JP7047552B2 - Positively charged electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus - Google Patents

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本発明は、正帯電型電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。 The present invention relates to a positively charged electrophotographic photosensitive member, a process cartridge, and an image forming apparatus.

特許文献1には、「基体と、該基体側から順に、酸素およびガリウムを含む下引層と、感光層と、を有する電子写真感光体。」が記載されている。 Patent Document 1 describes "an electrophotographic photosensitive member having a substrate, an undercoat layer containing oxygen and gallium, and a photosensitive layer in this order from the substrate side."

特開2011-069908号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-066908

例えば、無機保護層を備える正帯電型電子写真感光体は、無機保護層に傷が発生する場合がある。無機保護層の機械的強度を高めるために、無機保護層の厚みを厚くすると、残留電位が上昇することがあった。一方で、残留電位の上昇を抑制するために、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくした場合には、感度が低下することがあった。 For example, in a positively charged electrophotographic photosensitive member provided with an inorganic protective layer, the inorganic protective layer may be scratched. Increasing the thickness of the inorganic protective layer in order to increase the mechanical strength of the inorganic protective layer may increase the residual potential. On the other hand, when the stoichiometric ratio of the material forming the inorganic protective layer is reduced in order to suppress the increase in the residual potential, the sensitivity may decrease.

本発明の課題は、無機保護層を備える正帯電型電子写真感光体において、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率(酸素/ガリウム)として1.40以上1.50以下である層のみで構成されている場合、若しくは、体積抵抗率として2.0×1010Ωcm以上である層のみで構成されている場合、又は、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率(酸素/ガリウム)として1.10以上1.30以下である層のみで構成されている場合、若しくは、体積抵抗率として2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である層のみで構成されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する正帯電型電子写真感光体を提供することである。 The subject of the present invention is only a layer in which the inorganic protective layer is 1.40 or more and 1.50 or less as the elemental composition ratio (oxygen / gallium) of oxygen and gallium in the positively charged electrophotographic photosensitive member provided with the inorganic protective layer. If it is composed of only layers having a volume resistivity of 2.0 × 10 10 Ωcm or more, or if the inorganic protective layer is composed of an elemental composition ratio of oxygen and gallium (oxygen / gallium). ) Is composed of only layers having a volume resistivity of 1.10 or more and 1.30 or less, or a volume resistivity of 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less. It is an object of the present invention to provide a positively charged electrophotographic photosensitive member that suppresses an increase in residual potential while ensuring sensitivity even when the thickness of the entire inorganic protective layer is thicker than in the case of the above.

上記課題は、以下の手段により解決される。 The above problem is solved by the following means.

<1>
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第13族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が0.70以上であり、かつ、前記酸素及び前記第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.10以上1.30以下である第1の領域、並びに、前記酸素及び前記第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.40以上1.50以下である第2の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第2の領域が最上層である無機保護層と、
を備えた正帯電型電子写真感光体。
<1>
With a conductive substrate,
The organic photosensitive layer provided on the conductive substrate and
The elemental composition ratio of the 13th group element and the oxygen to all the elements which are the inorganic protective layer provided on the organic photosensitive layer and contain the 13th group element and oxygen and constitute the inorganic protective layer. The first region in which the sum of the above is 0.70 or more and the element composition ratio (oxygen / Group 13 element) of the oxygen and the group 13 element is 1.10 or more and 1.30 or less, and A second region in which the elemental composition ratio (oxygen / Group 13 element) of the oxygen and the Group 13 element is 1.40 or more and 1.50 or less is provided on the organic photosensitive layer in this order. The second region is the top layer, the inorganic protective layer,
A positively charged electrophotographic photosensitive member equipped with.

<2>
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第13族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が0.70以上であり、かつ、体積抵抗率が2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である第1の領域および体積抵抗率が2.0×1010Ωcm以上である第2の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第2の領域が最上層である無機保護層と、
を備えた正帯電型電子写真感光体。
<2>
With a conductive substrate,
The organic photosensitive layer provided on the conductive substrate and
The elemental composition ratio of the group 13 element and the oxygen to the inorganic protective layer provided on the organic photosensitive layer and containing the group 13 element and oxygen and constituting the inorganic protective layer. The first region where the sum of is 0.70 or more and the volume resistivity is 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less and the volume resistivity is 2.0 × 10 10 Ωcm. The above-mentioned second region is provided on the organic photosensitive layer in this order, and the inorganic protective layer in which the second region is the uppermost layer and
A positively charged electrophotographic photosensitive member equipped with.

<3>
前記第13族元素が、ガリウムである<1>又は<2>に記載の正帯電型電子写真感光体。
<4>
前記第1の領域の厚みが、前記第2の領域の厚みよりも薄い<1>~<3>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。
<5>
前記第1の領域の厚みに対する前記第2の領域の厚みの比(第2の領域の厚み/第1の領域の厚み)が3以上100以下である<4>に記載の正帯電型電子写真感光体。
<6>
前記第1の領域の厚みが、0.01μm以上0.5μm以下であり、前記第2の領域の厚みが、0.3μm以上3.5μm以下である<4>又は<5>に記載の正帯電型電子写真感光体。
<7>
前記無機保護層の全体の厚みが3μm以上10μm以下である<1>~<6>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。
<8>
前記無機保護層の全体の厚みが3μm以上6μm以下である請求項7に記載の正帯電型電子写真感光体。
<9>
前記第1の領域および前記第2の領域が、前記第1の領域および前記第2の領域の順で繰り返し積層されている<1>~<8>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。
<10>
前記第1の領域および前記第2の領域の順で繰り返し積層された繰り返し回数が1回以上10回以下である<9>に記載の正帯電型電子写真感光体。
<11>
前記有機感光層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含む層を有する<1>~<10>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。
<12>
前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送材料および前記結着樹脂を含む層の全体に対して40質量%以上80質量%以下である請求項<11>に記載の正帯電型電子写真感光体。
<13>
前記導電性基体の厚みが1.5mm以上である<1>~<12>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。
<3>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to <1> or <2>, wherein the Group 13 element is gallium.
<4>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of <1> to <3>, wherein the thickness of the first region is thinner than the thickness of the second region.
<5>
The positively charged electrograph according to <4>, wherein the ratio of the thickness of the second region to the thickness of the first region (thickness of the second region / thickness of the first region) is 3 or more and 100 or less. Photoreceptor.
<6>
The positive according to <4> or <5>, wherein the thickness of the first region is 0.01 μm or more and 0.5 μm or less, and the thickness of the second region is 0.3 μm or more and 3.5 μm or less. Charged electrophotographic photosensitive member.
<7>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of <1> to <6>, wherein the total thickness of the inorganic protective layer is 3 μm or more and 10 μm or less.
<8>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim 7, wherein the total thickness of the inorganic protective layer is 3 μm or more and 6 μm or less.
<9>
Item 3. The positively charged type according to any one of <1> to <8>, wherein the first region and the second region are repeatedly laminated in the order of the first region and the second region. Electrophotographic photosensitive member.
<10>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to <9>, wherein the number of repetitions repeated in the order of the first region and the second region is 1 or more and 10 times or less.
<11>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of <1> to <10>, wherein the organic photosensitive layer has a layer containing a charge transport material, a binder resin, and silica particles.
<12>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim <11>, wherein the content of the silica particles is 40% by mass or more and 80% by mass or less with respect to the entire layer containing the charge transport material and the binder resin. ..
<13>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of <1> to <12>, wherein the conductive substrate has a thickness of 1.5 mm or more.

<14>
<1>~<13>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
<15>
<1>~<13>のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体と、
前記正帯電型電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記正帯電型電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記正帯電型電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
<14>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of <1> to <13> is provided.
A process cartridge that can be attached to and detached from the image forming device.
<15>
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of <1> to <13>, and the positively charged electrophotographic photosensitive member.
A charging means for charging the surface of the positively charged electrophotographic photosensitive member,
An electrostatic latent image forming means for forming an electrostatic latent image on the surface of the charged positively charged electrophotographic photosensitive member,
A developing means for developing an electrostatic latent image formed on the surface of the positively charged electrophotographic photosensitive member with a developer containing toner to form a toner image, and a developing means.
A transfer means for transferring the toner image to the surface of a recording medium,
An image forming apparatus.

<1>、<3>に係る発明によれば、無機保護層を備える正帯電型電子写真感光体において、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率(酸素/ガリウム)として1.40以上1.50以下である層のみ、又は、1.10以上1.30以下である層のみで構成されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する正帯電型電子写真感光体が提供される。 According to the inventions <1> and <3>, in the positively charged electrophotographic photosensitive member provided with the inorganic protective layer, the inorganic protective layer has an elemental composition ratio (oxygen / gallium) of 1.40 or more of oxygen and gallium. Sensitivity is increased even when the thickness of the entire inorganic protective layer is thicker than when it is composed of only a layer having a thickness of 1.50 or less or a layer having a thickness of 1.10 or more and 1.30 or less. Provided is a positively charged electrophotographic photosensitive member that suppresses an increase in residual potential while ensuring.

<2>に係る発明によれば、無機保護層を備える正帯電型電子写真感光体において、体積抵抗率として2.0×1010Ωcm以上である層のみ、又は、2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である層のみで構成されている場合に比べ、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する正帯電型電子写真感光体が提供される。 According to the invention according to <2>, in the positively charged electrophotographic photosensitive member provided with the inorganic protective layer, only the layer having a volume resistivity of 2.0 × 10 10 Ωcm or more, or 2.0 × 10 7 Ωcm. A positively charged electrophotographic photosensitive member that suppresses an increase in residual potential while ensuring sensitivity is provided as compared with the case where the layer is composed of only a layer having a size of 1.0 × 10 10 Ωcm or less.

<4>、<5>、<6>に係る発明によれば、無機保護層において、第1の領域の厚みが第2の領域の厚みよりも同じまたは厚い場合に比べ、感度の低下が抑制される正帯電型電子写真感光体が提供される。
<7>、<8>に係る発明によれば、無機保護層全体の厚みが3μm未満である場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される正帯電型電子写真感光体が提供される。
<9>に係る発明によれば、第1の領域および第2の領域が、前記第2の領域および前記第1の領域の順で繰り返し積層されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する正帯電型電子写真感光体が提供される。
<10>によれば、無機保護層において、第1の領域および第2の領域を繰り返し積層する繰り返し回数が1回未満の場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する正帯電型電子写真感光体が提供される。
<11>、<12>に係る発明によれば、有機感光層が、電荷発生層と電荷輸送層との機能分離型の感光層であるとき、電荷輸送層が、電荷輸送材料と結着樹脂のみ含む場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される正帯電型電子写真感光体が提供される。
<13>に係る発明によれば、導電性基体の厚みが1.5μm未満である場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される正帯電型電子写真感光体が提供される。
According to the inventions of <4>, <5>, and <6>, in the inorganic protective layer, the decrease in sensitivity is suppressed as compared with the case where the thickness of the first region is the same as or thicker than the thickness of the second region. A positively charged electrophotographic photosensitive member is provided.
According to the inventions <7> and <8>, there is provided a positively charged electrophotographic photosensitive member in which the occurrence of scratches on the inorganic protective layer is suppressed as compared with the case where the thickness of the entire inorganic protective layer is less than 3 μm. To.
According to the invention according to <9>, the thickness of the entire inorganic protective layer is as compared with the case where the first region and the second region are repeatedly laminated in the order of the second region and the first region. Provided is a positively charged electrophotographic photosensitive member that suppresses an increase in residual potential while ensuring sensitivity even when the thickness becomes thick.
According to <10>, in the inorganic protective layer, the thickness of the entire inorganic protective layer is thicker than that in the case where the number of repetitions of repeatedly laminating the first region and the second region is less than one. However, a positively charged electrophotographic photosensitive member that suppresses an increase in residual potential while ensuring sensitivity is provided.
According to the inventions of <11> and <12>, when the organic photosensitive layer is a functionally separated photosensitive layer of a charge generating layer and a charge transporting layer, the charge transporting layer is a charge transporting material and a binder resin. Provided is a positively charged electrophotographic photosensitive member in which the occurrence of scratches on the inorganic protective layer is suppressed as compared with the case of containing only.
According to the invention according to <13>, there is provided a positively charged electrophotographic photosensitive member in which the generation of scratches on the inorganic protective layer is suppressed as compared with the case where the thickness of the conductive substrate is less than 1.5 μm.

<14>、<15>に係る発明によれば、無機保護層を備える正帯電型電子写真感光体において、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率(酸素/ガリウム)として1.40以上1.50以下である層のみ、若しくは、体積抵抗率として2.0×1010Ωcm以上である層のみで構成されている場合、又は、酸素及びガリウムの元素構成比率(酸素/ガリウム)として1.10以上1.30以下である層のみで構成されている場合、若しくは、体積抵抗率として2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である層のみで構成されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する正帯電型電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。 According to the inventions according to <14> and <15>, in the positively charged electrophotographic photosensitive member provided with the inorganic protective layer, the inorganic protective layer has an elemental composition ratio (oxygen / gallium) of 1.40 or more of oxygen and gallium. When it is composed of only layers having a volume resistivity of 1.50 or less, or only layers having a volume resistivity of 2.0 × 10 10 Ωcm or more, or as an elemental composition ratio (oxygen / gallium) of oxygen and gallium, 1 .When it is composed only of layers having a volume resistivity of 10 or more and 1.30 or less, or when it is composed only of layers having a volume resistivity of 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less. Provided by a process cartridge or an image forming apparatus provided with a positively charged electrophotographic photosensitive member that suppresses an increase in residual potential while ensuring sensitivity even when the thickness of the entire inorganic protective layer is thicker than that of the above. Will be done.

本実施形態の正帯電型電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows an example of the layer structure of the positive charge type electrophotographic photosensitive member of this embodiment. 本実施形態の正帯電型電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows another example of the layer structure of the positive charge type electrophotographic photosensitive member of this embodiment. 本実施形態の正帯電型電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows another example of the layer structure of the positive charge type electrophotographic photosensitive member of this embodiment. 本実施形態の正帯電型電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows another example of the layer structure of the positive charge type electrophotographic photosensitive member of this embodiment. 本実施形態の正帯電型電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図である。It is a schematic schematic diagram which shows an example of the film forming apparatus used for forming the inorganic protective layer of the positive charge type electrophotographic photosensitive member of this embodiment. 本実施形態の正帯電型電子写真感光体の無機保護層の形成に用いるプラズマ発生装置の例を示す概略模式図である。It is a schematic schematic diagram which shows the example of the plasma generator used for forming the inorganic protective layer of the positive charge type electrophotographic photosensitive member of this embodiment. 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the image forming apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows another example of the image forming apparatus which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

[正帯電型電子写真感光体]
第1の実施形態に係る正帯電型電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第13族元素、及び酸素の元素構成比率の和が0.70以上であり、かつ、酸素及び第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.10以上1.30以下である第1の領域、並びに、酸素及び前記第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.40以上1.50以下である第2の領域を、有機感光層上にこの順で有し、第2の領域が最上層である無機保護層と、を備える。
[Positively charged electrophotographic photosensitive member]
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to the first embodiment is a conductive substrate, an organic photosensitive layer provided on the conductive substrate, and an inorganic protective layer provided on the organic photosensitive layer. The sum of the element composition ratios of the 13th group element and the oxygen to all the elements containing the 13th group element and the oxygen and constituting the inorganic protective layer is 0.70 or more, and the oxygen and the 13th group element The first region where the elemental composition ratio (oxygen / Group 13 element) is 1.10 or more and 1.30 or less, and the elemental composition ratio (oxygen / Group 13 element) of oxygen and the Group 13 element are 1. A second region of .40 or more and 1.50 or less is provided on the organic photosensitive layer in this order, and an inorganic protective layer in which the second region is the uppermost layer is provided.

第2の実施形態に係る正帯電型電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第13族元素、及び酸素の元素構成比率の和が0.70以上であり、かつ、体積抵抗率が2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である第1の領域および体積抵抗率が2.0×1010Ωcm以上である第2の領域を、有機感光層上にこの順で有し、第2の領域が最上層である無機保護層と、を備える。 The positively charged electrophotographic photosensitive member according to the second embodiment is a conductive substrate, an organic photosensitive layer provided on the conductive substrate, and an inorganic protective layer provided on the organic photosensitive layer. The sum of the elemental composition ratios of the group 13 element and oxygen with respect to all the elements containing the group 13 element and oxygen and constituting the inorganic protective layer is 0.70 or more, and the volume resistivity is 2.0. A first region having a volume resistivity of × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less and a second region having a volume resistivity of 2.0 × 10 10 Ωcm or more are provided on the organic photosensitive layer in this order. A second region is provided with an inorganic protective layer, which is the uppermost layer.

第1の実施形態、及び第2の実施形態(本明細書中において、第1の実施形態、及び第2の実施形態に共通する事項については、「本実施形態」と称する)に係る正帯電型電子写真感光体は、具体的には、有機感光層が単層型の有機感光層の場合、有機感光層は、例えば、電荷発生材料、電荷輸送材料、および結着樹脂を含む。
一方、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、有機感光層は、電荷輸送層と、電荷発生層と、を導電性基体上にこの順で有する有機感光層であることが好ましい。この電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料、結着樹脂を含む。電荷輸送層は、2層以上で構成されていてもよい。
なお、以下の説明において、正帯電型電子写真感光体を単に「電子写真感光体」と称する場合がある。
Positive charge according to a first embodiment and a second embodiment (in the present specification, matters common to the first embodiment and the second embodiment are referred to as "the present embodiment"). Specifically, when the organic photosensitive layer is a single-layer type organic photosensitive layer, the type electrophotographic photosensitive member includes, for example, a charge generating material, a charge transporting material, and a binding resin.
On the other hand, when the organic photosensitive layer is a function-separated organic photosensitive layer, the organic photosensitive layer is preferably an organic photosensitive layer having a charge transport layer and a charge generation layer on a conductive substrate in this order. This charge transport layer contains, for example, a charge transport material and a binder resin. The charge transport layer may be composed of two or more layers.
In the following description, the positively charged electrophotographic photosensitive member may be simply referred to as an "electrophotographic photosensitive member".

ここで、従来、有機感光層上に、無機保護層を形成する技術が知られている。
有機感光層は柔軟性を有し、変形し易い傾向がある一方で、無機保護層は硬質ではあるが靭性に劣る傾向がある。そのため、無機保護層に傷が発生することがある。
Here, conventionally, a technique for forming an inorganic protective layer on an organic photosensitive layer is known.
The organic photosensitive layer has flexibility and tends to be easily deformed, while the inorganic protective layer tends to be hard but inferior in toughness. Therefore, scratches may occur on the inorganic protective layer.

例えば、現像工程において、現像手段からキャリアが飛散し、飛散したキャリアが電子写真感光体に付着した場合、電子写真感光体に付着したままキャリアが転写位置に到達する。そして、転写位置では、キャリアが電子写真感光体と転写手段と間に挟まった状態で、押圧力を受ける。このため、無機保護層は、例えば、電子写真感光体と転写手段との間でキャリアが擦れることにより、傷(打痕状の傷、スジ状の傷など)が生じる場合がある。 For example, in the developing step, when carriers are scattered from the developing means and the scattered carriers adhere to the electrophotographic photosensitive member, the carriers reach the transfer position while adhering to the electrophotographic photosensitive member. Then, at the transfer position, the carrier is subjected to pressing pressure while being sandwiched between the electrophotographic photosensitive member and the transfer means. Therefore, the inorganic protective layer may have scratches (dent-like scratches, streak-like scratches, etc.) due to rubbing of the carrier between the electrophotographic photosensitive member and the transfer means, for example.

無機保護層の機械的強度を向上させるために、例えば、無機保護層の厚みを厚くすることが考えられる。しかしながら、無機保護層の厚みを厚くすると、無機保護層に電荷が蓄積しやすくなるため、残留電位が上昇する場合がある。
一方で、残留電位の上昇を抑制するために、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくすることが考えられる。化学量論比が小さい無機保護層は、電荷の蓄積が抑制されやすい。しかしながら、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくすると、無機保護層が着色しやすくなるため、電位を低下させるための露光量が大きくなる。そのため、感度が低下する場合がある。
In order to improve the mechanical strength of the inorganic protective layer, for example, it is conceivable to increase the thickness of the inorganic protective layer. However, if the thickness of the inorganic protective layer is increased, electric charges are likely to be accumulated in the inorganic protective layer, so that the residual potential may increase.
On the other hand, in order to suppress the increase in the residual potential, it is conceivable to reduce the stoichiometric ratio of the material forming the inorganic protective layer. Inorganic protective layers with a small stoichiometric ratio tend to suppress charge accumulation. However, if the stoichiometric ratio of the material forming the inorganic protective layer is made small, the inorganic protective layer is easily colored, so that the exposure amount for lowering the potential becomes large. Therefore, the sensitivity may decrease.

これに対し、本実施形態に係る電子写真感光体は、正帯電型の電子写真感光体であり、無機保護層が、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第13族元素、及び酸素の元素構成比率の和が0.70以上である。
そして、第1の実施形態の電子写真感光体では、無機保護層は、酸素及び第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.10以上1.30以下ある第1の領域と、酸素/第13族元素が1.40以上1.50以下である第2の領域とを、感光層上にこの順で有する。なお、第2の領域は無機保護層の最上層である。
また、第2の実施形態の電子写真感光体では、無機保護層は、体積抵抗率が2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である第1の領域および体積抵抗率が2.0×1010Ωcm以上である第2の領域を、感光層上にこの順で有する。なお、第2の領域は無機保護層の最上層である。
On the other hand, the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment is a positively charged electrophotographic photosensitive member, and the inorganic protective layer contains Group 13 elements and oxygen, and all the elements constituting the inorganic protective layer. The sum of the elemental composition ratios of the group 13 element and oxygen with respect to the element is 0.70 or more.
In the electrophotographic photosensitive member of the first embodiment, the inorganic protective layer has a first element composition ratio (oxygen / Group 13 element) of oxygen and Group 13 elements of 1.10 or more and 1.30 or less. A region and a second region in which the oxygen / Group 13 element is 1.40 or more and 1.50 or less are provided on the photosensitive layer in this order. The second region is the uppermost layer of the inorganic protective layer.
Further, in the electrophotographic photosensitive member of the second embodiment, the inorganic protective layer has a first region having a volume resistivity of 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less, and a volume resistivity. A second region having a size of 2.0 × 10 10 Ωcm or more is provided on the photosensitive layer in this order. The second region is the uppermost layer of the inorganic protective layer.

第1の実施形態の電子写真感光体において、無機保護層は、化学量論比の小さい第1の領域上に、化学量論比に近い第2の領域が形成されている。化学量論比の小さい第1の領域では、酸素欠損が生じているため、電荷が移動しやすい。その結果、電界が加えられたときに、第2の領域の電子が第1の領域に供給されることで、電荷の蓄積が抑制されるため、電位が低下しやすくなる。その結果、無機保護層は、残留電位の上昇が抑制されると考えられる。また、化学量論比の小さい第1の領域は、化学量論比に近い第2の領域に比べ、着色しやすい。着色しやすい第1の領域の上に形成された第2の領域が無機保護層の最上層となっていることにより、光の透過率の低下が抑制されるため、感度の低下が抑制されると考えられる。 In the electrophotographic photosensitive member of the first embodiment, in the inorganic protective layer, a second region close to the stoichiometric ratio is formed on the first region having a small stoichiometric ratio. In the first region where the stoichiometric ratio is small, oxygen deficiency occurs, so that the charge easily moves. As a result, when an electric field is applied, electrons in the second region are supplied to the first region, so that the accumulation of electric charges is suppressed, and the potential tends to decrease. As a result, it is considered that the increase in the residual potential of the inorganic protective layer is suppressed. Further, the first region having a small stoichiometric ratio is more easily colored than the second region having a stoichiometric ratio. Since the second region formed on the first region that is easily colored is the uppermost layer of the inorganic protective layer, the decrease in light transmittance is suppressed, so that the decrease in sensitivity is suppressed. it is conceivable that.

また、第2の実施形態の電子写真感光体において、無機保護層は、体積抵抗率が低い第1の領域上に、体積抵抗率が高い第2の領域が形成されている。第1の領域では、抵抗が低いために電子が流れやすく、第2の領域の電子が第1の領域に供給されるために、電荷蓄積が抑制されると考えられる。その結果、残留電位の上昇が抑制されると考えられる。また、着色し難い高抵抗の第2の領域が無機保護層の最上層となっている点、および、電荷が移動しやすい低抵抗の第1の領域が、第2の領域の下に形成されている点で、表面電位を減衰させるための露光量が低減すると考えられる。その結果、感度の低下が抑制されると考えられる。 Further, in the electrophotographic photosensitive member of the second embodiment, in the inorganic protective layer, a second region having a high volume resistivity is formed on the first region having a low volume resistivity. It is considered that in the first region, electrons easily flow due to the low resistance, and the electrons in the second region are supplied to the first region, so that charge accumulation is suppressed. As a result, it is considered that the increase in the residual potential is suppressed. Further, a point where the second region of high resistance, which is difficult to color, is the uppermost layer of the inorganic protective layer, and the first region of low resistance, in which charges are easily transferred, are formed below the second region. At this point, it is considered that the exposure amount for attenuating the surface potential is reduced. As a result, it is considered that the decrease in sensitivity is suppressed.

以上から、本実施形態(第1の実施形態、及び第2の実施形態)に係る電子写真感光体では、上記構成により、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇が抑制されると推測される。 From the above, in the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment (first embodiment and second embodiment), the sensitivity is increased even when the thickness of the entire inorganic protective layer is increased by the above configuration. It is presumed that the rise in residual potential is suppressed while ensuring this.

なお、第1の領域および第2の領域が、感光層に、感光層側からこの順で、繰り返し積層することで、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、より感度を確保しつつ、残留電位の上昇が抑制されやすくなる。第1の領域および第2の領域を、感光層上に、繰り返し積層して(例えば、繰り返し回数が3回以上10回以下など)、目的とする厚みの無機保護層を形成すると、厚みが薄い第1の領域と第2の領域とを多数有することになる。そのため、電子が流れやすい第1の領域が第2の領域に接して多数形成されことで、無機保護層全体で電荷が移動しやすくなり、第2の領域では電荷蓄積が低減することで残留電位の上昇を抑制しやすくなると考えられる。また、第2の領域の厚みが薄いため、感度が確保されやすくなると考えられる。 By repeatedly laminating the first region and the second region on the photosensitive layer in this order from the photosensitive layer side, even when the thickness of the entire inorganic protective layer is increased, the sensitivity is further increased. While ensuring, the rise in residual potential is likely to be suppressed. When the first region and the second region are repeatedly laminated on the photosensitive layer (for example, the number of repetitions is 3 times or more and 10 times or less) to form an inorganic protective layer having a desired thickness, the thickness is thin. It will have a large number of first regions and second regions. Therefore, a large number of first regions in which electrons easily flow are formed in contact with the second region, so that the charge can be easily transferred in the entire inorganic protective layer, and the charge accumulation is reduced in the second region, so that the residual potential is reduced. It is thought that it will be easier to suppress the rise in electric charge. Further, since the thickness of the second region is thin, it is considered that the sensitivity can be easily secured.

また、本実施形態に係る電子写真感光体は、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇が抑制されるため、無機保護層全体の厚みを厚くすることができる。そのため、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。さらに、最表面が上記の第2の領域で形成されていることから、無機保護層の機械的強度が向上しやすくなるため、この点でも、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。 Further, in the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, even when the thickness of the entire inorganic protective layer is increased, the increase in the residual potential is suppressed while ensuring the sensitivity, so that the entire inorganic protective layer can be used. The thickness can be increased. Therefore, it becomes easy to suppress the occurrence of scratches on the inorganic protective layer. Further, since the outermost surface is formed in the above-mentioned second region, the mechanical strength of the inorganic protective layer is likely to be improved, and in this respect as well, the occurrence of scratches on the inorganic protective layer is likely to be suppressed.

ここで、本実施形態に係る電子写真感光体の有機感光層には、シリカ粒子を含んでいてもよい。有機感光層に、シリカ粒子を用いることで、シリカ粒子が有機感光層の補強材としての機能を果すと考えられる。そのため、有機感光層が変形し難くなることにより、無機保護層の割れが抑制されると考えられる。
例えば、有機感光層が、単層型の有機感光層の場合、有機感光層には、さらに、シリカ粒子を含んでいてもよい。また、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、電荷輸送層は、さらに、シリカ粒子を含んでいてもよい。ただし、電荷輸送層が2層以上で構成される場合であって、シリカ粒子が用いられる場合、表面を構成する層(電荷輸送層の最上層)の電荷輸送層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含んで構成されることがよい。
Here, the organic photosensitive layer of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment may contain silica particles. By using silica particles in the organic photosensitive layer, it is considered that the silica particles function as a reinforcing material for the organic photosensitive layer. Therefore, it is considered that the organic photosensitive layer is less likely to be deformed, so that cracking of the inorganic protective layer is suppressed.
For example, when the organic photosensitive layer is a single-layer type organic photosensitive layer, the organic photosensitive layer may further contain silica particles. Further, when the organic photosensitive layer is a function-separated organic photosensitive layer, the charge transport layer may further contain silica particles. However, when the charge transport layer is composed of two or more layers and silica particles are used, the charge transport layer of the layer constituting the surface (the uppermost layer of the charge transport layer) is a charge transport material and bound. It may be composed of a resin and silica particles.

以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
図1は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図2、図3、及び図4は、それぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
Hereinafter, the electrophotographic photosensitive member according to this embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment. 2, FIG. 3, and FIG. 4 are schematic cross-sectional views showing another example of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, respectively.

図1に示す電子写真感光体7Aは、いわゆる機能分離型感光体(又は積層型感光体)であり、導電性基体4上に下引層1が設けられ、その上に電荷輸送層3、電荷発生層2、及び無機保護層5が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体7Aにおいては、電荷輸送層3及び電荷発生層2により有機感光層が構成されている。また、無機保護層5は、電荷発生層2上に、第1の領域5Aと第2の領域5Bが形成されている。なお、電荷輸送層3は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成され、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。 The electrophotographic photosensitive member 7A shown in FIG. 1 is a so-called function-separating type photosensitive member (or laminated photosensitive member), in which an undercoat layer 1 is provided on a conductive substrate 4, and a charge transport layer 3 and charges are provided on the undercoat layer 1. It has a structure in which the generation layer 2 and the inorganic protective layer 5 are sequentially formed. In the electrophotographic photosensitive member 7A, the organic photosensitive layer is composed of the charge transport layer 3 and the charge generation layer 2. Further, in the inorganic protective layer 5, a first region 5A and a second region 5B are formed on the charge generation layer 2. The charge transport layer 3 is composed of a charge transport material and a binder resin, and contains silica particles as needed.

図2に示す電子写真感光体7Bは、図1に示す電子写真感光体7Aと同様に電荷発生層2と電荷輸送層3とに機能が分離され、さらに電荷輸送層3が機能分離された機能分離型感光体である。また、図3に示す電子写真感光体7Cは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層(単層型有機感光層6(電荷発生/電荷輸送層))に含有するものである。 Similar to the electrophotographic photosensitive member 7A shown in FIG. 1, the electrophotographic photosensitive member 7B shown in FIG. 2 has a function in which the functions are separated into a charge generation layer 2 and a charge transport layer 3, and the functions of the charge transport layer 3 are further separated. It is a separable photoconductor. Further, the electrophotographic photosensitive member 7C shown in FIG. 3 contains a charge-generating material and a charge-transporting material in the same layer (single-layer organic photosensitive layer 6 (charge-generating / charge-transporting layer)).

図2に示す電子写真感光体7Bにおいては、導電性基体4上に下引層1が設けられ、その上に、電荷輸送層3B、電荷輸送層3A、電荷発生層2、及び無機保護層5が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体7Bにおいては、電荷輸送層3A、電荷輸送層3B及び電荷発生層2により有機感光層が構成されている。
そして、図1に示す電子写真感光体7Aと同様に、無機保護層5は、電荷発生層2上に、第1の領域5Aと第2の領域5Bが形成されている。なお、電荷輸送層3Aおよび電荷輸送層3Bは、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成されている。また、電荷輸送層3Aは、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。シリカ粒子を用いる場合は、電荷輸送層3Aに含有させ、電荷輸送層3Bは、シリカ粒子を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。
In the electrophotographic photosensitive member 7B shown in FIG. 2, an undercoat layer 1 is provided on the conductive substrate 4, and a charge transport layer 3B, a charge transport layer 3A, a charge generation layer 2, and an inorganic protective layer 5 are provided on the undercoat layer 1. Have a structure in which electric charges are sequentially formed. In the electrophotographic photosensitive member 7B, the organic photosensitive layer is composed of the charge transport layer 3A, the charge transport layer 3B, and the charge generation layer 2.
Similar to the electrophotographic photosensitive member 7A shown in FIG. 1, the inorganic protective layer 5 has a first region 5A and a second region 5B formed on the charge generation layer 2. The charge transport layer 3A and the charge transport layer 3B are configured to include a charge transport material and a binder resin. Further, the charge transport layer 3A contains silica particles, if necessary. When silica particles are used, they are contained in the charge transport layer 3A, and the charge transport layer 3B may or may not contain silica particles.

図3に示す電子写真感光体7Cにおいては、導電性基体4上に下引層1が設けられ、その上に単層型有機感光層6、無機保護層5が順次形成された構造を有するものである。
なお、単層型有機感光層6は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含み、必要に応じて、シリカ粒子を含んで構成されている。
The electrophotographic photosensitive member 7C shown in FIG. 3 has a structure in which an undercoat layer 1 is provided on a conductive substrate 4, and a single-layer organic photosensitive layer 6 and an inorganic protective layer 5 are sequentially formed on the undercoat layer 1. Is.
The single-layer organic photosensitive layer 6 contains a charge transport material and a binder resin, and if necessary, contains silica particles.

図4に示す電子写真感光体7Dは、図1に示す電子写真感光体7Aと同様に、導電性基体4上に下引層1が設けられ、その上に電荷輸送層3、電荷発生層2、及び無機保護層5が順次形成された構造を有するものである。また、図1に示す電子写真感光体7Aと同様に、無機保護層5は、電荷発生層2上に、第1の領域5Aと第2の領域5Bが形成されている。ただし、電子写真感光体7Dにおいては、無機保護層5が、電荷輸送層3側から、第1の領域5Aと第2の領域5Bとが、この順で繰り返し積層されている。電子写真感光体7Dでは、第1の領域5Aと第2の領域5Bとが積層される繰り返し回数は3回で構成されている。
なお、電荷輸送層3は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成され、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。また、第1の領域5Aと第2の領域5Bとが積層される繰り返し回数は3回に限らず、4回以上でもよい。
Similar to the electrophotographic photosensitive member 7A shown in FIG. 1, the electrophotographic photosensitive member 7D shown in FIG. 4 is provided with an undercoat layer 1 on a conductive substrate 4, and a charge transport layer 3 and a charge generation layer 2 are provided on the undercoat layer 1. , And the structure in which the inorganic protective layer 5 is sequentially formed. Further, similarly to the electrophotographic photosensitive member 7A shown in FIG. 1, in the inorganic protective layer 5, a first region 5A and a second region 5B are formed on the charge generation layer 2. However, in the electrophotographic photosensitive member 7D, the inorganic protective layer 5 is repeatedly laminated with the first region 5A and the second region 5B from the charge transport layer 3 side in this order. In the electrophotographic photosensitive member 7D, the number of repetitions in which the first region 5A and the second region 5B are laminated is composed of three times.
The charge transport layer 3 is composed of a charge transport material and a binder resin, and contains silica particles as needed. Further, the number of repetitions in which the first region 5A and the second region 5B are laminated is not limited to three, and may be four or more.

なお、図1、図2、図3、および図4に示す各電子写真感光体において、下引層1は設けてもよいし、設けなくてもよい。また、図1、図2、および図3に示す各電子写真感光体は、図4に示す電子写真感光体7Dのように、第1の領域5Aと第2の領域5Bとが、この順で繰り返し積層されていてもよい。 In each electrophotographic photosensitive member shown in FIGS. 1, 2, 3, and 4, the undercoat layer 1 may or may not be provided. Further, in each electrophotographic photosensitive member shown in FIGS. 1, 2 and 3, as in the electrophotographic photosensitive member 7D shown in FIG. 4, the first region 5A and the second region 5B are arranged in this order. It may be repeatedly laminated.

以下、代表例として図1に示す電子写真感光体7Aに基づいて、各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する場合がある。 Hereinafter, each element will be described based on the electrophotographic photosensitive member 7A shown in FIG. 1 as a representative example. The reference numerals may be omitted for description.

(導電性基体)
導電性基体としては、例えば、金属(アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等)又は合金(ステンレス鋼等)を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物(例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等)、金属(例えばアルミニウム、パラジウム、金等)又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が1013Ωcm未満であることをいう。
(Conductive hypokeimenon)
Examples of the conductive substrate include metal plates containing metals (aluminum, copper, zinc, chromium, nickel, molybdenum, vanadium, indium, gold, platinum, etc.) or alloys (stainless steel, etc.), metal drums, metal belts, and the like. Can be mentioned. The conductive substrate may be, for example, a paper, a resin film, a belt or the like coated, vapor-deposited or laminated with a conductive compound (for example, a conductive polymer, indium oxide, etc.), a metal (for example, aluminum, palladium, gold, etc.) or an alloy. Can also be mentioned. Here, "conductivity" means that the volume resistivity is less than 10 13 Ωcm.

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さRaで0.04μm以上0.5μm以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。 When the electrophotographic photosensitive member is used for a laser printer, the surface of the conductive substrate has a centerline average roughness Ra of 0.04 μm or more and 0.5 μm for the purpose of suppressing interference fringes generated when irradiating the laser beam. It is preferable that the surface is roughened below. When non-interfering light is used as a light source, roughening to prevent interference fringes is not particularly necessary, but it is more suitable for extending the life because it suppresses the occurrence of defects due to the unevenness of the surface of the conductive substrate.

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。 As a method of roughening, for example, wet honing performed by suspending an abrasive in water and spraying it on a conductive substrate, centerless grinding in which the conductive substrate is pressed against a rotating grindstone and continuously ground. , Anodizing treatment and the like.

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。 As a method of roughening, the conductive or semi-conductive powder is dispersed in the resin without roughening the surface of the conductive substrate to form a layer on the surface of the conductive substrate. Another method is to roughen the surface with particles dispersed in the layer.

陽極酸化による粗面化処理は、金属製(例えばアルミニウム製)の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中(ニッケル等の金属塩を加えてもよい)で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。 In the roughening treatment by anodizing, an oxide film is formed on the surface of the conductive substrate by anodizing in an electrolyte solution using a conductive substrate made of metal (for example, made of aluminum) as an anode. Examples of the electrolyte solution include sulfuric acid solution, oxalic acid solution and the like. However, the porous anodized film formed by anodizing is chemically active as it is, is easily contaminated, and has a large resistance fluctuation depending on the environment. Therefore, for the porous anodic oxide film, the micropores of the oxide film are closed by volume expansion due to the hydration reaction in pressurized steam or boiling water (a metal salt such as nickel may be added), and more stable hydration oxidation is performed. It is preferable to perform a sealing treatment to change the material.

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、0.3μm以上15μm以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。 The film thickness of the anodizing film is preferably, for example, 0.3 μm or more and 15 μm or less. When this film thickness is within the above range, the barrier property against injection tends to be exhibited, and the increase in the residual potential due to repeated use tends to be suppressed.

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が10質量%以上11質量%以下の範囲、クロム酸が3質量%以上5質量%以下の範囲、フッ酸が0.5質量%以上2質量%以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は13.5質量%以上18質量%以下の範囲がよい。処理温度は例えば42℃以上48℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、0.3μm以上15μm以下が好ましい。
The conductive substrate may be treated with an acidic treatment liquid or a boehmite treatment.
The treatment with the acidic treatment liquid is carried out, for example, as follows. First, an acidic treatment liquid containing phosphoric acid, chromic acid and hydrofluoric acid is prepared. The blending ratio of phosphoric acid, chromic acid and phosphoric acid in the acidic treatment liquid is, for example, a range of 10% by mass or more and 11% by mass or less of phosphoric acid, a range of 3% by mass or more and 5% by mass or less of chromic acid, and a hydrofluoric acid. It is preferably in the range of 0.5% by mass or more and 2% by mass or less, and the concentration of these acids as a whole is preferably in the range of 13.5% by mass or more and 18% by mass or less. The treatment temperature is preferably 42 ° C. or higher and 48 ° C. or lower, for example. The film thickness of the coating is preferably 0.3 μm or more and 15 μm or less.

ベーマイト処理は、例えば90℃以上100℃以下の純水中に5分から60分間浸漬すること、又は90℃以上120℃以下の加熱水蒸気に5分から60分間接触させて行う。被膜の膜厚は、0.1μm以上5μm以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。 The boehmite treatment is carried out, for example, by immersing in pure water at 90 ° C. or higher and 100 ° C. or lower for 5 to 60 minutes, or by contacting with heated steam at 90 ° C. or higher and 120 ° C. or lower for 5 to 60 minutes. The film thickness of the coating is preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less. This can be further anodized with an electrolyte solution having low film solubility such as adipic acid, boric acid, borate, phosphate, phthalate, maleate, benzoate, tartrate, and citrate. good.

導電性基体の厚み(肉厚)は、感光体の強度を確保し、無機保護層の傷の発生を抑制する点で、1mm以上であることがよく、1.2mm以上であることが好ましく、1.5mm以上であることがより好ましい。導電性基体の厚みの上限は特に限定されないが、例えば、無機保護層の傷の発生を抑制する点と感光体の操作性あるいは製造性との点から、3.5mm以下であることがよく、3mm以下としてもよく、3mm未満としてもよい。導電性基体の厚みが上記範囲であることで、導電性基体の撓みが抑制されやすくなり、無機保護層の傷の発生が抑制されやすくなる。 The thickness (thickness) of the conductive substrate is preferably 1 mm or more, preferably 1.2 mm or more, in terms of ensuring the strength of the photoconductor and suppressing the occurrence of scratches on the inorganic protective layer. It is more preferably 1.5 mm or more. The upper limit of the thickness of the conductive substrate is not particularly limited, but for example, it is often 3.5 mm or less from the viewpoint of suppressing the occurrence of scratches on the inorganic protective layer and the operability or manufacturability of the photoconductor. It may be 3 mm or less, or less than 3 mm. When the thickness of the conductive substrate is within the above range, the bending of the conductive substrate is easily suppressed, and the generation of scratches on the inorganic protective layer is easily suppressed.

(下引層)
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
(Underlay layer)
The undercoat layer is, for example, a layer containing inorganic particles and a binder resin.

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗(体積抵抗率)10Ωcm以上1011Ωcm以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
Examples of the inorganic particles include inorganic particles having a powder resistivity (volume resistivity) of 10 2 Ωcm or more and 10 11 Ωcm or less.
Among these, as the inorganic particles having the above resistance value, for example, metal oxide particles such as tin oxide particles, titanium oxide particles, zinc oxide particles, and zinc oxide particles are preferable, and zinc oxide particles are particularly preferable.

無機粒子のBET法による比表面積は、例えば、10m/g以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、50nm以上2000nm以下(好ましくは60nm以上1000nm以下)がよい。
The specific surface area of the inorganic particles by the BET method is, for example, preferably 10 m 2 / g or more.
The volume average particle size of the inorganic particles is, for example, preferably 50 nm or more and 2000 nm or less (preferably 60 nm or more and 1000 nm or less).

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、10質量%以上80質量%以下であることが好ましく、より好ましくは40質量%以上80質量%以下である。 The content of the inorganic particles is, for example, preferably 10% by mass or more and 80% by mass or less, and more preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less with respect to the binder resin.

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを2種以上混合して用いてもよい。 The inorganic particles may be surface-treated. As the inorganic particles, those having different surface treatments or those having different particle diameters may be mixed and used in two or more kinds.

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。 Examples of the surface treatment agent include a silane coupling agent, a titanate-based coupling agent, an aluminum-based coupling agent, a surfactant and the like. In particular, a silane coupling agent is preferable, and a silane coupling agent having an amino group is more preferable.

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the silane coupling agent having an amino group include 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-2- (aminoethyl) -3-amino. Examples thereof include, but are not limited to, propylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, and the like.

シランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピル-トリス(2-メトキシエトキシ)シラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Two or more kinds of silane coupling agents may be mixed and used. For example, a silane coupling agent having an amino group may be used in combination with another silane coupling agent. Examples of other silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl-tris (2-methoxyethoxy) silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and 3-glyceride. Sidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-( Aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, etc., but are limited thereto. It's not a thing.

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。 The surface treatment method using a surface treatment agent may be any known method, and may be either a dry method or a wet method.

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して0.5質量%以上10質量%以下が好ましい。 The treatment amount of the surface treatment agent is, for example, preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the inorganic particles.

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物(アクセプター化合物)を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。 Here, it is preferable that the undercoat layer contains an electron acceptor compound (acceptor compound) together with the inorganic particles from the viewpoint of enhancing the long-term stability of the electrical characteristics and the carrier blocking property.

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物;2,4,7-トリニトロフルオレノン、2,4,5,7-テトラニトロ-9-フルオレノン等のフルオレノン化合物;2-(4-ビフェニル)-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール、2,5-ビス(4-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール、2,5-ビス(4-ジエチルアミノフェニル)-1,3,4オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物;キサントン系化合物;チオフェン化合物;3,3’,5,5’テトラ-t-ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物;等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
Examples of the electron-accepting compound include quinone compounds such as chloranyl and bromoanyl; tetracyanoquinodimethane compounds; 2,4,7-trinitrofluorenone, 2,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone and the like. Fluolenone compounds of; 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (4-naphthyl) -1,3,4- Oxadiazole compounds such as oxadiazole, 2,5-bis (4-diethylaminophenyl) -1,3,4 oxadiazole; xanthone compounds; thiophene compounds; 3,3', 5,5'tetra- Examples thereof include an electron transporting substance such as a diphenoquinone compound such as t-butyldiphenoquinone; and the like.
In particular, as the electron accepting compound, a compound having an anthraquinone structure is preferable. As the compound having an anthraquinone structure, for example, a hydroxyanthraquinone compound, an aminoanthraquinone compound, an aminohydroxyanthraquinone compound and the like are preferable, and specifically, for example, anthraquinone, alizarin, quinizarin, anthralphin, purpurin and the like are preferable.

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。 The electron-accepting compound may be dispersed and contained in the undercoat layer together with the inorganic particles, or may be contained in a state of being attached to the surface of the inorganic particles.

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。 Examples of the method for adhering the electron-accepting compound to the surface of the inorganic particles include a dry method and a wet method.

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に100℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。 In the dry method, for example, while stirring inorganic particles with a mixer having a large shearing force, an electron-accepting compound dissolved directly or in an organic solvent is dropped and sprayed with dry air or nitrogen gas to obtain an electron-accepting compound. This is a method of adhering to the surface of inorganic particles. When dropping or spraying the electron-accepting compound, it is preferable to carry out at a temperature equal to or lower than the boiling point of the solvent. After the electron accepting compound is dropped or sprayed, it may be further baked at 100 ° C. or higher. The printing is not particularly limited as long as the temperature and time at which the electrophotographic characteristics can be obtained.

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に100℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。 In the wet method, for example, an electron-accepting compound is added while dispersing inorganic particles in a solvent by stirring, ultrasonic waves, a sand mill, an attritor, a ball mill, or the like, and after stirring or dispersing, the solvent is removed to obtain electrons. This is a method of adhering an accepting compound to the surface of inorganic particles. The solvent removing method is distilled off, for example, by filtration or distillation. After removing the solvent, baking may be further performed at 100 ° C. or higher. The printing is not particularly limited as long as the temperature and time at which the electrophotographic characteristics can be obtained. In the wet method, the water content of the inorganic particles may be removed before the electron-accepting compound is added. Examples thereof include a method of removing the water contained in the inorganic particles while stirring and heating in a solvent, and a method of removing the particles by azeotropically boiling with the solvent. Can be mentioned.

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。 The electron-accepting compound may be attached before or after the surface treatment with the surface treatment agent is applied to the inorganic particles, and the electron-accepting compound may be attached and the surface treatment with the surface treatment agent may be performed at the same time.

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して0.01質量%以上20質量%以下がよく、好ましくは0.01質量%以上10質量%以下である。 The content of the electron-accepting compound is, for example, preferably 0.01% by mass or more and 20% by mass or less, preferably 0.01% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the inorganic particles.

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂(例えばポリビニルブチラール等)、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン-アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物;ジルコニウムキレート化合物;チタニウムキレート化合物;アルミニウムキレート化合物;チタニウムアルコキシド化合物;有機チタニウム化合物;シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂(例えばポリアニリン等)等も挙げられる。
Examples of the binder resin used for the undercoat layer include acetal resin (for example, polyvinyl butyral), polyvinyl alcohol resin, polyvinyl acetal resin, casein resin, polyamide resin, cellulose resin, gelatin, polyurethane resin, polyester resin, and unsaturated polyester. Resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic acid anhydride resin, silicone resin, silicone-alkyd resin, urea resin, phenol resin, phenol-formaldehyde resin, melamine resin, Known polymer compounds such as urethane resin, alkyd resin, and epoxy resin; zirconium chelate compound; titanium chelate compound; aluminum chelate compound; titanium alkoxide compound; organic titanium compound; known material such as silane coupling agent can be mentioned.
Examples of the binder resin used for the undercoat layer include a charge-transporting resin having a charge-transporting group, a conductive resin (for example, polyaniline, etc.) and the like.

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂;ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を2種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
Among these, as the binder resin used for the undercoat layer, a resin insoluble in the coating solvent of the upper layer is preferable, and in particular, a urea resin, a phenol resin, a phenol-formaldehyde resin, a melamine resin, a urethane resin, and an unsaturated polyester. Thermo-curable resins such as resins, alkyd resins, epoxy resins; with at least one resin selected from the group consisting of polyamide resins, polyester resins, polyether resins, methacrylic resins, acrylic resins, polyvinyl alcohol resins and polyvinyl acetal resins. A resin obtained by reacting with a curing agent is suitable.
When two or more of these binder resins are used in combination, the mixing ratio thereof is set as necessary.

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
The undercoat layer may contain various additives for improving electrical characteristics, environmental stability, and image quality.
Examples of the additive include known materials such as electron-transporting pigments such as polycyclic condensation type and azo type, zirconium chelate compounds, titanium chelate compounds, aluminum chelate compounds, titanium alkoxide compounds, organic titanium compounds, and silane coupling agents. Be done. The silane coupling agent is used for surface treatment of inorganic particles as described above, but may be further added to the undercoat layer as an additive.

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピル-トリス(2-メトキシエトキシ)シラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the silane coupling agent as an additive include vinyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl-tris (2-methoxyethoxy) silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and 3-. Glycydoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane and the like can be mentioned.

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。 Examples of the zirconium chelate compound include zirconium butoxide, zirconium acetoacetate ethyl, zirconium triethanolamine, acetylacetonate zirconium butoxide, zirconium acetate zirconium butoxide, zirconium acetate, zirconium oxalate, zirconium lactate, zirconium phosphonate, zirconium octanoate, and the like. Examples thereof include zirconium naphthenate, zirconium laurate, zirconium stearate, zirconium isostearate, zirconium methacrylate butoxide, stearate zirconium butoxide, and isosterate zirconium butoxide.

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2-エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。 Examples of the titanium chelate compound include tetraisopropyl titanate, tetranormal butyl titanate, butyl titanate dimer, tetra (2-ethylhexyl) titanate, titanium acetylacetonate, polytitanium acetylacetonate, titanium octylene glycolate, and titanium lactate ammonium salt. , Titanium Lactate, Titanium Lactate Ethyl Ester, Titanium Triethanol Aminate, Polyhydroxy Titanium Steerate and the like.

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等が挙げられる。 Examples of the aluminum chelate compound include aluminum isopropylate, monobutoxyaluminum diisopropyrate, aluminum butyrate, diethylacetacetate aluminum diisopropyrate, aluminum tris (ethylacetoacetate) and the like.

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。 These additives may be used alone or as a mixture or polycondensate of multiple compounds.

下引層は、ビッカース硬度が35以上であることがよい。
下引層の表面粗さ(十点平均粗さ)は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの1/(4n)(nは上層の屈折率)から1/2までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
The undercoat layer preferably has a Vickers hardness of 35 or more.
The surface roughness (ten-point average roughness) of the undercoat layer ranges from 1 / (4n) (n is the refractive index of the upper layer) to 1/2 of the exposure laser wavelength λ used to suppress the moire image. It should be adjusted to.
Resin particles or the like may be added to the undercoat layer to adjust the surface roughness. Examples of the resin particles include silicone resin particles and crosslinked polymethyl methacrylate resin particles. Further, the surface of the undercoat layer may be polished to adjust the surface roughness. Examples of the polishing method include buffing, sandblasting, wet honing, and grinding.

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。 The formation of the undercoat layer is not particularly limited, and a well-known formation method is used. For example, a coating film of a coating liquid for forming an undercoat layer in which the above components are added to a solvent is formed, and the coating film is dried. And, if necessary, it is done by heating.

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
As the solvent for preparing the coating liquid for forming the undercoat layer, known organic solvents such as alcohol-based solvent, aromatic hydrocarbon solvent, halogenated hydrocarbon solvent, ketone-based solvent, ketone alcohol-based solvent, and ether-based solvent are used. Examples thereof include solvents and ester-based solvents.
Specific examples of these solvents include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellsolve, ethyl cell solve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, and the like. Examples thereof include ordinary organic solvents such as n-butyl acetate, dioxane, methanol, methylene chloride, chloroform, chlorobenzene and toluene.

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。 Examples of the method for dispersing the inorganic particles when preparing the coating liquid for forming the undercoat layer include known methods such as a roll mill, a ball mill, a vibration ball mill, an attritor, a sand mill, a colloid mill, and a paint shaker.

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。 Examples of the method of applying the coating liquid for forming the undercoat layer onto the conductive substrate include a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, and a curtain coating method. Ordinary methods such as.

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは15μm以上、より好ましくは20μm以上50μm以下の範囲内に設定される。 The film thickness of the undercoat layer is set, for example, preferably in the range of 15 μm or more, more preferably 20 μm or more and 50 μm or less.

(中間層)
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂(例えばポリビニルブチラール等)、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン-アルキッド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
(Middle layer)
Although not shown, an intermediate layer may be further provided between the undercoat layer and the photosensitive layer.
The intermediate layer is, for example, a layer containing a resin. Examples of the resin used for the intermediate layer include acetal resin (for example, polyvinyl butyral), polyvinyl alcohol resin, polyvinyl acetal resin, casein resin, polyamide resin, cellulose resin, gelatin, polyurethane resin, polyester resin, methacrylic resin, and acrylic resin. Examples thereof include polymer compounds such as polyvinyl chloride resin, polyvinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride resin, silicone resin, silicone-alkyd resin, phenol-formaldehyde resin, and melamine resin.
The intermediate layer may be a layer containing an organometallic compound. Examples of the organic metal compound used for the intermediate layer include organic metal compounds containing metal atoms such as zirconium, titanium, aluminum, manganese, and silicon.
The compounds used for these intermediate layers may be used alone or as a mixture or polycondensate of a plurality of compounds.

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。 Among these, the intermediate layer is preferably a layer containing an organometallic compound containing a zirconium atom or a silicon atom.

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
The formation of the intermediate layer is not particularly limited, and a well-known forming method is used. For example, a coating film of a coating liquid for forming an intermediate layer in which the above components are added to a solvent is formed, and the coating film is dried and required. It is done by heating according to the above.
As a coating method for forming the intermediate layer, a usual method such as a dip coating method, a push-up coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a blade coating method, a knife coating method, and a curtain coating method is used.

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは0.1μm以上3μm以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。 The film thickness of the intermediate layer is preferably set in the range of 0.1 μm or more and 3 μm or less, for example. The intermediate layer may be used as the undercoat layer.

(電荷輸送層)
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。また、電荷輸送層は、必要に応じて、シリカ粒子を含んでいてもよい。
(Charge transport layer)
The charge transport layer is, for example, a layer containing a charge transport material and a binder resin. The charge transport layer may be a layer containing a polymer charge transport material. Further, the charge transport layer may contain silica particles, if necessary.

電荷輸送材料としては、p-ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物;2,4,7-トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物;キサントン系化合物;ベンゾフェノン系化合物;シアノビニル系化合物;エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は1種を単独で又は2種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the charge transport material include quinone compounds such as p-benzoquinone, chloranil, bromanil and anthraquinone; tetracyanoquinodimethane compounds; fluorenone compounds such as 2,4,7-trinitrofluorenone; xanthone compounds; benzophenone compounds. Examples thereof include electron-transporting compounds such as cyanovinyl-based compounds and ethylene-based compounds. Examples of the charge transporting material include hole transporting compounds such as triarylamine-based compounds, benzidine-based compounds, arylalkane-based compounds, aryl-substituted ethylene-based compounds, stylben-based compounds, anthracene-based compounds, and hydrazone-based compounds. These charge transport materials may be used alone or in combination of two or more, but are not limited thereto.

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式(a-1)で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式(a-2)で示されるベンジジン誘導体が好ましい。 As the charge transport material, a triarylamine derivative represented by the following structural formula (a-1) and a benzidine derivative represented by the following structural formula (a-2) are preferable from the viewpoint of charge mobility.

Figure 0007047552000001
Figure 0007047552000001

構造式(a-1)中、ArT1、ArT2、及びArT3は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、-C-C(RT4)=C(RT5)(RT6)、又は-C-CH=CH-CH=C(RT7)(RT8)を示す。RT4、RT5、RT6、RT7、及びRT8は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数1以上3以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
In the structural formula (a-1), Ar T1 , Ar T2 , and Ar T3 are independently substituted or unsubstituted aryl groups, respectively, —C 6 H4-C ( RT4 ) = C ( RT5 ) (R). T6 ) or -C 6 H 4 -CH = CH-CH = C ( RT7) (RT8 ) is shown. RT4, RT5, RT6, RT7, and RT8 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
Examples of the substituent of each of the above groups include a halogen atom, an alkyl group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, and an alkoxy group having 1 or more and 5 or less carbon atoms. Further, examples of the substituent of each of the above groups include a substituted amino group substituted with an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms.

Figure 0007047552000002
Figure 0007047552000002

構造式(a-2)中、RT91及びRT92は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、又は炭素数1以上5以下のアルコキシ基を示す。RT101、RT102、RT111及びRT112は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、炭素数1以上2以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、-C(RT12)=C(RT13)(RT14)、又は-CH=CH-CH=C(RT15)(RT16)を示し、RT12、RT13、RT14、RT15及びRT16は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Tm1、Tm2、Tn1及びTn2は各々独立に0以上2以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数1以上3以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
In the structural formula (a-2), RT91 and RT92 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 1 or more and 5 or less carbon atoms. RT101 , RT102 , RT111 and RT112 are independently substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, an alkoxy group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, and an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 2 or less carbon atoms. The amino group, substituted or unsubstituted aryl group, -C ( RT12 ) = C ( RT13 ) ( RT14 ), or -CH = CH-CH = C ( RT15 ) ( RT16 ) is shown. RT12 , RT13 , RT14 , RT15 and RT16 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. Tm1, Tm2, Tn1 and Tn2 each independently indicate an integer of 0 or more and 2 or less.
Examples of the substituent of each of the above groups include a halogen atom, an alkyl group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, and an alkoxy group having 1 or more and 5 or less carbon atoms. Further, examples of the substituent of each of the above groups include a substituted amino group substituted with an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms.

ここで、構造式(a-1)で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式(a-2)で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「-C-CH=CH-CH=C(RT7)(RT8)」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「-CH=CH-CH=C(RT15)(RT16)」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。 Here, among the triarylamine derivative represented by the structural formula (a-1) and the benzidine derivative represented by the structural formula (a-2), in particular, "-C 6 H 4 -CH = CH-CH =". A triarylamine derivative having "C ( RT7) (RT8)" and a benzidine derivative having "-CH = CH-CH = C (RT15) (RT16 ) " are preferable from the viewpoint of charge transfer.

高分子電荷輸送材料としては、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平8-176293号公報、特開平8-208820号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材料は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。 As the polymer charge transport material, known materials having charge transport properties such as poly-N-vinylcarbazole and polysilane are used. In particular, polyester-based polymer charge transport materials disclosed in JP-A-8-176293 and JP-A-8-208820 are particularly preferable. The polymer charge transport material may be used alone or in combination with a binder resin.

電荷輸送層は、シリカ粒子を含んでいてもよい。シリカ粒子の含有量は、無機保護層の傷の発生を抑制する点から、シリカ粒子を含む電荷輸送層全体に対して40質量%以上80質量%以下であることがよい。同様の点で、シリカ粒子の含有量の下限は、45質量%以上であってもよく、50質量%以上であってもよい。また、シリカ粒子の含有量の上限は、例えば、シリカ粒子の分散性等の点から、75質量%以下であってもよく、70質量%以下であってもよい。 The charge transport layer may contain silica particles. The content of the silica particles is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less with respect to the entire charge transport layer containing the silica particles from the viewpoint of suppressing the generation of scratches on the inorganic protective layer. In the same respect, the lower limit of the content of the silica particles may be 45% by mass or more, or 50% by mass or more. Further, the upper limit of the content of the silica particles may be, for example, 75% by mass or less, or 70% by mass or less, from the viewpoint of dispersibility of the silica particles and the like.

シリカ粒子としては、例えば、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子が挙げられる。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ(ヒュームドシリカ)、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカが挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子(アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子)、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子(シリカゾル粒子)、有機シラン化合物(例えばアルコキシシラン)の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の低下による画像欠陥の抑制(細線再現性の低下の抑制)の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子を用いることがよい。
Examples of the silica particles include dry silica particles and wet silica particles.
Examples of the dry silica particles include combustion method silica (hummed silica) obtained by burning a silane compound and explosive combustion method silica obtained by explosively burning metallic silicon powder.
Wet silica particles include wet silica particles obtained by a neutralization reaction between sodium silicate and mineral acid (precipitation silica particles synthesized / aggregated under alkaline conditions, gel silica particles synthesized / aggregated under acidic conditions), and acidic silicic acid. Examples thereof include colloidal silica particles (silica sol particles) obtained by making them alkaline and polymerizing them, and sol-gel process silica particles obtained by hydrolysis of an organic silane compound (for example, alkoxysilane).
Among these, silica particles have few silanol groups on the surface and have a low void structure from the viewpoint of suppressing image defects due to generation of residual potential and deterioration of other electrical characteristics (suppression of deterioration of fine line reproducibility). Method It is preferable to use silica particles.

シリカ粒子の体積平均粒径は、例えば、20nm以上200nm以下であることがよい。シリカ粒子の体積平均粒径の下限は、40nm以上であってもよく、50nm以上あってもよい。シリカ粒子の体積平均粒径の下限は、150nm以下であってもよく、120nm以下であってもよく、110nm以下であってもよい。 The volume average particle size of the silica particles is, for example, preferably 20 nm or more and 200 nm or less. The lower limit of the volume average particle size of the silica particles may be 40 nm or more, or 50 nm or more. The lower limit of the volume average particle size of the silica particles may be 150 nm or less, 120 nm or less, or 110 nm or less.

シリカ粒子の体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子100個をSEM(Scanning Electron Microscope)装置により40000倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における50%径(D50v)を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。 For the volume average particle size of the silica particles, the silica particles are separated from the layer, 100 primary particles of the silica particles are observed at a magnification of 40,000 times by an SEM (Scanning Electron Microsphere) device, and the particles are analyzed by image analysis of the primary particles. The longest diameter and the shortest diameter of each are measured, and the equivalent diameter of the sphere is measured from this intermediate value. The 50% diameter (D50v) in the cumulative frequency of the obtained sphere equivalent diameter is obtained, and this is measured as the volume average particle diameter of the silica particles.

シリカ粒子は、その表面が疎水化処理剤で表面処理されていることがよい。これにより、シリカ粒子の表面のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
The surface of the silica particles may be surface-treated with a hydrophobizing agent. As a result, the silanol groups on the surface of the silica particles are reduced, and the generation of residual potential is easily suppressed.
Examples of the hydrophobizing agent include well-known silane compounds such as chlorosilane, alkoxysilane, and silazane.
Among these, as the hydrophobizing treatment agent, a silane compound having a trimethylsilyl group, a decylsilyl group, or a phenylsilyl group is desirable from the viewpoint of facilitating the suppression of the generation of residual potential. That is, the surface of the silica particles may have a trimethylsilyl group, a decylsilyl group, or a phenylsilyl group.
Examples of the silane compound having a trimethylsilyl group include trimethylchlorosilane, trimethylmethoxysilane, 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane and the like.
Examples of the silane compound having a decylsilyl group include decyltrichlorosilane, decyldimethylchlorosilane, and decyltrimethoxysilane.
Examples of the silane compound having a phenyl group include triphenylmethoxysilane and triphenylchlorosilane.

疎水化処理されたシリカ粒子の縮合率(シリカ粒子中のSiO-の結合におけるSi-O-Siの率:以下「疎水化処理剤の縮合率」とも称する)は、例えば、シリカ粒子の表面のシラノール基に対して90%以上がよく、望ましくは91%以上、より望ましくは95%以上である。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基がより低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
The condensation rate of the hydrophobized silica particles (the rate of Si—O—Si in the bond of SiO 4- in the silica particles: hereinafter also referred to as “condensation rate of the hydrophobizing agent”) is, for example, the surface of the silica particles. 90% or more, preferably 91% or more, and more preferably 95% or more with respect to the silanol group of the above.
When the condensation rate of the hydrophobizing agent is within the above range, the silanol groups of the silica particles are further reduced, and the generation of residual potential is easily suppressed.

疎水化処理剤の縮合率は、NMRで検出した縮合部のケイ素の全結合可能サイトに対して、縮合したケイ素の割合を示しており、次のようにして測定する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Bruker製AVANCEIII 400でSi CP/MAS NMR分析を行い、SiOの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、2置換(Si(OH)(0-Si)-)、3置換(Si(OH)(0-Si)-)、4置換(Si(0-Si)-)の値をQ2,Q3,Q4とし、疎水化処理剤の縮合率は式:(Q2×2+Q3×3+Q4×4)/4×(Q2+Q3+Q4)により算出する。
The condensation rate of the hydrophobizing agent indicates the ratio of condensed silicon to the fully bondable site of silicon in the condensed portion detected by NMR, and is measured as follows.
First, the silica particles are separated from the layer. The separated silica particles were subjected to Si CP / MAS NMR analysis with Bruker's AVANCE III 400 to determine the peak area according to the number of SiO substitutions, and two substitutions (Si (OH) 2 (0-Si) 2 ) were obtained, respectively. -), 3-substitution (Si (OH) (0-Si) 3- ), 4-substitution (Si (0-Si) 4- ) values are set to Q2, Q3, Q4, and the condensation rate of the hydrophobic treatment agent is the formula. : (Q2 × 2 + Q3 × 3 + Q4 × 4) / 4 × (Q2 + Q3 + Q4).

シリカ粒子の体積抵抗率は、例えば、1011Ωcm以上がよく、望ましくは1012Ωcm以上、より望ましくは1013Ωcm以上である。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
The volume resistivity of the silica particles is, for example, preferably 10 11 Ω cm or more, preferably 10 12 Ω cm or more, and more preferably 10 13 Ω cm or more.
When the volume resistivity of the silica particles is set in the above range, the deterioration of the electrical characteristics is suppressed.

シリカ粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度20℃、湿度50%RHとする。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、20cmの電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を1mm以上3mm以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の20cmの電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に4kgの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み(cm)を測定する。シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値(A)を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率(Ωcm)を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率(Ωcm)の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはシリカ粒子の体積抵抗率(Ωcm)、Eは印加電圧(V)、Iは電流値(A)、I0は印加電圧0Vにおける電流値(A)、Lはシリカ粒子層の厚み(cm)をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が1000Vの時の体積抵抗率を用いた。
・式:ρ=E×20/(I-I0)/L
The volume resistivity of the silica particles is measured as follows. The measurement environment is a temperature of 20 ° C. and a humidity of 50% RH.
First, the silica particles are separated from the layer. Then, the separated silica particles to be measured are placed on the surface of a circular jig on which a 20 cm 2 electrode plate is arranged so as to have a thickness of about 1 mm or more and 3 mm or less to form a silica particle layer. The same 20 cm 2 electrode plate as described above is placed on this, and the silica particle layer is sandwiched therein. In order to eliminate the voids between the silica particles, a load of 4 kg is applied on the electrode plate placed on the silica particle layer, and then the thickness (cm) of the silica particle layer is measured. Both electrodes above and below the silica particle layer are connected to an electrometer and a high voltage power generator. A high voltage is applied to both electrodes so that the electric field becomes a predetermined value, and the volume resistivity (Ωcm) of the silica particles is calculated by reading the current value (A) flowing at this time. The formula for calculating the volume resistivity (Ωcm) of silica particles is as shown in the following formula.
In the formula, ρ is the volume resistivity (Ωcm) of the silica particles, E is the applied voltage (V), I is the current value (A), I0 is the current value (A) at the applied voltage 0V, and L is the silica particle layer. Represents the thickness (cm) of each. In this evaluation, the volume resistivity when the applied voltage is 1000 V was used.
-Formula: ρ = E × 20 / (I-I0) / L

電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、具体的には、ポリカーボネート樹脂(ビスフェノールA、ビスフェノールZ、ビスフェノールC、ビスフェノールTP等の単独重合型、又はその共重合型)、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル-スチレン共重合体、アクリロニトリル-ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン-ブタジエン共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン-アルキッド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、スチレン-アクリル共重合体、アチレン-アルキッド樹脂、ポリ-N-ビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。これらの結着樹脂は1種を単独で又は2種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で10:1から1:5までが好ましい。
Examples of the binder resin used for the charge transport layer include a polycarbonate resin (a homopolymerized type such as bisphenol A, bisphenol Z, bisphenol C, and bisphenol TP, or a copolymerized type thereof), a polyallylate resin, and a polyester. Resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-butadiene copolymer, polyvinyl acetate resin, styrene-butadiene copolymer, vinyl chloride-acetate Vinyl copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, silicone resin, silicone-alkyd resin, phenol-formaldehyde resin, styrene-acrylic copolymer, atylene-alkyd resin, poly-N-vinylcarbazole resin , Polyvinyl butyral resin, polyphenylene ether resin and the like. One of these binder resins may be used alone or in combination of two or more.
The blending ratio of the charge transport material and the binder resin is preferably 10: 1 to 1: 5 in terms of mass ratio.

上記の結着樹脂の中でも、ポリカーボネート樹脂(ビスフェノールA、ビスフェノールZ、ビスフェノールC、ビスフェノールTP等の単独重合型、又はその共重合型)が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、1種を単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。また、同様の点で、ポリカーボネート樹脂の中でも、ビスフェノールZの単独重合型ポリカーボネート樹脂を含むことがより好ましい。 Among the above-mentioned binding resins, a polycarbonate resin (a homopolymerized type such as bisphenol A, bisphenol Z, bisphenol C, bisphenol TP, or a copolymerized type thereof) is preferable. One type of polycarbonate resin may be used alone, or two or more types may be used in combination. Further, in the same respect, it is more preferable to include the homopolymerized polycarbonate resin of bisphenol Z among the polycarbonate resins.

無機保護層の傷の発生を抑制する点から、結着樹脂は、例えば、粘度平均分子量は50000以下であることがよい。50000未満であることがよく、45000以下であることがよく、35000以下であってもよい。粘度平均分子量の下限としては、結着樹脂としての特性を保持する点から、20000以上であることがよい。
なお、無機保護層の傷の発生を抑制する点から、結着樹脂の粘度平均分子量は50000以下の結着樹脂と、前述のシリカ粒子を組み合わせて用いることがよい。
From the viewpoint of suppressing the generation of scratches on the inorganic protective layer, the binder resin may have, for example, a viscosity average molecular weight of 50,000 or less. It is often less than 50,000, often less than 45,000, and may be less than or equal to 35,000. The lower limit of the viscosity average molecular weight is preferably 20000 or more from the viewpoint of maintaining the characteristics as a binder resin.
From the viewpoint of suppressing the occurrence of scratches on the inorganic protective layer, it is preferable to use a binder resin having a viscosity average molecular weight of 50,000 or less and the above-mentioned silica particles in combination.

ここで、結着樹脂の粘度平均分子量の測定は、以下の一点測定法が用いられる。
まず、測定対象となる感光体から、無機保護層を剥離した後、測定対象となる感光層を露出させる。そして、その感光層の一部を削り出し測定用試料を準備する。
次に、測定試料から結着樹脂を抽出する。抽出した結着樹脂1g分をメチレンクロライド100cmに溶解し、25℃の測定環境下でウベローデ粘度計にて、その比粘度ηspを測定する。そして、ηsp/c=〔η〕+0.45〔η〕cの関係式(ただしcは濃度(g/cm)より極限粘度〔η〕(cm/g)を求め、H.Schnellによって与えられている式、〔η〕=1.23×10-4Mv0.83の関係式より粘度平均分子量Mvを求める。
Here, the following one-point measurement method is used for measuring the viscosity average molecular weight of the binder resin.
First, the inorganic protective layer is peeled off from the photoconductor to be measured, and then the photosensitive layer to be measured is exposed. Then, a part of the photosensitive layer is scraped off to prepare a sample for measurement.
Next, the binder resin is extracted from the measurement sample. 1 g of the extracted binder resin is dissolved in 100 cm 3 of methylene chloride, and its specific viscosity ηsp is measured with a Ubbelohde viscometer in a measurement environment of 25 ° C. Then, the relational expression of ηsp / c = [η] + 0.45 [η] 2 c (where c is the concentration (g / cm 3 )) is used to obtain the ultimate viscosity [η] (cm 3 / g). The viscosity average molecular weight Mv is obtained from the given formula, [η] = 1.23 × 10 -4 Mv 0.83 .

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。 The charge transport layer may also contain other well-known additives.

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。 The formation of the charge transport layer is not particularly limited, and a well-known forming method is used. For example, a coating film of a coating liquid for forming a charge transport layer in which the above components are added to a solvent is formed, and the coating film is dried. , By heating as needed.

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類;アセトン、2-ブタノン等のケトン類;塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類;テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は2種以上混合して用いる。 As a solvent for preparing the coating liquid for forming the charge transport layer, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and chlorobenzene; ketones such as acetone and 2-butanone; methylene chloride, chloroform, ethylene chloride and the like. Examples thereof include halogenated aliphatic hydrocarbons; ordinary organic solvents such as cyclic or linear ethers such as tetrahydrofuran and ethyl ether. These solvents may be used alone or in admixture of two or more.

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。 The coating methods for applying the coating liquid for forming a charge transport layer onto the charge generating layer include a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, and a curtain. An ordinary method such as a coating method can be mentioned.

なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子(例えばシリカ粒子やフッ素樹脂粒子)を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液-液衝突や液-壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。 When particles (for example, silica particles or fluororesin particles) are dispersed in the coating liquid for forming a charge transport layer, the dispersion method includes, for example, media dispersion such as a ball mill, a vibrating ball mill, an attritor, a sand mill, and a horizontal sand mill. Machines and medialess dispersers such as agitators, ultrasonic dispersers, roll mills, and high-pressure homogenizers are used. Examples of the high-pressure homogenizer include a collision method in which a dispersion liquid is dispersed by a liquid-liquid collision or a liquid-wall collision in a high-pressure state, and a penetration method in which a dispersion is dispersed by penetrating a fine flow path in a high-pressure state.

電荷輸送層の弾性率は、例えば、5GPa以上がよく、望ましくは6GPa以上である。 電荷輸送層の弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の割れが抑制され易くなる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、シリカ粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
The elastic modulus of the charge transport layer is, for example, preferably 5 GPa or more, preferably 6 GPa or more. When the elastic modulus of the charge transport layer is within the above range, cracking of the inorganic protective layer is likely to be suppressed.
In addition, in order to make the elastic modulus of the charge transport layer within the above range, for example, a method of adjusting the particle size and the content of the silica particles, a method of adjusting the type and the content of the charge transport material, and the like can be mentioned.

電荷輸送層の弾性率は、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離し、電荷発生層を除去した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、MTSシステムズ社製 Nano Indenter SA2を用いて、連続剛性法(CSM)(米国特許4848141)により深さプロファイルを得て、その押込み深さ30nmから100nmの測定値から得た平均値を用いて測定する。
The elastic modulus of the charge transport layer is measured as follows.
First, the inorganic protective layer is peeled off to remove the charge generation layer, and then the layer to be measured is exposed. Then, a part of the layer is cut out with a cutter or the like to obtain a measurement sample.
For this measurement sample, a depth profile was obtained by the continuous rigidity method (CSM) (US Pat. No. 4,48,141) using Nano Indenter SA2 manufactured by MTS Systems, and the depth profile was obtained from the measured values of the indentation depth of 30 nm to 100 nm. Measure using the average value.

電荷輸送層の膜厚は、例えば、10μm以上40μm以下がよく、望ましくは10μm以上35μm以下、より望ましくは15μm以上35μm以下である。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
The film thickness of the charge transport layer is, for example, preferably 10 μm or more and 40 μm or less, preferably 10 μm or more and 35 μm or less, and more preferably 15 μm or more and 35 μm or less.
When the film thickness of the charge transport layer is within the above range, cracking of the inorganic protective layer and generation of residual potential are likely to be suppressed.

(電荷発生層)
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、LED(Light Emitting Diode)、有機EL(Electro-Luminescence)イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
(Charge generation layer)
The charge generation layer is, for example, a layer containing a charge generation material and a binder resin. Further, the charge generation layer may be a vapor deposition layer of a charge generation material. The thin-film deposition layer of the charge generating material is suitable when a non-interfering light source such as an LED (Light Emitting Diode) or an organic EL (Electro-Luminence) image array is used.

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料;ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料;ペリレン顔料;ピロロピロール顔料;フタロシアニン顔料;酸化亜鉛;三方晶系セレン等が挙げられる。 Examples of the charge generating material include azo pigments such as bisazo and trisazo; condensed ring aromatic pigments such as dibromoanthhrone; perylene pigments; pyrrolopyrrole pigments; phthalocyanine pigments; zinc oxide; and trigonal selenium.

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平5-263007号公報、特開平5-279591号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン;特開平5-98181号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン;特開平5-140472号公報、特開平5-140473号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン;特開平4-189873号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。 Among these, in order to correspond to laser exposure in the near infrared region, it is preferable to use a metal phthalocyanine pigment or a non-metal phthalocyanine pigment as the charge generating material. Specifically, for example, hydroxygallium phthalocyanine disclosed in JP-A-5-263007, JP-A-5-279591, etc .; chlorogallium phthalocyanine disclosed in JP-A-5-98181, etc .; JP-A-5. Dichlorotin phthalocyanine disclosed in JP-A-140472, JP-A-5-140473, etc .; titanylphthalocyanine disclosed in JP-A-4-1809873, etc. is more preferable.

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料;チオインジゴ系顔料;ポルフィラジン化合物;酸化亜鉛;三方晶系セレン;特開2004-78147号公報、特開2005-181992号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。 On the other hand, in order to cope with laser exposure in the near-ultraviolet region, as a charge generating material, a condensed ring aromatic pigment such as dibromoanthanthrone; a thioindigo pigment; a porphyrazine compound; zinc oxide; a trigonal selenium; The bisazo pigments disclosed in JP-A-2004-78147 and JP-A-2005-181992 are preferable.

450nm以上780nm以下に発光の中心波長があるLED、有機ELイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を20μm以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のp-型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。 The above charge generating material may also be used when using a non-interfering light source such as an LED having a center wavelength of light emission of 450 nm or more and 780 nm or less, or an organic EL image array, but from the viewpoint of resolution, the photosensitive layer is 20 μm or less. When used in a thin film, the electric field strength in the photosensitive layer becomes high, and a decrease in charge due to charge injection from the substrate, so-called black spots, is likely to occur. This becomes remarkable when a charge generating material such as a trigonal selenium or a phthalocyanine pigment, which is a p-type semiconductor and tends to generate a dark current, is used.

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のn-型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。n-型の電荷発生材料としては、例えば、特開2012-155282号公報の段落[0288]~[0291]に記載された化合物(CG-1)~(CG-27)が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、n-型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをn-型とする。
On the other hand, when an n-type semiconductor such as a condensed ring aromatic pigment, a perylene pigment, or an azo pigment is used as the charge generating material, it is difficult to generate a dark current, and even a thin film can suppress image defects called black spots. .. Examples of the n-type charge generating material include compounds (CG-1) to (CG-27) described in paragraphs [0288] to [0291] of JP2012-1552282. Not limited.
The n-type is determined by using the normally used time-of-flight method, and is determined by the polarity of the flowing photocurrent, and the n-type is one in which electrons are more easily flowed as carriers than holes.

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂(ビスフェノール類と芳香族2価カルボン酸の重縮合体等)、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が1013Ωcm以上であることをいう。
これらの結着樹脂は1種を単独で又は2種以上を混合して用いられる。
The binder resin used for the charge generation layer is selected from a wide range of insulating resins, and the binder resin is from organic photoconductive polymers such as poly-N-vinylcarbazole, polyvinylanthracene, polyvinylpyrene, and polysilane. You may choose.
Examples of the binder resin include polyvinyl butyral resin, polyarylate resin (hypercondensate of bisphenol and aromatic divalent carboxylic acid, etc.), polycarbonate resin, polyester resin, phenoxy resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, and the like. Examples thereof include polyamide resin, acrylic resin, polyacrylamide resin, polyvinylpyridine resin, cellulose resin, urethane resin, epoxy resin, casein, polyvinyl alcohol resin, polyvinylpyrrolidone resin and the like. Here, "insulation" means that the volume resistivity is 10 13 Ωcm or more.
These binder resins are used alone or in admixture of two or more.

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で10:1から1:10までの範囲内であることが好ましい。 The blending ratio of the charge generating material and the binder resin is preferably in the range of 10: 1 to 1:10 in terms of mass ratio.

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。 The charge generation layer may also contain other well-known additives.

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。 The formation of the charge generation layer is not particularly limited, and a well-known formation method is used. For example, a coating film of a coating liquid for forming a charge generation layer in which the above components are added to a solvent is formed, and the coating film is dried. Then, if necessary, heat it. The charge generation layer may be formed by vapor deposition of a charge generation material. The formation of the charge generation layer by thin film deposition is particularly suitable when a condensed ring aromatic pigment or a perylene pigment is used as the charge generation material.

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、n-ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸n-ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して用いる。 Solvents for preparing the coating liquid for forming the charge generation layer include methanol, ethanol, n-propanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellsolve, ethyl cell solve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, n acetate. -Butyl, dioxane, methanol, methylene chloride, chloroform, chlorobenzene, toluene and the like can be mentioned. These solvents may be used alone or in admixture of two or more.

電荷発生層形成用塗布液中に粒子(例えば電荷発生材料)を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液-液衝突や液-壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下、更に好ましくは0.15μm以下にすることが有効である。
As a method of dispersing particles (for example, a charge generating material) in a coating liquid for forming a charge generating layer, for example, a media disperser such as a ball mill, a vibrating ball mill, an attritor, a sand mill, a horizontal sand mill, a stirrer, or an ultrasonic disperser. , Roll mills, high pressure homogenizers and other medialess dispersers are used. Examples of the high-pressure homogenizer include a collision method in which a dispersion liquid is dispersed by a liquid-liquid collision or a liquid-wall collision in a high-pressure state, and a penetration method in which a dispersion liquid is dispersed by penetrating a fine flow path in a high-pressure state.
At the time of this dispersion, it is effective to set the average particle size of the charge generating material in the coating liquid for forming the charge generating layer to 0.5 μm or less, preferably 0.3 μm or less, and more preferably 0.15 μm or less. ..

電荷発生層形成用塗布液を下引層上(又は中間層上)に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。 As a method of applying the coating liquid for forming the charge generation layer on the undercoat layer (or on the intermediate layer), for example, a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, and an air knife coating Examples include the usual method such as a method and a curtain coating method.

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは0.1μm以上5.0μm以下、より好ましくは0.2μm以上2.0μm以下の範囲内に設定される。 The film thickness of the charge generation layer is set, for example, preferably in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less, and more preferably 0.2 μm or more and 2.0 μm or less.

(無機保護層)
-無機保護層の組成-
本実施形態の電子写真感光体における無機保護層は、次に示す材料で構成されている。
すなわち、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第13族元素、及び酸素の元素構成比率の和が0.70以上である。
特に、第1の実施形態の電子写真感光体における無機保護層を構成する材料は、酸素及び第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.10以上1.30以下である第1の領域、並びに、酸素/第13族元素が1.40以上1.50以下である第2の領域を有する。そして、第1の領域および第2の領域が、感光層上にこの順で有し、第2の領域が最上層となる。感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第13族元素はガリウムであることが好ましい。また、第13族元素がガリウムであることで、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。
(Inorganic protective layer)
-Composition of inorganic protective layer-
The inorganic protective layer in the electrophotographic photosensitive member of the present embodiment is made of the following materials.
That is, the sum of the elemental composition ratios of the group 13 element and oxygen to all the elements containing the group 13 element and oxygen and constituting the inorganic protective layer is 0.70 or more.
In particular, the material constituting the inorganic protective layer in the electrophotographic photosensitive member of the first embodiment has an element composition ratio (oxygen / Group 13 element) of oxygen and Group 13 elements of 1.10 or more and 1.30 or less. It has a first region and a second region in which the oxygen / Group 13 element is 1.40 or more and 1.50 or less. Then, the first region and the second region are provided on the photosensitive layer in this order, and the second region is the uppermost layer. The Group 13 element is preferably gallium in terms of suppressing an increase in the residual potential while ensuring sensitivity. Further, since the Group 13 element is gallium, it becomes easy to suppress the occurrence of scratches on the inorganic protective layer.

感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第1の領域において、酸素及び第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)は、1.20以上1.30以下であることがよく、1.25以上1.30以下であることが好ましい。同様の点で、第2の領域において、酸素及び第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)は、1.45以上1.50以下であることがよく、1.47以上1.50以下であることが好ましい。 In the first region, the elemental composition ratio of oxygen and Group 13 elements (oxygen / Group 13 elements) is 1.20 or more and 1.30 or less in terms of suppressing the increase in residual potential while ensuring sensitivity. It is often 1.25 or more and 1.30 or less. In the same respect, in the second region, the elemental composition ratio (oxygen / Group 13 element) of oxygen and Group 13 elements is often 1.45 or more and 1.50 or less, and 1.47 or more and 1 It is preferably .50 or less.

ここで、第1の領域および第2の領域において、各々の元素構成比率(酸素/第13族元素(特にガリウム))が上記範囲であると、各々の領域での体積抵抗率を制御しやすくなる。つまり、第1の領域での体積抵抗率が、2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下の範囲、第2の領域での体積抵抗率が、2×1010Ωcm以上1.0×1011Ωcm以下の範囲を満たし易くなる。この点で、第2の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域を構成する材料は、第1の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域を構成する材料と同様の材料であることがよい。 Here, when each element composition ratio (oxygen / Group 13 element (particularly gallium)) is in the above range in the first region and the second region, it is easy to control the volume resistivity in each region. Become. That is, the volume resistivity in the first region is in the range of 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less, and the volume resistivity in the second region is 2 × 10 10 Ωcm or more 1 It becomes easy to fill the range of 0.0 × 10 11 Ωcm or less. In this respect, the material constituting each region of the inorganic protective layer of the electrophotographic photosensitive member according to the second embodiment is a material constituting each region of the inorganic protective layer of the electrophotographic photosensitive member according to the first embodiment. It should be the same material as.

また、無機表面層を構成する全元素に対する、第13族元素(特にガリウム)、及び酸素の元素構成比率の和は、0.70以上であることで、例えば、N,P,Asなどの15族元素などが混入した場合、これらが第13族元素(特にガリウム)と結合する影響などが抑制され、無機表面層の硬度や電気特性を向上させ得る酸素及び第13族元素(特にガリウム)組成比(酸素/第13族元素(特にガリウム))の適正範囲を見出しやすくなる。上記元素構成比率の和は、上記の観点で、0.75以上がよく、0.80以上が好ましく、0.85以上がより好ましい。 Further, the sum of the elemental composition ratios of the group 13 elements (particularly gallium) and oxygen with respect to all the elements constituting the inorganic surface layer is 0.70 or more, for example, 15 such as N, P, As and the like. When group elements are mixed, the influence of these binding with group 13 elements (particularly gallium) is suppressed, and the composition of oxygen and group 13 elements (particularly gallium) that can improve the hardness and electrical characteristics of the inorganic surface layer. It becomes easier to find the appropriate range of ratio (oxygen / Group 13 element (especially gallium)). From the above viewpoint, the sum of the elemental composition ratios is preferably 0.75 or more, preferably 0.80 or more, and more preferably 0.85 or more.

無機保護層には、上記無機材料の他、水素を含んでいてもよい。また、導電型の制御のために、例えば、n型の場合、C、Si、Ge、Snから選ばれる1つ以上の元素を含んでいてもよい。また、例えば、p型の場合、N、Be、Mg、Ca、Srから選ばれる1つ以上の元素を含んでいてもよい。 The inorganic protective layer may contain hydrogen in addition to the above-mentioned inorganic material. Further, for control of the conductive type, for example, in the case of n type, one or more elements selected from C, Si, Ge and Sn may be contained. Further, for example, in the case of p-type, one or more elements selected from N, Be, Mg, Ca and Sr may be contained.

ここで、無機保護層が、例えば、ガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成された場合、機械的強度、透光性、柔軟性に優れ、その導電制御性に優れるという観点から、好適な元素構成比率は以下の通りである。
ガリウムの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、0.20以上0.50以下であることがよく、望ましくは0.25以上0.40以下、より望ましくは0.30以上0.40以下である。
酸素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、0.30以上0.70以下であることがよく、望ましくは0.30以上0.60以下、より望ましくは0.35以上0.55以下である。
水素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、0.10以上0.40以下であることがよく、望ましくは0.10以上0.30以下、より望ましくは0.15以上0.25以下である。
Here, when the inorganic protective layer is composed of, for example, gallium, oxygen, and hydrogen if necessary, it is excellent in mechanical strength, translucency, flexibility, and its conductivity controllability. , Suitable element composition ratios are as follows.
The elemental composition ratio of gallium is often 0.20 or more and 0.50 or less, preferably 0.25 or more and 0.40 or less, and more preferably 0. It is 30 or more and 0.40 or less.
The elemental composition ratio of oxygen is, for example, preferably 0.30 or more and 0.70 or less, preferably 0.30 or more and 0.60 or less, and more preferably 0. It is 35 or more and 0.55 or less.
The elemental composition ratio of hydrogen is often 0.10 or more and 0.40 or less, preferably 0.10 or more and 0.30 or less, and more preferably 0. It is 15 or more and 0.25 or less.

ここで、無機保護層における各元素の元素構成比率、原子数比等は、厚み方向の分布も含めてラザフォードバックスキャタリング(以下、「RBS」と称する)により求められる
なお、RBSでは、加速器としてNEC社 3SDH Pelletron、エンドステーションとしてCE&A社 RBS-400、システムとして3S-R10を用いる。解析にはCE&A社のHYPRAプログラム等を用いる。
なお、RBSの測定条件は、He++イオンビームエネルギーは2.275eV、検出角度160°、入射ビームに対してGrazing Angleは約109°とする。
Here, the elemental composition ratio, atomic number ratio, etc. of each element in the inorganic protective layer are obtained by Rutherford backscattering (hereinafter referred to as "RBS") including the distribution in the thickness direction. In RBS, as an accelerator. NEC 3SDH Pelletron is used, CE & A RBS-400 is used as the end station, and 3S-R10 is used as the system. The HYPRA program of CE & A is used for the analysis.
The measurement conditions of RBS are that the He ++ ion beam energy is 2.275 eV, the detection angle is 160 °, and the Glazing Angle is about 109 ° with respect to the incident beam.

RBS測定は、具体的には以下のように行う
まず、He++イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、160°にセットし、後方散乱されたHeのシグナルを測定する。検出したHeのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるHe原子の数は、1)ターゲット原子の原子番号、2)散乱前のHe原子のエネルギー、3)散乱角度の3つの要素のみにより決まる。 測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は20%以内である。
Specifically, the RBS measurement is performed as follows. First, the He ++ ion beam is incident perpendicular to the sample, the detector is set at 160 ° with respect to the ion beam, and the backscattered He signal. To measure. The composition ratio and film thickness are determined from the detected He energy and intensity. The spectrum may be measured at two detection angles in order to improve the accuracy of determining the composition ratio and the film thickness. Accuracy is improved by measuring and cross-checking at two detection angles with different depth direction resolution and backscattering mechanics.
The number of He atoms scattered backward by the target atom is determined only by three factors: 1) the atomic number of the target atom, 2) the energy of the He atom before scattering, and 3) the scattering angle. The density is assumed by calculation from the measured composition, and the thickness is calculated using this. The density error is within 20%.

なお、水素の元素構成比率は、ハイドロジェンフォワードスキャタリング(以下、「HFS」と称する)により求められる。
HFS測定では、加速器としてNEC社 3SDH Pelletron、エンドステーションとしてCE&A社 RBS-400を用い、システムとして3S-R10を用いる。解析にはCE&A社のHYPRAプログラムを用いる。そして、HFSの測定条件は、以下の通りである。
・He++イオンビームエネルギー:2.275eV
・検出角度:160°入射ビームに対してGrazing Angle30°
The elemental composition ratio of hydrogen is determined by hydrogen forward scattering (hereinafter referred to as "HFS").
In the HFS measurement, NEC 3SDH Pelletron is used as an accelerator, CE & A RBS-400 is used as an end station, and 3S-R10 is used as a system. The HYPRA program of CE & A is used for the analysis. The measurement conditions for HFS are as follows.
-He ++ ion beam energy: 2.275 eV
-Detection angle: Grazing Angle 30 ° for an incident beam of 160 °

HFS測定は、He++イオンビームに対して検出器が30°に、試料が法線から75°になるようにセットすることにより、試料の前方に散乱する水素のシグナルを拾う。この時検出器をアルミ箔で覆い、水素とともに散乱するHe原子を取り除くことがよい。定量は参照用試料と被測定試料との水素のカウントを阻止能で規格化した後に比較することによって行う。参照用試料としてSi中にHをイオン注入した試料と白雲母を使用する。
白雲母は水素濃度が6.5原子%であることが知られている。
最表面に吸着しているHは、例えば、清浄なSi表面に吸着しているH量を差し引くことによって補正を行う。
The HFS measurement picks up the signal of hydrogen scattered in front of the sample by setting the detector at 30 ° to the He ++ ion beam and the sample at 75 ° from the normal. At this time, it is preferable to cover the detector with aluminum foil to remove He atoms scattered together with hydrogen. Quantification is performed by normalizing the hydrogen counts of the reference sample and the sample under test by stopping power and then comparing them. As a reference sample, a sample in which H is ion-implanted into Si and muscovite are used.
Muscovite is known to have a hydrogen concentration of 6.5 atomic%.
The H adsorbed on the outermost surface is corrected, for example, by subtracting the amount of H adsorbed on the clean Si surface.

-無機保護層の特性-
前述のように、第2の実施形態の電子写真感光体における無機保護層は、体積抵抗率が2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下である第1の領域および体積抵抗率が2.0×1010Ωcm以上である第2の領域を有する。
感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第1の領域の体積抵抗率は、1.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下であることがよく、5.0×10Ωcm以上5.0×10Ωcm以下であることが好ましい。同様の点で、第2の領域の体積抵抗率は、3.0×1010Ωcm以上であることがよく、4.0×1010Ωcm以上であることが好ましい。なお、第2の領域の体積抵抗率の上限は特に限定されないが、例えば、1.0×1011Ωcm以下が挙げられる。
また、第1の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域における体積抵抗率は、第2の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域における体積抵抗率の範囲を満たすことがよい。
-Characteristics of inorganic protective layer-
As described above, the inorganic protective layer in the electrophotographic photosensitive member of the second embodiment has a first region and a volume resistivity having a volume resistivity of 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less. It has a second region with a ratio of 2.0 × 10 10 Ωcm or more.
The volume resistivity in the first region is often 1.0 × 10 8 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less in terms of suppressing the increase in the residual potential while ensuring the sensitivity. It is preferably 0 × 10 8 Ωcm or more and 5.0 × 10 9 Ωcm or less. In the same respect, the volume resistivity of the second region is often 3.0 × 10 10 Ωcm or more, and preferably 4.0 × 10 10 Ωcm or more. The upper limit of the volume resistivity in the second region is not particularly limited, and examples thereof include 1.0 × 10 11 Ωcm or less.
Further, the volume resistivity in each region of the inorganic protective layer of the electrophotographic photosensitive member according to the first embodiment is within the range of the volume resistivity in each region of the inorganic protective layer of the electrophotographic photosensitive member according to the second embodiment. It is better to meet.

この体積抵抗率は、nF社製LCRメーターZM2371を用いて、周波数1kHz、電圧1Vの条件にて測定した抵抗値から、電極面積、試料厚みに基づき算出して求められる。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
This volume resistivity is calculated from the resistance values measured under the conditions of a frequency of 1 kHz and a voltage of 1 V using an LCR meter ZM2371 manufactured by nF, based on the electrode area and the sample thickness.
The measurement sample is a sample obtained by forming a film on an aluminum substrate under the same conditions as when forming the inorganic protective layer to be measured, and forming a gold electrode on the film by vacuum vapor deposition. Alternatively, the sample may be a sample in which the inorganic protective layer is peeled off from the electrophotographic photosensitive member after production, partially etched, and sandwiched between a pair of electrodes.

無機保護層は、微結晶膜、多結晶膜、非晶質膜などの非単結晶膜であることが望ましい。これらの中でも、非晶質は表面の平滑性で特に望ましいが、微結晶膜は硬度の点でより望ましい。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、RHEED(反射高速電子線回折)測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
The inorganic protective layer is preferably a non-single crystal film such as a microcrystalline film, a polycrystalline film, or an amorphous film. Among these, amorphous is particularly desirable in terms of surface smoothness, but polycrystalline film is more desirable in terms of hardness.
The growth cross section of the inorganic protective layer may have a columnar structure, but from the viewpoint of slipperiness, a structure with high flatness is desirable, and amorphous is desirable.
The crystallinity and amorphousness are determined by the presence or absence of points or lines in the diffraction image obtained by RHEED (reflection high-energy electron diffraction) measurement.

無機保護層全体の弾性率は30GPa以上80GPa以下であることがよく、望ましくは40GPa以上65GPa以下である。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部(打痕状の傷)の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
この弾性率は、MTSシステムズ社製 Nano Indenter SA2を用いて、連続剛性法(CSM)(米国特許4848141)により深さプロファイルを得て、その押込み深さ30nmから100nmの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境:23℃、55%RH
・使用圧子:ダイヤモンド製正三角錐圧子(Berkovic圧子)三角錐圧子
・試験モード:CSMモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
The elastic modulus of the entire inorganic protective layer is often 30 GPa or more and 80 GPa or less, preferably 40 GPa or more and 65 GPa or less.
When this elastic modulus is within the above range, the generation, peeling, and cracking of concave portions (dent-like scratches) of the inorganic protective layer are likely to be suppressed.
This elastic modulus is an average value obtained from the measured values of the indentation depth of 30 nm to 100 nm obtained by obtaining a depth profile by the continuous rigidity method (CSM) (US Pat. No. 4,48,141) using Nano Indenter SA2 manufactured by MTS Systems. Is used. The following are the measurement conditions.
-Measurement environment: 23 ° C, 55% RH
-Used indenter: Diamond regular triangular pyramid indenter (Berkovic indenter) Triangular pyramid indenter-Test mode: CSM mode The measurement sample is a sample formed on the substrate under the same conditions as when the inorganic protective layer to be measured was formed. It may be a sample obtained by peeling the inorganic protective layer from the prepared electrophotographic photosensitive member and partially etching the sample.

本実施形態に係る電子写真感光体において、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第1の領域の厚みは、第2の領域の厚みよりも薄いことがよい。また、同様の点で、第1の領域の厚みに対する、第2の領域の厚みの比(第2の領域の厚み/第1の領域の厚み)の比は、3以上100以下(好ましくは、10以上100以下、より好ましくは10以上30以下)であることがよい。 In the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, the thickness of the first region is preferably thinner than the thickness of the second region in terms of suppressing an increase in the residual potential while ensuring sensitivity. In the same respect, the ratio of the ratio of the thickness of the second region to the thickness of the first region (thickness of the second region / thickness of the first region) is 3 or more and 100 or less (preferably, the thickness of the first region). It is preferably 10 or more and 100 or less, more preferably 10 or more and 30 or less).

さらに、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第1の領域の厚みは、0.01μm以上0.5μm以下(好ましくは、0.03μm以上0.10μm以下)であることがよい。また、同様の点で、第2の領域の厚みは、0.3μm以上3.5μm以下(好ましくは、0.4μm以上0.10μm以下)であることがよい。 Further, the thickness of the first region should be 0.01 μm or more and 0.5 μm or less (preferably 0.03 μm or more and 0.10 μm or less) in terms of suppressing an increase in the residual potential while ensuring sensitivity. Is good. In the same respect, the thickness of the second region is preferably 0.3 μm or more and 3.5 μm or less (preferably 0.4 μm or more and 0.10 μm or less).

また、本実施形態に係る電子写真感光体において、無機保護層の全体の膜厚は、例えば、1.5μm超10μm以下であることがよく、3μm以上10μm以下であることが好ましく、3μm以上6μm以下であることがより好ましい。
無機保護層の全体の膜厚を上記範囲とすると、無機保護層の傷の発生が抑制され易くなる。
Further, in the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, the total film thickness of the inorganic protective layer is, for example, preferably more than 1.5 μm and 10 μm or less, preferably 3 μm or more and 10 μm or less, and 3 μm or more and 6 μm. The following is more preferable.
When the overall film thickness of the inorganic protective layer is within the above range, the occurrence of scratches on the inorganic protective layer is likely to be suppressed.

-無機保護層の形成-
無機保護層の形成には、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
-Formation of inorganic protective layer-
For the formation of the inorganic protective layer, for example, known vapor deposition methods such as plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method, metalorganic vapor phase growth method, molecular beam epitaxy method, thin film deposition, and sputtering are used.

以下、無機保護層の形成について、成膜装置の一例を図面に示しつつ具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明は、ガリウム、酸素、及び水素を含んで構成された無機保護層の形成方法について示すが、これに限られず、目的とする無機保護層の組成に応じて、周知の形成方法を適用すればよい。 Hereinafter, the formation of the inorganic protective layer will be described with reference to specific examples while showing an example of the film forming apparatus in the drawings. The following description describes a method for forming an inorganic protective layer containing gallium, oxygen, and hydrogen, but the present invention is not limited to this, and a well-known forming method is used depending on the composition of the target inorganic protective layer. Should be applied.

図5は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図5(A)は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図5(B)は、図5(A)に示す成膜装置のA1-A2間における模式断面図を表す。図5中、210は成膜室、211は排気口、212は基体回転部、213は基体支持部材、214は基体、215はガス導入管、216はガス導入管215から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、217はプラズマ拡散部、218は高周波電力供給部、219は平板電極、220はガス導入管、221は高周波放電管部である。 FIG. 5 is a schematic schematic view showing an example of a film forming apparatus used for forming the inorganic protective layer of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, and FIG. 5A is a case where the film forming apparatus is viewed from the side. 5 (B) shows a schematic cross-sectional view between A1 and A2 of the film forming apparatus shown in FIG. 5 (A). In FIG. 5, 210 is a film forming chamber, 211 is an exhaust port, 212 is a base rotating part, 213 is a base support member, 214 is a base, 215 is a gas introduction pipe, and 216 is a gas introduced from a gas introduction pipe 215. A shower nozzle having an opening, 217 is a plasma diffusion section, 218 is a high frequency power supply section, 219 is a flat plate electrode, 220 is a gas introduction tube, and 221 is a high frequency discharge tube section.

図5に示す成膜装置において、成膜室210の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口211が設けられており、成膜室210の排気口211が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部218、平板電極219及び高周波放電管部221からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部221と、高周波放電管部221内に配置され、放電面が排気口211側に設けられた平板電極219と、高周波放電管部221外に配置され、平板電極219の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部218とから構成されたものである。なお、高周波放電管部221には、高周波放電管部221内にガスを供給するためのガス導入管220が接続されており、このガス導入管220のもう一方の端は、不図示の第1のガス供給源に接続されている。
In the film forming apparatus shown in FIG. 5, an exhaust port 211 connected to a vacuum exhaust device (not shown) is provided at one end of the film forming chamber 210, and the side where the exhaust port 211 of the film forming chamber 210 is provided. On the opposite side, a plasma generator including a high-frequency power supply unit 218, a flat plate electrode 219, and a high-frequency discharge tube unit 221 is provided.
This plasma generator is arranged inside a high-frequency discharge tube section 221 and a high-frequency discharge tube section 221 and has a flat plate electrode 219 having a discharge surface provided on the exhaust port 211 side and a flat plate outside the high-frequency discharge tube section 221. It is composed of a high frequency power supply unit 218 connected to a surface opposite to the discharge surface of the electrode 219. A gas introduction pipe 220 for supplying gas into the high frequency discharge pipe 221 is connected to the high frequency discharge pipe portion 221, and the other end of the gas introduction pipe 220 is a first not shown (not shown). It is connected to the gas source of.

なお、図5に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図6に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図6は、図5に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図6中、222が高周波コイル、223が石英管を表し、220は、図5中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管223と、石英管223の外周面に沿って設けられた高周波コイル222とからなり、石英管223の一方の端は成膜室210(図6中、不図示)と接続されている。また、石英管223のもう一方の端には、石英管223内にガスを導入するためのガス導入管220が接続されている。 The plasma generator shown in FIG. 6 may be used instead of the plasma generator provided in the film forming apparatus shown in FIG. FIG. 6 is a schematic schematic view showing another example of the plasma generator used in the film forming apparatus shown in FIG. 5, and is a side view of the plasma generator. In FIG. 6, 222 represents a high frequency coil, 223 represents a quartz tube, and 220 is the same as that shown in FIG. This plasma generator comprises a quartz tube 223 and a high frequency coil 222 provided along the outer peripheral surface of the quartz tube 223, and one end of the quartz tube 223 is a film forming chamber 210 (not shown in FIG. 6). Is connected to. Further, a gas introduction tube 220 for introducing gas into the quartz tube 223 is connected to the other end of the quartz tube 223.

図5において、平板電極219の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル216が接続されており、シャワーノズル216の一端は、ガス導入管215と接続されており、このガス導入管215は成膜室210外に設けられた不図示の第2のガス供給源と接続されている。
また、成膜室210内には、基体回転部212が設けられており、円筒状の基体214が、シャワーノズル216の長手方向と基体214の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材213を介して基体回転部212に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部212が回転することによって、基体214が周方向に回転する。なお、基体214としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
In FIG. 5, a rod-shaped shower nozzle 216 extending along the discharge surface is connected to the discharge surface side of the flat plate electrode 219, and one end of the shower nozzle 216 is connected to the gas introduction pipe 215, and this gas is connected. The introduction pipe 215 is connected to a second gas supply source (not shown) provided outside the film forming chamber 210.
Further, a substrate rotating portion 212 is provided in the film forming chamber 210, and the substrate support member is provided so that the cylindrical substrate 214 faces the longitudinal direction of the shower nozzle 216 and the axial direction of the substrate 214. It can be attached to the substrate rotating portion 212 via the 213. During film formation, the substrate 214 rotates in the circumferential direction due to the rotation of the substrate rotating portion 212. As the substrate 214, for example, a photoconductor or the like laminated up to an organic photosensitive layer in advance is used.

無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス(又は、ヘリウム(He)希釈酸素ガス)、ヘリウム(He)ガス、及び必要に応じ水素(H2)ガスを、ガス導入管220から高周波放電管部221内に導入すると共に、高周波電力供給部218から平板電極219に、13.56MHzのラジオ波を供給する。この際、平板電極219の放電面側から排気口211側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部217が形成される。ここで、ガス導入管220から導入されたガスは成膜室210を平板電極219側から排気口211側へと流れる。平板電極219は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
The formation of the inorganic protective layer is carried out, for example, as follows.
First, oxygen gas (or helium (He) diluted oxygen gas), helium (He) gas, and, if necessary, hydrogen (H2) gas are introduced from the gas introduction tube 220 into the high-frequency discharge tube section 221 and at high frequencies. A 13.56 MHz radio wave is supplied from the power supply unit 218 to the flat plate electrode 219. At this time, the plasma diffusion portion 217 is formed so as to radiate from the discharge surface side of the flat plate electrode 219 to the exhaust port 211 side. Here, the gas introduced from the gas introduction pipe 220 flows through the film forming chamber 210 from the flat plate electrode 219 side to the exhaust port 211 side. The flat plate electrode 219 may be a flat plate electrode 219 in which the electrode is surrounded by an earth shield.

次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管215、活性化手段である平板電極219の下流側に位置するシャワーノズル216を介して成膜室210に導入することによって、基体214表面にガリウムと酸素と水素とを含む非単結晶膜を成膜する。
基体214としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
Next, by introducing trimethylgallium gas into the film forming chamber 210 via the gas introduction tube 215 and the shower nozzle 216 located on the downstream side of the flat plate electrode 219 which is the activating means, gallium and oxygen are added to the surface of the substrate 214. A non-single crystal film containing hydrogen is formed.
As the substrate 214, for example, a substrate on which an organic photosensitive layer is formed is used.

無機保護層の成膜時の基体214表面の温度は、有機感光層を有する有機感光体を用いるので、150℃以下が望ましく、100℃以下がより望ましく、30℃以上100℃以下が特に望ましい。
基体214表面の温度が成膜開始当初は150℃以下であっても、プラズマの影響で150℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体214の表面温度を制御することが望ましい。
基体214表面の温度は加熱手段、冷却手段(図中、不図示)等によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体214を加熱する場合にはヒータを基体214の外側や内側に設置してもよい。基体214を冷却する場合には基体214の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体214表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体214表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
Since an organic photosensitive member having an organic photosensitive layer is used, the temperature of the surface of the substrate 214 at the time of forming the inorganic protective layer is preferably 150 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower, and particularly preferably 30 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.
Even if the temperature of the surface of the substrate 214 is 150 ° C or lower at the beginning of film formation, if the temperature rises above 150 ° C due to the influence of plasma, the organic photosensitive layer may be damaged by heat, so this effect should be taken into consideration. It is desirable to control the surface temperature of the substrate 214.
The temperature of the surface of the substrate 214 may be controlled by a heating means, a cooling means (not shown in the figure), or the like, or may be left to the natural temperature rise at the time of discharge. When heating the substrate 214, the heater may be installed on the outside or the inside of the substrate 214. When cooling the substrate 214, a cooling gas or liquid may be circulated inside the substrate 214.
When it is desired to avoid an increase in the temperature of the surface of the substrate 214 due to electric discharge, it is effective to adjust the high-energy gas flow that hits the surface of the substrate 214. In this case, conditions such as gas flow rate, discharge output, and pressure are adjusted so as to reach the required temperature.

また、トリメチルガリウムガスの代わりにアルミニウムを含む有機金属化合物やジボラン等の水素化物を用いることもでき、これらを2種類以上混合してもよい。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管215、シャワーノズル216を介して成膜室210内に導入することにより、基体214上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
Further, instead of trimethylgallium gas, an organometallic compound containing aluminum or a hydride such as diborane can be used, and two or more of these may be mixed.
For example, in the initial stage of forming the inorganic protective layer, trimethylindium is introduced into the film forming chamber 210 via the gas introduction tube 215 and the shower nozzle 216 to form a film containing nitrogen and indium on the substrate 214. Then, this film absorbs the ultraviolet rays generated when the film is continuously formed and deteriorates the organic photosensitive layer. Therefore, damage to the organic photosensitive layer due to the generation of ultraviolet rays during film formation is suppressed.

また、成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、n型用としてはSiH3,SnH4を、p型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管215、シャワーノズル216を介して成膜室210内に導入することによって、n型、p型等の導電型の無機保護層を得る。
As a method for doping the dopant at the time of film formation, SiH3 and SnH4 are used for the n-type, and biscyclopentadienylmagnesium, dimethylcalcium, dimethylstrontium, etc. are used for the p-type in a gas state. .. Further, in order to dope the dopant element into the surface layer, a known method such as a heat diffusion method or an ion implantation method may be adopted.
Specifically, for example, by introducing a gas containing at least one dopant element into the film forming chamber 210 via the gas introduction pipe 215 and the shower nozzle 216, a conductive type such as n-type or p-type can be obtained. Obtain an inorganic protective layer.

図5及び図6を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、NHなど、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。さらにHを加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体214表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜(無機保護層)が形成される。
In the film forming apparatus described with reference to FIGS. 5 and 6, the active nitrogen or active hydrogen formed by the discharge energy may be independently controlled by providing a plurality of active apparatus, or with a nitrogen atom such as NH3 . A gas containing hydrogen atoms at the same time may be used. Further H 2 may be added. Further, the condition that active hydrogen is freely generated from the organometallic compound may be used.
By doing so, activated carbon atoms, gallium atoms, nitrogen atoms, hydrogen atoms, etc. are present on the surface of the substrate 214 in a controlled state. Then, the activated hydrogen atom has an effect of desorbing hydrogen of a hydrocarbon group such as a methyl group or an ethyl group constituting an organic metal compound as a molecule.
Therefore, a hard film (inorganic protective layer) constituting a three-dimensional bond is formed.

図5及び図6に示す成膜装置のプラズマ発生手段は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いたり、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
さらに、これらの装置を2種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を2つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体214表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
The plasma generating means of the film forming apparatus shown in FIGS. 5 and 6 uses a high frequency oscillator, but is not limited to this, and for example, a microwave oscillator may be used or an electrocyclotron resonance method may be used. Or a helicon plasma type device may be used. Further, in the case of a high frequency oscillator, it may be an inductive type or a capacitive type.
Further, two or more of these devices may be used in combination, or two or more of the same type of devices may be used. A high-frequency oscillator is desirable in order to suppress the temperature rise on the surface of the substrate 214 due to plasma irradiation, but a device that suppresses heat irradiation may be provided.

2種類以上の異なるプラズマ発生装置(プラズマ発生手段)を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが望ましい。また、放電する領域と、成膜する領域(基体が設置された部分)とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。 When two or more different types of plasma generators (plasma generating means) are used, it is desirable that discharges occur simultaneously at the same pressure. Further, a pressure difference may be provided between the region where the discharge is performed and the region where the film is formed (the portion where the substrate is installed). These devices may be arranged in series with respect to the gas flow formed in the film forming apparatus from the portion where the gas is introduced to the portion where the gas is discharged, or both devices may be arranged on the film forming surface of the substrate. They may be arranged so as to face each other.

例えば、2種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図5に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル216を電極として成膜室210内に放電を起こさせる第2のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管215を介して、シャワーノズル216に高周波電圧を印加して、シャワーノズル216を電極として成膜室210内に放電を起こさせる。あるいは、シャワーノズル216を電極として利用する代わりに、成膜室210内の基体214と平板電極219との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室210内に放電を起こさせる。
また、異なる2種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍(70000Pa以上110000Pa以下)で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてHeを使用することが望ましい。
For example, when two types of plasma generating means are installed in series with respect to a gas flow, taking the film forming apparatus shown in FIG. 5 as an example, the shower nozzle 216 is used as an electrode to cause a discharge in the film forming chamber 210. It is used as a plasma generator of 2. In this case, for example, a high frequency voltage is applied to the shower nozzle 216 via the gas introduction pipe 215 to cause a discharge in the film forming chamber 210 using the shower nozzle 216 as an electrode. Alternatively, instead of using the shower nozzle 216 as an electrode, a cylindrical electrode is provided between the substrate 214 and the flat plate electrode 219 in the film forming chamber 210, and the cylindrical electrode is used to use the film forming chamber 210. Causes an electric discharge inside.
Further, when two different types of plasma generators are used under the same pressure, for example, when a microwave oscillator and a high frequency oscillator are used, the excitation energy of the excited species can be significantly changed, and the film quality can be controlled. It is valid. Further, the discharge may be performed in the vicinity of atmospheric pressure (70,000 Pa or more and 110,000 Pa or less). When discharging in the vicinity of atmospheric pressure, it is desirable to use He as the carrier gas.

無機保護層の形成は、例えば、成膜室210に基体上に有機感光層を形成した基体214を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、無機保護層を形成する。 To form the inorganic protective layer, for example, a substrate 214 having an organic photosensitive layer formed on the substrate is placed in a film forming chamber 210, and a mixed gas having a different composition is introduced to form the inorganic protective layer.

また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として10kHz以上50MHz以下の範囲とすることが望ましい。また、出力は基体214の大きさに依存するが、基体の表面積に対して0.01W/cm以上0.2W/cm以下の範囲とすることが望ましい。基体214の回転速度は0.1rpm以上500rpm以下の範囲が望ましい。 Further, as the film forming condition, for example, in the case of discharging by high frequency discharge, it is desirable that the frequency is in the range of 10 kHz or more and 50 MHz or less in order to perform high quality film forming at a low temperature. Although the output depends on the size of the substrate 214, it is desirable that the output is in the range of 0.01 W / cm 2 or more and 0.2 W / cm 2 or less with respect to the surface area of the substrate. The rotation speed of the substrate 214 is preferably in the range of 0.1 rpm or more and 500 rpm or less.

なお、無機保護層の第1の領域および第2の領域の元素構成比率(酸素/第13族元素)および体積抵抗率は、例えば、プラズマ発生装置の圧力および高周波電力を制御することで調整される。また、プラズマ発生装置に供給するトリメチルガリウム、ヘリウム希釈の酸素、及び水素の流量比によって調整される。具体的には、トリメチルガリウム及びヘリウム希釈の酸素の流量比で調整される。第1の領域および第2の領域のそれぞれの厚みについては、プラズマ発生装置に供給するトリメチルガリウムとヘリウム希釈の酸素を供給時間によって調整される。 The elemental composition ratio (oxygen / Group 13 element) and volume resistivity of the first region and the second region of the inorganic protective layer are adjusted by, for example, controlling the pressure and high frequency power of the plasma generator. To. It is also adjusted by the flow rate ratio of trimethylgallium, helium-diluted oxygen, and hydrogen supplied to the plasma generator. Specifically, it is adjusted by the flow rate ratio of oxygen diluted with trimethylgallium and helium. For the thickness of each of the first region and the second region, trimethylgallium and helium-diluted oxygen supplied to the plasma generator are adjusted by the supply time.

以上、電子写真感光体として有機感光層が機能分離型で、電荷輸送層が単層型の例を説明したが、図2に示される電子写真感光体(有機感光層が機能分離型で、電荷輸送層が複層型の例)の場合、無機保護層5と接する電荷輸送層3Aは図1に示す電子写真感光体の電荷輸送層3と同じ構成とする一方で、無機保護層5と接しない電荷輸送層3Bは周知の電荷輸送層と同じ構成とすることがよい。
但し、電荷輸送層3Aの膜厚は、1μm以上15μm以下とすることがよい。また、電荷輸送層3Bの膜厚は、15μm以上29μm以下とすることがよい。
The example of the electrophotographic photosensitive member in which the organic photosensitive layer is a function-separated type and the charge transport layer is a single-layer type has been described above. However, the electrophotographic photosensitive member shown in FIG. When the transport layer is a multi-layer type), the charge transport layer 3A in contact with the inorganic protective layer 5 has the same configuration as the charge transport layer 3 of the electrophotographic photosensitive member shown in FIG. 1, while is in contact with the inorganic protective layer 5. The charge transport layer 3B that does not have a charge transport layer 3B may have the same configuration as a well-known charge transport layer.
However, the film thickness of the charge transport layer 3A is preferably 1 μm or more and 15 μm or less. The film thickness of the charge transport layer 3B is preferably 15 μm or more and 29 μm or less.

一方、図3に示される電子写真感光体(有機感光層が単層型の例)の場合、単層型有機感光層6(電荷発生/電荷輸送層)は、電子写真感光体の電荷輸送層3と電荷発生材料を含む以外は同じ構成とすることがよい。
但し、単層型有機感光層6中の電荷発生材料の含有量は、単層型有機感光層全体に対して、0.1質量%以上10質量%以下(好ましくは0.8質量%以上5質量%以下)とすることがよい。電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して5質量%以上50質量%以下がよい。
また、単層型有機感光層6の膜厚は、15μm以上30μm以下とすることがよい。
On the other hand, in the case of the electrophotographic photosensitive member shown in FIG. 3 (an example in which the organic photosensitive layer is a single layer type), the single layer type organic photosensitive layer 6 (charge generation / charge transport layer) is a charge transport layer of the electrophotographic photosensitive member. It is preferable to have the same configuration except that 3 and the charge generating material are included.
However, the content of the charge generating material in the single-layer type organic photosensitive layer 6 is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less (preferably 0.8% by mass or more 5) with respect to the entire single-layer type organic photosensitive layer. It is better to set it to mass% or less). The content of the charge transport material is preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total solid content.
The film thickness of the single-layer organic photosensitive layer 6 is preferably 15 μm or more and 30 μm or less.

単層型有機感光層6は、上記に限られず、アモルファスシリコンを含む材料で形成されたアモルファスシリコン感光層であってもよい。アモルファスシリコン型の感光層は、例えば、アモルファスシリコンと、ホウ素などの不純物(ドーパント)とを含んで形成されていてもよい。アモルファスシリコン感光層は、化学気相法などによって形成される。 The single-layer organic photosensitive layer 6 is not limited to the above, and may be an amorphous silicon photosensitive layer formed of a material containing amorphous silicon. The amorphous silicon type photosensitive layer may be formed, for example, by containing amorphous silicon and impurities (dopants) such as boron. The amorphous silicon photosensitive layer is formed by a chemical vapor phase method or the like.

さらに、無機保護層は、感光層上に、前述の第1の領域と第2の領域との組み合わせを、この順で、繰り返し多層に積層して形成してもよい。
例えば、図4に示される電子写真感光体では、無機保護層が、第1の領域と第2の領域との組み合わせを、この順で繰り返し積層された繰り返し回数が3回で構成されている例を示している。なお、繰り返し回数とは、感光層側から、第1の領域と第2の領域とを、この順で積層した組み合わせを1単位とし、この単位を繰り返した回数を表す。第1の領域および第2の領域の組み合わせの繰り返し積層された繰り返し回数は、例えば、2回であってもよい。感度を確保しつつ、残留電位の上昇をより抑制する点で、第1の領域および第2の領域の繰り返し回数は、1回以上10回以下であることがよい。繰り返し回数は、3回以上でもよく、4回以上でもよく、5回以上であってもよい。また、9回以下でもよく、8回以下であってもよい。
Further, the inorganic protective layer may be formed by repeatedly laminating the combination of the above-mentioned first region and the second region on the photosensitive layer in this order.
For example, in the electrophotographic photosensitive member shown in FIG. 4, the inorganic protective layer is an example in which the combination of the first region and the second region is repeatedly laminated in this order, and the number of repetitions is three. Is shown. The number of repetitions is a combination of the first region and the second region laminated in this order from the photosensitive layer side as one unit, and represents the number of times this unit is repeated. The number of repeated stacking of the combination of the first region and the second region may be, for example, two times. The number of repetitions of the first region and the second region is preferably 1 or more and 10 or less in order to further suppress the increase in the residual potential while ensuring the sensitivity. The number of repetitions may be 3 or more, 4 or more, or 5 or more. Further, it may be 9 times or less, or 8 times or less.

また、無機保護層の形成において、各層は、その目的とする元素構成比率、又は体積抵抗率に応じて、各々組成の異なる混合ガスを導入して、連続的に形成してもよいし、別個独立に行ってもよい。また、各層は、その目的とする元素構成比率、又は体積抵抗率に応じて、成膜条件を選択すればよい。 Further, in the formation of the inorganic protective layer, each layer may be continuously formed by introducing a mixed gas having a different composition depending on the target element composition ratio or volume resistivity, or separately. You may go independently. Further, for each layer, the film forming conditions may be selected according to the target element composition ratio or volume resistivity.

[画像形成装置(及びプロセスカートリッジ)]
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
[Image forming device (and process cartridge)]
The image forming apparatus according to the present embodiment includes an electrophotographic photosensitive member, a charging means for charging the surface of the electrophotographic photosensitive member, and an electrostatic latent image forming on the surface of the charged electrophotographic photosensitive member. Means, a developing means for developing an electrostatic latent image formed on the surface of an electrophotographic photosensitive member with a developer containing toner to form a toner image, and a transfer means for transferring the toner image to the surface of a recording medium. To be equipped with. Then, as the electrophotographic photosensitive member, the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment is applied.

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置;電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置;電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置;トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置;トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置;電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。 The image forming apparatus according to the present embodiment is an apparatus provided with a fixing means for fixing the toner image transferred to the surface of the recording medium; direct transfer to directly transfer the toner image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member to the recording medium. Device of the method; Intermediate transfer in which the toner image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member is primarily transferred to the surface of the intermediate transfer body, and the toner image transferred to the surface of the intermediate transfer body is secondarily transferred to the surface of the recording medium. Device of the method; A device equipped with a cleaning means for cleaning the surface of the electrophotographic photosensitive member after the transfer of the toner image and before charging; the surface of the electrophotographic photosensitive member is irradiated with xerographic light after the transfer of the toner image and before charging. A device provided with a static elimination means for eliminating static electricity; a well-known image forming apparatus such as a device provided with an electrophotographic photosensitive member heating member for increasing the temperature of the electrophotographic photosensitive member and reducing the relative temperature is applied.

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。 In the case of an intermediate transfer type apparatus, the transfer means is, for example, a primary transfer body in which a toner image is transferred to the surface and a primary transfer of a toner image formed on the surface of an electrophotographic photosensitive member to the surface of the intermediate transfer body. A configuration comprising a transfer means and a secondary transfer means for secondary transfer of the toner image transferred to the surface of the intermediate transfer body to the surface of the recording medium is applied.

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式(液体現像剤を利用した現像方式)の画像形成装置のいずれであってもよい。 The image forming apparatus according to the present embodiment may be either a dry developing type image forming apparatus or a wet developing method (development method using a liquid developer) image forming apparatus.

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造(プロセスカートリッジ)であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。 In the image forming apparatus according to the present embodiment, for example, the portion provided with the electrophotographic photosensitive member may have a cartridge structure (process cartridge) attached to and detached from the image forming apparatus. As the process cartridge, for example, a process cartridge including the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment is preferably used. In addition to the electrophotographic photosensitive member, the process cartridge may include at least one selected from the group consisting of, for example, a charging means, an electrostatic latent image forming means, a developing means, and a transfer means.

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。 Hereinafter, an example of the image forming apparatus according to the present embodiment will be shown, but the present invention is not limited thereto. The main parts shown in the figure will be described, and the description thereof will be omitted for the others.

図7は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置100は、図7に示すように、電子写真感光体7を備えるプロセスカートリッジ300と、露光装置9(静電潜像形成手段の一例)と、転写装置40(一次転写装置)と、中間転写体50とを備える。なお、画像形成装置100において、露光装置9はプロセスカートリッジ300の開口部から電子写真感光体7に露光し得る位置に配置されており、転写装置40は中間転写体50を介して電子写真感光体7に対向する位置に配置されており、中間転写体50はその一部が電子写真感光体7に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体50に転写されたトナー像を記録媒体(例えば用紙)に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体50、転写装置40(一次転写装置)、及び二次転写装置(不図示)が転写手段の一例に相当する。なお、画像形成装置100において、制御装置60(制御手段の一例)は、画像形成装置100内の各装置及び各部材の動作を制御する装置であり、各装置及び各部材と接続されて配置されている。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an example of an image forming apparatus according to the present embodiment.
As shown in FIG. 7, the image forming apparatus 100 according to the present embodiment includes a process cartridge 300 including an electrophotographic photosensitive member 7, an exposure apparatus 9 (an example of an electrostatic latent image forming means), and a transfer apparatus 40 (primary). A transfer device) and an intermediate transfer body 50 are provided. In the image forming apparatus 100, the exposure apparatus 9 is arranged at a position where the electrophotographic photosensitive member 7 can be exposed to the electrophotographic photosensitive member 7 from the opening of the process cartridge 300, and the transfer apparatus 40 is arranged via the intermediate transfer body 50. The intermediate transfer body 50 is arranged at a position facing the seventh, and a part of the intermediate transfer body 50 is arranged in contact with the electrophotographic photosensitive member 7. Although not shown, it also has a secondary transfer device that transfers the toner image transferred to the intermediate transfer body 50 to a recording medium (for example, paper). The intermediate transfer body 50, the transfer device 40 (primary transfer device), and the secondary transfer device (not shown) correspond to an example of the transfer means. In the image forming apparatus 100, the control device 60 (an example of the control means) is an apparatus for controlling the operation of each apparatus and each member in the image forming apparatus 100, and is arranged so as to be connected to each apparatus and each member. ing.

図7におけるプロセスカートリッジ300は、ハウジング内に、電子写真感光体7、帯電装置8(帯電手段の一例)、現像装置11(現像手段の一例)、及びクリーニング装置13(クリーニング手段の一例)を一体に支持している。クリーニング装置13は、クリーニングブレード(クリーニング部材の一例)131を有しており、クリーニングブレード131は、電子写真感光体7の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード131の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード131と併用してもよい。 The process cartridge 300 in FIG. 7 has an electrophotographic photosensitive member 7, a charging device 8 (an example of a charging means), a developing device 11 (an example of a developing means), and a cleaning device 13 (an example of a cleaning means) integrated in a housing. I support it. The cleaning device 13 has a cleaning blade (an example of a cleaning member) 131, and the cleaning blade 131 is arranged so as to come into contact with the surface of the electrophotographic photosensitive member 7. The cleaning member may be a conductive or insulating fibrous member instead of the mode of the cleaning blade 131, and may be used alone or in combination with the cleaning blade 131.

なお、図7には、画像形成装置として、潤滑材14を電子写真感光体7の表面に供給する繊維状部材132(ロール状)、及び、クリーニングを補助する繊維状部材133(平ブラシ状)を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。 In addition, in FIG. 7, as an image forming apparatus, a fibrous member 132 (roll shape) that supplies a lubricant 14 to the surface of an electrophotographic photosensitive member 7 and a fibrous member 133 (flat brush shape) that assists cleaning are shown. Examples are shown, but these are arranged as needed.

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。 Hereinafter, each configuration of the image forming apparatus according to the present embodiment will be described.

-帯電装置-
帯電装置8としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
-Charging device-
As the charging device 8, for example, a contact-type charging device using a conductive or semi-conductive charging roller, a charging brush, a charging film, a charging rubber blade, a charging tube, or the like is used. Further, a non-contact roller charger, a scorotron charger using corona discharge, a corotron charger, or the like, which is known per se, is also used.

-露光装置-
露光装置9としては、例えば、電子写真感光体7表面に、半導体レーザ光、LED光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、780nm付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、600nm台の発振波長レーザや青色レーザとして400nm以上450nm以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
-Exposure device-
Examples of the exposure device 9 include an optical system device that exposes light such as a semiconductor laser beam, an LED light, and a liquid crystal shutter light on the surface of the electrophotographic photosensitive member 7 in a predetermined image pattern. The wavelength of the light source is within the spectral sensitivity region of the electrophotographic photosensitive member. The mainstream wavelength of a semiconductor laser is near infrared, which has an oscillation wavelength in the vicinity of 780 nm. However, the wavelength is not limited to this, and a laser having an oscillation wavelength in the 600 nm range or a laser having an oscillation wavelength of 400 nm or more and 450 nm or less may be used as a blue laser. Further, a surface-emitting laser light source of a type capable of outputting a multi-beam is also effective for forming a color image.

-現像装置-
現像装置11としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置11としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体7に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
-Developer-
Examples of the developing device 11 include a general developing device that develops by contacting or non-contacting a developer. The developing device 11 is not particularly limited as long as it has the above-mentioned functions, and is selected according to the purpose. For example, a known developer having a function of adhering a one-component developer or a two-component developer to the electrophotographic photosensitive member 7 using a brush, a roller, or the like can be mentioned. Of these, those using a developing roller in which the developing agent is held on the surface are preferable.

現像装置11に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。 The developing agent used in the developing apparatus 11 may be a one-component developing agent containing only toner or a two-component developing agent containing a toner and a carrier. Further, the developer may be magnetic or non-magnetic. Well-known developeres are applied.

-クリーニング装置-
クリーニング装置13は、クリーニングブレード131を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
-Cleaning device-
As the cleaning device 13, a cleaning blade type device including a cleaning blade 131 is used.
In addition to the cleaning blade method, a fur brush cleaning method and a simultaneous development cleaning method may be adopted.

-転写装置-
転写装置40としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
-Transfer device-
As the transfer device 40, for example, a contact type transfer charger using a belt, a roller, a film, a rubber blade, or the like, a scorotron transfer charger using corona discharge, a transfer charger known per se, such as a corotron transfer charger, can be used. Can be mentioned.

-中間転写体-
中間転写体50としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの(中間転写ベルト)が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
-Intermediate transcript-
As the intermediate transfer body 50, a belt-shaped material (intermediate transfer belt) containing semi-conductive polyimide, polyamide-imide, polycarbonate, polyarylate, polyester, rubber, or the like is used. Further, as the form of the intermediate transfer body, a drum-shaped one may be used in addition to the belt-shaped one.

-制御装置-
制御装置60は、装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置60は、例えば、CPU(中央処理装置; Central Processing Unit)、各種プログラムを記憶したROM(Read Only Memory)、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるRAM(Random Access Memory)、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース(I/O)を備えている。CPU、ROM、RAM、不揮発性メモリ、及びI/Oの各々は、バスを介して接続されている。そして、I/Oには、電子写真感光体7(駆動モータ30を含む)、帯電装置8、露光装置9、現像装置11、転写装置40等の画像形成装置100の各部が接続されている。
-Control device-
The control device 60 is configured as a computer that controls the entire device and performs various operations. Specifically, the control device 60 is, for example, a CPU (Central Processing Unit; Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory) that stores various programs, and a RAM (Random Access Memory) that is used as a work area when the programs are executed. ), A non-volatile memory for storing various information, and an input / output interface (I / O). Each of the CPU, ROM, RAM, non-volatile memory, and I / O is connected via a bus. Each part of the image forming apparatus 100 such as the electrophotographic photosensitive member 7 (including the drive motor 30), the charging device 8, the exposure device 9, the developing device 11, and the transfer device 40 is connected to the I / O.

なお、CPUは、例えば、ROMや不揮発性メモリに記憶されているプログラム(例えば、画像形成シーケンスや回復シーケンス等)の制御プログラム)実行し、画像形成装置100の各部の動作を制御する。RAMは、ワークメモリとして使用される。ROMや不揮発性メモリには、例えば、CPUが実行するプログラムやCPUの処理に必要なデータ等が記憶されている。なお、制御プログラムや各種データは、記憶部等の他の記憶装置に記憶されていてもよいし、通信部を介して外部から取得されてもよい。 The CPU executes, for example, a control program of a program (for example, an image forming sequence, a recovery sequence, etc.) stored in a ROM or a non-volatile memory, and controls the operation of each part of the image forming apparatus 100. RAM is used as working memory. In the ROM or the non-volatile memory, for example, a program executed by the CPU, data necessary for processing by the CPU, and the like are stored. The control program and various data may be stored in another storage device such as a storage unit, or may be acquired from the outside via the communication unit.

また、制御装置60には、各種ドライブが接続されていてもよい。各種ドライブとしては、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、DVD-ROM、USB(Universal Serial Bus)メモリなどのコンピュータ読み取り可能な可搬性の記録媒体からデータを読み込んだり、記録媒体に対してデータを書き込んだりする装置が挙げられる。各種ドライブを備える場合には、可搬性の記録媒体に制御プログラムを記録しておいて、これを対応するドライブで読み込んで実行してもよい。 Further, various drives may be connected to the control device 60. As various drives, data can be read from a computer-readable portable recording medium such as a flexible disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a DVD-ROM, or a USB (Universal Serial Bus) memory, or data can be read from the recording medium. There is a device that writes data. When various drives are provided, the control program may be recorded on a portable recording medium, and the control program may be read and executed by the corresponding drive.

図8は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図8に示す画像形成装置120は、プロセスカートリッジ300を4つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置120では、中間転写体50上に4つのプロセスカートリッジ300がそれぞれ並列に配置されており、1色に付き1つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置120は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置100と同様の構成を有している。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing another example of the image forming apparatus according to the present embodiment.
The image forming apparatus 120 shown in FIG. 8 is a tandem type multicolor image forming apparatus equipped with four process cartridges 300. In the image forming apparatus 120, four process cartridges 300 are arranged in parallel on the intermediate transfer body 50, and one electrophotographic photosensitive member is used for each color. The image forming apparatus 120 has the same configuration as the image forming apparatus 100 except that it is a tandem type.

なお、本実施形態に係る画像形成装置100は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体7の周囲であって、転写装置40よりも電子写真感光体7の回転方向下流側でクリーニング装置13よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第1除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置13よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置8よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体7の表面を除電する第2除電装置を設けた形態であってもよい。 The image forming apparatus 100 according to the present embodiment is not limited to the above configuration, and is, for example, a cleaning apparatus around the electrophotographic photosensitive member 7 on the downstream side in the rotation direction of the electrophotographic photosensitive member 7 with respect to the transfer device 40. A first static eliminator for aligning the polarities of the remaining toner and facilitating removal with a cleaning brush may be provided on the upstream side of the electrophotographic photosensitive member in the rotation direction rather than the cleaning device 13. Also, a second static eliminator for eliminating static electricity on the surface of the electrophotographic photosensitive member 7 may be provided on the downstream side in the rotation direction of the electrophotographic photosensitive member and on the upstream side in the rotation direction of the electrophotographic photosensitive member than the charging device 8. ..

また、本実施形態に係る画像形成装置100は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体7に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。 Further, the image forming apparatus 100 according to the present embodiment is not limited to the above configuration, and is a well-known configuration, for example, a direct transfer type image forming apparatus that directly transfers a toner image formed on the electrophotographic photosensitive member 7 to a recording medium. It may be adopted.

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、以下の実施例において「部」は質量部を意味する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples, "parts" means parts by mass.

[シリカ粒子の準備・作製]
-シリカ粒子-
未処理(親水性)シリカ粒子「商品名:OX50(アエロジル社製)」100質量部に、疎水化処理剤として1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(東京化成工業社製)30質量部を添加し、24時間反応させ、その後、濾取し疎水化処理されたシリカ粒子を得た。このシリカ粒子の縮合率は、93%であった。このシリカ粒子は、表面にトリメチルシリル基を有している。このシリカ粒子の体積平均粒径は40nmである。
[Preparation and preparation of silica particles]
-Silica particles-
Untreated (hydrophilic) silica particles "trade name: OX50 (manufactured by Aerosil)" in 100 parts by mass as a hydrophobizing agent 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) (Manufactured by) 30 parts by mass was added and reacted for 24 hours, and then the silica particles were collected by filtration to obtain hydrophobized silica particles. The condensation rate of these silica particles was 93%. The silica particles have a trimethylsilyl group on the surface. The volume average particle size of the silica particles is 40 nm.

<実施例1>
-下引層の作製-
酸化亜鉛(平均粒子径70nm:テイカ社製:比表面積値15m/g)100質量部をテトラヒドロフラン500質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤(KBM503:信越化学工業社製)1.3質量部を添加し、2時間攪拌した。その後テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、120℃で3時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛110質量部を500質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、アリザリン0.6質量部を50質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、50℃にて5時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてアリザリンを付与させた酸化亜鉛をろ別し、さらに60℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
このアリザリン付与酸化亜鉛60質量部と、硬化剤(ブロック化イソシアネート スミジュール3175、住友バイエルンウレタン社製)13.5質量部と、ブチラール樹脂(エスレック BM-1、積水化学工業社製)15質量部とを、メチルエチルケトン85質量部と混合し、混合液を得た。この混合液38質量部とメチルエチルケトン25質量部とを混合し、1mmφのガラスビーズを用いてサンドミルにて2時間の分散を行い、分散液を得た。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート:0.005質量部、シリコーン樹脂粒子(トスパール145、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)40質量部を添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて外径30mm、長さ365mm、厚み(肉厚)1.0mmのアルミニウム基体上に塗布し、170℃、40分の乾燥硬化を行い厚さ19μmの下引層を得た。
<Example 1>
-Preparation of undercoat layer-
Zinc oxide (average particle diameter 70 nm: manufactured by Teika Co., Ltd .: specific surface area value 15 m 2 / g) 100 parts by mass is stirred and mixed with 500 parts by mass of tetrahydrofuran, and a silane coupling agent (KBM503: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 1.3 mass. The portion was added and stirred for 2 hours. Then, tetrahydrofuran was distilled off under reduced pressure and baked at 120 ° C. for 3 hours to obtain zinc oxide surface-treated with a silane coupling agent.
110 parts by mass of the surface-treated zinc oxide is stirred and mixed with 500 parts by mass of tetrahydrofuran, a solution in which 0.6 parts by mass of Arizarin is dissolved in 50 parts by mass of tetrahydrofuran is added, and the mixture is stirred at 50 ° C. for 5 hours. bottom. Then, zinc oxide to which alizarin was added was filtered off by vacuum filtration, and further dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain zinc oxide to which alizarin was added.
60 parts by mass of this zinc oxide imparted with alizarin, 13.5 parts by mass of a curing agent (blocked isocyanate Sumijoule 3175, manufactured by Sumitomo Bavarian Urethane Co., Ltd.), and 15 parts by mass of butyral resin (Eslek BM-1, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.). Was mixed with 85 parts by mass of methyl ethyl ketone to obtain a mixed solution. 38 parts by mass of this mixed solution and 25 parts by mass of methyl ethyl ketone were mixed and dispersed with a sand mill using 1 mmφ glass beads for 2 hours to obtain a dispersion solution.
Dioctyltin dilaurate: 0.005 parts by mass and 40 parts by mass of silicone resin particles (Tospearl 145, manufactured by Momentive Performance Materials) were added to the obtained dispersion as a catalyst to obtain a coating liquid for forming an undercoat layer. rice field. This coating liquid is applied to an aluminum substrate having an outer diameter of 30 mm, a length of 365 mm, and a thickness (thickness) of 1.0 mm by a dip coating method, dried and cured at 170 ° C. for 40 minutes, and then an undercoat layer having a thickness of 19 μm. Got

-電荷輸送層の作製-
シリカ粒子(1)65質量部に、テトラヒドロフラン250質量部を入れ、20℃の液温に保ちながら4-(2,2-ジフェニルエチル)-4’,4’’-ジメチル-トリフェニルアミン25質量部、結着樹脂として、ビスフェノールZ型ポリカーボネート樹脂(粘度平均分子量:30000)25質量部を加え、12時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。この電荷輸送層形成用塗布液を下引層上に塗布して135℃で40分間乾燥し、膜厚が30μmの電荷輸送層を形成した。
-Preparation of charge transport layer-
Silica particles (1) 250 parts by mass of tetrahydrofuran is placed in 65 parts by mass, and 4- (2,2-diphenylethyl) -4', 4''-dimethyl-triphenylamine 25 parts by mass is maintained at a liquid temperature of 20 ° C. 25 parts by mass of a bisphenol Z-type polycarbonate resin (viscosity average molecular weight: 30,000) was added as a binder resin, and the mixture was stirred and mixed for 12 hours to obtain a coating liquid for forming a charge transport layer. This coating liquid for forming a charge transport layer was applied onto the undercoat layer and dried at 135 ° C. for 40 minutes to form a charge transport layer having a film thickness of 30 μm.

-電荷発生層の作製-
電荷発生物質としてのCukα特性X線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が少なくとも7.3°、16.0°、24.9°、28.0°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン15質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体(VMCH、日本ユニカー社製)10質量部、n-酢酸ブチル200質量部からなる混合物を、直径1mmφのガラスビーズを用いてサンドミルにて4時間分散した。得られた分散液にn-酢酸ブチル175質量部、メチルエチルケトン180質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。
-Preparation of charge generation layer-
Positions where the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of the X-ray diffraction spectrum using Cukα characteristic X-ray as a charge generating substance is at least 7.3 °, 16.0 °, 24.9 °, 28.0 ° A mixture consisting of 15 parts by mass of hydroxygallium phthalocyanine having a diffraction peak, 10 parts by mass of a vinyl chloride / vinyl acetate copolymer (VMCH, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) as a binder resin, and 200 parts by mass of n-butyl acetate in diameter. The mixture was dispersed in a sand mill for 4 hours using 1 mmφ glass beads. 175 parts by mass of n-butyl acetate and 180 parts by mass of methyl ethyl ketone were added to the obtained dispersion and stirred to obtain a coating liquid for forming a charge generation layer.

この電荷発生層形成用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布し、常温(25℃)で乾燥して、膜厚が0.2μmの電荷発生層を形成した。 This coating liquid for forming a charge generation layer was immersed and coated on the charge transport layer and dried at room temperature (25 ° C.) to form a charge generation layer having a film thickness of 0.2 μm.

以上の工程を経て、アルミニウム基体上に、下引層と電荷輸送層と電荷発生層とをこの順に積層形成した有機感光体(1)を得た。 Through the above steps, an organic photoconductor (1) was obtained by laminating and forming an undercoat layer, a charge transport layer, and a charge generation layer on an aluminum substrate in this order.

-無機保護層の形成-
まず、無機保護層を形成するための条件を表1に示す。
無機保護層の形成には、下記の成膜装置を使用した。
・方式:プラズマCVD、容量結合型、高周波電源の周波数13.56MHz、基材回転用に磁性流体式、回転導入機を設置
・真空チャンバ形状:円筒型、直径165mm×長さ1050mm
・放電電極:寸法770mm×85mm、放電電極と基材の距離40mm
・感光体の配置方法:真空チャンバ長さ方向に、有機感光体2本を同軸上に並べて配置
・マスフローコントローラによりガス流量設定
・ロータリーポンプおよびメカニカルブースターポンプで真空排気
・成膜前の真空到達:1.0×10-2Pa
なお、表1中、OガスはHe希釈40%濃度酸素ガス Hガスは100%濃度水素ガス TMGガスは100%濃度トリメチルガリウムガス、Heガスは100%ヘリウムガスを表す。
-Formation of inorganic protective layer-
First, Table 1 shows the conditions for forming the inorganic protective layer.
The following film forming apparatus was used to form the inorganic protective layer.
・ Method: Plasma CVD, capacitive coupling type, high frequency power supply frequency 13.56MHz, magnetic fluid type for substrate rotation, rotation introduction machine installed ・ Vacuum chamber shape: Cylindrical type, diameter 165mm x length 1050mm
-Discharge electrode: Dimensions 770 mm x 85 mm, distance between the discharge electrode and the base material 40 mm
・ Arrangement method of photoconductors: Two organic photoconductors are arranged coaxially in the vacuum chamber length direction. ・ Gas flow rate is set by a mass flow controller. ・ Vacuum exhaust by a rotary pump and a mechanical booster pump. ・ Vacuum reached before film formation: 1.0 × 10 -2 Pa
In Table 1, O 2 gas is He diluted 40% oxygen gas, H 2 gas is 100% hydrogen gas, TMG gas is 100% trimethyl gallium gas, and He gas is 100% helium gas.

また、表1中の各特性は以下のようにして測定した。
原子数比:厚さ0.5mmのシリコン基板に、厚みが1.0μmとなるように成膜したサンプル膜をEDS(エネルギー分散型X線分析装置)および既述の方法で評価した。
分光透過率:厚さ1.0mm石英基板に、厚みが1.0μmとなるように成膜したサンプル膜を紫外-可視分光光度計で波長300nmから800nmまでの範囲の光線透過率を評価した。
体積抵抗率:厚さ1.0mmアルミ基板に、厚みが1.0μmとなるように成膜したサンプル膜上にDCスパッタ法で直径2mmの金電極を形成し評価した。
In addition, each characteristic in Table 1 was measured as follows.
A sample film formed on a silicon substrate having an atomic number ratio of 0.5 mm so as to have a thickness of 1.0 μm was evaluated by EDS (Energy Dispersive X-ray Analyzer) and the method described above.
Spectral transmittance: A sample film formed on a quartz substrate having a thickness of 1.0 mm so as to have a thickness of 1.0 μm was evaluated with an ultraviolet-visible spectrophotometer to evaluate the light transmittance in the wavelength range of 300 nm to 800 nm.
Volume resistivity: A gold electrode having a diameter of 2 mm was formed on a sample film formed on an aluminum substrate having a thickness of 1.0 mm so as to have a thickness of 1.0 μm by a DC sputtering method, and evaluated.

Figure 0007047552000003
Figure 0007047552000003

(第1の領域の形成)
上記で作製した有機感光体(1)を、成膜装置の成膜室内の基体支持部材に載せ、排気口を介して成膜室内を、圧力が0.01Paになるまで真空排気した。なお、この真空排気は、上記高濃度酸素含有気体の置換終了後、5分以内に行った。
次に、表2に示すように、条件4の成膜条件で成膜した。すなわち、He希釈40%酸素ガス(6sccm)、及びHガス(500sccm)を、ガス導入管から直径85mmの平板電極が設けられた高周波放電管部内に導入し、高周波電力供給部及びマッチング回路により、13.56MHzのラジオ波を出力500Wにセットしチューナでマッチングを取り平板電極から放電を行った。この時の反射波は0Wであった。
次に、トリメチルガリウムガス(7.5sccm)を、ガス導入管を介してシャワーノズルから成膜室内のプラズマ拡散部に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室内の反応圧力は25Paであった。
この状態で、有機感光体(1)を500rpmの速度で回転させながら37分間成膜し、有機感光体(1)の電荷輸送層表面に、無機保護層の第1の領域を、膜厚0.50μmで形成した。
(Formation of the first region)
The organic photoconductor (1) produced above was placed on a substrate support member in the film forming chamber of the film forming apparatus, and the film forming chamber was evacuated through the exhaust port until the pressure reached 0.01 Pa. This vacuum exhaust was performed within 5 minutes after the completion of the replacement of the high-concentration oxygen-containing gas.
Next, as shown in Table 2, a film was formed under the film forming conditions of Condition 4. That is, He-diluted 40% oxygen gas (6 sccm) and H 2 gas (500 sccm) are introduced from the gas introduction tube into the high-frequency discharge tube section provided with a flat plate electrode having a diameter of 85 mm, and the high-frequency power supply section and the matching circuit are used. A 13.56 MHz radio wave was set at an output of 500 W, matched with a tuner, and discharged from a flat plate electrode. The reflected wave at this time was 0 W.
Next, trimethylgallium gas (7.5 sccm) was introduced from the shower nozzle to the plasma diffusion portion in the film forming chamber via the gas introduction tube. At this time, the reaction pressure in the film forming chamber measured by the Baratron vacuum gauge was 25 Pa.
In this state, the organic photoconductor (1) is formed into a film for 37 minutes while rotating at a speed of 500 rpm, and the first region of the inorganic protective layer is formed on the surface of the charge transport layer of the organic photoconductor (1) to have a film thickness of 0. It was formed at .50 μm.

(第2の領域の形成)
次に、高周波放電を停止し、He希釈40%酸素ガス(13sccm)、Hガス(500sccm)トリメチルガリウムガス(10sccm)に変更した後、再び高周波放電を開始した。
この状態で、第1の領域を形成した有機感光体(1)を500rpmの速度で回転させながら189分間成膜し、第1の領域上に、厚み3.5μmの第2の領域を形成した。
(Formation of the second region)
Next, high-frequency discharge was stopped, changed to He-diluted 40% oxygen gas (13 sccm), H 2 gas (500 sccm) and trimethylgallium gas (10 sccm), and then high-frequency discharge was started again.
In this state, the organic photoconductor (1) having the first region formed was formed into a film for 189 minutes while rotating at a speed of 500 rpm, and a second region having a thickness of 3.5 μm was formed on the first region. ..

以上の操作手順にしたがって、第1の領域と第2の領域との繰り返し回数を1回とし第2の領域が最表層となる、無機保護層の全体の厚みが4.0μmの無機保護層を形成した。なお、無機保護層の全体を成膜する時間は226分であった。 According to the above operation procedure, an inorganic protective layer having an overall thickness of 4.0 μm, in which the number of repetitions between the first region and the second region is one and the second region is the outermost layer, is formed. Formed. The time required to form the entire inorganic protective layer was 226 minutes.

以上の工程を経て、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、無機保護層(第1の領域+第2の領域)が順次形成された、実施例1の電子写真感光体を得た。 Through the above steps, the undercoat layer, the charge generation layer, the charge transport layer, and the inorganic protective layer (first region + second region) are sequentially formed on the conductive substrate, and the electrograph of Example 1 is formed. A photoconductor was obtained.

<実施例2~15比較例1~12>
表2および表3にしたがって、無機保護層の第1の領域および第2の領域における元素構成比率、体積抵抗率、第1の領域および第2の領域の繰り返し回数、無機保護層の全体の厚み(膜厚)、第1の領域および第2の領域の各領域の厚み、電荷輸送層のシリカ粒子の量、導電性基体の厚み(肉厚)を変更した以外は、実施例1と同様にして、各例の電子写真感光体を得た。なお、シリカ粒子の質量%は、電荷輸送層全体に対する量として表1の値となるように電荷輸送層の組成を調整した。
<Examples 2 to 15 Comparative Examples 1 to 12>
According to Tables 2 and 3, the elemental composition ratio in the first region and the second region of the inorganic protective layer, the volume resistivity, the number of repetitions of the first region and the second region, and the total thickness of the inorganic protective layer. The same as in Example 1 except that the (thickness), the thickness of each region of the first region and the second region, the amount of silica particles in the charge transport layer, and the thickness (thickness) of the conductive substrate were changed. The electrophotographic photosensitive members of each example were obtained. The composition of the charge transport layer was adjusted so that the mass% of the silica particles was the value shown in Table 1 as the amount with respect to the entire charge transport layer.

(評価)
-感光体の感度および残留電位の評価-
予め定められた帯電電位および露光量を設定可能なユニバーサルスキャナーを用い、各例の感度と残留電位について評価を行った。
・感度の評価:-700Vに帯電させたときの半減露光量として評価した。-700Vに帯電させた後、帯電直後における感光体表面電位が、光照射(光源:半導体レーザ、波長780nm、出力5mW)により2分の1(-350V)となる半減露光量(mJ/m)を測定した。
・残留電位の評価:光減衰後の感光体表面の電位(V)を測定した。
(evaluation)
-Evaluation of photoconductor sensitivity and residual potential-
The sensitivity and residual potential of each example were evaluated using a universal scanner capable of setting a predetermined charging potential and exposure amount.
-Evaluation of sensitivity: It was evaluated as a half exposure amount when charged to -700 V. After charging to -700V, the surface potential of the photoconductor immediately after charging is halved (-350V) by light irradiation (light source: semiconductor laser, wavelength 780 nm, output 5 mW) (mJ / m 2 ). ) Was measured.
-Evaluation of residual potential: The potential (V) on the surface of the photoconductor after light attenuation was measured.

-感光体の凹みおよび傷の評価-
富士ゼロックス製複合機 DocuCentre V 7775を正帯電型電子写真感光体用に改造した画像形成装置に、各例で得られた感光体を取り付けて、連続で10枚の画像を形成し、これを繰り返して累計で10000枚の画像を形成した。その後、感光体表面を光学顕微鏡(視野寸法500μm×500μm)で観察し、凹み、および傷の個数をカウントし、以下の評価基準で評価した。なお、凹み(打痕)、傷は次のようにして判断した。
・凹みの形状規定:最大径50μm以内で縦横比が0.8から1.2となる楕円形状
・傷の形状規定:幅が50μm以内で感光体円周方向に長さ0.1mmから3mmの筋状の形状
-凹み評価基準-
A(◎):10視野の観察で凹みは観察されず(0個)
B(○):10視野の観察で凹みは1個
C(△):10視野の観察で凹みは2個以上、かつ、1視野の観察で凹みは4個以下
D(×):10視野の観察で凹みは2個以上、かつ、1視野の観察で凹みは5個以上
-傷評価基準-
A(◎):20視野の観察で傷は観察されず(0個)
B(○):10視野の観察で傷は観察されず(0個)、かつ、20視野の観察で傷は1個
C(△):10視野の観察で傷は1個
D(×):10視野の観察で傷は2個以上
-Evaluation of dents and scratches on the photoconductor-
The photoconductors obtained in each example were attached to an image forming apparatus obtained by modifying the Fuji Xerox multifunction device DocuCenter V 7775 for a positively charged electrophotographic photosensitive member to continuously form 10 images, and this was repeated. A total of 10,000 images were formed. Then, the surface of the photoconductor was observed with an optical microscope (visual field size 500 μm × 500 μm), the number of dents and scratches was counted, and the evaluation was made according to the following evaluation criteria. The dents (dents) and scratches were judged as follows.
・ Shape of dent: Elliptical shape with maximum diameter of 50 μm or less and aspect ratio of 0.8 to 1.2 ・ Shape of scratch: width of 50 μm or less and length of 0.1 mm to 3 mm in the circumferential direction of the photoconductor Streak shape-Dent evaluation criteria-
A (◎): No dents were observed in 10 visual fields (0)
B (○): 1 dent when observing 10 visual fields C (Δ): 2 or more dents when observing 10 visual fields, and 4 or less dents when observing 1 visual field D (×): 10 visual fields Two or more dents in observation and five or more dents in one field of view-Scratch evaluation criteria-
A (◎): No scratches were observed in 20 fields of view (0)
B (○): No scratches were observed when observing 10 visual fields (0), and 1 scratch was observed when observing 20 visual fields C (Δ): 1 scratch was observed when observing 10 visual fields D (×): Two or more scratches when observing 10 fields of view

Figure 0007047552000004
Figure 0007047552000004

Figure 0007047552000005
Figure 0007047552000005

なお、表2および表3中の成膜条件欄に示す条件は、表1に示す成膜条件と同じである。また、表2および表3中の、[Ga]+[O]は、無機保護層を構成する全元素に対する、ガリウム及び酸素の元素構成比率の和を表す。 The conditions shown in the film forming conditions column in Tables 2 and 3 are the same as the film forming conditions shown in Table 1. Further, [Ga] + [O] in Tables 2 and 3 represent the sum of the elemental composition ratios of gallium and oxygen with respect to all the elements constituting the inorganic protective layer.

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、感度が確保されており、残留電位の上昇が抑制されていることがわかる。 From the above results, it can be seen that in this example, the sensitivity is secured and the increase in the residual potential is suppressed as compared with the comparative example.

1 下引層、2 電荷発生層、3、3A、3B 電荷輸送層、4 導電性基体、5、5A、5B、5C 無機保護層、7、7A、7B、7C、7D 電子写真感光体、8 帯電装置、9 露光装置、11 現像装置、13 クリーニング装置、14 潤滑材、30 駆動モータ、40 転写装置、50 中間転写体、60 制御装置、100 画像形成装置、120 画像形成装置、131 クリーニングブレード、132 繊維状部材(ロール状)、133 繊維状部材(平ブラシ状)、300 プロセスカートリッジ、210 成膜室、211 排気口、212 基体回転部、213 基体支持部材、214 基体、215、220 ガス導入管、216 シャワーノズル、217 プラズマ拡散部、218 高周波電力供給部、219 平板電極、221 高周波放電管部、222 高周波コイル、223 石英管、 1 Undercoat layer, 2 Charge generation layer, 3, 3A, 3B Charge transport layer, 4 Conductive substrate, 5, 5A, 5B, 5C Inorganic protective layer, 7, 7A, 7B, 7C, 7D electrophotographic photosensitive member, 8 Charging device, 9 exposure device, 11 developing device, 13 cleaning device, 14 lubricant, 30 drive motor, 40 transfer device, 50 intermediate transfer device, 60 control device, 100 image forming device, 120 image forming device, 131 cleaning blade, 132 Fibrous member (roll), 133 Fibrous member (flat brush), 300 process cartridge, 210 film forming chamber, 211 exhaust port, 212 substrate rotating part, 213 substrate support member, 214 substrate, 215, 220 gas introduction Tube, 216 Shower nozzle, 217 Plasma diffuser, 218 High frequency power supply, 219 Flat plate electrode, 221 High frequency discharge tube, 222 High frequency coil, 223 Quartz tube,

Claims (13)

導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第13族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第13族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が0.70以上であり、かつ、前記酸素及び前記第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.10以上1.30以下である第1の領域、並びに、前記酸素及び前記第13族元素の元素構成比率(酸素/第13族元素)が1.40以上1.50以下である第2の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第2の領域が最上層である無機保護層と、
を備え
前記第13族元素が、ガリウムであり、
前記無機保護層の全体の厚みが3μm以上10μm以下である正帯電型電子写真感光体。
With a conductive substrate,
The organic photosensitive layer provided on the conductive substrate and
The elemental composition ratio of the 13th group element and the oxygen to all the elements which are the inorganic protective layer provided on the organic photosensitive layer and contain the 13th group element and oxygen and constitute the inorganic protective layer. The first region in which the sum of the above is 0.70 or more and the element composition ratio (oxygen / Group 13 element) of the oxygen and the group 13 element is 1.10 or more and 1.30 or less, and A second region in which the elemental composition ratio (oxygen / Group 13 element) of the oxygen and the Group 13 element is 1.40 or more and 1.50 or less is provided on the organic photosensitive layer in this order. The second region is the top layer, the inorganic protective layer,
Equipped with
The Group 13 element is gallium.
A positively charged electrophotographic photosensitive member having an overall thickness of 3 μm or more and 10 μm or less of the inorganic protective layer .
前記第1の領域の体積抵抗率が2.0×10Ωcm以上1.0×1010Ωcm以下であり、前記第2の領域の体積抵抗率が2.0×1010Ωcm以上である請求項1に記載の正帯電型電子写真感光体。 The volume resistivity of the first region is 2.0 × 10 7 Ωcm or more and 1.0 × 10 10 Ωcm or less, and the volume resistivity of the second region is 2.0 × 10 10 Ωcm or more. The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim 1 . 前記第1の領域の厚みが、前記第2の領域の厚みよりも薄い請求項1又は請求項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim 1 or 2 , wherein the thickness of the first region is thinner than the thickness of the second region. 前記第1の領域の厚みに対する前記第2の領域の厚みの比(第2の領域の厚み/第1の領域の厚み)が3以上100以下である請求項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged electrograph according to claim 3 , wherein the ratio of the thickness of the second region to the thickness of the first region (thickness of the second region / thickness of the first region) is 3 or more and 100 or less. Photoreceptor. 前記第1の領域の厚みが、0.01μm以上0.5μm以下であり、前記第2の領域の厚みが、0.3μm以上3.5μm以下である請求項又は請求項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positive according to claim 3 or 4 , wherein the thickness of the first region is 0.01 μm or more and 0.5 μm or less, and the thickness of the second region is 0.3 μm or more and 3.5 μm or less. Charged electrophotographic photosensitive member. 前記無機保護層の全体の厚みが3μm以上6μm以下である請求項に記載の正帯電型
電子写真感光体。
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim 1 , wherein the total thickness of the inorganic protective layer is 3 μm or more and 6 μm or less.
前記第1の領域および前記第2の領域が、前記第1の領域および前記第2の領域の順で繰り返し積層されている請求項1~請求項のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged type according to any one of claims 1 to 6 , wherein the first region and the second region are repeatedly laminated in the order of the first region and the second region. Electrophotographic photosensitive member. 前記第1の領域および前記第2の領域の順で繰り返し積層された繰り返し回数が1回以上10回以下である請求項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim 7 , wherein the number of repetitions repeated in the order of the first region and the second region is 1 or more and 10 times or less. 前記有機感光層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含む層を有する請求項1~請求項のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 8 , wherein the organic photosensitive layer has a layer containing a charge transport material, a binder resin, and silica particles. 前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送材料および前記結着樹脂を含む層の全体に対して40質量%以上80質量%以下である請求項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged electrophotographic photosensitive member according to claim 9 , wherein the content of the silica particles is 40% by mass or more and 80% by mass or less with respect to the entire layer containing the charge transport material and the binder resin. 前記導電性基体の厚みが1.5mm以上である請求項1~請求項10のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体。 The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 10 , wherein the conductive substrate has a thickness of 1.5 mm or more. 請求項1~請求項11のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 11 is provided.
A process cartridge that can be attached to and detached from the image forming device.
請求項1~請求項11のいずれか1項に記載の正帯電型電子写真感光体と、
前記正帯電型電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記正帯電型電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記正帯電型電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
The positively charged electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 11 .
A charging means for charging the surface of the positively charged electrophotographic photosensitive member,
An electrostatic latent image forming means for forming an electrostatic latent image on the surface of the charged positively charged electrophotographic photosensitive member,
A developing means for developing an electrostatic latent image formed on the surface of the positively charged electrophotographic photosensitive member with a developer containing toner to form a toner image, and a developing means.
A transfer means for transferring the toner image to the surface of a recording medium,
An image forming apparatus.
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