JP7216954B2 - Positron Annihilation Characteristic Measuring Apparatus and Positron Annihilation Characteristic Measuring Method - Google Patents
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Description
本明細書は、被測定体に入射されて被測定体内で消滅する陽電子の消滅特性を測定するための技術に関する。 The present specification relates to a technique for measuring annihilation characteristics of positrons that are incident on an object and annihilated in the object.
22Naや68Geなどの陽電子線源(陽電子放出核種)から放出される陽電子が物質に照射されると、照射された陽電子は物質内を飛行した後に物質内の電子と結合して対消滅する。物質内に欠陥(空孔や転位)が存在すると、その欠陥に陽電子は捕捉される。このため、物質内に欠陥が存在しない場合と比較して陽電子が消滅するまでの時間が長くなる。また、物質内に欠陥が存在する場合、陽電子が消滅する際に放出する放射線(γ線)のエネルギースペクトルの分布が、物質内に欠陥が存在しない場合の放射線のエネルギースペクトルの分布と比較して相違する。このため、物質内に照射された陽電子が消滅するまでの時間や、物質内に照射された陽電子が消滅する際の放射線のエネルギースペクトル分布がわかれば、欠陥に関連した物質の材料特性を推定することができる。そこで、陽電子の消滅特性を測定することで、ショットピーニング加工の評価や、原子炉に用いられている部材の疲労状態の観測について研究が行われている。 When a material is irradiated with positrons emitted from a positron beam source (positron emitting nuclide) such as 22 Na or 68 Ge, the irradiated positrons fly through the material and then combine with electrons inside the material to annihilate. . If there are defects (vacancies or dislocations) in the material, the positrons are captured by the defects. For this reason, the positrons take longer to annihilate than if there were no defects in the material. In addition, when there are defects in the material, the distribution of the energy spectrum of the radiation (γ-rays) emitted when the positron annihilates is compared to the energy spectrum distribution of the radiation when there are no defects in the material. differ. Therefore, if we know the time it takes for positrons irradiated into the material to annihilate and the energy spectrum distribution of the radiation when the positrons irradiated into the material annihilate, we can estimate the material properties of the material related to defects. be able to. Therefore, by measuring the positron annihilation characteristics, research is being conducted to evaluate shot peening processing and to observe the fatigue state of members used in nuclear reactors.
例えば、特許文献1には、陽電子の消滅特性を測定する装置が開示されている。特許文献1の装置では、測定対象となる被測定体(被測定物質)から切り出された2枚の試験片により陽電子線源を挟み込み、陽電子が消滅する際の放射線(γ線)を測定している。この方法では、陽電子線源から放出される陽電子の全てが試験片に照射されるため、陽電子寿命(すなわち、陽電子の消滅特性)が精度よく算出される。 For example, Patent Document 1 discloses an apparatus for measuring positron annihilation characteristics. In the apparatus of Patent Document 1, a positron beam source is sandwiched between two test pieces cut out from an object to be measured (substance to be measured) to measure radiation (γ-rays) when positrons are annihilated. there is In this method, all the positrons emitted from the positron beam source are irradiated onto the specimen, so the positron lifetime (that is, positron annihilation characteristics) can be calculated with high accuracy.
特許文献1に記載の方法を用いると、試験片に陽電子を照射したときの陽電子寿命を算出することができる。しかしながら、陽電子寿命だけでは、被測定体の内部の状態を十分に評価することができない。本明細書は、陽電子の消滅特性に基づいて、被測定体の内部の状態をより精度よく評価する技術を開示する。 Using the method described in Patent Document 1, the positron lifetime when a test piece is irradiated with positrons can be calculated. However, the positron lifetime alone cannot sufficiently evaluate the internal state of the object. This specification discloses a technique for more accurately evaluating the internal state of an object to be measured based on positron annihilation characteristics.
本明細書に開示する陽電子消滅特性測定装置は、被測定体に入射されて被測定体内で消滅する陽電子の消滅特性を測定する。陽電子消滅特性測定装置は、被測定体の表面に近接又は密着する位置に配置される陽電子線源と、陽電子線源に対して設定された第1の位置に配置され、陽電子線源で陽電子が生成したときに発生する第1の放射線を検出する第1放射線検出手段と、陽電子線源に対して設定された第2の位置に配置され、陽電子線源で生成された陽電子が消滅するときに発生する第2の放射線を検出する第2放射線検出手段と、陽電子線源で生成された陽電子のうち被測定体に入射されなかった陽電子を検出する陽電子検出手段と、第1及び第2放射線検出手段の検出結果と、陽電子検出手段の検出結果に基づいて、被測定体内における陽電子の消滅特性を算出する消滅特性算出手段と、を備えている。消滅特性算出手段は、第1放射線検出手段で第1の放射線を検出した時刻と第2放射線検出手段で第2の放射線を検出した時刻との時間差から「寿命時間-陽電子数」の測定結果を取得し、「寿命時間-陽電子数」の測定結果をフィッティングすることで、被測定体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間を算出し、被測定体の種類に応じて取得された基準時間と、算出された前記0時間となる時間との間のシフト量を算出する。 The positron annihilation characteristics measuring apparatus disclosed in the present specification measures the annihilation characteristics of positrons that enter an object and are annihilated in the object. The positron annihilation characteristics measuring apparatus includes a positron beam source arranged at a position close to or in close contact with the surface of the object to be measured, and a first position set with respect to the positron beam source, and the positrons are emitted from the positron beam source. and a first radiation detector arranged at a second position set with respect to the positron beam source for detecting a first radiation generated when the positron is generated and annihilated when the positron generated by the positron beam source is annihilated. second radiation detection means for detecting the generated second radiation; positron detection means for detecting positrons not incident on the object among the positrons generated by the positron beam source; and first and second radiation detection An annihilation characteristic calculation means for calculating annihilation characteristics of positrons in the body to be measured based on the detection result of the means and the detection result of the positron detection means. The annihilation characteristic calculation means calculates the measurement result of "life time-positron number" from the time difference between the time when the first radiation detection means detects the first radiation and the time when the second radiation detection means detects the second radiation. By fitting the measurement result of "lifetime - number of positrons", the time when the positron lifetime spectrum of the object to be measured is 0 hours is calculated, and the reference time obtained according to the type of object to be measured , the amount of shift from the calculated 0 hour.
上記の陽電子消滅特性測定装置では、被測定体の種類毎に取得される陽電子寿命スペクトルの0時間(基準時間)と、被測定体について取得された陽電子寿命スペクトルの0時間との間のシフト量を算出する。これによって、陽電子寿命のみによる評価では判定できない被測定体の内部状態を評価することができる。 In the positron annihilation characteristic measuring apparatus described above, the amount of shift between the 0 hour (reference time) of the positron lifetime spectrum acquired for each type of the object to be measured and the 0 hour of the positron lifetime spectrum acquired for the object to be measured. Calculate This makes it possible to evaluate the internal state of the object, which cannot be determined by the evaluation based only on the positron lifetime.
また、本明細書に開示する陽電子消滅特性測定方法は、被測定体に入射されて被測定体内で消滅する陽電子の消滅特性を測定する。陽電子消滅特性測定方法は、陽電子線源と、陽電子線源で陽電子が生成したときに発生する第1の放射線を検出する第1検出器と、陽電子線源で生成された陽電子が消滅するときに発生する第2の放射線を検出する第2検出器との間の位置を調整する調整工程と、調整工程で位置調整された陽電子線源と第1検出器と第2検出器を用いて、第1の被測定体に対して、第1検出器で第1の放射線を検出した時刻と第2検出器で第2の放射線を検出した時刻との時間差から陽電子寿命スペクトルの0時間である第1の時間を算出する第1時間算出工程と、調整工程で位置調整された陽電子線源と第1検出器と第2検出器を用いて、第1の被測定体と異なる第2の被測定体に対して、第1検出器で第1の放射線を検出した時刻と第2検出器で第2の放射線を検出した時刻との時間差から陽電子寿命スペクトルの0時間である第2の時間を算出する第2時間算出工程と、第1の時間と第2の時間との間のシフト量を算出するシフト量算出工程と、を備える。 Also, the positron annihilation property measuring method disclosed in the present specification measures the annihilation property of positrons that are incident on an object and annihilate in the object. A positron annihilation characteristic measuring method includes a positron beam source, a first detector for detecting a first radiation generated when positrons are generated by the positron beam source, an adjusting step of adjusting the position between a second detector that detects the generated second radiation; From the time difference between the time when the first radiation is detected by the first detector and the time when the second radiation is detected by the second detector for one object to be measured, the first time which is 0 hours of the positron lifetime spectrum is determined. A second object to be measured, which is different from the first object to be measured, using a first time calculating step of calculating the time of the positron beam source, the first detector, and the second detector whose positions are adjusted in the adjusting step is calculated from the time difference between the time when the first radiation is detected by the first detector and the time when the second radiation is detected by the second detector. A second time calculation step and a shift amount calculation step of calculating a shift amount between the first time and the second time are provided.
上記の陽電子消滅特性測定方法では、第1の被測定体の陽電子寿命スペクトルの0時間(第1の時間)と第2の被測定体の陽電子寿命スペクトルの0時間(第2の時間)との間のシフト量を算出することによって、第1の被測定体の内部状態と第2の被測定の内部状態との間の違いを評価することができる。これによって、第1の被測定体の陽電子寿命と第2の被測定体の陽電子寿命との比較だけでは評価できない第1の被測定体の内部状態と第2の被測定の内部状態との間の違いを評価することができる。 In the above positron annihilation characteristic measuring method, the 0 hour (first time) of the positron lifetime spectrum of the first object to be measured and the 0 hour (second time) of the positron lifetime spectrum of the second object to be measured The difference between the internal state of the first object to be measured and the internal state of the second object to be measured can be evaluated by calculating the amount of shift between. As a result, the internal state of the first measured object and the internal state of the second measured object cannot be evaluated only by comparing the positron lifetimes of the first measured object and the positron lifetimes of the second measured object. difference can be evaluated.
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。 The main features of the embodiments described below are listed. It should be noted that the technical elements described below are independent technical elements, and exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims as of the filing. do not have.
(特徴1)本明細書が開示する陽電子消滅特性測定装置では、被測定体は、金属で形成された試験体であってもよい。基準時間は、被測定体の種類と同一種類の金属で形成され、かつ、内部欠陥が除去された基準試験体を陽電子線源に対して近接又は密着する位置に配置した状態において、第1放射線検出手段と第2放射線検出手段によって検出された検出結果に基づいて算出される、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間であってもよい。このような構成によると、基準時間は、被測定体と同一種類の金属であって、内部欠陥がない状態の基準試験体を用いて算出される。このような基準試験体を用いて陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間を算出することによって、被測定体の内部の状態(すなわち、内部欠陥の状態)を適切に評価することができる。 (Feature 1) In the positron annihilation property measuring apparatus disclosed in this specification, the object to be measured may be a test object made of metal. The reference time is set in a state in which a reference specimen made of the same kind of metal as the object to be measured and from which internal defects have been removed is placed in a position close to or in close contact with the positron beam source. It may be the time at which the positron lifetime spectrum of the reference specimen is 0 hours, which is calculated based on the detection results detected by the detection means and the second radiation detection means. According to such a configuration, the reference time is calculated using the reference specimen which is made of the same kind of metal as the object to be measured and has no internal defects. By calculating the time at which the positron lifetime spectrum reaches 0 hours using such a reference specimen, the internal state of the object to be measured (that is, the state of internal defects) can be appropriately evaluated.
(特徴2)本明細書が開示する陽電子消滅特性測定装置は、基準時間を記憶する記憶部と、被測定体の種類を入力する入力部と、をさらに備えていてもよい。記憶部は、被測定体の種類毎に基準時間を記憶可能となっていてもよい。消滅特性算出手段は、入力部で入力された被測定体の種類に対応する記憶部に記憶された基準時間を用いて、シフト量を算出してもよい。このような構成によると、被測定体の種類に対応して適切にシフト量を算出することができる。また、基準時間を予め算出して、記憶部に記憶しておくことができる。このため、被測定体の陽電子寿命を測定する際に基準時間を算出するための処理を行うことなく、予め算出した基準時間を用いてシフト量を算出することができる。 (Feature 2) The positron annihilation characteristics measuring apparatus disclosed in the present specification may further include a storage section for storing a reference time and an input section for inputting the type of the object to be measured. The storage unit may be capable of storing the reference time for each type of object to be measured. The extinction characteristic calculation means may calculate the shift amount using the reference time stored in the storage section corresponding to the type of the object to be measured input by the input section. According to such a configuration, it is possible to appropriately calculate the shift amount corresponding to the type of the object to be measured. Also, the reference time can be calculated in advance and stored in the storage unit. Therefore, the shift amount can be calculated using the pre-calculated reference time without performing processing for calculating the reference time when measuring the positron lifetime of the object to be measured.
(特徴3)本明細書が開示する陽電子消滅特性測定装置では、消滅特性算出手段は、第1放射線検出手段で第1の放射線を検出した時刻と第2放射線検出手段で第2の放射線を検出した時刻との時間差から寿命分布の測定結果をさらに取得してもよい。このような構成によると、基準時間と被測定体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間との間のシフト量に加え、寿命分布の測定結果を用いて被測定体の内部状態を評価することができる。これによって、被測定体の内部状態をより精度よく評価することができる。 (Feature 3) In the positron annihilation property measuring apparatus disclosed in this specification, the annihilation property calculation means detects the time when the first radiation is detected by the first radiation detection means and the second radiation is detected by the second radiation detection means. A measurement result of the lifetime distribution may be further acquired from the time difference from the time when the measurement was performed. According to such a configuration, in addition to the amount of shift between the reference time and the time at which the positron lifetime spectrum of the object is 0 hours, the measurement result of the lifetime distribution is used to evaluate the internal state of the object. can be done. This makes it possible to evaluate the internal state of the object to be measured more accurately.
以下、実施例に係る陽電子消滅特性測定装置10について説明する。陽電子消滅特性測定装置10(以下、単に装置10ともいう。)は、陽電子が生成されるときに発生するγ線(1.27MeV)と、陽電子が消滅するときに発生するγ線(511keV)を検出し、その時間差から被測定体内の陽電子寿命を測定し、その測定結果から被測定体の内部状態を評価する装置である。装置10で陽電子寿命を測定可能な被測定体としては、オルトポジトロニウム(o-Ps)が形成されない材料で形成された試料であればよく、例えば、金属、半導体、又はo-Psが形成されない酸化物で形成された試料を被測定体とすることができる。図1~3に示されるように、装置10は、第1γ線検出器12と、第2γ線検出器14と、陽電子検出器40と、遮光容器60と、演算装置50を有している。図2において、空間Aは遮光容器60の内部空間であり、空間Bは装置10の内部空間である。
A positron annihilation
第1γ線検出器12は、陽電子が生成されるときに発生するγ線(1.27MeV)を検出する。第1γ線検出器12は、例えば、γ線の入射によりシンチレーション光を放出するシンチレータと、そのシンチレーション光を電気信号に変換する光電子増倍管とで構成してもよい。第1γ線検出器12は、演算装置50に接続されている。第1γ線検出器12は、陽電子が生成されるときに発生するγ線(1.27MeV)を検出すると、演算装置50にパルス状の電気信号を出力する。第1γ線検出器12は、装置10内に収容されている。なお、第1γ線検出器12は、「第1放射線検出手段」及び「第1検出器」の一例である。
The first γ-
第2γ線検出器14は、陽電子が消滅するときに発生するγ線(511keV)を検出する。第2γ線検出器14も、第1γ線検出器12と同様に構成してもよい。第2γ線検出器14は、演算装置50に接続されている。第2γ線検出器14は、陽電子が消滅するときに発生するγ線(511keV)を検出すると、演算装置50にパルス状の電気信号を出力する。第1γ線検出器12と第2γ線検出器14は、被測定体Sの測定面に対して対向する位置に配置される。第2γ線検出器14は、装置10内に収容されている。なお、第2γ線検出器14は、「第2放射線検出手段」及び「第2検出器」の一例である。
The second γ-
陽電子検出器40は、図3に示されるように、光電子増倍管41と、陽電子検出ユニット42を備えている。陽電子検出ユニット42は、陽電子検出用のシンチレータ422と、ライトガイド44を備えている。陽電子検出ユニット42と光電子増倍管41は、ライトガイド44により接続されている。ライトガイド44は、光電子増倍管41の受光面とシンチレータ422に接続されている。なお、陽電子検出器40は、「陽電子検出手段」の一例である。
The
シンチレータ422は、陽電子が入射することによりシンチレーション光を放出する。ライトガイド44は、シンチレータ422から放出されるシンチレーション光を光電子増倍管41の受光面に伝送する。ライトガイド44は、例えば、反射材が被膜された透過率の大きな材料によって構成される。光電子増倍管41は、伝送されたシンチレーション光を電気信号に変換する。光電子増倍管41からの電気信号は演算装置50に入力される。
The
陽電子線源424は、2つの薄膜遮光カバー423の間に配置される。すなわち、陽電子線源424は、薄膜遮光カバー423に挟まれている。薄膜遮光カバー423に挟まれた陽電子線源424は、シンチレータ422に対向する位置に配置される。薄膜遮光カバー423は、シンチレータ422に外部の光が侵入することを遮断する。陽電子線源424から放出される陽電子は、陽電子線源424の上下に配置される薄膜遮光カバー423のいずれかに入射する。上側に配置される薄膜遮光カバー423に陽電子が入射すると、その陽電子は薄膜遮光カバー423を通過して被測定体Sに入射される。一方、下側の薄膜遮光カバー423を通過してシンチレータ422に陽電子が入射すると、シンチレータ422からシンチレーション光が放出されると共に、シンチレータ422の内部又はシンチレータ422の外部(すなわち、被測定体S以外)で陽電子が消滅する。シンチレータ422からのシンチレーション光は、ライトガイド44を介して光電子増倍管41に入射する。これにより、光電子増倍管41から演算装置50に電気信号が出力されることとなる。なお、陽電子線源424は、薄膜遮光カバー423とシンチレータ422に挟まれるように配置してもよい。すなわち、陽電子線源424をシンチレータ422の上面に直接配置してもよい。
A
ここで、陽電子線源424には、22Naや68Geなどの陽電子線源(陽電子放出核種)を用いることができる。また、陽電子線源424は、1つの陽電子が発生してから消滅するまでの間に、他の陽電子が発生しないような弱い陽電子線源とされる。これによって、複数の陽電子が同時に存在し、陽電子の発生時刻と消滅時刻が特定できないといった事態の発生を防止することができる。
Here, as the
遮光容器60は、図4に示すように、陽電子線源424、被測定体S及び陽電子検出器40(シンチレータ422)を収容する。遮光容器60は、開口60a(図1参照)を有しており、開口60aには開閉扉62が設けられている。開閉扉62は、開口60aを閉鎖する閉状態と、開口60aを開放する開状態とに切替え可能である。開閉扉62が開状態となることで、遮光容器60の内部に外部からアクセス可能となっている。また、開閉扉62が閉状態となることで、遮光容器60内に外部から光が侵入することが防止される。開閉扉62の開状態と閉状態の切替え機構は、特に限定されるものではなく、ユーザの手動により切替えられるように構成されてもよいし、制御装置がアクチュエータを駆動することにより自動で切替えられるように構成されてもよい。
The light-shielding
遮光容器60内には、被測定体Sを保持するためのサンプルホルダ70が設置される。図5に示すように、サンプルホルダ70は、貫通孔70bが形成された載置板70aと、嵌合部70cを有している。載置板70aには、被測定体Sが載置される。具体的には、被測定体Sが貫通孔70bの上部に位置するように、被測定体Sが載置板70aに載置される。載置板70aの厚みは、陽電子線源424の高さより高い。サンプルホルダ70は、例えば、SUS(Steel Use Stainless)によって構成されている。なお、載置板70aと被測定体Sとの間に薄膜遮光カバーを介してもよい。
A
貫通孔70bは、載置板70aの略中央部に形成されている。貫通孔70bは、載置板70aの表面から裏面まで貫通している。貫通孔70bの形状は特に限定されないが、本実施例では平面視において円形状である。平面視において、貫通孔70bは、陽電子線源424(薄膜遮光カバー423)を内包できる大きさとなっている。上述したように、陽電子線源424の高さが載置板70aの厚みより小さいので、陽電子線源424は貫通孔70b内の空間に収容可能となっている。
The through
嵌合部70cは、サンプルホルダ70を設定位置に設置するための基準となる部分(位置決め部分)である。例えば、図5に示すように、サンプルホルダ70を予め定められた設定位置に配置する(嵌合部70cを遮光容器60内の嵌合壁60cに嵌合させる)と、被測定体Sが貫通孔70bを介して陽電子線源424と対向し、被測定体Sと陽電子線源424との間には、一定の間隔sp(図4参照)が設けられる。間隔spは、例えば、0.5mmである。なお、図5では、図の見易さのため、遮光容器60の壁の一部や開閉扉62等を省略している。なお、サンプルホルダ70の形状は、上記に限られず、例えば、箱型であってもよい。このような構成とすると、被測定体が粒子状や液状である場合でも、その陽電子消滅特性を測定することができる。
The
演算装置50は、CPU、ROM、RAMを備えたコンピュータやプロセッサと、デジタルストレージオシロスコープ(DSO)やNIMモジュール等の専用回路によって構成することができる。演算装置50は、第1γ線検出器12と第2γ線検出器14に接続される第1信号処理部20と、陽電子検出器40に接続される第2信号処理部30を備えている。第2信号処理部30は、陽電子検出器40(詳細には光電子増倍管41)から出力される電気信号を処理し、陽電子検出器40に陽電子が入射した時刻を特定する。第2信号処理部30で特定された時刻は、第1信号処理部20に入力される。また、演算装置50は、後述する被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間のシフト量算出処理を実行する。なお、第1信号処理部20及び第2信号処理部30は、「消滅特性算出手段」の一例である。
The
第1信号処理部20は、図6に示すように、陽電子発生時刻特定部21と、陽電子消滅時刻特定部22と、時刻差算出部23と、ノイズ情報除外部24と、陽電子寿命算出部25を備えている。陽電子発生時刻特定部21は、第1γ線検出器12からの信号に基づいて、陽電子線源424で陽電子が発生した時刻を特定する。陽電子消滅時刻特定部22は、第2γ線検出器14からの信号に基づいて、陽電子が消滅した時刻を特定する。時刻差算出部23は、陽電子発生時刻特定部21で特定された時刻と、陽電子消滅時刻特定部22で特定された時刻の時刻差から、陽電子が生存していた時間を算出する。陽電子発生時刻特定部21と陽電子消滅時刻特定部22と時刻差算出部23とは、従来公知の陽電子消滅特性測定装置の対応部分と同様に構成することができる。
As shown in FIG. 6, the first
ノイズ情報除外部24は、第2信号処理部30で特定された時刻(すなわち、シンチレータ422に陽電子が入射した時刻)から、時刻差算出部23で算出された時刻差のうち、被測定体Sに入射されなかった陽電子に係るものを除外する。すなわち、図7に示すように、陽電子線源424から放出される陽電子が被測定体S(サンプル)に入射すると、その陽電子は被測定体S内で消滅し、γ線(511keV)が発生する。一方、陽電子線源424から放出される陽電子がシンチレータ422に入射すると、シンチレーション光を発生すると共に、被測定体S以外で消滅して、γ線(511keV)が発生する。したがって、陽電子が発生したときのγ線(1.27MeV)が検出され、次に、シンチレーション光が検出され、その後、陽電子が消滅したときのγ線(511keV)が検出された場合は、陽電子線源424から放出される陽電子がシンチレータ422に入射したと特定することができる。一方、陽電子が発生したときのγ線(1.27MeV)が検出され、次に、シンチレーション光が検出されずに、陽電子が消滅したときのγ線(511keV)が検出された場合は、陽電子線源424から放出される陽電子が被測定体S(サンプル)に入射したと特定することができる。例えば、図8(a)に示すように、陽電子発生時刻t1と陽電子消滅時刻t2の間に、陽電子検出器40で陽電子が検出されていないとき(すなわち、シンチレーション光が検出されていないとき)は、陽電子発生時刻t1と陽電子消滅時刻t2は有効なデータとする。そして、その時刻差(t2-t1)は、被測定体Sにおける陽電子の寿命を算出するために用いられる。一方、図8(b)に示すように、陽電子発生時刻t3と陽電子消滅時刻t5の間の時刻t4に、陽電子検出器40で陽電子が検出されているとき(すなわち、シンチレーション光が検出されているとき)は、陽電子発生時刻t3と陽電子消滅時刻t5は無効なデータとして、被測定体Sにおける陽電子の寿命を算出するためのデータから除外する。なお、陽電子発生(時刻t3)と陽電子検出(時刻t4)と陽電子消滅(時刻t5)は、極めて短い期間の間に発生する。このため、陽電子発生時刻t3と陽電子検出時刻t4との時間差が所定の第1時間差内となるときは、陽電子発生時刻t3とその後に検出される陽電子消滅時刻t5は無効なデータとして除外してもよい。あるいは、陽電子検出時刻t4と陽電子消滅時刻t5との時間差が所定の第2時間差内となるときは、陽電子発生時刻t3と陽電子消滅時刻t5は無効なデータとして除外してもよい。
The noise
陽電子寿命算出部25は、ノイズ情報除外部24でノイズが除外され、被測定体Sに入射された陽電子の生存時間から、被測定体Sにおける陽電子の寿命を算出する。陽電子寿命算出部25は、従来の陽電子消滅特性測定装置の対応部分と同様に構成することができる。
The
また、図2に示すように、演算装置50には、記憶部52と、入力部54が接続されている。記憶部52は、後述する基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0を、基準試験体の種類と対応付けて記憶している。時間T0については、後に詳述する。入力部54は、測定者が被測定体Sや基準試験体の種類を入力可能に構成されている。
Further, as shown in FIG. 2 , a
次に、本実施例の陽電子消滅特性測定装置10において、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間のシフト量を算出する処理について説明する。陽電子が消滅するまでの時間(陽電子寿命)は、被測定体Sの内部欠陥の有無によって変化する。このため、陽電子寿命を測定することによって、被測定体Sの内部欠陥の有無を評価することができる。しかしながら、内部欠陥には複数種類(例えば、転位や空孔等)が存在し、内部欠陥の種類によって被測定体Sの機械的特性も異なる。陽電子寿命だけでは内部欠陥の有無は評価できるものの、例えば、被測定体Sの内部にどのような種類の欠陥がどのくらい存在しているのかといった、被測定体Sの内部の詳細な状態まで評価することはできない。そこで、本実施例では、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間のシフト量を算出し、算出したシフト量を被測定体Sの内部の状態を評価するための指標として用いる。すなわち、本発明者らは、陽電子寿命が同一となる複数の被測定体Sであっても、これら被測定体Sのそれぞれについて陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間を算出すると、この算出された時間が相違することに着目した。後述するように、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間は、陽電子寿命スペクトルの波形によって決まり、陽電子寿命スペクトルの波形は被測定体S内の内部欠陥の種類によって決まる。そこで、複数の被測定体Sの内部状態を絶対的に評価するために、被測定体Sと同一種類の金属で形成された内部欠陥のない試験体を「基準試験体」とし、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間と被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間との相違(シフト量)を、被測定体Sの内部の状態を評価するための指標とした。以下に、図9~図12を参照して、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間のシフト量を算出する処理について説明する。
Next, in the positron annihilation
図9に示すように、まず、演算装置50は、基準試験体の陽電子寿命を測定する(S12)。基準試験体としては、被測定体Sと同一種類の金属で形成された試験体をアニーリングすることによって取得する。アニーリングすることによって、被測定体Sと同一種類の金属であって、内部欠陥を除去した状態の試験体(すなわち、基準試験体)を取得できる。
As shown in FIG. 9, the
基準試験体の陽電子寿命の測定は、以下の手順で実行される。装置10には、陽電子線源424及び陽電子検出器40が予めセットされている。まず、開閉扉62を開いて遮光容器60を開状態とし、基準試験体を載置したサンプルホルダ70を遮光容器60内の予め定められた設定位置に設置する。基準試験体は、図3及び図4において被測定体Sが設置されている位置に設置する。具体的には、サンプルホルダ70の載置板70aの貫通孔70bの上部に基準試験体を載置し、サンプルホルダ70を設定位置に設置する。この状態では、陽電子線源424と基準試験体が離間した状態で貫通孔70bを介して対向している。また、これにより、陽電子線源424は、基準試験体と陽電子検出器40(詳細には、シンチレータ422)とにより挟まれた状態となる。
The positron lifetime measurement of the reference specimen is performed by the following procedure. The
次いで、第1γ線検出器12と第2γ線検出器14を基準試験体に対向する位置にセットする。このとき、陽電子線源424と第1γ線検出器12の間の距離と、陽電子線源424と第2γ線検出器14の間の距離は等しくされる。陽電子線源424とγ線検出器12、14の間の距離の調整はどのような方法で行ってもよい。例えば、スペーサ等を設け、その位置を調節することにより行うことができる。あるいは、本実施例では、陽電子線源424の位置が一定となるため、その位置に応じて第1γ線検出器12と第2γ線検出器14の位置が予め調整されていてもよい。
Next, the first γ-
次いで、遮光容器60に取付けられた開閉扉62を閉状態とする。開閉扉62が閉状態になると、陽電子寿命を測定可能な状態となる。測定者は、陽電子寿命の測定を開始する前に、入力部54に基準試験体の種類を入力する。演算装置50は、入力部54に入力された情報(すなわち、基準試験体の種類に関する情報)を記憶部52に記憶させる。そして、演算装置50を作動させて、陽電子寿命の測定を開始する。
Next, the opening/closing
陽電子線源424で陽電子が生成されると、そのときに発生するγ線(1.27MeV)が、第1γ線検出器12で検出される。第1信号処理部20は、第1γ線検出器12からの信号に基づいて、陽電子が生成した時刻を特定する。陽電子線源424で生成された陽電子は、基準試験体か、シンチレータ422に入射する。基準試験体に入射した陽電子は、適当な時間を経た後に電子と結合して消滅し、γ線(511keV)を発生させる。このγ線(511keV)は、第2γ線検出器14によって検出される。第1信号処理部20は、第2γ線検出器14からの信号に基づいて陽電子が消滅した時刻を特定し、その時間差から陽電子の生存時間を算出する。
When positrons are generated by the
一方、シンチレータ422に入射した陽電子は、シンチレーション光を発生させ、その後、基準試験体以外で消滅し、γ線(511keV)を発生させる。シンチレーション光は、ライトガイド44によって光電子増倍管41へ伝送され、光電子増倍管41によって電気信号へ変換される。第2信号処理部30は、光電子増倍管41からの電気信号に基づいて、陽電子がシンチレータ422に入射した時刻を特定する。また、基準試験体以外で陽電子が消滅したときに発生するγ線(511keV)は、第2γ線検出器14によって検出される。このため、基準試験体に入射されなかった場合も、第1信号処理部20で時刻が算出されることとなる。ただし、第2信号処理部30で算出された時刻と、陽電子の発生時刻の関係から、基準試験体に入射されなかった陽電子に関するデータは除外される。このため、第1信号処理部20は、基準試験体から入射された陽電子から得られたデータのみに基づいて、陽電子の寿命を算出する。
On the other hand, the positrons incident on the
上述した説明から明らかなように、本実施例の陽電子消滅特性測定装置10では、基準試験体に入射されなかった陽電子を陽電子検出器40で検出し、基準試験体に入射されなかった陽電子が発生させる放射線をノイズとして除去する。このため、陽電子線源424を基準試験体で挟み込むような状態としなくても、基準試験体の陽電子消滅特性を精度良く算出することができる。また、陽電子線源424と基準試験体の間には陽電子検出用のシンチレータ422が配置されないため、基準試験体に照射される陽電子が減少することを防止することができる。
As is clear from the above description, in the positron annihilation
なお、上述した実施形態では、陽電子が生成されるときに発生するγ線(1.27MeV)と、陽電子が消滅するときに発生するγ線(511keV)を、異なるγ線検出器で検出する構成であったが、このような構成に限られない。例えば、両方のγ線(1.27MeV、511keV)を1つのγ線検出器で検出し、これらを処理することによって、陽電子の生成時刻、消滅時刻及びその時刻差を求めるようにしてもよい。 In the above-described embodiment, the γ-rays (1.27 MeV) generated when positrons are generated and the γ-rays (511 keV) generated when positrons are annihilated are detected by different γ-ray detectors. However, it is not limited to such a configuration. For example, both γ-rays (1.27 MeV, 511 keV) may be detected by one γ-ray detector and processed to obtain the positron generation time, annihilation time and the time difference between them.
基準試験体の陽電子寿命が測定されると、演算装置50は、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間を特定する(S14)。陽電子寿命スペクトルとは、多数回測定された陽電子寿命を、時間と頻度(回数)で表した頻度分布である。上述したように、基準試験体は内部欠陥が除去されているため、内部欠陥によって陽電子寿命が変化することはない。したがって、ステップS12で取得した基準試験体の陽電子寿命から、基準試験体において陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0(いわゆる基準時間)を取得する。演算装置50は、取得した基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0を、基準試験体の種類と対応付けて記憶部52に記憶させる(S16)。
After the positron lifetime of the reference specimen is measured, the
従来では、測定対象から切り出された2枚の試験片により陽電子線源を挟み込み、陽電子が消滅する際の放射線(γ線)を測定していた。この方法では、測定毎に測定対象や検出器に対して陽電子線源の位置がずれるため、陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0を精度よく特定することができ難い。本実施例の陽電子消滅特性測定装置10では、陽電子消滅特性測定装置10内において、陽電子線源424と、第1γ線検出器12と、第2γ線検出器14の間の位置関係が常に変化することなく固定される。このため、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0を精度よく特定することができる。
Conventionally, a positron beam source is sandwiched between two test pieces cut out from an object to be measured, and the radiation (γ-ray) produced when the positrons are annihilated has been measured. In this method, since the position of the positron beam source is shifted with respect to the measurement target and the detector for each measurement, it is difficult to accurately specify the time T0 at which the positron lifetime spectrum becomes 0 hours. In the positron annihilation
次に、演算装置50は、被測定体Sの陽電子寿命を測定する(S18)。なお、被測定体Sの陽電子寿命を測定する処理は、上記のステップS12の処理と略同一であるため、詳細な説明は省略する。
Next, the
被測定体Sの陽電子寿命が測定されると、演算装置50は、S18の測定で取得された測定結果(すなわち、陽電子寿命スペクトル(「寿命時間(時間)-陽電子数(頻度)」の測定結果))をフィッティングすることにより、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間を算出する(S20)。被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間TS0は、公知の種々の解析プログラムを利用することによって算出することができる。例えば、陽電子寿命スペクトルをバルク成分と欠陥成分に分離せず、両者を平均化して、S18の測定で取得された測定結果に対して重み付けフィッティングする。なお、重み付けフィッティングには、例えば、公知のPATFITプログラムやCERES等を用いることができる。図10に示すように、重み付けフィッティングでは総回数を等しくするため、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間TS0は、時間T0より小さく(負側に)算出される。
When the positron lifetime of the object to be measured S is measured, the
最後に、演算装置50は、ステップS14で特定された時間T0と、ステップS20で算出された時間TS0から、被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間のシフト量ΔT0を算出する(S22)。
Finally, the
図11は、ショットピーニング加工によって欠陥を導入した被測定体Sについて、本実施例の陽電子消滅特性測定装置10を用いて測定又は算出した陽電子寿命と寿命分布とシフト量ΔT0の関係を示している。横軸は、被測定体Sに対するショットピーニング加工の処理時間(投射時間)を示している。図11に示す陽電子寿命は、被測定体Sの多数回測定した陽電子寿命の平均値であり、材料中の欠陥量とサイズを反映したパラメータとして用いることができる。寿命分布は、この場合、陽電子寿命が対数正規分布の広がりを持つと仮定したモデル関数で解析された結果であり、寿命成分の数を反映したパラメータとして用いることができる。また、ΔT0も、材料中の寿命成分の数を反映したパラメータとして用いることができる。また、投射時間が0のときは、ショットピーニング加工が施されていない状態である。このため、投射時間が0のときの陽電子寿命と寿命分布は、基準試験体の陽電子寿命と寿命分布を示している。また、投射時間が0のときのシフト量ΔT0は、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0と一致する。
FIG. 11 shows the relationship between the positron lifetime, the lifetime distribution, and the shift amount ΔT0 measured or calculated using the positron annihilation
図11に示すように、陽電子寿命は、投射時間が0秒から長くなるほど大きくなり、投射時間が約100秒を超えるとほとんど変化しなかった。また、寿命分布は、投射時間が0~36秒の間は大きくなり、投射時間が36~240秒の間は小さくなったが、投射時間が240秒になっても0ピコ秒にならなかった。被測定体Sに存在する欠陥が転位又は空孔のいずれか一方である場合には、投射時間が長くなると(例えば、240秒のとき)、理論的には寿命分布が0になる。これは、陽電子が欠陥にフルトラップされることから、消滅サイトが1種類となるためである。このため、投射時間が長い場合の被測定体Sの内部には、転位と空孔の両方の欠陥が存在していることになる。 As shown in FIG. 11, the positron lifetime increased as the projection time increased from 0 seconds, and changed little when the projection time exceeded about 100 seconds. In addition, the lifetime distribution increased between 0 and 36 seconds of projection time and decreased between 36 and 240 seconds of projection time, but did not reach 0 picoseconds even when projection time reached 240 seconds. . If the defects existing in the object S are either dislocations or vacancies, the lifetime distribution theoretically becomes 0 when the projection time is long (for example, 240 seconds). This is because the positrons are fully trapped in the defects, so there is only one type of annihilation site. For this reason, defects of both dislocations and vacancies are present inside the object S to be measured when the projection time is long.
一方、シフト量ΔT0の絶対値は、投射時間が0~72秒の間は大きくなり(すなわち、図11のグラフでは下方へ変化し)、投射時間が70秒~240秒の間は小さくなった(すなわち、図11のグラフでは上方へ変化した)。投射時間を長くしても陽電子寿命や寿命分布がほとんど変化しない範囲(投射時間120~240秒)であっても、シフト量ΔT0は大きく変化していた。このため、陽電子寿命や寿命分布と共にシフト量ΔT0を用いることによって、被測定体Sの内部欠陥をより詳細に評価できると言える。 On the other hand, the absolute value of the shift amount ΔT 0 increases (that is, changes downward in the graph of FIG. 11) during the projection time from 0 to 72 seconds, and decreases during the projection time from 70 seconds to 240 seconds. (ie, shifted upwards in the graph of FIG. 11). Even in the range where the positron lifetime and lifetime distribution hardly change even if the projection time is lengthened (projection time 120 to 240 seconds), the shift amount ΔT 0 changed greatly. Therefore, it can be said that the internal defects of the object S to be measured can be evaluated in more detail by using the shift amount ΔT 0 together with the positron lifetime and the lifetime distribution.
図12は、モンテカルロシミュレーションを用いて再現した陽電子寿命と寿命分布とシフト量ΔT0の関係を示している。横軸は、陽電子が欠陥に捕捉される速度(トラッピング速度)を示している。図12では、被測定体Sに存在する欠陥が転位のみである場合の陽電子寿命と寿命分布とシフト量ΔT0と、被測定体Sに転位と空孔の両方の欠陥が存在する場合の陽電子寿命と寿命分布とシフト量ΔT0を示している。 FIG. 12 shows the relationship between the positron lifetime, the lifetime distribution, and the shift amount ΔT 0 reproduced using the Monte Carlo simulation. The horizontal axis indicates the speed at which positrons are trapped by defects (trapping speed). FIG. 12 shows the positron lifetime, the lifetime distribution, and the shift amount ΔT 0 when the defects existing in the object S are only dislocations, and the positron Life, life distribution, and shift amount ΔT 0 are shown.
図12に示すように、被測定体Sに存在する欠陥が転位のみである場合、トラッピング速度1013s-1において、寿命分布とシフト量ΔT0は、いずれも約0ピコ秒となった。一方、被測定体Sに転位と空孔の両方の欠陥が存在する場合、トラッピング速度1013s-1において、寿命分布は26.7ピコ秒であり、シフト量ΔT0は-2.1ピコ秒であり、いずれも約0ピコ秒にはならなかった。ここで、図11に示される投射時間240秒は、図12のグラフのトラッピング速度1011s-1以上と考えられる。なぜなら、ΔT0は陽電子寿命や寿命分布と比較してダイナミックレンジが広く、トラッピング速度が1011s-1以上でも感度があることから、その感度差を利用して判断することができる。このため、図11の投射時間240秒において寿命分布が0ピコ秒になっていないことから、被測定体Sには、転位と空孔の両方の欠陥が存在すると言える。このように、陽電子寿命と寿命分布とシフト量ΔT0を用いることによって、被測定体Sの内部欠陥の状態をより精度よく評価できることが示された。 As shown in FIG. 12, when the defects existing in the object S to be measured were only dislocations, both the lifetime distribution and the shift amount ΔT 0 were about 0 picoseconds at a trapping speed of 10 13 s −1 . On the other hand, when both dislocation and vacancy defects are present in the object S, the lifetime distribution is 26.7 picoseconds at a trapping speed of 10 13 s -1 and the shift amount ΔT 0 is -2.1 picoseconds. seconds, and none of them went to about 0 picoseconds. Here, the projection time of 240 seconds shown in FIG. 11 is considered to be greater than or equal to the trapping speed of 10 11 s −1 in the graph of FIG. 12 . This is because ΔT 0 has a wider dynamic range than the positron lifetime and lifetime distribution, and is sensitive even when the trapping speed is 10 11 s −1 or more, so the difference in sensitivity can be used for determination. Therefore, since the lifetime distribution is not 0 picoseconds at the projection time of 240 seconds in FIG. Thus, it was shown that the state of internal defects in the object S to be measured can be evaluated with higher accuracy by using the positron lifetime, lifetime distribution, and shift amount ΔT 0 .
なお、本実施例では、ステップS18及びステップS20の被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間TS0の算出に先立ち、ステップS12及びステップS14の基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0を特定する処理を実行したが、このような構成に限定されない。演算装置50が基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0となる時間T0を取得可能であればよく、例えば、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0となる時間T0は、基準試験体の種類と共に、予め記憶部52に記憶されていてもよい。
In this embodiment, prior to the calculation of the time TS0 at which the positron lifetime spectrum of the object S to be measured is 0 hours in steps S18 and S20, the positron lifetime spectrum of the reference specimen S in steps S12 and S14 is 0 hours. Although the process for identifying the time T0 at which is achieved is performed, the configuration is not limited to this. It is sufficient if the
また、本実施例では、被測定体Sの内部の状態を評価するための指標として、基準試験体の陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間T0と被測定体Sの陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間TS0との相違(シフト量)ΔT0を用いたが、このような構成に限定されない。例えば、2つの被測定体について、それぞれ陽電子寿命スペクトルが0時間となる時間から、両者の間の相違(シフト量)を算出し、両者の間の相違(シフト量)を相対評価してもよい。 In this embodiment, as an index for evaluating the internal state of the object S, the time T0 at which the positron lifetime spectrum of the reference specimen is 0 hours and the positron lifetime spectrum of the object S are 0 hours. Although the difference (shift amount) ΔT 0 from the time T S0 is used, the configuration is not limited to this. For example, for two objects to be measured, the difference (shift amount) between the two may be calculated from the time at which the positron lifetime spectrum is 0 hours, and the difference (shift amount) between the two may be relatively evaluated. .
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。 Although specific examples of the technology disclosed in this specification have been described above in detail, these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. In addition, the technical elements described in this specification or in the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing.
10:陽電子消滅特性測定装置
12:第1γ線検出器
14:第2γ線検出器
40:陽電子検出器
50:演算装置
52:記憶部
54:入力部
60:遮光容器
424:陽電子線源
S:被測定体
10: Positron annihilation characteristic measuring device 12: First γ-ray detector 14: Second γ-ray detector 40: Positron detector 50: Arithmetic device 52: Storage unit 54: Input unit 60: Light shielding container 424: Positron beam source S: Subject measuring body
Claims (5)
前記被測定体の表面に近接又は密着する位置に配置される陽電子線源と、
前記陽電子線源に対して設定された第1の位置に配置され、前記陽電子線源で陽電子が生成したときに発生する第1の放射線を検出する第1放射線検出手段と、
前記陽電子線源に対して設定された第2の位置に配置され、前記陽電子線源で生成された陽電子が消滅するときに発生する第2の放射線を検出する第2放射線検出手段と、
前記陽電子線源で生成された陽電子のうち前記被測定体に入射されなかった陽電子を検出する陽電子検出手段と、
前記第1及び第2放射線検出手段の検出結果と、前記陽電子検出手段の検出結果に基づいて、前記被測定体内における陽電子の消滅特性を算出する消滅特性算出手段と、を備えており、
前記消滅特性算出手段は、
前記第1放射線検出手段で第1の放射線を検出した時刻と前記第2放射線検出手段で第2の放射線を検出した時刻との時間差から「寿命時間-陽電子数」の測定結果を取得し、
前記「寿命時間-陽電子数」の測定結果をフィッティングすることで、前記被測定体の陽電子寿命の時刻0を算出し、
前記被測定体の種類に応じて取得された基準時間と、算出された前記時刻0との間のシフト量を算出する、陽電子消滅特性測定装置。 A positron annihilation characteristic measuring device for measuring the annihilation characteristics of positrons that enter a body and are annihilated in the body,
a positron beam source disposed at a position close to or in close contact with the surface of the object to be measured;
a first radiation detection means arranged at a first position set with respect to the positron beam source and detecting a first radiation generated when positrons are generated by the positron beam source;
a second radiation detection means arranged at a second position set with respect to the positron beam source for detecting a second radiation generated when the positrons generated by the positron beam source are annihilated;
Positron detection means for detecting positrons not incident on the object among the positrons generated by the positron beam source;
annihilation characteristics calculation means for calculating annihilation characteristics of positrons in the body to be measured based on the detection results of the first and second radiation detection means and the detection results of the positron detection means,
The extinction characteristic calculation means includes:
acquiring a measurement result of "lifetime-positron count" from the time difference between the time when the first radiation detection means detects the first radiation and the time when the second radiation detection means detects the second radiation;
By fitting the measurement result of the "lifetime - number of positrons", the time 0 of the positron lifetime of the object to be measured is calculated,
A positron annihilation characteristic measuring apparatus for calculating a shift amount between a reference time acquired according to the type of the object to be measured and the calculated time 0 .
前記記憶部は、被測定体の種類毎に前記基準時間を記憶可能となっており、
前記消滅特性算出手段は、前記入力部で入力された前記被測定体の種類に対応する前記記憶部に記憶された前記基準時間を用いて、前記シフト量を算出する、請求項1又は2に記載の陽電子消滅特性測定装置。 further comprising a storage unit for storing the reference time and an input unit for inputting the type of the object to be measured;
The storage unit is capable of storing the reference time for each type of object to be measured,
3. The method according to claim 1, wherein said extinction characteristic calculation means calculates said shift amount using said reference time stored in said storage section corresponding to the type of said object to be measured input by said input section. The positron annihilation property measurement device described.
陽電子線源と、前記陽電子線源で陽電子が生成したときに発生する第1の放射線を検出する第1検出器と、前記陽電子線源で生成された陽電子が消滅するときに発生する第2の放射線を検出する第2検出器との間の位置を調整する調整工程と、
前記調整工程で位置調整された前記陽電子線源と前記第1検出器と前記第2検出器を用いて、第1の被測定体に対して、前記第1検出器で第1の放射線を検出した時刻と前記第2検出器で第2の放射線を検出した時刻との時間差から陽電子寿命スペクトルをフィッティングして推定された陽電子寿命の時刻0である第1の時間を算出する第1時間算出工程と、
前記調整工程で位置調整された前記陽電子線源と前記第1検出器と前記第2検出器を用いて、第1の被測定体と異なる第2の被測定体に対して、前記第1検出器で第1の放射線を検出した時刻と前記第2検出器で第2の放射線を検出した時刻との時間差から陽電子寿命スペクトルをフィッティングして推定された陽電子寿命の時刻0である第2の時間を算出する第2時間算出工程と、
前記第1の時間と前記第2の時間との間のシフト量を算出するシフト量算出工程と、を備える、陽電子消滅特性測定方法。
A method for measuring annihilation characteristics of positrons that enter a body and are annihilated in the body,
A positron beam source, a first detector for detecting first radiation generated when positrons are generated by the positron beam source, and a second detector for detecting positrons generated when the positrons generated by the positron beam source are annihilated. an adjustment step of adjusting the position between the second detector that detects radiation;
Using the positron beam source, the first detector, and the second detector whose positions have been adjusted in the adjusting step, the first radiation is detected by the first detector with respect to the first object to be measured. A first time calculation step of calculating a first time that is the time 0 of the positron lifetime estimated by fitting the positron lifetime spectrum from the time difference between the time when the second radiation is detected by the second detector and the time when the second radiation is detected. and,
using the positron beam source, the first detector, and the second detector whose positions are adjusted in the adjusting step, the first detection for a second object to be measured which is different from the first object to be measured; A second time that is the time 0 of the positron lifetime estimated by fitting the positron lifetime spectrum from the time difference between the time when the first radiation is detected by the detector and the time when the second radiation is detected by the second detector. a second time calculation step of calculating
and a shift amount calculating step of calculating a shift amount between the first time and the second time.
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