JP7203911B2 - 保護回路を備えるブースト変換モジュール - Google Patents

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Description

本発明は保護回路を備えるブースト変換モジュールに関し、とりわけ保護回路を備えた共通鉄心構造のブースト変換モジュールに関する。
図1は太陽電池モジュール20に応用される従来のブースト変換モジュール10-1の回路構造である。この構造では、個別に作動する二組のブースト回路10-2、10-3を含む。この二組のブースト回路10-2、10-3は並列接続して作動し、且つそれぞれ第1の電源V1及び第2の電源V2を出力電源Voに変換する。しかし、太陽電池モジュール20内に複数組の太陽電池が含まれる場合、各々一組の太陽電池は一組のブースト回路を用いてその太陽エネルギーを出力電源Voに変換しなければならないことから、太陽電池モジュール20を大面積で敷設する場合には、ブースト変換モジュール10-1は複数のブースト回路を含むのは必定で、ブースト変換モジュール10-1の回路の大型化を招いてしまい、ブースト変換モジュール10-1の装置設置に不利となる。このうち、通常、ブースト回路中にて大型となる素子は内部のインダクタLであるが、これはつまりインダクタLは鉄心と巻線とを含み、しかも鉄心のサイズは通常インダクタL回路の大型化を招く、というのが主因である。各々のブースト回路内に鉄心が含まれるのは必定であることから、ブースト変換モジュール10-1を縮小できない主因となる。
次ぎに、ブースト変換モジュール10-1は複数のブースト回路を並列接続してなることから、太陽電池モジュール20に不具合が発生した場合(例えば、逆接続又は損傷により出力できない状況、しかしこれに限定されない)、対応接続されているブースト回路への影響に止まらず、並列接続されている構造を通じてその他の組のブースト回路にまで影響が及び、その他の組のブースト回路の動作に不具合が生じて、ブースト変換モジュール10-1の効率低下を招きかねない。
よって、保護回路を備えるブースト変換モジュールをどのようにして設計し、共通鉄心構造の回路素子を用いてブースト変換モジュールを小型化し、且つ太陽電池モジュールに不具合が生じたときに、ブースト変換モジュール内のブースト回路が互いに影響することのないように回避する保護回路を備えるというのは、本願の考案者が研究する一大課題である。
上記問題を解決すべく、本発明では、保護回路を備えるブースト変換モジュールを提供することで、従来の技術的課題を克服する。よって、本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールは、
第1の電源に接続され、且つ第1のインダクタと、第1のスイッチユニットとからなる第1の入力ループを含む、第1のブースト回路と、
第2の電源に接続され、且つ第2のインダクタと、第2のスイッチユニットとからなる第2の入力ループを含み、第1のインダクタと第2のインダクタとで共通鉄心構造の結合インダクタを構成している、第2のブースト回路と、
第1の入力ループに接続されており、且つ結合インダクタが第1の入力ループの第1の逆方向電流を誘導するのを阻止するのに用いられる第1の一方向性導通素子と、
第2の入力ループに接続されており、且つ結合インダクタが第2の入力ループの第2の逆方向電流を誘導するのを阻止するのに用いられる第2の一方向性導通素子と、を含む。
本発明の主な目的及び効果は、共通鉄心構造の結合インダクタを用いてブースト変換モジュールを小型化し、且つ保護回路を用いて、そのうち一つの太陽電池の電圧が低くなったとき、対応して接続されているブースト回路に逆方向電流が発生するのを回避し、ひいてはブースト変換モジュールの作動効率を向上するところにある。
本発明が所期の目的を達成するために採用する技術、手段及び効果をより理解しやすくするために、以下の本発明に関する詳細な説明及び図面を参照されたい。本発明の目的、特徴及び長所への理解は、これにより更に深く且つ具体的になるものと信じるものであるが、添付の図面は単に参考及び説明用に過ぎず、本発明に対する限定として用いるものではない。
太陽電池モジュールに応用される従来のブースト変換モジュール回路構造である。 本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第1の実施例の回路ブロック図である。 本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第2の実施例の回路ブロック図である。 本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第3の実施例の回路ブロック図である。 本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第4の実施例の回路ブロック図である。 本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第5の実施例の回路ブロック図である。
ここに、本発明の技術内容及び詳細な説明に関して、図面を合わせて以下の通り説明する。
本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第1の実施例の回路ブロック図である図2を参照されたい。ブースト変換モジュール10は、太陽電池モジュール20と負荷30との間に接続され、且つ太陽電池モジュール20が提供するエネルギーを負荷30での使用に供するために出力電源Voに変換する。ブースト変換モジュール10は、第1のブースト回路12と、第2のブースト回路14と、制御ユニット16と、出力キャパシタCoと、保護回路18とを含み、且つ第1のブースト回路12及び第2のブースト回路14はそれぞれブーストコンバータ(Boost Converter)である。第1のブースト回路12は、第1のインダクタL1と、第1のパワーダイオードD1と、第1のスイッチユニット122とを含み、且つ第2のブースト回路14は、第2のインダクタL2と、第2のパワーダイオードD2と、第2のスイッチユニット142とを含む。第1のインダクタL1の一端は太陽電池モジュール20中のうちの太陽電池に接続されることで第1の電源V1を取得し、且つ他端は第1のノードAを介して第1のパワーダイオードD1の一端に接続されている。第1のスイッチユニット122の一端(第1端子)は第1のノードAに接続され、且つ他端(第2端子)は負端子に接続されている。第2のインダクタL2の一端は第2の電源V2に接続され、且つ他端は第2のノードBを介して第2のパワーダイオードD2の一端に接続されている。第2のスイッチユニット142の一端(第1端子)は第2のノードBに接続され、且つ他端(第2端子)は負端子に接続されている。制御ユニット16は、第1のスイッチユニット122に接続され、且つ第1のスイッチユニット122の切換を制御することで、第1のブースト回路12が第1の電源V1を出力電源Voに変換するように制御する(第2のブースト回路14もまた同様である)。出力キャパシタCoは、第1のパワーダイオードD1及び第2のパワーダイオードD2の他端に接続されており、ブースト変換モジュール10が変換した出力電源Voを安定化する。
より詳細には、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2とを同一素子として結合するために、ブースト変換モジュール10を小型化し、且つ回路コストを削減しているので、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2とで共通鉄心構造の結合(Coupled)インダクタLcを構成することになる。このうち、結合インダクタLcの同極側は図2に示すように、つまり結合インダクタLcの同極側はそれぞれ第1の電源V1の正端子と第2の電源V2の正端子とに接続されている。結合インダクタLc方式を利用することで、二組又は複数組のブースト回路は一つのインダクタを共用することができ、制御ユニット16は第1のスイッチユニット122と第2のスイッチユニット142とを略同期して切り換えるよう制御するものである(つまりデューティ比が略同じである制御信号により、第1のスイッチユニット122と第2のスイッチユニット142とを同時にオン、同時にオフするように制御する)。デューティ比が略同じであるということは、デューティ比の誤差が誤差範囲内にあり、その範囲は好ましくはデューティ比の差が10%以内であるがこれに限定されず、その誤差範囲は第1のスイッチユニット122及び第2のスイッチユニット142を制御する信号が幾分かのズレを含むことを許容するか、又は二つの制御信号のデューティ比は一つが大きく一つが小さい、というもののことである。このように第1の電源V1と第2の電源V2との電圧差が第1の所定範囲内にある条件にて、第1のインダクタL1を流れる第1の電流I1と第2のインダクタL2を流れる第2の電流I2とを略均流に保持する。しかし第1の電源V1と第2の電源V2との電圧差が大きすぎる場合、入力電圧が小さい組のインダクタが結合効果により誘導して別の方向の逆方向電流が生じてしまう。この逆方向電流が循環電流損失をもたらし、ブースト変換モジュール10の効率が低下してしまう。
具体的には、第1のブースト回路12は、第1の電源V1と、第1のインダクタL1と、第1のスイッチユニット122とからなる第1の入力ループLi1を含む。第1の電源V1の電圧は第2の電源V2よりも遥に小さく第2の電流I2が第2のインダクタL2を流れてしまうとき、第1のインダクタL1は結合効果により第1の逆方向電流If1を誘導する(ドット側によって逆方向の電流を誘導する)。ブースト変換モジュール10が保護回路18を備えない場合には、第1の入力ループLi1上には、第1の逆方向電流If1が閉ループを構成するのを防止する一方向性導通素子がないことから、第1のインダクタL1により誘導された第1の逆方向電流If1が第1のインダクタL1、第1の電源V1(又は第1の入力キャパシタC1)、第1のスイッチユニット122及び第1のインダクタL1の電流経路によって閉ループを構成して、ブースト変換モジュール10の効率がこれにより低下してしまう。第2のブースト回路14の第2の入力ループLi2が第2の逆方向電流If2を生じるのも同様であることから、ここでは別途説明しない。
例えば、仮に保護回路18が設けられていない場合、第1の電源V1は200Vであり、且つ第2の電源V2が0Vに近いとき(つまり第2のブースト回路14には太陽電池が接続されていないか、又は対応する太陽電池が陰になっている)、第2の電源V2の電圧値が第1の電源V1よりも遥に低いことから、第2のインダクタL2は結合インダクタLcの結合効果により誘電電圧が生じて、ひいては第2の逆方向電流If2の電流経路が発生する。この状況が発生するのを回避するために、本発明の保護回路18は、第1の一方向性導通素子182と、第2の一方向性導通素子184とを含む。第1の一方向性導通素子182は、第1の入力ループLi1に接続されており、且つ結合インダクタLcが第1のインダクタL1の第1の逆方向電流If1を誘導するのを阻止するのに用いられる。第2の一方向性導通素子184は、第2の入力ループLi2に接続されており、且つ結合インダクタLcが第2のインダクタL2の第2の逆方向電流If2を誘導するのを阻止するのに用いられる。
更に言えば、第1の一方向性導通素子182は第1の入力ループLi1中の少なくとも三つの位置に設けることができる。このうちの一つの接続位置とは、第1の一方向性導通素子182が第1のインダクタL1と第1のノードAとの間に接続されている位置であり、他方の一つの接続位置とは、第1の一方向性導通素子182が第1のノードAと第1のスイッチユニット122との間に接続されている位置である。上記二つの接続位置はいずれも、結合インダクタLcが第1のインダクタL1の第1の逆方向電流If1に結合されるのを逆バイアスで阻止することで、第1の逆方向電流If1が発生して閉ループの電流経路が構成されるのを防止することができる。最後の一つの接続位置とは、第1の一方向性導通素子182が第1の電源V1と第1のインダクタL1との間に接続されている位置である。しかしながら、上記三つの位置のみに限定されるものではなく、第1の入力ループLi1中にて逆方向電流の阻止を達成できる位置であれば、選択可能な位置である。第2の一方向性導通素子184の具体的な接続位置もまた同様であることから、ここでは別途説明しない。
このうち、上記三者の接続位置はまた、第1の一方向性導通素子182が第1のノードAと第1のスイッチユニット122との間に接続されている位置が最も好ましい。これはつまり、ブースト回路の制御方式は、第1の電流I1が、第1のスイッチユニット122を経由する、及び出力キャパシタCoに提供する状態に交互に操作されて、一方向はこれにより一方向性導通素子182が第1のノードAと第1のスイッチユニット122との間に接続される位置が、その残りの二つの位置に設けられるものに比べて、通過する平均電流は小さく、消耗も低くなるためである。第2の一方向性導通素子184の接続位置もまた同様であることから、ここでは別途説明しない。言及しておきたいことは、第1の一方向性導通素子182及び第2の一方向性導通素子184は、ダイオード、サイリスタ又はシリコン制御整流器等の素子とすることができるか、又は一方向性導通回路(例えばロジックスイッチ回路であるが、これに限定されない)からなるものとすることができる、ということである。このうち、ダイオードは制御を必要とせず、配線が簡単であることから、また、第1の一方向性導通素子182及び第2の一方向性導通素子184にダイオードを使用するのが最も好ましい。
本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第2の実施例の回路ブロック図である図3を参照し、また図2も合わせて参照されたい。図3の実施例のブースト変換モジュール10’と図2の実施例のブースト変換モジュール10との相違点は、第1のブースト回路12’及び第2のブースト回路14’はフライングキャパシタブーストコンバータ(Flying-capacitor boost converter)であるところである。第1のブースト回路12’は、第1のインダクタL1と、第1のスイッチユニット122’と、第1のダイオード組124と、第1のフライングキャパシタ126とを含み、且つ第2のブースト回路14’は、第2のインダクタL2と、第2のスイッチユニット142’と、第2のダイオード組144と、第2のフライングキャパシタ146とを含む。第1のインダクタL1の一端は第1の電源V1に接続され、且つ他端は第1のノードAを介して第1のダイオード組124の一端に接続されている。第1のスイッチユニット122’の一端(第1端子)は第1のノードAに接続され、且つ他端(第2端子)は負端子に接続されている。第1のダイオード組124は、直列接続されている第1のパワーダイオードD1と第2のパワーダイオードD2とを含み、且つ第1のパワーダイオードD1は第1のノードAに接続されている。第1のスイッチユニット122’は、直列接続されている第1のパワースイッチQ1と第2のパワースイッチQ2とを含み、且つ第1のパワースイッチQ1は第1のノードAに接続されており、第2のパワースイッチQ2は負端子に接続されている。第1のフライングキャパシタ126の一端は第1のパワースイッチQ1と第2のパワースイッチQ2との間に接続されており、且つ第1のフライングキャパシタ126の他端は第1のパワーダイオードD1と第2のパワーダイオードD2との間に接続されている。
第2のインダクタL2の一端は第2の電源V2に接続され、且つ他端は第2のノードBを介して第2のダイオード組144の一端に接続されている。第2のスイッチユニット142’の一端(第1端子)は第2のノードBに接続され、且つ他端(第2端子)は負端子に接続されている。第2のダイオード組144は、直列接続されている第3のパワーダイオードD3と第4のパワーダイオードD4とを含み、且つ第3のパワーダイオードD3は第2のノードBに接続されている。第2のスイッチユニット142’は、直列接続されている第3のパワースイッチQ3と第4のパワースイッチQ4とを含み、且つ第3のパワースイッチQ3は第2のノードBに接続されており、第4のパワースイッチQ4は負端子に接続されている。第2のフライングキャパシタ146の一端は第3のパワースイッチQ3と第4のパワースイッチQ4との間に接続されており、且つ第2のフライングキャパシタ146の他端は第3のパワーダイオードD3と第4のパワーダイオードD4との間に接続されている。
制御ユニット16は、第1のパワースイッチQ1と第2のパワースイッチQ2とに接続されており、且つ第1のパワースイッチQ1及び第2のパワースイッチQ2の切換を制御することで、第1のブースト回路12’が第1の電源V1を出力電源Voに変換するように制御する(第2のブースト回路14’もまた同様である)。出力キャパシタCoは第2のパワーダイオードD2及び第4のパワーダイオードD4の他端に接続されることで、ブースト変換モジュール10’が変換した出力電源Voを安定化する。第1のインダクタL1と第2のインダクタL2とが共通鉄心構造の結合インダクタLcを構成しており、且つ制御方式は図2に類似しており、制御ユニット16は第1のスイッチユニット122’と第2のスイッチユニット142’とを略同期して切り換えるように制御するものである(第1のパワースイッチQ1と第3のパワースイッチQ3とが略同期し、第2のパワースイッチQ2と第4のパワースイッチQ4とが略同期する)。
第1のブースト回路12’は、第1の電源V1と、第1のインダクタL1と、第1のスイッチユニット122’とからなる第1の入力ループLi1を含む。第1の電源V1の電圧は第2の電源V2よりも遥に小さく第2の電流I2が第2のインダクタL2を流れてしまうとき、第1のインダクタL1は結合効果により第1の逆方向電流If1を誘導する(第2のブースト回路14’の第2の入力ループLi2の状況も同様であることから、ここでは別途説明しない)。よって保護回路18は、同様に第1の一方向性導通素子182を介して第1の入力ループLi1に接続されて結合インダクタLcが第1のインダクタL1の第1の逆方向電流If1を誘導するのを阻止し、且つ第2の一方向性導通素子184を介して第2の入力ループLi2に接続されて結合インダクタLcが第2のインダクタL2の第2の逆方向電流If2を誘導するのを阻止する。
図2に類似して、第1の一方向性導通素子182は第1の入力ループLi1中の少なくとも三つの位置に設けることができる。このうちの一つの接続位置とは、第1の一方向性導通素子182が第1のインダクタL1と第1のノードAとの間に接続されている位置であり、他方の一つの接続位置とは、第1の一方向性導通素子182が第1のノードAと第1のスイッチユニット122’との間(つまり第1のスイッチユニット122’の第1のパワースイッチQ1に接続されている)に接続されている位置である。最後の一つの接続位置とは、第1の一方向性導通素子182が第1の電源V1と第1のインダクタL1との間に接続されている位置である。上記三つの接続位置はいずれも、結合インダクタLcが第1のインダクタL1の第1の逆方向電流If1を誘導するのを阻止することで、第1の逆方向電流If1が発生して閉ループの電流経路が構成されるのを防止することができる。第2の一方向性導通素子184の具体的な接続位置もまた同様であることから、ここでは別途説明しない。言及しておきたいことは、本発明の一つの実施例において、図2~3には二組のブースト回路で構成されたブースト変換モジュール10、10’構造のみを開示しているが、これに限定されない、ということである。言い換えれば、ブースト変換モジュール10、10’は二組以上のブースト回路で構成することができ、しかも結合インダクタLcはブースト回路の個数に応じたインダクタ共通鉄心で構成することができる。
本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第3の実施例の回路ブロック図である図4を参照し、また図2~3も合わせて参照されたい。図4では図2のブースト変換モジュール10構造を例として、保護回路18は、更に第3の一方向性導通素子186と第4の一方向性導通素子188とを含む。第3の一方向性導通素子186は、第1のブースト回路12の入力側に跨接されており(つまり第1の電源V1と並列接続されている)、しかも第1の逆接続クランプ経路Lr1を提供するのに用いられる。第4の一方向性導通素子188は、第2のブースト回路14の入力側に跨接されており(つまり第2の電源V2と並列接続されている)、しかも第2の逆接続クランプ経路Lr2を提供するのに用いられている。
具体的には、保護回路18が第3の一方向性導通素子186と第4の一方向性導通素子188とを備えない場合にて、しかも第1のブースト回路12又は第2のブースト回路14のうちの一組の入力電源が逆接続されているとき、入力電源は正確なブースト回路に接続されて正常に作動するため、出力キャパシタCo上には出力電源Voが現れる。このとき、入力電源の逆接続されている該組のブースト回路のパワーダイオードは入力電源に出力電源Voがオーバーラップした交差電圧(つまり電圧オーバーラップ経路Lv)が印加されるが、もし該パワーダイオードにてこのような状況に対して高耐電圧規格を特に採用していなければ、該パワーダイオードが規格を越えた交差電圧により損傷してしまう不具合が生じる。言及しておきたいことは、第3の一方向性導通素子186及び第4の一方向性導通素子188は、ダイオード、サイリスタ又はシリコン制御整流器等の素子とすることができるか、又は一方向性導通回路(例えばロジックスイッチ回路であるが、これに限定されない)からなるものとすることができる、ということである。このうち、ダイオードは制御を必要とせず、配線が簡単であることから、また、第3の一方向性導通素子186及び第4の一方向性導通素子188にダイオードを使用するのが最も好ましい。
図4を例とすると、仮に第1の電源V1が1000Vであり且つ逆接続されていると、第2のブースト回路14は1000Vの第2の電源V2を出力キャパシタCoに出力して、この電圧を1000Vとする。この場合、電圧オーバーラップ経路Lvにオーバーラップした電圧は2000Vにまで達することから、第1のパワーダイオードD1は2000Vの交差電圧に耐える必要がある。同様の状況は図3中の第1のパワーダイオードD1にも発生するが、出力キャパシタCoの電圧の半分のみが逆接続されている入力電源に印加されるものの、やはり損傷してしまう。このような不具合の発生を回避するために、本発明の保護回路18は第3の一方向性導通素子186を用いて第1の逆接続クランプ経路Lr1を提供することで、第1の電源V1がちょうど逆接続されたときに、逆接続された第1の電源V1は第1の逆接続クランプ経路Lr1を通じて低電圧に固定されて、その電圧値が第1のパワーダイオードD1にオーバーラップするのをなくすことが可能となる。このように、第1のパワーダイオードD1が損傷しない状況にて、ブースト変換モジュール10は引き続き作動し、且つ第1の一方向性導通素子182は、第1の逆方向電流If1が発生して閉ループの電流経路が形成されるのを防止するのに用いられる。第4の一方向性導通素子188もまたこの機能を提供することから、ここでは別途説明しない。また、図3のブースト変換モジュール10’も同様に第3の一方向性導通素子186及び第4の一方向性導通素子188を適用して第1のパワーダイオードD1及び第3のパワーダイオードD3を保護することから、ここでは別途説明しない。
本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第4の実施例の回路ブロック図である図5を参照し、また図2~4も合わせて参照されたい。図5では図2のブースト変換モジュール10構造を例としており、保護回路18は、更に、第1の入力ループLi1及び第2の入力ループLi2の共通負極側経路Lgに接続され、且つ第1のブースト回路12及び第2のブースト回路14を流れる総電流Itを検出するための電流検出ユニット190を含む。具体的には、周知の二組のブーストコンバータでは電流を測定するとき、一組の電流検出ユニットをそれぞれ使用して個別の電流の大きさを測定する必要がある。この二組のブーストコンバータにて均流に制御されたとしても、やはり一組の電流検出ユニットをそれぞれ使用して個別の電流の大きさを測定する必要がある。本願では、第1のブースト回路12と第2のブースト回路14とが単一のブースト変換モジュール10に統合されており、第1のスイッチユニット122の第2端子と第2のスイッチユニット142の第2端子とが共に接続されて、第1の入力ループLi1と第2の入力ループLi2とで共通負端子経路Lgを形成していることから、単一の電流検出ユニット190を使用するのみで第1のブースト回路12と第2のブースト回路14の総電流Itを測定することができる。このうち、制御ユニット16は、第1の電源V1と第2の電源V2との電圧差が第1の所定範囲にある条件にて、第1のインダクタL1を流れる第1の電流I1と第2のインダクタL2を流れる第2の電流I2とを略均流に維持する。このため、電流検出ユニット190が測定した総電流Itはつまり概ね第1の電流I1と第2の電流I2との平均である。なお、第1のスイッチユニット122の第1端子は第1のインダクタL1に接続され、第2のスイッチユニット142の第1端子は第2のインダクタL2に接続されている。
本発明の保護回路を備えるブースト変換モジュールの第5の実施例の回路ブロック図である図6を参照し、また図1~5も合わせて参照されたい。図6では図2のブースト変換モジュール10構造を例としており、ブースト変換モジュール10は更に変流ユニット192を含んでおり、変流ユニット192は結合インダクタLcに接続されており、その具体的な位置は結合インダクタLcと、第1の電源V1と、第2の電源V2との間、又は結合インダクタLcと、第1のノードAと、第2のノードBとの間とすることができる。変流ユニット192は結合インダクタLcに似ている、つまり巻線を巻回して作製されているが、そのドット側と第1の電源V1及び第2の電源V2との接続関係は結合インダクタLcと異なり、且つ巻線数も少なめである。図6に示すように、変流ユニット192の異極側は結合インダクタLcの同極側に接続されており、変流ユニット192は第1の電源V1と第2の電源V2との電圧差が第2の所定範囲内にて、第1のインダクタL1を流れる第1の電流I1と第2のインダクタL2を流れる第2の電流I2とを均流に維持するのに用いられる。
これはつまり、変流ユニット192中の二つの巻線のドット側は反対側であるからである。よって、第1の電流I1が大きい場合、変流ユニット192は結合効果により第2のブースト回路14を誘導して、第1の電流I1と第2の電流I2との差を縮めて二つのブースト回路を均流に保持する(第2の電流I2が大きい場合もまた同様である)。よって、第2の所定範囲は第1の所定範囲よりも大きい。つまり、変流ユニット192を使用したブースト変換モジュール10は、第1の電源V1と第2の電源V2との電圧差がより大きい場合であっても、第1の電流I1と第2の電流I2とを均流に保持することができる。
ただし、上記したものは、本発明の好ましい具体的な実施例の詳細な説明及び図面に過ぎず、本発明の特徴はこれに限定されず、しかも本発明を限定するためものではなく、本発明の全ての範囲は別紙の特許請求の範囲を基準とするものであって、およそ本発明の特許請求の範囲の思想及びその類似する変化の実施例は、いずれも本発明の範疇に含まれるべきであり、当業者が本発明の範囲内にて、容易に想到する変化及び付加はいずれも本願の特許範囲に含まれる。
10、10’、10-1 ブースト変換モジュール
10-2、10-3 ブースト回路
L インダクタ
12、12’ 第1のブースト回路
L1 第1のインダクタ
122、122’ 第1のスイッチユニット
Q1 第1のパワースイッチ
Q2 第2のパワースイッチ
A 第1のノード
124 第1のダイオード組
126 第2のフライングキャパシタ
14、14’ 第2のブースト回路
L2 第2のインダクタ
142、142’ 第2のスイッチユニット
Q3 第3のパワースイッチ
Q4 第4のパワースイッチ
B 第2のノード
144 第2のダイオード組
146 第2のフライングキャパシタ
D1 第1のパワーダイオード
D2 第2のパワーダイオード
D3 第3のパワーダイオード
D4 第4のパワーダイオード
Lc 結合インダクタ
16 制御ユニット
Co 出力キャパシタ
C1 第1の入力キャパシタ
C2 第2の入力キャパシタ
18 保護回路
182 第1の一方向性導通素子
184 第2の一方向性導通素子
186 第3の一方向性導通素子
188 第4の一方向性導通素子
190 電流検出ユニット
192 変流ユニット
20 太陽電池モジュール
30 負荷
V1 第1の電源
V2 第2の電源
Vo 出力電源
I1 第1の電流
I2 第2の電流
If1 第1の逆方向電流
If2 第2の逆方向電流
It 総電流
Li1 第1の入力ループ
Li2 第2の入力ループ
Lr1 第1の逆接続クランプ経路
Lr2 第2の逆接続クランプ経路
Lv 電圧オーバーラップ経路
Lg 共通負極側経路

Claims (14)

  1. 第1の電源に接続され、且つ第1のインダクタと、第1のスイッチユニットとからなる第1の入力ループを含む、第1のブースト回路と、
    第2の電源に接続され、且つ第2のインダクタと、第2のスイッチユニットとからなる第2の入力ループを含み、該第1のインダクタと該第2のインダクタとで共通鉄心構造の結合インダクタを構成している、第2のブースト回路と、
    該第1の入力ループに接続されており、且つ該結合インダクタが該第1の入力ループの第1の逆方向電流を誘導するのを阻止するのに用いられる第1の一方向性導通素子と、
    該第2の入力ループに接続されており、且つ該結合インダクタが該第2の入力ループの第2の逆方向電流を誘導するのを阻止するのに用いられる第2の一方向性導通素子と、を含む、ことを特徴とする保護回路を備えるブースト変換モジュール。
  2. 更に、
    前記第1のブースト回路の入力側に跨接されており、且つ前記第1の電源が逆接続されたときの第1の逆接続クランプ経路を提供するのに用いられる第3の一方向性導通素子と、
    前記第2のブースト回路の入力側に跨接されており、且つ前記第2の電源が逆接続されたときの第2の逆接続クランプ経路を提供するのに用いられる第4の一方向性導通素子と、を含む、請求項1に記載のブースト変換モジュール。
  3. 前記第1の一方向性導通素子、前記第2の一方向性導通素子、前記第3の一方向性導通素子、及び前記第4の一方向性導通素子がそれぞれ一つのダイオードである、請求項2に記載のブースト変換モジュール。
  4. 前記第1のスイッチユニットの第1端子は前記第1のインダクタに接続されており、前記第2のスイッチユニットの第1端子は前記第2のインダクタに接続されており、且つ前記第1のスイッチユニットの第2端子と前記第2のスイッチユニットの第2端子とが共に接続されて、前記第1の入力ループと前記第2の入力ループとが共通負極側経路を形成している、請求項1~3のいずれか1つに記載のブースト変換モジュール。
  5. 更に、
    前記共通負極側経路に接続されており、且つ前記第1のブースト回路及び前記第2のブースト回路を流れる総電流を検出するのに用いられる電流検出ユニットを含む、請求項4に記載のブースト変換モジュール。
  6. 前記結合インダクタの同極側はそれぞれ前記第1の電源の正極端子及び前記第2の電源の正極端子に接続されている、請求項1~5のいずれか1つに記載のブースト変換モジュール。
  7. 更に、
    前記結合インダクタに接続されている変流ユニットを含み、
    このうち、該変流ユニットの異極側は前記結合インダクタの同極側に接続されている、請求項6に記載のブースト変換モジュール。
  8. 前記第1のブースト回路及び第2のブースト回路はそれぞれブーストコンバータであり、且つ前記第1のインダクタと前記第1のスイッチユニットとの間には第1のパワーダイオードを接続する第1のノードを含み、前記第2のインダクタと前記第2のスイッチユニットとの間には第2のパワーダイオードを接続する第2のノードを含む、請求項1~7のいずれか1つに記載のブースト変換モジュール。
  9. 前記第1の一方向性導通素子は前記第1のインダクタと前記第1のノードとの間に接続されているか、又は前記第1の一方向性導通素子は前記第1のノードと前記第1のスイッチユニットとの間に接続されているか、又は前記第1の一方向性導通素子は前記第1の電源と前記第1のインダクタとの間に接続されている、請求項8に記載のブースト変換モジュール。
  10. 前記第2の一方向性導通素子は前記第2のインダクタと前記第2のノードとの間に接続されているか、又は前記第2の一方向性導通素子は前記第2のノードと前記第2のスイッチユニットとの間に接続されているか、又は前記第2の一方向性導通素子は前記第2の電源と前記第2のインダクタとの間に接続されている、請求項8または9に記載のブースト変換モジュール。
  11. 前記第1のブースト回路及び第2のブースト回路はそれぞれフライングキャパシタブーストコンバータであり、且つ前記第1のインダクタと前記第1のスイッチユニットとの間には第1のパワーダイオード組を接続する第1のノードを含み、前記第2のインダクタと前記第2のスイッチユニットとの間には第2のパワーダイオード組を接続する第2のノードを含む、請求項1~7のいずれか1つに記載のブースト変換モジュール。
  12. 前記第1の一方向性導通素子は前記第1のインダクタと前記第1のノードとの間に接続されているか、又は前記第1の一方向性導通素子は前記第1のノードと前記第1のスイッチユニットとの間に接続されているか、又は前記第1の一方向性導通素子は前記第1の電源と前記第1のインダクタとの間に接続されている、請求項11に記載のブースト変換モジュール。
  13. 前記第2の一方向性導通素子は前記第2のインダクタと前記第2のノードとの間に接続されているか、又は前記第2の一方向性導通素子は前記第2のノードと前記第2のスイッチユニットとの間に接続されているか、又は前記第2の一方向性導通素子は前記第2の電源と前記第2のインダクタとの間に接続されている、請求項11または12に記載のブースト変換モジュール。
  14. 前記第1のスイッチユニット及び前記第2のスイッチユニットが誤差範囲内で同期して切換わるように制御される、請求項1~13のいずれか1つに記載のブースト変換モジュール。
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