JP7044785B2 - Ledアレイモジュール - Google Patents

Ledアレイモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP7044785B2
JP7044785B2 JP2019533608A JP2019533608A JP7044785B2 JP 7044785 B2 JP7044785 B2 JP 7044785B2 JP 2019533608 A JP2019533608 A JP 2019533608A JP 2019533608 A JP2019533608 A JP 2019533608A JP 7044785 B2 JP7044785 B2 JP 7044785B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
led
color temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019533608A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020502764A (ja
Inventor
エンゲレン,ロブ,ジャック,ポール
コナイン,フランス,フベルト
シュラマ,チャールズ,アンドレ
スッタッサール,エマヌエル,ニコラス,エルマヌス,ヨハネス
ファンサリ,エルノ
カッカール,ヴァルン,デヴ
ペッファー,ニコラ,ベッティーナ
Original Assignee
ルミレッズ ホールディング ベーフェー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ルミレッズ ホールディング ベーフェー filed Critical ルミレッズ ホールディング ベーフェー
Priority claimed from PCT/EP2017/082635 external-priority patent/WO2018114527A1/en
Publication of JP2020502764A publication Critical patent/JP2020502764A/ja
Priority to JP2022042185A priority Critical patent/JP7236576B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7044785B2 publication Critical patent/JP7044785B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/30Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Description

本発明は、発光ダイオードアレイモジュールによって均一な色点分布を持つ光を放射する方法に関する
人間の眼は、光源によって提供される光分布または照明パターンの変動に関して非常に敏感である。従って、照明モジュールによって提供される光分布の相関色温度の均一性は重要な品質判定基準である。特に、発光ダイオード(LED)構造のような多数の発光素子を有する照明モジュールは、照明モジュールによって照明される空間の規定されたセクタにおける色、特に相関色温度の均一な分布を可能にするために、これらのLED構造の注意深い選択を必要とする。
特許文献1は、少なくとも1つの第1の放射源を含む無影灯を開示し、これは、局所的に異なる、特に、作業領域に対して直角に延在する平面で、半径方向外側に減少する色温度分布を持つ光を生成するのに適している。
米国特許出願公開第2012/0106145号
本発明の目的は、色の、特に相関色温度の改善された分布を持つ発光ダイオード(LED)アレイモジュールによって光を放射する方法を提供することである。
本発明は、請求項に記載されている。従属請求項は、好ましい態様を含む。
第1の態様によれば、発光ダイオード(LED)アレイモジュールが提供される。LEDアレイモジュールは、複数の発光ダイオード構造を有する。発光ダイオード構造は、発光ダイオードアレイモジュールの動作中に、発光ダイオード構造間に光クロストークが存在するように配置される。複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも第1の発光ダイオード構造は、第1の色または光束によって特徴付けられる。複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも第2の発光ダイオード構造は、第1の色とは異なる第2の色によって特徴付けられる。複数の発光ダイオード構造の少なくとも第2の発光ダイオード構造は、代替的に、または加えて、第1の光束とは異なる第2の光束によって特徴付けられ得る。第1の色または第1の光束、第2の色または第2の光束および発光ダイオード間の光クロストークは、発光ダイオードアレイモジュールの光軸に垂直な基準面において予め定められた光分布および好ましくは予め定められた色分布を提供するように構成される。基準面は、発光ダイオードアレイモジュールに対して規定された距離に配置される。
LED構造のうちの1つの色は、好ましくは、色温度、相関色温度などによって特徴付けられ得る。特に、相関色温度は、白色光を発するLEDモジュールを特徴付けるために好ましい場合がある。
古典的な高出力LED構造は、単純な面発光光源である。しかし、これらの構造は、時間が経つにつれて小さくなってきており、これは主にコスト主導である。さらなるコストダウンを可能にする特徴の1つは、5面発光(5-sided
emission)である。従来のLED構造が上部からしか発光しないのに対して、5面エミッタは側面からも発光する。
このような新規なエミッタは、コスト面での利点があるが、設計の柔軟性においても利点を有する。例えば、これらのエミッタの最密アレイ(close-packed
array)を想像して、非常に高密度の高光束エミッタアレイ(high-flux
emitter array)を達成することができる。
5面発光のため、エミッタの側面を出る光は、隣接するLEDに入る妥当な機会を有する。隣接するものに入る光は隣接するLEDと相互作用し、これは、色の変化および/または光束の変化をもたらすことができる。このような変化は、第2のLED構造における蛍光体の相互作用および/または第2のLED構造における光の吸収によって生じ得る。
従って、アレイのエッジにおけるLED構造は、アレイの中央におけるLED構造よりも影響を受けにくい。
これは以下をもたらし得る:
‐ 孤立して使用される場合、複数のLEDとは異なる総光束および平均色点を持つアレイ。
‐ アレイにわたって、光束および色は変化する。アレイにわたる色の変動は、それが不均一なスポット照明をもたらすことがあるので、望ましくない。
上述のLEDアレイモジュールは、LEDアレイモジュール内の隣接するLED構造の影響を考慮することによって、色(光束)変動の問題を回避するかまたは少なくとも低減する。LED構造は、異なる(例えば、第1、第2、第3、第4などの)色または相関色温度、およびオプションで第1、第2、第3、第4の光束によって特徴付けられ、これらは、予め定められた色点およびオプションで光束分布を提供するようにLED構造間の相互作用を考慮した方法で組み合わされる。予め定められた相関色温度分布は、例えば、均質または均一の相関色温度分布であり得るまたは不均一色点分布であり得る(例えば、LEDアレイモジュールによって提供される光分布の境界における暖白相関色温度および中心における冷白相関色温度)。
LED構造および/または光束の相関色温度(correlated
colors or color temperature)は、異なるLED構造のビニング(binning)に基づいて選択することができる。これは、例えば、異なる相関色温度および/または光束を持つLED構造が組み合わされることを意味し、相関色温度および/または光束の差は、LED構造の製造プロセスにおける変動によって引き起こされる。あるいは、異なる半導体層(例えば活性層の組成)および/または異なる光変換構造を持つLED構造が、LEDアレイモジュールの予め定められた色および特に相関色温度および/または光束の分布を可能にすることができるように、組み合わされ得る。
LED構造の第1、第2、第3などの色または相関色温度および/または光束は、隣接するLED構造と相互作用することなく孤立したLED構造の色または相関色温度を指す。
複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも第1の発光ダイオード構造は、第1の光束によってさらに特徴付けられ得る。複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも第3の発光ダイオード構造は、第3の光束によって特徴付けられ得る。第1の光束、第3の光束、および発光ダイオード間の光クロストークは、基準面において予め定められた光分布を提供するように構成され得る。第3のLED構造は、第2のLED構造と同じでも異なるLED構造でもよい。第3のLED構造は、第1および/または第2の色または相関色温度とは異なる第3の色または相関色温度をさらに特徴とし得る。
予め定められた光分布は、予め定められた色点温度分布を有し得る。第1の相関色温度および第2の相関色温度は、予め定められた色点温度分布の均一性が増大するように、発光ダイオード構造間の光クロストークを少なくとも部分的に補償するように構成され得る。
LED構造間の光クロストークは、隣接するLED構造の相関色温度の意図しないシフトを引き起こし得る。この意図しないシフトは、異なる相関色温度を有する2個、3個、4個以上のLED構造を提供することによって補償され得る。
発光ダイオード構造は、一次光および二次光を放射するように構成され得る。一次光は、第1の波長範囲の第1の中心波長によって特徴付けられる。二次光は、第2の波長範囲の第2の中心波長によって特徴付けられる。第2の波長範囲は、第1の波長範囲よりも長い波長範囲にある。少なくとも第1の相関色温度および少なくとも第2の相関色温度は、発光ダイオード構造が、発光ダイオード構造を取り囲む(encompassing)1つまたは複数の発光ダイオード構造から一次光を受光する確率に基づいて決定される。
確率は、発光ダイオード構造を取り囲む発光ダイオード構造の数に基づいて決定され得る。
確率は、代替的にまたは追加で、発光ダイオード構造を取り囲む発光ダイオード構造と発光ダイオード構造との間の距離に基づいて決定され得る。
確率は、代替的にまたは追加で、発光ダイオード構造に対する発光ダイオード構造を取り囲む発光ダイオード構造の相対位置に基づいて決定され得る。
光、特に一次光または二次光を受光する確率は、一般的に、各単一のLED構造の照明パターンおよびLEDアレイモジュール内のLED構造の幾何学的配置によって決定される。LEDアレイモジュール内のLED構造の対称性、隣接するLED構造間の共通境界の長さを変化させることは、例えば、一次光が隣接する(取り囲む)LED構造の光変換構造によって受光される確率に影響する。さらに、LED構造の配置は、隣接するLED構造から受光した一次光の変換後に放射され得る二次光の放射に影響し得る。加えて、特にLEDアレイモジュールの境界に光学構造が存在してもよく、これは、例えば、境界においてLED構造によって放射された一次光を反射して発光するLED構造または発光するLED構造の隣接するLED構造に戻るように配置されてもよい。光学構造又は光学構造(複数)は、特に、隣接するLEDをほぼ模倣するように配置され得る。この場合、光学構造は、例えば、LED構造によって放射される一次光が、光学構造の位置に1つまたは複数のLED構造があると発光するLED構造および隣接するLED構造に見えるように、反射される効果を有し得る。光学構造または光学構造(複数)は、LEDアレイモジュールの境界におけるLED構造の一種の像を提供する。
発光構造によって取り囲まれる発光ダイオード構造の相関色温度は、取り囲む発光ダイオード構造から一次光を受光する確率が高いほど高くなり得る。
例えば、光変換構造(例えば、蛍光体層)によってLED構造から一次光を受光する確率およびこの一次光を二次光に変換する確率は、それぞれのLED構造の光変換構造によって放射される追加の二次光の量を決定する。従って、取り囲むLED構造から受光した一次光に基づいて、追加の二次光を放射する高い確率でLED構造の相関色温度を高い相関色温度にシフトさせることが必要であり得る。高い相関色温度は、他のLED構造によって取り囲まれるLED構造によって放射される一次光と二次光との間の比が、(すべての隣接するLED構造間のクロストークを考慮して)取り囲むLED構造によって放射される一次光と二次光の比と本質的に同じであるように選択され得る。
予め定められた相関色温度分布は、光軸から定められた距離内で平坦であり得る。LED構造の第1、第2、第3、第4またはそれ以上の異なる相関色温度は、LEDアレイ構造によって提供される照明パターンの均一な相関色温度のセクタを拡張するために使用され得る。この場合、予め定められた相関色温度分布は、光軸の周囲の基準面において平坦であり得る。アレイの境界におけるLED構造の異なる(より低い)相関色温度は、予め定められた相関色温度分布が平坦である基準面内の光軸からの距離を延長し得る。
発光ダイオードアレイモジュールは、規則的なパターンに配置された多数の発光ダイオード構造を有し得る。発光ダイオード構造の規則的なパターンは、中央領域および境界領域を有する。境界領域に含まれる発光ダイオード構造の相関色温度は、中央領域に含まれる発光ダイオード構造によって提供される相関色温度分布に従って、光クロストークを少なくとも部分的に補償するように構成される。
LEDアレイモジュールの発光構造は、例えば、異なる発光特性を有するサブアレイによって特徴付けられ得る。中央領域におけるLEDアレイモジュールの相関色温度は、例えば、LED構造の異なるサブアレイによって提供される強度によって決定され得る。LEDアレイモジュールの境界領域に含まれるLED構造は、上述したように取り囲むLED構造の幾何学的配置によって生じる光クロストークの変化によって生じる相関色温度の変化を補償するために、中央領域と比較してそれぞれのサブアレイの異なる相関色温度によって特徴付けられる。
さらなる態様によれば、照明装置が提供される。照明装置は、上述のような1個、2個、3個以上の発光ダイオードアレイモジュールを有する。照明装置は、少なくとも1つの発光ダイオードアレイモジュールによって放射される光を分配するように構成された少なくとも1つの光学装置をさらに有する。光学装置は、単一のレンズ、またはレンズ、アパーチャなどの複雑な配置であり得る。
本発明の方法は、以下のステップを含む:
少なくとも第2の発光ダイオード構造との光クロストークが存在するように、複数の発光ダイオード構造の少なくとも第1の発光ダイオード構造による第1の相関色温度の発光、
少なくとも前記第1の発光ダイオード構造との光クロストークが存在するように、複数の発光ダイオード構造の少なくとも第2の発光ダイオード構造による、第1の相関色温度とは異なる第2の相関色温度の発光であって、第1の相関色温度および第2の相関色温度は、発光ダイオード構造間の光クロストークを少なくとも部分的に補償するよう構成され、その結果、発光ダイオードアレイモジュールの光軸に垂直な基準面における予め定められた相関色温度分布の均一性が増大する、第2の相関色温度の発光。
請求項1‐10の方法で使用されることになる発光ダイオードアレイモジュールは、類似のおよび/または同一の実施形態を有することを理解されたい。
本発明の好ましい実施形態は、従属請求項のそれぞれの独立請求項との任意の組み合わせであることができるも理解されたい。
さらなる有利な実施形態は、以下に定義される。
本発明のこれらの態様および他の態様は、以下に記載される実施形態から明らになるであろうとともに、それらを参照して説明される。
次に、添付の図面を参照して、実施形態に基づいて、例として本発明を説明する。
発光ダイオード構造の主要な概略図を示す。 発光ダイオードアレイの主要な概略図を示す LEDアレイモジュールの第1の実施形態の主要な概略図を示す LEDアレイモジュールの第2の実施形態の主要な概略図を示す。 LEDアレイモジュールの第3の実施形態の主要な概略図を示す。 LEDアレイモジュールの第4の実施形態の断面の主要な概略図を示す 予め定められた相関色温度分布の第1の実施形態を示す。
図において、同様の数字は、全体を通して同様の物体を指す。図中の物体は、必ずしもスケールに合わせて描かれているわけではない。
次に、本発明の種々の実施形態を、図を用いて説明する。
図1は、発光ダイオード(LED)構造10の断面の主要な概略図を示す。LED構造10は、nコンタクト(n-contact)5によって電気的に接触させることができるn層(n-layer)3を有する。n層3の後に活性層4が続く。活性層4は、活性層(例えば、AlInGaN)の組成によって決定される波長の光を放射するように構成された量子井戸構造を有し得る。活性層4は、n層3とp層(p-layer)7との間に埋め込まれるかまたはサンドイッチされる。p層7は、pコンタクト9によって電気的に接触させることができる。n層3、活性層4、p層7、nコンタクト5およびpコンタクト9の配置は、LEDダイを構成する。図示されていないさらなる支持層が存在し得る。活性層4に取り付けられたn層3の表面とは反対にあるn層3の上面に光変換構造1が取り付けられている。n層3の上面は、LEDダイの発光面である。光変換構造1は、セリウムドープ蛍光体ガーネット(YAG:Ce)のような蛍光体を含み得る。光変換構造1は、活性層4によって放射された一次光11(例えば、青色光)を、一次光11より長い波長によって特徴付けられる二次光12(例えば、黄色光)に変換するように構成される。一次光11の予め定められた部分は、LED構造が一次光11と二次光12の混合光(白色光)を放射するように変換されることなく、光変換構造1を通過する。LED構造10は、光の少なくとも大部分を光変換構造1の上面および側面を介して放射するように構成され、上面は、n層3に取り付けられた光変換構造1の表面とは反対にある。図1に示される断面に垂直な矩形または正方形断面をもつLED構造10は、従って、5つの発光面を有する。
代替的には、蛍光体材料を含む一種の蓋が、LED構造10の異なる側面によって一次光と二次光の混合光が放射されるように、LED構造10のLEDダイの周りに配置されてもよい。さらに、LED構造10は、光を、LED構造10の発光の直接方向における半球の実質的に全ての方向に放射するように構成された透明な配光構造内に埋め込まれてもよい。
図2は、発光ダイオードアレイ30の断面の主要な概略図を示す。発光ダイオードアレイ30は、サブマウント20に取り付けられた多数のLED構造10(3つが断面に示されている)を有する。サブマウント20は、LED構造10がマウントされるサブマウントチップ21と、それを用いてLED構造10のnコンタクトおよびpコンタクト(図示せず)を電気的に接続することができる電気接点パッド23とを有する。LED構造10は、一次(青色)光11および二次(黄色)光12を放射する。左右のLED構造10によって放射される一次光11の一部は、中央のLED構造10の光変換構造1に当たり得る。従って、中央のLED構造10は、左右のLED構造10よりも隣接する(または取り囲む)LED構造10からより多くの一次光11を受光する。従って、中央のLED構造10の光変換構造1から放射される二次光の相対的割合が増加する。従って、中央のLED構造10の相関色温度は、すべてのLED構造10が単一の構成で、例えば同じ相関色温度の白色光を放射するように構成されている限り、左側および右側のLED構造の相関色温度よりも低いように見える。中央のLED構造10は、左側および右側のLED構造10より多くの二次光を追加的に受光するため、同じことがLED構造10によって放射される全光束にも当てはまる。
図3は、LEDアレイモジュール30の第1の実施形態の上面視の主要な概略図を示す。LEDアレイモジュール30は、図2に関して説明したのと同じ方法で、軸に沿って(リニアアレイに)配置された3つのLED構造10a、10bを有する。LED構造10aは、2つのLED構造10bの間に配置される。中央のLED構造10aは、第1の相関色温度と比較して、より低い第2の相関色温度を持つ白色光を放射する2つの隣接するLED構造10bによって放射される一次光によって引き起こされる色シフトを補償するために、より高い第1の相関色温度を持つ白色光を放射する。第2の相関色温度は、中央のLED構造10aの光変換構造1によって受光された一次光によって引き起こされる追加の変換された二次光12(図2参照)の量が本質的に補償されるように選択される。従って、発光モジュール30の相関色温度分布は、リニアアレイの軸に沿ってより均質または均一である。第1および第2の相関色温度の選択は、完全な補償が不可能なように、幾何学的境界条件によって決定されることは明らかである。隣接するLED構造10間の光クロストークによって引き起こされる光束の変動を補償するために、同じ原理が使用され得る。LEDアレイモジュール30の光束の均一性を改善するために、左右のLED構造10bの光束は、例えば、中央のLED構造10aの光束よりも高くすることができる。
図4は、LEDアレイモジュール30の第2の実施形態の上面視の主要な概略図を示す。LEDアレイモジュール30は、LED構造10a、10b、10c、10dの対称配置を有する。LEDアレイモジュール30は、両方ともLEDアレイモジュール30の中心点を横切る2つの対称軸を有する。この場合、第1の対称軸に関する対称性は、第2の対称軸に関する対称性とは異なる。LED構造10a、10b、10c、10dは、第1の相関色温度を持つ4個のLED構造10aがLEDアレイモジュール30の中央に配置されるように配置される。4つのLED構造10aは、10個のLED構造10b、10c、10dによって取り囲まれる。LED構造10b、10c、10dの相関色温度は、隣接するLED構造10a、10b、10c、10dに対する相対位置、隣接するLED構造10a、10b、10c、10dの数、および隣接するLED構造10a、10b、10c、10d間の距離(距離は、例えば、異なる方向で異なってもよい)に基づいて選択される。LEDアレイ30内のLED構造10a、10b、10c、10dの配置の幾何学的形状は、隣接するLED構造10a、10b、10c、10dから一次光を受光する確率を決定する。距離が近いほど、より多くの隣接するLED構造10a、10b、10c、10dが、それぞれのLED構造10a、10b、10c、10dを取り囲むほど、隣接するLED構造10a、10b、10c、10dから一次光を受光する確率が高くなる。従って、中央の4個のLED構造10aの相関色温度が最も高い。4個のLED構造10aのそれぞれが7個の他のLED構造10a、10b、10c、10dによって取り囲まれるので、LEDアレイモジュール30にわたって本質的に均一な相関色温度分布を提供することが意図される。LED構造10bの第2の相関色温度は、中心におけるLED構造10aの相関色温度よりも低いが、4個のLED構造10a、10c、10dはLED構造10bを、LED構造の3つの側面が、取り囲むるLED構造10a、10c、10dの側面と重なるように、取り囲むので、LED構造10c、10bの相関色温度よりも高い。LED構造10dは、LED構造10bよりも低い相関色温度を有するが、LEDアレイモジュール30の最も低い相関色温度によって特徴付けられるLED構造10cよりも高い相関色温度にある。
図5は、LEDアレイモジュール30の第3の実施形態の上面視の主要な概略図を示す。LEDアレイモジュール30は、この場合、2つのLED構造のサブアレイを有し、これらはチェッカーボードパターンで配置される。第1のサブアレイのLED構造17(明るい正方形)は、第1の特性の光を放射するように構成される。第2のサブアレイのLED構造(暗い正方形)は、第2の特性の光を放射するように構成される。各サブアレイ17、18は、他のサブアレイから独立して制御されることができる。第1のサブアレイのLED構造17は、例えば、第1の色(例えば、青色)の光を放射するように構成され得る。第2のサブアレイのLED構造18は、例えば、第2の色(例えば、黄色)の光を放射するように構成され得る。従って、LEDアレイモジュール30によって放射される光の色は、2つのサブアレイによって提供される相対強度によって制御することができる。図2、3および4に関して論じられた一般的な問題は、同じままである。LEDアレイモジュール30は、中央領域16を有し、中央領域16のLED構造17、18は、それぞれ、同じ数および種類のLED構造17、18によって取り囲まれている。LEDアレイモジュール30は、さらに、境界領域15を有し、この境界領域では、取り囲むLED構造17、18の数は、境界領域15内の位置に依存する。したがって、境界領域15のLED構造17、18の色は、LED構造17、18間の異なる光クロストークを補償するために、対応する中央領域16のLED構造17、18の色とは異なる。境界領域15のLED構造17、18の色は、各LED構造17、18を取り囲むLED構造17、18の数に本質的に依存する。従って、同じ色及び相関色温度の光を放射するように見えるLEDアレイモジュール30の面積が増加する。中央領域16および境界領域15のLED構造17、18の識別を簡単にするために、境界領域15および中央領域16は、図5において小さなギャップによって分離される。実際のLEDアレイモジュール30にはこのようなギャップはない。
図6は、LEDアレイモジュール30の第4の実施形態の断面の主要な概略図を示す。LEDアレイモジュールは、5×6個のLED構造10のアレイを有する。断面は、規則的な正方形パターンで配列されたLED構造10の5つの列のうちの3番目における6個のLED構造10を示す。LED構造10は、図2に関して論じたように、サブマウントチップ21および電気接点パッド23を有するサブマウント20に取り付けられる。LEDアレイモジュール30は、5×6個のLED構造10の中央に配置された光軸50を有する。LED構造10の各々は、図2に関して論じたように、一次光11および二次光12を含む混合光13を放射する。混合光13は、例えば、LEDモジュール30に含まれるLED構造10の効果(impact)を検出するために、好ましくは5mmから10mmの間の距離に配置され得る基準面40でオーバーラップする。LEDアレイモジュール30の中央領域のLED構造10の相関色温度は、LEDアレイモジュール30の境界領域のLED構造10の相関色温度よりも高い。LEDアレイモジュール30の4つのコーナーにおけるLED構造10は、これらのLED構造10が最も低い数の取り囲むするLED構造10によって取り囲まれるので、最も低い相関色温度によって特徴付けられる。
図7は、基準面40の軸に沿った図6に示すLEDアレイモジュール30の予め定められた相関色温度分布65を示す。軸は、光軸50と交差し、図6に示されるLED構造10によって画定される線に沿って配置される。横座標61は、基準面40における光軸50までの距離を示し、縦座標62は、基準面40における軸に沿った相関色温度を示す。予め定められた相関色温度分布65は、基準面40内の光軸50の周りの予め定められた範囲内で、本質的に一定または平坦である。基準面40内の予め定められた範囲は、各LED構造10によって提供される照明パターン、LEDアレイモジュール30内のLED構造10の幾何学的方向、およびLEDアレイモジュール30の境界領域内のLED構造10の異なる相関色温度による光クロストークの補償によって決定される。
本開示は、LED構造10の色を記述するために相関色温度を主に説明するが、本発明は、黒体放射体の色に限定されない。当業者は、本発明がフルカラースペースにおける色補償に有効であることを理解するであろう。典型的には、本開示において言及される色は、蛍光体ロードライン(phosphor load line(s))(複数可)に沿っている、即ち、対応するLED構造10の光変換構造1における蛍光体の濃度を変化させることによって作り出すことができる色である。
本発明は、図面および前述の説明において詳細に図示および説明されているが、かかる図示および説明は、説明的または例示的とみなされるべきであり、限定的ではない。
本開示を読むことにより、他の修正形態が当業者には明らかであろう。このような修正形態は、当技術分野で既知であり、本明細書に既に記載の特徴の代わりに、またはそれに加えて使用することができる他の特徴を含むことができる。
開示された実施形態に対する変形形態は、図面、開示、および添付の特許請求の範囲の研究から、当業者によって理解され、実施され得る。請求項において、「有する、含む」という語は、他の要素又は工程を排除せず、また、不定物品「1つの(“a”又は“an”)」は、複数の要素又は工程を排除しない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせを有利に利用することができないことを示しているものではない。
請求項中の参照符号は、その範囲を限定するものと解釈してはならない。
1 光変換構造
3 n層
4 活性層
5 nコンタクト
7 p層
9 pコンタクト
10 発光ダイオード構造
10a 第1の相関色温度を持つLED構造
10b 第2の相関色温度を持つLED構造
10c 第3の相関色温度を持つLED構造
10d 第4の相関色温度を持つLED構造
11 一次光
12 二次光
13 混合光
15 境界領域の発光ダイオード構造
16 中央領域の発光ダイオード構造
17 第1のサブアレイのLED構造
18 第2のサブアレイのLED構造
20 サブマウント
21 サブマウントチップ
23 電気接点パッド
30 発光ダイオード(LED)アレイモジュール
40 基準面
50 光軸
61 基準面内の光軸までの距離
62 基準面内の相関色温度
65 基準面内の相関色温度分布

Claims (9)

  1. 複数の発光ダイオード構造を有する発光ダイオードアレイモジュールを用いて均一な色点分布で光を放射する方法であって:
    少なくとも第2の発光ダイオード構造との光クロストークが存在するように、前記複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも第1の発光ダイオード構造により、第1の相関色温度の光を放射するステップと、
    少なくとも前記第1の発光ダイオード構造との光クロストークが存在するように、前記複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも第2の発光ダイオード構造により、前記第1の相関色温度とは異なる第2の相関色温度の光を放射するステップであって、前記第1の相関色温度および前記第2の相関色温度は、前記発光ダイオードアレイモジュールの光軸に垂直な基準面における予め定められた相関色温度分布の均一性が増大するように、前記発光ダイオード構造間の前記光クロストークを少なくとも部分的に補償するよう構成される、第2の相関色温度の光を放射するステップ、
    を含み、
    前記予め定められた相関色温度分布は、前記光軸から定められた距離内で平坦である、
    方法。
  2. 少なくとも第3の発光ダイオード構造により光を放射するステップを含み、前記複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも前記第1の発光ダイオード構造は、第1の光束によって特徴付けられ、前記複数の発光ダイオード構造のうちの少なくとも前記第3の発光ダイオード構造は、第3の光束によって特徴付けられ、前記第1の光束、前記第3の光束、および前記発光ダイオード構造間の前記光クロストークは、前記基準面において前記予め定められた光分布を提供するように構成される、
    請求項1に記載の方法。
  3. 前記発光ダイオード構造は、一次光および二次光を放射するように構成され、前記一次光は、第1の波長範囲の第1の中心波長によって特徴付けられ、前記二次光は、第2の波長範囲の第2の中心波長によって特徴付けられ、前記第2の波長範囲は、前記第1の波長範囲よりも長い波長範囲にあり、少なくとも前記第1の相関色温度および少なくとも前記第2の相関色温度は、発光ダイオード構造が、前記発光ダイオード構造を取り囲む1つまたは複数の発光ダイオード構造から前記一次光を受光する確率に基づいて決定される、
    請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記確率は、前記発光ダイオード構造を取り囲む発光ダイオード構造の数に基づいて決定される、
    請求項3に記載の方法。
  5. 前記確率は、前記発光ダイオード構造を取り囲む発光ダイオード構造と前記発光ダイオード構造との間の距離に基づいて決定される、
    請求項3又は4に記載の方法。
  6. 前記確率は、前記発光ダイオード構造に対する前記発光ダイオード構造を取り囲む発光ダイオード構造の相対位置に基づいて決定される、
    請求項3、4又は5に記載の方法。
  7. 前記発光ダイオード構造によって取り囲まれる発光ダイオード構造の相関色温度は、前記の取り囲む発光ダイオード構造から前記一次光を受光する確率が高いほど高い、
    請求項3、4、5又は6に記載の方法。
  8. 前記発光ダイオードアレイモジュールは、規則的なパターンに配置された多数の発光ダイオード構造を有し、前記発光ダイオード構造の前記規則的なパターンは、中央領域および境界領域を有し、前記境界領域に含まれる前記発光ダイオード構造の相関色温度は、前記中央領域に含まれる前記発光ダイオード構造によって提供される相関色温度分布に従って、前記光クロストークを少なくとも部分的に補償するように構成される、
    請求項1又は2に記載の方法。
  9. 少なくとも1つの発光ダイオードアレイモジュールを有し、請求項1乃至のいずれか1項に記載の方法に従って動作する照明装置であって、前記の少なくとも1つの発光ダイオードアレイモジュールによって放射される光を分配するように構成された少なくとも1つの光学装置を有する、
    照明装置。
JP2019533608A 2016-12-21 2017-12-13 Ledアレイモジュール Active JP7044785B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022042185A JP7236576B2 (ja) 2016-12-21 2022-03-17 Ledアレイモジュール

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662437454P 2016-12-21 2016-12-21
US62/437,454 2016-12-21
EP17150666.0 2017-01-09
EP17150666 2017-01-09
PCT/EP2017/082635 WO2018114527A1 (en) 2016-12-21 2017-12-13 Led array module

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022042185A Division JP7236576B2 (ja) 2016-12-21 2022-03-17 Ledアレイモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020502764A JP2020502764A (ja) 2020-01-23
JP7044785B2 true JP7044785B2 (ja) 2022-03-30

Family

ID=60937699

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019533608A Active JP7044785B2 (ja) 2016-12-21 2017-12-13 Ledアレイモジュール
JP2022042185A Active JP7236576B2 (ja) 2016-12-21 2022-03-17 Ledアレイモジュール

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022042185A Active JP7236576B2 (ja) 2016-12-21 2022-03-17 Ledアレイモジュール

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10998298B2 (ja)
EP (1) EP3559991B1 (ja)
JP (2) JP7044785B2 (ja)
KR (2) KR102486428B1 (ja)
CN (1) CN110073489B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110073489B (zh) 2016-12-21 2023-03-21 亮锐控股有限公司 Led阵列模块
US11489005B2 (en) 2019-12-13 2022-11-01 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements
US11680696B2 (en) 2019-12-13 2023-06-20 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements
CN111107690A (zh) * 2020-01-16 2020-05-05 区江枫 一种led灯珠组件及其色温调节方法
WO2023086633A1 (en) * 2021-11-15 2023-05-19 Lumileds Llc Multiple led arrays with non-overlapping segmentation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013524532A (ja) 2010-04-08 2013-06-17 クリー インコーポレイテッド 調整可能な色度を有する発光デバイス及びシステム並びに発光デバイス及びシステムの色度を調整する方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
WO2006061728A2 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single chip led as compact color variable light source
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
DE102005022832A1 (de) 2005-05-11 2006-11-16 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Scheinwerfer für Film- und Videoaufnahmen
US8203260B2 (en) 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
EP2326868A1 (en) * 2008-09-16 2011-06-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Colour mixing method for consistent colour quality
US8613530B2 (en) 2010-01-11 2013-12-24 General Electric Company Compact light-mixing LED light engine and white LED lamp with narrow beam and high CRI using same
US8461602B2 (en) * 2010-08-27 2013-06-11 Quarkstar Llc Solid state light sheet using thin LEDs for general illumination
US8573804B2 (en) * 2010-10-08 2013-11-05 Guardian Industries Corp. Light source, device including light source, and/or methods of making the same
DE102010050300B4 (de) * 2010-11-03 2014-05-22 Dräger Medical GmbH Operationsleuchte und ein Verfahren zur Ausleuchtung eines Operationstisches mittels einer Operationsleuchte
US20120287117A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 3M Innovative Properties Company Four-color 3d lcd device
US10649315B2 (en) * 2014-06-17 2020-05-12 Lumileds Llc Flash module containing an array of reflector cups for phosphor-converted LEDs
US10479073B2 (en) * 2015-03-27 2019-11-19 Phoseon Technology, Inc. Light engine frame with integrated baffle
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
WO2018114527A1 (en) 2016-12-21 2018-06-28 Lumileds Holding B.V. Led array module
CN110073489B (zh) 2016-12-21 2023-03-21 亮锐控股有限公司 Led阵列模块

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013524532A (ja) 2010-04-08 2013-06-17 クリー インコーポレイテッド 調整可能な色度を有する発光デバイス及びシステム並びに発光デバイス及びシステムの色度を調整する方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11817431B2 (en) 2023-11-14
JP2022091835A (ja) 2022-06-21
EP3559991B1 (en) 2020-09-30
KR102623866B1 (ko) 2024-01-11
US20210225816A1 (en) 2021-07-22
US10998298B2 (en) 2021-05-04
US20190319019A1 (en) 2019-10-17
EP3559991A1 (en) 2019-10-30
JP7236576B2 (ja) 2023-03-09
CN110073489A (zh) 2019-07-30
CN110073489B (zh) 2023-03-21
KR20190094446A (ko) 2019-08-13
KR102486428B1 (ko) 2023-01-10
KR20230008921A (ko) 2023-01-16
JP2020502764A (ja) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7044785B2 (ja) Ledアレイモジュール
US11270985B2 (en) Solid state lighting device with different illumination parameters at different regions of an emitter array
JP4944796B2 (ja) 照明装置
US8324645B2 (en) Optical device for semiconductor based lamp
US20080298059A1 (en) Led Lamp System
JP2009509326A (ja) 可変色の発光装置及びその制御方法
JP5079635B2 (ja) 照明機器
JP2010118531A (ja) 白色照明装置および車輛用灯具
JP4790481B2 (ja) 車両用灯具ユニット
TWI451043B (zh) 發光二極體燈泡及其發光二極體組合
JP5000266B2 (ja) 発光アレイ及び集光光学部を有する光源
CA2875190C (en) Semiconductor laser light source
JP2009289772A (ja) Ledランプ
JP2011040664A (ja) 面光源および液晶ディスプレイ装置
WO2018114527A1 (en) Led array module
US9151467B2 (en) Single chamber lighting device
US10993301B2 (en) Light-emitting diode arrangement
KR20140105902A (ko) 반도체 발광 장치
KR20070017030A (ko) 광원 및 에지-발광 led 광원의 제조 방법
KR20110090199A (ko) 발광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190702

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220215

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7044785

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150