JP7241652B2 - 半導体装置、電子装置および電子システム - Google Patents
半導体装置、電子装置および電子システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7241652B2 JP7241652B2 JP2019168868A JP2019168868A JP7241652B2 JP 7241652 B2 JP7241652 B2 JP 7241652B2 JP 2019168868 A JP2019168868 A JP 2019168868A JP 2019168868 A JP2019168868 A JP 2019168868A JP 7241652 B2 JP7241652 B2 JP 7241652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stress
- circuit
- semiconductor device
- frequency
- cumulative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
- G01K1/024—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers for remote indication
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
- G06F1/32—Means for saving power
- G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
- G06F1/3206—Monitoring of events, devices or parameters that trigger a change in power modality
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/32—Circuit design at the digital level
- G06F30/33—Design verification, e.g. functional simulation or model checking
- G06F30/3308—Design verification, e.g. functional simulation or model checking using simulation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
- G01K7/015—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions using microstructures, e.g. made of silicon
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/32—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
- G06F1/32—Means for saving power
- G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
- G06F1/3206—Monitoring of events, devices or parameters that trigger a change in power modality
- G06F1/3228—Monitoring task completion, e.g. by use of idle timers, stop commands or wait commands
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
- G06F1/32—Means for saving power
- G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
- G06F1/3234—Power saving characterised by the action undertaken
- G06F1/324—Power saving characterised by the action undertaken by lowering clock frequency
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08C—TRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILAR SIGNALS
- G08C17/00—Arrangements for transmitting signals characterised by the use of a wireless electrical link
- G08C17/02—Arrangements for transmitting signals characterised by the use of a wireless electrical link using a radio link
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P29/00—Arrangements for regulating or controlling electric motors, appropriate for both AC and DC motors
- H02P29/60—Controlling or determining the temperature of the motor or of the drive
- H02P29/68—Controlling or determining the temperature of the motor or of the drive based on the temperature of a drive component or a semiconductor component
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/04—Ageing analysis or optimisation against ageing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/08—Thermal analysis or thermal optimisation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/14—Force analysis or force optimisation, e.g. static or dynamic forces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
[参考文献]“Failure Mechanisms and Models for Semiconductor Devices” JEDEC publication No. 122E, http://web.cecs.pdx.edu/~cgshirl/Documents/jep122E.pdf
ストレス量は、下記式1、式2に示すように、寿命の逆数で表現できる。
1/τ(T,V)∝1/(V-n x exp(Ea/kT))=Vn x exp(-Ea/kT) (式1)
ここで、τ(T,V)は温度(T),電圧(V)の関数で、TおよびVに依存する摩耗故障寿命である。
1/τ(T)∝1/(exp(Ea/kT))=exp(-Ea/kT) (式2)
ここで、τ(T)は温度(T)の関数で、Tに依存する摩耗故障寿命である。
(半導体装置の構成例)
図1は、実施の形態に係る半導体装置の構成例を示す図である。
劣化ストレス強度 ∝ exp(-Ea/kT) (式3)
温度昇降に影響される劣化因子の劣化ストレス強度:
劣化ストレス強度 ∝ ΔTn x fm x exp(-Ea/kT) (式4)
ここで、n、mは摩耗故障因子特有の係数、ΔTは温度昇降幅、fは温度昇降頻度、Eaは活性化エネルギー(温度依存性係数)、kはボルツマン定数、Tは絶対温度(K)、である。切替頻度情報CSIは、(式4)のfに関する情報となる。したがって、切替頻度情報CSIを加味した劣化ストレス強度を算出することができる。
リングオシレータROは、(式5)の特性を有する。つまり、リングオシレータROの発振周波数を検出することにより、温度(T)が測定できる。
図2は、実施の形態に係る電子システムの構成例を説明する図である。図2に示す様に、電子装置EDは、アンテナANTが設けられた半導体装置1と、半導体装置1に電源電位Vdと接地地電位Vsとを供給する小型の電池BATと、半導体装置1と電池BATとが実装された回路基板CBとにより構成される。電池BATは、一例では、コイン電池やボタン電池などを利用することができる。
図3は、電子システムの熱ストレス情報の時間経過を模式的に示した図である。縦軸は熱ストレス情報HSIを示し、横軸は時間tを示す。電子システムSYSは、動作状態OPと、動作状態OP以外の状態とを繰り返すものとする。図3では、動作状態OP以外の状態は、スタンバイ状態STBとして示している。動作状態OPでは、熱ストレス情報HSIが大きく、スタンバイ状態STBでは、熱ストレス情報HSIが、動作状態OPにおける熱ストレス情報HSIと比較して、小さい。
図4は、図1の半導体装置または図2の電子装置の適用される電子システムの一例を説明する図である。図4には、各電子システムと、各電子システムの動作状態OPおよび動作状態OP以外の状態(スタンバイ状態STB)の対応関係が示される。
図5は、第1動作判定しきい値の変形例を説明する図である。図5において、軸は熱ストレス情報HSIを示し、横軸は時間tを示す。図3では、第1動作判定しきい値OP1によって、ポイントAとポイントBとを検出していた。図5では、第1動作判定しきい値OP1の他に、新たに、第2動作判定しきい値OP2が設けられる。第2動作判定しきい値OP2は、一例では、第1動作判定しきい値OP1より大きい値とされる。したがって、制御回路CNは、第1動作判定しきい値OP1、第2動作判定しきい値OP2、第3動作判定しきい値OP3の3つの動作判定しきい値を保持する様に構成される。第1動作判定しきい値OP1、第2動作判定しきい値OP2、第3動作判定しきい値OP3の3つの動作判定しきい値は、測定対象の電子システム(電子機器や装置)が動作状態を判定するための、動作判定しきい値として利用される。
次に、動作判定しきい値の設定例をいくつか説明する。
図6は、動作判定しきい値の設定例1を説明する図である。図6に示す様に、制御回路CNは、複数の動作判定しきい値(OP1,OP2,OP3)を保持するためのレジスタREGを有している。図1の半導体装置1には、フラッシュメモリの様な不揮発性メモリNVMが設けられており、不揮発性メモリNVMは、複数の動作判定しきい値(OP1,OP2,OP3)のディフォルト値OPDを記憶している。ディフォルト値OPDは、半導体装置1に、たとえば、電池などから電源が供され、半導体装置1がパワーオンリセットされた時に応じて、レジスタREGへ読み込まれるように、構成されている。ディフォルト値OPDにおいて、第1動作判定しきい値OP1のディフォルト値は、一例では、半導体装置1が取り付けられた電子システムSYSの動作状態OPとスタンバイ状態STBを区別するのに妥当な温度(たとえば、50°C)相当の熱ストレス情報HSIの値にするのが良い。第2動作判定しきい値OP2のディフォルト値は、第1動作判定しきい値OP1のディフォルト値より少し高い値、たとえば、55°C相当の熱ストレス情報HSIの値とするのが良い。第3動作判定しきい値OP3のディフォルト値は、対応する電子システムSYSの故障や異常を判定することが可能な程度の熱ストレス情報HSIの値にされる。第3動作判定しきい値OP3のディフォルト値は、対応する電子システムSYSに基づいて設定するのが良い。
図7は、動作判定しきい値の設定例2を説明する図である。図7が図6と異なる点は、図7において、レジスタREGの内容を書き替えるための書換回路RWCが設けられている点である。他の構成及び動作は、図6と同じであるので、重複する説明は省略する。電子システムSYSの管理者やユーザは、書換回路RWCを利用して、電子システムSYSの使用環境に最適な動作判定しきい値をレジスタREGに設定することができる。つまり、パワーオンリセットされた時に、レジスタREGに格納された複数の動作判定しきい値(OP1,OP2,OP3)のディフォルト値OPDが、書換回路RWCを利用して、電子システムSYSの使用環境に最適な動作判定しきい値へ変更できる。これにより、電子システムSYSの動作判定をより正確に行うことができる。
図8は、動作判定しきい値の設定例3を説明する図である。図8では、レジスタREGに格納された動作判定しきい値が、過去の熱ストレス履歴に基づいて、最適な動作判定しきい値へ自動的に調整ないし更新されるように構成されている。
図9は、図1のストレス検出回路の要部の構成例を説明する図である。図9には、ストレス検出回路10の動作クロックCLKの切替の構成例が示されている。なお、図9では、図1で示した切替頻度情報保持回路CST、演算回路ACの記載を省略されている。図1のストレス検出回路10と異なる部分を主に説明する。
累積劣化ストレス量保持回路STの要部の構成例および変形例をいくつか説明する。
図13は、実施例に係る半導体装置の動作手順を説明する図である。
図14は、変形例1に係るストレス検出回路の構成例を説明する図である。図14に示すストレス検出回路10aは、タイマTMと、選択回路SEL3と、累積劣化ストレス量保持回路STcと、を有する。累積劣化ストレス量保持回路STcは、図9で示した累積劣化ストレス量保持回路STに、新たに、累積時間保持回路CTが設けられている。
図15は、図1の切替頻度情報保持回路の変形例を説明する図である。図16は、変形例における切替頻度情報保持回路の状態遷移図を説明する図である。図15において、縦軸は熱ストレス情報HSIを示し、横軸は時間tを示す。
図17は、変形例2に係るストレス検出回路を示す図である。図17に示す様に、ストレス検出回路10bは、第1リングオシレータROと、第2リングオシレータRO2と、累積劣化ストレス量保持回路STdと、を含む。累積劣化ストレス量保持回路STdは、第1同期化バッファSBと、第2同期化バッファSB2と、累積時間保持回路CTと、第1累積ストレスカウンタSCと、第2累積ストレスカウンタSC2と、切替頻度情報保持回路CSTと、を含む。
第2リングオシレータRO2は、(式6)の特性を有する。
=B(V) x ({exp(-Ea1/kT)}q2累積値)/[{exp(-Ea1/kT)累積値}q2/Nq2-1] (式7)
f(Vchipmin) x (C2/C1q2)≦B(V)≦f(Vchipmax) x (C2/C1q2)
ここで、Cnt2累積値、Cnt1累積値は実測値であり、Nは単位カウント動作(温度がほぼ一定とみなせる所定周期の期間のカウント動作)の累積実施回数であって、累積時間保持回路CTの実測値である。B(V)は累積期間中の電圧変動履歴に依存した、ある不明な値である。VchipminおよびVchipmaxは、半導体装置1の電源電位(Vd)の変動の最小値Vchipminと最大値Vchipmaxとを示している。f(Vchipmin)は、電源電位(Vd)の最小値Vchipminにおける第2リングオシレータRO2の発振周波数の電圧依存性を示し、f(Vchipmax)は、電源電位(Vd)の最大値Vchipmaxにおける第2リングオシレータRO2の発振周波数の電圧依存性を示している。
Kq2/(C2/C1q2)は、半導体装置1の電源電圧(Vd)の電圧状態に応じて、f(Vchipmin)~f(Vchipmax) x Aq2の間で変動することになる。
10,10a:ストレス検出回路
20:無線通信回路
ANT:アンテナ
ST、STa、STb、STc:累積劣化ストレス量保持回路
RO:リングオシレータ(第1リングオシレータ)
RO2:第2リングオシレータ
SB:同期化バッファ(第1同期化バッファ)
SB2:第2同期化バッファ
HSI:熱ストレス情報
HSV:熱ストレス量(累積熱ストレス情報)
SC:累積ストレスカウンタ(第1累積ストレスカウンタ)
SC2:第2累積ストレスカウンタ
CST:切替頻度情報保持回路
CN:制御回路
AC:演算回路
CGH:第1クロック生成回路
CGL:第2クロック生成回路
SEL1:クロック選択回路
CK:切替回路
SYS:電子システム
MT:モータ
ED:電子装置
BAT:電池
CB:回路基板
REG:レジスタ
NVM:不揮発性メモリ
RWC:書換回路
RAC:レジスタ値自動補正回路
DIC:分周回路
IOC:間欠動作制御回路
TM:タイマ
CT:累積時間保持回路
Claims (17)
- 温度依存性が顕著な熱ストレス情報を所定期間ごとに計測するバッファと、前記バッファの前記熱ストレス情報を累積して、累積ストレスカウント値として保持する累積ストレスカウンタと、を含む保持回路と、
動作判定しきい値を含む制御回路と、
無線通信回路と、を有し、
前記制御回路は、前記バッファから与えられる前記熱ストレス情報が前記動作判定しきい値より大きい第1状態から小さい第2状態へ遷移したことに基づいて、前記無線通信回路による前記累積ストレスカウント値から算出された累積熱ストレス情報の送信を開始させ、
前記第1状態と前記第2状態とで、前記保持回路へ供給する動作クロックの周波数を切り替えるクロック選択回路を有し、
前記動作クロックの前記周波数は、前記第2状態の方が前記第1状態に比べ低速である、
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記制御回路は、異常熱ストレス判定しきい値を含み、
前記制御回路は、前記熱ストレス情報が前記異常熱ストレス判定しきい値を超えた場合、前記無線通信回路による前記累積熱ストレス情報の送信を開始させる、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記保持回路は、前記第1状態と前記第2状態との切替回数に関する切替頻度情報をさらに保持する、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第2状態における前記動作クロックは、前記熱ストレス情報が前記動作判定しきい値以上となったことを検知する動作のために使用される、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記保持回路の動作は、前記動作クロックのクロック周波数のカウント数に基づいて制御され、異なるクロック周波数での前記カウント数は、クロック周波数が異なっていても、絶対時間ではほぼ一致するようにそれぞれのカウント数が設定される、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記切替頻度情報は、前記第1状態における前記熱ストレス情報の昇降頻度に関する昇降頻度情報をさらに含み、
前記昇降頻度情報は、前記熱ストレス情報の変動履歴の中央値及び標準偏差に基づいて、前記熱ストレス情報の昇降を判定することにより生成される、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置と、
前記無線通信回路に接続されたアンテナと、
前記半導体装置に電源電位および接地電位を供給する電池または環境発電装置と、を含む電子装置。 - 請求項7に記載の電子装置と、
前記電子装置が取り付けられた機器と、を含む、電子システム。 - 請求項7に記載の電子装置において、
前記保持回路は、
温度依存性及び電圧依存性の両方が顕著な第2熱ストレス情報を累積して、第2累積ストレスカウント値として保持する第2累積ストレスカウンタをさらに有し、
前記第2累積ストレスカウント値の時間推移に基づいて、前記電池の寿命または前記環境発電装置の電圧状態の健全性を判定する、電子装置。 - 請求項9に記載の電子装置と、
前記電子装置が取り付けられた機器と、を含む、電子システム。 - ストレス検出回路と、
無線通信回路と、を含み、
前記ストレス検出回路は、
発振周波数が温度依存性を有する第1リングオシレータと、
累積劣化ストレス量保持回路と、
動作判定しきい値を含む制御回路と、を含み、
前記累積劣化ストレス量保持回路は、
単位カウント動作期間ごとに、前記第1リングオシレータの前記発振周波数を、熱ストレス情報として取得し、一時的に保持する第1同期化バッファと、
前記第1同期化バッファから出力される前記熱ストレス情報を継続的に累積して、第1累積ストレスカウント値として保持する第1累積ストレスカウンタと、を含み、
前記制御回路は、前記熱ストレス情報が前記動作判定しきい値より大きい第1状態から小さい第2状態へ遷移したことに基づいて、前記無線通信回路による前記第1累積ストレスカウント値から算出された累積熱ストレス情報の送信を開始させ、
第1周波数の第1クロック信号を生成する第1クロック生成回路と、
前記第1周波数と比較して、低速な第2周波数の第2クロック信号を生成する第2クロック生成回路と、
前記制御回路により制御されるクロック選択回路と、を有し、
前記クロック選択回路は、
前記熱ストレス情報が前記第1状態の場合、前記第1クロック信号を動作クロックとして前記ストレス検出回路へ供給し、
前記熱ストレス情報が前記第2状態の場合、前記第2クロック信号を前記動作クロックとして前記ストレス検出回路へ供給する、半導体装置。 - 請求項11に記載の半導体装置において、
前記ストレス検出回路は、
前記第1リングオシレータの発振出力を分周する分周回路と、
前記第1リングオシレータの発振出力と分周回路の出力のいずれか一方を選択して前記第1同期化バッファへ入力する選択回路と、を含む、半導体装置。 - 請求項11に記載の半導体装置と、
前記無線通信回路に接続されたアンテナと、
前記半導体装置に電源電位および接地電位を供給する電池または環境発電装置と、を含む電子装置。 - 請求項13に記載の電子装置と、
前記電子装置が取り付けられた機器と、を含む、電子システム。 - 請求項11に記載の半導体装置において、
前記ストレス検出回路は、
発振周波数が温度依存性及び電圧依存性を有する第2リングオシレータを含み、
前記累積劣化ストレス量保持回路は、
単位カウント動作期間ごとに、前記第2リングオシレータの前記発振周波数を、第2熱ストレス情報として取得し、一時的に保持する第2同期化バッファと、
前記第2同期化バッファから出力される前記第2熱ストレス情報を継続的に累積して、第2累積ストレスカウント値として保持する第2累積ストレスカウンタと、を含む、半導体装置。 - 請求項15に記載の半導体装置と、
前記無線通信回路に接続されたアンテナと、
前記半導体装置に電源電位および接地電位を供給する電池または環境発電装置と、を含み、
前記半導体装置は、
前記第2累積ストレスカウント値の時間推移に基づいて、前記電池の寿命または前記環境発電装置の電圧状態の健全性を判定する、電子装置。 - 請求項16に記載の電子装置と、
前記電子装置が取り付けられた機器と、を含む、電子システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019168868A JP7241652B2 (ja) | 2019-09-17 | 2019-09-17 | 半導体装置、電子装置および電子システム |
US17/009,849 US11821795B2 (en) | 2019-09-17 | 2020-09-02 | Semiconductor device, electronic device and electronic system |
CN202010951604.XA CN112528579A (zh) | 2019-09-17 | 2020-09-11 | 半导体装置、电子器械和电子系统 |
EP20196513.4A EP3796129B1 (en) | 2019-09-17 | 2020-09-16 | Semiconductor device, electronic device and electronic system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019168868A JP7241652B2 (ja) | 2019-09-17 | 2019-09-17 | 半導体装置、電子装置および電子システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021047058A JP2021047058A (ja) | 2021-03-25 |
JP7241652B2 true JP7241652B2 (ja) | 2023-03-17 |
Family
ID=72560355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019168868A Active JP7241652B2 (ja) | 2019-09-17 | 2019-09-17 | 半導体装置、電子装置および電子システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11821795B2 (ja) |
EP (1) | EP3796129B1 (ja) |
JP (1) | JP7241652B2 (ja) |
CN (1) | CN112528579A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11994082B1 (en) * | 2023-04-27 | 2024-05-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004112767A (ja) | 2003-08-25 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | 情報処理装置 |
WO2004082114A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電動機制御装置 |
JP2011049877A (ja) | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | クロック信号制御回路及びクロック信号制御方法 |
JP2013058971A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びその電源制御方法 |
JP2013120836A (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP2017118414A (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3209004B2 (ja) * | 1994-08-10 | 2001-09-17 | 株式会社明電舎 | パワースイッチング素子の寿命監視装置及び同寿命監視装置を有するパワースイッチング素子を用いた装置 |
JP2006170923A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置評価装置、半導体装置の評価方法および半導体評価デバイスのシミュレータ |
DE102014206621A1 (de) | 2014-04-07 | 2015-10-08 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Aufzeichnung von Temepraturzyklen eines Leistungshalbleiters |
JP2018091804A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6962795B2 (ja) | 2017-11-22 | 2021-11-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体システム |
-
2019
- 2019-09-17 JP JP2019168868A patent/JP7241652B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-02 US US17/009,849 patent/US11821795B2/en active Active
- 2020-09-11 CN CN202010951604.XA patent/CN112528579A/zh active Pending
- 2020-09-16 EP EP20196513.4A patent/EP3796129B1/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004082114A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電動機制御装置 |
JP2004112767A (ja) | 2003-08-25 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | 情報処理装置 |
JP2011049877A (ja) | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | クロック信号制御回路及びクロック信号制御方法 |
JP2013058971A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びその電源制御方法 |
JP2013120836A (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP2017118414A (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210080330A1 (en) | 2021-03-18 |
EP3796129B1 (en) | 2023-06-07 |
EP3796129A1 (en) | 2021-03-24 |
JP2021047058A (ja) | 2021-03-25 |
CN112528579A (zh) | 2021-03-19 |
US11821795B2 (en) | 2023-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102736016B (zh) | 具有芯片上监视器电路和控制电路的电路装置及对应方法 | |
US7558701B2 (en) | System to monitor the health of a structure, sensor nodes, program product, and related methods | |
US8547164B2 (en) | Closed loop adaptive voltage scaling | |
US6903564B1 (en) | Device aging determination circuit | |
US10361685B2 (en) | Semiconductor device | |
US7454316B2 (en) | Method and apparatus for monitoring and enhancing on-chip microprocessor reliability | |
US7962887B2 (en) | Self-learning of the optimal power or performance operating point of a computer chip based on instantaneous feedback of present operating environment | |
JP7241652B2 (ja) | 半導体装置、電子装置および電子システム | |
EP1946133B1 (en) | Battery analysis system for determining quantity of cells of a battery | |
US20090287909A1 (en) | Dynamically Estimating Lifetime of a Semiconductor Device | |
US20130300463A1 (en) | Method and Apparatus for Monitoring Timing of Critical Paths | |
US9762150B2 (en) | Self-powered sensor system | |
US9057761B2 (en) | Sensing supply voltage swings within an integrated circuit | |
US9672310B1 (en) | Reliability guardband compensation | |
US20120001552A1 (en) | Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment | |
US20180074874A1 (en) | System and method for managing semiconductor manufacturing defects | |
US20200132752A1 (en) | Chip and performance monitoring method | |
US20200288361A1 (en) | Wireless communication system, wireless terminal, and wirelesscommunication metho | |
US11342924B2 (en) | Local oscillator frequency-based proximity sensor | |
WO2016081211A1 (en) | Thermal mitigation based on event counter | |
US8450994B2 (en) | Voltage application time period measuring circuit and power supply apparatus including the same | |
TW201807574A (zh) | 包括主設備和從設備的系統以及該系統的操作方法 | |
JP2012222192A (ja) | 半導体集積回路及び誤動作防止方法 | |
CN102735328B (zh) | 信号处理电路、振动检测电路及电子装置 | |
US20110115474A1 (en) | Detection system, semiconductor device, and data processing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7241652 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |