JP7059893B2 - Detection signal processing circuit and rotation detection device equipped with this - Google Patents
Detection signal processing circuit and rotation detection device equipped with this Download PDFInfo
- Publication number
- JP7059893B2 JP7059893B2 JP2018200314A JP2018200314A JP7059893B2 JP 7059893 B2 JP7059893 B2 JP 7059893B2 JP 2018200314 A JP2018200314 A JP 2018200314A JP 2018200314 A JP2018200314 A JP 2018200314A JP 7059893 B2 JP7059893 B2 JP 7059893B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- output
- magnetic sensor
- processing circuit
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/10—Internal combustion engine [ICE] based vehicles
- Y02T10/12—Improving ICE efficiencies
Description
本発明は、回転体に対向して配置され、回転体の回転に応じた信号を出力するセンサ素子を備えるものであって、当該センサ素子からの出力信号を調整する機能を備えた検出信号処理回路およびこれを備える回転検出装置に関する。 The present invention includes a sensor element that is arranged facing the rotating body and outputs a signal corresponding to the rotation of the rotating body, and has a detection signal processing having a function of adjusting an output signal from the sensor element. The present invention relates to a circuit and a rotation detection device including the circuit.
従来、この種の検出信号処理回路としては、例えば特許文献1に記載のものが挙げられる。この検出信号処理回路は、回転体と対向して配置され、回転体の回転に応じた信号を出力する2つの磁気センサと、磁気センサからの出力信号を2値化する2値化回路と、2値化されたパルス信号に基づいて回転体の回転方向を判定する正逆判定回路とを備える。また、この検出信号処理回路は、正逆判定回路により判定された回転体の回転方向に応じて動作するスイッチング素子を有しており、回転体の回転方向に応じて異なる信号をECU(Electronic Control Unitの略)に出力する。このECUは、この検出信号処理回路から出力された出力信号に基づいて、回転体の回転数を検出するための回路と回転方向を検出するための回路とを備える。
Conventionally, examples of this type of detection signal processing circuit include those described in
ここで、この種の検出信号処理回路を備える回転検出装置は、例えば、検出信号処理回路を備えるICと、磁石と、ICが収容されるケース状の部材のハウジングと、を有してなる。この種の回転検出装置は、回転体に対向して配置された2つの磁気センサから出力された出力信号を検出信号処理回路で処理した後、ハウジングに備えられた配線を通じて外部のECUに検出信号を出力し、回転体の回転方向と回転数を検出する。 Here, the rotation detection device including this kind of detection signal processing circuit includes, for example, an IC including a detection signal processing circuit, a magnet, and a housing of a case-shaped member in which the IC is housed. In this type of rotation detection device, after processing the output signals output from the two magnetic sensors arranged facing the rotating body by the detection signal processing circuit, the detection signal is sent to the external ECU through the wiring provided in the housing. Is output to detect the rotation direction and the number of rotations of the rotating body.
ところが、この種の回転検出装置は、その製造工程上での実装精度の問題などにより、実装されたIC中の磁気センサと磁石との相対位置(以下「実装位置」という)が、設計における予定の相対位置(以下「設計位置」という)からずれることがある。このような磁気センサの実装位置と設計位置とのズレ(以下、単に「位置ズレ」という)が生じた場合、2つの磁気センサからの出力信号の位相が、設計における予定の出力信号の位相に対してずれてしまう。このような出力信号の位相ズレが生じると、出力信号に基づいて生成されるパルス信号の位相もずれてしまい、検出角度精度の低下を招く。 However, due to problems with mounting accuracy in the manufacturing process of this type of rotation detection device, the relative position between the magnetic sensor and magnet in the mounted IC (hereinafter referred to as "mounting position") is planned in the design. It may deviate from the relative position of (hereinafter referred to as "design position"). When such a deviation between the mounting position of the magnetic sensor and the design position (hereinafter, simply referred to as “positional deviation”) occurs, the phase of the output signals from the two magnetic sensors becomes the phase of the planned output signal in the design. On the other hand, it shifts. When such a phase shift of the output signal occurs, the phase of the pulse signal generated based on the output signal also shifts, which causes a decrease in the detection angle accuracy.
特許文献1に記載の検出信号処理回路は、上記の位置ズレに起因する出力信号の位相ズレを補正する回路等を備えていないため、磁気センサの位置ズレが生じた場合における検出角度精度の低下を抑制することができない。
Since the detection signal processing circuit described in
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、磁気センサが設計位置と異なる位置に実装された場合であっても、その位置ズレに起因した検出角度精度の低下を抑制できる検出信号処理回路およびこれを備える回転検出装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and even when the magnetic sensor is mounted at a position different from the design position, a detection signal capable of suppressing a decrease in detection angle accuracy due to the positional deviation can be suppressed. It is an object of the present invention to provide a processing circuit and a rotation detection device including the processing circuit.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の検出信号処理回路は、対向配置された回転体(4)の回転を検出する回転検出装置に用いられる検出信号処理回路(1)であって、回転体と対向配置される、第1磁気センサ(51)および第2磁気センサ(52)と、第1磁気センサから出力される第1出力信号の2値化処理を行う第1の2値化回路(61)と、第2磁気センサから出力される第2出力信号の2値化処理を行う第2の2値化回路(62)と、を備える。このような構成において、当該回転検出装置は、磁石を有してなり、第1磁気センサは、磁界の強さの変化に応じた信号を出力する複数のセンサ部(511)を有してなり、第1の2値化回路は、複数のセンサ部から出力される出力信号を所定の増幅率で増幅し、増幅した増幅信号を出力する2つのゲイン調整部(611、612)と、2つのゲイン調整部から出力された2つの増幅信号を合成し、1つの合成信号を出力する信号合成部(613)と、合成信号の2値化処理を行う2値化処理部(614)とを有してなり、ゲイン調整部は、回転検出装置を構成する第1磁気センサと磁石との相対位置に対応して、増幅率を変更可能な構成とされている。
In order to achieve the above object, the detection signal processing circuit according to
これにより、磁気センサから出力される出力信号を2値化する2値化回路を備える検出信号処理回路が回転検出装置に組み込まれた後に、2値化回路における出力信号の増幅率が所定の範囲内で変更可能な構成となる。すなわち、2値化回路は、回転検出装置の一部として組み込まれた後であっても、ゲイン調整部における増幅率を適宜調整することが可能な構成となっている。 As a result, after the detection signal processing circuit including the binarization circuit for binarizing the output signal output from the magnetic sensor is incorporated in the rotation detection device, the amplification factor of the output signal in the binarization circuit is within a predetermined range. It will be a configuration that can be changed within. That is, the binarization circuit has a configuration in which the amplification factor in the gain adjusting unit can be appropriately adjusted even after being incorporated as a part of the rotation detection device.
ここで、本発明者らは、磁気センサを備える検出信号処理回路を用いて回転検出装置を製造した場合において、センサ部と磁石との相対位置が設計上の位置と異なる位置になったとき、検出角度精度の低下抑制の対策について鋭意検討を行った。その結果、本発明者らは、合成信号の基礎となる2つの増幅信号の増幅率の調整(以下、「ゲイン調整」という)を行うことで、合成信号を2値化して得られるパルス信号の位相を所定の範囲内で調整できることを見出した。 Here, the present inventors have manufactured a rotation detection device using a detection signal processing circuit provided with a magnetic sensor, and when the relative position between the sensor unit and the magnet becomes a position different from the design position. We made a diligent study on measures to suppress the decrease in detection angle accuracy. As a result, the present inventors adjust the amplification factors of the two amplified signals that are the basis of the combined signal (hereinafter referred to as "gain adjustment") to obtain a pulse signal obtained by binarizing the combined signal. We have found that the phase can be adjusted within a predetermined range.
つまり、この2値化回路を備える検出信号処理回路は、磁気センサが設計上の位置と異なる位置に実装された場合であっても、ゲイン調整を行うことで2値化処理部から出力されるパルス信号の位相を事後的に調整できる構成とされている。そのため、磁気センサが設計上の位置と異なる位置に実装されたとしても、ゲイン調整部でのゲイン調整により、2値化処理部は、磁気センサが設計上の位置に実装された場合における出力信号に基づいて出力されるパルス信号と同様のパルス信号を出力する。 That is, the detection signal processing circuit provided with this binarization circuit is output from the binarization processing unit by adjusting the gain even when the magnetic sensor is mounted at a position different from the design position. The configuration is such that the phase of the pulse signal can be adjusted after the fact. Therefore, even if the magnetic sensor is mounted at a position different from the design position, the gain adjustment by the gain adjustment unit causes the binarization processing unit to output the output signal when the magnetic sensor is mounted at the design position. A pulse signal similar to the pulse signal output based on is output.
よって、この検出信号処理回路は、磁気センサが設計位置と異なる位置に実装されたとしても、位置ズレをしていない場合のパルス信号と同等のパルス信号を出力するように調整可能とされており、位置ズレに起因した検出角度精度の低下を抑制できる構成となる。 Therefore, even if the magnetic sensor is mounted at a position different from the design position, this detection signal processing circuit can be adjusted to output a pulse signal equivalent to the pulse signal when the position is not displaced. The configuration is such that a decrease in detection angle accuracy due to positional deviation can be suppressed.
また、請求項4に記載の発明のように、上記の検出信号処理回路を備えることで、位置ズレによる検出角度の精度低下が抑制される回転検出装置となる。
Further, as in the invention of
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。 The reference numerals in parentheses attached to each component or the like indicate an example of the correspondence between the component or the like and the specific component or the like described in the embodiment described later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, the parts that are the same or equal to each other will be described with the same reference numerals.
(第1実施形態)
第1実施形態の検出信号処理回路1について説明する。本実施形態の検出信号処理回路1は、例えばカム角センサやクランク角センサなどの各種の回転検出装置に適用されると好適であるが、エンジン回転センサや車輪速センサなどの他の回転検出装置にも適用され得る。
(First Embodiment)
The detection
〔回転検出装置の構成〕
まず、本実施形態の検出信号処理回路1を備える回転検出装置について、図1、図2を参照して述べるが、検出信号処理回路1を除き、公知の回転検出装置の各種構成が採用されるため、本明細書では検出信号処理回路1以外の構成要素については簡単に説明する。
[Configuration of rotation detection device]
First, the rotation detection device including the detection
図1、図2では、後述する回転体4の回転方向を示すと共に、一例として、図1、図2中での時計回りの回転方向を「正転」とし、反時計回りの回転方向を「逆転」としているが、これに限られず、正転および逆転の向きについては、適宜変更されてもよい。
1 and 2 show the rotation direction of the
本実施形態の検出信号処理回路1を備える回転検出装置は、例えば、図1に示すように、検出信号処理回路1が回転体4と対向配置されると共に、検出信号処理回路1が配線31~33を介して外部のECU2に接続されている。この回転検出装置は、例えば、山部41と谷部42とを備える回転体4の回転に対応して、検出信号処理回路1が回転体の回転方向および回転数に応じたパルス信号を外部のECU2へ出力する構成とされる。
In the rotation detection device including the detection
検出信号処理回路1は、例えば、図2に示すように、2つの磁気センサ51、52と、2つの2値化回路61、62と、正逆判定回路71と、定電圧回路72と、定電流回路73と、定電流源74と、スイッチ75と、トランジスタ76とを有してなる。
As shown in FIG. 2, the detection
検出信号処理回路1は、回転体4と対向配置された2つの磁気センサ51、52が、回転体の回転に応じた出力信号を出力し、当該出力信号を2値化回路61、62が2値化処理を行う構成とされている。検出信号処理回路1は、2値化回路61、62により2値化されたパルス信号を正逆判定回路71で処理すると共に、回転体4の回転数に対応する回転数信号を信号線32に出力する。検出信号処理回路1は、正逆判定回路71により回転体4の回転方向を判定すると共に、当該回転方向に応じてスイッチ75を開閉し、検出信号処理回路1内での消費電流を変化させることで、電源線31を介して接続されたECU2側の電位V1を変化させる。この電位V1の電位変化が回転体4の回転方向に応じた回転方向信号に相当し、検出信号処理回路1が回転体4の回転方向に応じて、ECU2に回転方向信号を出力することと同様の結果となる。検出信号処理回路1は、例えば上記のような構成とされることで、回転体4の回転に応じた各種出力信号をECU2に向けて出力する。検出信号処理回路1の概要は上記したとおりであり、詳細について後ほど説明する。
In the detection
ECU2は、例えば、図1に示すように、電源Vccと、回転方向信号処理回路21と、回転数信号処理回路22と、電位検出抵抗R1と、プルアップ抵抗R2とを備えた構成とされる。ECU2は、電源Vccおよび回転方向信号処理回路21が電源線31を介して検出信号処理回路1に接続され、検出信号処理回路1に電源Vccから電流を供給する。ECU2は、回転数信号処理回路22が信号線32を介して、内部のグラウンド部位がグラウンド線33を介して、それぞれ検出信号処理回路1に接続されている。ECU2は、図1に示すように、電源Vccと電源線31との間に電位検出抵抗R1が直列に接続されると共に、電源Vccと信号線32とが接続され、これらの間にプルアップ抵抗R2が直列に接続された構成とされている。
As shown in FIG. 1, the
ECU2は、検出信号処理回路1からの回転数信号を、回転数信号処理回路22で処理することにより、回転体4の回転数を算出する。ECU2は、検出信号処理回路1が回転体4の回転方向に応じて電流値を調整することにより電位V1が変化した際に、この電位V1の電位変化が回転方向信号処理回路21に伝送される構成とされている。ECU2は、この電位V1の電位変化を回転方向信号処理回路21で処理することで、回転体4の回転方向を検出する。
The
例えば、上記の構成とされることで、検出信号処理回路1とECU2とが3本の配線31~33で接続されつつも、回転体4の回転数および回転方向を検出することができる回転検出装置とされる。以上が、回転検出装置の基本的な構成である。
For example, with the above configuration, rotation detection can detect the rotation speed and rotation direction of the
なお、回転体4は、例えば、自動車などの車両を構成するギアなどの部品であり、磁性体材料により構成され、山部41と谷部42とが所定のピッチで形成された形状とされるが、これに限定されるものではない。
The
〔検出信号処理回路の構成〕
次に、検出信号処理回路1およびその構成要素について、図2を参照して説明する。
[Configuration of detection signal processing circuit]
Next, the detection
磁気センサ51、52は、例えば、任意の磁気抵抗素子を有してなり、図2に示すように回転体4と対向配置され、回転体4の回転に伴う磁界の強さの変化に応じた信号を出力するよう構成されている。
The
具体的には、磁気センサ51、52は、例えば、回転体4の山部41のピッチを整数倍した距離に所定の距離(例えば当該ピッチの1/4の距離など)を加算または減算した距離を隔てて配置される。磁気センサ51、52は、例えば図3(a)、図3(b)に示すように、それぞれ所定の位相差(前述の配置例の場合、1/4の位相差)をもった正弦波状の出力信号を出力する。
Specifically, the
以下、説明の簡略化のため、図3(a)、図3(b)に示すように、便宜的に、第1磁気センサ51の出力信号を「第1出力信号」と称し、第2磁気センサ52の出力信号を「第2出力信号」と称する。また、図3(a)、図3(b)に示すように、第1出力信号を2値化することで得られるパルス信号を「第1パルス信号」と称し、第2出力信号を2値化することで得られるパルス信号を「第2パルス信号」と称する。さらに、図3(a)、図3(b)では、見易くするために、第1出力信号および第1パルス信号を実線で示し、第2出力信号および第2パルス信号を破線で示すと共に、便宜的に、2つのパルス信号のハイレベルとローレベルとをずらした状態で示している。
Hereinafter, for the sake of simplification of the description, as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), the output signal of the first
なお、本実施形態では、第1磁気センサ51が回転体4の回転数および回転角の検出に、第2磁気センサ52が第1磁気センサ51と共に回転体4の回転方向の検出に、それぞれ用いられる例について説明する。第1磁気センサ51からの第1出力信号は、第1の2値化回路61に伝送され、第2磁気センサ52からの第2出力信号は、第2の2値化回路62に伝送される。
In the present embodiment, the first
ここで、磁気センサ51、52は、検出信号処理回路1が回転検出装置の一部として組み込まれた際に、当該回転検出装置の磁石との相対位置が、実装精度の問題などにより、設計位置と異なる位置に配置されることがある。この場合、磁気センサ51、52の出力信号の位相がシフトしてしまい、ひいては当該出力信号に基づいて生成されるパルス信号の位相もシフトし、検出角度精度の低下を招く。2値化回路61、62の少なくとも一方は、このような磁気センサ51、52の位置ズレが生じた場合において、生成されるパルス信号の位相が設計上で予定されるパルス信号の位相とズレが生じることを抑制する構成とされている。
Here, in the
この磁気センサ51、52の実装時における位置ズレとこれに伴う出力信号の位相ズレおよびその影響、並びに2値化回路61もしくは62による出力信号の位相ズレ影響の緩和については、後ほど詳しく説明する。
The positional shift at the time of mounting the
2値化回路61、62は、磁気センサ51、52から出力された正弦波状の出力信号が、設定された所定の閾値を超えるか否かにより矩形状の2値出力のパルス信号に変換する2値化処理を行う構成とされている。2値化回路61、62のうち少なくとも一方は、磁気センサ51、52と磁石との相対位置に対応して、第1磁気センサ51または第2磁気センサ52からの出力信号の増幅率を所定の範囲内で調整可能な構成とされている。
The
本実施形態では、第1の2値化回路61が第1磁気センサ51の出力信号の増幅率を所定の範囲内で調整可能な構成とされ、第2の2値化回路62が第2磁気センサ52の出力信号の増幅率が所定の値に固定された例について説明する。また、第1の2値化回路61の構成や動作の詳細については、後述する。
In the present embodiment, the
第1の2値化回路61は、第1磁気センサ51からの出力信号に基づいてパルス信号を生成し、正逆判定回路71およびトランジスタ76に当該パルス信号を出力する。第2の2値化回路62は、第2磁気センサ52からの出力信号に基づいてパルス信号を生成し、当該パルス信号を正逆判定回路71に出力する。
The
正逆判定回路71は、2値化回路61、62それぞれからのパルス信号に基づいて、回転体4の回転方向が正転か逆転かを判定し、その回転方向に応じた電気信号を出力する構成とされている。正逆判定回路71による回転体4の回転方向の判定は、限定するものではないが、例えば、以下のような方法で行われる。
The forward /
例えば図3(a)に示すように、回転体4が正転している場合には、磁気センサ51、52は、所定の位相差をもった第1出力信号および第2出力信号を出力する。第1出力信号、第2出力信号の電圧が任意の閾値を超えるか否かにより、2値化回路61、62にて2値化処理(閾値を超える場合にはハイレベル、閾値以下の場合にはローレベルとするなど)を行うことにより、所定の位相差をもった2つのパルス信号が得られる。
For example, as shown in FIG. 3A, when the
一方、回転体4が逆転している場合、回転体4と第1磁気センサ51との間、および回転体4と第2磁気センサ52との間における磁界の強さの変化の順序が変わる。そのため、例えば図3(b)に示すように、正転の場合とは異なる順序で第1出力信号および第2出力信号が磁気センサ51、52から出力される。そのため、これらの出力信号を2値化回路61、62で2値化処理して得られる2つのパルス信号についても、正転の状態と異なる状態となる。
On the other hand, when the
正逆判定回路71は、このように2値化回路61、62から出力される第1パルス信号と第2パルス信号との関係が正転と逆転とで異なることを利用し、回転体4が正転しているか、逆転しているかを判定する。例えば、第1パルス信号のハイレベルが第2パルス信号に対して先行しているか遅れているかにより、回転体4の回転方向を判定することができる。正逆判定回路71による判定結果は、後述するスイッチ75の開閉に利用される。
The forward /
定電圧回路72は、電源線31を介して供給される電位を内部で処理し、磁気センサ51、52、2値化回路61、62、正逆判定回路71および定電流回路73に所定の定電圧を印加する。定電圧回路72は、検出信号処理回路1の外部の電源から供給される電位を所定の定電圧に処理できる回路構成とされていればよく、任意の構成とされる。
The
定電流回路73は、定電圧回路72から印加される所定の定電圧に基づいて、所定の定電流を生じさせる任意の回路構成とされる。
The constant
定電流源74は、図2に示すように、電源線31に接続され、スイッチ75が閉の状態とされた際にグラウンド線33へ定電流を供給する。定電流源74は、例えば、定電流回路73による定電流と同じ定電流が生じるように、定電流回路73と共にカーレントミラー回路となるように構成される。
As shown in FIG. 2, the constant
スイッチ75は、例えばトランジスタなどのスイッチング素子であり、正逆判定回路71の出力に基づき、定電流源74からグラウンド線33への電流の開閉を行う。スイッチ75が閉の状態とされた場合、定電流源74による定電流がグラウンド線33に供給され、図1に示すように、ECU2内部のグラウンド電位とされた部位に接地される。スイッチ75は、開閉によって検出信号処理回路1内での消費電流に変化が生じさせ、ひいては、電源線31を介して接続されたECU2の電位V1の電位を変化させるために用いられる。
The
トランジスタ76は、図2に示すように、例えばバイポーラトランジスタであり、ベースが第1の2値化回路61に接続され、コレクタが信号線32に接続され、エミッタがグラウンド線33に接続されている。トランジスタ76のベースに供給された第1の2値化回路61からの回転数信号は、信号線32を介してECU2の回転数信号処理回路22に伝送される。
As shown in FIG. 2, the
以上が、本実施形態の検出信号処理回路1の基本的な構成である。なお、検出信号処理回路1は、第1磁気センサ51と回転検出装置の磁石との相対位置に応じて、第1磁気センサ51からの出力信号の増幅率を変更可能な第1の2値化回路61を備えていればよい。つまり、検出信号処理回路1は、第1の2値化回路61を備え、回転数信号と回転方向信号がECU2に出力される構成とされていればよく、上記の例に限られず、適宜構成が変更されてもよい。
The above is the basic configuration of the detection
〔磁気センサの実装における位置ズレ〕
次に、第1の2値化回路61を備えていない従来の検出信号処理回路(以下、単に「従来の検出信号処理回路」という)における、第1磁気センサ51の実装での位置ズレおよびこれに伴う検出角度精度の低下について、図4(a)、(b)を参照して説明する。
[Position shift in mounting magnetic sensor]
Next, in the conventional detection signal processing circuit (hereinafter, simply referred to as “conventional detection signal processing circuit”) that does not include the
図4(a)、(b)では、回転検出装置における磁石と第1磁気センサ51との配置の概要、および第1磁気センサ51からの出力信号を従来の2値化回路で2値化して出力されるパルス信号を示している。また、図4(b)では、理解を助けるため、第1磁気センサ51の配置が設計位置である場合(位置ズレなし)および設計位置と異なる位置である場合(位置ズレあり)を併記すると共に、前者の場合での第1磁気センサ51およびパルス信号を破線で示している。
In FIGS. 4A and 4B, an outline of the arrangement of the magnet and the first
従来の検出信号処理回路を用いて回転検出装置を構成した場合において、複数のセンサ部511を備える第1磁気センサ51が設計位置に配置されたときには、例えば図4(a)に示すように、所定のパルス信号が従来の2値化回路から出力される。以下、第1磁気センサ51が設計位置に配置された際に出力されるパルス信号を便宜的に「設計パルス信号」と称する。なお、センサ部511は、例えば磁気抵抗素子とされ、図4の例では第1磁気センサ51内に3つ配置された例を示しているが、少なくとも2つ配置されていればよい。
When the rotation detection device is configured by using the conventional detection signal processing circuit and the first
しかしながら、回転検出装置に従来の検出信号処理回路を組み込む際に、回転検出装置の製造工程における実装精度上の問題により、例えば、図4(b)に示すように、第1磁気センサ51が当該回転検出装置中の設計位置と異なる位置にずれて配置され得る。この場合、磁石と第1磁気センサ51との相対位置が、第1磁気センサ51が設計位置に配置されたときの相対位置とは異なる状態となる。つまり、第1磁気センサ51中のセンサ部511と磁石との相対位置が設計されたものと異なるものとなるため、回転体4が回転した際での磁界の強さの変化も設計とは異なる状態となる。
However, when incorporating the conventional detection signal processing circuit into the rotation detection device, due to a problem in mounting accuracy in the manufacturing process of the rotation detection device, for example, as shown in FIG. 4B, the first
その結果、図4(b)に示すように、第1磁気センサ51の位置ズレが生じた場合には、従来の2値化回路は、設計パルス信号と位相差(位相ズレ)をもったパルス信号を出力する。このような設計パルス信号と位相差をもったパルス信号を出力する状態になると、回転体4の回転角や回転数が正確に反映されなくなり、検出角度精度が低下してしまう。
As a result, as shown in FIG. 4B, when the position shift of the first
そこで、本発明者らは、上記の検出角度精度の低下抑制について鋭意検討した結果、パルス信号を生成する際の基礎となる出力信号の増幅率の所定の範囲内で調整を行うことで、パルス信号の位相を所定の範囲内で調整できることを見出した。第1の2値化回路61を備える検出信号処理回路1は、このような経緯で発明されるに至った。
Therefore, as a result of diligent studies on suppressing the decrease in the detection angle accuracy, the present inventors adjusted the pulse within a predetermined range of the amplification factor of the output signal, which is the basis for generating the pulse signal. We have found that the phase of the signal can be adjusted within a predetermined range. The detection
〔第1の2値化回路の構成〕
次に、位置ズレが生じた場合であっても第1磁気センサ51からの出力信号を事後的に調整可能な構成とされた、第1の2値化回路61について、図5を参照して説明する。
[Structure of the first binarization circuit]
Next, with reference to FIG. 5, regarding the
第1の2値化回路61は、例えば、図5に示すように、第1磁気センサ51内に配置された3つのセンサ部511から正弦波状の出力信号が伝送される。第1の2値化回路61は、2つのゲイン調整部611、612と、信号合成部613と、2値化処理部614とを備え、第1磁気センサ51と回転検出装置の磁石との相対位置に応じて、ゲイン調整部611、612での増幅率を変更可能な構成とされている。
In the
以下、説明の簡略化のため、図5に示すように、3つのセンサ部511をそれぞれ便宜的に「Aのセンサ部511」、「Bのセンサ部511」、「Cのセンサ部511」と称する。また、図5では、後述する第1ゲイン調整部611から出力される増幅信号の電圧を「VCB」と表記し、第2ゲイン調整部612から出力される増幅信号の電圧を「VAB」と表記している。さらに、図5では、信号合成部613から出力される合成信号の電圧を「V1」と表記し、2値化処理部614から出力されるパルス信号の電圧を「V2」と表記している。
Hereinafter, for the sake of simplification of the description, as shown in FIG. 5, the three
ゲイン調整部611、612は、センサ部511からの出力信号の差分を所定の範囲内で増幅し、増幅信号を信号合成部613に出力する差動増幅回路である。
The
第1ゲイン調整部611は、例えば図5に示すように、抵抗R3、オペアンプOP2および可変抵抗VR1を有してなる。第1ゲイン調整部611は、例えば、Bのセンサ部511からの出力信号を基準とし、Cのセンサ部511からの出力信号とBのセンサ部511からの出力信号との差分を所定の範囲内の増幅率で増幅した増幅信号を出力する構成とされている。
The first
具体的には、Bのセンサ部511は、図5に示すように、ボルテージフォロアを構成するオペアンプOP1の非反転入力端子に接続されている。オペアンプOP1から出力される電圧は、抵抗R3を介して第1ゲイン調整部611の反転入力端子に供給されると共に、抵抗R4を介して第2ゲイン調整部612の反転入力端子に供給される。Cのセンサ部511は、図5に示すように、第1ゲイン調整部611のオペアンプOP2の非反転入力端子に接続されている。
Specifically, as shown in FIG. 5, the
第1ゲイン調整部611は、図5に示すように、反転入力端子と出力端子とが可変抵抗VR1を介して接続されたオペアンプOP2を有してなる。そのため、第1ゲイン調整部611は、可変抵抗VR1の抵抗値を所定の範囲内で調整することで、Cのセンサ部511からの出力信号の増幅率を適宜変更できる構成とされている。第1ゲイン調整部611から出力される増幅信号は、抵抗R5を介して、信号合成部613に伝送される。
As shown in FIG. 5, the first
第2ゲイン調整部612は、抵抗R4、オペアンプOP3および可変抵抗VR2を有してなり、Bのセンサ部511からの出力信号を基準とし、Aのセンサ部511からの出力信号を所定の範囲内の増幅率で増幅した増幅信号を出力する構成とされている。
The second
具体的には、オペアンプOP3は、図5に示すように、反転入力端子にはオペアンプOP1を介してBのセンサ部511からの出力信号が入力され、非反転入力端子にはAのセンサ部511からの出力信号が入力される。また、オペアンプOP3は、その反転入力端子と出力端子とが可変抵抗VR2を介して接続されている。そのため、第2ゲイン調整部612は、可変抵抗VR2の抵抗値を所定の範囲内で調整することで、Aのセンサ部511からの出力信号の増幅率を適宜変更できる構成とされている。第2ゲイン調整部612から出力される増幅信号は、抵抗R6を介して、信号合成部613に伝送される。
Specifically, as shown in FIG. 5, in the operational amplifier OP3, an output signal from the
可変抵抗VR1、VR2の抵抗値は、第1磁気センサ51と回転検出装置の磁石との相対位置に応じて、適宜決定される。この詳細については、後ほど説明する。
The resistance values of the variable resistances VR1 and VR2 are appropriately determined according to the relative positions of the first
信号合成部613は、ゲイン調整部611、612から出力される2つの増幅信号を合成し、合成信号を2値化処理部614に出力する構成とされている。信号合成部613は、例えば、図5に示すように、オペアンプOP4と抵抗R7とを有してなる。
The
オペアンプOP4は、図5に示すように、反転入力端子に第1ゲイン調整部611からの増幅信号と、第2ゲイン調整部612からの増幅信号とが重畳されて入力される。オペアンプOP4は、非反転入力端子に図示しない任意の回路から所定の定電圧VREFが入力されると共に、反転入力端子と出力端子とが抵抗R7を介して接続されている。これにより、信号合成部613は、ゲイン調整部611、612からの2つの増幅信号を合成すると共に、所定の増幅率で増幅した合成信号を出力する構成とされる。
As shown in FIG. 5, in the operational amplifier OP4, the amplification signal from the first
なお、信号合成部613は、ゲイン調整部611、612とは異なり、抵抗R7の抵抗値が固定されており、その増幅率が固定された構成とされる。
Unlike the
2値化処理部614は、例えばオペアンプコンパレータCMPであり、信号合成部613から出力された合成信号を2値化し、パルス信号を出力する。オペアンプコンパレータCMPは、+入力端子に図示しない任意の回路から所定の基準電圧VTHが入力され、-入力端子には信号合成部613からの合成信号が入力される。
The
2値化処理部614から出力されるパルス信号は、例えば図2に示すように、正逆判定回路71やトランジスタ76に伝送される。
The pulse signal output from the
以上が、第1の2値化回路61の基本的な構成である。なお、第2の2値化回路62は、本実施形態では、ゲイン調整部611、612での可変抵抗VR1、VR2を抵抗値が固定された抵抗に置き換えた点以外の点については、第1の2値化回路61と同じ構成とされる。
The above is the basic configuration of the
〔第1の2値化回路61による効果〕
次に、第1の2値化回路61による効果について、図6~図10を参照して説明する。
[Effect of the first binarization circuit 61]
Next, the effect of the
図6~図8では、位相ズレを表すための補助線を二点鎖線で示している。図7、図8では、位置ズレが生じた場合と位置ズレが生じない場合との違いを分かり易くするため、位置ズレが生じない場合における合成信号γ0およびパルス信号δ0を破線で示している。また、図7では、見易くするため、パルス信号δ0および位置ズレが生じた場合においてゲイン調整をしないときのパルス信号δ1を、そのハイレベルとローレベルの信号が重ならない位置にずらして示している。図8では、図7と同じ状況において、第1ゲイン調整部611での増幅率を調整した場合を示しており、後述する増幅率の調整(ゲイン調整)を分かり易くするため、ゲイン調整前の増幅信号α1を破線で示している。また、図8では、ゲイン調整による効果についての理解を助けるため、合成信号γ0を破線で示すと共に、合成信号γ1を一点鎖線で示している。
In FIGS. 6 to 8, the auxiliary line for expressing the phase shift is shown by a two-dot chain line. In FIGS. 7 and 8, in order to make it easy to understand the difference between the case where the position shift occurs and the case where the position shift does not occur, the combined signal γ 0 and the pulse signal δ 0 when the position shift does not occur are shown by broken lines. There is. Further, in FIG. 7, for easy viewing, the pulse signal δ 0 and the pulse signal δ 1 when the gain is not adjusted when the position shift occurs are shown by shifting them to positions where the high level and low level signals do not overlap. ing. FIG. 8 shows a case where the amplification factor in the first
まず、第1磁気センサ51が回転検出装置の設計位置に配置された場合における、第1の2値化回路61によるパルス信号の生成について、図6を参照して説明する。
First, the generation of the pulse signal by the
このとき、例えば図6に示すように、第1磁気センサ51の3つのセンサ部511からの出力信号に基づき、第1ゲイン調整部611は出力(増幅)信号α0を出力し、第2ゲイン調整部612は出力(増幅)信号β0を出力する。その後、信号合成部613は、これらの出力信号α0、β0を合成し、合成信号γ0を生成する。そして、2値化処理部614は、合成信号γ0について電圧が所定の閾値を超えているか否かにより2値化処理を行い、パルス信号δ0を生成する。この位置ズレが生じていない場合におけるパルス信号δ0は、設計上のパルス信号と一致するため、「設計パルス信号」と称し得る。
At this time, for example, as shown in FIG. 6, the first
続いて、第1磁気センサ51が回転検出装置の設計位置と異なる位置に配置された場合(位置ズレが生じた場合)であって、第1の2値化回路61にてゲイン調整部611、612での増幅率を調整しないときのパルス信号生成について、図7を参照して説明する。
Subsequently, when the first
位置ズレが生じた場合において、ゲイン調整部611、612での増幅率を位置ズレが生じない場合における増幅率のままにしたときには、図7に示すように、ゲイン調整部611、612から出力(増幅)信号α1、β1が出力される。具体的には、第1ゲイン調整部611からは、増幅信号α1が出力され、第2ゲイン調整部612からは、増幅信号β1が出力される。このとき、第1磁気センサ51と磁石との相対位置が設計からずれているため、ゲイン調整部611、612は、図7に示すように、増幅信号α0、β0と位相差をもった増幅信号α1、β1を出力する。つまり、増幅信号α1、β1は、増幅信号α0、β0との位相ズレが生じている。なお、増幅信号α1、β1と増幅信号α0、β0との位相ズレは、第1磁気センサ51の位置ズレの度合いに応じて変化する。
When the amplification factor in the
これらの増幅信号α1、β1は、信号合成部613で合成される。その結果、信号合成部613から出力される合成信号γ1は、位置ズレを生じない場合の合成信号γ0との位相ズレが生じる。この合成信号γ1を2値化処理部614で2値化して得られるパルス信号δ1は、図7に示すように、位置ズレを生じない場合のパルス信号δ0(設計パルス信号)と位相がずれてしまう。
These amplified signals α 1 and β 1 are synthesized by the
このようなパルス信号の位相ズレは、検出角度精度の低下の原因となる。そのため、回転検出装置を製造する際における磁気センサの位置ズレを抑制することが望ましいが、製造コストの増加に繋がる上、位置ズレを完全に防止することは困難である。 Such a phase shift of the pulse signal causes a decrease in the detection angle accuracy. Therefore, it is desirable to suppress the positional deviation of the magnetic sensor when manufacturing the rotation detection device, but it leads to an increase in the manufacturing cost and it is difficult to completely prevent the positional deviation.
そこで、本発明者らは、位置ズレが生じたままの状態における、パルス信号の位相ズレの抑制について鋭意検討をした結果、合成信号の基礎となる増幅信号の増幅率を調整することで、パルス信号の位相ズレを抑制できることを見出した。 Therefore, as a result of diligent studies on the suppression of the phase shift of the pulse signal in the state where the position shift remains, the present inventors adjusted the amplification factor of the amplified signal which is the basis of the synthesized signal to obtain the pulse. We have found that the phase shift of the signal can be suppressed.
次いで、第1磁気センサ51の位置ズレが生じた場合であって、第1の2値化回路61にてゲイン調整部611、612での増幅率を所定の範囲内で調整したときのパルス信号生成について、図8を参照して説明する。
Next, when the position of the first
第1ゲイン調整部611でのゲイン調整を行った場合、例えば図8に示すように、増幅信号α1は、位相の変化はないが、信号の電圧が変化し、増幅信号α2のような波形となる。このゲイン調整後の増幅信号α2と第2ゲイン調整部612からの増幅信号β1とを合成した場合、例えば図8に示すように、合成信号がγ0からγ2のように変化する。ゲイン調整後の合成信号γ2は、第1磁気センサ51の位置ズレが生じた場合におけるゲイン調整前の合成信号γ1とは異なる波形となり、所定の閾値以下の電圧となる領域の位相が合成信号γ1とずれることになる。
When the gain is adjusted by the first
このゲイン調整後の合成信号γ2における所定の閾値以下の電圧となる領域(以下「閾値以下領域」という)の位相は、増幅信号α1、β1の増幅率により変化する。その結果、合成信号γ2を2値化して得られるパルス信号δ2は、ゲイン調整前のパルス信号δ1と位相がずれる。言い換えると、合成信号γ2の閾値以下領域の位相を増幅信号α1、β1の増幅率調整により制御し、合成信号γ0の閾値以下領域の位相に近づけることで、図8に示すように、実際のパルス信号δ2を設計上のパルス信号δ0に近づけることができる。 The phase of the region where the voltage is equal to or lower than a predetermined threshold value (hereinafter referred to as “the region below the threshold value”) in the combined signal γ 2 after gain adjustment changes depending on the amplification factors of the amplification signals α 1 and β 1 . As a result, the pulse signal δ 2 obtained by binarizing the combined signal γ 2 is out of phase with the pulse signal δ 1 before the gain adjustment. In other words, as shown in FIG. 8, the phase of the region below the threshold of the combined signal γ 2 is controlled by adjusting the amplification factors of the amplified signals α 1 and β 1 to bring it closer to the phase of the region below the threshold of the combined signal γ 0 . , The actual pulse signal δ 2 can be brought closer to the design pulse signal δ 0 .
具体的には、ゲイン調整部611、612は、例えば、図9(a)、(b)に白抜き矢印で示すように、増幅信号α、βを段階的にそれぞれ所定の範囲内で増幅する。この所定の範囲内での増幅率は、図5に示す可変抵抗VR1、VR2の抵抗値を変更し、可変抵抗VR1と抵抗R3との比、または可変抵抗VR2と抵抗R4との抵抗比を変更することで調整されることができる。
Specifically, the
なお、図9(a)~(c)では、見易くするため、ゲイン調整部611、612のそれぞれで4段階で増幅率を調整した例について示しているが、増幅率の調整段階の数については、図9に示す例に限られず、適宜変更される。
Note that FIGS. 9 (a) to 9 (c) show an example in which the amplification factor is adjusted in four stages in each of the
つまり、ゲイン調整部611、612での増幅率調整により信号合成部613での合成信号の波形を調整することができ、ひいては、例えば図9(c)に白抜き矢印で示すように、2値化処理部614で生成されるパルス信号の位相を調整することができる。
That is, the waveform of the synthesized signal in the
よって、第1磁気センサ51の位置ズレが生じたとしても、ゲイン調整部611、612での増幅率調整により、パルス信号δ2とパルス信号δ0との位相差が所定以下の状態とされることで、検出角度精度の低下を抑制することができる。
Therefore, even if the position of the first
なお、ここでいう「位相差が所定以下の状態」とは、第1磁気センサ51の位置ズレが生じた場合においてゲイン調整しないときにおけるパルス信号と設計パルス信号との位相差が、ゲイン調整により小さくなった状態であることを意味する。
The "state in which the phase difference is equal to or less than a predetermined value" as used herein means that the phase difference between the pulse signal and the design pulse signal when the gain is not adjusted when the position of the first
ここで、ゲイン調整部611の可変抵抗VR1は、例えば図10に示すような構成とされる。可変抵抗VR1は、例えば、図10に示すように、直列に接続された抵抗R8、R9、R10、R11、R12、R13と、抵抗R8~R12それぞれと並列接続され、アクチュエータ素子などで構成される5つのスイッチとを有してなる。可変抵抗VR1は、この5つのスイッチそれぞれのON/OFFの切り替えにより、抵抗R13の抵抗値か、抵抗R13の抵抗値に5つの抵抗R8~R12のうち少なくとも1つ以上の抵抗値を加えた抵抗値となる。これにより、ゲイン調整部611は、抵抗R3と可変抵抗VR1との抵抗比、すなわち増幅率が所定の範囲内で変更可能な構成とされる。また、ゲイン調整部612の可変抵抗VR2についても、可変抵抗VR1と同様の構成とされる。
Here, the variable resistor VR1 of the
可変抵抗VR1、VR2は、例えば図示しない不揮発性メモリに予めスイッチのON/OFFについての設定データを格納しておき、図示しないCPUにこの設定データを読み込んで実行させることで、その抵抗値を所定の範囲内で変更されることができる。可変抵抗VR1、VR2は、回転検出装置に実装された検出信号処理回路1ごとに、第1磁気センサ51と磁石との相対位置に応じて、その抵抗値が決定される。可変抵抗VR1、VR2の抵抗値は、上記のように決定された後に固定され、動的な制御が行われる必要はない。
For the variable resistors VR1 and VR2, for example, setting data for ON / OFF of the switch is stored in advance in a non-volatile memory (not shown), and the setting data is read and executed by a CPU (not shown) to determine the resistance value. Can be changed within the range of. The resistance values of the variable resistances VR1 and VR2 are determined for each detection
なお、可変抵抗VR1は、図10の例では、5つのスイッチそれぞれのON/OFFの状態によりその抵抗値が32段階で変更可能な構成とされているが、この例に限られず、抵抗やスイッチの数並びに各抵抗の抵抗値などについては適宜変更される。これは、可変抵抗VR2についても同様である。 In the example of FIG. 10, the variable resistance VR1 has a configuration in which the resistance value can be changed in 32 steps depending on the ON / OFF state of each of the five switches, but the resistance and the switch are not limited to this example. The number of and the resistance value of each resistor are changed as appropriate. This also applies to the variable resistor VR2.
なお、本実施形態では、第2の2値化回路62については、第1の2値化回路61と異なり、第2磁気センサ52からの出力信号の増幅率を変更できない構成とされるが、これは、回転体4の回転方向の検出精度については位置ズレの影響が小さいことによる。
In the present embodiment, unlike the
具体的には、第1磁気センサ51の位置ズレが生じた場合、第2磁気センサ52の位置ズレも第1磁気センサ51と同程度に生じることになり、磁気センサ51、52からの出力信号に基づいて生成される2つのパルス信号それぞれの位相ズレも同程度に生じる。しかしながら、上記2つのパルス信号それぞれの位相ズレが同程度に生じても、これらのパルス信号のどちらが先行しているかについては変化がなく、回転体4の回転方向の検出については特に支障がない。そのため、第2の2値化回路62については、第2磁気センサ52からの出力信号の増幅率を変更できない構成であってもよい。勿論、第2の2値化回路62は、第1の2値化回路61と同様の構成にされてもかまわない。
Specifically, when the position shift of the first
本実施形態によれば、第1磁気センサ51の位置ズレが生じた場合であっても、第1磁気センサ51からの出力信号の増幅率を所定の範囲内で調整できる第1の2値化回路61を備えるため、位置ズレに伴うパルス信号の位相ズレを抑制することができる。そのため、第1磁気センサ51の位置ズレが生じたままの状態であっても、検出角度精度の低下を抑制できる検出信号処理回路1となる。
According to the present embodiment, even if the position of the first
さらに、この検出信号処理回路1を備える回転検出装置は、第1磁気センサ51の位置ズレが生じたままの状態であっても、事後的に検出角度精度の低下を抑制できる構成となる。
Further, the rotation detection device provided with the detection
(他の実施形態)
なお、上記した各実施形態に示した検出信号処理回路およびこれを備える回転検出装置は、本発明の一例を示したものであり、上記の第1実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The detection signal processing circuit and the rotation detection device provided with the detection signal processing circuit shown in each of the above-described embodiments show an example of the present invention, and are not limited to the above-mentioned first embodiment, and claims for a patent. It can be changed as appropriate within the range described in.
(1)例えば、上記第1実施形態では、検出信号処理回路1が3本の配線31~33を介してECU2と接続された例について説明したが、これに限られず、例えば図11に示すように、4本の配線31~34を介してECU2と接続されてもよい。この場合、回転検出装置は、例えば、正逆判定回路71からの出力信号が、第1信号線32を介して回転方向信号処理回路21に伝送され、第1の2値化回路61からのパルス信号が第2信号線34を介して回転数信号処理回路22に伝送されるように構成される。このような構成であっても、検出信号処理回路1による磁気センサ51、52の位置ズレに伴うパルス信号の位相ズレを抑制できる効果が損なわれることはない。
(1) For example, in the first embodiment described above, an example in which the detection
(2)上記第1実施形態では、検出信号処理回路1が、3つのセンサ部511を備える第1磁気センサ51を用いて構成された例について説明したが、これに限られず、第1磁気センサ51は、少なくとも2つのセンサ部511を有していればよい。
(2) In the above first embodiment, an example in which the detection
例えば、第1磁気センサ51は、センサ部511の数が2つのみの場合、図5に示すBのセンサ部511がグラウンド電位とされたグラウンド部に置き換えられた構成とされる。このような場合であっても、検出信号処理回路1は、Aのセンサ部511、Cのセンサ部511からの出力信号に基づき、回転体4の回転に応じた信号を出力できる構成となる。
For example, when the number of the
1 検出信号処理回路
51、52 磁気センサ
511 センサ部
61、62 2値化回路
611、612 ゲイン調整部
613 信号合成部
614 2値化処理部
1 Detection
Claims (4)
前記回転体と対向配置される、第1磁気センサ(51)および第2磁気センサ(52)と、
前記第1磁気センサから出力される第1出力信号の2値化処理を行う第1の2値化回路(61)と、
前記第2磁気センサから出力される第2出力信号の2値化処理を行う第2の2値化回路(62)と、を備え、
前記回転検出装置は、磁石を有してなり、
前記第1磁気センサは、磁界の強さの変化に応じた信号を出力する複数のセンサ部(511)を有してなり、
前記第1の2値化回路は、前記複数のセンサ部から出力される出力信号を所定の増幅率で増幅し、増幅した増幅信号を出力する2つのゲイン調整部(611、612)と、2つの前記ゲイン調整部から出力された2つの前記増幅信号を合成し、1つの合成信号を出力する信号合成部(613)と、前記合成信号の2値化処理を行う2値化処理部(614)とを有してなり、
前記ゲイン調整部は、前記回転検出装置を構成する前記第1磁気センサと前記磁石との相対位置に対応して、前記増幅率を変更可能な構成とされている、検出信号処理回路。 A detection signal processing circuit (1) used in a rotation detection device that detects the rotation of rotating bodies (4) arranged opposite to each other.
The first magnetic sensor (51) and the second magnetic sensor (52), which are arranged to face the rotating body,
A first binarization circuit (61) that performs binarization processing of the first output signal output from the first magnetic sensor, and
A second binarization circuit (62) that performs binarization processing of the second output signal output from the second magnetic sensor is provided.
The rotation detection device has a magnet and is made of a magnet.
The first magnetic sensor has a plurality of sensor units (511) that output signals according to changes in the strength of the magnetic field.
The first binarization circuit has two gain adjusting units (611, 612) that amplify output signals output from the plurality of sensor units at a predetermined amplification factor and output the amplified amplified signals, and two. A signal synthesis unit (613) that synthesizes two of the amplified signals output from the gain adjustment unit and outputs one combined signal, and a binarization processing unit (614) that performs binarization processing of the combined signal. ) And have
The gain adjusting unit is a detection signal processing circuit having a configuration in which the amplification factor can be changed according to the relative position between the first magnetic sensor and the magnet constituting the rotation detection device.
前記可変抵抗は、
前記複数のセンサ部が設計上の配置とされたときにおける前記2値化処理部が出力する設計上のパルス信号と、前記複数のセンサ部が前記設計上の配置と異なる配置とされた場合における前記2値化処理部が出力する実際のパルス信号と、の位相差が所定の値以下となるように抵抗値が決定される、請求項2に記載の検出信号処理回路。 When the rotation detection device is configured by using the first magnetic sensor and the second magnetic sensor,
The variable resistance is
When the design pulse signal output by the binarization processing unit when the plurality of sensor units are arranged in a design and the arrangement in which the plurality of sensor units are different from the design arrangement. The detection signal processing circuit according to claim 2, wherein the resistance value is determined so that the phase difference between the actual pulse signal output by the binarization processing unit and the pulse signal is equal to or less than a predetermined value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018200314A JP7059893B2 (en) | 2018-10-24 | 2018-10-24 | Detection signal processing circuit and rotation detection device equipped with this |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018200314A JP7059893B2 (en) | 2018-10-24 | 2018-10-24 | Detection signal processing circuit and rotation detection device equipped with this |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020067378A JP2020067378A (en) | 2020-04-30 |
JP7059893B2 true JP7059893B2 (en) | 2022-04-26 |
Family
ID=70390133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018200314A Active JP7059893B2 (en) | 2018-10-24 | 2018-10-24 | Detection signal processing circuit and rotation detection device equipped with this |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7059893B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021159658A (en) * | 2020-04-03 | 2021-10-11 | 株式会社大一商会 | Game machine |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005249488A (en) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Denso Corp | Detection signal processing circuit and detection signal processing device for rotation sensor |
JP2006113015A (en) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Denso Corp | Rotation detecting device |
US20130271112A1 (en) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Joseph G. Vazach | Adaptive Threshold Voltage For Frequency Input Modules |
JP2015215342A (en) | 2014-04-25 | 2015-12-03 | 株式会社デンソー | Rotation detection device and its manufacturing method |
-
2018
- 2018-10-24 JP JP2018200314A patent/JP7059893B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005249488A (en) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Denso Corp | Detection signal processing circuit and detection signal processing device for rotation sensor |
JP2006113015A (en) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Denso Corp | Rotation detecting device |
US20130271112A1 (en) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Joseph G. Vazach | Adaptive Threshold Voltage For Frequency Input Modules |
JP2015215342A (en) | 2014-04-25 | 2015-12-03 | 株式会社デンソー | Rotation detection device and its manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020067378A (en) | 2020-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7345468B2 (en) | Detection signal processing circuit and detection signal processing apparatus for a rotation sensor | |
JP6561329B2 (en) | Rotation detector | |
KR102481561B1 (en) | Encoder and method of calculating rotational angle position | |
CN100520279C (en) | A magnetic-field-dependent angle sensor | |
US9310448B2 (en) | Detection circuit, semiconductor integrated circuit device, magnetic field rotation angle detection device, and electronic device | |
JP3011774B2 (en) | Method for setting switching point in sensor output signal | |
US20100114524A1 (en) | Rotation angle detection apparatus | |
JP7059893B2 (en) | Detection signal processing circuit and rotation detection device equipped with this | |
US6777926B2 (en) | Phase stability of non-sinusoidal signals utilizing two differential halls | |
JP2008139301A (en) | Rotation angle detection apparatus | |
JP5941718B2 (en) | Signal processing circuit, in-vehicle electronic control device, and mounting method of signal processing circuit in in-vehicle electronic control device | |
JP2001235483A (en) | Rotation sensor unit | |
WO2019171763A1 (en) | Linear position sensor | |
JP6291380B2 (en) | Non-contact rotation angle sensor | |
JP4586543B2 (en) | Magnetic detector | |
JP5638900B2 (en) | Magnetic sensor device | |
JP2002340511A (en) | Steering sensor | |
JP2006258751A (en) | Resolver excitation circuit | |
JP2020021363A (en) | Physical quantity detection device | |
KR19980026412A (en) | Vehicle speed signal input device | |
JP2005143256A (en) | Motor controlling device | |
JP2010261739A (en) | Torque detection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220328 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7059893 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |