JP7201459B2 - Wafer processing method - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method.
表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、分割予定ライン(ストリート)に沿って切削ブレードで切削されて、各デバイスに対応する複数のデバイスチップへと分割される。このデバイスチップを別の基板等へと固定するために、デバイスチップの裏面側に固定用の接着層を設けることがある。 A wafer having a plurality of devices formed on its front side is cut with a cutting blade along, for example, dividing lines (streets) to be divided into a plurality of device chips corresponding to respective devices. In order to fix the device chip to another substrate or the like, an adhesive layer for fixing may be provided on the back side of the device chip.
従来の加工方法では、接着層としてダイアタッチフィルム(以下、DAFと記す)と呼ばれるシート状の接着材がウェーハの裏面に貼着し、ウェーハとDAFを共に分割する事で接着層付きのデバイスチップを得る。ウェーハの分割には、所謂DBG(Dicing Before Grinding)やSDBG(Stealth Dicing Before Grinding)と呼ばれる加工方法がある。DBGやSDBGと呼ばれる加工方法は、ストリートに沿ってハーフカット溝やレーザー光線による改質層を形成後、ウェーハの裏面を研削し個々のデバイスチップに分割する加工方法である。 In the conventional processing method, a sheet-like adhesive material called a die attach film (hereinafter referred to as DAF) is attached to the back surface of the wafer as an adhesive layer, and the wafer and DAF are separated together to form a device chip with an adhesive layer. get Wafer division includes processing methods called so-called DBG (Dicing Before Grinding) and SDBG (Stealth Dicing Before Grinding). A processing method called DBG or SDBG is a processing method in which half-cut grooves or modified layers are formed along streets and a modified layer is formed by a laser beam, and then the rear surface of the wafer is ground to divide the wafer into individual device chips.
これらの加工方法の場合、DAFを貼る前にウェーハが既にデバイスチップに分割されているため、レーザー光線等により別途DAFを分割する工程が追加される。前述した加工方法の場合、既にデバイスチップに分割されたウェーハにDAFを貼っているためデバイスチップの整列が乱れ、DAFの切断位置が蛇行してしまい、レーザー光線を照射する位置合わせのためのアライメント時間が長時間になるという課題が有った。 In the case of these processing methods, since the wafer is already divided into device chips before the DAF is attached, a separate step of dividing the DAF using a laser beam or the like is added. In the case of the processing method described above, since the DAF is attached to the wafer that has already been divided into device chips, the alignment of the device chips is disturbed, and the cutting position of the DAF is meandering. There was a problem that it took a long time.
そこで、本発明の出願人は、DBG、SDBG後のウェーハに適した分割不要の液状のダイボンド用樹脂を分割後のウェーハの裏面に塗布するという方法を考案した(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, the applicant of the present invention devised a method of applying a liquid die-bonding resin that does not require division and is suitable for wafers after DBG and SDBG (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、特許文献1に示された加工方法は、既にデバイスチップに分割されているため液状のダイボンド用樹脂がデバイスチップとデバイスチップとの隙間に侵入して、デバイスチップの側面に付着してしまうという課題が残っていた。
However, in the processing method disclosed in
本願発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、デバイスチップの側面にダイボンド用樹脂が付着することを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer processing method capable of suppressing adhesion of a die-bonding resin to the side surface of a device chip.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの表面が分割予定ラインで区画され、区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、所定の厚さに形成され表面に保護部材が貼着されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、該保護部材が貼着された面と反対側のウェーハの裏面に、液状のダイボンド用樹脂を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成ステップと、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層が形成されたウェーハを面方向に拡張し、該改質層に沿って該ダイボンド用樹脂層とともにウェーハを破断し、ダイボンド用樹脂層を備えるデバイスチップを形成するウェーハ破断ステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a wafer processing method of the present invention is a wafer processing method in which the surface of the wafer is partitioned by dividing lines and devices are formed in each of the partitioned regions. a wafer preparation step of preparing a wafer formed to a predetermined thickness and having a protective member attached to its surface; A die-bonding resin layer forming step of applying a resin to form a die-bonding resin layer having a desired thickness; a modified layer forming step of irradiating along the planned division line from the wafer to form a modified layer along the planned division line inside the wafer; and a wafer breaking step of breaking the wafer together with the die-bonding resin layer along the modified layer to form a device chip having the die-bonding resin layer.
前記ウェーハの加工方法において、該ダイボンド用樹脂層形成ステップの後で、該改質層形成ステップの前又は後に、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップを備え、該ウェーハ破断ステップでは、該エキスパンドテープを拡張して該ウェーハを破断しても良い。 In the wafer processing method, after the step of forming the die-bonding resin layer and before or after the step of forming the modified layer, the expanding tape is attached to the back surface of the wafer through the die-bonding resin layer. A bonding step may be provided, and in the wafer breaking step, the expanding tape may be expanded to break the wafer.
前記ウェーハの加工方法において、該改質層形成ステップでは、該エキスパンドテープ側から該ウェーハに該レーザー光線を照射しても良い。 In the wafer processing method, in the modified layer forming step, the wafer may be irradiated with the laser beam from the expand tape side.
前記ウェーハの加工方法において、該ウェーハ破断ステップでは、該ダイボンド用樹脂層を冷却して該ダイボンド用樹脂の破断を促進しても良い。 In the wafer processing method, in the wafer breaking step, the die-bonding resin layer may be cooled to promote breakage of the die-bonding resin.
本願発明は、デバイスチップの側面にダイボンド用樹脂が付着することを抑制することができるという効果を奏する。 ADVANTAGE OF THE INVENTION This invention produces the effect that it can suppress that the resin for die-bonding adheres to the side surface of a device chip.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 A form (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in configuration can be made without departing from the gist of the present invention.
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの加工方法により製造されたデバイスチップの斜視図である。図3は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
[Embodiment 1]
A wafer processing method according to
実施形態1に係るウェーハの加工方法は、図1に示すウェーハ1から図2に示すデバイスチップ2を製造する方法である。ウェーハの加工方法の加工対象であるウェーハ1は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板3を有する円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。
The wafer processing method according to the first embodiment is a method for
ウェーハ1は、図1に示すように、基板3の表面4が格子状に設定された分割予定ライン5で区画され、分割予定ライン5によって区画された各領域にデバイス6が形成されている。デバイス6は、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサである。
As shown in FIG. 1, the
実施形態1において、ウェーハ1は、分割予定ライン5に沿って個々のデバイス6毎に分割されて、図2に示すデバイスチップ2に個片化される。デバイスチップ2は、基板3の一部分と、基板3上のデバイス6と、基板3の裏面7側に積層されたダイボンド用樹脂層8と、を含み、側面10の厚み方向の中央に改質層9が形成されている。なお、ダイボンド用樹脂層8は、他のデバイスチップ2又は他の基板等にデバイスチップ2を固定するためのものである。改質層9とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層9は、ウェーハ1の他の部分よりも機械的な強度等が低い。
In
次に、実施形態1に係るウェーハの加工方法について説明する。実施形態1に係るウェーハの加工方法は、裏面7側に研削加工及び研磨加工が施されて所定の厚さに形成されたウェーハ1にダイボンド用樹脂層8を形成し、ウェーハ1を分割予定ライン5に沿って個々のデバイス6毎に分割しデバイスチップ2を製造する方法である。ウェーハの加工方法は、図3に示すように、ウェーハ準備ステップST1と、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2と、改質層形成ステップST3と、エキスパンドテープ貼着ステップST4と、ウェーハ破断ステップST5とを備える。
Next, a method for processing a wafer according to
(ウェーハ準備ステップ)
図4は、図3に示されたウェーハの加工方法のウェーハ準備ステップ後のウェーハを示す斜視図である。ウェーハ準備ステップST1は、研削加工及び研磨加工により所定の厚さ11に形成され、基板3の表面4側に保護部材であるBG(Back Grind)テープが貼着されたウェーハ1を準備するステップである。実施形態1では、BGテープ20は、ウェーハ1と同形の円板状に形成されている。
(wafer preparation step)
4 is a perspective view showing the wafer after the wafer preparation step of the wafer processing method shown in FIG. 3. FIG. The wafer preparation step ST1 is a step of preparing the
実施形態1において、ウェーハ準備ステップST1では、図4に示すように、周知のマウンタがウェーハ1と同径のBGテープ20を基板3の表面4側に貼着し、ウェーハ1の裏面7を研削する際にデバイス6が破損するのを防ぐ。ウェーハの加工方法は、ウェーハ準備ステップST1後、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2に進む。
In the first embodiment, in the wafer preparation step ST1, as shown in FIG. 4, a well-known mounter adheres a
(ダイボンド用樹脂層形成ステップ)
図5は、図3に示されたウェーハの加工方法のダイボンド用樹脂層形成ステップを模式的に示す断面図である。ダイボンド用樹脂層形成ステップST2は、BGテープ20が貼着された基板3の表面4と反対側のウェーハ1の基板3の裏面7に、液状のダイボンド用樹脂8-1を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層8を形成するステップである。
(Die-bonding resin layer forming step)
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a step of forming a die-bonding resin layer in the wafer processing method shown in FIG. In the die-bonding resin layer forming step ST2, a liquid die-bonding resin 8-1 is applied to the
ダイボンド用樹脂層形成ステップST2では、オペレータがBGテープ20を介してウェーハ1の基板3の表面4側を樹脂敷設装置30の保持テーブル31の保持面32に載置し、樹脂敷設装置30が、保持テーブル31の保持面32にBGテープ20を介してウェーハ1の基板3の表面4を吸引保持する。ダイボンド用樹脂層形成ステップST2では、樹脂敷設装置30が、保持テーブル31を軸心回りに回転しながら保持面32に沿って移動する塗布ノズル33から液状のダイボンド用樹脂8-1と高圧エアーを混合して噴霧する。
In the die-bonding resin layer forming step ST2, the operator places the
なお、実施形態1において、液状のダイボンド用樹脂8-1として、外的刺激として紫外線を照射することにより固化する紫外線硬化型接着剤を採用する。紫外線硬化型接着剤としては、例えば、Honghow Specialty Chemicals Inc.製の商品名「HP20VL」又は「ST20VL」を採用できる。なお、本発明では、液状のダイボンド用樹脂8-1として、外的刺激として所定の熱を付加することにより固化する銀充てんエポキシ樹脂接着剤、例えば、Ablestik Laboratories製の商品名「Ablebond 8200c」等を使用可能である。
In
ダイボンド用樹脂層形成ステップST2では、保持テーブル31を軸心回りに回転させながら塗布ノズル33から液状のダイボンド用樹脂8-1と高圧ガスとの混合物を噴射させながら塗布ノズル33を予め定められた所定回数保持面32に沿って移動させると、塗布ノズル33がウェーハ1上から退避したスタンバイ状態に戻され、液状のダイボンド用樹脂8-1の供給、高圧エアーの供給が停止され、保持テーブル31の回転も停止する。また、実施形態1では、一度に大量に噴霧することなく、上記したように一回の塗布処理を所定回数に限定することで、液状のダイボンド用樹脂8-1によって形成される薄膜層の厚みを3μm以上でかつ7μm以下になるようにしている。
In the die-bonding resin layer forming step ST2, the holding table 31 is rotated about its axis, and the mixture of the liquid die-bonding resin 8-1 and the high-pressure gas is sprayed from the
ウェーハ1の基板3の裏面7上に噴霧された液状のダイボンド用樹脂8-1が安定し若干硬化する時間をおいたり(例えば、30秒程度)紫外線を照射したりした後、再度、上記と同様の液状のダイボンド用樹脂8-1を塗布する処理を実行して、さらに液状のダイボンド用樹脂8-1の薄膜層を形成する。本発明では、薄膜層を形成する塗布処理の回数は、液状のダイボンド用樹脂8-1の最終的な厚さが10μm以上でかつ50μm以下となるような回数だけ実行されればよい。
The liquid die-bonding resin 8-1 sprayed onto the
実施形態1では、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2では、液状のダイボンド用樹脂8-1が塗布された基板3の裏面7側に対して、外的刺激を付加する手段としての紫外線照射手段から紫外線を照射し硬化することで、ウェーハ1の基板3の裏面7側にダイボンド用樹脂層8を形成する。なお、本発明では、液状のダイボンド用樹脂8-1として熱硬化型樹脂を採用した場合は、紫外線の照射に替えて、ヒータ等による加熱を実行して液状のダイボンド用樹脂8-1を硬化し、ウェーハ1の基板3の裏面7にダイボンド用樹脂層8を形成しても良い。ウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2後、改質層形成ステップST3に進む。
In the first embodiment, in the die-bonding resin layer forming step ST2, ultraviolet light is emitted from the ultraviolet irradiation means as a means for applying an external stimulus to the
(改質層形成ステップ)
図6は、図3に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。改質層形成ステップST3は、ウェーハ1及びダイボンド用樹脂層8とに対して透過性を有する波長(実施形態では、1064nm)のレーザー光線44を、ダイボンド用樹脂層8を介してウェーハ1の基板3の裏面7側から分割予定ライン5に沿って照射し、ウェーハ1の基板3の内部に分割予定ライン5に沿った改質層9を形成するステップである。
(Modified layer forming step)
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a modified layer forming step of the wafer processing method shown in FIG. In the modified layer forming step ST3, a
改質層形成ステップST3では、オペレータがBGテープ20を介してウェーハ1の基板3の表面4側をレーザー加工装置40のチャックテーブル41の保持面42に載置し、レーザー加工装置40が、チャックテーブル41の保持面42にBGテープ20を介してウェーハ1の基板3の表面4を吸引保持する。
In the modified layer forming step ST3, the operator places the
改質層形成ステップST3では、レーザー加工装置40が、チャックテーブル41とレーザー光線照射ユニット43とを分割予定ライン5に沿って相対的に移動させながら、図6に示すように、レーザー光線照射ユニット43の集光点44-1を基板3の内部に設定して、パルス状のレーザー光線44を分割予定ライン5に沿って照射する。実施形態1において、改質層形成ステップST3では、レーザー加工装置40が、チャックテーブル41に吸引保持されたウェーハ1に対してレーザー光線照射ユニット43を図6中に点線で示す位置から図6中に実線で示す位置に向かうように、チャックテーブル41を移動させながらレーザー光線44を照射する。
In the modified layer forming step ST3, the laser
改質層形成ステップST3では、レーザー光線44がウェーハ1に対して透過性を有する波長を有するために、図6に示すように、基板3の内部に分割予定ライン5に沿って改質層9を形成する。
In the modified layer forming step ST3, since the
改質層形成ステップST3では、全ての分割予定ライン5に沿って基板3の内部に改質層9を形成すると、レーザー光線44の照射、チャックテーブル41の吸引保持を解除して、エキスパンドテープ貼着ステップST4に進む。
In the modified layer forming step ST3, once the modified
(エキスパンドテープ貼着ステップ)
図7は、図3に示されたウェーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着ステップにおいて、ウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着する状態を示す断面図である。図8は、図3に示されたウェーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着ステップにおいて、ウェーハの表面側からBGテープを剥がした状態を示す断面図である。
(Expansion tape attachment step)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which an expanding tape is attached to the rear surface of the wafer in the expanding tape attaching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which the BG tape is peeled off from the front surface side of the wafer in the expanding tape attaching step of the wafer processing method shown in FIG.
エキスパンドテープ貼着ステップST4は、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2の後で、改質層形成ステップST3の後に、ダイボンド用樹脂層8を介してウェーハ1の基板3の裏面7側に伸縮性を有するエキスパンドテープ12を貼着するステップである。なお、エキスパンドテープ12は、合成樹脂により構成された基材層と、基材層に積層された粘着層とを有し、硬化したダイボンド用樹脂層8よりも伸縮性が高い。また、実施形態1において、エキスパンドテープ12は、ウェーハ1の外径よりも大径な円板状に形成されている。
The expanding tape attaching step ST4 is performed after the die-bonding resin layer forming step ST2 and after the modified layer forming step ST3. This is the step of attaching the expanding
エキスパンドテープ貼着ステップST4では、マウンタ50が、BGテープ20を介してウェーハ1の基板3の表面4側と、内径がウェーハ1の外径よりも大径なリング状の環状フレーム13とを保持テーブル51の保持面52上に保持する。なお、マウンタ50は、保持テーブル51の保持面52上にウェーハ1と環状フレーム13とが同軸となる位置に保持する。エキスパンドテープ貼着ステップST4では、マウンタ50が、図7に示すように、エキスパンドテープ12を環状フレーム13及びウェーハ1の基板3の裏面7側に送り出すとともに、ウェーハ1の裏面7に沿って移動するローラ53でエキスパンドテープ12を環状フレーム13及びウェーハ1の裏面7側に押し付けて、密着させて貼着する。
In the expanding tape attaching step ST4, the
エキスパンドテープ貼着ステップST4では、マウンタ50が、エキスパンドテープ12を環状フレーム13及びウェーハ1の裏面7側に貼着した後、図8に示すように、BGテープ20をウェーハ1の基板3の表面4側から剥がす。ウェーハの加工方法は、エキスパンドテープ貼着ステップST4後、ウェーハ破断ステップST5に進む。
In the expanding tape attaching step ST4, the
(ウェーハ破断ステップ)
図9は、図3に示されたウェーハの加工方法の分割ステップにおいて、ウェーハを分割装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。図10は、図3に示されたウェーハの加工方法の分割ステップにおいて、ウェーハを個々のデバイスチップに分割した状態を模式的に示す断面図である。
(Wafer breaking step)
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the wafer is held by the dividing device in the dividing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the wafer is divided into individual device chips in the dividing step of the wafer processing method shown in FIG.
ウェーハ破断ステップST5は、改質層9が形成されたウェーハ1を面方向に拡張し、改質層9に沿ってダイボンド用樹脂層8とともにウェーハ1を破断し、ダイボンド用樹脂層8を備えるデバイスチップ2を形成するステップである。ウェーハ破断ステップST5では、基板3の表面4側を上方に向けた状態で、破断装置60が、クランプ部61で環状フレーム13を挟み込んで、ウェーハ1を固定する。このとき、図9に示すように、破断装置60は、円筒状の拡張ドラム62をエキスパンドテープ12のウェーハ1と環状フレーム13との間の領域に当接させておく。拡張ドラム62は、環状フレーム13の内径より小さくウェーハ1の外径より大きい内径および外径を有し、クランプ部61により固定される環状フレーム13と同軸となる位置に配置される。
In the wafer breaking step ST5, the
また、実施形態1において、ウェーハ破断ステップST5では、ウェーハ1の基板3の裏面7にダイボンド用樹脂層8及びエキスパンドテープ12を介して冷却板63を接触させておくとともに、クランプ部61、拡張ドラム62及び冷却板63を図示しない冷却チャンバー内に収容しておく。なお、本発明では、冷却板63を設けずに、クランプ部61、及び拡張ドラム62を図示しない冷却チャンバー内に収容しなくても良い。
Further, in the first embodiment, in the wafer breaking step ST5, the cooling
実施形態1において、ウェーハ破断ステップST5では、冷却板63がエキスパンドテープ12を介してダイボンド用樹脂層8を冷却するとともに、冷却チャンバー内を冷却して、ダイボンド用樹脂層8を冷却する。ウェーハ破断ステップST5では、図10に示すように、破断装置60がクランプ部61を下降させる。すると、エキスパンドテープ12が拡張ドラム62に当接しているために、エキスパンドテープ12が面方向に拡張される。ウェーハ破断ステップST5では、拡張の結果、エキスパンドテープ12は、放射状の引張力が作用する。
In the first embodiment, in the wafer breaking step ST5, the cooling
このようにウェーハ1の基板3の裏面207側に貼着されたエキスパンドテープ12に放射状に引張力が作用すると、ウェーハ1が、改質層形成ステップST3において、分割予定ライン5に沿った改質層9が形成されているために、改質層9を破断起点にして個々のデバイス6毎に分割され、個々のデバイスチップ2毎に個片化されるとともに、ウェーハ1が改質層9に沿って破断されるために、ダイボンド用樹脂層8も改質層9に沿って破断する。
When a tensile force acts radially on the expanding
なお、実施形態1では、ウェーハ破断ステップST5において、クランプ部61を下降させてエキスパンドテープ12を拡張したが、本発明は、これに限定されることなく、拡張ドラム62を上昇させても良く、要するに、拡張ドラム62をクランプ部61に対して相対的に上昇させ、クランプ部61を拡張ドラム62に対して相対的に下降させれば良い。こうして、実施形態1では、ウェーハ破断ステップST5において、エキスパンドテープ12を拡張して、ウェーハ1を破断する。
In the first embodiment, the clamping
また、実施形態1において、ダイボンド用樹脂層8を冷却して、ダイボンド用樹脂層8の破断を促進する。ウェーハの加工方法は、分割予定ライン5に沿ってウェーハ1を分割すると、終了する。
Further, in
以上説明したように、実施形態1に係るウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2において液状のダイボンド用樹脂8-1を塗布後に、改質層形成ステップST3においてレーザー光線44をダイボンド用樹脂層8越しに基板3の内部に集光点44-1を設定して照射し、ウェーハ1の基板3の内部に改質層9を形成する。このために、ウェーハの加工方法は、デバイスチップ2に分割した後に貼着したDAFをレーザー加工により分割する際のアライメント等のように所要時間が長時間化することを抑制できる。また、ウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂8-1を硬化させた後にウェーハ1を破断するので、デバイスチップ2の側面10に液状のダイボンド用樹脂8-1が付着することを抑制することができるという効果も奏する。
As described above, in the wafer processing method according to the first embodiment, after the liquid die bonding resin 8-1 is applied in the die bonding resin layer forming step ST2, the
さらには、実施形態1に係るウェーハの加工方法は、切削ブレードを用いた切削加工によってウェーハ1をデバイスチップ2に分割するのに比べ、レーザー光線44を照射して基板3の内部に改質層9を形成する加工のため、分割予定ライン5を狭くでき、高速加工のため加工時間の短縮も可能となる。
Furthermore, in the wafer processing method according to the first embodiment, compared to dividing the
また、実施形態1に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ1の基板3の裏面7に凹凸があっても、裏面7に液状のダイボンド用樹脂8-1を塗布するので、液状のダイボンド用樹脂8-1が硬化して形成されるダイボンド用樹脂層8の表面が平坦化される。その結果、ウェーハの加工方法は、ウェーハ1の裏面7の凹凸によるレーザー光線44の乱反射を抑制でき、改質層9を形成することができる。
Further, in the wafer processing method according to the first embodiment, even if the
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図11は、実施形態2に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図12は、図11に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。なお、図11及び図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 2]
A wafer processing method according to
実施形態2に係るウェーハの加工方法は、図11に示すように、ウェーハ準備ステップST1と、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2と、エキスパンドテープ貼着ステップST4-2と、改質層形成ステップST3-2と、ウェーハ破断ステップST5とを備える。 The wafer processing method according to the second embodiment includes, as shown in FIG. 11, a wafer preparation step ST1, a die-bonding resin layer forming step ST2, an expanding tape attaching step ST4-2, and a modified layer forming step ST3-. 2 and a wafer breaking step ST5.
エキスパンドテープ貼着ステップST4-2は、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2の後で、改質層形成ステップST3-2の前に、ダイボンド用樹脂層8を介してウェーハ1の基板3の裏面7側にエキスパンドテープ12を貼着するステップである。エキスパンドテープ貼着ステップST4-2は、改質層9が形成される前のウェーハ1の基板3の裏面7側にエキスパンドテープ12を貼着すること以外、実施形態1に係るエキスパンドテープ貼着ステップST4と同じある。実施形態2では、ウェーハの加工方法は、エキスパンドテープ貼着ステップST4-2後、改質層形成ステップST3-2に進む。
The expanding tape attaching step ST4-2 is performed after the die-bonding resin layer forming step ST2 and before the modified layer forming step ST3-2. It is a step of sticking the expanding
改質層形成ステップST3-2は、実施形態1に係る改質層形成ステップST3と同様に、ウェーハ1に対して透過性を有する波長のレーザー光線44を、エキスパンドテープ12とダイボンド用樹脂層8を介してウェーハ1の基板3の裏面7側から分割予定ライン5に沿って照射し、ウェーハ1の基板3の内部に分割予定ライン5に沿った改質層9を形成するステップである。また、改質層形成ステップST3-2では、図12に示すように、レーザー加工装置40が、チャックテーブル41の保持面42にポーラスシート14を介してウェーハ1の基板3の表面4を吸引保持し、チャックテーブル41とレーザー光線照射ユニット43とを分割予定ライン5に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット43の集光点44-1を基板3の内部に設定して、パルス状のレーザー光線44を分割予定ライン5に沿って照射する。
In the modified layer forming step ST3-2, similarly to the modified layer forming step ST3 according to the first embodiment, a
このように、実施形態2において、改質層形成ステップST3-2では、エキスパンドテープ12側からウェーハ1にレーザー光線44を照射して、基板3の内部に分割予定ライン5に沿った改質層9を形成する。改質層形成ステップST3-2では、全ての分割予定ライン5に沿って基板3の内部に改質層9を形成すると、レーザー光線21の照射、チャックテーブル41の吸引保持を解除して、ウェーハ破断ステップST5に進む。
As described above, in
実施形態2に係るウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂層形成ステップST2において液状のダイボンド用樹脂8-1を塗布後に、改質層形成ステップST3においてレーザー光線44をエキスパンドテープ12及びダイボンド用樹脂層8越しに基板3の内部に集光点44-1を設定して照射し、ウェーハ1の基板3の内部に改質層9を形成する。このために、ウェーハの加工方法は、デバイスチップ2に分割した後に貼着したDAFをレーザー加工により分割する際のアライメント等のように所要時間が長時間化することを抑制できる。また、ウェーハの加工方法は、デバイスチップ2の側面10に液状のダイボンド用樹脂8-1が付着することを抑制することができるという効果も奏する。
In the wafer processing method according to the second embodiment, after the liquid die bonding resin 8-1 is applied in the die bonding resin layer forming step ST2, the
実施形態2に係るウェーハの加工方法は、実施形態1に比べ、改質層9の形成前にウェーハ1をエキスパンドテープ12に貼り替えているので、エキスパンドテープ12に貼り替え工程でデバイスチップ2同士がこすれて欠けが発生する恐れがないという効果がある。
In the wafer processing method according to the second embodiment, unlike the first embodiment, the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
1 ウェーハ
2 デバイスチップ
4 表面
5 分割予定ライン
6 デバイス
7 裏面
8 ダイボンド用樹脂層
8-1 液状のダイボンド用樹脂
9 改質層
11 所定の厚さ
12 エキスパンドテープ
20 BGテープ(保護部材)
44 レーザー光線
ST1 ウェーハ準備ステップ
ST2 ダイボンド用樹脂層形成ステップ
ST3,ST3-2 改質層形成ステップ
ST4,ST4-2 エキスパンドテープ貼着ステップ
ST5 ウェーハ破断ステップ
REFERENCE SIGNS
44 Laser beam ST1 Wafer preparation step ST2 Die bonding resin layer forming step ST3, ST3-2 Modified layer forming step ST4, ST4-2 Expanding tape attaching step ST5 Wafer breaking step
Claims (4)
所定の厚さに形成され表面に保護部材が貼着されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
該保護部材が貼着された面と反対側のウェーハの裏面に、液状のダイボンド用樹脂を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成ステップと、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層が形成されたウェーハを面方向に拡張し、該改質層に沿って該ダイボンド用樹脂層とともにウェーハを破断し、ダイボンド用樹脂層を備えるデバイスチップを形成するウェーハ破断ステップと、を備えるウェーハの加工方法。 A wafer processing method in which the surface of the wafer is partitioned by dividing lines and devices are formed in each of the partitioned regions,
a wafer preparation step of preparing a wafer having a predetermined thickness and having a protective member attached to the surface thereof;
A die-bonding resin layer forming step of applying a liquid die-bonding resin to the back surface of the wafer opposite to the surface to which the protective member is attached to form a die-bonding resin layer having a desired thickness;
A laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is irradiated from the back side of the wafer through the die-bonding resin layer along the planned division line, and the inside of the wafer is reformed along the planned division line. a modified layer forming step of forming a modified layer;
a wafer breaking step of expanding the wafer on which the modified layer is formed in the planar direction, breaking the wafer along with the die bonding resin layer along the modified layer, and forming a device chip provided with the die bonding resin layer; A method of processing a wafer comprising:
該ウェーハ破断ステップでは、該エキスパンドテープを拡張して該ウェーハを破断する請求項1に記載のウェーハの加工方法。 After the die-bonding resin layer forming step and before or after the modified layer forming step, an expanding tape attaching step of attaching an expanding tape to the back side of the wafer via the die-bonding resin layer,
2. The method of processing a wafer according to claim 1, wherein said wafer breaking step expands said expandable tape to break said wafer.
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