JP7168406B2 - 位置検出回路及び位置検出方法 - Google Patents
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Description
<全体構成>
図1は、本発明の一実施形態における位置検出回路18が組み込まれた電子機器10の概略ブロック図である。電子機器10は、例えば、タブレット型端末、スマートフォン、パーソナルコンピュータで構成される。ユーザは、電子ペン12(あるいはスタイラス)を片手で把持し、図示しない表示パネルのタッチ面24(図2Aなどを参照)にペン先を押し当てながら移動させることで、電子機器10に絵や文字を書き込むことができる。あるいは、ユーザは、自身の指14でタッチ面24に接触することで、表示中のユーザコントロールを介して所望の操作を行うことができる。
図2A及び図2Bは、図1の位置検出回路18に関する機能要件を示す模式図である。
<静電容量の検出傾向>
この実施形態における位置検出回路18は、以上のように構成される。続いて、様々な使用状態下でのタッチセンサ16による静電容量の検出傾向について、図3A~図5Bを参照しながら説明する。
上記した検出傾向を踏まえて、2つの機能要件(図2A,図2B参照)を同時に実現することができる。以下、位置検出回路18の具体的な動作について、図6のフローチャートを参照しながら説明する。なお、この動作は、1つのプロセッサ(位置検出回路18)が実行してもよいし、複数のプロセッサが協働して実行してもよい。
以上のように、この位置検出回路18は、複数本のライン電極16x,16yを二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサ16に接続される回路であって、タッチセンサ16上の静電容量に関する検出値の分布を示す二次元データ30を取得する取得ステップ(S1)と、取得された二次元データ30に基づいてタッチセンサ16の上方にある導電性の異物C1,C2を認識する認識ステップ(S2)と、認識された異物C1,C2が存在する異物存在領域34の外側と内側とはタッチ検出条件を異ならせて、二次元データ30に基づいてタッチセンサ16上のタッチ位置又はタッチ領域を検出する検出ステップ(S4,S5)と、を実行する。
Claims (8)
- 複数本のライン電極を二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサに接続される位置検出回路であって、
前記タッチセンサ上の静電容量に関する検出値の分布を示す二次元データを取得する取得ステップと、
取得された前記二次元データに基づいて前記タッチセンサの上方にある導電性の異物を認識する認識ステップと、
認識された前記異物が存在する異物存在領域の外側では閾値を相対的に大きくする一方、前記異物存在領域の内側では前記閾値を相対的に小さくし、前記二次元データが示す検出値が前記閾値よりも大きい位置又は領域を前記タッチセンサ上のタッチ位置又はタッチ領域として検出する検出ステップと、
を実行することを特徴とする位置検出回路。 - 複数本のライン電極を二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサに接続される位置検出回路であって、
前記タッチセンサ上の静電容量に関する検出値の分布を示す二次元データを取得する取得ステップと、
取得された前記二次元データに基づいて前記タッチセンサの上方にある導電性の異物を認識する認識ステップと、
認識された前記異物が存在する異物存在領域の外側では閾値を相対的に小さくする一方、前記異物存在領域の内側では前記閾値を相対的に大きくし、前記二次元データに基づいて検出された前記タッチセンサ上の複数のタッチ領域のうち、隣り合うタッチ領域間における検出値の変化量が前記閾値よりも小さい場合に単一のタッチ領域として検出する検出ステップと、
を実行することを特徴とする位置検出回路。 - 複数本のライン電極を二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサに接続される位置検出回路であって、
前記タッチセンサ上の静電容量に関する検出値の分布を示す二次元データを取得する取得ステップと、
取得された前記二次元データに基づいて前記タッチセンサの上方にある導電性の異物を認識する認識ステップと、
認識された前記異物が存在する異物存在領域の外側では閾値を相対的に小さくする一方、前記異物存在領域の内側では前記閾値を相対的に大きくし、前記二次元データに基づいて検出された前記タッチセンサ上の領域のサイズが前記閾値よりも大きい場合に前記領域を前記タッチセンサ上のタッチ領域から除外する検出ステップと、
を実行することを特徴とする位置検出回路。 - 前記認識ステップでは、前記検出値の分布の中に正の信号レベルと負の信号レベルが混在する領域がある場合に前記異物を認識することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の位置検出回路。
- 複数本のライン電極を二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサを用いた位置検出方法であって、
前記タッチセンサ上の静電容量の検出値の分布を示す二次元データを取得する取得ステップと、
取得された前記二次元データに基づいて前記タッチセンサの上方にある導電性の異物を認識する認識ステップと、
認識された前記異物が存在する異物存在領域の外側では閾値を相対的に大きくする一方、前記異物存在領域の内側では前記閾値を相対的に小さくし、前記二次元データが示す検出値が前記閾値よりも大きい位置又は領域を前記タッチセンサ上のタッチ位置又はタッチ領域として検出する検出ステップと、
を1つ又は複数のプロセッサが実行することを特徴とする位置検出方法。 - 複数本のライン電極を二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサを用いた位置検出方法であって、
前記タッチセンサ上の静電容量に関する検出値の分布を示す二次元データを取得する取得ステップと、
取得された前記二次元データに基づいて前記タッチセンサの上方にある導電性の異物を認識する認識ステップと、
認識された前記異物が存在する異物存在領域の外側では閾値を相対的に小さくする一方、前記異物存在領域の内側では前記閾値を相対的に大きくし、前記二次元データに基づいて検出された前記タッチセンサ上の複数のタッチ領域のうち、隣り合うタッチ領域間における検出値の変化量が前記閾値よりも小さい場合に単一のタッチ領域として検出する検出ステップと、
を1つ又は複数のプロセッサが実行することを特徴とする位置検出方法。 - 複数本のライン電極を二次元的に配置してなる静電容量方式のタッチセンサを用いた位置検出方法であって、
前記タッチセンサ上の静電容量に関する検出値の分布を示す二次元データを取得する取得ステップと、
取得された前記二次元データに基づいて前記タッチセンサの上方にある導電性の異物を認識する認識ステップと、
認識された前記異物が存在する異物存在領域の外側では閾値を相対的に小さくする一方、前記異物存在領域の内側では前記閾値を相対的に大きくし、前記二次元データに基づいて検出された前記タッチセンサ上の領域のサイズが前記閾値よりも大きい場合に前記領域を前記タッチセンサ上のタッチ領域から除外する検出ステップと、
を1つ又は複数のプロセッサが実行することを特徴とする位置検出方法。 - 前記認識ステップでは、前記検出値の分布の中に正の信号レベルと負の信号レベルが混在する領域がある場合に前記異物を認識することを特徴とする請求項5~7のいずれか1項に記載の位置検出方法。
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JP2014219925A (ja) | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 株式会社東海理化電機製作所 | タッチ式入力装置 |
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