JP7068971B2 - Plasma processing equipment, temperature control method and temperature control program - Google Patents

Plasma processing equipment, temperature control method and temperature control program Download PDF

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Description

本発明の種々の側面および実施形態は、プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラムに関するものである。 Various aspects and embodiments of the present invention relate to plasma processing devices, temperature control methods and temperature control programs.

従来から、半導体ウエハ（以下「ウエハ」とも称する）などの被処理体に対してプラズマを用いて、エッチングなどのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が知られている。このプラズマ処理装置では、エッチングプロセスにおいて、ウエハの温度は、重要なパラメータの一つである。 Conventionally, a plasma processing apparatus that performs plasma processing such as etching by using plasma on an object to be processed such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as “wafer”) has been known. In this plasma processing apparatus, the temperature of the wafer is one of the important parameters in the etching process.

そこで、プラズマ処理装置では、ウエハを載置する載置台内に温度制御が可能なヒーターを埋め込み、ヒーターによってウエハの温度の制御する手法が提案されている。また、ヒーターによって加熱されたウエハの温度を予測する手法が提案されている。 Therefore, in the plasma processing apparatus, a method has been proposed in which a heater capable of temperature control is embedded in a mounting table on which a wafer is placed, and the temperature of the wafer is controlled by the heater. Further, a method of predicting the temperature of a wafer heated by a heater has been proposed.

特開２０１６－００１６８８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-001688 特開２００９－３０２３９０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-302390 特開２０１７－０１１１６９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-011169

しかしながら、プラズマ処理では、プラズマからウエハに向かって入熱がある。このため、プラズマ処理装置では、プラズマ処理中のウエハの温度を目標温度に精度よく制御できない場合がある。 However, in plasma processing, there is heat input from the plasma toward the wafer. Therefore, the plasma processing apparatus may not be able to accurately control the temperature of the wafer during plasma processing to the target temperature.

開示するプラズマ処理装置は、１つの実施態様において、載置台と、ヒーター制御部と、計測部と、パラメータ算出部と、設定温度算出部とを有する。載置台は、プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面の温度を調整可能なヒーターが設けられている。ヒーター制御部は、ヒーターが設定された設定温度となるようヒーターへの供給電力を制御する。計測部は、ヒーター制御部により、ヒーターの温度が一定となるようヒーターへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してからヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測する。パラメータ算出部は、プラズマからの入熱量および被処理体とヒーター間の熱抵抗をパラメータとし、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測部により計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、入熱量および熱抵抗を算出する。設定温度算出部は、パラメータ算出部により算出された入熱量および熱抵抗を用いて、被処理体が目標温度となるヒーターの設定温度を算出する。 The disclosed plasma processing apparatus has, in one embodiment, a mounting table, a heater control unit, a measurement unit, a parameter calculation unit, and a set temperature calculation unit. The mounting table is provided with a heater capable of adjusting the temperature of the mounting surface on which the object to be treated to be plasma-processed is placed. The heater control unit controls the power supply to the heater so that the heater reaches the set set temperature. The measuring unit controls the power supplied to the heater so that the temperature of the heater becomes constant by the heater control unit, and the unignited state in which the plasma is not ignited and the power supplied to the heater after igniting the plasma are controlled. Measure the power supply in a declining transition state. The parameter calculation unit uses the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the object to be processed and the heater as parameters, and the non-ignition state and transient state measured by the measurement unit for the calculation model that calculates the supply power in the transient state. Fitting is performed using the power supply of the above, and the amount of heat input and the thermal resistance are calculated. The set temperature calculation unit calculates the set temperature of the heater at which the object to be processed is the target temperature by using the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit.

開示するプラズマ処理装置の１つの態様によれば、プラズマ処理中の被処理体の温度を目標温度に精度よく制御できるという効果を奏する。 According to one aspect of the plasma processing apparatus disclosed, there is an effect that the temperature of the object to be processed during plasma processing can be accurately controlled to the target temperature.

図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to the first embodiment. 図２は、第１実施形態に係る載置台を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a mounting table according to the first embodiment. 図３は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置を制御する制御部の概略的な構成を示したブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a control unit that controls the plasma processing apparatus according to the first embodiment. 図４は、ウエハの温度に影響を与えるエネルギーの流れを模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing the flow of energy that affects the temperature of the wafer. 図５Ａは、未点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。FIG. 5A is a diagram schematically showing an energy flow in a non-ignited state. 図５Ｂは、点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。FIG. 5B is a diagram schematically showing the flow of energy in the ignition state. 図６は、ウエハＷの温度とヒーターＨＴへの供給電力の変化の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of changes in the temperature of the wafer W and the power supplied to the heater HT. 図７は、点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing the flow of energy in the ignition state. 図８は、第１実施形態に係る温度制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing an example of the flow of the temperature control method according to the first embodiment. 図９は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置を制御する制御部の概略的な構成を示したブロック図である。FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of a control unit that controls the plasma processing apparatus according to the second embodiment. 図１０は、ウエハの温度の変化を模式的に示した図である。FIG. 10 is a diagram schematically showing a change in the temperature of the wafer. 図１１は、第２実施形態に係る温度制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart showing an example of the flow of the temperature control method according to the second embodiment.

以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラムの実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。また、実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。 Hereinafter, embodiments of the plasma processing apparatus, temperature control method, and temperature control program disclosed in the present application will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts in each drawing. Further, the invention to be disclosed is not limited depending on the embodiment. Each embodiment can be appropriately combined as long as the processing contents do not contradict each other.

（第１実施形態）
［プラズマ処理装置の構成］
最初に、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１には、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１０の縦断面における構造が概略的に示されている。図１に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置である。このプラズマ処理装置１０は、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されている。また、処理容器１２の表面は、陽極酸化処理が施されている。 (First Embodiment)
[Plasma processing equipment configuration]
First, the configuration of the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment will be described. FIG. 1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 1 schematically shows a structure in a vertical cross section of the plasma processing apparatus 10 according to the first embodiment. The plasma processing apparatus 10 shown in FIG. 1 is a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus. The plasma processing apparatus 10 includes a processing container 12 having a substantially cylindrical shape. The processing container 12 is made of, for example, aluminum. Further, the surface of the processing container 12 is anodized.

処理容器１２内には、載置台１６が設けられている。載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を含んでいる。静電チャック１８の上面は、プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面とされている。本実施形態では、被処理体としてウエハＷが静電チャック１８の上面に載置される。基台２０は、略円盤形状を有しており、その主部において、例えばアルミニウムといった導電性の金属から構成されている。この基台２０は、下部電極を構成している。基台２０は、支持部１４によって支持されている。支持部１４は、処理容器１２の底部から延びる円筒状の部材である。 A mounting table 16 is provided in the processing container 12. The mounting table 16 includes an electrostatic chuck 18 and a base 20. The upper surface of the electrostatic chuck 18 is a mounting surface on which the object to be treated to be plasma-processed is placed. In the present embodiment, the wafer W is placed on the upper surface of the electrostatic chuck 18 as the object to be processed. The base 20 has a substantially disk shape, and its main portion is made of a conductive metal such as aluminum. The base 20 constitutes a lower electrode. The base 20 is supported by the support portion 14. The support portion 14 is a cylindrical member extending from the bottom of the processing container 12.

基台２０には、整合器ＭＵ１を介して第１の高周波電源ＨＦＳが電気的に接続されている。第１の高周波電源ＨＦＳは、プラズマ生成用の高周波電力を発生する電源であり、２７～１００ＭＨｚの周波数、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力を発生する。これにより、基台２０直上にプラズマが生成される。整合器ＭＵ１は、第１の高周波電源ＨＦＳの出力インピーダンスと負荷側（基台２０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。 A first high frequency power supply HFS is electrically connected to the base 20 via the matching unit MU1. The first high-frequency power source HFS is a power source that generates high-frequency power for plasma generation, and generates high-frequency power of 27 to 100 MHz, for example, 40 MHz. As a result, plasma is generated directly above the base 20. The matching device MU1 has a circuit for matching the output impedance of the first high frequency power supply HFS with the input impedance on the load side (base 20 side).

また、基台２０には、整合器ＭＵ２を介して第２の高周波電源ＬＦＳが電気的に接続されている。第２の高周波電源ＬＦＳは、ウエハＷにイオンを引き込むための高周波電力（高周波バイアス電力）を発生して、当該高周波バイアス電力を基台２０に供給する。これにより、基台２０にバイアス電位が生じる。高周波バイアス電力の周波数は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であり、一例においては３ＭＨｚである。整合器ＭＵ２は、第２の高周波電源ＬＦＳの出力インピーダンスと負荷側（基台２０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。 Further, a second high frequency power supply LFS is electrically connected to the base 20 via the matching unit MU2. The second high-frequency power supply LFS generates high-frequency power (high-frequency bias power) for drawing ions into the wafer W, and supplies the high-frequency bias power to the base 20. As a result, a bias potential is generated in the base 20. The frequency of the high frequency bias power is a frequency in the range of 400 kHz to 13.56 MHz, and in one example, it is 3 MHz. The matching device MU2 has a circuit for matching the output impedance of the second high-frequency power supply LFS with the input impedance on the load side (base 20 side).

基台２０上には、静電チャック１８が設けられている。静電チャック１８は、クーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着し、当該ウエハＷを保持する。静電チャック１８は、セラミック製の本体部内に静電吸着用の電極Ｅ１を有している。電極Ｅ１には、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２が電気的に接続されている。ウエハＷを保持する吸着力は、直流電源２２から印加される直流電圧の値に依存する。 An electrostatic chuck 18 is provided on the base 20. The electrostatic chuck 18 attracts the wafer W by an electrostatic force such as Coulomb force and holds the wafer W. The electrostatic chuck 18 has an electrode E1 for electrostatic adsorption in a ceramic main body. A DC power supply 22 is electrically connected to the electrode E1 via the switch SW1. The adsorption force for holding the wafer W depends on the value of the DC voltage applied from the DC power supply 22.

基台２０の上面の上、且つ、静電チャック１８の周囲には、フォーカスリングＦＲが設けられている。フォーカスリングＦＲは、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、実行すべきプラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されており、例えば、シリコン、または石英から構成され得る。 A focus ring FR is provided on the upper surface of the base 20 and around the electrostatic chuck 18. The focus ring FR is provided to improve the uniformity of plasma processing. The focus ring FR is made of a material appropriately selected according to the plasma treatment to be performed, and may be made of, for example, silicon or quartz.

基台２０の内部には、冷媒流路２４が形成されている。冷媒流路２４には、処理容器１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻るようになっている。なお、この基台２０および静電チャック１８を含む載置台１６の詳細については、後述する。 A refrigerant flow path 24 is formed inside the base 20. Refrigerant is supplied to the refrigerant flow path 24 from a chiller unit provided outside the processing container 12 via a pipe 26a. The refrigerant supplied to the refrigerant flow path 24 returns to the chiller unit via the pipe 26b. The details of the mounting table 16 including the base 20 and the electrostatic chuck 18 will be described later.

処理容器１２内には、上部電極３０が設けられている。この上部電極３０は、載置台１６の上方において、基台２０と対向配置されており、基台２０と上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。 An upper electrode 30 is provided in the processing container 12. The upper electrode 30 is arranged above the mounting table 16 so as to face the base 20, and the base 20 and the upper electrode 30 are provided substantially parallel to each other.

上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４および電極支持体３６を含み得る。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａを提供している。この電極板３４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体から構成され得る。 The upper electrode 30 is supported on the upper part of the processing container 12 via the insulating shielding member 32. The upper electrode 30 may include an electrode plate 34 and an electrode support 36. The electrode plate 34 faces the processing space S and provides a plurality of gas discharge holes 34a. The electrode plate 34 may be made of a low resistance conductor or semiconductor having low Joule heat.

電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、電極支持体３６にはガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。 The electrode support 36 supports the electrode plate 34 in a detachable manner, and may be made of a conductive material such as aluminum. The electrode support 36 may have a water-cooled structure. A gas diffusion chamber 36a is provided inside the electrode support 36. From the gas diffusion chamber 36a, a plurality of gas flow holes 36b communicating with the gas discharge holes 34a extend downward. Further, the electrode support 36 is formed with a gas introduction port 36c for guiding the processing gas to the gas diffusion chamber 36a, and a gas supply pipe 38 is connected to the gas introduction port 36c.

ガス供給管３８には、バルブ群４２および流量制御器群４４を介してガスソース群４０が接続されている。バルブ群４２は複数の開閉バルブを有しており、流量制御器群４４は、マスフローコントローラといった複数の流量制御器を有している。また、ガスソース群４０は、プラズマ処理に必要な複数種のガス用のガスソースを有している。ガスソース群４０の複数のガスソースは、対応の開閉バルブおよび対応のマスフローコントローラを介してガス供給管３８に接続されている。 A gas source group 40 is connected to the gas supply pipe 38 via a valve group 42 and a flow rate controller group 44. The valve group 42 has a plurality of open / close valves, and the flow rate controller group 44 has a plurality of flow rate controllers such as a mass flow controller. Further, the gas source group 40 has gas sources for a plurality of types of gases necessary for plasma treatment. A plurality of gas sources of the gas source group 40 are connected to the gas supply pipe 38 via a corresponding open / close valve and a corresponding mass flow controller.

プラズマ処理装置１０では、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからの一以上のガスが、ガス供給管３８に供給される。ガス供給管３８に供給されたガスは、ガス拡散室３６ａに至り、ガス通流孔３６ｂおよびガス吐出孔３４ａを介して処理空間Ｓに吐出される。 In the plasma processing apparatus 10, one or more gases from one or more gas sources selected from the plurality of gas sources in the gas source group 40 are supplied to the gas supply pipe 38. The gas supplied to the gas supply pipe 38 reaches the gas diffusion chamber 36a and is discharged to the processing space S through the gas flow hole 36b and the gas discharge hole 34a.

また、図１に示すように、プラズマ処理装置１０は、接地導体１２ａを更に備え得る。接地導体１２ａは、略円筒状の接地導体であり、処理容器１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。 Further, as shown in FIG. 1, the plasma processing device 10 may further include a ground conductor 12a. The grounding conductor 12a is a substantially cylindrical grounding conductor, and is provided so as to extend above the height position of the upper electrode 30 from the side wall of the processing container 12.

また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。また、デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。 Further, in the plasma processing apparatus 10, a depot shield 46 is detachably provided along the inner wall of the processing container 12. The depot shield 46 is also provided on the outer periphery of the support portion 14. The depot shield 46 prevents etching by-products (depots) from adhering to the processing container 12, and can be configured by coating an aluminum material with ceramics such as Y2O3.

処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。この排気プレート４８の下方において処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧することができる。また、処理容器１２の側壁にはウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。 On the bottom side of the processing container 12, an exhaust plate 48 is provided between the support portion 14 and the inner wall of the processing container 12. The exhaust plate 48 may be configured, for example, by coating an aluminum material with ceramics such as Y2O3. Below the exhaust plate 48, the processing container 12 is provided with an exhaust port 12e. An exhaust device 50 is connected to the exhaust port 12e via an exhaust pipe 52. The exhaust device 50 has a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and can reduce the pressure inside the processing container 12 to a desired degree of vacuum. Further, a carry-in outlet 12 g of the wafer W is provided on the side wall of the processing container 12, and the carry-in outlet 12 g can be opened and closed by the gate valve 54.

上記のように構成されたプラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、その動作が統括的に制御される。この制御部１００は、例えば、コンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。プラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、その動作が統括的に制御される。 The operation of the plasma processing apparatus 10 configured as described above is collectively controlled by the control unit 100. The control unit 100 is, for example, a computer and controls each unit of the plasma processing apparatus 10. The operation of the plasma processing device 10 is collectively controlled by the control unit 100.

［載置台の構成］
次に、載置台１６について詳細に説明する。図２は、第１実施形態に係る載置台を示す平面図である。上述したように載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を有している。静電チャック１８は、セラミック製の本体部１８ｍを有している。本体部１８ｍは、略円盤形状を有している。本体部１８ｍは、載置領域１８ａおよび外周領域１８ｂを提供している。載置領域１８ａは、平面視において略円形の領域である。この載置領域１８ａの上面上には、ウエハＷが載置される。すなわち、載置領域１８ａの上面は、ウエハＷが載置される載置面として機能する。載置領域１８ａの直径は、ウエハＷと略同一の直径であるか、或いは、ウエハＷの直径よりも若干小さくなっている。外周領域１８ｂは、この載置領域１８ａを囲む領域であり、略環状に延在している。本実施形態では、外周領域１８ｂの上面は、載置領域１８ａの上面より低い位置にある。 [Configuration of mounting table]
Next, the mounting table 16 will be described in detail. FIG. 2 is a plan view showing a mounting table according to the first embodiment. As described above, the mounting table 16 has an electrostatic chuck 18 and a base 20. The electrostatic chuck 18 has a ceramic main body portion 18 m. The main body portion 18 m has a substantially disk shape. The main body portion 18m provides a mounting area 18a and an outer peripheral area 18b. The mounting region 18a is a substantially circular region in a plan view. The wafer W is mounted on the upper surface of the mounting region 18a. That is, the upper surface of the mounting area 18a functions as a mounting surface on which the wafer W is mounted. The diameter of the mounting region 18a is substantially the same as the diameter of the wafer W, or is slightly smaller than the diameter of the wafer W. The outer peripheral region 18b is a region surrounding the mounting region 18a and extends in a substantially annular shape. In the present embodiment, the upper surface of the outer peripheral region 18b is located lower than the upper surface of the mounting region 18a.

図２に示すように、静電チャック１８は、載置領域１８ａ内に静電吸着用の電極Ｅ１を有している。この電極Ｅ１は、上述したように、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２に接続されている。 As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 18 has an electrode E1 for electrostatic adsorption in the mounting region 18a. As described above, the electrode E1 is connected to the DC power supply 22 via the switch SW1.

また、載置領域１８ａ内、且つ、電極Ｅ１の下方には、複数のヒーターＨＴが設けられている。本実施形態では、載置領域１８ａは、複数の分割領域に分割され、それぞれの分割領域にヒーターＨＴが設けられている。例えば、図２に示すように、載置領域１８ａの中央の円形領域内、および、当該円形領域を囲む同心状の複数の環状領域に、複数のヒーターＨＴが設けられている。また、複数の環状領域のそれぞれにおいては、複数のヒーターＨＴが周方向に配列されている。なお、図２に示す分割領域の分割手法は、一例であり、これに限定されるものではない。載置領域１８ａは、より多くの分割領域に分割してもよい。例えば、載置領域１８ａは、外周に近いほど、角度幅が小さく、径方向の幅が狭い分割領域に分割してもよい。ヒーターＨＴは、基台２０の外周部分に設けられた不図示の配線を介して、図１に示す、ヒーター電源ＨＰに個別に接続されている。ヒーター電源ＨＰは、制御部１００から制御の元、各ヒーターＨＴに個別に調整された電力を供給する。これにより、各ヒーターＨＴが発する熱が個別に制御され、載置領域１８ａ内の複数の分割領域の温度が個別に調整される。 Further, a plurality of heater HTs are provided in the mounting area 18a and below the electrode E1. In the present embodiment, the mounting region 18a is divided into a plurality of divided regions, and a heater HT is provided in each divided region. For example, as shown in FIG. 2, a plurality of heater HTs are provided in a central circular region of the mounting region 18a and in a plurality of concentric annular regions surrounding the circular region. Further, in each of the plurality of annular regions, a plurality of heater HTs are arranged in the circumferential direction. The method for dividing the divided area shown in FIG. 2 is an example, and is not limited thereto. The mounting area 18a may be divided into more divided areas. For example, the mounting region 18a may be divided into division regions having a smaller angular width and a narrower radial width as they are closer to the outer circumference. The heater HT is individually connected to the heater power supply HP shown in FIG. 1 via a wiring (not shown) provided on the outer peripheral portion of the base 20. The heater power supply HP supplies individually adjusted electric power to each heater HT under the control of the control unit 100. As a result, the heat generated by each heater HT is individually controlled, and the temperature of the plurality of divided regions in the mounting region 18a is individually adjusted.

ヒーター電源ＨＰには、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を検出する電力検出部ＰＤが設けられている。なお、電力検出部ＰＤは、ヒーター電源ＨＰとは別に、ヒーター電源ＨＰから各ヒーターＨＴへの電力が流れる配線に設けてもよい。電力検出部ＰＤは、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を検出する。例えば、電力検出部ＰＤは、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力として、電力量［Ｗ］を検出する。ヒーターＨＴは、電力量に応じて発熱する。このため、ヒーターＨＴへ供給する電力量は、ヒータパワーを表す。電力検出部ＰＤは、検出した各ヒーターＨＴへの供給電力を示す電力データを制御部１００に通知する。 The heater power supply HP is provided with a power detection unit PD that detects the power supplied to each heater HT. In addition to the heater power supply HP, the power detection unit PD may be provided in the wiring through which power flows from the heater power supply HP to each heater HT. The power detection unit PD detects the power supplied to each heater HT. For example, the power detection unit PD detects the electric energy [W] as the power supplied to each heater HT. The heater HT generates heat according to the amount of electric power. Therefore, the amount of electric power supplied to the heater HT represents the heater power. The power detection unit PD notifies the control unit 100 of power data indicating the power supplied to each of the detected heater HTs.

また、載置台１６は、載置領域１８ａの各分割領域に、それぞれヒーターＨＴの温度が検出可能な不図示の温度センサが設けられている。温度センサは、ヒーターＨＴとは別に温度を測定することができる素子であってもよい。また、温度センサは、ヒーターＨＴへの電力が流れる配線に配置され、主な金属の電気抵抗は温度上昇に比例して増大する性質であることを利用して、ヒーターＨＴにかかる電圧、電流を測定することから求められる抵抗値から温度を検出してもよい。各温度センサにより検出されたセンサ値は、温度測定器ＴＤに送られる。温度測定器ＴＤは、各センサ値から載置領域１８ａの各分割領域の温度を測定する。温度測定器ＴＤは、載置領域１８ａの各分割領域の温度を示す温度データを制御部１００に通知する。 Further, the mounting table 16 is provided with a temperature sensor (not shown) capable of detecting the temperature of the heater HT in each divided region of the mounting region 18a. The temperature sensor may be an element capable of measuring the temperature separately from the heater HT. Further, the temperature sensor is arranged in the wiring through which the electric power to the heater HT flows, and the electric resistance of the main metal increases in proportion to the temperature rise, so that the voltage and the current applied to the heater HT can be measured. The temperature may be detected from the resistance value obtained from the measurement. The sensor value detected by each temperature sensor is sent to the temperature measuring instrument TD. The temperature measuring device TD measures the temperature of each divided region of the mounting region 18a from each sensor value. The temperature measuring device TD notifies the control unit 100 of temperature data indicating the temperature of each divided region of the mounting region 18a.

さらに、図示しない伝熱ガス供給機構およびガス供給ラインによって伝熱ガス、例えばＨｅガスが静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給されてもよい。 Further, a heat transfer gas, for example, He gas, may be supplied between the upper surface of the electrostatic chuck 18 and the back surface of the wafer W by a heat transfer gas supply mechanism and a gas supply line (not shown).

［制御部の構成］
次に、制御部１００について詳細に説明する。図３は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置を制御する制御部の概略的な構成を示したブロック図である。制御部１００は、外部インターフェース１０１と、プロセスコントローラ１０２と、ユーザインターフェース１０３と、記憶部１０４とが設けられている。 [Control unit configuration]
Next, the control unit 100 will be described in detail. FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a control unit that controls the plasma processing apparatus according to the first embodiment. The control unit 100 is provided with an external interface 101, a process controller 102, a user interface 103, and a storage unit 104.

外部インターフェース１０１は、プラズマ処理装置１０の各部と通信可能とされ、各種のデータを入出力する。例えば、外部インターフェース１０１には、電力検出部ＰＤから各ヒーターＨＴへの供給電力を示す電力データが入力する。また、外部インターフェース１０１には、温度測定器ＴＤから載置領域１８ａの各分割領域の温度を示す温度データが入力する。また、外部インターフェース１０１は、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を制御する制御データをヒーター電源ＨＰへ出力する。 The external interface 101 is capable of communicating with each part of the plasma processing device 10, and inputs and outputs various data. For example, power data indicating the power supplied from the power detection unit PD to each heater HT is input to the external interface 101. Further, temperature data indicating the temperature of each divided region of the mounting region 18a is input from the temperature measuring instrument TD to the external interface 101. Further, the external interface 101 outputs control data for controlling the supply power supplied to each heater HT to the heater power supply HP.

プロセスコントローラ１０２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を備えプラズマ処理装置１０の各部を制御する。 The process controller 102 includes a CPU (Central Processing Unit) and controls each part of the plasma processing device 10.

ユーザインターフェース１０３は、工程管理者がプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１０の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。 The user interface 103 includes a keyboard for a process manager to input commands for managing the plasma processing device 10, a display for visualizing and displaying the operating status of the plasma processing device 10, and the like.

記憶部１０４には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ１０２の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や、処理条件データ等が記憶されたレシピ、およびプラズマ処理を行う上での装置やプロセスに関するパラメータ等が格納されている。なお、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読み取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＤＶＤなどの光ディスク、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。 The storage unit 104 stores a control program (software) for realizing various processes executed by the plasma processing device 10 under the control of the process controller 102, a recipe in which processing condition data and the like are stored, and plasma processing. It stores parameters related to equipment and processes for performing. For the recipes such as control programs and processing condition data, those stored in a computer-readable computer recording medium (for example, a hard disk, an optical disk such as a DVD, a flexible disk, a semiconductor memory, etc.) may be used. Alternatively, it can be transmitted online at any time from another device, for example, via a dedicated line.

プロセスコントローラ１０２は、プログラムやデータを格納するための内部メモリを有し、記憶部１０４に記憶された制御プログラムを読み出し、読み出した制御プログラムの処理を実行する。プロセスコントローラ１０２は、制御プログラムが動作することにより各種の処理部として機能する。例えば、プロセスコントローラ１０２は、ヒーター制御部１０２ａと、計測部１０２ｂと、パラメータ算出部１０２ｃと、設定温度算出部１０２ｄと、アラート部１０２ｅの機能を有する。なお、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０では、プロセスコントローラ１０２が、ヒーター制御部１０２ａ、計測部１０２ｂ、パラメータ算出部１０２ｃ、設定温度算出部１０２ｄおよびアラート部１０２ｅの機能を有する場合を例に説明するが、ヒーター制御部１０２ａ、計測部１０２ｂ、パラメータ算出部１０２ｃ、設定温度算出部１０２ｄおよびアラート部１０２ｅの機能を複数のコントローラで分散して実現してもよい。 The process controller 102 has an internal memory for storing programs and data, reads the control program stored in the storage unit 104, and executes the processing of the read control program. The process controller 102 functions as various processing units by operating the control program. For example, the process controller 102 has functions of a heater control unit 102a, a measurement unit 102b, a parameter calculation unit 102c, a set temperature calculation unit 102d, and an alert unit 102e. In the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, a case where the process controller 102 has the functions of the heater control unit 102a, the measurement unit 102b, the parameter calculation unit 102c, the set temperature calculation unit 102d, and the alert unit 102e will be described as an example. However, the functions of the heater control unit 102a, the measurement unit 102b, the parameter calculation unit 102c, the set temperature calculation unit 102d, and the alert unit 102e may be distributed and realized by a plurality of controllers.

ところで、プラズマ処理では、ウエハＷの温度によって処理の進行が変化する。例えば、プラズマエッチングでは、ウエハＷの温度によってエッチングの進行速度が変化する。そこで、プラズマ処理装置１０では、各ヒーターＨＴによって、ウエハＷの温度を目標温度に制御することが考えられる。 By the way, in plasma processing, the progress of processing changes depending on the temperature of the wafer W. For example, in plasma etching, the etching progress rate changes depending on the temperature of the wafer W. Therefore, in the plasma processing apparatus 10, it is conceivable to control the temperature of the wafer W to the target temperature by each heater HT.

しかし、プラズマ処理では、プラズマからウエハＷに向かって入熱がある。このため、プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できない場合がある。 However, in the plasma processing, heat is input from the plasma toward the wafer W. Therefore, the plasma processing apparatus 10 may not be able to accurately control the temperature of the wafer W during plasma processing to the target temperature.

ウエハＷの温度に影響を与えるエネルギーの流れを説明する。図４は、ウエハの温度に影響を与えるエネルギーの流れを模式的に示す図である。図４には、ウエハＷや、静電チャック（ＥＳＣ）１８を含む載置台１６が簡略化して示されている。図４の例は、静電チャック１８の載置領域１８ａの１つの分割領域について、ウエハＷの温度に影響を与えるエネルギーの流れを示している。載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を有している。静電チャック１８と基台２０は、接着層１９により接着されている。静電チャック１８の載置領域１８ａの内部には、ヒーターＨＴが設けられている。基台２０の内部には、冷媒が流れる冷媒流路２４が形成されている。 The flow of energy that affects the temperature of the wafer W will be described. FIG. 4 is a diagram schematically showing the flow of energy that affects the temperature of the wafer. FIG. 4 shows the wafer W and the mounting table 16 including the electrostatic chuck (ESC) 18 in a simplified manner. The example of FIG. 4 shows the flow of energy that affects the temperature of the wafer W with respect to one divided region of the mounting region 18a of the electrostatic chuck 18. The mounting table 16 has an electrostatic chuck 18 and a base 20. The electrostatic chuck 18 and the base 20 are bonded by an adhesive layer 19. A heater HT is provided inside the mounting area 18a of the electrostatic chuck 18. A refrigerant flow path 24 through which the refrigerant flows is formed inside the base 20.

ヒーターＨＴは、ヒーター電源ＨＰから供給される供給電力に応じて発熱し、温度が上昇する。図４では、ヒーターＨＴへ供給される供給電力をヒータパワーＰｈとして示している。また、ヒーターＨＴでは、ヒータパワーＰｈを静電チャック１８のヒーターＨＴが設けられている領域の面積Ａで割った単位面積当たりの発熱量（熱流束）ｑｈが生じる。 The heater HT generates heat according to the power supplied from the heater power supply HP, and the temperature rises. In FIG. 4, the power supplied to the heater HT is shown as the heater power Ph . Further, in the heater HT, the calorific value (heat flux) q h per unit area is generated by dividing the heater power Ph by the area A of the region where the heater HT of the electrostatic chuck 18 is provided.

また、プラズマ処理を行っている場合、ウエハＷは、プラズマからの入熱により、温度が上昇する。図４では、プラズマからウエハＷへの入熱量をウエハＷの面積で割った単位面積当たりのプラズマからの熱流束ｑｐとして示している。 Further, when the plasma treatment is performed, the temperature of the wafer W rises due to the heat input from the plasma. In FIG. 4, the amount of heat input from the plasma to the wafer W is divided by the area of the wafer W and shown as the heat flux qp from the plasma per unit area.

プラズマからの入熱は、主にウエハＷへの照射されるプラズマ中のイオンの量と、プラズマ中のイオンをウエハＷに引き込むためのバイアス電位との積に比例することが知られている。ウエハＷへの照射されるプラズマ中のイオンの量は、プラズマの電子密度に比例する。プラズマの電子密度は、プラズマの生成で印加する第１の高周波電源ＨＦＳからの高周波電力ＨＦＳのパワーに比例する。また、プラズマの電子密度は、処理容器１２内の圧力に依存する。プラズマ中のイオンをウエハＷに引き込むためのバイアス電位は、バイアス電位の発生で印加する第２の高周波電源ＬＦＳからの高周波電力ＬＦＳのパワーに比例する。また、プラズマ中のイオンをウエハＷに引き込むためのバイアス電位は、処理容器１２内の圧力に依存する。なお、高周波電力ＬＦＳが載置台１２に印加されていない場合、プラズマが生成された時に生じるプラズマの電位（プラズマポテンシャル）と載置台１２の電位差によって、イオンが載置台へ引き込まれる。 It is known that the heat input from the plasma is mainly proportional to the product of the amount of ions in the plasma irradiated to the wafer W and the bias potential for drawing the ions in the plasma into the wafer W. The amount of ions in the plasma irradiated to the wafer W is proportional to the electron density of the plasma. The electron density of the plasma is proportional to the power of the high frequency power HFS from the first high frequency power source HFS applied in the generation of the plasma. Further, the electron density of the plasma depends on the pressure in the processing container 12. The bias potential for drawing the ions in the plasma into the wafer W is proportional to the power of the high frequency power LFS from the second high frequency power supply LFS applied by the generation of the bias potential. Further, the bias potential for drawing the ions in the plasma into the wafer W depends on the pressure in the processing container 12. When the high frequency power LFS is not applied to the mounting table 12, ions are drawn into the mounting table by the potential difference between the plasma potential (plasma potential) generated when the plasma is generated and the mounting table 12.

また、プラズマからの入熱は、プラズマの発光による加熱やプラズマ中の電子やラジカルによるウエハＷへの照射、イオンとラジカルによるウエハＷ上の表面反応などが含まれる。これらの成分も交流電力のパワーや圧力に依存する。プラズマからの入熱は、その他、プラズマ生成に関わる装置パラメータ、例えば、載置台１６と上部電極３０との間隔距離や処理空間Ｓに供給されるガス種に依存する。 Further, the heat input from the plasma includes heating by light emission of plasma, irradiation of the wafer W by electrons and radicals in the plasma, surface reaction on the wafer W by ions and radicals, and the like. These components also depend on the power and pressure of AC power. The heat input from the plasma also depends on the device parameters related to plasma generation, for example, the distance between the mounting table 16 and the upper electrode 30 and the gas type supplied to the processing space S.

ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８に伝わる。ここで、静電チャック１８には、ウエハＷの熱が全て伝わるわけではなく、ウエハＷと静電チャック１８との接触度合など、熱の伝わり難さに応じて静電チャック１８に熱が伝わる。熱の伝わり難さ、すなわち熱抵抗は、熱の伝熱方向に対する断面積に反比例する。このため、図４では、ウエハＷから静電チャック１８の表面への熱の伝わり難さを、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａとして示している。なお、Ａは、ヒーターＨＴが設けられている領域の面積である。Ｒｔｈは、ヒーターＨＴが設けられている領域全体における熱抵抗である。また、図４では、ウエハＷから静電チャック１８表面への入熱量を、ウエハＷから静電チャック１８表面への単位面積当たりの熱流束ｑとして示している。なお、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａは、静電チャック１８の表面状態、ウエハＷを保持するために直流電源２２から印加される直流電圧の値、および静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給される伝熱ガスの圧力に依存する。また、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａは、その他、熱抵抗もしくは熱伝導率に関与する装置パラメータにも依存する。 The heat transferred to the wafer W is transferred to the electrostatic chuck 18. Here, not all the heat of the wafer W is transferred to the electrostatic chuck 18, but the heat is transferred to the electrostatic chuck 18 according to the difficulty of heat transfer such as the degree of contact between the wafer W and the electrostatic chuck 18. .. The difficulty of heat transfer, that is, thermal resistance, is inversely proportional to the cross-sectional area of heat in the heat transfer direction. Therefore, in FIG. 4, the difficulty of heat transfer from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18 is shown as the thermal resistance Rth · A per unit area between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18. .. Note that A is the area of the area where the heater HT is provided. R th is the thermal resistance in the entire region where the heater HT is provided. Further, in FIG. 4, the amount of heat input from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18 is shown as the heat flux q per unit area from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18. The thermal resistance Rth / A per unit area between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 is the surface state of the electrostatic chuck 18 and the DC voltage applied from the DC power supply 22 to hold the wafer W. It depends on the value and the pressure of the heat transfer gas supplied between the upper surface of the electrostatic chuck 18 and the back surface of the wafer W. In addition, the thermal resistance Rth · A also depends on the device parameters involved in the thermal resistance or the thermal conductivity.

静電チャック１８の表面に伝わった熱は、静電チャック１８の温度を上昇させ、さらに、ヒーターＨＴに伝わる。図４では、静電チャック１８表面からヒーターＨＴへの入熱量を、静電チャック１８表面からヒーターＨＴへの単位面積当たりの熱流束ｑｃとして示している。 The heat transferred to the surface of the electrostatic chuck 18 raises the temperature of the electrostatic chuck 18 and is further transferred to the heater HT. In FIG. 4, the amount of heat input from the surface of the electrostatic chuck 18 to the heater HT is shown as the heat flux qc per unit area from the surface of the electrostatic chuck 18 to the heater HT.

一方、基台２０は、冷媒流路２４を流れる冷媒により冷却され、接触する静電チャック１８を冷却する。このとき、図４では、接着層１９を通過して静電チャック１８の裏面から基台２０への抜熱量を、静電チャック１８の裏面から基台２０への単位面積当たりの熱流束ｑsusとして示している。これにより、ヒーターＨＴは、抜熱によって冷却され、温度が低下する。 On the other hand, the base 20 is cooled by the refrigerant flowing in the refrigerant flow path 24, and cools the electrostatic chuck 18 in contact with the base 20. At this time, in FIG. 4, the amount of heat extracted from the back surface of the electrostatic chuck 18 to the base 20 through the adhesive layer 19 is measured by the heat flux q sus per unit area from the back surface of the electrostatic chuck 18 to the base 20. It is shown as. As a result, the heater HT is cooled by removing heat, and the temperature drops.

ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴは、ヒーターＨＴに伝わる熱の入熱量およびヒーターＨＴで発生する発熱量の総和と、ヒーターＨＴから抜熱される抜熱量とが等しい状態となる。例えば、プラズマを点火して無い未点火状態では、ヒーターＨＴで発生する発熱量と、ヒーターＨＴから抜熱される抜熱量とが等しい状態となる。図５Ａは、未点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。図５Ａの例では、基台２０から冷却により、ヒーターＨＴから「１００」の熱量が抜熱されている。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「１００」の熱量が発生する。 When the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater HT has a sum of the amount of heat input to the heater HT and the amount of heat generated by the heater HT, and the amount of heat removed from the heater HT. It will be in the same state. For example, in the non-ignited state in which the plasma is not ignited, the amount of heat generated by the heater HT and the amount of heat removed from the heater HT are equal to each other. FIG. 5A is a diagram schematically showing an energy flow in a non-ignited state. In the example of FIG. 5A, the amount of heat of "100" is removed from the heater HT by cooling from the base 20. For example, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, a heat amount of "100" is generated in the heater HT by the heater power Ph from the heater power supply HP.

一方、例えば、プラズマを点火した点火状態では、ヒーターＨＴに入熱する熱量およびヒーターＨＴで発生する熱量の総和と、ヒーターＨＴから抜熱される抜熱量とが等しい状態となる。図５Ｂは、点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。ここで、点火状態には、過度状態と定常状態とがある。過度状態は、例えば、ウエハＷや静電チャック１８に対する入熱量が抜熱量よりも多く、ウエハＷや静電チャック１８の温度が経時的に上昇傾向となる状態である。定常状態は、ウエハＷや静電チャック１８の入熱量と抜熱量が等しくなり、ウエハＷや静電チャック１８の温度に経時的な上昇傾向がなくなり、温度が略一定となった状態である。 On the other hand, for example, in the ignition state in which the plasma is ignited, the total amount of heat input to the heater HT and the amount of heat generated by the heater HT is equal to the amount of heat removed from the heater HT. FIG. 5B is a diagram schematically showing the flow of energy in the ignition state. Here, the ignition state includes an excessive state and a steady state. The excessive state is, for example, a state in which the amount of heat input to the wafer W or the electrostatic chuck 18 is larger than the amount of heat removed, and the temperature of the wafer W or the electrostatic chuck 18 tends to rise with time. In the steady state, the amount of heat input and the amount of heat removed from the wafer W and the electrostatic chuck 18 are equal to each other, the temperature of the wafer W and the electrostatic chuck 18 does not tend to rise with time, and the temperature is substantially constant.

図５Ｂの例でも、基台２０から冷却により、ヒーターＨＴから「１００」の熱量が抜熱されている。点火状態の場合、ウエハＷは、定常状態となるまで、プラズマからの入熱により温度が上昇する。ヒーターＨＴには、静電チャック１８を介してウエハＷから熱が伝わる。上述のように、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴに入熱される熱量とヒーターＨＴから抜熱される熱量は、等しい状態となる。ヒーターＨＴは、ヒーターＨＴの温度を一定に維持するために必要な熱量が低下する。このため、ヒーターＨＴへの供給電力が低下する。 Also in the example of FIG. 5B, the amount of heat of "100" is removed from the heater HT by cooling from the base 20. In the ignition state, the temperature of the wafer W rises due to heat input from the plasma until it reaches a steady state. Heat is transferred from the wafer W to the heater HT via the electrostatic chuck 18. As described above, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the amount of heat input to the heater HT and the amount of heat extracted from the heater HT are equal to each other. The heater HT reduces the amount of heat required to keep the temperature of the heater HT constant. Therefore, the power supply to the heater HT is reduced.

例えば、図５Ｂにおいて、「過度状態」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８に伝わる。また、ウエハＷの温度が定常状態ではない場合、ウエハＷに伝わった熱は、一部がウエハＷの温度の上昇に作用する。ウエハＷの温度上昇に作用する熱量は、ウエハＷの熱容量に依存する。このため、プラズマからウエハＷに伝わった「８０」の熱量のうち、「６０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。静電チャック１８の表面に伝わった熱は、ヒーターＨＴに伝わる。また、静電チャック１８の温度が定常状態ではない場合、静電チャック１８の表面に伝わった熱は、一部が静電チャック１８の温度の上昇に作用する。静電チャック１８の温度上昇に作用する熱量は静電チャック１８の熱容量に依存する。このため、静電チャック１８の表面に伝わった「６０」の熱量のうち、「４０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。このため、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「６０」の熱量が供給される。 For example, in FIG. 5B, in the example of the “excessive state”, the amount of heat of “80” is transferred from the plasma to the wafer W. The heat transferred to the wafer W is transferred to the electrostatic chuck 18. Further, when the temperature of the wafer W is not in a steady state, a part of the heat transferred to the wafer W acts on the temperature rise of the wafer W. The amount of heat acting on the temperature rise of the wafer W depends on the heat capacity of the wafer W. Therefore, of the amount of heat of "80" transmitted from the plasma to the wafer W, the amount of heat of "60" is transferred from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18. The heat transferred to the surface of the electrostatic chuck 18 is transferred to the heater HT. Further, when the temperature of the electrostatic chuck 18 is not in a steady state, a part of the heat transferred to the surface of the electrostatic chuck 18 acts on the temperature rise of the electrostatic chuck 18. The amount of heat acting on the temperature rise of the electrostatic chuck 18 depends on the heat capacity of the electrostatic chuck 18. Therefore, of the amount of heat of "60" transmitted to the surface of the electrostatic chuck 18, the amount of heat of "40" is transmitted to the heater HT. Therefore, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater HT is supplied with a heat amount of "60" from the heater power supply HP by the heater power Ph .

また、図５Ｂにおいて、「定常状態」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８に伝わる。また、ウエハＷの温度が定常状態である場合、ウエハＷは、入熱量と出熱量が等しい状態となっている。このため、プラズマからウエハＷに伝わった「８０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。静電チャック１８の表面に伝わった熱は、ヒーターＨＴに伝わる。静電チャック１８の温度が定常状態である場合、静電チャック１８は、入熱量と出熱量が等しいとなっている。このため、静電チャック１８の表面に伝わった「８０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。このため、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「２０」の熱量が供給される。 Further, in FIG. 5B, in the example of the “steady state”, the amount of heat of “80” is transferred from the plasma to the wafer W. The heat transferred to the wafer W is transferred to the electrostatic chuck 18. Further, when the temperature of the wafer W is in a steady state, the amount of heat input and the amount of heat output of the wafer W are equal to each other. Therefore, the amount of heat of "80" transmitted from the plasma to the wafer W is transmitted from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18. The heat transferred to the surface of the electrostatic chuck 18 is transferred to the heater HT. When the temperature of the electrostatic chuck 18 is in a steady state, the amount of heat input and the amount of heat output of the electrostatic chuck 18 are equal to each other. Therefore, the amount of heat of "80" transmitted to the surface of the electrostatic chuck 18 is transmitted to the heater HT. Therefore, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater HT is supplied with a heat amount of "20" from the heater power supply HP by the heater power Ph .

図５Ａおよび図５Ｂに示したように、ヒーターＨＴへの供給電力は、未点火状態よりも点火状態の方が低下する。また、点火状態では、ヒーターＨＴへの供給電力が定常状態となるまで低下する。 As shown in FIGS. 5A and 5B, the power supplied to the heater HT is lower in the ignited state than in the unignited state. Further, in the ignition state, the power supplied to the heater HT decreases until it becomes a steady state.

図６は、ウエハＷの温度とヒーターＨＴへの供給電力の変化の一例を示す図である。図６の（Ａ）は、ウエハＷの温度の変化を示している。図６の（Ｂ）は、ヒーターＨＴへの供給電力の変化を示している。図６の例は、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御し、プラズマを点火して無い未点火状態からプラズマを点火して、ウエハＷの温度とヒーターＨＴへの供給電力を測定した結果の一例を示している。ウエハＷの温度は、ケーエルエー・テンコール（KLA-Tencor）社から販売されているEtch Tempなどの温度計測用のウエハを用いて計測した。この温度計測用のウエハは、高価である。このため、量産現場では、プラズマ処理装置１０の各ヒーターＨＴの温度の調整に温度計測用のウエハを使用すると、コストアップとなる。また、量産現場では、プラズマ処理装置１０の各ヒーターＨＴの温度の調整に温度計測用のウエハを使用すると、生産性が低下する。 FIG. 6 is a diagram showing an example of changes in the temperature of the wafer W and the power supplied to the heater HT. FIG. 6A shows a change in the temperature of the wafer W. FIG. 6B shows a change in the power supplied to the heater HT. In the example of FIG. 6, the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the plasma is ignited from the unignited state in which the plasma is not ignited, and the temperature of the wafer W and the power supplied to the heater HT are measured. An example is shown. The temperature of the wafer W was measured using a wafer for temperature measurement such as Etch Temp sold by KLA-Tencor. This wafer for temperature measurement is expensive. Therefore, at the mass production site, if a wafer for temperature measurement is used for adjusting the temperature of each heater HT of the plasma processing device 10, the cost increases. Further, at the mass production site, if a wafer for temperature measurement is used for adjusting the temperature of each heater HT of the plasma processing device 10, the productivity is lowered.

図６の期間Ｔ１は、プラズマを点火して無い未点火状態である。期間Ｔ１では、ヒーターＨＴへの供給電力が一定となっている。図６の期間Ｔ２は、プラズマを点火した点火状態であり、過渡状態である。期間Ｔ２では、ヒーターＨＴへの供給電力が低下する。また、期間Ｔ２では、ウエハＷの温度が一定の温度まで上昇する。図６の期間Ｔ３は、プラズマを点火した点火状態である。期間Ｔ３では、ウエハＷの温度は一定であり、定常状態となっている。静電チャック１８も定常状態となると、ヒーターＨＴへの供給電力は、略一定となり、低下する傾向の変動が安定する。図６の期間Ｔ４は、プラズマを消した未点火状態である。期間Ｔ４では、ウエハＷに対するプラズマから入熱が無くなるため、ウエハＷの温度が低下し、ヒーターＨＴへの供給電力が増加している。 The period T1 in FIG. 6 is a non-ignited state in which the plasma is not ignited. During the period T1, the power supplied to the heater HT is constant. The period T2 in FIG. 6 is an ignition state in which the plasma is ignited, and is a transition state. In the period T2, the power supply to the heater HT decreases. Further, in the period T2, the temperature of the wafer W rises to a constant temperature. The period T3 in FIG. 6 is an ignition state in which the plasma is ignited. In the period T3, the temperature of the wafer W is constant and is in a steady state. When the electrostatic chuck 18 also becomes a steady state, the power supplied to the heater HT becomes substantially constant, and the fluctuation of the tendency to decrease becomes stable. The period T4 in FIG. 6 is a non-ignited state in which the plasma is extinguished. In the period T4, since the heat input from the plasma to the wafer W disappears, the temperature of the wafer W decreases and the power supplied to the heater HT increases.

図６の期間Ｔ２に示される過度状態でのヒーターＨＴへの供給電力の低下の傾向は、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗などによって変化する。 The tendency of the power supply to the heater HT to decrease in the transient state shown in the period T2 of FIG. 6 changes depending on the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18. do.

図７は、点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。なお、図７は、何れも過度状態の例である。例えば、図７において、「入熱量：小、熱抵抗：小」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。プラズマからウエハＷに伝わった「８０」の熱量のうち、「６０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。そして、静電チャック１８の表面に伝わった「６０」の熱量のうち、「４０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「６０」の熱量が供給される。 FIG. 7 is a diagram schematically showing the flow of energy in the ignition state. Note that FIG. 7 is an example of an excessive state. For example, in FIG. 7, in the example of “heat input amount: small, thermal resistance: small”, the heat amount of “80” is transferred from the plasma to the wafer W. Of the amount of heat of "80" transmitted from the plasma to the wafer W, the amount of heat of "60" is transferred from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18. Then, of the amount of heat of "60" transmitted to the surface of the electrostatic chuck 18, the amount of heat of "40" is transmitted to the heater HT. For example, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater HT is supplied with a heat amount of "60" from the heater power supply HP by the heater power Ph .

また、図７において、「入熱量：大、熱抵抗：小」とした例では、プラズマからウエハＷへ「１００」の熱量が伝わる。プラズマからウエハＷに伝わった「１００」の熱量のうち、「８０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。そして、静電チャック１８の表面に伝わった「８０」の熱量のうち、「６０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「４０」の熱量が供給される。 Further, in the example of "heat input amount: large, thermal resistance: small" in FIG. 7, the heat amount of "100" is transferred from the plasma to the wafer W. Of the "100" heat transferred from the plasma to the wafer W, the "80" heat is transmitted from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18. Then, of the amount of heat of "80" transmitted to the surface of the electrostatic chuck 18, the amount of heat of "60" is transmitted to the heater HT. For example, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater HT is supplied with a heat amount of "40" from the heater power supply HP by the heater power Ph .

また、図７において、「入熱量：小、熱抵抗：大」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。プラズマからウエハＷに伝わった「８０」の熱量のうち、「４０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。静電チャック１８の表面に伝わった「４０」の熱量のうち、「２０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「８０」の熱量が供給される。 Further, in the example of “heat input: small, thermal resistance: large” in FIG. 7, the heat amount of “80” is transferred from the plasma to the wafer W. Of the amount of heat of "80" transmitted from the plasma to the wafer W, the amount of heat of "40" is transferred from the wafer W to the surface of the electrostatic chuck 18. Of the amount of heat of "40" transmitted to the surface of the electrostatic chuck 18, the amount of heat of "20" is transmitted to the heater HT. For example, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater HT is supplied with a heat amount of "80" from the heater power supply HP by the heater power Ph .

このように、ヒーターＨＴの温度を一定に制御している場合、ヒータパワーＰｈは、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗よって変化する。よって、図６の（Ｂ）に示される期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力の低下の傾向は、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗などによって変化する。このため、期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力のグラフは、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗をパラメータとしてモデル化できる。すなわち、期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力の変化は、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗をパラメータとして、演算式によりモデル化できる。 In this way, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater power Ph changes depending on the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18. Therefore, the tendency of the power supply to the heater HT during the period T2 shown in FIG. 6B to decrease is the amount of heat input from the plasma to the wafer W, the thermal resistance between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 and the like. It changes depending on. Therefore, the graph of the power supply to the heater HT in the period T2 can be modeled using the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 as parameters. That is, the change in the power supply to the heater HT during the period T2 can be modeled by an arithmetic expression with the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 as parameters.

本実施形態では、図６の（Ｂ）に示す、期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力の変化を単位面積当たりの式としてモデル化する。例えば、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ、プラズマからの熱流束がないときの定常状態での単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０、および、静電チャック１８の表面とヒーター間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈｃ・Ａは、以下の式（２）－（４）のように表せる。プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束ｑｐ、および、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａをパラメータとし、ａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を以下の式（５）－（１１）のように表した場合、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈは、以下の式（１）のように表せる。 In this embodiment, the change in the power supply to the heater HT during the period T2 shown in FIG. 6B is modeled as an equation per unit area. For example, the amount of heat generated from the heater HT per unit area when there is heat flux from plasma q h , the amount of heat generated from the heater HT per unit area in the steady state when there is no heat flux from plasma q h0 , The thermal resistance R thc · A per unit area between the surface of the electrostatic chuck 18 and the heater can be expressed by the following equations (2)-(4). With the heat flux qp per unit area from the plasma to the wafer W and the thermal resistance Rth · A per unit area between the surface of the wafer W and the electrostatic chuck 18 as parameters, a 1 , a 2 , a 3 , Λ 1 , λ 2 , τ 1 , τ 2 are expressed as the following equations (5)-(11), the calorific value from the heater HT per unit area when there is heat flux from the plasma q h can be expressed as the following equation (1).

Figure 0007068971000001
Figure 0007068971000001

ここで、
Ｐｈは、プラズマからの熱流束があるときのヒータパワー[Ｗ]である。
Ｐｈ０は、プラズマからの熱流束がないときの定常状態でのヒータパワー[Ｗ]である。
ｑｈは、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量[Ｗ／ｍ２]である。
ｑｈ０は、プラズマからの熱流束がないときの定常状態での単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量[Ｗ／ｍ２]である。
ｑｐは、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束[Ｗ／ｍ２]である。
Ｒｔｈ・Ａは、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗[Ｋ・ｍ２／Ｗ]である。
Ｒｔｈｃ・Ａは、静電チャック１８の表面とヒーター間の単位面積当たりの熱抵抗[Ｋ・ｍ２／Ｗ]である。
Ａは、ヒーターが設けられている領域の面積［ｍ２］である。
ρｗは、ウエハＷの密度［ｋｇ／ｍ３］である。
Ｃｗは、ウエハＷの単位面積当たりの熱容量[Ｊ／Ｋ・ｍ２]である。
ｚｗは、ウエハＷの厚さ［ｍ］である。
ρｃは、静電チャック１８を構成するセラミックの密度［ｋｇ／ｍ３］である。
Ｃｃは、静電チャック１８を構成するセラミックの単位面積当たりの熱容量[Ｊ／Ｋ・ｍ２]である。
ｚｃは、静電チャック１８の表面からヒーターＨＴまでの距離[ｍ]である。
κｃは、静電チャック１８を構成するセラミックの熱伝導率[Ｗ／Ｋ・ｍ]である。
ｔは、プラズマを点火してからの経過時間[ｓｅｃ]である。 here,
Ph is the heater power [W] when there is a heat flux from the plasma.
Ph0 is the heater power [W] in a steady state when there is no heat flux from the plasma.
q h is the calorific value [W / m 2 ] from the heater HT per unit area when there is a heat flux from the plasma.
q h0 is the calorific value [W / m 2 ] from the heater HT per unit area in a steady state when there is no heat flux from the plasma.
q p is the heat flux [W / m 2 ] per unit area from the plasma to the wafer W.
R th · A is the thermal resistance [K · m 2 / W] per unit area between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18.
R thc · A is the thermal resistance [K · m 2 / W] per unit area between the surface of the electrostatic chuck 18 and the heater.
A is the area [m 2 ] of the area where the heater is provided.
ρ w is the density of the wafer W [kg / m 3 ].
C w is the heat capacity [J / K · m 2 ] per unit area of the wafer W.
z w is the thickness [m] of the wafer W.
ρ c is the density [kg / m 3 ] of the ceramics constituting the electrostatic chuck 18.
C c is the heat capacity [J / K · m 2 ] per unit area of the ceramic constituting the electrostatic chuck 18.
z c is the distance [m] from the surface of the electrostatic chuck 18 to the heater HT.
κ c is the thermal conductivity [W / K · m] of the ceramic constituting the electrostatic chuck 18.
t is the elapsed time [sec] since the plasma was ignited.

式（５）に示したａ１について、１／ａ１がウエハＷの温まり難さを示す時定数となる。また、式（６）に示したａ２について、１／ａ２が静電チャック１８の熱の入り難さ、温まり難さを示す時定数となる。また、式（７）に示したａ３について、１／ａ３が静電チャック１８の熱の浸透し難さ、温まり難さを示す時定数となる。 For a 1 shown in the equation (5), 1 / a 1 is a time constant indicating the difficulty of warming the wafer W. Further, with respect to a2 shown in the equation (6), 1 / a2 is a time constant indicating the difficulty of heat entry and the difficulty of warming of the electrostatic chuck 18. Further, with respect to a3 shown in the equation (7), 1 / a3 is a time constant indicating the difficulty of permeating the heat of the electrostatic chuck 18 and the difficulty of warming.

ヒーターＨＴの面積Ａ、ウエハＷの密度ρｗ、ウエハＷの単位面積当たりの熱容量Ｃｗ、ウエハＷの厚さｚｗ、静電チャック１８を構成するセラミックの密度ρｃ、静電チャック１８を構成するセラミックの単位面積当たりの熱容量Ｃｃ、静電チャック１８の表面からヒーターＨＴまでの距離ｚｃ、および、静電チャック１８を構成するセラミックの熱伝導κｃは、ウエハＷやプラズマ処理装置１０の実際の構成からそれぞれ予め定まる。Ｒｔｈｃ・Ａは、熱伝導κｃ、距離ｚｃから式（４）により予め定まる。 The area A of the heater HT, the density ρ w of the wafer W, the heat capacity C w per unit area of the wafer W, the thickness z w of the wafer W, the density ρ c of the ceramics constituting the electrostatic chuck 18, and the electrostatic chuck 18. The heat capacity C c per unit area of the constituent ceramic, the distance z c from the surface of the electrostatic chuck 18 to the heater HT, and the heat conduction κ c of the ceramic constituting the electrostatic chuck 18 are the wafer W and the plasma processing device. Each of the 10 actual configurations is predetermined. R thc · A is predetermined by the equation (4) from the heat conduction κ c and the distance z c .

プラズマを点火してからの経過時間ｔごとのプラズマからの熱流束があるときのヒータパワーＰｈ、および、プラズマからの熱流束がないときの定常状態でのヒータパワーＰｈ０は、プラズマ処理装置１０を用いて計測により求めることができる。そして、式（２）および（３）に示すように、求めたヒータパワーＰｈ、およびヒータパワーＰｈ０のそれぞれをヒーターＨＴの面積Ａで除算することによって、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ、および、プラズマからの熱流束がないときの定常状態での単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０を求めることができる。 The heater power Ph 0 when there is heat flux from the plasma and the heater power Ph 0 in the steady state when there is no heat flux from the plasma for each elapsed time t after igniting the plasma are plasma processing devices. It can be obtained by measurement using 10. Then, as shown in the equations (2) and (3), by dividing each of the obtained heater power Ph and heater power Ph 0 by the area A of the heater HT, when there is a heat flux from the plasma. The calorific value q h from the heater HT per unit area and the calorific value q h 0 from the heater HT per unit area in a steady state when there is no heat flux from the plasma can be obtained.

そして、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束ｑｐ、および、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａは、計測結果を用いて、（１）式のフィッティングを行うことにより、求めることができる。 Then, the heat flux qp per unit area from the plasma to the wafer W and the thermal resistance Rth · A per unit area between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 are determined by using the measurement results (1). ) Can be obtained by performing the fitting.

また、図６の（Ａ）に示される期間Ｔ２のウエハＷの温度のグラフも、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗をパラメータとしてモデル化できる。本実施形態では、期間Ｔ２のウエハＷの温度の変化を単位面積当たりの式としてモデル化する。例えば、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束ｑｐ、および、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａをパラメータとし、式（５）－（１１）に示したａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を用いた場合、ウエハＷの温度ＴＷ[℃]は、以下の式（１２）のように表せる。 Further, the graph of the temperature of the wafer W in the period T2 shown in FIG. 6A is also modeled using the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 as parameters. can. In this embodiment, the change in the temperature of the wafer W in the period T2 is modeled as an equation per unit area. For example, the heat flux qp per unit area from the plasma to the wafer W and the thermal resistance Rth · A per unit area between the wafer W and the surface of the electrostatic chuck 18 are used as parameters, and the equations (5)-( When a 1 , a 2 , a 3 , λ 1 , λ 2 , τ 1 , τ 2 shown in 11) are used, the temperature TW [° C.] of the wafer W is as shown in the following equation (12). Can be represented.

Figure 0007068971000002
Figure 0007068971000002

ここで、
ＴＷは、ウエハＷの温度[℃]である。
Ｔｈは、一定に制御したヒーターＨＴの温度[℃]である。 here,
TW is the temperature [° C.] of the wafer W.
Th is the temperature [° C.] of the heater HT controlled to be constant.

ヒーターの温度Ｔｈは、実際にウエハＷの温度を一定に制御した際の条件から求めることができる。 The heater temperature Th can be obtained from the conditions when the temperature of the wafer W is actually controlled to be constant.

計測結果を用いて、（１）式のフィッティングを行うことにより、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａが求まった場合、ウエハＷの温度ＴＷは、式（１２）から算出できる。 When the heat flux qp and the thermal resistance R th・ A are obtained by performing the fitting of the equation (1) using the measurement result, the temperature TW of the wafer W can be calculated from the equation (12). ..

経過時間ｔが、式（１０）、（１１）によって表される時定数τ１、τ２より十分に長い場合、すなわち図６の期間Ｔ２である過渡状態から期間Ｔ３である定常状態に移行した後におけるウエハＷの温度ＴＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する場合、式（１２）は、以下の式（１３）のように省略できる。 When the elapsed time t is sufficiently longer than the time constants τ 1 and τ 2 represented by the equations (10) and (11), that is, the transition state from the transient state having the period T2 in FIG. 6 to the steady state having the period T3 has changed. When calculating the temperature Th of the heater HT whose target temperature is the temperature TW of the wafer W later, the equation (12) can be omitted as in the following equation (13).

Figure 0007068971000003
Figure 0007068971000003

例えば、式（１３）により、ヒーターの温度Ｔｈ、熱流束ｑｐ、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａ、Ｒｔｈｃ・ＡからウエハＷの温度ＴＷを求めることができる。 For example, the temperature TW of the wafer W can be obtained from the heater temperature Th , the heat flux q p , the thermal resistance R th A, and the R th c A according to the equation (13).

図３に戻る。ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴの温度を制御する。例えば、ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴへの供給電力を指示する制御データをヒーター電源ＨＰへ出力して、ヒーター電源ＨＰから各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を制御することにより、各ヒーターＨＴの温度を制御する。 Return to FIG. The heater control unit 102a controls the temperature of each heater HT. For example, the heater control unit 102a outputs control data instructing the power supply to each heater HT to the heater power supply HP, and controls the supply power supplied from the heater power supply HP to each heater HT to control each heater HT. Control the temperature of.

プラズマ処理の際、ヒーター制御部１０２ａには、各ヒーターＨＴの目標とする設定温度が設定される。例えば、ヒーター制御部１０２ａには、載置領域１８ａの各分割領域ごとに、目標とするウエハＷの温度が、当該分割領域のヒーターＨＴの設定温度として設定される。この目標とするウエハＷの温度は、例えば、ウエハＷに対するプラズマエッチングの精度が最も良好となる温度である。 At the time of plasma processing, the target set temperature of each heater HT is set in the heater control unit 102a. For example, in the heater control unit 102a, the temperature of the target wafer W is set as the set temperature of the heater HT in the divided region for each divided region of the mounting region 18a. The target temperature of the wafer W is, for example, a temperature at which the accuracy of plasma etching with respect to the wafer W is the best.

ヒーター制御部１０２ａは、プラズマ処理の際、各ヒーターＨＴが設定された設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。例えば、ヒーター制御部１０２ａは、外部インターフェース１０１に入力する温度データが示す載置領域１８ａの各分割領域の温度を、分割領域ごとに、当該分割領域の設定温度と比較し、設定温度に対して温度が低い分割領域、および、設定温度に対して温度が高い分割領域をそれぞれ特定する。ヒーター制御部１０２ａは、設定温度に対して温度が低い分割領域に対する供給電力を増加させ、設定温度に対して温度が高い分割領域に対する供給電力を減少させる制御データをヒーター電源ＨＰへ出力する。 The heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that each heater HT reaches a set set temperature during plasma processing. For example, the heater control unit 102a compares the temperature of each divided region of the mounting region 18a indicated by the temperature data input to the external interface 101 with the set temperature of the divided region for each divided region, and compares the temperature with respect to the set temperature. The divided region where the temperature is low and the divided region where the temperature is high with respect to the set temperature are specified. The heater control unit 102a outputs control data to the heater power supply HP, which increases the supply power to the divided region having a low temperature with respect to the set temperature and decreases the supply power to the divided region having a high temperature with respect to the set temperature.

計測部１０２ｂは、外部インターフェース１０１に入力する電力データが示す各ヒーターＨＴへの供給電力を用いて、各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。例えば、計測部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａにより、各ヒーターＨＴの温度が一定となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから各ヒーターＨＴへの供給電力が低下する傾向の変動が安定するまでの過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。 The measuring unit 102b measures the power supplied to each heater HT by using the power supplied to each heater HT indicated by the power data input to the external interface 101. For example, the measuring unit 102b controls the power supply to each heater HT so that the temperature of each heater HT becomes constant by the heater control unit 102a, and ignites the plasma in the unignited state in which the plasma is not ignited. Then, the power supply to each heater HT is measured in a transient state until the fluctuation of the tendency of the power supply to each heater HT to decrease stabilizes.

ヒーター制御部１０２ａは、プラズマ処理の際、各ヒーターＨＴが一定の設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。計測部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａが各ヒーターＨＴの温度が一定の設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御している状態で、プラズマ処理の開始前のプラズマが未点火状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。また、計測部１０２ｂは、プラズマを点火してから各ヒーターＨＴへの供給電力が低下する傾向の変動が安定するまでの過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。未点火状態での各ヒーターＨＴへの供給電力は、各ヒーターＨＴで少なくとも１つ計測されていればよく、複数回計測して平均値を未点火状態の供給電力としてもよい。過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力は、２回以上計測されていればよい。供給電力を計測する計測タイミングは、供給電力が低下する傾向が大きいタイミングであることが好ましい。また、計測タイミングは、計測回数が少ない場合、所定期間以上離れていることが好ましい。本実施形態では、計測部１０２ｂは、プラズマ処理の期間中、所定周期（例えば、０．１秒周期）で各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。これにより、過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力が多数計測される。 The heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that each heater HT has a constant set temperature during plasma processing. The measuring unit 102b is in a state where the heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that the temperature of each heater HT becomes a constant set temperature, and the plasma before the start of plasma processing is in a non-ignited state. The power supply to each heater HT is measured. Further, the measuring unit 102b measures the power supplied to each heater HT in the transition state from the ignition of the plasma to the stabilization of the fluctuation in the tendency of the power supplied to each heater HT to decrease. The power supplied to each heater HT in the non-ignited state may be measured at least once in each heater HT, and may be measured a plurality of times and the average value may be used as the power supplied in the non-ignited state. The power supply to each heater HT in the transition state may be measured twice or more. The measurement timing for measuring the supplied power is preferably a timing at which the supplied power tends to decrease. Further, when the number of measurements is small, the measurement timings are preferably separated by a predetermined period or more. In the present embodiment, the measuring unit 102b measures the power supplied to each heater HT at a predetermined cycle (for example, 0.1 second cycle) during the plasma processing period. As a result, a large number of power supplies to each heater HT in the transition state are measured.

計測部１０２ｂは、所定のサイクルで、未点火状態と、過渡状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。例えば、計測部１０２ｂは、ウエハＷが交換され、交換されたウエハＷを載置台１６に載置してプラズマ処理を行う際に、毎回、未点火状態と、過渡状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。なお、例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、プラズマ処理ごとに、未点火状態と、過渡状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測してもよい。 The measuring unit 102b measures the power supplied to each heater HT in the non-ignited state and the transient state in a predetermined cycle. For example, when the wafer W is replaced and the replaced wafer W is placed on the mounting table 16 to perform plasma processing, the measuring unit 102b supplies the heaters in the non-ignited state and the transient state to the heater HT each time. Measure the power. For example, the parameter calculation unit 102c may measure the power supplied to each heater HT in the non-ignited state and the transient state for each plasma process.

パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、プラズマからの入熱量およびウエハＷとヒーターＨＴ間の熱抵抗をパラメータとし、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測部１０２ｂにより計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、入熱量および熱抵抗を算出する。 The parameter calculation unit 102c is measured by the measurement unit 102b for a calculation model that calculates the supply power in a transient state by using the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the wafer W and the heater HT as parameters for each heater HT. Fitting is performed using the supplied power in the unignited state and the transient state, and the heat input amount and the thermal resistance are calculated.

例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの未点火状態のヒータパワーＰｈ０を求める。また、パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの過渡状態のヒータパワーＰｈを求める。そして、パラメータ算出部１０２ｃは、求めたヒータパワーＰｈ、およびヒータパワーＰｈ０のそれぞれをヒーターＨＴごとの面積で除算することによって、経過時間ｔごとの未点火状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ0、および経過時間ｔごとの過渡状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈを求める。 For example, the parameter calculation unit 102c obtains the heater power Ph0 in the unignited state for each elapsed time t for each heater HT. Further, the parameter calculation unit 102c obtains the heater power Ph in the transition state for each elapsed time t for each heater HT. Then, the parameter calculation unit 102c divides each of the obtained heater power Ph and heater power Ph 0 by the area of each heater HT from the heater HT per unit area in the unignited state for each elapsed time t. The calorific value q h0 of the above and the calorific value q h from the heater HT per unit area in the transient state for each elapsed time t are obtained.

そして、パラメータ算出部１０２ｃは、上記の式（１）－（１１）を算出モデルとして用いて、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ、および、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ0のフィッティングを行い、誤差が最も小さくなる熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。 Then, the parameter calculation unit 102c uses the above equations (1)-(11) as a calculation model, and the calorific value q h from the heater HT per unit area for each elapsed time t and the heat generation amount q h for each heater HT. Fitting of the calorific value q h0 from the heater HT per unit area is performed, and the heat flux q p with the smallest error and the thermal resistance R th · A are calculated.

パラメータ算出部１０２ｃは、所定のサイクルで、測定された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いて、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、ウエハＷが交換されるごとに、当該ウエハＷを載置台１６に載置した状態で測定された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いて、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。なお、例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、プラズマ処理ごとに、未点火状態と過渡状態の供給電力を用いて、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出してもよい。 The parameter calculation unit 102c calculates the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A using the measured power supplied in the non-ignited state and the transient state in a predetermined cycle. For example, the parameter calculation unit 102c uses the supply power in the non-ignited state and the transient state measured with the wafer W mounted on the mounting table 16 every time the wafer W is replaced, and uses the heat flux qp . , And the thermal resistance R th · A is calculated. For example, the parameter calculation unit 102c may calculate the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A by using the supply power in the non-ignited state and the transient state for each plasma process.

設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの設定温度を算出する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを式（５）、（６）、（１２）に代入し、式（５）－（１１）に示したａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を用いて、式（１２）からウエハＷの温度ＴＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、経過時間ｔを定常状態とみなせる程度の大きい所定の値として、ウエハＷの温度ＴＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する。算出されるヒーターＨＴの温度Ｔｈは、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度である。なお、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈは、式（１３）から求めてもよい。 The set temperature calculation unit 102d calculates the set temperature of the heater HT at which the wafer W becomes the target temperature by using the calculated heat input amount and thermal resistance for each heater HT. For example, the set temperature calculation unit 102d substitutes the calculated heat flux qp and the thermal resistance Rth・ A into the equations (5), (6), and (12) for each heater HT, and substitutes them into the equation (5), (6), and (12). )-Using a 1 , a 2 , a 3 , λ 1 , λ 2 , τ 1 , τ 2 shown in (11), the heater HT whose target temperature is the temperature TW of the wafer W from the equation (12). The temperature Th of is calculated. For example, the set temperature calculation unit 102d calculates the temperature Th of the heater HT at which the temperature TW of the wafer W is the target temperature, with the elapsed time t being a predetermined value large enough to be regarded as a steady state. The calculated temperature Th of the heater HT is the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W. The temperature Th of the heater HT at which the temperature of the wafer W is the target temperature may be obtained from the equation (13).

なお、設定温度算出部１０２ｄは、式（１２）から現在のヒーターＨＴの温度ＴｈでのウエハＷの温度ＴＷを算出してもよい。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、現在のヒーターＨＴの温度Ｔｈで、経過時間ｔを定常状態とみなせる程度の大きい所定の値とした場合のウエハＷの温度ＴＷを算出する。次に、設定温度算出部１０２ｄは、算出した温度ＴＷと目標温度との差分ΔＴＷを算出する。そして、設定温度算出部１０２ｄは、現在のヒーターＨＴの温度Ｔｈから差分ΔＴＷの減算を行った温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度と算出してもよい。 The set temperature calculation unit 102d may calculate the temperature TW of the wafer W at the current temperature Th of the heater HT from the equation (12). For example, the set temperature calculation unit 102d calculates the temperature TW of the wafer W when the elapsed time t is set to a predetermined value large enough to be regarded as a steady state at the current temperature Th of the heater HT. Next, the set temperature calculation unit 102d calculates the difference ΔTW between the calculated temperature TW and the target temperature. Then, the set temperature calculation unit 102d may calculate the temperature obtained by subtracting the difference ΔT W from the current temperature Th of the heater HT as the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W.

設定温度算出部１０２ｄは、ヒーター制御部１０２ａの各ヒーターＨＴの設定温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度に修正する。 The set temperature calculation unit 102d corrects the set temperature of each heater HT of the heater control unit 102a to the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W.

設定温度算出部１０２ｄは、所定のサイクルで、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、ウエハＷが交換されるごとに、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正する。なお、例えば、設定温度算出部１０２ｄは、プラズマ処理ごとに、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正してもよい。 The set temperature calculation unit 102d calculates the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W in a predetermined cycle, and corrects the set temperature of each heater HT. For example, the set temperature calculation unit 102d calculates the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W each time the wafer W is replaced, and corrects the set temperature of each heater HT. For example, the set temperature calculation unit 102d may calculate the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W for each plasma process, and modify the set temperature of each heater HT.

これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。 As a result, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment can accurately control the temperature of the wafer W during plasma processing to the target temperature.

ところで、プラズマ処理装置１０は、装置ごとに、処理容器１２内の特性に差がある場合がある。このため、プラズマ処理装置１０は、他のプラズマ処理装置１０ではウエハＷが目標温度となる各ヒーターＨＴの設定温度を用いても、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できない場合がある。 By the way, the plasma processing apparatus 10 may have different characteristics in the processing container 12 for each apparatus. Therefore, the plasma processing apparatus 10 cannot accurately control the temperature of the wafer W during plasma processing to the target temperature even if the set temperature of each heater HT at which the wafer W is the target temperature is used in the other plasma processing apparatus 10. In some cases.

そこで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、自装置の処理容器１２内の特性に応じた熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、装置ごとに、処理容器１２内の特性に差がある場合でも、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。 Therefore, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment calculates the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A according to the characteristics in the processing container 12 of the own apparatus. Thereby, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment can accurately control the temperature of the wafer W during plasma processing to the target temperature even if the characteristics in the processing container 12 are different for each apparatus.

また、プラズマ処理装置１０は、静電チャック１８の消耗などにより、載置台１６の熱特性が経時的に変化する場合がある。 Further, in the plasma processing apparatus 10, the thermal characteristics of the mounting table 16 may change with time due to wear of the electrostatic chuck 18.

そこで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、所定のサイクルで、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正する。これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台１６の熱特性が経時的に変化する場合であっても、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。 Therefore, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment calculates the temperature of the heater HT at which the temperature of the wafer W becomes the target temperature in a predetermined cycle, and corrects the set temperature of each heater HT. As a result, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment can accurately control the temperature of the wafer W during plasma processing to the target temperature even when the thermal characteristics of the mounting table 16 change with time.

また、プラズマ処理装置１０は、静電チャック１８の大幅な消耗やデポの付着などにより、処理容器１２内の特性が変化してプラズマ処理に適さない異常な状態となる。また、プラズマ処理装置１０は、異常なウエハＷが搬入される場合もある。 Further, the plasma processing apparatus 10 is in an abnormal state unsuitable for plasma processing because the characteristics inside the processing container 12 change due to a large consumption of the electrostatic chuck 18 and adhesion of a depot. Further, the plasma processing apparatus 10 may carry in an abnormal wafer W.

そこで、アラート部１０２ｅは、パラメータ算出部１０２ｃにより所定のサイクルで算出される入熱量および熱抵抗の少なくとも一方の変化に基づき、アラートを行う。例えば、アラート部１０２ｅは、所定のサイクルでパラメータ算出部１０２ｃにより算出される熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・ＡをヒーターＨＴごとに比較し、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの少なくとも一方が所定の許容値以上変化している場合、アラートを行う。また、アラート部１０２ｅは、所定のサイクルでパラメータ算出部１０２ｃにより算出される熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの少なくとも一方が、所定の許容範囲を外れた場合、アラートを行う。アラートは、工程管理者やプラズマ処理装置１０の管理者などに異常を報知できれば、何れの方式でもよい。例えば、アラート部１０２ｅは、ユーザインターフェース１０３に異常を報知するメッセージを表示する。 Therefore, the alert unit 102e performs an alert based on a change in at least one of the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit 102c in a predetermined cycle. For example, the alert unit 102e compares the heat flux qp calculated by the parameter calculation unit 102c and the thermal resistance Rth・ A for each heater HT in a predetermined cycle, and compares the heat flux qp and the thermal resistance R. If at least one of th and A has changed by a predetermined allowable value or more, an alert is issued. Further, the alert unit 102e alerts when at least one of the heat flux qp calculated by the parameter calculation unit 102c and the thermal resistance Rth A in a predetermined cycle deviates from the predetermined allowable range. The alert may be of any method as long as it can notify the process manager, the manager of the plasma processing apparatus 10, and the like of the abnormality. For example, the alert unit 102e displays a message notifying the user interface 103 of the abnormality.

これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、処理容器１２内の特性が異常な状態となった場合や、異常なウエハＷが搬入された場合に、異常の発生を報知できる。 As a result, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment can notify the occurrence of an abnormality when the characteristics in the processing container 12 become abnormal or when the abnormal wafer W is carried in.

［温度制御の流れ］
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０を用いた温度制御方法について説明する。図８は、第１実施形態に係る温度制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。この温度制御方法は、所定のタイミング、例えば、プラズマ処理を開始するタイミングで実行される。 [Temperature control flow]
Next, a temperature control method using the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment will be described. FIG. 8 is a flowchart showing an example of the flow of the temperature control method according to the first embodiment. This temperature control method is executed at a predetermined timing, for example, at a timing when plasma processing is started.

ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴが設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する（ステップＳ１０）。 The heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that each heater HT reaches a set temperature (step S10).

計測部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａが各ヒーターＨＴの温度が一定の設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御している状態で、未点火状態と過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する（ステップＳ１１）。 The measuring unit 102b transfers the power supplied to each heater HT to each heater HT in the non-ignited state and the transient state while the heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that the temperature of each heater HT becomes a constant set temperature. (Step S11).

パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力をヒーターＨＴの面積で除算することによって求められる単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量を用いてフィッティングを行って、入熱量および熱抵抗を算出する（ステップＳ１２）。例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、上記の式（１）－（１１）を算出モデルとして用いて、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ、および、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ0のフィッティングを行い、誤差が最も小さくなる熱流束ｑp、および、熱抵抗Ｒth・Ａを算出する。 The parameter calculation unit 102c generates heat from the heater HT per unit area obtained by dividing the measured power supply in the non-ignited state and the transient state by the area of the heater HT for each heater HT. Fitting is performed using the amount, and the amount of heat input and the thermal resistance are calculated (step S12). For example, the parameter calculation unit 102c uses the above equations (1)-(11) as a calculation model, and the calorific value q h from the heater HT per unit area for each elapsed time t and the heat generation amount q h for each heater HT. Fitting of the calorific value q h0 from the heater HT per unit area is performed, and the heat flux q p with the smallest error and the thermal resistance R th · A are calculated.

設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出する（ステップＳ１３）。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された熱流束ｑp、および、熱抵抗Ｒth・Ａを式（５）、（６）、（１２）に代入し、式（５）－（１１）に示したａ1、ａ2、ａ3、λ1、λ2、τ1、τ2を用いて、式（１２）からウエハＷの温度ＴWが目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔhを算出する。なお、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈは、式（１３）から求めてもよい。 The set temperature calculation unit 102d calculates the temperature of the heater HT at which the wafer W becomes the target temperature by using the calculated heat input amount and thermal resistance for each heater HT (step S13). For example, the set temperature calculation unit 102d substitutes the calculated heat flux qp and the thermal resistance R th · A into the equations (5), (6), and (12) for each heater HT, and substitutes them into the equation (5), (6), and (12). )-Using a 1 , a 2 , a 3 , λ 1 , λ 2 , τ 1 , τ 2 shown in (11), the heater HT whose target temperature is the temperature TW of the wafer W from the equation (12). The temperature T h of is calculated. The temperature Th of the heater HT at which the temperature of the wafer W is the target temperature may be obtained from the equation (13).

設定温度算出部１０２ｄは、ヒーター制御部１０２ａの各ヒーターＨＴの設定温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度に修正し（ステップＳ１４）、処理を終了する。すなわち、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度が、各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する工程（ステップＳ１０）での各ヒーターＨＴの設定温度と乖離しているとき、ヒーター制御部１０２ａは、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度となるように、あらためて各ヒーターＨＴへの供給電力を制御することとなる。また、乖離がない場合は、設定温度はそのままで制御することとなる。 The set temperature calculation unit 102d corrects the set temperature of each heater HT of the heater control unit 102a to the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W (step S14), and ends the process. That is, when the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W deviates from the set temperature of each heater HT in the step of controlling the power supply to each heater HT (step S10), the heater control unit. 102a controls the power supply to each heater HT again so that the temperature of the wafer W becomes the temperature of the heater HT which is the target temperature. If there is no deviation, the set temperature will be controlled as it is.

このように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台１６と、ヒーター制御部１０２ａと、計測部１０２ｂと、パラメータ算出部１０２ｃと、設定温度算出部１０２ｄとを有する。載置台１６は、ウエハＷが載置される載置面の温度を調整可能なヒーターＨＴが設けられている。ヒーター制御部１０２ａは、ヒーターＨＴが設定された設定温度となるようヒーターＨＴへの供給電力を制御する。計測部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａにより、ヒーターＨＴの温度が一定となるようヒーターＨＴへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してからヒーターＨＴへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測する。パラメータ算出部１０２ｃは、プラズマからの入熱量およびウエハＷとヒーターＨＴ間の熱抵抗をパラメータとし、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測部１０２ｂにより計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、入熱量および前記熱抵抗を算出する。設定温度算出部１０２ｄは、パラメータ算出部１０２ｃにより算出された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの設定温度を算出する。これにより、プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。 As described above, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a mounting table 16, a heater control unit 102a, a measurement unit 102b, a parameter calculation unit 102c, and a set temperature calculation unit 102d. The mounting table 16 is provided with a heater HT capable of adjusting the temperature of the mounting surface on which the wafer W is mounted. The heater control unit 102a controls the power supply to the heater HT so that the heater HT reaches the set set temperature. The measuring unit 102b controls the power supply to the heater HT so that the temperature of the heater HT becomes constant by the heater control unit 102a, and the heater HT is in a non-ignited state in which the plasma is not ignited and after the plasma is ignited. Measure the power supply in a transient state where the power supply to is reduced. The parameter calculation unit 102c uses the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the wafer W and the heater HT as parameters, and sets the non-ignition state measured by the measurement unit 102b for the calculation model for calculating the supply power in the transient state. Fitting is performed using the power supplied in the transient state, and the amount of heat input and the thermal resistance are calculated. The set temperature calculation unit 102d calculates the set temperature of the heater HT at which the wafer W is the target temperature by using the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit 102c. As a result, the plasma processing apparatus 10 can accurately control the temperature of the wafer W during plasma processing to the target temperature.

また、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台１６が、載置面を分割した領域毎にヒーターＨＴが個別に設けられている。ヒーター制御部１０２ａは、領域毎に設けられたヒーターＨＴが領域毎に設定された設定温度となるようヒーターＨＴごとに供給電力を制御する。計測部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａにより、ヒーターＨＴごとに温度が一定となるよう供給電力を制御して、未点火状態と、過渡状態での供給電力をヒーターＨＴごとに計測する。パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、算出モデルに対して、計測部１０２ｂにより計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、ヒーターＨＴごとに入熱量および熱抵抗を算出する。設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、パラメータ算出部１０２ｃにより算出された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となる設定温度を算出する。これにより、プラズマ処理装置１０は、載置面を分割した領域ごとにヒーターＨＴが個別に設けてウエハＷの温度を制御する場合でも、領域ごとにプラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。 Further, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the mounting table 16 is individually provided with a heater HT for each region where the mounting surface is divided. The heater control unit 102a controls the power supply for each heater HT so that the heater HT provided for each region has a set temperature set for each region. The measuring unit 102b controls the supply power so that the temperature becomes constant for each heater HT by the heater control unit 102a, and measures the supply power in the non-ignited state and the transient state for each heater HT. The parameter calculation unit 102c fits the calculation model for each heater HT using the supply power in the non-ignited state and the transient state measured by the measurement unit 102b, and the heat input amount and the thermal resistance for each heater HT. Is calculated. The set temperature calculation unit 102d calculates the set temperature at which the wafer W becomes the target temperature for each heater HT by using the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit 102c. As a result, the plasma processing apparatus 10 sets the temperature of the wafer W during plasma processing for each region as the target temperature even when the heater HT is individually provided for each region where the mounting surface is divided to control the temperature of the wafer W. It can be controlled accurately.

各ヒーターＨＴの設定温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度に修正する工程（ステップＳ１４）は、プラズマを点火した点火状態において各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する工程（ステップＳ１１の一部）から継続して、プラズマを点火した点火状態のまま、行ってもよい。これにより、プロセス処理されるウエハＷごとに一定した温度にてプロセスが実行されることになる。 The step of correcting the set temperature of each heater HT to the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W (step S14) is a step of measuring the power supplied to each heater HT in the ignition state where the plasma is ignited (step S14). It may be continued from a part of step S11) in the ignited state in which the plasma is ignited. As a result, the process is executed at a constant temperature for each wafer W to be processed.

または、算出したウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの設定温度は、プラズマ処理を終了してウエハＷを入れ替えるタイミングにおいて、各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する工程（ステップＳ１０）での各ヒーターＨＴの設定温度に用いてもよい。すなわち、各ヒーターＨＴの設定温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度に修正する工程（ステップＳ１４）は、入れ替えした次のウエハＷに対する処理における各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する工程（ステップＳ１０）と一致する。これにより、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度と、各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する工程（ステップＳ１０）での各ヒーターＨＴの設定温度との乖離が極力小さくすることが可能となる。 Alternatively, the set temperature of the heater HT at which the calculated wafer W is the target temperature is set for each heater in the step (step S10) of controlling the power supply to each heater HT at the timing when the plasma processing is completed and the wafer W is replaced. It may be used for the set temperature of HT. That is, in the step of correcting the set temperature of each heater HT to the temperature of the heater HT whose target temperature is the temperature of the wafer W (step S14), the power supplied to each heater HT in the processing for the next wafer W to be replaced is used. Consistent with the control step (step S10). As a result, the difference between the temperature of the heater HT at which the temperature of the wafer W is the target temperature and the set temperature of each heater HT in the step of controlling the power supply to each heater HT (step S10) can be minimized. It will be possible.

また、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、計測部１０２ｂが、所定のサイクルで、未点火状態と、過渡状態での供給電力を計測する。パラメータ算出部１０２ｃは、所定のサイクルごとに、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いて、入熱量および熱抵抗をそれぞれ算出する。アラート部１０２ｅは、パラメータ算出部１０２ｃにより算出される入熱量および熱抵抗の少なくとも一方の変化に基づき、アラートを行う。これにより、プラズマ処理装置１０は、処理容器１２内の特性が異常な状態となった場合や、異常なウエハＷが搬入された場合に、異常の発生を報知できる。 Further, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the measuring unit 102b measures the supplied power in the non-ignited state and the transient state in a predetermined cycle. The parameter calculation unit 102c calculates the heat input amount and the thermal resistance, respectively, by using the measured non-ignition state and transient state supply power for each predetermined cycle. The alert unit 102e alerts based on a change in at least one of the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit 102c. As a result, the plasma processing apparatus 10 can notify the occurrence of an abnormality when the characteristics in the processing container 12 become abnormal or when the abnormal wafer W is carried in.

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態に係るプラズマ処理装置１０および載置台１６の構成は、図１、図２に示した第１実施形態に係るプラズマ処理装置１０および載置台１６の構成と同様であるため、説明を省略する。 (Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described. Since the configurations of the plasma processing apparatus 10 and the mounting table 16 according to the second embodiment are the same as the configurations of the plasma processing apparatus 10 and the mounting table 16 according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the description thereof will be described. Omit.

図９は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置を制御する制御部の概略的な構成を示したブロック図である。第２実施形態に係る制御部１００の構成は、図３に示す第１実施形態に係る制御部１００の構成と一部同様であるため、同様の部分には、同一の符号を付し、主に異なる点について説明をおこなう。 FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of a control unit that controls the plasma processing apparatus according to the second embodiment. Since the configuration of the control unit 100 according to the second embodiment is partially the same as the configuration of the control unit 100 according to the first embodiment shown in FIG. 3, the same parts are designated by the same reference numerals. I will explain the differences.

ところで、ヒーター制御部１０２ａが各ヒーターＨＴの温度を一定となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御して未点火状態と、過渡状態での供給電力を計測する際、ウエハＷの温度ＴWは、未点火状態よりも過渡状態でプラズマからの入熱により温度が上昇する。図１０は、ウエハの温度の変化を模式的に示した図である。例えば、ヒーター制御部１０２ａは、未点火状態でウエハＷの温度ＴWが所定の目標温度Ｔａとなるような所定の設定温度ＴｂにヒーターＨＴの温度Ｔhを制御している。このような状態でプラズマを点火した場合、ウエハＷの温度は、プラズマからの入熱により温度Ｔａ´に上昇する。このようにウエハＷの温度が温度Ｔａ´に上昇した場合、ヒーター制御部１０２ａは、ウエハＷの温度が目標温度Ｔａとなるように、ヒーターＨＴの温度Ｔhを温度Ｔｂ´に低下させる。このように、ウエハＷの温度を温度Ｔａ´に上昇させた後に目標温度Ｔａに制御する場合、プラズマ処理装置１０は、ウエハＷの温度ＴWが目標温度Ｔａとなるまで時間がかかる。 By the way, when the heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that the temperature of each heater HT becomes constant and measures the power supply in the non-ignited state and the transient state, the temperature TW of the wafer W. In a transient state rather than in a non-ignited state, the temperature rises due to heat input from the plasma. FIG. 10 is a diagram schematically showing a change in the temperature of the wafer. For example, the heater control unit 102a controls the temperature Th of the heater HT to a predetermined set temperature Tb such that the temperature TW of the wafer W becomes a predetermined target temperature Ta in the non-ignited state. When the plasma is ignited in such a state, the temperature of the wafer W rises to the temperature Ta'due to the heat input from the plasma. When the temperature of the wafer W rises to the temperature Ta'in this way, the heater control unit 102a lowers the temperature T h of the heater HT to the temperature Tb'so that the temperature of the wafer W becomes the target temperature Ta'. As described above, when the temperature of the wafer W is raised to the temperature Ta'and then controlled to the target temperature Ta, the plasma processing apparatus 10 takes time until the temperature TW of the wafer W reaches the target temperature Ta.

そこで、第２実施形態に係る制御部１００は、記憶部１０４に、熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を設定情報１０４ａとして記憶する。例えば、工程管理者や管理者は、過去の経験や実験等によって求められた熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値をユーザインターフェース１０３から入力する。制御部１００は、ユーザインターフェース１０３から入力された熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を設定情報１０４ａとして記憶部１０４に記憶する。 Therefore, the control unit 100 according to the second embodiment stores the initial values of the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A in the storage unit 104 as the setting information 104a. For example, the process manager or the manager inputs the heat flux qp obtained by past experience, experiments, or the like, and the initial values of the thermal resistance Rth / A from the user interface 103. The control unit 100 stores the heat flux qp input from the user interface 103 and the initial values of the thermal resistance Rth / A in the storage unit 104 as setting information 104a.

設定温度算出部１０２ｄは、プラズマ処理を開始する際、設定情報１０４ａから熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を読み出す。設定温度算出部１０２ｄは、読み出した熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから、式（１２）あるいは式（１３）を用いて、ウエハの目標温度となる各ヒーターＨＴの設定温度を算出する。ヒーター制御部１０２ａは、設定温度算出部１０２ｄにより算出された各ヒーターＨＴが設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。記憶部１０４に、適切な熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値が設定情報１０４ａとして記憶されることにより、設定温度算出部１０２ｄは、最初のウエハＷにおいておも、プラズマからの入熱があっても、ウエハＷの温度が目標温度となるように、ヒーターＨＴの設定温度を算出できる。例えば、図１０の場合、設定温度算出部１０２ｄは、最初のウエハＷでも、ウエハＷの温度が目標温度Ｔａとなるように、ヒーターＨＴの温度Ｔｂ´を算出できる。これにより、プラズマ処理装置１０は、最初のウエハＷの温度ＴWが目標温度Ｔａとなるまで時間を短縮できる。 When starting the plasma processing, the set temperature calculation unit 102d reads out the initial values of the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A from the setting information 104a. The set temperature calculation unit 102d uses the equation (12) or the equation (13) from the read heat flux qp and the thermal resistance Rth · A to set the set temperature of each heater HT which is the target temperature of the wafer. calculate. The heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that each heater HT calculated by the set temperature calculation unit 102d becomes the set temperature. By storing the appropriate initial values of the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A in the storage unit 104 as the setting information 104a, the set temperature calculation unit 102d mainly receives the heat flux from the plasma in the first wafer W. Even if there is heat input, the set temperature of the heater HT can be calculated so that the temperature of the wafer W becomes the target temperature. For example, in the case of FIG. 10, the set temperature calculation unit 102d can calculate the temperature Tb'of the heater HT so that the temperature of the wafer W becomes the target temperature Ta even in the first wafer W. As a result, the plasma processing apparatus 10 can shorten the time until the temperature TW of the first wafer W reaches the target temperature Ta.

計測部１０２ｂは、パラメータ算出部１０２ｃにより、各ヒーターＨＴが設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御している状態で、未点火状態と、過渡状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。 The measurement unit 102b controls the power supply to each heater HT so that each heater HT reaches a set temperature by the parameter calculation unit 102c, and the power supply to each heater HT in the non-ignited state and the transient state. To measure.

パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、プラズマからの入熱量およびウエハＷとヒーターＨＴ間の熱抵抗をパラメータとし、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測部１０２ｂにより計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、実際のプラズマ処理での入熱量および熱抵抗を算出する。 The parameter calculation unit 102c is measured by the measurement unit 102b for a calculation model that calculates the supply power in a transient state by using the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the wafer W and the heater HT as parameters for each heater HT. Fitting is performed using the supplied power in the unignited state and the transient state, and the amount of heat input and the thermal resistance in the actual plasma processing are calculated.

例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの未点火状態のヒータパワーＰｈ０を求める。また、パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの過渡状態のヒータパワーＰｈを求める。そして、パラメータ算出部１０２ｃは、求めたヒータパワーＰｈ、およびヒータパワーＰｈ０のそれぞれをヒーターＨＴごとの面積で除算することによって、経過時間ｔごとの未点火状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ0、および経過時間ｔごとの過渡状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈを求める。 For example, the parameter calculation unit 102c obtains the heater power Ph0 in the unignited state for each elapsed time t for each heater HT. Further, the parameter calculation unit 102c obtains the heater power Ph in the transition state for each elapsed time t for each heater HT. Then, the parameter calculation unit 102c divides each of the obtained heater power Ph and heater power Ph 0 by the area of each heater HT from the heater HT per unit area in the unignited state for each elapsed time t. The calorific value q h0 of the above and the calorific value q h from the heater HT per unit area in the transient state for each elapsed time t are obtained.

そして、パラメータ算出部１０２ｃは、上記の式（１）－（１１）を算出モデルとして用いて、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ、および、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ0のフィッティングを行い、実際のプラズマ処理において、誤差が最も小さくなる熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。 Then, the parameter calculation unit 102c uses the above equations (1)-(11) as a calculation model, and the calorific value q h from the heater HT per unit area for each elapsed time t and the heat generation amount q h for each heater HT. Fitting of the calorific value q h0 from the heater HT per unit area is performed, and the heat flux q p and the thermal resistance R th · A, which have the smallest error in the actual plasma processing, are calculated.

設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、パラメータ算出部１０２ｃにより算出された、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの設定温度を算出する。 The set temperature calculation unit 102d uses the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A of the actual plasma processing calculated by the parameter calculation unit 102c for each heater HT, and the heater HT whose wafer W is the target temperature. Calculate the set temperature of.

設定温度算出部１０２ｄは、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから算出された各ヒーターＨＴの設定温度が、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値から算出された各ヒーターＨＴの設定温度から所定以上乖離しているか判定する。設定温度算出部１０２ｄは、所定以上乖離している場合、ヒーター制御部１０２ａの設定温度を、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから算出された各ヒーターＨＴの設定温度に更新する。これにより、各ヒーターＨＴの設定温度が実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから求めた設定温度に更新されるため、ウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。ヒーター制御部１０２ａは、更新された設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。 In the set temperature calculation unit 102d, the set temperature of each heater HT calculated from the heat flux q p and the thermal resistance R th A of the actual plasma treatment is the initial stage of the heat flux q p and the thermal resistance R th A. It is determined whether or not the temperature deviates from the set temperature of each heater HT calculated from the value by a predetermined value or more. When the set temperature calculation unit 102d deviates by a predetermined value or more, the set temperature of the heater control unit 102a is set to the set temperature of each heater HT calculated from the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A of the actual plasma processing. Update to. As a result, the set temperature of each heater HT is updated to the set temperature obtained from the heat flux qp and the thermal resistance Rth・ A of the actual plasma processing, so that the temperature of the wafer W can be accurately controlled to the target temperature. The heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that the set temperature is updated.

設定温度算出部１０２ｄは、所定以上乖離している場合、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを設定情報１０４ａに格納する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、設定情報１０４ａに記憶された熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａで置き換える。これにより、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａが初期値として設定情報１０４ａに保存されて使用される。すなわち、設定温度算出部１０２ｄは、所定以上乖離している場合、予め記憶部１０４に保存されている熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを常に最新の値に更新する。 When the set temperature calculation unit 102d deviates by a predetermined value or more, the heat flux qp and the thermal resistance Rth・ A of the actual plasma processing are stored in the setting information 104a. For example, the set temperature calculation unit 102d replaces the initial values of the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A stored in the setting information 104a with the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A of the actual plasma processing. .. As a result, the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A of the actual plasma treatment are stored in the setting information 104a as initial values and used. That is, when the set temperature calculation unit 102d deviates from a predetermined value or more, the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A stored in the storage unit 104 in advance are always updated to the latest values.

［温度制御の流れ］
次に、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１０を用いた温度制御方法について説明する。図１１は、第２実施形態に係る温度制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。 [Temperature control flow]
Next, a temperature control method using the plasma processing apparatus 10 according to the second embodiment will be described. FIG. 11 is a flowchart showing an example of the flow of the temperature control method according to the second embodiment.

設定温度算出部１０２ｄは、プラズマ処理を開始する際、設定情報１０４ａから熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を読み出す（ステップＳ２０）。 When starting the plasma processing, the set temperature calculation unit 102d reads out the initial values of the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A from the setting information 104a (step S20).

設定温度算出部１０２ｄは、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから、式（１２）あるいは式（１３）を用いて、ウエハＷの目標温度となる各ヒーターＨＴの設定温度を算出する（ステップＳ２１）。 The set temperature calculation unit 102d calculates the set temperature of each heater HT, which is the target temperature of the wafer W, from the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A using the formula (12) or the formula (13). (Step S21).

ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴが設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する（ステップＳ２２）。 The heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that each heater HT reaches a set temperature (step S22).

計測部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａが各ヒーターＨＴの温度が一定の設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御している状態で、未点火状態と過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する（ステップＳ２３）。 The measuring unit 102b transfers the power supplied to each heater HT to each heater HT in the non-ignited state and the transient state while the heater control unit 102a controls the power supply to each heater HT so that the temperature of each heater HT becomes a constant set temperature. (Step S23).

パラメータ算出部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力をヒーターＨＴの面積で除算することによって求められる単位面積当たりのヒーターからの発熱量を用いてフィッティングを行って、入熱量および熱抵抗を算出する（ステップＳ２４）。例えば、パラメータ算出部１０２ｃは、上記の式（１）－（１１）を算出モデルとして用いて、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ、および、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ0のフィッティングを行い、誤差が最も小さくなる熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。 The parameter calculation unit 102c generates heat from the heater per unit area obtained by dividing the measured power supply in the non-ignited state and the transient state by the area of the heater HT for each heater HT. Fitting is performed using the above, and the amount of heat input and the thermal resistance are calculated (step S24). For example, the parameter calculation unit 102c uses the above equations (1)-(11) as a calculation model, and the calorific value q h from the heater HT per unit area for each elapsed time t and the heat generation amount q h for each heater HT. Fitting of the calorific value q h0 from the heater HT per unit area is performed, and the heat flux q p with the smallest error and the thermal resistance R th · A are calculated.

設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出する（ステップＳ２５）。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを式（５）、（６）、（１２）に代入し、式（５）－（１１）に示したａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を用いて、式（１２）からウエハＷの温度ＴＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する。なお、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈは、式（１３）から求めてもよい。 The set temperature calculation unit 102d calculates the temperature of the heater HT at which the wafer W becomes the target temperature by using the calculated heat input amount and thermal resistance for each heater HT (step S25). For example, the set temperature calculation unit 102d substitutes the calculated heat flux qp and the thermal resistance Rth・ A into the equations (5), (6), and (12) for each heater HT, and substitutes them into the equation (5), (6), and (12). )-Using a 1 , a 2 , a 3 , λ 1 , λ 2 , τ 1 , τ 2 shown in (11), the heater HT whose target temperature is the temperature TW of the wafer W from the equation (12). The temperature Th of is calculated. The temperature Th of the heater HT at which the temperature of the wafer W is the target temperature may be obtained from the equation (13).

設定温度算出部１０２ｄは、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから算出された各ヒーターＨＴの設定温度が、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値から算出された各ヒーターＨＴの設定温度から所定以上乖離しているか判定する（ステップＳ２６）。 In the set temperature calculation unit 102d, the set temperature of each heater HT calculated from the heat flux q p and the thermal resistance R th A of the actual plasma treatment is the initial stage of the heat flux q p and the thermal resistance R th A. It is determined whether or not the temperature deviates from the set temperature of each heater HT calculated from the value by a predetermined value or more (step S26).

所定以上乖離している場合（ステップＳ２６：Ｙｅｓ）、設定温度算出部１０２ｄは、ヒーター制御部１０２ａの設定温度を、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａから算出された各ヒーターＨＴの設定温度に更新する（ステップＳ２７）。 When the deviation is more than a predetermined value (step S26: Yes), the set temperature calculation unit 102d calculates the set temperature of the heater control unit 102a from the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A of the actual plasma processing. The temperature is updated to the set temperature of each heater HT (step S27).

設定温度算出部１０２ｄは、設定情報１０４ａに記憶された熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａで置き換える（ステップＳ２８）。これにより、実際のプラズマ処理の熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａが初期値として設定情報１０４ａに保存されて使用される。 The set temperature calculation unit 102d replaces the initial values of the heat flux q p and the thermal resistance R th A stored in the setting information 104a with the heat flux q p and the thermal resistance R th A of the actual plasma processing (step). S28). As a result, the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A of the actual plasma treatment are stored in the setting information 104a as initial values and used.

一方、所定以上乖離していない場合（ステップＳ２６：Ｎｏ）、設定温度算出部１０２ｄは、設定温度を更新せず、そのままで制御する（ステップＳ２９）。 On the other hand, when the deviation is not more than a predetermined value (step S26: No), the set temperature calculation unit 102d controls the set temperature as it is without updating it (step S29).

設定温度算出部１０２ｄは、続けて実施する次のプラズマ処理があるか否かを判定する（ステップＳ３０）。続けて実施する次のプラズマ処理がある場合（ステップＳ３０：Ｙｅｓ）、上述したステップＳ２２へ移行する。一方、続けて実施する次のプラズマ処理がない場合（ステップＳ３０：Ｎｏ）、処理を終了する。 The set temperature calculation unit 102d determines whether or not there is a next plasma process to be continuously performed (step S30). If there is a next plasma treatment to be carried out subsequently (step S30: Yes), the process proceeds to step S22 described above. On the other hand, when there is no next plasma treatment to be continuously performed (step S30: No), the treatment is terminated.

このように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、入熱量および熱抵抗を設定情報１０４ａとして記憶部１０４に記憶する。設定温度算出部１０２ｄは、記憶部１０４に記憶された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの設定温度を算出する。これにより、プラズマ処理装置１０は、ウエハＷの温度ＴWが目標温度Ｔａとなるまで時間を短縮できる。また、プラズマ処理装置１０は、予め予測されるウエハＷの目標温度となるヒーターＨＴの温度設定を行うため、プラズマ着火後のウエハＷの温度の誤差が小さくなり、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度により精度の良く制御できる。 As described above, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment stores the heat input amount and the thermal resistance in the storage unit 104 as the setting information 104a. The set temperature calculation unit 102d calculates the set temperature of the heater HT at which the wafer W is the target temperature by using the heat input amount and the thermal resistance stored in the storage unit 104. As a result, the plasma processing apparatus 10 can shorten the time until the temperature TW of the wafer W reaches the target temperature Ta. Further, since the plasma processing apparatus 10 sets the temperature of the heater HT, which is the target temperature of the wafer W predicted in advance, the error in the temperature of the wafer W after plasma ignition is reduced, and the temperature of the wafer W during plasma processing is reduced. Can be controlled with high accuracy by the target temperature.

設定温度算出部１０２ｄは、算出された当該設定温度が、パラメータ算出部１０２ｃにより算出された入熱量および熱抵抗から算出された設定温度から所定以上乖離しているか判定する。設定温度算出部１０２ｄは、所定以上乖離している場合、記憶部１０４に記憶された入熱量および熱抵抗を、パラメータ算出部１０２ｃにより算出された入熱量および熱抵抗に更新する。これにより、次に実施されるプラズマ処理においてもウエハＷの温度を目標温度により精度の高い制御できる。 The set temperature calculation unit 102d determines whether the calculated set temperature deviates from the set temperature calculated from the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit 102c by a predetermined value or more. When the set temperature calculation unit 102d deviates from a predetermined value or more, the heat input amount and thermal resistance stored in the storage unit 104 are updated to the heat input amount and thermal resistance calculated by the parameter calculation unit 102c. As a result, the temperature of the wafer W can be controlled with high accuracy by the target temperature even in the plasma processing to be performed next.

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者には明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 Although the present invention has been described above using the embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be made to the above embodiments. It is also clear from the description of the claims that the form with such changes or improvements may be included in the technical scope of the present invention.

例えば、上記の実施形態では、被処理体として半導体ウエハにプラズマ処理を行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。被処理体は、温度によってプラズマ処理の進行に影響があるものであれば何れであってもよい。 For example, in the above embodiment, the case where the semiconductor wafer is subjected to plasma processing as an object to be processed has been described as an example, but the present invention is not limited to this. The object to be treated may be any as long as it affects the progress of plasma treatment depending on the temperature.

また、上記の第２実施形態では、設定情報１０４ａに熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの初期値を１つ記憶する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａはプラズマ処理を行う条件に依存することから、異なるプラズマ処理条件を用いるときは、予測される熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａも切り替える必要がある。そこで、記憶部１０４に熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａと共に、依存性のあるプラズマ処理のパラメータに関連付けて保存しておく。例えば、熱抵抗Ｒｔｈについての依存性のあるプラズマ処理のパラメータとしては、伝熱ガス圧、静電チャック１８への印加電圧、冷媒温度、静電チャック１８の表面状態などがある。熱流束ｑｐについての依存性のあるプラズマ処理のパラメータとしては、高周波電力ＨＦＳ、高周波電力ＬＦＳ、処理容器１２内の圧力、ガス種などがある。設定温度算出部１０２ｄは、実施するプラズマ処理のプラズマ処理条件に対応した熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを記憶部１０４から読み出すようにしてもよい。 Further, in the second embodiment described above, the case where one initial value of the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A is stored in the setting information 104a has been described as an example, but the present invention is not limited to this. Since the heat flux q p and the thermal resistance R th · A depend on the conditions for plasma treatment, the predicted heat flux q p and the thermal resistance R th · A are also switched when different plasma treatment conditions are used. There is a need. Therefore, the heat flux qp and the thermal resistance Rth · A are stored in the storage unit 104 in association with the dependent plasma processing parameters. For example, the parameters of plasma processing that depend on the thermal resistance Rth include the heat transfer gas pressure, the voltage applied to the electrostatic chuck 18, the refrigerant temperature, and the surface state of the electrostatic chuck 18. Dependent plasma processing parameters for the heat flux qp include high frequency power HFS, high frequency power LFS, pressure in the processing container 12, gas type, and the like. The set temperature calculation unit 102d may read the heat flux qp and the thermal resistance Rth / A corresponding to the plasma processing conditions of the plasma processing to be performed from the storage unit 104.

また、上記の実施形態では、プラズマ処理としてプラズマエッチングを行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。プラズマ処理は、プラズマを用いており、温度によって処理の進行に影響があるものであれば何れであってもよい。 Further, in the above embodiment, the case where plasma etching is performed as plasma processing has been described as an example, but the present invention is not limited to this. As the plasma treatment, plasma is used, and any plasma treatment may be used as long as the temperature affects the progress of the treatment.

１０ プラズマ処理装置
１６ 載置台
１８ 静電チャック
１８ａ 載置領域
２０ 基台
１００ 制御部
１０２ プロセスコントローラ
１０２ａ ヒーター制御部
１０２ｂ 計測部
１０２ｃ パラメータ算出部
１０２ｄ 設定温度算出部
１０２ｅ アラート部
１０４ 記憶部
ＨＰ ヒーター電源
ＨＴ ヒーター
ＰＤ 電力検出部
ＴＤ 温度測定器
Ｗ ウエハ 10 Plasma processing device 16 Mounting table 18 Electrostatic chuck 18a Mounting area 20 Base 100 Control unit 102 Process controller 102a Heater control unit 102b Measuring unit 102c Parameter calculation unit 102d Setting temperature calculation unit 102e Alert unit 104 Storage unit HP Heater power supply HT Heater PD Power detector TD Temperature measuring instrument W Wafer

Claims (6)

プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面の温度を調整可能なヒーターが設けられた載置台と、
前記ヒーターが設定された設定温度となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御するヒーター制御部と、
前記ヒーター制御部により、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから前記ヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測する計測部と、
プラズマからの入熱量および被処理体と前記ヒーター間の熱抵抗をパラメータとし、前記過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、前記計測部により計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記入熱量および前記熱抵抗を算出するパラメータ算出部と、
前記パラメータ算出部により算出された前記入熱量および前記熱抵抗を用いて、被処理体が目標温度となる前記ヒーターの設定温度を算出する設定温度算出部と、
を有するプラズマ処理装置。 A mounting table equipped with a heater that can adjust the temperature of the mounting surface on which the object to be treated to be plasma treated is placed, and
A heater control unit that controls the power supplied to the heater so that the heater reaches the set temperature.
The heater control unit controls the power supplied to the heater so that the temperature of the heater becomes constant, so that the non-ignited state in which the plasma is not ignited and the power supplied to the heater after the plasma is ignited are controlled. A measuring unit that measures the power supply in a declining transient state,
Supply of unignited state and transient state measured by the measuring unit to the calculation model that calculates the supply power in the transient state using the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the object to be processed and the heater as parameters. A parameter calculation unit that calculates the amount of heat input and the thermal resistance by performing fitting using electric power.
A set temperature calculation unit that calculates the set temperature of the heater at which the object to be processed is the target temperature using the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit.
Plasma processing equipment with. 前記載置台は、前記載置面を分割した領域毎に前記ヒーターが個別に設けられ、
前記ヒーター制御部は、領域毎に設けられた前記ヒーターが領域毎に設定された設定温度となるよう前記ヒーターごとに供給電力を制御し、
前記計測部は、前記ヒーター制御部により、前記ヒーターごとに温度が一定となるよう供給電力を制御して、前記未点火状態と、前記過渡状態での供給電力を前記ヒーターごとに計測し、
前記パラメータ算出部は、前記ヒーターごとに、前記算出モデルに対して、前記計測部により計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記ヒーターごとに前記入熱量および前記熱抵抗を算出し、
前記設定温度算出部は、前記ヒーターごとに、前記パラメータ算出部により算出された前記入熱量および前記熱抵抗を用いて、被処理体が目標温度となる前記設定温度を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。 In the above-mentioned pedestal, the heater is individually provided for each area where the above-mentioned pedestal surface is divided.
The heater control unit controls the power supply for each heater so that the heater provided for each area has a set temperature set for each area.
The measuring unit controls the supply power so that the temperature becomes constant for each heater by the heater control unit, and measures the supply power in the non-ignited state and the transition state for each heater.
The parameter calculation unit performs fitting to the calculation model for each heater using the supply power in the non-ignited state and the transient state measured by the measurement unit, and the heat input amount and the heat input amount for each heater. Calculate the thermal resistance and
The set temperature calculation unit is characterized in that the set temperature at which the object to be processed is the target temperature is calculated for each heater by using the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit. The plasma processing apparatus according to claim 1. 前記計測部は、所定のサイクルで、前記未点火状態と、前記過渡状態での供給電力を計測し、
前記パラメータ算出部は、前記所定のサイクルごとに、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いて、前記入熱量および前記熱抵抗をそれぞれ算出し、
前記パラメータ算出部により算出される前記入熱量および前記熱抵抗の少なくとも一方の変化に基づき、アラートを行うアラート部をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。 The measuring unit measures the supplied power in the non-ignited state and the transient state in a predetermined cycle, and measures the power supply.
The parameter calculation unit calculates the amount of heat input and the thermal resistance, respectively, using the measured power supplied in the non-ignited state and the transient state for each predetermined cycle.
The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising an alert unit for alerting based on a change in at least one of the heat input amount and the thermal resistance calculated by the parameter calculation unit. 前記入熱量および前記熱抵抗を記憶する記憶部をさらに有し、
前記設定温度算出部は、前記記憶部に記憶された前記入熱量および前記熱抵抗を用いて、被処理体が目標温度となる前記ヒーターの設定温度を算出し、当該設定温度が、前記パラメータ算出部により算出された前記入熱量および前記熱抵抗から算出された設定温度から所定以上乖離している場合、前記記憶部に記憶された前記入熱量および前記熱抵抗を、前記パラメータ算出部により算出された前記入熱量および前記熱抵抗に更新する
ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。 Further having a storage unit for storing the heat input amount and the thermal resistance,
The set temperature calculation unit calculates the set temperature of the heater at which the object to be processed is the target temperature by using the heat input amount and the heat resistance stored in the storage unit, and the set temperature is the parameter calculation. When the temperature deviates from the heat input amount calculated by the unit and the set temperature calculated from the heat resistance by a predetermined value or more, the heat input amount and the heat resistance stored in the storage unit are calculated by the parameter calculation unit. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat input amount and the heat resistance are updated. プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面の温度を調整可能なヒーターが設けられた載置台の前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから前記ヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測し、
プラズマからの入熱量および被処理体と前記ヒーター間の熱抵抗をパラメータとし、前記過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記入熱量および前記熱抵抗を算出し、
算出された前記入熱量および前記熱抵抗を用いて、被処理体が目標温度となる前記ヒーターの設定温度を算出する
処理を実行することを特徴とする温度制御方法。 The power supply to the heater is controlled so that the temperature of the heater on the mounting table provided with a heater capable of adjusting the temperature of the mounting surface on which the object to be treated to be plasma-processed is placed becomes constant. , Measure the power supply in the unignited state where the plasma is not ignited and in the transient state where the power supply to the heater decreases after the plasma is ignited.
Using the measured unignited and transient power supplies for a calculation model that calculates the transient power supply using the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the object to be processed and the heater as parameters. Fitting is performed to calculate the amount of heat input and the thermal resistance.
A temperature control method comprising executing a process of calculating a set temperature of the heater at which the object to be processed becomes a target temperature by using the calculated heat input amount and the thermal resistance. プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面の温度を調整可能なヒーターが設けられた載置台の前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから前記ヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測し、
プラズマからの入熱量および被処理体と前記ヒーター間の熱抵抗をパラメータとし、前記過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記入熱量および前記熱抵抗を算出し、
算出された前記入熱量および前記熱抵抗を用いて、被処理体が目標温度となる前記ヒーターの設定温度を算出する
処理を実行させることを特徴とする温度制御プログラム。 The power supply to the heater is controlled so that the temperature of the heater on the mounting table provided with a heater capable of adjusting the temperature of the mounting surface on which the object to be treated to be plasma-processed is placed becomes constant. , Measure the power supply in the unignited state where the plasma is not ignited and in the transient state where the power supply to the heater decreases after the plasma is ignited.
Using the measured unignited and transient power supplies for a calculation model that calculates the transient power supply using the amount of heat input from the plasma and the thermal resistance between the object to be processed and the heater as parameters. Fitting is performed to calculate the amount of heat input and the thermal resistance.
A temperature control program characterized in that a process of calculating a set temperature of the heater, which is a target temperature, is executed by the object to be processed using the calculated heat input amount and the thermal resistance.
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