JP7082272B2

JP7082272B2 - Light emitting device

Info

Publication number: JP7082272B2
Application number: JP2017186651A
Authority: JP
Inventors: 敦司山本; 武森川; 梨紗数藤
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2017-09-27
Filing date: 2017-09-27
Publication date: 2022-06-08
Anticipated expiration: 2037-09-27
Also published as: JP2019062116A

Description

本願は発光装置に関する。 The present application relates to a light emitting device.

液晶表示装置などの表示装置に用いられるバックライトとして、ＬＥＤ等の半導体発光素子が用いられる場合がある。に高精細、高画質、広色域の表示装置が求められており、バックライトもこれらの機能向上に対応することが求められている。 As a backlight used in a display device such as a liquid crystal display device, a semiconductor light emitting element such as an LED may be used. High-definition, high-quality, wide-color gamut display devices are required, and backlights are also required to support these functional improvements.

従来の表示装置用バックライトでは、青色の半導体発光素子と黄色の蛍光体とを組み合わせて白色を得ることが一般的であった。しかし、表示装置の色域を拡大するために、特許文献１に開示されるように、赤、緑、青を混色して白色を得たり、特許文献２に開示されるように、赤、緑、青色の色純度を高めるために半導体レーザーを用いたりすることが提案されている。 In the conventional backlight for display devices, it is common to obtain white by combining a blue semiconductor light emitting element and a yellow phosphor. However, in order to expand the color gamut of the display device, red, green, and blue are mixed to obtain white as disclosed in Patent Document 1, and red and green as disclosed in Patent Document 2. , It has been proposed to use a semiconductor laser to increase the color purity of blue.

特開平０６－１１００３３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 06-110033 特開２０１４－３２２８６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-32286

表示装置の大型化にともない、上述した広色域化に対応したバックライト等に用いられる大型の発光装置が求められている。本開示は、大面積化が可能であり、色域が拡大した表示装置に用いることができる発光装置を提供する。 As the size of the display device increases, there is a demand for a large-sized light emitting device used for a backlight or the like corresponding to the above-mentioned wide color gamut. The present disclosure provides a light emitting device that can be used for a display device having a large area and an expanded color gamut.

本開示の発光装置は、基体と、前記基体の上面に配置された複数の光源と、前記複数の光源に跨り、前記複数の光源の上面側に位置する少なくとも１つの波長変換層と、前記波長変換層の上面側に位置する少なくとも１つのコリメーター層と、前記コリメーター層の上面側に位置するマルチバンドパスフィルターとを備える。 The light emitting device of the present disclosure includes a substrate, a plurality of light sources arranged on the upper surface of the substrate, at least one wavelength conversion layer straddling the plurality of light sources and located on the upper surface side of the plurality of light sources, and the wavelength. It includes at least one collimator layer located on the upper surface side of the conversion layer and a multi-band pass filter located on the upper surface side of the collimator layer.

本開示の発光装置によれば、大面積化が可能であり、色域が拡大した表示装置に用いることができる発光装置を提供する。 According to the light emitting device of the present disclosure, there is provided a light emitting device that can be used for a display device having a large area and an enlarged color gamut.

図１は、第１の実施形態の発光装置における一部の断面を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a partial cross section of the light emitting device of the first embodiment. 図２は、図１に示す発光装置における光源近傍の構造を拡大して示す断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a structure in the vicinity of a light source in the light emitting device shown in FIG. 図３はマルチバンドパスフィルター５４の分光透過特性の一例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the spectral transmission characteristics of the multi-bandpass filter 54. 図４は、第２の実施形態の発光装置における一部の断面を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a partial cross section of the light emitting device of the second embodiment. 図５Ａは、第３の実施形態の発光装置における一部の断面を示す模式図である。FIG. 5A is a schematic view showing a partial cross section of the light emitting device of the third embodiment. 図５Ｂは、図５Ａに示す発光装置から透光積層体を取り除いた構造を示す平面図である。FIG. 5B is a plan view showing a structure in which the translucent laminate is removed from the light emitting device shown in FIG. 5A. 図６は、第１の実施形態の発光装置の他の形態における一部の断面を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a partial cross section of the light emitting device of the first embodiment in another embodiment.

以下、図面を参照しながら本開示の発光装置の実施形態を説明する。以下に説明する発光装置は、実施形態の一例であって、以下に説明する発光装置において種々の改変が可能である。以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。各構成要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。 Hereinafter, embodiments of the light emitting device of the present disclosure will be described with reference to the drawings. The light emitting device described below is an example of an embodiment, and various modifications can be made in the light emitting device described below. In the following description, members of the same or the same quality are shown with the same name and reference numeral, and detailed description thereof will be omitted as appropriate. Each component may be configured such that a plurality of elements are composed of the same member and the plurality of elements are shared by one member, or conversely, the function of one member is shared and realized by the plurality of members. You can also.

（第１の実施形態）
第１の実施の形態に係る発光装置について、図面を用いて説明する。図１は、本開示の発光装置の第１の実施形態の一例である発光装置１０１の一部の断面を示す模式図である。図２は、図１に示す発光装置における光源近傍の構造を拡大して示す断面図である。 (First Embodiment)
The light emitting device according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of a part of a light emitting device 101 which is an example of the first embodiment of the light emitting device of the present disclosure. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a structure in the vicinity of a light source in the light emitting device shown in FIG.

第１の実施形態に係る発光装置１０１は、基体１０と、基体１０の上面に配置された複数の光源２０と、複数の光源２０に跨り、複数の光源２０の上面側に位置する少なくとも１つの波長変換層５２と、波長変換層５２の上面側に位置する少なくとも１つのコリメーター層５３と、コリメーター層５３の上面側に位置するマルチバンドパスフィルター５４と、を備える。波長変換層５２、コリメーター層５３、マルチバンドパスフィルター５４を透光積層体５０と説明することがある。以下、各構成要素を詳細に説明する。 The light emitting device 101 according to the first embodiment straddles the substrate 10, the plurality of light sources 20 arranged on the upper surface of the substrate 10, and the plurality of light sources 20, and at least one located on the upper surface side of the plurality of light sources 20. It includes a wavelength conversion layer 52, at least one collimator layer 53 located on the upper surface side of the wavelength conversion layer 52, and a multi-band pass filter 54 located on the upper surface side of the collimator layer 53. The wavelength conversion layer 52, the collimator layer 53, and the multi-bandpass filter 54 may be described as a translucent laminated body 50. Hereinafter, each component will be described in detail.

（基体１０）
基体１０は、上面を有し、複数の光源２０を支持する。また、基体１０は、複数の光源２０に電力を供給する。基体１０は、例えば、基板１１と、導電層１２とを含む。さらに基体１０は、絶縁層１３を備えていてもよい。 (Hypokeimenon 10)
The substrate 10 has an upper surface and supports a plurality of light sources 20. Further, the substrate 10 supplies electric power to a plurality of light sources 20. The substrate 10 includes, for example, a substrate 11 and a conductive layer 12. Further, the substrate 10 may include an insulating layer 13.

基板１１は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂、セラミックス等によって構成される。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、基板１１として、絶縁性を有する樹脂を選択することが好ましい。あるいは、耐熱性及び耐光性に優れた発光装置を実現するため、セラミックスを基板１１の材料として選択してもよい。セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系（例えば、ＡｌＮ）、炭化物系（例えば、ＳｉＣ）等が挙げられる。なかでも、アルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスを用いることが好ましい。 The substrate 11 is made of, for example, a phenol resin, an epoxy resin, a polyimide resin, a BT resin, a resin such as polyphthalamide (PPA), a polyethylene terephthalate (PET), ceramics, or the like. Among them, it is preferable to select a resin having an insulating property as the substrate 11 from the viewpoint of low cost and ease of molding. Alternatively, ceramics may be selected as the material of the substrate 11 in order to realize a light emitting device having excellent heat resistance and light resistance. Examples of the ceramics include alumina, mullite, forsterite, glass ceramics, nitride-based (for example, AlN), carbide-based (for example, SiC) and the like. Among them, it is preferable to use ceramics made of alumina or containing alumina as a main component.

また、基板１１を構成する材料に樹脂を用いる場合、ガラス繊維、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。また、基板１１は、金属板に絶縁層が形成された複合板であってもよい。 When a resin is used as the material constituting the substrate 11, an inorganic filler such as glass fiber, SiO ₂ , TiO ₂ or Al ₂ O ₃ is mixed with the resin to improve the mechanical strength, reduce the coefficient of thermal expansion, and obtain light. It is also possible to improve the reflectance. Further, the substrate 11 may be a composite plate in which an insulating layer is formed on a metal plate.

導電層１２は、所定の配線パターンを有する。導電層１２は、光源２０の電極と電気的に接続され、外部からの電力を光源２０へ供給する。配線パターンは、光源２０の正極と接続される正極配線と光源２０の負極と接続される負極配線とを含む。導電層１２は、光源２０の載置面となる、基板１１の少なくとも上面に形成される。導電層１２の材料は、導電性材料の中から基板１１の材料、基板１１の製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基板１１の材料としてセラミックスを用いる場合、導電層１２の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料であることが好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。導電層１２は、前述の高融点金属からなる配線パターン上にメッキ、スパッタリング、蒸着などにより形成された、ニッケル、金、銀など他の金属材料の層をさらに備えていてもよい。 The conductive layer 12 has a predetermined wiring pattern. The conductive layer 12 is electrically connected to the electrode of the light source 20 and supplies electric power from the outside to the light source 20. The wiring pattern includes a positive electrode wiring connected to the positive electrode of the light source 20 and a negative electrode wiring connected to the negative electrode of the light source 20. The conductive layer 12 is formed on at least the upper surface of the substrate 11, which is the mounting surface of the light source 20. The material of the conductive layer 12 can be appropriately selected from the conductive materials depending on the material of the substrate 11, the method of manufacturing the substrate 11, and the like. For example, when ceramics are used as the material of the substrate 11, the material of the conductive layer 12 is preferably a material having a high melting point that can withstand the firing temperature of the ceramic sheet, and has a high melting point such as tungsten or molybdenum. It is preferable to use a metal. The conductive layer 12 may further include a layer of another metal material such as nickel, gold, or silver formed by plating, sputtering, vapor deposition, or the like on the wiring pattern made of the above-mentioned refractory metal.

基板１１の材料として樹脂を用いる場合、導電層１２の材料は、加工し易い材料であることが好ましい。また、基板１１の材料として射出成形された樹脂を用いる場合には、導電層１２の材料は、打ち抜き加工、エッチング加工、屈曲加工等の加工が容易であり、かつ、比較的大きい機械的強度を有する材料であることが好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、または、鉄－ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等の金属層やリードフレーム等によって導電層１２が形成されていることが好ましい。また、導電層１２は、これらの金属による配線パターンの表面上に他の金属材料の層をさらに備えていてもよい。他の金属材料の層として、例えば、銀のみ、あるいは、銀と、銅、金、アルミニウム、ロジウム等との合金からなる層、または、これら、銀や各合金を用いた多層を用いることができる。他の金属材料による層は、メッキ、スパッタリング、蒸着などにより形成することができる。 When a resin is used as the material of the substrate 11, the material of the conductive layer 12 is preferably a material that is easy to process. Further, when an injection-molded resin is used as the material of the substrate 11, the material of the conductive layer 12 can be easily punched, etched, bent, etc., and has a relatively large mechanical strength. It is preferable that the material has. Specifically, the conductive layer 12 is made of a metal such as copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron, nickel, a metal layer such as an iron-nickel alloy, phosphor bronze, iron-containing copper, molybdenum, or a lead frame. It is preferably formed. Further, the conductive layer 12 may further include a layer of another metal material on the surface of the wiring pattern made of these metals. As the layer of the other metal material, for example, silver alone, a layer composed of silver and an alloy of copper, gold, aluminum, rhodium, etc., or a multilayer using these silver or each alloy can be used. .. Layers made of other metallic materials can be formed by plating, sputtering, vapor deposition or the like.

（絶縁層１３）
基体１０は、絶縁層１３を備えていてもよい。絶縁層１３は、基体１０において、導電層１２のうち、光源２０等が接続される部分を覆って基板１１上に設けられている。つまり、絶縁層１３は電気絶縁性を有し、導電層１２の少なくとも一部を覆う。好ましくは、絶縁層１３は光反射性を有している。絶縁層１３が光反射性を有することによって、光源２０から基体１０側へ出射する光を反射し、光の取り出し効率を向上させることができる。また、絶縁層１３が光反射性を有することによって、光源から出射して透光積層体５０に当たる光のうち、反射した光も反射し、光の取り出し効率を向上させることができる。これらの基体で反射した光も透光積層体５０を透過することで、より輝度ムラを抑制することができる。 (Insulation layer 13)
The substrate 10 may include an insulating layer 13. The insulating layer 13 is provided on the substrate 11 in the substrate 10 so as to cover the portion of the conductive layer 12 to which the light source 20 and the like are connected. That is, the insulating layer 13 has electrical insulating properties and covers at least a part of the conductive layer 12. Preferably, the insulating layer 13 has light reflectivity. Since the insulating layer 13 has light reflectivity, it is possible to reflect the light emitted from the light source 20 to the substrate 10 side and improve the light extraction efficiency. Further, since the insulating layer 13 has light reflectivity, the reflected light among the light emitted from the light source and hitting the translucent laminated body 50 is also reflected, and the light extraction efficiency can be improved. The light reflected by these substrates also passes through the translucent laminated body 50, so that uneven brightness can be further suppressed.

絶縁層１３の材料は、光源２０から出射する光の吸収が少なく、絶縁性を有する材料であれば、特に制限はない。絶縁層１３の材料として、例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート、ポリイミド等の樹脂材料を用いることができる。絶縁層１３に光反射性を付与する場合には、絶縁層１３は、上述した樹脂材料に、光反射性物質を含有してもよい。光反射性物質として、後述するアンダーフィル材料に添加する白色系のフィラーを含有させることができる。白色系のフィラーは以下において詳述する。 The material of the insulating layer 13 is not particularly limited as long as it absorbs less light emitted from the light source 20 and has an insulating property. As the material of the insulating layer 13, for example, resin materials such as epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, and polyimide can be used. When imparting light reflectivity to the insulating layer 13, the insulating layer 13 may contain a light-reflecting substance in the resin material described above. As the light-reflecting substance, a white-based filler added to the underfill material described later can be contained. The white filler will be described in detail below.

（光源２０）
本開示において、「光源」とは光を発する部分のことをいう。発光素子、発光素子を内蔵するパッケージ品、例えばＳＭＤの発光装置、パッケージ型ＬＥＤと呼ばれる素子等が挙げられ、形状や構造に特に制限はない。 (Light source 20)
In the present disclosure, the "light source" means a portion that emits light. Examples thereof include a light emitting element, a packaged product containing a light emitting element, for example, an SMD light emitting device, an element called a package type LED, and the like, and the shape and structure are not particularly limited.

本実施形態では、光源２０は、発光素子２１および被覆部材２２を含み、発光素子２１は被覆部材２２により被覆されている。複数の光源２０は、基体１０上において１次元または２次元に配置されている。 In the present embodiment, the light source 20 includes a light emitting element 21 and a covering member 22, and the light emitting element 21 is covered with the covering member 22. The plurality of light sources 20 are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on the substrate 10.

発光素子２１は、本実施形態では、発光ダイオードである。発光素子２１は、第１の波長帯域の光を出射する。第１の波長帯域は任意に選択できる。例えば、第１の波長帯域は青色波長帯域または緑色波長帯域である。青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＺｎＳｅおよびＧａＰ等の半導体を用いた発光素子を用いることができる。また、第１の波長帯域は赤色波長帯域であってもよい。赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等の半導体を用いた発光素子を用いることができる。また、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。発光素子２１は、同一面側に正極および負極を有していてもよいし、異なる面に正極および負極を有していてもよい。 The light emitting element 21 is a light emitting diode in this embodiment. The light emitting element 21 emits light in the first wavelength band. The first wavelength band can be arbitrarily selected. For example, the first wavelength band is a blue wavelength band or a green wavelength band. As the blue and green light emitting elements, light emitting devices using semiconductors such as nitride semiconductors (In _x Aly Ga _1-x-y _N , 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), ZnSe and GaP are used. Can be used. Further, the first wavelength band may be a red wavelength band. As the red light emitting element, a light emitting element using a semiconductor such as GaAlAs or AlInGaP can be used. Further, a semiconductor light emitting device made of a material other than this can also be used. The composition, emission color, size, number, etc. of the light emitting element to be used can be appropriately selected according to the purpose. The light emitting element 21 may have a positive electrode and a negative electrode on the same surface side, or may have a positive electrode and a negative electrode on different surfaces.

一般に波長変換によって得られる光は、吸収する光よりも長い波長を有するため、第１の波長帯域が青色以外の波長帯域である場合には、光源２０は、青色発光素子を別途備えていることが好ましい。 Generally, the light obtained by wavelength conversion has a longer wavelength than the light to be absorbed. Therefore, when the first wavelength band is a wavelength band other than blue, the light source 20 separately includes a blue light emitting element. Is preferable.

発光素子２１は、例えば、成長用基板と、成長用基板の上に積層された半導体層を有する。半導体層はｎ型半導体層とｐ型半導体層とこれらに挟まれた活性層を含む。ｎ型半導体層およびｐ型半導体層にそれぞれｎ側電極およびｐ側電極が電気的に接続されている。成長用基板には、例えば、透光性のサファイア基板等を用いることができる。 The light emitting device 21 has, for example, a growth substrate and a semiconductor layer laminated on the growth substrate. The semiconductor layer includes an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer sandwiched between them. The n-side electrode and the p-side electrode are electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively. As the growth substrate, for example, a translucent sapphire substrate or the like can be used.

発光素子２１のｎ側電極およびｐ側電極は、接続部材２３を介して基体１０にフリップチップ実装されている。発光素子２１は、主として、発光素子２１のｎ側電極およびｐ側電極が形成された面と反対側の面、すなわち透光性のサファイア基板の主面である上面２１ａから光を出射する。発光素子２１のｎ側電極およびｐ側電極は接続部材２３によって基体１０の導電層１２に含まれる正極配線および負極配線と接続されている。 The n-side electrode and the p-side electrode of the light emitting element 21 are flip-chip mounted on the substrate 10 via the connecting member 23. The light emitting element 21 mainly emits light from the surface of the light emitting element 21 opposite to the surface on which the n-side electrode and the p-side electrode are formed, that is, the upper surface 21a which is the main surface of the translucent sapphire substrate. The n-side electrode and the p-side electrode of the light emitting element 21 are connected to the positive electrode wiring and the negative electrode wiring included in the conductive layer 12 of the substrate 10 by the connecting member 23.

（接続部材２３）
接続部材２３は導電性の材料によって形成され、光源２０と基体１０の導電層１２とを電気的接続する。具体的には接続部材２３の材料は、Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ－Ｐｄ含有合金、Ａｕ－Ｇａ含有合金、Ａｕ－Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ｓｎ－Ｃｕ含有合金、Ｓｎ－Ｃｕ－Ａｇ含有合金、Ａｕ－Ｇｅ含有合金、Ａｕ－Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ－Ｉｎ含有合金、金属とフラックスの混合物等である。 (Connecting member 23)
The connecting member 23 is formed of a conductive material and electrically connects the light source 20 and the conductive layer 12 of the substrate 10. Specifically, the material of the connecting member 23 is Au-containing alloy, Ag-containing alloy, Pd-containing alloy, In-containing alloy, Pb-Pd-containing alloy, Au-Ga-containing alloy, Au-Sn-containing alloy, Sn-containing alloy, Sn. -Cu-containing alloy, Sn-Cu-Ag-containing alloy, Au-Ge-containing alloy, Au-Si-containing alloy, Al-containing alloy, Cu-In-containing alloy, a mixture of metal and flux, and the like.

接続部材２３としては、液状、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤー状）のものを用いることができ、組成や支持体の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接続部材２３は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。 As the connecting member 23, liquid, paste, or solid (sheet, block, powder, wire) can be used, and can be appropriately selected depending on the composition, the shape of the support, and the like. can. Further, these connecting members 23 may be formed of a single member, or may be used in combination of several kinds.

（アンダーフィル部材２４）
発光素子２１と基体１０との間にアンダーフィル部材２４が配置されていることが好ましい。アンダーフィル部材２４は、発光素子２１からの光を効率よく反射できるようにすること、熱膨張率を発光素子２１に近づけること等を目的として、アンダーフィル部材２４はフィラーを含有している。アンダーフィル部材２４は、発光素子２１の側面も覆っていてもよいし、側面は覆っていなくてもよい。 (Underfill member 24)
It is preferable that the underfill member 24 is arranged between the light emitting element 21 and the substrate 10. The underfill member 24 contains a filler for the purpose of efficiently reflecting the light from the light emitting element 21 and bringing the coefficient of thermal expansion closer to that of the light emitting element 21. The underfill member 24 may or may not cover the side surface of the light emitting element 21.

アンダーフィル部材２４は、母材として発光素子からの光の吸収が少ない材料を含む。アンダーフィル部材２４の母材として、例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート、ポリイミド等を用いることができる。 The underfill member 24 includes a material that absorbs less light from the light emitting element as a base material. As the base material of the underfill member 24, for example, epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, polyimide and the like can be used.

アンダーフィル部材２４のフィラーとして、白色系のフィラーを用いることによって、発光素子２１からの光がアンダーフィル部材２４でより反射され易くなり、発光装置における光の取り出し効率の向上を図ることができる。フィラーとしては、無機化合物を用いることが好ましい。フィラーは、不透明で白色を呈していてもよいし、透明であり、フィラーの周りの材料との屈折率差による散乱によって白色を呈していてもよい。 By using a white filler as the filler of the underfill member 24, the light from the light emitting element 21 is more easily reflected by the underfill member 24, and the light extraction efficiency in the light emitting device can be improved. It is preferable to use an inorganic compound as the filler. The filler may be opaque and white, or may be transparent and may be white due to scattering due to the difference in refractive index from the material around the filler.

フィラーの反射率は、発光素子２１の発光波長の光に対して７０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。これにより、発光装置１０１の光の取り出し効率を向上させることができる。また、フィラーの粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましい。フィラーの粒径をこの範囲にすることで、アンダーフィル材料としての樹脂流動性が良くなり、狭い隙間でも良好にアンダーフィル部材２４となる材料を充填することができる。なお、フィラーの粒径は、好ましくは、１００ｎｍ以上５μｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以上２μｍ以下である。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。 The reflectance of the filler is preferably 70% or more, more preferably 90% or more, with respect to the light having the emission wavelength of the light emitting element 21. This makes it possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device 101. The particle size of the filler is preferably 1 nm or more and 10 μm or less. By setting the particle size of the filler in this range, the resin fluidity as the underfill material is improved, and the material that becomes the underfill member 24 can be satisfactorily filled even in a narrow gap. The particle size of the filler is preferably 100 nm or more and 5 μm or less, and more preferably 200 nm or more and 2 μm or less. Further, the shape of the filler may be spherical or scaly.

フィラー材料としては、具体的には、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ａｌ（ＯＨ）_３、ＭｇＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）_２、ＳｒＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴａＯ_２、ＨｆＯ、ＳｅＯ、Ｙ_２Ｏ_３などの酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮなどの窒化物、ＭｇＦ_２のようなフッ化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。 Specific examples of the filler material include SiO ₂ , Al ₂ O ₃ , Al (OH) ₃ , MgCO ₃ , TIO ₂ , ZrO ₂ , ZnO, Nb ₂ O ₅ , MgO, Mg (OH) ₂ , SrO, and so on. Examples thereof include oxides such as In ₂ O ₃ , TaO ₂ , HfO, SeO and Y ₂ O ₃ , nitrides such as SiN, AlN and AlON, and fluorides such as MgF ₂ . These may be used alone or in combination.

（被覆部材２２）
被覆部材２２は、発光素子２１を外部環境から保護するとともに、発光素子２１から出射される光の配光特性を光学的に制御する。つまり、主として被覆部材２２の外面における光の屈折によって光の出射方向を調節する。被覆部材２２は、発光素子２１を覆って基体１０上に配置される。 (Coating member 22)
The covering member 22 protects the light emitting element 21 from the external environment and optically controls the light distribution characteristics of the light emitted from the light emitting element 21. That is, the light emission direction is adjusted mainly by refraction of light on the outer surface of the covering member 22. The covering member 22 is arranged on the substrate 10 so as to cover the light emitting element 21.

被覆部材２２の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂などの透光性樹脂や、ガラスなどを用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさの観点では、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。 As the material of the covering member 22, a translucent resin such as an epoxy resin, a silicone resin, or a resin in which they are mixed, glass, or the like can be used. Of these, it is preferable to select a silicone resin from the viewpoint of light resistance and ease of molding.

被覆部材２２は、波長変換材料および光源２０からの光を拡散させるための拡散剤を含んでいてもよい。また、被覆部材２２は、発光素子の発光色に対応した着色剤を含んでいてもよい。これら波長変換材料、拡散材料、着色剤等は、被覆部材２２の外形によって、配光が制御できる程度の量で被覆部材２２に含まれていることが好ましい。 The covering member 22 may contain a wavelength conversion material and a diffusing agent for diffusing the light from the light source 20. Further, the covering member 22 may contain a colorant corresponding to the emission color of the light emitting element. It is preferable that the wavelength conversion material, the diffusion material, the colorant and the like are contained in the covering member 22 in an amount that can control the light distribution depending on the outer shape of the covering member 22.

（透光積層体５０）
透光積層体５０は、複数の光源２０に跨り、複数の光源２０の上面側に位置している。発光装置１０１が表示装置のバックライトとして用いられる場合には、透光積層体５０は、表示装置の表示パネルと同程度の面積を有している。複数の光源２０から出射する光は透光積層体５０を透過し、発光装置１０１の外部へ出射される。透光積層体５０は、少なくとも１つの波長変換層５２と、少なくとも１つのコリメーター層５３と、マルチバンドパスフィルター５４とを含み、少なくとも１つの波長変換層５２、少なくとも１つのコリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４は、接着剤などを介さずに積層されている。あるいは、少なくとも１つの波長変換層５２、少なくとも１つのコリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４は、接着剤を介して積層され、透光積層体５０を構成していてもよい。透光積層体５０において、コリメーター層５３は、波長変換層５２の上面側に、マルチバンドパスフィルター５４は、コリメーター層５３の上面側に位置している。 (Translucent laminated body 50)
The translucent laminated body 50 straddles a plurality of light sources 20 and is located on the upper surface side of the plurality of light sources 20. When the light emitting device 101 is used as a backlight of the display device, the translucent laminated body 50 has an area comparable to that of the display panel of the display device. The light emitted from the plurality of light sources 20 passes through the translucent laminated body 50 and is emitted to the outside of the light emitting device 101. The translucent laminate 50 includes at least one wavelength conversion layer 52, at least one collimator layer 53, and a multi-bandpass filter 54, including at least one wavelength conversion layer 52, at least one collimator layer 53, and The multi-bandpass filter 54 is laminated without using an adhesive or the like. Alternatively, at least one wavelength conversion layer 52, at least one collimator layer 53, and the multi-bandpass filter 54 may be laminated via an adhesive to form a translucent laminated body 50. In the translucent laminated body 50, the collimator layer 53 is located on the upper surface side of the wavelength conversion layer 52, and the multi-bandpass filter 54 is located on the upper surface side of the collimator layer 53.

透光積層体５０は、波長変換層５２、コリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４以外に、拡散層、反射層などの他の層を含んでいてもよい。例えば、図６に示すように、透光積層体５０は、マルチバンドパスフィルター５４の上面５４ａ上に反射型偏光シート５５を含んでいてもよい。５５は、輝度上昇フィルムとも呼ばれる。反射型偏光シート５５は、光源２０から出射する光のうち、例えば、Ｐ波を透過し、Ｓ波を光源２０側へ反射する。反射型偏光シート５５で反射したＳ波は、波長変換層５２、コリメーター層５３および基体１０の上面で反射し、Ｐ波に変換される。変換されたＰ波は、反射型偏光シート５５を透過し、外部へ出射する。このようにして、発光装置１０１’から出射する光におけるＰ波の成分の割合を高めることができる。 The translucent laminated body 50 may include other layers such as a diffusion layer and a reflection layer in addition to the wavelength conversion layer 52, the collimator layer 53, and the multi-bandpass filter 54. For example, as shown in FIG. 6, the translucent laminated body 50 may include a reflective polarizing sheet 55 on the upper surface 54a of the multi-bandpass filter 54. 55 is also called a luminance increasing film. Of the light emitted from the light source 20, the reflective polarizing sheet 55 transmits, for example, a P wave and reflects the S wave toward the light source 20. The S wave reflected by the reflective polarizing sheet 55 is reflected on the upper surfaces of the wavelength conversion layer 52, the collimator layer 53, and the substrate 10, and is converted into a P wave. The converted P wave passes through the reflective polarizing sheet 55 and is emitted to the outside. In this way, the proportion of the P wave component in the light emitted from the light emitting device 101'can be increased.

反射型偏光シート５５を備えた発光装置１０１’が液晶表示装置のバックライトに用いられる場合、Ｐ波が液晶表示装置を透過するように、液晶表示装置の偏光板に対して発光装置１０１を配置する。この配置によって、発光装置１０１’から出射する光が液晶表示装置の偏光板に吸収される割合を低下させ、光の利用効率を高めることができ、より高い輝度で液晶表示装置を表示されることができる。また、反射型偏光シート５５を用いない場合と同じ輝度で液晶表示装置を表示させる場合には、光の利用効率が高められているため、光源２０の発光強度を低下させ、発光装置１０１’の消費電力を低減させることができる。 When the light emitting device 101'with the reflective polarizing sheet 55 is used for the backlight of the liquid crystal display device, the light emitting device 101 is arranged with respect to the polarizing plate of the liquid crystal display device so that the P wave passes through the liquid crystal display device. do. With this arrangement, the ratio of the light emitted from the light emitting device 101'is absorbed by the polarizing plate of the liquid crystal display device can be reduced, the utilization efficiency of the light can be improved, and the liquid crystal display device can be displayed with higher brightness. Can be done. Further, when the liquid crystal display device is displayed with the same brightness as when the reflective polarizing sheet 55 is not used, the light utilization efficiency is improved, so that the light emission intensity of the light source 20 is lowered, and the light emitting device 101' Power consumption can be reduced.

光源２０から出射する光は、波長変換層５２、コリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４を透過することが好ましいので、波長変換層５２、コリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４は、平面視において、略同一の大きさを有している。例えば、略同一とは、波長変換層５２、コリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４のいずれかの構成要素の平面視における大きさを１とした場合、他の構成要素の平面視における大きさが０．９～１．１倍であることをいう。 Since the light emitted from the light source 20 preferably passes through the wavelength conversion layer 52, the collimator layer 53, and the multi-bandpass filter 54, the wavelength conversion layer 52, the collimator layer 53, and the multi-bandpass filter 54 are viewed in a plan view. Have substantially the same size. For example, substantially the same means that when the size of any of the components of the wavelength conversion layer 52, the collimator layer 53, and the multi-bandpass filter 54 in the plan view is 1, the size of the other components in the plan view. Is 0.9 to 1.1 times.

（波長変換層５２）
波長変換層５２は、光源２０からの光が透過する際、光源２０からの光の少なくとも一部を異なる波長帯域の光に変換する。具体的には、波長変換層５２は、光源２０の第１の波長帯域の光の一部を、第１の波長帯域とは異なる第２および第３の波長帯域の光に変換する。第３の波長帯域は、第１および第２の波長帯域と異なっている。このために、波長変換層５２は、波長変換物質を含む。例えば、第１の波長変換物質と第２の波長変換物質とを含む。第１の波長変換物質は、第１の波長帯域の光を第２の波長帯域の光に変換し、第２の波長変換物質は、第１の波長帯域の光を第３の波長帯域の光に変換する。第２の波長変換物質は、さらに第１の波長変換物質から出射した第２の波長帯域の光を第３の波長帯域の光に変換してもよい。第１の波長帯域の光のピーク波長は、第２の波長帯域の光のピーク波長よりも短く、第２の波長帯域の光のピーク波長は、第３の波長帯域の光のピーク波長よりも短い。 (Wavelength conversion layer 52)
When the light from the light source 20 is transmitted, the wavelength conversion layer 52 converts at least a part of the light from the light source 20 into light having a different wavelength band. Specifically, the wavelength conversion layer 52 converts a part of the light in the first wavelength band of the light source 20 into the light in the second and third wavelength bands different from the first wavelength band. The third wavelength band is different from the first and second wavelength bands. For this purpose, the wavelength conversion layer 52 contains a wavelength conversion substance. For example, it includes a first wavelength conversion substance and a second wavelength conversion substance. The first wavelength conversion material converts the light in the first wavelength band into the light in the second wavelength band, and the second wavelength conversion material converts the light in the first wavelength band into the light in the third wavelength band. Convert to. The second wavelength conversion material may further convert the light in the second wavelength band emitted from the first wavelength conversion material into the light in the third wavelength band. The peak wavelength of light in the first wavelength band is shorter than the peak wavelength of light in the second wavelength band, and the peak wavelength of light in the second wavelength band is larger than the peak wavelength of light in the third wavelength band. short.

波長変換物質は、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）系蛍光体、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、βサイアロン系蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎで表されるＫＳＦ系蛍光体、硫化物系蛍光体などを含む。これらの蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。 The wavelength converter was activated with, for example, a cerium-activated yttrium-aluminum-garnet (YAG) -based phosphor, a cerium-activated lutetium-aluminum-garnet (LAG) -based phosphor, europium and / or chromium. Nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CaO-Al ₂ O ₃ -SiO ₂ ) -based phosphor, europium-activated silicate ((Sr, Ba) ₂ SiO ₄ ) -based phosphor, β-sialone-based phosphor, CASN-based or SCASSN It contains a nitride-based phosphor such as a system-based phosphor, a KSF _- based phosphor represented by K2 SiF ₆ : Mn, a sulfide-based phosphor, and the like. Fluorescent materials other than these fluorescent materials and having the same performance, action, and effect can also be used.

また、波長変換層５２は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質を含んでいてもよい。この発光物質の材料としては、半導体材料を用いることができ、例えばＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族、ＩＶ－ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_ｘＳｅ_１－ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。 Further, the wavelength conversion layer 52 may contain, for example, a so-called nanocrystal or a light emitting substance called a quantum dot. As the material of this luminescent material, a semiconductor material can be used, for example, II-VI group, III-V group, IV-VI group semiconductors, specifically, CdSe, core-shell type CdS _x Se _1-x /. Examples thereof include nano-sized highly dispersed particles such as ZnS, GaP, and InP.

波長変換層５２は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂をさらに含み、上述した波長変換物質は、透光性樹脂に分散している。平面視において波長変換層５２の端部、つまり、矩形形状の周縁部では、光源２０からの光が不足する場合がある。この場合には、波長変換層５２の平面視における端部の波長変換物質の濃度が、中央部よりも高くなるように波長変換物質を分散させることが好ましい。 The wavelength conversion layer 52 further contains a translucent resin such as an epoxy resin or a silicone resin, and the wavelength conversion substance described above is dispersed in the translucent resin. In plan view, the light from the light source 20 may be insufficient at the end portion of the wavelength conversion layer 52, that is, the peripheral portion having a rectangular shape. In this case, it is preferable to disperse the wavelength conversion substance so that the concentration of the wavelength conversion substance at the end portion of the wavelength conversion layer 52 in the plan view is higher than that at the center portion.

上述したように、第１の波長帯域が青色の帯域である場合、波長変換層５２は、第２および第３の波長帯域の光として緑色および赤色の帯域の光を出射してもよい。具体的には、波長変換層５２は、波長変換物質として青色の光を吸収し、緑色および赤色の光に変換する緑色蛍光体および赤色蛍光体を含んでいてもよい。 As described above, when the first wavelength band is the blue band, the wavelength conversion layer 52 may emit light in the green and red bands as light in the second and third wavelength bands. Specifically, the wavelength conversion layer 52 may include a green phosphor and a red phosphor that absorb blue light and convert it into green and red light as a wavelength conversion substance.

また、透光積層体５０は、第１の波長帯域の光を吸収し、第２の波長帯域の光に変換する波長変換層５２と、第１の波長帯域の光を吸収し、第３の波長帯域の光に変換する波長変換層５２’とを含んでいてもよい。この場合、波長変換層５２および波長変換層５２’は、透光積層体５０内において重ねて配置される。 Further, the translucent laminated body 50 absorbs the light of the first wavelength band and converts it into the light of the second wavelength band, and the third wavelength conversion layer 52 and the light of the first wavelength band. It may include a wavelength conversion layer 52'that converts light into wavelength band light. In this case, the wavelength conversion layer 52 and the wavelength conversion layer 52'are arranged so as to be overlapped with each other in the translucent laminated body 50.

波長変換層５２は、第１の波長帯域の光の一部を、第１、第２および第３の波長帯域とは異なる第４の波長帯域の光にさらに変換してもよい。例えば、第４の波長帯域は、黄色またはシアン色の帯域である。波長変換層５２が第１の波長帯域の光の一部を、第１、第２、第３および第４の波長帯域の光に変換する場合、発光装置１０１は、赤、青、緑、黄の４原色、または、赤、青、緑、シアンの４原色のサブピクセルを備えた液晶表示装置のバックライトとして好適に用いることができる。 The wavelength conversion layer 52 may further convert a part of the light in the first wavelength band into the light in the fourth wavelength band different from the first, second and third wavelength bands. For example, the fourth wavelength band is a yellow or cyan band. When the wavelength conversion layer 52 converts a part of the light in the first wavelength band into the light in the first, second, third and fourth wavelength bands, the light emitting device 101 sets the red, blue, green and yellow. It can be suitably used as a backlight of a liquid crystal display device having subpixels of the four primary colors of, or the four primary colors of red, blue, green, and cyan.

（コリメーター層５３）
コリメーター層５３は、上面５３ａおよび下面５３ｂを有し、下面５３ｂから入射する光の出射方向を変換し、下面５３ｂに入射する光よりも、上面５３ａから出射する光の垂直成分を増大させる。コリメーター層５３は、例えば、透光性のプリズムシート、レンチキュラーレンズシート、マイクロレンズアレイシートからなる群から選ばれる少なくとも１つである。コリメーター層５３には、バックライト、照明用等の光学部品として市販されているこれらのシートを好適に使用することができる。 (Collimator layer 53)
The collimator layer 53 has an upper surface 53a and a lower surface 53b, changes the emission direction of the light incident from the lower surface 53b, and increases the vertical component of the light emitted from the upper surface 53a more than the light incident on the lower surface 53b. The collimator layer 53 is, for example, at least one selected from the group consisting of a translucent prism sheet, a lenticular lens sheet, and a microlens array sheet. For the collimator layer 53, these sheets commercially available as optical components for backlights, lighting, etc. can be preferably used.

透光積層体５０は、２以上のコリメーター層５３を有していてもよい。複数のコリメーター層５３を用いることによって、コリメーター層５３から出射し、マルチバンドパスフィルター５４に入射する光における垂直成分をより増大させることが可能である。この場合、形状の異なる複数のコリメーター層５３を用いてもよいし、例えば、同じ形状の２つのプリズムシートを、プリズムの伸びる方向が交差するように配置してもよい。 The translucent laminated body 50 may have two or more collimator layers 53. By using the plurality of collimator layers 53, it is possible to further increase the vertical component in the light emitted from the collimator layer 53 and incident on the multi-bandpass filter 54. In this case, a plurality of collimator layers 53 having different shapes may be used, or for example, two prism sheets having the same shape may be arranged so that the extending directions of the prisms intersect.

（マルチバンドパスフィルター５４）
マルチバンドパスフィルター５４は、複数の透過帯域を有し、透過帯域の波長の光を選択的に透過させる。マルチバンドパスフィルター５４において、透過帯域の波長の光の透過率が高く、透過帯域以外の波長の光の透過率は低い。例えば、透過帯域における透過率は、９０％以上であり、透過帯域以外の波長における透過率は５％以下である。マルチバンドパスフィルター５４は、透過帯域以外の波長の光を実質的に反射させる。マルチバンドパスフィルター５４の透過帯域は、マルチバンドパスフィルター５４に対して垂直に入射する光に対して設定される。 (Multi-bandpass filter 54)
The multi-bandpass filter 54 has a plurality of transmission bands and selectively transmits light having a wavelength in the transmission band. In the multi-bandpass filter 54, the transmittance of light having a wavelength in the transmission band is high, and the transmittance of light having a wavelength other than the transmission band is low. For example, the transmittance in the transmission band is 90% or more, and the transmittance in wavelengths other than the transmission band is 5% or less. The multi-bandpass filter 54 substantially reflects light having a wavelength other than the transmission band. The transmission band of the multi-band pass filter 54 is set for light incident perpendicular to the multi-band pass filter 54.

図３はマルチバンドパスフィルター５４の分光透過特性の一例を示す模式図である。図３には、光源２０から出射する光および波長変換層５２から出射する光の発光特性も併せて示している。マルチバンドパスフィルター５４は、好ましくは、第１、第２および第３の波長帯域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の光のピーク波長Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ含む第１、第２および第３の通過帯域Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を有する。第１、第２および第３の波長帯域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の光が、青、緑および赤色の帯域である場合、第１、第２および第３の通過帯域Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３は、青、緑および赤色の帯域である。また、上述したように、波長変換層５２が第１の波長帯域の光の一部を第４の波長帯域の光にさらに変換する場合には、マルチバンドパスフィルター５４は、第４の波長帯域の光のピーク波長を含む第４の通過帯域を有する。第４の通過帯域は、黄色またはシアン色の帯域である。 FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the spectral transmission characteristics of the multi-bandpass filter 54. FIG. 3 also shows the emission characteristics of the light emitted from the light source 20 and the light emitted from the wavelength conversion layer 52. The multi-bandpass filter 54 preferably has first, second and third pass bands including the peak wavelengths P1, P2 and P3 of the light of the first, second and third wavelength bands E1, E2 and E3, respectively. It has T1, T2, and T3. When the light in the first, second and third wavelength bands E1, E2 and E3 is in the blue, green and red bands, the first, second and third passbands T1, T2 and T3 are blue. , Green and red bands. Further, as described above, when the wavelength conversion layer 52 further converts a part of the light in the first wavelength band into the light in the fourth wavelength band, the multiband pass filter 54 uses the fourth wavelength band. It has a fourth passband containing the peak wavelength of the light of. The fourth passband is a yellow or cyan band.

マルチバンドパスフィルター５４は誘電体多層膜を含むことが好ましい。例えば、マルチバンドパスフィルター５４は、透光性の基材と、基材上に支持されており、屈折率の異なる誘電体膜が積層された誘電体多層膜とを含む。誘電体膜の具体的な材料としては、金属酸化膜、金属窒化膜、金属フッ化膜や有機材料など、光源２０から放射される波長域において光吸収が少ない材料であることが好ましい。 The multi-bandpass filter 54 preferably includes a dielectric multilayer film. For example, the multi-bandpass filter 54 includes a translucent base material and a dielectric multilayer film supported on the base material and laminated with dielectric films having different refractive indexes. As a specific material of the dielectric film, it is preferable that the material has little light absorption in the wavelength range radiated from the light source 20, such as a metal oxide film, a metal nitride film, a metal fluoride film, and an organic material.

誘電体多層膜を用いることで、マルチバンドパスフィルター５４は透過波長帯域以外の波長において、光の吸収を少なくし、反射させることができる。また、誘電体膜の設計により透過帯域の波長および透過帯域幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を任意に調整することができる。したがって、光源２０あるいは発光装置１０１が用いられる表示装置のカラーフィルタ等に応じてマルチバンドパスフィルター５４の光学特性を調整することが可能である。 By using the dielectric multilayer film, the multi-bandpass filter 54 can reduce the absorption of light and reflect it at wavelengths other than the transmission wavelength band. Further, the wavelength of the transmission band and the transmission bandwidths W1, W2, and W3 can be arbitrarily adjusted by designing the dielectric film. Therefore, it is possible to adjust the optical characteristics of the multi-bandpass filter 54 according to the color filter or the like of the display device in which the light source 20 or the light emitting device 101 is used.

（光拡散板５１）
透光積層体５０は、さらに、光拡散板５１を有していてもよい。この場合、光拡散板５１は波長変換層５２と基体１０との間に配置される。光拡散板５１は、入射する光を拡散させて透過する。光拡散板５１は、たとえば、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料によって構成されている。光を拡散させる構造は、光拡散板５１の表面に凹凸を設けたり、光拡散板５１中に屈折率の異なる材料を分散させたりすることによって、光拡散板５１に設けられている。光拡散板は、光拡散シート、ディフューザーフィルム等の名称で市販されているものを利用してもよい。 (Light diffuser plate 51)
The translucent laminated body 50 may further have a light diffusing plate 51. In this case, the light diffusing plate 51 is arranged between the wavelength conversion layer 52 and the substrate 10. The light diffusing plate 51 diffuses and transmits the incident light. The light diffusing plate 51 is made of a material having little light absorption with respect to visible light, such as a polycarbonate resin, a polystyrene resin, an acrylic resin, and a polyethylene resin. The structure for diffusing light is provided in the light diffusing plate 51 by providing irregularities on the surface of the light diffusing plate 51 or by dispersing materials having different refractive indexes in the light diffusing plate 51. As the light diffusing plate, a commercially available one under the name of a light diffusing sheet, a diffuser film, or the like may be used.

（発光装置１０１の効果）
発光装置１０１において、光源２０から出射した光の一部は、波長変換層５２で変換され、光源２０から出射し、波長変換されなかった光と波長変換層５２で変換された光とが、マルチバンドパスフィルター５４を透過して外部へ出射する。マルチバンドパスフィルター５４は所望の波長帯域の光を出射させることができるため、波長帯域を狭くすることによって、色純度の高い光を出射することができる。例えば、光源２０が青色の光を出射し、波長変換層５２が緑色蛍光体および赤色蛍光体を含む場合、青色の光と、波長変換層５２で青色の光から変換された赤色および緑色の光とがマルチバンドパスフィルター５４に入射する。マルチバンドパスフィルター５４の透過帯域を狭く設定しておくことにより、色純度の高い青色光、緑色光および赤色光がマルチバンドパスフィルター５４から出射し、発光装置１０１は、これらの光の混色によって白色光を出射する。 (Effect of light emitting device 101)
In the light emitting device 101, a part of the light emitted from the light source 20 is converted by the wavelength conversion layer 52, and the light emitted from the light source 20 and not wavelength-converted and the light converted by the wavelength conversion layer 52 are multi-layered. It passes through the band pass filter 54 and is emitted to the outside. Since the multi-bandpass filter 54 can emit light in a desired wavelength band, it is possible to emit light having high color purity by narrowing the wavelength band. For example, when the light source 20 emits blue light and the wavelength conversion layer 52 contains a green phosphor and a red phosphor, the blue light and the red and green light converted from the blue light by the wavelength conversion layer 52. Is incident on the multi-band pass filter 54. By setting the transmission band of the multi-bandpass filter 54 to be narrow, blue light, green light, and red light having high color purity are emitted from the multi-bandpass filter 54, and the light emitting device 101 is produced by mixing these lights. Emits white light.

また、マルチバンドパスフィルター５４にはコリメーター層５３を介して光を入射させるため、マルチバンドパスフィルター５４に斜めから入射した光がマルチバンドパスフィルター５４を透過することが抑制され、マルチバンドパスフィルター５４を透過する光の波長帯域がずれることが抑制される。したがって、色度図において、より外側に位置する光を発光装置１０１から出射させることが可能となり、表示装置に発光装置１０１を用いた場合、色域を拡大することが可能となる。さらに、発光装置１０１を青、緑および赤以外の光も出射するように構成すれば、赤、青、緑、黄の４色、赤、青、緑、シアンの４色等のサブピクセルを備えた液晶表示装置のバックライトとして発光装置１０１を用いることにより、さらに広色域の表示が可能な液晶表示装置を実現することも可能である。 Further, since the light is incident on the multi-band pass filter 54 via the collimator layer 53, the light incident on the multi-band pass filter 54 from an angle is suppressed from passing through the multi-band pass filter 54, and the multi-band pass is suppressed. The deviation of the wavelength band of the light transmitted through the filter 54 is suppressed. Therefore, in the chromaticity diagram, the light located on the outer side can be emitted from the light emitting device 101, and when the light emitting device 101 is used as the display device, the color gamut can be expanded. Further, if the light emitting device 101 is configured to emit light other than blue, green, and red, it is provided with subpixels such as four colors of red, blue, green, and yellow, and four colors of red, blue, green, and cyan. By using the light emitting device 101 as the backlight of the liquid crystal display device, it is possible to realize a liquid crystal display device capable of displaying a wider color gamut.

また、マルチバンドパスフィルター５４の通過帯域以外の波長の光は、マルチバンドパスフィルター５４で反射し波長変換層５２へ戻り、再度、波長変換させることができる。よって、発光装置１０１の出射効率を高めることが可能である。 Further, light having a wavelength other than the pass band of the multi-bandpass filter 54 is reflected by the multi-bandpass filter 54 and returned to the wavelength conversion layer 52, and the wavelength can be converted again. Therefore, it is possible to increase the emission efficiency of the light emitting device 101.

また、複数の光源２０に跨って、波長変換層５２、コリメーター層５３およびマルチバンドパスフィルター５４が設けられており、光源２０の配列ピッチを小さくし、光源２０の面密度を高めることによって、発光装置１０１の輝度を高めたり、透光積層体５０の面積を大きくしたりすることによって、大画面の表示装置にも好適に用いることが可能である。 Further, a wavelength conversion layer 52, a collimator layer 53, and a multi-band pass filter 54 are provided across the plurality of light sources 20, by reducing the arrangement pitch of the light sources 20 and increasing the surface density of the light sources 20. By increasing the brightness of the light emitting device 101 or increasing the area of the translucent laminated body 50, it can be suitably used for a large screen display device.

（第２の実施形態）
第２の実施の形態に係る発光装置について、図面を用いて説明する。図４は、本開示の発光装置の第２の実施形態の一例である発光装置１０２の一部の断面を示す模式図である。 (Second embodiment)
The light emitting device according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic view showing a cross section of a part of the light emitting device 102 which is an example of the second embodiment of the light emitting device of the present disclosure.

第２の実施の形態に係る発光装置１０２は、主面および端面を有する導光体６０と、導光体６０の端面に配置された複数の光源２０と、導光体６０の主面側に配置された少なくとも１つの波長変換層５２と、波長変換層５２の上面側に位置する少なくとも１つのコリメーター層５３と、コリメーター層５３の上面側に位置するマルチバンドパスフィルター５４と、を備える。発光装置１０２は、第１の実施形態に対して導光体６０をさらに備えおり、光源２０が発光装置１０２の端部に配置される点で第１の実施形態の発光装置１０１と異なる。 The light emitting device 102 according to the second embodiment has a light guide body 60 having a main surface and an end surface, a plurality of light sources 20 arranged on the end faces of the light guide body 60, and a light emitting device 20 on the main surface side of the light guide body 60. It includes at least one wavelength conversion layer 52 arranged, at least one collimator layer 53 located on the upper surface side of the wavelength conversion layer 52, and a multi-band pass filter 54 located on the upper surface side of the collimator layer 53. .. The light emitting device 102 is different from the light emitting device 101 of the first embodiment in that the light guide body 60 is further provided with respect to the first embodiment, and the light source 20 is arranged at the end of the light emitting device 102.

導光体６０は、主面６０ａおよび裏面６０ｂと、端面６０ｃとを備えており、主面６０ａ上に透光積層体５０が配置されている。光源２０から出射する光が端面６０ｃに入射するように、発光素子２１の上面２１ａが端面６０ｃに対向している。光源２０の構造、透光積層体５０の構造および光学的特性は、第１の実施形態の発光装置１０１と同じである。発光装置１０２によれば、光源２０を発光装置１０２の端部に配置できるため、より薄型で広色域化が可能な発光装置を実現することが可能である。 The light guide body 60 includes a main surface 60a, a back surface 60b, and an end surface 60c, and the translucent laminated body 50 is arranged on the main surface 60a. The upper surface 21a of the light emitting element 21 faces the end surface 60c so that the light emitted from the light source 20 is incident on the end surface 60c. The structure of the light source 20, the structure of the translucent laminate 50, and the optical characteristics are the same as those of the light emitting device 101 of the first embodiment. According to the light emitting device 102, since the light source 20 can be arranged at the end of the light emitting device 102, it is possible to realize a light emitting device that is thinner and has a wider color gamut.

（第３の実施形態）
第３の実施の形態に係る発光装置について、図面を用いて説明する。図５Ａは、本開示の発光装置の第３の実施形態の一例である発光装置１０３の一部の断面を示す模式図である。図５Ｂは、透光積層体５０を取り除いた構造を部分的に示す平面図である。 (Third embodiment)
The light emitting device according to the third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 5A is a schematic view showing a cross section of a part of the light emitting device 103 which is an example of the third embodiment of the light emitting device of the present disclosure. FIG. 5B is a plan view partially showing the structure from which the translucent laminated body 50 is removed.

発光装置１０３は、第１の実施形態に対して基体１０上に設けられた複数の光反射部材１５をさらに備える点で第１の実施形態の発光装置１０１と異なる。 The light emitting device 103 is different from the light emitting device 101 of the first embodiment in that it further includes a plurality of light reflecting members 15 provided on the substrate 10 with respect to the first embodiment.

複数の光源２０は、基体１０の上面１１ａにおいて、１次元または２次元に配列されている。本実施形態では、複数の光源２０は直交する２方向、つまり、ｘ方向およびｙ方向に沿って２次元に配列されており、ｘ方向の配列ピッチｐｘとｙ方向の配列ピッチｐｙは等しい。しかし、配列方向はこれに限られない。ｘ方向とｙ方向のピッチは異なっていてもよいし、配列の２方向は直交していなくてもよい。また、配列ピッチも等間隔に限られず、不等間隔であってもよい。例えば、基体１０の中央から周辺に向かって間隔が広くなるように発光素子２１が配列されていてもよい。 The plurality of light sources 20 are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on the upper surface 11a of the substrate 10. In the present embodiment, the plurality of light sources 20 are arranged two-dimensionally along two orthogonal directions, that is, the x direction and the y direction, and the arrangement pitch px in the x direction and the arrangement pitch py in the y direction are equal. However, the arrangement direction is not limited to this. The pitches in the x-direction and the y-direction may be different, and the two directions of the array may not be orthogonal to each other. Further, the arrangement pitch is not limited to equal intervals, and may be unequal intervals. For example, the light emitting elements 21 may be arranged so that the distance from the center of the substrate 10 becomes wider toward the periphery.

発光装置１０３は、光源２０間に位置する複数の光反射部材１５を備えている。光反射部材１５は、壁部１５ａｘ、１５ａｙおよび底部１５ｂを含む。ｘ方向に隣接する２つの光源２０の間にｙ方向に延びる壁部１５ａｙが配置され、ｙ方向に隣接する２つの光源２０の間にｘ方向に延びる壁部１５ａｘが配置されている。このため、各光源２０は、ｘ方向に延びる２つの壁部１５ａｘと、ｙ方向に延びる２つの壁部１５ａｙとによって囲まれている。２つの壁部１５ａｘおよび２つの壁部１５ａｙによって囲まれた領域１５ｒに底部１５ｂが位置している。本実施形態では、光源２０のｘ方向およびｙ方向の配列ピッチが等しいため、底部１５ｂの外形は正方形である。 The light emitting device 103 includes a plurality of light reflecting members 15 located between the light sources 20. The light reflecting member 15 includes a wall portion 15ax, 15ay and a bottom portion 15b. A wall portion 15ay extending in the y direction is arranged between two light sources 20 adjacent to each other in the x direction, and a wall portion 15ax extending in the x direction is arranged between two light sources 20 adjacent to each other in the y direction. Therefore, each light source 20 is surrounded by two wall portions 15ax extending in the x direction and two wall portions 15ay extending in the y direction. The bottom portion 15b is located in the region 15r surrounded by the two wall portions 15ax and the two wall portions 15ay. In the present embodiment, since the arrangement pitches of the light sources 20 in the x-direction and the y-direction are equal, the outer shape of the bottom portion 15b is square.

底部１５ｂの中央には貫通孔１５ｅが設けられ、貫通孔１５ｅ内に、光源２０が位置するように、底部１５ｂが絶縁層１３上に位置している。貫通孔１５ｅの形状及び大きさに特に制限はなく、光源２０が内部に位置し得る形状および大きさであればよい。光源２０からの光を底部１５ｂでも反射可能なように、貫通孔１５ｅの外縁が、発光素子２１の近傍に位置していること、つまり、上面視において、貫通孔１５ｅと発光素子２１との間に生じる間隙は狭いほうが好ましい。 A through hole 15e is provided in the center of the bottom portion 15b, and the bottom portion 15b is located on the insulating layer 13 so that the light source 20 is located in the through hole 15e. The shape and size of the through hole 15e are not particularly limited, and may be any shape and size as long as the light source 20 can be located inside. The outer edge of the through hole 15e is located near the light emitting element 21 so that the light from the light source 20 can be reflected even at the bottom portion 15b, that is, between the through hole 15e and the light emitting element 21 in the top view. It is preferable that the gap generated in the light source is narrow.

図５Ａに示すように、ｙｚ断面では、壁部１５ａｘは、ｘ方向に延びる一対の傾斜面１５ｓを含む。一対の傾斜面１５ｓのそれぞれは、ｘ方向に延びる２つの辺の一方で互いに接続しており、頂部１５ｃを構成している。他方は、隣接する２つの領域１５ｒに位置する底部１５ｂとそれぞれ接続されている。同様に、ｙ方向に延びる壁部１５ａｙはｙ方向に延びる一対の傾斜面１５ｔを含む。一対の傾斜面１５ｔのそれぞれは、ｙ方向に延びる２つの辺の一方で互いに接続しており、頂部１５ｃを構成している。他方は、隣接する２つの領域１５ｒに位置する底部１５ｂとそれぞれ接続されている。 As shown in FIG. 5A, in the yz cross section, the wall portion 15ax includes a pair of inclined surfaces 15s extending in the x direction. Each of the pair of inclined surfaces 15s is connected to each other on one of the two sides extending in the x direction, and constitutes the top portion 15c. The other is connected to a bottom portion 15b located in two adjacent regions 15r, respectively. Similarly, the wall portion 15ay extending in the y direction includes a pair of inclined surfaces 15t extending in the y direction. Each of the pair of inclined surfaces 15t is connected to each other on one of the two sides extending in the y direction, and constitutes the top portion 15c. The other is connected to a bottom portion 15b located in two adjacent regions 15r, respectively.

底部１５ｂ、２つの壁部１５ａｘおよび２つの壁部１５ａｙによって開口を有する発光空間１７が形成される。図５Ｂでは、３行３列に配列された発光空間１７が示されている。一対の傾斜面１５ｓおよび一対の傾斜面１５ｔは、発光空間１７の開口に面している。 A light emitting space 17 having an opening is formed by the bottom portion 15b, the two wall portions 15ax, and the two wall portions 15ay. In FIG. 5B, the light emitting spaces 17 arranged in 3 rows and 3 columns are shown. The pair of inclined surfaces 15s and the pair of inclined surfaces 15t face the opening of the light emitting space 17.

光反射部材１５は光反射性を有しており、光源２０から出射する光を壁部１５ａｘ、１５ａｙの傾斜面１５ｓ、１５ｔによって、発光空間１７の開口に向けて反射させる。また、底部１５ｂに入射する光も発光空間１７の開口側へ反射させる。これにより、光源２０から出射される光を効率よく透光積層体５０へ入射させることができる。 The light reflecting member 15 has light reflecting property, and the light emitted from the light source 20 is reflected toward the opening of the light emitting space 17 by the inclined surfaces 15s and 15t of the wall portions 15ax and 15ay. Further, the light incident on the bottom portion 15b is also reflected to the opening side of the light emitting space 17. As a result, the light emitted from the light source 20 can be efficiently incident on the translucent laminated body 50.

光反射部材１５によって区画される発光空間１７は、複数の光源２０をそれぞれ独立して駆動させた場合における、発光空間の最小単位となる。また、面発光源として発光装置１０３を透光積層体５０の上面を見た場合における、ローカルディミングの最小単位領域となる。複数の光源２０を独立して駆動する場合、最も小さな発光空間単位でローカルディミングによる駆動が可能な発光装置が実現する。隣接する複数の光源２０を同時に駆動し、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングを同期させるように駆動すれば、より大きな単位でローカルディミングによる駆動が可能となる。 The light emitting space 17 partitioned by the light reflecting member 15 is the smallest unit of the light emitting space when a plurality of light sources 20 are independently driven. Further, it is the minimum unit region of local dimming when the light emitting device 103 is viewed from the upper surface of the translucent laminated body 50 as a surface light emitting source. When a plurality of light sources 20 are independently driven, a light emitting device capable of being driven by local dimming is realized in the smallest light emitting space unit. If a plurality of adjacent light sources 20 are driven at the same time and the ON / OFF timings are synchronized, it is possible to drive by local dimming in a larger unit.

光反射部材１５は、例えば、発砲ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、発泡ポリカーボネート（ＰＣ）など、気泡を含んだ発泡体によって形成することができる。また、光反射部材１５は、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の金属酸化物粒子からなる反射材を含有する樹脂を用いて成形してもよいし、反射材を含有しない樹脂を用いて成形した後、表面に反射材を設けてもよい。光反射部材１５の発光素子２１からの出射光に対する反射率は、例えば、７０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましい。 The light reflecting member 15 can be formed of a foam containing bubbles, such as foamed polyethylene terephthalate (PET) and foamed polycarbonate (PC). Further, the light reflecting member 15 may be molded using a resin containing a reflective material made of metal oxide particles such as titanium oxide, aluminum oxide, and silicon oxide, or may be molded using a resin containing no reflective material. After that, a reflective material may be provided on the surface. The reflectance of the light reflecting member 15 with respect to the light emitted from the light emitting element 21 is preferably, for example, 70% or more, and more preferably 85% or more.

光反射部材１５は、金型を用いた成形や光造形によって形成することができる。金型を用いた成形方法としては、射出成形、押出成形、圧縮成形、真空成形、圧空成形、プレス成形、マッチモールド成形等の成形方法を用いることができる。例えば、ＰＥＴ等で形成された反射シートを用いて真空成形することで、底部１５ｂと壁部１５ａｘ、１５ａｙが一体的に形成された光反射部材１５を得ることができる。反射シートの厚さは、例えば１００μｍ～５００μｍである。 The light reflecting member 15 can be formed by molding using a mold or stereolithography. As a molding method using a mold, molding methods such as injection molding, extrusion molding, compression molding, vacuum molding, pressure molding, press molding, and match mold molding can be used. For example, by vacuum forming using a reflective sheet formed of PET or the like, a light reflecting member 15 in which the bottom portion 15b and the wall portions 15ax and 15ay are integrally formed can be obtained. The thickness of the reflective sheet is, for example, 100 μm to 500 μm.

光反射部材１５の底部１５ｂの下面と絶縁層１３の上面とは、接着部材等で固定される。貫通孔１５ｅから露出される絶縁層１３は、光反射性を有していることが好ましい。発光素子２１からの出射光が、絶縁層１３と光反射部材１５との間に入射しないように、貫通孔１５ｅの周囲に接着部材を配置することが好ましい。例えば、貫通孔１５ｅの外縁に沿ってリング状に接着部材を配置することが好ましい。接着部材は両面テープであってもよいし、ホットメルト型の接着シートであってもよいし、熱硬化樹脂や熱可塑樹脂の接着液であってもよい。これらの接着部材は、高い難燃性を有することが好ましい。また、接着部材ではなく、ネジ、ピン等他の結合部材で固定されていてもよい。 The lower surface of the bottom portion 15b of the light reflecting member 15 and the upper surface of the insulating layer 13 are fixed by an adhesive member or the like. The insulating layer 13 exposed from the through hole 15e preferably has light reflectivity. It is preferable to arrange the adhesive member around the through hole 15e so that the light emitted from the light emitting element 21 does not enter between the insulating layer 13 and the light reflecting member 15. For example, it is preferable to arrange the adhesive member in a ring shape along the outer edge of the through hole 15e. The adhesive member may be a double-sided tape, a hot-melt type adhesive sheet, or an adhesive liquid of a thermosetting resin or a thermoplastic resin. These adhesive members preferably have high flame retardancy. Further, instead of the adhesive member, it may be fixed by another connecting member such as a screw or a pin.

本実施形態の発光装置１０３によれば、第１の実施形態で説明した効果に加え、上述したように、ローカルディミングで駆動が可能な発光装置が実現する。したがって、発光装置１０３を表示装置のバックライトに用いた場合、色領域の拡大に加え、表示領域の分割された領域を独立して点灯させることが可能となり、画像内における明暗のコントラストをより高めることが可能となる。このため、表示装置が表示する画像の画質をよりいっそう高めることが可能となる。 According to the light emitting device 103 of the present embodiment, in addition to the effects described in the first embodiment, as described above, a light emitting device that can be driven by local dimming is realized. Therefore, when the light emitting device 103 is used as the backlight of the display device, in addition to expanding the color area, it is possible to independently light the divided area of the display area, and the contrast between light and dark in the image is further enhanced. It becomes possible. Therefore, it is possible to further improve the image quality of the image displayed by the display device.

本開示の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具などに好適に利用することができる。 The light emitting device of the present disclosure can be suitably used for a backlight light source of a liquid crystal display, various lighting fixtures, and the like.

１０基体
１１基板
１１ａ上面
１２導電層
１３絶縁層
１５光反射部材
１５ａｘ、１５ａｙ壁部
１５ｂ底部
１５ｃ頂部
１５ｅ貫通孔
１５ｒ領域
１５ｓ、１５ｔ傾斜面
１７発光空間
２０光源
２１発光素子
２１ａ上面
２２被覆部材
２３接続部材
２４アンダーフィル部材
５０透光積層体
５１光拡散板
５２、５２’ 波長変換層
５３コリメーター層
５３ａ上面
５３ｂ下面
５４マルチバンドパスフィルター
６０導光体
６０ａ主面
６０ｂ裏面
６０ｃ端面
１０１、１０２、１０３発光装置 10 Base 11 Substrate 11a Top 12 Conductive layer 13 Insulation layer 15 Light reflecting member 15ax, 15ay Wall 15b Bottom 15c Top 15e Through hole 15r Region 15s, 15t Inclined surface 17 Light emitting space 20 Light source 21 Light source 21 Light source 21 top 22 Covering member 23 connection Member 24 Underfill member 50 Translucent laminated body 51 Light diffuser 52, 52'Wavelength conversion layer 53 Collimator layer 53a Upper surface 53b Lower surface 54 Multiband pass filter 60 Light guide 60a Main surface 60b Back surface 60c End surface 101, 102, 103 Luminescent device

Claims

With the substrate
A plurality of light sources arranged on the upper surface of the substrate, the plurality of light sources emitting light in the first wavelength band, and a plurality of light sources .
A wavelength conversion layer that straddles the plurality of light sources and is located on the upper surface side of the plurality of light sources.
At least one collimator layer located on the upper surface side of the wavelength conversion layer, and
A multi-bandpass filter located on the upper surface side of the collimator layer and
With multiple light reflecting members,
Equipped with
The at least one wavelength conversion layer converts a part of the light in the first wavelength band into the light in the second and third wavelength bands different from the first wavelength band.
The multi-bandpass filter has first, second and third passbands including peak wavelengths of light in the first, second and third wavelength bands, respectively.
Each of the plurality of light reflecting members is located on the substrate and has a bottom portion having a through hole and a wall portion surrounding the bottom portion.
The plurality of light sources are arranged in the through holes at the bottom of the plurality of light reflecting members.
A light emitting device that emits white light by mixing light in the first, second, and third wavelength bands that have passed through the multi-bandpass filter .

The at least one wavelength conversion layer converts the other part of the light in the first wavelength band into light in a fourth wavelength band different from the first wavelength band.
The light emitting device according to claim 1 , wherein the multi-bandpass filter further has a fourth pass band including a peak wavelength of light in the fourth wavelength band.

The light emitting device according to claim 2 , wherein the first, second, third, and fourth wavelength bands are blue, green, red, and yellow bands, respectively.

The light emitting device according to claim 2 , wherein the first, second, third, and fourth wavelength bands are blue, green, red, and cyan bands, respectively.

The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the first, second, and third wavelength bands are blue, green, and red bands, respectively.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the collimator layer includes at least one selected from the group consisting of a prism sheet, a lenticular lens sheet, and a microlens array sheet.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a diffuser plate between the at least one wavelength conversion layer and the substrate.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 7 , wherein the multi-bandpass filter includes a dielectric multilayer film.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 8 , wherein the wavelength conversion layer, the collimator layer, and the multi-bandpass filter have substantially the same size in a plan view.

The wavelength conversion layer contains a wavelength conversion substance and has a wavelength conversion substance.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 9 , wherein the concentration of the wavelength conversion substance at the end portion of the wavelength conversion layer is higher than that at the center portion of the wavelength conversion layer in a plan view.