JP7147610B2 - Insulated circuit board and its manufacturing method - Google Patents

Insulated circuit board and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP7147610B2
JP7147610B2 JP2019022284A JP2019022284A JP7147610B2 JP 7147610 B2 JP7147610 B2 JP 7147610B2 JP 2019022284 A JP2019022284 A JP 2019022284A JP 2019022284 A JP2019022284 A JP 2019022284A JP 7147610 B2 JP7147610 B2 JP 7147610B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
aluminum
ceramic substrate
dividing
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019022284A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020129631A (en
Inventor
丈嗣 北原
遼平 湯本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2019022284A priority Critical patent/JP7147610B2/en
Publication of JP2020129631A publication Critical patent/JP2020129631A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7147610B2 publication Critical patent/JP7147610B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、パワーモジュール用基板等の絶縁回路基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an insulated circuit board such as a power module board and a method for manufacturing the same.

絶縁回路基板として、窒化アルミニウムを始めとするセラミックス基板からなる絶縁基板の一方の面に回路層が接合されるとともに、他方の面に金属層が接合されたパワーモジュール用基板が知られている。このようなパワーモジュール用基板において、回路層にはアルミニウム又は銅が用いられており、例えば、特許文献1に開示されているパワーモジュール用基板では、絶縁基板に接合された回路層及び金属層のそれぞれは、純度が99.99%以上の純銅で構成されている。このような銅は、熱的特性、電気的特性がアルミニウムより優れるが、変形抵抗が高い。このため、冷熱サイクルが負荷された際に、セラミックス基板と銅の回路層との間に大きな熱応力が生じ、セラミックス基板に割れを生じやすい。 As an insulating circuit board, a power module board is known in which a circuit layer is bonded to one surface of an insulating substrate made of a ceramic substrate such as aluminum nitride, and a metal layer is bonded to the other surface. In such a power module substrate, aluminum or copper is used for the circuit layer. Each is composed of pure copper with a purity of 99.99% or higher. Such copper is superior to aluminum in thermal and electrical properties, but has high deformation resistance. Therefore, when a thermal cycle is applied, a large thermal stress is generated between the ceramic substrate and the copper circuit layer, and cracks are likely to occur in the ceramic substrate.

近年、セラミックス基板の表面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層が接合され、その上面に銅又は銅合金からなる銅層が固相拡散接合された絶縁回路基板が用いられており、例えば、特許文献2では、パワーモジュール用基板の絶縁層(セラミックス基板)の一方の面に形成された回路層を、絶縁層の一方の面に配設されたアルミニウム層と、このアルミニウム層の一方側(絶縁層とは接合されていない面側)に積層された銅層との二重構造とし、銅に比べて変形抵抗の小さいアルミニウム層を絶縁層との間に介在させて熱応力を緩和している。このため、銅層の厚さを例えば、1.0mm以上とすることができ、低熱抵抗の絶縁回路基板とすることが可能となる。また、特許文献2の構成では、回路層の銅層の上に半導体素子が搭載されることから、回路層を二重構造とすることで、半導体素子で発生する熱を伝熱する際に、銅層において面方向に拡げて効率的に放散している。 In recent years, an insulating circuit board has been used in which an aluminum layer made of aluminum or an aluminum alloy is bonded to the surface of a ceramic substrate, and a copper layer made of copper or a copper alloy is solid phase diffusion bonded to the upper surface of the ceramic substrate. In 2, the circuit layer formed on one side of the insulating layer (ceramic substrate) of the power module substrate is combined with an aluminum layer provided on one side of the insulating layer and one side of this aluminum layer (insulating layer It has a double structure with a copper layer laminated on the side that is not joined to the surface), and an aluminum layer, which has a smaller deformation resistance than copper, is interposed between the insulating layer and the thermal stress. Therefore, the thickness of the copper layer can be set to, for example, 1.0 mm or more, and an insulated circuit board with low thermal resistance can be obtained. In addition, in the configuration of Patent Document 2, since the semiconductor element is mounted on the copper layer of the circuit layer, by making the circuit layer a double structure, when heat generated in the semiconductor element is transferred, It spreads in the plane direction in the copper layer and diffuses efficiently.

特開2004-221547号公報JP 2004-221547 A 国際公開第2013/147144号WO2013/147144

しかしながら、応力緩衝機能を有するアルミニウム層を介して銅層を接合した場合であっても、銅層の厚さや銅層に形成されるパターンの形状によっては、銅層のパターン間に残留応力(引張応力)が生じるため、加熱時の反り変化によってセラミックス基板が割れることがある。 However, even if copper layers are bonded via an aluminum layer that has a stress buffering function, residual stress (tensile The ceramic substrate may crack due to warping change during heating.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、セラミックス基板の割れを抑制できる絶縁回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an insulated circuit board and a method of manufacturing the same that can suppress cracking of a ceramic substrate.

本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面に金属層が形成された絶縁回路基板であって、前記回路層は、前記セラミックス基板に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第1アルミニウム層と、前記第1アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第1銅層と、を有し、前記セラミックス基板は、第1分割溝により複数のセラミックス片に分割されるとともに、前記回路層は、第2分割溝により複数の回路パターンに分割され、前記セラミックス基板の第1分割溝は、前記回路層の第2分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第2分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、前記単独部分においては、その分割溝に沿って前記第1アルミニウム層が分割され、前記第1銅層は、該分割溝上にまたがって配置されている。 An insulated circuit board of the present invention is an insulated circuit board in which a circuit layer is formed on one surface of a ceramics substrate and a metal layer is formed on the other surface of the ceramics substrate, wherein the circuit layer is the ceramics substrate. and a first copper layer made of copper or a copper alloy solid-phase diffusion-bonded to the first aluminum layer, wherein the ceramic substrate comprises a first The circuit layer is divided into a plurality of ceramic pieces by one dividing groove, and the circuit layer is divided into a plurality of circuit patterns by a second dividing groove, and the first dividing groove of the ceramic substrate corresponds to the second dividing groove of the circuit layer. and an independent portion formed by extending the overlapping portion to a location different from the second dividing groove, and the independent portion includes along the dividing groove The first aluminum layer is divided, and the first copper layer is disposed over the dividing grooves.

本発明では、回路層を複数の回路パターンに分割する第2分割溝とは異なる部位に第1分割溝の単独部分が形成され、当該単独部分においては第1アルミニウム層が分断されているので、複数の回路パターンに熱伸縮が生じても、セラミックス基板に熱応力が生じにくい。したがって、加熱時の反り変化によってセラミックス基板が割れることを抑制できる。 In the present invention, the single portion of the first dividing groove is formed in a portion different from the second dividing groove that divides the circuit layer into a plurality of circuit patterns, and the first aluminum layer is divided in the single portion. Even if thermal expansion and contraction occurs in a plurality of circuit patterns, thermal stress is less likely to occur in the ceramic substrate. Therefore, it is possible to suppress cracking of the ceramic substrate due to warp change during heating.

本発明の絶縁回路基板の好ましい態様としては、前記第1分割溝は、前記セラミックス基板の辺に平行に形成されているとよい。 As a preferred aspect of the insulated circuit board of the present invention, the first dividing groove may be formed parallel to the sides of the ceramic substrate.

上記態様では、第1分割溝がセラミックス基板の辺に平行に形成されているので、当該絶縁回路基板を製造するのが容易となる。 In the above aspect, since the first dividing grooves are formed in parallel with the sides of the ceramic substrate, it becomes easy to manufacture the insulated circuit substrate.

本発明の絶縁回路基板の好ましい態様としては、前記第1銅層の厚さは、0.8mm以上3.0mm以下であるとよい。 As a preferable aspect of the insulated circuit board of the present invention, the thickness of the first copper layer is preferably 0.8 mm or more and 3.0 mm or less.

第1銅層の厚さが0.8mm未満であると、第2分割溝により分断された回路層の複数の回路パターンに生じる熱応力が小さいため、上記対策を施す必要性が乏しい。一方、第1銅層の厚さが3.0mmを超えると、複数の回路パターンに生じる熱応力が大きいため、第1アルミニウム層を介してセラミックス基板に固定されたとしても、各回路パターンの略中央においてセラミックス基板に割れが生じる可能性がある。 If the thickness of the first copper layer is less than 0.8 mm, the thermal stress generated in the plurality of circuit patterns of the circuit layer divided by the second dividing grooves is small, so there is little need to take the above measures. On the other hand, if the thickness of the first copper layer exceeds 3.0 mm, the thermal stress generated in the plurality of circuit patterns is large. A crack may occur in the ceramic substrate at the center.

本発明の絶縁回路基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第1アルミニウム層と、前記第1アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第1銅層とからなる回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第2アルミニウム層と、前記第2アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第2銅層とからなる金属層が形成された絶縁回路基板の製造方法であって、前記セラミックス基板の一方の面に前記第1アルミニウム層を接合するとともに、前記セラミックス基板の他方の面に前記第2アルミニウム層を接合した後、前記セラミックス基板を第1分割溝により分割して複数のセラミックス片を形成するとともに、前記第1分割溝の一部と重なって配置される第2分割溝により前記第1アルミニウム層を分割して複数のパターンを形成する分割工程と、前記分割工程後に、複数の前記セラミックス片のそれぞれを前記第2銅層上に間隔を開けて配置するとともに、複数の前記セラミックス片の上面に前記第1銅層を重ねて積層体を形成し、前記積層体を加圧及び加熱することにより前記第1アルミニウム層及び前記第1銅層、並びに前記第2アルミニウム層及び前記第2銅層を固相拡散接合させる接合工程と、を備え、前記分割工程における前記セラミックス基板を分割する前記第1分割溝は、前記第2分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第2分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、前記接合工程における前記第1銅層は、前記第1アルミニウム層の複数のパターンと同じ複数のパターンに分断されており、その少なくとも一つは、前記単独部分において、その分割溝上にまたがって配置されて接合される。 A method for manufacturing an insulated circuit board according to the present invention comprises: a first aluminum layer made of aluminum or an aluminum alloy on one side of a ceramic substrate; A second aluminum layer made of aluminum or an aluminum alloy is formed on the other surface of the ceramic substrate, and a second aluminum layer made of copper or a copper alloy is solid phase diffusion bonded to the second aluminum layer. A method for manufacturing an insulated circuit board on which a metal layer consisting of two copper layers is formed, wherein the first aluminum layer is bonded to one surface of the ceramic substrate, and the first aluminum layer is bonded to the other surface of the ceramic substrate. After bonding the two aluminum layers, the ceramic substrate is divided by the first dividing grooves to form a plurality of ceramic pieces, and the second dividing grooves are arranged to partially overlap the first dividing grooves to form the second dividing grooves. a dividing step of dividing one aluminum layer to form a plurality of patterns; The first copper layer is superimposed on the upper surface of the laminate to form a laminate, and the laminate is pressurized and heated to form the first aluminum layer and the first copper layer, and the second aluminum layer and the second a bonding step of solid-phase diffusion bonding a copper layer, wherein the first dividing groove for dividing the ceramic substrate in the dividing step includes an overlapping portion arranged to overlap with the second dividing groove; and a single portion formed by extending the overlapping portion to a location different from the dividing groove, and the first copper layer in the bonding step has a plurality of patterns that are the same as the plurality of patterns of the first aluminum layer. At least one of them is placed across the dividing groove and joined to the single portion.

本発明では、第2分割溝により複数のパターンに分断された第1アルミニウム層及び第2アルミニウム層が接合されたセラミックス片を第2銅層上に配置し、その上に第1銅層を配置して、加圧及び加熱する方法で、これらを一体化できる。この場合、分割溝の配置のみ工夫すればよく、接合工程自体は、通常のアルミニウム及び銅の二層積層構造のものと同様であり、特別の設備を必要としない。 In the present invention, a ceramic piece in which the first aluminum layer and the second aluminum layer divided into a plurality of patterns by the second dividing grooves are joined is arranged on the second copper layer, and the first copper layer is arranged thereon. Then, they can be integrated by a method of pressurization and heating. In this case, it is sufficient to devise only the arrangement of the dividing grooves, and the bonding process itself is the same as that for a normal two-layer laminated structure of aluminum and copper, and no special equipment is required.

本発明によれば、回路層の回路パターンに熱応力が生じることにより発生するセラミックス基板の割れを抑制できる。 According to the present invention, it is possible to suppress cracking of the ceramic substrate caused by thermal stress occurring in the circuit pattern of the circuit layer.

本発明の一実施形態に係る複数の回路パターンが形成された絶縁回路基板を回路層側から見た図である。1 is a diagram of an insulated circuit board on which a plurality of circuit patterns are formed according to an embodiment of the present invention, viewed from the circuit layer side; FIG. 図1に示す絶縁回路基板のA1-A1線に沿う矢視断面図である。2 is a cross-sectional view of the insulated circuit board shown in FIG. 1 taken along line A1-A1. FIG. 図1に示す絶縁回路基板のB1-B1線に沿う矢視断面図である。2 is a cross-sectional view of the insulated circuit board shown in FIG. 1 taken along line B1-B1; FIG. 図1に示す絶縁回路基板のC1-C1線に沿う矢視断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line C1-C1 of the insulated circuit board shown in FIG. 1; FIG. 上記実施形態における絶縁回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the insulation circuit board in the said embodiment. 上記実施形態の第1変形例における絶縁回路基板を回路層側から見た図である。It is the figure which looked at the insulation circuit board in the 1st modification of the said embodiment from the circuit layer side. 上記実施形態の第2変形例における絶縁回路基板を回路層側から見た図である。It is the figure which looked at the insulation circuit board in the 2nd modification of the said embodiment from the circuit layer side.

以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

[絶縁回路基板の概略構成]
図1は、本実施形態の複数の回路パターンが形成された絶縁回路基板1を回路層12側から見た平面図であり、図2は、絶縁回路基板1のA1-A1線に沿う矢視断面図であり、図3は絶縁回路基板1のB1-B1線に沿う矢視断面図であり、図4は、絶縁回路基板1のC1-C1線に沿う矢視断面図である。
[Schematic configuration of insulated circuit board]
FIG. 1 is a plan view of an insulating circuit board 1 formed with a plurality of circuit patterns according to the present embodiment, viewed from the circuit layer 12 side, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the insulating circuit board 1 along line B1-B1, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the insulating circuit board 1 along line C1-C1.

絶縁回路基板1は、図1に示すように、平面視で縦寸法70mm及び横寸法36mmの矩形状に形成されている。このような絶縁回路基板1は、図2~4に示すように、セラミックス基板11と、セラミックス基板11の一方の面に形成された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面に形成された金属層13とを備えている。これら回路層12及び金属層13は、セラミックス基板11よりも若干小さい矩形板状に形成されている。 As shown in FIG. 1, the insulating circuit board 1 is formed in a rectangular shape with a vertical dimension of 70 mm and a horizontal dimension of 36 mm in plan view. As shown in FIGS. 2 to 4, such an insulating circuit board 1 includes a ceramic substrate 11, a circuit layer 12 formed on one surface of the ceramic substrate 11, and a circuit layer 12 formed on the other surface of the ceramic substrate 11. and a metal layer 13 . The circuit layer 12 and the metal layer 13 are formed in rectangular plate shapes slightly smaller than the ceramic substrate 11 .

セラミックス基板11は、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si)、アルミナ(Al)等からなるセラミックス材料により形成され、厚さが0.3mm~1.0mmとされている。また、セラミックス基板11は、平面視で矩形板状に形成され、回路層12及び金属層13のそれぞれよりも若干大きく形成されている。また、セラミックス基板11は、複数の第1分割溝L1により3つのセラミックス片101~103に分割されている。これら第1分割溝L1は、絶縁回路基板1の幅方向に沿って横断するように形成され、各第1分割溝L1は、相互に平行に形成されている。 The ceramic substrate 11 is made of a ceramic material such as aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), alumina (Al 2 O 3 ), etc., and has a thickness of 0.3 mm to 1.0 mm. . Also, the ceramic substrate 11 is formed in a rectangular plate shape in a plan view, and is slightly larger than each of the circuit layer 12 and the metal layer 13 . Also, the ceramic substrate 11 is divided into three ceramic pieces 101 to 103 by a plurality of first dividing grooves L1. These first dividing grooves L1 are formed so as to traverse along the width direction of the insulating circuit board 1, and the respective first dividing grooves L1 are formed parallel to each other.

回路層12は、セラミックス基板11に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第1アルミニウム層121と、第1アルミニウム層121に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第1銅層122と、を有している。この回路層12は、第2分割溝L2により複数(3つ)の回路パターンP1~P3に分割されている。例えば、図1に示すように、矩形状の回路パターンP2と、回路パターンP2の三方を囲む回路パターンP1と、回路パターンP1の端部と間隔をあけて配置される矩形状の回路パターンP3とに、第2分割溝L2により分割されている。 The circuit layer 12 includes a first aluminum layer 121 made of aluminum or an aluminum alloy formed on the ceramic substrate 11, a first copper layer 122 made of copper or a copper alloy solid phase diffusion bonded to the first aluminum layer 121, have. The circuit layer 12 is divided into a plurality (three) of circuit patterns P1 to P3 by the second dividing grooves L2. For example, as shown in FIG. 1, a rectangular circuit pattern P2, a circuit pattern P1 surrounding three sides of the circuit pattern P2, and a rectangular circuit pattern P3 spaced apart from the end of the circuit pattern P1. , is divided by the second dividing groove L2.

金属層13は、セラミックス基板11に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第2アルミニウム層131と、第2アルミニウム層131に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第2銅層132と、を有している。これらのうち、第2アルミニウム層131は、セラミックス基板11とともに第1分割溝L1により分割されている。一方、第2銅層132は、第1分割溝L1及び第2分割溝L2のいずれにも分割されることがない。すなわち、1枚の銅板として存在している。 The metal layer 13 includes a second aluminum layer 131 made of aluminum or an aluminum alloy formed on the ceramic substrate 11, a second copper layer 132 made of copper or a copper alloy solid phase diffusion bonded to the second aluminum layer 131, have. Among them, the second aluminum layer 131 is divided together with the ceramic substrate 11 by the first dividing grooves L1. On the other hand, the second copper layer 132 is not divided into either the first dividing groove L1 or the second dividing groove L2. That is, it exists as one copper plate.

また、第1アルミニウム層121及び第2アルミニウム層131の厚さは、0.2mm以上0.6mm以下に設定され、第1銅層122及び第2銅層132の厚さは、0.8mm以上3.0mm以下に設定されている。これらのうち、第1銅層122の厚さが0.8mm未満であると、第2分割溝L2により分断された回路層12の複数の回路パターンP1~P3に生じる熱応力が小さいため、上記対策を施す必要性が乏しい。一方、第1銅層122の厚さが3.0mmを超えると、複数の回路パターンP1~P3に生じる熱応力が大きいため、第1アルミニウム層121を介してセラミックス基板11に固定されたとしても、各回路パターンP1~P3の略中央においてセラミックス基板11に割れが生じる可能性がある。 The thickness of the first aluminum layer 121 and the second aluminum layer 131 is set to 0.2 mm or more and 0.6 mm or less, and the thickness of the first copper layer 122 and the second copper layer 132 is set to 0.8 mm or more. It is set to 3.0 mm or less. Among these, when the thickness of the first copper layer 122 is less than 0.8 mm, the thermal stress generated in the plurality of circuit patterns P1 to P3 of the circuit layer 12 divided by the second dividing grooves L2 is small. There is little need to take countermeasures. On the other hand, when the thickness of the first copper layer 122 exceeds 3.0 mm, the thermal stress generated in the plurality of circuit patterns P1 to P3 is large. , cracks may occur in the ceramic substrate 11 at approximately the center of each of the circuit patterns P1 to P3.

[第1分割溝の構成]
第1分割溝L1は、セラミックス基板11の辺に平行に形成されている。この第1分割溝L1は、例えば、図1の破線に示す位置に形成され、セラミックス基板11を3つのセラミックス片101~103に分割する。この第1分割溝L1は、回路層12を回路パターンP1と回路パターンP2とに分割する第2分割溝L2の一部と重なって配置されるとともに、回路層12を回路パターンP2と回路パターンP3とに分割する第2分割溝L2と重なっている。これらのうち、回路層12の第2分割溝L2と重なって配置される部分を重複部分L11とし、第2分割溝L2と重なっていない部分を単独部分L12とする。単独部分L12は、第2分割溝L2とは異なる部位に重複部分L11を延長して形成される。本実施形態では、図1~図3に示すように、回路層12を回路パターンP1と回路パターンP2とに分割する第2分割溝L2の一部は、セラミックス基板11をセラミックス片101とセラミックス片102とに分割する第1分割溝L1の重複部分L11に重なって配置され、回路層12を回路パターンP1と回路パターンP3とに分割する第2分割溝L2は、セラミックス基板11をセラミックス片102とセラミックス片103とに分割する第1分割溝L1の重複部分L11に重なって配置されている。
[Structure of First Divided Groove]
The first dividing groove L1 is formed parallel to the sides of the ceramic substrate 11 . This first dividing groove L1 is formed, for example, at the position indicated by the dashed line in FIG. 1, and divides the ceramic substrate 11 into three ceramic pieces 101-103. The first dividing groove L1 is arranged to overlap a part of the second dividing groove L2 that divides the circuit layer 12 into the circuit pattern P1 and the circuit pattern P2, and divides the circuit layer 12 into the circuit pattern P2 and the circuit pattern P3. It overlaps with the second dividing groove L2 that divides into two. Among them, the portion of the circuit layer 12 which overlaps with the second division groove L2 is called an overlapping portion L11, and the portion which does not overlap with the second division groove L2 is called an independent portion L12. The independent portion L12 is formed by extending the overlapping portion L11 to a location different from the second dividing groove L2. In this embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, a part of the second dividing groove L2 that divides the circuit layer 12 into the circuit pattern P1 and the circuit pattern P2 divides the ceramic substrate 11 into the ceramic piece 101 and the ceramic piece 101. 102, and the second dividing groove L2 dividing the circuit layer 12 into the circuit pattern P1 and the circuit pattern P3 divides the ceramic substrate 11 into the ceramic piece 102. It is arranged so as to overlap the overlapping portion L11 of the first dividing groove L1 dividing the ceramic piece 103 .

また、第1分割溝L1の単独部分L12においては、図3に示すように、その分割溝に沿って第1アルミニウム層121が分割され、第1銅層122は、該分割溝上にまたがって配置されている。すなわち、セラミックス基板11におけるセラミックス片101とセラミックス片102とを分割する第1分割溝L1上では、図3に示すように、セラミックス基板11、第1アルミニウム層121及び第2アルミニウム層131は、第1分割溝L1の単独部分L12により分割されているが、回路パターンP1を構成する第1銅層122は、単独部分L12において、分割されていない。 3, the first aluminum layer 121 is divided along the single portion L12 of the first dividing groove L1, and the first copper layer 122 is arranged over the dividing groove. It is That is, on the first dividing groove L1 that divides the ceramic piece 101 and the ceramic piece 102 in the ceramic substrate 11, as shown in FIG. The first copper layer 122 forming the circuit pattern P1 is not divided at the single portion L12 although it is divided by the single portion L12 of the one-dividing groove L1.

[絶縁回路基板の製造方法]
次に、以上のように構成される絶縁回路基板1の製造方法について説明する。この製造方法は、セラミックス基板11にスクライブライン111を形成し、そのセラミックス基板11に各アルミニウム板121A,131Aを接合した後、複数のセラミックス片101~103に分割する分割工程と、分割工程後に第2銅板132A上に各セラミックス片101~103を配置し、その上に第1銅板122Aを重ねて積層体とし、この積層体を加圧加熱することにより接合する接合工程と、を備える(図5参照)。また、接合工程は、スクライブライン形成工程、アルミニウム層形成工程及び個片化工程と、を有している。
以下、各工程のそれぞれについて、工程順に説明する。
[Manufacturing method of insulated circuit board]
Next, a method for manufacturing the insulating circuit board 1 configured as described above will be described. This manufacturing method includes a dividing step of forming a scribe line 111 on a ceramic substrate 11, bonding aluminum plates 121A and 131A to the ceramic substrate 11, and then dividing into a plurality of ceramic pieces 101 to 103; A bonding step of placing the ceramic pieces 101 to 103 on the second copper plate 132A, stacking the first copper plate 122A thereon to form a laminate, and bonding the laminate by applying pressure and heat (FIG. 5 reference). Also, the joining process includes a scribe line forming process, an aluminum layer forming process, and a singulation process.
Each step will be described below in the order of steps.

[スクライブライン形成工程]
まず、図5(a)に示すように、セラミックス基板11(縦70mm×横36mm)の一方の面(回路層12が形成される側の面)に、各セラミックス片101~103を分割するためのスクライブライン111を形成する。このスクライブライン111は、例えば、レーザ光を照射することにより、セラミックス基板11の一方の面を線状に除去して形成される。これらスクライブライン111は、セラミックス基板11に形成される溝部であり、セラミックス基板11の分割の起点となる。なお、スクライブライン111の加工は、例えばCOレーザ、YAGレーザ、YVOレーザ、YLFレーザ等によっても加工可能である。
[Scribing line forming process]
First, as shown in FIG. 5(a), on one side (the side on which the circuit layer 12 is formed) of the ceramic substrate 11 (70 mm long×36 mm wide), the ceramic pieces 101 to 103 are divided. of the scribe line 111 is formed. The scribe line 111 is formed by linearly removing one surface of the ceramic substrate 11 by, for example, irradiating it with a laser beam. These scribe lines 111 are grooves formed in the ceramic substrate 11 and serve as starting points for dividing the ceramic substrate 11 . The scribe line 111 can also be processed by, for example, a CO2 laser, a YAG laser, a YVO4 laser, a YLF laser, or the like.

[アルミニウム層形成工程]
次に、スクライブライン111が形成されたセラミックス基板11の一方の面に第1アルミニウム層121を形成し、他方の面に第2アルミニウム層131を形成する。具体的には、セラミックス基板11を洗浄液等により洗浄した後、第1アルミニウム層121となる第1アルミニウム板121Aを配置し、他方の面に第2アルミニウム層131となる第2アルミニウム板131Aを配置し、ろう材を介して接合した後、これらの積層体をカーボン板により挟持し、積層方向に荷重をかけながら真空中で加熱することにより、セラミックス基板11と各アルミニウム板121A,131Aを接合する。
[Aluminum layer forming step]
Next, a first aluminum layer 121 is formed on one surface of the ceramic substrate 11 on which the scribe lines 111 are formed, and a second aluminum layer 131 is formed on the other surface. Specifically, after cleaning the ceramics substrate 11 with a cleaning liquid or the like, a first aluminum plate 121A to be the first aluminum layer 121 is arranged, and a second aluminum plate 131A to be the second aluminum layer 131 is arranged on the other surface. After bonding via a brazing material, the laminate is sandwiched between carbon plates and heated in a vacuum while applying a load in the stacking direction, thereby bonding the ceramic substrate 11 and the aluminum plates 121A and 131A. .

[個片化工程]
そして、図5(b)に示すように、セラミックス基板11をスクライブライン111により分割して複数のセラミックス片101~103とする。また、この際、第1分割溝L1の一部と重なって配置される第2分割溝L2により第1アルミニウム層121を分割して複数のパターンを、例えば、エッチング等により形成する。
なお、これら複数のパターン形成は、エッチングにより行うこととしたが、第2分割溝L2により予め複数のパターンに分断された第1アルミニウム板121Aを接合することにより形成してもよい。
[Singulation process]
Then, as shown in FIG. 5B, the ceramic substrate 11 is divided along scribe lines 111 into a plurality of ceramic pieces 101-103. Also, at this time, the first aluminum layer 121 is divided by the second dividing grooves L2 arranged to partially overlap with the first dividing grooves L1, and a plurality of patterns are formed by, for example, etching.
Although the formation of the plurality of patterns is performed by etching, the patterns may be formed by bonding the first aluminum plate 121A that has been previously divided into a plurality of patterns by the second dividing grooves L2.

[接合工程]
分割工程後、複数のセラミックス片101~103を図5(c)に示すように、第2銅層132となる第2銅板132A上に間隔を開けて配置する。そして、複数のセラミックス片101~103の上面に第2分割溝L2により分割されて第1アルミニウム層121の複数のパターンと同形状の複数のパターンに分断された第1銅層122となる第1銅板122Aを配置する。この際、第1分割溝L1の単独部分L12においては、第1銅板122Aは、分割溝L1上にまたがって配置される。そして、この積層体を加圧及び加熱することにより第1アルミニウム板121A及び第1銅板122A、並びに第2アルミニウム板131A及び第2銅板132Aを固相拡散接合させて、絶縁回路基板1を製造する。
[Joining process]
After the dividing step, the plurality of ceramic pieces 101 to 103 are arranged on the second copper plate 132A, which will become the second copper layer 132, at intervals, as shown in FIG. 5(c). Then, the upper surfaces of the plurality of ceramic pieces 101 to 103 are divided by the second dividing grooves L2 to form a first copper layer 122 divided into a plurality of patterns having the same shape as the plurality of patterns of the first aluminum layer 121. A copper plate 122A is placed. At this time, the first copper plate 122A is arranged over the dividing groove L1 in the independent portion L12 of the first dividing groove L1. Then, the first aluminum plate 121A and the first copper plate 122A and the second aluminum plate 131A and the second copper plate 132A are solid-phase diffusion-bonded by applying pressure and heat to this laminate, and the insulated circuit board 1 is manufactured. .

本実施形態では、回路層12を複数の回路パターンに分割する第2分割溝L2とは異なる部位に第1分割溝L1の単独部分L12が形成され、当該単独部分L12においては第1アルミニウム層121が分断されているので、複数の回路パターンに熱伸縮が生じても、セラミックス基板11に熱応力が生じにくい。したがって、加熱時の反り変化によってセラミックス基板11が割れることを抑制できる。また、第1分割溝L1がセラミックス基板11の辺に平行に形成されているので、当該絶縁回路基板1を製造するのが容易となる。さらに、第1銅層の厚さが0.8mm以上3.0mm以下とされているので、セラミックス基板11に割れが生じる可能性を抑制できる。 In the present embodiment, a single portion L12 of the first dividing groove L1 is formed at a location different from the second dividing groove L2 that divides the circuit layer 12 into a plurality of circuit patterns. is separated, thermal stress is less likely to occur in the ceramic substrate 11 even if thermal expansion and contraction occurs in a plurality of circuit patterns. Therefore, it is possible to suppress cracking of the ceramic substrate 11 due to warping change during heating. Further, since the first dividing grooves L1 are formed parallel to the sides of the ceramic substrate 11, the manufacturing of the insulating circuit substrate 1 is facilitated. Furthermore, since the thickness of the first copper layer is 0.8 mm or more and 3.0 mm or less, it is possible to suppress the possibility of cracks occurring in the ceramic substrate 11 .

なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、第2分割溝L2により3つの回路パターンP1~P3に分割されることとしたが、これに限らず、回路パターンは、適宜変更できる。図6は、上記実施形態の第1変形例に係る絶縁回路基板1Aを回路層12A側から見た平面図である。
この絶縁回路基板1Aの回路層12Aは、図6に示すように、第2分割溝L2により複数(5つ)の回路パターンP4~P8に分割されている。例えば、図6に示すように、第2分割溝L2は、絶縁回路基板1Aの幅方向を直線で横断するものではなく、複数回屈曲したり、枠状に各回路パターンP6~P8を囲んだりする形状である。これら第2分割溝L2は、回路層12A(セラミックス基板11)の辺に平行に延びるとともに、複雑に入り組んでいる。このような第2分割溝L2により分断された回路パターンP6,P7,P8は、矩形状に形成されている。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
For example, in the above embodiment, the second dividing groove L2 divides the circuit pattern into three circuit patterns P1 to P3. FIG. 6 is a plan view of an insulated circuit board 1A according to a first modified example of the above embodiment viewed from the circuit layer 12A side.
As shown in FIG. 6, the circuit layer 12A of the insulating circuit board 1A is divided into a plurality (five) of circuit patterns P4 to P8 by the second dividing grooves L2. For example, as shown in FIG. 6, the second dividing groove L2 does not straightly cross the width direction of the insulating circuit board 1A, but bends multiple times or surrounds the circuit patterns P6 to P8 in a frame shape. It is a shape that These second dividing grooves L2 extend parallel to the sides of the circuit layer 12A (ceramic substrate 11) and are intricate. The circuit patterns P6, P7, P8 divided by the second dividing grooves L2 are formed in a rectangular shape.

なお、第1分割溝L1は、第1実施形態の第1分割溝L1と同じ位置に配置され、これらの一部は、第2分割溝L2と重なっている。具体的には、回路層12Aを回路パターンP4と回路パターンP5とに分割する第2分割溝L2の一部と、セラミックス基板11をセラミックス片101とセラミックス片102とに分割する第1分割溝L1の重複部分L11とが重なって配置されている。また、回路層12Aを回路パターンP6,P7と回路パターンP5,P8とに分割する第2分割溝L2の一部と、セラミックス基板11をセラミック片102とセラミックス片103とに分割する第1分割溝L1の重複部分L11とが重なって配置されている。 The first dividing grooves L1 are arranged at the same positions as the first dividing grooves L1 of the first embodiment, and part of them overlaps the second dividing grooves L2. Specifically, a part of the second dividing groove L2 that divides the circuit layer 12A into the circuit pattern P4 and the circuit pattern P5, and a first dividing groove L1 that divides the ceramic substrate 11 into the ceramic piece 101 and the ceramic piece 102. are arranged so as to overlap with the overlapping portion L11 of . A part of the second dividing groove L2 that divides the circuit layer 12A into the circuit patterns P6, P7 and the circuit patterns P5, P8, and a first dividing groove that divides the ceramic substrate 11 into the ceramic piece 102 and the ceramic piece 103. The overlapping portion L11 of L1 is overlapped.

図7は、上記実施形態の第2変形例に係る絶縁回路基板1Bを回路層12B側から見た平面図である。
この絶縁回路基板1Bの回路層12Bは、図7に示すように、第2分割溝L2により複数(2つ)の回路パターンP9,P10に分割されている。例えば、図7に示すように、回路層12BにL字状に形成され、回路層12Bを矩形状の回路パターンP10と、矩形状の回路層12Bの一部を矩形状に切欠いた形状の回路パターンP9とに分割する第2分割溝L2が形成されている。この第2分割溝L2は、回路層12B(セラミックス基板11)の辺に平行に延びている。
FIG. 7 is a plan view of an insulated circuit board 1B according to a second modification of the above embodiment, viewed from the circuit layer 12B side.
As shown in FIG. 7, the circuit layer 12B of the insulating circuit board 1B is divided into a plurality of (two) circuit patterns P9 and P10 by the second dividing grooves L2. For example, as shown in FIG. 7, an L-shaped circuit is formed on the circuit layer 12B. A second dividing groove L2 is formed to divide the pattern P9. The second dividing groove L2 extends parallel to the sides of the circuit layer 12B (ceramic substrate 11).

この第1分割溝L1は、セラミックス基板11を横方向に分断する直線状に形成され、その一部が、第2分割溝L2と重なっている。具体的には、回路層12Bを回路パターンP9と回路パターンP10とに分割する第2分割溝L2の横方向に延びる部分と、セラミックス基板11をセラミックス片101Bとセラミックス片102Bとに分割する第1分割溝L1の重複部分L11とが重なって配置されている。 The first dividing groove L1 is formed in a straight line that divides the ceramic substrate 11 in the horizontal direction, and a part of the first dividing groove L1 overlaps with the second dividing groove L2. Specifically, the laterally extending portion of the second dividing groove L2 dividing the circuit layer 12B into the circuit pattern P9 and the circuit pattern P10, and the first groove dividing the ceramic substrate 11 into the ceramic piece 101B and the ceramic piece 102B. The overlapping portion L11 of the dividing groove L1 is overlapped.

上述した第1変形例及び第2変形例のいずれにおいても、セラミックス基板11が分割されているので、回路層12A,12Bを複数の回路パターンに分割する第2分割溝L2とは異なる部位に第1分割溝L1の単独部分L12が形成され、当該単独部分L12においては第1アルミニウム層121が分断されているので、複数の回路パターンに熱伸縮が生じても、セラミックス基板11に熱応力が生じにくい。したがって、加熱時の反り変化によってセラミックス基板11が割れることを抑制できる。 In both the first modified example and the second modified example described above, the ceramic substrate 11 is divided. Since the single portion L12 of the one-divided groove L1 is formed, and the first aluminum layer 121 is divided in the single portion L12, thermal stress is generated in the ceramic substrate 11 even if thermal expansion and contraction occurs in a plurality of circuit patterns. Hateful. Therefore, it is possible to suppress cracking of the ceramic substrate 11 due to warping change during heating.

上記実施形態では、第1分割溝L1は、セラミックス基板11の辺に平行に形成されていることとしたが、これに限らない。セラミックス基板11の辺に交差する方向に形成されていてもよい。すなわち、セラミックス基板11の割れを抑制できれば、いずれの位置に形成されていてもよい。 In the above embodiment, the first dividing grooves L1 are formed parallel to the sides of the ceramic substrate 11, but this is not the only option. It may be formed in a direction intersecting the sides of the ceramic substrate 11 . That is, it may be formed at any position as long as cracking of the ceramic substrate 11 can be suppressed.

上記実施形態では、第1分割溝L1により、セラミックス基板11、第1アルミニウム層121及び第2アルミニウム層131が分割されていることとしたが、これに限らず、第2アルミニウム層131は、分割されていなくてもよい。 In the above embodiment, the ceramic substrate 11, the first aluminum layer 121, and the second aluminum layer 131 are divided by the first dividing groove L1. It does not have to be.

1 1A 1B 絶縁回路基板
11 セラミックス基板
12 12A 12B 回路層
121 第1アルミニウム層
122 第1銅層
13 金属層
131 第2アルミニウム層
132 第2アルミニウム層
101 102 103 101A 102B セラミックス片
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 P10 回路パターン
L1 第1分割溝
L11 重複部分
L12 単独部分
L2 第2分割溝
1 1A 1B Insulated circuit board 11 Ceramic board 12 12A 12B Circuit layer 121 First aluminum layer 122 First copper layer 13 Metal layer 131 Second aluminum layer 132 Second aluminum layer 101 102 103 101A 102B Ceramic piece P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 P10 Circuit pattern L1 First division groove L11 Overlapping portion L12 Single portion L2 Second division groove

Claims (4)

セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面に金属層が形成された絶縁回路基板であって、
前記回路層は、前記セラミックス基板に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第1アルミニウム層と、前記第1アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第1銅層と、を有し、
前記セラミックス基板は、第1分割溝により複数のセラミックス片に分割されるとともに、前記回路層は、第2分割溝により複数の回路パターンに分割され、
前記セラミックス基板の第1分割溝は、前記回路層の第2分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第2分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、
前記単独部分においては、その分割溝に沿って前記第1アルミニウム層が分割され、前記第1銅層は、該分割溝上にまたがって配置されていることを特徴とする絶縁回路基板。
An insulated circuit board having a circuit layer formed on one surface of a ceramic substrate and a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate,
The circuit layer has a first aluminum layer made of aluminum or an aluminum alloy formed on the ceramic substrate, and a first copper layer made of copper or a copper alloy solid phase diffusion bonded to the first aluminum layer. death,
The ceramic substrate is divided into a plurality of ceramic pieces by first dividing grooves, and the circuit layer is divided into a plurality of circuit patterns by second dividing grooves,
The first dividing groove of the ceramic substrate includes an overlapping portion arranged to overlap with the second dividing groove of the circuit layer, and a single portion formed by extending the overlapping portion to a location different from the second dividing groove. and
In the isolated circuit board, the first aluminum layer is divided along the dividing groove in the independent portion, and the first copper layer is arranged over the dividing groove.
前記第1分割溝は、前記セラミックス基板の辺に平行に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁回路基板。 2. The insulating circuit board according to claim 1, wherein said first dividing grooves are formed parallel to sides of said ceramic substrate. 前記第1銅層の厚さは、0.8mm以上3.0mm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の絶縁回路基板。 3. The insulated circuit board according to claim 1, wherein the first copper layer has a thickness of 0.8 mm or more and 3.0 mm or less. セラミックス基板の一方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第1アルミニウム層と、前記第1アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第1銅層とからなる回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第2アルミニウム層と、前記第2アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第2銅層とからなる金属層が形成された絶縁回路基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の一方の面に前記第1アルミニウム層を接合するとともに、前記セラミックス基板の他方の面に前記第2アルミニウム層を接合した後、前記セラミックス基板を第1分割溝により分割して複数のセラミックス片を形成するとともに、前記第1分割溝の一部と重なって配置される第2分割溝により前記第1アルミニウム層を分割して複数のパターンを形成する分割工程と、
前記分割工程後に、複数の前記セラミックス片のそれぞれを前記第2銅層上に間隔を開けて配置するとともに、複数の前記セラミックス片の上面に前記第1銅層を重ねて積層体を形成し、前記積層体を加圧及び加熱することにより前記第1アルミニウム層及び前記第1銅層、並びに前記第2アルミニウム層及び前記第2銅層を固相拡散接合させる接合工程と、を備え、
前記分割工程における前記セラミックス基板を分割する前記第1分割溝は、前記第2分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第2分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、
前記接合工程における前記第1銅層は、前記第1アルミニウム層の複数のパターンと同じ複数のパターンに分断されており、その少なくとも一つは、前記単独部分において、その分割溝上にまたがって配置されて接合されることを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。
A circuit layer comprising a first aluminum layer made of aluminum or an aluminum alloy and a first copper layer made of copper or a copper alloy solid phase diffusion bonded to the first aluminum layer is formed on one surface of a ceramic substrate, A metal layer comprising a second aluminum layer made of aluminum or an aluminum alloy and a second copper layer made of copper or a copper alloy solid phase diffusion bonded to the second aluminum layer is formed on the other surface of the ceramic substrate. A method for manufacturing an insulated circuit board comprising:
After bonding the first aluminum layer to one surface of the ceramic substrate and bonding the second aluminum layer to the other surface of the ceramic substrate, the ceramic substrate is divided by first dividing grooves into a plurality of a dividing step of forming a ceramic piece and dividing the first aluminum layer by a second dividing groove arranged to overlap a part of the first dividing groove to form a plurality of patterns;
After the dividing step, each of the plurality of ceramic pieces is arranged on the second copper layer with a gap therebetween, and the first copper layer is overlapped on the upper surface of the plurality of ceramic pieces to form a laminate, a bonding step of solid-phase diffusion bonding the first aluminum layer and the first copper layer, and the second aluminum layer and the second copper layer by applying pressure and heat to the laminate,
The first dividing groove for dividing the ceramic substrate in the dividing step is formed by extending an overlapping portion arranged to overlap with the second dividing groove and extending the overlapping portion to a location different from the second dividing groove. and
The first copper layer in the bonding step is divided into a plurality of patterns that are the same as the plurality of patterns of the first aluminum layer, and at least one of the patterns is arranged across the dividing groove in the single portion. A method for manufacturing an insulated circuit board, characterized in that the substrates are joined together by
JP2019022284A 2019-02-12 2019-02-12 Insulated circuit board and its manufacturing method Active JP7147610B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019022284A JP7147610B2 (en) 2019-02-12 2019-02-12 Insulated circuit board and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019022284A JP7147610B2 (en) 2019-02-12 2019-02-12 Insulated circuit board and its manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020129631A JP2020129631A (en) 2020-08-27
JP7147610B2 true JP7147610B2 (en) 2022-10-05

Family

ID=72174798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019022284A Active JP7147610B2 (en) 2019-02-12 2019-02-12 Insulated circuit board and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7147610B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230097341A (en) * 2021-12-24 2023-07-03 주식회사 엘엑스세미콘 Method for manufacturing circuit board

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003078086A (en) 2001-09-04 2003-03-14 Kubota Corp Lamination structure of semiconductor module substrate
JP2009158502A (en) 2007-12-25 2009-07-16 Toyota Motor Corp Semiconductor module
JP2016027645A (en) 2014-07-04 2016-02-18 三菱マテリアル株式会社 Board for power module with heat radiation plate and power module
JP2018137396A (en) 2017-02-23 2018-08-30 三菱マテリアル株式会社 Manufacturing method of substrate for power module

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106463477B (en) * 2014-07-04 2019-03-12 三菱综合材料株式会社 Power module substrate unit and power module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003078086A (en) 2001-09-04 2003-03-14 Kubota Corp Lamination structure of semiconductor module substrate
JP2009158502A (en) 2007-12-25 2009-07-16 Toyota Motor Corp Semiconductor module
JP2016027645A (en) 2014-07-04 2016-02-18 三菱マテリアル株式会社 Board for power module with heat radiation plate and power module
JP2018137396A (en) 2017-02-23 2018-08-30 三菱マテリアル株式会社 Manufacturing method of substrate for power module

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020129631A (en) 2020-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6100605B2 (en) Manufacturing method of multilayer clad material
US11908768B2 (en) Method of manufacturing bonded body for insulation circuit substrate board and bonded body for insulation circuit substrate board
JP6853455B2 (en) Manufacturing method of board for power module
JP2008010520A (en) Substrate for power module, and its manufacturing method
JP7147610B2 (en) Insulated circuit board and its manufacturing method
JP5817164B2 (en) Joining method, joining jig
TWI762771B (en) Insulated circuit board
WO2019198551A1 (en) Ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same, and multi-piece ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same
JP2019009333A (en) Manufacturing method of ceramic-metal conjugate, manufacturing method of ceramic circuit board and ceramic-metal conjugate
TWI770346B (en) Method for manufacturing power module substrate and ceramic-copper joint
KR102365887B1 (en) Adapter elements for connecting components such as laser diodes to heat sinks, systems including laser diodes, heat sinks, and adapter elements, and methods of manufacturing adapter elements
JP7415486B2 (en) Insulated circuit board with heat sink and method for manufacturing the same
JP3975862B2 (en) Power module substrate and manufacturing method thereof
JP7467936B2 (en) Heat sink-equipped insulating circuit board, electronic components, and method for manufacturing the heat sink-equipped insulating circuit board
JP7230602B2 (en) Insulated circuit board and its manufacturing method
JP5303936B2 (en) Power module substrate, power module, and method of manufacturing power module substrate
WO2019188884A1 (en) Insulated circuit board with heat sink
JP6201384B2 (en) Multilayer substrate for power module manufacturing
JP2019127408A (en) Manufacturing method for ceramic-metal joint material, manufacturing apparatus and ceramic-metal joint material
JP2018129485A (en) Semiconductor device
JP2009016592A (en) Ceramic wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210930

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220815

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7147610

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150