JP7204753B2 - 磁界及び/又は電界を測定するための測定装置、導電体の電流及び/又は電圧を測定するためのユニット、並びに導電体を収容する金属筐体を含むガス絶縁変電所 - Google Patents

磁界及び/又は電界を測定するための測定装置、導電体の電流及び/又は電圧を測定するためのユニット、並びに導電体を収容する金属筐体を含むガス絶縁変電所 Download PDF

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Description

本発明の分野は、高電圧交流(HVAC)及び高電圧直流(HVDC)の輸送及び分配グリッドにおける電気の輸送に関し、特に、グリッドのような電気エネルギー輸送ケーブルに関し、また、電界及び/若しくは磁界、又は電流及び/若しくは電圧を測定する関連装置に関する。
電気が生成される様々な場所は、通常、互いに遠く、また、消費地から離れているため、現在の再生可能エネルギーの開発は、電力グリッドに新たな制限をかけている。したがって、エネルギー損失を最小限に抑えながら、非常に長い距離の電気の輸送が可能な新たな送電網を開発する必要がある。
これらの制限を満たすために、高電圧(例えば50kV)の直流(HVDC)グリッドは、交流グリッドと比べて、ラインロスが少なく、長距離グリッドにおいて浮遊容量が発生しないため、有望な解決策であると考えられる。電気エネルギー輸送グリッドを制御するため、電圧及び/又は電流が、電力線又は変電所の適切な位置で測定される。
これを行うため、例えば、導電体/電気エネルギー輸送ケーブルの周囲に配置され、電磁誘導の原理で動作する巻線で形成された誘導変圧器が知られている。
しかしながら、このような既知の装置は、直流の電気エネルギー輸送ケーブルを測定することができない。
既知の装置の別の問題は、導電体/電気エネルギー輸送ケーブルの周囲に配置された巻線の重量に関するものであり、特に、後者が高い所に配置された場合に顕著である。具体的には、この場合、巻線の重量により、測定装置の支持部材に大きな機械的ストレスが生じる可能性がある。
近年、上述の問題を解決すべく、別の測定方法が開発されている。
欧州特許出願公開第0453693号明細書(EP0453693)は、「ポッケルス効果電界センサ」に関する。このセンサは、電界の値及び方向を決定するために、単色の偏光線が通過するように構成された結晶を有する。
ポッケルス効果は、静的又は動的な電界によって生成された環境における複屈折の発生である。複屈折は、電界に比例して発生するため、測定することができる。
具体的には、欧州特許出願公開第0453693号明細書に記載のセンサは、単色光線を生成するように構成された光源と、プローブ結晶と、例えば、フォトダイオード型の光検出器とを備える。光源は、シングルモード光ファイバによってプローブ結晶に接続され、プローブ結晶は、偏光保持光ファイバによって光検出器に接続される。
使用されるプローブ結晶は、電界に晒されたときに特定の複屈折結晶構造を有しており、プローブ結晶を通過した偏光線の2つの成分の位相差を測定することにより、電界を測定することができる。
しかしながら、使用されるプローブ結晶は、温度変化に敏感であるため、気候の変化に晒されるエネルギー輸送網で使用することが困難である。さらに、温度センサ及び補正ユニットを用いて、温度変化が測定に与える影響を補正する必要がある。
例えば、電流を測定するために用いられる他の効果は、ファラデー効果である。ファラデー効果は、物質内の光と磁界の相互作用によって生じる。具体的には、偏光は、光の伝播方向において磁界の構成要素に比例する回転を引き起こす。この磁界の構成要素は、導電体/エネルギー輸送ケーブル内の電流に比例するため、偏光の回転を測定することにより、電流を測定することができる。
例えば、そのような測定装置の一例が、欧州特許出願公開第0108012号明細書(EP0108012)に記載されている。
この公報に記載された測定装置は、導電体に周囲に巻かれ、かつ、レーザダイオード等の光源によって生成された単色光線が通過する光ファイバを有する。一方、この公報に記載された測定装置は、光ファイバの出力における偏光を分析する装置を有する。分析装置は、偏光スプリッタキューブ偏光と、それぞれが線形偏光線及び直交偏光線の強度を検出する2つのフォトダイオードと、導電体/電気エネルギー輸送ケーブル内で測定される強度の代表的な比率を算出するアナログユニットとを備える。
これもまた、温度に対するファラデー効果の依存度を観察することができるが、測定結果を補正する必要がある。
中国特許出願公開第206057424号明細書(CN206057424)は、さらに別の効果であるホール効果を利用する。この公報は、ホール効果検出器と、ホール効果検出器の温度に基づいて取得した測定値を補正する温度検出ユニットとを備える電流測定装置を開示する。また、この公報に記載された電流測定装置は、ホール効果検出器によって測定された電圧データを処理及び補正するように構成されたマイクロプロセッサを備える。この公報は、導電体/電気エネルギー輸送ケーブルを流れる電流が比例磁界を生成することを明記しており、導電体/電気エネルギー輸送ケーブルを流れる電流の強度及び電圧を検出することができる。
本発明の目的は、温度変化の問題を解決し、かつ、気候の変化が大きな場所に設置可能な耐久性を有する、電界又は磁界を測定する装置を提案することである。この目的のために、本発明は、磁界及び/又は電界を測定する装置に関し、当該装置は、
ゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガス、具体的にはアルカリ性ガスを収容し、磁界及び/又は電界に配置されるように構成された測定セルと、
ゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスの吸収線に合わせて波長が調整され、測定セルを通過する光線を放射する偏光光源と、
光線が、ゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスを収容する測定セルを通過することによって生じる偏光角の回転に対応する第1のパラメータを測定するように構成された少なくとも1つの偏光測定システムと、
測定セル内のゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスによる光線の吸収に対応する第2のパラメータを測定するように構成された吸収測定システムと、
偏光角の回転に対応する第1のパラメータの測定値と吸収測定値を組み合わせて、これから、それぞれが電界及び/又は磁界に対応する第3のパラメータ及び/又は第4のパラメータを抽出するように構成された処理ユニットとを含む。
本発明はさらに、単独で又は組み合わせて、以下の1以上の態様を含むことができる。
一態様では、アルカリ性ガスは、例えば、ルビジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム又はフランシウムである。
本装置は、偏光源からの光を少なくとも2つの部分的な光線に分離するビームスプリッタ(スプリッタプレート又はビームスプリッタキューブ)を含む測定ヘッドと、互いに垂直な2つの測定ブランチを規定するリフレクタとを含むことができ、測定セルは、測定ヘッド内の2つの部分的な光線の交点に配置される。
測定ヘッドは、例えば、光ファイバによって、偏光源、偏光測定システム及び吸収測定システムに接続される。
別の態様では、測定セルを通過する光線の経路は、測定対象の磁界又は電界と共線的な少なくとも1つの構成要素を有し、または、測定対象の磁界又は電界と共線的である。
測定セルは、長さが0.1mm~20mmの第1の面と長さが0.1mm~25mmの第2の面とを有する立方体、または、高さが0.1mm~20mmであり直径が0.1mm~25mmである円筒形とすることができる。
偏光測定システムは、具体的には、測定セルの下流に配置され、かつ、偏光ビームスプリッタ及び2つの関連する光検出器を備える平衡偏光測定システムである。
吸収測定システムは、例えば、それぞれ測定セルの上流及び下流に配置された第1のビームスプリッタプレート及び第2のビームスプリッタプレートと、ビームスプリッタプレートのそれぞれに関連付けられ、測定セルの上流及び下流の光線の光度を検出するように構成された2つの光検出器とを含む。
光源は、具体的にはレーザ、特にレーザダイオードである。
単一のレーザ光源を用いて、少なくとも1つの電界及び少なくとも1つの磁界の双方を測定することができる。
本発明はさらに、中電圧又は高電圧の導電体の電流及び/又は電圧を測定するユニットに関し、当該ユニットは、上述した少なくとも1つの測定装置を含み、処理ユニットはさらに、導電体と測定セルとの距離に基づいて、対地電圧及び/又は導電体内を流れる電流を決定するように構成される。
本発明はさらに、中電圧又は高電圧の導電体を収容する金属筐体を含むガス絶縁変電所に関し、ガス絶縁変電所は、上述した測定装置を備え、その測定セルは、変電所の内部に配置され、具体的には、金属筐体の内部に固定される。
本発明の他の特徴及び利点は、添付の図面を参照し、例示であって限定ではない以下の説明から明らかになるであろう。
図1は、偏光に関する図を示す。 図2は、アルカリ原子のエネルギーレベルをモデル化した2つの簡略図を示しており、具体的には、a)電磁界が存在しない場合と、b)光線の伝搬方向に平行な磁界又は電界が存在する場合である。 図3は、第1の実施形態に係る測定装置の簡略図である。 図4Aは、導電体の周囲に形成された電界及び磁界の説明図である。 図4Bは、導電体から所定の距離にある磁界及び電界の双方を測定するために、導電体の周りに配置された2つの測定装置を示す簡略図である。 図5は、図4Bの実施形態を簡略化及び最適化した変形例である。 図6は、いくつかの導電体の近くの電気及び/又は磁界を測定する測定装置の例示的な実施形態である。 図7は、一方に測定ヘッドを備え、他方に測定ベースを備え、これらが光ファイバによって互いに接続された第2の実施形態の簡略図である。 図8は、第3の実施形態に係る測定装置を備えたガス絶縁変電所の簡略図である。 図9は、図8の測定ヘッドの例示的な一実施形態の概略断面図である。 図10は、図8の測定ヘッドの例示的な一実施形態の概略断面図である。
全ての図面において、同一の機能を有する構成要素には、同じ参照番号が付される。
以下の実施形態は例示である。以下の説明では1以上の実施形態に言及するが、これは、各言及が同一の実施形態に関すること、又は特徴が単一の実施形態にのみ適用されることを、必ずしも意味するものではない。また、様々な実施形態の個別の特徴が組み合わされ、又は、置換されて、他の実施形態を提供することができる。
「上流」又は「下流」は、構成要素が光の伝播の方向に配置された場合を意味する。したがって、光線が、初めに第1の装置又は構成要素を通過し、次に第2の装置を通過する場合、第1の装置又は構成要素が、第2の装置又は構成要素の上流に位置にする。
本開示では、いくつかの参照は、測定対象の電界又は磁界の性質を表す文字で補足することができる。例えば、光検出器19は、電界の測定に関する場合は光検出器19Eであり、磁界の場合は19Bである。測定ヘッド33は、電界の測定に関する場合は測定ヘッド33Eであり、磁界の場合は33Bであり、磁界B及び電界Eの双方の測定に関する場合は33EBである。
本発明は、中電圧又は高電圧の交流又は直流の設備に関し、特に、導電体/電気エネルギー輸送ケーブル、又は例えばガス絶縁変電所に関する。
本発明は、特に、電気エネルギー、すなわち電流を輸送する高電圧直流(HVDC)グリッドに有益である。
図1は、偏光についての説明図である。光波は電磁波であり、その電界及び磁界が光波の伝播方向に対して直接三面体(direct trihedron)を形成する。この電界は、光波の伝播中に発生する一方、光波を観察すると特定の形状を示す。したがって、伝播中の光波の偏光(電界の方向)は、直線偏光、円偏光、楕円偏光の3つに分類できる。
ゼーマン効果(磁界Bに関する)及びシュタルク効果(電界Eに関する)は、原子(アルカリを含む)の電子エネルギーレベルで生じる効果である。これらの効果は、これらのエネルギーレベルが相互作用する場合に観察することができる。これらのエネルギーレベルと相互作用する1つの方法は、共鳴光放射、例えばレーザからの光子による対象の原子の電子スピンと、調査対象のエネルギーレベルとの相互作用を利用することである。
そして、関連するエネルギーレベルと相互作用する直線偏光波を用いて、ゼーマン効果又はシュタルク効果を観察できるであろう。この観測は、光波の直線偏光の回転を観察することによって行われる。
これらの効果は、特に、単一の価電子を有する原子、例えばアルカリ原子等から形成されたガスにおいて観察することができる。アルカリは、単一の価電子が、容易に操作可能な不一致のスピンを有するため、多くの応用例で広く利用されている。したがって、価電子帯の単一電子のエネルギーを用いて、原子のエネルギーを近似することができる。
しかしながら、気体媒質が含まれる場合、これら2つのシュタルク効果及びゼーマン効果は、光が通過する気体媒質の密度に依存するため、温度にも依存する。
図2のa)は、電磁界が存在しない場合のアルカリ原子のエネルギーレベルをモデル化した簡略図である。
これは、このように簡略化した3つのレベルのエネルギーシステムである(基準サブレベルm=0は、後述する原子とレーザの相互作用プロセスには含まれない)。
このシステムは、運動量の3つの基準サブレベルm=-1,m=0,m=+1で形成される基準レベルを有する。また、このシステムは、運動量のサブレベルが含まれない励起レベルm=0を有する。
所定の伝播方向を有する直線偏光波が伝播する場合、この直線偏光を、反対方向σ,σの2つの円偏光の集合に分解することができる。
そして、光波は、運動量の2つの基準サブレベルm=-1,m=+1と相互作用し、電子を運動量の励起レベルm=0にすることができる。これは、角運動量の保存に関する選択規則と、光波σが、+1の運動量の光子を交換し、光波σが、-1の運動量の光子を交換する事実によって説明される。
図2のb)は、光線pの伝播方向と平行な磁界B又は電界Eが存在する場合のアルカリ原子のエネルギーレベルをモデル化した簡略図である。
光波pの伝播方向と共線的な電界E又は磁界Bを適用すると、運動量の基準サブレベルm=-1,m=+1のエネルギー変位が生じる(一方が正で他方が負であり、反対方向の界の場合は、その逆である)。
電界の場合、この効果はシュタルク効果と呼ばれ、このエネルギーのオフセット値は、下記数式1に示す値を有する。
Figure 0007204753000001
磁界Bの場合 、この効果はゼーマン効果と呼ばれ、エネルギーオフセット値は、下記数式2に示す値を有する。
Figure 0007204753000002
図2bに示すように、2つの運動量の基準サブレベルm=-1,m=+1の間には、電界の場合は数式1に示すオフセット値の2倍のエネルギー差があり、磁界の場合は数式2に示すオフセット値の2倍のエネルギー差がある。したがって、これにより、対象のアルカリ原子の電子を有する構成要素σ及び構成要素σ-の間に違いが生じる。
光波の偏光を数学的に再構築すると、長さlのアルカリ原子媒質を通過した光波の直線偏光は、数式3及び数式4に示す角度θで回転する。
Figure 0007204753000003
Figure 0007204753000004
Eは、光波pの伝播軸に沿った電界の構成要素であり、
Bは、光波pの伝播軸に沿った磁界の構成要素であり、
alは、アルカリの体積密度であり、温度に依存するパラメータである。
したがって、体積密度が既知又は一定である場合、偏光分析によって光波の偏光の回転を検出することにより、電界及び/又は磁界が測定可能であると理解される。
測定セル内に存在するアルカリ性ガスの密度は、温度(飽和蒸気圧)に依存する。この問題を解決すべく、アルカリ性ガスが光線を吸収する現象を利用することが提案されている。具体的には、測定セルの出力における光線のパワーPは、入力パワーPの関数として、数式5によって与えられる。
Figure 0007204753000005
これは、数式6を与える。
Figure 0007204753000006
数式6をnalについて整理する。
Figure 0007204753000007
また、数式(7)を上記数式(3)及び(4)に代入することにより、温度の影響を取り除くことができる。
Figure 0007204753000008
Figure 0007204753000009
図3は、光線の伝搬が磁界又は電界と共線的である場合に、磁界の測定又は電界の測定のいずれかを実現する、偏光及び吸収の双方の測定を組み合わせた第1の実施形態に係る測定装置1の簡略図の一例を示す。磁界及び/又は電界を測定するための測定装置1は、
ゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガス、具体的にはアルカリ性ガスを含み、矢印5で示す磁界及び/又は電界内に配置されるように構成された測定セル3と、
偏光光源7であって、その波長が、測定セル3に収容されたゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスの吸収線に合わせて調整され、測定セル3を通過する光線9を放射する偏光光源7と、
光線が、測定セル3内のゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスを通過することによって生じる偏光角の回転に対応する第1のパラメータを測定するように構成された偏光測定システム11と、
測定セル3内のゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスによる光線9の吸収に対応する第2のパラメータを測定するように構成された吸収測定システム13と、
偏光角の回転に対応する第1のパラメータの測定値と吸収測定値を組み合わせて、これから、それぞれが測定対象の電界E及び/又は磁界Bに対応する第3のパラメータ及び/又は第4のパラメータを抽出するように構成された処理ユニット15とを含む。
したがって、測定セル3に含まれるゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスには、具体的には、ルビジウム原子、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、セシウム原子又はフランシウム原子等で構成されるアルカリ性ガスが含まれる。
測定セル3は、具体的には、使用される光源7の波長に対して透過性を有する。光線9が通過する面のみが透過性を有すれば十分である。他の面は透過性を有していなくてもよく、周囲光によって生じ得る干渉を排除できるため有利である。
測定セル3は、例えば、第1の面が0.1mm~20mmであり、第2の面が0.1mm~25mmである立方体/平行六面体、又は、高さが0.1mm~20mmであり、直径が0.1mm~25mmである円筒形等である。したがって、測定セル3は、電気エネルギー輸送設備の任意の場所に設置できるほど十分に小さく、又は、さらに説明するように、電気エネルギー輸送設備の装置に組み込むことが可能な大きさである。さらに、セルが小さいことにより、測定範囲の調整が可能であると共に、感度に影響を与えることができる。
光源7は、例えばレーザ、具体的にはレーザダイオードである。レーザの波長は、選択したアルカリの吸収遷移に基づいて選択される。以下の表は、特定のアルカリ及び特定の遷移の波長の例を示す。
Figure 0007204753000010
偏光測定システム11は、具体的には、測定セル3の下流に配置される平衡偏光測定システム(balanced polarimetry system)とすることができる(特に、図3、図5及び図6を参照)。このような偏光測定システム11は、具体的には、偏光ビームスプリッタ17と、関連する2つの光検出器19及び21とを備える。
偏光ビームスプリッタ17(図のPBS)は、偏光成分s及びpを分離して、これらの偏光成分を光検出器19及び21(図のPD)のそれぞれ、例えばフォトダイオードに送信する。例えば、偏光成分sは、光検出器19に向かって90°で反射される一方、偏光成分pは、偏光ビームスプリッタ17を通過して、光検出器21によって検出される。
したがって、光検出器19及び21の測定信号を考慮すると、測定セル3の出力における光線の偏光角を測定することができ、また、光源7の出力における直線偏光が分かっている場合、偏光角の変動を判断できるため、測定対象の電界及び/又は磁界の値を判断することができる。
限定ではなく、説明を容易にするため、測定セル内の入力偏光が、偏光ビームスプリッタ17の偏光成分s又は偏光成分pに対して45°である場合が想定される。
そして、これは、電界Eの出力信号と、磁界Bの出力信号を与え、レーザの伝播軸に沿った電界Eの構成要素及び磁界Bの構成要素のそれぞれは、数式10及び数式11によって与えられる。
Figure 0007204753000011
Figure 0007204753000012
ここで、Eは、光線9の伝播方向と共線的な電界Eの構成要素であり、
Bは、光線9の伝播方向と共線的な磁界Bの構成要素であり、
αATTは、光線の既知又は所定の減衰係数であり、
は、光検出器19によって測定された光強度であり、
は、光検出器21によって測定された光強度であり、
は、光検出器25によって測定された光強度である。
もちろん、我々の事例では、電界Eと磁界Bが垂直であること(E⊥B)、すなわち、光線が、2つの電界又は磁界の一方に感度を有するように配向されることを想定している。偏光ビームスプリッタ17に対して光線9の直線偏光を調整すべく、半波長板22(図ではλ/2で示す)が測定セル3の上流に配置される。
温度への依存を解決すべく、吸収測定システム13が利用される。吸収測定システム13は、上流部13Aと、下流部13Bとを備える。より詳細には、上流部13Aは、測定セル3の上流に配置された第1のビームスプリッタプレート23(「ビームスプリッタ」、図ではBS)と、関連する光検出器25とを含み、これらは、測定セル3の上流に配置された光線9の光度を検出するように構成される。下流部13Bは、測定セル3の下流に配置され、かつ、偏光測定システム11の上流に配置された第2のビームスプリッタプレート27と、関連する光検出器29とを備え、これらは、測定セル3の下流の光線9の光度を検出するように構成される。スプリッタプレート23及び27は、スプリッタキューブと置き換えてもよい。
そして、この温度に依存する信号は、上述した吸収信号で補正することができる。数式(10)の電界の出力信号又は数式(11)の磁界の出力信号は、数式(12)及び数式(13)になる。
Figure 0007204753000013
Figure 0007204753000014
したがって、温度に依存しない信号が取得され、電界又は磁界を測定することができる。測定対象の電界E又は磁界Bの絶対値を返すため、例えば、キャリブレーションを用いて、測定信号Sと電界E又は磁界Bの絶対値との対応を決定することができる。
そして、導電体内を流れる電流、又は対地電圧に返すため、測定セル3と導電体との距離を考慮する必要がある。
アルカリ原子が測定セル内に閉じ込められる場合、吸収率は、究極的に温度にのみ依存する。したがって、光検出器29の信号Pを用いることにより、温度の局所的な測定も可能となる。具体的には、アルカリの密度nalは、温度T(ケルビン)に依存し、数式14に示す関係が与えられる。
Figure 0007204753000015
ここで、a及びbは、各アルカリに固有のパラメータである。
信号P/Pを考慮した数学的な計算を用いると、局所的な温度を測定できると共に、電界又は磁界を測定することができる。
図3では、光源7は、測定ヘッド33とも呼ばれるオプトエレクトロニクスアセンブリに直接的に設置される。
変形例では、光源7、すなわち、例えばレーザは、例えば、測定ヘッド33から離れており、これらは、光ファイバによって相互に接続される。
図4Aは、導電体31の周りに形成される電界E及び磁界Bの説明図である。
磁界Bは、導電体31の周りで円を描く一方、電界Eの方向は、磁界Bに垂直な半径方向である。
図4Bは、同じ導電体31の断面と、導電体31の周囲に形成された電界E及び磁界Bを示す簡略図である。また、導電体31から所定の距離Rにおける磁界及び電界の双方を測定するために、導電体31の周りに配置された2つの測定装置1の2つの電気(E)測定ヘッド33E及び磁気(B)測定ヘッド33Bが概略的に示される。この例示的な実施形態では、光源7E及び7Bは、光ファイバ41、すなわち、光源7Eと測定ヘッド33Eとの間の光ファイバ41E、光源7Bと測定ヘッド33Bとの間の光ファイバ41Bによって個別の測定ヘッド33E,33Bに接続される。
図4Bに概略的に示す測定ヘッド33E及び33Bの長手方向として示すように、測定ヘッド33Eの光線が、電界Eと共線的な測定セル3を部分的に通過し、測定ヘッド33Bの光線が、磁界Bと共線的な測定セル3を部分的に通過する。
この構成では、導電体31を流れる電流Iは、数式15によって与えられる。
Figure 0007204753000016
ここで、μは、自由空間における透磁率である。
同様に、導電体31の対地電圧が得られる。
測定された電界Eと導電体31に印加された電圧Vとの関係は、数式16によって与えられる。
Figure 0007204753000017
もちろん、既知の電流が流れている導電体31でキャリブレーションを実行することにより、測定装置1を較正し、測定された信号と、測定されるパラメータ(電界又は磁界)を関連付けることができる。
図5は、図4Bの実施形態を簡略化及び最適化した変形例であり、測定ヘッド33E及び33Bを組み合わせて単一の測定ヘッド33EBとしたものである。本実施形態では、測定ヘッド33EBは、偏光光源7からの光線9を2つの部分的な光線9E及び9Bに分離するスプリッタプレート35と、互いに垂直な2つの測定ブランチを規定するリフレクタと、測定ヘッド内の2つの部分的な光線9E及び9Bの交点に配置された測定セル3とを含む。
したがって、このアセンブリでは、偏光測定システム11Eを備える図3に示すアセンブリに対して、スプリッタプレート35と、2つのリフレクタ37及び39が追加され、光線9Bが光線9Eに垂直に交差する状態で光線9Bを測定セル3内に導く。測定セル3の出力の光線9Bは、偏光測定システム11Bに導かれる。
図5に示すように、偏光された光線9を、直接又は光ファイバ41を介して測定ヘッド33EBに導くことができる。
図6は、いくつかの導電体31の近くの電界及び/又は磁界を測定する測定装置1の例示的な実施形態である。本実施形態では、測定ヘッド33、ここでは33E又は33B及び33EBには、単一のレーザ7から偏向された光線9が供給される。この例では、測定ヘッド33E又は33Bは、図3の測定ヘッドと同じであり、光線の方向は電界と共線的であり、別の測定ヘッド33EBは、図5の測定ヘッドと同じであり、導電体31の電界及び磁界の双方を測定する。
図7は、第2の実施形態の簡略図であり、測定ヘッド部33EBに関し、測定セル3の光学機能/配置機能と、具体的には光検出器を含むオプトロニックコンポーネントによる測定機能が分離される。
このように、測定ヘッド33は、プローブヘッド42と、測定ベース43に分けられる。
プローブヘッド42は、その中心に測定セル3を備える。さらに、プローブヘッド42は、光源7に接続された入力光ファイバ41Iと、測定セル3を通過すると共に電界Eと共線的で部分的な光線9Eを、測定ベース43の対応する入力に導く出力光ファイバ41Eと、測定セル3を通過すると共に磁界Bと共線的で部分的な光線9Bを、対応する測定ベース43の入力に導く出力光ファイバ41Bと、吸収測定のために、測定セル3を通過した部分的な光線9Eを光検出器25に導く出力光ファイバ41Tとに接続される。
入力光ファイバ41Iは、偏光保持ファイバである。出力光ファイバ41E,41B,41Tは、非偏光保持ファイバである(しかしながら、偏光保持光ファイバも使用できるが、必須ではない)。したがって、プローブヘッド42は、測定セル41に加えて、リフレクタ37と、測定セル3の上流に配置されたスプリッタプレート35と、部分的な光線9E及び9Bにおける下流に配置されたプレート状又は立方形状等の2つの偏光子44と、本実施形態では具体的には部分的な光線9Eにおける測定セル3の下流に配置され、偏光子44の一方の上流に配置されたスプリッタプレート46のみを含む。数学的な理由から、偏光子44の軸は、測定セル3の入力偏光に対して45°に設定される。
光源7、2つの偏光測定システム11E及び11B、並びに吸収測定システム13は、測定ベース43に設置される。この構成により、具体的には光検出器19E,19B,25,29を、導電体31から、例えば、数メートル、数十メートル又はそれ以上離すことができる。したがって、導電体31から遠く離れた位置に、光検出器19E,19B,25,29を配置することができ、測定センサ内で導電体31の電界及び磁界によって生じ得る潜在的な電磁干渉を解決することができる。
変形例では、測定ベース43は、ファラデーケージとして機能する金属筐体内に設置され、組み込まれる。
図8は、中電圧又は高電圧の導電体31を収容するガス絶縁変電所51の部分的な簡略図であり、図7の測定ベースと酷似する測定ベース43を有する測定装置1を含み、測定ベース43においてスプリッタプレート35によって2つの部分的な光線9E及び9Bに分離され、4つの光ファイバ41がプローブヘッド42に接続される点が異なる。
したがって、図7及び図8では、プローブヘッド42の上流の光ファイバ(例えば41I)は、偏光保持ファイバである。このプローブヘッドの上流で使用される半波長板λ/2 22により、偏光を調整することができ、光源7からの光線を、ファイバの好適な軸に沿って偏光保持ファイバに入れることができる。
プローブヘッド42の光線の下流で使用される光ファイバ41E,41B,41Tは、例えば、非偏光保持ファイバである(しなしながら、偏波保持光ファイバも使用できるが、必須ではない)。プローブヘッド42に追加されたスプリッタプレート46は、追加の光ファイバ41Tを用いて、吸収(したがって温度)に関する情報を取得することができる。
測定ベース43では、3つの光検出器19E,19B及び25により、信号を分析することができる。光検出器25により、吸収を測定することができる一方、光検出器19E及び19Bにより、回転角を測定することができるため、以下の式を利用して電界及び磁界を測定することができる。
Figure 0007204753000018
ここで、Eは、光線9の伝播方向と共線的な電界Eの構成要素であり、
Bは、光線9の伝播方向と共線的な磁界Bの構成要素であり、
αattは、光線の既知又は所定の減衰係数であり、
は、光検出器によって測定された光強度である。
図7及び図8の実施形態は、測定セル3の下流に配置された偏光子44と、各ブランチの関連する光検出器19E,19Bとを備える簡素化された偏光測定システムを含むと理解される。この場合、測定セル3の入力における光線は、光源7により、又は例えば偏光子を測定セル3の上流に配置することにより、直線的に偏光される。
吸収測定システム13は、例えば、測定セル3の下流に配置され、かつ、(例えばプレート状又は立体形状の)偏光子44の上流に配置されたビームスプリッタ46(例えば、スプリッタプレート又はスプリッタキューブ等)を含み、光線の一部を吸収測定システム13の光検出器25に導く。
もちろん、光ファイバを備えない簡略化した実施形態も考えられる。この場合、平衡偏光測定システムを利用することも考えられる。
図9及び図10は、互いに垂直な2つの切断プレートを有する金属筐体51に組み込まれたプローブヘッド42の実施形態の概略断面図である。
図9及び図10に示すように、測定セル3は、金属筐体51の内部に配置され、具体的には、金属筐体51の内側部分に固定される。
これを実現するため、金属筐体51は、測定セル3において、フランジ55によって固定されたウィンドウ53を備え、光線9E(図9)及び9B(図10)が通過することができる。
ウィンドウ53と反対側の測定セル3の後壁57は、反射性を有しており、又は、ミラーが設置される。
したがって、電界E(図9)を検出すべく、光線9Eが、磁界Bに垂直な面で放射される。光線9Eは、特定の角度で測定セル3に入り、後壁57で反射して、測定ベース43に送られる。
この構成では、光線9Eの共線的な成分のみが、シュタルク効果に寄与する。光線9Eが測定セル3を2回通過するため(往路及び復路)、測定セル3のサイズは比較的小さくなる。
次いで、磁界B(図10)を検出すべく、光線9Bが経路を介して放射され、当該経路では、光線9Bは、磁界B及び電界Eと部分的に共線的になる。光線9Bは、特定の角度で測定セル3に入り、後壁57で反射され、測定ベース43に送られる。
この構成では、電界E及び磁界Bと共線的な光線9Bの成分のみが、それぞれゼーマン効果及びシュタルク効果に寄与する。初めに図9のアセンブリを用いて電界Eを決定し、算出された測定結果から、図9のアセンブリを用いた測定から分かる電界Eの寄与を差し引くことにより、図10のアセンブリを用いた測定によって磁界Bを決定することができる。光線9Bが測定セル3を2回通過するため(往路及び復路)、測定セル3のサイズは比較的小さくなる。
以下、電流及び電圧の測定の具体例について説明し、この例は、記載した全ての実施形態に適用される。
測定セル3で使用されるアルカリ性ガスは、シュタルク効果及びゼーマン効果のため、例えば、ルビジウムであると想定される。
ゼーマン効果について、アンペア(A)単位の電流と偏光の回転角θとの関係は、数式17によって与えられる。
Figure 0007204753000019
ここで、rは、導電体31と測定セル3との距離mmであり、
wは、測定セル3内の光線9の直径mmであり、
は、磁界Bと共線的な光線9Bの経路において移動した長さmmである。
Figure 0007204753000020
この範囲は、選択したルビジウムのエネルギー遷移に依存する。したがって、この方程式を逆にすることにより、導電体31の電流を返すことができる。
シュタルク効果について、kK単位の電圧Uと回転角θとの関係は、数式18で与えられる。
Figure 0007204753000021
ここで、rは、導電体31の半径mmであり、
rは、導電体31と測定セル3との距離mmであり、
は、電界Eと共線的な光線9Eの経路において移動した長さmmである。
Figure 0007204753000022
この範囲は、選択したルビジウムのエネルギー遷移に依存する。したがって、この方程式を逆にすることにより、電圧を返すことができる。
交流電流及び交流電圧の測定:
交流電圧V(t)=Vcos(ωt)を印加する場合、数式19によって定義される電界が得られる。
Figure 0007204753000023
したがって、回転角が、下記数式によって測定及び与えられる。
Figure 0007204753000024
Figure 0007204753000025
次いで、2つの成分、すなわち、連続的な成分及び周波数が2倍の交流成分で構成される信号が得られる。
交流電流I(t)=Icos(ωt)を供給する場合、下記数式によって定義される磁界が得られる。
Figure 0007204753000026
したがって、回転角は、下記数式によって測定され、与えられる。
Figure 0007204753000027
Figure 0007204753000028
したがって、本発明は、サイズが小さく、電流及び電圧について活性部分(測定セル3内のアルカリ性ガス)の体積が10cm未満とし得ることを特徴とすると理解される。
活性部分は、密閉された測定セル3内のガスであるため、物理的な測定値は絶対値であり、経時的に変化しない。変化パラメータのみが、制御可能なパラメータ(温度)であり、又は、遠隔の装置で較正可能なパラメータである。
故障する可能性のある構成部品は、潜在的に光源7のみであり、これは導電体31から離れている。そのため、メンテナンスが容易である。
上述した光学的な測定により、高帯域幅を用いた高感度な測定が可能になる。
上述した通り、測定装置は実装が容易である。電流及び電圧を測定するために、様々な光検出器を導電体31と接触させる必要がない。これにより、電力網から測定チェーンを電気的に分離することもできる。
最後に、測定装置1により、直流モード及び交流モードの電流及び電圧を測定することができる。

Claims (18)

  1. 磁界(B)及び/又は電界(E)を測定するための測定装置(1)であって、
    アルカリ性ガスを含むゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスを収容し、かつ、磁界(B)及び/又は電界(E)内に配置されるように構成された測定セル(3)と、
    ゼーマン効果及び/又はシュタルク効果に敏感なガスの吸収線に合わせて波長が調整され、測定セル(3)を通過する光線(9)を放射する偏光光源(7)と、
    前記光線(9)が前記測定セル(3)を通過して偏光ビームスプリッタ(17)によって分離された2つの偏光成分の光強度(P ,P を測定するように構成された少なくとも1つの偏光測定システム(11)と、前記光線(9)の偏光成分の回転角は、前記測定セル(3)内の前記磁界(B)及び温度に依存し、又は、前記測定セル(3)内の前記電界(E)及び温度に依存し、
    前記測定セル(3)に入力される前記光線(9)の光強度(P )と、前記測定セル(3)から出力された前記光線(9)の光強度(P を測定するように構成された吸収測定システム(13)と、前記光強度(P )に対する前記光強度(P )の比である前記光線(9)の吸収率(P /P は、測定セル(3)の温度に依存し、
    前記偏光測定システム(11)及び前記吸収測定システム(13)によって前記光強度が測定された前記光線(9)の前記回転角を算出し、算出された前記回転角を、前記吸収率を用いて補正し、補正された前記回転角から電界(E)の値及び/又は磁界(B)の値を導出するように構成された処理ユニット(15)と
    を含み、
    前記偏光測定システム(11)は、測定セル(3)の下流に配置された、前記偏光ビームスプリッタ(17)及び2つの関連する光検出器(19,21)を含み、
    前記光検出器(19,21)はそれぞれ、前記偏光ビームスプリッタ(17)によって分離された光線を検出し、
    前記吸収測定システム(13)は、前記測定セル(3)の上流の光線(9)の光度を検出する光検出器(25)と、前記測定セル(3)の下流の光線(9)の光度を検出する光検出器(29)とを含
    前記処理ユニット(15)は、算出された前記回転角を前記吸収率の対数値で除算して補正し、補正された前記回転角を、前記測定セル(3)における光線(9)と物質との相互作用を示す既知の相互作用パラメータで除算し、前記測定セル(3)における吸収による光線(9)と物質との相互作用を示す既知の吸収相互作用パラメータで乗算することにより、電界(E)の値及び/又は前記磁界(B)の値を算出する、
    測定装置。
  2. 偏光測定システム(11)は、前記光検出器(25)によって検出された前記光強度(P )に対する、前記偏光ビームスプリッタ(17)によって反射されて前記光検出器(19)によって検出された前記光線(9)の偏光成分の光強度(P )と、前記偏光ビームスプリッタ(17)を通過して前記光検出器(21)によって検出された前記光線(9)の偏光成分の光強度(P )との差の比と、前記光線(9)の減衰係数とを乗算して、前記回転角を算出する、請求項1に記載の測定装置。
  3. アルカリ性ガスは、ルビジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム又はフランシウムである、請求項1又は2に記載の測定装置。
  4. 前記処理ユニット(15)は、
    前記測定セル(3)に磁界が存在するときにゼーマン効果によって生じた第1の前記回転角を、前記吸収率の対数値で除算して補正し、
    補正された第1の回転角を、前記測定セル(3)に磁界が存在するときの前記測定セル(3)における光線(9)と物質との相互作用を示す既知の相互作用パラメータで除算し、前記吸収相互作用パラメータで乗算することにより、前記磁界(B)の値を算出する、請求項1~3のいずれか1項に記載の測定装置。
  5. 前記処理ユニット(15)は、
    前記測定セル(3)に電界が存在するときにシュタルク効果によって生じた第2の前記回転角を、前記吸収率の対数値で除算して補正し、
    補正された第2の回転角を、前記測定セル(3)に電界が存在するときの前記測定セル(3)における光線(9)と物質との相互作用を示す既知の相互作用パラメータで除算し、前記吸収相互作用パラメータで乗算することにより、前記電界(E)の値を算出する、請求項1~4のいずれか1項に記載の測定装置。
  6. 処理ユニット(15)は、前記吸収から測定セル(3)内の温度を導出するように構成された、請求項1~のいずれか1項に記載の測定装置。
  7. 偏光光源(7)からの光線(9)を少なくとも2つの部分的な光線(9E,9B)に分離するビームスプリッタ(35)を備える測定ヘッド(33)と、
    互いに垂直な2つの測定ブランチを規定するリフレクタ(37,39)とを含み、
    測定セル(3)は、測定ヘッド(33)内の2つの部分的な光線(9E,9B)の交点に配置される、請求項1~のいずれか1項に記載の測定装置。
  8. 測定ヘッド(33)は、光ファイバ(41)によって、偏光光源(7)、偏光測定システム(11)及び吸収測定システム(13)に接続される、請求項1~のいずれか1項に記載の測定装置。
  9. 測定セル(3)を通過する光線(9)の経路は、
    測定対象の磁界(B)若しくは電界(E)と共線的な少なくとも1つの構成要素を有し、または、
    測定対象の磁界(B)又は電界(E)と共線的である、請求項1~のいずれか1項に記載の測定装置。
  10. 測定セル(3)は、0.1mm~20mmの長さの第1の面と0.1mm~25mmの長さの第2の面を有する立方体であり、又は、高さが0.1mm~20mm、直径が0.1mm~25mmの円筒形である、請求項1~のいずれか1項に記載の測定装置。
  11. 偏光測定システム(11)は、平衡偏光測定システムである、請求項1~10のいずれか1項に記載の測定装置。
  12. 偏光測定システム(11)は、測定セル(3)の下流に配置された偏光子(44)と、関連する光検出器(19E,19B)とを備え、測定セル(3)の入力における光線は、直線的に偏光される、請求項1~10のいずれか1項に記載の測定装置。
  13. ビームスプリッタ(46)が、測定セル(3)の下流かつ偏光子(44)の上流に配置され、光線の一部を吸収測定システム(13)の光検出器(25)に導く、請求項1に記載の測定装置。
  14. 吸収測定システム(13)は、
    それぞれ測定セル(3)の上流及び下流に配置された第1のビームスプリッタプレート及び第2のビームスプリッタプレート(23,27)と、
    それぞれビームスプリッタープレート(23,27)に関連付けられ、測定セル(3)の上流及び下流の光線(9)の光度を検出するように構成された2つの光検出器(25,29)と
    を含む、請求項1~1のいずれか1項に記載の測定装置。
  15. 光源(7)は、レーザダイオードを含むレーザである、請求項1~1のいずれかに1項に記載の測定装置。
  16. 単一のレーザ光源(7)を用いて、少なくとも1つの電界(E)及び少なくとも1つの磁界(B)の双方が測定される、請求項1~1のいずれか1項に記載の測定装置。
  17. 中電圧又は高電圧の導電体(31)の電流及び/又は電圧を測定するためのユニットであって、
    請求項1~1のいずれか1項に記載の測定装置(1)を少なくとも1つ備え、
    処理ユニット(15)はさらに、導電体(31)と測定セル(3)との距離に基づいて、対地電圧及び/又は導電体(31)を流れる電流を決定するように構成された、ユニット。
  18. 中電圧又は高電圧の導電体(31)を収容する金属筐体(51)を含むガス絶縁変電所であって、
    請求項1~1のいずれか1項に記載の測定装置(1)を含み、
    測定セル(3)は、ガス絶縁変電所内において、金属筐体(51)の内部に固定される、ガス絶縁変電所。
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