JP7058938B2 - Capacitor element mounting structure - Google Patents
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Description
本発明は、直方体形状の複数のコンデンサ素子が配線基板に実装されてなるとともに、当該配線基板上においてこれら複数のコンデンサ素子が封止樹脂層によって包埋されてなるコンデンサ素子の実装構造体に関する。 The present invention relates to a mounting structure of a capacitor element in which a plurality of rectangular parallelepiped-shaped capacitor elements are mounted on a wiring board and the plurality of capacitor elements are embedded in a sealing resin layer on the wiring board.
近年、電子機器の高性能化に伴い、電子部品としての積層セラミックコンデンサの大容量化が進んでいる。大容量の積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体材料としてチタン酸バリウム(BaTiO3)等の高誘電率のセラミックス材料が使用されている。 In recent years, as the performance of electronic devices has improved, the capacity of monolithic ceramic capacitors as electronic components has been increasing. In a large-capacity multilayer ceramic capacitor, a ceramic material having a high dielectric constant such as barium titanate (BaTIO 3 ) is used as a dielectric material.
これら高誘電率のセラミックス材料は、圧電性および電歪性を有しているため、高誘電率のセラミックス材料からなる誘電体を含む積層セラミックコンデンサにおいては、電圧が印加された際に機械的な歪みが生じることになる。 Since these high dielectric constant ceramic materials have piezoelectricity and electrolytic distortion, in a laminated ceramic capacitor containing a dielectric made of a high dielectric constant ceramic material, mechanically when a voltage is applied. Distortion will occur.
そのため、配線基板に実装された大容量の積層セラミックコンデンサに交流電圧、または、交流成分が重畳された直流電圧が印加されると、セラミックス材料に生じる機械的な歪みに起因して振動が発生することになり、当該振動が配線基板に伝播することで回路基板が振動することとなってしまう。 Therefore, when an AC voltage or a DC voltage on which an AC component is superimposed is applied to a large-capacity multilayer ceramic capacitor mounted on a wiring board, vibration occurs due to mechanical strain generated in the ceramic material. As a result, the vibration propagates to the wiring board, causing the circuit board to vibrate.
ここで、伝播した振動により、回路基板が可聴周波数域である20[Hz]~20[kHz]の周波数で振動した場合には、いわゆる「鳴き(acoustic noise)」と呼ばれる騒音が発生することになる。 Here, when the circuit board vibrates at a frequency of 20 [Hz] to 20 [kHz], which is the audible frequency range, due to the propagated vibration, so-called "acoustic noise" is generated. Become.
たとえば、電子機器に搭載されるDC/DCコンバータは、直流電圧を各電子デバイスに適した所定の直流電圧に変換してこれを電力として供給するものであるが、当該DC/DCコンバータの入出力回路には、スイッチング動作に基づいて発生するノイズを軽減するために、ディカップリング用の積層セラミックコンデンサが接続される。当該積層セラミックコンデンサには、上記スイッチング動作により直流電圧に重畳されたリップル電圧が印加されることになるが、当該リップル電圧により積層セラミックコンデンサに可聴周波数域の周波数を有する機械的な歪みが発生し、これが配線基板に伝播することで回路基板にて騒音が発生することになる。 For example, a DC / DC converter mounted on an electronic device converts a DC voltage into a predetermined DC voltage suitable for each electronic device and supplies the DC voltage as power. The input / output of the DC / DC converter. A monolithic ceramic capacitor for decoupling is connected to the circuit in order to reduce the noise generated based on the switching operation. A ripple voltage superimposed on the DC voltage is applied to the multilayer ceramic capacitor by the switching operation, but the ripple voltage causes mechanical distortion in the multilayer ceramic capacitor having a frequency in the audible frequency range. When this propagates to the wiring board, noise is generated on the circuit board.
また、積層セラミックコンデンサが実装された配線基板に加速度センサや角速度センサ等のセンサが実装されている場合には、回路基板が振動することによってこれらセンサの誤作動を引き起こす場合もある。 Further, when a sensor such as an acceleration sensor or an angular velocity sensor is mounted on a wiring board on which a multilayer ceramic capacitor is mounted, vibration of the circuit board may cause malfunction of these sensors.
そのため、従来、積層セラミックコンデンサの機械的な歪みに起因する回路基板の振動を抑制する技術が種々提案されている。たとえば、特開2000-232030号公報(特許文献1)には、配線基板の表裏面の対応した位置に、同等の仕様の一対の積層セラミックコンデンサを面対称に実装することにより、一方の積層セラミックコンデンサから配線基板に伝播される振動と、他方の積層セラミックコンデンサから配線基板に伝播される振動とが相互に打ち消し合うように作用させ、これにより回路基板の振動の抑制が図られた実装構造体が開示されている。 Therefore, various techniques for suppressing the vibration of the circuit board caused by the mechanical distortion of the monolithic ceramic capacitor have been conventionally proposed. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-23230 (Patent Document 1), one laminated ceramic is mounted in a plane-symmetrical manner by mounting a pair of laminated ceramic capacitors having the same specifications at corresponding positions on the front and back surfaces of a wiring board. A mounting structure in which the vibration propagated from the capacitor to the wiring board and the vibration propagated from the other multilayer ceramic capacitor to the wiring board cancel each other out, thereby suppressing the vibration of the circuit board. Is disclosed.
また、特開2002-232110号公報(特許文献2)には、配線基板の同一主表面上にその長軸が平行に並ぶように互いに接近して一対の積層セラミックコンデンサを実装するとともに、配線基板に伝達される振動波の振動がほぼ逆相の振幅関係となるようにこれら一対の積層セラミックコンデンサにリップル電圧が印加されるように構成することにより、回路基板の振動の抑制が図られた実装構造体が開示されている。 Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-232110 (Patent Document 2), a pair of multilayer ceramic capacitors are mounted on the same main surface of a wiring board so that their major axes are arranged in parallel so as to be close to each other, and a wiring board is mounted. By configuring the pair of laminated ceramic capacitors to apply a ripple voltage so that the vibration of the vibration wave transmitted to the capacitor has an amplitude relationship of almost opposite phases, the vibration of the circuit board is suppressed. The structure is disclosed.
上述した特許文献1および2に開示された実装構造体は、いずれも積層セラミックコンデンサが配線基板の主表面上において露出した状態となるように実装されたものである。しかしながら、積層セラミックコンデンサの実装構造体としては、この他にも、積層セラミックコンデンサが実装された配線基板の主表面を封止樹脂層にて覆うことにより、積層セラミックコンデンサを当該封止樹脂層にて包埋した構成のものがある。当該構成が開示された文献としては、たとえば国際公開第2011/135926号(特許文献3)がある。
The mounting structures disclosed in
ここで、積層セラミックコンデンサを配線基板上において露出させた場合と、積層セラミックコンデンサを配線基板上において封止樹脂層にて包埋した場合とでは、回路基板に生じる振動の態様に顕著な差が生じる。これは、前者においては、振動伝達経路が半田接合部に限定されるのに対し、後者においては、振動伝達経路が半田接合部に限定されず、積層セラミックコンデンサを包埋する封止樹脂層も振動伝達経路となってしまうためである。また、積層セラミックコンデンサが実装された配線基板の主表面の全面を封止樹脂層にて覆った場合には、配線基板のみならず当該封止樹脂層も含めた回路基板の全体に振動が生じることになるため、この点においても振動の態様が異なることになる。 Here, there is a remarkable difference in the mode of vibration generated on the circuit board between the case where the laminated ceramic capacitor is exposed on the wiring board and the case where the laminated ceramic capacitor is embedded in the sealing resin layer on the wiring board. Occurs. In the former, the vibration transmission path is limited to the solder joint, whereas in the latter, the vibration transmission path is not limited to the solder joint, and the sealing resin layer that embeds the laminated ceramic capacitor is also available. This is because it becomes a vibration transmission path. Further, when the entire main surface of the wiring board on which the multilayer ceramic capacitor is mounted is covered with the sealing resin layer, vibration occurs not only in the wiring board but also in the entire circuit board including the sealing resin layer. Therefore, the mode of vibration is different in this respect as well.
そのため、上述した特許文献1および2に開示される如くの技術は、必ずしも積層セラミックコンデンサを配線基板上において封止樹脂層にて包埋してなる実装構造体に好適に適用できるものとは言えない。
Therefore, it can be said that the techniques disclosed in
したがって、本発明は、上述した状況に鑑みてなされたものであり、複数のコンデンサ素子を配線基板上において封止樹脂層にて包埋してなるコンデンサ素子の実装構造体において、当該実装構造体に発生する振動を抑制することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned situation, and is a mounting structure of a capacitor element in which a plurality of capacitor elements are embedded in a sealing resin layer on a wiring board. The purpose is to suppress the vibration generated in the capacitor.
本発明の第1の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体は、積層方向に沿って交互に積層された誘電体層および内部電極層を含む直方体形状の積層体を含む第1コンデンサ素子および第2コンデンサ素子と、上記第1コンデンサ素子および上記第2コンデンサ素子が実装される主表面を含む配線基板と、上記第1コンデンサ素子および上記第2コンデンサ素子を包埋する封止樹脂層とを備えている。上記第1コンデンサ素子および上記第2コンデンサ素子は、上記配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続されている。上記第1コンデンサ素子および上記第2コンデンサ素子の上記配線基板に対向する面は、短辺および長辺を有している。上記第1コンデンサ素子および上記第2コンデンサ素子の各々は、上記長辺が延在する方向において相対して位置する一対の端面と、上記短辺が延在する方向において相対して位置する一対の側面と、上記積層体の外表面上において互いに離間して設けられた一対の外部電極とを有している。上記第1コンデンサ素子および上記第2コンデンサ素子に含まれる上記外部電極の各々は、当該外部電極の各々に対応して上記配線基板に設けられたランドに導電性の接合部材を介してそれぞれ接合されている。上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方は、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。 The mounting structure of the capacitor element based on the first aspect of the present invention includes a first capacitor element and a second capacitor element having a rectangular shape including a dielectric layer and an internal electrode layer alternately laminated along the stacking direction. A wiring board including a capacitor element, a main surface on which the first capacitor element and the second capacitor element are mounted, and a sealing resin layer for embedding the first capacitor element and the second capacitor element are provided. There is. The first capacitor element and the second capacitor element are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on the wiring board. The surfaces of the first capacitor element and the second capacitor element facing the wiring board have short sides and long sides. Each of the first capacitor element and the second capacitor element has a pair of end faces that are located relative to each other in the direction in which the long side extends, and a pair of end faces that are located relative to each other in the direction in which the short side extends. It has a side surface and a pair of external electrodes provided apart from each other on the outer surface of the laminate. Each of the first capacitor element and the external electrode included in the second capacitor element is bonded to a land provided on the wiring board corresponding to each of the external electrodes via a conductive bonding member. ing. One of the pair of end faces of the first capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the second capacitor element via the sealing resin layer.
上記本発明の第1の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第2コンデンサ素子の上記積層方向とが、いずれも上記配線基板の上記主表面に沿った方向を向いていることが好ましい。 In the capacitor element mounting structure based on the first aspect of the present invention, the stacking direction of the first capacitor element and the stacking direction of the second capacitor element are both of the wiring board. It is preferable that the orientation is along the main surface.
本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体は、積層方向に沿って交互に積層された誘電体層および内部電極層を含む直方体形状の積層体を含む第1コンデンサ素子、第2コンデンサ素子および第3コンデンサ素子と、上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子および上記第3コンデンサ素子が実装される主表面を含む配線基板と、上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子および上記第3コンデンサ素子を包埋する封止樹脂層とを備えている。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子および上記第3コンデンサ素子は、上記配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続されている。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子および上記第3コンデンサ素子の上記配線基板に対向する面は、短辺および長辺を有している。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子および上記第3コンデンサ素子の各々は、上記長辺が延在する方向において相対して位置する一対の端面と、上記短辺が延在する方向において相対して位置する一対の側面と、上記積層体の外表面上において互いに離間して設けられた一対の外部電極とを有している。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子および上記第3コンデンサ素子に含まれる上記外部電極の各々は、当該外部電極の各々に対応して上記配線基板に設けられたランドに導電性の接合部材を介してそれぞれ接合されている。上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面、上記第2コンデンサ素子の上記一対の端面および上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちのいずれか1つの面は、上記第1コンデンサ素子の上記一対の側面、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面および上記第3コンデンサ素子の上記一対の側面のうちのいずれか1つの面と上記封止樹脂層を介して対向しており、上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面、上記第2コンデンサ素子の上記一対の端面および上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの残る他の1つの面は、上記第1コンデンサ素子の上記一対の側面、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面および上記第3コンデンサ素子の上記一対の側面のうちのいずれか1つの面と上記封止樹脂層を介して対向している。 The mounting structure of the capacitor element based on the second aspect of the present invention is a first capacitor element including a rectangular structure including a dielectric layer and an internal electrode layer alternately laminated along the stacking direction. A wiring board including a capacitor element and a third capacitor element, a main surface on which the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element are mounted, the first capacitor element, the second capacitor element, and the like. It includes a sealing resin layer that embeds the third capacitor element. The first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on the wiring board. The surfaces of the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element facing the wiring board have short sides and long sides. Each of the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element is relative to a pair of end faces located relative to each other in the direction in which the long side extends and in the direction in which the short side extends. It has a pair of side surfaces that are located on the outer surface of the laminated body and a pair of external electrodes that are provided apart from each other on the outer surface of the laminated body. Each of the first capacitor element, the second capacitor element, and the external electrode included in the third capacitor element is a bonding member conductive to a land provided on the wiring board corresponding to each of the external electrodes. Each is joined via. One of the pair of end faces of the first capacitor element, the pair of end faces of the second capacitor element, and the pair of end faces of the third capacitor element is the pair of the first capacitor elements. The side surface, the pair of side surfaces of the second capacitor element, and any one of the pair of side surfaces of the third capacitor element face each other via the sealing resin layer, and the first capacitor The remaining one of the pair of end faces of the element, the pair of end faces of the second capacitor element, and the pair of end faces of the third capacitor element is the pair of side surfaces of the first capacitor element. It faces any one of the pair of side surfaces of the second capacitor element and the pair of side surfaces of the third capacitor element via the sealing resin layer.
上記本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方が、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向しているとともに、上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの残る他方が、上記第3コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向していてもよい。 In the capacitor element mounting structure based on the second aspect of the present invention, one of the pair of end faces of the first capacitor element is one of the pair of side surfaces of the second capacitor element. One of them faces the sealing resin layer via the sealing resin layer, and the remaining one of the pair of end faces of the first capacitor element is sealed on one of the pair of side surfaces of the third capacitor element. They may face each other via a waterproof resin layer.
上記本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方が、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向しているとともに、上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方が、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの残る他方に上記封止樹脂層を介して対向していてもよい。 In the capacitor element mounting structure based on the second aspect of the present invention, one of the pair of end faces of the first capacitor element is one of the pair of side surfaces of the second capacitor element. One of the pair of end faces of the third capacitor element faces the other via the sealing resin layer, and the other of the pair of side surfaces of the second capacitor element is sealed. They may face each other via a waterproof resin layer.
上記本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方と、上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方とが、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向していてもよい。 In the capacitor element mounting structure based on the second aspect of the present invention, one of the pair of end faces of the first capacitor element and the pair of end faces of the third capacitor element. One may face one of the pair of side surfaces of the second capacitor element via the sealing resin layer.
上記本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第2コンデンサ素子の上記積層方向とが、いずれも上記配線基板の上記主表面に沿った方向を向いていることが好ましい。 In the capacitor element mounting structure based on the second aspect of the present invention, the stacking direction of the first capacitor element and the stacking direction of the second capacitor element are both of the wiring board. It is preferable that the orientation is along the main surface.
上記本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第3コンデンサ素子の上記積層方向が、上記配線基板の上記主表面に沿った方向を向いていてもよい。 In the mounting structure of the capacitor element based on the second aspect of the present invention, the stacking direction of the third capacitor element may be directed along the main surface of the wiring board.
上記本発明の第2の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第3コンデンサ素子の上記積層方向が、上記配線基板の上記主表面に沿わない方向を向いていてもよい。 In the capacitor element mounting structure based on the second aspect of the present invention, the stacking direction of the third capacitor element may be directed not along the main surface of the wiring board.
本発明の第3の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体は、積層方向に沿って交互に積層された誘電体層および内部電極層を含む直方体形状の積層体を含む第1コンデンサ素子、第2コンデンサ素子、第3コンデンサ素子および第4コンデンサ素子と、上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子が実装される主表面を含む配線基板と、上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子を包埋する封止樹脂層とを備えている。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子は、上記配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続されている。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子の上記配線基板に対向する面は、短辺および長辺を有している。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子の各々は、上記長辺が延在する方向において相対して位置する一対の端面と、上記短辺が延在する方向において相対して位置する一対の側面と、上記積層体の外表面上において互いに離間して設けられた一対の外部電極とを有している。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子に含まれる上記外部電極の各々は、当該外部電極の各々に対応して上記配線基板に設けられたランドに導電性の接合部材を介してそれぞれ接合されている。上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方は、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。上記第2コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方は、上記第3コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方は、上記第4コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。上記第4コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方は、上記第1コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。 The mounting structure of the capacitor element based on the third aspect of the present invention is the first capacitor element, the second capacitor element, which includes a rectangular body-shaped laminate including dielectric layers and internal electrode layers alternately laminated along the stacking direction. A wiring board including a capacitor element, a third capacitor element and a fourth capacitor element, a main surface on which the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element and the fourth capacitor element are mounted, and the above. It includes a first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and a sealing resin layer that embeds the fourth capacitor element. The first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the fourth capacitor element are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on the wiring board. The surfaces of the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the fourth capacitor element facing the wiring board have short sides and long sides. Each of the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the fourth capacitor element has a pair of end faces located opposite to each other in the direction in which the long side extends, and the short side. It has a pair of side surfaces that are located relative to each other in the extending direction, and a pair of external electrodes that are provided apart from each other on the outer surface of the laminated body. Each of the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the external electrode included in the fourth capacitor element is a land provided on the wiring board corresponding to each of the external electrodes. They are joined to each other via a conductive joining member. One of the pair of end faces of the first capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the second capacitor element via the sealing resin layer. One of the pair of end faces of the second capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the third capacitor element via the sealing resin layer. One of the pair of end faces of the third capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the fourth capacitor element via the sealing resin layer. One of the pair of end faces of the fourth capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the first capacitor element via the sealing resin layer.
上記本発明の第3の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第2コンデンサ素子の上記積層方向とが、いずれも上記配線基板の上記主表面に沿った方向を向いていることが好ましい。 In the capacitor element mounting structure based on the third aspect of the present invention, the stacking direction of the first capacitor element and the stacking direction of the second capacitor element are both of the wiring board. It is preferable that the orientation is along the main surface.
上記本発明の第3の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第3コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第4コンデンサ素子の上記積層方向とが、上記配線基板の上記主表面に沿った方向を向いていてもよい。 In the capacitor element mounting structure based on the third aspect of the present invention, the stacking direction of the third capacitor element and the stacking direction of the fourth capacitor element are the main components of the wiring board. It may be oriented along the surface.
上記本発明の第3の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第3コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第4コンデンサ素子の上記積層方向とが、上記配線基板の上記主表面に沿わない方向を向いていてもよい。 In the capacitor element mounting structure based on the third aspect of the present invention, the stacking direction of the third capacitor element and the stacking direction of the fourth capacitor element are the main components of the wiring board. It may be oriented in a direction that does not follow the surface.
本発明の第4の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体は、積層方向に沿って交互に積層された誘電体層および内部電極層を含む直方体形状の積層体を含む第1コンデンサ素子、第2コンデンサ素子、第3コンデンサ素子および第4コンデンサ素子と、上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子が実装される主表面を含む配線基板と、上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子を包埋する封止樹脂層とを備えている。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子は、上記配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続されている。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子の上記配線基板に対向する面は、短辺および長辺を有している。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子の各々は、上記長辺が延在する方向において相対して位置する一対の端面と、上記短辺が延在する方向において相対して位置する一対の側面と、上記積層体の外表面上において互いに離間して設けられた一対の外部電極とを有している。上記第1コンデンサ素子、上記第2コンデンサ素子、上記第3コンデンサ素子および上記第4コンデンサ素子に含まれる上記外部電極の各々は、当該外部電極の各々に対応して上記配線基板に設けられたランドに導電性の接合部材を介してそれぞれ接合されている。上記第1コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方が、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方が、上記第4コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向している。上記第1コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第2コンデンサ素子の上記積層方向とが、いずれも上記配線基板の上記主表面に沿った方向を向いている。上記第3コンデンサ素子の上記積層方向と、上記第4コンデンサ素子の上記積層方向とが、いずれも上記配線基板の上記主表面に沿わない方向を向いている。 The mounting structure of the capacitor element based on the fourth aspect of the present invention is the first capacitor element, the second capacitor element, which includes a rectangular structure including a dielectric layer and an internal electrode layer alternately laminated along the stacking direction. A wiring board including a capacitor element, a third capacitor element and a fourth capacitor element, a main surface on which the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element and the fourth capacitor element are mounted, and the above. It includes a first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and a sealing resin layer that embeds the fourth capacitor element. The first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the fourth capacitor element are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on the wiring board. The surfaces of the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the fourth capacitor element facing the wiring board have short sides and long sides. Each of the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the fourth capacitor element has a pair of end faces located opposite to each other in the direction in which the long side extends, and the short side. It has a pair of side surfaces that are located relative to each other in the extending direction, and a pair of external electrodes that are provided apart from each other on the outer surface of the laminated body. Each of the first capacitor element, the second capacitor element, the third capacitor element, and the external electrode included in the fourth capacitor element is a land provided on the wiring board corresponding to each of the external electrodes. They are joined to each other via a conductive joining member. One of the pair of end faces of the first capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the second capacitor element via the sealing resin layer. One of the pair of end faces of the third capacitor element faces one of the pair of side surfaces of the fourth capacitor element via the sealing resin layer. The stacking direction of the first capacitor element and the stacking direction of the second capacitor element are both oriented along the main surface of the wiring board. Both the stacking direction of the third capacitor element and the stacking direction of the fourth capacitor element are oriented so as not to follow the main surface of the wiring board.
上記本発明の第4の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第2コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの他方が、上記第3コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの他方に上記封止樹脂層を介して対向していることが好ましい。 In the capacitor element mounting structure based on the fourth aspect of the present invention, the other of the pair of side surfaces of the second capacitor element is the pair of end faces of the third capacitor element. On the other hand, it is preferable that they face each other via the sealing resin layer.
上記本発明の第4の局面に基づくコンデンサ素子の実装構造体にあっては、上記第1コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方が、上記第3コンデンサ素子の上記一対の側面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向し、上記第2コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方が、上記第4コンデンサ素子の上記一対の端面のうちの一方に上記封止樹脂層を介して対向していることが好ましい。 In the capacitor element mounting structure based on the fourth aspect of the present invention, one of the pair of side surfaces of the first capacitor element is one of the pair of side surfaces of the third capacitor element. One of the pair of end faces of the second capacitor element faces the one side via the sealing resin layer, and the sealing resin layer is placed on one of the pair of end faces of the fourth capacitor element. It is preferable that they face each other via.
ここで、上記において記載した「直方体形状のコンデンサ素子」という用語には、そのコーナー部および稜部に丸みが付けられたものや、その表面に全体的に見て無視できる程度の段差や凹凸が設けられたものが含まれるものとする。 Here, the term "rectangular parallelepiped-shaped capacitor element" described above includes rounded corners and ridges, and steps and irregularities on the surface that can be ignored as a whole. It shall include those provided.
また、上記において記載した「長方形状の面」という用語には、その輪郭線の角部に丸みが付けられたものや、その輪郭線の辺に全体的に見て無視できる程度の折れや曲がりが設けられたものが含まれるものとする。 In addition, the term "rectangular surface" described above includes rounded corners of the contour line, and folds and bends that can be ignored as a whole on the sides of the contour line. It shall be included in the one provided with.
また、上記において記載した「端面と側面とが対向する」という用語には、これら端面および側面のうちの一方の面の全域が他方の面に対向している場合のみならず、一方の面の一部の領域が他方の面の一部の領域にのみ対向している場合が含まれるものとする。 Further, the term "end face and side surface facing each other" described above includes not only the case where the entire surface of one of the end face and the side surface faces the other face, but also the case of one face. It is assumed that a part of the region faces only a part of the other surface.
本発明によれば、複数のコンデンサ素子を配線基板上において封止樹脂層にて包埋してなるコンデンサ素子の実装構造体において、当該実装構造体に発生する振動を抑制することができる。 According to the present invention, in a mounting structure of a capacitor element in which a plurality of capacitor elements are embedded in a sealing resin layer on a wiring board, vibration generated in the mounting structure can be suppressed.
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the embodiments shown below, the same or common parts are designated by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof will not be repeated.
以下に示す実施の形態においては、誘電体材料としてセラミックス材料を使用した積層セラミックコンデンサをコンデンサ素子として包埋してなる回路モジュールを例示して説明を行なう。なお、本発明が適用可能な回路モジュールとしては、この他にも、誘電体材料として樹脂フィルムを使用した積層型金属化フィルムコンデンサ等をコンデンサ素子として包埋してなる回路モジュールが挙げられる。 In the embodiment shown below, a circuit module in which a multilayer ceramic capacitor using a ceramic material as a dielectric material is embedded as a capacitor element will be described as an example. In addition, as a circuit module to which the present invention can be applied, there is a circuit module in which a laminated metallized film capacitor or the like using a resin film as a dielectric material is embedded as a capacitor element.
図1は、本発明の実施の形態における回路モジュールに具備される積層セラミックコンデンサの斜視図である。図2は、図1に示す積層セラミックコンデンサの図1中に示すII-II線に沿った断面図であり、図3は、図1に示す積層セラミックコンデンサの図1中に示すIII-III線に沿った断面図である。まず、これら図1ないし図3を参照して、本実施の形態における回路モジュールに具備される積層セラミックコンデンサについて説明する。 FIG. 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor provided in a circuit module according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II shown in FIG. 1 of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III shown in FIG. 1 of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. It is a cross-sectional view along. First, the monolithic ceramic capacitor provided in the circuit module according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
図1ないし図3に示すように、積層セラミックコンデンサ10は、全体として直方体形状を有する電子部品であり、積層体11と一対の外部電極14とを有している。
As shown in FIGS. 1 to 3, the laminated
図2および図3に示すように、積層体11は、所定の方向に沿って交互に積層された誘電体層12および内部電極層13にて構成されている。誘電体層12は、たとえばチタン酸バリウムを主成分とするセラミックス材料にて形成されている。また、誘電体層12は、後述するセラミックスシートの原料となるセラミックス粉末の副成分としてのMn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類化合物等を含んでいてもよい。一方、内部電極層13は、たとえばNi、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等に代表される金属材料にて形成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
積層体11は、誘電体層12となるセラミックスシート(いわゆるグリーンシート)の表面に内部電極層13となる導電性ペーストが印刷された素材シートを複数準備し、これら複数の素材シートを積層して圧着および焼成することによって製作される。
For the laminate 11, a plurality of material sheets in which a conductive paste to be an
なお、誘電体層12の材質は、上述したチタン酸バリウムを主成分とするセラミックス材料に限られず、他の高誘電率のセラミックス材料(たとえば、CaTiO3、SrTiO3等を主成分とするもの)を誘電体層12の材質として選択してもよい。また、内部電極層13の材質も、上述した金属材料に限られず、他の導電材料を内部電極層13の材質として選択してもよい。
The material of the
図1および図2に示すように、一対の外部電極14は、積層体11の所定方向の両端部の外表面を覆うように互いに離間して設けられている。一対の外部電極14は、それぞれ導電膜にて構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the pair of
一対の外部電極14は、たとえば焼結金属層とめっき層の積層膜にて構成される。焼結金属層は、たとえばCu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等のペーストを焼き付けることで形成される。めっき層は、たとえばNiめっき層とこれを覆うSnめっき層とによって構成される。めっき層は、これに代えてCuめっき層やAuめっき層であってもよい。また、一対の外部電極14は、めっき層のみによって構成されていてもよい。
The pair of
さらには、一対の外部電極14として、金属成分と樹脂成分とを含む導電性樹脂ペーストを利用することも可能である。一対の外部電極14として導電性樹脂ペーストを利用した場合には、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂成分が積層体11において発生した振動を吸収する効果を発揮するため、積層体11から外部に伝播する振動を効果的に減衰させることが可能になる。
Further, as the pair of
図2に示すように、積層方向に沿って誘電体層12を挟んで隣り合う一対の内部電極層13のうちの一方は、積層セラミックコンデンサ10の内部において一対の外部電極14のうちの一方に電気的に接続されており、積層方向に沿って誘電体層12を挟んで隣り合う一対の内部電極層13のうちの他方は、積層セラミックコンデンサ10の内部において一対の外部電極14のうちの他方に電気的に接続されている。これにより、一対の外部電極14間は、複数のコンデンサ要素が電気的に並列に接続された状態となっている。
As shown in FIG. 2, one of the pair of internal electrode layers 13 adjacent to each other with the
ここで、図1ないし図3に示すように、一対の外部電極14が並ぶ方向を積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lとして定義し、積層体11における誘電体層12と内部電極層13との積層方向を厚み方向Tとして定義し、これら長さ方向Lおよび厚み方向Tのいずれにも直交する方向を幅方向Wとして定義すると、本実施の形態における積層セラミックコンデンサ10は、長さ方向Lに沿った外形寸法が最も長くなるように構成された細長の直方体形状を有している。
Here, as shown in FIGS. 1 to 3, the direction in which the pair of
なお、積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lの外形寸法および幅方向Wの外形寸法(通常、厚み方向Tの外形寸法は、幅方向Wの外形寸法と同じとされる)の代表値としては、たとえば3.2[mm]×1.6[mm]、2.0[mm]×1.25[mm]、1.6[mm]×0.8[mm]、1.0[mm]×0.5[mm]、0.8[mm]×0.4[mm]、0.6[mm]×0.3[mm]、0.4[mm]×0.2[mm]等が挙げられる。
As typical values of the external dimensions of the multilayer
また、直方体形状の積層セラミックコンデンサ10の6つの面のうち、長さ方向Lにおいて相対して位置する一対の面を端面15と定義し、一対の端面15を結ぶ4つの面を側面16,17と定義する。さらに、4つの側面16,17のうち、厚み方向Tにおいて相対して位置する一対の面を厚み方向側面16と定義し、幅方向Wにおいて相対して位置する一対の面を幅方向側面17として定義し、以降の説明においては、当該用語を使用する。一対の厚み方向側面16と一対の幅方向側面17は、いずれも長さ方向Lに延在する一対の長辺と、当該一対の長辺を結ぶ一対の短辺とを含む長方形状を有している。
Further, among the six faces of the rectangular parallelepiped-shaped
図4は、図1に示す積層セラミックコンデンサの積層体に電圧印加時において生じる歪みをシミュレーションした結果を示す図である。次に、この図4を参照して、本実施の形態における回路モジュールに具備される積層セラミックコンデンサに生じ得る歪みについて説明する。 FIG. 4 is a diagram showing the results of simulating the strain generated when a voltage is applied to the laminated body of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 1. Next, with reference to FIG. 4, the distortion that can occur in the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module in the present embodiment will be described.
上述した積層セラミックコンデンサ10の一対の外部電極14に、交流電圧、または、交流成分が重畳した直流電圧が印加されると、積層体11に図4に示す如くの機械的な歪みが発生し、これが積層セラミックコンデンサ10の歪みとなる。
When an AC voltage or a DC voltage on which an AC component is superimposed is applied to the pair of
図4に示すように、電圧印加時においては、厚み方向Tに沿って積層体11が図中において矢印ARTにて示すように外側に向けて顕著に大きく歪む。これに伴い、長さ方向Lに沿って積層体11が図中において矢印ARLにて示すように内側に向けてやや大きく歪み、また幅方向Wに沿って積層体11が図中において矢印ARWにて示すように内側に向けて僅かに歪む。これに対し、細長の直方体形状を有する積層体11の角部18においては、歪みは殆ど発生しない。なお、図中においては、積層体11の外側に向けて生じる歪みを白抜き矢印にて示すとともに、積層体11の内側に向けて生じる歪みを黒塗り矢印にて示し、それらの歪の大きさをそれぞれ矢印の大きさにて示している。
As shown in FIG. 4, when a voltage is applied, the
そのため、積層セラミックコンデンサ10においても、電圧印加時において、同様の歪みが発生することになり、積層セラミックコンデンサ10に印加される電圧の周期に合わせて上述した如くの歪みが繰り返し発生することになる。その結果、積層セラミックコンデンサ10を具備した回路モジュールにおいては、当該積層セラミックコンデンサ10が振動源となり、当該振動が封止樹脂層および配線基板に伝播することによって回路モジュールが振動し、結果として騒音が発生したり、他の素子の誤作動を誘発したりする。
Therefore, even in the monolithic
図5および図6は、それぞれ図1に示す積層セラミックコンデンサの回路モジュールへの第1および第2実装態様を示す模式断面図である。上述した積層セラミックコンデンサの回路モジュールへの実装態様としては、配線基板に対する向きが異なる2つの実装態様が想定される。以下、これら図5および図6を参照して、当該2つの実装態様について説明する。なお、図5(B)および図6(B)に示す断面は、それぞれ図5(A)中および図6(A)中に示すVB-VB線およびVIB-VIB線に沿った断面である。 5 and 6 are schematic cross-sectional views showing the first and second mounting modes of the monolithic ceramic capacitor shown in FIG. 1, respectively, in the circuit module. As the mounting mode of the above-mentioned multilayer ceramic capacitor on the circuit module, two mounting modes having different orientations with respect to the wiring board are assumed. Hereinafter, the two mounting embodiments will be described with reference to FIGS. 5 and 6. The cross sections shown in FIGS. 5 (B) and 6 (B) are cross sections along the VB-VB line and the VIB-VIB line shown in FIGS. 5 (A) and 6 (A), respectively.
図5および図6に示すように、第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のいずれにおいても、積層セラミックコンデンサ10は、その一対の端面15を結ぶ方向である長さ方向Lが配線基板2の主表面に沿った方向を向くように当該配線基板2の主表面上に配置されている。すなわち、長辺と短辺を含む長方形状の側面16,17のいずれかが配線基板2の主表面に対向する対向面となる。さらに、当該状態において積層セラミックコンデンサ10を包埋するように封止樹脂層5が当該配線基板2の主表面上に形成されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, in both the first mounting mode 10 (H) and the second mounting mode 10 (V), the multilayer
配線基板2は、その一対の主表面のうちの少なくとも一方に導電パターンが形成された絶縁性の基板からなる。配線基板2の材質としては、エポキシ樹脂等の樹脂材料やアルミナ等のセラミックス材料からなるもの、あるいはこれらに無機材料または有機材料からなるフィラーや織布等が添加されたもの等を用いることができる。一般的には、配線基板2としては、エポキシ樹脂からなる基材にガラス製の織布が添加されたガラスエポキシ基板が好適に利用される。
The
配線基板2の主表面には、積層セラミックコンデンサ10に対応して一対のランド3が設けられる。これら一対のランド3は、いずれも上述した導電パターンの一部に該当し、互いに離間して位置するように配設されている。
A pair of
また、これら一対のランド3の各々は、積層セラミックコンデンサ10の各々が有する一対の外部電極14に対応した大きさに形成されており、いずれも対応する外部電極14に対して、配線基板2の主表面の法線方向に沿って対向する部分を含んでいる。なお、一対のランド3の材質としては、各種の導電材料が利用できるが、一般的には銅箔等の金属材料が好適に利用される。
Further, each of the pair of
積層セラミックコンデンサ10の各々が有する一対の外部電極14と、配線基板2に設けられた一対のランド3とは、それぞれ導電性の接合部材4によって接合されている。接合部材4としては、たとえば導電性接着剤や半田が利用できる。ここで、接合部材4として、導電性接着剤を利用した場合には、導電性接着剤に含まれる樹脂成分が積層セラミックコンデンサ10において発生した振動を吸収する効果を発揮するため、積層セラミックコンデンサ10から外部に伝播する振動を効果的に減衰させることが可能になる。
The pair of
封止樹脂層5は、積層セラミックコンデンサ10が実装された部分の配線基板2の主表面上を覆うように位置しており、積層セラミックコンデンサ10を当該配線基板2の主表面上において包埋している。より詳細には、封止樹脂層5は、配線基板2の上記主表面、配線基板2に設けられたランド3の表面、接合部材4の表面および積層セラミックコンデンサ10の表面を覆うように設けられており、これら部材の表面が回路モジュールの外部に対して露出することを防止している。なお、配線基板2と積層セラミックコンデンサ10との間の空間であってかつ一対のランド3間および一対の接合部材4間の空間については、封止樹脂層5によって埋め込まれていることが好ましいが、当該空間については、必ずしも封止樹脂層5によって埋め込まれている必要はなく、当該空間が封止樹脂層5によって囲まれているのみであってもよい。
The sealing
封止樹脂層5の材質としては、特にこれが制限されるものではなく、各種の熱可塑性樹脂材料あるいは熱硬化性樹脂材料等が利用可能である。また、当該封止樹脂層5に各種の材料からなるフィラー等が添加されていてもよい。回路モジュールの信頼性の観点からは、配線基板2やこれに実装される各種の電子部品との間の線膨張係数差が小さいことが好ましく、配線基板2として上述したガラスエポキシ基板を利用した場合には、封止樹脂層5としては、通常、エポキシ樹脂が利用される。また、図示はしていないが、封止樹脂層5の表面に導電層等の部材が別途設けられていてもよい。
The material of the sealing
積層セラミックコンデンサ10の回路モジュールへの組付けに際しては、まず、予め配線基板2に設けられた一対のランド3上にスクリーン印刷等によって導電性接着剤または半田ペーストが塗布され、その上に積層セラミックコンデンサ10が載置された状態で、これらがリフロー炉に投入される。これにより、接合部材4にフィレットが形成され、積層セラミックコンデンサ10が配線基板2に実装される。さらにその後、積層セラミックコンデンサ10が実装された配線基板2の主表面上にトランスファーモールドやポッテインング等によって封止樹脂層5が形成されることにより、回路モジュールが製作される。
When assembling the multilayer
ここで、図5(A)および図5(B)に示すように、第1実装態様10(H)にあっては、積層セラミックコンデンサ10の積層体11における誘電体層12および内部電極層13の積層方向である厚み方向Tが、配線基板2の主表面に沿わない方向を向くように(すなわち、積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tが配線基板2の主表面と直交するように)、積層セラミックコンデンサ10が配線基板2上に配置されている。これにより、当該第1実装態様10(H)においては、積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tにおいて相対して位置する一対の厚み方向側面16のうちの一方が、配線基板2に対向する対向面16aになることになる。
Here, as shown in FIGS. 5A and 5B, in the first mounting embodiment 10 (H), the
一方、図6(A)および図6(B)に示すように、第2実装態様10(V)にあっては、積層セラミックコンデンサ10の積層体11における誘電体層12および内部電極層13の積層方向である厚み方向Tが、配線基板2の主表面に沿う方向を向くように(すなわち、積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tが配線基板2の主表面と平行に位置するように)、積層セラミックコンデンサ10が配線基板2上に配置されている。これにより、当該第2実装態様10(V)においては、積層セラミックコンデンサ10の幅方向Wにおいて相対して位置する一対の幅方向側面17のうちの一方が、配線基板2に対向する対向面17aになることになる。
On the other hand, as shown in FIGS. 6 (A) and 6 (B), in the second mounting mode 10 (V), the
図7ないし図9は、2個の積層セラミックコンデンサを近接配置する場合の種々のレイアウトパターンを示す模式図である。ここで、図7(A)ないし図7(C)は、それぞれ第1レイアウトグループに属する第1ないし第3レイアウトパターンを示す模式図であり、図8(A)ないし図8(C)は、それぞれ第2レイアウトグループに属する第4ないし第6レイアウトパターンを示す模式図であり、図9(A)ないし図9(D)は、それぞれ第3レイアウトグループに属する第7ないし第10レイアウトパターンを示す模式図である。次に、これら図7ないし図9を参照して、2個の積層セラミックコンデンサを近接配置する場合の種々のレイアウトパターンの詳細について説明するとともに、当該レイアウトパターンを採用した場合に回路モジュールのこれら2個の積層セラミックコンデンサが配置された領域Rにおいて生じる振動の大きさについて説明する。ここで、上述した「近傍」とは、2個のセラミックコンデンサの間の距離が好ましくは1.0[mm]以下になる範囲を意味する。なお、図7ないし図9においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
7 to 9 are schematic views showing various layout patterns when two multilayer ceramic capacitors are arranged in close proximity to each other. Here, FIGS. 7 (A) to 7 (C) are schematic views showing the first to third layout patterns belonging to the first layout group, respectively, and FIGS. 8 (A) to 8 (C) are diagrams. 9 (A) to 9 (D) are schematic views showing the fourth to sixth layout patterns belonging to the second layout group, respectively, and FIGS. 9 (A) to 9 (D) show the seventh to tenth layout patterns belonging to the third layout group, respectively. It is a schematic diagram. Next, with reference to FIGS. 7 to 9, details of various layout patterns when two multilayer ceramic capacitors are arranged close to each other will be described, and when the layout pattern is adopted, these 2 of the circuit module will be described. The magnitude of the vibration generated in the region R in which the multilayer ceramic capacitors are arranged will be described. Here, the above-mentioned "neighborhood" means a range in which the distance between the two ceramic capacitors is preferably 1.0 [mm] or less. In FIGS. 7 to 9, the sealing
図7(A)ないし図7(C)に示すように、第1レイアウトグループに属する第1ないし第3レイアウトパターンLP1~LP3は、いずれも2個の積層セラミックコンデンサの長さ方向Lに沿った軸線が、配線基板2の主表面上において互いに距離をもって平行に位置することとなるように、これら2個の積層セラミックコンデンサが配置されたものである。
As shown in FIGS. 7A to 7C, the first to third layout patterns LP1 to LP3 belonging to the first layout group are all along the length direction L of the two multilayer ceramic capacitors. These two multilayer ceramic capacitors are arranged so that the axes are located parallel to each other at a distance on the main surface of the
図7(A)に示す第1レイアウトパターンLP1においては、2個の積層セラミックコンデンサがいずれも上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の幅方向側面17の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の幅方向側面17の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the first layout pattern LP1 shown in FIG. 7A, both of the two multilayer ceramic capacitors are mounted in the above-mentioned first mounting mode 10 (H). In this case, one of the pair of widthwise side surfaces 17 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of widthwise side surfaces 17 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第1レイアウトパターンLP1とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該X軸方向における振動は相当程度に大きくなる。また、当該第1レイアウトパターンLP1とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用するものの、当該Y軸方向における振動は比較的小さく抑制される。 When the first layout pattern LP1 is used, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor in the X-axis direction shown in the figure and the other lamination are performed. Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction become considerably large. Further, in the case of the first layout pattern LP1, a slightly large distortion along the width direction W generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure (see arrow ARW) and the other. Slightly large strains along the width direction W (see arrow ARW) that occur in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to amplify each other's vibrations in the region R, but the vibrations in the Y-axis direction are relatively small. It is suppressed.
図7(B)に示す第2レイアウトパターンLP2においては、2個の積層セラミックコンデンサがいずれも上述した第2実装態様10(V)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の厚み方向側面16の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の厚み方向側面16の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the second layout pattern LP2 shown in FIG. 7B, both of the two multilayer ceramic capacitors are mounted in the second mounting mode 10 (V) described above. In this case, one of the pair of thickness-direction side surfaces 16 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of thickness-direction side surfaces 16 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第2レイアウトパターンLP2とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該X軸方向における振動は相当程度に大きくなる。また、当該第2レイアウトパターンLP2とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該Y軸方向における振動は極端に大きくなる。 In the case of the second layout pattern LP2, in the X-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor and the other lamination Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction become considerably large. Further, in the case of the second layout pattern LP2, a significantly large distortion (see arrow ART) along the thickness direction T generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure and the other. Remarkably large strains along the thickness direction T (see arrow ART) generated in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the Y-axis direction become extremely large. ..
図7(C)に示す第3レイアウトパターンLP3においては、2個の積層セラミックコンデンサのうちの一方が上述した第2実装態様10(V)にて実装されており、2個の積層セラミックコンデンサのうちの他方が上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の厚み方向側面16の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の幅方向側面17の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the third layout pattern LP3 shown in FIG. 7C, one of the two multilayer ceramic capacitors is mounted in the second mounting mode 10 (V) described above, and the two multilayer ceramic capacitors are mounted. The other of them is mounted in the first mounting mode 10 (H) described above. In this case, one of the pair of thickness-oriented side surfaces 16 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of width-oriented side surfaces 17 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第3レイアウトパターンLP3とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該X軸方向における振動は相当程度に大きくなる。また、当該第3レイアウトパターンLP3とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を相殺するように作用し、当該Y軸方向における振動は相当程度に小さく抑制される。 In the case of the third layout pattern LP3, in the X-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor and the other lamination Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction become considerably large. Further, in the case of the third layout pattern LP3, a significantly large distortion (see arrow ART) along the thickness direction T generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure and the other. Slightly large strains along the width direction W (see arrow ARW) generated in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to cancel each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the Y-axis direction are considerably small. It is suppressed.
以上から明らかなように、第1レイアウトグループに属する第1ないし第3レイアウトパターンLP1~LP3の中では、唯一、領域Rにおいて振動が一部において相殺される第3レイアウトパターンLP3が、振動を抑制する観点からは好適であると言える。 As is clear from the above, among the first to third layout patterns LP1 to LP3 belonging to the first layout group, the third layout pattern LP3, in which the vibration is partially canceled in the region R, suppresses the vibration. It can be said that it is suitable from the viewpoint of
図8(A)ないし図8(C)に示すように、第2レイアウトグループに属する第4ないし第6レイアウトパターンLP4~LP6は、いずれも2個の積層セラミックコンデンサの長さ方向Lに沿った軸線が、配線基板2の主表面上において互いに同一直線上に位置することとなるように、これら2個の積層セラミックコンデンサが配置されたものである。
As shown in FIGS. 8A to 8C, the fourth to sixth layout patterns LP4 to LP6 belonging to the second layout group are all along the length direction L of the two multilayer ceramic capacitors. These two multilayer ceramic capacitors are arranged so that the axes are located on the same straight line with each other on the main surface of the
図8(A)に示す第4レイアウトパターンLP4においては、2個の積層セラミックコンデンサがいずれも上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the fourth layout pattern LP4 shown in FIG. 8A, both of the two multilayer ceramic capacitors are mounted in the above-described first mounting mode 10 (H). In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of end faces 15 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第4レイアウトパターンLP4とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該X軸方向における振動は相当程度に大きくなる。また、当該第4レイアウトパターンLP4とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用するものの、当該Y軸方向における振動は比較的小さく抑制される。 In the case of the fourth layout pattern LP4, in the X-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor and the other lamination Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction become considerably large. Further, in the case of the fourth layout pattern LP4, a slightly large distortion along the width direction W generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure (see arrow ARW) and the other Slightly large strains along the width direction W (see arrow ARW) that occur in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to amplify each other's vibrations in the region R, but the vibrations in the Y-axis direction are relatively small. It is suppressed.
図8(B)に示す第5レイアウトパターンLP5においては、2個の積層セラミックコンデンサがいずれも上述した第2実装態様10(V)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the fifth layout pattern LP5 shown in FIG. 8B, both of the two multilayer ceramic capacitors are mounted in the second mounting mode 10 (V) described above. In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of end faces 15 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第5レイアウトパターンLP5とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該X軸方向における振動は相当程度に大きくなる。また、当該第5レイアウトパターンLP5とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該Y軸方向における振動は極端に大きくなる。 In the case of the fifth layout pattern LP5, in the X-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor and the other lamination are performed. Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction become considerably large. Further, in the case of the fifth layout pattern LP5, a significantly large distortion (see arrow ART) along the thickness direction T generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure and the other. Remarkably large strains along the thickness direction T (see arrow ART) generated in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the Y-axis direction become extremely large. ..
図8(C)に示す第6レイアウトパターンLP6においては、2個の積層セラミックコンデンサのうちの一方が上述した第2実装態様10(V)にて実装されており、2個の積層セラミックコンデンサのうちの他方が上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the sixth layout pattern LP6 shown in FIG. 8C, one of the two multilayer ceramic capacitors is mounted in the second mounting mode 10 (V) described above, and the two multilayer ceramic capacitors are mounted. The other of them is mounted in the first mounting mode 10 (H) described above. In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of end faces 15 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第6レイアウトパターンLP6とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用し、当該X軸方向における振動は相当程度に大きくなる。また、当該第6レイアウトパターンLP6とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を相殺するように作用し、当該Y軸方向における振動は相当程度に小さく抑制される。 In the case of the sixth layout pattern LP6, in the X-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor and the other lamination Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to amplify each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction become considerably large. Further, in the case of the sixth layout pattern LP6, in the Y-axis direction shown in the figure, a significantly large distortion along the thickness direction T generated by one laminated ceramic capacitor (see arrow ART) and the other. Slightly large strains along the width direction W (see arrow ARW) generated in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to cancel each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the Y-axis direction are considerably small. It is suppressed.
以上から明らかなように、第2レイアウトグループに属する第4ないし第6レイアウトパターンLP4~LP6の中では、唯一、領域Rにおいて振動が一部において相殺される第6レイアウトパターンLP6が、振動を抑制する観点からは好適であると言える。 As is clear from the above, among the 4th to 6th layout patterns LP4 to LP6 belonging to the 2nd layout group, the 6th layout pattern LP6 in which the vibration is partially canceled in the region R suppresses the vibration. It can be said that it is suitable from the viewpoint of
図9(A)ないし図9(D)に示すように、第3レイアウトグループに属する第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10は、いずれも2個の積層セラミックコンデンサの長さ方向Lに沿った軸線が、配線基板2の主表面上において互いに直交することとなるように、これら2個の積層セラミックコンデンサが配置されたものである。
As shown in FIGS. 9A to 9D, the seventh to tenth layout patterns LP7 to LP10 belonging to the third layout group are all along the length direction L of the two multilayer ceramic capacitors. These two multilayer ceramic capacitors are arranged so that the axes are orthogonal to each other on the main surface of the
図9(A)に示す第7レイアウトパターンLP7においては、2個の積層セラミックコンデンサがいずれも上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の幅方向側面17の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the seventh layout pattern LP7 shown in FIG. 9A, both of the two multilayer ceramic capacitors are mounted in the first mounting mode 10 (H) described above. In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of widthwise side surfaces 17 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第7レイアウトパターンLP7とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用するものの、当該X軸方向における振動は比較的小さく抑制される。また、当該第7レイアウトパターンLP7とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用するものの、当該X軸方向における振動は比較的小さく抑制される。 In the case of the 7th layout pattern LP7, a slightly large distortion (see arrow ARW) along the width direction W generated by one laminated ceramic capacitor in the X-axis direction shown in the figure and the other lamination Although a slightly large strain (see arrow ARL) along the length direction L generated by the ceramic capacitor acts to amplify each other's vibrations in the region R, the vibrations in the X-axis direction are suppressed to be relatively small. To. Further, in the case of the 7th layout pattern LP7, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure and the other Slightly large strains along the width direction W (see arrow ARW) that occur in the monolithic ceramic capacitors of the above act to amplify each other's vibrations in the region R, but the vibrations in the X-axis direction are relatively small. It is suppressed.
図9(B)に示す第8レイアウトパターンLP8においては、2個の積層セラミックコンデンサがいずれも上述した第2実装態様10(V)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の厚み方向側面16の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the eighth layout pattern LP8 shown in FIG. 9B, both of the two multilayer ceramic capacitors are mounted in the second mounting mode 10 (V) described above. In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of side surfaces 16 in the thickness direction of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第8レイアウトパターンLP8とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を相殺するように作用し、当該X軸方向における振動は大幅に小さく抑制される。また、当該第8レイアウトパターンLP8とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を相殺するように作用し、当該Y軸方向における振動は大幅に小さく抑制される。 In the case of the eighth layout pattern LP8, a significantly large distortion (see arrow ART) along the thickness direction T generated by one laminated ceramic capacitor in the X-axis direction shown in the figure and the other lamination are performed. Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to cancel each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction are suppressed to be significantly smaller. .. Further, in the case of the eighth layout pattern LP8, in the Y-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor (see arrow ARL) and the other. Remarkably large strains along the thickness direction T (see arrow ART) generated in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to cancel each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the Y-axis direction are suppressed to be significantly small. Will be done.
図9(C)に示す第9レイアウトパターンLP9においては、2個の積層セラミックコンデンサのうちの一方が上述した第2実装態様10(V)にて実装されており、2個の積層セラミックコンデンサのうちの他方が上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の幅方向側面17の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the ninth layout pattern LP9 shown in FIG. 9C, one of the two multilayer ceramic capacitors is mounted in the second mounting mode 10 (V) described above, and the two multilayer ceramic capacitors are mounted. The other of them is mounted in the first mounting mode 10 (H) described above. In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of widthwise side surfaces 17 of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第9レイアウトパターンLP9とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を相殺するように作用し、当該X軸方向における振動は大幅に小さく抑制される。また、当該第9レイアウトパターンLP9とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用するものの、当該Y軸方向における振動は比較的小さく抑制される。 In the case of the 9th layout pattern LP9, a significantly large distortion (see arrow ART) along the thickness direction T generated by one laminated ceramic capacitor in the X-axis direction shown in the figure and the other lamination are performed. Slightly large strains along the length direction L (see arrow ARL) generated in the ceramic capacitor act to cancel each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the X-axis direction are suppressed to be significantly smaller. .. Further, in the case of the 9th layout pattern LP9, in the Y-axis direction shown in the figure, a slightly large distortion along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor (see arrow ARL) and the other. Slightly large strains along the width direction W (see arrow ARW) that occur in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to amplify each other's vibrations in the region R, but the vibrations in the Y-axis direction are relatively small. It is suppressed.
図9(D)に示す第10レイアウトパターンLP10においては、2個の積層セラミックコンデンサのうちの一方が上述した第1実装態様10(H)にて実装されており、2個の積層セラミックコンデンサのうちの他方が上述した第2実装態様10(V)にて実装されている。この場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の厚み方向側面16の一方と封止樹脂層5を介して対向することになる。
In the tenth layout pattern LP10 shown in FIG. 9D, one of the two multilayer ceramic capacitors is mounted in the first mounting mode 10 (H) described above, and the two multilayer ceramic capacitors are mounted. The other of them is mounted in the second mounting mode 10 (V) described above. In this case, one of the pair of end faces 15 of one laminated ceramic capacitor faces one of the pair of side surfaces 16 in the thickness direction of the other laminated ceramic capacitor via the sealing
当該第10レイアウトパターンLP10とした場合には、図中に示すX軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる幅方向Wに沿った僅かに大きい歪み(矢印ARW参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を増幅するように作用するものの、当該X軸方向における振動は比較的小さく抑制される。また、当該第10レイアウトパターンLP10とした場合には、図中に示すY軸方向において、一方の積層セラミックコンデンサにて生じる長さ方向Lに沿ったやや大きい歪み(矢印ARL参照)と、他方の積層セラミックコンデンサにて生じる厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪み(矢印ART参照)とが、領域Rにおいて互いに振動を相殺するように作用し、当該Y軸方向における振動は大幅に小さく抑制される。 In the case of the tenth layout pattern LP10, a slightly large distortion (see arrow ARW) along the width direction W generated by one laminated ceramic capacitor in the X-axis direction shown in the figure and the other lamination are performed. Although a slightly large strain (see arrow ARL) along the length direction L generated by the ceramic capacitor acts to amplify each other's vibrations in the region R, the vibrations in the X-axis direction are suppressed to be relatively small. To. Further, in the case of the tenth layout pattern LP10, a slightly large distortion (see arrow ARL) along the length direction L generated by one laminated ceramic capacitor in the Y-axis direction shown in the figure and the other Remarkably large strains along the thickness direction T (see arrow ART) generated in the multilayer ceramic capacitor of No. 1 act to cancel each other's vibrations in the region R, and the vibrations in the Y-axis direction are suppressed to be significantly small. Will be done.
以上から明らかなように、第3レイアウトグループに属する第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の中では、領域Rにおいて振動が少なくとも一部において相殺される第8ないし第10レイアウトパターンLP8~LP10が、振動を抑制する観点からは好適であると言える。特に、第8レイアウトパターンLP8においては、領域RにおいてX軸方向およびY軸方向の双方において振動が大幅に相殺することになるため、振動を抑制する観点からは特にこれが好適であると言える。 As is clear from the above, among the 7th to 10th layout patterns LP7 to LP10 belonging to the 3rd layout group, the 8th to 10th layout patterns LP8 to LP10 in which the vibration is canceled out at least in a part in the region R are included. It can be said that it is suitable from the viewpoint of suppressing vibration. In particular, in the eighth layout pattern LP8, vibrations cancel out significantly in both the X-axis direction and the Y-axis direction in the region R, and thus this can be said to be particularly suitable from the viewpoint of suppressing vibrations.
一方、第3レイアウトグループに属する第7レイアウトパターンLP7については、領域Rにおいて振動が相殺されることはないものの、増幅される振動の程度が比較的小さく、当該第7レイアウトパターンLP7についても、振動を抑制する観点からは好適なものであると言える。 On the other hand, for the 7th layout pattern LP7 belonging to the 3rd layout group, although the vibration is not canceled out in the region R, the degree of amplified vibration is relatively small, and the 7th layout pattern LP7 also vibrates. It can be said that it is suitable from the viewpoint of suppressing the above.
第3レイアウトグループに属するいずれのレイアウトパターンにおいても、配線基板の主表面に沿う方向において2つの積層セラミックコンデンサの長さ方向Lは、互いに異なる方向を向いているため、互いの長さ方向Lに沿ったやや大きい歪みが振動を増幅する関係にはない。また、第3レイアウトグループに属するいずれのレイアウトパターンにおいても、2つの積層セラミックコンデンサの厚み方向Tは、互いに異なる方向を向いているため、互いの厚み方向Tに沿った顕著に大きい歪みが振動を増幅する関係にはない。したがって、振動を抑制する観点からは、第3レイアウトグループに属するレイアウトパターンが、第1および第2レイアウトグループに属するレイアウトパターンよりも好適なレイアウトパターンであると言える。 In any of the layout patterns belonging to the third layout group, the length directions L of the two multilayer ceramic capacitors are oriented in different directions in the direction along the main surface of the wiring board, so that they are in the length directions L of each other. The slightly large distortion along the line is not related to amplifying the vibration. Further, in any of the layout patterns belonging to the third layout group, the thickness directions T of the two multilayer ceramic capacitors are oriented in different directions from each other, so that a significantly large distortion along the thickness direction T causes vibration. There is no relationship to amplify. Therefore, from the viewpoint of suppressing vibration, it can be said that the layout pattern belonging to the third layout group is a more suitable layout pattern than the layout pattern belonging to the first and second layout groups.
したがって、以上の考察に基づけば、2個の積層セラミックコンデンサを近接配置する場合には、一方の積層セラミックコンデンサの一対の端面15の一方が、他方の積層セラミックコンデンサの一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)の一方に封止樹脂層5を介して対向することとなるように、これら2個の積層セラミックコンデンサを配置することが好ましいと言える。
Therefore, based on the above considerations, when two multilayer ceramic capacitors are placed close to each other, one of the pair of end faces 15 of one multilayer ceramic capacitor is a pair of side surfaces (a pair of thicknesses) of the other multilayer ceramic capacitor. It can be said that it is preferable to arrange these two multilayer ceramic capacitors so as to face each other with the sealing
ここで、2個の積層セラミックコンデンサを近接配置する場合においては、上述したように、第8レイアウトパターンLP8を採用することが、振動を抑制する観点からは特に好適である。この点を考慮に含めると、3個以上の積層セラミックコンデンサを近接配置する場合においては、このうちの2個の積層セラミックコンデンサを当該レイアウトパターンLP8に従って第2実装態様10(V)にて実装し、さらにこれら2個の積層セラミックコンデンサに近接するように残りの1個以上の積層セラミックコンデンサを第1実装態様10(H)にて実装することが好ましい。 Here, when two multilayer ceramic capacitors are arranged close to each other, it is particularly preferable to adopt the eighth layout pattern LP8 from the viewpoint of suppressing vibration, as described above. Taking this point into consideration, when three or more multilayer ceramic capacitors are arranged in close proximity, two of these multilayer ceramic capacitors are mounted in the second mounting mode 10 (V) according to the layout pattern LP8. Further, it is preferable to mount the remaining one or more multilayer ceramic capacitors in the first mounting mode 10 (H) so as to be close to these two multilayer ceramic capacitors.
このように構成すれば、上記第8レイアウトパターンLP8に従って実装された2個の積層セラミックコンデンサにおいて相殺しきれなかった振動をさらに残りの1個以上の積層セラミックコンデンサによって、領域RにおいてX軸方向およびY軸方向の双方において相殺することが可能になるため、高い振動抑制効果が得られることになる。 With this configuration, the vibrations that could not be offset by the two multilayer ceramic capacitors mounted according to the eighth layout pattern LP8 are further generated by the remaining one or more multilayer ceramic capacitors in the X-axis direction in the region R and in the region R. Since it is possible to cancel each other in both the Y-axis directions, a high vibration suppression effect can be obtained.
以上の知見に基づき、以下においては、複数の積層セラミックコンデンサを具備する回路モジュールにおいて、当該複数の積層セラミックコンデンサに含まれる複数の特定の積層セラミックコンデンサからなる積層セラミックコンデンサ群に着目し、当該積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサの実装位置に特徴的なレイアウトを適用することによって振動の発生の抑制を図った第1ないし第12構成例に係る回路モジュールついて、詳細に説明する。 Based on the above findings, in the following, in a circuit module including a plurality of monolithic ceramic capacitors, attention will be paid to a group of monolithic ceramic capacitors composed of a plurality of specific monolithic ceramic capacitors included in the plurality of monolithic ceramic capacitors. The circuit module according to the first to twelfth configuration examples in which the generation of vibration is suppressed by applying a characteristic layout to the mounting position of a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the ceramic capacitor group will be described in detail.
(第1構成例)
図10および図11は、本実施の形態に基づいた第1構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す概略斜視図および模式平面図である。また、図12は、図10および図11に示す回路モジュールの図11中に示すXII-XII線に沿った模式断面図であり、図13は、図10ないし図12に示す積層セラミックコンデンサを含む回路の回路構成例を示す図である。なお、図11においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(First configuration example)
10 and 11 are schematic perspective views and schematic plan views showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the first configuration example based on the present embodiment. Further, FIG. 12 is a schematic cross-sectional view taken along the line XII-XII shown in FIG. 11 of the circuit module shown in FIGS. 10 and 11, and FIG. 13 includes a laminated ceramic capacitor shown in FIGS. 10 to 12. It is a figure which shows the circuit composition example of a circuit. In addition, in FIG. 11, the illustration of the sealing
本第1構成例は、上述した積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサとして、配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続される同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)の2個の積層セラミックコンデンサに着目したものである。なお、本第1構成例に係る回路モジュールにおける2個の積層セラミックコンデンサのレイアウトパターンは、上述した第3レイアウトグループに属する第7レイアウトパターンLP7に合致するものである。 In this first configuration example, as a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the above-mentioned multilayer ceramic capacitor group, the same design specifications (same) that are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on a wiring board. The focus is on two monolithic ceramic capacitors (capacity and same size). The layout pattern of the two multilayer ceramic capacitors in the circuit module according to the first configuration example matches the seventh layout pattern LP7 belonging to the above-mentioned third layout group.
図10ないし図13に示すように、本第1構成例に係る回路モジュール1Aにあっては、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、配線基板2に設けられた導電パターンであるランド3および配線6A~6C等を介して互いに電気的に直列または並列に接続され、それぞれ同一の電源7に電気的に接続されるとともに接地端子GNDに電気的に接続されている。すなわち、同一の電源ラインに対して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが直列または並列に繋がっている。
As shown in FIGS. 10 to 13, in the
図13(A)に示す回路構成は、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが電気的に直列に接続された場合を示すものである。この場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の外部電極14のうちの一方と第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の外部電極14のうちの一方とが、ランド3および配線6Cを介して電気的に接続され、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の外部電極14のうちの他方と電源7とが、ランド3および配線6Aを介して電気的に接続され、第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の外部電極14のうちの他方と接地端子GNDとが、ランド3および配線6Bを介して電気的に接続される。
The circuit configuration shown in FIG. 13A shows a case where the first multilayer
図13(B)に示す回路構成は、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが電気的に並列に接続された場合を示すものである。この場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の外部電極14のうちの一方と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の外部電極14のうちの一方と、電源7とが、ランド3および配線6Aを介して電気的に接続され、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の外部電極14のうちの他方と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の外部電極14のうちの他方と、接地端子GNDとが、ランド3および配線6Bを介して電気的に接続される。すなわち、同一の電源ラインに対して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが並列に繋がっている。換言すれば、等価回路で見た場合に、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが同一のノードに繋がっている。
The circuit configuration shown in FIG. 13B shows a case where the first multilayer
図10ないし図12示すように、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bは、いずれも上述した第1実装態様10(H)にて実装されている。すなわち、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bのそれぞれの長辺および短辺を有する長方形状の厚み方向側面16が、配線基板2の主表面と対向して位置する対向面16aとなっている。
As shown in FIGS. 10 to 12, both the first multilayer
第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bの各々の対向面16aは、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bがいずれも直方体形状を有し、さらにそれらの長さ方向Lが配線基板2の主表面と平行となるように配線基板2に実装されているため、いずれも一対の短辺および一対の長辺を有する長方形状を有している。
The facing surfaces 16a of the first laminated
ここで、本第1構成例に係る回路モジュール1Aにあっては、第1積層セラミックコンデンサ10Aの対向面16aの長辺が延在する方向と第2積層セラミックコンデンサ10Bの対向面16aの長辺が延在する方向とが直交するとともに、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の端面15のうちの一方が第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の幅方向側面17のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向するように、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、配線基板2に実装されている。
Here, in the
好ましくは、配線基板2の主表面から見た場合に、第1積層セラミックコンデンサ10Aの中心を通る長さ方向Lに平行な軸線が第2積層セラミックコンデンサ10Bを貫通するように構成する。また、好ましくは、配線基板2の主表面から見た場合に、第2積層セラミックコンデンサ10Bの中心を通る幅方向Wに平行な軸線が第1積層セラミックコンデンサ10Aを貫通するように構成する。さらに、より好ましくは、第1積層セラミックコンデンサ10Aの中心を通る長さ方向Lに平行な軸線と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの中心を通る幅方向Wに平行な軸線とが、一致するように構成する。
Preferably, when viewed from the main surface of the
ここで、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと直交する方向をX軸方向と定義し、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと平行な方向をY軸方向と定義する。このとき、第1積層セラミックコンデンサ10Aの幅方向Wと第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lとが同じX軸方向を向き、かつ、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと第2積層セラミックコンデンサ10Bの幅方向Wとが同じY軸方向を向くことになる。
Here, the direction parallel to the main surface of the
この場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの幅方向Wに沿った歪みに起因した振動モード(図11中に示す矢印VMAW参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図11中に示す矢印VMBL参照)とが、回路モジュール1AのX軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになるとともに、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図11中に示す矢印VMAL参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの幅方向Wに沿った歪みに起因した振動モード(図11中に示す矢印VMBW参照)とが、回路モジュール1AのY軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになる。
In this case, the vibration mode caused by the distortion along the width direction W of the first laminated
したがって、上述した第3レイアウトグループに属する第7レイアウトパターンLP7についての説明の欄において言及したように、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Aの振動が極端に増幅されることが防止できることになる。これにより、騒音の発生が抑制できることになり、また、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, as mentioned in the description column of the 7th layout pattern LP7 belonging to the 3rd layout group described above, it is caused by the distortion generated in the 1st laminated
(第2構成例)
図14は、本実施の形態に基づいた第2構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図であり、図15は、図14に示す回路モジュールの図14中に示すXV-XV線に沿った模式断面図である。なお、図14においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(Second configuration example)
FIG. 14 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the second configuration example based on the present embodiment, and FIG. 15 is a schematic plan view of the circuit module shown in FIG. It is a schematic cross-sectional view along the XV-XV line shown in. In FIG. 14, the sealing
本第2構成例は、上述した第3レイアウトグループに属する第8レイアウトパターンLP8に合致するものである。具体的には、図14および図15に示すように、本第2構成例に係る回路モジュール1Bにあっては、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、いずれも上述した第2実装態様10(V)にて実装されている点において上記第1構成例と相違し、その他の点では上記第1構成例と同様の構成とされている。
This second configuration example matches the eighth layout pattern LP8 belonging to the above-mentioned third layout group. Specifically, as shown in FIGS. 14 and 15, in the
すなわち、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bの長辺および短辺を含む長方形状の幅方向側面17が、配線基板2の主表面と対向して位置する対向面17aとなっている。これにより、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の端面15のうちの一方が第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の厚み方向側面16のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向している。
That is, the rectangular
ここで、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと直交する方向をX軸方向と定義し、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと平行な方向をY軸方向と定義する。このとき、第1積層セラミックコンデンサ10Aの厚み方向Tと第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lとが同じX軸方向を向き、かつ、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと第2積層セラミックコンデンサ10Bの厚み方向Tとが同じY軸方向を向くことになる。
Here, the direction parallel to the main surface of the
この場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの厚み方向Tに沿った歪みに起因した振動モード(図14中に示す矢印VMAT参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図14中に示す矢印VMBL参照)とが、回路モジュール1BのX軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになるとともに、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図14中に示す矢印VMAL参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの厚み方向Tに沿った歪みに起因した振動モード(図14中に示す矢印VMBT参照)とが、回路モジュール1BのY軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになる。
In this case, the vibration mode caused by the distortion of the first laminated
したがって、上述した第3レイアウトグループに属する第8レイアウトパターンLP8についての説明の欄において言及したように、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Aの振動がX軸方向およびY軸方向の双方において相殺されることになる。これにより、騒音の発生が抑制できることになり、また、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, as mentioned in the description column of the eighth layout pattern LP8 belonging to the third layout group described above, it is caused by the distortion generated in the first multilayer
また、上記のように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一方の端面15と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの一方の厚み方向側面16とがY軸方向において対向配置されることになるため、当該Y軸方向に沿って発生する振動モードの伝播方向が互いに向かい合うことになり、より効率的に振動の相殺作用が得られることになる。
Further, in the case of the above configuration, one
(第3構成例)
図16は、本実施の形態に基づいた第3構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図であり、図17は、図16に示す回路モジュールの図16中に示すXVII-XVII線に沿った模式断面図である。なお、図16においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(Third configuration example)
FIG. 16 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the third configuration example based on the present embodiment, and FIG. 17 is a schematic plan view of the circuit module shown in FIG. It is a schematic cross-sectional view along the line XVII-XVII shown in. In addition, in FIG. 16, the illustration of the sealing
本第3構成例は、上述した第3レイアウトグループに属する第9レイアウトパターンLP9に合致するものである。具体的には、図16および図17に示すように、本第3構成例に係る回路モジュール1Cにあっては、第1積層セラミックコンデンサ10Aが上述した第2実装態様10(V)にて実装されており、第2積層セラミックコンデンサ10Bが上述した第1実装態様10(H)にて実装されている点において上記第1構成例と相違し、その他の点では上記第1構成例と同様の構成とされている。
This third configuration example matches the ninth layout pattern LP9 belonging to the above-mentioned third layout group. Specifically, as shown in FIGS. 16 and 17, in the
すなわち、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長辺および短辺を含む長方形状の幅方向側面17が、配線基板2の主表面と対向して位置する対向面17aとなっており、第2積層セラミックコンデンサ10Bの長辺および短辺を含む長方形状の厚み方向側面16が、配線基板2の主表面と対向して位置する対向面16aとなっている。これにより、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の端面15のうちの一方が第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の幅方向側面17のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向している。
That is, the
ここで、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと直交する方向をX軸方向と定義し、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと平行な方向をY軸方向と定義する。このとき、第1積層セラミックコンデンサ10Aの厚み方向Tと第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lとが同じX軸方向を向き、かつ、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと第2積層セラミックコンデンサ10Bの幅方向Wとが同じY軸方向を向くことになる。
Here, the direction parallel to the main surface of the
この場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの厚み方向Tに沿った歪みに起因した振動モード(図16中に示す矢印VMAT参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図16中に示す矢印VMBL参照)とが、回路モジュール1CのX軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになるとともに、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図16中に示す矢印VMAL参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの幅方向Wに沿った歪みに起因した振動モード(図16中に示す矢印VMBW参照)とが、回路モジュール1CのY軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになる。
In this case, the vibration mode caused by the distortion along the thickness direction T of the first laminated
したがって、上述した第3レイアウトグループに属する第9レイアウトパターンLP9についての説明の欄において言及したように、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Aの振動がX軸方向において相殺されることになる。これにより、騒音の発生が抑制できることになり、また、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, as mentioned in the description column of the 9th layout pattern LP9 belonging to the 3rd layout group described above, it is caused by the distortion generated in the 1st multilayer
(第4構成例)
図18は、本実施の形態に基づいた第4構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図であり、図19は、図18に示す回路モジュールの図18中に示すXIX-XIX線に沿った模式断面図である。なお、図18においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(Fourth configuration example)
FIG. 18 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the fourth configuration example based on the present embodiment, and FIG. 19 is a schematic plan view of the circuit module shown in FIG. It is a schematic cross-sectional view along the XIX-XIX line shown in. In FIG. 18, the sealing
本第4構成例は、上述した第3レイアウトグループに属する第10レイアウトパターンLP10に合致するものである。具体的には、図18および図19に示すように、本第4構成例に係る回路モジュール1Dにあっては、第1積層セラミックコンデンサ10Aが上述した第1実装態様10(H)にて実装されており、第2積層セラミックコンデンサ10Bが上述した第2実装態様10(V)にて実装されている点において上記第1構成例と相違し、その他の点では上記第1構成例と同様の構成とされている。
This fourth configuration example matches the tenth layout pattern LP10 belonging to the above-mentioned third layout group. Specifically, as shown in FIGS. 18 and 19, in the
すなわち、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長辺および短辺を含む長方形状の厚み方向側面16が、配線基板2の主表面と対向して位置する対向面16aとなっており、第2積層セラミックコンデンサ10Bの長辺および短辺を含む長方形状の幅方向側面17が、配線基板2の主表面と対向して位置する対向面17aとなっている。これにより、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一対の端面15のうちの一方が第2積層セラミックコンデンサ10Bの一対の厚み方向側面16のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向している。
That is, the
ここで、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと直交する方向をX軸方向と定義し、配線基板2の主表面に平行でかつ第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと平行な方向をY軸方向と定義する。このとき、第1積層セラミックコンデンサ10Aの幅方向Wと第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lとが同じX軸方向を向き、かつ、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lと第2積層セラミックコンデンサ10Bの厚み方向Tとが同じY軸方向を向くことになる。
Here, the direction parallel to the main surface of the
この場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの幅方向Wに沿った歪みに起因した振動モード(図18中に示す矢印VMAW参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図18中に示す矢印VMBL参照)とが、回路モジュール1DのX軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになるとともに、第1積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向Lに沿った歪みに起因した振動モード(図18中に示す矢印VMAL参照)と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの厚み方向Tに沿った歪みに起因した振動モード(図18中に示す矢印VMBT参照)とが、回路モジュール1DのY軸方向に沿って互いに同一の方向を向くように合致することになる。
In this case, the vibration mode caused by the distortion along the width direction W of the first laminated
したがって、上述した第3レイアウトグループに属する第10レイアウトパターンLP10についての説明の欄において言及したように、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Aの振動がY軸方向において相殺されることになる。これにより、騒音の発生が抑制できることになり、また、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, as mentioned in the description column of the tenth layout pattern LP10 belonging to the third layout group described above, it is caused by the distortion generated in the first laminated
また、上記のように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aの一方の端面15と、第2積層セラミックコンデンサ10Bの一方の厚み方向側面16とがY軸方向において対向配置されることになるため、当該Y軸方向に沿って発生する振動モードの伝播方向が互いに向かい合うことになり、より効率的に振動の相殺作用が得られることになる。
Further, in the case of the above configuration, one
(第5構成例)
図20は、本実施の形態に基づいた第5構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図20においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(5th configuration example)
FIG. 20 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the fifth configuration example based on the present embodiment. In FIG. 20, the sealing
本第5構成例は、上述した積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサとして、配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続される同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)の3個の積層セラミックコンデンサに着目したものである。なお、本第5構成例に係る回路モジュールにおける3個の積層セラミックコンデンサは、上記第1構成例の場合と同様に、互いに電気的に直列または並列に接続されたものである。 In the fifth configuration example, the same design specifications (same) are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on a wiring board as a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the above-mentioned multilayer ceramic capacitor group. The focus is on three monolithic ceramic capacitors (capacity and same size). The three multilayer ceramic capacitors in the circuit module according to the fifth configuration example are electrically connected to each other in series or in parallel, as in the case of the first configuration example.
図20に示すように、本第5構成例に係る回路モジュール1Eにおいては、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cが、それぞれ上述した第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のいずれかにて実装されている。具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cは、それぞれの長さ方向Lが配線基板2の主表面と平行となるとともに、それぞれの幅方向Wおよび厚み方向Tのいずれかが配線基板2の主表面の法線方向と(図中に示すZ軸方向)と平行となるように、配線基板2に実装されている。また、第1積層セラミックコンデンサ10Aと第2積層セラミックコンデンサ10Bとは、互いに隣り合って位置するように配置されており、第1積層セラミックコンデンサ10Aと第3積層セラミックコンデンサ10Cとは、互いに隣り合って位置するように配置されている。
As shown in FIG. 20, in the
このように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになるとともに、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の端面15のうちの他方が、第3積層セラミックコンデンサ10Cが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになる。
In this configuration, one of the pair of end faces 15 of the first laminated
そのため、本第5構成例においては、隣り合って位置する第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになるとともに、隣り合って位置する第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cが、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになる。
Therefore, in the fifth configuration example, the first laminated
したがって、当該構成を採用することにより、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Eの振動が領域Rにおいて抑制できることになり、結果として騒音の発生が抑制できるとともに、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, by adopting this configuration, the vibration of the
ここで、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cの各々における誘電体層12および内部電極層13の積層方向を同じ方向に揃えることで回路モジュール1Eの製造を容易化しつつ、当該回路モジュール1Eにおいて発生する振動を抑制する観点からは、たとえば図20を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装することが好ましい。
Here, the
一方、回路モジュール1Eにおいて発生する振動を最大限に抑制する観点からは、たとえば図20を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装し、第3積層セラミックコンデンサ10Cを上述した第1実装態様10(H)にて実装することが好ましい。
On the other hand, from the viewpoint of maximally suppressing the vibration generated in the
(第6構成例)
図21は、本実施の形態に基づいた第6構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図21においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(6th configuration example)
FIG. 21 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the sixth configuration example based on the present embodiment. In FIG. 21, the sealing
本第6構成例は、上述した積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサとして、配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続される同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)の3個の積層セラミックコンデンサに着目したものである。なお、本第6構成例に係る回路モジュールにおける3個の積層セラミックコンデンサは、上記第1構成例の場合と同様に、互いに電気的に直列または並列に接続されたものである。 In this sixth configuration example, as a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the above-mentioned multilayer ceramic capacitor group, the same design specifications (same) that are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on a wiring board. The focus is on three monolithic ceramic capacitors (capacity and same size). The three multilayer ceramic capacitors in the circuit module according to the sixth configuration example are electrically connected to each other in series or in parallel, as in the case of the first configuration example.
図21に示すように、本第6構成例に係る回路モジュール1Fにおいては、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cが、それぞれ上述した第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のいずれかにて実装されている。具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cは、それぞれの長さ方向Lが配線基板2の主表面と平行となるとともに、それぞれの幅方向Wおよび厚み方向Tのいずれかが配線基板2の主表面の法線方向と(図中に示すZ軸方向)と平行となるように、配線基板2に実装されている。また、第1積層セラミックコンデンサ10Aと第2積層セラミックコンデンサ10Bとは、互いに隣り合って位置するように配置されており、第2積層セラミックコンデンサ10Bと第3積層セラミックコンデンサ10Cとは、互いに隣り合って位置するように配置されている。
As shown in FIG. 21, in the
このように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになるとともに、第3積層セラミックコンデンサ10Cが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの他方に封止樹脂層5を介して対向することになる。
In this configuration, one of the pair of end faces 15 of the first laminated
そのため、本第6構成例においては、隣り合って位置する第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになるとともに、隣り合って位置する第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cが、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになる。
Therefore, in the sixth configuration example, the first laminated
したがって、当該構成を採用することにより、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Fの振動が領域Rにおいて抑制できることになり、結果として騒音の発生が抑制できるとともに、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, by adopting this configuration, the vibration of the
ここで、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cの各々における誘電体層12および内部電極層13の積層方向を同じ方向に揃えることで回路モジュール1Fの製造を容易化しつつ、当該回路モジュール1Fにおいて発生する振動を抑制する観点からは、たとえば図21を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装することが好ましい。
Here, the
一方、回路モジュール1Fにおいて発生する振動を最大限に抑制する観点からは、たとえば図21を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装し、第3積層セラミックコンデンサ10Cを上述した第1実装態様10(H)にて実装することが好ましい。
On the other hand, from the viewpoint of maximally suppressing the vibration generated in the
(第7構成例)
図22は、本実施の形態に基づいた第7構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図22においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(7th configuration example)
FIG. 22 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the seventh configuration example based on the present embodiment. In FIG. 22, the sealing
本第7構成例は、上述した積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサとして、配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続される同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)の3個の積層セラミックコンデンサに着目したものである。なお、本第7構成例に係る回路モジュールにおける3個の積層セラミックコンデンサは、上記第1構成例の場合と同様に、互いに電気的に直列または並列に接続されたものである。 This seventh configuration example has the same design specifications (same) that are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on a wiring board as a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the above-mentioned multilayer ceramic capacitor group. The focus is on three monolithic ceramic capacitors (capacity and same size). The three multilayer ceramic capacitors in the circuit module according to the seventh configuration example are electrically connected to each other in series or in parallel, as in the case of the first configuration example.
図22に示すように、本第7構成例に係る回路モジュール1Gにおいては、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cが、それぞれ上述した第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のいずれかにて実装されている。具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cは、それぞれの長さ方向Lが配線基板2の主表面と平行となるとともに、それぞれの幅方向Wおよび厚み方向Tのいずれかが配線基板2の主表面の法線方向と(図中に示すZ軸方向)と平行となるように、配線基板2に実装されている。また、第1積層セラミックコンデンサ10Aと、第2積層セラミックコンデンサ10Bと、第3積層セラミックコンデンサ10Cとは、互いに隣り合って位置するように配置されている。
As shown in FIG. 22, in the
このように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになるとともに、第3積層セラミックコンデンサ10Cが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの上記一方に封止樹脂層5を介して対向することになる。
In this configuration, one of the pair of end faces 15 of the first laminated
そのため、本第7構成例においては、隣り合って位置する第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになるとともに、隣り合って位置する第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bが、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになる。
Therefore, in the seventh configuration example, the first laminated
したがって、当該構成を採用することにより、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Gの振動が領域Rにおいて抑制できることになり、結果として騒音の発生が抑制できるとともに、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, by adopting this configuration, the vibration of the
ここで、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cの各々における誘電体層12および内部電極層13の積層方向を同じ方向に揃えることで回路モジュール1Gの製造を容易化しつつ、当該回路モジュール1Gにおいて発生する振動を抑制する観点からは、たとえば図22を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装することが好ましい。
Here, the
一方、回路モジュール1Gにおいて発生する振動を最大限に抑制する観点からは、たとえば図22を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装し、第3積層セラミックコンデンサ10Cを上述した第1実装態様10(H)にて実装することが好ましい。
On the other hand, from the viewpoint of maximally suppressing the vibration generated in the
(第8構成例)
図23は、本実施の形態に基づいた第8構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図23においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(8th configuration example)
FIG. 23 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the eighth configuration example based on the present embodiment. In FIG. 23, the sealing
本第8構成例は、上述した積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサとして、配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続される同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)の4個の積層セラミックコンデンサに着目したものである。なお、本第8構成例に係る回路モジュールにおける4個の積層セラミックコンデンサは、上記第1構成例の場合と同様に、互いに電気的に直列または並列に接続されたものである。 This eighth configuration example is the same design specification (same) that is electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on a wiring board as a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the above-mentioned multilayer ceramic capacitor group. The focus is on four monolithic ceramic capacitors (capacity and same size). The four monolithic ceramic capacitors in the circuit module according to the eighth configuration example are electrically connected to each other in series or in parallel, as in the case of the first configuration example.
図23に示すように、本第8構成例に係る回路モジュール1Hにおいては、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dが、それぞれ上述した第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のいずれかにて実装されている。具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは、それぞれの長さ方向Lが配線基板2の主表面と平行となるとともに、それぞれの幅方向Wおよび厚み方向Tのいずれかが配線基板2の主表面の法線方向と(図中に示すZ軸方向)と平行となるように、配線基板2に実装されている。また、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは、互いに隣り合って位置するように配置されている。より具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10Aと第3積層セラミックコンデンサ10Cとは、それらの長さ方向Lに沿った軸線が配線基板2の主表面上において互いに距離をもって平行に位置することとなるように配置されており、第2積層セラミックコンデンサ10Bと第4積層セラミックコンデンサ10Dとは、それらの長さ方向Lに沿った軸線が配線基板2の主表面上において互いに同一直線上に位置することとなるように配置されている。
As shown in FIG. 23, in the
このように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになるとともに、第3積層セラミックコンデンサ10Cが有する一対の端面15のうちの一方が、第4積層セラミックコンデンサ10Dが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになる。
In this configuration, one of the pair of end faces 15 of the first laminated
そのため、本第8構成例においては、隣り合って位置する第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10B、および、隣り合って位置する第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dが、それぞれ上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになる。
Therefore, in the eighth configuration example, the first laminated
したがって、当該構成を採用することにより、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Hの振動が領域Rにおいて抑制できることになり、結果として騒音の発生が抑制できるとともに、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, by adopting this configuration, it occurs due to the distortion generated in the first multilayer
ここで、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dの各々における誘電体層12および内部電極層13の積層方向を同じ方向に揃えることで回路モジュール1Hの製造を容易化しつつ、当該回路モジュール1Hにおいて発生する振動を抑制する観点からは、たとえば図23を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装することが好ましい。
Here, the stacking directions of the
一方、回路モジュール1Hにおいて発生する振動を最大限に抑制する観点からは、たとえば図23を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装し、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dをそれぞれ上述した第1実装態様10(H)にて実装することが好ましい。
On the other hand, from the viewpoint of maximally suppressing the vibration generated in the
(第9構成例)
図24は、本実施の形態に基づいた第9構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図24においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(9th configuration example)
FIG. 24 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor provided in the circuit module according to the ninth configuration example based on the present embodiment. In addition, in FIG. 24, the illustration of the sealing
本第9構成例は、上述した積層セラミックコンデンサ群に含まれる複数の積層セラミックコンデンサとして、配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続される同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)の4個の積層セラミックコンデンサに着目したものである。なお、本第9構成例に係る回路モジュールにおける4個の積層セラミックコンデンサは、上記第1構成例の場合と同様に、互いに電気的に直列または並列に接続されたものである。 This ninth configuration example is the same design specification (same) that is electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on a wiring board as a plurality of multilayer ceramic capacitors included in the above-mentioned multilayer ceramic capacitor group. The focus is on four monolithic ceramic capacitors (capacity and same size). The four monolithic ceramic capacitors in the circuit module according to the ninth configuration example are electrically connected to each other in series or in parallel, as in the case of the first configuration example.
図24に示すように、本第9構成例に係る回路モジュール1Iにおいては、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dが、それぞれ上述した第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のいずれかにて実装されている。具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは、それぞれの長さ方向Lが配線基板2の主表面と平行となるとともに、それぞれの幅方向Wおよび厚み方向Tのいずれかが配線基板2の主表面の法線方向と(図中に示すZ軸方向)と平行となるように、配線基板2に実装されている。また、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは、互いに隣り合って位置するように配置されている。より具体的には、第1積層セラミックコンデンサ10Aと第3積層セラミックコンデンサ10Cとは、それらの長さ方向Lに沿った軸線が配線基板2の主表面上において互いに距離をもって平行に位置することとなるように配置されており、第2積層セラミックコンデンサ10Bと第4積層セラミックコンデンサ10Dとは、それらの長さ方向Lに沿った軸線が配線基板2の主表面上において互いに距離をもって平行に位置することとなるように配置されている。
As shown in FIG. 24, in the
このように構成した場合には、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の端面15のうちの一方が、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになるとともに、第2積層セラミックコンデンサ10Bが有する一対の端面15のうちの一方が、第3積層セラミックコンデンサ10Cが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになる。また、第3積層セラミックコンデンサ10Cが有する一対の端面15のうちの一方が、第4積層セラミックコンデンサ10Dが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになるとともに、第4積層セラミックコンデンサ10Dが有する一対の端面15のうちの一方が、第1積層セラミックコンデンサ10Aが有する一対の側面(一対の厚み方向側面16および一対の幅方向側面17を含む)のうちの一方に封止樹脂層5を介して対向することになる。
In this configuration, one of the pair of end faces 15 of the first laminated
そのため、本第9構成例においては、隣り合って位置する第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10B、隣り合って位置する第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10C、隣り合って位置する第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10D、ならびに、隣り合って位置する第4積層セラミックコンデンサ10Dおよび第1積層セラミックコンデンサ10Aが、それぞれ上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10の如くの位置関係を有することになる。
Therefore, in the ninth configuration example, the first laminated
したがって、当該構成を採用することにより、電圧印加時において第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dに発生する歪みに起因して生じる回路モジュール1Iの振動が領域Rにおいて抑制できることになり、結果として騒音の発生が抑制できるとともに、他の素子の誤作動を防止することができる。
Therefore, by adopting this configuration, it occurs due to the distortion generated in the first multilayer
ここで、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dの各々における誘電体層12および内部電極層13の積層方向を同じ方向に揃えることで回路モジュール1Iの製造を容易化しつつ、当該回路モジュール1Iにおいて発生する振動を抑制する観点からは、たとえば図24を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装することが好ましい。
Here, the stacking directions of the
一方、回路モジュール1Iにおいて発生する振動を最大限に抑制する観点からは、たとえば図24を参照して、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bをそれぞれ上述した第2実装態様10(V)にて実装し、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dをそれぞれ上述した第1実装態様10(H)にて実装することが好ましい。
On the other hand, from the viewpoint of maximally suppressing the vibration generated in the
(第10構成例)
図25は、第10構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサおよびICのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図25においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(10th configuration example)
FIG. 25 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor and the IC provided in the circuit module according to the tenth configuration example. In addition, in FIG. 25, the illustration of the sealing
図25に示すように、本第10構成例に係る回路モジュール1Jは、配線基板2と、配線基板2に実装された集積回路素子としてのIC(Integrated Circuit)20と、配線基板2に実装されることで当該ICに接続された2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10からなるコンデンサ素子群と、図示しない封止樹脂層とを含むものであり、当該2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10のレイアウトに、上述した第1ないし第4構成例に係る回路モジュール1A~1Dにおいて示した第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bのレイアウトのいずれか(すなわち、上述した第3レイアウトグループのうちの第7ないし第10レイアウトパターンLP7~LP10のいずれか)を適用したものである。ここで、当該2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、互いに容量が異なるものであり、いずれも配線基板2上において、上述した図示しない封止樹脂層によって包埋されている。
As shown in FIG. 25, the
より詳細には、IC20は、外部の回路との入出力を行なうための複数の端子を有しており、当該複数の端子には、電源端子21とグランド端子22とが含まれている。上述した2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、IC20が実装された配線基板2の主表面上において、当該主表面と平行な方向に沿ってIC20の近傍に並んで配置されている。
More specifically, the
2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10の各々が有する外部電極に接合部材4を介して接続されたランド3のそれぞれは、配線を介してIC20の電源端子21およびグランド端子22に対応付けて接続されている。これにより、2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、電源端子21とグランド端子22との間において電気的に並列に接続されている。
Each of the
ここで、ディカップリング用の積層セラミックコンデンサは、電源電圧の変動や回路間の干渉を抑えるために電源ラインとグランドとの間に接続されるものである。当該ディカップリング用の積層セラミックコンデンサによって構成されるディカップリング回路は、広い周波数域において高いノイズ吸収効果が発揮されることとなるように、電源ラインとグランドとの間において、容量の異なる複数の積層セラミックコンデンサを電気的に並列に接続することで構成されることが一般的である。なお、当該ディカップリング回路が付設されるICとしては、各種のものが想定され、たとえばCPU(Central Processing Unit)や、GPU(Graphics Processing Unit)、APU(Accelerated Processing Unit)等が挙げられる。 Here, the monolithic ceramic capacitor for decoupling is connected between the power supply line and the ground in order to suppress fluctuations in the power supply voltage and interference between circuits. The decoupling circuit composed of the monolithic ceramic capacitor for the decoupling has a plurality of different capacities between the power supply line and the ground so that a high noise absorption effect can be exhibited in a wide frequency range. It is generally configured by connecting the multilayer ceramic capacitors of the above in parallel electrically. As the IC to which the decoupling circuit is attached, various types are assumed, and examples thereof include a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), and an APU (Accelerated Processing Unit).
上述したように、本第10構成例に係る回路モジュール1Jにおいては、上記第1ないし第4構成例に係る回路モジュール1A~1Dにおいて示した第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bのレイアウトのいずれかが、2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10のレイアウトに適用されている。このように構成することにより、その詳細な説明は繰り返しになるため省略するが、これら2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が配置された領域Rにおいて発生する振動が抑制できることになり、結果として騒音の発生が低減できることになる。
As described above, in the
また、上述したように、IC20の近傍にこれら2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が配置されることにより、回路モジュール1Jの大型化が防止できるばかりでなく、配線基板2に形成された回路のループインダクタンスを小さくすることもできる。
Further, as described above, by arranging these two monolithic
したがって、本第10構成例に係る回路モジュール1Jの如くの構成を採用してディカップリング回路を構成することにより、電子機器の大型化を防止しつつ騒音の発生を抑制することができる。ここで、本第10構成例においては、2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10とIC20とが同一直線上に並ぶように配置した場合を例示したが、2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が並ぶ方向と、当該2つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10からなるコンデンサ素子群とIC20とが並ぶ方向とが交差するように配置されていてもよい。
Therefore, by adopting the configuration like the
(第11構成例)
図26は、第11構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサおよびICのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図26においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(11th configuration example)
FIG. 26 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor and the IC provided in the circuit module according to the eleventh configuration example. In FIG. 26, the sealing
図26に示すように、本第11構成例に係る回路モジュール1Kは、配線基板2と、配線基板2に実装されたIC20と、配線基板2に実装されることで当該ICに接続された3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10からなるコンデンサ素子群と、図示しない封止樹脂層とを含むものであり、当該3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10のレイアウトに、上述した第5構成例に係る回路モジュール1Eにおいて示した第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cのレイアウトを適用したものである。ここで、当該3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、大容量、中容量、小容量のコンデンサの組み合わせからなり、いずれも配線基板2上において、上述した図示しない封止樹脂層によって包埋されている。
As shown in FIG. 26, the
より詳細には、上述した第10構成例の場合と同様に、IC20は、外部の回路との入出力を行なうための複数の端子を有しており、当該複数の端子には、電源端子21とグランド端子22とが含まれている。上述した3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、IC20が実装された配線基板2の主表面上において、当該主表面と平行な方向に沿ってIC20の近傍に並んで配置されている。
More specifically, as in the case of the tenth configuration example described above, the
3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10の各々が有する外部電極に接合部材4を介して接続されたランド3のそれぞれは、配線を介してIC20の電源端子21およびグランド端子22に対応付けて接続されている。これにより、3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、電源端子21とグランド端子22との間において電気的に並列に接続されている。
Each of the
上述したように、本第11構成例に係る回路モジュール1Kにおいては、上記第5構成例に係る回路モジュール1Eにおいて示した第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cのレイアウトが、3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10のレイアウトに適用されている。このように構成することにより、その詳細な説明は繰り返しになるため省略するが、これら3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が配置された領域Rにおいて発生する振動が抑制できることになり、結果として騒音の発生が低減できることになる。
As described above, in the
また、上述したように、IC20の近傍にこれら3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が配置されることにより、回路モジュール1Kの大型化が防止できるばかりでなく、配線基板2に形成された回路のループインダクタンスを小さくすることもできる。
Further, as described above, by arranging these three monolithic
したがって、本第11構成例に係る回路モジュール1Kの如くの構成を採用してディカップリング回路を構成することにより、電子機器の大型化を防止しつつ騒音の発生を抑制することができる。ここで、本第11構成例においては、3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10とIC20とが同一直線上に並ぶように配置した場合を例示したが、3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が並ぶ方向と、当該3つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10からなるコンデンサ素子群とIC20とが並ぶ方向とが交差するように配置されていてもよい。
Therefore, by adopting a configuration such as the
(第12構成例)
図27は、第12構成例に係る回路モジュールに具備された積層セラミックコンデンサおよびICのレイアウトを示す模式平面図である。なお、当該図27においては、封止樹脂層5の図示は省略している。
(12th configuration example)
FIG. 27 is a schematic plan view showing the layout of the multilayer ceramic capacitor and the IC provided in the circuit module according to the twelfth configuration example. In addition, in FIG. 27, the illustration of the sealing
図27に示すように、本第12構成例に係る回路モジュール1Lは、配線基板2と、配線基板2に実装されたIC20と、配線基板2に実装されることで当該ICに接続された4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10からなるコンデンサ素子群と、図示しない封止樹脂層とを含むものであり、当該4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10のレイアウトに、上述した第9構成例に係る回路モジュール1Iにおいて示した第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dのレイアウトを適用したものである。ここで、当該4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、大容量、中容量、小容量のコンデンサの組み合わせからなり、大容量のコンデンサは、同じ容量の2つの積層セラミックコンデンサ10にて対応させ、中容量および小容量のコンデンサは、それぞれ1つの積層セラミックコンデンサ10にて対応させている。なお、当該4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、いずれも配線基板2上において、上述した図示しない封止樹脂層によって包埋されている。
As shown in FIG. 27, the
より詳細には、上述した第10構成例の場合と同様に、IC20は、外部の回路との入出力を行なうための複数の端子を有しており、当該複数の端子には、電源端子21とグランド端子22とが含まれている。上述した4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、IC20が実装された配線基板2の主表面上において、当該主表面と平行な方向に沿ってIC20の近傍に並んで配置されている。
More specifically, as in the case of the tenth configuration example described above, the
4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10の各々が有する外部電極に接合部材4を介して接続されたランド3のそれぞれは、配線を介してIC20の電源端子21およびグランド端子22に対応付けて接続されている。これにより、4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10は、電源端子21とグランド端子22との間において電気的に並列に接続されている。
Each of the
上述したように、本第12構成例に係る回路モジュール1Lにおいては、上記第9構成例に係る回路モジュール1Iにおいて示した第1積層セラミックコンデンサ10A、第2積層セラミックコンデンサ10B、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dのレイアウトが、4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10のレイアウトに適用されている。このように構成することにより、その詳細な説明は繰り返しになるため省略するが、これら4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が配置された領域Rにおいて発生する振動が抑制できることになり、結果として騒音の発生が低減できることになる。
As described above, in the
また、上述したように、IC20の近傍にこれら4つのディカップリング用の積層セラミックコンデンサ10が配置されることにより、回路モジュール1Lの大型化が防止できるばかりでなく、配線基板2に形成された回路のループインダクタンスを小さくすることもできる。
Further, as described above, by arranging these four monolithic
したがって、本第12構成例に係る回路モジュール1Lの如くの構成を採用してディカップリング回路を構成することにより、電子機器の大型化を防止しつつ騒音の発生を抑制することができる。
Therefore, by adopting a configuration like the
(検証試験)
以下においては、本発明の効果を確認するために行なった検証試験について説明する。検証試験としては、配線基板に対する積層セラミックコンデンサの実装レイアウトを種々変更したり、配線基板に対する積層セラミックコンデンサの実装態様を種々変更したりすることで、電圧印加時に発生する騒音の音圧レベルにどのような変化が生じるかを検証した第1および第2検証試験を実施した。
(Verification test)
Hereinafter, the verification test conducted to confirm the effect of the present invention will be described. As a verification test, by changing the mounting layout of the laminated ceramic capacitor on the wiring board and changing the mounting mode of the laminated ceramic capacitor on the wiring board, the sound pressure level of the noise generated when the voltage is applied can be adjusted. The first and second verification tests were carried out to verify whether such changes occur.
(第1検証試験)
図28は、第1検証試験において検証を行なった比較例1,2および実施例1,2に係る積層セラミックコンデンサの実装レイアウトを示す図である。なお、当該図28においては、封止樹脂層の図示は省略している。第1検証試験においては、図28(A)ないし図28(D)に示す積層セラミックコンデンサの実装レイアウトが適用された回路モジュールをサンプルとして準備し、これらサンプルのそれぞれに電圧を実際に印加してその際に発生する騒音の音圧レベルを実測した。
(1st verification test)
FIG. 28 is a diagram showing the mounting layout of the multilayer ceramic capacitors according to Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 and 2 verified in the first verification test. In addition, in FIG. 28, the illustration of the sealing resin layer is omitted. In the first verification test, a circuit module to which the mounting layout of the monolithic ceramic capacitor shown in FIGS. 28 (A) to 28 (D) was applied was prepared as a sample, and a voltage was actually applied to each of these samples. The sound pressure level of the noise generated at that time was actually measured.
なお、第1検証試験において準備したサンプルのうち、比較例1に係るサンプル(図28(A)参照)および実施例1に係るサンプル(図28(C)参照)は、いずれも当該サンプルに含まれる2個の積層セラミックコンデンサ10を上述した第1実装態様10(H)にて実装したものであり、比較例2に係るサンプル(図28(B)参照)および実施例2に係るサンプル(図28(D)参照)は、いずれも当該サンプルに含まれる2個の積層セラミックコンデンサ10を上述した第2実装態様10(V)にて実装したものである。
Of the samples prepared in the first verification test, the sample according to Comparative Example 1 (see FIG. 28 (A)) and the sample according to Example 1 (see FIG. 28 (C)) are both included in the sample. The two monolithic
図28(A)に示すように、比較例1に係る実装レイアウトは、上述した第2レイアウトグループの第4レイアウトパターンLP4としたものであり、2個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、2個の積層セラミックコンデンサ10の幅方向Wが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。
As shown in FIG. 28 (A), the mounting layout according to Comparative Example 1 is the fourth layout pattern LP4 of the second layout group described above, and the length direction L of the two multilayer
図28(B)に示すように、比較例2に係る実装レイアウトは、上述した第2レイアウトグループの第5レイアウトパターンLP5としたものであり、2個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、2個の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。
As shown in FIG. 28B, the mounting layout according to Comparative Example 2 is the fifth layout pattern LP5 of the second layout group described above, and the length direction L of the two multilayer
図28(C)に示すように、実施例1に係る実装レイアウトは、上述した第3レイアウトグループの第7レイアウトパターンLP7(すなわち、上記第1構成例の如くの実装レイアウト)としたものであり、一方の積層セラミックコンデンサ10の幅方向Wと他方の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lとが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、上記一方の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lと上記他方の積層セラミックコンデンサ10の幅方向Wとが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。なお、一方の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の軸方向端面のうちの一方は、他方の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の幅方向端面のうちの一方に封止樹脂層を介して対向している。
As shown in FIG. 28C, the mounting layout according to the first embodiment is the seventh layout pattern LP7 (that is, the mounting layout as in the first configuration example) of the third layout group described above. The width direction W of one
図28(D)に示すように、実施例2に係る実装レイアウトは、上述した第3レイアウトグループの第8レイアウトパターンLP8(すなわち、上記第2構成例の如くの実装レイアウト)としたものであり、一方の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tと他方の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lとが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、上記一方の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lと上記他方の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tとが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。なお、一方の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の軸方向端面のうちの一方は、他方の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の厚み方向端面のうちの一方に封止樹脂層を介して対向している。
As shown in FIG. 28 (D), the mounting layout according to the second embodiment is the eighth layout pattern LP8 (that is, the mounting layout as in the second configuration example) of the third layout group described above. The thickness direction T of one laminated
これら比較例1,2および実施例1,2において使用した積層セラミックコンデンサ10は、いずれも同一の設計仕様のものを使用した。より詳細には、積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lの外形寸法、幅方向Wの外形寸法および厚み方向Tの外形寸法は、1.0[mm]×0.5[mm]×0.5[mm]であり、静電容量は、2.2[μF]である。また、比較例1,2および実施例1,2においては、複数の積層セラミックコンデンサ10をいずれも電気的に並列に接続した。なお、配線基板2としては、厚さ0.8[mm]のガラスエポキシ基板を使用し、複数の積層セラミックコンデンサ10は、いずれも封止樹脂層5としての厚さ0.8[mm]のエポキシ樹脂層にて包埋した。
The monolithic
図29は、第1検証試験における騒音の音圧レベルの測定方法を示す概略図である。図29に示すように、騒音の音圧レベルを実測するに際しては、サンプルSを無響箱200内に設置し、この状態において、積層セラミックコンデンサ10に2[Vpp]の交流電圧を4.5[kHz]~5.0[kHz]の範囲の周波数で印加し、その際に発生する騒音の最大値を計測することで行なった。
FIG. 29 is a schematic diagram showing a method of measuring the sound pressure level of noise in the first verification test. As shown in FIG. 29, when actually measuring the sound pressure level of noise, the sample S is installed in the
なお、騒音の音圧レベルの計測は、無響箱200内において集音マイク210をサンプルSに向けて対向配置し、当該集音マイク210および集音計220よってサンプルSから発せられる音を集音し、これに基づいてFFTアナライザ230を用いて音圧レベルを解析することで行なった。
To measure the sound pressure level of noise, the
また、騒音の音圧レベルの計測に際しては、配線基板2のX軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベルと、配線基板2のY軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベルとを個別に計測することができるように、各サンプルにおける配線基板2として長辺および短辺を含む長方形状を有するものを使用した。すなわち、比較例1,2および実施例1,2のそれぞれについて、X軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベルを測定するためのものとして、長方形状を有する配線基板2の長辺方向にX軸方向を合致させるとともに積層セラミックコンデンサ10の実装エリアのY軸方向の大きさと長方形状を有する配線基板2の短辺方向の長さとを合致させたものを準備し、Y軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベルを測定するためのものとして、長方形状を有する配線基板2の長辺方向にY軸方向を合致させるとともに積層セラミックコンデンサ10の実装エリアのX軸方向の大きさと長方形状を有する配線基板2の短辺方向の長さとを合致させたものを準備し、これらのそれぞれについて騒音の音圧レベルを計測することとした。
When measuring the noise pressure level, the noise pressure level due to vibration along the X-axis direction of the
図30は、当該第1検証試験の結果を示すグラフである。図30に示すグラフにおいては、横軸がX軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベル[dB]を表わしており、縦軸がY軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベル[dB]を表わしている。 FIG. 30 is a graph showing the results of the first verification test. In the graph shown in FIG. 30, the horizontal axis represents the sound pressure level [dB] of noise due to vibration along the X-axis direction, and the vertical axis represents the sound pressure level [dB] of noise due to vibration along the Y-axis direction. ] Is represented.
図30に示すように、比較例1と実施例1,2との関係では、本発明が適用された実施例1,2において、本発明が適用されていない比較例1に比べて、X軸方向において騒音の音圧レベルが有意に低減されていることが確認され、比較例2と実施例1,2との関係では、本発明が適用された実施例1,2において、本発明が適用されていない比較例2に比べて、X軸方向およびY軸方向の双方において騒音の音圧レベルが有意に低減されていることが確認された。特に、比較例2と実施例1,2との関係では、本発明が適用された実施例1,2において、本発明が適用されていない比較例2に比べて、Y軸方向において騒音の音圧レベルが顕著に低減されている。 As shown in FIG. 30, in the relationship between Comparative Example 1 and Examples 1 and 2, in Examples 1 and 2 to which the present invention is applied, the X-axis is compared with Comparative Example 1 to which the present invention is not applied. It was confirmed that the sound pressure level of noise was significantly reduced in the direction, and in the relationship between Comparative Example 2 and Examples 1 and 2, the present invention was applied in Examples 1 and 2 to which the present invention was applied. It was confirmed that the sound pressure level of noise was significantly reduced in both the X-axis direction and the Y-axis direction as compared with Comparative Example 2 which was not performed. In particular, in the relationship between Comparative Example 2 and Examples 1 and 2, in Examples 1 and 2 to which the present invention is applied, noise noise is heard in the Y-axis direction as compared with Comparative Example 2 to which the present invention is not applied. The pressure level is significantly reduced.
また、実施例1と実施例2との関係では、本発明が適用された実施例2において、本発明が適用された実施例1に比べて、X軸方向およびY軸方向の双方において騒音の音圧レベルが有意に低減されていることが確認された。 Further, in the relationship between Example 1 and Example 2, in Example 2 to which the present invention is applied, noise is generated in both the X-axis direction and the Y-axis direction as compared with Example 1 to which the present invention is applied. It was confirmed that the sound pressure level was significantly reduced.
以上において説明した第1検証試験に基づけば、本発明を適用することにより、振動の伝達が抑制され、結果として騒音が低減できることが実験的にも確認されたと言える。 Based on the first verification test described above, it can be said that it has been experimentally confirmed that the transmission of vibration is suppressed and the noise can be reduced as a result by applying the present invention.
(第2検証試験)
図31は、第2検証試験において検証を行なった比較例3および実施例3,4に係る積層セラミックコンデンサの実装レイアウトを示す図である。なお、当該図31においては、封止樹脂層の図示は省略している。第2検証試験においては、図31(A)ないし図31(C)に示す積層セラミックコンデンサの実装レイアウトが適用された回路モジュールをサンプルとして準備し、これらサンプルのそれぞれに電圧を実際に印加してその際に発生する騒音の音圧レベルを実測した。
(2nd verification test)
FIG. 31 is a diagram showing the mounting layout of the multilayer ceramic capacitors according to Comparative Example 3 and Examples 3 and 4 verified in the second verification test. In addition, in FIG. 31, the illustration of the sealing resin layer is omitted. In the second verification test, a circuit module to which the mounting layout of the multilayer ceramic capacitor shown in FIGS. 31 (A) to 31 (C) was applied was prepared as a sample, and a voltage was actually applied to each of these samples. The sound pressure level of the noise generated at that time was actually measured.
なお、第2検証試験において準備したサンプルは、いずれも当該サンプルに含まれる3個の積層セラミックコンデンサを上述した第2実装態様10(V)にて実装したものである。 The samples prepared in the second verification test are all three multilayer ceramic capacitors included in the sample mounted in the above-mentioned second mounting mode 10 (V).
図31(A)に示すように、比較例3に係る実装レイアウトは、3個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、3個の積層セラミックコンデンサ10の幅方向Wが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。なお、3個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lは、互いに同一直線上に位置することとなるよう構成されている。
As shown in FIG. 31 (A), in the mounting layout according to Comparative Example 3, the length direction L of the three laminated
図31(B)に示すように、実施例3に係る実装レイアウトは、上記第5構成例の如くの実装レイアウトとしたものであり、1個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lと残る2個の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tとが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、上記1個の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tと上記2個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lとが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。なお、上記1個の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の軸方向端面のうちの一方は、上記2個の積層セラミックコンデンサ10のうちの1個が有する一対の厚み方向端面のうちの一方に封止樹脂層を介して対向しており、上記1個の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の軸方向端面のうちの他方は、上記2個の積層セラミックコンデンサ10のうちの残る1個が有する一対の厚み方向端面のうちの一方に封止樹脂層を介して対向している。
As shown in FIG. 31B, the mounting layout according to the third embodiment is the same as that of the fifth configuration example, and the one
図31(C)に示すように、実施例4に係る実装レイアウトは、上記第7構成例の如くの実装レイアウトとしたものであり、2個の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tと残る1個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lとが配線基板2のX軸方向に合致するとともに、上記2個の積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lと上記1個の積層セラミックコンデンサ10の厚み方向Tとが配線基板2のY軸方向に合致するように実装したものである。なお、上記2個の積層セラミックコンデンサ10がそれぞれ有する一対の軸方向端面のうちの一方は、いずれも上記1個の積層セラミックコンデンサ10が有する一対の厚み方向端面のうちの一方に封止樹脂層を介して対向している。
As shown in FIG. 31C, the mounting layout according to the fourth embodiment is the same as that of the seventh configuration example, and the two multilayer
これら比較例3および実施例3,4において使用した積層セラミックコンデンサ10は、いずれも同一の設計仕様のものを使用した。より詳細には、積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lの外形寸法、幅方向Wの外形寸法および厚み方向Tの外形寸法は、1.0[mm]×0.5[mm]×0.5[mm]であり、静電容量は、2.2[μF]である。また、比較例3および実施例3,4においては、複数の積層セラミックコンデンサ10をいずれも電気的に並列に接続した。また、配線基板2としては、厚さ0.8[mm]のガラスエポキシ基板を使用し、複数の積層セラミックコンデンサ10は、いずれも封止樹脂層5としての厚さ0.8[mm]のエポキシ樹脂層にて包埋した。なお、第2検証試験においては、上述した第1検証試験において示した騒音の音圧レベルの測定方法と同様の測定方法を用いてサンプルにおいて発生する騒音の音圧レベルを実測した。
The monolithic
図32は、当該第2検証試験の結果を示すグラフである。図32に示すグラフにおいては、横軸がX軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベル[dB]を表わしており、縦軸がY軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベル[dB]を表わしている。 FIG. 32 is a graph showing the results of the second verification test. In the graph shown in FIG. 32, the horizontal axis represents the sound pressure level [dB] of noise due to vibration along the X-axis direction, and the vertical axis represents the sound pressure level [dB] of noise due to vibration along the Y-axis direction. ] Is represented.
図32に示すように、比較例3と実施例3,4との関係では、本発明が適用された実施例3,4において、本発明が適用されていない比較例3に比べて、Y軸方向において騒音の音圧レベルが有意に低減されていることが確認された。特に、比較例3と実施例3との関係では、本発明が適用された実施例3において、本発明が適用されていない比較例3に比べて、Y軸方向において騒音の音圧レベルが非常に顕著に低減されている。 As shown in FIG. 32, in the relationship between Comparative Example 3 and Examples 3 and 4, in Examples 3 and 4 to which the present invention is applied, the Y-axis is compared with Comparative Example 3 to which the present invention is not applied. It was confirmed that the sound pressure level of noise was significantly reduced in the direction. In particular, in the relationship between Comparative Example 3 and Example 3, in Example 3 to which the present invention is applied, the sound pressure level of noise in the Y-axis direction is much higher than that in Comparative Example 3 to which the present invention is not applied. It is significantly reduced.
以上において説明した第2検証試験に基づけば、本発明を適用することにより、振動の伝達が抑制され、結果として騒音が低減できることが実験的にも確認されたと言える。 Based on the second verification test described above, it can be said that it has been experimentally confirmed that the transmission of vibration can be suppressed and the noise can be reduced as a result by applying the present invention.
(第3検証試験)
図33は、第3検証試験において検証を行なった実施例5~8に係る積層セラミックコンデンサの実装レイアウトを示す図である。図34は、第3検証試験において検証を行なった実施例9,10に係る積層セラミックコンデンサの実装レイアウトを示す図である。なお、当該図33,34においては、封止樹脂層の図示は省略している。第3検証試験においては、図33(A)~図33(D)および図34(A),(B)に示す積層セラミックコンデンサの実装レイアウトが適用された回路モジュールをサンプルとして準備し、これらサンプルのそれぞれに電圧を実際に印加してその際に発生する騒音の音圧レベルを実測した。
(Third verification test)
FIG. 33 is a diagram showing a mounting layout of the multilayer ceramic capacitors according to Examples 5 to 8 verified in the third verification test. FIG. 34 is a diagram showing a mounting layout of the multilayer ceramic capacitor according to Examples 9 and 10 verified in the third verification test. In addition, in FIGS. 33 and 34, the illustration of the sealing resin layer is omitted. In the third verification test, a circuit module to which the mounting layout of the multilayer ceramic capacitor shown in FIGS. 33 (A) to 33 (D) and FIGS. 34 (A) and 34 (B) was applied was prepared as a sample, and these samples were prepared. A voltage was actually applied to each of the above, and the sound pressure level of the noise generated at that time was actually measured.
なお、第3検証試験において準備したサンプルのうち、実施例5に係るサンプル(図33(A)参照)、実施例8に係るサンプル(図33(D)参照)、実施例9に係るサンプル(図34(A)参照)および実施例10に係るサンプル(図34(B)参照)は、いずれも当該サンプルに含まれる4個の積層セラミックコンデンサ10のうちの2個を上述した第1実装態様10(H)にて実装し、残りの2個を上述した第2実装態様10(V)にて実装したものである。実施例6に係るサンプル(図33(B)参照)は、当該サンプルに含まれる4個の積層セラミックコンデンサ10を上述した第2実装態様10(V)にて実装したものである。実施例7に係るサンプル(図33(C)参照)は、当該サンプルに含まれる4個の積層セラミックコンデンサ10を上述した第1実装態様10(H)にて実装したものである。
Among the samples prepared in the third verification test, the sample according to Example 5 (see FIG. 33 (A)), the sample according to Example 8 (see FIG. 33 (D)), and the sample according to Example 9 (see FIG. 33 (D)). In both the sample according to FIG. 34 (A) and the sample according to the tenth embodiment (see FIG. 34 (B)), two of the four monolithic
図33(A)~(D)に示すように、実施例5~8に係る実装レイアウトは、図24に示す第9構成例の如くの実装レイアウトとしたものである。 As shown in FIGS. 33 (A) to 33 (D), the mounting layout according to the fifth to eighth embodiments is the same as the ninth configuration example shown in FIG. 24.
図24および図33(A)に示すように、実施例5に係る実装レイアウトは、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bは第2実装態様10(V)にて実装されており、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは第1実装態様10(H)にて実装されている。
As shown in FIGS. 24 and 33 (A), in the mounting layout according to the fifth embodiment, the first multilayer
図24および図33(B)に示すように、実施例6に係る実装レイアウトは、第1積層セラミックコンデンサ10A~第4積層セラミックコンデンサ10Dは第2実装態様10(V)にて実装されている。
As shown in FIGS. 24 and 33 (B), in the mounting layout according to the sixth embodiment, the first laminated
図24および図33(C)に示すように、実施例7に係る実装レイアウトは、第1積層セラミックコンデンサ10A~第4積層セラミックコンデンサ10Dは第1実装態様10(H)にて実装されている。
As shown in FIGS. 24 and 33 (C), in the mounting layout according to the seventh embodiment, the first laminated
図24および図33(D)に示すように、実施例8に係る実装レイアウトは、第2積層セラミックコンデンサ10Bおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは第2実装態様10(V)にて実装されており、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第3積層セラミックコンデンサ10Cは第1実装態様10(H)にて実装されている。
As shown in FIGS. 24 and 33 (D), in the mounting layout according to the eighth embodiment, the second laminated
図34(A)に示すように、実施例9に係る実装レイアウトは、図23に示す第8構成例の如くの実装レイアウトとしたものである。図23および図34(A)に示すように、実施例9に係る実装レイアウトは、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bは第2実装態様10(V)にて実装されており、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは第1実装態様10(H)にて実装されている。
As shown in FIG. 34 (A), the mounting layout according to the ninth embodiment is the mounting layout as in the eighth configuration example shown in FIG. 23. As shown in FIGS. 23 and 34 (A), in the mounting layout according to the ninth embodiment, the first multilayer
図34(B)に示すように、実施例10に係る実装レイアウトは、図11に示す第1構成例と図14に示す第2構成例とを、図18に示す第4構成例の関係が成り立つように組み合わせた実装レイアウトとしたものである。図34(B)に示すように、実施例10に係る実装レイアウトは、第1積層セラミックコンデンサ10Aおよび第2積層セラミックコンデンサ10Bは第2実装態様10(V)にて実装されており、第3積層セラミックコンデンサ10Cおよび第4積層セラミックコンデンサ10Dは第1実装態様10(H)にて実装されている。
As shown in FIG. 34 (B), in the mounting layout according to the tenth embodiment, the relationship between the first configuration example shown in FIG. 11 and the second configuration example shown in FIG. 14 is related to the fourth configuration example shown in FIG. It is an implementation layout that is combined so that it holds true. As shown in FIG. 34 (B), in the mounting layout according to the tenth embodiment, the first laminated
これら実施例5~10において使用した積層セラミックコンデンサ10は、いずれも同一の設計仕様のものを使用した。より詳細には、積層セラミックコンデンサ10の長さ方向Lの外形寸法、幅方向Wの外形寸法および厚み方向Tの外形寸法は、1.0[mm]×0.5[mm]×0.5[mm]であり、静電容量は、2.2[μF]である。また、実施例5~8においては、複数の積層セラミックコンデンサ10をいずれも電気的に並列に接続した。また、配線基板2としては、厚さ0.8[mm]のガラスエポキシ基板を使用し、複数の積層セラミックコンデンサ10は、いずれも封止樹脂層5としての厚さ0.8[mm]のエポキシ樹脂層にて包埋した。なお、第3検証試験においては、上述した第1検証試験において示した騒音の音圧レベルの測定方法と同様の測定方法を用いてサンプルにおいて発生する騒音の音圧レベルを実測した。
The monolithic
図35は、第3検証試験の結果を示すグラフである。図35に示すグラフにおいては、横軸がX軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベル[dB]を表わしており、縦軸がY軸方向に沿った振動による騒音の音圧レベル[dB]を表わしている。 FIG. 35 is a graph showing the results of the third verification test. In the graph shown in FIG. 35, the horizontal axis represents the sound pressure level [dB] of noise due to vibration along the X-axis direction, and the vertical axis represents the sound pressure level [dB] of noise due to vibration along the Y-axis direction. ] Is represented.
図35に示すように、実施例5,9,10と実施例6,7,8との関係では、実施例6,7,8に比べて、実施例5,9,10は、騒音の音圧レベルが有意に低減されていることが確認された。ただし、実施例6,7,8においても、3個の積層セラミックコンデンサ10を配置した比較例3の図32に示す騒音の音圧レベルに比べて、4個の積層セラミックコンデンサ10が配置されているにもかかわらず騒音の音圧レベルが低減されていた。
As shown in FIG. 35, in the relationship between Examples 5, 9 and 10 and Examples 6, 7 and 8, in Examples 5, 9 and 10 are noise sounds as compared with Examples 6, 7 and 8. It was confirmed that the pressure level was significantly reduced. However, also in Examples 6, 7 and 8, four monolithic
以上において説明した第3検証試験に基づけば、本発明を適用することにより、振動の伝達が抑制され、結果として騒音が低減できることが実験的にも確認されたと言える。 Based on the third verification test described above, it can be said that it has been experimentally confirmed that the transmission of vibration can be suppressed and the noise can be reduced as a result by applying the present invention.
上述した本発明の実施の形態に基づいた第1ないし第12構成例の幾つかにおいては、上述の第1実装態様10(H)にて実装された積層セラミックコンデンサと、上述の第2実装態様10(V)にて実装された積層セラミックコンデンサとが混在している場合を例示した。しかしながら、積層セラミックコンデンサの実装態様を、上述の第1実装態様10(H)とする場合と、上述の第2実装態様10(V)とする場合とでは、実装する際に準備する積層セラミックコンデンサが異なる。したがって、積層セラミックコンデンサの準備を容易にするためには、回路モジュールに搭載される複数の積層セラミックコンデンサの実装態様が、第1実装態様10(H)および第2実装態様10(V)のどちらか一方に揃えられた構成例を採用することが好ましい。 In some of the first to twelfth configuration examples based on the above-described embodiment of the present invention, the monolithic ceramic capacitor mounted in the first mounting mode 10 (H) described above and the second mounting mode described above are used. An example is shown in which a monolithic ceramic capacitor mounted at 10 (V) is mixed. However, depending on whether the mounting mode of the monolithic ceramic capacitor is the first mounting mode 10 (H) described above or the second mounting mode 10 (V) described above, the monolithic ceramic capacitor prepared at the time of mounting is used. Is different. Therefore, in order to facilitate the preparation of the multilayer ceramic capacitor, the mounting mode of the plurality of multilayer ceramic capacitors mounted on the circuit module is either the first mounting mode 10 (H) or the second mounting mode 10 (V). It is preferable to adopt a configuration example arranged on one side.
また、上述した本発明の実施の形態に基づいた第1ないし第12構成例に係る回路モジュールにおいて示した積層セラミックコンデンサのレイアウトは、積層セラミックコンデンサの容量やサイズに制限されることなく騒音が低減できるレイアウトである。しかしながら、通常、積層セラミックコンデンサの容量が増加するにしたがって騒音の音圧レベルも増大する傾向にあるため、本発明は、回路モジュールに組付けられる積層セラミックコンデンサ群のうちの1つの容量が少なくとも1[μF]以上である場合に好適に適用でき、10[μF]以上である場合に特に好適に適用できる。 Further, the layout of the multilayer ceramic capacitor shown in the circuit module according to the first to twelfth configuration examples based on the above-described embodiment of the present invention reduces noise without being limited by the capacity and size of the multilayer ceramic capacitor. It is a layout that can be done. However, since the sound pressure level of noise usually tends to increase as the capacity of the monolithic ceramic capacitor increases, the present invention has a capacity of at least one of the monolithic ceramic capacitors assembled in the circuit module. It can be suitably applied when it is [μF] or more, and it can be particularly preferably applied when it is 10 [μF] or more.
また、上述した本発明の実施の形態に基づいた第10ないし第12構成例においては、ディカップリング回路を構成する積層セラミックコンデンサ群に本発明を適用した場合を例示したが、本発明は、可聴周波数成分(20[Hz]~20[kHz])を含んだ電圧変動が生じ得るラインに接続される他の用途の回路に含まれる積層セラミックコンデンサ群にもその適用が当然に可能である。 Further, in the tenth to twelfth configuration examples based on the above-described embodiment of the present invention, the case where the present invention is applied to the multilayer ceramic capacitor group constituting the decoupling circuit is exemplified, but the present invention is described. Of course, it can also be applied to a group of multilayer ceramic capacitors included in circuits of other applications connected to a line containing an audible frequency component (20 [Hz] to 20 [kHz]) where voltage fluctuations can occur.
また、上述した本発明の実施の形態に基づいた第1ないし第9構成例においては、電気的に直列または並列に接続される複数の積層セラミックコンデンサが同一の設計仕様(同一の容量かつ同一サイズ)のものである場合を例示したが、これら複数の積層セラミックコンデンサが異なる設計仕様のものであってもよい。 Further, in the first to ninth configuration examples based on the above-described embodiment of the present invention, a plurality of multilayer ceramic capacitors electrically connected in series or in parallel have the same design specifications (same capacity and same size). ), But these plurality of multilayer ceramic capacitors may have different design specifications.
さらには、前述のように、本発明は、その適用対象が上述した本発明の実施の形態において例示した如くの積層セラミックコンデンサの実装構造体に限られるものではなく、積層型金属化フィルムコンデンサに代表される他の種類のコンデンサ素子の実装構造体にもその適用が可能なものである。 Further, as described above, the present invention is not limited to the mounting structure of the laminated ceramic capacitor as exemplified in the above-described embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the laminated metallized film capacitor. It can also be applied to the mounting structure of other types of capacitor elements represented.
ここで、本発明が好適に適用できる事例としては、1つのコンデンサ素子を2つ以上のコンデンサ素子にて代替して構成するとともに、当該代替させた2つのコンデンサ素子を電気的に並列に接続した上で本発明を適用する事例が挙げられる。この場合、より容量が小さくかつサイズが小さいコンデンサ素子にて代替することで回路モジュールに発生する振動が低減できるばかりでなく、上述した本発明の効果である振動の抑制効果によっても回路モジュールの振動をさらに低減することができ、結果として大幅な騒音の低減が可能になる。たとえば、容量が10[μF]であるコンデンサ素子を容量が4.7[μF]である2つのコンデンサ素子に代替することにより、実装面積を極端に増大させることなく大幅な騒音の低減が可能になる。 Here, as an example to which the present invention can be suitably applied, one capacitor element is substituted with two or more capacitor elements, and the two substituted capacitor elements are electrically connected in parallel. The above is an example of applying the present invention. In this case, not only the vibration generated in the circuit module can be reduced by substituting with a capacitor element having a smaller capacity and a smaller size, but also the vibration of the circuit module can be suppressed by the vibration suppressing effect which is the effect of the present invention described above. Can be further reduced, and as a result, significant noise reduction becomes possible. For example, by substituting a capacitor element having a capacitance of 10 [μF] with two capacitor elements having a capacitance of 4.7 [μF], it is possible to significantly reduce noise without significantly increasing the mounting area. Become.
また、上述した本発明の実施の形態に基づいた第1ないし第12構成例において示した特徴的な構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において当然に相互に組み合わせることができる。 Further, the characteristic configurations shown in the first to twelfth configuration examples based on the above-described embodiment of the present invention can be naturally combined with each other as long as the gist of the present invention is not deviated.
このように、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。 As described above, the above-described embodiment disclosed this time is an example in all respects and is not limiting. The technical scope of the present invention is defined by the scope of claims and includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the description of the scope of claims.
1A~1L 回路モジュール、2 配線基板、3 ランド、4 接合部材、5 封止樹脂層、6A~6C 配線、7 電源、10,10A~10D 積層セラミックコンデンサ、11 積層体、12 誘電体層、13 内部電極層、14 外部電極、15 端面、16 厚み方向側面、16a 対向面、17 幅方向側面、17a 対向面、18 角部、20 IC、21 電源端子、22 グランド端子、200 無響箱、210 集音マイク、220 集音計、230 FFTアナライザ。 1A to 1L circuit module, 2 wiring board, 3 lands, 4 bonding members, 5 sealing resin layer, 6A to 6C wiring, 7 power supply, 10, 10A to 10D multilayer ceramic capacitor, 11 laminate, 12 dielectric layer, 13 Internal electrode layer, 14 external electrodes, 15 end face, 16 thickness direction side surface, 16a facing surface, 17 width direction side surface, 17a facing surface, 18 corners, 20 IC, 21 power supply terminal, 22 ground terminal, 200 soundless box, 210 Sound collector microphone, 220 sound collector, 230 FFT analyzer.
Claims (1)
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子が実装される主表面を含む配線基板と、
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子を包埋する封止樹脂層と、を備えるコンデンサ素子の実装構造体であって、
前記積層体は、前記積層方向と直交する幅方向、並びに、前記積層方向および前記幅方向の各々に直交する長さ方向を有し、
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子は、前記配線基板に設けられた導電パターンを介して電気的に直列または並列に接続され、
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子の前記配線基板に対向する面は、短辺および長辺を有し、
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子の各々は、前記長辺が延在する方向において相対して位置する一対の端面と、前記短辺が延在する方向において相対して位置する一対の側面と、前記積層体の外表面上において互いに離間して設けられた一対の外部電極とを有し、
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子に含まれる前記外部電極の各々は、当該外部電極の各々に対応して前記配線基板に設けられたランドに導電性の接合部材を介してそれぞれ接合され、
前記第1コンデンサ素子の前記一対の端面、前記第2コンデンサ素子の前記一対の端面および前記第3コンデンサ素子の前記一対の端面のうちのいずれか1つの面が、前記第1コンデンサ素子の前記一対の側面、前記第2コンデンサ素子の前記一対の側面および前記第3コンデンサ素子の前記一対の側面のうちのいずれか1つの面と前記封止樹脂層を介して対向し、
前記第1コンデンサ素子の前記一対の端面、前記第2コンデンサ素子の前記一対の端面および前記第3コンデンサ素子の前記一対の端面のうちの残る他の1つの面が、前記第1コンデンサ素子の前記一対の側面、前記第2コンデンサ素子の前記一対の側面および前記第3コンデンサ素子の前記一対の側面のうちのいずれか1つの面と前記封止樹脂層を介して対向しており、
前記第1コンデンサ素子の前記一対の端面のうちの一方と、前記第3コンデンサ素子の前記一対の端面のうちの一方とが、前記第2コンデンサ素子の前記一対の側面のうちの一方に前記封止樹脂層を介して対向しており、
前記第1コンデンサ素子の前記積層方向と、前記第2コンデンサ素子の前記積層方向とが、いずれも前記配線基板の前記主表面に沿った方向を向いており、
前記第3コンデンサ素子の前記積層方向が、前記配線基板の前記主表面に沿わない方向を向いており、
前記第1コンデンサ素子、前記第2コンデンサ素子および前記第3コンデンサ素子の各々の前記長さ方向は、前記配線基板の前記主表面に沿った方向を向いている、コンデンサ素子の実装構造体。 A first capacitor element, a second capacitor element, and a third capacitor element including a rectangular parallelepiped-shaped laminate including dielectric layers and internal electrode layers alternately laminated along the stacking direction.
A wiring board including a main surface on which the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element are mounted, and
A mounting structure of a capacitor element including the first capacitor element, the second capacitor element, and a sealing resin layer for embedding the third capacitor element.
The laminated body has a width direction orthogonal to the laminating direction and a length direction orthogonal to each of the laminating direction and the width direction.
The first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element are electrically connected in series or in parallel via a conductive pattern provided on the wiring board.
The surfaces of the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element facing the wiring board have short sides and long sides.
Each of the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element is relative to a pair of end faces located relative to each other in the direction in which the long side extends and in the direction in which the short side extends. It has a pair of side surfaces positioned so as to be spaced apart from each other on the outer surface of the laminated body, and has a pair of external electrodes.
Each of the first capacitor element, the second capacitor element, and the external electrode included in the third capacitor element is a bonding member conductive to a land provided on the wiring board corresponding to each of the external electrodes. Each is joined via
One of the pair of end faces of the first capacitor element, the pair of end faces of the second capacitor element, and the pair of end faces of the third capacitor element is the pair of the first capacitor element. The side surface, the pair of side surfaces of the second capacitor element, and any one of the pair of side surfaces of the third capacitor element face each other via the sealing resin layer.
The remaining one of the pair of end faces of the first capacitor element, the pair of end faces of the second capacitor element, and the pair of end faces of the third capacitor element is the surface of the first capacitor element. The pair of side surfaces, the pair of side surfaces of the second capacitor element, and the pair of side surfaces of the third capacitor element face each other via the sealing resin layer.
One of the pair of end faces of the first capacitor element and one of the pair of end faces of the third capacitor element are sealed on one of the pair of side surfaces of the second capacitor element. Facing each other via the waterproof resin layer ,
The stacking direction of the first capacitor element and the stacking direction of the second capacitor element are both oriented along the main surface of the wiring board.
The stacking direction of the third capacitor element is oriented so as not to follow the main surface of the wiring board.
A mounting structure for a capacitor element , wherein the length direction of each of the first capacitor element, the second capacitor element, and the third capacitor element is oriented along the main surface of the wiring board .
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