JP7221403B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Description
基板を処理する複数の処理室と、
前記基板を保持する複数の待機室と、
前記待機室と前記処理室とに隣接して配置される搬送室と、
前記搬送室に設けられ、前記処理室と前記待機室との間、または前記搬送室を挟んで隣り合う前記待機室同士の間で基板の搬送を行う搬送ロボットと、
前記待機室の温度を調節する温度調節機構と、
前記待機室が保持する基板が経る搬送経路に応じて、前記待機室の温度調節の態様を変えるように前記温度調節機構を制御する制御部と、
を備える技術が提供される。
以下、本開示の一態様について、図面を参照しながら説明する。
本開示の基板処理装置100の概略構成例について図1を用いて説明する。
本開示の基板処理装置100は、基板を処理する第1~第4処理室PM11~PM42と、基板を搬送する第1~第4搬送ロボットTH1~TH4を備える第1~第4搬送室TM1~TM4と、隣り合う第1~第4搬送室TM1~TM4の間を連結する第1~第4待機室WM1~WM4と、第1~第4待機室WM1~WM4が備える第1~第4温度調節機構AC1~AC4と、第1待機室WM1に隣接する大気搬送室LHと、大気搬送室LHに隣接するロードポートLP1,LP2と、を主に備える。
ロードポート(I/Oステージ)LP1,LP2は、ウエハキャリアとして使用されるポッドPD1,PD2の搬入搬出部として用いられる。ポッドPD1,PD2の内部は、処理室PMで処理される未処理のウエハ(以下、「未処理ウエハ」と称する場合がある。)や、処理室PMで処理された処理済みのウエハ(以下、「処理済ウエハ」と称する場合がある。)が水平姿勢で格納されるように構成されている。ポッドPD1,PD2の前面蓋を開けることにより、ポッドPD1,PD2内と大気搬送室LH内とが連通するようになっている。
ロードポートLP1,LP2の一側面には、大気搬送室LHが設けられている。大気搬送室LH内には、ポッドPD1,PD2と第1待機室WM1との間でウエハの搬送を行う、不図示の大気搬送ロボットが設けられている。大気搬送ロボットは、ポッドPD1,PD2内に収納されている複数枚(例えば、25枚)の未処理ウエハのうちの5枚のウエハを第1待機室WM1に搬送する。また、大気搬送ロボットは、5枚の処理済ウエハを第1待機室WM1からポッドPD1,PD2内に搬送する(図7参照)。大気搬送室LH内は、不活性ガス等のクリーンガスが供給され、大気圧に保持されている。
図1に示すように、大気搬送室LHの側面であって、ロードポートLP1,LP2が設けられた反対側には、第1待機室WM1が設けられている。第1待機室WM1の内部には、ポッドPD1,PD2から搬送された5枚の未処理ウエハを水平姿勢で保持する保持領域が設けられており、この保持領域の下方には、5枚の処理済ウエハを保持する空き領域が設けられている。大気搬送室LHと第1待機室WM1との間には不図示のゲートバルブが設けられており、このゲートバルブを開けることにより、大気搬送室LH内と第1待機室WM1内とが連通可能となる。
第2~第4待機室WM2~WM4の内部も、第1待機室WM1の内部と同様に構成されている。
第1待機室WM1には、第1待機室WM1内の温度を調節する第1温度調節機構AC1が設けられている。第1温度調節機構AC1は、加熱機構と冷却機構とを有している。加熱機構により、第1待機室WM1に保持された未処理ウエハが加熱され、また、冷却機構により、処理済ウエハが冷却される。加熱機構と冷却機構については、公知技術を利用することができる。
第2~第4待機室WM2~WM4にも、第1温度調節機構AC1と同様の構成および機能を有する第2~第4温度調節機構AC2~AC4が設けられている。
第1待機室WM1の側面であって、大気搬送室LHが設けられた反対側には、第1搬送室TM1が設けられている。第1搬送室TM1の内部には、ウエハの搬送および保持を行う第1搬送ロボットTH1が設けられている。第1待機室WM1と第1搬送室TM1との間には不図示のゲートバルブが設けられ、このゲートバルブを開けることにより、第1待機室WM1内と第1搬送室TM1内とが連通可能となる。同様に、第1搬送室TM1と第1処理室PM11との間、および第1搬送室TM1と第1処理室PM12との間にも不図示のゲートバルブが設けられている。
第2~第4搬送室TM2~TM4の内部も、第1搬送室TM1の内部と同様に構成されている。
第1搬送ロボットTH1は、ウエハを一時的に保持して搬送する一対のアームAR11,AR12を備えている。第1搬送ロボットTH1は、第1待機室WM1内に保持される未処理ウエハを第2待機室WM2に搬送し、また、第2待機室WM2内に保持される処理済ウエハを第1待機室WM1に搬送する。また、第1搬送ロボットTH1は、例えばアームAR11に未処理ウエハを載せて、第1処理室PM11に搬入するとともに、処理済ウエハをアームAR12に載せて第1処理室PM11から搬出するスワップ(交換)搬送ができるよう構成されている。
第2~第4搬送室TM2~TM4の内部にも、第1搬送ロボットTH1と同様の構成および機能を有する第2~第4搬送ロボットTH2~TH4が設けられている。
第1待機室WM1から第1搬送室TM1を見たときの第1搬送室TM1の両側面(図1の左右側)には、ウエハに成膜等の処理を施す第1処理室PM11,PM12が設けられている。また、図1には示していないが、処理室PM11,PM12の内部にはウエハに成膜処理を施す縦型処理炉1(図2参照)が配置されている。縦型処理炉1の構成については後述する。
第2~第4処理室PM21~PM42の内部にも、縦型処理炉1と同様の構成および機能を有する縦型処理炉が設けられている。
本開示の基板処理装置100が有する処理室PMは、処理対象となるウエハを5枚ずつ纏めて処理する縦型基板処理室として構成されている。以下では、第1処理室PM11が備える縦型処理炉1を例に説明する。
また、ウエハに対して処理室PMが行う処理としては、例えば、酸化処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール、成膜処理がある。本開示では、特に成膜処理を行う場合を例に挙げる。
図2は、本開示の基板処理装置100が有する第1処理室PM11の内部の概略構成例を模式的に示す側断面図である。
縦型処理炉1は、後述する反応管20を均一に加熱するために、加熱部としてのヒータ10を備える。ヒータ10は、円筒形状であり、保持板としての不図示のヒータベースに支持されることにより基板処理装置の設置床に対して垂直に据え付けられている。
ヒータ10の内側には、ヒータ10と同心円状に、反応容器を構成する反応管20が配設されている。
反応管20の下方には、基板移載用のロードロック室を構成する下部チャンバ(ロードロックチャンバ)30が配設されている。
そして、反応管20および下部チャンバ30によって形成される空間内には、処理対象となるウエハを支持するための基板支持部40が、当該空間内を上下方向に移動可能に配されている。
反応管20は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成され、内管21と外管22とを有する二重管構造の円筒形状に形成されている。
処理部23内には、処理部23の下部領域から上部領域まで延在するノズル24が設けられている。ノズル24には、ボート41に支持されるウエハと対向する位置に、ノズル24の延伸方向に沿って並ぶ複数のガス供給孔24aが設けられている。これにより、ノズル24のガス供給孔24aからは、ウエハに対してガスが供給されることになる。
内管21の内側に配されたノズル24には、ガス供給ラインとしてのガス供給管51が、内管21および外管22を貫通するように接続されている。ガス供給管51には、少なくとも2本のガス供給管52,54が接続されており、処理部23内へ複数種類のガスを供給することができるように構成されている。
ポンピング部26には、そのポンピング部26に滞留するガスを排気する排気管61が接続されている。排気管61には、上流側から順に、処理部23内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ62,APC(Auto Pressure Controller)バルブ63,真空排気装置としての真空ポンプ64が接続されている。
下部チャンバ30は、その上端に反応管20を支持するフランジ部31を有している。フランジ部31が反応管20を支持することで、下部チャンバ30は、反応管20の下方に配されることになる。
不活性ガス供給管56からは、不活性ガスとして、例えばN2ガスが下部チャンバ30内に供給される。
基板支持部40は、反応管20および下部チャンバ30によって形成される空間内、すなわち内管21内の処理部23および下部チャンバ30内の移載室33を移動可能に配されるもので、ウエハを支持する基板支持具としてのボート41と、その下方に配された断熱部42と、を有している。
具体的には、例えば、昇降機構部44が上昇動作を行うと、図2に示すように、少なくともボート41が処理部23に位置し、これによりボート41に支持されたウエハに対して処理部23での処理を行うことが可能になる。
また、例えば、昇降機構部44が下降動作を行うと、ボート41が下部チャンバ30の移載室33内まで下がるようになっている。このようにすることで、第1搬送ロボットTH1により、基板搬入搬出口32を通じてボート41のプレート41a上に5枚のウエハを載置することが可能になる。
以下、コントローラ70の構成を、図面を参照しながら説明する。
図3は、本開示の基板処理装置100が有するコントローラの構成例を模式的に示すブロック図である。本開示の基板処理装置は、その基板処理装置における各部の動作を制御する制御部としてのコントローラ70を有している。
次に、処理室PMにおける基板処理工程を、図2および図4を用いて説明する。ここでは、基板処理工程として、金属膜の一例である窒化チタン(TiN)層をウエハ上に形成する工程(成膜工程)を例に挙げる。なお、以下の説明において、処理室PMを構成する各部の動作はコントローラ70により制御される。
以下に、第1処理室PM11で行われる成膜工程を例に説明する。
成膜処理に際しては、先ず、被処理物となるウエハをボート41に装填(ウエハチャージ)する。具体的には、移載室33内において、ボート41のプレート41aを基板搬入搬出口32の対向位置に配置し、その状態で、第1搬送ロボットTH1により、基板搬入搬出口32を通じて、プレート41a上にウエハを載置する。これを、昇降機構部44によってボート41の上下方向位置を移動させつつ、5段のプレート41aのそれぞれに対して行う。これにより、ボート41には、5枚のウエハが装填される。
ボート41にウエハを装填したら、続いて、ボート41を昇降機構部44によって上昇させる。これにより、ボート41に装填された5枚のウエハは、処理部23内に搬入(ボートロード)される。
ウエハの処理部23内への搬入後は、処理部23内が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ64を作動させる。この際、処理部23内の圧力は、圧力センサ62で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ63がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ64は、少なくともウエハに対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理部23内が所望の温度となるように、ヒータ10による加熱を行う。この際、処理部23内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づき、ヒータ10への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ10による処理部23内の加熱は、少なくともウエハに対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
処理部23内の雰囲気が安定したら、次いで、成膜工程としてのTiN層形成工程(S140)に移る。TiN層形成工程(S140)では、TiCl4ガスを供給する工程(S141)、残留ガスを除去する工程(S142)、NH3ガスを供給する工程(S143)、および、残留ガスを除去する工程(S144)の各ステップを順に行う。
具体的には、処理部23内の雰囲気が安定した後、バルブ52bを開き、ガス供給管52およびガス供給管51に原料ガスであるTiCl4ガスを流す。TiCl4ガスは、MFC52aにより流量調整され、ノズル24のガス供給孔24aから処理部23内に供給され、排気流路25およびポンピング部26を経て排気管61から排気される。これにより、ボート41に装填されたウエハに対してTiCl4ガスが供給されることとなる。また、TiCl4ガスの供給に合わせて、バルブ53bを開き、ガス供給管53内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管53内を流れたN2ガスは、MFC53aにより流量調整され、TiCl4ガスと一緒に処理部23内に供給され、排気管61から排気される。
ウエハ上にTi含有層を形成した後は、バルブ52bを閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管61のAPCバルブ63は開いたままとして、真空ポンプ64により処理部23内を真空排気し、処理部23内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理部23内から排除する。また、バルブ53bは開いたままとして、N2ガスの処理部23内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理部23内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理部23内から排除する効果を高めることができる。
処理部23内の残留ガスを除去した後は、バルブ54bを開き、ガス供給管54およびガス供給管51に反応ガスとしてN含有ガスであるNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC54aにより流量調整され、ノズル24のガス供給孔24aから処理部23内に供給され、排気流路25およびポンピング部26を経て排気管61から排気される。これにより、ボート41に装填されたウエハに対してNH3ガスが供給されることとなる。このとき、バルブ55bは閉じた状態として、N2ガスがNH3ガスと一緒に処理部23内に供給されないようにする。すなわち、NH3ガスは、N2ガスで希釈されることなく、処理部23内に供給され、排気管61から排気される。このように、反応ガス(NH3ガス)を、N2ガスで希釈することなく、処理部23内へ供給すれば、TiN層の成膜レートを向上させることが可能である。
ウエハ上にTiN層を形成した後は、バルブ54bを閉じて、NH3ガスの供給を停止する。そして、上述した残留ガス除去工程の場合と同様の処理手順により、処理部23内に残留する未反応もしくはTiN層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を、処理部23内から排除する。
以上に述べたTiN層形成工程(S140)における各工程(S141~S144)を順に行うサイクルが終了すると、その都度、そのサイクルを予め設定された回数(所定回数)実施したか否かを判断する。そして、所定回数実施するまで、そのサイクルを繰り返し実施する(S141~S144)。上述のサイクルを繰り返す回数は、例えば10~80回程が好ましく、より好ましくは10~15回程行う。そして、上述のサイクルを所定回数繰り返すことにより、ウエハ上には、所定の厚さ(例えば0.1~2nm)のTiN層が形成される。
上述のサイクルを所定回数繰り返した後は、ガス供給管53,55のそれぞれからN2ガスを処理部23内へ供給し、排気管61から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理部23内が不活性ガスでパージされ、処理部23内に残留するガスや副生成物が処理部23内から除去される。
処理部23内をパージした後は、処理部23内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理部23内の圧力が常圧に復帰される。
その後は、上述したボートロード工程(S120)とは逆の手順で、昇降機構部44によってボート41を下降させて、そのボート41に装填された各ウエハを処理部23内から搬出(ボートアンロード)する。
そして、ボート41をアンロードしたら、上述したウエハチャージ工程(S110)とは逆の手順で、処理済ウエハを第1搬送ロボットTH1により、ボート41から取り出し、基板搬入搬出口32を通じて下部チャンバ30の外部に搬出する。
次に、上述の成膜工程の前後におけるウエハの搬送工程を、(i)未処理ウエハを第1待機室WM1から搬出し、処理室PMへ搬入する直前までのスワップ前工程、(ii)処理済ウエハと未処理ウエハとを交換するスワップ工程、(iii)処理室PMから搬出された処理済ウエハを第1待機室WM1へ搬入するスワップ後工程に分けて、図1,図5~図7を用いて説明する。以下の説明では、第1待機室WM1から第1~第4処理室PM11,PM21,PM31,PM41へのウエハの搬送工程を例に説明する。図5~図7では、第1~第4処理室PM12,PM22,PM32,PM42と、第1~4搬送ロボットTH1~TH4と、大気搬送室LHとを省略している。図5~図7では、便宜上、第1~第4温度調節機構AC1~AC4を待機室WM外に示している。図5~図7に記載の白マルは、処理済みのウエハを示し、黒マルは、未処理のウエハを示している。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ70により制御される。
スワップ前工程では、最初に、第1待機室WM1内で保持される5枚の未処理のウエハを第4待機室WM4へ搬送する工程(以下、「A工程」と称する場合がある。)が行われる。以下に、A工程について説明する。なお、以下に説明するウエハの搬送は、ウエハを搬送する搬送ロボットTHが有するアームの数(2本)に応じて行われ、5枚のウエハの搬送は、1~2枚ずつ数回に分けて行われる。
第1待機室WM1内で保持されるウエハを、第1搬送ロボットTH1が保持し、第1搬送室TM1を経由して第2待機室WM2へ搬送する。続いて、このウエハを第2搬送ロボットTH2が保持し、第2搬送室TM2を経由して第3待機室WM3へ搬送する。続いて、このウエハを第3搬送ロボットTH3が保持し、第3搬送室TM3を経由して第4待機室WM4へ搬送する。
以上の動作を第1待機室WM1内で保持される5枚のウエハがすべて第4待機室WM4へ搬送されるまで繰り返し行う。最後に、第4搬送ロボットTH4が、第4待機室WM4に保持された5枚のウエハのうちの1枚を保持し、第4搬送室TM4へ搬送して、A工程を終了する。
スワップ工程では、最初に、第1~第4搬送ロボットTH1~TH4が有する一方のアームで、それぞれ第1~第4処理室PM11~PM41で処理された処理済ウエハを保持する。続いて、これらの処理済ウエハと、スワップ前工程で第1~第4搬送ロボットTH1~TH4の他方のアームで保持した未処理ウエハとを交換する。すなわち、処理済ウエハを第1~第4待機室WM1~WM4へ搬送し、未処理ウエハを第1~第4処理室PM11~PM41へ搬送する。このとき、第1~第4待機室WM1~WM4で保持された4枚のウエハは、それぞれ同時に第1~第4処理室PM11~PM41に搬送される。
なお、ここでいう「同時」とは、全く同じタイミングだけでなく、ほぼ同じタイミング、近似するタイミングも含んでいる。本明細書において、以降に用いられる「同時」の語句も同様の意味である。
以上の動作を待機室WM内で保持されるすべてのウエハと処理室PM内で処理されたすべてのウエハがスワップされるまで繰り返し行い、スワップ工程を終了する(図6(a)~図6(b)参照)。
スワップ後工程では、スワップ前工程とは逆の手順で処理済ウエハを搬送ロボットTHにより、第1待機室WM1へ搬送する(図7(a)~図7(b)参照)。
次に、基板搬送工程における温度調節機構ACの動作例について、図5~図7を用いて説明する。なお、温度調節機構ACの動作は、コントローラ70により制御される。
以下に、温度調節機構ACの動作例を温度調節機構ACの加熱機構による温度調節と冷却機構よる温度調節とにわけて説明する。
図5に示すように、スワップ前工程では、温度調節機構ACの加熱機構を作動させて、処理室PMに搬入される前の未処理ウエハを予め加熱する。このように、処理室PMまでのウエハの搬送経路に設けられた温度調節機構ACの加熱機構を作動させ、搬送中のウエハを予熱することにより、ウエハを処理室PMに搬入してから成膜処理が開始されるまでの時間を短縮することができる。結果として、作業効率を向上させることができる。
従って、4つの温度調節機構AC1~AC4の加熱時間や加熱パワーをそれぞれ同じに設定すると、例えば、4枚のウエハのうち、トータルの加熱時間が1番長い第4処理室PM41で処理されるウエハが最も高温となり、4枚のウエハは同温にはならない。
そこで、本開示の基板処理装置100は、ウエハの搬送経路に応じて温度調節機構ACの温度調節の態様を変化させ、処理室PMへ搬入される直前の各ウエハに対するトータルの加熱エネルギー量を等しくすることにより、これらのウエハが同温になるようにする。
具体的には、以下のいずれかの制御処理を行う。
第1の制御態様においては、4枚のウエハに対する各待機室WMでの加熱時間を一定にし、4つの加熱機構の加熱パワーをウエハによって変化させるように制御する。例えば、第1~第4温度調節機構AC1~AC4の加熱時間をT(定数)とし、第1~第4温度調節機構AC1~AC4の加熱パワーをそれぞれP1,P2,P3,P4(それぞれ変数)とした場合、第4処理室PM41で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、T×(P1+P2+P3+P4)である。同様に、第3処理室PM31で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、T×(P1+P2+P3)である。第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、T×(P1+P2)である。第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、T×P1である。
Tは定数なので、各ウエハに対する加熱エネルギー量を等しくするには、それぞれ第1~第4処理室PM11~PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーである、P1と、P1+P2と、P1+P2+P3と、P1+P2+P3+P4とが等しくなるように、P1~P4の値を設定する。
なお、P1~P4は変数なので、同じ符号が付されていても異なる値が設定される場合がある。例えば、同じ第1温度調節機構AC1の加熱機構が発する加熱パワーP1であっても、第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱パワーP1と、第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱パワーP1とでは、異なる値が設定される。このように、処理対象となるウエハの搬送先(搬送経路)に応じて、同じ加熱機構の加熱パワーP1であっても、その値は異なるように設定される。
このように、各ウエハに対するトータルの加熱エネルギー量を等しくすることにより、これらのウエハを同温にすることができる。
(a)第4処理室PM41で処理されるウエハが第1待機室WM1に搬送されたら、コントローラ70は、第1温度調節機構AC1の加熱機構に対し、このウエハをP1の加熱パワーでT時間加熱するように指示する。P1の加熱パワーは、第4処理室PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーであるP1+P2+P3+P4のうちのP1であり、第1温度調節機構AC1の加熱機構が発する加熱パワーとして設定されているものである。また、T時間は、ウエハが第1待機室WM1に搬入されてから搬出されるまでの時間として設定されている時間である。
(b)T時間経過したら、コントローラ70は、第1搬送ロボットTH1に対し、ウエハを第2待機室WM2に搬送するように指示する。
(c)第1搬送ロボットTH1が、ウエハを第2待機室WM2に搬送したら、コントローラ70は、第2温度調節機構AC2の加熱機構に対し、このウエハをP2の加熱パワーでT時間加熱するように指示する。P2の加熱パワーは、第4処理室PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーであるP1+P2+P3+P4のうちのP2であり、第2温度調節機構AC2の加熱機構が発する加熱パワーとして設定されているものである。また、T時間は、ウエハが第2待機室WM2に搬入されてから搬出されるまでの時間として設定されている時間である。
(d)T時間経過したら、コントローラ70は、第2搬送ロボットTH2に対し、ウエハを第3待機室WM3に搬送するように指示する。
(e)第2搬送ロボットTH2が、ウエハを第3待機室WM3に搬送したら、コントローラ70は、第3温度調節機構AC3の加熱機構に対し、このウエハをP3の加熱パワーでT時間加熱するように指示する。P3の加熱パワーは、第4処理室PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーであるP1+P2+P3+P4のうちのP3であり、第3温度調節機構AC3の加熱機構が発する加熱パワーとして設定されているものである。また、T時間は、ウエハが第3待機室WM3に搬入されてから搬出されるまでの時間として設定されている時間である。
(f)T時間経過したら、コントローラ70は、第3搬送ロボットTH3に対し、ウエハを第4待機室WM4に搬送するように指示する。
(g)第3搬送ロボットTH3が、ウエハを第4待機室WM4に搬送したら、コントローラ70は、第4温度調節機構AC4の加熱機構に対し、このウエハをP4の加熱パワーでT時間加熱するように指示する。P4の加熱パワーは、第4処理室PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーであるP1+P2+P3+P4のうちのP4であり、第4温度調節機構AC4の加熱機構が発する加熱パワーとして設定されているものである。また、T時間は、ウエハが第4待機室WM4に搬入されてから搬出されるまでの時間として設定されている時間である。
(a)~(g)の手順で処理するので、第4処理室PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーはP1+P2+P3+P4となる。P1~P4は、それぞれ同じ値に設定されてもいいし、P1~P4の順に大きくなるように設定されてもいいし、P1~P4の順に小さくなるように設定されてもいい。
同様に、第3処理室PM31で処理されるウエハには、(a)~(e)の手順で処理するので、第3処理室PM31で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーはP1+P2+P3となる。
第2処理室PM21で処理されるウエハには、(a)~(c)の手順で処理するので、第2処理室PM21で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーはP1+P2となる。
第1処理室PM11で処理されるウエハには、(a)の処理を行うので、第1処理室PM11で処理されるウエハに対するトータルの加熱パワーはP1となる。
第2の制御態様においては、4枚のウエハに対する各加熱機構の加熱パワーを一定にし、各待機室WMでの加熱時間をウエハによって変化させるように制御する。例えば、第1~第4温度調節機構AC1~AC4の加熱パワーをP(定数)とし、第1~第4温度調節機構AC1~AC4の加熱時間をそれぞれT1,T2,T3,T4(それぞれ変数)とした場合、第4処理室PM41で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、(T1+T2+T3+T4)×Pである。同様に、第3処理室PM31で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、(T1+T2+T3)×Pである。第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、(T1+T2)×Pである。第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、T1×Pである。
Pは定数なので、各ウエハに対するトータルの加熱エネルギー量を等しくするには、それぞれ第1~第4処理室PM11~PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱時間である、T1と、1+T2と、1+T2+T3と、1+T2+T3+T4とが等しくなるように、T1~T4の値を設定する。
なお、T1~T4は変数なので、同じ符号が付されていても異なる値が設定される場合がある。例えば、同じ第1温度調節機構AC1の加熱機構の加熱時間T1であっても、第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱時間T1と、第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱時間T1とでは、異なる値が設定される。このように、処理対象となるウエハの搬送先(搬送経路)に応じて、同じ加熱機構の同じ加熱時間T1であっても、その値は異なるように設定される。
なお、具体的な制御は、加熱パワーを定数、加熱時間を変数にして、上述の第1の制御態様と同様に行われる。このようにして、第2の制御態様において、4つの処理室PMに搬入する際の4枚のウエハの温度を同温にすることができる。
しかも、以上のような加熱処理をして、ウエハに対する各加熱機構の加熱パワーを一定にし、ウエハの搬送先に応じて各待機室WMでの加熱時間を変化させることにより、複雑な加熱機構が不要となり、加熱機構の構造を簡素化することができる。
第3の制御態様においては、4枚のウエハに対する各待機室WMでの加熱時間と加熱機構の加熱パワーの両方をウエハによって変化させるように制御する。例えば、第1~第4温度調節機構AC1~AC4の加熱時間をそれぞれT1,T2,T3,T4(それぞれ変数)とし、第1~第4温度調節機構AC1~AC4の加熱パワーをそれぞれP1,P2,P3,P4(それぞれ変数)とした場合、第4処理室PM41で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、(T1×P1)+(T2×P2)+(T3×P3)+(T4×P4)である。同様に、第3処理室PM31で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、(T1×P1)+(T2×P2)+(T3×P3)である。第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、(T1×P1)+(T2×P2)である。第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱エネルギー量は、T1×P1である。
各ウエハに対するトータルの加熱エネルギー量を等しくするには、それぞれ第1~第4処理室PM11~PM41で処理されるウエハに対するトータルの加熱エネルギー量である、T1×P1と、(T1×P1)+(T2×P2)と、(T1×P1)+(T2×P2)+(T3×P3)と、(T1×P1)+(T2×P2)+(T3×P3)+(T4×P4)とが等しくなるように、T1~T4とP1~P4の値を設定する。
なお、T1~T4とP1~P4は変数なので、同じ符号が付されていても異なる値が設定される場合がある。例えば、同じ第1温度調節機構AC1の加熱機構が発する加熱パワーP1であっても、第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱パワーP1と、第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱パワーP1とでは、異なる値が設定される。このように、処理対象となるウエハの搬送先(搬送経路)に応じて、同じ加熱機構の加熱パワーP1であっても、その値は異なるように設定される。同様に、例えば、同じ第1温度調節機構AC1の加熱機構の加熱時間T1であっても、第1処理室PM11で処理されるウエハに対する加熱時間T1と、第2処理室PM21で処理されるウエハに対する加熱時間T1とでは、異なる値が設定される。このように、処理対象となるウエハの搬送先(搬送経路)に応じて、同じ加熱機構の同じ加熱時間T1であっても、その値は異なるように設定される。
なお、具体的な制御は、加熱パワーと加熱時間をともに変数にして、上述の第1の制御態様と同様に行われる。このようにして、第3の制御態様において、4つの処理室PMに搬入する際の4枚のウエハの温度を同温にすることができる。
しかも、以上のような加熱処理をして、4枚のウエハに対する各待機室WMでの加熱時間と加熱機構の加熱パワーの両方をウエハの搬送先に応じて変化させることにより、部品の組み合わせの自由度が増すので、汎用性の高い装置を利用することができる。
図7に示すように、スワップ後工程では、温度調節機構ACの冷却機構を作動させて、搬送経路における処理済ウエハを冷却する。このように、処理室PMから搬出されたウエハの搬送経路に設けられた温度調節機構ACの冷却機構を作動させ、搬送中のウエハを冷却することにより、次の処理に移行するまでの待機時間を短縮することができる。結果として、作業効率を向上させることができる。
従って、4つの温度調節機構AC1~AC4の冷却時間や冷却パワーをそれぞれ同じに設定すると、例えば、4枚のウエハのうち、トータルの冷却時間が1番長い第4処理室PM41から搬出されたウエハが最も低温となり、4枚のウエハは同温にはならない。
そこで、本開示の基板処理装置100は、ウエハの搬送経路に応じて温度調節機構ACの温度調節の態様を変化させ、第1待機室WM1から搬出される直前の各ウエハに対するトータルの冷却エネルギー量を等しくすることにより、これらのウエハが同温になるようにする。
具体的な制御処理は、上述した加熱機構による温度調節の第1~第3制御態様と同様に行われるので、詳細な説明は省略する。
本開示によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
以上に、本開示の一態様を具体的に説明した。しかしながら、本開示の態様は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
Claims (16)
- 基板を処理する複数の処理室と、
前記基板を保持する複数の待機室と、
前記複数の待機室と前記複数の処理室とに、それぞれ隣接して配置される複数の搬送室と、
前記複数の搬送室のそれぞれに設けられ、前記複数の搬送室のうち1つの搬送室に隣接する前記処理室と前記1つの搬送室に隣接する前記待機室との間、および前記複数の搬送室のうち1つの搬送室を挟んで隣り合う前記待機室同士の間で基板の搬送を、基板が経る搬送経路に応じて経由する前記待機室の数が異なるように行う複数の搬送ロボットと、
前記複数の待機室それぞれに設けられ、前記待機室の温度を調節する複数の温度調節機構と、
前記複数の待機室が保持する基板が経る搬送経路に応じて、前記複数の待機室のそれぞれの温度調節の態様を変えるように前記温度調節機構を制御する制御部と、
を備える基板処理装置。 - 前記温度調節機構は、前記複数の待機室のそれぞれに設けられ、前記基板を加熱する加熱機構を備える、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記温度調節機構は、前記複数の待機室のそれぞれに設けられ、前記基板を冷却する冷却機構を備える、
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理室で処理される未処理基板を前記複数の処理室へそれぞれ同時に、かつ同じ温度で搬入させるように、前記複数の温度調節機構を制御する、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の処理室から搬出され、前記複数の待機室のうちの一の待機室へ搬入された複数の処理済み基板を、それぞれ同じ温度で前記一の待機室から搬出させるように、前記複数の温度調節機構を制御する、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記複数の搬送室と前記複数の待機室は、交互に隣接して配置される請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する複数の処理室と、前記基板を保持する複数の待機室と、前記複数の待機室と前記複数の処理室とに、それぞれ隣接して配置される複数の搬送室と、前記複数の搬送室のそれぞれに設けられ、基板の搬送を行う複数の搬送ロボットと、前記複数の待機室それぞれに設けられ、前記待機室の温度を調節する複数の温度調節機構と、を備える基板処理装置を用いて、
前記搬送ロボットにより、前記複数の搬送室のうち1つの搬送室に隣接する前記処理室と前記1つの搬送室に隣接する前記待機室との間、および前記複数の搬送室のうち1つの搬送室を挟んで隣り合う前記待機室同士の間で基板の搬送を、基板が経る搬送経路に応じて経由する前記待機室の数が異なるように行う工程と、
前記複数の待機室が保持する基板が経る搬送経路に応じて、前記複数の待機室のそれぞれの温度調節の態様を変える処理を行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記温度調節機構は、前記複数の待機室のそれぞれに設けられ、前記基板を加熱する複数の加熱機構を備え、
前記処理を行う工程では、前記複数の待機室それぞれに搬送された基板を加熱する処理を行う、
請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記温度調節機構は、前記複数の待機室のそれぞれに設けられ、前記基板を冷却する複数の冷却機構を備え、
前記処理を行う工程では、前記複数の待機室それぞれに搬送された基板を冷却する処理を行う、
請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の処理室で前記基板の処理を行う前に、前記処理室で処理される未処理基板を前記複数の処理室にそれぞれが同時に、かつ同じ温度で搬入する工程を有する、
請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の処理室で前記基板の処理を行った後に、前記複数の処理室から搬出され、前記複数の待機室のうちの一の待機室へ搬入された複数の処理済み基板を、それぞれ同じ温度で前記一の待機室から搬出する工程を有する、
請求項7から請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する複数の処理室と、前記基板を保持する複数の待機室と、前記複数の待機室と前記複数の処理室とに、それぞれ隣接して配置される複数の搬送室と、前記複数の搬送室にそれぞれ設けられ、基板の搬送を行う複数の搬送ロボットと、前記複数の待機室それぞれに設けられ、前記待機室の温度を調節する複数の温度調節機構と、を備える基板処理装置に、
前記搬送ロボットにより、前記複数の搬送室のうち1つの搬送室に隣接する前記処理室と前記1つの搬送室に隣接する前記待機室との間、および前記複数の搬送室のうち1つの搬送室を挟んで隣り合う前記待機室同士の間で基板の搬送を、基板が経る搬送経路に応じて経由する前記待機室の数が異なるように行う手順と、
前記複数の待機室が保持する基板が経る搬送経路に応じて、前記複数の待機室のそれぞれの温度調節の態様を変える処理を行う手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 前記温度調節機構は、前記複数の待機室のそれぞれに設けられ、前記基板を加熱する加熱機構であって、
前記処理を行う手順では、前記複数の待機室それぞれに搬送された基板を加熱する処理を行う、
請求項12に記載のプログラム。 - 前記温度調節機構は、前記複数の待機室のそれぞれに設けられ、前記基板を冷却する複数の冷却機構であって、
前記処理を行う工程では、前記複数の待機室それぞれに搬送された基板を冷却する処理を行う、
請求項12または請求項13記載のプログラム。 - 前記処理を行う手順の前に、前記処理室で処理される未処理基板を前記複数の処理室にそれぞれが同時に、かつ同じ温度で搬入する手順を有する、
請求項12から請求項14のいずれか一項に記載のプログラム。 - 前記処理を行う手順の後に、前記複数の処理室から搬出され、前記複数の待機室のうちの一の待機室へ搬入された複数の処理済み基板を、それぞれ同じ温度で前記一の待機室から搬出する工程を有する、
請求項12から請求項15のいずれか一項に記載のプログラム。
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