JP7188321B2 - 光吸収構造体及び光吸収構造体の製造方法 - Google Patents
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基材と、
前記基材に形成された窒化チタン膜と、
前記窒化チタン膜上に形成された複数の窒化チタンの柱状部と、
を備えたものである。
窒化チタン膜が形成された基材を固定したホルダを傾斜した状態で回転させ、前記窒化チタン膜の表面にチタンを付着させ柱状部を形成する形成工程と、
前記チタンの柱状部をアンモニア中で600℃以上900℃以下の範囲で熱処理し窒化チタンの柱状部とする窒化処理工程と、を含むものである。
本開示の光吸収構造体は、基材と、基材に形成された窒化チタン膜と、窒化チタン膜上に形成された複数の窒化チタンの柱状部と、を備えたものである。基材は、窒化チタン膜を支持する部材であり、化学的安定性と機械的強度とを有するものであれば特に限定されず、例えば、ガラス、高分子及び金属のうち1以上からなるものとしてもよい。ガラスとしては、例えば石英ガラスやホウケイ酸ガラスなどが挙げられる。高分子としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどが挙げられる。金属としては、例えば、鉄、銅、アルミニウムなどが挙げられる。また、基材は、窒化チタンで形成されるものとしてもよい。基材の厚さは、例えば、表面積の大きさや柱状部の数に合わせて選択されればよいが、10μm以上としてもよいし1cm以下の範囲としてもよい。
本開示の製造方法は、形成工程と、窒化処理工程とを含む。形成工程では、窒化チタン膜が形成された基材を固定したホルダを傾斜した状態で回転させ、窒化チタン膜の表面にチタンを付着させて柱状部を形成する処理を行う。この形成工程では、上記光吸収構造体で説明した構造となるように、材質や大きさなどを適宜選択して行うことができる。窒化チタン膜が形成されていない基材を用いる場合、柱状部の形成の前に、基材の表面へ窒化チタン膜を形成する処理を行うものとしてもよい。基材上への窒化チタン膜の形成は、例えば、スパッタ製膜や、電子ビーム(EB)蒸着、CVD法などの手法により行うことができる。また、窒化チタン膜が形成された基材を用いる場合、そのまま柱状部を窒化チタン膜上に形成すればよい。柱状部の形成は、例えば、EB蒸着や、スパッタ成膜、CVD法などの手法により行うことができる。このうち、EB蒸着がより好ましい。ホルダの傾斜は、例えば、ホルダの中心軸に対する、基材の中心と原料の基材に近い端部とを接続した線がなす角度θとして表すことができる(図2参照)。この角度θは、60°以上90°未満の範囲のいずれかとすることができ、68°以上88°以下の範囲としてもよい。図3は、ピラー形状の柱状部23を有する光吸収構造体20を製造する光吸収構造体製造装置30の一例を示す説明図である。この構造体製造装置30は、基材21を固定するホルダ31と、チタンを含む原料32を収容する収容部33と、これらを収容するチャンバ34と、原料32を飛翔させる図示しない形成部とを備えている。EB蒸着を行う場合、形成部は電子銃とすればよい。
シリコン基板を基材として用い、この基材上にスパッタによって窒化チタン膜を100nm成膜した。スパッタ条件は、ターゲットをTi、スパッタガスを5.9体積%の窒素を含むArガス、ガス圧を0.3Pa、電力500W、スパッタ時間を13分50秒とした。次に、図2に示す構造体製造装置を用い、窒化チタン膜を形成した基材を固定したホルダをθ=85.4°に傾けた状態で配置し、このホルダを4.6rpmの速度で自転させながら電子ビーム(EB)蒸着によってTiを窒化チタン膜上に形成した。蒸着装置は、キヤノンアネルバ社製L-45E型を用いた。成膜速度は、0.2nm/secであった。300nmの柱状部が形成された時点で蒸着を終了し、Tiのピラー状の柱状部が密集して形成された構造体を得た。続いて、このTiの柱状体が形成された構造体をアンモニア雰囲気中、800℃、1時間熱処理し、Tiを窒化チタン化し、得られた光吸収構造体を実験例1とした。
作製した光吸収構造体に対して、走査型電子顕微鏡(SEM,HITACHI社製FE5500)を用いて微細構造の観察を行った。SEM観察は、観察条件として加速電圧10kVで5万倍~10万倍の範囲とした。また、真上から観察したSEM画像を用いて、面積比による柱状部の密度(%)を求めた。柱状部の密度は、SEM画像をImageJで画像処理し、窒化チタン膜の領域と柱状部の領域とを二値化して分離し、その面積比から求めた。
作製した光吸収構造体に対して、光吸収特性を評価した。測定は、島津製作所製、紫外・可視・近赤外分光光度計UV-3600・ISR-3100により、200nm~10000nmの波長域にて試料を測定することにより、反射率および透過率を測定することで光吸収率及び熱放射率を求めた。
下記の数式(1)、(2)を用いて太陽光吸収率αと熱放射率εの柱状部高さおよび柱状部の密度依存性を検討した。表1に示す柱状部の高さ(nm)と面積比での柱状部の密度としたものを実験例2~10とした。なお、式中のIsolar(λ)は、太陽光スペクトルであり、IBB(λ)は、黒体輻射スペクトルである。
表1に実験例1~10の柱状部の高さL(nm)柱状部の密度(%)、波長200nm~1500nmでの平均吸収率(%)、波長4μm~10μmでの平均熱放射率(%)をまとめて示した。図3は、実験例1の光吸収構造体のSEM写真であり、図3Aが真上からの画像、図3Bが斜め30°の画像である。図4は、実験例1の光吸収構造体の光吸収率及び熱放射率の測定結果である。図5は、実験例1~6の柱状部高さLと光吸収及び熱放射との関係図である。図6は、実験例1、7~10の柱状部密度と光吸収及び熱放射との関係図である。図3に示すように、ホルダを傾斜した状態で回転させ、基材に形成された窒化チタン膜の上にTiをEB蒸着させると直径Dが10nmである円柱体が密度高く形成された構造体が得られることがわかった。また、X線回折測定を行ったところ、窒化チタンの回折ピークが確認されたため、アンモニア中の熱処理により、チタンの柱状部が窒化され、窒化チタンの柱状部が得られていることが確認された。また、図4に示すように、窒化チタンの柱状体を多数形成した構造体は、200nm~1500nmの波長の光吸収率が平均90%を超えており、4μm~10μmの波長の熱放射率が平均35%を下回っており、1500nm以下ではより広い範囲の波長をより高く吸収でき、4μm以上の波長では熱放射をより抑制することができ、光吸収特性が好適であることがわかった。
Claims (6)
- 基材と、
前記基材に形成された窒化チタン膜と、
前記窒化チタン膜上に形成された複数の窒化チタンの柱状部と、を備え、
前記柱状部は、高さが200nm以上1000nm以下の範囲であり、面積比による密度が40%以上95%以下の範囲であり、直径が5nm以上200nm以下の範囲である、光吸収構造体。 - 波長200nm以上1500nmの波長範囲において平均吸収率が80%以上を示す、請求項1に記載の光吸収構造体。
- 波長4μm以上10μm以下の波長範囲において平均熱放射率が35%以下を示す、請求項1又は2に記載の光吸収構造体。
- 前記基材は、ガラス、高分子及び金属のうち1以上からなる、請求項1~3のいずれか1項に記載の光吸収構造体。
- 窒化チタン膜が形成された基材を固定したホルダを傾斜した状態で回転させ、前記窒化
チタン膜の表面にチタンを付着させて柱状部を形成する形成工程と、
前記チタンの柱状部をアンモニア中で600℃以上900℃以下の範囲で熱処理し窒化チタンの柱状部とする窒化処理工程と、
を含む光吸収構造体の製造方法。 - 前記形成工程では、チタンを含む原料に対して60°以上90°未満の角度で前記基材を傾けて前記ホルダを回転する、請求項5に記載の光吸収構造体の製造方法。
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Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NISHIKAWA, Kazutaka and YATSUGI, Kenichi,Black vanadium moth-eye structure fabricated by oblique deposition for solar light absorption,Applied Physics Express,日本,The Japan Society of Applied Physics,2019年03月27日,vol. 12,045006-1~045006-4,https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab0da0 |
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