JP7048030B2 - Manufacturing method of ultrasonic oscillator - Google Patents

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Description

この発明は、超音波振動子の製造方法に関し、特に高解像度が求められる高い周波数の超音波の送受信が可能な超音波振動子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an ultrasonic vibrator, and particularly to a method for manufacturing an ultrasonic vibrator capable of transmitting and receiving high frequency ultrasonic waves that require high resolution.

超音波振動子は、医療用超音波診断装置や非破壊の検査機器などの超音波深触子に用いられている。図7に圧電材料を用いた超音波深触子の概略図を示す。一般的に超音波深触子は、超音波を送受信する圧電素子1と、圧電素子1の表面および裏面に形成された電極2a、2bと、それぞれの電極2a、2bに接続する電極端子3a、3bとを備えている。また超音波を効率よく送受信させるため、圧電素子1の表面に音響整合層4が形成されている。一方圧電素子1の裏面側には、裏面側に到達した不要な超音波を減衰させるため背面負荷材5が形成されている。この種の超音波深触子は、特許文献1に記載されている。 Ultrasonic transducers are used in ultrasonic deep tentacles such as medical ultrasonic diagnostic equipment and non-destructive inspection equipment. FIG. 7 shows a schematic view of an ultrasonic deep tentacle using a piezoelectric material. Generally, the ultrasonic deep tentacle includes a piezoelectric element 1 that transmits and receives ultrasonic waves, electrodes 2a and 2b formed on the front and back surfaces of the piezoelectric element 1, and electrode terminals 3a connected to the respective electrodes 2a and 2b. It is equipped with 3b. Further, in order to efficiently transmit and receive ultrasonic waves, an acoustic matching layer 4 is formed on the surface of the piezoelectric element 1. On the other hand, a back load material 5 is formed on the back surface side of the piezoelectric element 1 in order to attenuate unnecessary ultrasonic waves reaching the back surface side. This type of ultrasonic deep tentacle is described in Patent Document 1.

一方、医療用超音波診断装置では、心臓や腹部などの診断を行う場合には、2.5MHz~5MHz程度の超音波が使用され、皮膚に近い領域(甲状腺や乳腺など)の診断を行う場合には、7.5MHz~12MHz程度の超音波が使用されている。しかしこのような比較的低い周波数の超音波では、直径が20μm以下の毛細血管などを確認することはできず、40MHz~200MHzの超音波を放射する超音波振動子が求められている(特許文献2)。 On the other hand, in the medical ultrasonic diagnostic apparatus, when diagnosing the heart or abdomen, ultrasonic waves of about 2.5 MHz to 5 MHz are used, and when diagnosing a region close to the skin (thyroid gland, mammary gland, etc.). In, ultrasonic waves of about 7.5 MHz to 12 MHz are used. However, with such relatively low frequency ultrasonic waves, it is not possible to confirm capillaries with a diameter of 20 μm or less, and an ultrasonic oscillator that radiates ultrasonic waves of 40 MHz to 200 MHz is required (Patent Documents). 2).

特開2000-184497号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-184497 特開2008-104497号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-10497

圧電素子を用いた超音波振動子において送受信される超音波の周波数は、圧電素子の厚さによって決まり、高い周波数の超音波を送受信するためには図7に示す圧電素子1の厚さを薄くする必要がある。一例として80MHzの超音波を放射させるためには、一般的な圧電材料であるPZTで、圧電素子1の厚さを20μm程度とする必要がある。さらに高い周波数の超音波を送受信するためにはさらに圧電素子1の厚さを薄くする必要がある。 The frequency of the ultrasonic waves transmitted and received in the ultrasonic vibrator using the piezoelectric element is determined by the thickness of the piezoelectric element, and in order to transmit and receive high-frequency ultrasonic waves, the thickness of the piezoelectric element 1 shown in FIG. 7 is reduced. There is a need to. As an example, in order to radiate an ultrasonic wave of 80 MHz, it is necessary to make the thickness of the piezoelectric element 1 about 20 μm by using PZT which is a general piezoelectric material. In order to transmit and receive ultrasonic waves having a higher frequency, it is necessary to further reduce the thickness of the piezoelectric element 1.

一般的に圧電素子1は、圧電基板上に複数個の圧電素子1を一括して形成し、個片化して個々の圧電素子に分離することで効率よく製造することができる。しかし圧電基板の厚さが30μm以下程度となると、強度不足から圧電基板にクラックや割れなどが生じてしまい安定的に圧電素子を製造することが困難となる。本発明はこのような問題点を解消し、高い周波数の超音波を放射することができる超音波振動子を安定的に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。 Generally, the piezoelectric element 1 can be efficiently manufactured by forming a plurality of piezoelectric elements 1 together on a piezoelectric substrate, separating them into individual pieces, and separating them into individual piezoelectric elements. However, when the thickness of the piezoelectric substrate is about 30 μm or less, cracks and cracks occur in the piezoelectric substrate due to insufficient strength, and it becomes difficult to stably manufacture the piezoelectric element. An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a manufacturing method capable of stably manufacturing an ultrasonic vibrator capable of emitting high frequency ultrasonic waves.

上記目的を達成するため本願請求項1に係る発明は、圧電基板から超音波振動子を形成する製造方法において、前記圧電基板の一方の表面の周縁部と当接する当接部と、該当接部と共に前記圧電基板を収容する収容部と、前記当接部に囲まれた前記圧電基板の一方の表面の一部を露出する開口部とを備えた治具を用意する工程と、前記圧電基板の前記一方の表面の周縁部を前記当接部に当接して前記圧電基板を前記収容部に収容し、前記圧電基板の前記一方の表面の一部を前記開口部から露出させる工程と、前記開口部内に露出する前記圧電基板の前記露出する一方の表面の一部を除去し、前記圧電基板を所望の厚さとする圧電基板の薄膜化工程と、薄膜化された前記圧電基板の前記一方の表面と他方の表面に、それぞれ電極膜を形成する工程と、前記電極膜が形成された前記圧電基板を個片化し、前記所望の厚さの超音波振動子を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 of the present application is a manufacturing method for forming an ultrasonic transducer from a piezoelectric substrate, in which a contact portion abutting with a peripheral edge portion of one surface of the piezoelectric substrate and a corresponding contact portion thereof. A step of preparing a jig having an accommodating portion for accommodating the piezoelectric substrate and an opening for exposing a part of one surface of the piezoelectric substrate surrounded by the contact portion, and a step of preparing the piezoelectric substrate. A step of contacting the peripheral edge portion of the one surface with the abutting portion, accommodating the piezoelectric substrate in the accommodating portion, and exposing a part of the one surface of the piezoelectric substrate from the opening, and the opening . A step of thinning the piezoelectric substrate by removing a part of the exposed one surface of the piezoelectric substrate exposed in the portion to make the piezoelectric substrate a desired thickness, and the one surface of the thinned piezoelectric substrate. A step of forming an electrode film on the other surface and a step of individualizing the piezoelectric substrate on which the electrode film is formed to form an ultrasonic transducer having a desired thickness are included. It is a feature.

本願請求項2に係る発明は、請求項1記載の超音波振動子の製造方法において、前記薄膜化された前記圧電基板の一方の表面あるいは前記他方の表面の電極膜上に、音響整合膜あるいは背面負荷材のいずれか、あるいは両方を形成した後、個片化することを特徴とする。 The invention according to claim 2 of the present application is the method for manufacturing an ultrasonic vibrator according to claim 1, wherein an acoustic matching film or an acoustic matching film is formed on one surface of the thinned piezoelectric substrate or an electrode film on the other surface. It is characterized in that one or both of the back load materials are formed and then individualized .

本願請求項3に係る発明は、請求項1記載の超音波振動子の製造方法において、前記薄膜化された圧電基板の一方の表面あるいは前記他方の表面に、それぞれの電極の引出電極を形成する工程を含むことを特徴とする超音波振動子の製造方法。 The invention according to claim 3 of the present application is the extraction electrode of each electrode on one surface of the thinned piezoelectric substrate or the other surface in the method for manufacturing an ultrasonic vibrator according to claim 1 . A method for manufacturing an ultrasonic vibrator, which comprises a step of forming the ultrasonic vibrator.

本願請求項4に係る発明は、請求項3記載の超音波振動子の製造方法において、前記電極の引出電極を除く表面に、音響整合膜あるいは背面負荷材のいずれかを形成した後、個片化することを特徴とする超音波振動子の製造方法。 The invention according to claim 4 of the present application is the method for manufacturing an ultrasonic vibrator according to claim 3 , after forming either an acoustic matching film or a back load material on the surface of the electrode other than the extraction electrode. A method for manufacturing an ultrasonic vibrator, which is characterized by being separated .

本願請求項5に係る発明は、請求項1乃至4いずれか記載の超音波振動子の製造方法において、前記個片化前に前記圧電基板から前記治具を分離することを特徴とする超音波振動子の製造方法。 The invention according to claim 5 of the present application is the method for manufacturing an ultrasonic vibrator according to any one of claims 1 to 4 , wherein the jig is separated from the piezoelectric substrate before the individualization. Manufacturing method of oscillator.

本発明の超音波振動子の製造方法は、圧電基板の一部を周縁部として残すことによって機械的強度を保ち、周縁部に囲まれた領域を所望の厚さに薄膜化し、個片化することで超音波振動子を形成する構成としている。このように構成することで、圧電基板を高い周波数の超音波を送受信できるように非常に薄く形成することができる一方、圧電基板に割れ等の不具合を発生させることの無い安定的な製造方法を提案することが可能となる。 In the method for manufacturing an ultrasonic oscillator of the present invention, mechanical strength is maintained by leaving a part of the piezoelectric substrate as a peripheral portion, and the region surrounded by the peripheral portion is thinned to a desired thickness and individualized. As a result, an ultrasonic oscillator is formed. With this configuration, the piezoelectric substrate can be formed very thin so that ultrasonic waves of high frequency can be transmitted and received, while a stable manufacturing method that does not cause defects such as cracks in the piezoelectric substrate can be obtained. It will be possible to make a proposal.

また、機械的強度を増すために治具を用いることも可能であり、治具の使用により周縁部の歪み等をなくし、さらに安定的が製造方法となる。使用される治具は、薄膜化工程後に圧電基板から分離可能であるが、個片化工程の前で圧電基板から分離するように構成することができ、より安定的な製造方法となる。 It is also possible to use a jig to increase the mechanical strength, and the use of the jig eliminates distortion of the peripheral portion and makes the manufacturing method more stable. The jig used can be separated from the piezoelectric substrate after the thinning step, but can be configured to be separated from the piezoelectric substrate before the individualization step, which provides a more stable manufacturing method.

本発明の超音波振動子の製造方法によれば、個片化前に、圧電基板の表面あるいは裏面に音響整合膜あるいは背面負荷材を形成することも容易となり、音響整合膜あるいは背面負荷材の形成も容易にできるという利点がある。 According to the method for manufacturing an ultrasonic vibrator of the present invention, it becomes easy to form an acoustic matching film or a back load material on the front surface or the back surface of a piezoelectric substrate before individualization, and the acoustic matching film or the back load material can be formed. It has the advantage that it can be easily formed.

また音響整合膜あるいは背面負荷材を形成する際、圧電素子の両面に形成する電極の引出電極を一方の表面あるいは他方の表面に形成することで、引出電極を音響整合膜あるいは背面負荷材で覆われない位置に形成することも容易となる。引出電極が一方の面に露出するため、医療用超音波診断装置用の深触子を形成する際にも組立が容易であり、さらに小型化を図ることもできるという利点がある。 Further, when forming the acoustic matching film or the back loading material, the extraction electrodes formed on both sides of the piezoelectric element are formed on one surface or the other surface, so that the drawing electrodes are covered with the acoustic matching film or the back loading material. It is also easy to form it in a position where it will not be broken. Since the extraction electrode is exposed on one surface, it is easy to assemble when forming a deep tentacle for a medical ultrasonic diagnostic apparatus, and there is an advantage that the size can be further reduced.

本発明の第1の実施例の超音波振動子の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the ultrasonic oscillator of 1st Example of this invention. 本発明の第1の実施例の超音波振動子の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the ultrasonic oscillator of 1st Example of this invention. 本発明の第2の実施例の超音波振動子の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the ultrasonic oscillator of the 2nd Example of this invention. 本発明の第2の実施例の超音波振動子の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the ultrasonic oscillator of the 2nd Example of this invention. 本発明の第3の実施例の超音波振動子の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the ultrasonic oscillator of the 3rd Example of this invention. 本発明の第4の実施例の超音波振動子の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the ultrasonic oscillator of the 4th Example of this invention. 従来の超音波振動子の説明図である。It is explanatory drawing of the conventional ultrasonic oscillator.

本発明は、例えば高解像度の医療用超音波撮像装置等に用いられる高い周波数の超音波を送受信することができる超音波振動子を製造するため、圧電素子を形成する圧電基板の周縁部を厚い状態として製造することを特徴としている。以下、本発明の実施例について詳細に説明する。 In the present invention, in order to manufacture an ultrasonic vibrator capable of transmitting and receiving high-frequency ultrasonic waves used in, for example, a high-resolution medical ultrasonic image pickup device, the peripheral portion of the piezoelectric substrate forming the piezoelectric element is thickened. It is characterized by being manufactured as a state. Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail.

まず、本発明の第1の実施例について説明する。図1は本発明の第1の実施例の超音波振動子の製造方法の説明図である。図1に示すように、例えば円形で厚さ30~50μm程度の圧電基板10を用意し、その周縁部分を覆うようにフォトレジスト11をパターニングする。円形の圧電基板10を用いた場合、フォトレジスト11はドーナツ形状となる(図1a)。なお圧電基板10は、水晶、ニオブ酸リチウム、チタン酸バリウム、チタン酸鉛等の無機圧電材料に限らず、有機圧電材料やこれらの複合材料であっても良い。 First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an ultrasonic oscillator according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, for example, a circular piezoelectric substrate 10 having a thickness of about 30 to 50 μm is prepared, and the photoresist 11 is patterned so as to cover the peripheral portion thereof. When the circular piezoelectric substrate 10 is used, the photoresist 11 has a donut shape (FIG. 1a). The piezoelectric substrate 10 is not limited to inorganic piezoelectric materials such as quartz, lithium niobate, barium titanate, and lead titanate, and may be organic piezoelectric materials or composite materials thereof.

その後、フォトレジスト11をエッチングマスクとして使用し、周縁部によって囲まれた中央部分の圧電基板10の一部をエッチング除去し凹部12を形成する(図1b)。このとき凹部12の深さは、除去されずに残る凹部12底部の圧電基板10の厚さが、送受信される超音波信号が所望の周波数となる深さとする。凹部12を形成するためのエッチングは、使用する圧電基板に応じて、ドライエッチング法あるいはウエットエッチング法を適宜選択すればよい。なおウエットエッチング法を採用する際には、圧電基板10の側面や裏面側は、不要なエッチングが行われないように予めエッチングマスクで被覆しておく必要がある。 After that, the photoresist 11 is used as an etching mask, and a part of the piezoelectric substrate 10 in the central portion surrounded by the peripheral portion is removed by etching to form the recess 12 (FIG. 1b). At this time, the depth of the recess 12 is such that the thickness of the piezoelectric substrate 10 at the bottom of the recess 12 that remains without being removed is such that the transmitted / received ultrasonic signal has a desired frequency. For the etching for forming the concave portion 12, a dry etching method or a wet etching method may be appropriately selected depending on the piezoelectric substrate to be used. When the wet etching method is adopted, it is necessary to cover the side surface and the back surface side of the piezoelectric substrate 10 with an etching mask in advance so that unnecessary etching is not performed.

フォトレジスト11を除去すると、圧電基板10の周縁部13は厚く、凹部の形成により所望の厚さに薄膜化した圧電素子形成予定領域14が形成される(図1c)。このような形状とすると、圧電素子形成予定領域14の厚さが20μm程度であっても、周縁部13が圧電基板の形状を保持し、周縁部13をハンドリングして後工程を進めれば、圧電素子形成予定領域14に割れ等が発生することを防止できる。 When the photoresist 11 is removed, the peripheral portion 13 of the piezoelectric substrate 10 is thick, and the region 14 for forming the piezoelectric element, which is thinned to a desired thickness by forming the concave portion, is formed (FIG. 1c). With such a shape, even if the thickness of the region 14 where the piezoelectric element is planned to be formed is about 20 μm, if the peripheral edge portion 13 retains the shape of the piezoelectric substrate and the peripheral edge portion 13 is handled to proceed with the subsequent process, It is possible to prevent cracks and the like from occurring in the region 14 where the piezoelectric element is planned to be formed.

その後、図2(a)に示すように、圧電基板10の両面に金属膜を積層形成し、圧電素子の電極膜15を形成する。凹部12の底部にあたる圧電素子形成予定領域14の表面は、周縁部13により大きな段差があるため、微細な加工は難しいため、全面に電極膜15を形成するのみとするのが好ましい。一方圧電基板10の裏面は平坦な形状であるので、電極膜15を積層した後、通常のフォトリソグラフ法によりパターニングすることも可能である。 After that, as shown in FIG. 2A, a metal film is laminated on both sides of the piezoelectric substrate 10 to form an electrode film 15 of the piezoelectric element. Since the surface of the region 14 where the piezoelectric element is planned to be formed, which is the bottom of the recess 12, has a large step on the peripheral edge 13, it is difficult to perform fine processing. Therefore, it is preferable to form only the electrode film 15 on the entire surface. On the other hand, since the back surface of the piezoelectric substrate 10 has a flat shape, it is also possible to laminate the electrode films 15 and then pattern them by a normal photolithography method.

次に個片化のため、圧電基板10の裏面側をダイシングテープ16に貼り付ける。その後、ダイシングソー17を用いて圧電基板10に格子状の切断溝18を形成することで、個々の圧電素子に個片化することができる。この格子状の切断溝18は、周縁部13にも形成される(図2b)。 Next, the back surface side of the piezoelectric substrate 10 is attached to the dicing tape 16 for individualization. After that, by forming a grid-shaped cutting groove 18 on the piezoelectric substrate 10 using a dicing saw 17, each piezoelectric element can be individually separated. The grid-shaped cutting groove 18 is also formed in the peripheral edge portion 13 (FIG. 2b).

このように形成された圧電素子1は、圧電基板10の両面に電極膜15が積層した形状となり、この圧電基板10の厚さを、高い周波数の超音波が送受信可能な薄さとすることで超音波振動子となる。本発明の製造方法では、圧電基板10の一部を周縁部13として残すことで、薄膜化した圧電基板10から安定的に超音波振動子を形成することが可能となる。 The piezoelectric element 1 thus formed has a shape in which electrode films 15 are laminated on both sides of the piezoelectric substrate 10, and the thickness of the piezoelectric substrate 10 is set to be thin enough to transmit and receive high-frequency ultrasonic waves. It becomes a sound wave oscillator. In the manufacturing method of the present invention, by leaving a part of the piezoelectric substrate 10 as the peripheral edge portion 13, it is possible to stably form an ultrasonic oscillator from the thin-film piezoelectric substrate 10.

次に第2の実施例について説明する。上記第1の実施例では、圧電基板10に厚い周縁部13を残して製造工程を進める場合について説明した。しかしながら、圧電基板10が大口径化したり、圧電素子形成予定領域14をさらに薄膜化する場合には、圧電基板10が歪み圧電素子形成予定領域14が破損してしまう場合がある。そこで、第2の実施例では、治具を用いて圧電素子形成予定領域14の破損を防止する例について説明する。 Next, a second embodiment will be described. In the first embodiment, the case where the manufacturing process is carried out while leaving the thick peripheral portion 13 on the piezoelectric substrate 10 has been described. However, when the piezoelectric substrate 10 has a larger diameter or the piezoelectric element formation planned region 14 is further thinned, the piezoelectric substrate 10 may be distorted and the piezoelectric element formation planned region 14 may be damaged. Therefore, in the second embodiment, an example of preventing damage to the piezoelectric element formation planned region 14 by using a jig will be described.

まず、上記第1の実施例同様、例えば円形で厚さ30~50μm程度の圧電基板10を用意する。次に圧電基板10の表面にフォトレジスト11を塗布する。上記第1の実施例と異なり、パターニングは行わない。このフォトレジスト11を接着材として利用し、薄膜化する圧電素子の変形を防止するための治具19に接着させる。図3(a)に示すように治具19は、圧電素子10の表面の周縁部に当接する当接部19aと、凹形状で内部に圧電基板10を収容する収容部19bと、当接部19aに囲まれた圧電基板10の表面の一部を露出する開口部19cを備えている。 First, as in the first embodiment, for example, a circular piezoelectric substrate 10 having a thickness of about 30 to 50 μm is prepared. Next, the photoresist 11 is applied to the surface of the piezoelectric substrate 10. Unlike the first embodiment, patterning is not performed. This photoresist 11 is used as an adhesive and is adhered to a jig 19 for preventing deformation of the piezoelectric element to be thinned. As shown in FIG. 3A, the jig 19 has a contact portion 19a that abuts on the peripheral edge of the surface of the piezoelectric element 10, an accommodating portion 19b that has a concave shape and houses the piezoelectric substrate 10 inside, and a contact portion. It is provided with an opening 19c that exposes a part of the surface of the piezoelectric substrate 10 surrounded by 19a.

治具19の開口部19c内に露出するフォトレジスト11を露光、現像し(あるいは治具19をエッチングマスクとして使用し)、開口部19c内に圧電基板10の一部を露出させる(図3b)。 The photoresist 11 exposed in the opening 19c of the jig 19 is exposed and developed (or the jig 19 is used as an etching mask) to expose a part of the piezoelectric substrate 10 in the opening 19c (FIG. 3b). ..

圧電素子10を治具19に貼り付けたまま、治具19およびフォトレジスト11をエッチングマスクとして使用し、治具19の当接部19aによって囲まれた中央部分の圧電基板10の一部をエッチング除去し凹部12を形成する(図3c)。このとき凹部12の深さは、除去されずに残る凹部12底部の厚さが、送受信される超音波信号が所望の周波数となる深さとする。凹部12を形成するためのエッチングは、使用する圧電基板に応じて、ドライエッチング法によってもウエットエッチング法によってもよい。なおウエットエッチング法を採用する際には、圧電基板10の側面や裏面側は、不要なエッチングが行われないように予めエッチングマスクで被覆しておく必要がある。当然ながら治具19がエッチングさたり、治具19がエッチング液等に接触することで異常なエッチングが生じることがないようにする。 With the piezoelectric element 10 attached to the jig 19, the jig 19 and the photoresist 11 are used as etching masks, and a part of the piezoelectric substrate 10 in the central portion surrounded by the contact portion 19a of the jig 19 is etched. It is removed to form a recess 12 (FIG. 3c). At this time, the depth of the recess 12 is such that the thickness of the bottom of the recess 12 that remains without being removed is such that the transmitted / received ultrasonic signal has a desired frequency. The etching for forming the recess 12 may be performed by a dry etching method or a wet etching method, depending on the piezoelectric substrate used. When the wet etching method is adopted, it is necessary to cover the side surface and the back surface side of the piezoelectric substrate 10 with an etching mask in advance so that unnecessary etching is not performed. As a matter of course, the jig 19 is prevented from being etched, and the jig 19 is prevented from coming into contact with an etching solution or the like to cause abnormal etching.

ここで、治具19をフォトレジスト11と共に除去すると、上記実施例1で説明したように圧電基板10の周縁部13は厚く、凹部の形成により所望の厚さに薄膜化した圧電素子形成予定領域14が形成される(図1c)。以下、第1の実施例同様の製造工程を経ることで圧電素子が形成可能となる。 Here, when the jig 19 is removed together with the photoresist 11, the peripheral edge portion 13 of the piezoelectric substrate 10 is thick as described in the first embodiment, and the piezoelectric element formation planned region is thinned to a desired thickness by forming the concave portion. 14 is formed (FIG. 1c). Hereinafter, the piezoelectric element can be formed by going through the same manufacturing process as in the first embodiment.

ところで、上記実施例1で説明した場合より凹部12の底部の厚さを薄くする場合、治具19を貼り付けた状態で後工程に進むのが好ましい場合がある。その場合には、図3(d)に示すように治具19が貼り付いた圧電基板10の両面に金属膜を積層形成し、圧電素子の電極膜15を形成する。凹部12の底部にあたる圧電素子形成予定領域14の表面は、周縁部13および治具19により大きな段差があるため、微細な加工は難しいため、全面に電極膜15を形成するのみとするのが好ましい。治具19上に積層する電極膜15もそのままにしておく。一方圧電基板10の裏面は治具19が突出せず、圧電基板10の裏面と治具19の裏面がほぼ同一平面となるにで、電極膜15を積層した後、通常のフォトリソグラフ法によりパターニングすることも可能である。 By the way, when the thickness of the bottom portion of the recess 12 is made thinner than that described in the first embodiment, it may be preferable to proceed to the subsequent process with the jig 19 attached. In that case, as shown in FIG. 3D, a metal film is laminated on both sides of the piezoelectric substrate 10 to which the jig 19 is attached to form the electrode film 15 of the piezoelectric element. Since the surface of the region 14 where the piezoelectric element is planned to be formed, which is the bottom of the recess 12, has a large step due to the peripheral edge portion 13 and the jig 19, it is difficult to perform fine processing. Therefore, it is preferable to form only the electrode film 15 on the entire surface. .. The electrode film 15 laminated on the jig 19 is also left as it is. On the other hand, the jig 19 does not protrude from the back surface of the piezoelectric substrate 10, and the back surface of the piezoelectric substrate 10 and the back surface of the jig 19 are substantially flush with each other. It is also possible to do.

次に個片化のため、圧電基板10の裏面側をダイシングテープ16に貼り付ける。治具19が圧電基板10と共に個片化可能な材料、例えばシリコン基板等からなる場合は治具19を取り外す必要は無いが、治具19が金属等で構成される場合には、個片化の前に治具19を取り外す(図4b)。この治具19の取り外しは、接着材として使用していたフォトレジスト11を溶解除去すればよく、治具19と共に治具19上に積層した電極膜15も除去される。 Next, the back surface side of the piezoelectric substrate 10 is attached to the dicing tape 16 for individualization. If the jig 19 is made of a material that can be separated together with the piezoelectric substrate 10, for example, a silicon substrate, it is not necessary to remove the jig 19, but if the jig 19 is made of metal or the like, it is separated. The jig 19 is removed before the above (FIG. 4b). The jig 19 may be removed by dissolving and removing the photoresist 11 used as an adhesive, and the electrode film 15 laminated on the jig 19 together with the jig 19 is also removed.

個片化は、第1の実施例で説明したように、ダイシングソー17を用いて圧電基板10に格子状の切断溝18を形成することで、個々の圧電素子に個片化することができる(図4c)。 As described in the first embodiment, the individualization can be individualized into individual piezoelectric elements by forming a grid-like cutting groove 18 in the piezoelectric substrate 10 using a dicing saw 17. (Fig. 4c).

このように形成された圧電素子1は、圧電基板10の両側に電極膜15が積層した形状となり、この圧電基板10の厚さは、先に説明した第1の実施例の場合より薄くでき、高い周波数の超音波が送受信可能な薄さとすることで、超音波振動子となる。本発明の製造方法では、圧電基板10の一部を周縁部13として残すだけでなく治具19を貼り付けて残すことで、上記第1の実施例で説明した場合より薄膜化することができ、より高い周波数の超音波を送受信可能な圧電素子を形成することが可能となる。 The piezoelectric element 1 thus formed has a shape in which electrode films 15 are laminated on both sides of the piezoelectric substrate 10, and the thickness of the piezoelectric substrate 10 can be made thinner than in the case of the first embodiment described above. By making it thin enough to transmit and receive high-frequency ultrasonic waves, it becomes an ultrasonic transducer. In the manufacturing method of the present invention, not only a part of the piezoelectric substrate 10 is left as the peripheral edge portion 13, but also the jig 19 is attached and left, so that the thickness can be made thinner than that described in the first embodiment. , It becomes possible to form a piezoelectric element capable of transmitting and receiving ultrasonic waves having a higher frequency.

次に第3の実施例について説明する。医療用超音波診断装置や非破壊の検査機器などの超音波深触子は、図7に示すように超音波を送受信する圧電素子1の表面に音響整合層4が形成されており、さらに裏面には不要な超音波を減衰させる背面負荷材5が形成されている。そこで、個片化の前に音響整合層4、背面負荷材5のいずれか一方あるいは両方を形成した後、個片化してもよい。例えば上記第1の実施例に適用する場合、図2(a)に示すように圧電基板10の表面および裏面に金属膜を積層形成し、圧電素子の電極膜15を形成した後、凹部12が形成されている圧電素子10の表面に音響整合層4を塗布する。また圧電基板10の裏面に背面負荷材5を塗布する(図5a)。その後、音響整合層4および背面負荷材5が形成された圧電基板10の裏面側をダイシングテープ16に貼り付け、ダイシングソー17を用いて圧電基板10に格子状の切断溝18を形成することで個々の圧電素子に個片化することができる(図5b)。音響整合層4と背面負荷材5は圧電基板10の表裏を逆にして形成しても良い。あるいはいずれか一方だけでもよい。 Next, a third embodiment will be described. As shown in FIG. 7, an ultrasonic deep tentacle such as a medical ultrasonic diagnostic device or a non-destructive inspection device has an acoustic matching layer 4 formed on the front surface of a piezoelectric element 1 that transmits and receives ultrasonic waves, and further on the back surface. Is formed with a back load material 5 that attenuates unnecessary ultrasonic waves. Therefore, one or both of the acoustic matching layer 4 and the back load material 5 may be formed before the individualization, and then the individualization may be performed. For example, in the case of applying to the first embodiment, as shown in FIG. 2A, a metal film is laminated on the front surface and the back surface of the piezoelectric substrate 10, the electrode film 15 of the piezoelectric element is formed, and then the recess 12 is formed. The acoustic matching layer 4 is applied to the surface of the formed piezoelectric element 10. Further, the back load material 5 is applied to the back surface of the piezoelectric substrate 10 (FIG. 5a). After that, the back surface side of the piezoelectric substrate 10 on which the acoustic matching layer 4 and the back load material 5 are formed is attached to the dicing tape 16, and a grid-shaped cutting groove 18 is formed in the piezoelectric substrate 10 using the dicing saw 17. It can be individualized into individual piezoelectric elements (Fig. 5b). The acoustic matching layer 4 and the back load material 5 may be formed by reversing the front and back of the piezoelectric substrate 10. Alternatively, only one of them may be used.

圧電基板10の表面に音響整合層4あるいは背面負荷材5を形成することで、圧電素子形成予定領域14の強度が増し好ましい。また、圧電基板10の裏面に音響整合層4あるいは背面負荷材5のいずれかを形成する際、平坦な表面となっているため、パターニングが必要な一方を形成するのが好ましい。 By forming the acoustic matching layer 4 or the back load material 5 on the surface of the piezoelectric substrate 10, the strength of the region 14 where the piezoelectric element is planned to be formed is increased, which is preferable. Further, when either the acoustic matching layer 4 or the back load material 5 is formed on the back surface of the piezoelectric substrate 10, the surface is flat, so it is preferable to form one that requires patterning.

音響整合層4あるいは背面負荷材5のいずれか一方を形成する場合は、個片化後の圧電素子を超音波深触子に組み合て後に背面負荷材5あるいは音響整合層4を形成すればよい。 When forming either the acoustic matching layer 4 or the acoustic matching layer 5, the back load material 5 or the acoustic matching layer 4 may be formed after the piezoelectric element after individualization is combined with the ultrasonic deep tentacle. good.

同様に上記第2の実施例で説明した治具19を用いた製造方法についても音響整合層4背面負荷材5の形成を付加することが可能である。 Similarly, in the manufacturing method using the jig 19 described in the second embodiment, it is possible to add the formation of the acoustic matching layer 4 back load material 5.

次に第4の実施例について説明する。上記第3の実施例で説明したように、音響整合層4あるいは背面負荷材5を形成した後個片化する方法では、例えば図5(a)の音響整合層4のパターニングは難しく、音響整合層4が電極膜15を覆ってしまい、この電極膜15と外部へ電極を引き出すための電極端子との接続が難しくなる。そこで、音響接合層4で被覆された電極膜15を、パターニングが容易な圧電基板10の反対側に引き出すように形成すれば良い。 Next, a fourth embodiment will be described. As described in the third embodiment, in the method of forming the acoustic matching layer 4 or the back load material 5 and then disassembling them, for example, the patterning of the acoustic matching layer 4 in FIG. 5A is difficult, and the acoustic matching is performed. The layer 4 covers the electrode film 15, and it becomes difficult to connect the electrode film 15 to the electrode terminal for pulling out the electrode to the outside. Therefore, the electrode film 15 coated with the acoustic bonding layer 4 may be formed so as to be pulled out on the opposite side of the piezoelectric substrate 10 where patterning is easy.

図6は、先に説明した図5に示す個片化後の圧電素子形成予定領域の一部の拡大図を示している。本実施例では、圧電基板10の表面に形成された電極膜15aが、貫通電極21によって圧電基板10の裏面に形成された引出電極22aに接続する構成となっている。一方、圧電基板10の裏面に形成された電極膜15bは、圧電基板10の裏面に形成された電極膜22bに接続する構成となっている。圧電基板10の裏面は、平坦な表面であるから、図6に示すように引出電極22a、22bのパターニングは容易である。 FIG. 6 shows an enlarged view of a part of the region where the piezoelectric element is planned to be formed after the individualization shown in FIG. 5 described above. In this embodiment, the electrode film 15a formed on the surface of the piezoelectric substrate 10 is connected to the extraction electrode 22a formed on the back surface of the piezoelectric substrate 10 by the through electrode 21. On the other hand, the electrode film 15b formed on the back surface of the piezoelectric substrate 10 is configured to be connected to the electrode film 22b formed on the back surface of the piezoelectric substrate 10. Since the back surface of the piezoelectric substrate 10 is a flat surface, patterning of the extraction electrodes 22a and 22b is easy as shown in FIG.

圧電基板10の裏面に引出電極22a、22bを形成した後、電極膜15a上に音響整合層4を全面に形成し、電極膜15b上に背面負荷材5を引出電極22a、22bが露出するように形成する。この背面負荷材5のパターニングも、圧電基板10の裏面側が平坦な表面であることから一般的な方法で行うことができる。 After the extraction electrodes 22a and 22b are formed on the back surface of the piezoelectric substrate 10, the acoustic matching layer 4 is formed on the entire surface of the electrode film 15a, and the back load material 5 is exposed on the electrode film 15b so that the extraction electrodes 22a and 22b are exposed. Form to. The patterning of the back load material 5 can also be performed by a general method because the back surface side of the piezoelectric substrate 10 is a flat surface.

その後、図5で説明したようにダイシングソーを用いて個片化すれば、圧電素子を形成することが可能となる。なお図6では、ダイシングテープ16、ダイシングソー17の記載は省略している。 After that, if the pieces are separated by using a dicing saw as described with reference to FIG. 5, the piezoelectric element can be formed. In FIG. 6, the description of the dicing tape 16 and the dicing saw 17 is omitted.

図6に示す貫通電極21を形成する方法は、周知の技術を適用することが可能であるが、例えば、厚い圧電基板10にドリルを用いて予め貫通孔を形成しておき、その後上記説明のように圧電素子形成予定領域14を形成するための薄膜化を行うことで、貫通孔を備えた薄い圧電基板を容易に形成することができる。 As a method for forming the through electrode 21 shown in FIG. 6, a well-known technique can be applied. For example, a through hole is formed in advance on a thick piezoelectric substrate 10 by using a drill, and then the above-described description is performed. By thinning the region 14 for forming the piezoelectric element to be formed as described above, a thin piezoelectric substrate having through holes can be easily formed.

また貫通電極21の形成方法は、貫通孔に両面から電極膜15a、15bを形成することで導通させる方法や、メッキ法により電極膜15a、15bを形成すると同時に貫通孔内に電極膜を構成する金属を充填させる等、周知の方法により形成することができる。 Further, as a method of forming the through electrode 21, a method of forming the electrode films 15a and 15b from both sides in the through hole to conduct conduction, or a method of forming the electrode films 15a and 15b by a plating method and at the same time forming an electrode film in the through hole. It can be formed by a well-known method such as filling with a metal.

このように一方の面に圧電基板の両面に形成された電極膜に接続する引出電極を形成すると、その後の超音波深触子の組み立て等が容易となる。 When the extraction electrodes connected to the electrode films formed on both sides of the piezoelectric substrate are formed on one surface in this way, the subsequent assembly of the ultrasonic deep tentacles and the like becomes easy.

以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々変更可能である。 Although the examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples and can be variously modified.

1:圧電素子、2a、2b:電極、3a、3b:電極端子、4:音響接合層、5:背面負荷材、10:圧電基板、11:フォトレジスト、12:凹部、13:周縁部、14:圧電素子形成予定領域、15:電極膜、16:ダイシングテープ、17:ダイシングソー、18:切断溝、19:治具、20:収納部、21:貫通電極、22a、22b:引出電極 1: Piezoelectric element, 2a, 2b: Electrode, 3a, 3b: Electrode terminal, 4: Acoustic bonding layer, 5: Back load material, 10: Piezoelectric substrate, 11: Photoresist, 12: Recess, 13: Peripheral part, 14 : Piezoelectric element formation planned area, 15: Electrode film, 16: Dicing tape, 17: Dicing saw, 18: Cutting groove, 19: Jig, 20: Storage part, 21: Through electrode, 22a, 22b: Drawer electrode

Claims (5)

圧電基板から超音波振動子を形成する製造方法において、
前記圧電基板の一方の表面の周縁部と当接する当接部と、該当接部と共に前記圧電基板を収容する収容部と、前記当接部に囲まれた前記圧電基板の一方の表面の一部を露出する開口部とを備えた治具を用意する工程と、
前記圧電基板の前記一方の表面の周縁部を前記当接部に当接して前記圧電基板を前記収容部に収容し、前記圧電基板の前記一方の表面の一部を前記開口部から露出させる工程と、
前記開口部内に露出する前記圧電基板の前記露出する一方の表面の一部を除去し、前記圧電基板を所望の厚さとする圧電基板の薄膜化工程と、
薄膜化された前記圧電基板の前記一方の表面と他方の表面に、それぞれ電極膜を形成する工程と、
前記電極膜が形成された前記圧電基板を個片化し、前記所望の厚さの超音波振動子を形成する工程と、を含むことを特徴とする超音波振動子の製造方法。
In the manufacturing method of forming an ultrasonic vibrator from a piezoelectric substrate,
A contact portion that abuts on the peripheral edge of one surface of the piezoelectric substrate, an accommodating portion that accommodates the piezoelectric substrate together with the corresponding contact portion, and a part of one surface of the piezoelectric substrate surrounded by the contact portion. And the process of preparing a jig with an opening to expose
A step of contacting the peripheral edge of the one surface of the piezoelectric substrate with the abutting portion, accommodating the piezoelectric substrate in the accommodating portion, and exposing a part of the one surface of the piezoelectric substrate from the opening. When,
A step of thinning the piezoelectric substrate by removing a part of the exposed one surface of the piezoelectric substrate exposed in the opening to make the piezoelectric substrate a desired thickness.
A step of forming an electrode film on one surface and the other surface of the thinned piezoelectric substrate, respectively.
A method for manufacturing an ultrasonic vibrator, which comprises a step of disassembling the piezoelectric substrate on which the electrode film is formed to form an ultrasonic vibrator having a desired thickness.
請求項1記載の超音波振動子の製造方法において、
前記薄膜化された前記圧電基板の一方の表面あるいは前記他方の表面の電極膜上に、音響整合膜あるいは背面負荷材のいずれか、あるいは両方を形成した後、個片化することを特徴とする超音波振動子の製造方法。
In the method for manufacturing an ultrasonic oscillator according to claim 1,
It is characterized in that either or both of an acoustic matching film and a back load material are formed on one surface of the thinned piezoelectric substrate or an electrode film on the other surface, and then individualized . Manufacturing method of ultrasonic transducer.
請求項1記載の超音波振動子の製造方法において、
記薄膜化された圧電基板の一方の表面あるいは前記他方の表面に、それぞれの電極の引出電極を形成する工程を含むことを特徴とする超音波振動子の製造方法。
In the method for manufacturing an ultrasonic oscillator according to claim 1 ,
A method for manufacturing an ultrasonic oscillator, which comprises a step of forming an extraction electrode of each electrode on one surface of the thinned piezoelectric substrate or the other surface.
請求項3記載の超音波振動子の製造方法において、
前記電極の引出電極を除く表面に、音響整合膜あるいは背面負荷材のいずれかを形成した後、個片化することを特徴とする超音波振動子の製造方法。
In the method for manufacturing an ultrasonic oscillator according to claim 3 ,
A method for manufacturing an ultrasonic oscillator , which comprises forming either an acoustic matching film or a back load material on the surface of the electrode excluding the extraction electrode and then disassembling the material .
請求項1乃至4いずれか記載の超音波振動子の製造方法において、
前記個片化前に前記圧電基板から前記治具を分離することを特徴とする超音波振動子の製造方法。
In the method for manufacturing an ultrasonic oscillator according to any one of claims 1 to 4 .
A method for manufacturing an ultrasonic vibrator , which comprises separating the jig from the piezoelectric substrate before the individualization .
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