JP7172951B2 - 半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハの選別方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents

半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハの選別方法及びデバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハの選別方法及びデバイスの製造方法に関する。
昨今、デバイス製造工程のＣＭＰ工程において、研磨後の膜厚ムラが発生する残膜異常が報告されている。主な要因はウェーハ製造工程のスライス工程における、ワイヤーソーのインゴット切断方向に発生する特徴的なうねり形状と想定されている。特徴的なうねり形状が存在する場合、ウェーハの凸部分と凹部分とで研磨取代に差が生じるため、結果として研磨後の膜厚ムラが発生する。
特開２００４－２０２８６号公報
デバイス製造工程で残膜異常となるようなうねり形状を有するウェーハを選別するためには、ワイヤーソーのスライス切断方向を特定することが必要であるが、現状その方法は確立されていない。そこでナノトポグラフィによる選別を試みたが、ナノトポグラフィはウェーハ全面の微小な凹凸を一つの数値で表すにとどまってしまうため、スライス切断方向を特定することができなかった。
また、特許文献１にはウェーハ全面の直径方向の微分形状を用いて表面形状を評価する方法が公開されているが、ウェーハの形状品質を従来のＳＦＱＲ等とは異なる観点から、半導体ウェーハの形状、特にウェーハ外周部の形状を定量的に評価することを目的にしたもので、特徴的なうねり形状を検出するために必要な、スライス切断方向を特定することができない。
そのため、ナノトポグラフィや従来のウェーハの形状の評価に代わる、スライス工程に起因した特徴的なうねり形状を効果的に検出、評価し、さらに選別できる手法の開発が必要とされている。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、スライス切断方向を高精度で容易に特定し、デバイス製造工程での不良発生に影響を与える、スライス工程に起因した特徴的なうねり形状を効果的に検出、評価できる、半導体ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、半導体ウェーハの評価方法であって、半導体ウェーハとして鏡面研磨ウェーハを用い、ウェーハ形状測定機により前記鏡面研磨ウェーハの全面の厚さ方向の形状を測定して形状測定データを得る工程と、前記鏡面研磨ウェーハの全面の形状測定データから、直径方向の形状測定データを抽出し、前記抽出した前記直径方向の形状測定データを一定のピッチとした点で１階又は２階微分して前記直径方向の形状測定データの微分プロファイルを取得することを、一定の回転角度毎に前記鏡面研磨ウェーハの全面に渡って行い、前記取得したすべての前記直径方向の形状測定データの微分プロファイルを比較して、最大微分値を含む前記微分プロファイルの直径方向を前記鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向と特定する工程と、前記特定したスライス切断方向と、前記特定したスライス切断方向に直交する方向を座標軸とする直交座標を設定し、前記特定したスライス切断方向をｙ方向、前記特定したスライス切断方向に直交する方向をｘ方向としたときに、前記ｘ方向の一定の間隔毎に、前記ｙ方向の形状測定データを一定のピッチで１階又は２階微分し、前記ｘ方向の一定の間隔と前記ｙ方向の一定の間隔によるｘ－ｙグリッドを形成し、ｘ－ｙグリッドデータを取得する工程と、前記鏡面研磨ウェーハの前記ｙ方向について、前記鏡面研磨ウェーハの中心を含む中間部領域と、前記中間部領域より外側の上端側領域及び下端側領域を設定し、前記取得した前記ｘ－ｙグリッドデータから、前記鏡面研磨ウェーハの前記中間部領域における最大微分値と、前記鏡面研磨ウェーハの前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値を求める工程と、前記中間部領域と前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値に基づいて、デバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を判定する工程とを有する半導体ウェーハの評価方法を提供する。
このような半導体ウェーハの評価方法によれば、簡便な方法で精度高くスライス切断方向を特定でき、特定したスライス切断方向に基づいて、スライス工程に起因した特徴的なうねり形状の影響によるデバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を、高い精度で簡便に判定することができる。
このとき、前記直径方向の形状測定データの抽出及び前記微分プロファイルの取得を、０．５～１０°の間隔の一定の回転角度毎に行う半導体ウェーハの評価方法とすることができる。
これにより、より高い精度でかつ効率的に、鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向を特定することができる。
このとき、前記ｘ－ｙグリッドにおける前記ｘ方向と前記ｙ方向の前記一定の間隔を、０．５～２ｍｍとする半導体ウェーハの評価方法とすることができる。また、前記ｘ－ｙグリッドにおける前記ｙ方向の前記一定のピッチを、２～１０ｍｍとする半導体ウェーハの評価方法とすることができる。
これにより、より効果的にかつ効率的に、デバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を、高い精度で簡便に判定することができる。
このとき、前記ウェーハ形状測定機として、フラットネス形状測定機又はナノトポグラフィ測定機を用いる半導体ウェーハの評価方法とすることができる。
これにより、簡便かつ高い測定速度で、より高精度の形状測定データを取得することができる。
このとき、前記デバイス製造工程における不良を、残膜異常とする半導体ウェーハの評価方法とすることができる。
これにより、デバイス製造工程における品質不良を防止でき、残膜異常による歩留まり低下を効果的に抑制することができる。
このとき、上記半導体ウェーハの評価方法により不良発生の可能性が無いと判定された前記鏡面研磨ウェーハを良品として選別する工程をさらに有する半導体ウェーハの選別方法とすることができる。
これにより、不良発生の可能性の高いウェーハを排除することができるため、デバイス製造工程における歩留まりを向上することができる。
このとき、上記半導体ウェーハの選別方法により良品として選別された前記鏡面研磨ウェーハを用いてデバイスを作製するデバイスの製造方法とすることができる。
これにより、より高品質なデバイスを高い歩留まりで製造することができる。
以上のように、本発明の半導体ウェーハの評価方法によれば、簡便な方法で精度高くスライス切断方向を特定でき、それによりデバイス製造工程における不良発生の有無を高い精度で判定することが可能となる。
複数の直径方向の形状測定データの微分プロファイルを示す。 ワイヤーソーによるスライス切断方向の説明図を示す。 本発明に係る半導体ウェーハの評価方法を説明する図面を示す。 本発明に係る半導体ウェーハの評価方法を説明する図面を示す。 実施例と比較例の評価結果を示す。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述のように、スライス切断方向を高精度で容易に特定し、デバイス製造工程での不良発生に影響を与える、スライス工程に起因した特徴的なうねり形状を効果的に検出、評価できる、半導体ウェーハの評価方法が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、半導体ウェーハの評価方法であって、半導体ウェーハとして鏡面研磨ウェーハを用い、ウェーハ形状測定機により前記鏡面研磨ウェーハの全面の厚さ方向の形状を測定して形状測定データを得る工程と、前記鏡面研磨ウェーハの全面の形状測定データから、直径方向の形状測定データを抽出し、前記抽出した前記直径方向の形状測定データを一定のピッチとした点で１階又は２階微分して前記直径方向の形状測定データの微分プロファイルを取得することを、一定の回転角度毎に前記鏡面研磨ウェーハの全面に渡って行い、前記取得したすべての前記直径方向の形状測定データの微分プロファイルを比較して、最大微分値を含む前記微分プロファイルの直径方向を前記鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向と特定する工程と、前記特定したスライス切断方向と、前記特定したスライス切断方向に直交する方向を座標軸とする直交座標を設定し、前記特定したスライス切断方向をｙ方向、前記特定したスライス切断方向に直交する方向をｘ方向としたときに、前記ｘ方向の一定の間隔毎に、前記ｙ方向の形状測定データを一定のピッチで１階又は２階微分し、前記ｘ方向の一定の間隔と前記ｙ方向の一定の間隔によるｘ－ｙグリッドを形成し、ｘ－ｙグリッドデータを取得する工程と、前記鏡面研磨ウェーハの前記ｙ方向について、前記鏡面研磨ウェーハの中心を含む中間部領域と、前記中間部領域より外側の上端側領域及び下端側領域を設定し、前記取得した前記ｘ－ｙグリッドデータから、前記鏡面研磨ウェーハの前記中間部領域における最大微分値と、前記鏡面研磨ウェーハの前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値を求める工程と、前記中間部領域と前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値に基づいて、デバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を判定する工程とを有する半導体ウェーハの評価方法により、簡便な方法で精度高くスライス切断方向を特定でき、特定したスライス切断方向に基づいて、スライス工程に起因した特徴的なうねり形状の影響によるデバイス製造工程における不良発生の有無を、高い精度で簡便に判定することができることを見出し、本発明を完成した。
以下、図面を参照して説明する。
上述のとおり、デバイス製造工程で残膜異常となるようなうねり形状を有するウェーハを選別するためには、まず、ワイヤーソーのスライス切断方向を特定することが必要である。本発明者らは、スライス切断方向が既知のウェーハに対し、複数方向に対して直径方向の１階又は２階微分プロファイルを取得し、調査を行ったところ、最大微分値を含む直径方向が、切断方向と一致することを見出した。
図１に、直径３００ｍｍの鏡面研磨シリコンウェーハ（ＰＷ）を用い、面内全域に渡る複数の直径方向の形状測定データの微分プロファイル（ここでは２階微分値）を取得し、該微分プロファイルを比較した結果を示す。図１に示すように、最大微分値を有する微分プロファイルの直径方向（図１の例では、８５°の方向と表記）が、実際にワイヤーソーでスライス切断した方向（図２参照）と一致することがわかった。このことを利用すると、鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向を、精度高く容易に特定することができる。
（形状測定データを得る工程）
図３，４は、本発明に係る半導体ウェーハの評価方法を説明する図面である。
まず、図３に示すように、ウェーハ形状測定機を用いて、鏡面研磨ウェーハ（図３（ａ））の全面の厚さ方向の形状を測定して形状測定データを得る。このとき使用するウェーハ形状測定機は、ウェーハ全面の厚さ方向の形状が測定できるものであれば特に限定されず、公知のウェーハ形状測定機を使用することができる。特に、フラットネス形状測定機又はナノトポグラフィ測定機を用いることが好ましい。簡便に精度高い形状測定データが得られるからである。これ以降は、ここで取得した形状測定データを利用して、評価を行うこととなる。
（鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向を特定する工程）
次に、鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向を特定する。図３（ｂ）に示すようにして、取得した全面の形状測定データから、直径方向の形状測定データを抽出する。なお、ここでは図３（ｂ）に示すように角度の基準（０°）を設定したが、最終的にスライス切断方向を特定できればよいので、基準をどの位置にするかは任意である。そして、抽出した直径方向の形状測定データを一定のピッチとした点で１階又は２階微分して、直径方向の形状測定データの微分プロファイルを取得する。このとき、微分を行う点のピッチは特に限定されず、０．１～１０ｍｍとできる。また、下限値は、例えば、２ｍｍ以上とするとノイズ成分の影響をより低くすることができる。このような範囲とすれば、より精度高く評価を行うことができる。さらに微分は、２階微分とすることがより好ましい。評価、判定の精度をより高くできる。
このような直径方向の形状測定データの微分プロファイルの取得を、一定の回転角度毎に鏡面研磨ウェーハの全面に渡って行う。このとき、回転角度は、０°より大きい角度ピッチであればよいが、０．５～１０°の範囲内の一定の角度毎とすることが好ましく、１～５°とすることさらに好ましい。このような範囲であれば、より精度高く評価を行うことができる。
次に、取得したすべての直径方向の形状測定データの微分プロファイルを比較する。そして、最大微分値を含む微分プロファイルの直径方向を、鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向と特定することができる。
（ｘ－ｙグリッドデータを取得する工程）
評価する鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向が特定できたら、図４（ａ）に示すように、この鏡面研磨ウェーハにおいて、特定したスライス切断方向と、スライス切断方向に直交する方向を座標軸とする直交座標を設定する。そして、ウェーハ全面に渡り、スライス切断方向と平行な方向に形状測定データを微分して、単一方向（スライス切断方向）の微分プロファイルを得る。
より詳細には、スライス切断方向をｙ方向、スライス切断方向に直交する方向をｘ方向としたときに、前記ｘ方向の一定の間隔毎に、前記ｙ方向の形状測定データを一定のピッチで１階又は２階微分し、前記ｘ方向の一定の間隔と前記ｙ方向の一定の間隔によるｘ－ｙグリッドを形成し、ｘ－ｙグリッドデータを取得する。ｘ－ｙグリッドの大きさは０．１ｍｍ～１０ｍｍ程度の範囲で任意に設定することが可能であるが、ｘ方向とｙ方向の一定の間隔は０．５～２ｍｍの範囲、ｙ方向の微分を行う点のピッチは２～１０ｍｍの範囲とすることが好ましい。このような範囲であれば、評価の精度をより高くすることができる。また、ウェーハの形状測定データの微分プロファイルをより高精度に評価するために、ｘ方向とｙ方向のグリッド間隔は微分ピッチよりも小さくすることが好ましく、特に、１ｍｍ程度とすることが最も好ましい。なお、微分値の計算は、２階微分により行うことがより好ましい。評価、判定の精度をより高くできる。
（不良発生の可能性の有無を判定する工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、鏡面研磨ウェーハのｙ方向について、鏡面研磨ウェーハの中心を含む中間部領域と、中間部領域より外側の上端側領域及び下端側領域を設定し、取得した前記ｘ－ｙグリッドデータから、鏡面研磨ウェーハの中間部領域における最大微分値と、鏡面研磨ウェーハの上端側領域及び下端側領域の最大微分値を求める。このように中間部領域と上端側領域及び下端側領域とを設定するのは、スライス切断時の切断長が変化する、切断開始期と終了期に対し、切断長が長く切断が比較的安定している切断中間期とで、うねりが異なることから、同じ微分値でも、その微分値がウェーハの中間部領域に存在するのか、上端側領域及び下端側領域に存在するのかとで、デバイス製造工程、例えばＣＭＰを行ったときの残膜に及ぼす影響が異なることが理由であり、ウェーハ全面のグリッドデータに対して一義的に規格を設定するよりも切断中間期に対応する中間部領域、切断開始期及び終了期に対応する上端側領域及び下端側領域のように領域を分けることで、判定精度が向上するからである。なお、直径３００ｍｍのウェーハの場合、中間部領域はウェーハ中心を通るｘ方向の直線を中心としてｙ方向に幅２００ｍｍ（すなわち、ウェーハ中心を通るｘ方向の直線を基準に、ｙ方向に±１００ｍｍ）程度の領域とすることができ、上端側領域及び下端側領域は、中間部領域以外の領域、つまり、ｙ方向のウェーハ両端（ウェーハ中心を通るｙ方向の直線上のウェーハ端部）からウェーハの内側（ｙ方向）に±５０ｍｍ程度の領域とすることが好ましい（図４（ｂ）参照）。
そして、中間部領域と、前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値に基づいて、デバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を判定する。このときの判定方法としては、例えば、各領域内の最大微分値が所定の規格値内か否か、或いは、ウェーハ全面における全グリッドデータ数と、一定の閾値（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ値）を超えるグリッドデータ数の比（Ｅｒｒｏｒ％）などのパラメータが所定の規格値内か否かで、判定を行うことができる。デバイス製造工程における不良としては、例えば、デバイス製造のＣＭＰ工程における残膜異常を指標として採用することが好ましい。なお、判定に用いるパラメータに設定する規格値は、ユーザーからの要求形状等を元に効果的に選別可能な値を設定することができる。
（鏡面研磨ウェーハを良品として選別する工程）
上述のようにして鏡面研磨ウェーハのデバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を判定したら、不良発生の可能性が無いと判定された鏡面研磨ウェーハを良品として効果的に選別することができる。また、良品として選別された鏡面研磨ウェーハを用いてデバイスを製造することにより、後工程のデバイス製造工程での不良、特にＣＭＰ工程での残膜不良発生を効果的に抑制することができる。さらに、本発明に係る半導体ウェーハの評価方法、選別方法によれば、ＣＭＰ工程の他にも、フォトリソグラフィ工程等においてデバイスパターンに誤差が生じる可能性があるウェーハを、事前に選別して除去することも可能となる。
以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。
実施例及び比較例で評価を行う鏡面研磨ウェーハとして、直径３００ｍｍのシリコンウェーハ（ＰＷ）を４４枚準備した。このシリコンウェーハは、同一ユーザー向け、複数Ｌｏｔから成るものから抽出したものである。また、この４４枚の中には、本発明に係る半導体ウェーハの評価方法の効果を確認するために、残膜異常発生率に違いのある、ワイヤーソー断線品、非断線品が含まれている。このようなウェーハに対し、シングルガウシアンフィルタで処理したナノトポグラフィによる規格判定結果（比較例）と、スライス切断方向の２階微分値の中間部領域および上端側領域及び下端側領域における最大微分値に対する規格判定結果（実施例）を比較した。
まず、ウェーハ形状測定機として、フラットネス測定機（ＫＬＡ社 ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔシリーズ）を用いて、すべてのウェーハの厚さ方向の形状測定データを取得した。実施例、比較例ともに、この形状測定データを利用して評価を行う。
（比較例）
ナノトポグラフィ値に基づいて、半導体ウェーハの評価を行い、デバイス製造工程における不良発生の有無の判定を行った。具体的には、上述のフラットネス測定機を用いて取得したウェーハの厚さ方向の形状測定データに対し、シングルガウシアンフィルタ（２５ｍｍ ｃｉｒｃｌｅ ｗｉｎｄｏｗ）でフィルタリング処理を行って、ナノトポグラフィ値を求めた。デバイス製造工程における不良発生の有無の判定条件として、ナノトポグラフィ値＝３８ｎｍを閾値に設定し、ナノトポグラフィ値＞３８ｎｍを不良発生の可能性有と判定することとした。
（実施例）
本発明に係る半導体ウェーハの評価方法に基づき、ウェーハのスライス切断方向の特定、ｘ－ｙグリッドデータを取得、ウェーハの中間部領域と上端側領域及び下端側領域の最大微分値をそれぞれ求めた。具体的には、上述のフラットネス測定機を用いて得たウェーハの厚さ方向の形状測定データを用い、ウェーハの直径方向の形状プロファイルに対し、微分ピッチ＝１０ｍｍとして２階微分を行い、直径方向の形状測定データの微分プロファイルを取得した。この処理を、回転角度１°ピッチでウェーハの全面に渡って行い、全面の２階微分プロファイルデータを得た。次に、全ての２階微分プロファイルデータの中で、最大微分値を含むプロファイルの直径方向を、そのウェーハのスライス切断方向と特定した。
このようにして特定した切断方向をｘ－ｙ直交座標系のｙ方向とし、切断方向に直交する方向をｘ方向として、ｘ方向とｙ方向のグリッド間隔を１ｍｍとし、ｙ方向の微分ピッチを１０ｍｍとして、ｙ方向の形状測定データを一定のピッチで２階微分しｘ－ｙグリッドデータを取得した。
次に、ウェーハに設定したｙ方向において、ウェーハの中心を通るｘ方向の直線を基準に、±１００ｍｍ（直径５０ｍｍ～２５０ｍｍに相当）の範囲を中間部領域、該中間部領域よりも外側の範囲を上端側領域及び下端側領域として各領域における最大微分値を求めた。
デバイス製造工程における不良発生の可能性の有無の判定条件として、中間部領域の最大微分値＝５ｎｍ／ｍｍ２、上端側領域及び下端側領域の最大微分値＝８ｎｍ／ｍｍ２を閾値に設定した。すなわち、中間部領域の最大微分値＞５ｎｍ／ｍｍ２、上端側領域及び下端側領域の最大微分値＞８ｎｍ／ｍｍ２のいずれかを満たしたウェーハを不良発生の可能性有と判定することとした。言い換えると、中間部領域の最大微分値≦５ｎｍ／ｍｍ２、上端側領域及び下端側領域の最大微分値≦８ｎｍ／ｍｍ２を同時に満たした場合のみ、不良発生の可能性なしと判定することとした。
図５に、実施例と比較例の評価結果を示す。図５（ａ）は、比較例のナノトポグラフィ値による各ウェーハの評価結果を示す。図５（ｂ）、（ｃ）は、実施例の評価結果であり、図５（ｂ）はウェーハの中間部領域における２階微分プロファイルデータの最大微分値、図５（ｃ）はウェーハの上端側領域及び下端側領域における２階微分プロファイルデータの最大微分値を示す。また、図５（ａ）～（ｃ）中にそれぞれの判定に採用した閾値を示してある。
比較例のナノトポグラフィによる判定では、図５（ａ）に示すように、合計４４枚の内、本来合格にしたいが過剰判定により不合格になったウェーハ（以下、「過剰判定ウェーハ」という）が６枚（非断線品、残膜異常なしのサンプル）、不合格にしたいが過小判定により合格になったウェーハ（以下、「過小判定ウェーハ」という）が１２枚（非断線品、残膜異常有りのサンプル）あり、過剰判定率は１３．６％、過小判定率は２７．３％であった。
一方で、実施例による判定では、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、過剰判定ウェーハは２枚、過小判定ウェーハは２枚にそれぞれ減少し、過剰判定率、過小判定率ともに４．５％まで改善された。
このように、比較例のナノトポグラフィによる評価、選別では、本来合格にしたいが過剰判定により不合格になったウェーハや、不合格にしたいが過小判定により合格になったウェーハが多数発生したが、本発明に係る評価方法による評価、選別では、過剰判定・過小判定はともに改善され、ナノトポグラフィによる評価、選別と比較してより効果的にうねり形状を有するウェーハを選別出来ていることを確認した。このように、うねり形状を検出する本発明に係る半導体ウェーハの評価方法は、従来の評価方法であるナノトポグラフィによる評価、選別と比較して、より高精度に残膜異常となり得るウェーハを選別可能であると言える。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (8)

  1. 半導体ウェーハの評価方法であって、
    半導体ウェーハとして鏡面研磨ウェーハを用い、
    ウェーハ形状測定機により前記鏡面研磨ウェーハの全面の厚さ方向の形状を測定して形状測定データを得る工程と、
    前記鏡面研磨ウェーハの全面の形状測定データから、直径方向の形状測定データを抽出し、前記抽出した前記直径方向の形状測定データを一定のピッチとした点で１階又は２階微分して前記直径方向の形状測定データの微分プロファイルを取得することを、一定の回転角度毎に前記鏡面研磨ウェーハの全面に渡って行い、前記取得したすべての前記直径方向の形状測定データの微分プロファイルを比較して、最大微分値を含む前記微分プロファイルの直径方向を前記鏡面研磨ウェーハのスライス切断方向と特定する工程と、
    前記特定したスライス切断方向と、前記特定したスライス切断方向に直交する方向を座標軸とする直交座標を設定し、前記特定したスライス切断方向をｙ方向、前記特定したスライス切断方向に直交する方向をｘ方向としたときに、前記ｘ方向の一定の間隔毎に、前記ｙ方向の形状測定データを一定のピッチで１階又は２階微分し、前記ｘ方向の一定の間隔と前記ｙ方向の一定の間隔によるｘ－ｙグリッドを形成し、ｘ－ｙグリッドデータを取得する工程と、
    前記鏡面研磨ウェーハの前記ｙ方向について、前記鏡面研磨ウェーハの中心を含む中間部領域と、前記中間部領域より外側の上端側領域及び下端側領域を設定し、前記取得した前記ｘ－ｙグリッドデータから、前記鏡面研磨ウェーハの前記中間部領域における最大微分値と、前記鏡面研磨ウェーハの前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値を求める工程と、
    前記中間部領域と前記上端側領域及び下端側領域の最大微分値に基づいて、デバイス製造工程における不良発生の可能性の有無を判定する工程と、
    を有することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。
  2. 前記直径方向の形状測定データの抽出及び前記微分プロファイルの取得を、０．５～１０°の間隔の一定の回転角度毎に行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの評価方法。
  3. 前記ｘ－ｙグリッドにおける前記ｘ方向とｙ方向の前記一定の間隔を、０．５～２ｍｍとすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェーハの評価方法。
  4. 前記ｘ－ｙグリッドにおける前記ｙ方向の前記一定の微分を行うピッチを、２～１０ｍｍとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
  5. 前記ウェーハ形状測定機として、フラットネス形状測定機又はナノトポグラフィ測定機を用いることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
  6. 前記デバイス製造工程における不良を、残膜異常とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの評価方法により不良発生の可能性が無いと判定された前記鏡面研磨ウェーハを良品として選別する工程をさらに有することを特徴とする半導体ウェーハの選別方法。
  8. 請求項７に記載の半導体ウェーハの選別方法により良品として選別された前記鏡面研磨ウェーハを用いてデバイスを作製することを特徴とするデバイスの製造方法。
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