JP7093390B2 - Board cleaning equipment - Google Patents

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本開示は、基板洗浄装置および基板洗浄方法ならびに基板洗浄装置用のロールスポンジに関する。 The present disclosure relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method, and a roll sponge for the substrate cleaning apparatus.

基板研磨装置は、まず基板を研磨し、その後に基板を洗浄する。基板洗浄には、例えばロールスポンジが用いられる。従来の基板研磨装置が有する基板洗浄装置は必ずしも効果的に基板を洗浄できているとは限らない。 The substrate polishing device first polishes the substrate and then cleans the substrate. For example, a roll sponge is used for cleaning the substrate. The substrate cleaning device of the conventional substrate polishing device cannot always clean the substrate effectively.

特開2009-246190号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-246190 特開2009-267368号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-267368

このような問題点に鑑み、効果的に基板を洗浄できる基板洗浄装置および基板洗浄方法ならびに基板洗浄装置用のロールスポンジを提供する。 In view of such problems, a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method capable of effectively cleaning the substrate, and a roll sponge for the substrate cleaning apparatus are provided.

本開示の一態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に対して5度以上30度未満の照射角度で洗浄液を供給するノズル洗浄液供給部と、を備える基板洗浄装置が提供される。
適切な照射角度で洗浄液を基板に供給することで、効果的に基板を洗浄できる。
According to one aspect of the present disclosure, a substrate cleaning unit comprising a substrate holding unit that holds the substrate and a nozzle cleaning liquid supply unit that supplies the cleaning liquid at an irradiation angle of 5 degrees or more and less than 30 degrees to the held substrate. Equipment is provided.
By supplying the cleaning liquid to the substrate at an appropriate irradiation angle, the substrate can be effectively cleaned.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に対して洗浄液を供給するノズルと、を備え、洗浄液供給時に前記洗浄液が前記基板に与える力の、前記基板と平行な方向の力成分Fxと、前記基板と直交する方向の力成分Fyとの比Fy/Fxは、0.0875以上0.577未満である、基板洗浄装置が提供される。
適切な照射角度で洗浄液を基板に供給することで、効果的に基板を洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, the substrate holding portion for holding the substrate and the nozzle for supplying the cleaning liquid to the held substrate are provided, and the force exerted by the cleaning liquid on the substrate when the cleaning liquid is supplied is provided. Provided is a substrate cleaning apparatus in which the ratio Fy / Fx of the force component Fx in the direction parallel to the substrate and the force component Fy in the direction orthogonal to the substrate is 0.0875 or more and less than 0.577.
By supplying the cleaning liquid to the substrate at an appropriate irradiation angle, the substrate can be effectively cleaned.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部と、保持された前記基板の一部に洗浄液を供給する1または複数のノズルと、を備え、前記洗浄部が前記基板に接触して前記基板の洗浄が行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給し、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが前記基板の少なくとも中心部分に洗浄液を供給する、基板洗浄装置が提供される。
これにより、基板の中心部分も効果的に洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, the substrate holding portion that holds the substrate, the cleaning portion that contacts at least the central portion of the held substrate to clean the substrate, and a part of the held substrate. It comprises one or a plurality of nozzles for supplying cleaning liquid, and when the cleaning unit comes into contact with the substrate to clean the substrate, at least one of the nozzles is associated with the cleaning unit on the substrate. Supply the cleaning liquid to different positions, and when the cleaning unit is not in contact with the substrate and the substrate is rinsed, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to at least the central portion of the substrate. Cleaning equipment is provided.
As a result, the central portion of the substrate can also be effectively cleaned.

少なくとも1つの前記ノズルによる洗浄液の供給位置を調整するノズル制御部を備えるのが望ましい。
これにより、洗浄時に基板上の洗浄部とは異なる位置に、リンス時には基板上の中心部分に洗浄液を供給できる。
It is desirable to include a nozzle control unit that adjusts the supply position of the cleaning liquid by at least one nozzle.
As a result, the cleaning liquid can be supplied to a position different from the cleaning portion on the substrate during cleaning and to the central portion on the substrate during rinsing.

前記ノズル制御部は、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる
際に、前記洗浄液の供給位置を前記基板の中心部分から外周へと移動させるのが望ましい。
これにより、洗浄液を効率よく基板の外に排出できる。
It is desirable that the nozzle control unit moves the supply position of the cleaning liquid from the central portion of the substrate to the outer periphery when the substrate is rinsed without the cleaning unit coming into contact with the substrate.
As a result, the cleaning liquid can be efficiently discharged to the outside of the substrate.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に洗浄液を供給する第1ノズルと、保持された前記基板に洗浄液を供給する第2ノズルと、を備え、前記第1ノズルおよび前記第2ノズルは、同時には前記基板に洗浄液を供給しない、基板洗浄装置が提供される。
これにより、第1ノズルからの洗浄液と第2ノズルからの洗浄液とが混ざることが抑えられ、効果的に基板Wを洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, a substrate holding portion for holding the substrate, a first nozzle for supplying the cleaning liquid to the held substrate, and a second nozzle for supplying the cleaning liquid to the held substrate are provided. Provided is a substrate cleaning apparatus in which the first nozzle and the second nozzle do not supply a cleaning liquid to the substrate at the same time.
As a result, the cleaning liquid from the first nozzle and the cleaning liquid from the second nozzle are prevented from being mixed, and the substrate W can be effectively cleaned.

保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部を備え、前記第1ノズルは、前記基板上の少なくとも中心部分に洗浄液を供給し、前記第2ノズルは、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給するのが望ましい。
これにより、基板の中心部分も効果的に洗浄できる。
The first nozzle supplies a cleaning liquid to at least the central portion on the substrate, and the second nozzle is the substrate. It is desirable to supply the cleaning liquid to a position different from that of the cleaning portion above.
As a result, the central portion of the substrate can also be effectively cleaned.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に非定常的に洗浄液を供給するノズルと、を備える基板洗浄装置が提供される。
非定常的に洗浄液を供給することで基板に圧力変動を与えることができ、基板を効果的に洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, there is provided a substrate cleaning apparatus including a substrate holding portion for holding a substrate and a nozzle for unsteadily supplying a cleaning liquid to the held substrate.
By supplying the cleaning liquid unsteadily, the pressure can be changed on the substrate, and the substrate can be effectively cleaned.

前記ノズルは、間欠的に洗浄液を供給してもよいし、洗浄液の供給量を変動させてもよい。 The nozzle may intermittently supply the cleaning liquid, or the supply amount of the cleaning liquid may be varied.

本開示の別の態様によれば、基板の少なくとも中心部分に洗浄部を接触させる工程と、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給しつつ、前記洗浄部が前記基板を洗浄する工程と、前記洗浄部を前記基板から離間させる工程と、前記基板上の少なくとも中心部分に洗浄液を供給する工程と、を備える基板洗浄方法が提供される。
これにより、基板の中心部分も効果的に洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, the cleaning unit cleans the substrate while supplying the cleaning liquid to a position different from the cleaning unit on the substrate and the step of bringing the cleaning unit into contact with at least the central portion of the substrate. A substrate cleaning method comprising a step of separating the cleaning portion from the substrate, and a step of supplying a cleaning liquid to at least a central portion on the substrate is provided.
As a result, the central portion of the substrate can also be effectively cleaned.

本開示の別の態様によれば、円筒状のロール本体と、その外周面から外側に円柱状に突出した複数のノジュール部と、を備え、前記複数のノジュール部の表面の少なくとも一部はスキン層が欠如している、基板洗浄装置用のロールスポンジが提供される。
スキン層の特性を活かし、効果的に基板を洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, a cylindrical roll body and a plurality of nodule portions protruding outward from the outer peripheral surface thereof in a cylindrical shape are provided, and at least a part of the surface of the plurality of nodule portions is a skin. Roll sponges for substrate cleaning equipment are provided that lack layers.
The substrate can be effectively cleaned by taking advantage of the characteristics of the skin layer.

本実施形態に係る基板洗浄装置を備える基板処理装置の概略平面図。The schematic plan view of the substrate processing apparatus provided with the substrate cleaning apparatus which concerns on this embodiment. 第1の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the substrate cleaning apparatus which concerns on 1st Embodiment. 基板Wとその表面上に付着した異物Pとを模式的に示す断面図。The cross-sectional view schematically showing the substrate W and the foreign matter P adhering on the surface thereof. 照射角度θと除去率との関係を模式的に示すグラフ。A graph schematically showing the relationship between the irradiation angle θ and the removal rate. 第2の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the substrate cleaning apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 洗浄工程における洗浄液供給を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the cleaning liquid supply in a cleaning process. リンス工程における洗浄液供給を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the cleaning liquid supply in a rinsing process. 第3の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 6th Embodiment. 第7の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the substrate cleaning apparatus which concerns on 7th Embodiment. ノズル32a,32bによる洗浄液供給タイミングを示す図。The figure which shows the cleaning liquid supply timing by a nozzle 32a, 32b. 第8の実施形態の一例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図。The figure which shows typically the supply flow rate of the cleaning liquid which concerns on an example of 8th Embodiment. 第8の実施形態の別の例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図。The figure which shows typically the supply flow rate of the cleaning liquid which concerns on another example of 8th Embodiment. ロールスポンジ33の第1例を示す図。The figure which shows the 1st example of a roll sponge 33. ロールスポンジ33の第2例を示す図。The figure which shows the 2nd example of a roll sponge 33. ロールスポンジ33の第3例を示す図。The figure which shows the 3rd example of a roll sponge 33. ロールスポンジ33の第4例を示す図。The figure which shows the 4th example of the roll sponge 33. ペンシルスポンジ38の第1例を示す図。The figure which shows the 1st example of the pencil sponge 38. ペンシルスポンジ38の第2例を示す図。The figure which shows the 2nd example of the pencil sponge 38. ペンシルスポンジ38の第3例を示す図。The figure which shows the 3rd example of the pencil sponge 38. ペンシルスポンジ38の第4例を示す図。The figure which shows the 4th example of the pencil sponge 38. ペンシルスポンジ38の第5例を示す図。The figure which shows the 5th example of the pencil sponge 38. 別の洗浄部391を示す図。The figure which shows another cleaning part 391. また別の洗浄部392を示す図。The figure which shows the other cleaning part 392. また別の洗浄部393を示す図。The figure which shows the other cleaning part 393. また別の洗浄部394を示す図。The figure which shows the other cleaning part 394. また別の洗浄部395を示す図。The figure which shows the other cleaning part 395.

以下、実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments will be specifically described with reference to the drawings.

図1は、本実施形態に係る基板洗浄装置を備える基板処理装置の概略平面図である。図1に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロード部2と研磨部3と洗浄部4とに区画されている。これらのロード/アンロード部2、研磨部3、および洗浄部4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。研磨部3では基板の研磨が行われる。洗浄部4では研磨された基板の洗浄および乾燥が行われる。また、基板処理装置は基板処理動作を制御する制御部5を有している。 FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus including the substrate cleaning apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, this substrate processing apparatus includes a substantially rectangular housing 1, and the inside of the housing 1 is divided into a load / unload portion 2, a polishing portion 3, and a cleaning portion 4 by partition walls 1a and 1b. It is partitioned. The load / unload section 2, the polishing section 3, and the cleaning section 4 are assembled independently and exhausted independently. The polishing unit 3 polishes the substrate. The cleaning unit 4 cleans and dries the polished substrate. Further, the substrate processing apparatus has a control unit 5 for controlling the substrate processing operation.

ロード/アンロード部2は、多数の基板(例えば半導体ウエハ)をストックする基板カセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。 The load / unload unit 2 includes two or more (four in this embodiment) front load units 20 on which a substrate cassette for stocking a large number of substrates (for example, semiconductor wafers) is placed. These front load portions 20 are arranged adjacent to the housing 1 and arranged along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus.

また、ロード/アンロード部2には、フロントロード部20の並びに沿って走行機構21が敷設されており、この走行機構21上に基板カセットの配列方向に沿って移動可能な2台の搬送ロボット(ローダー)22が設置されている。搬送ロボット22は走行機構21上を移動することによってフロントロード部20に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えている。そして、処理された基板を基板カセットに戻すときに上側のハンドを使用し、処理前の基板を基板カセットから取り出すときに下側のハンドを使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット22の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、基板を反転させることができるように構成されている。 Further, in the load / unload section 2, a traveling mechanism 21 is laid along the line of the front loading section 20, and two transfer robots that can move along the arrangement direction of the substrate cassettes on the traveling mechanism 21. (Loader) 22 is installed. The transfer robot 22 can access the board cassette mounted on the front load unit 20 by moving on the traveling mechanism 21. Each transfer robot 22 has two hands on the upper and lower sides. Then, use the upper hand when returning the processed board to the board cassette, and use the lower hand when removing the processed board from the board cassette so that the upper and lower hands can be used properly. It has become. Further, the lower hand of the transfer robot 22 is configured to be able to invert the substrate by rotating around its axis.

研磨部3は、基板の研磨(平坦化)が行われる領域であり、例えばロード/アンロード部2側から順に並んだ4つの基板研磨装置3A~3Dを備える。 The polishing unit 3 is a region where the substrate is polished (flattened), and includes, for example, four substrate polishing devices 3A to 3D arranged in order from the load / unload unit 2 side.

洗浄部4は、基板の洗浄および乾燥が行われる領域であり、ロード/アンロード部2とは反対側から順に洗浄室190と、搬送室191と、洗浄室192と、搬送室193と、乾燥室194とに区画されている。 The cleaning unit 4 is an area where the substrate is cleaned and dried, and the cleaning chamber 190, the transport chamber 191 and the transport chamber 192, the transport chamber 193, and the drying chamber 190 are dried in order from the side opposite to the load / unload portion 2. It is divided into rooms 194.

洗浄室190内には、垂直方向に沿って配列された2つの基板洗浄装置201(図1に
は1つのみ図示される)が配置されている。同様に、洗浄室192内には、垂直方向に沿って配列された2つの基板洗浄装置202(図1には1つのみ図示される)が配置されている。基板洗浄装置201,202は、洗浄液を用いて基板を洗浄する洗浄機である。これらの基板洗浄装置201,202は垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
In the cleaning chamber 190, two substrate cleaning devices 201 (only one is shown in FIG. 1) arranged along the vertical direction are arranged. Similarly, in the cleaning chamber 192, two substrate cleaning devices 202 (only one is shown in FIG. 1) arranged along the vertical direction are arranged. The substrate cleaning devices 201 and 202 are cleaning machines that clean the substrate using a cleaning liquid. Since these substrate cleaning devices 201 and 202 are arranged along the vertical direction, the advantage of a small footprint area can be obtained.

乾燥室194内には、縦方向に沿って配列された2つの基板乾燥装置203(図1には1つのみ図示される)が配置されている。これら2つの基板乾燥装置203は互いに隔離されている。基板乾燥装置203の上部には、清浄な空気を基板乾燥装置203内にそれぞれ供給するフィルタファンユニットが設けられている。 In the drying chamber 194, two substrate drying devices 203 (only one is shown in FIG. 1) arranged along the vertical direction are arranged. These two substrate drying devices 203 are isolated from each other. A filter fan unit for supplying clean air into the substrate drying apparatus 203 is provided above the substrate drying apparatus 203.

なお、基板処理装置が制御部5を備えて基板洗浄装置201,202などを制御してもよいし、基板洗浄装置201,202のそれぞれが制御部(制御装置)を備えていてもよい。 The substrate processing device may be provided with a control unit 5 to control the substrate cleaning devices 201, 202, etc., or each of the substrate cleaning devices 201, 202 may be provided with a control unit (control device).

次に、基板を搬送するための搬送機構について説明する。図1に示すように、基板研磨装置3A,3Bに隣接して、リニアトランスポータ6が配置されている。このリニアトランスポータ6は、これら基板研磨装置3A,3Bが配列する方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順に搬送位置TP1~TP4とする)の間で基板を搬送する。 Next, a transport mechanism for transporting the substrate will be described. As shown in FIG. 1, a linear transporter 6 is arranged adjacent to the substrate polishing devices 3A and 3B. The linear transporter 6 transports the substrate between four transport positions (transport positions TP1 to TP4 in order from the load / unload portion 2 side) along the direction in which the substrate polishing devices 3A and 3B are arranged. ..

また、基板研磨装置3C,3Dに隣接して、リニアトランスポータ7が配置されている。このリニアトランスポータ7は、これら基板研磨装置3C,3Dが配列する方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順に搬送位置TP5~TP7とする)の間で基板を搬送する。 Further, a linear transporter 7 is arranged adjacent to the substrate polishing devices 3C and 3D. The linear transporter 7 transports the substrate between three transport positions (transport positions TP5 to TP7 in order from the load / unload portion 2 side) along the direction in which the substrate polishing devices 3C and 3D are arranged. ..

基板は、リニアトランスポータ6によって基板研磨装置3A,3Bに搬送される。基板研磨装置3Aへの基板の受け渡しは搬送位置TP2で行われる。研磨装置3Bへの基板の受け渡しは搬送位置TP3で行われる。基板研磨装置3Cへの基板の受け渡しは搬送位置TP6で行われる。基板研磨装置3Dへの基板の受け渡しは第7搬送位置TP7で行われる。 The substrate is conveyed to the substrate polishing devices 3A and 3B by the linear transporter 6. The transfer of the substrate to the substrate polishing device 3A is performed at the transport position TP2. The transfer of the substrate to the polishing device 3B is performed at the transport position TP3. The transfer of the substrate to the substrate polishing device 3C is performed at the transport position TP6. The transfer of the substrate to the substrate polishing device 3D is performed at the seventh transfer position TP7.

搬送位置TP1には、搬送ロボット22から基板を受け取るためのリフタ11が配置されている。基板はこのリフタ11を介して搬送ロボット22からリニアトランスポータ6に渡される。リフタ11と搬送ロボット22との間に位置して、シャッタ(図示せず)が隔壁1aに設けられており、基板の搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット22からリフタ11に基板が渡されるようになっている。 At the transfer position TP1, a lifter 11 for receiving the substrate from the transfer robot 22 is arranged. The substrate is passed from the transfer robot 22 to the linear transporter 6 via the lifter 11. A shutter (not shown) is provided on the partition wall 1a located between the lifter 11 and the transfer robot 22 so that the shutter is opened when the substrate is transferred and the substrate is passed from the transfer robot 22 to the lifter 11. It has become.

また、リニアトランスポータ6,7と、洗浄部4との間にはスイングトランスポータ12が配置されている。このスイングトランスポータ12は、搬送位置TP4,TP5との間を移動可能なハンドを有しており、リニアトランスポータ6からリニアトランスポータ7への基板の受け渡しは、スイングトランスポータ12によって行われる。 Further, a swing transporter 12 is arranged between the linear transporters 6 and 7 and the cleaning unit 4. The swing transporter 12 has a hand that can move between the transport positions TP4 and TP5, and the transfer of the substrate from the linear transporter 6 to the linear transporter 7 is performed by the swing transporter 12.

基板は、リニアトランスポータ7によって基板研磨装置3Cおよび/または基板研磨装置3Dに搬送される。また、研磨部3で研磨された基板はスイングトランスポータ12を経由して洗浄部4に搬送される。スイングトランスポータ12の側方には、図示しないフレームに設置された基板の仮置き台180が配置されている。この仮置き台180は、図1に示すように、リニアトランスポータ6に隣接して配置されており、リニアトランスポータ6と洗浄部4との間に位置している。 The substrate is conveyed to the substrate polishing apparatus 3C and / or the substrate polishing apparatus 3D by the linear transporter 7. Further, the substrate polished by the polishing unit 3 is conveyed to the cleaning unit 4 via the swing transporter 12. On the side of the swing transporter 12, a temporary mounting table 180 of a substrate installed on a frame (not shown) is arranged. As shown in FIG. 1, the temporary stand 180 is arranged adjacent to the linear transporter 6 and is located between the linear transporter 6 and the cleaning unit 4.

(第1の実施形態)
第1の実施形態は、基板洗浄装置において、洗浄対象基板に対する洗浄液の好ましい照射角度に関する。
(First Embodiment)
The first embodiment relates to a preferable irradiation angle of a cleaning liquid with respect to a substrate to be cleaned in a substrate cleaning device.

図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置は、洗浄対象の基板Wをほぼ水平に保持して回転させる基板保持部31と、保持された基板Wに対して洗浄液を供給するノズル32とを備えている。ノズル32は、例えば直径1mmの単管ノズルであり、基板W上の狭い範囲に洗浄液を照射する。洗浄液は純水や薬液などである。本明細書では、基板面と、ノズル32から照射される洗浄液とがなす角を照射角度θと定義する。 FIG. 2 is a perspective view schematically showing the substrate cleaning device according to the first embodiment. The substrate cleaning device includes a substrate holding portion 31 that holds and rotates the substrate W to be cleaned substantially horizontally, and a nozzle 32 that supplies a cleaning liquid to the held substrate W. The nozzle 32 is, for example, a single-tube nozzle having a diameter of 1 mm, and irradiates a narrow area on the substrate W with the cleaning liquid. The cleaning solution is pure water, chemical solution, or the like. In the present specification, the angle formed by the substrate surface and the cleaning liquid irradiated from the nozzle 32 is defined as the irradiation angle θ.

まずは、簡略化したモデルを用いて適切な照射角度θを理論的に導く。
図3は、基板Wとその表面上に付着した異物Pとを模式的に示す断面図である。ここでは、異物Pを半径aの球体と仮定し、照射角度θで洗浄液が供給されたとする。この場合、洗浄液に起因する力Fが異物Pのノズル32側の半球に作用すると考えることができる。そして、基板Wと異物Pとの接点Aを軸とするモーメントMが大きいほど、異物Pを除去できる。このモーメントMは次のようにして導出できる。
First, an appropriate irradiation angle θ is theoretically derived using a simplified model.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the substrate W and the foreign matter P adhering to the surface thereof. Here, it is assumed that the foreign matter P is a sphere having a radius a, and the cleaning liquid is supplied at an irradiation angle θ. In this case, it can be considered that the force F caused by the cleaning liquid acts on the hemisphere of the foreign matter P on the nozzle 32 side. The larger the moment M about the contact point A between the substrate W and the foreign matter P, the more the foreign matter P can be removed. This moment M can be derived as follows.

Figure 0007093390000001
Figure 0007093390000001

途中、Fx=Fcosθ,Fy=Fsinθであることを考慮した。この結果、モーメントMはcosθに比例する。すなわち、照射角度θが小さいほど、異物Pを除去できることが分かった。 On the way, it was considered that Fx = Fcosθ and Fy = Fsinθ. As a result, the moment M is proportional to cos θ. That is, it was found that the smaller the irradiation angle θ, the more the foreign matter P can be removed.

次に、適切な照射角度θを実験的に考察する。基板Wを汚染させ、種々の照射角度θで基板Wの中心に洗浄液を供給して異物の除去率を計測する実験を行った。 Next, an appropriate irradiation angle θ will be considered experimentally. An experiment was conducted in which the substrate W was contaminated, a cleaning liquid was supplied to the center of the substrate W at various irradiation angles θ, and the removal rate of foreign substances was measured.

図4は、照射角度θと除去率との関係を模式的に示すグラフである。図示のように、θ=15~40度の範囲では、照射角度θが大きくなるほど除去率が低下する。このことは図3を用いて導かれた結果と一致する。照射角度θが40度を超えると除去率はほぼ一定となるが、これは洗浄液の流体力が一定になるためと考えられる。いずれにしても、照射角度θが大きいと洗浄力は低く好ましくない。 FIG. 4 is a graph schematically showing the relationship between the irradiation angle θ and the removal rate. As shown in the figure, in the range of θ = 15 to 40 degrees, the removal rate decreases as the irradiation angle θ increases. This is consistent with the results derived using FIG. When the irradiation angle θ exceeds 40 degrees, the removal rate becomes almost constant, which is considered to be because the fluid force of the cleaning liquid becomes constant. In any case, if the irradiation angle θ is large, the detergency is low, which is not preferable.

一方、照射角度θが10度以下の範囲では、照射角度θが小さくなるほど除去率が低下し、特に5度未満の場合に除去率は低くなる。これは、照射角度θが小さすぎる場合、供
給された洗浄液が基板W上で分岐し(いわゆる液糸)、異物まで到達する洗浄液の量が減るためと考えられる。また、ノズル32の機構的な制約上、照射角度θをあまり小さくするのは困難である。
On the other hand, in the range where the irradiation angle θ is 10 degrees or less, the removal rate decreases as the irradiation angle θ becomes smaller, and especially when the irradiation angle θ is less than 5 degrees, the removal rate decreases. It is considered that this is because when the irradiation angle θ is too small, the supplied cleaning liquid branches on the substrate W (so-called liquid yarn), and the amount of the cleaning liquid reaching the foreign matter decreases. Further, due to the mechanical restrictions of the nozzle 32, it is difficult to make the irradiation angle θ too small.

以上から、照射角度θは5度以上40度未満とするのが好ましく、5度以上30度未満とするのがさらに好ましい。 From the above, the irradiation angle θ is preferably 5 degrees or more and less than 40 degrees, and more preferably 5 degrees or more and less than 30 degrees.

ここで、洗浄液が基板Wに与える水平方向(正確には、基板Wと平行な方向)の力成分Fxおよび同鉛直方向(正確には、基板Wと直交する方向)の力成分Fyと、照射角度θは次の関係を満たす。
tanθ=Fy/Fx
Here, the force component Fx in the horizontal direction (to be exact, the direction parallel to the substrate W) and the force component Fy in the vertical direction (to be exact, the direction orthogonal to the substrate W) given to the substrate W by the cleaning liquid are irradiated. The angle θ satisfies the following relationship.
tanθ = Fy / Fx

よって、上記の好ましい照射角度θを言い換えると、水平方向の力Fxに対する鉛直方向の力Fyの比Fy/Fxの範囲が0.0875(=tan5)以上0.839(=tan40)未満とするのが好ましく、0.0875(=tan5)以上0.577(=tan30)未満とするのがさらに好ましい。 Therefore, in other words, the above-mentioned preferable irradiation angle θ is set so that the range of the ratio Fy / Fx of the vertical force Fy to the horizontal force Fx is 0.0875 (= tan5) or more and less than 0.839 (= tan40). Is preferable, and it is more preferably 0.0875 (= tan5) or more and less than 0.577 (= tan30).

以上説明したように、第1の実施形態では洗浄液の照射角度θを適切な値とするため、基板Wを効果的に洗浄できる。なお、本実施形態の考え方は基板洗浄装置の具体的な構成に関わらず適用可能であり、例えば基板Wを鉛直方向に保持するものであってもよい。また、ノズル32は基板Wの上面でなく下面に洗浄液を供給するものであってもよい。 As described above, in the first embodiment, since the irradiation angle θ of the cleaning liquid is set to an appropriate value, the substrate W can be effectively cleaned. The concept of the present embodiment can be applied regardless of the specific configuration of the substrate cleaning device, and for example, the substrate W may be held in the vertical direction. Further, the nozzle 32 may supply the cleaning liquid to the lower surface of the substrate W instead of the upper surface.

(第2の実施形態)
次に説明する第2の実施形態は、ロールスポンジなどの洗浄部を用いて基板洗浄を行う基板洗浄装置におけるノズル32による洗浄液の供給位置に関する。
(Second embodiment)
The second embodiment described below relates to a position where the cleaning liquid is supplied by the nozzle 32 in a substrate cleaning device that cleans the substrate using a cleaning portion such as a roll sponge.

図5は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置は、基板保持部31および1または複数のノズル32に加え、洗浄部であるロールスポンジ33を備えている。ロールスポンジ33は水平方向に延びており、保持された基板W上面の少なくとも中心部に接触して基板Wを洗浄する。 FIG. 5 is a perspective view schematically showing the substrate cleaning device according to the second embodiment. The substrate cleaning device includes a substrate holding portion 31 and one or a plurality of nozzles 32, as well as a roll sponge 33 which is a cleaning portion. The roll sponge 33 extends in the horizontal direction and comes into contact with at least the center of the upper surface of the held substrate W to clean the substrate W.

基板洗浄装置は、まずロールスポンジ33を基板Wに接触させ、この状態でノズル32から基板Wの上面に洗浄液を供給して基板Wを洗浄する(以下、洗浄工程という)。次いで、基板洗浄装置はロールスポンジ33を基板Wから離間させ、この状態でノズル32から洗浄液を供給して基板Wをリンスする(以下、リンス工程という)。 The substrate cleaning apparatus first brings the roll sponge 33 into contact with the substrate W, and in this state, supplies a cleaning liquid from the nozzle 32 to the upper surface of the substrate W to clean the substrate W (hereinafter referred to as a cleaning step). Next, the substrate cleaning device separates the roll sponge 33 from the substrate W, and in this state, supplies cleaning liquid from the nozzle 32 to rinse the substrate W (hereinafter referred to as a rinsing step).

ここで、洗浄工程では、ロールスポンジ33が基板Wの中心に接触している。そのため、洗浄液がロールスポンジ33と衝突しないよう、ノズル32は基板Wの中心からずれた位置に洗浄液を供給する。つまり、洗浄工程では、基板Wの中心には洗浄液があまり供給されない。 Here, in the cleaning step, the roll sponge 33 is in contact with the center of the substrate W. Therefore, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid to a position deviated from the center of the substrate W so that the cleaning liquid does not collide with the roll sponge 33. That is, in the cleaning step, the cleaning liquid is not supplied so much to the center of the substrate W.

仮に、その後のリンス工程においてもノズル32が基板Wの中心からずれた位置に洗浄液を供給すると、基板Wの中心の洗浄が不十分となる。 If the cleaning liquid is supplied to a position where the nozzle 32 is deviated from the center of the substrate W even in the subsequent rinsing step, the cleaning of the center of the substrate W becomes insufficient.

そこで本実施形態では、洗浄工程では、基板Wの中心からずれた位置、すなわち、ロールスポンジ33とは異なる位置にノズル32が洗浄液を供給する(図6参照)。そして、ロールスポンジ33を基板Wから離間させた上で、リンス工程では、基板Wの中心部分を含む位置にノズル32が洗浄液を供給する(図7参照)。これにより、基板Wの中心部分も効果的に洗浄できる。 Therefore, in the present embodiment, in the cleaning step, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid to a position deviated from the center of the substrate W, that is, a position different from the roll sponge 33 (see FIG. 6). Then, after separating the roll sponge 33 from the substrate W, in the rinsing step, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid to a position including the central portion of the substrate W (see FIG. 7). As a result, the central portion of the substrate W can also be effectively cleaned.

なお、洗浄液の供給位置の具体的な切替法は種々考えられる。例えば、1つのノズル32を設け、そのノズル32による洗浄液の供給位置を調整してもよい。その具体的な手法は第3~第6の実施形態で説明する。 Various specific methods for switching the supply position of the cleaning liquid can be considered. For example, one nozzle 32 may be provided and the supply position of the cleaning liquid by the nozzle 32 may be adjusted. The specific method will be described in the third to sixth embodiments.

別の例として、2以上のノズル32(例えば、単管ノズルと、スプレー状に洗浄液を噴霧する扇形ノズル)を設け、洗浄工程において1つのノズル32が基板Wの中心からずれた位置に洗浄液を供給し、リンス工程において他のノズル32が基板Wの中心を含む位置に洗浄液を供給してもよい。 As another example, two or more nozzles 32 (for example, a single tube nozzle and a fan-shaped nozzle that sprays the cleaning liquid in a spray shape) are provided, and the cleaning liquid is placed at a position where one nozzle 32 is deviated from the center of the substrate W in the cleaning step. The cleaning liquid may be supplied and supplied to a position where another nozzle 32 includes the center of the substrate W in the rinsing step.

また、2以上のノズル32を設け、そのうちの1以上のノズル32による洗浄液の供給位置を調整してもよい。 Further, two or more nozzles 32 may be provided, and the supply position of the cleaning liquid by one or more of the nozzles 32 may be adjusted.

このように、第2の実施形態では、ロールスポンジ33を用いた洗浄工程ではロールスポンジ33とは異なる位置に、ロールスポンジ33を用いないリンス工程では基板Wの中心部分に洗浄液を供給する。そのため、基板Wの中心部分も効果的に洗浄できる。 As described above, in the second embodiment, the cleaning liquid is supplied to a position different from that of the roll sponge 33 in the cleaning step using the roll sponge 33, and to the central portion of the substrate W in the rinsing step without using the roll sponge 33. Therefore, the central portion of the substrate W can also be effectively cleaned.

なお、ノズル32からの照射角度θの好ましい範囲は第1の実施形態で述べた通りである。また、本実施形態の考え方は基板洗浄装置の具体的な構成に関わらず適用可能であり、例えば基板Wの下面を洗浄するロールスポンジおよび基板Wの下面に洗浄液を供給するノズルが設けられてもよい。また、基板Wを鉛直方向に保持するものであってもよい。 The preferred range of the irradiation angle θ from the nozzle 32 is as described in the first embodiment. Further, the concept of the present embodiment can be applied regardless of the specific configuration of the substrate cleaning apparatus. For example, even if a roll sponge for cleaning the lower surface of the substrate W and a nozzle for supplying the cleaning liquid are provided on the lower surface of the substrate W. good. Further, the substrate W may be held in the vertical direction.

(第3の実施形態)
第2の実施形態において、ノズル32による洗浄液の供給位置を調整してもよいと述べた。以下に説明する第3~6の実施形態では、洗浄液の供給位置を調整する具体的な構成例を示す。
(Third embodiment)
In the second embodiment, it is stated that the supply position of the cleaning liquid by the nozzle 32 may be adjusted. In the third to sixth embodiments described below, a specific configuration example for adjusting the supply position of the cleaning liquid is shown.

図8は、第3の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。基板洗浄装置は、4つの基板保持部31と、ノズル32と、基板Wの上下面にそれぞれ接触するロールスポンジ33a,33bと、これらのロールスポンジ33a,33bをそれぞれ回転させる回転機構34a,34bと、ガイドレール35と、昇降機構36と、ノズル32による洗浄液供給位置(供給方向)を調整するノズル制御部60とを備えている。なお、基板保持部31に保持された基板Wの上面に洗浄液を供給するノズル32と、対応するノズル制御部60のみを描いているが、基板Wの下面に洗浄液を供給するノズルと、対応するノズル制御部をさらに設けてもよい。 FIG. 8 is a schematic perspective view of the substrate cleaning device according to the third embodiment. The substrate cleaning device includes four substrate holding portions 31, a nozzle 32, roll sponges 33a and 33b that come into contact with the upper and lower surfaces of the substrate W, respectively, and rotation mechanisms 34a and 34b that rotate these roll sponges 33a and 33b, respectively. , A guide rail 35, an elevating mechanism 36, and a nozzle control unit 60 for adjusting a cleaning liquid supply position (supply direction) by the nozzle 32. Only the nozzle 32 that supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate W held by the substrate holding unit 31 and the corresponding nozzle control unit 60 are drawn, but the nozzle that supplies the cleaning liquid to the lower surface of the substrate W corresponds to this. A nozzle control unit may be further provided.

基板保持部31は例えばローラであり、保持部311および肩部(支持部)312の2段構成となっている。肩部312の直径は保持部311の直径よりも大きく、肩部312上に保持部311が形成されている。4つの基板保持部31のうちの少なくとも一部(例えば隣接する2つ)が駆動機構(例えばエアシリンダ)によって、互いに近接および離間する方向に移動可能となっている。 The substrate holding portion 31 is, for example, a roller, and has a two-stage configuration of a holding portion 311 and a shoulder portion (support portion) 312. The diameter of the shoulder portion 312 is larger than the diameter of the holding portion 311, and the holding portion 311 is formed on the shoulder portion 312. At least a part (for example, two adjacent ones) of the four substrate holding portions 31 can be moved in a direction close to and separated from each other by a drive mechanism (for example, an air cylinder).

回転機構34aは上側のロールスポンジ33aを回転させるものである。回転機構34aは、その上下方向の動きをガイドするガイドレール35に取り付けられており、かつ、昇降機構36に支持されている。そして、回転機構34aおよび上側のロールスポンジ33aは昇降機構36によって上下方向に移動されるようになっている。 The rotation mechanism 34a rotates the upper roll sponge 33a. The rotation mechanism 34a is attached to a guide rail 35 that guides its vertical movement, and is supported by the elevating mechanism 36. The rotation mechanism 34a and the upper roll sponge 33a are moved in the vertical direction by the elevating mechanism 36.

図示しないが、下側のロールスポンジ33bを回転させる回転機構34bもガイドレールに取り付けられており、不図示の昇降機構によって回転機構34bおよび下側のロールスポンジ33bが上下方向に移動されるようになっている。
なお、昇降機構36としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシ
リンダが使用される。
Although not shown, a rotation mechanism 34b for rotating the lower roll sponge 33b is also attached to the guide rail so that the rotation mechanism 34b and the lower roll sponge 33b are moved in the vertical direction by an elevating mechanism (not shown). It has become.
As the elevating mechanism 36, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used.

昇降機構36によってロールスポンジ33a,33bは次のように移動する。
基板Wの搬入搬出時には、ロールスポンジ33a,33bは互いに離間した位置にある。つまり、ロールスポンジ33aは上昇した状態であり、ロールスポンジ33bは下降した状態である。
The roll sponges 33a and 33b are moved by the elevating mechanism 36 as follows.
The roll sponges 33a and 33b are at positions separated from each other when the substrate W is carried in and out. That is, the roll sponge 33a is in the raised state, and the roll sponge 33b is in the lowered state.

洗浄工程においては、ロールスポンジ33aが下降し、かつ、ロールスポンジ33bが上昇する。これにより、ロールスポンジ33aは基板Wの上面に接触し、ロールスポンジ33bは基板Wの下面に接触する。 In the cleaning step, the roll sponge 33a is lowered and the roll sponge 33b is raised. As a result, the roll sponge 33a comes into contact with the upper surface of the substrate W, and the roll sponge 33b comes into contact with the lower surface of the substrate W.

リンス工程においては、ロールスポンジ33aが上昇し、かつ、ロールスポンジ33bが下降する。これにより、ロールスポンジ33a,33bは基板Wから離れる。 In the rinsing step, the roll sponge 33a rises and the roll sponge 33b falls. As a result, the roll sponges 33a and 33b are separated from the substrate W.

ノズル制御部60はノズル32が基板W上のどこに洗浄液を供給するかを制御する。具体的には、洗浄工程において、ノズル制御部60は、ロールスポンジ33aとは異なる位置(基板Wの中心からずれた位置)に洗浄液が供給されるよう、ノズル32を制御する。また、リンス工程において、ノズル制御部60は、ノズル32から基板Wの中心部分に洗浄液が供給されるよう、ノズル32を制御する。ノズル制御部60はノズル32による洗浄液の照射方向を制御するとも言える。 The nozzle control unit 60 controls where the nozzle 32 supplies the cleaning liquid on the substrate W. Specifically, in the cleaning step, the nozzle control unit 60 controls the nozzle 32 so that the cleaning liquid is supplied to a position different from that of the roll sponge 33a (a position deviated from the center of the substrate W). Further, in the rinsing step, the nozzle control unit 60 controls the nozzle 32 so that the cleaning liquid is supplied from the nozzle 32 to the central portion of the substrate W. It can be said that the nozzle control unit 60 controls the irradiation direction of the cleaning liquid by the nozzle 32.

具体的には、ノズル制御部60は、チューブ61と、円板62と、モータ63と、シャフト64と、ガイド65と、固定具66とを有する。 Specifically, the nozzle control unit 60 includes a tube 61, a disk 62, a motor 63, a shaft 64, a guide 65, and a fixture 66.

チューブ61はノズル32と連通しており、洗浄液をノズル32に導く。シャフト64の一端はモータ63によって回転される円板62の終端部に固定され、他端はノズル32の末端側に固定される。ガイド65には縦長の開口が形成されており、この開口にノズル32の末端が嵌まっている。固定具66には開口が形成されており、この開口にノズル32が貫通している。 The tube 61 communicates with the nozzle 32 and guides the cleaning liquid to the nozzle 32. One end of the shaft 64 is fixed to the end portion of the disk 62 rotated by the motor 63, and the other end is fixed to the end side of the nozzle 32. A vertically long opening is formed in the guide 65, and the end of the nozzle 32 is fitted in this opening. An opening is formed in the fixture 66, and the nozzle 32 penetrates through this opening.

モータ63が円板62を回転させることで、シャフト64が移動する。シャフト64に固定されたノズル32はガイド65の開口に沿って上下に動き、その結果、固定具66を軸としてノズル32の角度が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。 The shaft 64 moves as the motor 63 rotates the disk 62. The nozzle 32 fixed to the shaft 64 moves up and down along the opening of the guide 65, and as a result, the angle of the nozzle 32 changes around the fixture 66. Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

(第4の実施形態)
次に説明する第4の実施形態は、ノズル制御部の構成が第3の実施形態とは異なる。以下、ノズル制御部について説明する。
(Fourth Embodiment)
In the fourth embodiment described below, the configuration of the nozzle control unit is different from that of the third embodiment. Hereinafter, the nozzle control unit will be described.

図9は、第4の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。同図のノズル制御部70は、カム71と、モータ72と、シャフト73と、ローラ74と、ガイド75と、固定具76とを有する。 FIG. 9 is a schematic perspective view of the substrate cleaning device according to the fourth embodiment. The nozzle control unit 70 in the figure has a cam 71, a motor 72, a shaft 73, a roller 74, a guide 75, and a fixture 76.

シャフト73の一端は、モータ72によって回転されるカム71とローラ74を介して接続され、他端はノズル32の末端側に固定されている。ガイド75には縦長の開口が形成されており、この開口にノズル32の末端が嵌まっている。固定具76には開口が形成されており、この開口にノズル32が貫通している。 One end of the shaft 73 is connected to the cam 71 rotated by the motor 72 via a roller 74, and the other end is fixed to the end side of the nozzle 32. A vertically long opening is formed in the guide 75, and the end of the nozzle 32 is fitted in this opening. An opening is formed in the fixture 76, and the nozzle 32 penetrates through this opening.

モータ72がカム71を回転させることで、カム71の形状に沿ってローラ74が動く。これにより、シャフト73が上下に移動し、シャフト73に固定されたノズル32はガイド75の開口に沿って上下に動く。その結果、固定具76を軸としてノズル32の角度
が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。
When the motor 72 rotates the cam 71, the roller 74 moves along the shape of the cam 71. As a result, the shaft 73 moves up and down, and the nozzle 32 fixed to the shaft 73 moves up and down along the opening of the guide 75. As a result, the angle of the nozzle 32 changes around the fixture 76 as an axis. Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

(第5の実施形態)
次に説明する第5の実施形態は、ノズル制御部の構成が第3の実施形態とは異なる。以下、ノズル制御部について説明する。
(Fifth Embodiment)
In the fifth embodiment described below, the configuration of the nozzle control unit is different from that of the third embodiment. Hereinafter, the nozzle control unit will be described.

図10は、第5の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。同図のノズル制御部80は、円板81と、モータ82と、シャフト83とを有する。なお、円板81に代えてカムを用いてもよい。 FIG. 10 is a schematic perspective view of the substrate cleaning device according to the fifth embodiment. The nozzle control unit 80 in the figure has a disk 81, a motor 82, and a shaft 83. A cam may be used instead of the disk 81.

シャフト83の一端は、モータ82によって回転される円板81と接続され、他端はノズル32の先端側に固定されている。モータ82が円板81を回転させることで、ノズル32の先端に接続されたシャフト83の位置が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。 One end of the shaft 83 is connected to a disk 81 rotated by a motor 82, and the other end is fixed to the tip end side of the nozzle 32. When the motor 82 rotates the disk 81, the position of the shaft 83 connected to the tip of the nozzle 32 changes. Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

(第6の実施形態)
次に説明する第6の実施形態は、ノズル制御部の構成が第3の実施形態とは異なる。以下、ノズル制御部について説明する。
(Sixth Embodiment)
In the sixth embodiment described below, the configuration of the nozzle control unit is different from that of the third embodiment. Hereinafter, the nozzle control unit will be described.

図11は、第6の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。同図のノズル制御部90は、ロボットアーム91と、保持具92とを有する。 FIG. 11 is a schematic perspective view of the substrate cleaning device according to the sixth embodiment. The nozzle control unit 90 in the figure has a robot arm 91 and a holder 92.

ロボットアーム91は回転軸911を中心として回動可能であり、その先端に保持具92が取り付けられている。保持具92はノズル32を保持している。ロボットアーム91が回動することで保持具92に保持されたノズル32の方向が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。 The robot arm 91 is rotatable about a rotation shaft 911, and a holder 92 is attached to the tip of the robot arm 91. The holder 92 holds the nozzle 32. The rotation of the robot arm 91 changes the direction of the nozzle 32 held by the holder 92. Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

以上、いくつがのノズル制御部を例示したが、種々の変形例を想到できるのは言うまでもない。例えば、ノズル制御部がノズル32(またはノズル32を支持する部材)を昇降させる昇降機構を含み、ノズル32を上下方向に動かせるようにしてもよい。あるいは、ノズル制御部がノズル32(またはノズル32を支持する部材)を水平面内で搖動させる揺動機構を含んでいてもよい。その場合、リンス工程において、洗浄液の供給位置を基板Wの中心部から外周部へと移動させることで、洗浄液の排出効果を高めてもよい。
いずれにしても、ノズル制御部は、基板Wの中心部分にも、その他の位置にも洗浄液を供給できる構成であるのが望ましい。
As mentioned above, several nozzle control units have been illustrated, but it goes without saying that various modifications can be conceived. For example, the nozzle control unit may include a lifting mechanism for raising and lowering the nozzle 32 (or a member supporting the nozzle 32) so that the nozzle 32 can be moved in the vertical direction. Alternatively, the nozzle control unit may include a swing mechanism that causes the nozzle 32 (or a member that supports the nozzle 32) to swing in a horizontal plane. In that case, in the rinsing step, the effect of discharging the cleaning liquid may be enhanced by moving the supply position of the cleaning liquid from the central portion to the outer peripheral portion of the substrate W.
In any case, it is desirable that the nozzle control unit has a configuration capable of supplying the cleaning liquid to the central portion of the substrate W and other positions.

その他の構成例として、支柱にアームを取り付け、アームに1または複数のノズルを設置してもよい。アームにペン洗浄機構が設けられていてもよい。また、ノズルは、単管ノズル、扇形ノズル、2流体ジェットノズル、3流体ジェットノズルなどであってよく、その任意の組み合わせも可能である。さらに、ノズルは、ノズル制御部によって水平面内で平行移動可能でもよいし、支柱の動作によって鉛直方向に移動可能でもよいし、支柱を中心に回転することで基板の中心を通る(あるいは中心からずれた)軌道で移動可能であってもよい。複数のノズルを設ける場合、そのうちの1つのみが中心を通る軌道で移動し、他は中心からずれた軌道で移動してもよい。また、ノズルからの洗浄液照射角度を調整できてもよく、その適切な角度は第1の実施形態で説明した通りである。 As another configuration example, the arm may be attached to the support column, and one or more nozzles may be attached to the arm. The arm may be provided with a pen cleaning mechanism. Further, the nozzle may be a single tube nozzle, a fan-shaped nozzle, a two-fluid jet nozzle, a three-fluid jet nozzle, or the like, and any combination thereof is also possible. Further, the nozzle may be translated in the horizontal plane by the nozzle control unit, may be movable in the vertical direction by the operation of the support column, or may pass through (or deviate from the center) the center of the substrate by rotating around the support column. It may be movable in orbit. When a plurality of nozzles are provided, only one of them may move in an orbit that passes through the center, and the other may move in an orbit that is off-center. Further, the cleaning liquid irradiation angle from the nozzle may be adjusted, and the appropriate angle is as described in the first embodiment.

複数のノズルが同一の薬液を供給してもよいし、異なる薬液を供給してもよい。薬液は、アルカリ性、酸性または中性のものでもよいし、純水、ガスを混入させた純水、機能水、微量の薬液を混入させた純水であってもよい。 A plurality of nozzles may supply the same chemical solution, or different chemical solutions may be supplied. The chemical solution may be alkaline, acidic or neutral, or may be pure water, pure water mixed with gas, functional water, or pure water mixed with a trace amount of chemical solution.

(第7の実施形態)
次に説明する第7の実施形態は、複数のノズル32を備える基板洗浄装置において、各ノズル32による洗浄液の供給タイミングに関する。以下、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(7th Embodiment)
A seventh embodiment to be described next relates to a substrate cleaning device including a plurality of nozzles 32, relating to the supply timing of the cleaning liquid by each nozzle 32. Hereinafter, the differences from the first embodiment will be mainly described.

図12は、第7の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置は、基板保持部31および2つのノズル32a,32bを備えている。一例として、ノズル32aは単管ノズルであり、ノズル32bは扇形ノズルである。その他、ノズル32a,32bは複数の流体を噴射するノズルでもよい。また、一方のノズル32aが基板Wの中心部分に洗浄液を供給し、他方のノズル32bが基板Wの中心部以外(例えば外周部分)に洗浄液を供給してもよい。ノズル32aからの洗浄液は、ノズル32bからの洗浄液と同じでもよいし、異なっていてもよい。 FIG. 12 is a perspective view schematically showing the substrate cleaning device according to the seventh embodiment. The substrate cleaning device includes a substrate holding portion 31 and two nozzles 32a and 32b. As an example, the nozzle 32a is a single-tube nozzle, and the nozzle 32b is a fan-shaped nozzle. In addition, the nozzles 32a and 32b may be nozzles that inject a plurality of fluids. Further, one nozzle 32a may supply the cleaning liquid to the central portion of the substrate W, and the other nozzle 32b may supply the cleaning liquid to a portion other than the central portion of the substrate W (for example, the outer peripheral portion). The cleaning liquid from the nozzle 32a may be the same as or different from the cleaning liquid from the nozzle 32b.

2つのノズル32a,32bから洗浄液を同時に供給すると、ノズル32aからの洗浄液と、ノズル32bからの洗浄液とが基板W上で混ざる領域では洗浄効果が低くなる可能性がある。 If the cleaning liquid is supplied from the two nozzles 32a and 32b at the same time, the cleaning effect may be reduced in the region where the cleaning liquid from the nozzle 32a and the cleaning liquid from the nozzle 32b are mixed on the substrate W.

そこで、本実施形態では、図13に示すようにノズル32a,32bが同時に洗浄液を基板Wに供給しないようにする。より具体的には、まずノズル32aが基板Wに洗浄液を供給する。そして、ノズル32aからの洗浄液供給を停止した後に、ノズル32bが基板Wに洗浄液を供給する。その後、ノズル32bからの洗浄液供給を停止した後に、ノズル32aが基板Wに洗浄液を供給する。もちろん、ノズル32a,32bの両方が洗浄液を供給しない期間があってもよい。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 13, the nozzles 32a and 32b do not supply the cleaning liquid to the substrate W at the same time. More specifically, first, the nozzle 32a supplies the cleaning liquid to the substrate W. Then, after stopping the supply of the cleaning liquid from the nozzle 32a, the nozzle 32b supplies the cleaning liquid to the substrate W. Then, after stopping the supply of the cleaning liquid from the nozzle 32b, the nozzle 32a supplies the cleaning liquid to the substrate W. Of course, there may be a period in which both the nozzles 32a and 32b do not supply the cleaning liquid.

このように、第7の実施形態では、ノズル32a,32bが排他的に基板Wに洗浄液を供給するため、効果的に基板Wを洗浄できる。なお、3以上のノズルが設けられる場合であっても、これらが排他的に基板Wに洗浄液を供給すればよい。 As described above, in the seventh embodiment, since the nozzles 32a and 32b exclusively supply the cleaning liquid to the substrate W, the substrate W can be effectively cleaned. Even when three or more nozzles are provided, they may exclusively supply the cleaning liquid to the substrate W.

(第8の実施形態)
次に説明する第8の実施形態は、ノズル32から非定常的に洗浄液を供給するものである。基板洗浄装置の構成は図2に示すものと同様である。
(8th Embodiment)
In the eighth embodiment described below, the cleaning liquid is unsteadily supplied from the nozzle 32. The configuration of the substrate cleaning device is the same as that shown in FIG.

図14は、第8の実施形態の一例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図である。本例では、ノズル32は間欠的に洗浄液を供給する。例えば、ノズル32は期間T1,T3,T5において洗浄液を供給し、その間の期間T2,T4において洗浄液を供給しない。つまり、洗浄液を供給する期間と供給しない期間とが交互に繰り返される。 FIG. 14 is a diagram schematically showing the supply flow rate of the cleaning liquid according to the example of the eighth embodiment. In this example, the nozzle 32 intermittently supplies the cleaning liquid. For example, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid during the periods T1, T3 and T5, and does not supply the cleaning liquid during the periods T2 and T4 in the meantime. That is, the period in which the cleaning liquid is supplied and the period in which the cleaning liquid is not supplied are alternately repeated.

洗浄液が供給されない期間T2,T4によって基板W上に洗浄液の膜がなくなる。そのような状態で急激に洗浄液を供給して(期間T3,T5)基板Wにショック(圧力変動)を与えることで、洗浄効果が向上する。 During the period when the cleaning liquid is not supplied, the cleaning liquid film disappears on the substrate W due to T2 and T4. By suddenly supplying the cleaning liquid in such a state (periods T3 and T5) and giving a shock (pressure fluctuation) to the substrate W, the cleaning effect is improved.

このような制御は、例えばノズル32の根元にある電磁弁を開閉することによって実現される。 Such control is realized, for example, by opening and closing the solenoid valve at the base of the nozzle 32.

図15は、第8の実施形態の別の例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図である。本例では、ノズル32は洗浄液の供給量を変動させる。例えば、ノズル32は、期間T11において洗浄液の供給量を徐々に減らし、その後の期間T12において供給量を急激に増やし、その後の期間T13では供給量をほぼ一定に保ち、その後の期間T14において供給量を急激に減らす。つまり、洗浄液の供給量は、徐々に減少/増加したり、急激に減少/増加したり、ほぼ一定だったりする。 FIG. 15 is a diagram schematically showing the supply flow rate of the cleaning liquid according to another example of the eighth embodiment. In this example, the nozzle 32 varies the supply amount of the cleaning liquid. For example, the nozzle 32 gradually reduces the supply amount of the cleaning liquid in the period T11, rapidly increases the supply amount in the subsequent period T12, keeps the supply amount substantially constant in the subsequent period T13, and supplies the supply amount in the subsequent period T14. To decrease sharply. That is, the supply amount of the cleaning liquid gradually decreases / increases, rapidly decreases / increases, or becomes almost constant.

このような態様によっても、特に洗浄液の供給量を急激に増やす期間において基板Wにショックを与えることができ、洗浄効果が向上する。 Even in such an embodiment, the substrate W can be shocked, especially during the period in which the supply amount of the cleaning liquid is rapidly increased, and the cleaning effect is improved.

このような制御は、例えばノズル32の根元にある供給タンクに加える圧力をレギュレータを用いて調整することによって実現される。 Such control is realized, for example, by adjusting the pressure applied to the supply tank at the base of the nozzle 32 by using a regulator.

このように、第8の実施形態では、1つの基板Wに対してノズルから非定常的に洗浄液を供給するため、洗浄力が向上する。 As described above, in the eighth embodiment, the cleaning liquid is unsteadily supplied from the nozzle to one substrate W, so that the cleaning power is improved.

(第9の実施形態)
次に説明する第9の実施形態は、ロールスポンジ33の表面材質に関する。
(9th embodiment)
The ninth embodiment described below relates to the surface material of the roll sponge 33.

ロールスポンジ33がポリビニルアルコール(PVA)などの樹脂を成型して製造される場合、成型時に型と接している表層部(以下、スキン層という)と、その内部の下層部とが形成される。スキン層がなく下層部が露出していることをスキン層が欠如しているともいう。 When the roll sponge 33 is manufactured by molding a resin such as polyvinyl alcohol (PVA), a surface layer portion (hereinafter referred to as a skin layer) in contact with the mold at the time of molding and a lower layer portion inside the surface layer portion are formed. The fact that there is no skin layer and the lower layer is exposed is also called the lack of a skin layer.

スキン層は、厚さが1~10μm程度、気孔径が数μm~数10μmと小さく、固い層である。そのため、洗浄液を保持しやすいが、洗浄時に基板の表面を傷つけるおそれがある。 The skin layer is a hard layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a small pore diameter of several μm to several tens of μm. Therefore, it is easy to hold the cleaning liquid, but there is a risk of damaging the surface of the substrate during cleaning.

一方、スキン層がない下層部は気孔径が10μm~数百μmと大きく、柔らかい層である。そのため、基板の表面にフィットしやすく、かつ、基板の表面を傷つけにくい。また、洗浄液が出入りしやすく、流出しやすい。 On the other hand, the lower layer portion without the skin layer has a large pore diameter of 10 μm to several hundred μm and is a soft layer. Therefore, it is easy to fit on the surface of the substrate and it is difficult to damage the surface of the substrate. In addition, the cleaning liquid easily enters and exits, and easily flows out.

以上の特徴を考慮し、ロールスポンジ33のどの部分をスキン層とし、どの部分においてスキン層を欠如させるかを設計するのが望ましい。具体的な態様は種々考えられる。 In consideration of the above characteristics, it is desirable to design which part of the roll sponge 33 is the skin layer and which part lacks the skin layer. Various specific embodiments can be considered.

図16は、ロールスポンジ33の第1例を示す図である。同図(a)はロールスポンジ33aの長手方向の側面図であり、同図(b)は同図(a)を側方から見た図である。図16以降の図では、スポットを付した部分はスキン層が欠如していることを示している。ロールスポンジ33は、円筒状のロール本体331と、その外周面から外側に円柱状に突出した複数のノジュール部332とを有するものとする。図示のように、ロール本体331の両側面のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、ロール本体331の両側面以外はスキン層に覆われていてもよい。 FIG. 16 is a diagram showing a first example of the roll sponge 33. FIG. 3A is a side view of the roll sponge 33a in the longitudinal direction, and FIG. 9B is a side view of FIG. 3A. In the figures after FIG. 16, the spotted portion indicates that the skin layer is lacking. The roll sponge 33 has a cylindrical roll main body 331 and a plurality of nodule portions 332 protruding outward from the outer peripheral surface in a cylindrical shape. As shown, the skin layer may be missing only on both sides of the roll body 331. That is, the skin layer may be covered except for both side surfaces of the roll body 331.

図17は、ロールスポンジ33の第2例を示す図である。図示のように、ロール本体331の表面と、ノジュール部332の側面のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、ロール本体331の側面およびノジュール部332の先端はスキン層に覆われていてもよい。 FIG. 17 is a diagram showing a second example of the roll sponge 33. As shown, the skin layer may be missing only on the surface of the roll body 331 and the side surface of the nodule portion 332. That is, the side surface of the roll body 331 and the tip of the nodule portion 332 may be covered with a skin layer.

図18は、ロールスポンジ33の第3例を示す図である。図示のように、ノジュール部332の先端のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、ロール本体331およびノジュール部332の側面はスキン層に覆われていてもよい。 FIG. 18 is a diagram showing a third example of the roll sponge 33. As shown, the skin layer may be missing only at the tip of the nodule portion 332. That is, the side surfaces of the roll body 331 and the nodule portion 332 may be covered with a skin layer.

図19は、ロールスポンジ33の第4例を示す図である。図示のように、一部のノジュール部332の先端のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、これらのノジュール部332の先端以外、他のノジュール部332およびロール本体331はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 19 is a diagram showing a fourth example of the roll sponge 33. As shown, the skin layer may be missing only at the tip of a part of the nodule portion 332. That is, other than the tip of these nodule portions 332, the other nodule portions 332 and the roll body 331 may be covered with a skin layer.

その他、ロールスポンジ33のすべての面がスキン層で覆われていてもよいし、すべての面でスキン層が欠如していてもよい。また、例示したロールスポンジ33のうちの任意の2以上の態様を組み合わせてもよく、ロール本体331の表面、同側面、ノジュール部332の側面および/または同先端の一部または全体においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 In addition, all surfaces of the roll sponge 33 may be covered with a skin layer, or all surfaces may lack a skin layer. Further, any two or more aspects of the illustrated roll sponge 33 may be combined, and the skin layer may be formed on the surface of the roll body 331, the same side surface, the side surface of the nodule portion 332 and / or a part or the whole of the same tip. It may be absent or covered with a skin layer.

(第10の実施形態)
次に説明する第10の実施形態は、ロールスポンジ33以外の形状の洗浄部に関する。まずは、洗浄部が基板Wの中心を含む部分に接触して回転しながら洗浄を行うペンシルスポンジである場合について説明する。
(10th Embodiment)
The tenth embodiment described below relates to a cleaning portion having a shape other than the roll sponge 33. First, a case where the cleaning portion is a pencil sponge that is in contact with a portion including the center of the substrate W and performs cleaning while rotating will be described.

図20は、ペンシルスポンジ38の第1例を示す図である。同図のペンシルスポンジ38は円筒状であり、その下面が洗浄面である。図示のように、側面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、上面および下面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 20 is a diagram showing a first example of the pencil sponge 38. The pencil sponge 38 in the figure has a cylindrical shape, and the lower surface thereof is a cleaning surface. As shown, the skin layer may be missing only on the sides. That is, the upper surface and the lower surface may be covered with a skin layer.

図21は、ペンシルスポンジ38の第2例を示す図である。図示のように、側面および下面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、上面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 21 is a diagram showing a second example of the pencil sponge 38. As shown, the skin layer may be missing only on the sides and bottom. That is, the upper surface may be covered with a skin layer.

図22は、ペンシルスポンジ38の第3例を示す図である。図示のように、上面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、側面および下面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 22 is a diagram showing a third example of the pencil sponge 38. As shown, the skin layer may be missing only on the top surface. That is, the side surface and the lower surface may be covered with a skin layer.

図23は、ペンシルスポンジ38の第4例を示す図である。図示のように、下面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、側面および上面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 23 is a diagram showing a fourth example of the pencil sponge 38. As shown, the skin layer may be missing only on the underside. That is, the sides and top may be covered with a skin layer.

図24は、ペンシルスポンジ38の第5例を示す図である。同図のペンシルスポンジ38は下面から円柱状に突出した複数のノジュール部381を有する。ノジュール部381の下面のみがスキン層で覆われていてもよいし、ノジュール部381の全面においてスキン層が欠如していてもよいし、ノジュール部381の側面のみスキン層が欠如していてもよいし、ノジュール部381の先端のみスキン層が欠如していてもよいし、一部のノジュール部381の先端のみスキン層が欠如していてもよい。その他、上述したノジュール部381のいずれかを、図20~図23にそれぞれ示すペンシルスポンジ38に付加してもよい。 FIG. 24 is a diagram showing a fifth example of the pencil sponge 38. The pencil sponge 38 in the figure has a plurality of nodule portions 381 protruding from the lower surface in a columnar shape. Only the lower surface of the nodule portion 381 may be covered with the skin layer, the skin layer may be missing on the entire surface of the nodule portion 381, or the skin layer may be missing only on the side surface of the nodule portion 381. However, the skin layer may be missing only at the tip of the nodule portion 381, or the skin layer may be missing only at the tip of a part of the nodule portion 381. In addition, any of the above-mentioned nodule portions 381 may be added to the pencil sponge 38 shown in FIGS. 20 to 23, respectively.

その他、全面がスキン層で覆われていてもよいし、全面においてスキン層が欠如していてもよい。 In addition, the entire surface may be covered with a skin layer, or the entire surface may lack a skin layer.

図25は、別の洗浄部391を示す図である。この洗浄部391は、ベース部391aのほぼ中央に取り付けられた円形のブラシ391bと、等間隔に配置されて径方向に沿って延びる4つのブラシ391cとを有し、これらの下面が洗浄面である。ベース部391a、ブラシ391bおよび/またはブラシ391cの一部または全体においてスキン層が欠如していてもよいし、両洗浄面がスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 25 is a diagram showing another cleaning unit 391. The cleaning portion 391 has a circular brush 391b attached substantially in the center of the base portion 391a, and four brushes 391c arranged at equal intervals and extending along the radial direction, and the lower surface thereof is a cleaning surface. be. The skin layer may be absent in a part or the whole of the base portion 391a, the brush 391b and / or the brush 391c, or both cleaning surfaces may be covered with the skin layer.

図26は、また別の洗浄部392を示す図である。この洗浄部392は、ベース部392aに取り付けられた十字型のブラシ392bを有し、その下面が洗浄面である。ブラシ392bの中央部は開口しており、この開口から洗浄液が供給されてもよい。ベース部392aおよび/またはブラシ392bの一部または全体においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 FIG. 26 is a diagram showing another cleaning unit 392. The cleaning portion 392 has a cross-shaped brush 392b attached to the base portion 392a, and the lower surface thereof is a cleaning surface. The central portion of the brush 392b is open, and the cleaning liquid may be supplied from this opening. The skin layer may be absent or covered with a skin layer in part or all of the base portion 392a and / or the brush 392b.

図27は、また別の洗浄部393を示す図である。この洗浄部393は、スクラブ部材
393aの一部にスポンジ部393bおよびブラシ部393cが形成されている。スクラブ部材393a、スポンジ部393bおよび/またはブラシ部393cの一部または全部においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。
FIG. 27 is a diagram showing another cleaning unit 393. In the cleaning portion 393, a sponge portion 393b and a brush portion 393c are formed in a part of the scrub member 393a. The skin layer may be absent or covered with a skin layer in a part or all of the scrub member 393a, the sponge portion 393b and / or the brush portion 393c.

図28は、また別の洗浄部394を示す図である。この洗浄部394は、シート394a上に形成された突起394b,394cを有する。突起394bはシート394aの中心近傍から外周まで畝状に延びており、突起394cは突起394bより外周側からシート394aの外周まで畝状に延びている。突起394bおよび/または突起394cの一部または全部においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 FIG. 28 is a diagram showing another cleaning unit 394. The cleaning portion 394 has protrusions 394b and 394c formed on the sheet 394a. The protrusion 394b extends in a ridge shape from the vicinity of the center of the sheet 394a to the outer periphery, and the protrusion 394c extends in a ridge shape from the outer peripheral side of the protrusion 394b to the outer periphery of the sheet 394a. The skin layer may be absent or covered with a skin layer in some or all of the protrusions 394b and / or the protrusions 394c.

図29は、また別の洗浄部395を示す図である。この洗浄部395は、台座395aと、その下面に取り付けられたブラシ395bとを有する。ブラシ395bの一部または全部においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 FIG. 29 is a diagram showing another cleaning unit 395. The cleaning unit 395 has a pedestal 395a and a brush 395b attached to the lower surface thereof. The skin layer may be absent or covered with a skin layer in part or all of the brush 395b.

上述した各実施形態を任意に組み合わせてもよい。また、説明した基板洗浄装置は、図1に示す基板処理装置の他、基板のベベルを研磨するベベル研磨装置、裏面を研磨する裏面研磨装置、部分的な研磨を行う部分研磨装置にも適用可能であり、さらには露光装置の洗浄装置にも応用可能である。 Each of the above-described embodiments may be arbitrarily combined. Further, the substrate cleaning device described can be applied not only to the substrate processing device shown in FIG. 1, but also to a bevel polishing device for polishing the bevel of the substrate, a back surface polishing device for polishing the back surface, and a partial polishing device for partial polishing. Further, it can be applied to a cleaning device of an exposure device.

各実施形態における動作は以下のソフト/システムを用いて行うことも可能である。ソフト/システムは、例えば、CPU、メモリ、記録媒体およびソフトウェアを持っているメインコントローラと、ユニットコントローラと、動作を実行するユニットとで構成されている。各実施形態の例において、ユニットとして基板洗浄装置を取り上げると、複数のノズルによる流体(洗浄液)噴射の量・角度・時間・位置移動等の制御およびロールの位置・回転速度等をユニットコントローラが行う。この制御の監視と動作指示をメインコントローラが行う。制御に必要なセンサは、ノズルへの洗浄液供給の圧力センサ、エンコーダ等の位置センサ、タイマ、および、ロールの位置センサ、摩擦力測定のロードセル、回転速度センサ等を用いることができる。また、ソフトウェアは初期のソフトウェアから更新することで後からインストール可能である。 The operation in each embodiment can also be performed using the following software / system. The software / system is composed of, for example, a main controller having a CPU, a memory, a recording medium, and software, a unit controller, and a unit for executing an operation. Taking the substrate cleaning device as a unit in the example of each embodiment, the unit controller controls the amount, angle, time, position movement, etc. of fluid (cleaning liquid) injection by a plurality of nozzles, and the position, rotation speed, etc. of the roll. .. The main controller monitors this control and gives operation instructions. As the sensor required for control, a pressure sensor for supplying the cleaning liquid to the nozzle, a position sensor such as an encoder, a timer, a roll position sensor, a load cell for measuring frictional force, a rotation speed sensor, and the like can be used. In addition, the software can be installed later by updating from the initial software.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。 The above-described embodiments have been described for the purpose of allowing a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to carry out the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the invention is not limited to the described embodiments and should be the broadest scope in accordance with the technical ideas defined by the claims.

31 基板保持部
32,32a,32b ノズル
33,33a,33b ロールスポンジ
331 ロール本体
332 ノジュール部
60 ノズル制御部
31 Board holding part 32, 32a, 32b Nozzle 33, 33a, 33b Roll sponge 331 Roll body 332 Nodule part 60 Nozzle control part

Claims (6)

基板を保持する基板保持部と、
保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部と、
保持された前記基板の一部に洗浄液を供給する1または複数のノズルと、
少なくとも1つの前記ノズルによる洗浄液の供給位置を調整するノズル制御部と、を備え、
前記洗浄部が前記基板に接触して前記基板の洗浄が行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給し、
前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが前記基板の少なくとも中心部分に洗浄液を供給し、
前記ノズル制御部は、
モータと、
前記モータによって回転される円板またはカムと、
一端が前記円板またはカムに接続され、他端が前記ノズルに固定されるシャフトと、を有し、
前記ノズル制御部は、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際に、前記洗浄液の供給位置を前記基板の中心部分から外周へと移動させる、基板洗浄装置。
The board holding part that holds the board and
A cleaning unit that contacts at least the central portion of the held substrate to clean the substrate, and a cleaning unit.
One or more nozzles that supply cleaning liquid to a part of the held substrate,
A nozzle control unit for adjusting the supply position of the cleaning liquid by at least one of the nozzles is provided.
When the cleaning unit comes into contact with the substrate to clean the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to a position on the substrate different from the cleaning unit.
When the substrate is rinsed without the cleaning portion coming into contact with the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to at least the central portion of the substrate.
The nozzle control unit
With the motor
With the disk or cam rotated by the motor,
It has a shaft, one end of which is connected to the disk or cam and the other end of which is fixed to the nozzle.
The nozzle control unit is a substrate cleaning device that moves the supply position of the cleaning liquid from the central portion of the substrate to the outer periphery when the substrate is rinsed without the cleaning unit coming into contact with the substrate.
前記ノズル制御部は、 The nozzle control unit
前記ノズルが嵌まる開口が設けられたガイドと、 A guide provided with an opening into which the nozzle fits, and
前記ノズルが貫通する開口が設けられた固定具と、を有する、請求項1に記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 1, further comprising a fixture provided with an opening through which the nozzle penetrates.
前記ノズル制御部は、 The nozzle control unit
ローラと、 With Laura,
前記ノズルが嵌まる開口が設けられたガイドと、を有し、 With a guide provided with an opening into which the nozzle fits,
前記シャフトは、前記ローラを介して前記カムと接続される、請求項1に記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 1, wherein the shaft is connected to the cam via the roller.
基板を保持する基板保持部と、
保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部と、
保持された前記基板の一部に洗浄液を供給する1または複数のノズルと、
少なくとも1つの前記ノズルによる洗浄液の供給位置を調整するノズル制御部と、を備え、
前記洗浄部が前記基板に接触して前記基板の洗浄が行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給し、
前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが前記基板の少なくとも中心部分に洗浄液を供給し、
前記1または複数のノズルの少なくとも1つの前記ノズルからの洗浄液照射角度を調整可能であり、
前記ノズル制御部は、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際に、前記洗浄液の供給位置を前記基板の中心部分から外周へと移動させる、基板洗浄装置。
The board holding part that holds the board and
A cleaning unit that contacts at least the central portion of the held substrate to clean the substrate, and a cleaning unit.
One or more nozzles that supply cleaning liquid to a part of the held substrate,
A nozzle control unit for adjusting the supply position of the cleaning liquid by at least one of the nozzles is provided.
When the cleaning unit comes into contact with the substrate to clean the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to a position on the substrate different from the cleaning unit.
When the substrate is rinsed without the cleaning portion coming into contact with the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to at least the central portion of the substrate.
The cleaning liquid irradiation angle from at least one of the one or a plurality of nozzles can be adjusted.
The nozzle control unit is a substrate cleaning device that moves the supply position of the cleaning liquid from the central portion of the substrate to the outer periphery when the substrate is rinsed without the cleaning unit coming into contact with the substrate.
基板を保持する基板保持部と、
保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部と、
保持された前記基板の一部に洗浄液を供給する1または複数のノズルと、
少なくとも1つの前記ノズルによる洗浄液の供給位置を調整するノズル制御部と、を備え、
前記洗浄部が前記基板に接触して前記基板の洗浄が行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給し、
前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが前記基板の少なくとも中心部分に洗浄液を供給し、
前記ノズル制御部は、
前記ノズルを保持する保持具と、
前記保持具が取り付けられ、回転軸を中心として回動可能であるロボットアームと、を有し、前記ロボットアームが回動することで前記保持具に保持された前記ノズルの方向が変化し、
前記ノズル制御部は、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際に、前記洗浄液の供給位置を前記基板の中心部分から外周へと移動させる、基板洗浄装置。
The board holding part that holds the board and
A cleaning unit that contacts at least the central portion of the held substrate to clean the substrate, and a cleaning unit.
One or more nozzles that supply cleaning liquid to a part of the held substrate,
A nozzle control unit for adjusting the supply position of the cleaning liquid by at least one of the nozzles is provided.
When the cleaning unit comes into contact with the substrate to clean the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to a position on the substrate different from the cleaning unit.
When the substrate is rinsed without the cleaning portion coming into contact with the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to at least the central portion of the substrate.
The nozzle control unit
A holder for holding the nozzle and
It has a robot arm to which the holder is attached and is rotatable about a rotation axis, and the rotation of the robot arm changes the direction of the nozzle held by the holder.
The nozzle control unit is a substrate cleaning device that moves the supply position of the cleaning liquid from the central portion of the substrate to the outer periphery when the substrate is rinsed without the cleaning unit coming into contact with the substrate.
基板を保持する基板保持部と、 The board holding part that holds the board and
保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部と、 A cleaning unit that contacts at least the central portion of the held substrate to clean the substrate, and a cleaning unit.
保持された前記基板の一部に洗浄液を供給する1または複数のノズルと、 One or more nozzles that supply cleaning liquid to a part of the held substrate,
少なくとも1つの前記ノズルによる洗浄液の供給位置を調整するノズル制御部と、を備え、 A nozzle control unit for adjusting the supply position of the cleaning liquid by at least one of the nozzles is provided.
前記洗浄部が前記基板に接触して前記基板の洗浄が行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給し、 When the cleaning unit comes into contact with the substrate to clean the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to a position on the substrate different from the cleaning unit.
前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが前記基板の少なくとも中心部分に洗浄液を供給し、 When the substrate is rinsed without the cleaning portion coming into contact with the substrate, at least one of the nozzles supplies the cleaning liquid to at least the central portion of the substrate.
前記ノズル制御部は、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際に、前記洗浄液の供給位置を、前記基板の外周から中心部分へと移動させることなく、前記基板の中心部分から外周へと移動させる、基板洗浄装置。 The nozzle control unit does not move the cleaning liquid supply position from the outer periphery of the substrate to the central portion when the substrate is rinsed without the cleaning portion coming into contact with the substrate. A board cleaning device that moves from the central part of the surface to the outer circumference.
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