JP7077881B2 - 不揮発性メモリを有する機器 - Google Patents

Description

本開示は、不揮発性メモリの信頼性を改善する技術に関する。

不揮発性メモリは、データの保持期間に制限がある。そのため、不揮発性メモリでは、データ保持期間を経過してデータが劣化する前に、データのリフレッシュが行われる。一般に、データ保持期間は、温度に依存し、温度が高いほど低下する。そこで、特許文献１に記載の不揮発性メモリを有する機器では、温度を計測し、計測した温度が高い時には実際の経過時間よりも見かけ上の経過時間が長くなるように重み付けしている。これにより、上記機器では、温度が高いほど早くデータのリフレッシュが行われる。

特開２０００－０１１６７０号公報

上記機器では、不揮発性メモリの使用状況にかかわらず、同じ式を用いて経過時間に対する重みを算出している。すなわち、上記機器では、不揮発性メモリの使用状況にかかわらず、データ保持期間の温度特性を一定としている。しかしながら、不揮発性メモリのデータ保持期間の温度特性は、機器の使用状況の影響を受けるため、データ保持期間の温度特性を一定とすると不要なリフレッシュが行われる可能性がある。

本開示は、不揮発性メモリの使用状況に応じたデータの保持特性に基づいて、データの劣化を抑制可能な不揮発性メモリを有する機器を提供することを目的とする。

本開示の１つの局面は、不揮発性メモリ（２０）を有する機器（１０）であって、温度検出部（３０）と、取得部（１６）と、発生率算出部（１６）と、累積値算出部（１６）と、リフレッシュ部（１６）と、を備える。温度検出部は、不揮発性メモリの雰囲気温度を検出する。取得部は、予め、機器を動作させた状況において、不揮発性メモリに記憶されたデータの経過時間に応じたエラー発生率の増加特性であって雰囲気温度別の増加特性を取得する。発生率算出部は、設定期間ごとに、取得部により取得された増加特性と、温度検出部により検出された雰囲気温度とを用いて、不揮発性メモリに記憶されているデータの単位時間あたりのエラー発生率である単位発生率を算出する。累積値算出部は、発生率算出部により単位発生率が算出される都度、単位発生率を累積した累積値を算出する。リフレッシュ部は、累積値算出部により算出された累積値が予め設定された累積閾値を超えた場合に、不揮発性メモリに記憶されたデータのリフレッシュを実行する。不揮発性メモリを有する。

本開示の１つの局面によれば、予め機器を動作させ実際に不揮発性メモリを使用した状況において、雰囲気温度別の増加特性が取得される。そして、設定期間ごとに、取得された増加特性と検出された雰囲気温度とから単位生率が算出され、単位発生率を累積した累積値が算出される。そして、累積値が累積閾値を超えた場合に、データのリフレッシュが実行される。したがって、不揮発性メモリの使用状況に応じたデータの保持特性に基づいて、データの劣化を抑制することができる。
なお、この欄及び特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本開示の技術的範囲を限定するものではない。

本実施形態に係るロケータＥＣＵの構成を示す図である。 本実施形態に係るｅＭＭＣの構成を示す図である。 本実施形態に係るロケータＥＣＵの制御回路の機能を示すブロック図である。 ｐＳＬＣ構造のｅＭＭＣにおける雰囲気温度別のエラー発生率の増幅特性を示す図である。 ＭＬＣ構造のｅＭＭＣにおける雰囲気温度別のエラー発生率の増幅特性を示す図である。 本実施形態に係るリフレッシュ判定処理を示すフローチャートである。 本実施形態に係るｅＭＭＣのリフレッシュ処理を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しながら、発明を実施するための形態を説明する。
＜１．構成＞
まず、本実施形態に係るロケータＥＣＵ１０の構成について、図１を参照して説明する。本実施形態では、ロケータＥＣＵ１０は、車両に搭載されることを想定している。

ロケータＥＣＵ１０は、電源回路１１と、ＣＡＮ（登録商標）トランシーバ１２，１３と、Ether PHY１４と、Global Navigation Satellite System（ＧＮＳＳ）レシーバ１５と、制御回路１６と、６軸センサ１７と、Flash ROM１８と、Dynamic Random Access Memory（ＤＲＡＭ）１９と、embedded Multi Media Card（ｅＭＭＣ）２０と、温度検出部３０と、を備える。

電源回路１１は、ロケータＥＣＵ１０内部の各回路に電源を供給する。ＣＡＮトランシーバ１２は、車両に搭載されたＣＡＮ ＦＤネットワーク４１及び制御回路１６に接続されている。ＣＡＮトランシーバ１３は、車両に搭載されたＣＡＮネットワーク４２及び制御回路１６に接続されている。Ether PHY１４は、車両に搭載されたＥｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）ネットワーク４３及び制御回路１６に接続されている。

ＧＮＳＳレシーバ１５は、ＧＰＳアンテナ５２及び分配回路５１を介して、衛星測位システムから発信される測位信号を受信し、受信情報を制御回路１６へ出力する。分配回路５１は、車両内のロケータＥＣＵ１０以外のＥＣＵへ、ＧＰＳアンテナ５２により受信された測位信号を供給する。

６軸センサ１７は、車両の加速度及び角速度を検出し、検出した速度情報を制御回路１６へ出力する。Flash ROM１８は、制御回路１６が実行する制御プログラムが記憶されている。ＤＲＡＭ１９は、制御回路１６がFlash ROM１８に記憶されている制御プログラムを実行する際に、制御プログラムを一時的に記憶するＲＡＭである。

ｅＭＭＣ２０は、詳細な地図データが記憶されている。図２に示すように、ｅＭＭＣ２０は、メモリコントローラ２１と、複数の不揮発性メモリチップ２２と、を備える。メモリコントローラ２１は、制御回路１６からの指令に従って、複数の不揮発性メモリチップ２２へのデータの書込み及び読出しを制御する。各不揮発性メモリチップ２２は、ＮＡＮＤ型メモリであり、メモリコントローラ２１の制御に従ってデータを格納する。本実施形態では、ｅＭＭＣ２０が不揮発性メモリに相当する。

不揮発性メモリチップ２２に記憶されているデータは、読出しの際にエラー訂正符号が付与される。データのビットエラー発生率が、予め設定された、エラー訂正符号により訂正可能な上限値に達すると、不揮発性メモリチップ２２はリフレッシュされる。ただし、データの読出しが行われていない領域の不揮発性メモリチップ２２は、ビットエラー発生率の状況が認識されない。そのため、長期間読出しが行われていない不揮発性メモリチップ２２のデータは、気づかない間にデータ化けが生じている可能性がある。

特に、ロケータＥＣＵ１０が搭載された車両が中古車両として売買される場合には、ｅＭＭＣ２０に記憶されている地図データの読出しが数年間行われない状況が発生し得る。このような状況が発生した場合、中古車両の購入者が車両の電源をオンにしたときには、ｅＭＭＣ２０内の地図データが消えており、ロケータＥＣＵ１０を使うことができないことがある。

長期間読出しが行われないデータの保持特性を改善する方法として、ｅＭＭＣ２０のリフレッシュの間隔を短くする方法がある。しかしながら、この方法を採用する場合、ｅＭＭＣ２０の書換え回数が増加するため、ｅＭＭＣ２０自体の劣化が早くなる可能性がある。よって、本実施形態では、適切にｅＭＭＣ２０のリフレッシュを行って不要なリフレッシュの実行を抑制するとともに、長期間読みしが行われていないデータの劣化を抑制する。

温度検出部３０は、温度センサを含み、ｅＭＭＣ２０の近傍に設けられている。温度検出部３０は、ｅＭＭＣ２０の雰囲気温度を検出し、検出した雰囲気温度を制御回路１６へ出力する。

制御回路１６は、車両のＡＣＣオン又はＩＧ信号のオンにより起動して、Flash ROM１８に記憶されている制御プログラムを実行する。制御回路１６は、Flash ROM１８に記憶されている制御プログラムを実行することにより、各種機能を実現する。具体的には、図３に示すように、制御回路１６は、自車位置評定部１６１、自車運動情報出力部１６２、進路算出部１６３、外部通信部１６４、空間情報提供部１６５、適合定数変更部１６６、メンテナンス部１６７、ダイアグ部１６８、及びリフレッシュ処理部１６９の機能を備える。リフレッシュ処理部１６９が、取得部、発生率算出部、累積値算出部、及びリフレッシュ部に相当する。

自車位置評定部１６１は、ＧＮＳＳレシーバ１５から出力された受信情報から自車の絶対位置を算出する。また、自車位置評定部１６１は、６軸センサ１７から取得した速度情報から車両のヨーレートを算出する。そして、自車位置評定部１６１は、算出した自車の絶対位置及びヨーレートと、ＣＡＮトランシーバ１３を介して取得した車速とから、車両の相対軌跡を算出する。自車位置評定部１６１は、算出した相対軌跡に基づいた緯度経度、楕円体高、勾配、及び方位角と、ＧＮＳＳレシーバ１５の受信情報に基づいたＵＴＣ時刻を、Ether PHY14を介してＥｔｈｅｒｎｅｔネットワーク４３へ出力する。さらに、自車位置評定部１６１は、ｅＭＭＣ２０に記憶されている地図情報と緯度経度とをマッチングさせ、マッチング後の地図上の位置情報（具体的には、道路リンクＩＤなど）、及びマッチング精度情報を、Ether PHY14を介してＥｔｈｅｒｎｅｔネットワーク４３へ出力する。

自車運動情報出力部１６２は、ＣＡＮトランシーバ１２を介して取得した運動情報、６軸センサ１７から取得した速度情報に基づいた運動情報（具体的には、ヨーレート、推定速度、加速度）を、ＧＮＳＳレシーバ１５の受信情報を用いて補正する。そして、自車運動情報出力部１６２は、補正した運動情報と、ヨーレート及び推定速度の精度情報とを、ＣＡＮトランシーバ１２を介してＣＡＮ－ＦＤネットワークへ出力する。

進路算出部１６３は、自車が存在する車線を起点として進路を予測する。
外部通信部１６４は、外部のＥＣＵから交通情報と逆走情報を受信し、警告をEther PHY14を介してＥｔｈｅｒｎｅｔネットワーク４３へ出力する。

空間情報提供部１６５は、ｅＭＭＣ２０に記憶されている地図情報に基づいて、空間情報を生成し、生成した空間情報を、Ether PHY14を介してＥｔｈｅｒｎｅｔネットワーク４３へ出力する。空間情報は、自車位置周辺の進路、分岐、合流路に関する、レーントポロジ情報、レーンジオメトリ情報、及び地物情報である。

適合定数変更部１６６は、提供する空間情報の出力距離、出力周期、精度判定閾値、異常判定閾値を変更する。
メンテナンス部１６７は、ｅＭＭＣ２０に記憶されている地図情報の更新、及びリプログラムを行う。

ダイアグ部１６８は、工場における自己診断、及び通信を介した自己診断を実行する。
リフレッシュ処理部１６９は、予めロケータＥＣＵ１０を作動させた状態で、ｅＭＭＣ２０のエラー発生率の雰囲気温度別の増加特性を取得する。そして、リフレッシュ処理部１６９は、取得した雰囲気温度別の増加特性を用いて、ｅＭＭＣ２０のリフレッシュが必要か否か判定し、リフレッシュが必要と判定した場合には、ｅＭＭＣ２０のリフレッシュを実行する。雰囲気温度別の増加特性、リフレッシュ判定処理、及びリフレッシュ処理の詳細は後述する。

＜２．エラー発生率の増加特性＞
リフレッシュ処理部１６９が予め取得する雰囲気温度別の増加特性を示す評価データの例を、図４及び図５に示す。リフレッシュ処理部１６９は、ロケータＥＣＵ１０を動作させた状態、すなわち、実際にｅＭＭＣ２０を使用している状況において、予め評価データを取得する。

図４はｅＭＭＣ２０がｐＳＬＣ構造の場合の例であり、図５はｅＭＭＣ２０がＭＬＣ構造の場合の例である。図４及び図５は、雰囲気温度が６５℃、８５℃、１０５℃の場合における、経過時間に対するビットエラーの累積発生率、及び、エラー訂正符号によって訂正可能なビットエラー発生率の上限値を示している。図４及び図５のいずれも、両対数軸で示している。

図４及び５に示すように、６５℃における累積発生率の変化量の対数値と、８５℃における累積発生率の変化量の対数値との差分は、８５℃における累積発生率の変化量の対数値と１０５℃における累積発生率の変化量の対数値との差分に等しい。すなわち、累積発生率の変化量の対数値の差分と雰囲気温度の差分は比例する。

したがって、雰囲気温度Ｔ１，Ｔ２における単位時間当たりのビットエラー発生率（以下、単位発生率）をＤｂｅｒ（Ｔ１），Ｄｂｅｒ（Ｔ２）とすると、次の式（１）が導出される。単位発生率は、ビットエラー発生率の単位時間当たりの変化量である。ａは係数である。
Ｄｂｅｒ（Ｔ２）＝Ｄｂｅｒ（Ｔ１）×ｅｘｐ｛ａ×（Ｔ２－Ｔ１）｝ （１）
ここで、Ｔ１を、予め設定されている特定温度とする。具体的には、Ｔ１は、メモリメーカーにより不揮発性メモリの動作が保証されている上限温度とする。上限温度である雰囲気温度Ｔ１における単位発生率Ｄｂｅｒ（Ｔ１）は予めメモリメーカーにより提示されている既知の値である。また、不揮発性メモリの上限温度における累積エラー発生率の上限値は、予めメーカーにより提示されている。

本実施形態では、Ｔ１を１０５℃とし、温度検出部３０により検出される雰囲気温度をＴｍとすると、上述の式（１）は、次の式（２）で表される。
Ｄｂｅｒ（Ｔｍ）＝Ｄｂｅｒ（１０５）×ｅｘｐ｛ａ×（Ｔｍ－１０５）｝ （２）
Ｄｂｅｒ（Ｔｍ）は、雰囲気温度Ｔｍにおける単位発生率を雰囲気温度１０５℃における単位発生率に換算した換算値に相当する。また、係数ａは、雰囲気温度Ｔｍにおける単位発生率を雰囲気温度１０５℃における単位発生率に換算するための換算係数に相当する。係数ａは、取得された評価データの値から予め算出される。

リフレッシュ処理部１６９は、設定期間ごとに、式（２）を用いて単位時間当たりの単位発生率を算出する。そして、リフレッシュ処理部１６９は、算出した単位発生率を累積した累積値を用いて、ｅＭＭＣ２０をリフレッシュするか否か判定する。

＜３．処理＞
次に、リフレッシュ処理部１６９が実行するリフレッシュ判定処理について、図６のフローチャートを参照して説明する。リフレッシュ処理部１６９は、ロケータＥＣＵ１０にバッテリの電源が投入されている場合に、常に、リフレッシュ判定処理を実行する。通常、ロケータＥＣＵ１０にはバッテリの電源が投入されている。

まず、Ｓ１０では、リフレッシュ処理部１６９は、１時間タイマのカウントを開始する。本実施形態では、タイマの設定時間を１時間としているが、設定時間は１時間に限らず適宜設定すればよい。このとき、ロケータＥＣＵ１０は、電源回路１１が起動していないスリープ状態である。

続いて、Ｓ２０では、リフレッシュ処理部１６９は、タイマのカウント値が１時間に到達したか否か判定する。リフレッシュ処理部１６９は、タイマのカウント値が１時間に到達していない場合は、到達するまで待機する。リフレッシュ処理部１６９は、タイマのカウント値が１時間に到達した場合には、Ｓ３０の処理へ進む。

Ｓ３０では、リフレッシュ処理部１６９は、電源回路１１を起動し、ロケータＥＣＵ１０の内部の各回路に電源を供給する。これにより、ロケータＥＣＵ１０はウェイクアップする。

続いて、Ｓ４０では、リフレッシュ処理部１６９は、タイマのカウント値をクリアする。
続いて、Ｓ５０では、リフレッシュ処理部１６９は、温度検出部３０に温度検出を実行させ、温度検出部３０により検出された雰囲気温度Ｔｍを取得する。

続いて、Ｓ６０では、リフレッシュ処理部１６９は、式（２）を用いて、雰囲気温度Ｔｍにおける単位発生率を上限温度１０５℃における単位発生率に換算した、換算値Ｄｂｅｒ１０５（ｔｍ）を算出する。

続いて、Ｓ７０では、前回の処理サイクルにおいて算出された累積値Ｓｂｅｒ１０５に、Ｓ６０において算出した換算値Ｄｂｅｒ１０５（ｔｍ）を加算して、累積値Ｓｂｅｒ１０５を更新する。

続いて、Ｓ８０では、リフレッシュ処理部１６９は、Ｓ７０において更新した累積値Ｓｂｅｒ１０５が累積閾値Ｓｔｈよりも大きいか否か判定する。累積閾値Ｓｔｈは、上限温度１０５℃における訂正可能な累積エラー発生率の上限値に基づいた値である。累積閾値Ｓｔｈは、既知の上限値に対して余裕を考慮した値であり、例えば上限値の５０％の値である。リフレッシュ処理部１６９は、累積値Ｓｂｅｒが累積閾値Ｓｔｈ以下と判定した場合には、Ｓ１００の処理へ進み、累積値Ｓｂｅｒが累積閾値Ｓｔｈよりも大きいと判定した場合には、Ｓ９０の処理へ進む。

Ｓ９０では、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュ要求フラグＦ＿ｒｅを１にセットする。
続いて、Ｓ１００では、リフレッシュ処理部１６９は、電源回路１１を停止する。これにより、ロケータＥＣＵ１０はスリープ状態になる。そして、リフレッシュ処理部１６９は、Ｓ１０の処理へ戻り、新たにタイマのカウントを開始する。

次に、リフレッシュ処理部１６９が実行するリフレッシュ処理について、図７のフローチャートを参照して説明する。リフレッシュ処理部１６９は、車両のＡＣＣオン又はＩＧ信号オンのときに、所定周期でリフレッシュ処理を繰り返し実行する。

まず、Ｓ２１０では、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュ要求フラグＦ＿ｒｅ＝１且つタスクフラグＦ＿ｔａ＝０か否か判定する。タスクフラグＦ＿ｔａは、ロケータＥＣＵ１０の処理負荷が予め設定された負荷閾値以上の場合に１にセットされ、負荷閾値よりも低い場合に０にクリアされる。すなわち、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュ要求があり、且つ、ロケータＥＣＵ１０の処理負荷が比較的低いか否か判定する。

リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュ要求フラグＦ＿ｒｅ＝１且つタスクフラグＦ＿ｔａ＝０の場合に、Ｓ２２０の処理へ進み、それ以外の場合に待機する。
続いて、Ｓ２２０では、リフレッシュ処理部１６９は、すでにリフレッシュ中の場合には、後述する継続アドレスを読出す。

続いて、Ｓ２３０では、リフレッシュ処理部１６９は、ブロックデータ書込み処理を実行する。１つのブロックは、１つの不揮発性メモリチップ２２に相当する。リフレッシュ処理部１６９は、１つのブロックに記憶されているデータを別のブロックに移動させ、ブロック単位で書換えを実行する。

続いて、Ｓ２４０では、リフレッシュ処理部１６９は、旧ブロックのデータを消去する。すなわち、リフレッシュ処理部１６９は、Ｓ２３０において別のブロックへのデータの移動が完了した、元のブロックにおける移動対象のデータを消去する。
続いて、Ｓ２５０では、リフレッシュ処理部１６９は、次にデータを書込む対象のブロックを設定する。

続いて、Ｓ２６０では、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュを中断するか否か判定する。リフレッシュ処理部１６９は、ロケータＥＣＵ１０の処理負荷が比較的低い状態が継続されタスクフラグＦ＿ｔａがクリアされたままの場合には、リフレッシュを継続すると判定し、Ｓ２７０の処理へ進む。また、リフレッシュ処理部１６９は、ロケータＥＣＵ１０の処理負荷が上がりタスクフラグＦ＿ｔａが１にセットされている場合には、リフレッシュを中断すると判定し、Ｓ２９０の処理へ進む。

Ｓ２７０では、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュが終了したか否か判定する。すなわち、リフレッシュ処理部１６９は、すべてのブロックのデータ移動が完了したか否か判定する。リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュが終了していないと判定した場合には、Ｓ２３０の処理へ戻り、次のブロックに移動して、Ｓ２３０～Ｓ２６０の処理を実行する。

また、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュが終了したと判定した場合には、Ｓ２８０の処理へ進む。Ｓ２８０では、リフレッシュ処理部１６９は、リフレッシュ要求フラグＦ＿ｒｅをクリアして、本処理を終了する。

また、Ｓ２９０では、Ｓ２５０において設定した、次にデータを書き込む対象のブロックのアドレスを継続アドレスとして保存し、本処理を終了する。
＜４．効果＞
以上説明した本実施形態によれば以下の効果を奏する。

（１）予めロケータＥＣＵ１０を動作させ実際にｅＭＭＣ２０を使用した状況において、雰囲気温度別の増加特性が取得される。そして、設定期間ごとに、取得された増加特性と検出された雰囲気温度とから単位生率が算出され、単位発生率を累積した累積値が算出される。そして、累積値が累積閾値を超えた場合に、ｅＭＭＣ２０に記憶されているデータのリフレッシュが実行される。したがって、ｅＭＭＣ２０の使用状況に応じたデータの保持特性に基づいて、データの劣化を抑制することができる。

（２）雰囲気温度における単位発生率を、動作が保証されている上限温度における単位発生率に換算することで、データの劣化度合いを容易に判断することができる。
（３）評価データから雰囲気温度における単位発生率を上限温度１０５℃における単位発生率に換算するための換算係数ａが算出される。そして、算出された換算係数ａと、検出された雰囲気温度Ｔｍと上限温度１０５℃との差分と、予め得られている上限温度における単位発生率とから、単位発生率の換算値Ｄｂｅｒ１０５（ｔｍ）を算出することができる。

（４）単位発生率を上限温度における単位発生率に換算することにより、累積エラー発生率の訂正可能な上限値であって既知の上限値に基づいた累積閾値を用いて、リフレッシュを実行する必要があるか否かを判定することができる。これにより、必要以上のリフレッシュ回数の増加を抑制することができる。

（５）ロケータＥＣＵ１０の処理負荷が比較的低いときにｅＭＭＣ２０のリフレッシュを実行することにより、リフレッシュの実行によってロケータＥＣＵ１０における他の処理の実行が妨げられることを抑制できる。

（他の実施形態）
以上、本開示を実施するための形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。

（ａ）上記実施形態では、不揮発性メモリを有する機器が、車両に搭載されるロケータＥＣＵ１０であったが、本開示はこれに限定されるものではない。不揮発性メモリを有する機器は、例えば、ロケータＥＣＵ１０以外の車載機器、携帯端末、電子辞書などでもよい。本開示の不揮発性メモリを有する機器は、特に、地図データや辞書データなど膨大なデータが格納された機器で、且つ、使用温度範囲が広い機器に好適に適用できる。

（ｂ）上記実施形態における１つの構成要素が有する複数の機能を、複数の構成要素によって実現したり、１つの構成要素が有する１つの機能を、複数の構成要素によって実現したりしてもよい。また、複数の構成要素が有する複数の機能を、１つの構成要素によって実現したり、複数の構成要素によって実現される１つの機能を、１つの構成要素によって実現したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加又は置換してもよい。なお、特許請求の範囲に記載した文言のみによって特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。

（ｃ）上述した不揮発性メモリを有する機器の他、不揮発性メモリの制御方法など、種々の形態で本開示を実現することもできる。

１０…ロケータＥＣＵ、１６…制御回路、２０…ｅＭＭＣ、３０…温度検出部。

Claims (4)

1. 不揮発性メモリ（２０）を有する機器（１０）であって、
   前記不揮発性メモリの雰囲気温度を検出する温度検出部（３０）と、
   予め、前記機器を動作させた状況において、前記不揮発性メモリに記憶されたデータの経過時間に応じたエラー発生率の増加特性であって前記雰囲気温度別の増加特性を取得する取得部（１６）と、
   設定期間ごとに、前記取得部により取得された前記増加特性と、前記温度検出部により検出された前記雰囲気温度とを用いて、前記不揮発性メモリに記憶されているデータの単位時間あたりのエラー発生率である単位発生率を算出する発生率算出部（１６）と、
   前記発生率算出部により前記単位発生率が算出される都度、前記単位発生率を累積した累積値を算出する累積値算出部（１６）と、
   前記累積値算出部により算出された前記累積値が予め設定された累積閾値を超えた場合に、前記不揮発性メモリに記憶されたデータのリフレッシュを実行するリフレッシュ部（１６）と、を備え、
   前記発生率算出部は、前記温度検出部により検出された前記雰囲気温度における前記単位発生率を、前記不揮発性メモリの動作が保証されている上限温度における前記単位発生率に換算した換算値を、前記単位発生率として算出する、
   不揮発性メモリを有する機器。
2. 前記発生率算出部は、予め取得された評価データから前記雰囲気温度における前記単位発生率を前記上限温度における前記単位発生率に換算するための換算係数を算出し、算出した前記換算係数と、前記温度検出部により検出された前記雰囲気温度と前記上限温度との差分と、予め得られている前記上限温度における前記単位発生率とから、前記換算値を算出する、
   請求項１に記載の不揮発性メモリを有する機器。
3. 前記累積閾値は、既知である前記上限温度における累積エラー発生率の上限値に基づいた値である、
   請求項１又は２に記載の不揮発性メモリを有する機器。
4. 前記リフレッシュ部は、前記機器の処理負荷が予め設定された負荷閾値よりも低いときに、前記データのリフレッシュを実行する、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の不揮発性メモリを有する機器。

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