JP7167086B2 - circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body - Google Patents

circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body Download PDF

Info

Publication number
JP7167086B2
JP7167086B2 JP2020083333A JP2020083333A JP7167086B2 JP 7167086 B2 JP7167086 B2 JP 7167086B2 JP 2020083333 A JP2020083333 A JP 2020083333A JP 2020083333 A JP2020083333 A JP 2020083333A JP 7167086 B2 JP7167086 B2 JP 7167086B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
array
region
signal
digital signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020083333A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020115698A (en
JP2020115698A5 (en
Inventor
大介 吉田
誉浩 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2020083333A priority Critical patent/JP7167086B2/en
Publication of JP2020115698A publication Critical patent/JP2020115698A/en
Publication of JP2020115698A5 publication Critical patent/JP2020115698A5/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7167086B2 publication Critical patent/JP7167086B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、回路、チップ、撮像装置、撮像システム、移動体に関する。 The present invention relates to circuits, chips, imaging devices, imaging systems, and moving objects.

光電変換部の信号をAD変換するAD変換部が複数行複数列に渡って配された撮像装置が特許文献1に記載されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-100001 describes an imaging apparatus in which AD converters for AD-converting signals from photoelectric converters are arranged over a plurality of rows and columns.

特許文献1に記載の撮像装置では、1列のAD変換部が1つの垂直バスに接続される。この垂直バスは、各列に対応して設けられた信号保持部に接続される。各列の信号保持部から順次、出力部にデジタル信号が伝送される。 In the imaging device described in Patent Document 1, one column of AD converters is connected to one vertical bus. This vertical bus is connected to a signal holding section provided corresponding to each column. A digital signal is sequentially transmitted from the signal holding unit of each column to the output unit.

特開2014-165733号公報JP 2014-165733 A

特許文献1の撮像装置では、複数のビットのデジタル信号のうち、互いに異なるビットを各々が保持するビットメモリと、デジタル信号を伝送する伝送線の接続形態について検討がなされていない。 In the imaging apparatus of Patent Document 1, no consideration is given to a connection form between bit memories each holding different bits among a plurality of bit digital signals and transmission lines for transmitting digital signals.

本実施例は、伝送線の配線数の増加を抑えながら、複数のビットのデジタル信号の伝送を高速化する技術を提供するものである。 This embodiment provides a technique for speeding up the transmission of digital signals of a plurality of bits while suppressing an increase in the number of transmission lines.

本発明は上記の課題を鑑みて為されたものであり、一の態様は、アナログ信号をデジタル信号に変換する複数のAD変換部がそれぞれに配された複数のアレイと、前記複数のアレイの各々に配された前記複数のAD変換部にカウント信号を出力するカウンタと、前記複数のアレイの各々に配された前記複数のAD変換部に供給するランプ信号を生成するランプ信号生成回路とを備え、前記カウンタが、平面視において、前記複数のアレイのうちの第1アレイと第2アレイとの間の領域に配されており、前記ランプ信号生成回路が、前記領域とは別の領域であって、前記複数のアレイのうちの一のアレイと、別の一のアレイとの間の領域に配されていることを特徴とする回路である。 The present invention has been made in view of the above problems. One aspect of the present invention is to provide a plurality of arrays each having a plurality of AD converters for converting analog signals into digital signals; a counter for outputting a count signal to the plurality of AD converters arranged in each of the arrays; and a ramp signal generator for generating a ramp signal to be supplied to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of arrays. a circuit , wherein the counter is arranged in a region between a first array and a second array among the plurality of arrays in plan view, and the ramp signal generation circuit is separate from the region and is arranged in a region between one array of the plurality of arrays and another array .

本発明により、伝送線の配線数の増加を抑えながら、複数のビットのデジタル信号の伝送を高速化する技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technique for speeding up the transmission of digital signals of a plurality of bits while suppressing an increase in the number of transmission lines.

撮像装置の構成の模式図と、断面図Schematic diagram of configuration of imaging device and cross-sectional view 画素の構成を示す図Diagram showing pixel configuration 第2チップの構成を示す図A diagram showing the configuration of the second chip 第2チップの一部の領域の構成を示す図と、AD変換部の構成を示す図A diagram showing the configuration of a part of the second chip, and a diagram showing the configuration of the AD converter. 第1メモリ、バッファメモリの構成を示す図A diagram showing the configuration of the first memory and the buffer memory. バッファメモリの構成を示す図Diagram showing configuration of buffer memory 撮像装置の動作を示す図A diagram showing the operation of the imaging device 第1メモリ、バッファメモリの構成を示す図A diagram showing the configuration of the first memory and the buffer memory. 撮像装置の構成の模式図Schematic diagram of the configuration of the imaging device 第2チップの構成を示す図と、AD変換部の構成を示す図A diagram showing the configuration of the second chip and a diagram showing the configuration of the AD conversion unit 撮像装置の構成を示す図A diagram showing the configuration of an imaging device 撮像システムの全体図Overall view of imaging system 移動体の全体図General view of moving body 撮像システムの信号処理フローを示した図Diagram showing the signal processing flow of the imaging system

以下、図面を参照しながら各実施例を説明する。 Each embodiment will be described below with reference to the drawings.

(実施例1)
図1(a)は、本実施例の撮像装置が備える、第1チップ1、第2チップ5を示した図である。第1チップ1には、複数行および複数列に渡って光電変換部13が配されている。また、第2チップ5には、複数行および複数列に渡って、AD変換部(以降ADCとする)21が配されている。ADC21は、光電変換部13が生成する信号に基づく信号を複数のビットのデジタル信号にAD変換する。なお、ここでは光電変換部13とADC21のみを図示しているが、他に光電変換部13を制御する制御線、光電変換部13が蓄積した電荷に基づく信号を伝送する信号線が適宜、第1チップ1、第2チップ5に配される。また、垂直走査回路、タイミングジェネレータ等の駆動回路が適宜、第1チップ1あるいは第2チップ5に配される。
(Example 1)
FIG. 1(a) is a diagram showing a first chip 1 and a second chip 5 included in the imaging device of this embodiment. Photoelectric conversion units 13 are arranged over a plurality of rows and a plurality of columns in the first chip 1 . In the second chip 5, an AD converter (hereinafter referred to as ADC) 21 is arranged over multiple rows and multiple columns. The ADC 21 AD-converts a signal based on the signal generated by the photoelectric conversion unit 13 into a digital signal of a plurality of bits. Although only the photoelectric conversion unit 13 and the ADC 21 are illustrated here, a control line for controlling the photoelectric conversion unit 13 and a signal line for transmitting a signal based on the charge accumulated by the photoelectric conversion unit 13 are provided as appropriate. 1 chip 1 and second chip 5 are arranged. Driving circuits such as a vertical scanning circuit and a timing generator are arranged in the first chip 1 or the second chip 5 as appropriate.

図1(b)は、第1チップ1、第2チップ5の断面図である。第1チップ1と第2チップ5は、接合面2を介して接続されている。この接合面2では、第1チップ1のもっとも上層に位置する配線および絶縁層と、第2チップ5のもっとも上層に位置する配線および絶縁層とが接続される。配線としては典型的にはCuが用いられる。他の例としてAlを用いることもできる。第1チップ1、第2チップ5のそれぞれのもっとも上層に位置する配線は接続部3を介して接続される。 FIG. 1B is a cross-sectional view of the first chip 1 and the second chip 5. FIG. The first chip 1 and the second chip 5 are connected via the bonding surface 2 . At this bonding surface 2, the uppermost wiring and insulating layer of the first chip 1 and the uppermost wiring and insulating layer of the second chip 5 are connected. Cu is typically used as the wiring. Al can also be used as another example. The uppermost wiring of each of the first chip 1 and the second chip 5 is connected through the connecting portion 3 .

図2は、本実施例の画素11の等価回路図である。画素11は、光電変換部13としてフォトダイオードを有する。画素11のフォトダイオード13には、不図示の1つのマイクロレンズと、カラーフィルタを透過した光が入射する。 FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the pixel 11 of this embodiment. The pixel 11 has a photodiode as the photoelectric conversion unit 13 . The photodiode 13 of the pixel 11 receives light that has passed through one microlens (not shown) and a color filter.

フォトダイオード13は、転送トランジスタ603を介して、フローティングディフージョン部(以下、FD部)605に接続されている。また、転送トランジスタ603のゲートは、制御線650を介して、不図示の垂直走査回路に接続されている。制御線650は、信号Txを伝送する。 The photodiode 13 is connected to a floating diffusion section (hereinafter referred to as FD section) 605 via a transfer transistor 603 . Also, the gate of the transfer transistor 603 is connected to a vertical scanning circuit (not shown) through a control line 650 . Control line 650 transmits signal Tx.

FD部605は、リセットトランジスタ606と、増幅トランジスタ607のゲートに接続されている。 The FD section 605 is connected to gates of the reset transistor 606 and the amplification transistor 607 .

リセットトランジスタ606および増幅トランジスタ607は、電源電圧Vddが供給される。リセットトランジスタ606のゲートは、制御線660を介して、不図示の垂直走査回路に接続されている。制御線660は、信号Rxを伝送する。 A power supply voltage Vdd is supplied to the reset transistor 606 and the amplification transistor 607 . A gate of the reset transistor 606 is connected to a vertical scanning circuit (not shown) via a control line 660 . Control line 660 carries signal Rx.

増幅トランジスタ607は、選択トランジスタ608に接続されている。選択トランジスタ608のゲートは、制御線665を介して、不図示の垂直走査回路に接続されている。制御線665は信号PSELxを伝送する。 The amplification transistor 607 is connected to the selection transistor 608 . A gate of the selection transistor 608 is connected to a vertical scanning circuit (not shown) via a control line 665 . Control line 665 carries signal PSELx.

選択トランジスタ608は、信号線201に接続されている。 The select transistor 608 is connected to the signal line 201 .

図3は本実施例の撮像装置の第2チップ5の構成を示したブロック図である。 FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the second chip 5 of the imaging device of this embodiment.

第2チップ5は、ADC21が複数行複数列に渡って配されたAD変換領域(図中でADC Arrayと表記)22を複数有する。つまり、AD変換領域22もまた、複数行複数列に渡って配されている。各AD変換領域22に対応して、バッファメモリ(図中ではbuffer memoryと表記)25が設けられている。AD変換領域22のADC21とバッファメモリ25とが図3では不図示の伝送線によって接続されている。 The second chip 5 has a plurality of AD conversion areas (denoted as ADC Array in the drawing) 22 in which ADCs 21 are arranged over a plurality of rows and a plurality of columns. That is, the AD conversion area 22 is also arranged over multiple rows and multiple columns. A buffer memory (denoted as buffer memory in the figure) 25 is provided corresponding to each AD conversion area 22 . The ADC 21 in the AD conversion area 22 and the buffer memory 25 are connected by a transmission line (not shown in FIG. 3).

また、第2チップ5は、第1チップ1に配された画素11を行ごとに順次走査する垂直走査回路(図中ではVSCANと表記)24を有する。 The second chip 5 also has a vertical scanning circuit (denoted as VSCAN in the drawing) 24 that sequentially scans the pixels 11 arranged on the first chip 1 row by row.

第2チップ5は、デジタル信号処理回路(図中でDFEと表記した。以降DFEとする)28を有する。DFE28は、バッファメモリ25から出力されるデジタル信号に対して種々の処理(ノイズ減算処理、ゲイン補正・オフセット補正等の各種補正等)を行う。第2チップ5は、2つのDFE28を有する。1つのDFE28は、複数のバッファメモリ25から出力されるデジタル信号を処理する。 The second chip 5 has a digital signal processing circuit (denoted as DFE in the drawing, hereinafter referred to as DFE) 28 . The DFE 28 performs various processing (noise subtraction processing, various corrections such as gain correction, offset correction, etc.) on the digital signal output from the buffer memory 25 . The second chip 5 has two DFEs 28 . One DFE 28 processes digital signals output from a plurality of buffer memories 25 .

本実施例のADC21は、ランプ信号と、光電変換部の生成した信号に基づく信号とを比較するランプ信号比較型のAD変換を行う。第2チップ5は、このランプ信号を生成するランプ信号生成部35(図中ではRamp Gen.と表記)を有する。 The ADC 21 of this embodiment performs ramp signal comparison type AD conversion that compares a ramp signal with a signal based on a signal generated by a photoelectric conversion unit. The second chip 5 has a ramp signal generator 35 (denoted as Ramp Gen. in the drawing) that generates this ramp signal.

第2チップ5は、各種の制御信号を生成するタイミングジェネレータ(図中でTGと表記した。以降TGとする)30、ランプ信号比較型のAD変換で用いる、グレイコードのカウント信号を生成するカウンタ(図中でCounterと表記)31とを有する。 The second chip 5 includes a timing generator (denoted as TG in the drawing, hereinafter referred to as TG) 30 that generates various control signals, and a counter that generates a Gray code count signal used in ramp signal comparison type AD conversion. (denoted as Counter in the figure) 31.

第2チップ5は、DFE28が処理した信号を、撮像装置の外部に出力するデータインターフェース部(図中ではdata I/Fと表記。以降IF部とする)35を有する。 The second chip 5 has a data interface section (denoted as data I/F in the figure, hereinafter referred to as an IF section) 35 that outputs the signal processed by the DFE 28 to the outside of the imaging device.

図4(a)は、1つのAD変換領域22、1つのバッファメモリ25に関わる構成の詳細を示したブロック図である。 FIG. 4A is a block diagram showing the details of the configuration related to one AD conversion area 22 and one buffer memory 25. FIG.

AD変換領域22は、複数行複数列のADC21として、m行n列のADC21を有する。 The AD conversion area 22 has m rows and n columns of ADCs 21 as ADCs 21 of multiple rows and multiple columns.

AD変換領域22には、AD変換領域22から、AD変換領域22の外部に設けられたバッファメモリ25に延在する、複数の伝送線43を有する。1つの伝送線43は、1列複数行に配されたADC21に接続されている。つまり、複数の伝送線43の各々が、1列複数行のADC21に接続されるように、複数の伝送線43がAD変換領域22に配されている。 The AD conversion area 22 has a plurality of transmission lines 43 extending from the AD conversion area 22 to a buffer memory 25 provided outside the AD conversion area 22 . One transmission line 43 is connected to the ADCs 21 arranged in one column and multiple rows. That is, the plurality of transmission lines 43 are arranged in the AD conversion area 22 so that each of the plurality of transmission lines 43 is connected to the ADCs 21 arranged in one column and multiple rows.

また、第2チップ5には、複数行複数列のADC21を行ごとに走査するADC走査回路(図中ではADC SCANと表記)41を有する。ADC21は、後述するが、光電変換部13の信号に対応する信号をAD変換して得られるデジタル信号を保持するメモリを有する。このメモリが、伝送線43に接続される。そして、ADC走査回路41は、ADC21の各メモリを行ごとに選択する。ADC走査回路41に選択されたメモリから、伝送線43に、当該メモリが保持したデジタル信号が出力される。 The second chip 5 also has an ADC scanning circuit (denoted as ADC SCAN in the drawing) 41 that scans the ADCs 21 arranged in multiple rows and multiple columns row by row. As will be described later, the ADC 21 has a memory that holds a digital signal obtained by AD-converting a signal corresponding to the signal from the photoelectric conversion unit 13 . This memory is connected to the transmission line 43 . Then, the ADC scanning circuit 41 selects each memory of the ADC 21 row by row. A digital signal held in the memory is output to the transmission line 43 from the memory selected by the ADC scanning circuit 41 .

伝送線43に出力された信号は、伝送線43を介してバッファメモリ25に伝送される。バッファメモリ25は、後述するが、複数のビットのデジタル信号の各ビットの信号(以降、ビット信号と表記する)を保持するメモリ(以降ビットメモリと表記する)が複数行複数列に渡って配されている。第2チップ5は、バッファメモリ25を垂直走査するメモリ垂直走査回路(図中ではMEM VSCANと表記)45と、バッファメモリ25を水平走査するメモリ水平走査回路(図中ではMEM HSCANと表記)48とを有する。 The signal output to the transmission line 43 is transmitted to the buffer memory 25 via the transmission line 43 . The buffer memory 25, which will be described later, has memories (hereafter referred to as bit memories) that hold respective bit signals (hereafter referred to as bit signals) of a plurality of bit digital signals arranged over a plurality of rows and a plurality of columns. It is The second chip 5 includes a memory vertical scanning circuit (denoted as MEM VSCAN in the drawing) 45 for vertically scanning the buffer memory 25 and a memory horizontal scanning circuit (denoted as MEM HSCAN in the drawing) 48 for horizontally scanning the buffer memory 25. and

メモリ垂直走査回路45と、メモリ水平走査回路48とによって選択されたビットメモリから、伝送線49を介してDFE28にビット信号が伝送される。 A bit signal is transmitted from the bit memory selected by the memory vertical scanning circuit 45 and the memory horizontal scanning circuit 48 to the DFE 28 via the transmission line 49 .

図4(b)はADC21の構成を示したブロック図である。ADC21は、図1(b)で示した、第2チップ5と第1チップ1とを接続する接続部3を介して、図2に示した信号線201に接続されている。電流源50は、第2チップ5に設けられており、図1(b)に示した接続部3を介して、図2に示した信号線201に電流を供給する。これにより、画素11の増幅トランジスタ607はソースフォロワ動作を行う。別の言い方をすれば、電流源50と、増幅トランジスタ607はソースフォロワ回路を形成する。 FIG. 4(b) is a block diagram showing the configuration of the ADC 21. As shown in FIG. The ADC 21 is connected to the signal line 201 shown in FIG. 2 via the connecting portion 3 connecting the second chip 5 and the first chip 1 shown in FIG. 1(b). The current source 50 is provided in the second chip 5 and supplies a current to the signal line 201 shown in FIG. 2 via the connection portion 3 shown in FIG. 1(b). As a result, the amplification transistor 607 of the pixel 11 performs source follower operation. In other words, current source 50 and amplifying transistor 607 form a source follower circuit.

ADC21は、比較器51、第1メモリ55を有する。比較器51には、図3に示したランプ信号生成部35からランプ信号VRMPが出力される。比較器51は、ランプ信号VRMPと、信号線201から出力される画素11の信号とを比較した結果を示す比較結果信号を第1メモリ55に出力する。第1メモリ55には、図3に示したカウンタ31から、カウント信号Countが出力される。カウント信号Countは、クロック信号をグレイコードで計数した信号である。第1メモリ55は、比較結果信号の信号レベルが変化したタイミングに基づいて、その時点のカウント信号Countを保持する。この各ビットメモリ550a~dが保持するカウント信号Coutの各ビット信号は、光電変換部13が生成した信号に基づく信号に対応するデジタル信号の各ビット信号である。 ADC 21 has comparator 51 and first memory 55 . A ramp signal VRMP is output to the comparator 51 from the ramp signal generator 35 shown in FIG. The comparator 51 outputs to the first memory 55 a comparison result signal indicating the result of comparing the ramp signal VRMP and the signal of the pixel 11 output from the signal line 201 . A count signal Count is output to the first memory 55 from the counter 31 shown in FIG. The count signal Count is a signal obtained by counting the clock signal with Gray code. The first memory 55 holds the current count signal Count based on the timing at which the signal level of the comparison result signal changes. Each bit signal of the count signal Cout held by each of the bit memories 550a to 550d is each bit signal of a digital signal corresponding to the signal based on the signal generated by the photoelectric conversion section 13. FIG.

本実施例では、第1メモリ55は、ADC21に含まれている。このため、複数行複数列に渡って配された第1メモリ55を有するメモリ領域は、本実施例ではAD変換領域22である。 In this embodiment, the first memory 55 is included in the ADC 21 . Therefore, the memory area having the first memories 55 arranged over multiple rows and multiple columns is the AD conversion area 22 in this embodiment.

第1メモリ55には、図4(a)に示したADC走査回路41から走査信号が出力される。アクティブレベルの走査信号が入力された第1メモリ55は、保持したデジタル信号を伝送線43に出力する。 A scanning signal is output to the first memory 55 from the ADC scanning circuit 41 shown in FIG. The first memory 55 to which the active level scanning signal is input outputs the held digital signal to the transmission line 43 .

図5は、図4に示したADC21と、バッファメモリ25の構成を示したブロック図である。ここでは、複数行複数列に配されたADC21のうち、1つのADC21に着目して説明する。他のADC21についても、以下に説明するADC21と同じ構成を備える。 FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of ADC 21 and buffer memory 25 shown in FIG. Here, one ADC 21 among the ADCs 21 arranged in multiple rows and multiple columns will be described. The other ADC 21 also has the same configuration as the ADC 21 described below.

第1メモリ55は、第1ビットメモリ550a~dを有する。第1ビットメモリ550a~dのそれぞれは、カウント信号Countのうちの各ビットの信号を保持するメモリである。比較器51の比較結果信号が、第1ビットメモリ55a~dに出力される。 The first memory 55 has first bit memories 550a-d. Each of the first bit memories 550a to 550d is a memory that holds a signal of each bit of the count signal Count. A comparison result signal from the comparator 51 is output to the first bit memories 55a to 55d.

また、第1ビットメモリ550a~dに、ADC走査回路41から走査信号S1~S4が入力される。ADC走査回路41は、複数の第1ビットメモリ550a~dを第1方向(行が進む方向)に走査する第1走査回路である。また、第1ビットメモリ550a~dには1つの伝送線43が接続される。つまり、伝送線43は、複数の第1ビットメモリが接続された第1伝送線である。ADC走査回路41は、走査信号S1~S4を順にアクティブレベルとする。これにより、第1ビットメモリ550aから順に伝送線43にビット信号を出力する。つまり、伝送線43は、1つのAD変換部21が出力するデジタル信号の各ビット信号をシリアルに伝送する。 Further, scanning signals S1 to S4 are input from the ADC scanning circuit 41 to the first bit memories 550a to 550d. The ADC scanning circuit 41 is a first scanning circuit that scans the plurality of first bit memories 550a to 550d in a first direction (row advancing direction). One transmission line 43 is connected to the first bit memories 550a to 550d. That is, the transmission line 43 is a first transmission line to which a plurality of first bit memories are connected. The ADC scanning circuit 41 sequentially sets the scanning signals S1 to S4 to an active level. As a result, bit signals are sequentially output to the transmission line 43 from the first bit memory 550a. That is, the transmission line 43 serially transmits each bit signal of the digital signal output by one AD converter 21 .

その後、ADC走査回路41は、走査信号S5~S8を順にアクティブレベルにする。これにより、複数行のAD変換部21のデジタル信号の各ビット信号が、1つの伝送線43にシリアル転送される。 After that, the ADC scanning circuit 41 brings the scanning signals S5 to S8 to the active level in order. As a result, each bit signal of the digital signals of the AD converters 21 in multiple rows is serially transferred to one transmission line 43 .

バッファメモリ25は、第2ビットメモリがアレイ状に配された、ビットメモリ部250を有する。また、バッファメモリ25は、第1選択回路60、第2選択回路65を有する。第1選択回路60には、図3に示したTG30から制御信号SEL1が入力される。また、第2選択回路65には、図3に示したTG30から制御信号SEL2が入力される。 The buffer memory 25 has a bit memory section 250 in which second bit memories are arranged in an array. The buffer memory 25 also has a first selection circuit 60 and a second selection circuit 65 . A control signal SEL1 is input to the first selection circuit 60 from the TG 30 shown in FIG. Also, the control signal SEL2 is input to the second selection circuit 65 from the TG 30 shown in FIG.

ビットメモリ部250は、1列のADC21に対して、複数列設けられた第2ビットメモリを有する。複数列の第2ビットメモリのうちの、ある列の第2ビットメモリは1つのメモリ群と言える。また、別の列の第2ビットメモリは、別のメモリ群と言える。つまり、ビットメモリ250は、1列のADC21に対して、複数のメモリ群を有すると言える。第1選択回路60は、信号SEL1がアクティブレベルの場合には、複数列設けられた第2ビットメモリのうちの一方の列に、伝送線43から伝送される各ビット信号を伝送する。第1選択回路60は、信号SEL1がノンアクティブレベルの場合には、複数列設けられた第2ビットメモリのうちの他方の列に、伝送線43から伝送される各ビット信号を伝送する。 The bit memory unit 250 has a plurality of columns of second bit memories for one column of ADC 21 . A certain column of second bit memories among the plurality of columns of second bit memories can be said to be one memory group. Also, the second bit memory in another column can be said to be another memory group. That is, it can be said that the bit memory 250 has a plurality of memory groups for one column of ADCs 21 . When the signal SEL1 is at the active level, the first selection circuit 60 transmits each bit signal transmitted from the transmission line 43 to one column of the second bit memories provided in a plurality of columns. The first selection circuit 60 transmits each bit signal transmitted from the transmission line 43 to the other column of the second bit memories provided in a plurality of columns when the signal SEL1 is at the non-active level.

メモリ垂直走査回路45は、走査信号Sxy(xは1~8、yは1~2の値)を対応する第2ビットメモリに出力する。メモリ垂直走査回路45は、複数の第2ビットメモリ250a~hを第1方向(行が進む方向)に走査する第2走査回路である。 The memory vertical scanning circuit 45 outputs a scanning signal Sxy (x is a value of 1 to 8, y is a value of 1 to 2) to the corresponding second bit memory. The memory vertical scanning circuit 45 is a second scanning circuit that scans the plurality of second bit memories 250a to 250h in the first direction (row advancing direction).

バッファメモリ25は伝送線群520を有する。伝送線群520の詳細は後述するが、複数の伝送線を備える。 The buffer memory 25 has a transmission line group 520 . Although the details of the transmission line group 520 will be described later, it includes a plurality of transmission lines.

アクティブレベルの走査信号Sxyが入力された第2ビットメモリに、第1選択回路60から出力されるビット信号が保持される。 The bit signal output from the first selection circuit 60 is held in the second bit memory to which the active level scanning signal Sxy is input.

第2選択回路65は、TG30から出力される信号SEL2がアクティブレベルである場合は、第2ビットメモリの一方の列からビット信号が伝送される伝送線群520をスイッチSW2に接続する。一方、信号SEL2がノンアクティブレベルである場合は、第2ビットメモリの他方の列からビット信号が伝送される伝送線群520をスイッチSW2に接続する。 When the signal SEL2 output from the TG 30 is at the active level, the second selection circuit 65 connects the transmission line group 520 through which bit signals are transmitted from one column of the second bit memory to the switch SW2. On the other hand, when the signal SEL2 is at the non-active level, the transmission line group 520 through which bit signals are transmitted from the other column of the second bit memory is connected to the switch SW2.

メモリ水平走査回路48は、走査信号Hw(wは1~nの数)を対応するスイッチSWw(wは1~nの数)に出力する。メモリ水平走査回路48は、走査信号Hwを走査信号H1から順にアクティブレベルとする。これにより、スイッチSW1から順に、伝送線群49にビット信号を出力する。メモリ水平走査回路48は、複数の組の各々の第2伝送線と第3伝送線を走査する第3走査回路である。 The memory horizontal scanning circuit 48 outputs a scanning signal Hw (w is a number from 1 to n) to the corresponding switch SWw (w is a number from 1 to n). The memory horizontal scanning circuit 48 sets the scanning signal Hw to the active level in order from the scanning signal H1. As a result, bit signals are output to the transmission line group 49 in order from the switch SW1. Memory horizontal scanning circuit 48 is a third scanning circuit that scans each of the plurality of sets of second and third transmission lines.

図6は、図5に示したバッファメモリ25の詳細を示した図である。伝送線群520は、伝送線520a~hを備える。また、ビットメモリ部250は、第2ビットメモリ250a~hを備える。第2ビットメモリ250aは、伝送線520aに接続される。同じく、第2ビットメモリ250b~hのそれぞれは、伝送線520b~hのうちの対応する伝送線520z(zはb~hのいずれか)に接続される。例えば、伝送線520aは複数の第2ビットメモリ250a~hの一部の第2ビットメモリである第2ビットメモリ250aが接続された第2伝送線である。また、伝送線520bは複数の第2ビットメモリ250a~hの他の一部の第2ビットメモリである第2ビットメモリ250bが接続された第3伝送線である。 FIG. 6 is a diagram showing details of the buffer memory 25 shown in FIG. Transmission line group 520 comprises transmission lines 520a-h. The bit memory unit 250 also includes second bit memories 250a to 250h. The second bit memory 250a is connected to the transmission line 520a. Similarly, each of the second bit memories 250b-h is connected to a corresponding transmission line 520z (where z is any of b-h) among the transmission lines 520b-h. For example, transmission line 520a is a second transmission line to which second bit memory 250a, which is a portion of the plurality of second bit memories 250a-h, is connected. Also, the transmission line 520b is a third transmission line to which the second bit memory 250b, which is another part of the plurality of second bit memories 250a to 250h, is connected.

第2選択回路65は、伝送線520a~hのそれぞれに対応して配された、選択回路65a~hを有する。伝送線群49は、伝送線490a~hを有する。選択回路65a~hのそれぞれは、対応するスイッチSWを介して、伝送線490a~hのいずれかの対応する伝送線に接続される。伝送線490aは、複数のメモリ群の一方のメモリ群の第2伝送線と、複数のメモリ群の他方のメモリ群の第2伝送線とがせ選択的に接続される第4伝送線である。また、伝送線490bは、複数のメモリ群の一方のメモリ群の第3伝送線と、複数のメモリ群の他方のメモリ群の第3伝送線とが選択的に接続される第5伝送線である。 The second selection circuit 65 has selection circuits 65a-h arranged corresponding to the transmission lines 520a-h, respectively. Transmission line group 49 includes transmission lines 490a-h. Each of the selection circuits 65a-h is connected to a corresponding one of the transmission lines 490a-h via a corresponding switch SW. The transmission line 490a is a fourth transmission line selectively connected to the second transmission line of one memory group of the plurality of memory groups and the second transmission line of the other memory group of the plurality of memory groups. . Further, the transmission line 490b is a fifth transmission line to which the third transmission line of one memory group of the plurality of memory groups and the third transmission line of the other memory group of the plurality of memory groups are selectively connected. be.

図7は、本実施例の撮像装置の動作を示したタイミング図である。 FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the imaging device of this embodiment.

図7に示した信号は、図2~図6で参照した信号に対応している。図7に示したVLINEは、信号線201の電位である。 The signals shown in FIG. 7 correspond to the signals referenced in FIGS. VLINE shown in FIG. 7 is the potential of the signal line 201 .

期間P1に、垂直走査回路24は、信号を出力させる画素行に出力する信号RXをアクティブレベルとする。これにより、リセットトランジスタ606がアクティブとなり、FD部605の電位がリセットされる。信号線201には、リセットが解除されたFD部605の電位に対応する信号(ノイズ信号)が、増幅トランジスタ607から選択トランジスタ608を介して出力される。 During the period P1, the vertical scanning circuit 24 sets the signal RX to be output to the pixel row from which the signal is to be output to the active level. This activates the reset transistor 606 and resets the potential of the FD section 605 . A signal (noise signal) corresponding to the potential of the FD unit 605 whose reset has been released is output from the amplification transistor 607 to the signal line 201 via the selection transistor 608 .

期間P2に、ランプ信号生成部35は、ランプ信号VRMPの電位の単調変化を開始する。ここでいう単調変化とは、電位の変化の方向が、変化の開始から終了までの間、同じ方向に維持されることを意味する。ランプ信号の単位時間当たりの電位変化率が、変化の開始から終了までの間に変化が有った場合においても、これは電位の単調変化の範囲内である。 In the period P2, the ramp signal generator 35 starts monotonically changing the potential of the ramp signal VRMP. Monotonic change here means that the direction of potential change is maintained in the same direction from the start to the end of the change. Even when the potential change rate per unit time of the ramp signal changes from the start to the end of the change, this is within the range of monotonic change of the potential.

期間P2において、比較結果信号の信号レベルが変化した時のカウント信号Countを、第1メモリ55の各々の第1ビットメモリ550a~dが保持する。このカウント信号Countは、ノイズ信号に基づくデジタル信号である。これをNデータと表記する。 In the period P2, each of the first bit memories 550a to 550d of the first memory 55 holds the count signal Count when the signal level of the comparison result signal changes. This count signal Count is a digital signal based on a noise signal. This is denoted as N data.

期間P4では、TG30が第1選択回路60に出力する信号SEL1をアクティブレベルとしている。これにより、第1ビットメモリ550a~dから出力されるビット信号が、第1選択回路60と、第2ビットメモリ部250の一方の列の第2ビットメモリ250a~hとに接続された伝送線に出力される。 In the period P4, the signal SEL1 output from the TG 30 to the first selection circuit 60 is set to the active level. As a result, the bit signals output from the first bit memories 550a to 550d are transferred to the transmission lines connected to the first selection circuit 60 and the second bit memories 250a to 250h in one column of the second bit memory section 250. output to

期間P4に、ADC走査回路41は、走査信号S1~S8を順次アクティブレベルとする。これにあわせて、メモリ垂直走査回路45は、走査信号S11、S21、S31、S41、S51、S61、S71、S81を順次アクティブレベルとする。 During the period P4, the ADC scanning circuit 41 sequentially sets the scanning signals S1 to S8 to the active level. In accordance with this, the memory vertical scanning circuit 45 sequentially sets the scanning signals S11, S21, S31, S41, S51, S61, S71, and S81 to the active level.

例えば、走査信号S1がアクティブレベルに有る場合に、走査信号S11がアクティブレベルにある。これにより、第1ビットメモリ550aが出力したビット信号が、第2ビットメモリ部250の一方の列の、第2ビットメモリ250aに保持される。以下、同様にして、1つのADC21の第1メモリ55が保持したNデータのビット信号が、第2ビットメモリ250a~dに保持される。そして、同じ列で別の行のADC21の第1メモリ55が保持したNデータのビット信号が、第2ビットメモリ250e~hに保持される。 For example, when scanning signal S1 is at active level, scanning signal S11 is at active level. As a result, the bit signal output from the first bit memory 550a is held in the second bit memory 250a in one column of the second bit memory unit 250. FIG. Similarly, the N data bit signals held by the first memory 55 of one ADC 21 are held in the second bit memories 250a to 250d. Then, the N data bit signals held by the first memory 55 of the ADC 21 in another row in the same column are held in the second bit memories 250e to 250h.

また、この期間P4の一部に含まれる期間である期間P3に、垂直走査回路24は、信号Txをアクティブレベルとする。これにより、光電変換部13が生成した電荷が、FD部605に転送される。この結果、FD部605は、光電変換部13が生成した電荷に対応する電位となる。よって、信号線201には、光電変換部13が生成した電荷に対応するFD部605の電位に対応する信号(光信号)が、増幅トランジスタ607から選択トランジスタ608を介して出力される。 In addition, the vertical scanning circuit 24 sets the signal Tx to the active level during the period P3, which is a period included in part of the period P4. Thereby, the charges generated by the photoelectric conversion unit 13 are transferred to the FD unit 605 . As a result, the FD portion 605 has a potential corresponding to the charge generated by the photoelectric conversion portion 13 . Therefore, a signal (optical signal) corresponding to the potential of the FD unit 605 corresponding to the charge generated by the photoelectric conversion unit 13 is output from the amplification transistor 607 to the signal line 201 via the selection transistor 608 .

先述したように、期間P3は、期間P4の一部の期間に含まれる期間である。つまり、第1ビットメモリ550a~dから、第2ビットメモリ250a~hにビット信号を伝送する動作と、光電変換部13からFD部605への電荷の転送動作とが並行して行われる。 As described above, the period P3 is a period included in part of the period P4. That is, the operation of transmitting bit signals from the first bit memories 550a to 550d to the second bit memories 250a to 250h and the operation of transferring charges from the photoelectric conversion unit 13 to the FD unit 605 are performed in parallel.

期間P5に、ランプ信号生成部35は、ランプ信号VRMPの電位の単調変化を開始する。 In the period P5, the ramp signal generator 35 starts monotonically changing the potential of the ramp signal VRMP.

期間P5において、比較結果信号の信号レベルが変化した時のカウント信号Countを、第1メモリ55の各々の第1ビットメモリ550a~dが保持する。このカウント信号Countは、光信号に基づくデジタル信号である。これをSデータと表記する。 In the period P5, each of the first bit memories 550a to 550d of the first memory 55 holds the count signal Count when the signal level of the comparison result signal changes. This count signal Count is a digital signal based on an optical signal. This is denoted as S data.

また、期間P5では、メモリ水平走査回路48が、走査信号Hw(wは1~n)を順次アクティブレベルとする。これにより、第2ビットメモリ部250の一方の列の第2ビットメモリ250a~hが保持したNデータが、伝送線群49に出力される。 Also, in the period P5, the memory horizontal scanning circuit 48 sequentially sets the scanning signal Hw (w is 1 to n) to the active level. As a result, the N data held by the second bit memories 250a to 250h in one column of the second bit memory section 250 are output to the transmission line group 49. FIG.

期間P7では、TG30が第1選択回路60に出力する信号SEL2をアクティブレベルとしている。これにより、第1ビットメモリ550a~dから出力されるビット信号が、第1選択回路60と、第2ビットメモリ部250の他方の列の第2ビットメモリ250a~hとに接続された伝送線に出力される。 In the period P7, the signal SEL2 output from the TG 30 to the first selection circuit 60 is set to the active level. As a result, the bit signals output from the first bit memories 550a to 550d are transferred to the transmission lines connected to the first selection circuit 60 and the second bit memories 250a to 250h in the other column of the second bit memory section 250. output to

期間P7に、ADC走査回路41は、走査信号S1~S8を順次アクティブレベルとする。これにあわせて、メモリ垂直走査回路45は、走査信号S12、S22、S32、S42、S52、S62、S72、S82を順次アクティブレベルとする。 During the period P7, the ADC scanning circuit 41 sequentially sets the scanning signals S1 to S8 to the active level. In accordance with this, the memory vertical scanning circuit 45 sequentially sets the scanning signals S12, S22, S32, S42, S52, S62, S72, and S82 to the active level.

例えば、走査信号S1がアクティブレベルに有る場合に、走査信号S12がアクティブレベルにある。これにより、第1ビットメモリ550aが出力したビット信号が、第2ビットメモリ部250の他方の列の、第2ビットメモリ250aに保持される。以下、同様にして、1つのADC21の第1メモリ55が保持したSデータのビット信号が、第2ビットメモリ250a~dに保持される。そして、同じ列で別の行のADC21の第1メモリ55が保持したSデータのビット信号が、第2ビットメモリ250e~hに保持される。 For example, when scanning signal S1 is at active level, scanning signal S12 is at active level. As a result, the bit signal output from the first bit memory 550a is held in the second bit memory 250a in the other column of the second bit memory section 250. FIG. Similarly, the S data bit signals held by the first memory 55 of one ADC 21 are held in the second bit memories 250a to 250d. Then, the bit signals of the S data held by the first memory 55 of the ADC 21 in another row in the same column are held in the second bit memories 250e to 250h.

また、この期間P7の一部に含まれる期間である期間P6に、垂直走査回路24は、次の画素行に供給する信号Rxをアクティブレベルとする。これにより、次行のリセットトランジスタ606がアクティブとなり、FD部605の電位がリセットされる。信号線201には、次行の画素11からノイズ信号が出力される。 In addition, during period P6, which is a period included in part of this period P7, the vertical scanning circuit 24 sets the signal Rx to be supplied to the next pixel row to the active level. As a result, the reset transistor 606 in the next row becomes active, and the potential of the FD section 605 is reset. A noise signal is output to the signal line 201 from the pixels 11 in the next row.

期間P8、P9に、メモリ水平走査回路48が、走査信号Hw(wは1~n)を順次アクティブレベルとする。これにより、第2ビットメモリ部250の他方の列の第2ビットメモリ250a~hが保持したSデータが、伝送線群49に出力される。 During periods P8 and P9, the memory horizontal scanning circuit 48 sequentially sets the scanning signal Hw (w is 1 to n) to the active level. As a result, the S data held by the second bit memories 250a to 250h in the other column of the second bit memory unit 250 are output to the transmission line group 49. FIG.

また、期間P9と一部重なる期間である期間P10に、先の期間P4と同じく、1つのADC21の第1メモリ55が保持したNデータのビット信号が、第2ビットメモリ250a~dに保持される。そして、同じ列で別の行のADC21の第1メモリ55が保持したNデータのビット信号が、第2ビットメモリ250e~hに保持される。 Further, during a period P10 that partially overlaps with the period P9, the N data bit signals held by the first memory 55 of one ADC 21 are held in the second bit memories 250a to 250d as in the previous period P4. be. Then, the N data bit signals held by the first memory 55 of the ADC 21 in another row in the same column are held in the second bit memories 250e to 250h.

つまり、第2ビットメモリ部250の他方の列の第2ビットメモリ250a~hが保持したSデータの伝送線群49への出力動作と、第1ビットメモリ550a~dから第2ビットメモリ250a~hへの出力動作を並行して行うことができる。これは、第2ビットメモリ250a~hが、1列の第1ビットメモリ550a~dに対して、複数列備えていることによる効果である。つまり、第1ビットメモリ550aに対して、複数の第2ビットメモリ250aを備え、この複数の第2ビットメモリ250aの中から選択的にビット信号を出力できるためである。これにより、第1ビットメモリ550a~dから第2ビットメモリ250a~hの転送の待機時間を減らすことができる。 That is, the operation of outputting the S data held by the second bit memories 250a to 250h in the other column of the second bit memory section 250 to the transmission line group 49, and h can be performed in parallel. This is due to the fact that the second bit memories 250a-250h have a plurality of columns for the one column of the first bit memories 550a-550d. In other words, a plurality of second bit memories 250a are provided for the first bit memory 550a, and bit signals can be selectively output from the plurality of second bit memories 250a. This reduces the waiting time for transfer from the first bit memories 550a-d to the second bit memories 250a-h.

また、本実施例は、第1ビットメモリ550a~dは伝送線43によってシリアルに伝送される。一方、第2ビットメモリ250a~hは伝送線520a~h、伝送線490a~hによってパラレルに伝送される。これにより、第1ビットメモリ550a~dからの信号をシリアル伝送とすることにより、AD変換領域22における伝送線の配線面積を削減することができる。AD変換領域22は、AD変換を行うために多くの素子を有する回路を備えている。したがって、AD変換領域22の領域面積が十分に確保できない場合には、AD変換部の個数を減らす場合が生じる。この場合には複数行の画素11のAD変換を終えるまでに要する期間が長大化する。したがって、AD変換部の面積の圧迫の要因となる、伝送線の配線面積を低減することにより、AD変換部の個数を充分に確保することができる。 Also, in this embodiment, the first bit memories 550a-d are serially transmitted through the transmission line 43. FIG. On the other hand, the second bit memories 250a-h are transmitted in parallel by transmission lines 520a-h and transmission lines 490a-h. As a result, the wiring area of the transmission lines in the AD conversion area 22 can be reduced by serially transmitting the signals from the first bit memories 550a to 550d. The AD conversion area 22 comprises a circuit having many elements for AD conversion. Therefore, when a sufficient area for the AD conversion region 22 cannot be secured, the number of AD conversion units may be reduced. In this case, the period required to finish the AD conversion of the pixels 11 of multiple rows becomes long. Therefore, by reducing the wiring area of the transmission lines, which causes pressure on the area of the AD converters, it is possible to secure a sufficient number of AD converters.

一方で、シリアル伝送は、複数のビットのデジタル信号の伝送に、パラレル伝送と比べて時間が掛かる。よってAD変換領域の外部に設けられたバッファメモリ25からのデジタル信号をパラレル伝送によって行う。これにより、複数行、複数列の画素11に対応するデジタル信号の撮像装置からの読み出しを高速化することができる。 On the other hand, serial transmission takes more time than parallel transmission to transmit a digital signal of a plurality of bits. Therefore, the digital signal from the buffer memory 25 provided outside the AD conversion area is transmitted in parallel. This makes it possible to speed up reading of digital signals corresponding to the pixels 11 in multiple rows and multiple columns from the imaging device.

また、パラレル伝送によるデジタル信号の高速読み出しは、走査信号の信号変動、伝送線の信号変動によるノイズが生じる。このノイズは、AD変換部に伝搬するとAD変換の精度の低下を生じさせる。具体的には、比較器51の電源線、ランプ信号VRMPの伝送線、信号線201と比較器51との間の伝送線にノイズが重畳すると、比較結果信号の信号レベルの変化するタイミングが、本来変化するタイミングとは別のタイミングとなる。このため、本来得られるデジタル信号の値とは異なるデジタル信号が取得されることとなる。一方、本実施例の撮像装置は、ノイズパラレル伝送を行うバッファメモリを、AD変換領域22の外部に設けている。これにより、AD変換の精度の低下を抑制することができる。 Further, high-speed reading of digital signals by parallel transmission causes noise due to signal fluctuations in scanning signals and signal fluctuations in transmission lines. When this noise propagates to the AD converter, it causes a decrease in AD conversion accuracy. Specifically, when noise is superimposed on the power line of the comparator 51, the transmission line of the ramp signal VRMP, and the transmission line between the signal line 201 and the comparator 51, the timing at which the signal level of the comparison result signal changes is The timing is different from the original timing. Therefore, a digital signal different from the value of the originally obtained digital signal is obtained. On the other hand, the imaging apparatus of this embodiment has a buffer memory for noise parallel transmission provided outside the AD conversion area 22 . As a result, it is possible to suppress deterioration in accuracy of AD conversion.

また、バッファメモリ25を備えず、AD変換領域22からDFE28にデジタル信号を伝送する場合には次の課題が有る。この場合、複数行複数列のAD変換部21の中から、XYアドレスを指定してデジタル信号を読み出すことが想定される。AD変換領域22は、比較器51を含むAD変換を行うための素子が多く設けられている。したがって、AD変換領域22からDFE28にデジタル信号を伝送する場合、AD変換部21とDFE28との伝送経路の配線長が最も短いAD変換部21と、最も長いAD変換部21との差が大きくなる。したがって、AD変換部21からDFE28への伝送時間を、伝送距離が最長のAD変換部21を基準に決定すると、AD変換領域22からDFE28へのデジタル信号の伝送時間が長大化する。一方、AD変換部21からDFE28への伝送時間を、伝送距離が最短のAD変換部21を基準に決定すると、AD変換領域22からDFE28へのデジタル信号の伝送不良が生じる。 Further, when the digital signal is transmitted from the AD conversion area 22 to the DFE 28 without the buffer memory 25, there is the following problem. In this case, it is assumed that an XY address is specified and a digital signal is read out from among the AD converters 21 of multiple rows and multiple columns. The AD conversion area 22 is provided with many elements for performing AD conversion including the comparator 51 . Therefore, when a digital signal is transmitted from the AD conversion area 22 to the DFE 28, the difference between the shortest AD converter 21 and the longest AD converter 21 in the transmission path between the AD converter 21 and the DFE 28 becomes large. . Therefore, if the transmission time from the AD conversion section 21 to the DFE 28 is determined based on the AD conversion section 21 having the longest transmission distance, the transmission time of the digital signal from the AD conversion region 22 to the DFE 28 becomes long. On the other hand, if the transmission time from the AD conversion unit 21 to the DFE 28 is determined based on the AD conversion unit 21 having the shortest transmission distance, a digital signal transmission failure from the AD conversion region 22 to the DFE 28 occurs.

一方、本実施例では、複数行複数列のAD変換部21から、垂直走査によってバッファメモリ25にデジタル信号を伝送する。そして、バッファメモリ25の垂直走査および水平走査によってDFE28にデジタル信号を伝送する。これにより、各AD変換部21からDFE28へのデジタル信号の伝送距離の差を低減することができる。これにより、デジタル信号の伝送に充分な長さの時間を確保しながら、高速なデジタル信号の伝送を行うことができる。 On the other hand, in this embodiment, a digital signal is transmitted to the buffer memory 25 by vertical scanning from the multi-row multi-column AD converters 21 . A digital signal is transmitted to the DFE 28 by vertical scanning and horizontal scanning of the buffer memory 25 . Thereby, the difference in the transmission distance of the digital signal from each AD converter 21 to the DFE 28 can be reduced. As a result, high-speed digital signal transmission can be performed while ensuring a sufficient length of time for digital signal transmission.

なお、本実施例では、1列複数行のAD変換部21に対し、伝送線43が1本設けられた例を説明したが、この例に限定されるものでは無い。例えば、図8に示すように、1列複数行のAD変換部21のうち、一部のAD変換部21が伝送線43-1に接続され、他の一部のAD変換部21が伝送線43-2に接続される形態であってもよい。この場合には、複数行のAD変換部21から並行して、ビット信号をバッファメモリ25に伝送することができる。 In this embodiment, an example in which one transmission line 43 is provided for one column and multiple rows of AD converters 21 has been described, but the present invention is not limited to this example. For example, as shown in FIG. 8, among the AD converters 21 arranged in one column and multiple rows, some of the AD converters 21 are connected to the transmission line 43-1, and some of the AD converters 21 are connected to the transmission line 43-1. 43-2 may be used. In this case, bit signals can be transmitted to the buffer memory 25 in parallel from the AD converters 21 in multiple rows.

なお、本実施例では、伝送線520a~hの1つが、ビットメモリ250a~hの1つに対応して設けられている例を説明したが、この例に限定されるものでは無い。つまり、伝送線520a(第2伝送線)に第2ビットメモリ250a~hの一部の複数の第2ビットメモリが接続され、別の伝送線520b(第3伝送線)に第2ビットメモリ250a~hの他の一部の複数の第2ビットメモリが接続される形態であってもよい。この場合において、第2ビットメモリの一部のビットメモリと、他の一部のビットメモリとから、ビット信号がパラレルに伝送される。よって、バッファメモリ25からDFE28への信号伝送を高速化する効果が得られる。 In this embodiment, one of the transmission lines 520a to 520h is provided corresponding to one of the bit memories 250a to 250h, but the present invention is not limited to this example. That is, a transmission line 520a (second transmission line) is connected to a plurality of second bit memories that are part of the second bit memories 250a to 250h, and another transmission line 520b (third transmission line) is connected to the second bit memory 250a. 1 through h may be connected to a plurality of second bit memories. In this case, bit signals are transmitted in parallel from part of the second bit memory and part of the other bit memory. Therefore, the effect of increasing the speed of signal transmission from the buffer memory 25 to the DFE 28 is obtained.

また、本実施例では、比較器51に入力される参照信号の一例として、ランプ信号を用いた例を説明した。本実施例はこの例に限定されるものでは無く、参照信号の別の例として、逐次比較型のAD変換に用いられる参照信号としてもよい。 Also, in this embodiment, as an example of the reference signal input to the comparator 51, the ramp signal is used. The present embodiment is not limited to this example, and another example of the reference signal may be a reference signal used for successive approximation AD conversion.

(実施例2)
実施例1の撮像装置と異なる点を中心に説明する。実施例1の撮像装置は第1チップ1、第2チップ5を積層した撮像装置であった。本実施例の撮像装置は、第1チップ、第2チップ、第3チップとして3つのチップを積層した撮像装置である。
(Example 2)
The description will focus on the differences from the imaging apparatus of the first embodiment. The imaging device of Example 1 was an imaging device in which the first chip 1 and the second chip 5 were stacked. The image pickup device of this embodiment is an image pickup device in which three chips are stacked as a first chip, a second chip, and a third chip.

図9は、本実施例の撮像装置の模式図である。第1チップ101、第2チップ102、第3チップ103が積層されている。第1チップ101は、光電変換部13が複数行複数列に渡って配されている。 FIG. 9 is a schematic diagram of the imaging device of this embodiment. A first chip 101, a second chip 102 and a third chip 103 are stacked. In the first chip 101, the photoelectric conversion units 13 are arranged over a plurality of rows and a plurality of columns.

第2チップ102にはAD変換部21が複数行複数列に渡って配されている。 In the second chip 102, the AD converters 21 are arranged over a plurality of rows and a plurality of columns.

第3チップ103には、バッファメモリ25と、DFE28とを備える領域が、複数行複数列配されている。 In the third chip 103, regions including the buffer memory 25 and the DFE 28 are arranged in multiple rows and multiple columns.

図10(a)は本実施例の撮像装置の構成を示したブロック図である。図10(a)では、図3に示したブロックと同じ機能を有するブロックに、図3で付した符号と同じ符号を付している。本実施例の撮像装置は、AD変換部21の外部に第1メモリ55が設けられている。第1メモリ55は、第3チップ103に配されている。本実施例では、AD変換領域22とは別の領域に、複数行複数列の第1メモリ55が配されたメモリ領域が配されている。 FIG. 10(a) is a block diagram showing the configuration of the imaging apparatus of this embodiment. In FIG. 10(a), blocks having the same functions as the blocks shown in FIG. 3 are given the same reference numerals as those shown in FIG. The imaging apparatus of this embodiment is provided with a first memory 55 outside the AD converter 21 . The first memory 55 is arranged on the third chip 103 . In this embodiment, a memory area in which a plurality of rows and columns of first memories 55 are arranged is arranged in an area different from the AD conversion area 22 .

図10(b)は、本実施例のAD変換部21に関わる構成を示したブロック図である。第1メモリ55がAD変換部21の外部に設けられている点以外は、図4(b)の構成と同じとすることができる。 FIG. 10B is a block diagram showing a configuration related to the AD converter 21 of this embodiment. The configuration can be the same as that of FIG. 4B except that the first memory 55 is provided outside the AD converter 21 .

本実施例においても、第1メモリ55とバッファメモリ25との間の信号伝送と、バッファメモリ25とDFE28との間の信号伝送は実施例1と同じとすることができる。 Also in this embodiment, the signal transmission between the first memory 55 and the buffer memory 25 and the signal transmission between the buffer memory 25 and the DFE 28 can be the same as in the first embodiment.

このように、本実施例の撮像装置は、比較器51を有するAD変換部と、AD変換部の出力を受ける第1メモリ55とが別のチップに設けられた場合においても、実施例1と同じ効果を得ることができる。 As described above, the image pickup apparatus of the present embodiment is similar to that of the first embodiment even when the AD conversion section having the comparator 51 and the first memory 55 for receiving the output of the AD conversion section are provided in separate chips. You can get the same effect.

(実施例3)
本実施例の撮像装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
(Example 3)
The image pickup apparatus of this embodiment will be described with a focus on the differences from the first embodiment.

本実施例の撮像装置は、FD部605に入力ノードが接続されたトランジスタ(実施例1で言えば増幅トランジスタ607)が、比較器が備える差動対の入力トランジスタとして動作する。 In the imaging apparatus of this embodiment, the transistors (amplifying transistors 607 in the first embodiment) whose input nodes are connected to the FD section 605 operate as input transistors of a differential pair included in the comparator.

図11は、本実施例の撮像装置の回路を示した回路図である。 FIG. 11 is a circuit diagram showing the circuit of the imaging device of this embodiment.

第1チップ1には、光電変換部(フォトダイオード)913、転送トランジスタ914、リセットトランジスタ915、FD部920を有する画素912が配されている。画素912は、図1のように、複数行および複数列に渡って配されている。 A pixel 912 having a photoelectric conversion unit (photodiode) 913 , a transfer transistor 914 , a reset transistor 915 , and an FD unit 920 is arranged in the first chip 1 . The pixels 912 are arranged in multiple rows and multiple columns as in FIG.

また、画素912は、入力トランジスタ917-1、917-2、電流源919を有する。 The pixel 912 also has input transistors 917 - 1 and 917 - 2 and a current source 919 .

第2チップ5には、カレントミラー回路を構成するトランジスタ群918、メモリ部921、ランプ信号生成部911が配されている。 The second chip 5 includes a transistor group 918, a memory section 921, and a ramp signal generation section 911 that form a current mirror circuit.

トランジスタ群918の共通ノードには、電源電圧VDDが供給される。また、電流源919の一方の主ノードは入力トランジスタ917-1、917-2が接続される。電流源919の他方の主ノードは電源電圧GND(接地電位)が供給される。 A common node of the transistor group 918 is supplied with the power supply voltage VDD. One main node of current source 919 is connected to input transistors 917-1 and 917-2. The other main node of current source 919 is supplied with power supply voltage GND (ground potential).

入力トランジスタ917-1、917-2、カレントミラー回路を構成するトランジスタ群918、電流源919によって差動対925が構成される。差動対925の複数の入力ノードとして、入力トランジスタ917-1、917-2が設けられている。差動対925の入力トランジスタ917-1は制御ノードであるゲートがFD部920に接続されている。また、入力トランジスタ917-1は転送トランジスタ914を介して光電変換部913に接続されていることから、入力トランジスタ917-1は光電変換部913に接続された、差動対925の入力ノードと言える。 A differential pair 925 is composed of input transistors 917-1 and 917-2, a transistor group 918 forming a current mirror circuit, and a current source 919. FIG. Input transistors 917 - 1 and 917 - 2 are provided as a plurality of input nodes of the differential pair 925 . The input transistor 917 - 1 of the differential pair 925 has its gate, which is a control node, connected to the FD section 920 . Since the input transistor 917-1 is connected to the photoelectric conversion unit 913 via the transfer transistor 914, the input transistor 917-1 can be said to be an input node of the differential pair 925 connected to the photoelectric conversion unit 913. .

また、入力トランジスタ917-2の制御ノードであるゲートは、伝送線916を介して、ランプ信号生成部911に接続されていることから、入力トランジスタ917-2は、ランプ信号生成部911が接続された、差動対925の入力ノードと言える。 Further, since the gate, which is the control node of the input transistor 917-2, is connected to the ramp signal generator 911 via the transmission line 916, the ramp signal generator 911 is connected to the input transistor 917-2. It can also be said that it is an input node of the differential pair 925 .

差動対925の一部である入力トランジスタ917-1、917-2、電流源919は、光電変換部913が配された第1チップ1に配されている。一方、差動対925の他の一部であるカレントミラー回路であるトランジスタ群918は第2チップ5に配されている。そして、本実施例では、ランプ信号生成部911は、差動対925の一部である入力トランジスタ917-1、917-2、電流源919は、光電変換部913が配された第1チップ1とは別のチップである第2チップ5に配されている。 The input transistors 917-1 and 917-2 and the current source 919, which are part of the differential pair 925, are arranged on the first chip 1 where the photoelectric conversion section 913 is arranged. On the other hand, a transistor group 918 that is a current mirror circuit that is another part of the differential pair 925 is arranged on the second chip 5 . In this embodiment, the ramp signal generation unit 911 is the input transistors 917-1 and 917-2 that are part of the differential pair 925, and the current source 919 is the first chip 1 in which the photoelectric conversion unit 913 is arranged. It is arranged on a second chip 5 which is a chip different from that.

差動対925は、入力トランジスタ917-1の制御ノードの電位と、入力トランジスタ917-2の制御ノードの電位とを比較した結果を示す比較結果信号COUTを出力する比較器である。すなわち、差動対925を備える比較器と、メモリ部921は、光電変換部913が蓄積した電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部である。 The differential pair 925 is a comparator that outputs a comparison result signal COUT indicating the result of comparing the potential of the control node of the input transistor 917-1 and the potential of the control node of the input transistor 917-2. That is, the comparator including the differential pair 925 and the memory section 921 are an AD conversion section that converts an analog signal based on the charge accumulated by the photoelectric conversion section 913 into a digital signal.

本実施例のメモリ部921は、実施例1で述べた第1メモリ55とすることができる。そして、この第1メモリ55の後段に、実施例1と同じく、バッファメモリ25を設ける。そして、バッファメモリ25の後段にDFE28を設ける。 The memory unit 921 of this embodiment can be the first memory 55 described in the first embodiment. Then, the buffer memory 25 is provided after the first memory 55 as in the first embodiment. A DFE 28 is provided in the subsequent stage of the buffer memory 25 .

第1メモリ55とバッファメモリ25との間の信号伝送と、バッファメモリ25とDFE28との間の信号伝送は実施例1と同じとすることができる。 Signal transmission between the first memory 55 and the buffer memory 25 and signal transmission between the buffer memory 25 and the DFE 28 can be the same as in the first embodiment.

このように、本実施例のように、FD部(浮遊拡散部)が接続された入力ノードを有する入力トランジスタが、差動対の入力トランジスタである場合においても、実施例1の撮像装置と同じ効果を得ることができる。 As described above, even when the input transistors having the input node to which the FD section (floating diffusion section) is connected are the input transistors of the differential pair as in the present embodiment, the imaging device of the first embodiment is the same. effect can be obtained.

なお、これまでの実施例は、画素の電荷蓄積期間の開始同士、終了同士が行ごとで異なるローリングシャッタ動作を説明した。これまでの実施例は、画素の電荷蓄積期間の開始同士、終了同士が複数行複数列で同じグローバルシャッタ動作であっても、行うことができる。 In the embodiments described so far, the rolling shutter operation in which the start and end of the charge accumulation period of the pixels are different for each row has been described. The embodiments described so far can be performed even when the start and end of the charge accumulation period of the pixels are the same global shutter operation for a plurality of rows and a plurality of columns.

(実施例4)
図12は、本実施例による撮像システム500の構成を示すブロック図である。本実施例の撮像システム500は、上述の各実施例で述べた撮像装置のいずれかの構成を適用した撮像装置200を含む。撮像システム500の具体例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラ等が挙げられる。図12に、上述の各実施例のいずれかの撮像装置を撮像装置200として適用したデジタルスチルカメラの構成例を示す。
(Example 4)
FIG. 12 is a block diagram showing the configuration of an imaging system 500 according to this embodiment. An imaging system 500 of this embodiment includes an imaging device 200 to which any configuration of the imaging devices described in the above embodiments is applied. Specific examples of the imaging system 500 include a digital still camera, a digital camcorder, a surveillance camera, and the like. FIG. 12 shows a configuration example of a digital still camera to which one of the imaging apparatuses of the above-described embodiments is applied as an imaging apparatus 200. As shown in FIG.

図12に例示した撮像システム500は、撮像装置200、被写体の光学像を撮像装置200に結像させるレンズ5020、レンズ5020を通過する光量を可変にするための絞り504、レンズ5020の保護のためのバリア506を有する。レンズ5020及び絞り504は、撮像装置200に光を集光する光学系である。 An imaging system 500 illustrated in FIG. 12 includes an imaging device 200, a lens 5020 for forming an optical image of a subject on the imaging device 200, an aperture 504 for varying the amount of light passing through the lens 5020, and a lens for protecting the lens 5020. has a barrier 506 of A lens 5020 and a diaphragm 504 are an optical system that condenses light on the imaging device 200 .

撮像システム500は、また、撮像装置200から出力される出力信号の処理を行う信号処理部5080を有する。信号処理部5080は、必要に応じて入力信号に対して各種の補正、圧縮を行って出力する信号処理の動作を行う。信号処理部5080は、撮像装置200より出力される出力信号に対してAD変換処理を実施する機能を備えていてもよい。この場合、撮像装置200の内部には、必ずしもAD変換回路を有する必要はない。 The imaging system 500 also has a signal processing section 5080 that processes an output signal output from the imaging device 200 . The signal processing unit 5080 performs a signal processing operation of performing various corrections and compressions on an input signal and outputting the signal as necessary. The signal processing unit 5080 may have a function of performing AD conversion processing on the output signal output from the imaging device 200 . In this case, the imaging device 200 does not necessarily have an AD conversion circuit inside.

撮像システム500は、更に、画像データを一時的に記憶するためのバッファメモリ部510、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)512を有する。更に撮像システム500は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体514、記録媒体514に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)516を有する。なお、記録媒体514は、撮像システム500に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。 The imaging system 500 further includes a buffer memory section 510 for temporarily storing image data, and an external interface section (external I/F section) 512 for communicating with an external computer or the like. Further, the imaging system 500 includes a recording medium 514 such as a semiconductor memory for recording or reading imaging data, and a recording medium control interface section (recording medium control I/F section) 516 for recording or reading the recording medium 514. have Note that the recording medium 514 may be built in the imaging system 500 or may be detachable.

更に撮像システム500は、各種演算を行うとともにデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部518、撮像装置200と信号処理部5080に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部520を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム500は、少なくとも撮像装置200と、撮像装置200から出力された出力信号を処理する信号処理部5080とを有すればよい。全体制御・演算部518及びタイミング発生部520は、撮像装置200の制御機能の一部又は全部を実施するように構成してもよい。 The imaging system 500 further includes an overall control/calculation unit 518 that performs various calculations and controls the entire digital still camera, and a timing generation unit 520 that outputs various timing signals to the imaging device 200 and the signal processing unit 5080 . Here, the timing signal and the like may be input from the outside, and the imaging system 500 only needs to have at least the imaging device 200 and the signal processing section 5080 that processes the output signal output from the imaging device 200 . The overall control/calculation unit 518 and the timing generation unit 520 may be configured to implement some or all of the control functions of the imaging device 200 .

撮像装置200は、画像用信号を信号処理部5080に出力する。信号処理部5080は、撮像装置200から出力される画像用信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。また、信号処理部5080は、画像用信号を用いて、画像を生成する。 The imaging device 200 outputs the image signal to the signal processing section 5080 . The signal processing unit 5080 performs predetermined signal processing on the image signal output from the imaging device 200 and outputs image data. Also, the signal processing unit 5080 generates an image using the image signal.

上述した各実施例の撮像装置による撮像装置を用いて撮像システムを構成することにより、より良質の画像が取得可能な撮像システムを実現することができる。 By configuring an imaging system using the imaging apparatus according to each of the embodiments described above, it is possible to realize an imaging system capable of acquiring a higher-quality image.

(実施例5)
本実施例の撮像システム及び移動体について、図13及び図14を用いて説明する。
(Example 5)
An imaging system and a moving object according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG.

図13は、本実施例による撮像システム及び移動体の構成例を示す概略図である。図14は、本実施例による撮像システムの動作を示すフロー図である。 FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of an imaging system and a moving object according to this embodiment. FIG. 14 is a flowchart showing the operation of the imaging system according to this embodiment.

本実施例では、車載カメラに関する撮像システムの一例を示す。図13は、車両システムとこれに搭載される撮像システムの一例を示したものである。撮像システム701は、撮像装置702、画像前処理部715、集積回路703、光学系714を含む。光学系714は、撮像装置702に被写体の光学像を結像する。撮像装置702は、光学系714により結像された被写体の光学像を電気信号に変換する。撮像装置702は、上述の各実施例のいずれかの撮像装置である。画像前処理部715は、撮像装置702から出力された信号に対して所定の信号処理を行う。画像前処理部715の機能は、撮像装置702内に組み込まれていてもよい。撮像システム701には、光学系714、撮像装置702及び画像前処理部715が、少なくとも2組設けられており、各組の画像前処理部715からの出力が集積回路703に入力されるようになっている。 In this embodiment, an example of an imaging system for an in-vehicle camera is shown. FIG. 13 shows an example of a vehicle system and an imaging system mounted thereon. The imaging system 701 includes an imaging device 702 , an image preprocessor 715 , an integrated circuit 703 and an optical system 714 . An optical system 714 forms an optical image of a subject on the imaging device 702 . The imaging device 702 converts the optical image of the object formed by the optical system 714 into an electrical signal. The imaging device 702 is one of the imaging devices of the embodiments described above. An image preprocessing unit 715 performs predetermined signal processing on the signal output from the imaging device 702 . The functionality of the image preprocessor 715 may be incorporated within the imaging device 702 . The imaging system 701 is provided with at least two sets of an optical system 714 , an imaging device 702 , and an image preprocessing unit 715 . It's becoming

集積回路703は、撮像システム用途向けの集積回路であり、メモリ705を含む画像処理部704、光学測距部706、視差演算部707、物体認知部708、異常検出部709を含む。画像処理部704は、画像前処理部715の出力信号に対して、現像処理や欠陥補正等の画像処理を行う。メモリ705は、撮像画像の一次記憶、撮像画素の欠陥位置を格納する。光学測距部706は、被写体の合焦や、測距を行う。視差演算部707は、複数の撮像装置702により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う。物体認知部708は、車、道、標識、人等の被写体の認知を行う。異常検出部709は、撮像装置702の異常を検出すると、主制御部713に異常を発報する。 The integrated circuit 703 is an integrated circuit for use in an imaging system, and includes an image processing unit 704 including a memory 705 , an optical distance measurement unit 706 , a parallax calculation unit 707 , an object recognition unit 708 and an abnormality detection unit 709 . An image processing unit 704 performs image processing such as development processing and defect correction on the output signal of the image preprocessing unit 715 . A memory 705 temporarily stores captured images and stores defect positions of captured pixels. An optical distance measurement unit 706 performs focusing and distance measurement on a subject. A parallax calculation unit 707 calculates parallax (phase difference of parallax images) from a plurality of image data acquired by a plurality of imaging devices 702 . An object recognition unit 708 recognizes subjects such as cars, roads, signs, and people. The abnormality detection unit 709 notifies the main control unit 713 of the abnormality when detecting the abnormality of the imaging device 702 .

集積回路703は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated Circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。 The integrated circuit 703 may be implemented by specially designed hardware, software modules, or a combination thereof. Moreover, it may be implemented by FPGA (Field Programmable Gate Array), ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or the like, or by a combination thereof.

主制御部713は、撮像システム701、車両センサ710、制御ユニット720等の動作を統括・制御する。なお、主制御部713を持たず、撮像システム701、車両センサ710、制御ユニット720が個別に通信インターフェースを有して、それぞれが通信ネットワークを介して制御信号の送受を行う(例えばCAN規格)方法も取りうる。 A main control unit 713 integrates and controls the operations of the imaging system 701, the vehicle sensor 710, the control unit 720, and the like. A method in which the imaging system 701, the vehicle sensor 710, and the control unit 720 have separate communication interfaces without having the main control unit 713, and each of them transmits and receives control signals via a communication network (for example, CAN standard). can also take

集積回路703は、主制御部713からの制御信号を受け或いは自身の制御部によって、撮像装置702へ制御信号や設定値を送信する機能を有する。例えば、集積回路703は、撮像装置702内の電圧スイッチ13をパルス駆動させるための設定や、フレーム毎に電圧スイッチ13を切り替える設定等を送信する。 The integrated circuit 703 has a function of receiving a control signal from the main control unit 713 or transmitting a control signal and setting values to the imaging device 702 by its own control unit. For example, the integrated circuit 703 transmits settings for pulse-driving the voltage switch 13 in the imaging device 702, settings for switching the voltage switch 13 for each frame, and the like.

撮像システム701は、車両センサ710に接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの自車両走行状態及び自車外環境や他車・障害物の状態を検出することができる。車両センサ710は、視差画像から対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段でもある。また、撮像システム701は、自動操舵、自動巡行、衝突防止機能等の種々の運転支援を行う運転支援制御部711に接続されている。特に、衝突判定機能に関しては、撮像システム701や車両センサ710の検出結果を基に他車・障害物との衝突推定・衝突有無を判定する。これにより、衝突が推定される場合の回避制御、衝突時の安全装置起動を行う。 The imaging system 701 is connected to a vehicle sensor 710, and can detect the running state of the own vehicle such as vehicle speed, yaw rate, and steering angle, the environment outside the own vehicle, and the states of other vehicles and obstacles. The vehicle sensor 710 also serves as distance information acquisition means for acquiring distance information from the parallax image to the object. The imaging system 701 is also connected to a driving support control unit 711 that performs various driving support functions such as automatic steering, automatic cruise, and anti-collision functions. In particular, regarding the collision determination function, based on the detection results of the imaging system 701 and the vehicle sensor 710, it is possible to estimate a collision with another vehicle/obstacle and determine whether or not there is a collision. As a result, avoidance control when a collision is presumed and safety device activation at the time of collision are performed.

また、撮像システム701は、衝突判定部での判定結果に基づいて、ドライバーに警報を発する警報装置712にも接続されている。例えば、衝突判定部の判定結果として衝突可能性が高い場合、主制御部713は、ブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして、衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置712は、音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムやメーターパネルなどの表示部画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。 The imaging system 701 is also connected to an alarm device 712 that issues an alarm to the driver based on the determination result of the collision determination unit. For example, if the collision determination unit determines that there is a high probability of collision, the main control unit 713 controls the vehicle to avoid collisions and reduce damage by applying the brakes, releasing the accelerator, or suppressing engine output. conduct. The alarm device 712 warns the user by sounding an alarm such as sound, displaying alarm information on a display unit screen of a car navigation system or a meter panel, or vibrating a seat belt or steering wheel.

本実施例では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム701で撮影する。図13(b)に、車両前方を撮像システム701で撮像する場合の撮像システム701の配置例を示す。 In this embodiment, the image pickup system 701 photographs the surroundings of the vehicle, for example, the front or rear. FIG. 13B shows an arrangement example of the image pickup system 701 when the image pickup system 701 picks up an image in front of the vehicle.

2つの撮像装置702は、車両700の前方に配置される。具体的には、車両700の進退方位又は外形(例えば車幅)に対する中心線を対称軸に見立て、その対称軸に対して2つの撮像装置702が線対称に配置されると、車両700と被写対象物との間の距離情報の取得や衝突可能性の判定を行う上で好ましい。また、撮像装置702は、運転者が運転席から車両700の外の状況を視認する際に運転者の視野を妨げない配置が好ましい。警報装置712は、運転者の視野に入りやすい配置が好ましい。 Two imaging devices 702 are arranged in front of the vehicle 700 . Specifically, if the center line of the vehicle 700 with respect to the forward/retreat direction or the outer shape (for example, the width of the vehicle) is regarded as the axis of symmetry, and the two imaging devices 702 are arranged symmetrically with respect to the axis of symmetry, the vehicle 700 and the subject are arranged. This is preferable for obtaining information on the distance to the photographed object and determining the possibility of collision. In addition, the imaging device 702 is preferably arranged so as not to obstruct the driver's field of view when the driver visually recognizes the situation outside the vehicle 700 from the driver's seat. It is preferable that the warning device 712 be arranged so as to be easily visible to the driver.

次に、撮像システム701における撮像装置702の故障検出動作について、図14を用いて説明する。撮像装置702の故障検出動作は、図14に示すステップS810~S880に従って実施される。 Next, failure detection operation of the imaging device 702 in the imaging system 701 will be described with reference to FIG. The failure detection operation of the imaging device 702 is performed according to steps S810 to S880 shown in FIG.

ステップS810は、撮像装置702のスタートアップ時の設定を行うステップである。すなわち、撮像システム701の外部(例えば主制御部713)又は撮像システム701の内部から、撮像装置702の動作のための設定を送信し、撮像装置702の撮像動作及び故障検出動作を開始する。 Step S<b>810 is a step of performing settings for startup of the imaging device 702 . That is, the setting for the operation of the imaging device 702 is transmitted from the outside of the imaging system 701 (for example, the main control unit 713) or the inside of the imaging system 701, and the imaging operation and failure detection operation of the imaging device 702 are started.

次いで、ステップS820において、有効画素から画素信号を取得する。また、ステップS830において、故障検出用に設けた故障検出画素からの出力値を取得する。この故障検出画素は、有効画素と同じく光電変換部を備える。この光電変換部には、所定の電圧が書き込まれる。故障検出用画素は、この光電変換部に書き込まれた電圧に対応する信号を出力する。なお、ステップS820とステップS830とは逆でもよい。 Next, in step S820, pixel signals are obtained from effective pixels. Also, in step S830, an output value is obtained from a failure detection pixel provided for failure detection. This failure detection pixel has a photoelectric conversion section like the effective pixel. A predetermined voltage is written in the photoelectric conversion unit. The failure detection pixel outputs a signal corresponding to the voltage written to the photoelectric conversion section. Note that steps S820 and S830 may be reversed.

次いで、ステップS840において、故障検出画素の出力期待値と、実際の故障検出画素からの出力値との該非判定を行う。 Next, in step S840, whether or not the expected output value of the failure-detected pixel corresponds to the actual output value from the failure-detected pixel is determined.

ステップS840における該非判定の結果、出力期待値と実際の出力値とが一致している場合は、ステップS850に移行し、撮像動作が正常に行われていると判定し、処理ステップがステップS860へと移行する。ステップS860では、走査行の画素信号をメモリ705に送信して一次保存する。そののち、ステップS820に戻り、故障検出動作を継続する。 As a result of the pertinence determination in step S840, if the expected output value and the actual output value match, the process proceeds to step S850, it is determined that the imaging operation is performed normally, and the processing step proceeds to step S860. and migrate. In step S860, the pixel signals of the scanning line are transmitted to the memory 705 for temporary storage. After that, the process returns to step S820 to continue the failure detection operation.

一方、ステップS840における該非判定の結果、出力期待値と実際の出力値とが一致していない場合は、処理ステップはステップS870に移行する。ステップS870において、撮像動作に異常があると判定し、主制御部713、又は警報装置712に警報を発報する。警報装置712は、表示部に異常が検出されたことを表示させる。その後、ステップS880において撮像装置702を停止し、撮像システム701の動作を終了する。 On the other hand, if the result of the pertinence determination in step S840 is that the expected output value and the actual output value do not match, the process proceeds to step S870. In step S870, it is determined that there is an abnormality in the imaging operation, and an alarm is issued to the main control unit 713 or the alarm device 712. FIG. The alarm device 712 causes the display unit to display that an abnormality has been detected. After that, in step S880, the imaging device 702 is stopped, and the operation of the imaging system 701 ends.

なお、本実施例では、1行毎にフローチャートをループさせる例を例示したが、複数行毎にフローチャートをループさせてもよいし、1フレーム毎に故障検出動作を行ってもよい。 In this embodiment, the flowchart is looped for each line, but the flowchart may be looped for a plurality of lines, or the failure detection operation may be performed for each frame.

なお、ステップS870の警報の発報は、無線ネットワークを介して、車両の外部に通知するようにしてもよい。 Note that the issuing of the warning in step S870 may be notified to the outside of the vehicle via a wireless network.

また、本実施例では、他の車両と衝突しない制御を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。さらに、撮像システム701は、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機或いは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。 In addition, in this embodiment, control for avoiding collision with other vehicles has been described, but it is also applicable to control for automatically driving following another vehicle or control for automatically driving so as not to stray from the lane. . Furthermore, the imaging system 701 can be applied not only to vehicles such as the own vehicle, but also to moving objects (moving devices) such as ships, aircraft, and industrial robots. In addition, the present invention can be applied not only to mobile objects but also to devices that widely use object recognition, such as intelligent transportation systems (ITS).

[変形実施例]
本発明は、上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
[Modified embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.

例えば、いずれかの実施例の一部の構成を他の実施例に追加した例や、他の実施例の一部の構成と置換した例も、本発明の実施例である。 For example, an example in which a part of the configuration of one of the embodiments is added to another embodiment or an example in which a part of the configuration of another embodiment is replaced is also an embodiment of the present invention.

また、上述の実施例は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらの例示によって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならない。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な態様で実施することができる。 In addition, the above-described embodiments are merely examples of specific implementations of the present invention, and the technical scope of the present invention should not be construed to be limited by these exemplifications. That is, the present invention can be embodied in various forms without departing from its technical concept or main features.

1 第1チップ
5 第2チップ
21 AD変換部(ADC)
22 AD変換領域(ADC Array)
25 バッファメモリ
28 デジタル信号処理回路(DFE)
30 タイミングジェネレータ(TG)
31 カウンタ
35 ランプ信号生成部
1 first chip 5 second chip 21 AD converter (ADC)
22 AD conversion area (ADC Array)
25 buffer memory 28 digital signal processing circuit (DFE)
30 timing generator (TG)
31 counter 35 ramp signal generator

Claims (23)

アナログ信号をデジタル信号に変換する複数のAD変換部がそれぞれに配された複数のアレイと
前記複数のアレイの各々に配された前記複数のAD変換部にカウント信号を出力するカウンタと
前記複数のアレイの各々に配された前記複数のAD変換部に供給するランプ信号を生成するランプ信号生成回路とを備え、
前記カウンタが、平面視において、前記複数のアレイのうちの第1アレイと第2アレイとの間の領域に配されており、
前記ランプ信号生成回路が、前記領域とは別の領域であって、前記複数のアレイのうちの一のアレイと、別の一のアレイとの間の領域に配されていることを特徴とする回路。
a plurality of arrays each having a plurality of AD converters for converting analog signals into digital signals;
a counter that outputs a count signal to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of arrays ;
a ramp signal generation circuit for generating a ramp signal to be supplied to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of arrays ;
The counter is arranged in a region between a first array and a second array among the plurality of arrays in plan view,
The ramp signal generation circuit is arranged in a region different from the above region and between one array of the plurality of arrays and another one of the arrays. circuit.
前記一のアレイと、前記別の一のアレイとの間の領域には他の前記カウンタが配されていないことを特徴とする請求項1に記載の回路 2. The circuit of claim 1, wherein the area between said one array and said another array is free of said other counters . 第1回路領域第2回路領域をむ複数の回路領域を含み
前記複数の回路領域の各々は、
アナログ信号をデジタル信号に変換する複数のAD変換部を含むアレイと、
記アレイから出力される前記デジタル信号を保持する複数のメモリを含むメモリアレイとを含み、
前記第1回路領域は前記アレイとして第1アレイを有し、
前記第2回路領域は前記アレイとして第2アレイを有し、
前記複数の回路領域各々の前記複数のAD変換にカウント信号を出力するカウンタと、
前記複数の回路領域の各々に配された前記複数のAD変換部に供給するランプ信号を生成するランプ信号生成回路とを備え、
前記カウンタが、前記複数の回路領域のうちの第1回路領域と第2回路領域の間の領域に配され
前記ランプ信号生成回路が、前記領域とは別の領域であって、前記複数の回路領域のうちの一の回路領域と、別の一の回路領域との間の領域に配されていることを特徴とする回路。
including a plurality of circuit regions including a first circuit region and a second circuit region ;
each of the plurality of circuit regions,
an array including a plurality of AD converters for converting analog signals to digital signals;
a memory array including a plurality of memories holding the digital signals output from the array ;
the first circuit region has a first array as the array;
the second circuit region has a second array as the array;
a counter that outputs a count signal to each of the plurality of AD converters in each of the plurality of circuit regions ;
a ramp signal generation circuit for generating a ramp signal to be supplied to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of circuit regions ;
the counter is arranged in a region between a first circuit region and a second circuit region among the plurality of circuit regions ;
wherein the ramp signal generation circuit is disposed in a region different from the region and between one circuit region and another circuit region among the plurality of circuit regions; A circuit characterized by:
前記一の回路領域と、前記別の一の回路領域との間の領域には他の前記カウンタが配されていないことを特徴とする請求項3に記載の回路 4. The circuit according to claim 3, wherein no other said counters are arranged in a region between said one circuit region and said another one circuit region . 前記複数のAD変換部が複数行および複数列に渡って配されており、
前記複数行のうちの一の行の複数列に配された複数のAD変換部に前記カウント信号を伝送する第1線と、
前記複数行のうちの別の一の行の複数列に配された複数のAD変換部に前記カウント信号を伝送する第2線と、
前記カウント信号を前記第1線および前記第2線に供給する第3線とを備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の回路
The plurality of AD conversion units are arranged over a plurality of rows and columns,
a first line that transmits the count signal to a plurality of AD converters arranged in a plurality of columns in one row among the plurality of rows;
a second line for transmitting the count signal to a plurality of AD converters arranged in a plurality of columns of another row among the plurality of rows;
A circuit as claimed in any preceding claim, comprising a third line for supplying said count signal to said first line and said second line .
前記第1アレイの前記複数のAD変換部を走査して順次前記デジタル信号をAD変換部から読み出す走査回路を有し、
前記第1線が接続された複数のAD変換部は前記走査回路と第1走査線で接続され、
前記第2線が接続された複数のAD変換部は前記走査回路と第2走査線で接続されることを特徴とする請求項に記載の回路。
a scanning circuit that scans the plurality of AD converters of the first array and sequentially reads out the digital signals from the AD converters;
the plurality of AD converters to which the first line is connected are connected to the scanning circuit by the first scanning line;
6. The circuit according to claim 5 , wherein the plurality of AD converters to which the second lines are connected are connected to the scanning circuit by the second scanning lines.
前記デジタル信号を処理する第1デジタル信号処理回路を有し、
前記第1アレイは、前記カウンタと、前記第1デジタル信号処理回路との間の領域に配されていることを特徴とする請求項1~のいずれか1項に記載の回路。
Having a first digital signal processing circuit that processes the digital signal,
7. A circuit as claimed in any preceding claim, wherein the first array is arranged in an area between the counter and the first digital signal processing circuit.
前記回路の外部に信号を出力する第1インターフェース部を備え、
前記第1インターフェース部と前記第1アレイとの間に、前記第1デジタル信号処理回路が配されていることを特徴とする請求項に記載の回路。
A first interface unit that outputs a signal to the outside of the circuit,
8. The circuit of claim 7 , wherein the first digital signal processing circuit is arranged between the first interface section and the first array.
前記第1アレイと前記第1デジタル信号処理回路の間に、各々が前記デジタル信号を保持する複数行および複数列に渡って配された複数のメモリを有する第1メモリアレイが配されていることを特徴とする請求項またはに記載の回路。 A first memory array having a plurality of memories arranged over a plurality of rows and a plurality of columns each holding the digital signal is arranged between the first array and the first digital signal processing circuit. 9. A circuit according to claim 7 or 8 , characterized in that: 前記デジタル信号を処理する第2デジタル信号処理回路を有し、
前記第2アレイは、前記カウンタと、前記第2デジタル信号処理回路との間の領域に配されていることを特徴とする請求項のいずれか1項に記載の回路。
Having a second digital signal processing circuit that processes the digital signal,
9. A circuit according to any one of claims 7 to 8 , characterized in that said second array is arranged in an area between said counter and said second digital signal processing circuit.
前記回路の外部に信号を出力する第2インターフェース部を備え、
前記第2インターフェース部と前記第2アレイとの間に、前記第2デジタル信号処理回路が配されていることを特徴とする請求項10に記載の回路。
A second interface unit that outputs a signal to the outside of the circuit,
11. The circuit of claim 10 , wherein the second digital signal processing circuit is arranged between the second interface section and the second array.
前記第2アレイと前記第2デジタル信号処理回路の間に、各々が前記デジタル信号を保持する複数行および複数列に渡って配された複数のメモリを有する第2メモリアレイが配されていることを特徴とする請求項10または11に記載の回路。 A second memory array having a plurality of memories arranged over a plurality of rows and a plurality of columns each holding the digital signal is arranged between the second array and the second digital signal processing circuit. 12. A circuit according to claim 10 or 11 , characterized in that: 前記ランプ信号生成回路と、前記第2デジタル信号処理回路との間に、複数の前記アレイのうちの第4アレイが配されていることを特徴とする請求項10~12のいずれか1項に記載の回路。 13. The method according to any one of claims 10 to 12, wherein a fourth array among the plurality of arrays is arranged between the ramp signal generation circuit and the second digital signal processing circuit. Circuit as described. 前記回路は、前記アナログ信号を出力する複数のアナログ出力回路を走査する第2走査回路を備え、
前記第2走査回路と、前記第1アレイの間に複数の前記アレイのうちの第3アレイが設けられていることを特徴とする請求項13に記載の回路。
The circuit includes a second scanning circuit that scans a plurality of analog output circuits that output the analog signal,
14. The circuit of claim 13 , wherein a third of said plurality of arrays is provided between said second scanning circuit and said first array.
前記第2走査回路と、前記第2アレイの間に前記第4アレイが設けられていることを特徴とする請求項14に記載の回路。 15. The circuit of claim 14 , wherein said fourth array is provided between said second scanning circuit and said second array. 前記第3アレイと前記第1デジタル信号処理回路の間に、各々が前記デジタル信号を保持する複数行および複数列に渡って配された複数のメモリを有する第3メモリアレイが配されていることを特徴とする請求項14または15に記載の回路。 A third memory array having a plurality of memories arranged over a plurality of rows and a plurality of columns each holding the digital signal is arranged between the third array and the first digital signal processing circuit. 16. A circuit according to claim 14 or 15 , characterized in that: 前記回路は、複数のAD変換部が、それぞれにおいて複数行および複数列に渡って配された第3アレイおよび第4アレイをさらに有し、
前記第3アレイと前記第1デジタル信号処理回路の間に、各々が前記デジタル信号を保持する複数行および複数列に渡って配された複数のメモリを有する第3メモリアレイが配され、
前記回路は、前記アナログ信号を出力する複数のアナログ出力回路を走査する第2走査回路を備え、
前記第2走査回路と前記第1メモリアレイとの間に、前記第3メモリアレイが配されている請求項に記載の回路。
The circuit further has a third array and a fourth array in which a plurality of AD converters are arranged over a plurality of rows and a plurality of columns,
a third memory array having a plurality of memories arranged over a plurality of rows and a plurality of columns each holding the digital signal, arranged between the third array and the first digital signal processing circuit;
The circuit includes a second scanning circuit that scans a plurality of analog output circuits that output the analog signal,
10. The circuit of claim 9 , wherein said third memory array is disposed between said second scanning circuit and said first memory array.
前記デジタル信号を処理する第2デジタル信号処理回路を有し、
前記第2アレイは、前記カウンタと、前記第2デジタル信号処理回路との間の領域に配され、
前記第2アレイと前記第2デジタル信号処理回路の間に、各々が前記デジタル信号を保持する複数行および複数列に渡って配された複数のメモリを有する第2メモリアレイを有し、
前記第4アレイと前記第2デジタル信号処理回路の間に、各々が前記デジタル信号を保持する複数行および複数列に渡って配された複数のメモリを有する第4メモリアレイが配され、
前記第2走査回路と前記第2メモリアレイとの間に、前記第4メモリアレイが配されている請求項17に記載の回路。
Having a second digital signal processing circuit that processes the digital signal,
the second array is arranged in an area between the counter and the second digital signal processing circuit;
between the second array and the second digital signal processing circuit, a second memory array having a plurality of memories arranged over a plurality of rows and a plurality of columns each holding the digital signal;
a fourth memory array having a plurality of memories arranged over a plurality of rows and a plurality of columns each holding the digital signal, arranged between the fourth array and the second digital signal processing circuit;
18. The circuit of claim 17 , wherein said fourth memory array is interposed between said second scanning circuit and said second memory array.
アナログ信号をデジタル信号に変換する複数のAD変換部がそれぞれに配された複数のアレイと
前記複数のアレイの各々に配された前記複数のAD変換部にカウント信号を出力するカウンタと
前記複数のアレイの各々に配された前記複数のAD変換部に供給するランプ信号を生成するランプ信号生成回路とを備え、
前記カウンタが、平面視において、前記複数のアレイのうちの第1アレイと第2アレイとの間の領域に配されており、
前記ランプ信号生成回路が、前記領域とは別の領域であって、前記複数のアレイのうちの一のアレイと、別の一のアレイとの間の領域に配されていることを特徴とするチップ。
a plurality of arrays each having a plurality of AD converters for converting analog signals into digital signals;
a counter that outputs a count signal to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of arrays ;
a ramp signal generation circuit for generating a ramp signal to be supplied to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of arrays ;
The counter is arranged in a region between a first array and a second array among the plurality of arrays in plan view,
The ramp signal generation circuit is arranged in a region different from the above region and between one array of the plurality of arrays and another one of the arrays. chips.
第1回路領域第2回路領域をむ複数の回路領域を含み
前記複数の回路領域の各々は、
アナログ信号をデジタル信号に変換する複数のAD変換部を含むアレイと、
記アレイから出力される前記デジタル信号を保持する複数のメモリを含むメモリアレイとを含み、
前記第1回路領域は前記アレイとして第1アレイを有し、
前記第2回路領域は前記アレイとして第2アレイを有し、
前記複数の回路領域各々の前記複数のAD変換にカウント信号を出力するカウンタと、
前記複数の回路領域の各々に配された前記複数のAD変換部に供給するランプ信号を生成するランプ信号生成回路とを備え、
前記カウンタが、前記複数の回路領域のうちの第1回路領域と第2回路領域の間の領域に配され
前記ランプ信号生成回路が、前記領域とは別の領域であって、前記複数の回路領域のうちの一の回路領域と、別の一の回路領域との間の領域に配されていることを特徴とするチップ。
including a plurality of circuit regions including a first circuit region and a second circuit region ;
each of the plurality of circuit regions,
an array including a plurality of AD converters for converting analog signals to digital signals;
a memory array including a plurality of memories holding the digital signals output from the array ;
the first circuit region has a first array as the array;
the second circuit region has a second array as the array;
a counter that outputs a count signal to each of the plurality of AD converters in each of the plurality of circuit regions ;
a ramp signal generation circuit for generating a ramp signal to be supplied to the plurality of AD converters arranged in each of the plurality of circuit regions ;
the counter is arranged in a region between a first circuit region and a second circuit region among the plurality of circuit regions ;
wherein the ramp signal generation circuit is disposed in a region different from the region and between one circuit region and another circuit region among the plurality of circuit regions; Characteristic chip.
請求項1~18のいずれか1項に記載の前記回路が配されたチップと、
前記アナログ信号を前記チップに出力する、光電変換部を備える別のチップとが積層された撮像装置。
A chip on which the circuit according to any one of claims 1 to 18 is arranged;
An imaging device in which another chip having a photoelectric conversion unit that outputs the analog signal to the chip is stacked.
請求項21に記載の撮像装置と、前記撮像装置が出力する信号を処理する信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。 22. An image pickup system comprising: the image pickup apparatus according to claim 21 ; and a signal processing section that processes a signal output from the image pickup apparatus. 請求項21に記載の撮像装置を有する移動体であって、
前記移動体の移動を制御する制御部をさらに有することを特徴とする移動体。
A moving body having the imaging device according to claim 21 ,
A moving object, further comprising a control unit for controlling movement of the moving object.
JP2020083333A 2020-05-11 2020-05-11 circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body Active JP7167086B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020083333A JP7167086B2 (en) 2020-05-11 2020-05-11 circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020083333A JP7167086B2 (en) 2020-05-11 2020-05-11 circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018022403A Division JP6704944B2 (en) 2018-02-09 2018-02-09 Imaging device, imaging system, moving body

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020115698A JP2020115698A (en) 2020-07-30
JP2020115698A5 JP2020115698A5 (en) 2022-02-07
JP7167086B2 true JP7167086B2 (en) 2022-11-08

Family

ID=71778722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020083333A Active JP7167086B2 (en) 2020-05-11 2020-05-11 circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7167086B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016151837A1 (en) 2015-03-26 2016-09-29 オリンパス株式会社 Solid-state image pickup device
WO2017169480A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社ニコン Imaging element and imaging device
JP2017192056A (en) 2016-04-14 2017-10-19 ソニー株式会社 Solid state image sensor, imaging apparatus, and electronic apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016151837A1 (en) 2015-03-26 2016-09-29 オリンパス株式会社 Solid-state image pickup device
WO2017169480A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社ニコン Imaging element and imaging device
JP2017192056A (en) 2016-04-14 2017-10-19 ソニー株式会社 Solid state image sensor, imaging apparatus, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020115698A (en) 2020-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7303682B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
US10645316B2 (en) Imaging device and method of driving imaging device
CN110139008B (en) Imaging device, imaging system, and moving body
JP7245016B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
US10304894B2 (en) Imaging sensor, imaging system, and moving body
CN109587414B (en) Imaging apparatus, imaging system, and moving body
US20210306577A1 (en) Imaging device and imaging system
JP6976776B2 (en) Solid-state image sensor, image sensor, and mobile object
JP7250454B2 (en) imaging device, imaging system, moving body
JP7102159B2 (en) Photoelectric converters, imaging systems, and moving objects
JP6815890B2 (en) Imaging equipment, imaging systems, and moving objects
JP7167086B2 (en) circuit, chip, imaging device, imaging system, moving body
US11509849B2 (en) Imaging device, imaging system, and moving body
JP7134782B2 (en) AD conversion device, imaging device, imaging system, and moving body
JP6812397B2 (en) Solid-state image sensor, its driving method, and image sensor
JP2021010075A (en) Photoelectric conversion devise, photoelectric conversion system, and mobile body
JP7118658B2 (en) imaging device, imaging system, moving body
US11778347B2 (en) Photoelectric conversion device
US20230276147A1 (en) Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and moving body

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210205

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220927

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221026

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7167086

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151