JP7143638B2

JP7143638B2 - Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

Info

Publication number: JP7143638B2
Application number: JP2018111994A
Authority: JP
Inventors: 勉堀; 圭司和田; 貴也宮瀬
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2018-06-12
Filing date: 2018-06-12
Publication date: 2022-09-29
Anticipated expiration: 2038-06-12
Also published as: JP2019216166A

Description

本開示は、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate.

特開２０１４－１７０８９１号公報（特許文献１）には、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させる方法が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-170891 (Patent Document 1) discloses a method of epitaxially growing a silicon carbide layer on a silicon carbide single crystal substrate.

特開２０１４－１７０８９１号公報JP 2014-170891 A

炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させる際、炭化珪素基板に残留応力がある場合、炭化珪素基板に割れが発生することがある。 When a silicon carbide layer is epitaxially grown on a silicon carbide single crystal substrate, cracks may occur in the silicon carbide substrate if the silicon carbide substrate has residual stress.

本開示の目的の一つは、エピタキシャル成長させる際の割れ発生を抑制可能な炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法を提供することである。 One object of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate that can suppress the occurrence of cracks during epitaxial growth.

本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面を有する炭化珪素基板が反応室に導入される。反応室において、主表面の全面が平均値で０．７μｍ以上１０μｍ以下エッチングされる。エッチングする工程後、反応室において、主表面上に炭化珪素エピタキシャル膜が形成される。 A method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to the present disclosure includes the following steps. A silicon carbide substrate having a major surface is introduced into the reaction chamber. In the reaction chamber, the entire main surface is etched by an average value of 0.7 μm to 10 μm. After the etching step, a silicon carbide epitaxial film is formed on the main surface in the reaction chamber.

上記の製造方法によれば、エピタキシャル成長させる際の割れ発生を抑制可能である。 According to the manufacturing method described above, it is possible to suppress the occurrence of cracks during epitaxial growth.

図１は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の構成を示す平面模式図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of a silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment. 図２は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の構成を示す断面模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment. 図３は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置の構成を示す一部断面模式図である。FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view showing the configuration of the silicon carbide epitaxial substrate manufacturing apparatus according to the present embodiment. 図４は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。FIG. 4 is a flow chart schematically showing a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment. 図５は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法における温度と時間との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between temperature and time in the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment. 図６は、エッチング量の測定位置を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing positions where the etching amount is measured. 図７は、エッチング量と測定位置との関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the etching amount and the measurement position.

［本開示の実施形態の概要］
まず本開示の実施形態の概要について説明する。本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”－”（バー）を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現する。 [Outline of Embodiment of Present Disclosure]
First, an outline of an embodiment of the present disclosure will be described. In the crystallographic description of this specification, individual orientations are indicated by [ ], collective orientations by <>, individual planes by ( ), and collective planes by { }. Negative crystallographic exponents are usually expressed by placing a "-" (bar) above the number, but here the crystallographic index is expressed by prefixing the number with a negative sign. Represents a negative exponent above.

（１）本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１１を有する炭化珪素基板１０が反応室２０１に導入される。反応室２０１において、主表面１１の全面が平均値で０．７μｍ以上１０μｍ以下エッチングされる。エッチングする工程後、反応室２０１において、主表面１１上に炭化珪素エピタキシャル膜２０が形成される。 (1) A method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present disclosure includes the following steps. Silicon carbide substrate 10 having main surface 11 is introduced into reaction chamber 201 . In the reaction chamber 201, the entire surface of the main surface 11 is etched by an average value of 0.7 μm to 10 μm. After the etching step, silicon carbide epitaxial film 20 is formed on main surface 11 in reaction chamber 201 .

（２）上記（１）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、水素を含むガスが使用されてもよい。 (2) In the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to (1) above, a gas containing hydrogen may be used in the step of etching the entire surface of main surface 11 .

（３）上記（２）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、炭化珪素基板１０の温度は、１６００℃以上２０００℃以下であってもよい。 (3) In the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to (2) above, in the step of etching the entire main surface 11, the temperature of silicon carbide substrate 10 may be 1600° C. or more and 2000° C. or less. .

（４）上記（１）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、ハロゲンを含むガスが使用されてもよい。 (4) In the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to (1) above, gas containing halogen may be used in the step of etching the entire surface of main surface 11 .

（５）上記（４）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、炭化珪素基板１０の温度は、１６００℃以上２０００℃以下であってもよい。 (5) In the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to (4) above, in the step of etching the entire main surface 11, the temperature of silicon carbide substrate 10 may be 1600° C. or more and 2000° C. or less. .

（６）上記（１）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、主表面１１において、炭化珪素が昇華してもよい。 (6) In the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to (1) above, in the step of etching the entire surface of main surface 11 , silicon carbide may sublime on main surface 11 .

（７）上記（６）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、炭化珪素基板１０の温度は、１７００℃以上２２００℃以下であってもよい。 (7) In the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to (6) above, in the step of etching the entire main surface 11, the temperature of silicon carbide substrate 10 may be 1700° C. or more and 2200° C. or less. .

（８）上記（１）～（７）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法によれば、エッチングする工程において、主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の標準偏差を、主表面１１内におけるエッチング量の平均値で除した値は、１５％以下であってもよい。 (8) According to the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to any one of (1) to (7) above, in the step of etching, the standard deviation of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 is The value obtained by dividing the etching amount in the main surface 11 by the average value may be 15% or less.

［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の実施形態の詳細について説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。 [Details of the embodiment of the present disclosure]
Details of the embodiments of the present disclosure will be described below. In the following description, the same or corresponding elements are given the same reference numerals and the same descriptions thereof are not repeated.

（炭化珪素エピタキシャル基板）
図１に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００は、炭化珪素基板１０と、炭化珪素エピタキシャル膜２０とを有している。炭化珪素基板１０は、第１主面１１と、第１主面１１と反対側の第３主面１３とを含む。炭化珪素エピタキシャル膜２０は、炭化珪素基板１０上にある。炭化珪素エピタキシャル膜２０は、炭化珪素基板１０と接する第４主面１４と、第４主面１４と反対側の第２主面１２（主表面１２）を含む。図１に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板１００には、第１方向１０１に延在する第１フラット１６が設けられて入れてもよい。炭化珪素エピタキシャル基板１００には、第２方向１０２に延在する第２フラット（図示せず）が設けられていてもよい。 (Silicon carbide epitaxial substrate)
As shown in FIG. 1 , silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment has silicon carbide substrate 10 and silicon carbide epitaxial film 20 . Silicon carbide substrate 10 includes a first main surface 11 and a third main surface 13 opposite to first main surface 11 . Silicon carbide epitaxial film 20 is on silicon carbide substrate 10 . Silicon carbide epitaxial film 20 includes a fourth main surface 14 in contact with silicon carbide substrate 10 and a second main surface 12 (main surface 12 ) opposite to fourth main surface 14 . As shown in FIG. 1, a silicon carbide epitaxial substrate 100 may be provided with a first flat 16 extending in a first direction 101 . Silicon carbide epitaxial substrate 100 may be provided with a second flat (not shown) extending in second direction 102 .

第１方向１０１は、第２主面１２に対して平行であり、かつ第２方向１０２に対して垂直な方向である。第２方向１０２は、たとえば＜１－１００＞方向である。図１に示されるように、第２主面１２の最大径１１１（直径）は、たとえば１００ｍｍ以上である。最大径１１１は１５０ｍｍ以上でもよいし、２００ｍｍ以上でもよいし、２５０ｍｍ以上でもよい。最大径１１１の上限は特に限定されない。最大径１１１の上限は、たとえば３００ｍｍであってもよい。 The first direction 101 is parallel to the second major surface 12 and perpendicular to the second direction 102 . The second direction 102 is, for example, the <1-100> direction. As shown in FIG. 1, the maximum diameter 111 (diameter) of the second main surface 12 is, for example, 100 mm or more. The maximum diameter 111 may be 150 mm or more, 200 mm or more, or 250 mm or more. The upper limit of the maximum diameter 111 is not particularly limited. The upper limit of the maximum diameter 111 may be 300 mm, for example.

炭化珪素基板１０は、炭化珪素単結晶から構成される。炭化珪素単結晶のポリタイプは、たとえば４Ｈである。ポリタイプ４Ｈは、電子移動度、絶縁破壊電界強度等において他のポリタイプより優れている。炭化珪素基板１０は、たとえば窒素（Ｎ）などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。第１主面１１は、たとえば｛０００１｝面から８°以下の角度だけ傾斜した面である。第１主面１１が｛０００１｝面から傾斜している場合、第１主面１１の法線の傾斜方向は、たとえば＜１１－２０＞方向である。 Silicon carbide substrate 10 is made of silicon carbide single crystal. The polytype of silicon carbide single crystal is, for example, 4H. Polytype 4H is superior to other polytypes in terms of electron mobility, dielectric breakdown field strength, and the like. Silicon carbide substrate 10 contains n-type impurities such as nitrogen (N), for example. The conductivity type of silicon carbide substrate 10 is, for example, the n type. The first main surface 11 is, for example, a surface inclined at an angle of 8° or less from the {0001} plane. When first main surface 11 is inclined from the {0001} plane, the direction of inclination of the normal to first main surface 11 is, for example, the <11-20> direction.

図２に示されるように、炭化珪素エピタキシャル膜２０は、炭化珪素基板１０の第１主面１１上にある。炭化珪素エピタキシャル膜２０は、エピタキシャル層である。炭化珪素エピタキシャル膜２０は、第１主面１１に接している。炭化珪素エピタキシャル膜２０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素エピタキシャル膜２０の導電型は、たとえばｎ型である。第２主面１２は、たとえば｛０００１｝面がオフ方向にオフ角だけ傾斜した面である。具体的には、第２主面１２は、（０００１）面がオフ方向に８°以下傾斜した面であってもよい。代替的に、第２主面１２は、（０００－１）面がオフ方向に８°以下傾斜した面であってもよい。 As shown in FIG. 2 , silicon carbide epitaxial film 20 is on first main surface 11 of silicon carbide substrate 10 . Silicon carbide epitaxial film 20 is an epitaxial layer. Silicon carbide epitaxial film 20 is in contact with first main surface 11 . Silicon carbide epitaxial film 20 contains n-type impurities such as nitrogen. The conductivity type of silicon carbide epitaxial film 20 is, for example, n-type. Second main surface 12 is, for example, a plane in which the {0001} plane is inclined by an off angle in the off direction. Specifically, the second main surface 12 may be a surface in which the (0001) plane is inclined by 8° or less in the off direction. Alternatively, the second main surface 12 may be a surface in which the (000-1) plane is inclined by 8° or less in the off direction.

オフ方向は、たとえば＜１１－２０＞方向である。なお、オフ方向は、＜１１－２０＞方向に限定されない。オフ方向は、たとえば＜１－１００＞方向であってもよいし、＜１－１００＞方向成分と＜１１－２０＞方向成分とを有する方向であってもよい。オフ角は、第２主面が｛０００１｝面に対して傾斜している角度である。オフ角は、たとえば０°より大きく８°以下である。オフ角θは、１°以上であってもよいし、２°以上であってもよい。オフ角は、７°以下であってもよいし、６°以下であってもよい。 The off direction is, for example, the <11-20> direction. Note that the off direction is not limited to the <11-20> direction. The off direction may be, for example, the <1-100> direction, or may be a direction having a <1-100> direction component and a <11-20> direction component. The off angle is the angle at which the second main surface is inclined with respect to the {0001} plane. The off angle is, for example, greater than 0° and 8° or less. The off angle θ may be 1° or more, or may be 2° or more. The off angle may be 7° or less, or may be 6° or less.

炭化珪素エピタキシャル膜２０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素エピタキシャル膜２０が含むｎ型不純物の濃度は、たとえば１×１０¹⁵ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であってもよい。炭化珪素エピタキシャル膜２０が含むｎ型不純物の濃度は、炭化珪素基板１０が含むｎ型不純物の濃度よりも低くてもよい。炭化珪素エピタキシャル膜２０の厚み１１４は、たとえば１０μｍである。炭化珪素エピタキシャル膜２０の厚み１１４は、たとえば５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。炭化珪素エピタキシャル膜２０と炭化珪素基板１０との間にバッファ層（図示せず）が設けられていてもよい。バッファ層は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。バッファ層のｎ型不純物の濃度は、炭化珪素エピタキシャル膜２０のｎ型不純物の濃度よりも高くてもよい。バッファ層のｎ型不純物の濃度は、炭化珪素基板１０のｎ型不純物の濃度よりも低くてもよい。 Silicon carbide epitaxial film 20 contains n-type impurities such as nitrogen. Silicon carbide epitaxial film 20 may have an n-type impurity concentration of, for example, 1×10 ¹⁵ cm ⁻³ or more and 1×10 ¹⁹ cm ⁻³ or less. The concentration of n-type impurities contained in silicon carbide epitaxial film 20 may be lower than the concentration of n-type impurities contained in silicon carbide substrate 10 . A thickness 114 of silicon carbide epitaxial film 20 is, for example, 10 μm. Silicon carbide epitaxial film 20 may have thickness 114 of, for example, 5 μm or more and 50 μm or less. A buffer layer (not shown) may be provided between silicon carbide epitaxial film 20 and silicon carbide substrate 10 . The buffer layer contains n-type impurities such as nitrogen. The n-type impurity concentration of the buffer layer may be higher than the n-type impurity concentration of silicon carbide epitaxial film 20 . The n-type impurity concentration of the buffer layer may be lower than the n-type impurity concentration of silicon carbide substrate 10 .

（炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置）
次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造装置２００の構成について説明する。 (Manufacturing apparatus for silicon carbide epitaxial substrate)
Next, the configuration of manufacturing apparatus 200 for silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment will be described.

図３に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造装置２００は、たとえばホットウォール方式の横型ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置である。製造装置２００は、反応室２０１と、パイロメータ２０２と、発熱体２０３と、石英管２０４と、断熱材２０５と、誘導加熱コイル２０６とを主に有している。 As shown in FIG. 3, manufacturing apparatus 200 for silicon carbide epitaxial substrate 100 is, for example, a hot wall type horizontal CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus. The manufacturing apparatus 200 mainly has a reaction chamber 201 , a pyrometer 202 , a heating element 203 , a quartz tube 204 , a heat insulator 205 and an induction heating coil 206 .

発熱体２０３は、たとえば筒状の形状を有しており、内部に反応室２０１を形成している。発熱体２０３は、たとえば黒鉛製である。断熱材２０５は、発熱体２０３の外周を取り囲んでいる。断熱材２０５は、石英管２０４の内周面に接するように石英管２０４の内部に設けられている。誘導加熱コイル２０６は、たとえば石英管２０４の外周面に沿って巻回されている。誘導加熱コイル２０６は、外部電源（図示せず）により、交流電流が供給可能に構成されている。これにより、発熱体２０３が誘導加熱される。結果として、反応室２０１が発熱体２０３により加熱される。 Heating element 203 has, for example, a cylindrical shape, and forms reaction chamber 201 therein. The heating element 203 is made of graphite, for example. A heat insulating material 205 surrounds the outer circumference of the heating element 203 . The heat insulating material 205 is provided inside the quartz tube 204 so as to be in contact with the inner peripheral surface of the quartz tube 204 . The induction heating coil 206 is wound along the outer peripheral surface of the quartz tube 204, for example. The induction heating coil 206 is configured such that an alternating current can be supplied from an external power source (not shown). Thereby, the heating element 203 is induction-heated. As a result, reaction chamber 201 is heated by heating element 203 .

反応室２０１は、発熱体２０３に取り囲まれて形成された空間である。反応室２０１内には、炭化珪素基板１０が配置される。反応室２０１は、炭化珪素基板１０を加熱可能に構成されている。反応室２０１には、炭化珪素基板１０を保持するサセプタ２１０が設けられている。サセプタ２１０は、回転軸２１２の周りを自転可能に構成されている。サセプタ２１０には、たとえば３枚の炭化珪素基板１０が配置される。 A reaction chamber 201 is a space surrounded by a heating element 203 . Silicon carbide substrate 10 is arranged in reaction chamber 201 . Reaction chamber 201 is configured to be able to heat silicon carbide substrate 10 . Reaction chamber 201 is provided with a susceptor 210 that holds silicon carbide substrate 10 . The susceptor 210 is configured to be rotatable around a rotating shaft 212 . For example, three silicon carbide substrates 10 are arranged on susceptor 210 .

製造装置２００は、ガス導入口２０７およびガス排気口２０８を有している。ガス排気口２０８は、排気ポンプ（図示せず）に接続されている。図６中の矢印は、ガスの流れを示している。ガスは、ガス導入口２０７から反応室２０１に導入され、ガス排気口２０８から排気される。反応室２０１内の圧力は、ガスの供給量と、ガスの排気量とのバランスによって調整される。 The manufacturing apparatus 200 has a gas inlet 207 and a gas outlet 208 . Gas exhaust port 208 is connected to an exhaust pump (not shown). Arrows in FIG. 6 indicate gas flows. A gas is introduced into the reaction chamber 201 through a gas inlet 207 and exhausted through a gas exhaust port 208 . The pressure inside the reaction chamber 201 is adjusted by the balance between the amount of gas supplied and the amount of gas exhausted.

製造装置２００は、たとえば、シラン（ＳｉＨ₄）と、アンモニア（ＮＨ₃）と、水素（Ｈ₂）と、プロパン（Ｃ₃Ｈ₈）とを含む混合ガスを、反応室２０１に供給可能に構成されたガス供給部（図示せず）を有している。具体的には、ガス供給部は、プロパンガスを供給可能なガスボンベと、水素ガスを供給可能なガスボンベと、シランガスを供給可能なガスボンベと、アンモニアガスまたは、アンモニアガスと窒素ガスの混合ガスを供給可能なガスボンベとを有していてもよい。 Manufacturing apparatus 200 is configured to be capable of supplying mixed gas containing, for example, silane (SiH ₄ ), ammonia (NH ₃ ), hydrogen (H ₂ ), and propane (C ₃ H ₈ ) to reaction chamber 201 . and a gas supply (not shown). Specifically, the gas supply unit supplies a gas cylinder capable of supplying propane gas, a gas cylinder capable of supplying hydrogen gas, a gas cylinder capable of supplying silane gas, and ammonia gas or a mixed gas of ammonia gas and nitrogen gas. You may have a gas cylinder available.

反応室２０１の軸方向において、誘導加熱コイル２０６の巻き密度を変化させてもよい。巻き密度［回／ｍ］とは、装置の軸方向の単位長さあたりのコイルの周回数である。たとえば、上流側でアンモニアを効果的に熱分解させるために、上流側の誘導加熱コイル２０６の巻き密度は、下流側の誘導加熱コイル２０６の巻き密度よりも高くてもよい。 The winding density of the induction heating coil 206 may be varied in the axial direction of the reaction chamber 201 . The winding density [turns/m] is the number of turns of the coil per unit length in the axial direction of the device. For example, the winding density of the upstream induction heating coil 206 may be higher than the winding density of the downstream induction heating coil 206 in order to effectively pyrolyze ammonia on the upstream side.

（炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法）
次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法について説明する。 (Manufacturing method of silicon carbide epitaxial substrate)
Next, a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment will be described.

まず、炭化珪素基板１０が準備される。たとえば昇華法により、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素単結晶が製造される。次に、たとえばワイヤーソーによって、炭化珪素単結晶をスライスすることにより、炭化珪素基板１０が準備される。炭化珪素基板１０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。 First, silicon carbide substrate 10 is prepared. A silicon carbide single crystal of polytype 4H is produced, for example, by a sublimation method. Next, silicon carbide substrate 10 is prepared by slicing the silicon carbide single crystal with, for example, a wire saw. Silicon carbide substrate 10 contains n-type impurities such as nitrogen, for example. The conductivity type of silicon carbide substrate 10 is, for example, the n type.

炭化珪素基板１０は、第１主面１１（主表面１１）と、第１主面１１の反対側にある第３主面１３とを有する。第１主面１１は、たとえば｛０００１｝面がオフ角だけオフ方向に傾斜した面である。オフ方向は、たとえば＜１１－２０＞方向である。 Silicon carbide substrate 10 has a first main surface 11 (main surface 11 ) and a third main surface 13 opposite to first main surface 11 . First principal surface 11 is, for example, a plane in which the {0001} plane is inclined in the off direction by an off angle. The off direction is, for example, the <11-20> direction.

次に、炭化珪素基板を反応室に導入する工程（Ｓ１０：図４）が実施される。まず、第１主面１１を有する炭化珪素基板１０が反応室２０１に導入される。具体的には、炭化珪素基板１０が反応室２０１内においてサセプタ２１０上に配置される（図４参照）。次に、真空ポンプなどにより反応室２０１の圧力が低減される。具体的には、反応室２０１の圧力は、大気圧から１×１０^-３Ｐａ以上１×１０^-6Ｐａ以下程度の圧力に低減される。これにより、反応室２０１内の大気成分や水分等の残留ガスが低減される。 Next, the step of introducing the silicon carbide substrate into the reaction chamber (S10: FIG. 4) is performed. First, silicon carbide substrate 10 having first main surface 11 is introduced into reaction chamber 201 . Specifically, silicon carbide substrate 10 is placed on susceptor 210 in reaction chamber 201 (see FIG. 4). Next, the pressure in the reaction chamber 201 is reduced by a vacuum pump or the like. Specifically, the pressure in the reaction chamber 201 is reduced from the atmospheric pressure to a pressure of approximately 1×10 ⁻³ Pa or more and 1×10 ⁻⁶ Pa or less. As a result, residual gases such as atmospheric components and moisture in the reaction chamber 201 are reduced.

次に、炭化珪素基板をエッチングする工程（Ｓ２０：図４）が実施される。具体的には、まず炭化珪素基板１０の昇温が開始される。反応室２０１内にたとえば水素ガスを供給しながら、炭化珪素基板１０が加熱される。図５に示されるように、時点Ｔ０から時点Ｔ１にかけて、炭化珪素基板１０は、第３温度Ａ３から第１温度Ａ１に昇温される。第３温度Ａ３は、たとえば室温である。第１温度Ａ１は、たとえば１７００℃である。水素ガスの流量は、たとえば１２０ｓｌｍ以上１５０ｓｌｍ以下である。 Next, the step of etching the silicon carbide substrate (S20: FIG. 4) is performed. Specifically, first, the temperature rise of silicon carbide substrate 10 is started. Silicon carbide substrate 10 is heated while, for example, hydrogen gas is being supplied into reaction chamber 201 . As shown in FIG. 5, from time T0 to time T1, silicon carbide substrate 10 is heated from third temperature A3 to first temperature A1. The third temperature A3 is, for example, room temperature. The first temperature A1 is 1700° C., for example. The flow rate of hydrogen gas is, for example, 120 slm or more and 150 slm or less.

炭化珪素基板をエッチングする工程（Ｓ２０：図４）においては、たとえば水素を含むガスが使用される。たとえば反応室２０１に水素ガスを供給しながら、炭化珪素基板１０が第１温度Ａ１で一定の時間維持される。具体的には、水素ガス雰囲気中において、時点Ｔ１から時点Ｔ２までの間、炭化珪素基板１０がたとえば１７００℃で維持される。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１６００℃以上２０００℃以下である。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１６５０℃以上であってもよいし、１７００℃以上であってもよい。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１９５０℃以下であってもよいし、１９００℃以下であってもよい。炭化珪素基板１０の温度は、パイロメータ２０２で測定する発熱体２０３の外表面２０９（図３参照）の温度と、そのときの水素エッチング量との関係から推定することができる。具体的には、予め厚みの分かっているエピタキシャル成長層の形成された炭化珪素基板１０を用いて、エッチングを行うことで、エッチングされた膜厚をエッチングの活性化エネルギーから換算して炭化珪素基板１０の温度を導出する。パイロメータ２０２で測定する外表面２０９の温度は、炭化珪素基板１０を設置する場所に置いたシリコン（Ｓｉ）板の融点（１４１４℃）で校正されている。つまり、発熱体２０３の外表面２０９の温度を測定することにより、間接的に炭化珪素基板１０の温度を推定できる。反応室２０１内の圧力は、たとえば５ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下である。水素ガスの流量は、たとえば１２０ｓｌｍ以上１５０ｓｌｍ以下である。 A gas containing hydrogen, for example, is used in the step of etching the silicon carbide substrate (S20: FIG. 4). For example, while supplying hydrogen gas to reaction chamber 201, silicon carbide substrate 10 is maintained at first temperature A1 for a certain period of time. Specifically, silicon carbide substrate 10 is maintained at, for example, 1700° C. from time T1 to time T2 in a hydrogen gas atmosphere. The temperature of silicon carbide substrate 10 is, for example, 1600° C. or more and 2000° C. or less. The temperature of silicon carbide substrate 10 may be, for example, 1650° C. or higher, or may be 1700° C. or higher. The temperature of silicon carbide substrate 10 may be, for example, 1950° C. or lower, or may be 1900° C. or lower. The temperature of silicon carbide substrate 10 can be estimated from the relationship between the temperature of outer surface 209 (see FIG. 3) of heating element 203 measured by pyrometer 202 and the hydrogen etching amount at that time. Specifically, silicon carbide substrate 10 formed with an epitaxially grown layer having a known thickness is etched, and the etched film thickness is converted from the activation energy of etching to silicon carbide substrate 10 . to derive the temperature of The temperature of outer surface 209 measured by pyrometer 202 is calibrated with the melting point (1414° C.) of a silicon (Si) plate placed at the place where silicon carbide substrate 10 is installed. That is, the temperature of silicon carbide substrate 10 can be indirectly estimated by measuring the temperature of outer surface 209 of heating element 203 . The pressure inside the reaction chamber 201 is, for example, 5 kPa or more and 10 kPa or less. The flow rate of hydrogen gas is, for example, 120 slm or more and 150 slm or less.

炭化珪素基板をエッチングする工程（Ｓ２０：図４）においては、ハロゲンを含むガスが使用されてもよい。ハロゲンを含むガスは、たとえば塩素ガスである。たとえば反応室２０１に塩素ガスを供給しながら、炭化珪素基板１０が第１温度Ａ１で一定の時間維持される。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１６００℃以上２０００℃以下である。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１６５０℃以上であってもよいし、１７００℃以上であってもよい。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１９５０℃以下であってもよいし、１９００℃以下であってもよい。反応室２０１内の圧力は、たとえば５ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下である。塩素ガスの流量は、たとえば０．１ｓｌｍ以上１０ｓｌｍ以下である。なお、ハロゲンを含むガスは、塩素ガスに限定されない。ハロゲンを含むガスは、たとえば塩化水素（ＨＣｌ）、三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）などであってもよい。 A gas containing halogen may be used in the step of etching the silicon carbide substrate (S20: FIG. 4). A halogen-containing gas is, for example, chlorine gas. For example, while supplying chlorine gas to reaction chamber 201, silicon carbide substrate 10 is maintained at first temperature A1 for a certain period of time. The temperature of silicon carbide substrate 10 is, for example, 1600° C. or more and 2000° C. or less. The temperature of silicon carbide substrate 10 may be, for example, 1650° C. or higher, or may be 1700° C. or higher. The temperature of silicon carbide substrate 10 may be, for example, 1950° C. or lower, or may be 1900° C. or lower. The pressure inside the reaction chamber 201 is, for example, 5 kPa or more and 10 kPa or less. The flow rate of chlorine gas is, for example, 0.1 slm or more and 10 slm or less. Note that the halogen-containing gas is not limited to chlorine gas. The halogen-containing gas may be, for example, hydrogen chloride (HCl), chlorine trifluoride (ClF ₃ ), and the like.

炭化珪素基板をエッチングする工程（Ｓ２０：図４）においては、主表面において、炭化珪素が昇華してもよい。たとえば反応室２０１にアルゴンガスを供給しながら、炭化珪素基板１０が第１温度Ａ１で一定の時間維持される。これにより、炭化珪素基板１０の主表面を構成する炭化珪素が昇華する。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１７００℃以上２２００℃以下である。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば１７５０℃以上であってもよいし、１８００℃以上であってもよい。炭化珪素基板１０の温度は、たとえば２１５０℃以下であってもよいし、２１００℃以下であってもよい。反応室２０１内の圧力は、たとえば１ｋＰａ以上１２ｋＰａ以下である。アルゴンガスの流量は、たとえば５ｓｌｍ以上５０ｓｌｍ以下である。なお、アルゴンガスを反応室２０１に供給することなく、真空中で炭化珪素基板１０の主表面を昇華させてもよい。 In the step of etching the silicon carbide substrate (S20: FIG. 4), silicon carbide may sublime on the main surface. For example, while supplying argon gas to reaction chamber 201, silicon carbide substrate 10 is maintained at first temperature A1 for a certain period of time. Thereby, silicon carbide forming the main surface of silicon carbide substrate 10 is sublimated. The temperature of silicon carbide substrate 10 is, for example, 1700° C. or more and 2200° C. or less. The temperature of silicon carbide substrate 10 may be, for example, 1750° C. or higher, or may be 1800° C. or higher. The temperature of silicon carbide substrate 10 may be, for example, 2150° C. or lower, or may be 2100° C. or lower. The pressure inside the reaction chamber 201 is, for example, 1 kPa or more and 12 kPa or less. The flow rate of argon gas is, for example, 5 slm or more and 50 slm or less. The main surface of silicon carbide substrate 10 may be sublimated in vacuum without supplying argon gas to reaction chamber 201 .

炭化珪素基板をエッチングする工程（Ｓ２０：図４）では、第１主面１１において、炭化珪素基板１０が、第１主面１１内の平均値で０．７μｍ以上１０μｍ以下エッチングされる。炭化珪素基板１０は、たとえば１．１μｍ以上エッチングされてもよいし、１．５μｍ以上エッチングされてもよい。炭化珪素基板１０のエッチング量の上限は特に限定されないが、炭化珪素基板１０は、たとえば５μｍ以下エッチングされてもよい。ステップバンチング抑制の観点から、エッチングの異方性は少ない方がよい。エッチングする工程において、第１主面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の標準偏差を、第１主面１１内におけるエッチング量の平均値で除した値は、たとえば１５％以下である。なお、本願において炭化珪素基板をエッチングするとは、炭化珪素基板１０の主表面の全面において、炭化珪素基板１０の主表面を含む炭化珪素層を除去することである。そのため、炭化珪素層が水素を含むガスまたはハロゲンを含むガスなどによって化学的にエッチングされて除去されてもよいし、炭化珪素層自身が昇華することにより、炭化珪素層が除去されてもよい。 In the step of etching the silicon carbide substrate ( S<b>20 : FIG. 4 ), silicon carbide substrate 10 is etched at first main surface 11 by an average value of 0.7 μm or more and 10 μm or less within first main surface 11 . Silicon carbide substrate 10 may be etched, for example, by 1.1 μm or more, or may be etched by 1.5 μm or more. Although the upper limit of the etching amount of silicon carbide substrate 10 is not particularly limited, silicon carbide substrate 10 may be etched by 5 μm or less, for example. From the viewpoint of suppressing step bunching, less anisotropy in etching is preferable. In the etching step, the value obtained by dividing the standard deviation of the amount of etching of silicon carbide substrate 10 within first main surface 11 by the average value of the amount of etching within first main surface 11 is, for example, 15% or less. In the present application, etching a silicon carbide substrate means removing a silicon carbide layer including the main surface of silicon carbide substrate 10 over the entire main surface of silicon carbide substrate 10 . Therefore, the silicon carbide layer may be removed by chemical etching with a gas containing hydrogen or a gas containing halogen, or the silicon carbide layer itself may be sublimated to remove the silicon carbide layer.

次に、反応室２０１内の温度が低減される。具体的には、図５に示されるように、時点Ｔ２から時点Ｔ３にかけて、炭化珪素基板１０の温度が、第１温度Ａ１から第２温度Ａ２まで低下する。 The temperature in reaction chamber 201 is then reduced. Specifically, as shown in FIG. 5, the temperature of silicon carbide substrate 10 decreases from first temperature A1 to second temperature A2 from time T2 to time T3.

次に、炭化珪素エピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ３０：図４）が実施される。具体的には、時点Ｔ３において、反応室２０１に、原料ガス、ドーパントガスおよびキャリアガスが供給される。より具体的には、反応室２０１に、シランとプロパンとアンモニアと水素とを含む混合ガスが供給される。反応室２０１において、それぞれのガスが熱分解され、炭化珪素基板１０の第１主面１１上に炭化珪素エピタキシャル膜２０が形成される（図２参照）。炭化珪素エピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ３０：図４）において、サセプタ２１０は回転軸２１２の周りを自転する。炭化珪素基板１０は回転軸２１２の周りを公転する（図４参照）。シランガスの流量は、たとえば１４０ｓｃｃｍである。プロパンガスの流量は、たとえば６３ｓｃｃｍである。アンモニアガスの流量は、たとえば０．０７ｓｃｃｍである。以上により、炭化珪素基板１０上に炭化珪素エピタキシャル膜２０が形成される。 Next, the step of forming a silicon carbide epitaxial film (S30: FIG. 4) is performed. Specifically, at time T3, the reaction chamber 201 is supplied with the raw material gas, the dopant gas, and the carrier gas. More specifically, the reaction chamber 201 is supplied with a mixed gas containing silane, propane, ammonia, and hydrogen. In reaction chamber 201, each gas is thermally decomposed to form silicon carbide epitaxial film 20 on first main surface 11 of silicon carbide substrate 10 (see FIG. 2). In the step of forming a silicon carbide epitaxial film (S30: FIG. 4), susceptor 210 rotates around rotating shaft 212. As shown in FIG. Silicon carbide substrate 10 revolves around rotation axis 212 (see FIG. 4). The flow rate of silane gas is, for example, 140 sccm. The propane gas flow rate is, for example, 63 sccm. The flow rate of ammonia gas is, for example, 0.07 sccm. As described above, silicon carbide epitaxial film 20 is formed on silicon carbide substrate 10 .

次に、時点Ｔ４において、原料ガス、ドーパントガスおよびキャリアガスの供給が停止される。次に、炭化珪素基板１０が冷却される。具体的には、炭化珪素基板１０は、第２温度Ａ２から第３温度Ａ３まで低下する。炭化珪素基板１０の温度がほぼ室温になった後、炭化珪素基板１０が反応室２０１から取り出される。以上のように、炭化珪素エピタキシャル基板１００が製造される。 Next, at time T4, the supply of source gas, dopant gas and carrier gas is stopped. Next, silicon carbide substrate 10 is cooled. Specifically, silicon carbide substrate 10 is lowered from second temperature A2 to third temperature A3. After the temperature of silicon carbide substrate 10 reaches approximately room temperature, silicon carbide substrate 10 is taken out of reaction chamber 201 . As described above, silicon carbide epitaxial substrate 100 is manufactured.

次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法の作用効果について説明する。 Next, the effects of the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment will be described.

本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法によれば、反応室２０１において、炭化珪素基板１０の主表面１１の全面がエッチングされる。主表面１１の全面をエッチングする工程においては、炭化珪素基板１０が０．７μｍ以上エッチングされる。これにより、炭化珪素基板１０の残留応力が緩和される。これによって、エピタキシャル成長中に炭化珪素基板１０の割れを抑制できる。また主表面１１の全面をエッチングする工程においては、炭化珪素基板１０が１０μｍ以下エッチングされる。そのため、炭化珪素基板１０の主表面１１上に炭化珪素エピタキシャル膜２０を形成する際に、炭化珪素エピタキシャル膜２０にステップバンチングが発生することを抑制することができる。 According to the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment, the entire main surface 11 of silicon carbide substrate 10 is etched in reaction chamber 201 . In the step of etching the entire surface of main surface 11, silicon carbide substrate 10 is etched by 0.7 μm or more. Thereby, residual stress in silicon carbide substrate 10 is relaxed. Thereby, cracking of silicon carbide substrate 10 can be suppressed during epitaxial growth. In the step of etching the entire surface of main surface 11, silicon carbide substrate 10 is etched by 10 μm or less. Therefore, when silicon carbide epitaxial film 20 is formed on main surface 11 of silicon carbide substrate 10 , generation of step bunching in silicon carbide epitaxial film 20 can be suppressed.

また本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、水素を含むガスが使用されてもよい。 Further, in the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment, a gas containing hydrogen may be used in the step of etching the entire surface of main surface 11 .

さらに本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、ハロゲンを含むガスが使用されてもよい。 Further, in the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment, a gas containing halogen may be used in the step of etching the entire surface of main surface 11 .

さらに本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、主表面１１の全面をエッチングする工程においては、主表面１１において、炭化珪素が昇華してもよい。 Further, in the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment, silicon carbide may sublimate on main surface 11 in the step of etching the entire surface of main surface 11 .

次に、サンプルに係る炭化珪素基板１０を準備した。サンプルに係る炭化珪素基板１０の主表面１１を、水素ガスを用いてエッチングした。サンプルに係る炭化珪素基板１０のエッチングの温度を、１６９０℃とした。エッチング工程における水素の流量を、１２０ｓｌｍ以上１５０ｓｌｍ以下とした。エッチング工程における反応室２０１の圧力を、５ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下に調整した。エッチング工程の時間を２０分とした。 Next, silicon carbide substrate 10 as a sample was prepared. Main surface 11 of silicon carbide substrate 10 according to the sample was etched using hydrogen gas. The etching temperature of silicon carbide substrate 10 according to the sample was set to 1690°C. The flow rate of hydrogen in the etching process was set to 120 slm or more and 150 slm or less. The pressure of the reaction chamber 201 in the etching process was adjusted to 5 kPa or more and 10 kPa or less. The etching process time was 20 minutes.

次に、主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の面内分布を測定した。具体的には、島津製作所社製のフーリエ変換赤外分光光度計（型番：IRPrestige-21）を用いてエッチング量の面内分布を測定した。図６は、エッチング量を測定した炭化珪素基板１０の主表面１１内の位置を示している。図６において、「×」で示された位置が、エッチング量の測定位置である。具体的には、ＩＦからＣＩＦに向かう方向（図１における第１方向１０１）、ＯＦからＣＯＦに向かう方向（図１における第２方向１０２）、Ａ－Ａ’方向およびＢ－Ｂ’方向の各々に沿ってほぼ等間隔に配置された計４１か所の測定位置において、エッチング量が測定された。当該４１か所の測定位置におけるエッチング量の平均値および標準偏差を、それぞれ主表面１１における炭化珪素基板１０のエッチング量の平均値および標準偏差とした。 Next, the in-plane distribution of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 was measured. Specifically, the in-plane distribution of the etching amount was measured using a Fourier transform infrared spectrophotometer (model number: IRPrestige-21) manufactured by Shimadzu Corporation. FIG. 6 shows positions within main surface 11 of silicon carbide substrate 10 where the etching amount was measured. In FIG. 6, the position indicated by "x" is the measurement position of the etching amount. Specifically, each of the direction from IF to CIF (first direction 101 in FIG. 1), direction from OF to COF (second direction 102 in FIG. 1), AA' direction and BB' direction The etching amount was measured at a total of 41 measurement positions arranged at approximately equal intervals along the . The average value and standard deviation of the etching amount at the 41 measurement positions were taken as the average value and standard deviation of the etching amount of silicon carbide substrate 10 on main surface 11, respectively.

図７は、上記４方向における炭化珪素基板１０のエッチング量と測定位置との関係を示している。図７に示されるように、炭化珪素基板１０のエッチング量の範囲は、０．５μｍ以上１．２μｍ以下程度であった。ＯＦからＣＯＦに向かう方向におけるエッチング量の標準偏差は、上記４方向の中で最も大きかった。ＩＦからＣＩＦに向かう方向におけるエッチング量の標準偏差は、上記４方向の中で最も小さかった。つまり、ＩＦからＣＩＦに向かう方向（第１方向１０１）におけるエッチング量の標準偏差は、ＯＦからＣＯＦに向かう方向（第２方向１０２）におけるエッチング量の標準偏差よりも小さかった。主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の平均値は、１．０３μｍであった。主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の標準偏差は、０．１４μｍであった。主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の標準偏差を、主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の平均値で除した値は、１３．３４％であった。つまり、主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の標準偏差を、主表面１１内における炭化珪素基板１０のエッチング量の平均値で除した値は、１５％以下であることが確かめられた。 FIG. 7 shows the relationship between the etching amount of silicon carbide substrate 10 and the measurement position in the above four directions. As shown in FIG. 7, the etching amount range of silicon carbide substrate 10 was about 0.5 μm or more and 1.2 μm or less. The standard deviation of etching amount in the direction from OF to COF was the largest among the four directions. The standard deviation of etching amount in the direction from IF to CIF was the smallest among the four directions. That is, the standard deviation of the etching amount in the direction from IF to CIF (first direction 101) was smaller than the standard deviation of the etching amount in the direction from OF to COF (second direction 102). The average etching amount of silicon carbide substrate 10 in main surface 11 was 1.03 μm. The standard deviation of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 was 0.14 μm. The value obtained by dividing the standard deviation of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 by the average value of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 was 13.34%. That is, it was confirmed that the standard deviation of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 divided by the average value of the etching amount of silicon carbide substrate 10 within main surface 11 is 15% or less. .

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the claims rather than the above description, and is intended to include all modifications within the meaning and range of equivalents of the scope of the claims.

１０炭化珪素基板
１１主表面、第１主面
１２主表面、第２主面
１３第３主面
１４第４主面
１６第１フラット
２０炭化珪素エピタキシャル膜
１００炭化珪素エピタキシャル基板
１０１第１方向
１０２第２方向
１１１最大径
１１４厚み
２００製造装置
２０１反応室
２０２パイロメータ
２０３発熱体
２０４石英管
２０５断熱材
２０６誘導加熱コイル
２０７ガス導入口
２０８ガス排気口
２０９外表面
２１０サセプタ
２１２回転軸 10 silicon carbide substrate 11 main surface, first main surface 12 main surface, second main surface 13 third main surface 14 fourth main surface 16 first flat 20 silicon carbide epitaxial film 100 silicon carbide epitaxial substrate 101 first direction 102 third Two directions 111 Maximum diameter 114 Thickness 200 Manufacturing device 201 Reaction chamber 202 Pyrometer 203 Heating element 204 Quartz tube 205 Heat insulating material 206 Induction heating coil 207 Gas introduction port 208 Gas exhaust port 209 Outer surface 210 Susceptor 212 Rotation shaft

Claims

introducing a silicon carbide substrate having a main surface into a reaction chamber;
etching the entire surface of the main surface by an average value of more than 1.5 μm to 10 μm or less in the reaction chamber;
forming a silicon carbide epitaxial film on the etched main surface in the reaction chamber after the etching step ;
A method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate , wherein a gas containing hydrogen is used in the step of etching the entire main surface .

2. The method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to claim 1 , wherein in the step of etching the entire main surface, the temperature of said silicon carbide substrate is 1600[deg.] C. or more and 2000[deg.] C. or less.

2. A value obtained by dividing a standard deviation of the etching amount of said silicon carbide substrate within said main surface by said average value of said etching amount within said main surface in said etching step is 15% or less. 3. The method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to claim 2 .

4. The method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to claim 1, wherein the entire surface of said main surface is etched by an average value of 5 μm or less in said reaction chamber.