1の面から前記第2の面までを貫通する第1の貫通孔と、を含むアイレットと、
前記第1の貫通孔に挿入され、電気信号を伝送する第1のリード端子と、
前記第1の貫通孔と前記第1のリード端子との間に充填された誘電体と、
光信号と前記電気信号の少なくとも一方を他方に変換する光素子が搭載された素子搭載基板と、
前記電気信号を前記光素子に伝送する第1の導体パターンを含む中継基板と、
前記第1の面から前記第1の貫通孔の延伸方向に突出し、前記中継基板と前記素子搭載基板とが載置される台座と、を含み、
前記第1のリード端子は、小径部と、前記小径部の一方の端部のみに設けられ前記小径部よりも大きな直径を有する大径部と、を含み、
前記大径部の一部が、前記第1の面側において、前記誘電体から露出して前記第1の面から突出し、
前記第1のリード端子の前記大径部の前記一部と前記第1の導体パターンとが、ろう接され
前記大径部の他の部分は、前記第1の貫通孔の内側にあって前記誘電体から露出しない、
光サブアッセンブリ。
an eyelet including a first surface, a second surface arranged on the opposite side of the first surface, and a first through hole penetrating from the first surface to the second surface; ,
a first lead terminal that is inserted into the first through hole and transmits an electrical signal;
a dielectric filled between the first through hole and the first lead terminal;
a device mounting board on which an optical device for converting at least one of an optical signal and the electrical signal to the other is mounted;
a relay board including a first conductor pattern that transmits the electrical signal to the optical element;
a pedestal that protrudes from the first surface in a direction in which the first through hole extends and on which the relay board and the element mounting board are mounted;
The first lead terminal includes a small-diameter portion and a large-diameter portion provided only at one end of the small-diameter portion and having a larger diameter than the small-diameter portion,
a portion of the large diameter portion is exposed from the dielectric and protrudes from the first surface on the first surface side;
the portion of the large-diameter portion of the first lead terminal and the first conductor pattern are soldered ;
The other portion of the large diameter portion is inside the first through hole and is not exposed from the dielectric.
optical subassemblies.
請求項1に記載の光サブアッセンブリであって、
前記第1の導体パターンは、前記大径部とろう接される幅広部を有する、
光サブアッセンブリ。
The optical subassembly of claim 1, comprising:
The first conductor pattern has a wide portion soldered to the large diameter portion,
optical subassemblies.
請求項1又は2に記載の光サブアッセンブリであって、
前記大径部の直径が、前記小径部の直径の1.6倍以上、2.4倍以下である、
光サブアッセンブリ。
3. An optical subassembly according to claim 1 or 2,
The diameter of the large diameter portion is 1.6 times or more and 2.4 times or less than the diameter of the small diameter portion.
optical subassemblies.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記第1の貫通孔の延伸方向における、前記大径部の端面と前記第1の面との距離が、0mm以上、0.2mm以下である、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 3,
The distance between the end surface of the large diameter portion and the first surface in the extending direction of the first through hole is 0 mm or more and 0.2 mm or less.
optical subassemblies.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記第1の面に溶接されたレンズ支持部と、
前記レンズ支持部の開口に固定されたレンズと、を更に含み、
前記第1の貫通孔の延伸方向から見た、前記レンズ支持部の内周側に配置された前記第1の貫通孔の面積が、前記レンズ支持部の内周側の面積の14%以上、40%以下である、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 4,
a lens support welded to the first surface;
a lens secured to the aperture of the lens support;
The area of the first through-hole arranged on the inner peripheral side of the lens supporting portion when viewed from the extending direction of the first through-hole is 14% or more of the area of the inner peripheral side of the lens supporting portion, is 40% or less,
optical subassemblies.
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリあって、
前記アイレット、前記誘電体、及び前記第1のリード端子によって構成される同軸線路の特性インピーダンスが50±10オームである、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 5,
The characteristic impedance of the coaxial line formed by the eyelet, the dielectric, and the first lead terminal is 50±10 ohms.
optical subassemblies.
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記電気信号の伝送レートが40Gbit/s以上である、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 6,
The electrical signal has a transmission rate of 40 Gbit/s or higher.
optical subassemblies.
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記第1の面から前記第2の面までを貫通する第2の貫通孔と、
前記第2の貫通孔に挿入され、直流信号を伝送する第2のリード端子と、を更に含み、
前記第1の貫通孔の直径が、前記第2の貫通孔の直径の1.5倍以上、3倍以下である、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 7,
a second through hole penetrating from the first surface to the second surface;
a second lead terminal that is inserted into the second through hole and transmits a DC signal;
The diameter of the first through-hole is 1.5 times or more and 3 times or less the diameter of the second through-hole,
optical subassemblies.
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記素子搭載基板が、前記電気信号を前記光素子に伝送する第2の導体パターンを更に含み、
前記第1の導体パターンと前記第2の導体パターンとが、複数の第1のワイヤによって接続された、
光サブアッセンブリ。
9. An optical subassembly according to any one of claims 1 to 8,
The device mounting board further includes a second conductor pattern for transmitting the electrical signal to the optical device,
wherein the first conductor pattern and the second conductor pattern are connected by a plurality of first wires,
optical subassemblies.
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記素子搭載基板が、
前記光素子の搭載面側に設けられ、前記電気信号を前記光素子に伝送する第2の導体パターンと、
前記搭載面と前記素子搭載基板の裏面とを導通させ、前記台座のグラウンド電位と接続された第1の接続部、及び第2の接続部と、
前記搭載面側に設けられ、前記第1の接続部、及び前記第2の接続部を介して前記台座のグラウンド電位と接続されたグラウンドパターンと、を更に含み、
前記第2の導体パターンと前記光素子とが、第2のワイヤによって接続され、
前記第2の導体パターン、前記第1の接続部、前記第2の接続部、および前記グラウンパターンにて、グランデットコプレナー線路を構成している、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 9,
The device mounting board is
a second conductor pattern provided on the mounting surface side of the optical element and transmitting the electrical signal to the optical element;
a first connection portion and a second connection portion that electrically connect the mounting surface and the back surface of the element mounting board and are connected to the ground potential of the pedestal;
a ground pattern provided on the mounting surface side and connected to a ground potential of the pedestal via the first connection portion and the second connection portion;
the second conductor pattern and the optical element are connected by a second wire;
The second conductor pattern, the first connecting portion, the second connecting portion, and the ground pattern constitute a grounded coplanar line,
optical subassemblies.
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリであって、
前記第1のリード端子の延伸方向から見て、前記誘電体と重畳するグラウンド導体を更に含む、
光サブアッセンブリ。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 10,
further comprising a ground conductor that overlaps with the dielectric when viewed from the extending direction of the first lead terminal;
optical subassemblies.
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の光サブアッセンブリと、
プリント基板と、
前記プリント基板と前記光サブアッセンブリと電気的に接続されるフレキシブル基板と、を備えた、
光モジュール。
An optical subassembly according to any one of claims 1 to 11;
a printed circuit board;
a flexible substrate electrically connected to the printed circuit board and the optical subassembly,
optical module.
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