JP7051806B2 - Authentication system and communication system - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、表示コード生成方法、表示コード検出方法、認証システム、及び通信システムに関する。 One aspect of the present invention relates to a display code generation method, a display code detection method, an authentication system, and a communication system.

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法に関する。 It should be noted that one aspect of the present invention is not limited to the above technical fields. The technical field of one aspect of the invention disclosed in the present specification and the like relates to a product, a method, or a manufacturing method. Alternatively, the present invention relates to a process, a machine, a manufacture, or a composition (composition of matter). In particular, one aspect of the present invention relates to a semiconductor device, a display device, a light emitting device, a power storage device, a storage device, a driving method thereof, or a manufacturing method thereof.

なお、本明細書等において、半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる素子、回路、又は装置等を指す。一例としては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子は半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路は、半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路を備えた装置は、半導体装置である。 In the present specification and the like, the semiconductor device refers to an element, a circuit, a device, or the like that can function by utilizing the semiconductor characteristics. As an example, a semiconductor element such as a transistor or a diode is a semiconductor device. As another example, the circuit having a semiconductor element is a semiconductor device. As another example, the device provided with the circuit having the semiconductor element is a semiconductor device.

電子機器は、認証コードを用いて電子機器間で通信するための許可を判断している。有線又は無線で送受信するときは、デジタルデータが認証コードとして用いられている。異なる認証コードとして、バーコード、又は2次元コードは、商品を識別するために使用されることが多い。 The electronic device uses an authentication code to determine permission to communicate between the electronic devices. When transmitting and receiving by wire or wirelessly, digital data is used as an authentication code. As different authentication codes, barcodes, or two-dimensional codes, are often used to identify goods.

バーコード、又は2次元コードは、保持する情報量に制限があり、商品を識別するための情報や、ネットワーク上のアドレスなどの情報を管理するのに適している。ただし、バーコード、又は2次元コードは大きな情報を扱うことには適していない。 The bar code or the two-dimensional code has a limited amount of information to be held, and is suitable for managing information for identifying a product or information such as an address on a network. However, barcodes or two-dimensional codes are not suitable for handling large amounts of information.

特許文献1では、画像の階調値を用いた2次元コードの生成方法について開示されている。 Patent Document 1 discloses a method of generating a two-dimensional code using the gradation value of an image.

例えば特許文献2では、電子機器が認証サーバを介してデータベースへのアクセスが許可される認証システムについて開示されている。 For example, Patent Document 2 discloses an authentication system in which an electronic device is permitted to access a database via an authentication server.

特開2008-052588号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-052588 国際公開第2003/069490号公報International Publication No. 2003/06949

バーコード、又は2次元コードは、印刷物、又は静止画として表示されるため、視認性が良い。ただし、機密性が高い情報を有する認証コードは、認証コードの漏洩を防止する必要がある。 Since the barcode or the two-dimensional code is displayed as a printed matter or a still image, the visibility is good. However, it is necessary to prevent the leakage of the authentication code for the authentication code having highly confidential information.

バーコード、又は2次元コードは、保持する情報量に制限がある。そのため、大きなデータを扱うことには適していない。したがって、バーコード、又は2次元コードを介して大きな情報を扱うことが難しいという課題がある。 Bar codes or two-dimensional codes have a limit on the amount of information they can hold. Therefore, it is not suitable for handling large data. Therefore, there is a problem that it is difficult to handle a large amount of information via a barcode or a two-dimensional code.

上記問題に鑑み、本発明の一態様は、新規なコード生成方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、新規なコード検出方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、新規な認証システムを提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、新規な通信システムを提供することを課題の一とする。 In view of the above problems, one aspect of the present invention is to provide a novel code generation method. Alternatively, one aspect of the present invention is to provide a novel code detection method. Alternatively, one aspect of the present invention is to provide a new authentication system. Alternatively, one aspect of the present invention is to provide a new communication system.

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。 The description of these issues does not preclude the existence of other issues. It should be noted that one aspect of the present invention does not need to solve all of these problems. Issues other than these are self-evident from the description of the description, drawings, claims, etc., and it is possible to extract problems other than these from the description of the specification, drawings, claims, etc. Is.

なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び/又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。 The problems of one aspect of the present invention are not limited to the problems listed above. The issues listed above do not preclude the existence of other issues. Other issues are issues not mentioned in this item, which are described below. Issues not mentioned in this item can be derived from the description of the description, drawings, etc. by those skilled in the art, and can be appropriately extracted from these descriptions. In addition, one aspect of the present invention solves at least one of the above-listed descriptions and / or other problems.

本発明の一態様は、デジタルデータから表示コードを生成する表示コード生成方法であって、デジタルデータは、階調値に符号化され、複数の表示フレームには、階調値に符号化されたデジタルデータが表示され、複数の表示フレームそれぞれには、階調値に符号化されたデジタルデータが2次元のセルとして、及び第1の表示コードとして表示され、複数の第1の表示コードによって、第2の表示コードが生成されることを特徴とする表示コード生成方法である。 One aspect of the present invention is a display code generation method for generating a display code from digital data, in which the digital data is encoded into gradation values and the plurality of display frames are encoded into gradation values. Digital data is displayed, and in each of the plurality of display frames, the digital data encoded by the gradation value is displayed as a two-dimensional cell and as a first display code, and the plurality of first display codes display the digital data. It is a display code generation method characterized in that a second display code is generated.

上記構成において、第2の表示コードは、連続する複数の第1の表示コードが複数の表示フレームの同じ座標に表示されることを特徴とする表示コード生成方法が好ましい。 In the above configuration, as the second display code, a display code generation method characterized in that a plurality of consecutive first display codes are displayed at the same coordinates of a plurality of display frames is preferable.

上記各構成において、第2の表示コードは、連続する複数の第1の表示コードが同じ大きさの第1の表示領域に表示されることを特徴とする表示コード生成方法が好ましい。 In each of the above configurations, the second display code is preferably a display code generation method characterized in that a plurality of consecutive first display codes are displayed in a first display area having the same size.

上記各構成において、第2の表示コードは、連続する複数の第1の表示コードが複数の表示フレームの異なる座標に表示されることを特徴とする表示コード生成方法が好ましい。 In each of the above configurations, the second display code is preferably a display code generation method characterized in that a plurality of consecutive first display codes are displayed at different coordinates of a plurality of display frames.

上記各構成において、第2の表示コードは、連続する複数の第1の表示コードが異なる大きさの第1の表示領域に表示されることを特徴とする表示コード生成方法が好ましい。 In each of the above configurations, the second display code is preferably a display code generation method characterized in that a plurality of consecutive first display codes are displayed in first display areas having different sizes.

上記各構成において、第2の表示コードは、複数の第1の表示コードが複数の表示フレームに連続で表示されることを特徴とする表示コード生成方法が好ましい。 In each of the above configurations, the second display code is preferably a display code generation method characterized in that a plurality of first display codes are continuously displayed in a plurality of display frames.

上記各構成において、第2の表示コードは、複数の第1の表示コードが複数の表示フレームに非連続で表示されることを特徴とする表示コード生成方法が好ましい。 In each of the above configurations, the second display code is preferably a display code generation method characterized in that a plurality of first display codes are displayed discontinuously in a plurality of display frames.

本発明の一様態は、表示コード検出方法であって、ニューラルネットワークは、画像データから2次元のセルで構成された第1の表示コードを検出する機能を有し、ニューラルネットワークは、画像データから複数の第1の表示コードを検出し、連結することで第2の表示コードを生成し、画像データからデジタルデータを復号化することを特徴とする表示コード検出方法である。 The uniformity of the present invention is a display code detection method, in which the neural network has a function of detecting a first display code composed of two-dimensional cells from image data, and the neural network has a function of detecting a first display code composed of two-dimensional cells from image data. It is a display code detection method characterized by detecting a plurality of first display codes and concatenating them to generate a second display code and decoding digital data from image data.

上記構成において、画像データは、連続して撮像された画像データを有し、ニューラルネットワークは、連続する画像データから第1の表示コードを検出し、ニューラルネットワークは、第1の表示コードを検出する順番に連結することで第2の表示コードを生成し、画像データからデジタルデータを復号化することを特徴とする表示コード検出方法が好ましい。 In the above configuration, the image data has continuously captured image data, the neural network detects the first display code from the continuous image data, and the neural network detects the first display code. A display code detection method characterized in that a second display code is generated by concatenating them in order and digital data is decoded from the image data is preferable.

上記構成において、画像データは、非連続で撮像された画像データを有し、ニューラルネットワークは、非連続な画像データから第1の表示コードを検出し、ニューラルネットワークは、第1の表示コードを検出する順番に連結することで第2の表示コードを生成し、画像データからデジタルデータを復号化することを特徴とする表示コード検出方法が好ましい。 In the above configuration, the image data has image data captured discontinuously, the neural network detects the first display code from the discontinuous image data, and the neural network detects the first display code. A display code detection method characterized in that a second display code is generated by concatenating the two in the order of the image data and digital data is decoded from the image data is preferable.

本発明の一様態は、第1の電子機器と第2の電子機器を有する認証システムであって、第1の電子機器は、表示パネルと、電気を動力とする電動機と、を有し、第2の電子機器は、撮像素子と、ニューラルネットワークと、を有し、第1の電子機器と、第2の電子機器は、第1の認証コードを有し、ニューラルネットワークは、画像の特徴を検出する機能を有し、第1の電子機器は、第1の認証コードを第3の表示コードに符号化する機能を有し、第1の電子機器は、表示パネルに第3の表示コードを表示する機能を有し、第2の電子機器は、撮像素子により第3の表示コードを撮像する機能を有し、第2の電子機器は、ニューラルネットワークにより撮像した画像の中から第3の表示コードを検出し、第2の電子機器は、第3の表示コードから第2の認証コードを復号化する機能を有し、第2の電子機器は、第2の電子機器が有する第1の認証コードと、復号化された第2の認証コードの一致を判断する機能を有し、判断の結果、一致するときは、第1の電子機器が第2の電子機器からのアクセスを許可する機能を有し、判断の結果、一致しないときは、第1の電子機器が第2の電子機器からのアクセスを許可しない機能を有する認証システムである。 A uniform aspect of the present invention is an authentication system having a first electronic device and a second electronic device, wherein the first electronic device has a display panel and an electric power-powered electric device. The second electronic device has an image pickup element and a neural network, the first electronic device and the second electronic device have the first authentication code, and the neural network detects the features of the image. The first electronic device has a function of encoding the first authentication code into the third display code, and the first electronic device displays the third display code on the display panel. The second electronic device has a function of capturing a third display code by an image pickup element, and the second electronic device has a third display code from the images captured by the neural network. The second electronic device has a function of decrypting the second authentication code from the third display code, and the second electronic device has the first authentication code of the second electronic device. And, it has a function to determine the match of the decrypted second authentication code, and when the result of the determination matches, the first electronic device has a function to allow access from the second electronic device. However, if the results of the determination do not match, the first electronic device is an authentication system having a function of not permitting access from the second electronic device.

本発明の一様態は、第1の電子機器と第2の電子機器を有する通信システムであって、第1の電子機器は、表示パネルと、電気を動力とする電動機と、を有し、第2の電子機器は、撮像素子と、ニューラルネットワークと、を有し、第1の電子機器は、通信データを有し、ニューラルネットワークは、画像の特徴を検出する機能を有し、第1の電子機器は、通信データを第4の表示コードに符号化する機能を有し、第1の電子機器は、表示パネルに第4の表示コードを表示する機能を有し、第2の電子機器は、撮像素子により第4の表示コードを撮像する機能を有し、第2の電子機器は、ニューラルネットワークにより撮像した画像の中から第4の表示コードを検出し、第2の電子機器は、第4の表示コードから通信データを復号化する機能を有する通信システムである。 The uniformity of the present invention is a communication system having a first electronic device and a second electronic device, and the first electronic device has a display panel and an electric motor powered by electricity, and the first electronic device is the first. The second electronic device has an image pickup element and a neural network, the first electronic device has communication data, and the neural network has a function of detecting a feature of an image, and the first electron. The device has a function of encoding communication data into a fourth display code, the first electronic device has a function of displaying the fourth display code on the display panel, and the second electronic device has a function of displaying the fourth display code. The second electronic device has a function of capturing the fourth display code by the image pickup element, the second electronic device detects the fourth display code from the images captured by the neural network, and the second electronic device is the fourth. It is a communication system having a function of decoding communication data from the display code of.

本発明の一態様は、新規なコード生成方法を提供することができる。又は、本発明の一態様は、新規なコード検出方法を提供することができる。又は、本発明の一態様は、新規な認証システムを提供することができる。又は、本発明の一態様は、新規な通信システムを提供することができる。 One aspect of the present invention can provide a novel code generation method. Alternatively, one aspect of the present invention can provide a novel code detection method. Alternatively, one aspect of the invention can provide a novel authentication system. Alternatively, one aspect of the present invention can provide a novel communication system.

なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び/又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。したがって本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。 The effect of one aspect of the present invention is not limited to the effects listed above. The effects listed above do not preclude the existence of other effects. The other effects are the effects not mentioned in this item, which are described below. Effects not mentioned in this item can be derived from the description in the specification, drawings, etc. by those skilled in the art, and can be appropriately extracted from these descriptions. In addition, one aspect of the present invention has at least one of the above-listed effects and / or other effects. Therefore, one aspect of the present invention may not have the effects listed above in some cases.

表示コードを説明する図。The figure explaining the display code. 表示コードを説明する図。The figure explaining the display code. 表示コードを説明する図。The figure explaining the display code. 電子機器の構成を説明する図。The figure explaining the structure of the electronic device. 電子機器を説明する図。The figure explaining the electronic device. 電子機器の構成を説明する図。The figure explaining the structure of the electronic device. 電子機器の処理フロー。Processing flow of electronic devices. 電子機器の処理フロー。Processing flow of electronic devices. 電子機器の処理フロー。Processing flow of electronic devices. 電子機器を説明する図。The figure explaining the electronic device. 表示装置の構成例。Display device configuration example. 表示装置の構成例。Display device configuration example. 表示装置の構成例。Display device configuration example. 表示装置の構成例。Display device configuration example. 表示装置の構成例。Display device configuration example. 表示装置の構成例。Display device configuration example. レーザ照射方法及びレーザ結晶化装置を説明する図。The figure explaining the laser irradiation method and the laser crystallization apparatus. レーザ照射方法を説明する図。The figure explaining the laser irradiation method. 画素ユニットを説明する図。The figure explaining the pixel unit. 画素ユニットを説明する図。The figure explaining the pixel unit. 表示装置の回路を説明する図及び画素の上面図。The figure explaining the circuit of the display device and the top view of a pixel. 表示装置の回路を説明する図。The figure explaining the circuit of a display device. 表示装置の回路を説明する図及び画素の上面図。The figure explaining the circuit of the display device and the top view of a pixel. 表示装置の構成を説明する図。The figure explaining the structure of the display device. 表示装置の構成を説明する図。The figure explaining the structure of the display device. 表示装置の構成を説明する図。The figure explaining the structure of the display device. 表示装置の構成を説明する図。The figure explaining the structure of the display device. 電子機器を説明する図。The figure explaining the electronic device. 電子機器を説明する図。The figure explaining the electronic device. 電子機器を説明する図。The figure explaining the electronic device.

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. However, it is easily understood by those skilled in the art that embodiments can be implemented in many different embodiments and that the embodiments and details can be varied in various ways without departing from the spirit and scope thereof. .. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of the following embodiments.

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。 Also, in the drawings, the size, layer thickness, or area may be exaggerated for clarity. Therefore, it is not necessarily limited to that scale. The drawings schematically show ideal examples, and are not limited to the shapes or values shown in the drawings.

また、本明細書にて用いる「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。 In addition, the ordinal numbers "first", "second", and "third" used in the present specification are added to avoid confusion of the components, and are not limited numerically. Addition.

また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。 Further, in the present specification, words and phrases indicating arrangements such as "above" and "below" are used for convenience in order to explain the positional relationship between the configurations with reference to the drawings. Further, the positional relationship between the configurations changes appropriately depending on the direction in which each configuration is depicted. Therefore, it is not limited to the words and phrases explained in the specification, and can be appropriately paraphrased according to the situation.

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネル領域を有しており、チャネル領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。 Further, in the present specification and the like, a transistor is an element having at least three terminals including a gate, a drain, and a source. A channel region is provided between the drain (drain terminal, drain region or drain electrode) and the source (source terminal, source region or source electrode), and a current is generated between the source and the drain via the channel region. Can be shed. In the present specification and the like, the channel region refers to a region in which a current mainly flows.

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。 Further, the functions of the source and the drain may be switched when transistors having different polarities are adopted or when the direction of the current changes in the circuit operation. Therefore, in the present specification and the like, the terms source and drain can be used interchangeably.

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。 Further, in the present specification and the like, "electrically connected" includes the case of being connected via "something having some kind of electrical action". Here, the "thing having some kind of electrical action" is not particularly limited as long as it enables the exchange of electric signals between the connection targets. For example, "things having some kind of electrical action" include electrodes, wirings, switching elements such as transistors, resistance elements, inductors, capacitors, and other elements having various functions.

また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が-10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。 Further, in the present specification and the like, "parallel" means a state in which two straight lines are arranged at an angle of −10 ° or more and 10 ° or less. Therefore, the case of −5 ° or more and 5 ° or less is also included. Further, "vertical" means a state in which two straight lines are arranged at an angle of 80 ° or more and 100 ° or less. Therefore, the case of 85 ° or more and 95 ° or less is also included.

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。 Further, in the present specification and the like, the term "membrane" and the term "layer" can be interchanged with each other. For example, it may be possible to change the term "conductive layer" to the term "conductive film". Alternatively, for example, it may be possible to change the term "insulating film" to the term "insulating layer".

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態(非導通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。 Further, in the present specification and the like, unless otherwise specified, the off current means a drain current when the transistor is in an off state (also referred to as a non-conducting state or a cutoff state). Unless otherwise specified, the off state is a state in which the voltage Vgs between the gate and the source is lower than the threshold voltage Vth in the n-channel transistor, and the voltage Vgs between the gate and the source in the p-channel transistor. Is higher than the threshold voltage Vth. For example, the off-current of an n-channel transistor may refer to the drain current when the voltage Vgs between the gate and the source is lower than the threshold voltage Vth.

トランジスタのオフ電流は、Vgsに依存する場合がある。したがって、トランジスタのオフ電流がI以下である、とは、トランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のVgsにおけるオフ状態、所定の範囲内のVgsにおけるオフ状態、又は、十分に低減されたオフ電流が得られるVgsにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。 The off current of the transistor may depend on Vgs. Therefore, the fact that the off current of the transistor is I or less may mean that there is a value of Vgs in which the off current of the transistor is I or less. The off-current of a transistor may refer to an off-current in a predetermined Vgs, an off-state in Vgs within a predetermined range, an off-state in Vgs in which a sufficiently reduced off-current is obtained, and the like.

一例として、しきい値電圧Vthが0.5Vであり、Vgsが0.5Vにおけるドレイン電流が1×10-9Aであり、Vgsが0.1Vにおけるドレイン電流が1×10-13Aであり、Vgsが-0.5Vにおけるドレイン電流が1×10-19Aであり、Vgsが-0.8Vにおけるドレイン電流が1×10-22Aであるようなnチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Vgsが-0.5Vにおいて、又は、Vgsが-0.5V乃至-0.8Vの範囲において、1×10-19A以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は1×10-19A以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が1×10-22A以下となるVgsが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は1×10-22A以下である、と言う場合がある。As an example, the threshold voltage Vth is 0.5V, the drain current at Vgs is 0.5V is 1 × 10-9A , and the drain current at Vgs is 0.1V is 1 × 10-13A . Assume an n-channel transistor having a drain current of 1 × 10 -19 A at Vgs of −0.5 V and a drain current of 1 × 10 -22 A at Vgs of −0.8 V. Since the drain current of the transistor is 1 × 10 -19 A or less in the range of Vgs of −0.5 V or Vgs in the range of −0.5 V to −0.8 V, the off current of the transistor is 1. It may be said that it is × 10-19 A or less. Since there are Vgs in which the drain current of the transistor is 1 × 10-22 A or less, it may be said that the off current of the transistor is 1 × 10-22 A or less.

また、本明細書等では、チャネル幅Wを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Wあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅(例えば1μm)あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流/長さの次元を持つ単位(例えば、A/μm)で表される場合がある。 Further, in the present specification and the like, the off-current of a transistor having a channel width W may be represented by a current value flowing per channel width W. Further, it may be represented by a current value flowing around a predetermined channel width (for example, 1 μm). In the latter case, the off-current unit may be expressed in units having a current / length dimension (eg, A / μm).

トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、60℃、85℃、95℃、又は125℃におけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がI以下である、とは、室温、60℃、85℃、95℃、125℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを指す場合がある。 The off current of the transistor may depend on the temperature. In the present specification, the off-current may represent an off-current at room temperature, 60 ° C., 85 ° C., 95 ° C., or 125 ° C., unless otherwise specified. Alternatively, at a temperature at which the reliability of the semiconductor device or the like containing the transistor is guaranteed, or at a temperature at which the semiconductor device or the like containing the transistor is used (for example, any one of 5 ° C. and 35 ° C.). May represent off-current. The off current of a transistor is I or less, which means that the temperature is room temperature, 60 ° C, 85 ° C, 95 ° C, 125 ° C, the temperature at which the reliability of the semiconductor device including the transistor is guaranteed, or the transistor is included. It may indicate that there is a value of Vgs in which the off-current of the transistor is I or less at the temperature at which the semiconductor device or the like is used (for example, any one of 5 ° C. to 35 ° C.).

トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Vdsに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Vdsが0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、又は20Vにおけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるVds、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるVdsにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がI以下である、とは、Vdsが0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、20V、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるVds、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるVds、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを指す場合がある。 The off current of the transistor may depend on the voltage Vds between the drain and the source. In the present specification, the off current has Vds of 0.1V, 0.8V, 1V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3V, 3.3V, 10V, 12V, 16V unless otherwise specified. , Or may represent off-current at 20V. Alternatively, it may represent Vds in which the reliability of the semiconductor device or the like including the transistor is guaranteed, or the off-current in Vds used in the semiconductor device or the like including the transistor. When the off current of the transistor is I or less, Vds is 0.1V, 0.8V, 1V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3V, 3.3V, 10V, 12V, 16V, 20V. , There is a value of Vgs in which the off current of the transistor is I or less in Vds in which the reliability of the semiconductor device or the like including the transistor is guaranteed, or Vds in which the reliability of the semiconductor device or the like including the transistor is guaranteed. It may refer to that.

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。要するに、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。 In the above description of the off-current, the drain may be read as the source. In short, off-current may also refer to the current flowing through the source when the transistor is in the off state.

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。 Further, in the present specification and the like, it may be described as a leak current in the same meaning as an off current. Further, in the present specification and the like, the off current may refer to, for example, the current flowing between the source and the drain when the transistor is in the off state.

なお、電圧とは2点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な位置エネルギー)のことをいう。ただし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位(例えば接地電位)との電位差のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。 The voltage means the potential difference between two points, and the potential means the electrostatic energy (electrical potential energy) of the unit charge in the electrostatic field at a certain point. However, in general, the potential difference between the potential at a certain point and the reference potential (for example, the ground potential) is simply called potential or voltage, and potential and voltage are often used as synonyms. Therefore, unless otherwise specified in the present specification, the potential may be read as a voltage, or the voltage may be read as a potential.

(実施の形態1)
本実施の形態では、電子機器の新規な表示コード生成方法と、表示コードの検出方法、さらに生成された表示コードを用いた認証システム及び通信システムについて、図1乃至図10を用いて説明する。
(Embodiment 1)
In the present embodiment, a new display code generation method for an electronic device, a display code detection method, an authentication system using the generated display code, and a communication system will be described with reference to FIGS. 1 to 10.

図1は、新規な表示コード生成方法について説明する。表示コードは、認証コードとしてバーコード、又は2次元コードが知られている。ただし、バーコード、又は2次元コードは、符号化できるデジタルデータ量に制限が設けられている。本実施の形態では、符号化できるデジタルデータ量に制限を設けない新規な表示コードの生成方法について図1を用いて説明する。説明のために、新規な表示コードをフラッシングコード(Flashing Code、以下、FCODEと示す)とする。FCODEは、電子機器が有する表示パネルに表示されることが好ましい。表示パネルは、表示データがフレーム単位で更新される。したがって表示コードを、1フレーム単位で示すときは、表示コードFC(以下、FCと示す)として説明する。よって、FCODEは1つのFC又は複数のFCで構成されている。 FIG. 1 describes a new display code generation method. As the display code, a bar code or a two-dimensional code is known as an authentication code. However, the bar code or the two-dimensional code is limited in the amount of digital data that can be encoded. In the present embodiment, a method of generating a new display code without limiting the amount of digital data that can be encoded will be described with reference to FIG. For the sake of explanation, the new display code is referred to as a flushing code (hereinafter referred to as FCODE). The FCODE is preferably displayed on the display panel of the electronic device. In the display panel, the display data is updated on a frame-by-frame basis. Therefore, when the display code is shown in units of one frame, it will be described as the display code FC (hereinafter referred to as FC). Therefore, FCODE is composed of one FC or a plurality of FCs.

FCODEは、1フレーム又は複数フレームで構成される。FCODEを構成するFC数は、符号化するデジタルデータの大きさによって変更することができる。またFCの有するセル数は、符号化するデジタルデータの大きさによって変更することができる。1フレームの表示データは、FCが表示される2次元のセルで構成された表示領域を有している。表示パネルが有する表示領域と識別するために、FCが表示される領域を表示領域FCDとして説明する。2次元のセルは、1以上m以下の画素数で構成されることが好ましい。mは、2以上の自然数である。 FCODE is composed of one frame or a plurality of frames. The number of FCs constituting the FCODE can be changed depending on the size of the digital data to be encoded. Further, the number of cells possessed by the FC can be changed depending on the size of the digital data to be encoded. The display data of one frame has a display area composed of two-dimensional cells in which FC is displayed. In order to distinguish it from the display area of the display panel, the area where FC is displayed will be described as a display area FCD. The two-dimensional cell is preferably composed of 1 or more and m or less. m is a natural number of 2 or more.

図1(A-1)は、一例として、FCが4行4列の16セルで構成された2次元のセルを示している。一つのセルは、符号化するデータの最小構成であるビットを意味している。したがって、図1(A-1)では、FCが16ビットを有している。FCを構成する、最小構成をフラッシングビット(Flashing Bit、以下、FBと示す)と呼ぶことができる。図1(A-1)は、FB0乃至FB15が順番に配置された例を示している。ただし、FB0乃至FB15が配置される順番は限定されないことが好ましい。 FIG. 1 (A-1) shows, as an example, a two-dimensional cell in which FC is composed of 16 cells in 4 rows and 4 columns. One cell means a bit which is the minimum composition of the data to be encoded. Therefore, in FIG. 1 (A-1), FC has 16 bits. The minimum configuration that constitutes FC can be referred to as a flushing bit (hereinafter referred to as FB). FIG. 1 (A-1) shows an example in which FB0 to FB15 are arranged in order. However, it is preferable that the order in which FB0 to FB15 are arranged is not limited.

セルの集合は、データとしてFB[15:0]と表現することができる。FBは、表示領域FCDに表示されるため、表示領域FCDで表示可能な階調値を、重みとして使用することができる。よって表示領域FCDが256段階の階調値を表示可能であれば、FBは、最大で256値の重みを得ることができる。ただし、FCODEは、撮像素子で取得された画像によって判断されるため、撮像素子の分解能に応じて設定することが好ましい。撮像素子としては、フォトダイオード、光センサ、イメージセンサなどを利用することができる。 The set of cells can be expressed as FB [15: 0] as data. Since the FB is displayed in the display area FCD, the gradation value that can be displayed in the display area FCD can be used as a weight. Therefore, if the display area FCD can display 256 gradation values, the FB can obtain a weight of 256 values at the maximum. However, since the FCODE is determined by the image acquired by the image sensor, it is preferable to set it according to the resolution of the image sensor. As the image pickup element, a photodiode, an optical sensor, an image sensor, or the like can be used.

図1(A-2)は、FCODEが連続する表示フレームにFC1乃至FC8を連続して表示することで構成される例を示している。FCを連続して表示することで、撮像素子は、撮像する画像から、連続的にFCを復号し、FCODEを認識できる。したがって、短時間に大量のデータを送信することができる。 FIG. 1 (A-2) shows an example in which FC1 to FC8 are continuously displayed in a continuous display frame of FCODE. By continuously displaying the FC, the image sensor can continuously decode the FC from the image to be captured and recognize the FCODE. Therefore, a large amount of data can be transmitted in a short time.

図1(A-3)は、デジタルデータがFCODEを符号化及び復号化するときの関係を示している。デジタルデータはFC1乃至FC8に分割されて符号化され、復号化するときは、撮像素子によって撮像された画像からFC1乃至FC8を検出し、FC1乃至FC8を連結することでデジタルデータに復号化する。 FIG. 1 (A-3) shows the relationship when digital data encodes and decodes FCODE. The digital data is divided into FC1 to FC8 and encoded, and when decoding, FC1 to FC8 are detected from the image captured by the image pickup device, and FC1 to FC8 are connected to decode the digital data.

図2(A-1)は、FCODEに[F10DF20CF30BF40AF509F608F707F806]のデジタルデータが設定された例について説明をする。 FIG. 2 (A-1) describes an example in which the digital data of [F10DF20CF30BF40AF509F608F707F806] is set in the FCODE.

図2(A-2)は、説明の簡略化のためにFBが“1”、“0”の2進数で表現された例である。FCODEは、8フレームで表示されるFC1乃至FC8で構成されている。例えば、FBが2の重みを有し、2進数で表現するとき、0階調から255階調まで表示可能な表示パネルを利用してFBを表示することができる。 FIG. 2 (A-2) is an example in which FB is represented by a binary number of “1” and “0” for the sake of simplification of explanation. The FCODE is composed of FC1 to FC8 displayed in 8 frames. For example, when the FB has a weight of 2 and is expressed in binary, the FB can be displayed by using a display panel capable of displaying from 0 gradation to 255 gradations.

例えばFBが“1”を表現するためには、128階調から255階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“0”を表現するためには、0階調から127階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。またセルを構成する複数の画素は、上記の範囲のいずれかの階調値であればよい。 For example, in order for the FB to express "1", it can be displayed using any gradation from 128 gradations to 255 gradations. Further, in order for the FB to express "0", it can be displayed using any gradation from 0 gradation to 127 gradations. Further, the plurality of pixels constituting the cell may have gradation values in any of the above ranges.

またFBが“0”を表現するための階調範囲の上限値と、FBが“1”を表現するための階調範囲の下限値とが近いときは、撮像素子の検出精度により誤検出することが予想される。よって階調値の誤検出を防止するためには、FBが“0”を表現するための階調値の幅(以下、階調幅と示す)と、FBが“1”を表現するための階調幅との間に、FBとして認識しない非選択の階調幅を設けることが好ましい。 When the upper limit of the gradation range for expressing "0" in FB and the lower limit of the gradation range for expressing "1" in FB are close to each other, erroneous detection is performed by the detection accuracy of the image sensor. It is expected that. Therefore, in order to prevent erroneous detection of the gradation value, the width of the gradation value for the FB to express "0" (hereinafter referred to as the gradation width) and the floor for the FB to express "1". It is preferable to provide a non-selected gradation width that is not recognized as FB between the adjustment width and the adjustment width.

上記のように、FBが“1”を表現するための階調幅もしくはFBが“0”を表現するための階調幅を任意に設定することができる。よって2進数のFBであっても、階調幅を設定することで復号するときの機密性を向上させることができる。 As described above, the gradation width for expressing "1" in FB or the gradation width for expressing "0" in FB can be arbitrarily set. Therefore, even if the FB is a binary number, the confidentiality at the time of decoding can be improved by setting the gradation width.

図2(A-2)のFCODEは、FC1乃至FC8で構成され、それぞれのFCを16進数表示FC_Hで表示する場合は、FC1を[F10D]、FC2を[F20C]、FC3を[F30B]、FC4を[F40A]、FC5を[F509]、FC6を[F608]、FC7を[F707]、及びFC8を[F806]と表すことができる。つまりFCODEは、FC1乃至FC8が連結されて構成されるため、FCODEは[F10DF20CF30BF40AF509F608F707F806]のデジタルデータを示すことができる。 The FCODE in FIG. 2 (A-2) is composed of FC1 to FC8, and when each FC is displayed in hexadecimal display FC_H, FC1 is [F10D], FC2 is [F20C], and FC3 is [F30B]. FC4 can be represented as [F40A], FC5 as [F509], FC6 as [F608], FC7 as [F707], and FC8 as [F806]. That is, since the FCODE is configured by connecting FC1 to FC8, the FCODE can show the digital data of [F10DF20CF30BF40AF509F608F707F806].

図2(A-3)は、図1(A-2)と異なり、周期性を有する表示フレームによってFCODEが表示された例を示している。図2(A-3)では、4フレームごとにFC1と、FC2とが表示された例を示している。FCが周期性を有して表示されることで、視認性を下げずに、表示コードを表示することができる。周期性は、4フレームごとに限定はされない。4フレームより長い周期性を有してもよい。もしくは、4フレームより短い周期性を有してもよい。 FIG. 2 (A-3) shows an example in which FCODE is displayed by a display frame having periodicity, unlike FIG. 1 (A-2). FIG. 2 (A-3) shows an example in which FC1 and FC2 are displayed every four frames. Since the FC is displayed with periodicity, the display code can be displayed without deteriorating the visibility. The periodicity is not limited to every 4 frames. It may have a periodicity longer than 4 frames. Alternatively, it may have a periodicity shorter than 4 frames.

図2(A-4)は、異なる例として、それぞれのFCを2回連続して表示している。FCを連続して表示するとき、連続する回数は2回に限定されない。連続して表示することで、撮像素子は、正確にFCを撮像する時間を確保することができる。 FIG. 2 (A-4) shows each FC twice in succession as a different example. When displaying FC continuously, the number of consecutive times is not limited to two. By displaying the images continuously, the image sensor can secure the time to accurately image the FC.

図2(A-5)は、FBが、8の重みを有し8進数で表現された例を示している。例えばFBが“0”を表現するには、0階調から31階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“1”を表現するには、32階調から63階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“2”を表現するには、64階調から95階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“3”を表現するには、96階調から127階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“4”を表現するには、128階調から159階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“5”を表現するには、160階調から191階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“6”を表現するには、192階調から223階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。また、FBが“7”を表現するには、224階調から255階調のいずれかの階調を用いて表示することができる。 FIG. 2 (A-5) shows an example in which the FB has a weight of 8 and is expressed in octal. For example, in order for FB to express "0", it can be displayed using any gradation from 0 gradation to 31 gradation. Further, in order for the FB to express "1", it can be displayed using any gradation from 32 gradations to 63 gradations. Further, in order for the FB to express "2", it can be displayed using any gradation from 64 gradations to 95 gradations. Further, in order for the FB to express "3", it can be displayed using any gradation from 96 gradations to 127 gradations. Further, in order for the FB to express "4", it can be displayed using any gradation from 128 gradations to 159 gradations. Further, in order for the FB to express "5", it can be displayed using any gradation from 160 gradations to 191 gradations. Further, in order for the FB to express "6", it can be displayed using any gradation from 192 gradations to 223 gradations. Further, in order for the FB to express "7", it can be displayed using any gradation from 224 gradations to 255 gradations.

ただし、一つのセルが、複数の重みを有するとき、それぞれの重みを示す階調幅が小さくなる。撮像素子による誤検出を防止するためには、FBが異なる重みを示す階調幅の上限値と階調幅の下限値との間に、FBとして認識しない非選択の階調幅を有することが好ましい。 However, when one cell has a plurality of weights, the gradation width indicating each weight becomes smaller. In order to prevent erroneous detection by the image pickup device, it is preferable to have a non-selected gradation width that is not recognized as FB between the upper limit value of the gradation width showing different weights and the lower limit value of the gradation width.

例えばFBが“0”を表現するためには、0階調から20階調のいずれかの階調で表示し、FBが“1”を表現するためには、32階調から52階調のいずれかの階調で表示すことができる。FBが“0”を表現するための階調幅と、FBが“1”を表現するための階調幅との間には、21階調から31階調まで非選択の階調幅を設けることができる。非選択の階調幅を設けることで、撮像素子の検出精度による誤検出を抑えることができる。階調幅は、電子機器の利用者が設定できることが好ましい。 For example, in order for FB to express "0", it is displayed in any gradation from 0 gradation to 20 gradations, and in order for FB to express "1", it is displayed in 32 gradations to 52 gradations. It can be displayed in any gradation. A non-selective gradation width can be provided from 21 gradations to 31 gradations between the gradation width for expressing "0" by FB and the gradation width for expressing "1" by FB. .. By providing a non-selective gradation width, it is possible to suppress erroneous detection due to the detection accuracy of the image sensor. It is preferable that the gradation width can be set by the user of the electronic device.

上記のように、図2(A-5)では、各セルに表示する階調値を変えることで、FBの重みを変えることができる。よって、FCに含まれるデータ量を増大させることができる。 As described above, in FIG. 2 (A-5), the weight of the FB can be changed by changing the gradation value displayed in each cell. Therefore, the amount of data contained in the FC can be increased.

FCODEを表示することのできる表示パネルは、サブ画素に赤R、緑G、青B、シアンC、マゼンタM、イエローYのいずれか3色の色域、もしくは白Wを加えた中から4色の色域を用いてカラー表示されることが知られている。FCは、サブ画素が有するそれぞれの色域に、FBを割り当ててもよい。よって、FCODEに含まれるデータ量をさらに飛躍的に増大させることができる。したがって、FCODEは、認証コードだけではなく、データ通信に使用することができる。 The display panel that can display FCODE is 4 colors from the sub-pixels with the color gamut of any of 3 colors of red R, green G, blue B, cyan C, magenta M, and yellow Y, or white W. It is known that color is displayed using the color gamut of. The FC may assign an FB to each color gamut of the sub-pixel. Therefore, the amount of data contained in FCODE can be further dramatically increased. Therefore, FCODE can be used not only for the authentication code but also for data communication.

表示パネルは、どのタイミングで、FCODEを表示するかを電子機器に対して通知してもよい。もしくは、電子機器は、認証コードを送信後、撮像素子で撮像された画像データに対してAI(Artificial Intelligence)の画像認識機能を利用してFCODEを取得してもよい。特に、ニューラルネットワークは、FCが表示された画像を学習させることで、FCの有するセルの特徴を検出することに優れている。FCは、表示領域FCDに表示されるので、複数のFCからFCODEを容易に抽出することができる。もしFCが、表示領域FCDにランダムに表示される場合でもAIの画像認識機能を用いて復号することができる。セルの縦横比を保持すると、AIによる検出はさらに容易になる。 The display panel may notify the electronic device at what timing the FCODE is displayed. Alternatively, the electronic device may acquire the FCODE for the image data captured by the image pickup device after transmitting the authentication code by using the image recognition function of AI (Artificial Integrity). In particular, the neural network is excellent in detecting the cell characteristics of the FC by learning the image on which the FC is displayed. Since the FC is displayed in the display area FCD, FCODE can be easily extracted from a plurality of FCs. Even if the FC is randomly displayed in the display area FCD, it can be decoded by using the image recognition function of AI. Preserving the aspect ratio of the cell makes detection by AI even easier.

上記とは異なるFCODEの表示方法では、複数のFCが同じ表示面に表示されることでFCODEが構成されてもよい。一例として、紙、プラスチック樹脂、建材などは、表面にFCを印刷することができる。もしくは、プロジェクタを用いて投影してもよい。 In the FCODE display method different from the above, the FCODE may be configured by displaying a plurality of FCs on the same display surface. As an example, FC can be printed on the surface of paper, plastic resin, building materials, and the like. Alternatively, it may be projected using a projector.

図3は、一例として電子機器が有する表示パネルを示している。表示パネルが有する表示領域150は、表示領域FCDを有している。表示領域FCDには、FCを表示することができる。したがって、表示領域FCDの表示データが更新されると、FCも更新される。FCODEは、複数のFCが連結することで構成される。ここでは、FC1の表示領域FCD1又はFC2の表示領域FCD2を用いて説明する。 FIG. 3 shows a display panel included in an electronic device as an example. The display area 150 included in the display panel has a display area FCD. FC can be displayed in the display area FCD. Therefore, when the display data of the display area FCD is updated, the FC is also updated. FCODE is composed of a plurality of FCs connected to each other. Here, the display area FCD1 of FC1 or the display area FCD2 of FC2 will be used for description.

図3(A-1)は、表示領域FCD1及び表示領域FCD2が、同じ座標、且つ同じ大きさで表示された例を示している。表示領域FCD1及び表示領域FCD2が、同じ座標、且つ同じ大きさに表示されることで、画像データからFCを容易に検出することができる。 FIG. 3 (A-1) shows an example in which the display area FCD1 and the display area FCD2 are displayed at the same coordinates and the same size. By displaying the display area FCD1 and the display area FCD2 at the same coordinates and the same size, FC can be easily detected from the image data.

図3(A-2)は、FC1の表示領域FCD1と、FC2の表示領域FCD2とが、異なる大きさで表示された例である。ただし、表示領域FCD1の中心座標と、表示領域FCD2の中心座標は同じである。表示領域FCD1及び表示領域FCD2の中心座標を同じにすることで、画像データからFCを容易に検出することができる。 FIG. 3 (A-2) is an example in which the display area FCD1 of FC1 and the display area FCD2 of FC2 are displayed in different sizes. However, the center coordinates of the display area FCD1 and the center coordinates of the display area FCD2 are the same. By making the center coordinates of the display area FCD1 and the display area FCD2 the same, FC can be easily detected from the image data.

図3(A-3)は、FC1の表示領域FCD1の中心座標と、FC2の表示領域FCD2の中心座標とが、異なる例である。ただし、表示領域FCD1と、表示領域FCD2とは同じ大きさで表示されている。FCODEの機密性は、表示領域FCD1又は表示領域FCD2の中心座標を異なる座標に移動させることで向上する。さらに、表示領域FCD1及び表示領域FCD2が同じ中心座標に表示されないため、表示内容が変化する。したがって、焼き付きなどの表示領域150の表示劣化を抑えることができる。 FIG. 3A is an example in which the center coordinates of the display area FCD1 of FC1 and the center coordinates of the display area FCD2 of FC2 are different. However, the display area FCD1 and the display area FCD2 are displayed in the same size. The confidentiality of the FCODE is improved by moving the center coordinates of the display area FCD1 or the display area FCD2 to different coordinates. Further, since the display area FCD1 and the display area FCD2 are not displayed at the same center coordinates, the display contents change. Therefore, it is possible to suppress display deterioration of the display area 150 such as burn-in.

図3(A-4)は、FC1の表示領域FCD1の中心座標と、FC2の表示領域FCD2の中心座標とが、異なる例である。さらに、表示領域FCD1と、表示領域FCD2とは異なる大きさで表示されている。表示領域FCD1と、表示領域FCD2の中心座標を移動させることで、機密性を向上させることができる。さらに、FCODEの機密性は、異なる大きさの表示領域FCDを用いることで向上する。表示領域FCDが同じ中心座標に表示されず、大きさも異なるため、表示領域FCDのランダム性が向上し、さらに、焼き付きなどの表示領域150の表示劣化を抑えることができる。 FIG. 3 (A-4) is an example in which the center coordinates of the display area FCD1 of FC1 and the center coordinates of the display area FCD2 of FC2 are different. Further, the display area FCD1 and the display area FCD2 are displayed in different sizes. By moving the center coordinates of the display area FCD1 and the display area FCD2, the confidentiality can be improved. Further, the confidentiality of FCODE is improved by using display area FCDs of different sizes. Since the display area FCDs are not displayed at the same center coordinates and have different sizes, the randomness of the display area FCDs can be improved, and display deterioration of the display area 150 such as burn-in can be suppressed.

ただし、表示領域FCD1及び表示領域FCD2の縦横比は同じであることが好ましい。また、セルは、3以上n以下の辺を有することが好ましい。nは4以上の整数である。 However, it is preferable that the aspect ratios of the display area FCD1 and the display area FCD2 are the same. Further, it is preferable that the cell has 3 or more and n or less sides. n is an integer of 4 or more.

図4(A)は、電子機器110と、電子機器120との構成を側面から図示している。電子機器110は、通信モジュール111と、撮像素子112と、表示モジュール113とを有している。表示モジュール113は、図6で詳細な説明をする。ここでは、表示モジュール113を表示パネル113dとして説明をする。 FIG. 4A illustrates the configuration of the electronic device 110 and the electronic device 120 from the side surface. The electronic device 110 includes a communication module 111, an image pickup device 112, and a display module 113. The display module 113 will be described in detail with reference to FIG. Here, the display module 113 will be described as the display panel 113d.

電子機器120は、通信モジュール121と、表示モジュール122とを有している。表示モジュール122は、図6で詳細な説明をする。ここでは、表示モジュール122を表示パネル122dとして説明をする。 The electronic device 120 has a communication module 121 and a display module 122. The display module 122 will be described in detail with reference to FIG. Here, the display module 122 will be described as the display panel 122d.

図4(B)は、電子機器120の構成を上面から図示している。電子機器120はスイッチ123a乃至スイッチ123dを有している。スイッチ123a乃至スイッチ123dは、電子機器120を制御するための機能が割り当てられていることが好ましい。表示パネル122dは、表示領域150を有している。表示領域150は、認証コードを表示するための表示領域150aを有している。表示領域150aは、図3で説明した表示領域FCDを示している。したがって表示領域150aには、認証コードが符号化されてFCODEとして表示される。 FIG. 4B shows the configuration of the electronic device 120 from above. The electronic device 120 has switches 123a to 123d. It is preferable that the switch 123a to the switch 123d are assigned a function for controlling the electronic device 120. The display panel 122d has a display area 150. The display area 150 has a display area 150a for displaying the authentication code. The display area 150a shows the display area FCD described with reference to FIG. Therefore, the authentication code is encoded and displayed as FCODE in the display area 150a.

表示領域150aの大きさは、表示領域150の大きさ以下であることが好ましい。撮像素子112は、表示領域150aからの光を受光して階調を判断する機能を有している。以下、撮像素子112が、表示領域150aからの光を受光して階調を判断することを撮像すると言い換えて説明する。 The size of the display area 150a is preferably smaller than or equal to the size of the display area 150. The image pickup device 112 has a function of receiving light from the display area 150a and determining the gradation. Hereinafter, the image pickup element 112 receives light from the display area 150a to determine the gradation, which is described in other words.

図4(B)では、スイッチ123a乃至スイッチ123dを備えた例を示したが、電子機器120は、スイッチ123a乃至スイッチ123dを備えなくてもよい。表示モジュール122が備えるタッチパネルを利用してスイッチ123a乃至スイッチ123dと同じ操作をすることができる。 Although FIG. 4B shows an example including the switch 123a to the switch 123d, the electronic device 120 may not include the switch 123a to the switch 123d. The same operation as the switch 123a to the switch 123d can be performed by using the touch panel provided in the display module 122.

図4(A)に示すように、通信モジュール111と、通信モジュール121とが、データを送受信できることが好ましい。通信モジュール111と、通信モジュール121との通信方式は、無線を用いた通信方式でもよいし、赤外線を用いた通信方式でもよい。もしくは、有線接続を用いた通信方式でもよい。 As shown in FIG. 4A, it is preferable that the communication module 111 and the communication module 121 can transmit and receive data. The communication method between the communication module 111 and the communication module 121 may be a communication method using wireless communication or a communication method using infrared rays. Alternatively, a communication method using a wired connection may be used.

電子機器110は、登録情報を有している。登録情報は、第1の認証コードと、第2の認証コードから構成されていることが好ましい。さらに、電子機器110は、GPS(Global Positioning System)機能を有していることが好ましい。電子機器110は、GPS座標を登録情報の一つとして使用することができる。 The electronic device 110 has registration information. The registration information is preferably composed of a first authentication code and a second authentication code. Further, it is preferable that the electronic device 110 has a GPS (Global Positioning System) function. The electronic device 110 can use the GPS coordinates as one of the registration information.

電子機器110は、電子機器120にアクセス許可を要求することができる。電子機器110は、電子機器120に通信モジュール111を介して第1の認証コードを送信するステップを有している。 The electronic device 110 can request access permission from the electronic device 120. The electronic device 110 has a step of transmitting the first authentication code to the electronic device 120 via the communication module 111.

電子機器120は、通信モジュール121を介して、第1の認証コードを受信し、判断するステップを有している。 The electronic device 120 has a step of receiving and determining the first authentication code via the communication module 121.

電子機器120は、第1の認証コードを受信することで、電子機器110が、電子機器120の近傍に存在していることを判断するための第2の認証コードを生成するステップを有している。 The electronic device 120 has a step of generating a second authentication code for determining that the electronic device 110 exists in the vicinity of the electronic device 120 by receiving the first authentication code. There is.

電子機器120は、第2の認証コードをFCODEに符号化して表示パネル122dに表示するステップを有している。 The electronic device 120 has a step of encoding the second authentication code into FCODE and displaying it on the display panel 122d.

電子機器110は、撮像素子112を用いてFCODEを撮像するステップを有している。 The electronic device 110 has a step of imaging the FCODE using the image sensor 112.

電子機器110は、FCODEを第2の認証コードに復号し、復号化された第2の認証コードと、第1の認証コードと比較し、さらに電子機器110の登録情報を更新することで、電子機器110が、電子機器120を認証するステップを有している。 The electronic device 110 decodes the FCODE into a second authentication code, compares the decrypted second authentication code with the first authentication code, and further updates the registration information of the electronic device 110 to electronically. The device 110 has a step of authenticating the electronic device 120.

電子機器110は、電子機器120を認証していることを電子機器120に通知するステップを有している。 The electronic device 110 has a step of notifying the electronic device 120 that the electronic device 120 is being authenticated.

したがって、本実施の形態は、電子機器110の有する撮像素子112が、電子機器120が有する表示パネル122dを撮像できる距離内に認証対象がある認証システムである。 Therefore, the present embodiment is an authentication system in which the image sensor 112 of the electronic device 110 has an authentication target within a distance that can image the display panel 122d of the electronic device 120.

上記では、第2の認証コードをFCODEに符号化して認証する認証システムについて説明したが、FCODEに符号化されるのは、通信データでもよい。FCODEは、符号化されるデジタルデータ量に制約がないので、大きなデータを送信するのに適している。 In the above, the authentication system in which the second authentication code is encoded in FCODE and authenticated has been described, but the communication data may be encoded in FCODE. FCODE is suitable for transmitting large amounts of data because there are no restrictions on the amount of digital data to be encoded.

本実施の形態の認証システムは、電子機器110と電子機器120とが、近傍に存在することを保証することができる。したがって、機密性の高い精密機器や、車両、電車、航空機など安全性が求められる機器、さらに、高い精度の管理が要求される生産装置の保守、整備などに利用することができる。また、FCODEを表示することのできる電子機器は、上記に限定されず、携帯端末、TV、モニタ、時計、プロジェクタ、自動販売機、チケット販売機、又はデジタルサイネージなどがある。上記で示した電子機器が撮像素子を有するときは、FCODEを用いた認証システム、又はFCODEを用いた通信システムを提供することができる。 The authentication system of the present embodiment can guarantee that the electronic device 110 and the electronic device 120 are in the vicinity of each other. Therefore, it can be used for maintenance and maintenance of highly confidential precision equipment, equipment that requires safety such as vehicles, trains, and aircraft, and production equipment that requires high-precision management. Further, the electronic device capable of displaying FCODE is not limited to the above, and includes a mobile terminal, a TV, a monitor, a clock, a projector, a vending machine, a ticket vending machine, a digital signage, and the like. When the electronic device shown above has an image pickup device, it is possible to provide an authentication system using FCODE or a communication system using FCODE.

図5は、FCODEを利用した認証システムがコピー機120aに適用された例を示している。コピー機120aは、スキャナ装置131と、表示モジュール132、通信モジュール133と、入力装置134と、電子機器120とを有している。電子機器120は、コピー機120aの構成部品の一つである。 FIG. 5 shows an example in which an authentication system using FCODE is applied to the copier 120a. The copier 120a has a scanner device 131, a display module 132, a communication module 133, an input device 134, and an electronic device 120. The electronic device 120 is one of the components of the copier 120a.

コピー機120aは、電子機器120を介して電子機器110と通信することができる。よってコピー機120aは、電子機器120と、電子機器110とを用いて本実施の形態の認証システムを利用することができる。したがって、以降では、電子機器110と、電子機器120との間で行われる認証システムについて説明をする。また、電子機器110と、電子機器120は、ネットワーク(Network)を介してデータサーバ137に接続されていることが好ましい。 The copier 120a can communicate with the electronic device 110 via the electronic device 120. Therefore, the copier 120a can use the authentication system of the present embodiment by using the electronic device 120 and the electronic device 110. Therefore, the authentication system performed between the electronic device 110 and the electronic device 120 will be described below. Further, it is preferable that the electronic device 110 and the electronic device 120 are connected to the data server 137 via a network (Network).

電子機器120は、コピー機120aの管理パラメータを管理することができる。表示モジュール132は、データサーバ137に保存されている情報を印刷するための指示を入力することができる。通信モジュール133は電話機能を有している。入力装置134は、外部記憶装置から情報を読み出すことができる。 The electronic device 120 can manage the management parameters of the copier 120a. The display module 132 can input an instruction for printing the information stored in the data server 137. The communication module 133 has a telephone function. The input device 134 can read information from the external storage device.

電子機器110は、通信モジュール111を介して第1の認証コードを送信する。電子機器120は、第1の認証コードを受信すると、電子機器120の表示領域150aに第2の認証コードをFCODEに符号化して表示する。電子機器110は、撮像素子112を用いて、FCODEを撮像し第2の認証コードに復号する。FCODEの解析には電子機器110が有するニューラルネットワークを用いることが好ましい。第1の認証コードと、第2の認証コードを用いて、電子機器110は、電子機器120が認証されたことを電子機器120に通知する。電子機器120は、電子機器110から通知を受けることで、電子機器110からのアクセスを許可する。 The electronic device 110 transmits the first authentication code via the communication module 111. Upon receiving the first authentication code, the electronic device 120 encodes the second authentication code into FCODE and displays it in the display area 150a of the electronic device 120. The electronic device 110 uses the image sensor 112 to take an image of the FCODE and decode it into a second authentication code. It is preferable to use the neural network of the electronic device 110 for the analysis of FCODE. Using the first authentication code and the second authentication code, the electronic device 110 notifies the electronic device 120 that the electronic device 120 has been authenticated. The electronic device 120 permits access from the electronic device 110 by receiving a notification from the electronic device 110.

電子機器110は、GPS機能を有している。電子機器110は、電子機器120から第2の認証コードを取得するときに、電子機器110が有するGPS機能が取得するGPS座標を合わせて識別することができる。電子機器110の登録情報として管理されるGPS座標は、コピー機120aが設置されたときに登録された識別情報として利用することができる。よって、コピー機120aは電子機器110によって管理することができる。したがって、電子機器110を用いない場合は、電子機器120を介してコピー機120aの管理パラメータにアクセスすることが許可されない。よって、FCODEを撮像素子112用いて撮像し、第2の認証コードを復号することでしかアクセスが許可されない認証システムを提供することができる。 The electronic device 110 has a GPS function. When the electronic device 110 acquires the second authentication code from the electronic device 120, the electronic device 110 can also identify the GPS coordinates acquired by the GPS function of the electronic device 110. The GPS coordinates managed as the registration information of the electronic device 110 can be used as the identification information registered when the copier 120a is installed. Therefore, the copier 120a can be managed by the electronic device 110. Therefore, when the electronic device 110 is not used, it is not permitted to access the management parameters of the copying machine 120a through the electronic device 120. Therefore, it is possible to provide an authentication system in which access is permitted only by imaging the FCODE using the image sensor 112 and decoding the second authentication code.

電子機器110は、登録情報の第1の認証コードを第2の認証コードに更新してもよい。常に新しい認証コードを用いることで、電子機器110と、コピー機120aとを関連付けて管理することができる。よってコピー機120aは、電子機器120が生成する最新の第2の認証コードを保存しておくことが好ましい。また、電子機器110は、登録情報を記憶しておくことが好ましい。又は、ネットワークを介してデータサーバ137が、登録情報を管理してもよい。 The electronic device 110 may update the first authentication code of the registration information to the second authentication code. By always using a new authentication code, the electronic device 110 and the copier 120a can be associated and managed. Therefore, it is preferable that the copier 120a stores the latest second authentication code generated by the electronic device 120. Further, it is preferable that the electronic device 110 stores the registration information. Alternatively, the data server 137 may manage the registration information via the network.

電子機器110は、電子機器120へのアクセスが許可されると、電子機器120を介してコピー機120aの機器情報と管理パラメータとにアクセスできるようになる。機器情報には、コピー機120aの製品コード、製造番号、使用期間、メンテナンス履歴情報、トラブル履歴情報などが含まれている。管理パラメータには、コピー機120aの装置コンディション情報、装置コンディション履歴情報、消耗箇所情報、又は正常に動作する規格値から近日中に外れると予測される個所の情報、既に規格値から外れている個所の情報などが含まれている。 When the electronic device 110 is permitted to access the electronic device 120, the electronic device 110 can access the device information and the management parameters of the copying machine 120a via the electronic device 120. The device information includes the product code, serial number, usage period, maintenance history information, trouble history information, and the like of the copier 120a. The management parameters include device condition information of the copier 120a, device condition history information, consumption location information, information on locations that are expected to deviate from the standard values that operate normally in the near future, and locations that have already deviated from the standard values. Information etc. are included.

さらに、電子機器110は、ネットワークを介してデータサーバ137から機器情報であるコピー機120aの構造図面、メンテナンスマニュアル、メンテナンス手順、不良個所へのアクセス手順などの情報をダウンロードし、該情報を表示することができる。電子機器110が有する表示パネル113dには、表示の一例が示されている。 Further, the electronic device 110 downloads information such as a structural drawing of the copy machine 120a, which is device information, a maintenance manual, a maintenance procedure, and an access procedure to a defective portion from the data server 137 via a network, and displays the information. be able to. An example of the display is shown on the display panel 113d included in the electronic device 110.

例えば、表示パネル113dには、表示領域114aに装置パラメータ、表示領域114bに図面ビューワ(Viewer)、表示領域114cにメンテナンス手順、表示領域114dに装置マニュアル、表示領域114eに履歴情報などのカテゴリーが表示されている。表示領域114a乃至表示領域114eに重なる位置に配置されたタッチパネルをタッチすることで、表示領域114fに表示させる内容を選択することができる。 For example, on the display panel 113d, categories such as device parameters are displayed in the display area 114a, a drawing viewer is displayed in the display area 114b, maintenance procedures are displayed in the display area 114c, a device manual is displayed in the display area 114d, and history information is displayed in the display area 114e. Has been done. By touching the touch panel arranged at a position overlapping the display area 114a to the display area 114e, the content to be displayed in the display area 114f can be selected.

図5では、表示領域114fに、撮像素子112が撮像するコピー機120aの画像が表示された例を示している。電子機器110は、コピー機120aの画像に管理パラメータを付加して透視図を作成することができる。よって、表示領域114fには、コピー機120aの透視図が表示される。透視図には、不具合個所114gと、不具合の理由114hとが表示される。図5では、コピー機の紙詰まりの位置が表示された例を示している。ただし、紙詰まりは、紙詰まりが発生しているローラー部の問題ではなく、ローラーに紙を送る紙位置を検出するセンサが劣化していることを明示している。このように、不具合の現象と原因が異なることを管理パラメータから得ることができる。以降では、撮像された画像に管理パラメータを付加して作成する透視図をAR(Augmented Reality)画像と呼ぶ。 FIG. 5 shows an example in which an image of the copying machine 120a imaged by the image pickup device 112 is displayed in the display area 114f. The electronic device 110 can create a perspective view by adding a management parameter to the image of the copying machine 120a. Therefore, a perspective view of the copying machine 120a is displayed in the display area 114f. In the perspective view, the defect portion 114g and the reason for the defect 114h are displayed. FIG. 5 shows an example in which the position of a paper jam in the copier is displayed. However, the paper jam is not a problem of the roller portion where the paper jam is occurring, but it clearly shows that the sensor that detects the position of the paper to feed the paper to the roller is deteriorated. In this way, it is possible to obtain from the management parameters that the phenomenon and the cause of the defect are different. Hereinafter, the perspective view created by adding management parameters to the captured image will be referred to as an AR (Augmented Reality) image.

例えば電子機器のメンテナンスを行うとき、発生している不具合だけでなく、コピー機120aの管理パラメータから、コピー機120aに使用される電子部品などが、劣化の傾向を示していることをAIにより推測し、注意を喚起することができる。劣化の傾向把握は、管理パラメータが有する履歴情報だけでなく、データサーバ137に保存されている情報も利用することができる。したがって、劣化の傾向把握は、他の場所に設置されている製品の管理パラメータを合わせて推測することができる。 For example, when performing maintenance on electronic devices, it is estimated from AI that not only the problems that have occurred but also the electronic components used in the copier 120a show a tendency to deteriorate from the management parameters of the copier 120a. And can call attention. For grasping the tendency of deterioration, not only the history information possessed by the management parameters but also the information stored in the data server 137 can be used. Therefore, the tendency of deterioration can be estimated by combining the management parameters of the products installed in other places.

上記では、FCODEを利用した認証システムがオフィスなどで使用されるコピー機120aの保守、整備に適用された例について説明をした。異なる電子機器又は施設の例として、車両、電車、航空機など安全性が求められる機器、又は精度管理が要求される生産装置、発電施設などでは、高い水準での保守、整備などが求められる。また重要な管理項目である品質の安定性及び機密性の観点から、電子機器へのアクセスが、限定された環境下及び条件下で許可されることが好ましい。したがって、電子機器の認証システムは、第2の認証コードをFCODEに符号化し、撮像素子112用いて撮像し、復号することでしかアクセスが許可されない認証システムであることが好ましい。 In the above, an example in which an authentication system using FCODE is applied to maintenance and maintenance of a copier 120a used in an office or the like has been described. As an example of different electronic devices or facilities, safety-required devices such as vehicles, trains, and aircraft, or production devices and power generation facilities that require quality control, require high-level maintenance and maintenance. Also, from the viewpoint of quality stability and confidentiality, which are important control items, it is preferable that access to electronic devices is permitted under limited environment and conditions. Therefore, it is preferable that the authentication system of the electronic device is an authentication system in which access is permitted only by encoding the second authentication code into FCODE, taking an image using the image sensor 112, and decoding the image.

また、管理パラメータのデータ量が大きい場合でも、FCODEを用いることで短時間に大量のデータを送受信することができる。さらに、FBに階調値による重みを与えることで、さらに大量のデータを扱うことができ、さらにデータの機密性を向上させることができる。 Further, even when the amount of data of the management parameter is large, a large amount of data can be transmitted and received in a short time by using FCODE. Further, by giving the FB a weight according to the gradation value, a larger amount of data can be handled, and the confidentiality of the data can be further improved.

図6は、電子機器110、及びコピー機120aの構成について示す。電子機器110は、通信モジュール111と、撮像素子112と、表示モジュール113と、プロセッサ115と、記憶装置116と、入力装置117とを有している。表示モジュール113は、表示装置113aと、タッチパネル113eとを有している。表示装置113aは、ディスプレイコントローラ113bと、フレームメモリ113cと、表示パネル113dとを有している。 FIG. 6 shows the configurations of the electronic device 110 and the copier 120a. The electronic device 110 includes a communication module 111, an image pickup element 112, a display module 113, a processor 115, a storage device 116, and an input device 117. The display module 113 has a display device 113a and a touch panel 113e. The display device 113a has a display controller 113b, a frame memory 113c, and a display panel 113d.

コピー機120aは、電子機器120と、スキャナ装置131と、表示モジュール132と、通信モジュール133と、入力装置134と、プロセッサ135と、記憶装置136とを有している。電子機器120は、通信モジュール121と、表示モジュール122と、入力装置123と、プロセッサ125と、記憶装置126とを有している。表示モジュール122は、表示装置122aと、タッチパネル122eと、を有している。表示装置122aは、ディスプレイコントローラ122bと、フレームメモリ122cと、表示パネル122dとを有している。表示モジュール132は、表示モジュール122と同じ構成であることが好ましい。入力装置123は、図4(B)で示すような操作スイッチなどであることが好ましい。また入力装置134は、USB接続が可能な不揮発性メモリ、又は、外部より挿入された不揮発性メモリであることが好ましい。 The copier 120a includes an electronic device 120, a scanner device 131, a display module 132, a communication module 133, an input device 134, a processor 135, and a storage device 136. The electronic device 120 includes a communication module 121, a display module 122, an input device 123, a processor 125, and a storage device 126. The display module 122 has a display device 122a and a touch panel 122e. The display device 122a has a display controller 122b, a frame memory 122c, and a display panel 122d. The display module 132 preferably has the same configuration as the display module 122. The input device 123 is preferably an operation switch or the like as shown in FIG. 4 (B). Further, the input device 134 is preferably a non-volatile memory that can be connected via USB, or a non-volatile memory that is inserted from the outside.

データサーバ137は、ネットワーク(Network)を介して通信モジュール111と、通信モジュール133と、通信モジュール121と接続されている。コピー機120aが有するプロセッサ135は、電子機器120が有するプロセッサ125と、データバス、アドレスバスを共有することでデータの送受信をすることができる。また、通信モジュール111と通信モジュール121とは、ネットワークを介さずに直接データの送受信ができることが好ましい。 The data server 137 is connected to the communication module 111, the communication module 133, and the communication module 121 via a network. The processor 135 included in the copier 120a can transmit and receive data by sharing a data bus and an address bus with the processor 125 included in the electronic device 120. Further, it is preferable that the communication module 111 and the communication module 121 can directly transmit and receive data without going through a network.

記憶装置116には、電子機器110を制御するプログラムと、登録情報が保存されていることが好ましい。表示パネル122dが表示するFCODEは、撮像素子112によって撮像される。撮像されたFCODEは電子機器110のプログラムによって第2の認証コードに復号される。第2の認証コードは、プログラムによって記憶装置116に保存されている登録情報と比較、又は更新される。 It is preferable that the storage device 116 stores a program for controlling the electronic device 110 and registration information. The FCODE displayed by the display panel 122d is imaged by the image sensor 112. The imaged FCODE is decoded into a second authentication code by the program of the electronic device 110. The second authentication code is programmatically compared or updated with the registration information stored in the storage device 116.

図7乃至図9を用いて、FCODEに符号化された第2の認証コードを用いた認証システムの処理フローを説明する。コピー機120aは、電子機器120を構成部品の一つとしている。ただし、第2の認証コードは、電子機器120が有する表示パネル122dに表示される。よって、コピー機120aを電子機器120と言い換えて説明する。したがって、図7乃至図9で示す処理フローでは、電子機器110と、電子機器120と、データサーバ137とのインターフェースについて説明をする。 The processing flow of the authentication system using the second authentication code encoded by FCODE will be described with reference to FIGS. 7 to 9. The copier 120a has an electronic device 120 as one of its constituent parts. However, the second authentication code is displayed on the display panel 122d of the electronic device 120. Therefore, the copier 120a will be described by paraphrasing it as an electronic device 120. Therefore, in the processing flow shown in FIGS. 7 to 9, the interface between the electronic device 110, the electronic device 120, and the data server 137 will be described.

図7は、コピー機120aが、新たに設置もしくは登録されたときの処理フローを示している。ST1011は、電子機器110が初期化要求を電子機器120に対して送信するステップである。初期化要求は、電子機器110が有する第1の認証コードを用いて行われる。 FIG. 7 shows a processing flow when the copier 120a is newly installed or registered. ST1011 is a step in which the electronic device 110 transmits an initialization request to the electronic device 120. The initialization request is made using the first authentication code of the electronic device 110.

ST1021は、電子機器120が第1の認証コードを受信することで電子機器110からのアクセスを仮認証するステップである。 ST1021 is a step in which the electronic device 120 temporarily authenticates the access from the electronic device 110 by receiving the first authentication code.

ST1022は、電子機器120が第2の認証コードを生成するステップである。電子機器120は、コピー機120aの機器情報又は管理パラメータなどから第2の認証コードを生成することができる。機器情報には、コピー機120aの製品コード、製造番号などのID情報が含まれていることが好ましい。 ST1022 is a step in which the electronic device 120 generates a second authentication code. The electronic device 120 can generate a second authentication code from the device information of the copier 120a, management parameters, and the like. It is preferable that the device information includes ID information such as a product code and a serial number of the copier 120a.

ST1023は、生成された第2の認証コードをFCODEに符号化し、電子機器120の有する表示パネル122dに表示するステップである。 ST1023 is a step of encoding the generated second authentication code into FCODE and displaying it on the display panel 122d of the electronic device 120.

ST1012は、電子機器120に第1の認証コードを送信後、電子機器110が有するGPS機能によってGPS座標を検出するステップである。電子機器110と電子機器120とは、画像認証が可能な距離内に存在しているため、GPS座標を検出することで、電子機器120の設置されている場所を認識することができる。ただし、GPS座標の検出は、第1の認証コードの送信と同時に行われてもよいし、第1の認証コードの送信前に行われてもよい。 ST1012 is a step of detecting GPS coordinates by the GPS function of the electronic device 110 after transmitting the first authentication code to the electronic device 120. Since the electronic device 110 and the electronic device 120 exist within a distance where image authentication is possible, the location where the electronic device 120 is installed can be recognized by detecting the GPS coordinates. However, the GPS coordinate detection may be performed at the same time as the transmission of the first authentication code, or may be performed before the transmission of the first authentication code.

ST1013は、電子機器120によってFCODEに符号化された第2の認証コードを、電子機器110によって画像認証するステップである。まず、電子機器110が有する撮像素子112は、表示パネル122dに表示されたFCODEを撮像する。次に、撮像されたFCODEは、電子機器110の有するプログラムによって第2の認証コードに復号される。したがって、第2の認証コードは、FCODEを用いて画像認証されたことになる。 ST1013 is a step of image-certifying the second authentication code encoded in the FCODE by the electronic device 120 by the electronic device 110. First, the image sensor 112 included in the electronic device 110 images the FCODE displayed on the display panel 122d. Next, the imaged FCODE is decoded into a second authentication code by the program possessed by the electronic device 110. Therefore, the second authentication code is image-authenticated using FCODE.

ST1014は、電子機器110が復号する第2の認証コードに含まれるID情報を、データサーバ137に送信するステップである。 ST1014 is a step of transmitting the ID information included in the second authentication code to be decrypted by the electronic device 110 to the data server 137.

ST1015は、電子機器110が復号する第2の認証コードに含まれるその他の機器情報及び管理パラメータを、データサーバ137に送信するステップである。 ST1015 is a step of transmitting other device information and management parameters included in the second authentication code decrypted by the electronic device 110 to the data server 137.

ST1016は、ST1012で検出したGPS座標を、データサーバ137に送信するステップである。 ST1016 is a step of transmitting the GPS coordinates detected by ST1012 to the data server 137.

ST1041は、ST1014乃至ST1016においてデータサーバ137に送信された情報を、登録情報として登録するステップである。データサーバ137は、情報を登録すると電子機器110に対し登録完了の通知をする。 ST1041 is a step of registering the information transmitted to the data server 137 in ST1014 to ST1016 as registration information. When the data server 137 registers the information, the data server 137 notifies the electronic device 110 of the completion of the registration.

ST1017は、データサーバ137からの登録完了の通知を受け取ると、機器情報及び管理パラメータを登録情報として登録するステップである。さらに、電子機器110は、電子機器120に対して登録完了の通知をする。第1の認証コードは、第2の認証コードで更新されることが好ましい。 ST1017 is a step of registering the device information and the management parameter as the registration information when the notification of the registration completion is received from the data server 137. Further, the electronic device 110 notifies the electronic device 120 of the completion of registration. The first authentication code is preferably updated with the second authentication code.

ST1024は、電子機器120が有する第1の認証コードをST1022で生成する第2の認証コードで更新するステップである。電子機器120は、登録情報の第1の認証コードを第2の認証コードで更新することで、電子機器120の管理パラメータの機密性が向上する。 ST1024 is a step of updating the first authentication code of the electronic device 120 with the second authentication code generated by ST1022. The electronic device 120 improves the confidentiality of the management parameters of the electronic device 120 by updating the first authentication code of the registration information with the second authentication code.

ST1018は、電子機器110への第1の認証コード及び第2の認証コードの登録が完了するステップである。ST1042は、データサーバ137への第1の認証コード及び第2の認証コードの登録が完了するステップである。ST1025は、コピー機120aの設置が完了するステップである。 ST1018 is a step of completing the registration of the first authentication code and the second authentication code in the electronic device 110. ST1042 is a step of completing the registration of the first authentication code and the second authentication code in the data server 137. ST1025 is a step in which the installation of the copier 120a is completed.

図8に、電子機器110が電子機器120からアクセス許可を得るためのFCODEを用いた認証システムの処理フローを示す。ST1111は、電子機器110が有するGPS機能を用いて、電子機器110のGPS座標を検出するステップである。 FIG. 8 shows a processing flow of an authentication system using FCODE for the electronic device 110 to obtain an access permission from the electronic device 120. ST1111 is a step of detecting the GPS coordinates of the electronic device 110 by using the GPS function of the electronic device 110.

ST1112は、電子機器110が検出したGPS座標をデータサーバ137に送信するステップである。 ST1112 is a step of transmitting the GPS coordinates detected by the electronic device 110 to the data server 137.

ST1141は、電子機器110が検出したGPS座標に一致する電子機器120を検索するステップである。データサーバ137は、GPS座標に一致する登録情報があるとき(Yes)、ST1142に移行する。データサーバ137は、GPS座標に一致する登録情報を見つけられないとき(No)、検索対象がなかったことを、電子機器110に通知し、処理フローを終了する。 ST1141 is a step of searching for an electronic device 120 that matches the GPS coordinates detected by the electronic device 110. The data server 137 shifts to ST1142 when there is registration information matching the GPS coordinates (Yes). When the data server 137 cannot find the registration information matching the GPS coordinates (No), it notifies the electronic device 110 that there is no search target, and ends the processing flow.

ST1142は、データサーバ137がGPS座標に一致する電子機器120を検出すると電子機器110に登録情報である第1の認証コードを送信するステップである。 ST1142 is a step of transmitting a first authentication code, which is registration information, to the electronic device 110 when the data server 137 detects the electronic device 120 matching the GPS coordinates.

ST1113は、電子機器110が電子機器120に対してログイン認証を要求するステップである。 ST1113 is a step in which the electronic device 110 requests login authentication from the electronic device 120.

ST1114は、データサーバ137から受信する第1の認証コードを、電子機器120に対して送信するステップである。 ST1114 is a step of transmitting the first authentication code received from the data server 137 to the electronic device 120.

ST1121は、電子機器110より受信する第1の認証コードを電子機器120に保存されている第2の認証コードと比較するステップである。比較した結果、一致しているとき(Yes)はST1122に移行する。比較した結果、一致しないとき(No)は電子機器110に対し、一致しないことを通知し、処理フローを終了する。 ST1121 is a step of comparing the first authentication code received from the electronic device 110 with the second authentication code stored in the electronic device 120. As a result of comparison, when they match (Yes), the process shifts to ST1122. As a result of the comparison, if they do not match (No), the electronic device 110 is notified that they do not match, and the processing flow ends.

ST1122は、電子機器120が第2の認証コードを生成するステップである。電子機器120は、機器情報又は管理パラメータなどから第2の認証コードを生成することができる。機器情報には、コピー機120aの製品コード、製造番号などの少なくともいずれか一のID情報が含まれている。コピー機120aの管理パラメータには、装置のコンディション履歴などのいずれか一の情報が含まれているため、保存されている第2の認証コードとは異なる特徴を有している。 ST1122 is a step in which the electronic device 120 generates a second authentication code. The electronic device 120 can generate a second authentication code from device information, management parameters, and the like. The device information includes at least one ID information such as a product code and a serial number of the copier 120a. Since the management parameter of the copier 120a includes any one of the information such as the condition history of the apparatus, it has a feature different from that of the stored second authentication code.

ST1123は、生成された第2の認証コードをFCODEに符号化し、電子機器120の有する表示パネル122dに表示するステップである。 ST1123 is a step of encoding the generated second authentication code into FCODE and displaying it on the display panel 122d of the electronic device 120.

ST1115は、電子機器120によってFCODEに符号化された第2の認証コードを、電子機器110の撮像素子112によって画像認証するステップである。 ST1115 is a step of image-certifying the second authentication code encoded in the FCODE by the electronic device 120 by the image sensor 112 of the electronic device 110.

ST1116は、電子機器110が復号する第2の認証コードに含まれるID情報を、ネットワークを介して、データサーバ137に送信するステップである。 ST1116 is a step of transmitting the ID information included in the second authentication code to be decrypted by the electronic device 110 to the data server 137 via the network.

ST1117は、電子機器110が復号する第2の認証コードに含まれるその他の機器情報及び管理パラメータを、ネットワークを介して、データサーバ137に送信するステップである。ST1143は、復号する第2の認証コードに含まれるその他の機器情報及び管理パラメータをデータサーバ137に登録し、電子機器110には登録したことを通知するステップである。 ST1117 is a step of transmitting other device information and management parameters included in the second authentication code decrypted by the electronic device 110 to the data server 137 via the network. ST1143 is a step of registering other device information and management parameters included in the second authentication code to be decrypted in the data server 137 and notifying the electronic device 110 that the registration has been performed.

ST1118は、電子機器110が電子機器120に対してログインすることを通知するステップである。 ST1118 is a step of notifying the electronic device 110 to log in to the electronic device 120.

ST1124は、電子機器120が有する登録情報の第1の認証コードをST1122で生成した第2の認証コードで更新するステップである。電子機器120は、登録情報の第1の認証コードを新しい第2の認証コードとして更新することで、電子機器120の管理パラメータの機密性が向上する。 ST1124 is a step of updating the first authentication code of the registration information possessed by the electronic device 120 with the second authentication code generated by ST1122. The electronic device 120 updates the first authentication code of the registration information as a new second authentication code, thereby improving the confidentiality of the management parameters of the electronic device 120.

ST1125は、電子機器120が、電子機器110からログインされたことを認証するステップである。 ST1125 is a step of authenticating that the electronic device 120 has logged in from the electronic device 110.

ST1119は、電子機器110が電子機器120にログインした状態に移行するステップである。 ST1119 is a step of shifting to a state in which the electronic device 110 is logged in to the electronic device 120.

ST1126は、電子機器120が電子機器110からのアクセスを許可し、電子機器110の要求に応じて、管理パラメータ、機器情報を提供するステップである。 ST1126 is a step in which the electronic device 120 permits access from the electronic device 110 and provides management parameters and device information in response to a request from the electronic device 110.

図9は、電子機器110を利用して電子機器120の保守、及び整備を行う例を処理フローで示す。図9では、既に図8の処理により電子機器120は、電子機器110にログインされた状態である。 FIG. 9 shows an example in which maintenance and maintenance of the electronic device 120 are performed using the electronic device 110 as a processing flow. In FIG. 9, the electronic device 120 is already logged in to the electronic device 110 by the process of FIG.

ST1211は、電子機器110が電子機器120の詳細な機器情報を、ネットワークを介して、データサーバ137にリクエストするステップである。電子機器110が、電子機器120の詳細な機器情報を有しているときは、ST1211、及びST1241乃至ST1243のステップは実行しなくてもよい。 ST1211 is a step in which the electronic device 110 requests the data server 137 for detailed device information of the electronic device 120 via the network. When the electronic device 110 has detailed device information of the electronic device 120, the steps ST1211 and ST1241 to ST1243 may not be executed.

ST1241は、データサーバ137から電子機器110へ機器情報に対応する操作マニュアルをダウンロードするステップである。 ST1241 is a step of downloading an operation manual corresponding to device information from the data server 137 to the electronic device 110.

ST1242は、データサーバ137から電子機器110へ機器情報に対応する構造図面情報をダウンロードするステップである。 ST1242 is a step of downloading the structural drawing information corresponding to the device information from the data server 137 to the electronic device 110.

ST1243は、データサーバ137から電子機器110へトラブルシューティング方法(TSM:Trouble Shooting Method)をダウンロードするステップである。 ST1243 is a step of downloading a troubleshooting method (TSM: Trouble Shooting Method) from the data server 137 to the electronic device 110.

ST1212は、電子機器110が電子機器120に対して最新の管理パラメータに関する情報を要求するステップである。装置コンディション、消耗箇所、又は正常に動作する規格値から近日中に外れると予測される個所、既に規格値から外れている個所などの電子機器のステータスを示す情報を要求する。 ST1212 is a step in which the electronic device 110 requests the electronic device 120 for information on the latest management parameters. Request information indicating the status of electronic devices, such as equipment conditions, consumable parts, or parts that are expected to deviate from the standard values that operate normally in the near future, or parts that have already deviated from the standard values.

ST1221は、電子機器120が、電子機器110のステータス要求に応じて電子機器120のステータス情報を送信するステップである。このときの送信データは、通信モジュール121を介して送信してもよいし、FCODEに符号化して送信してもよい。 ST1221 is a step in which the electronic device 120 transmits the status information of the electronic device 120 in response to the status request of the electronic device 110. The transmission data at this time may be transmitted via the communication module 121, or may be encoded in the FCODE and transmitted.

ST1213は、電子機器110が電子機器120から受信するステータス情報をデータサーバ137に送信するステップである。 ST1213 is a step of transmitting the status information received by the electronic device 110 from the electronic device 120 to the data server 137.

ST1244は、データサーバ137が保存している管理パラメータの中のステータス情報を更新するステップである。データサーバ137は、ステータス情報と共に、電子機器120の管理パラメータと作業履歴を関係付けて保存することができる。 ST1244 is a step of updating the status information in the management parameters stored in the data server 137. The data server 137 can store the management parameters of the electronic device 120 and the work history in association with each other together with the status information.

ST1214は、電子機器110が有する撮像素子112によって、コピー機120aを撮像するステップである。撮像素子112は静止画もしくは動画でコピー機120aを撮像することができる。 ST1214 is a step of photographing the copier 120a by the image pickup element 112 included in the electronic device 110. The image sensor 112 can image the copier 120a as a still image or a moving image.

ST1215は、撮像されたコピー機120aの画像データに、ST1221で取得するステータス情報を合成し、表示パネル113dに表示するステップである。表示パネル113dには、ST1242で取得する構造図面と、ST1214で取得する画像を組み合わせたAR画像を生成することができる。さらに、AR画像には、ST1221で受信するステータス情報により消耗箇所、正常に動作する規格値から近日中に外れると予測される個所、又は既に規格値から外れている個所などの情報を追加して表示することができる。 ST1215 is a step of synthesizing the image data of the captured copier 120a with the status information acquired by ST1221 and displaying the status information on the display panel 113d. On the display panel 113d, it is possible to generate an AR image in which the structural drawing acquired by ST1242 and the image acquired by ST1214 are combined. Furthermore, to the AR image, information such as the consumed part, the part predicted to deviate from the standard value for normal operation in the near future, or the part already deviated from the standard value is added to the AR image according to the status information received by ST1221. Can be displayed.

図5の電子機器110が有する表示パネル113dには、その一例として不具合個所114gと、不具合の理由114hが示されている。調整箇所の部品は小さく、かつ高性能になってきているため、高解像度を有する表示パネル113dでAR画像が表示されることが好ましい。例えば、4K(3840×2160)、8K(7680×4320)、16K(15360×8640)、もしくはそれ以上の画素数を有する表示パネルは、表示する情報量を増やすことができるため好ましい。 The display panel 113d of the electronic device 110 of FIG. 5 shows, as an example, a defective portion 114 g and a reason for the defect 114h. Since the parts to be adjusted are small and have high performance, it is preferable that the AR image is displayed on the display panel 113d having a high resolution. For example, a display panel having 4K (3840 × 2160), 8K (7680 × 4320), 16K (15360 × 8640), or more pixels is preferable because the amount of information to be displayed can be increased.

ST1222は、表示パネル113dに表示されたAR画像を確認することで、コピー機120aのどこに不具合があるかの確認、又は、どこが調整を必要としているかの確認、又は、調整方法の指示の取得などの、少なくともいずれか一を行うステップである。 By confirming the AR image displayed on the display panel 113d, the ST1222 confirms where the problem is in the copier 120a, confirms where the adjustment is required, or obtains an instruction on the adjustment method. It is a step to do at least one of the above.

ST1223は、調整の終了を判断するステップである。調整を再度必要とするとき(No)は、ST1221に移行する。調整が終了している場合(Yes)は、ST1224に移行する。 ST1223 is a step of determining the end of adjustment. When the adjustment is required again (No), the process proceeds to ST1221. If the adjustment is completed (Yes), the process proceeds to ST1224.

ST1224は、電子機器120が電子機器110に対して調整されたステータス情報を送信するステップである。このときの送信データは、通信モジュール121を介して送信してもよいし、FCODEに符号化して送信してもよい。 ST1224 is a step in which the electronic device 120 transmits the adjusted status information to the electronic device 110. The transmission data at this time may be transmitted via the communication module 121, or may be encoded in the FCODE and transmitted.

ST1216は、電子機器110が電子機器120から受信するステータス情報をデータサーバ137に送信するステップである。 ST1216 is a step of transmitting the status information received by the electronic device 110 from the electronic device 120 to the data server 137.

ST1245は、データサーバ137が保存している管理パラメータの中のステータス情報を更新するステップである。データサーバ137は、ステータス情報と共に、電子機器120の管理パラメータと作業履歴とを関係付けて保存することができる。 ST1245 is a step of updating the status information in the management parameters stored in the data server 137. The data server 137 can store the management parameters of the electronic device 120 and the work history in association with each other together with the status information.

ST1217は、電子機器120の調整作業が終了するため、電子機器110が電子機器120からログアウトするための要求を送信するステップである。 ST1217 is a step of transmitting a request for the electronic device 110 to log out from the electronic device 120 because the adjustment work of the electronic device 120 is completed.

ST1218は、電子機器110が電子機器120からログアウトするステップである。 ST1218 is a step in which the electronic device 110 logs out of the electronic device 120.

ST1225は、電子機器120が電子機器110からログアウトされた状態になるステップである。 ST1225 is a step in which the electronic device 120 is in a state of being logged out from the electronic device 110.

ST1226は、電子機器120を介してコピー機120aを利用者が利用できる状態(User Mode)になるステップである。 ST1226 is a step of setting the copying machine 120a into a state (User Mode) that can be used by the user via the electronic device 120.

上記のように、第2の認証コード又は通信データを新規なコード生成方法を用いてFCODEに符号化することができる。よって、第2の認証コードがFCODEに符号化されることで機密性が向上する認証システムを提供することができる。また通信データがFCODEに符号化されることで、機密性の向上と大量データの送信を容易にする通信システムを提供することができる。 As described above, the second authentication code or communication data can be encoded in FCODE using a novel code generation method. Therefore, it is possible to provide an authentication system in which confidentiality is improved by encoding the second authentication code in FCODE. Further, by encoding the communication data in FCODE, it is possible to provide a communication system that improves confidentiality and facilitates transmission of a large amount of data.

図10(A-1)、及び図10(B)に、図4とは異なる構成を有するFCODEを用いた通信システムを示す。図10(A-1)は、基板160a、電子部品161a、基板160b、及び電子部品161bを示している。電子部品161aは、発光素子162を有し、電子部品161bは撮像素子163を有している。基板160a又は基板160bとしては、プリント回路基板又はフレキシブルプリント回路基板のいずれかを用いることができる。 10 (A-1) and 10 (B) show a communication system using an FCODE having a configuration different from that of FIG. FIG. 10A shows a substrate 160a, an electronic component 161a, a substrate 160b, and an electronic component 161b. The electronic component 161a has a light emitting element 162, and the electronic component 161b has an image pickup element 163. As the substrate 160a or the substrate 160b, either a printed circuit board or a flexible printed circuit board can be used.

発光素子162と、撮像素子163とは向かい合う位置に配置され、発光素子162から射出された光は、撮像素子163に入射するための光路を有している。図示はしていないが、発光素子162から射出された光の光路を、他の外光からの影響を遮断するために遮光壁で囲ってもよい。 The light emitting element 162 and the image pickup element 163 are arranged at positions facing each other, and the light emitted from the light emitting element 162 has an optical path for incident on the image pickup element 163. Although not shown, the optical path of the light emitted from the light emitting element 162 may be surrounded by a light-shielding wall in order to block the influence from other external light.

図10(A-2)は、発光素子162が4行4列の16個配置されている例を示している。ただし、発光素子162の数は、限定されない。発光素子162の数は、1以上n以下の任意の数とすることができる。nは2以上の整数である。 FIG. 10A-2 shows an example in which 16 light emitting elements 162 are arranged in 4 rows and 4 columns. However, the number of light emitting elements 162 is not limited. The number of light emitting elements 162 may be any number of 1 or more and n or less. n is an integer of 2 or more.

図10(A-3)は、撮像素子163が4行4列の16個配置されている例を示している。ただし、撮像素子163の数は、限定されない。撮像素子163の数は、1以上n以下の任意の数とすることができる。 FIG. 10 (A-3) shows an example in which 16 image pickup devices 163 are arranged in 4 rows and 4 columns. However, the number of image pickup devices 163 is not limited. The number of image pickup devices 163 can be any number of 1 or more and n or less.

発光素子162としては、OLED(Organic Light Emitting Diode)やLED(Light Emitting Diode)等を利用することができる。例えば表示ディスプレイに実装された電子部品161bに形成された撮像素子163としては、フォトダイオード、光センサ、イメージセンサなどを利用することができる。 As the light emitting element 162, an OLED (Organic Light Emitting Diode), an LED (Light Emitting Diode), or the like can be used. For example, as the image pickup device 163 formed on the electronic component 161b mounted on the display, a photodiode, an optical sensor, an image sensor, or the like can be used.

図10(A-1)で示すように、電子部品間のデータ通信に、光の階調値を用いることで電子部品間の配線を削減することができる。したがって、異なる基板に配置された電子部品間のデータ通信のための配線を設けなくてもよい。よって、配線面積、配線抵抗、配線の寄生容量、信号を送受信するためのバッファなどの電子部品、基板間を電気的に接続するためのコネクタ等を削減することができる。また、配線インピーダンスの調整なども必要としない。電子機器においては、小型化、高密度実装が進み、部品の実装面積と配置スペースとを確保することが難しくなってきている。電子機器が、電子部品間のデータ通信に光の輝度を階調値として用いることで、部品点数の削減、配線面積の削減などを実現することができる。 As shown in FIG. 10A, the wiring between electronic components can be reduced by using the gradation value of light for data communication between electronic components. Therefore, it is not necessary to provide wiring for data communication between electronic components arranged on different boards. Therefore, it is possible to reduce the wiring area, wiring resistance, parasitic capacitance of wiring, electronic components such as buffers for transmitting and receiving signals, connectors for electrically connecting boards, and the like. Moreover, it is not necessary to adjust the wiring impedance. In electronic devices, miniaturization and high-density mounting are progressing, and it is becoming difficult to secure a mounting area and an arrangement space for components. When an electronic device uses the brightness of light as a gradation value for data communication between electronic components, it is possible to reduce the number of components and the wiring area.

図10(B)では、図10(A-1)と異なり撮像素子163が基板160c上に形成されている。基板160cは、ガラス基板、石英基板などの透光性を有する材料で形成された基板であってもよい。異なる例として、表示装置113aは、ディスプレイコントローラ113bと、基板160cに形成された表示パネル113dとを有している。よって、基板160aに実装された電子部品161aが、ディスプレイコントローラ113bとしての機能を有していてもよい。 In FIG. 10B, unlike FIG. 10A, the image pickup device 163 is formed on the substrate 160c. The substrate 160c may be a substrate made of a translucent material such as a glass substrate or a quartz substrate. As a different example, the display device 113a has a display controller 113b and a display panel 113d formed on the substrate 160c. Therefore, the electronic component 161a mounted on the substrate 160a may have a function as the display controller 113b.

ディスプレイコントローラ113bと表示パネル113dとを接続する配線数は、表示の精細度に比例して増大する。基板160c上に形成された撮像素子163を用いることで、ディスプレイコントローラ113bと、表示パネル113dとを接続する配線数を削減することができる。よって、ディスプレイコントローラ113bは、表示パネル113dにフレキシブルプリント回路基板を介して電気的に接続しなくてよくなるため、フレキシブルプリント回路基板を削減することができる。さらに、基板160cに設ける配線等を短くすることができるため、基板サイズを小さくすることができる。したがって、配線面積、配線抵抗、配線の寄生容量といった電気的側面の改善だけでなく、部品コスト、製造コストなどを削減することができる。 The number of wires connecting the display controller 113b and the display panel 113d increases in proportion to the fineness of the display. By using the image pickup device 163 formed on the substrate 160c, the number of wirings connecting the display controller 113b and the display panel 113d can be reduced. Therefore, the display controller 113b does not have to be electrically connected to the display panel 113d via the flexible printed circuit board, so that the number of flexible printed circuit boards can be reduced. Further, since the wiring and the like provided on the substrate 160c can be shortened, the substrate size can be reduced. Therefore, not only the electrical aspects such as the wiring area, the wiring resistance, and the parasitic capacitance of the wiring can be improved, but also the component cost, the manufacturing cost, and the like can be reduced.

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。 As described above, the configuration and method shown in this embodiment can be used in appropriate combination with the configuration and method shown in other embodiments.

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。AR画像を表示するのに適した高精細な表示パネルについて詳細な説明をする。
(Embodiment 2)
In the present embodiment, the display device of one aspect of the present invention will be described. A high-definition display panel suitable for displaying an AR image will be described in detail.

本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列した表示領域(画素部ともいう)を備える表示装置である。画素部には、選択信号が供給される配線(ゲート線、または走査線ともいう)と、画素に書き込む信号(ビデオ信号等ともいう)が供給される配線(ソース線、信号線、データ線等ともいう)が、それぞれ複数設けられる。ここで、ゲート線同士、及びソース線同士は、それぞれ互いに平行に設けられ、ゲート線とソース線とは互いに交差する。 One aspect of the present invention is a display device including a display area (also referred to as a pixel unit) in which a plurality of pixels are arranged in a matrix. Wiring (also referred to as a gate line or scanning line) to which a selection signal is supplied and wiring (source line, signal line, data line, etc.) to which a signal to be written to the pixel (also referred to as a video signal, etc.) are supplied to the pixel portion. Also called), each is provided in multiples. Here, the gate lines and the source lines are provided in parallel with each other, and the gate lines and the source lines intersect with each other.

1つの画素は、少なくとも1つのトランジスタと、1つの表示素子と、を備える。表示素子は画素電極として機能する導電層を有し、当該導電層は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続する。また、トランジスタは、ゲートがゲート線と電気的に接続し、ソース又はドレインの他方がソース線と電気的に接続する。 One pixel comprises at least one transistor and one display element. The display element has a conductive layer that functions as a pixel electrode, and the conductive layer is electrically connected to either the source or the drain of the transistor. Also, in a transistor, the gate is electrically connected to the gate line, and the other of the source or drain is electrically connected to the source line.

ここで、ゲート線の延伸方向を行方向又は第1の方向とし、ソース線の延伸方向を列方向又は第2の方向と呼ぶこととする。 Here, the extending direction of the gate line is referred to as the row direction or the first direction, and the extending direction of the source line is referred to as the column direction or the second direction.

ここで、隣接する2本以上のゲート線には、同じ選択信号が供給されることが好ましい。すなわち、これらゲート線の選択期間が同一となることが好ましい。ここでは3本のゲート線を一組にした例を用いて説明をする。ただし、ゲート線の選択期間が同一となるゲート線の数は、ゲート線3本一組に限定されず、ゲート線4本一組にしてもよい。また、それ以上の本数のゲート線を一組にしてもよい。 Here, it is preferable that the same selection signal is supplied to two or more adjacent gate lines. That is, it is preferable that the selection periods of these gate lines are the same. Here, an example of a set of three gate lines will be used for explanation. However, the number of gate lines having the same gate line selection period is not limited to a set of three gate lines, and may be a set of four gate lines. Further, a set of more gate lines may be used.

3本のゲート線に同じ選択信号が供給される場合、列方向に隣接する3つの画素が同時に選択される。そのため、これら3つの画素には、それぞれ異なるソース線を接続する構成とする。すなわち、列ごとに3本のソース線が配列した構成とする。 When the same selection signal is supplied to the three gate lines, three pixels adjacent to each other in the column direction are selected at the same time. Therefore, different source lines are connected to each of these three pixels. That is, the configuration is such that three source lines are arranged for each column.

ここで3本のソース線のうち、内側に位置するソース線を、画素電極として機能する導電層と重ねて配置することが好ましい。これにより、画素電極間の距離を小さくすることができる。 Here, it is preferable that the source line located inside out of the three source lines is arranged so as to overlap with the conductive layer that functions as the pixel electrode. As a result, the distance between the pixel electrodes can be reduced.

さらに、3本のソース線のうち、外側に位置するソース線と、内側に位置するソース線との間に、トランジスタの半導体層の一部が設けられる構成とすることが好ましい。例えば第1乃至第3のソース線がこの順で配列する場合、第1のソース線と接続するトランジスタ及び第2のソース線と接続するトランジスタの半導体層の一部が、第1のソース線と第2のソース線の間に位置する構成とする。さらに、第3のソース線と接続するトランジスタの半導体層の一部が、第2のソース線と第3のソース線の間に位置する構成とする。これにより、各ソース線と各半導体層との間のノードが、他のソース線と交差しない構成とすることができる。そのため、ソース線間の寄生容量を低減することができる。 Further, it is preferable that a part of the semiconductor layer of the transistor is provided between the source line located on the outer side and the source line located on the inner side of the three source lines. For example, when the first to third source lines are arranged in this order, a part of the semiconductor layer of the transistor connected to the first source line and the transistor connected to the second source line is the first source line. The configuration is located between the second source lines. Further, a part of the semiconductor layer of the transistor connected to the third source line is configured to be located between the second source line and the third source line. As a result, the node between each source line and each semiconductor layer can be configured so as not to intersect with other source lines. Therefore, the parasitic capacitance between the source lines can be reduced.

このような構成とすることで、一水平期間を従来よりも長くすることができる。例えば3本のゲート線に同じ選択信号が供給される場合では、一水平期間の長さを3倍にすることができる。さらに、ソース線間の寄生容量を低減できるため、ソース線の負荷を低減することができる。これにより、解像度が4Kや8Kなどといった極めて高解像度の表示装置であっても、電界効果移動度の低いトランジスタを用いて動作させることが可能となる。また、画面サイズが対角50インチ以上、対角60インチ以上、又は対角70インチ以上の大型の表示装置にも適用することが可能となる。 With such a configuration, the horizontal period can be made longer than before. For example, when the same selection signal is supplied to three gate lines, the length of one horizontal period can be tripled. Further, since the parasitic capacitance between the source lines can be reduced, the load on the source lines can be reduced. This makes it possible to operate a display device having an extremely high resolution such as 4K or 8K by using a transistor having a low field effect mobility. Further, it can be applied to a large display device having a screen size of 50 inches or more diagonally, 60 inches or more diagonally, or 70 inches or more diagonally.

以下では、表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a more specific example of the display device will be described with reference to the drawings.

[表示装置の構成例]
図11に、本発明の一態様の表示装置1100のブロック図を示している。表示装置1100は、画素領域(Pixel Area、表示領域)と、ソースドライバ(Source Driver IC)と、ゲートドライバ(Gate Driver)と、を備える。
[Display device configuration example]
FIG. 11 shows a block diagram of the display device 1100 according to one aspect of the present invention. The display device 1100 includes a pixel area (Pixel Area, display area), a source driver (Source Driver IC), and a gate driver (Gate Driver).

図11では、画素領域を挟んで2つのゲートドライバを有する例を示している。これら2つのゲートドライバには、複数のゲート線GLが接続される。図11には、i番目のゲート線GL(i)を示している。ゲート線GL(i)は、3本のゲート線(ゲート線GL(i)、ゲート線GL(i+1)、ゲート線GL(i+2))と電気的に接続されている例を示している。したがって、これら3本のゲート線には同じ選択信号が与えられる。FIG. 11 shows an example of having two gate drivers across a pixel area. A plurality of gate lines GL 0 are connected to these two gate drivers. FIG. 11 shows the i-th gate line GL 0 (i). The gate line GL 0 (i) shows an example of being electrically connected to three gate lines (gate line GL (i), gate line GL (i + 1), and gate line GL (i + 2)). Therefore, the same selection signal is given to these three gate lines.

ソースドライバには、複数のソース線が接続される。ソース線は1つの画素列に対して3本設けられている。図11では、j番目の画素列に対応する3本のソース線(ソース線SL(j)、ソース線SL(j)、ソース線SL(j))と、j+1番目の画素列に対応する3本のソース線(ソース線SL(j+1)、ソース線SL(j+1)、ソース線SL(j+1))を示している。Multiple source lines are connected to the source driver. Three source lines are provided for one pixel row. In FIG. 11, the three source lines (source line SL 1 (j), source line SL 2 (j), source line SL 3 (j)) corresponding to the j-th pixel string and the j + 1th pixel string are shown. The corresponding three source lines (source line SL 1 (j + 1), source line SL 2 (j + 1), source line SL 3 (j + 1)) are shown.

1つの画素は、少なくとも1つのトランジスタと、表示素子の画素電極として機能する1つの導電層21を有する。画素は1つの色に対応する画素である。したがって、複数の画素が呈する光の混色を利用してカラー表示を行う場合には、画素を副画素とも呼ぶことができる。 One pixel has at least one transistor and one conductive layer 21 that functions as a pixel electrode of the display element. A pixel is a pixel corresponding to one color. Therefore, when color display is performed by utilizing the color mixing of light exhibited by a plurality of pixels, the pixels can also be referred to as sub-pixels.

また、列方向に配列する複数の画素は、それぞれ同じ色を呈する画素であることが好ましい。表示素子として液晶素子を用いる場合には、列方向に配列する画素には、液晶素子と重ねて同じ色の光を透過する着色層を設ける構成とする。 Further, it is preferable that the plurality of pixels arranged in the column direction are pixels having the same color. When a liquid crystal element is used as the display element, the pixels arranged in the column direction are provided with a colored layer that is superimposed on the liquid crystal element and transmits light of the same color.

ここで、1つの画素列に対応する3本のソース線のうち、内側に位置するソース線(ソース線SL(j))の一部が、導電層21と重畳することが好ましい。さらに、ソース線SL(j)を、他のソース線と離間して導電層21の中央部に配置することが好ましい。例えば、ソース線SL(j)とソース線SL(j)の間隔と、ソース線SL(j)とソース線SL(j)の間隔とが、概略等間隔になるように配置することが好ましい。これにより、より効果的にソース線間に生じる寄生容量を低減し、ソース線1本当たりの負荷を低減することができる。Here, it is preferable that a part of the source line (source line SL 2 (j)) located inside is superimposed on the conductive layer 21 among the three source lines corresponding to one pixel row. Further, it is preferable to arrange the source line SL 2 (j) in the central portion of the conductive layer 21 so as to be separated from other source lines. For example, the distance between the source line SL 1 (j) and the source line SL 2 (j) and the distance between the source line SL 2 (j) and the source line SL 3 (j) are arranged so as to be approximately equal intervals. Is preferable. This makes it possible to more effectively reduce the parasitic capacitance generated between the source lines and reduce the load per source line.

ここで、電界効果移動度を高めることが困難なアモルファスシリコンなどを用いたトランジスタを適用する際、高解像度化を実現する方法として、表示装置の表示領域を複数の画素領域に分割して駆動する方法が挙げられる。しかし上記方法の場合、駆動回路の特性ばらつきなどにより、分割された画素領域の境界部が視認されてしまい、視認性が低下してしまう場合がある。また、入力される画像データを、あらかじめ分割するための画像処理などが必要となり、高速且つ大規模な画像処理装置が必要になる。 Here, when applying a transistor using amorphous silicon or the like, which is difficult to increase the mobility of the electric field effect, the display area of the display device is divided into a plurality of pixel areas and driven as a method of achieving high resolution. The method can be mentioned. However, in the case of the above method, the boundary portion of the divided pixel region may be visually recognized due to variations in the characteristics of the drive circuit, and the visibility may be deteriorated. Further, image processing for dividing the input image data in advance is required, and a high-speed and large-scale image processing device is required.

一方、本発明の一態様の表示装置は、電界効果移動度が比較的低いトランジスタを用いた場合であっても、表示領域を分割することなく駆動することが可能となる。 On the other hand, the display device according to one aspect of the present invention can be driven without dividing the display area even when a transistor having a relatively low field effect mobility is used.

図11では、画素領域の一方の辺に沿ってソースドライバを配置した例を示したが、図12のように、画素領域(Pixel Area)の対向する2辺に沿って、画素領域を挟むようにソースドライバを配置してもよい。また、図12のように画素領域を挟むようにゲートドライバ(Gate Driver)を配置してもよい。 FIG. 11 shows an example in which the source driver is arranged along one side of the pixel area, but as shown in FIG. 12, the pixel area is sandwiched along two opposite sides of the pixel area (Pixel Area). The source driver may be placed in. Further, as shown in FIG. 12, a gate driver (Gate Driver) may be arranged so as to sandwich the pixel area.

図12では、画素領域に設けられる複数のソース線のうち、奇数番目と接続するソースドライバIC(Source Driver IC)と、偶数番目と接続するソースドライバIC(Source Driver IC)とを、それぞれ対向して配置した例を示している。すなわち、列方向に配列する複数のソース線は、交互に異なるソースドライバICと接続する構成とする。図12では、ソース線SL(j)及びソース線SL(j)が上側に位置するソースドライバICと接続し、ソース線SL(j)が下側に位置するソースドライバICと接続する例を示している。このような構成とすることで、大型の表示装置であっても配線抵抗に起因した電位降下に伴う表示ムラを軽減することができる。また、図12の構成とすることにより、図11の構成に比べてソースドライバICを配置する面積が大きくできるため、隣接する2つのソースドライバICの間の距離を大きくでき、生産歩留りを向上させることができる。In FIG. 12, of the plurality of source lines provided in the pixel area, the source driver IC (Source Driver IC) connected to the odd-numbered number and the source driver IC (Source Driver IC) connected to the even-numbered number are opposed to each other. An example of the arrangement is shown. That is, the plurality of source lines arranged in the column direction are configured to be connected to different source driver ICs alternately. In FIG. 12, the source line SL 1 (j) and the source line SL 3 (j) are connected to the source driver IC located on the upper side, and the source line SL 2 (j) is connected to the source driver IC located on the lower side. An example is shown. With such a configuration, it is possible to reduce display unevenness due to potential drop due to wiring resistance even in a large display device. Further, by adopting the configuration of FIG. 12, since the area for arranging the source driver IC can be increased as compared with the configuration of FIG. 11, the distance between two adjacent source driver ICs can be increased, and the production yield can be improved. be able to.

[画素の構成例]
以下では、表示装置1100の画素領域に配置される画素の構成例について説明する。
[Pixel configuration example]
Hereinafter, a configuration example of pixels arranged in the pixel area of the display device 1100 will be described.

図13(A)には、列方向に配列する3つの画素を含む回路図を示している。 FIG. 13A shows a circuit diagram including three pixels arranged in the column direction.

1つの画素は、トランジスタ30と、液晶素子20と、容量素子60と、を有する。 One pixel has a transistor 30, a liquid crystal element 20, and a capacitive element 60.

配線S1乃至S3は、それぞれソース線に対応し、配線G1乃至G3は、それぞれゲート線に対応する。また配線CSは容量素子60の一方の電極と電気的に接続され、所定の電位が与えられる。 The wirings S1 to S3 correspond to the source line, and the wirings G1 to G3 correspond to the gate line, respectively. Further, the wiring CS is electrically connected to one of the electrodes of the capacitive element 60, and a predetermined potential is given.

画素は、配線S1乃至S3のいずれか1本、及び配線G1乃至G3のいずれか一本と電気的に接続される。一例として、配線S1及び配線G1と接続される画素について説明する。トランジスタ30は、ゲートが配線G1と電気的に接続し、ソース又はドレインの一方が配線S1と電気的に接続し、他方が容量素子60の他方の電極、及び液晶素子20の一方の電極(画素電極)と電気的に接続する。容量素子60の一方の電極には、共通電位が供給される。 The pixel is electrically connected to any one of the wirings S1 to S3 and any one of the wirings G1 to G3. As an example, the pixels connected to the wiring S1 and the wiring G1 will be described. In the transistor 30, the gate is electrically connected to the wiring G1, one of the source and the drain is electrically connected to the wiring S1, the other is the other electrode of the capacitive element 60, and one electrode (pixel) of the liquid crystal element 20. Electrically connected to the electrode). A common potential is supplied to one of the electrodes of the capacitive element 60.

図13(B)に、配線S1及び配線G1と接続される画素のレイアウトの例を示している。 FIG. 13B shows an example of the layout of the pixels connected to the wiring S1 and the wiring G1.

図13(B)に示すように、行方向(横方向)に配線G1及び配線CSが延在し、列方向(縦方向)に配線S1乃至S3が延在している。 As shown in FIG. 13B, the wiring G1 and the wiring CS extend in the row direction (horizontal direction), and the wirings S1 to S3 extend in the column direction (vertical direction).

またトランジスタ30において、配線G1上に半導体層32が設けられ、配線G1の一部がゲート電極として機能する。また配線S1の一部がソース電極又はドレイン電極の一方として機能する。半導体層32は、配線S1と配線S2の間に位置する領域を有する。 Further, in the transistor 30, a semiconductor layer 32 is provided on the wiring G1, and a part of the wiring G1 functions as a gate electrode. Further, a part of the wiring S1 functions as one of the source electrode and the drain electrode. The semiconductor layer 32 has a region located between the wiring S1 and the wiring S2.

トランジスタ30のソース電極又はドレイン電極の他方と、画素電極として機能する導電層21とは、接続部38を介して電気的に接続されている。また、導電層21と重なる位置に、着色層41が設けられている。 The other of the source electrode or the drain electrode of the transistor 30 and the conductive layer 21 functioning as a pixel electrode are electrically connected via a connecting portion 38. Further, the colored layer 41 is provided at a position overlapping with the conductive layer 21.

また、導電層21は、配線S2と重なる部分を有する。また、導電層21は、両端に位置する配線S1及び配線S3と重畳しないことが好ましい。これにより、配線S1及び配線S3の寄生容量を低減できる。 Further, the conductive layer 21 has a portion that overlaps with the wiring S2. Further, it is preferable that the conductive layer 21 does not overlap with the wiring S1 and the wiring S3 located at both ends. Thereby, the parasitic capacitance of the wiring S1 and the wiring S3 can be reduced.

ここで、配線S1と配線S2の距離を距離D1、配線S2と配線S3の距離を距離D2としたとき、距離D1と距離D2とを概略等しくすることが好ましい。例えば、距離D1に対する距離D2の比(すなわちD2/D1の値)を、0.8以上1.2以下、好ましくは0.9以上1.1以下とすることが好ましい。これにより、配線S1と配線S2との間の寄生容量、及び配線S2と配線S3との間の寄生容量を低減できる。 Here, when the distance between the wiring S1 and the wiring S2 is the distance D1 and the distance between the wiring S2 and the wiring S3 is the distance D2, it is preferable that the distance D1 and the distance D2 are substantially equal. For example, the ratio of the distance D2 to the distance D1 (that is, the value of D2 / D1) is preferably 0.8 or more and 1.2 or less, preferably 0.9 or more and 1.1 or less. As a result, the parasitic capacitance between the wiring S1 and the wiring S2 and the parasitic capacitance between the wiring S2 and the wiring S3 can be reduced.

また、配線間距離を大きくすることで、作製工程中において配線間にゴミなどが付着した場合に、洗浄により除去しやすくなるため、歩留りを向上させることができる。洗浄方法として、ライン洗浄装置を用いる場合には、配線S1等の延伸方向に沿って基板を移動させながら洗浄すると、よりゴミを除去しやすくなるため好ましい。 Further, by increasing the distance between the wirings, if dust or the like adheres between the wirings during the manufacturing process, it can be easily removed by cleaning, so that the yield can be improved. When a line cleaning device is used as the cleaning method, it is preferable to perform cleaning while moving the substrate along the stretching direction of the wiring S1 or the like because it becomes easier to remove dust.

また、図13(B)において、配線S1乃至S3の一部、及び配線CSの一部に、他の部分よりも太い部分を有する。これにより、配線抵抗を小さくできる。 Further, in FIG. 13B, a part of the wirings S1 to S3 and a part of the wiring CS have a portion thicker than the other parts. As a result, the wiring resistance can be reduced.

図13(C)、(D)にはそれぞれ、配線G2及び配線G3と接続する画素のレイアウトの例を示している。 13 (C) and 13 (D) show an example of the layout of the pixels connected to the wiring G2 and the wiring G3, respectively.

図13(C)において、配線G2上に設けられる半導体層32は、配線S2と電気的に接続され、且つ、配線S1と配線S2の間に位置する領域を有する。 In FIG. 13C, the semiconductor layer 32 provided on the wiring G2 is electrically connected to the wiring S2 and has a region located between the wiring S1 and the wiring S2.

また、図13(D)において、配線G3上に設けられる半導体層32は、配線S3と電気的に接続され、且つ、配線S2と配線S3の間に位置する領域を有する。 Further, in FIG. 13D, the semiconductor layer 32 provided on the wiring G3 is electrically connected to the wiring S3 and has a region located between the wiring S2 and the wiring S3.

また、図13(B)、(C)、(D)に示すそれぞれの画素は、同じ色を呈する画素であることが好ましい。導電層21と重なる領域に、同じ色の光を透過する着色層41を重ねて配置することができる。また、列方向に隣接する画素は、図13(B)、(C)、(D)と同じ構成とすることができるが、着色層41のみ異なる色を透過する着色層とする。 Further, it is preferable that each of the pixels shown in FIGS. 13 (B), 13 (C), and (D) is a pixel exhibiting the same color. A colored layer 41 that transmits light of the same color can be superimposed and arranged in a region that overlaps with the conductive layer 21. Further, the pixels adjacent to each other in the column direction may have the same configuration as in FIGS. 13 (B), (C), and (D), but only the colored layer 41 is a colored layer that transmits a different color.

[断面構成例]
以下では、表示装置の断面構成の一例について説明する。
[Cross section configuration example]
Hereinafter, an example of the cross-sectional configuration of the display device will be described.

〔断面構成例1〕
図14に、図13(B)中の切断線A1-A2に対応する断面の一例を示す。ここでは、表示素子として透過型の液晶素子20を適用した場合の例を示している。図14において、基板12側が表示面側となる。
[Cross-section configuration example 1]
FIG. 14 shows an example of a cross section corresponding to the cutting lines A1-A2 in FIG. 13 (B). Here, an example in which a transmissive liquid crystal element 20 is applied as the display element is shown. In FIG. 14, the substrate 12 side is the display surface side.

表示装置1100は、基板11と基板12との間に液晶22が挟持された構成を有している。液晶素子20は、基板11側に設けられた導電層21と、基板12側に設けられた導電層23と、これらに挟持された液晶22と、を有する。また、液晶22と導電層21との間に配向膜24aが設けられ、液晶22と導電層23との間に配向膜24bが設けられている。 The display device 1100 has a configuration in which the liquid crystal 22 is sandwiched between the substrate 11 and the substrate 12. The liquid crystal element 20 has a conductive layer 21 provided on the substrate 11 side, a conductive layer 23 provided on the substrate 12 side, and a liquid crystal 22 sandwiched between them. Further, an alignment film 24a is provided between the liquid crystal 22 and the conductive layer 21, and an alignment film 24b is provided between the liquid crystal 22 and the conductive layer 23.

導電層21は、画素電極として機能する。また導電層23は、共通電極などとして機能する。また導電層21と導電層23は、いずれも可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子20は、透過型の液晶素子である。 The conductive layer 21 functions as a pixel electrode. Further, the conductive layer 23 functions as a common electrode or the like. Further, both the conductive layer 21 and the conductive layer 23 have a function of transmitting visible light. Therefore, the liquid crystal element 20 is a transmissive liquid crystal element.

基板12の基板11側の面には、着色層41と、遮光層42が設けられている。着色層41と遮光層42を覆って絶縁層26が設けられ、絶縁層26を覆って導電層23が設けられている。また着色層41は、導電層21と重なる領域に設けられている。遮光層42は、トランジスタ30や接続部38を覆って設けられている。 A colored layer 41 and a light-shielding layer 42 are provided on the surface of the substrate 12 on the substrate 11 side. The insulating layer 26 is provided so as to cover the colored layer 41 and the light-shielding layer 42, and the conductive layer 23 is provided so as to cover the insulating layer 26. Further, the colored layer 41 is provided in a region overlapping the conductive layer 21. The light-shielding layer 42 is provided so as to cover the transistor 30 and the connection portion 38.

基板11よりも外側には偏光板39aが配置され、基板12よりも外側には偏光板39bが配置されている。さらに、偏光板39aよりも外側に、バックライトユニット90が設けられている。 The polarizing plate 39a is arranged outside the substrate 11, and the polarizing plate 39b is arranged outside the substrate 12. Further, a backlight unit 90 is provided outside the polarizing plate 39a.

基板11上にトランジスタ30、容量素子60等が設けられている。トランジスタ30は、画素の選択トランジスタとして機能する。トランジスタ30は、接続部38を介して液晶素子20と電気的に接続されている。 A transistor 30, a capacitive element 60, and the like are provided on the substrate 11. The transistor 30 functions as a pixel selection transistor. The transistor 30 is electrically connected to the liquid crystal element 20 via the connecting portion 38.

図14に示すトランジスタ30は、いわゆるボトムゲート・チャネルエッチ構造のトランジスタである。トランジスタ30は、ゲート電極として機能する導電層31と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層34と、半導体層32と、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体層35と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の導電層33a及び導電層33bと、を有する。半導体層32の、導電層31と重畳する部分は、チャネル領域として機能する。半導体層32と不純物半導体層35とは接して設けられ、不純物半導体層35と導電層33a又は導電層33bとは接して設けられる。 The transistor 30 shown in FIG. 14 is a transistor having a so-called bottom gate channel etch structure. The transistor 30 includes a conductive layer 31 that functions as a gate electrode, an insulating layer 34 that functions as a gate insulating layer, a semiconductor layer 32, a pair of impurity semiconductor layers 35 that function as a source region and a drain region, and a source electrode and a drain. It has a pair of conductive layers 33a and a conductive layer 33b that function as electrodes. The portion of the semiconductor layer 32 that overlaps with the conductive layer 31 functions as a channel region. The semiconductor layer 32 and the impurity semiconductor layer 35 are provided in contact with each other, and the impurity semiconductor layer 35 and the conductive layer 33a or the conductive layer 33b are provided in contact with each other.

なお、導電層31は、図13(B)における配線G1の一部に対応し、導電層33aは、配線S1の一部に対応する。また、後述する導電層31a、導電層33c、導電層33dはそれぞれ、配線CS、配線S2、配線S3に対応する。 The conductive layer 31 corresponds to a part of the wiring G1 in FIG. 13B, and the conductive layer 33a corresponds to a part of the wiring S1. Further, the conductive layer 31a, the conductive layer 33c, and the conductive layer 33d, which will be described later, correspond to the wiring CS, the wiring S2, and the wiring S3, respectively.

半導体層32には、シリコンを含む半導体を用いることが好ましい。例えば、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、又は多結晶シリコン等を用いることができる。特に、アモルファスシリコンを用いると、大型の基板上に歩留り良く形成できるため好ましい。本発明の一態様の表示装置は、電界効果移動度が比較的低いアモルファスシリコンが適用されたトランジスタであっても、良好な表示が可能である。アモルファスシリコンを用いる場合には、水素によりダングリングボンドの終端を図った水素化アモルファスシリコン(a-Si:Hと表記する場合がある)を用いることが好ましい。 It is preferable to use a semiconductor containing silicon for the semiconductor layer 32. For example, amorphous silicon, microcrystalline silicon, polycrystalline silicon, or the like can be used. In particular, it is preferable to use amorphous silicon because it can be formed on a large substrate with good yield. The display device of one aspect of the present invention can display well even if it is a transistor to which amorphous silicon having a relatively low field effect mobility is applied. When amorphous silicon is used, it is preferable to use hydrided amorphous silicon (a—Si: may be referred to as H) in which dangling bonds are terminated by hydrogen.

不純物半導体層35を構成する不純物半導体膜は、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体により形成する。トランジスタがn型である場合には、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体として、例えば、P又はAsを添加したシリコンが挙げられる。又は、トランジスタがp型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えばBを添加することも可能であるが、トランジスタはn型とすることが好ましい。なお、不純物半導体層35は、非晶質半導体により形成してもよいし、微結晶半導体などの結晶性半導体により形成してもよい。 The impurity semiconductor film constituting the impurity semiconductor layer 35 is formed of a semiconductor to which an impurity element that imparts a conductive type is added. When the transistor is n-type, examples of the semiconductor to which an impurity element that imparts a conductive type is added include silicon to which P or As is added. Alternatively, when the transistor is p-type, it is possible to add, for example, B as an impurity element that imparts one conductive type, but it is preferable that the transistor is n-type. The impurity semiconductor layer 35 may be formed of an amorphous semiconductor or a crystalline semiconductor such as a microcrystalline semiconductor.

容量素子60は、導電層31aと、絶縁層34と、導電層33bにより構成されている。また、導電層31a上には、絶縁層34を介して導電層33c及び導電層33dがそれぞれ設けられている。 The capacitive element 60 is composed of a conductive layer 31a, an insulating layer 34, and a conductive layer 33b. Further, on the conductive layer 31a, a conductive layer 33c and a conductive layer 33d are provided via an insulating layer 34, respectively.

トランジスタ30等を覆って、絶縁層82と絶縁層81が積層して設けられている。画素電極として機能する導電層21は絶縁層81上に設けられている。また接続部38において、絶縁層81及び絶縁層82に設けられた開口を介して、導電層21と導電層33bとが電気的に接続されている。絶縁層81は、平坦化層として機能することが好ましい。また絶縁層82は、トランジスタ30等へ不純物等が拡散することを抑制する保護膜としての機能を有することが好ましい。例えば、絶縁層82に無機絶縁材料を用い、絶縁層81に有機絶縁材料を用いることができる。 The insulating layer 82 and the insulating layer 81 are laminated and provided so as to cover the transistor 30 and the like. The conductive layer 21 that functions as a pixel electrode is provided on the insulating layer 81. Further, in the connecting portion 38, the conductive layer 21 and the conductive layer 33b are electrically connected to each other through the openings provided in the insulating layer 81 and the insulating layer 82. The insulating layer 81 preferably functions as a flattening layer. Further, the insulating layer 82 preferably has a function as a protective film for suppressing the diffusion of impurities and the like to the transistor 30 and the like. For example, an inorganic insulating material can be used for the insulating layer 82, and an organic insulating material can be used for the insulating layer 81.

〔断面構成例2〕
上記では、液晶素子として、液晶を挟む一対の電極が上下に配置された、縦電界方式の液晶素子の例を示しているが、液晶素子の構成はこれに限られず、様々な方式の液晶素子を適用することができる。
[Cross-section configuration example 2]
In the above, an example of a vertical electric field type liquid crystal element in which a pair of electrodes sandwiching the liquid crystal are arranged one above the other as the liquid crystal element is shown, but the configuration of the liquid crystal element is not limited to this, and various types of liquid crystal elements are shown. Can be applied.

図15には、FFS(Fringe Field Switching)モードが適用された液晶素子を有する表示装置の断面概略図を示す。 FIG. 15 shows a schematic cross-sectional view of a display device having a liquid crystal element to which an FFS (Fringe Field Switching) mode is applied.

液晶素子20は、画素電極として機能する導電層21と、導電層21と絶縁層83を介して重なる導電層23と、を有する。導電層23は、スリット状又は櫛歯状の上面形状を有している。 The liquid crystal element 20 has a conductive layer 21 that functions as a pixel electrode, and a conductive layer 23 that overlaps the conductive layer 21 via an insulating layer 83. The conductive layer 23 has a slit-shaped or comb-shaped upper surface shape.

また、この構成では、導電層21と導電層23とが重なる部分に容量が形成され、これを容量素子60として用いることができる。そのため、画素の占有面積を縮小できるため、高精細な表示装置を実現できる。また、開口率を向上させることができる。 Further, in this configuration, a capacitance is formed in a portion where the conductive layer 21 and the conductive layer 23 overlap, and this can be used as the capacitive element 60. Therefore, since the occupied area of the pixels can be reduced, a high-definition display device can be realized. In addition, the aperture ratio can be improved.

ここで、表示装置を作製する際、作製工程におけるフォトリソグラフィ工程が少ないほど、すなわちフォトマスクのマスク枚数が少ないほど、作製コストを低くすることができる。 Here, when manufacturing a display device, the smaller the number of photolithography steps in the manufacturing process, that is, the smaller the number of masks in the photomask, the lower the manufacturing cost can be.

例えば図14に示す構成では、基板11側の工程のうち、導電層31等の形成工程、半導体層32及び不純物半導体層35の形成工程、導電層33a等の形成工程、接続部38となる開口部の形成工程、及び導電層21の形成工程の、計5つのフォトリソグラフィ工程を経ることで作製できる。すなわち、5枚のフォトマスクにより、バックプレーン基板を作製することができる。一方、基板12(対向基板)側においては、着色層41や遮光層42の形成方法として、インクジェット法又はスクリーン印刷法等を用いると、フォトマスクが不要となるため好ましい。例えば、3色の着色層41と、遮光層42を設けた場合には、これらをフォトリソグラフィ法で形成した場合に比べて、計4つのフォトマスクを削減することができる。 For example, in the configuration shown in FIG. 14, among the steps on the substrate 11 side, a step of forming the conductive layer 31 and the like, a step of forming the semiconductor layer 32 and the impurity semiconductor layer 35, a step of forming the conductive layer 33a and the like, and an opening serving as the connection portion 38. It can be manufactured by going through a total of five photolithography steps, that is, a step of forming a portion and a step of forming a conductive layer 21. That is, a backplane substrate can be manufactured by using five photomasks. On the other hand, on the substrate 12 (opposite substrate) side, it is preferable to use an inkjet method, a screen printing method, or the like as a method for forming the colored layer 41 and the light-shielding layer 42 because a photomask becomes unnecessary. For example, when the three-color colored layer 41 and the light-shielding layer 42 are provided, a total of four photomasks can be reduced as compared with the case where these are formed by a photolithography method.

以上が断面構成例についての説明である。 The above is the description of the cross-sectional configuration example.

〔トランジスタの構成について〕
以下では、上記とは異なるトランジスタの構成の例について説明する。
[Transistor configuration]
In the following, an example of a transistor configuration different from the above will be described.

図16(A)に示すトランジスタは、半導体層32と不純物半導体層35の間に、半導体層37を有する。 The transistor shown in FIG. 16A has a semiconductor layer 37 between the semiconductor layer 32 and the impurity semiconductor layer 35.

半導体層37は、半導体層32と同様の半導体膜により形成されていてもよい。半導体層37は、不純物半導体層35のエッチングの際に、半導体層32がエッチングにより消失することを防ぐためのエッチングストッパーとして機能させることができる。なお、図16(A)において、半導体層37が左右に分離している例を示しているが、半導体層37の一部が半導体層32のチャネル領域を覆っていてもよい。 The semiconductor layer 37 may be formed of the same semiconductor film as the semiconductor layer 32. The semiconductor layer 37 can function as an etching stopper for preventing the semiconductor layer 32 from disappearing due to etching when the impurity semiconductor layer 35 is etched. Although FIG. 16A shows an example in which the semiconductor layer 37 is separated to the left and right, a part of the semiconductor layer 37 may cover the channel region of the semiconductor layer 32.

また、半導体層37は、不純物半導体層35よりも低濃度の不純物が含まれていてもよい。これにより、半導体層37をLDD(Lightly Doped Drain)領域として機能させることができ、トランジスタを駆動させたときのホットキャリア劣化を抑制することができる。 Further, the semiconductor layer 37 may contain impurities having a lower concentration than that of the impurity semiconductor layer 35. As a result, the semiconductor layer 37 can function as an LDD (Lightly Doped Drain) region, and hot carrier deterioration when the transistor is driven can be suppressed.

図16(B)に示すトランジスタは、半導体層32のチャネル領域上に、絶縁層84が設けられている。絶縁層84は、不純物半導体層35のエッチングの際のエッチングストッパーとして機能する。 In the transistor shown in FIG. 16B, an insulating layer 84 is provided on the channel region of the semiconductor layer 32. The insulating layer 84 functions as an etching stopper when etching the impurity semiconductor layer 35.

図16(C)に示すトランジスタは、半導体層32に代えて、半導体層32pを有する。半導体層32pは、結晶性の高い半導体膜を含む。例えば半導体層32pは、多結晶半導体又は単結晶半導体を含む。これにより、電界効果移動度の高いトランジスタとすることができる。 The transistor shown in FIG. 16C has a semiconductor layer 32p instead of the semiconductor layer 32. The semiconductor layer 32p includes a semiconductor film having high crystallinity. For example, the semiconductor layer 32p includes a polycrystalline semiconductor or a single crystal semiconductor. This makes it possible to obtain a transistor having high field effect mobility.

図16(D)に示すトランジスタは、半導体層32のチャネル領域に半導体層32pを有する。例えば図16(D)に示すトランジスタは、半導体層32となる半導体膜に対してレーザ光などを照射することにより、局所的に結晶化することにより形成することができる。これにより、電界効果移動度の高いトランジスタを実現できる。 The transistor shown in FIG. 16D has a semiconductor layer 32p in the channel region of the semiconductor layer 32. For example, the transistor shown in FIG. 16D can be formed by locally crystallizing the semiconductor film to be the semiconductor layer 32 by irradiating it with laser light or the like. This makes it possible to realize a transistor having high field effect mobility.

図16(E)に示すトランジスタは、図16(A)で示したトランジスタの半導体層32のチャネル領域に、結晶性の半導体層32pを有する。 The transistor shown in FIG. 16E has a crystalline semiconductor layer 32p in the channel region of the semiconductor layer 32 of the transistor shown in FIG. 16A.

図16(F)に示すトランジスタは、図16(B)で示したトランジスタの半導体層32のチャネル領域に、結晶性の半導体層32pを有する。 The transistor shown in FIG. 16F has a crystalline semiconductor layer 32p in the channel region of the semiconductor layer 32 of the transistor shown in FIG. 16B.

以上がトランジスタの構成例についての説明である。 The above is the description of the configuration example of the transistor.

[各構成要素について]
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
[For each component]
Hereinafter, each component shown above will be described.

〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
〔substrate〕
A material having a flat surface can be used for the substrate of the display panel. A material that transmits the light is used for the substrate that extracts the light from the display element. For example, materials such as glass, quartz, ceramics, sapphire, and organic resins can be used.

厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。又は、可撓性を有する程度に薄いガラスなどを基板に用いることもできる。又は、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。 By using a thin substrate, it is possible to reduce the weight and thickness of the display panel. Further, by using a substrate having a thickness sufficient to have flexibility, a flexible display panel can be realized. Alternatively, glass or the like thin enough to have flexibility can be used for the substrate. Alternatively, a composite material in which glass and a resin material are bonded by an adhesive layer may be used.

〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。
[Transistor]
The transistor has a conductive layer that functions as a gate electrode, a semiconductor layer, a conductive layer that functions as a source electrode, a conductive layer that functions as a drain electrode, and an insulating layer that functions as a gate insulating layer.

なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。 The structure of the transistor included in the display device according to one aspect of the present invention is not particularly limited. For example, it may be a planar type transistor, a stagger type transistor, or an inverted stagger type transistor. Further, either a top gate type or bottom gate type transistor structure may be used. Alternatively, gate electrodes may be provided above and below the channel.

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。 The crystallinity of the semiconductor material used for the transistor is not particularly limited, and either an amorphous semiconductor or a semiconductor having crystallinity (a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a semiconductor having a partially crystalline region). May be used. It is preferable to use a semiconductor having crystallinity because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.

トランジスタのチャネルが形成される半導体には、例えばシリコンを用いることができる。シリコンとして、特にアモルファスシリコンを用いることが好ましい。アモルファスシリコンを用いることで、大型の基板上に歩留り良くトランジスタを形成でき、量産性に優れる。 For example, silicon can be used as the semiconductor in which the channel of the transistor is formed. It is particularly preferable to use amorphous silicon as the silicon. By using amorphous silicon, transistors can be formed on a large substrate with good yield and excellent mass productivity.

また、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどの結晶性を有するシリコンを用いることもできる。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。 Further, silicon having crystallinity such as microcrystalline silicon, polycrystalline silicon, and single crystal silicon can also be used. In particular, polycrystalline silicon can be formed at a lower temperature than single crystal silicon, and has higher field effect mobility and higher reliability than amorphous silicon.

もしくは、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いてもよい。金属酸化物を半導体層に有するトランジスタは、トランジスタのオフ電流が小さいことが知られている。画素の選択トランジスタとしてオフ電流の小さいトランジスタを用いることで表示の更新間隔を長くしても表示品質の劣化を抑えることができる。よって、静止画を表示するときは、表示の更新回数を削減することができるため、消費電力を小さくすることができる。実施の形態1のディスプレイコントローラ113b又は122bは、金属酸化物を半導体層に有する選択トランジスタを制御するのに適している。金属酸化物を半導体層に用いたトランジスタについては、実施の形態6で詳細な説明をする。 Alternatively, a metal oxide may be used for the semiconductor layer of the transistor. It is known that a transistor having a metal oxide in a semiconductor layer has a small off-current of the transistor. By using a transistor having a small off-current as a pixel selection transistor, deterioration of display quality can be suppressed even if the display update interval is lengthened. Therefore, when displaying a still image, the number of times the display is updated can be reduced, so that the power consumption can be reduced. The display controller 113b or 122b of the first embodiment is suitable for controlling a selection transistor having a metal oxide in a semiconductor layer. A transistor using a metal oxide as a semiconductor layer will be described in detail in the sixth embodiment.

本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している場合がある。 The transistor having the bottom gate structure exemplified in this embodiment is preferable because the manufacturing process can be reduced. Further, since amorphous silicon can be formed at a lower temperature than polycrystalline silicon at this time, it is possible to use a material having low heat resistance as a material for wiring and electrodes below the semiconductor layer and a material for a substrate. , The range of material choices can be expanded. For example, a glass substrate having an extremely large area can be preferably used. On the other hand, the top gate type transistor is preferable because it is easy to form an impurity region in a self-aligned manner and it is possible to reduce variations in characteristics. At this time, it may be particularly suitable when polycrystalline silicon, single crystal silicon, or the like is used.

〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅-マグネシウム-アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
[Conductive layer]
Materials that can be used for conductive layers such as transistor gates, sources and drains, as well as various wiring and electrodes that make up display devices include aluminum, titanium, chromium, nickel, copper, yttrium, zirconium, molybdenum, and silver. Examples thereof include a metal such as tantalum or tungsten, or an alloy containing this as a main component. Further, a film containing these materials can be used as a single layer or as a laminated structure. For example, a single-layer structure of an aluminum film containing silicon, a two-layer structure in which an aluminum film is laminated on a titanium film, a two-layer structure in which an aluminum film is laminated on a tungsten film, and a copper film on a copper-magnesium-aluminum alloy film. Two-layer structure to stack, two-layer structure to stack copper film on titanium film, two-layer structure to stack copper film on tungsten film, titanium film or titanium nitride film, and aluminum film or copper film on top of it A three-layer structure, a molybdenum film or a molybdenum nitride film, on which a titanium film or a titanium nitride film is formed, and an aluminum film or a copper film laminated on the film, and a molybdenum film or a molybdenum film or There is a three-layer structure that forms a molybdenum nitride film. Oxides such as indium oxide, tin oxide, and zinc oxide may be used. Further, it is preferable to use copper containing manganese because the controllability of the shape by etching is improved.

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物又はグラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(またはそれらの窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電層(画素電極や共通電極として機能する導電層)にも用いることができる。 Further, examples of the translucent conductive material that can be used for the gate, source and drain of the transistor, as well as the conductive layer such as various wirings and electrodes constituting the display device, include indium oxide and indium tin oxide. Conductive oxides such as indium tin oxide, zinc oxide, zinc oxide added with gallium, or graphene can be used. Alternatively, a metal material such as gold, silver, platinum, magnesium, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, palladium, or titanium, or an alloy material containing the metal material can be used. Alternatively, a nitride of the metal material (for example, titanium nitride) may be used. When a metal material or an alloy material (or a nitride thereof) is used, it may be made thin enough to have translucency. Further, the laminated film of the above material can be used as the conductive layer. For example, it is preferable to use a laminated film of an alloy of silver and magnesium and an indium tin oxide because the conductivity can be enhanced. These can also be used for a conductive layer such as various wirings and electrodes constituting a display device, and a conductive layer (a conductive layer that functions as a pixel electrode or a common electrode) of a display element.

〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
[Insulation layer]
Insulating materials that can be used for each insulating layer include, for example, resins such as acrylic and epoxy, resins having a siloxane bond, and inorganic insulation such as silicon oxide, silicon oxide nitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, and aluminum oxide. Materials can also be used.

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。 Examples of the insulating film having low water permeability include a film containing nitrogen and silicon such as a silicon nitride film and a silicon nitride film, and a film containing nitrogen and aluminum such as an aluminum nitride film. Further, a silicon oxide film, a silicon nitride film, an aluminum oxide film and the like may be used.

〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
[Liquid crystal element]
As the liquid crystal element, for example, a liquid crystal element to which a vertical alignment (VA: Vertical Alignment) mode is applied can be used. As the vertical orientation mode, an MVA (Multi-Domain Vertical Alignment) mode, a PVA (Patterned Vertical Alignment) mode, an ASV (Advanced Super View) mode and the like can be used.

また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばVAモードのほかに、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell)モード、OCB(Optically Compensated Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、ゲストホストモード等が適用された液晶素子を用いることができる。 Further, as the liquid crystal element, a liquid crystal element to which various modes are applied can be used. For example, in addition to the VA mode, a TN (Twisted Nematic) mode, an IPS (In-Plane-Switching) mode, an FFS (Fringe Field Switching) mode, an ASM (Axially Systemic aligned Micro-cell) mode, and an OCere , FLC (Ferroelectric Liquid Crystal) mode, AFLC (Antiferroelectric Liquid Crystal) mode, ECB (Electricularly Controlled Birefringence) mode, guest host mode and the like can be used.

なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶に係る電界(横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む)によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、高分子ネットワーク型液晶(PNLC:Polymer Network Liquid Crystal)、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。 The liquid crystal element is an element that controls the transmission or non-transmission of light by the optical modulation action of the liquid crystal. The optical modulation action of the liquid crystal is controlled by an electric field related to the liquid crystal (including a horizontal electric field, a vertical electric field, or an oblique electric field). The liquid crystal used for the liquid crystal element includes a thermotropic liquid crystal, a low molecular weight liquid crystal, a polymer liquid crystal, a polymer dispersed liquid crystal (PDLC: Polymer Dispersed Liquid Crystal), and a polymer network type liquid crystal (PNLC: Polymer Network Liquid Crystal). A strong dielectric liquid crystal, an anti-strong dielectric liquid crystal, or the like can be used. These liquid crystal materials show a cholesteric phase, a smectic phase, a cubic phase, a chiral nematic phase, an isotropic phase and the like depending on the conditions.

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、又はネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。 Further, as the liquid crystal material, either a positive type liquid crystal or a negative type liquid crystal may be used, and the optimum liquid crystal material may be used according to the mode and design to which the liquid crystal is applied.

また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。 Further, in order to control the orientation of the liquid crystal, an alignment film can be provided. When the transverse electric field method is adopted, a liquid crystal showing a blue phase without using an alignment film may be used. The blue phase is one of the liquid crystal phases, and is a phase that appears immediately before the transition from the cholesteric phase to the isotropic phase when the temperature of the cholesteric liquid crystal is raised. Since the blue phase is expressed only in a narrow temperature range, a liquid crystal composition mixed with a chiral agent of several weight% or more is used for the liquid crystal layer in order to improve the temperature range. A liquid crystal composition containing a liquid crystal exhibiting a blue phase and a chiral agent has a short response rate and is optically isotropic. Further, the liquid crystal composition containing the liquid crystal exhibiting the blue phase and the chiral agent does not require an orientation treatment and has a small viewing angle dependence. In addition, since it is not necessary to provide an alignment film, the rubbing process is not required, so that electrostatic breakdown caused by the rubbing process can be prevented, and defects and breakage of the liquid crystal display device during the manufacturing process can be reduced. ..

また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、又は半透過型の液晶素子などがある。 Further, as the liquid crystal element, there are a transmissive type liquid crystal element, a reflective type liquid crystal element, a semi-transmissive type liquid crystal element and the like.

本発明の一態様では、特に透過型の液晶素子を好適に用いることができる。 In one aspect of the present invention, a transmissive liquid crystal element can be particularly preferably used.

透過型又は半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、2つの偏光板を設ける。また偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい。LEDを備える直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。 When a transmissive type or semi-transmissive type liquid crystal element is used, two polarizing plates are provided so as to sandwich the pair of substrates. In addition, a backlight is provided outside the polarizing plate. The backlight may be a direct type backlight or an edge light type backlight. It is preferable to use a direct-type backlight provided with an LED because local dimming can be facilitated and contrast can be increased. Further, it is preferable to use an edge light type backlight because the thickness of the module including the backlight can be reduced.

なお、エッジライト型のバックライトをオフ状態とすることで、シースルー表示を行うことができる。 By turning off the edge light type backlight, see-through display can be performed.

〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
[Colored layer]
Examples of the material that can be used for the colored layer include a metal material, a resin material, a resin material containing a pigment or a dye, and the like.

〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
[Shading layer]
Examples of the material that can be used as the light-shielding layer include carbon black, titanium black, metal, metal oxide, and a composite oxide containing a solid solution of a plurality of metal oxides. The light-shielding layer may be a film containing a resin material or a thin film of an inorganic material such as metal. Further, as the light-shielding layer, a laminated film of a film containing a material of a colored layer can also be used. For example, a laminated structure of a film containing a material used for a colored layer that transmits light of a certain color and a film containing a material used for a colored layer that transmits light of another color can be used. By using the same material for the colored layer and the light-shielding layer, it is preferable because the device can be shared and the process can be simplified.

以上が各構成要素についての説明である。 The above is a description of each component.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate in combination with other embodiments described in the present specification.

(実施の形態3)
本実施の形態では、トランジスタの半導体層に用いることのできる多結晶シリコンの結晶化方法及びレーザ結晶化装置の一例について説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, an example of a polycrystalline silicon crystallization method and a laser crystallization apparatus that can be used for the semiconductor layer of a transistor will be described.

結晶性の良好な多結晶シリコン層を形成するには、基板上に非晶質シリコン層を設け、当該非晶質シリコン層にレーザ光を照射して結晶化することが好ましい。例えば、レーザ光を線状ビームとし、当該線状ビームを非晶質シリコン層に照射しながら基板を移動させることで、基板上の所望の領域に多結晶シリコン層を形成することができる。 In order to form a polycrystalline silicon layer having good crystallinity, it is preferable to provide an amorphous silicon layer on the substrate and irradiate the amorphous silicon layer with laser light to crystallize the amorphous silicon layer. For example, by using a laser beam as a linear beam and moving the substrate while irradiating the amorphous silicon layer with the linear beam, a polycrystalline silicon layer can be formed in a desired region on the substrate.

線状ビームを用いた方法は、スループットが比較的良好である。一方で、ある領域に対してレーザ光が相対的に移動しながら複数回照射される方法であるため、レーザ光の出力変動及びそれに起因するビームプロファイルの変化による結晶性のばらつきが生じやすい。例えば、当該方法で結晶化させた半導体層を表示装置の画素が有するトランジスタに用いると、結晶性のばらつきに起因したランダムな縞模様が表示に見えることがある。 The method using a linear beam has a relatively good throughput. On the other hand, since the method is to irradiate a certain region a plurality of times while the laser light moves relatively, the crystallinity tends to vary due to the output fluctuation of the laser light and the change of the beam profile caused by the fluctuation. For example, when the semiconductor layer crystallized by the method is used for a transistor included in a pixel of a display device, a random striped pattern due to a variation in crystallinity may appear on the display.

また、線状ビームの長さは基板の一辺の長さ以上であることが理想的であるが、線状ビームの長さは、レーザ発振器の出力と光学系の構成によって制限される。したがって、大型基板の処理では基板面内を折り返してレーザ照射することが現実的である。そのため、レーザ光をオーバーラップして照射する領域が生じる。当該領域の結晶性は、他の領域の結晶性と異なりやすいため、当該領域では表示ムラが生じることがある。 Ideally, the length of the linear beam is equal to or greater than the length of one side of the substrate, but the length of the linear beam is limited by the output of the laser oscillator and the configuration of the optical system. Therefore, in the processing of a large substrate, it is realistic to fold the inside of the substrate surface and irradiate the laser. Therefore, there is a region where the laser beams are overlapped and irradiated. Since the crystallinity of the region is likely to be different from the crystallinity of other regions, display unevenness may occur in the region.

上記のような問題を抑えるために、基板上に形成した非晶質シリコン層に局所的にレーザ照射を行って結晶化させてもよい。局所的なレーザ照射では、結晶性のばらつきの少ない多結晶シリコン層を形成しやすい。 In order to suppress the above-mentioned problems, the amorphous silicon layer formed on the substrate may be locally irradiated with a laser to be crystallized. Local laser irradiation tends to form a polycrystalline silicon layer with little variation in crystallinity.

図17(A)は、基板上に形成した非晶質シリコン層に局所的にレーザ照射を行う方法を説明する図である。 FIG. 17A is a diagram illustrating a method of locally irradiating an amorphous silicon layer formed on a substrate with a laser.

光学系ユニット821から射出されるレーザ光826は、ミラー822で反射されてマイクロレンズアレイ823に入射する。マイクロレンズアレイ823は、レーザ光826を集光して複数のレーザビーム827を形成する。 The laser beam 826 emitted from the optical system unit 821 is reflected by the mirror 822 and incident on the microlens array 823. The microlens array 823 collects the laser beam 826 to form a plurality of laser beams 827.

ステージ815には、非晶質シリコン層840を形成した基板830が固定される。非晶質シリコン層840に複数のレーザビーム827を照射することで、複数の多結晶シリコン層841を同時に形成することができる。 The substrate 830 on which the amorphous silicon layer 840 is formed is fixed to the stage 815. By irradiating the amorphous silicon layer 840 with a plurality of laser beams 827, a plurality of polycrystalline silicon layers 841 can be formed at the same time.

マイクロレンズアレイ823が有する個々のマイクロレンズは、表示装置の画素ピッチに合わせて設けることが好ましい。又は、画素ピッチの整数倍の間隔で設けてもよい。いずれの場合においても、レーザ照射とステージ815のX方向又はY方向の移動を繰り返すことで、全ての画素に対応した領域に多結晶シリコン層を形成することができる。 It is preferable that the individual microlenses included in the microlens array 823 are provided according to the pixel pitch of the display device. Alternatively, the intervals may be an integral multiple of the pixel pitch. In either case, the polycrystalline silicon layer can be formed in the region corresponding to all the pixels by repeating the laser irradiation and the movement of the stage 815 in the X direction or the Y direction.

例えば、マイクロレンズアレイ823が画素ピッチでM行N列(M、Nは自然数)のマイクロレンズを有するとき、まず所定の開始位置でレーザ光を照射し、M行N列の多結晶シリコン層841を形成することができる。そして、行方向にN列分の距離だけ移動させてレーザ光を照射し、さらにM行N列の多結晶シリコン層841を形成することで、M行2N列の多結晶シリコン層841を形成することができる。当該工程を繰り返し行うことで所望の領域に複数の多結晶シリコン層841を形成することができる。また、折り返してレーザ照射工程を行う場合は、行方向にN列分の距離だけ移動させてレーザ照射を行い、さらに列方向にM行分の距離の移動とレーザ光の照射を繰り返せばよい。 For example, when the microlens array 823 has M rows and N columns (M and N are natural numbers) microlenses at a pixel pitch, the laser beam is first irradiated at a predetermined start position, and then the M row and N columns polycrystalline silicon layer 841. Can be formed. Then, it is moved in the row direction by the distance of N columns to irradiate the laser beam, and further forms the polycrystalline silicon layer 841 having M rows and N columns to form the polycrystalline silicon layer 841 having M rows and 2N columns. be able to. By repeating this step, a plurality of polycrystalline silicon layers 841 can be formed in a desired region. Further, when the laser irradiation step is performed by turning back, the laser irradiation may be performed by moving the laser irradiation step by the distance of N columns in the row direction, and then the movement of the distance of M rows and the irradiation of the laser beam may be repeated in the column direction.

なお、レーザ光の発振周波数とステージ815の移動速度を適切に調整すれば、ステージ815を一方向に移動させながらレーザ照射を行う方法でも、画素ピッチで多結晶シリコン層を形成することができる。 If the oscillation frequency of the laser beam and the moving speed of the stage 815 are appropriately adjusted, the polycrystalline silicon layer can be formed at the pixel pitch even by the method of irradiating the laser while moving the stage 815 in one direction.

レーザビーム827のサイズは、例えば、一つのトランジスタの半導体層全体が含まれる程度の面積とすることができる。又は、一つのトランジスタのチャネル領域全体が含まれる程度の面積とすることができる。又は、一つのトランジスタのチャネル領域の一部が含まれる程度の面積とすることができる。これらは、必要とするトランジスタの電気特性に応じて使い分ければよい。 The size of the laser beam 827 can be, for example, an area that includes the entire semiconductor layer of one transistor. Alternatively, the area may be such that the entire channel region of one transistor is included. Alternatively, the area may be such that a part of the channel region of one transistor is included. These may be used properly according to the required electrical characteristics of the transistor.

なお、一つの画素に複数のトランジスタを有する表示装置を対象とした場合、レーザビーム827は、一つの画素内の各トランジスタの半導体層全体が含まれる程度の面積とすることができる。また、レーザビーム827は、複数の画素が有するトランジスタの半導体層全体が含まれる程度の面積としてもよい。 In the case of a display device having a plurality of transistors in one pixel, the laser beam 827 can have an area that includes the entire semiconductor layer of each transistor in one pixel. Further, the laser beam 827 may have an area that includes the entire semiconductor layer of the transistor having the plurality of pixels.

また、図18(A)に示すように、ミラー822とマイクロレンズアレイ823との間にマスク824を設けてもよい。マスク824には、各マイクロレンズに対応した複数の開口部が設けられる。当該開口部の形状はレーザビーム827の形状に反映させることができ、図18(A)のようにマスク824が円形の開口部を有する場合は、円形のレーザビーム827を得ることができる。また、マスク824が矩形の開口部を有する場合は、矩形のレーザビーム827を得ることができる。マスク824は、例えば、トランジスタのチャネル領域のみを結晶化させたい場合などに有効である。なお、マスク824は、図18(B)に示すように光学系ユニット821とミラー822との間に設けてもよい。 Further, as shown in FIG. 18A, a mask 824 may be provided between the mirror 822 and the microlens array 823. The mask 824 is provided with a plurality of openings corresponding to each microlens. The shape of the opening can be reflected in the shape of the laser beam 827, and when the mask 824 has a circular opening as shown in FIG. 18A, a circular laser beam 827 can be obtained. Further, when the mask 824 has a rectangular opening, a rectangular laser beam 827 can be obtained. The mask 824 is effective, for example, when it is desired to crystallize only the channel region of the transistor. The mask 824 may be provided between the optical system unit 821 and the mirror 822 as shown in FIG. 18 (B).

図17(B)は、上記に示した局所的なレーザ照射の工程に用いることのできるレーザ結晶化装置の主要な構成を説明する斜視図である。レーザ結晶化装置は、X-Yステージの構成要素である移動機構812、移動機構813及びステージ815を有する。また、レーザビーム827を成形するためのレーザ発振器820、光学系ユニット821、ミラー822、マイクロレンズアレイ823を有する。 FIG. 17B is a perspective view illustrating a main configuration of a laser crystallization apparatus that can be used in the process of local laser irradiation shown above. The laser crystallization apparatus has a moving mechanism 812, a moving mechanism 813, and a stage 815, which are components of the XY stage. It also has a laser oscillator 820 for forming the laser beam 827, an optical system unit 821, a mirror 822, and a microlens array 823.

移動機構812及び移動機構813は、水平方向に往復直線運動をする機能を備える。移動機構812及び移動機構813に動力を与える機構としては、例えば、モータで駆動するボールネジ機構816などを用いることができる。移動機構812及び移動機構813のそれぞれの移動方向は垂直に交わるため、移動機構813に固定されるステージ815はX方向及びY方向に自在に移動させることができる。 The moving mechanism 812 and the moving mechanism 813 have a function of making a reciprocating linear motion in the horizontal direction. As a mechanism for giving power to the moving mechanism 812 and the moving mechanism 813, for example, a ball screw mechanism 816 driven by a motor can be used. Since the moving directions of the moving mechanism 812 and the moving mechanism 813 intersect vertically, the stage 815 fixed to the moving mechanism 813 can be freely moved in the X direction and the Y direction.

ステージ815は真空吸着機構などの固定機構を有し、基板830などを固定することができる。また、ステージ815は、必要に応じて加熱機構を有していてもよい。なお、図示はしていないが、ステージ815はプッシャーピン及びその上下機構を有し、基板830などを搬出入する際は、基板830などを上下に移動させることができる。 The stage 815 has a fixing mechanism such as a vacuum suction mechanism, and can fix the substrate 830 or the like. Further, the stage 815 may have a heating mechanism, if necessary. Although not shown, the stage 815 has a pusher pin and a vertical mechanism thereof, and the substrate 830 and the like can be moved up and down when the substrate 830 and the like are carried in and out.

レーザ発振器820は、処理の目的に適した波長及び強度の光が出力できればよく、パルスレーザが好ましいがCWレーザであってもよい。代表的には、波長351-353nm(XeF)、308nm(XeCl)などの紫外光を照射できるエキシマレーザを用いることができる。又は、固体レーザ(YAGレーザ、ファイバーレーザなど)の二倍波(515nm、532nmなど)又は三倍波(343nm、355nmなど)を用いてもよい。また、レーザ発振器820は複数であってもよい。 The laser oscillator 820 may be a pulse laser, but may be a CW laser, as long as it can output light having a wavelength and intensity suitable for the purpose of processing. Typically, an excimer laser capable of irradiating ultraviolet light having a wavelength of 351-353 nm (XeF), 308 nm (XeCl) or the like can be used. Alternatively, a double wave (515 nm, 532 nm, etc.) or a triple wave (343 nm, 355 nm, etc.) of a solid-state laser (YAG laser, fiber laser, etc.) may be used. Further, the number of laser oscillators 820 may be plural.

光学系ユニット821は、例えば、ミラー、ビームエクスパンダ、ビームホモジナイザ等を有し、レーザ発振器820から出力されるレーザ光825のエネルギーの面内分布を均一化させつつ伸張させることができる。 The optical system unit 821 has, for example, a mirror, a beam expander, a beam homogenizer, and the like, and can extend the energy of the laser beam 825 output from the laser oscillator 820 while making the in-plane distribution uniform.

ミラー822には、例えば、誘電体多層膜ミラーを用いることができ、レーザ光の入射角が略45°となるように設置する。マイクロレンズアレイ823には、例えば、石英板の上面又は上下面に複数の凸レンズが設けられたような形状とすることができる。 For the mirror 822, for example, a dielectric multilayer mirror can be used, and the mirror is installed so that the incident angle of the laser beam is approximately 45 °. The microlens array 823 may have a shape such that a plurality of convex lenses are provided on the upper surface or the upper and lower surfaces of a quartz plate, for example.

以上のレーザ結晶化装置を用いることにより、結晶性のばらつきの少ない多結晶シリコン層を形成することができる。 By using the above laser crystallization apparatus, a polycrystalline silicon layer with little variation in crystallinity can be formed.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate in combination with other embodiments described in the present specification.

(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様のハイブリッドディスプレイについて説明する。フラッシングコードを表示するのに適した表示装置について詳細な説明をする。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a hybrid display according to one aspect of the present invention will be described. A display device suitable for displaying a flushing code will be described in detail.

また、ハイブリッド表示方法とは、同一画素又は同一副画素において複数の光を表示し、文字又は/及び画像を表示する方法である。また、ハイブリッドディスプレイとは、表示部に含まれる同一画素又は同一副画素において複数の光を表示し、文字又は/及び画像を表示する集合体である。 Further, the hybrid display method is a method of displaying a plurality of lights in the same pixel or the same sub-pixel to display characters and / or images. Further, the hybrid display is an aggregate that displays a plurality of lights in the same pixel or the same sub-pixel included in the display unit and displays characters and / or images.

ハイブリッド表示方法の一例としては、同一画素又は同一副画素において、第1の光と、第2の光の表示タイミングを異ならせて表示する方法がある。このとき、同一画素又は同一副画素において、同一色調(赤、緑、又は青、もしくはシアン、マゼンタ、又はイエローのいずれかの一)の第1の光及び第2の光を同時に表示し、表示部において文字又は/及び画像を表示させることができる。 As an example of the hybrid display method, there is a method of displaying the first light and the second light at different display timings in the same pixel or the same sub-pixel. At this time, in the same pixel or the same sub-pixel, the first light and the second light of the same color tone (either red, green, or blue, or any one of cyan, magenta, or yellow) are simultaneously displayed and displayed. Characters and / and images can be displayed in the unit.

また、ハイブリッド表示方法の一例としては、反射光と自発光とを同一画素又は同一副画素で表示する方法がある。同一色調の反射光及び自発光(例えば、OLED光、LED光等)を、同一画素又は同一副画素で、同時に表示させることができる。 Further, as an example of the hybrid display method, there is a method of displaying reflected light and self-luminous light with the same pixel or the same sub-pixel. Reflected light and self-luminous light of the same color tone (for example, OLED light, LED light, etc.) can be simultaneously displayed by the same pixel or the same sub-pixel.

なお、ハイブリッド表示方法において、同一画素又は同一副画素ではなく、隣接する画素又は隣接する副画素において、複数の光を表示してもよい。また、第1の光及び第2の光を同時に表示するとは、人の目の感覚でちらつきを感知しない程度に第1の光及び第2の光を同じ期間表示することをいい、人の目の感覚でちらつきを感知しなければ、第1の光の表示期間と第2の光の表示期間がずれていてもよい。 In the hybrid display method, a plurality of lights may be displayed in adjacent pixels or adjacent sub-pixels instead of the same pixel or the same sub-pixel. In addition, displaying the first light and the second light at the same time means displaying the first light and the second light for the same period to the extent that the flicker is not perceived by the human eye, and the human eye. If the flicker is not detected by the sense of, the display period of the first light and the display period of the second light may be different from each other.

また、ハイブリッドディスプレイは、同一の画素又は同一の副画素において、複数の表示素子を有し、同じ期間に複数の表示素子それぞれが表示する集合体である。また、ハイブリッドディスプレイは、同一の画素又は同一の副画素において、複数の表示素子と、表示素子を駆動する能動素子とを有する。能動素子として、スイッチ、トランジスタ、薄膜トランジスタ等がある。複数の表示素子それぞれに能動素子が接続されているため、複数の表示素子それぞれの表示を個別に制御することができる。 Further, the hybrid display is an aggregate having a plurality of display elements in the same pixel or the same sub-pixel, and each of the plurality of display elements displays in the same period. Further, the hybrid display has a plurality of display elements and an active element for driving the display element in the same pixel or the same sub-pixel. Active elements include switches, transistors, thin film transistors and the like. Since the active element is connected to each of the plurality of display elements, the display of each of the plurality of display elements can be individually controlled.

なお、本明細書等において、上記構成のいずれか1つ又は複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。実施の形態1のディスプレイコントローラ113b又は122bは、ハイブリッドディスプレイを制御することができる。 In the present specification and the like, a display that satisfies any one or more of the above configurations is referred to as a hybrid display. The display controller 113b or 122b of the first embodiment can control the hybrid display.

また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素又は同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方又は双方を用いて、文字及び/又は画像を表示する機能を有する。 Further, the hybrid display has a plurality of display elements in the same pixel or the same sub-pixel. Examples of the plurality of display elements include a reflective element that reflects light and a self-luminous element that emits light. The reflective element and the self-luminous element can be controlled independently. The hybrid display has a function of displaying characters and / or an image by using one or both of reflected light and self-luminous light in a display unit.

本発明の一態様の表示装置は、可視光を反射する第1の表示素子が設けられた画素を有することができる。又は、可視光を発する第2の表示素子が設けられた画素を有することができる。又は、第1の表示素子及び第2の表示素子が設けられた画素を有することができる。したがって、第1の表示素子は通常の表示を行い、第2の表示素子はフラッシングコードを表示するのに適している。 The display device of one aspect of the present invention can have a pixel provided with a first display element that reflects visible light. Alternatively, it may have a pixel provided with a second display element that emits visible light. Alternatively, it may have a pixel provided with a first display element and a second display element. Therefore, the first display element is suitable for displaying a normal display, and the second display element is suitable for displaying a flushing code.

本実施の形態では、可視光を反射する第1の表示素子と、可視光を発する第2の表示素子とを有する表示装置について説明する。 In the present embodiment, a display device including a first display element that reflects visible light and a second display element that emits visible light will be described.

表示装置は、第1の表示素子が反射する第1の光と、第2の表示素子が発する第2の光のうち、いずれか一方、又は両方により、画像を表示する機能を有する。又は、表示装置は、第1の表示素子が反射する第1の光の光量と、第2の表示素子が発する第2の光の光量と、をそれぞれ制御することにより、階調を表現する機能を有する。 The display device has a function of displaying an image by one or both of the first light reflected by the first display element and the second light emitted by the second display element. Alternatively, the display device has a function of expressing gradation by controlling the amount of first light reflected by the first display element and the amount of second light emitted by the second display element, respectively. Have.

また、表示装置は、第1の表示素子の反射光の光量を制御することにより階調を表現する第1の画素と、第2の表示素子からの発光の光量を制御することにより階調を表現する第2の画素を有する構成とすることが好ましい。第1の画素及び第2の画素は、例えばそれぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。 Further, the display device controls the gradation by controlling the amount of light emitted from the first pixel and the second display element, which expresses the gradation by controlling the amount of reflected light of the first display element. It is preferable to have a configuration having a second pixel to be expressed. A plurality of the first pixel and the second pixel are arranged in a matrix, for example, to form a display unit.

また、第1の画素と第2の画素は、同数且つ同ピッチで、表示領域内に配置されていることが好ましい。このとき、隣接する第1の画素と第2の画素を合わせて、画素ユニットと呼ぶことができる。これにより、後述するように複数の第1の画素のみで表示された画像と、複数の第2の画素のみで表示された画像、ならびに複数の第1の画素及び複数の第2の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。 Further, it is preferable that the first pixel and the second pixel are arranged in the display area with the same number and the same pitch. At this time, the adjacent first pixel and second pixel can be collectively called a pixel unit. As a result, as will be described later, both the image displayed only by the plurality of first pixels, the image displayed only by the plurality of second pixels, and the plurality of first pixels and the plurality of second pixels. Each of the images displayed in can be displayed in the same display area.

第1の画素が有する第1の表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。 As the first display element included in the first pixel, an element that reflects and displays external light can be used. Since such an element does not have a light source, it is possible to extremely reduce the power consumption at the time of display.

第1の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。又は、第1の表示素子として、シャッター方式のMEMS(Micro Electro Mechanical System)素子、光干渉方式のMEMS素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体(登録商標)方式等を適用した素子などを用いることができる。 As the first display element, a reflective liquid crystal element can be typically used. Alternatively, as the first display element, in addition to a shutter type MEMS (Micro Electro Electro Mechanical System) element and an optical interference type MEMS element, a microcapsule type, an electrophoresis method, an electrowetting method, and an electronic powder fluid (registered trademark). An element or the like to which a method or the like is applied can be used.

第2の画素が有する第2の表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。特に、電界を印加することにより発光性の物質から発光を取り出すことのできる、電界発光素子を用いることが好ましい。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く(色域が広く)、且つコントラストの高い、要するに鮮やかな表示を行うことができる。 The second display element included in the second pixel has a light source, and an element that displays by using the light from the light source can be used. In particular, it is preferable to use an electroluminescent device that can extract light emission from a luminescent substance by applying an electric field. Since the brightness and chromaticity of the light emitted by such pixels are not affected by external light, high color reproducibility (wide color gamut) and high contrast, that is, vivid display is performed. be able to.

第2の表示素子には、例えばOLED、LED、QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)、半導体レーザなどの自発光性の発光素子を用いることができる。又は、第2の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。 As the second display element, for example, a self-luminous light emitting element such as an OLED, an LED, a QLED (Quantum-dot Light Emitting Diode), or a semiconductor laser can be used. Alternatively, as the display element included in the second pixel, a combination of a backlight as a light source and a transmissive liquid crystal element that controls the amount of transmitted light from the backlight may be used.

第1の画素は、例えば白色(W)を呈する副画素、又は例えば赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。また、第2の画素も同様に、例えば白色(W)を呈する副画素、又は例えば赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。なお、第1の画素及び第2の画素がそれぞれ有する副画素は、4色以上であってもよい。副画素の種類が多いほど、消費電力を低減することが可能で、また色再現性を高めることができる。 The first pixel may be configured to have, for example, a sub-pixel exhibiting white (W), or a sub-pixel exhibiting, for example, three colors of light of red (R), green (G), and blue (B). .. Similarly, the second pixel is also configured to have a sub-pixel exhibiting, for example, white (W), or a sub-pixel exhibiting light of three colors, for example, red (R), green (G), and blue (B). can do. The sub-pixels of the first pixel and the second pixel may have four or more colors. The more types of sub-pixels, the more power consumption can be reduced and the color reproducibility can be improved.

本発明の一態様は、第1の画素で画像を表示する第1のモード、第2の画素で画像を表示する第2のモード、及び第1の画素及び第2の画素で画像を表示する第3のモードを切り替えることができる。また、第1の画素及び第2の画素のそれぞれに異なる画像信号を入力し、合成画像を表示することもできる。 One aspect of the present invention is a first mode in which an image is displayed in a first pixel, a second mode in which an image is displayed in a second pixel, and an image is displayed in the first pixel and the second pixel. The third mode can be switched. Further, it is also possible to input different image signals to each of the first pixel and the second pixel and display a composite image.

第1のモードは、第1の表示素子による反射光を用いて画像を表示するモードである。第1のモードは光源が不要であるため、極めて低消費電力な駆動モードである。例えば、外光の照度が十分高く、且つ外光が白色光又はその近傍の光である場合に有効である。第1のモードは、例えば本や書類などの文字情報を表示することに適した表示モードである。また、反射光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。 The first mode is a mode for displaying an image using the light reflected by the first display element. The first mode is a drive mode with extremely low power consumption because no light source is required. For example, it is effective when the illuminance of the external light is sufficiently high and the external light is white light or light in the vicinity thereof. The first mode is a display mode suitable for displaying character information such as books and documents. In addition, since the reflected light is used, the display can be made gentle on the eyes, and the effect that the eyes are not tired is achieved.

第2のモードでは、第2の表示素子による発光を利用して画像を表示するモードである。そのため、外光の照度や色度によらず、極めて鮮やかな(コントラストが高く、且つ色再現性の高い)表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、外光の照度が極めて小さい場合などに有効である。また外光が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第2のモードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。またこれにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第2のモードは、鮮やかな画像や滑らかな動画などを表示することに適したモードである。 The second mode is a mode in which an image is displayed by utilizing light emission by the second display element. Therefore, extremely vivid (high contrast and high color reproducibility) display can be performed regardless of the illuminance and chromaticity of external light. For example, it is effective when the illuminance of outside light is extremely low, such as at night or in a dark room. In addition, when the outside light is dark, the user may feel dazzling when the display is bright. In order to prevent this, it is preferable to display with reduced brightness in the second mode. As a result, in addition to suppressing glare, power consumption can also be reduced. The second mode is a mode suitable for displaying a vivid image, a smooth moving image, or the like.

第3のモードでは、第1の表示素子による反射光と、第2の表示素子による発光の両方を利用して表示を行うモードである。具体的には、第1の画素が呈する光と、第1の画素と隣接する第2の画素が呈する光を混色させることにより、1つの色を表現するように駆動する。第1のモードよりも鮮やかな表示をしつつ、第2のモードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、外光の照度が比較的低い場合や、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。 The third mode is a mode in which display is performed using both the reflected light by the first display element and the light emission by the second display element. Specifically, it is driven to express one color by mixing the light exhibited by the first pixel and the light exhibited by the second pixel adjacent to the first pixel. It is possible to reduce the power consumption as compared with the second mode while displaying more vividly than the first mode. For example, it is effective when the illuminance of the outside light is relatively low such as under indoor lighting or in the morning or evening time, or when the chromaticity of the outside light is not white.

以下では、本発明の一態様のより具体的な例について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a more specific example of one aspect of the present invention will be described with reference to the drawings.

[表示装置の構成例]
図19は、本発明の一態様の表示装置が有する表示領域70を説明する図である。表示領域70は、マトリクス状に配置された複数の画素ユニット75を有する。画素ユニット75は、画素76と、画素77を有する。
[Display device configuration example]
FIG. 19 is a diagram illustrating a display area 70 included in the display device of one aspect of the present invention. The display area 70 has a plurality of pixel units 75 arranged in a matrix. The pixel unit 75 has a pixel 76 and a pixel 77.

図19では、画素76及び画素77が、それぞれ赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色に対応する表示素子を有する場合の例を示している。 FIG. 19 shows an example in which the pixel 76 and the pixel 77 have display elements corresponding to the three colors of red (R), green (G), and blue (B), respectively.

画素76は、赤色(R)に対応する表示素子76R、緑色(G)に対応する表示素子76G、青色(B)に対応する表示素子76Bを有する。表示素子76R、76G、76Bはそれぞれ、光源の光を利用した第2の表示素子である。 The pixel 76 has a display element 76R corresponding to red (R), a display element 76G corresponding to green (G), and a display element 76B corresponding to blue (B). The display elements 76R, 76G, and 76B are second display elements that utilize the light of the light source, respectively.

画素77は、赤色(R)に対応する表示素子77R、緑色(G)に対応する表示素子77G、青色(B)に対応する表示素子77Bを有する。表示素子77R、77G、77Bはそれぞれ、外光の反射を利用した第1の表示素子である。 The pixel 77 has a display element 77R corresponding to red (R), a display element 77G corresponding to green (G), and a display element 77B corresponding to blue (B). The display elements 77R, 77G, and 77B are first display elements that utilize the reflection of external light, respectively.

以上が表示装置の構成例についての説明である。 The above is the description of the configuration example of the display device.

[画素ユニットの構成例]
続いて、図20(A)、(B)、(C)を用いて画素ユニット75について説明する。図20(A)、(B)、(C)は、画素ユニット75の構成例を示す模式図である。
[Pixel unit configuration example]
Subsequently, the pixel unit 75 will be described with reference to FIGS. 20 (A), (B), and (C). 20 (A), (B), and (C) are schematic views showing a configuration example of the pixel unit 75.

画素76は、表示素子76R、表示素子76G、表示素子76Bを有する。表示素子76Rは、光源を有し、画素76に入力される第2の階調値に含まれる赤色に対応する階調値に応じた輝度の赤色の光RL2を、表示面側に射出する。表示素子76G、表示素子76Bも同様に、それぞれ緑色の光GL2又は青色の光BL2を、表示面側に射出する。 The pixel 76 has a display element 76R, a display element 76G, and a display element 76B. The display element 76R has a light source, and emits red light RL2 having a brightness corresponding to the gradation value corresponding to the red color included in the second gradation value input to the pixel 76 toward the display surface side. Similarly, the display element 76G and the display element 76B also emit green light GL2 or blue light BL2 toward the display surface side.

画素77は、表示素子77R、表示素子77G、表示素子77Bを有する。表示素子77Rは、外光を反射し、画素77に入力される第1の階調値に含まれる赤色に対応する階調値に応じた輝度の赤色の光RL1を、表示面側に射出する。表示素子77G、表示素子77Bも同様に、それぞれ緑色の光GL1又は青色の光BL1を、表示面側に射出する。 The pixel 77 includes a display element 77R, a display element 77G, and a display element 77B. The display element 77R reflects external light and emits red light RL1 having a brightness corresponding to the gradation value corresponding to the red color included in the first gradation value input to the pixel 77 to the display surface side. .. Similarly, the display element 77G and the display element 77B also emit green light GL1 or blue light BL1 toward the display surface side.

〔第1のモード〕
図20(A)は、外光を反射する表示素子77R、表示素子77G、表示素子77Bを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図20(A)に示すように、画素ユニット75は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、画素76を駆動させずに、画素77からの光(光RL1、光GL1、および光BL1)のみを混色させることにより、所定の色の光79を表示面側に射出することもできる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。
[First mode]
FIG. 20A shows an example of an operation mode in which an image is displayed by driving a display element 77R, a display element 77G, and a display element 77B that reflect external light. As shown in FIG. 20A, the pixel unit 75 does not drive the pixel 76, for example, when the illuminance of the external light is sufficiently high, the light from the pixel 77 (light RL1, light GL1, and light). By mixing only BL1), light 79 of a predetermined color can be emitted to the display surface side. As a result, it is possible to drive with extremely low power consumption.

〔第2のモード〕
図20(B)は、表示素子76R、表示素子76G、表示素子76Bを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図20(B)に示すように、画素ユニット75は、例えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、画素77を駆動させずに、画素76からの光(光RL2、光GL2、および光BL2)のみを混色させることにより、所定の色の光79を表示面側に射出することもできる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。
[Second mode]
FIG. 20B shows an example of an operation mode in which the display element 76R, the display element 76G, and the display element 76B are driven to display an image. As shown in FIG. 20B, the pixel unit 75 does not drive the pixel 77, for example, when the illuminance of the external light is extremely small, and the light from the pixel 76 (light RL2, light GL2, and light BL2). ) Can be mixed to emit light 79 of a predetermined color to the display surface side. This makes it possible to perform a vivid display. Further, by lowering the brightness when the illuminance of the outside light is small, it is possible to suppress the glare felt by the user and reduce the power consumption.

〔第3のモード〕
図20(C)は、外光を反射する表示素子77R、表示素子77G、表示素子77Bと、光を発する表示素子76R、表示素子76G、表示素子76Bの両方を駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図20(C)に示すように、画素ユニット75は、光RL1、光GL1、光BL1、光RL2、光GL2、及び光BL2の6つの光を混色させることにより、所定の色の光79を表示面側に射出することができる。
[Third mode]
FIG. 20C shows an operation of driving both a display element 77R, a display element 77G, and a display element 77B that reflect external light, and a display element 76R, a display element 76G, and a display element 76B that emit light to display an image. An example of the mode is shown. As shown in FIG. 20C, the pixel unit 75 mixes six lights of light RL1, light GL1, light BL1, light RL2, light GL2, and light BL2 to produce light 79 of a predetermined color. It can be ejected to the display surface side.

したがって、図19で示した表示領域70は、画素ユニットに発光型の表示素子と、反射型の表示素子とを有しているため、選択領域を表示するのに好適である。例えば、反射型の表示素子で表示領域70の表示を行っているときに、発光型の表示素子で、選択領域を表示することができる。また、発光型の表示素子で表示領域70の表示を行っているときに、反射型の表示素子で、選択領域を表示してもよい。もしくは、反射型の表示素子の階調データを変更することで選択領域を表示してもよいし、発光型の表示素子の階調データを変更することで選択領域を表示してもよい。 Therefore, since the display area 70 shown in FIG. 19 has a light emitting type display element and a reflection type display element in the pixel unit, it is suitable for displaying the selected area. For example, when the display area 70 is displayed by the reflection type display element, the selected area can be displayed by the light emitting type display element. Further, when the display area 70 is displayed by the light emitting type display element, the selected area may be displayed by the reflection type display element. Alternatively, the selected area may be displayed by changing the gradation data of the reflection type display element, or the selected area may be displayed by changing the gradation data of the light emitting type display element.

以上が画素ユニット75の構成例についての説明である。 The above is the description of the configuration example of the pixel unit 75.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate in combination with other embodiments described in the present specification.

(実施の形態5)
以下では、実施の形態4で説明したハイブリッドディスプレイの構成の具体例について説明する。以下で例示する表示パネルは、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示パネルである。
(Embodiment 5)
Hereinafter, a specific example of the configuration of the hybrid display described in the fourth embodiment will be described. The display panel exemplified below is a display panel having both a reflective liquid crystal element and a light emitting element, and capable of displaying both a transmission mode and a reflection mode.

[構成例]
図21(A)は、表示装置400の構成の一例を示すブロック図である。表示装置400は、表示部362にマトリクス状に配列した複数の画素410を有する。また表示装置400は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素410、回路GDと電気的に接続する複数の配線GD1、複数の配線GD2、複数の配線ANO、及び複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素410、回路SDと電気的に接続する複数の配線S1、及び複数の配線S2を有する。
[Configuration example]
FIG. 21A is a block diagram showing an example of the configuration of the display device 400. The display device 400 has a plurality of pixels 410 arranged in a matrix on the display unit 362. Further, the display device 400 has a circuit GD and a circuit SD. Further, it has a plurality of pixels 410 arranged in the direction R, a plurality of wiring GD1 electrically connected to the circuit GD, a plurality of wiring GD2, a plurality of wiring ANOs, and a plurality of wiring CSCOMs. Further, it has a plurality of pixels 410 arranged in the direction C, a plurality of wirings S1 electrically connected to the circuit SD, and a plurality of wirings S2.

なお、ここでは簡単のために回路GDと回路SDを1つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動する回路GD及び回路SDと、発光素子を駆動する回路GD及び回路SDとを、別々に設けてもよい。 Although the configuration having one circuit GD and one circuit SD is shown here for simplicity, the circuit GD and circuit SD for driving the liquid crystal element and the circuit GD and circuit SD for driving the light emitting element are separately separated. It may be provided in.

画素410は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素410において、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。 The pixel 410 has a reflective liquid crystal element and a light emitting element. In the pixel 410, the liquid crystal element and the light emitting element have a portion that overlaps with each other.

図21(B1)は、画素410が有する導電層311bの構成例を示す。導電層311bは、画素410における液晶素子の反射電極として機能する。また導電層311bには、開口451が設けられている。 FIG. 21 (B1) shows a configuration example of the conductive layer 311b included in the pixel 410. The conductive layer 311b functions as a reflective electrode of the liquid crystal element in the pixel 410. Further, the conductive layer 311b is provided with an opening 451.

図21(B1)には、導電層311bと重なる領域に位置する発光素子360を破線で示している。発光素子360は、導電層311bが有する開口451と重ねて配置されている。これにより、発光素子360が発する光は、開口451を介して表示面側に射出される。 In FIG. 21 (B1), the light emitting element 360 located in the region overlapping the conductive layer 311b is shown by a broken line. The light emitting element 360 is arranged so as to overlap with the opening 451 of the conductive layer 311b. As a result, the light emitted by the light emitting element 360 is emitted toward the display surface side through the opening 451.

図21(B1)では、方向Rに隣接する画素410が異なる色に対応する画素である。このとき、図21(B1)に示すように、方向Rに隣接する2つの画素において、開口451が一列に配列されないように、導電層311bの異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、2つの発光素子360を離すことが可能で、発光素子360が発する光が隣接する画素410が有する着色層に入射してしまう現象(クロストークともいう)を抑制することができる。また、隣接する2つの発光素子360を離して配置することができるため、発光素子360のEL層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。 In FIG. 21 (B1), the pixels 410 adjacent to the direction R are pixels corresponding to different colors. At this time, as shown in FIG. 21 (B1), it is preferable that the openings 451 are provided at different positions of the conductive layer 311b so that the openings 451 are not arranged in a row in the two pixels adjacent to the direction R. As a result, the two light emitting elements 360 can be separated from each other, and the phenomenon that the light emitted by the light emitting element 360 is incident on the colored layer of the adjacent pixels 410 (also referred to as crosstalk) can be suppressed. Further, since the two adjacent light emitting elements 360 can be arranged apart from each other, a high-definition display device can be realized even when the EL layer of the light emitting element 360 is made separately by a shadow mask or the like.

また、図21(B2)に示すような配列としてもよい。 Further, the arrangement may be as shown in FIG. 21 (B2).

非開口部の総面積に対する開口451の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口451の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子360を用いた表示が暗くなってしまう。 If the value of the ratio of the total area of the opening 451 to the total area of the non-opening is too large, the display using the liquid crystal element becomes dark. Further, if the value of the ratio of the total area of the opening 451 to the total area of the non-opening is too small, the display using the light emitting element 360 becomes dark.

また、反射電極として機能する導電層311bに設ける開口451の面積が小さすぎると、発光素子360が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。 Further, if the area of the opening 451 provided in the conductive layer 311b functioning as the reflective electrode is too small, the efficiency of the light that can be extracted from the light emitted by the light emitting element 360 is lowered.

開口451の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形又は十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口451を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口451を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。 The shape of the opening 451 can be, for example, a polygon, a quadrangle, an ellipse, a circle, a cross, or the like. Further, it may have an elongated streak shape, a slit shape, or a checkered pattern shape. Further, the opening 451 may be arranged close to the adjacent pixel. Preferably, the aperture 451 is placed closer to another pixel displaying the same color. As a result, crosstalk can be suppressed.

[回路構成例]
図22は、画素410の構成例を示す回路図である。図22では、隣接する2つの画素410を示している。
[Circuit configuration example]
FIG. 22 is a circuit diagram showing a configuration example of the pixel 410. FIG. 22 shows two adjacent pixels 410.

画素410は、スイッチSW1、容量素子C1、液晶素子340、スイッチSW2、トランジスタM、容量素子C2、及び発光素子360等を有する。また、画素410には、配線GD1、配線GD3、配線ANO、配線CSCOM、配線S1、及び配線S2が電気的に接続されている。また、図22では、液晶素子340と電気的に接続する配線VCOM1、及び発光素子360と電気的に接続する配線VCOM2を示している。 The pixel 410 includes a switch SW1, a capacitive element C1, a liquid crystal element 340, a switch SW2, a transistor M, a capacitive element C2, a light emitting element 360, and the like. Further, wiring GD1, wiring GD3, wiring ANO, wiring CSCOM, wiring S1 and wiring S2 are electrically connected to the pixel 410. Further, FIG. 22 shows a wiring VCOM1 electrically connected to the liquid crystal element 340 and a wiring VCOM2 electrically connected to the light emitting element 360.

図22では、スイッチSW1及びスイッチSW2に、トランジスタを用いた場合の例を示している。 FIG. 22 shows an example in which a transistor is used for the switch SW1 and the switch SW2.

スイッチSW1は、ゲートが配線GD3と接続され、ソース又はドレインの一方が配線S1と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子C1の一方の電極、及び液晶素子340の一方の電極と接続されている。容量素子C1は、他方の電極が配線CSCOMと接続されている。液晶素子340は、他方の電極が配線VCOM1と接続されている。 In the switch SW1, the gate is connected to the wiring GD3, one of the source or the drain is connected to the wiring S1, and the other of the source or the drain is connected to one electrode of the capacitive element C1 and one electrode of the liquid crystal element 340. There is. The other electrode of the capacitive element C1 is connected to the wiring CSCOM. The other electrode of the liquid crystal element 340 is connected to the wiring VCOM1.

また、スイッチSW2は、ゲートが配線GD1と接続され、ソース又はドレインの一方が配線S2と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子C2の一方の電極、トランジスタMのゲートと接続されている。容量素子C2は、他方の電極が配線CSCOMと接続されている。トランジスタMは、ソース又はドレインの一方が発光素子360の一方の電極と接続されている。発光素子360は、他方の電極が配線VCOM2と接続されている。 Further, in the switch SW2, the gate is connected to the wiring GD1, one of the source and the drain is connected to the wiring S2, and the other of the source and the drain is connected to one electrode of the capacitive element C2 and the gate of the transistor M. .. The other electrode of the capacitive element C2 is connected to the wiring CSCOM. In the transistor M, one of the source and the drain is connected to one electrode of the light emitting element 360. The other electrode of the light emitting element 360 is connected to the wiring VCOM2.

図22では、トランジスタMが半導体を挟む2つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタMが流すことのできる電流を増大させることができる。 FIG. 22 shows an example in which the transistor M has two gates sandwiching the semiconductor and these are connected to each other. As a result, the current that can be passed through the transistor M can be increased.

配線GD3には、スイッチSW1を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線VCOM1には、所定の電位を与えることができる。配線S1には、液晶素子340が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線CSCOMには、所定の電位を与えることができる。 A signal for controlling the switch SW1 in a conducting state or a non-conducting state can be given to the wiring GD3. A predetermined potential can be applied to the wiring VCOM1. A signal for controlling the orientation state of the liquid crystal of the liquid crystal element 340 can be given to the wiring S1. A predetermined potential can be applied to the wiring CSCOM.

配線GD1には、スイッチSW2を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線VCOM2及び配線ANOには、発光素子360が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線S2には、トランジスタMの導通状態を制御する信号を与えることができる。 A signal for controlling the switch SW2 in a conducting state or a non-conducting state can be given to the wiring GD1. The wiring VCOM 2 and the wiring ANO can each be provided with a potential that causes a potential difference in which the light emitting element 360 emits light. A signal for controlling the conduction state of the transistor M can be given to the wiring S2.

図22に示す画素410は、例えば、反射モードの表示を行う場合には、配線GD3及び配線S1に与える信号により駆動し、液晶素子340による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線GD1及び配線S2に与える信号により駆動し、発光素子360を発光させて表示することができる。また、両方のモードで駆動する場合には、配線GD1、配線GD3、配線S1及び配線S2のそれぞれに与える信号により駆動することができる。 For example, when displaying the reflection mode, the pixel 410 shown in FIG. 22 is driven by a signal given to the wiring GD3 and the wiring S1, and can be displayed by utilizing optical modulation by the liquid crystal element 340. Further, when the display is performed in the transmission mode, it can be driven by the signals given to the wiring GD1 and the wiring S2, and the light emitting element 360 can be made to emit light for display. Further, when driving in both modes, it can be driven by the signals given to each of the wiring GD1, the wiring GD3, the wiring S1 and the wiring S2.

なお、図22では一つの画素410に、一つの液晶素子340と一つの発光素子360とを有する例を示したが、これに限られない。図23(A)は、一つの画素410に一つの液晶素子340と4つの発光素子360(発光素子360r、360g、360b、360w)を有する例を示している。 Note that FIG. 22 shows an example in which one pixel 410 has one liquid crystal element 340 and one light emitting element 360, but the present invention is not limited to this. FIG. 23A shows an example in which one liquid crystal element 340 and four light emitting elements 360 (light emitting elements 360r, 360g, 360b, 360w) are provided in one pixel 410.

図23(A)では図22の例に加えて、画素410に配線GD4及び配線S3が接続されている。 In FIG. 23A, in addition to the example of FIG. 22, the wiring GD4 and the wiring S3 are connected to the pixel 410.

図23(A)に示す例では、例えば4つの発光素子360として、それぞれ赤色(R)、緑色(G)、青色(B)、及び白色(W)を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子340として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。 In the example shown in FIG. 23 (A), for example, as the four light emitting elements 360, light emitting elements exhibiting red (R), green (G), blue (B), and white (W), respectively, can be used. Further, as the liquid crystal element 340, a reflective liquid crystal element exhibiting white color can be used. As a result, when displaying the reflection mode, it is possible to display white with high reflectance. Further, when the display is performed in the transmission mode, the display with high color rendering property can be performed with low power consumption.

また、図23(B)には、画素410の構成例を示している。画素410は、電極311が有する開口部と重なる発光素子360wと、電極311の周囲に配置された発光素子360r、発光素子360g、及び発光素子360bとを有する。発光素子360r、発光素子360g、及び発光素子360bは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。 Further, FIG. 23B shows a configuration example of the pixel 410. The pixel 410 has a light emitting element 360w that overlaps with the opening of the electrode 311 and a light emitting element 360r, a light emitting element 360g, and a light emitting element 360b arranged around the electrode 311. It is preferable that the light emitting element 360r, the light emitting element 360g, and the light emitting element 360b have substantially the same light emitting area.

[表示パネルの構成例]
図24は、本発明の一態様の表示パネル300の斜視概略図である。表示パネル300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図24では、基板361を破線で明示している。
[Display panel configuration example]
FIG. 24 is a schematic perspective view of the display panel 300 according to one aspect of the present invention. The display panel 300 has a configuration in which a substrate 351 and a substrate 361 are bonded together. In FIG. 24, the substrate 361 is clearly indicated by a broken line.

表示パネル300は、表示部362、回路364、配線365等を有する。基板351には、例えば回路364、配線365、及び画素電極として機能する導電層311b等が設けられる。また図24では基板351上にIC373とFPC372が実装されている例を示している。そのため、図24に示す構成は、表示パネル300とFPC372及びIC373を有する表示モジュールということもできる。 The display panel 300 has a display unit 362, a circuit 364, wiring 365, and the like. The substrate 351 is provided with, for example, a circuit 364, wiring 365, a conductive layer 311b that functions as a pixel electrode, and the like. Further, FIG. 24 shows an example in which the IC 373 and the FPC 372 are mounted on the substrate 351. Therefore, the configuration shown in FIG. 24 can also be said to be a display module having a display panel 300, an FPC 372, and an IC 373.

回路364は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。 As the circuit 364, for example, a circuit that functions as a scanning line drive circuit can be used.

配線365は、表示部362や回路364に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、FPC372を介して外部、又はIC373から配線365に入力される。 The wiring 365 has a function of supplying signals and electric power to the display unit 362 and the circuit 364. The signal or electric power is input to the wiring 365 from the outside or from the IC 373 via the FPC 372.

また、図24では、COG(Chip On Glass)方式等により、基板351にIC373が設けられている例を示している。IC373は、例えば走査線駆動回路、又は信号線駆動回路などとしての機能を有するICを適用できる。なお表示パネル300が走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、FPC372を介して表示パネル300を駆動するための信号を入力する場合などでは、IC373を設けない構成としてもよい。また、IC373を、COF(Chip On Film)方式等により、FPC372に実装してもよい。 Further, FIG. 24 shows an example in which the IC 373 is provided on the substrate 351 by a COG (Chip On Glass) method or the like. As the IC 373, an IC having a function as, for example, a scanning line drive circuit or a signal line drive circuit can be applied. When the display panel 300 is provided with a circuit that functions as a scanning line drive circuit and a signal line drive circuit, or if a circuit that functions as a scanning line drive circuit or a signal line drive circuit is provided externally, the display panel 300 is driven via the FPC 372. In the case of inputting a signal for inputting the IC 373, the IC 373 may not be provided. Further, the IC 373 may be mounted on the FPC 372 by a COF (Chip On Film) method or the like.

図24には、表示部362の一部の拡大図を示している。表示部362には、複数の表示素子が有する導電層311bがマトリクス状に配置されている。導電層311bは、可視光を反射する機能を有し、後述する液晶素子340の反射電極として機能する。 FIG. 24 shows an enlarged view of a part of the display unit 362. In the display unit 362, conductive layers 311b having a plurality of display elements are arranged in a matrix. The conductive layer 311b has a function of reflecting visible light and functions as a reflecting electrode of the liquid crystal element 340 described later.

また、図24に示すように、導電層311bは開口を有する。さらに導電層311bよりも基板351側に、発光素子360を有する。発光素子360からの光は、導電層311bの開口を介して基板361側に射出される。 Further, as shown in FIG. 24, the conductive layer 311b has an opening. Further, the light emitting element 360 is provided on the substrate 351 side with respect to the conductive layer 311b. The light from the light emitting element 360 is emitted to the substrate 361 side through the opening of the conductive layer 311b.

また、基板361上には入力装置366を設けることができる。例えば、シート状の静電容量方式のタッチセンサを表示部362に重ねて設ける構成とすればよい。又は、基板361と基板351との間にタッチセンサを設けてもよい。基板361と基板351との間にタッチセンサを設ける場合は、静電容量方式のタッチセンサのほか、光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサを適用してもよい。 Further, an input device 366 can be provided on the substrate 361. For example, a sheet-shaped capacitive touch sensor may be provided so as to be superimposed on the display unit 362. Alternatively, a touch sensor may be provided between the substrate 361 and the substrate 351. When a touch sensor is provided between the substrate 361 and the substrate 351, an optical touch sensor using a photoelectric conversion element may be applied in addition to the capacitive touch sensor.

[断面構成例1]
図25に、図24で例示した表示パネルの、FPC372を含む領域の一部、回路364を含む領域の一部及び表示部362を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
[Cross-section configuration example 1]
FIG. 25 shows an example of a cross section of the display panel illustrated in FIG. 24 when a part of the area including the FPC 372, a part of the area including the circuit 364, and a part of the area including the display unit 362 are cut. ..

表示パネルは、基板351と基板361の間に、絶縁層220を有する。また基板351と絶縁層220の間に、発光素子360、トランジスタ201、トランジスタ205、トランジスタ206、着色層262等を有する。また絶縁層220と基板361の間に、液晶素子340、着色層263等を有する。また基板361と絶縁層220は接着層143を介して接着され、基板351と絶縁層220は接着層142を介して接着されている。 The display panel has an insulating layer 220 between the substrate 351 and the substrate 361. Further, a light emitting element 360, a transistor 201, a transistor 205, a transistor 206, a colored layer 262, and the like are provided between the substrate 351 and the insulating layer 220. Further, a liquid crystal element 340, a colored layer 263, and the like are provided between the insulating layer 220 and the substrate 361. Further, the substrate 361 and the insulating layer 220 are adhered to each other via the adhesive layer 143, and the substrate 351 and the insulating layer 220 are adhered to each other via the adhesive layer 142.

トランジスタ206は、液晶素子340と電気的に接続し、トランジスタ205は、発光素子360と電気的に接続する。トランジスタ205とトランジスタ206は、いずれも絶縁層220の基板351側の面上に形成されているため、これらを同一の工程を用いて作製することができる。 The transistor 206 is electrically connected to the liquid crystal element 340, and the transistor 205 is electrically connected to the light emitting element 360. Since both the transistor 205 and the transistor 206 are formed on the surface of the insulating layer 220 on the substrate 351 side, they can be manufactured by using the same process.

基板361には、着色層263、遮光層264、絶縁層261、及び液晶素子340の共通電極として機能する導電層313、配向膜133b、絶縁層260等が設けられている。絶縁層260は、液晶素子340のセルギャップを保持するためのスペーサとして機能する。 The substrate 361 is provided with a colored layer 263, a light-shielding layer 264, an insulating layer 261 and a conductive layer 313 that functions as a common electrode for the liquid crystal element 340, an alignment film 133b, an insulating layer 260, and the like. The insulating layer 260 functions as a spacer for holding the cell gap of the liquid crystal element 340.

絶縁層220の基板351側には、絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214、絶縁層215等の絶縁層が設けられている。絶縁層211は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層212、絶縁層213、及び絶縁層214は、各トランジスタを覆って設けられている。また絶縁層214を覆って絶縁層215が設けられている。絶縁層214及び絶縁層215は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ等を覆う絶縁層として、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214の3層を有する場合について示しているが、これに限られず4層以上であってもよいし、単層、又は2層であってもよい。また平坦化層として機能する絶縁層214は、不要であれば設けなくてもよい。 Insulating layers such as an insulating layer 211, an insulating layer 212, an insulating layer 213, an insulating layer 214, and an insulating layer 215 are provided on the substrate 351 side of the insulating layer 220. A part of the insulating layer 211 functions as a gate insulating layer of each transistor. The insulating layer 212, the insulating layer 213, and the insulating layer 214 are provided so as to cover each transistor. Further, the insulating layer 215 is provided so as to cover the insulating layer 214. The insulating layer 214 and the insulating layer 215 have a function as a flattening layer. Although the case where the insulating layer covering the transistor or the like has three layers of the insulating layer 212, the insulating layer 213, and the insulating layer 214 is shown here, the case is not limited to this, and four or more layers may be used, or simply. It may be a layer or two layers. Further, the insulating layer 214 that functions as a flattening layer may not be provided if it is unnecessary.

また、トランジスタ201、トランジスタ205、及びトランジスタ206は、一部がゲートとして機能する導電層221、一部がソース又はドレインとして機能する導電層222、半導体層231を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。 Further, the transistor 201, the transistor 205, and the transistor 206 have a conductive layer 221 partially functioning as a gate, a conductive layer 222 partially functioning as a source or a drain, and a semiconductor layer 231. Here, the same hatching pattern is attached to a plurality of layers obtained by processing the same conductive film.

液晶素子340は反射型の液晶素子である。液晶素子340は、導電層311a、液晶312、導電層313が積層された積層構造を有する。また、導電層311aの基板351側に接して、可視光を反射する導電層311bが設けられている。導電層311bは開口251を有する。また、導電層311a及び導電層313は可視光を透過する材料を含む。また、液晶312と導電層311aの間に配向膜133aが設けられ、液晶312と導電層313の間に配向膜133bが設けられている。 The liquid crystal element 340 is a reflective liquid crystal element. The liquid crystal element 340 has a laminated structure in which a conductive layer 311a, a liquid crystal 312, and a conductive layer 313 are laminated. Further, a conductive layer 311b that reflects visible light is provided in contact with the substrate 351 side of the conductive layer 311a. The conductive layer 311b has an opening 251. Further, the conductive layer 311a and the conductive layer 313 include a material that transmits visible light. Further, an alignment film 133a is provided between the liquid crystal 312 and the conductive layer 311a, and an alignment film 133b is provided between the liquid crystal 312 and the conductive layer 313.

基板361の外側の面には、光拡散板129及び偏光板140を配置する。偏光板140としては直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と1/4波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、外光反射を抑制するために光拡散板129が設けられる。また、偏光板の種類に応じて、液晶素子340に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。 A light diffusing plate 129 and a polarizing plate 140 are arranged on the outer surface of the substrate 361. A linear polarizing plate may be used as the polarizing plate 140, but a circular polarizing plate may also be used. As the circular polarizing plate, for example, a linear polarizing plate and a 1/4 wavelength retardation plate laminated can be used. Thereby, the reflection of external light can be suppressed. Further, a light diffusing plate 129 is provided to suppress reflection of external light. Further, the desired contrast may be realized by adjusting the cell gap, orientation, drive voltage, etc. of the liquid crystal element used for the liquid crystal element 340 according to the type of the polarizing plate.

液晶素子340において、導電層311bは可視光を反射する機能を有し、導電層313は可視光を透過する機能を有する。基板361側から入射した光は、偏光板140により偏光され、導電層313、液晶312を透過し、導電層311bで反射する。そして、液晶312及び導電層313を再度透過して、偏光板140に達する。このとき、導電層311bと導電層313の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板140を介して射出される光の強度を制御することができる。また光は着色層263によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。 In the liquid crystal element 340, the conductive layer 311b has a function of reflecting visible light, and the conductive layer 313 has a function of transmitting visible light. The light incident from the substrate 361 side is polarized by the polarizing plate 140, passes through the conductive layer 313 and the liquid crystal 312, and is reflected by the conductive layer 311b. Then, it passes through the liquid crystal 312 and the conductive layer 313 again and reaches the polarizing plate 140. At this time, the orientation of the liquid crystal can be controlled by the voltage applied between the conductive layer 311b and the conductive layer 313, and the optical modulation of light can be controlled. That is, the intensity of the light emitted through the polarizing plate 140 can be controlled. Further, the light is absorbed by the colored layer 263 other than the specific wavelength region, and the light taken out becomes, for example, red-colored light.

発光素子360は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子360は、絶縁層220側から導電層191、EL層192、及び導電層193bの順に積層された積層構造を有する。また導電層193bを覆って導電層193aが設けられている。導電層193bは可視光を反射する材料を含み、導電層191及び導電層193aは可視光を透過する材料を含む。発光素子360が発する光は、着色層262、絶縁層220、開口251、導電層313等を介して、基板361側に射出される。 The light emitting element 360 is a bottom emission type light emitting element. The light emitting element 360 has a laminated structure in which the conductive layer 191 and the EL layer 192 and the conductive layer 193b are laminated in this order from the insulating layer 220 side. Further, the conductive layer 193a is provided so as to cover the conductive layer 193b. The conductive layer 193b contains a material that reflects visible light, and the conductive layer 191 and the conductive layer 193a include a material that transmits visible light. The light emitted by the light emitting element 360 is emitted to the substrate 361 side via the colored layer 262, the insulating layer 220, the opening 251 and the conductive layer 313.

ここで、図25に示すように、開口251には可視光を透過する導電層311aが設けられていることが好ましい。これにより、開口251と重なる領域においてもそれ以外の領域と同様に液晶312が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ、意図しない光が漏れてしまうことを抑制できる。 Here, as shown in FIG. 25, it is preferable that the opening 251 is provided with a conductive layer 311a that transmits visible light. As a result, since the liquid crystal 312 is oriented in the region overlapping the opening 251 as in the other regions, it is possible to prevent the liquid crystal from misalignment at the boundary between these regions and prevent unintended light leakage.

導電層191の端部を覆う絶縁層216上には、絶縁層217が設けられている。絶縁層217は、絶縁層220と基板351が必要以上に接近することを抑制するスペーサとしての機能を有する。またEL層192や導電層193aを遮蔽マスク(メタルマスク)を用いて形成する場合には、当該遮蔽マスクが被形成面に接触することを抑制するための機能を有していてもよい。なお、絶縁層217は不要であれば設けなくてもよい。 An insulating layer 217 is provided on the insulating layer 216 that covers the end of the conductive layer 191. The insulating layer 217 has a function as a spacer that prevents the insulating layer 220 and the substrate 351 from coming closer to each other than necessary. Further, when the EL layer 192 and the conductive layer 193a are formed by using a shielding mask (metal mask), the shielding mask may have a function of suppressing contact with the surface to be formed. The insulating layer 217 may not be provided if it is unnecessary.

トランジスタ205のソース又はドレインの一方は、導電層224を介して発光素子360の導電層191と電気的に接続されている。 One of the source and drain of the transistor 205 is electrically connected to the conductive layer 191 of the light emitting element 360 via the conductive layer 224.

トランジスタ206のソース又はドレインの一方は、接続部207を介して導電層311bと電気的に接続されている。導電層311bと導電層311aは接して設けられ、これらは電気的に接続されている。ここで、接続部207は、絶縁層220に設けられた開口を介して、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士を接続する部分である。 One of the source and drain of the transistor 206 is electrically connected to the conductive layer 311b via the connecting portion 207. The conductive layer 311b and the conductive layer 311a are provided in contact with each other, and they are electrically connected to each other. Here, the connecting portion 207 is a portion that connects the conductive layers provided on both sides of the insulating layer 220 via the openings provided in the insulating layer 220.

基板351と基板361が重ならない領域には、接続部204が設けられている。接続部204は、接続層242を介してFPC372と電気的に接続されている。接続部204は接続部207と同様の構成を有している。接続部204の上面は、導電層311aと同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部204とFPC372とを接続層242を介して電気的に接続することができる。 A connection portion 204 is provided in a region where the substrate 351 and the substrate 361 do not overlap. The connection portion 204 is electrically connected to the FPC 372 via the connection layer 242. The connection portion 204 has the same configuration as the connection portion 207. On the upper surface of the connecting portion 204, the conductive layer obtained by processing the same conductive film as the conductive layer 311a is exposed. As a result, the connection portion 204 and the FPC 372 can be electrically connected via the connection layer 242.

接着層143が設けられる一部の領域には、接続部252が設けられている。接続部252において、導電層311aと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層313の一部が、接続体243により電気的に接続されている。したがって、基板361側に形成された導電層313に、基板351側に接続されたFPC372から入力される信号又は電位を、接続部252を介して供給することができる。 A connecting portion 252 is provided in a part of the region where the adhesive layer 143 is provided. In the connecting portion 252, the conductive layer obtained by processing the same conductive film as the conductive layer 311a and a part of the conductive layer 313 are electrically connected by the connecting body 243. Therefore, the signal or potential input from the FPC 372 connected to the substrate 351 side can be supplied to the conductive layer 313 formed on the substrate 361 side via the connecting portion 252.

接続体243としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体243として、弾性変形、又は塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体243は、図25に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体243と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。 As the connecting body 243, for example, conductive particles can be used. As the conductive particles, those obtained by coating the surface of particles such as organic resin or silica with a metal material can be used. It is preferable to use nickel or gold as the metal material because the contact resistance can be reduced. Further, it is preferable to use particles in which two or more kinds of metal materials are coated in a layered manner, such as by further coating nickel with gold. Further, it is preferable to use a material that is elastically deformed or plastically deformed as the connecting body 243. At this time, the connecting body 243, which is a conductive particle, may have a shape that is crushed in the vertical direction as shown in FIG. 25. By doing so, the contact area between the connecting body 243 and the conductive layer electrically connected to the connecting body 243 can be increased, the contact resistance can be reduced, and the occurrence of defects such as poor connection can be suppressed.

接続体243は、接着層143に覆われるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層143に接続体243を分散させておけばよい。 The connection body 243 is preferably arranged so as to be covered with the adhesive layer 143. For example, the connecting body 243 may be dispersed in the adhesive layer 143 before curing.

図25では、回路364の例としてトランジスタ201が設けられている例を示している。 FIG. 25 shows an example in which the transistor 201 is provided as an example of the circuit 364.

図25では、トランジスタ201及びトランジスタ205の例として、チャネルが形成される半導体層231を2つのゲートで挟持する構成が適用されている。一方のゲートは導電層221により、他方のゲートは絶縁層212を介して半導体層231と重なる導電層223により構成されている。このような構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。このとき、2つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示パネルを大型化、又は高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。 In FIG. 25, as an example of the transistor 201 and the transistor 205, a configuration in which the semiconductor layer 231 on which a channel is formed is sandwiched between two gates is applied. One gate is composed of a conductive layer 221 and the other gate is composed of a conductive layer 223 that overlaps with the semiconductor layer 231 via the insulating layer 212. With such a configuration, the threshold voltage of the transistor can be controlled. At this time, the transistor may be driven by connecting two gates and supplying the same signal to them. Such a transistor can increase the field effect mobility as compared with other transistors, and can increase the on-current. As a result, a circuit capable of high-speed driving can be manufactured. Furthermore, the occupied area of the circuit unit can be reduced. By applying a transistor with a large on-current, it is possible to reduce the signal delay in each wiring even if the number of wirings increases when the display panel is enlarged or has high definition, and display unevenness is suppressed. can do.

なお、回路364が有するトランジスタと、表示部362が有するトランジスタは、同じ構造であってもよい。また回路364が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部362が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。 The transistor included in the circuit 364 and the transistor included in the display unit 362 may have the same structure. Further, the plurality of transistors included in the circuit 364 may all have the same structure, or transistors having different structures may be used in combination. Further, the plurality of transistors included in the display unit 362 may all have the same structure, or transistors having different structures may be used in combination.

各トランジスタを覆う絶縁層212、絶縁層213のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層212又は絶縁層213はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示パネルを実現できる。 For at least one of the insulating layer 212 and the insulating layer 213 covering each transistor, it is preferable to use a material in which impurities such as water and hydrogen do not easily diffuse. That is, the insulating layer 212 or the insulating layer 213 can function as a barrier membrane. With such a configuration, it is possible to effectively suppress the diffusion of impurities from the outside to the transistor, and it is possible to realize a highly reliable display panel.

基板361側において、着色層263、遮光層264を覆って絶縁層261が設けられている。絶縁層261は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層261により、導電層313の表面を概略平坦にできるため、液晶312の配向状態を均一にできる。 On the substrate 361 side, an insulating layer 261 is provided so as to cover the colored layer 263 and the light-shielding layer 264. The insulating layer 261 may have a function as a flattening layer. Since the surface of the conductive layer 313 can be made substantially flat by the insulating layer 261, the orientation state of the liquid crystal 312 can be made uniform.

〔断面構成例2〕
図26に示す表示パネルは、図25に示す構成において各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。
[Cross-section configuration example 2]
The display panel shown in FIG. 26 is an example in which a top gate type transistor is applied to each transistor in the configuration shown in FIG. 25. By applying the top gate type transistor in this way, the parasitic capacitance can be reduced, so that the frame frequency of the display can be increased.

本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。なお、トランジスタの構造は特に限定されない。 The transistor included in the display device of one aspect of the present invention functions as a conductive layer that functions as a gate electrode, a semiconductor layer, a conductive layer that functions as a source electrode, a conductive layer that functions as a drain electrode, and a gate insulating layer. It has an insulating layer. The structure of the transistor is not particularly limited.

また、トランジスタに用いる半導体材料としては、エネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などを用いることができる。 Further, as the semiconductor material used for the transistor, a metal oxide having an energy gap of 2 eV or more, preferably 2.5 eV or more, more preferably 3 eV or more can be used. Typically, an oxide semiconductor containing indium or the like can be used.

シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。 A transistor using an oxide semiconductor having a wider bandgap and a smaller carrier density than silicon retains the charge accumulated in the capacitive element connected in series with the transistor for a long period of time due to its low off-current. Is possible.

半導体層は、例えばインジウム、亜鉛及びM(アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属)を含むIn-M-Zn系酸化物、In-M系酸化物、M-Zn系酸化物、又はIn-Zn酸化物で表記される膜とすることができる。 The semiconductor layer is an In—M—Zn-based oxide, In—M containing, for example, indium, zinc and M (metals such as aluminum, titanium, gallium, germanium, ittrium, zirconium, lanthanum, cerium, tin, neodymium or hafnium). The film may be represented by a system oxide, an M—Zn system oxide, or an In—Zn oxide.

半導体層を構成する酸化物半導体がIn-M-Zn系酸化物の場合、In-M-Zn酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In≧M、Zn≧Mを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む。 When the oxide semiconductor constituting the semiconductor layer is an In—M—Zn-based oxide, the atomic number ratio of the metal element of the sputtering target used for forming the In—M—Zn oxide is In ≧ M, Zn. It is preferable to satisfy ≧ M. The atomic number ratios of the metal elements of such a sputtering target are In: M: Zn = 1: 1: 1, In: M: Zn = 1: 1: 1.2, In: M: Zn = 3: 1: 1. 2, In: M: Zn = 4: 2: 3, In: M: Zn = 4: 2: 4.1, In: M: Zn = 5: 1: 6, In: M: Zn = 5: 1: 1. 7, In: M: Zn = 5: 1: 8 and the like are preferable. The atomic number ratio of the semiconductor layer to be formed includes a variation of plus or minus 40% of the atomic number ratio of the metal element contained in the sputtering target.

また、上記材料等で形成した金属酸化物は、不純物や酸素欠損などを制御することで透光性を有する導電体として作用させることができる。したがって、上述した半導体層に加え、トランジスタの他の構成要素であるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極などを透光性を有する導電体で形成することで、透光性を有するトランジスタを構成することができる。当該透光性を有するトランジスタを表示装置の画素に用いることで、表示素子を透過する光、又は表示素子が発する光が当該トランジスタを透過することができるため、開口率を向上させることができる。 Further, the metal oxide formed of the above-mentioned material or the like can act as a translucent conductor by controlling impurities, oxygen deficiency, and the like. Therefore, in addition to the above-mentioned semiconductor layer, the source electrode, drain electrode, gate electrode, and the like, which are other components of the transistor, are formed of a translucent conductor to form a translucent transistor. Can be done. By using the translucent transistor for the pixels of the display device, the light transmitted through the display element or the light emitted by the display element can be transmitted through the transistor, so that the aperture ratio can be improved.

例えば、図27に示す断面構成例1の変形例のように、トランジスタ205、206及び接続部207を構成する要素を、透光性を有する導電体で形成することができる。断面構成例1から、さらに導電層311bを省くことで発光素子360から発する光は、トランジスタ205、206及び接続部207の一部又は全体を透過することができる。また、基板361側から入射し、液晶312を透過した光は、導電層193bで反射させることができる。なお、トランジスタ205、206の信頼性を向上させるため、ゲート電極として作用する導電層及びバックゲート電極として作用する導電層の一方又は両方は、金属などの透光性を有さない層で形成してもよい。 For example, as in the modified example of the cross-sectional configuration example 1 shown in FIG. 27, the elements constituting the transistors 205, 206 and the connecting portion 207 can be formed of a translucent conductor. From the cross-sectional configuration example 1, the light emitted from the light emitting element 360 can pass through a part or the whole of the transistors 205, 206 and the connection portion 207 by further omitting the conductive layer 311b. Further, the light incident from the substrate 361 side and transmitted through the liquid crystal 312 can be reflected by the conductive layer 193b. In order to improve the reliability of the transistors 205 and 206, one or both of the conductive layer acting as the gate electrode and the conductive layer acting as the back gate electrode are formed of a layer having no translucency such as metal. You may.

トランジスタのチャネルが形成される半導体にシリコンを用いてもよい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。 Silicon may be used for the semiconductor in which the channel of the transistor is formed. Amorphous silicon may be used as the silicon, but it is particularly preferable to use silicon having crystallinity. For example, it is preferable to use microcrystalline silicon, polycrystalline silicon, single crystal silicon, or the like. In particular, polycrystalline silicon can be formed at a lower temperature than single crystal silicon, and has higher field effect mobility and higher reliability than amorphous silicon.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate in combination with other embodiments described in the present specification.

(実施の形態6)
本明細書等において、金属酸化物(metal oxide)とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む)、酸化物半導体(Oxide Semiconductor又は単にOSともいう)などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。要するに、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶことができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
(Embodiment 6)
In the present specification and the like, a metal oxide is a metal oxide in a broad expression. Metal oxides are classified into oxide insulators, oxide conductors (including transparent oxide conductors), oxide semiconductors (also referred to as Oxide Semiconductor or simply OS) and the like. For example, when a metal oxide is used for the semiconductor layer of a transistor, the metal oxide may be referred to as an oxide semiconductor. In short, when a metal oxide has at least one of an amplification action, a rectifying action, and a switching action, the metal oxide can be referred to as a metal oxide semiconductor, or OS for short. Further, when the term "OS FET" is used, it can be rephrased as a transistor having a metal oxide or an oxide semiconductor.

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物(metal oxide)と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物(metal oxynitride)と呼称してもよい。 Further, in the present specification and the like, a metal oxide having nitrogen may also be collectively referred to as a metal oxide. Further, the metal oxide having nitrogen may be referred to as a metal oxynitride.

また、本明細書等において、CAAC(c-axis aligned crystal)、及びCAC(Cloud-Aligned Composite)と記載する場合がある。なお、CAACは結晶構造の一例を表し、CACは機能、又は材料の構成の一例を表す。 Further, in the present specification and the like, it may be described as CAAC (c-axis aligned crystal) and CAC (Cloud-Aligned Company). In addition, CAAC represents an example of a crystal structure, and CAC represents an example of a function or a composition of a material.

また、本明細書等において、CAC-OS又はCAC-metal oxideとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、CAC-OS又はCAC-metal oxideを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子(またはホール)を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能(On/Offさせる機能)をCAC-OS又はCAC-metal oxideに付与することができる。CAC-OS又はCAC-metal oxideにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。 Further, in the present specification and the like, the CAC-OS or CAC-metal oxide has a conductive function in a part of the material and an insulating function in a part of the material, and the whole material is used as a semiconductor. Has the function of. When CAC-OS or CAC-metal oxide is used for the semiconductor layer of the transistor, the conductive function is the function of allowing electrons (or holes) to be carriers to flow, and the insulating function is the function of allowing electrons (or holes) to be carriers. It is a function that does not shed. By making the conductive function and the insulating function act in a complementary manner, a switching function (on / off function) can be imparted to the CAC-OS or the CAC-metal oxide. In CAC-OS or CAC-metal oxide, by separating each function, both functions can be maximized.

また、CAC-OS又はCAC-metal oxideは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、CAC-OS又はCAC-metal oxideは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記CAC-OS又はCAC-metal oxideをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、要するに大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。 Further, CAC-OS or CAC-metal oxide is composed of components having different band gaps. For example, CAC-OS or CAC-metal oxide is composed of a component having a wide gap due to an insulating region and a component having a narrow gap due to a conductive region. In the case of this configuration, when the carrier is flown, the carrier mainly flows in the component having a narrow gap. Further, the component having a narrow gap acts complementarily to the component having a wide gap, and the carrier flows to the component having a wide gap in conjunction with the component having a narrow gap. Therefore, when the CAC-OS or CAC-metal oxide is used in the channel region of the transistor, a high current driving force, in short, a large on-current and a high field effect mobility can be obtained in the ON state of the transistor.

すなわち、CAC-OS又はCAC-metal oxideは、マトリックス複合材(matrix composite)、又は金属マトリックス複合材(metal matrix composite)と呼称することもできる。 That is, the CAC-OS or CAC-metal oxide can also be referred to as a matrix composite or a metal matrix composite.

<CAC-OSの構成>
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC-OSの構成について説明する。
<CAC-OS configuration>
Hereinafter, the configuration of the CAC-OS that can be used for the transistor disclosed in one aspect of the present invention will be described.

CAC-OSとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1nm以上2nm以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1nm以上2nm以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。 The CAC-OS is, for example, a composition of a material in which the elements constituting the oxide semiconductor are unevenly distributed in a size of 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 1 nm or more and 2 nm or less, or in the vicinity thereof. In the following, in the oxide semiconductor, one or more metal elements are unevenly distributed, and the region having the metal elements is 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 1 nm or more and 2 nm or less, or a size in the vicinity thereof. The state of being mixed in the above is also referred to as a mosaic shape or a patch shape.

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。 The oxide semiconductor preferably contains at least indium. In particular, it is preferable to contain indium and zinc. In addition to them, aluminum, gallium, yttrium, copper, vanadium, berylium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lantern, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, or magnesium, etc. One or more kinds selected from may be included.

例えば、In-Ga-Zn酸化物におけるCAC-OS(CAC-OSの中でもIn-Ga-Zn酸化物を、特にCAC-IGZOと呼称してもよい。)とは、インジウム酸化物(以下、InOX1(X1は0よりも大きい実数)とする。)、又はインジウム亜鉛酸化物(以下、InX2ZnY2Z2(X2、Y2、及びZ2は0よりも大きい実数)とする。)と、ガリウム酸化物(以下、GaOX3(X3は0よりも大きい実数)とする。)、又はガリウム亜鉛酸化物(以下、GaX4ZnY4Z4(X4、Y4、及びZ4は0よりも大きい実数)とする。)などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のInOX1、又はInX2ZnY2Z2が、膜中に均一に分布した構成(以下、クラウド状ともいう。)である。For example, CAC-OS in In-Ga-Zn oxide (In-Ga-Zn oxide may be particularly referred to as CAC-IGZO in CAC-OS) is an indium oxide (hereinafter, InO). X1 (X1 is a real number larger than 0), or indium zinc oxide (hereinafter, In X2 Zn Y2 O Z2 (X2, Y2, and Z2 are real numbers larger than 0)) and gallium. With an oxide (hereinafter, GaO X3 (X3 is a real number larger than 0)) or gallium zinc oxide (hereinafter, Ga X4 Zn Y4 O Z4 (X4, Y4, and Z4 are real numbers larger than 0)). In _ _ _ be.

要するに、CAC-OSは、GaOX3が主成分である領域と、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第1の領域の元素Mに対するInの原子数比が、第2の領域の元素Mに対するInの原子数比よりも大きいことを、第1の領域は、第2の領域と比較して、Inの濃度が高いとする。In short, CAC-OS is a composite oxide semiconductor having a structure in which a region containing GaO X3 as a main component and a region containing In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 as a main component are mixed. In the present specification, for example, the atomic number ratio of In to the element M in the first region is larger than the atomic number ratio of In to the element M in the second region. It is assumed that the concentration of In is higher than that in the region 2.

なお、IGZOは通称であり、In、Ga、Zn、及びOによる1つの化合物をいう場合がある。代表例として、InGaO(ZnO)m1(m1は自然数)、又はIn(1+x0)Ga(1-x0)(ZnO)m0(-1≦x0≦1、m0は任意数)で表される結晶性の化合物が挙げられる。In addition, IGZO is a common name and may refer to one compound consisting of In, Ga, Zn, and O. As a typical example, it is represented by InGaO 3 (ZnO) m1 (m1 is a natural number) or In (1 + x0) Ga (1-x0) O 3 (ZnO) m0 (-1≤x0≤1 and m0 is an arbitrary number). Crystalline compounds can be mentioned.

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、又はCAAC構造を有する。なお、CAAC構造とは、複数のIGZOのナノ結晶がc軸配向を有し、かつa-b面においては配向せずに連結した結晶構造である。 The crystalline compound has a single crystal structure, a polycrystalline structure, or a CAAC structure. The CAAC structure is a crystal structure in which a plurality of IGZO nanocrystals have a c-axis orientation and are connected without being oriented on the ab plane.

一方、CAC-OSは、酸化物半導体の材料構成に関する。CAC-OSとは、In、Ga、Zn、及びOを含む材料構成において、一部にGaを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にInを主成分とする、ナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。したがって、CAC-OSにおいて、結晶構造は副次的な要素である。 On the other hand, CAC-OS relates to the material composition of oxide semiconductors. CAC-OS is a nanoparticulate region containing In, Ga, Zn, and O, which is partially observed as nanoparticles containing Ga as a main component and a nano portion containing In as a main component. The regions observed in the form of particles refer to a configuration in which the regions are randomly dispersed in a mosaic pattern. Therefore, in CAC-OS, the crystal structure is a secondary element.

なお、CAC-OSは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Inを主成分とする膜と、Gaを主成分とする膜との2層からなる構造は、含まない。 The CAC-OS does not include a laminated structure of two or more types of films having different compositions. For example, it does not include a structure consisting of two layers, a film containing In as a main component and a film containing Ga as a main component.

なお、GaOX3が主成分である領域と、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。In some cases, a clear boundary cannot be observed between the region containing GaO X3 as the main component and the region containing In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 as the main component.

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれている場合、CAC-OSは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にInを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。 Instead of gallium, select from aluminum, ittrium, copper, vanadium, beryllium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, or magnesium. When one or more of these species are contained, CAC-OS has a region observed in the form of nanoparticles mainly composed of the metal element and a nano portion containing In as a main component. The regions observed in the form of particles refer to a configuration in which the regions are randomly dispersed in a mosaic pattern.

CAC-OSは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、CAC-OSをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス(代表的にはアルゴン)、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を0%以上30%未満、好ましくは0%以上10%以下とすることが好ましい。 The CAC-OS can be formed by a sputtering method, for example, under the condition that the substrate is not heated. When the CAC-OS is formed by the sputtering method, one or more selected from an inert gas (typically argon), an oxygen gas, and a nitrogen gas may be used as the film forming gas. good. Further, the lower the flow rate ratio of the oxygen gas to the total flow rate of the film-forming gas at the time of film formation is preferable, and for example, the flow rate ratio of the oxygen gas is preferably 0% or more and less than 30%, preferably 0% or more and 10% or less. ..

CAC-OSは、X線回折(XRD:X-ray diffraction)測定法の一つであるOut-of-plane法によるθ/2θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、X線回折から、測定領域のa-b面方向、及びc軸方向の配向は見られないことが分かる。 CAC-OS is characterized in that no clear peak is observed when measured using a θ / 2θ scan by the Out-of-plane method, which is one of the X-ray diffraction (XRD) measurement methods. Have. That is, from the X-ray diffraction, it can be seen that the orientation of the measurement region in the ab plane direction and the c axis direction is not observed.

またCAC-OSは、プローブ径が1nmの電子線(ナノビーム電子線ともいう。)を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、CAC-OSの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないnc(nano-crystal)構造を有することがわかる。 Further, CAC-OS has an electron beam diffraction pattern obtained by irradiating an electron beam having a probe diameter of 1 nm (also referred to as a nanobeam electron beam) in a ring-shaped high-luminance region and a plurality of bright regions in the ring region. A point is observed. Therefore, from the electron diffraction pattern, it can be seen that the crystal structure of CAC-OS has an nc (nano-crystal) structure having no orientation in the planar direction and the cross-sectional direction.

また例えば、In-Ga-Zn酸化物におけるCAC-OSでは、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X-ray spectroscopy)を用いて取得したEDXマッピングにより、GaOX3が主成分である領域と、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。Further, for example, in CAC-OS in In-Ga-Zn oxide, a region containing GaO X3 as a main component by EDX mapping obtained by using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). And, it can be confirmed that In X2 Zn Y2 O Z2 or a region containing InO X1 as a main component is unevenly distributed and has a mixed structure.

CAC-OSは、金属元素が均一に分布したIGZO化合物とは異なる構造であり、IGZO化合物と異なる性質を有する。要するに、CAC-OSは、GaOX3などが主成分である領域と、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。CAC-OS has a structure different from that of the IGZO compound in which metal elements are uniformly distributed, and has properties different from those of the IGZO compound. In short, CAC-OS is a region in which GaO X3 or the like is the main component and a region in which In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is the main component are phase-separated from each other and each element is the main component. Has a mosaic-like structure.

ここで、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域は、GaOX3などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。要するに、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。したがって、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度(μ)が実現できる。Here, the region in which In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is the main component is a region having higher conductivity than the region in which GaO X3 or the like is the main component. In short, the conductivity as an oxide semiconductor is exhibited by the carrier flowing through the region where In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is the main component. Therefore, a high field effect mobility (μ) can be realized by distributing the region containing In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 as a main component in the oxide semiconductor in a cloud shape.

一方、GaOX3などが主成分である領域は、InX2ZnY2Z2、又はInOX1が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。要するに、GaOX3などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。On the other hand, the region in which GaO X3 or the like is the main component is a region having higher insulating properties than the region in which In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 is the main component. In short, since the region containing GaO X3 or the like as a main component is distributed in the oxide semiconductor, leakage current can be suppressed and good switching operation can be realized.

したがって、CAC-OSを半導体素子に用いた場合、GaOX3などに起因する絶縁性と、InX2ZnY2Z2、又はInOX1に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流(Ion)、及び高い電界効果移動度(μ)を実現することができる。Therefore, when CAC-OS is used for a semiconductor element, the insulating property caused by GaO X3 and the like and the conductivity caused by In X2 Zn Y2 O Z2 or InO X1 act in a complementary manner, so that the insulation is high. On current (Ion) and high field effect mobility (μ) can be realized.

また、CAC-OSを用いた半導体素子は、信頼性が高い。したがって、CAC-OSは、ディスプレイをはじめとする様々な半導体装置に最適である。 Further, the semiconductor element using CAC-OS has high reliability. Therefore, CAC-OS is most suitable for various semiconductor devices such as displays.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate in combination with other embodiments described in the present specification.

(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。
(Embodiment 7)
In the present embodiment, the electronic device of one aspect of the present invention will be described with reference to the drawings.

図28(A)は、一例として燃料を燃焼するエンジン、又は電気により制御するモータを有した車2001を示している。車2001は、電子機器110より、第1の認証コードを受信し、第2の認証コードを生成し、FCODEを表示する電子機器を有している。電子機器110は、FCODEを取得し第2の認証コードを復号化することができる。電子機器110は車2001へのアクセスが許可され、車2001の管理パラメータにアクセスできるようになる。したがって、実施の形態1で説明した認証システムを利用することができる。 FIG. 28A shows, as an example, a vehicle 2001 having an engine that burns fuel or a motor that is controlled by electricity. The car 2001 has an electronic device that receives a first authentication code from the electronic device 110, generates a second authentication code, and displays FCODE. The electronic device 110 can acquire the FCODE and decrypt the second authentication code. The electronic device 110 is authorized to access the vehicle 2001 and will be able to access the management parameters of the vehicle 2001. Therefore, the authentication system described in the first embodiment can be used.

電子機器110は、電子機器110が備える撮像素子が撮像した車2001の画像をAR画像に加工し表示パネルに表示することができる。車2001の利用者又は整備士は、電子機器110を利用することで、車の状態をモニタ又は管理することができる。 The electronic device 110 can process the image of the car 2001 captured by the image pickup element included in the electronic device 110 into an AR image and display it on the display panel. The user or mechanic of the car 2001 can monitor or manage the state of the car by using the electronic device 110.

図28(B)は、一例として燃料を燃焼するエンジン、又は電気により制御するモータを有した大型の輸送車2002を示している。図28(B)に示す大型の輸送車2002は、図28(A)に示す車2001と同様な機能を備えているので説明は省略する。 FIG. 28B shows, as an example, a large transport vehicle 2002 having an engine that burns fuel or a motor that is controlled by electricity. Since the large transport vehicle 2002 shown in FIG. 28 (B) has the same functions as the vehicle 2001 shown in FIG. 28 (A), the description thereof will be omitted.

図28(C)は、一例として電気により制御するモータ、又は燃料を燃焼するエンジンを有した大型の輸送車両2003を示している。図28(C)に示す大型の輸送車両2003は、図28(A)に示す車2001と同様な機能を備えているので説明は省略する。 FIG. 28C shows, for example, a large transport vehicle 2003 having a motor controlled by electricity or an engine for burning fuel. Since the large transport vehicle 2003 shown in FIG. 28 (C) has the same functions as the vehicle 2001 shown in FIG. 28 (A), the description thereof will be omitted.

図28(D)は、一例として燃料を燃焼するエンジンを有した航空機2004を示している。図28(D)に示す航空機2004は、図28(A)に示す車2001と同様な機能を備えているので説明は省略する。 FIG. 28D shows, as an example, an aircraft 2004 with an engine that burns fuel. Since the aircraft 2004 shown in FIG. 28 (D) has the same functions as the vehicle 2001 shown in FIG. 28 (A), the description thereof will be omitted.

図29(A)は、発電施設の一例として風力発電施設2005を示している。風力発電施設では、風力による回転を電気に変換するモータを有している。風力発電施設2005は、FCODEを表示する表示パネル2005aを備えていることが好ましい。したがって、実施の形態1で説明した認証システムを利用することができる。 FIG. 29A shows a wind power generation facility 2005 as an example of a power generation facility. Wind power generation facilities have motors that convert the rotation of wind power into electricity. The wind power generation facility 2005 preferably includes a display panel 2005a for displaying FCODE. Therefore, the authentication system described in the first embodiment can be used.

もしくは、複数の風力発電施設が統合管理されているときFCODEを表示する表示パネル2005aは、複数の風力発電施設を一つのFCODEで管理してもよい。電子機器110は、電子機器110の備える撮像素子が撮像した風力発電施設2005の画像からAR画像を生成して表示することができる。風力発電施設のように高所に備えつけられた制御機器の管理を簡便にする。 Alternatively, the display panel 2005a that displays the FCODE when a plurality of wind power generation facilities are integratedly managed may manage the plurality of wind power generation facilities by one FCODE. The electronic device 110 can generate and display an AR image from the image of the wind power generation facility 2005 captured by the image pickup device included in the electronic device 110. Simplify the management of control equipment installed in high places such as wind power generation facilities.

発電施設は、風力発電施設に限定されない。FCODEを用いた認証システム、及び通信システムは、図示していないが原子力発電施設、火力発電施設、水力発電施設、波力発電施設、地熱発電施設など規模が大きく、機密性が高く、さらに、安全性が求められる施設に適用することができる。電子機器110と対象施設との間に大きな距離を有していても、撮像された画像からAR画像を生成して表示することができる。したがって、対象施設の管理パラメータを簡便に管理することができる認証システム、及び通信システムを提供することができる。 Power generation facilities are not limited to wind power generation facilities. Although not shown, the certification system and communication system using FCODE are large-scale, highly confidential, and safe, such as nuclear power generation facilities, thermal power generation facilities, hydroelectric power generation facilities, wave power generation facilities, and geothermal power generation facilities. It can be applied to facilities where sex is required. Even if there is a large distance between the electronic device 110 and the target facility, an AR image can be generated and displayed from the captured image. Therefore, it is possible to provide an authentication system and a communication system that can easily manage the management parameters of the target facility.

図29(B)は、生産施設の一例として化学プラント2006を示している。化学プラントでは、温度、圧力などの管理パラメータ、又は状態管理パラメータは重要な管理項目である。化学プラント2006の制御システムは、FCODEを表示する表示パネル2006aを備えていることが好ましい。したがって、実施の形態1で説明した認証システムを利用することができる。 FIG. 29B shows a chemical plant 2006 as an example of a production facility. In a chemical plant, control parameters such as temperature and pressure, or state control parameters are important control items. The control system of the chemical plant 2006 preferably includes a display panel 2006a displaying the FCODE. Therefore, the authentication system described in the first embodiment can be used.

電子機器110は、電子機器110の備える撮像素子によって撮像された化学プラント2006の画像をAR画像に加工して表示することができる。よって、複数ある対象施設の間に距離を有していても、撮像された画像により、対象施設の管理パラメータを管理することができる認証システムを有する通信システムを提供することができる。 The electronic device 110 can process the image of the chemical plant 2006 captured by the image pickup device included in the electronic device 110 into an AR image and display it. Therefore, it is possible to provide a communication system having an authentication system capable of managing the management parameters of the target facility by the captured image even if there is a distance between a plurality of target facilities.

生産施設は、化学プラントに限定されない。FCODEを用いた認証システム、及び通信システムは、図示していないが電子機器の生産施設、車等の生産施設、布を加工する縫製施設、植物の生産施設、食品の生産施設などに適用することができる。 Production facilities are not limited to chemical plants. Although not shown, the authentication system using FCODE and the communication system shall be applied to electronic equipment production facilities, car production facilities, cloth processing sewing facilities, plant production facilities, food production facilities, etc. Can be done.

図30で例示する電子機器は、表示部にFCODEを表示することができる本発明の一態様の表示装置を備えるものである。したがって、高い解像度が実現された電子機器である。また高い解像度と、大きな画面が両立された電子機器とすることができる。 The electronic device exemplified in FIG. 30 is provided with a display device of one aspect of the present invention capable of displaying FCODE on the display unit. Therefore, it is an electronic device that realizes high resolution. In addition, it is possible to make an electronic device that has both high resolution and a large screen.

本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、4K2K、8K4K、16K8K、又はそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。また、表示部の画面サイズとしては、対角20インチ以上、又は対角30インチ以上、又は対角50インチ以上、対角60インチ以上、又は対角70インチ以上とすることもできる。 An image having a resolution of, for example, full high-definition, 4K2K, 8K4K, 16K8K, or higher can be displayed on the display unit of the electronic device of one aspect of the present invention. The screen size of the display unit may be 20 inches or more diagonally, 30 inches or more diagonally, 50 inches or more diagonally, 60 inches or more diagonally, or 70 inches or more diagonally.

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、自動販売機、チケット販売機などが挙げられる。 As electronic devices, for example, relatively large screens such as television devices, desktop or notebook personal computers, monitors for computers, digital signage (electronic signage), large game machines such as pachinko machines, etc. In addition to the electronic devices provided, digital cameras, digital video cameras, digital photo frames, mobile phones, portable game machines, personal digital assistants, sound reproduction devices, vending machines, ticket vending machines, etc. can be mentioned.

本発明の一態様の電子機器又は照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。 The electronic device or lighting device of one aspect of the present invention can be incorporated along the inner or outer wall of a house or building, or along the curved surface of the interior or exterior of an automobile.

本発明の一態様の電子機器は、撮像素子(フォトダイオード、光センサ、イメージセンサ)を有していることが好ましい。 The electronic device of one aspect of the present invention preferably has an image pickup device (photodiode, optical sensor, image sensor).

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。 The electronic device of one aspect of the present invention may have an antenna. By receiving the signal with the antenna, the display unit can display images, information, and the like. Further, when the electronic device has an antenna and a secondary battery, the antenna may be used for non-contact power transmission.

本発明の一態様の電子機器は、センサ(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)を有していてもよい。 The electronic device of one aspect of the present invention includes sensors (force, displacement, position, velocity, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substance, voice, time, hardness, electric field, current, It may have the ability to measure voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, odor or infrared rays).

本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プログラム)を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。 The electronic device of one aspect of the present invention can have various functions. For example, a function to display various information (still images, moving images, text images, etc.) on the display unit, a touch panel function, a calendar, a function to display a date or time, a function to execute various software (programs), wireless communication. It can have a function, a function of reading a program or data recorded on a recording medium, and the like.

本発明の一態様の電子機器は、ニューラルネットワークを用いて撮像素子で撮像した画像データからFCODEを検出する機能を有していることが好ましい。 It is preferable that the electronic device of one aspect of the present invention has a function of detecting FCODE from image data captured by an image pickup device using a neural network.

図30(A)にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7103により筐体7101を支持した構成を示している。 FIG. 30A shows an example of a television device. In the television device 7100, the display unit 7000 is incorporated in the housing 7101. Here, a configuration in which the housing 7101 is supported by the stand 7103 is shown.

表示部7000に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。 A display device according to one aspect of the present invention can be applied to the display unit 7000.

図30(A)に示すテレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7111により行うことができる。又は、表示部7000にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作してもよい。リモコン操作機7111は、当該リモコン操作機7111から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7111が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映像を操作することができる。 The operation of the television device 7100 shown in FIG. 30 (A) can be performed by the operation switch provided in the housing 7101 or the remote control operation machine 7111 which is a separate body. Alternatively, the display unit 7000 may be provided with a touch sensor, and may be operated by touching the display unit 7000 with a finger or the like. The remote control operating device 7111 may have a display unit that displays information output from the remote control operating device 7111. The channel and volume can be operated by the operation keys or the touch panel provided on the remote controller 7111, and the image displayed on the display unit 7000 can be operated.

なお、テレビジョン装置7100は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。 The television device 7100 is configured to include a receiver, a modem, and the like. The receiver can receive general television broadcasts. In addition, by connecting to a wired or wireless communication network via a modem, information communication is performed in one direction (sender to receiver) or two-way (sender and receiver, or between receivers, etc.). It is also possible.

図30(B)に、ノート型パーソナルコンピュータ7200を示す。ノート型パーソナルコンピュータ7200は、筐体7211、キーボード7212、ポインティングデバイス7213、外部接続ポート7214等を有する。筐体7211に、表示部7000が組み込まれている。 FIG. 30B shows a notebook personal computer 7200. The notebook personal computer 7200 has a housing 7211, a keyboard 7212, a pointing device 7213, an external connection port 7214, and the like. A display unit 7000 is incorporated in the housing 7211.

表示部7000に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。 A display device according to one aspect of the present invention can be applied to the display unit 7000.

図30(C)、(D)に、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)の一例を示す。 FIGS. 30C and 30D show an example of digital signage (electronic signage).

図30(C)に示すデジタルサイネージ7300は、筐体7301、表示部7000、及びスピーカ7303等を有する。さらに、LEDランプ、操作キー(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。 The digital signage 7300 shown in FIG. 30C has a housing 7301, a display unit 7000, a speaker 7303, and the like. Further, it may have an LED lamp, an operation key (including a power switch or an operation switch), a connection terminal, various sensors, a microphone, and the like.

また、図30(D)は円柱状の柱7401に取り付けられたデジタルサイネージ7400である。デジタルサイネージ7400は、柱7401の曲面に沿って設けられた表示部7000を有する。 Further, FIG. 30 (D) is a digital signage 7400 attached to a columnar pillar 7401. The digital signage 7400 has a display unit 7000 provided along the curved surface of the pillar 7401.

図30(C)、(D)において、表示部7000に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。 In FIGS. 30C and 30D, the display device of one aspect of the present invention can be applied to the display unit 7000.

表示部7000が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部7000が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。また表示部7000は、タッチパネルを備えていることが好ましい。利用者は、表示部7000の一部をタッチ操作することで、表示部7000の一部に表示領域7001を用いて利用者に詳細な情報を提供することができる。 The wider the display unit 7000, the more information can be provided at one time. Further, the wider the display unit 7000 is, the easier it is for people to see it, and for example, the advertising effect of the advertisement can be enhanced. Further, it is preferable that the display unit 7000 is provided with a touch panel. By touching a part of the display unit 7000, the user can provide detailed information to the user by using the display area 7001 for a part of the display unit 7000.

表示部7000にタッチパネルを適用することで、表示部7000に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。 By applying the touch panel to the display unit 7000, not only the image or moving image can be displayed on the display unit 7000, but also the user can intuitively operate the display unit 7000, which is preferable. In addition, when used for the purpose of providing information such as route information or traffic information, usability can be improved by intuitive operation.

また、図30(C)、(D)に示すように、デジタルサイネージ7300又はデジタルサイネージ7400は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機7311又は情報端末機7411と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部7000に表示される広告の情報を、情報端末機7311又は情報端末機7411の画面に表示させることができる。また、情報端末機7311又は情報端末機7411を操作することで、表示部7000の表示を切り替えることができる。 Further, as shown in FIGS. 30C and 30D, the digital signage 7300 or the digital signage 7400 can be linked with the information terminal 7311 or the information terminal 7411 such as a smartphone owned by the user by wireless communication. Is preferable. For example, the information of the advertisement displayed on the display unit 7000 can be displayed on the screen of the information terminal 7311 or the information terminal 7411. Further, by operating the information terminal 7311 or the information terminal 7411, the display of the display unit 7000 can be switched.

また、デジタルサイネージ7300又はデジタルサイネージ7400に、情報端末機7311又は情報端末機7411の画面を操作手段(コントローラ、もしくはタッチパネル)としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。 Further, the digital signage 7300 or the digital signage 7400 can be made to execute a game using the screen of the information terminal 7311 or the information terminal 7411 as an operation means (controller or touch panel). As a result, an unspecified number of users can participate in and enjoy the game at the same time.

図30(E)は、携帯情報端末7500の斜視図である。携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。 FIG. 30E is a perspective view of the mobile information terminal 7500. The mobile information terminal has one or more functions selected from, for example, a telephone, a notebook, an information browsing device, and the like. Specifically, it can be used as a smartphone. The mobile information terminal exemplified in this embodiment can execute various applications such as mobile phone, e-mail, text viewing and creation, music playback, Internet communication, and computer game.

携帯情報端末7500は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図30(E)に示すように、3つの操作キー7502を一の面に表示し、矩形で示す情報7503を他の面に表示することができる。操作キー7502は、表示部7000に表示され、タッチパネルを介して操作されてもよい。図30(E)は、携帯情報端末の側面に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の3面以上に情報を表示してもよい。 The mobile information terminal 7500 can display characters, image information, and the like on a plurality of surfaces thereof. For example, as shown in FIG. 30E, the three operation keys 7502 can be displayed on one surface, and the information 7503 indicated by a rectangle can be displayed on the other surface. The operation key 7502 is displayed on the display unit 7000 and may be operated via the touch panel. FIG. 30E shows an example in which information is displayed on the side surface of a mobile information terminal. Further, the information may be displayed on three or more sides of the mobile information terminal.

なお、情報の例としては、SNS(ソーシャル・ネットワーキング・サービス)の通知、電子メール又は電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作キー、アイコンなどを表示してもよい。 Examples of information include SNS (social networking service) notifications, displays notifying incoming e-mails or telephone calls, titles or senders of e-mails, date and time, time, remaining battery level, and antennas. There is reception strength and so on. Alternatively, an operation key, an icon, or the like may be displayed instead of the information at the position where the information is displayed.

図30(F)はタブレット型のパーソナルコンピュータであり、筐体7601、筐体7602、本発明の一態様に係る表示部7000、光センサ7604、光センサ7605、スイッチ7606等を有する。表示部7000は、筐体7601及び筐体7602によって支持されている。そして、表示部7000は可撓性を有する基板を用いて形成されているため形状をフレキシブルに曲げることができる機能を有する。 FIG. 30F is a tablet-type personal computer, which includes a housing 7601, a housing 7602, a display unit 7000 according to one aspect of the present invention, an optical sensor 7604, an optical sensor 7605, a switch 7606, and the like. The display unit 7000 is supported by the housing 7601 and the housing 7602. Since the display unit 7000 is formed by using a flexible substrate, it has a function of being able to flexibly bend the shape.

筐体7601と筐体7602の間の角度をヒンジ7607及び7608において変更することで、筐体7601と筐体7602が重なるように、表示部7000を折りたたむことができる。図示してはいないが、開閉センサを内蔵させ、上記角度の変化をタブレット型のパーソナルコンピュータにおいて使用条件の情報として用いても良い。タブレット型のパーソナルコンピュータに本発明の一態様に係る表示部7000を用いることで、使用環境における外光の強度に左右されずに、表示部7000に表示品質の高い画像を表示することができ、消費電力も抑えることができる。 By changing the angle between the housing 7601 and the housing 7602 at the hinges 7607 and 7608, the display unit 7000 can be folded so that the housing 7601 and the housing 7602 overlap. Although not shown, an open / close sensor may be built in and the change in angle may be used as information on usage conditions in a tablet-type personal computer. By using the display unit 7000 according to one aspect of the present invention in a tablet-type personal computer, it is possible to display a high-quality display image on the display unit 7000 regardless of the intensity of external light in the usage environment. Power consumption can also be suppressed.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate in combination with other embodiments described in the present specification.

BL1 光
BL2 光
C1 容量素子
C2 容量素子
FCD1 表示領域
FCD2 表示領域
G1 配線
G2 配線
G3 配線
GD1 配線
GD2 配線
GD3 配線
GD4 配線
GL1 光
GL2 光
RL1 光
RL2 光
S1 配線
S2 配線
S3 配線
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
VCOM1 配線
VCOM2 配線
11 基板
12 基板
20 液晶素子
21 導電層
22 液晶
23 導電層
24a 配向膜
24b 配向膜
26 絶縁層
30 トランジスタ
31 導電層
31a 導電層
32 半導体層
32p 半導体層
33a 導電層
33b 導電層
33c 導電層
33d 導電層
34 絶縁層
35 不純物半導体層
37 半導体層
38 接続部
39a 偏光板
39b 偏光板
41 着色層
42 遮光層
60 容量素子
70 表示領域
75 画素ユニット
76 画素
76B 表示素子
76G 表示素子
76R 表示素子
77 画素
77B 表示素子
77G 表示素子
77R 表示素子
79 光
81 絶縁層
82 絶縁層
83 絶縁層
84 絶縁層
90 バックライトユニット
110 電子機器
111 通信モジュール
112 撮像素子
113 表示モジュール
113a 表示装置
113b ディスプレイコントローラ
113c フレームメモリ
113d 表示パネル
113e タッチパネル
114a 表示領域
114b 表示領域
114c 表示領域
114d 表示領域
114e 表示領域
114f 表示領域
115 プロセッサ
116 記憶装置
117 入力装置
120 電子機器
120a コピー機
121 通信モジュール
122 表示モジュール
122a 表示装置
122b ディスプレイコントローラ
122c フレームメモリ
122d 表示パネル
123 入力装置
123a スイッチ
123b スイッチ
123c スイッチ
123d スイッチ
125 プロセッサ
126 記憶装置
129 光拡散板
130 電子機器
131 スキャナ装置
132 表示モジュール
133 通信モジュール
133a 配向膜
133b 配向膜
134 入力装置
135 プロセッサ
136 記憶装置
137 データサーバ
140 偏光板
142 接着層
143 接着層
150 表示領域
150a 表示領域
160a 基板
160b 基板
160c 基板
161a 電子部品
161b 電子部品
162 発光素子
163 撮像素子
191 導電層
192 EL層
193a 導電層
193b 導電層
201 トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
215 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
251 開口
252 接続部
260 絶縁層
261 絶縁層
262 着色層
263 着色層
264 遮光層
300 表示パネル
311 電極
311a 導電層
311b 導電層
312 液晶
313 導電層
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
365 配線
366 入力装置
372 FPC
373 IC
400 表示装置
410 画素
451 開口
812 移動機構
813 移動機構
815 ステージ
816 ボールネジ機構
820 レーザ発振器
821 光学系ユニット
822 ミラー
823 マイクロレンズアレイ
824 マスク
825 レーザ光
826 レーザ光
827 レーザビーム
830 基板
840 非晶質シリコン層
841 多結晶シリコン層
1100 表示装置
2001 車
2002 輸送車
2003 輸送車両
2004 航空機
2005 風力発電施設
2005a 表示パネル
2006 化学プラント
2006a 表示パネル
7000 表示部
7001 表示領域
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 スタンド
7111 リモコン操作機
7200 ノート型パーソナルコンピュータ
7211 筐体
7212 キーボード
7213 ポインティングデバイス
7214 外部接続ポート
7300 デジタルサイネージ
7301 筐体
7303 スピーカ
7311 情報端末機
7400 デジタルサイネージ
7401 柱
7411 情報端末機
7500 携帯情報端末
7502 操作キー
7503 情報
7601 筐体
7602 筐体
7604 光センサ
7605 光センサ
7606 スイッチ
7607 ヒンジ
BL1 optical BL2 optical C1 capacitive element C2 capacitive element FCD1 display area FCD2 display area G1 wiring G2 wiring G3 wiring GD1 wiring GD2 wiring GD3 wiring GD4 wiring GL1 optical GL2 optical RL1 optical RL2 optical S1 wiring S2 wiring S3 wiring SW1 VCOM2 Wiring 11 Substrate 12 Substrate 20 Liquid crystal element 21 Conductive layer 22 Liquid crystal 23 Conductive layer 24a Alignment film 24b Alignment film 26 Insulation layer 30 Transistor 31 Conductive layer 31a Conductive layer 32 Semiconductor layer 32p Semiconductor layer 33a Conductive layer 33b Conductive layer 33c Conductive layer 33d Conductive layer 34 Insulation layer 35 Impure semiconductor layer 37 Semiconductor layer 38 Connection part 39a Plate plate 39b Plate plate 41 Colored layer 42 Light-shielding layer 60 Capacitive element 70 Display area 75 Pixel unit 76 Pixel 76B Display element 76G Display element 76R Display element 77 Pixel 77B Display element 77G Display element 77R Display element 79 Optical 81 Insulation layer 82 Insulation layer 83 Insulation layer 84 Insulation layer 90 Backlight unit 110 Electronic equipment 111 Communication module 112 Image pickup element 113 Display module 113a Display device 113b Display controller 113c Frame memory 113d Display panel 113e Touch panel 114a Display area 114b Display area 114c Display area 114d Display area 114e Display area 114f Display area 115 Processor 116 Storage device 117 Input device 120 Electronic device 120a Copy machine 121 Communication module 122 Display module 122a Display device 122b Display controller 122c Frame memory 122d Display panel 123 Input device 123a Switch 123b Switch 123c Switch 123d Switch 125 Processor 126 Storage device 129 Optical diffuser 130 Electronic device 131 Scanner device 132 Display module 133 Communication module 133a Alignment film 133b Alignment film 134 Input device 135 Processor 136 Storage device 137 Data Server 140 Plate plate 142 Adhesive layer 143 Adhesive layer 150 Display area 150a Display area 160a Substrate 160b Substrate 160c Substrate 161a Electronic component 161b Electronic component 162 Light emitting element 163 Imaging element 191 Conductive layer 192 EL layer 193a Conductive layer 193b Conductive layer 201 Transistor 204 Connection 205 Transistor 206 Transistor 207 Connection 211 Insulation layer 212 Insulation layer 213 Insulation layer 214 Insulation layer 215 Insulation layer 216 Insulation layer 217 Insulation layer 220 Insulation layer 221 Conductive layer 222 Conductive layer 223 Conductive layer 224 Conductive layer 231 Semiconductor layer 242 Connection layer 243 Connection body 251 Opening 252 Connection part 260 Insulation layer 261 Insulation layer 262 Colored layer 263 Colored layer 264 Light-shielding layer 300 Display panel 311 Electrode 311a Conductive layer 311b Conductive layer 312 Liquid crystal 313 Conductive layer 340 Liquid crystal element 351 Substrate 360 Light emitting element 360b Light emitting element 360g Light emitting element 360r Light emitting element 360w Light emitting element 361 Board 362 Display unit 365 Wiring 366 Input device 372 FPC
373 IC
400 Display device 410 Pixel 451 Opening 812 Moving mechanism 813 Moving mechanism 815 Stage 816 Ball screw mechanism 820 Laser oscillator 821 Optical system unit 822 Mirror 823 Microlens array 824 Mask 825 Laser light 828 Laser light 827 Laser beam 830 Substrate 840 Amorphous silicon layer 841 Polycrystalline Silicon Layer 1100 Display Device 2001 Car 2002 Transport Vehicle 2003 Transport Vehicle 2004 Aircraft 2005 Wind Power Facility 2005a Display Panel 2006 Chemical Plant 2006a Display Panel 7000 Display Area 7001 Display Area 7100 Television Device 7101 Housing 7103 Stand 7111 Remote Control Operator 7200 Notebook personal computer 7211 chassis 7212 keyboard 7213 pointing device 7214 external connection port 7300 digital signage 7301 chassis 7303 speaker 7311 information terminal 7400 digital signage 7401 pillar 7411 information terminal 7500 mobile information terminal 7502 operation key 7503 information 7601 chassis 7602 Housing 7604 Optical sensor 7605 Optical sensor 7606 Switch 7607 Hing

Claims (2)

第1の電子機器と第2の電子機器を有する認証システムであって、
前記第1の電子機器は、表示パネルと、電気を動力とする電動機と、を有し、
前記第2の電子機器は、撮像素子と、ニューラルネットワークと、を有し、
前記第1の電子機器と、前記第2の電子機器は、第1の認証コードを有し、
前記ニューラルネットワークは、画像の特徴を検出する機能を有し、
前記第1の電子機器は、前記第1の認証コードを表示コードに符号化する機能を有し、
前記第1の電子機器は、前記表示パネルに前記表示コードを表示する機能を有し、
前記第2の電子機器は、前記撮像素子により前記表示コードを撮像する機能を有し、
前記第2の電子機器は、前記ニューラルネットワークにより前記撮像した画像の中から前記表示コードを検出し、
前記第2の電子機器は、前記表示コードから第2の認証コードを復号化する機能を有し、
前記第2の電子機器は、前記第2の電子機器が有する前記第1の認証コードと、復号化された前記第2の認証コードの一致を判断する機能を有し、
前記判断の結果、一致するときは、前記第1の電子機器が前記第2の電子機器からのアクセスを許可する機能を有し、
前記判断の結果、一致しないときは、前記第1の電子機器が前記第2の電子機器からの前記アクセスを許可しない機能を有する認証システム。
An authentication system having a first electronic device and a second electronic device.
The first electronic device has a display panel and an electric motor powered by electricity.
The second electronic device includes an image pickup device and a neural network.
The first electronic device and the second electronic device have a first authentication code and have a first authentication code.
The neural network has a function of detecting features of an image and has a function of detecting the features of the image.
The first electronic device has a function of encoding the first authentication code into a display code.
The first electronic device has a function of displaying the display code on the display panel.
The second electronic device has a function of capturing the display code by the image pickup element.
The second electronic device detects the display code from the image captured by the neural network.
The second electronic device has a function of decrypting the second authentication code from the display code.
The second electronic device has a function of determining a match between the first authentication code of the second electronic device and the decrypted second authentication code.
As a result of the above determination, if they match, the first electronic device has a function of permitting access from the second electronic device.
An authentication system having a function that the first electronic device does not allow the access from the second electronic device when the results of the determination do not match.
第1の電子機器と第2の電子機器を有する通信システムであって、
前記第1の電子機器は、表示パネルと、電気を動力とする電動機と、を有し、
前記第2の電子機器は、撮像素子と、ニューラルネットワークと、を有し、
前記第1の電子機器は、通信データを有し、
前記ニューラルネットワークは、画像の特徴を検出する機能を有し、
前記第1の電子機器は、前記通信データを表示コードに符号化する機能を有し、
前記第1の電子機器は、前記表示パネルに前記表示コードを表示する機能を有し、
前記第2の電子機器は、前記撮像素子により前記表示コードを撮像する機能を有し、
前記第2の電子機器は、前記ニューラルネットワークにより前記撮像した画像の中から前記表示コードを検出し、
前記第2の電子機器は、前記表示コードから前記通信データを復号化する機能を有する通信システム。
A communication system having a first electronic device and a second electronic device.
The first electronic device has a display panel and an electric motor powered by electricity.
The second electronic device includes an image pickup device and a neural network.
The first electronic device has communication data and has communication data.
The neural network has a function of detecting features of an image and has a function of detecting the features of the image.
The first electronic device has a function of encoding the communication data into a display code, and has a function of encoding the communication data into a display code.
The first electronic device has a function of displaying the display code on the display panel.
The second electronic device has a function of capturing the display code by the image pickup element.
The second electronic device detects the display code from the image captured by the neural network.
The second electronic device is a communication system having a function of decoding the communication data from the display code.
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