JP7157324B2 - ファイバー及びこれを用いた発光素子並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
[実施形態1]
(ファイバー10)
(芯体12)
(半導体発光構造20)
[実施形態5]
[実施形態6]
[実施形態7]
[実施形態8]
[実施形態9]
[ファイバーの製造方法]
[発光素子の製造方法]
10、10A、10B、10C、10D…ファイバー
12…芯体
20…半導体発光構造
21…低温成長バッファ層
22…n型半導体層
23…発光層
24…p型半導体層
25…p側コンタクト層
26…p側電極
27…n側電極
28…絶縁層
29…接続層
30…外部接続端子
40、40B…放熱部材
50…バンプ
52…バッド電極
LB…電球
CS…Arカーテンシール
Claims (12)
- サファイア又はスピネルで構成されたファイバーと、
前記ファイバーの外周面に形成された半導体発光構造と、
を備え、
前記ファイバーは、サファイア又はスピネルで構成された内部に該ファイバーの延長方向に沿って延長された金属製の芯体を備える発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記芯体は、タングステン又はイリジウムである発光素子。 - 請求項1又は2に記載の発光素子であって、
前記半導体発光構造は、窒化物半導体積層構造である発光素子。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記サファイアの<0001>又はスピネルの<111>が、前記ファイバーの延長方向と交差する断面方向と一致している発光素子。 - 請求項1~4のいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記ファイバーの断面が円形状に形成されてなる発光素子。 - 請求項1~5のいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記ファイバーの延長方向に沿って、前記半導体発光構造が複数離間されて形成されてなる発光素子。 - 請求項6に記載の発光素子であって、
前記離間された半導体発光構造はそれぞれ正負の電極部を有し、各半導体発光構造が各々の電極部を介して直列接続されてなる発光素子。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載の発光素子であって、
前記芯体が、放熱部材に接続されてなる発光素子。 - 発光素子の製造方法であって、
サファイア又はスピネルで構成され、繊維状に延長された金属製の芯体を内部に含むファイバーを準備する工程と、
前記芯体を加熱した状態で、前記ファイバーの外周面に半導体発光構造を成長させる工程と、
を含む発光素子の製造方法。 - 請求項9に記載の発光素子の製造方法であって、
前記サファイアの<0001>又はスピネルの<111>が、前記ファイバーの延長方向と交差する断面方向と一致している発光素子の製造方法。 - 請求項9又は10に記載の発光素子の製造方法であって、
前記ファイバーを準備する工程が、μ-PD法により前記サファイア又はスピネルを成長させる工程を含む発光素子の製造方法。 - 請求項9又は10に記載の発光素子の製造方法であって、
前記ファイバーを準備する工程が、LHPD法により前記サファイア又はスピネルを成長させる工程を含む発光素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP7157324B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338886A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Ngk Insulators Ltd | 半導体デバイス、その製造方法、及びそれに用いる半導体デバイス用基板 |
JP2008141005A (ja) | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1571475A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-07 | C.R.F. Società Consortile per Azioni | Fiber-type electro-optical diode |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001338886A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Ngk Insulators Ltd | 半導体デバイス、その製造方法、及びそれに用いる半導体デバイス用基板 |
JP2008141005A (ja) | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体装置およびその製造方法 |
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