JP7144011B2 - 光モジュールの製造方法及び光モジュール - Google Patents
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Description
2 光導波路
3 ゲルマニウムフォトダイオード
10 基板
20 下部クラッド層
30 コア層
31 窒化シリコンコア
31a 細線パターン
31b ランドパターン
40 上部クラッド層
41 開口
50 ゲルマニウムパターン
50i i領域
50n n領域
50p p領域
51a 第1の金属電極
51b 第2の金属電極
Claims (13)
- 窒化シリコンコアを有する光導波路及び前記光導波路に接続されたゲルマニウムフォトダイオードを有する光モジュールの製造方法であって、
基板上に酸化シリコンからなる下部クラッド層を形成する工程と、
前記下部クラッド層上に窒化シリコンからなるコア層を形成する工程と、
前記コア層をパターニングして前記窒化シリコンコアを形成する工程と、
前記下部クラッド層上に上部クラッド層を形成して前記窒化シリコンコアを覆う工程と、
前記上部クラッド層に開口を形成して前記窒化シリコンコアの終端部を露出させる工程と、
前記上部クラッド層をマスクとして前記開口から露出する前記窒化シリコンコアの前記終端部の上面に前記ゲルマニウムフォトダイオードを構成するゲルマニウムパターンを選択的に形成する工程とを備え、
前記窒化シリコンコアは、前記光導波路を構成する細線パターンと、前記細線パターンの終端部に形成されたランドパターンとを有し、
前記上部クラッド層の開口は、前記ランドパターンと平面視で重なる位置に形成され、
前記ゲルマニウムパターンは、前記ランドパターンの上面に形成されることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 前記ゲルマニウムパターンを選択的に形成する工程は、前記開口の内部を含む前記上部クラッド層の全面にゲルマニウムをCVD法により形成する、請求項1に記載の光モジュールの製造方法。
- 前記基板がバルクシリコン基板である、請求項1又は2に記載の光モジュールの製造方法。
- 前記ゲルマニウムパターンの平面方向の一端及び他端にp型ドーパント及びn型ドーパントをそれぞれ注入することにより、前記ゲルマニウムパターンに前記基板と平行な横方向のpin接合を形成する工程をさらに備える、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
- 前記ゲルマニウムパターンの平面方向の第1及び第2の領域に第1及び第2の金属電極をそれぞれ形成することにより、前記ゲルマニウムパターンに前記基板と平行な横方向のMSM接合を形成する工程をさらに備える、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
- 前記開口の面積は前記ランドパターンの面積よりも小さい、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
- 前記ゲルマニウムパターンは多結晶ゲルマニウムである、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
- 基板と、
前記基板上に設けられた光導波路と、
前記光導波路に接続されたゲルマニウムフォトダイオードを備え、
前記光導波路は、
前記基板上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に形成された窒化シリコンコアと、
前記窒化シリコンコアを覆うように前記下部クラッド層上に形成された上部クラッド層とを備え、
前記上部クラッド層は、前記窒化シリコンコアの終端部を露出させる開口を有し、
前記ゲルマニウムフォトダイオードは、前記開口から露出する前記窒化シリコンコアの上面に選択的に形成されたゲルマニウムパターンを含み、
前記窒化シリコンコアは、前記光導波路を構成する細線パターンと、前記細線パターンの終端部に形成されたランドパターンとを有し、
前記上部クラッド層の開口は、前記ランドパターンと平面視で重なる位置に形成されており、
前記ゲルマニウムパターンは、前記ランドパターンの上面に形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記基板がバルクシリコン基板である、請求項8に記載の光モジュール。
- 前記ゲルマニウムフォトダイオードは、前記基板と平行な横方向のpin接合を有する、請求項8又は9に記載の光モジュール。
- 前記ゲルマニウムフォトダイオードは、前記基板と平行な横方向のMSM接合を有する、請求項請求項8又は9に記載の光モジュール。
- 前記開口の面積は前記ランドパターンの面積よりも小さい、請求項8乃至11のいずれか一項に記載の光モジュール。
- 前記ゲルマニウムパターンは多結晶ゲルマニウムである、請求項8乃至12のいずれか一項に記載の光モジュール。
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JP2019137201A JP7144011B2 (ja) | 2019-07-25 | 2019-07-25 | 光モジュールの製造方法及び光モジュール |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005182030A (ja) | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 光デバイス及びその製造方法 |
JP2011512670A (ja) | 2008-02-15 | 2011-04-21 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 価数補償吸着層領域を備える光検出器およびその製造方法 |
JP2015220290A (ja) | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 富士通株式会社 | Ge系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステム |
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-
2019
- 2019-07-25 JP JP2019137201A patent/JP7144011B2/ja active Active
Patent Citations (5)
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Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
AHN, Donghwan, et al.,High performance, waveguide integrated Ge photodetectors,Optics express,米国,OSA,2007年,vol.15, no.7,pp.3916-3921 |
Also Published As
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---|---|
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