JP7188199B2 - 誤差処理装置、荷電粒子線装置、誤差処理方法およびプログラム - Google Patents
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Description
試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線装置によって得られる結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を処理する装置であって、
前記載置面上に載置され、前記載置面に対する結晶の方位が既知である参照試料の前記方位と、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における結晶の方位情報とに基づいて求められた、前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を取得する方位誤差取得部と、
前記誤差に関する情報を処理する方位誤差処理部と、を備えることを特徴とする。
試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線装置によって得られる結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を処理する方法であって、
(a)前記載置面上に載置され、前記載置面に対する結晶の方位が既知である参照試料の前記方位と、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における結晶の方位情報とに基づいて求められた、前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を取得するステップと、
(b)前記誤差に関する情報を処理するステップと、を備えることを特徴とする。
試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、コンピュータによって、前記荷電粒子線装置によって得られる結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を処理するプログラムであって、
前記コンピュータに、
(a)前記載置面上に載置され、前記載置面に対する結晶の方位が既知である参照試料の前記方位と、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における結晶の方位情報とに基づいて求められた、前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を取得するステップと、
(b)前記誤差に関する情報を処理するステップと、を実行させることを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態に係る誤差処理装置を備えた荷電粒子線装置の概略構成を示す図である。本発明の一実施形態に係る誤差処理装置10は、試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置100に用いられ、荷電粒子線装置100によって得られる結晶の方位情報が有する誤差に関する情報を処理する装置である。
本発明の一実施形態に係る荷電粒子線装置100は、誤差処理装置10および本体部20を備えるものである。本発明の実施の形態に係る誤差処理装置を備えた荷電粒子線装置の構成について、さらに具体的に説明する。
次に、本発明の一実施形態に係る誤差処理装置の動作について図7を用いて説明する。図7は、本発明の一実施形態に係る誤差処理装置の動作を示すフロー図である。以降に示す実施形態では、SEMを用いる場合を例に説明する。
1a.方位情報取得部
1b.方位誤差算出部
2.方位誤差処理部
2a.方位誤差出力部
2b.方位誤差判定部
3.補正部
4.補正方位情報出力部
10.誤差処理装置
20.本体部
30.表示装置
40.入力装置
100.荷電粒子線装置
200.SEM
300.TEM
500.コンピュータ
CB.荷電粒子線
Claims (16)
- 試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線装置によって得られる結晶の方位情報が有する誤差情報を処理する装置であって、
前記載置面上に載置され、前記載置面に対する結晶の方位が既知である参照試料の前記方位と、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における結晶の方位情報とに基づいて求められた、前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報が有する誤差情報を取得する方位誤差取得部と、
前記誤差情報を処理する方位誤差処理部と、
前記方位誤差取得部によって取得された前記誤差情報に基づいて、前記荷電粒子線装置によって測定された前記試料の表面における結晶の方位情報の補正を行う補正部と、を備える、
誤差処理装置。 - 前記方位誤差処理部は、方位誤差出力部を有し、
前記方位誤差出力部は、前記方位誤差取得部によって取得された前記誤差情報を外部の表示装置に表示されるよう出力する、
請求項1に記載の誤差処理装置。 - 前記方位誤差処理部は、方位誤差判定部を有し、
前記方位誤差判定部は、前記方位誤差取得部によって取得された前記誤差情報に基づいて、前記荷電粒子線装置によって測定される前記試料の表面における結晶の方位情報の補正を行うかどうかを判定する、
請求項1または請求項2に記載の誤差処理装置。 - 前記方位誤差取得部は、方位情報取得部および方位誤差算出部を有し、
前記方位情報取得部は、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報を取得し、
前記方位誤差算出部は、前記参照試料の前記方位と、前記方位情報取得部によって取得された前記方位情報とに基づき、前記誤差情報を算出する、
請求項1から請求項3までのいずれかに記載の誤差処理装置。 - 前記補正部によって補正された後の、前記試料の表面における結晶の方位情報を外部の表示装置に表示されるよう出力する補正方位情報出力部をさらに備える、
請求項1から請求項4までのいずれかに記載の誤差処理装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれかに記載の誤差処理装置を備えた、
荷電粒子線装置。 - 試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線装置によって得られる結晶の方位情報が有する誤差情報を処理する方法であって、
(a)前記載置面上に載置され、前記載置面に対する結晶の方位が既知である参照試料の前記方位と、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における結晶の方位情報とに基づいて求められた、前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報が有する誤差情報を取得するステップと、
(b)前記誤差情報を処理するステップと、
(c)前記(a)のステップで取得された前記誤差情報に基づいて、前記荷電粒子線装置によって測定された前記試料の表面における結晶の方位情報の補正を行うステップと、を備える、
誤差処理方法。 - 前記(b)のステップにおいて、前記(a)のステップで取得された前記誤差情報を外部の表示装置に表示されるよう出力する、
請求項7に記載の誤差処理方法。 - 前記(b)のステップにおいて、前記(a)のステップで取得された前記誤差情報に基づいて、前記荷電粒子線装置によって測定される前記試料の表面における結晶の方位情報の補正を行うかどうかを判定する、
請求項7または請求項8に記載の誤差処理方法。 - 前記(a)のステップにおいて、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報を取得し、前記参照試料の前記方位と、前記方位情報取得部によって取得された前記方位情報とに基づき、前記誤差情報を算出する、
請求項7から請求項9までのいずれかに記載の誤差処理方法。 - (d)前記(c)のステップで補正された後の、前記試料の表面における結晶の方位情報を外部の表示装置に表示されるよう出力するステップをさらに備える、
請求項7から請求項10までのいずれかに記載の誤差処理方法。 - 試料台の載置面上に載置された試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、コンピュータによって、前記荷電粒子線装置によって得られる結晶の方位情報が有する誤差情報を処理するプログラムであって、
前記コンピュータに、
(a)前記載置面上に載置され、前記載置面に対する結晶の方位が既知である参照試料の前記方位と、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における結晶の方位情報とに基づいて求められた、前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報が有する誤差情報を取得するステップと、
(b)前記誤差情報を処理するステップと、
(c)前記(a)のステップで取得された前記誤差情報に基づいて、前記荷電粒子線装置によって測定された前記試料の表面における結晶の方位情報の補正を行うステップと、を実行させる、
プログラム。 - 前記(b)のステップにおいて、前記(a)のステップで取得された前記誤差情報を外部の表示装置に表示されるよう出力する、
請求項12に記載のプログラム。 - 前記(b)のステップにおいて、前記(a)のステップで取得された前記誤差情報に基づいて、前記荷電粒子線装置によって測定される前記試料の表面における結晶の方位情報の補正を行うかどうかを判定する、
請求項12または請求項13に記載のプログラム。 - 前記(a)のステップにおいて、前記荷電粒子線装置によって測定された前記参照試料の表面における前記結晶の方位情報を取得し、前記参照試料の前記方位と、前記方位情報取得部によって取得された前記方位情報とに基づき、前記誤差情報を算出する、
請求項12から請求項14までのいずれかに記載のプログラム。 - (d)前記(c)のステップで補正された後の、前記試料の表面における結晶の方位情報を外部の表示装置に表示されるよう出力するステップをさらに備える、
請求項12から請求項15までのいずれかに記載のプログラム。
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JP2006194743A (ja) | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Canon Inc | 結晶方位測定方法およびそれに用いる試料ホルダー |
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