JP7039978B2 - Power converter - Google Patents

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本発明は、電動車両等に用いられる電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device used for an electric vehicle or the like.

電気自動車又はハイブリッド自動車等の電動車両において、動力源となる電動機等を駆動するために、電力変換装置が用いられる。電力変換装置は、一般に、電源の直流電圧を昇圧し、所望の電圧に変換して出力するコンバータを備える。近年、電動車両用電動機が高出力化する傾向にあることから、駆動電流の大電流化に対応するために、複数のコンバータを備える電力変換装置を含む車両システムが検討されている。 In an electric vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle, a power conversion device is used to drive an electric motor or the like as a power source. The power converter generally includes a converter that boosts the DC voltage of the power supply, converts it to a desired voltage, and outputs it. In recent years, motors for electric vehicles tend to have higher output, and therefore, in order to cope with an increase in drive current, a vehicle system including a power conversion device including a plurality of converters has been studied.

特許文献1には、複数の蓄電装置にそれぞれ対応する複数のコンバータを設けた電源システムが開示されている。複数のコンバータは、負荷装置の要求パワーのレベルと、複数のコンバータの昇圧動作の要否に基づいて、1つ又は2つが動作するように動作モードが選択される。例えば、負荷装置の要求パワーが基準値より小さく、かつ昇圧動作が要求される場合には、複数のコンバータの1つによって昇圧動作が実行され、残余のコンバータは停止される。昇圧動作が不要とされる場合には、上アームオンモードが選択され、例えば、対応する蓄電装置の出力電圧が高い方について、上アームとなるスイッチング素子をオン固定し、残余のコンバータを停止する。2つの蓄電装置の出力電圧が同じ場合には、2つのコンバータについてスイッチング素子がオン固定される。 Patent Document 1 discloses a power supply system provided with a plurality of converters corresponding to a plurality of power storage devices. For the plurality of converters, the operation mode is selected so that one or two are operated based on the level of the required power of the load device and the necessity of the boosting operation of the plurality of converters. For example, when the required power of the load device is smaller than the reference value and the boosting operation is required, the boosting operation is executed by one of the plurality of converters, and the remaining converters are stopped. When the boost operation is not required, the upper arm on mode is selected. For example, for the higher output voltage of the corresponding power storage device, the switching element to be the upper arm is fixed on and the remaining converter is stopped. .. When the output voltages of the two power storage devices are the same, the switching element is fixed on for the two converters.

特開2010-74885号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-74885

市街地走行のような常用域(すなわち、小電流域)では、要求パワーが比較的小さくなることから、複数のコンバータの一部を停止することで、電力損失を抑制することが可能になる。しかしながら、特許文献1の電源システムでは、上アームオンモードでのコンバータの選択手法は開示されているものの、1つのコンバータにより昇圧動作が実行されるモードにおいて、選択されるコンバータは特定されていない。上アームオンモードについても、複数の蓄電装置を有することが前提となっている。 In a normal range (that is, a small current range) such as city driving, the required power is relatively small, so that it is possible to suppress power loss by stopping a part of a plurality of converters. However, in the power supply system of Patent Document 1, although the method of selecting a converter in the upper arm-on mode is disclosed, the converter to be selected in the mode in which the boosting operation is executed by one converter is not specified. The upper arm-on mode is also premised on having a plurality of power storage devices.

また、一般に、コンバータには冷却部が併設されるが、複数のコンバータを有する場合には、その配置によって冷却性能が異なり、発生する損失にも影響することが判明した。そこで、小電流域においても、より低損失化を図ることで、電力変換効率を向上させることが望まれている。 Further, it has been found that, in general, a converter is provided with a cooling unit, but when a plurality of converters are provided, the cooling performance differs depending on the arrangement thereof, which also affects the loss generated. Therefore, it is desired to improve the power conversion efficiency by reducing the loss even in the small current range.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、複数のコンバータを備える構成において、さらなる損失低減を実現し、高効率な電力変換装置を提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of the above problems, and is an object of the present invention to realize a further loss reduction in a configuration including a plurality of converters and to provide a highly efficient power conversion device.

本発明の一態様は、
電源(B、B1、B2)と負荷(MG1、MG2、MG3)との間に接続されるコンバータ部(2)と、上記コンバータ部の駆動を制御する制御部(3)と、冷却部(4)とを備える電力変換装置(1)であって、
上記コンバータ部は、並列に接続された複数相のコンバータ(21、22)を有し、上記コンバータは、それぞれ、リアクトル(L1、L2)と半導体スイッチング素子(S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8)とを含んで構成され、上記冷却部は、上記リアクトルを冷却する冷却媒体が流通する流路(411)を備えており、
上記制御部は、電力要求に応じて、複数相の上記コンバータのうち1相以上を駆動すると共に、駆動される上記コンバータを、上記リアクトルと冷却媒体との熱伝達率がより高く、上記リアクトルに対する冷却性能が良好な順に選択する、電力変換装置にある。
One aspect of the present invention is
The converter unit (2) connected between the power supply (B, B1, B2) and the load (MG1, MG2, MG3), the control unit (3) that controls the drive of the converter unit, and the cooling unit (4). ), Which is a power conversion device (1).
The converter unit has a multi-phase converter (21, 22) connected in parallel, and the converters have a reactor (L1, L2) and a semiconductor switching element (S1, S2, S3, S4, S5, respectively). It is configured to include S6, S7, S8), and the cooling unit includes a flow path (411) through which a cooling medium for cooling the reactor flows .
The control unit drives one or more of the plurality of phases of the converter in response to the power requirement, and the driven converter has a higher heat transfer coefficient between the reactor and the cooling medium, and the heat transfer coefficient is higher with respect to the reactor. It is in the power conversion device that selects in the order of good cooling performance.

上記態様の電力変換装置は、使用条件において要求される電流が小さいときには、複数相のコンバータの一部を駆動し、一部を停止することで、損失を低減可能とする。さらに、駆動するコンバータを、リアクトルに対する冷却性能に着目して選択する。一般に、リアクトルの温度が高くなると、インダクタンス特性が低下し、スイッチングに伴うリプル電流が増加する。そこで、冷却部による冷却性能が良好なコンバータから駆動することで、インダクタンス特性がより良好なリアクトルを動作させることができ、リプル電流が低減して、さらなる損失低減が可能となる。 When the current required under the usage conditions is small, the power conversion device of the above aspect can reduce the loss by driving a part of the multi-phase converter and stopping the part. Furthermore, the converter to be driven is selected by paying attention to the cooling performance for the reactor. Generally, as the temperature of the reactor increases, the inductance characteristics decrease and the ripple current associated with switching increases. Therefore, by driving from a converter having good cooling performance by the cooling unit, it is possible to operate a reactor having better inductance characteristics, the ripple current is reduced, and further loss reduction is possible.

以上のごとく、上記態様によれば、複数のコンバータを備える構成において、さらなる損失低減を実現し、高効率な電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
As described above, according to the above aspect, it is possible to realize further loss reduction and provide a highly efficient power conversion device in a configuration including a plurality of converters.
The reference numerals in parentheses described in the scope of claims and the means for solving the problem indicate the correspondence with the specific means described in the embodiments described later, and limit the technical scope of the present invention. It's not a thing.

参考形態1における、電力変換装置の概略構成を示す等価回路図。The equivalent circuit diagram which shows the schematic structure of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。The partially enlarged view which shows the structural example of the 1st cooling part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置が適用される車両システムの全体概略構成図。The overall schematic block diagram of the vehicle system to which the power conversion device is applied in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置が適用される車両システムの等価回路図。The equivalent circuit diagram of the vehicle system to which the power conversion device is applied in the reference form 1. 参考形態1における、電力変換装置の第2冷却部を含む半導体積層ユニットの構成例を示す部分概略図。The partial schematic diagram which shows the structural example of the semiconductor laminated unit which includes the 2nd cooling part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置の第2冷却部を含む半導体積層ユニットの冷却性能を説明する部分概略図。The partial schematic diagram explaining the cooling performance of the semiconductor laminated unit including the 2nd cooling part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置の第2冷却部を構成する冷却管の積層構成と熱伝達率の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the laminated structure of the cooling pipes constituting the 2nd cooling part of a power conversion apparatus, and the heat transfer coefficient in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置のコンバータ部を構成するリアクトルのインダクタンス特性を示す図。The figure which shows the inductance characteristic of the reactor which constitutes the converter part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置のコンバータ部を構成するリアクトルのインダクタンス特性によるリプル電流の違いを示す図。The figure which shows the difference of the ripple current by the inductance characteristic of the reactor which constitutes the converter part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置のコンバータ部を構成するリアクトルの抵抗温度特性を示す図。The figure which shows the resistance temperature characteristic of the reactor which constitutes the converter part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 参考形態1における、電力変換装置の制御部において実行されるフローチャート図。The flowchart which is executed in the control part of the power conversion apparatus in the reference form 1. FIG. 実施形態2における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。The partially enlarged view which shows the structural example of the 1st cooling part of the power conversion apparatus in Embodiment 2. 実施形態2における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。The partially enlarged view which shows the structural example of the 1st cooling part of the power conversion apparatus in Embodiment 2. 実施形態3における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。FIG. 3 is a partially enlarged view showing a configuration example of a first cooling unit of the power conversion device according to the third embodiment. 実施形態4における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。The partially enlarged view which shows the structural example of the 1st cooling part of the power conversion apparatus in Embodiment 4. 実施形態4における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。The partially enlarged view which shows the structural example of the 1st cooling part of the power conversion apparatus in Embodiment 4. 実施形態5における、電力変換装置を含む電源システムの構成を示す等価回路図。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a power supply system including a power conversion device according to the fifth embodiment. 実施形態5における、電力変換装置の各部の配置例を示す全体概略構成図。The overall schematic block diagram which shows the arrangement example of each part of the power conversion apparatus in Embodiment 5. 実施形態5における、電力変換装置が適用される車両システムの等価回路図。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a vehicle system to which a power conversion device is applied according to the fifth embodiment. 実施形態6における、電力変換装置を含む車両システムの全体概略構成図。FIG. 6 is an overall schematic configuration diagram of a vehicle system including a power conversion device according to the sixth embodiment. 実施形態7における、電力変換装置の各部の配置例を示す全体概略構成図。The overall schematic block diagram which shows the arrangement example of each part of the power conversion apparatus in Embodiment 7. 実施形態7における、電力変換装置の第1冷却部の構成例を示す部分拡大図。FIG. 6 is a partially enlarged view showing a configuration example of a first cooling unit of the power conversion device according to the seventh embodiment.

参考形態1)
電力変換装置の基本構成を示す参考形態について、図1~図11を参照して説明する。
図1に示すように、電力変換装置1は、電源である蓄電装置Bと、蓄電装置Bと図示しない負荷との間に接続されるコンバータ部2と、コンバータ部2の駆動を制御する制御部3と、冷却部4とを備えている。蓄電装置Bは、充放電可能に構成された直流電源装置であり、例えば、リチウムイオン電池、ニッケル水素電池及び鉛蓄電池等の二次電池にて構成することができる。
( Reference form 1)
Reference mode 1 showing the basic configuration of the power conversion device will be described with reference to FIGS. 1 to 11.
As shown in FIG. 1, the power conversion device 1 is a power storage device B, a converter unit 2 connected between the power storage device B and a load (not shown), and a control unit that controls the drive of the converter unit 2. 3 and a cooling unit 4 are provided. The power storage device B is a DC power supply device configured to be rechargeable and dischargeable, and can be composed of, for example, a secondary battery such as a lithium ion battery, a nickel hydrogen battery, or a lead storage battery.

コンバータ部2は、並列に接続された複数相のコンバータを備える多相コンバータであり、ここでは、第1コンバータ21及び第2コンバータ22を有する構成としている。コンバータ部2の第1コンバータ21は、第1リアクトルL1と、半導体スイッチング素子S1、S2とを含んで構成される。同様に、第2コンバータ22は、第2リアクトルL2と、半導体スイッチング素子S3、S4とを含んで構成される。コンバータ部2は、3つ以上の相を有する構成であってもよい。 The converter unit 2 is a multi-phase converter including a multi-phase converter connected in parallel, and here, the converter unit 2 has a configuration including a first converter 21 and a second converter 22. The first converter 21 of the converter unit 2 includes a first reactor L1 and semiconductor switching elements S1 and S2. Similarly, the second converter 22 includes a second reactor L2 and semiconductor switching elements S3 and S4. The converter unit 2 may have a configuration having three or more phases.

制御部3は、電力要求に応じた制御信号をコンバータ部2に出力し、これら第1コンバータ21及び第2コンバータ22のうち1相以上を駆動する。具体的には、第1コンバータ21の半導体スイッチング素子S1、S2と、第2コンバータ22の半導体スイッチング素子S3、S4とを、それぞれ交互にオンオフ駆動して、コンバータ部2の電力変換動作を制御する。 The control unit 3 outputs a control signal corresponding to the power request to the converter unit 2 and drives one or more phases of the first converter 21 and the second converter 22. Specifically, the semiconductor switching elements S1 and S2 of the first converter 21 and the semiconductor switching elements S3 and S4 of the second converter 22 are alternately driven on and off to control the power conversion operation of the converter unit 2. ..

また、電力変換装置1は、コンバータ部2の電源側に、ノイズ除去用のフィルタコンデンサ11を備えており、コンバータ部2の負荷側に、電圧平滑化用の平滑コンデンサ12を備えている。フィルタコンデンサ11は、蓄電装置Bに接続される正極側電力線13と負極側電力線14との間に配置されており、平滑コンデンサ12は、負荷に接続される正極側電力線15と負極側電力線16との間に配置されている。なお、電力変換装置1は、後述する図3に示されるように、負荷であるモータジェネレータMG1、MG2に接続されて、ハイブリッド自動車の車両システム10の一部を構成することができる。 Further, the power conversion device 1 is provided with a filter capacitor 11 for noise removal on the power supply side of the converter unit 2, and a smoothing capacitor 12 for voltage smoothing on the load side of the converter unit 2. The filter capacitor 11 is arranged between the positive electrode side power line 13 and the negative electrode side power line 14 connected to the power storage device B, and the smoothing capacitor 12 includes the positive electrode side power line 15 and the negative electrode side power line 16 connected to the load. It is placed between. As shown in FIG. 3, which will be described later, the power conversion device 1 can be connected to the motor generators MG1 and MG2, which are loads, to form a part of the vehicle system 10 of the hybrid vehicle.

第1コンバータ21は、2つの半導体スイッチング素子S1、S2の直列接続体を含む第1アーム211を有し、第1リアクトルL1は、第1アーム211の上下アームの接続点と正極側電力線13とに接続されている。同様に、第2コンバータ22は、2つの半導体スイッチング素子S3、S4の直列接続体を含む第2アーム221を有し、第2リアクトルL2は、第2アーム221の上下アームの接続点と正極側電力線13とに接続されている。 The first converter 21 has a first arm 211 including a series connection body of two semiconductor switching elements S1 and S2, and the first reactor L1 has a connection point between the upper and lower arms of the first arm 211 and a positive electrode side power line 13. It is connected to the. Similarly, the second converter 22 has a second arm 221 including a series connection of two semiconductor switching elements S3 and S4, and the second reactor L2 is a connection point between the upper and lower arms of the second arm 221 and a positive electrode side. It is connected to the power line 13.

半導体スイッチング素子S1、S2、S3、S4としては、例えば、IGBT(すなわち、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)が用いられる。図示するIGBTの他に、MOSFET(すなわち、電界効果トランジスタ)、バイポーラトランジスタ等の電力用半導体スイッチング素子を用いることもできる。半導体スイッチング素子S1、S2、S3、S4は、正極側電力線15から負極側電力線16に向かう方向を順方向として直列に接続される。半導体スイッチング素子S1、S2、S3、S4には、それぞれ、フリーホイールダイオード(以下、ダイオードと略称する)D1、D2、D3、D4が、逆並列に接続される。 As the semiconductor switching elements S1, S2, S3, and S4, for example, an IGBT (that is, an insulated gate bipolar transistor) is used. In addition to the illustrated IGBT, a power semiconductor switching element such as a MOSFET (that is, a field effect transistor) or a bipolar transistor can also be used. The semiconductor switching elements S1, S2, S3, and S4 are connected in series with the direction from the positive electrode side power line 15 to the negative electrode side power line 16 as the forward direction. Freewheel diodes (hereinafter abbreviated as diodes) D1, D2, D3, and D4 are connected in antiparallel to the semiconductor switching elements S1, S2, S3, and S4, respectively.

第1コンバータ21は、制御信号に基づいて、半導体スイッチング素子S1、S2が交互にオンオフすることにより、蓄電装置Bからの直流電圧を昇圧し、所望の直流電力に変換して出力する。同様に、第2コンバータ22は、半導体スイッチング素子S3、S4が交互にオンオフすることにより、蓄電装置Bからの直流電圧を昇圧し、所望の直流電力に変換して出力する。この昇圧動作は、各相の下アームである半導体スイッチング素子S2、S4のオン期間に、第1リアクトルL1、第2リアクトルL2に電磁エネルギを蓄積し、オフ期間にダイオードD1、D3を介して放出することにより行われる。入力電圧に対する昇圧比は、スイッチング周期におけるオン期間比(すなわち、デューティ比)によって調整することができる。 The first converter 21 alternately turns on and off the semiconductor switching elements S1 and S2 based on the control signal to boost the DC voltage from the power storage device B, convert it into desired DC power, and output it. Similarly, the second converter 22 boosts the DC voltage from the power storage device B by alternately turning on and off the semiconductor switching elements S3 and S4, converts the DC voltage into a desired DC power, and outputs the voltage. In this step-up operation, electromagnetic energy is stored in the first reactor L1 and the second reactor L2 during the on period of the semiconductor switching elements S2 and S4, which are the lower arms of each phase, and emitted via the diodes D1 and D3 during the off period. It is done by doing. The boost ratio to the input voltage can be adjusted by the on-period ratio (that is, the duty ratio) in the switching cycle.

コンバータ部2は昇降圧コンバータとして構成されており、第1コンバータ21と第2コンバータ22とは、モータジェネレータMG1、MG2側からの回生電力を降圧して、蓄電装置Bを充電することもできる。本形態では、第1コンバータ21と第2コンバータ22とは、基本的に同一構造であり、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2、半導体スイッチング素子S1、S2と半導体スイッチング素子S3、S4は、同等の特性を有する。 The converter unit 2 is configured as a buck-boost converter, and the first converter 21 and the second converter 22 can also charge the power storage device B by stepping down the regenerative power from the motor generators MG1 and MG2. In this embodiment, the first converter 21 and the second converter 22 have basically the same structure, and the first reactor L1 and the second reactor L2, the semiconductor switching elements S1, S2 and the semiconductor switching elements S3, S4 are equivalent. Has the characteristics of.

さらに、電力変換装置1は、コンバータ部2を冷却するための冷却媒体が流通する冷却部4を備える。冷却部4は、コンバータ部2を構成する発熱部品に接して設けられ、冷却媒体との熱交換によって温度上昇を抑制する。冷却部4は、例えば、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2を冷却する第1冷却部41と、第1アーム211、第2アーム221を冷却する第2冷却部42とを有する。特に、発熱量の大きい第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2を、冷却媒体にて効果的に冷却することで、電力変換効率を向上できる。また、第1アーム211、第2アーム221のスイッチング動作に伴って発生する熱を、効率よく冷却媒体に吸収させることで、電力変換効率をさらに高めることができる。 Further, the power conversion device 1 includes a cooling unit 4 through which a cooling medium for cooling the converter unit 2 flows. The cooling unit 4 is provided in contact with the heat generating component constituting the converter unit 2, and suppresses the temperature rise by heat exchange with the cooling medium. The cooling unit 4 has, for example, a first cooling unit 41 for cooling the first reactor L1 and the second reactor L2, and a second cooling unit 42 for cooling the first arm 211 and the second arm 221. In particular, the power conversion efficiency can be improved by effectively cooling the first reactor L1 and the second reactor L2, which generate a large amount of heat, with a cooling medium. Further, the power conversion efficiency can be further improved by efficiently absorbing the heat generated by the switching operation of the first arm 211 and the second arm 221 into the cooling medium.

図2に示すように、第1冷却部41は、例えば、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2に接する電力変換装置1の壁面部412内に形成される、冷却水等の冷却媒体の流路411を有している。壁面部412は、内部に流路411となる空間部を有する二重壁構造で、例えば、熱伝導性の良好な金属からなる。流路411は、図示しない外部の冷却媒体循環流路と接続されて、一方向に冷却媒体を流通させており、ここでは、例えば、図中の左方から右方へ向かう方向を、冷媒流れ方向Fとする。壁面部412は、電力変換装置1が収容される図示しないケースの底部を構成し、図の上側の面を、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2が載置される載置面413としている。 As shown in FIG. 2, the first cooling unit 41 is, for example, a flow path of a cooling medium such as cooling water formed in the wall surface portion 412 of the power conversion device 1 in contact with the first reactor L1 and the second reactor L2. Has 411. The wall surface portion 412 has a double wall structure having a space portion as a flow path 411 inside, and is made of, for example, a metal having good thermal conductivity. The flow path 411 is connected to an external cooling medium circulation flow path (not shown) to circulate the cooling medium in one direction. Here, for example, the refrigerant flow is in the direction from the left to the right in the figure. The direction is F. The wall surface portion 412 constitutes the bottom of a case (not shown) in which the power conversion device 1 is housed, and the upper surface in the drawing is a mounting surface 413 on which the first reactor L1 and the second reactor L2 are placed.

第1リアクトルL1と第2リアクトルL2の配置は、冷却媒体による冷却性能を考慮して、予め設定することができる。例えば、図示の配置では、冷媒流れ方向Fに沿って、第1リアクトルL1が上流側に、第2リアクトルL2が下流側に位置するように設定されている。このとき、上流側に位置する第1リアクトルL1は、より低温の冷却媒体と熱交換することができ、下流側に位置する第2リアクトルL2の発熱の影響を受けないので、下流側に位置する第2リアクトルL2よりも、冷却性能が良好となる。このように、コンバータ部2の各相は、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2の配置によって、冷却性能に差が生じる。 The arrangement of the first reactor L1 and the second reactor L2 can be preset in consideration of the cooling performance by the cooling medium. For example, in the illustrated arrangement, the first reactor L1 is located on the upstream side and the second reactor L2 is located on the downstream side along the refrigerant flow direction F. At this time, the first reactor L1 located on the upstream side can exchange heat with a cooling medium having a lower temperature, and is not affected by the heat generated by the second reactor L2 located on the downstream side, so that the first reactor L1 is located on the downstream side. The cooling performance is better than that of the second reactor L2. As described above, the cooling performance of each phase of the converter unit 2 differs depending on the arrangement of the first reactor L1 and the second reactor L2.

そこで、制御部3により、第1コンバータ21及び第2コンバータ22の1相以上を駆動する際には、その順序を、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2に対する冷却性能が良好な順に決定する。例えば、図示の配置では、第1リアクトルL1の方がより冷却性能が高いので、コンバータ部2を1相駆動とする場合には、第1コンバータ21を駆動する。2相駆動とする場合には、第1コンバータ21と第2コンバータ22とを駆動する。 Therefore, when the control unit 3 drives one or more phases of the first converter 21 and the second converter 22, the order thereof is determined in the order in which the cooling performance for the first reactor L1 and the second reactor L2 is good. For example, in the arrangement shown in the figure, the first reactor L1 has higher cooling performance, so when the converter unit 2 is driven in one phase, the first converter 21 is driven. In the case of two-phase drive, the first converter 21 and the second converter 22 are driven.

コンバータ部2が3つ以上のコンバータを有する場合には、それぞれのリアクトルを上流側から下流側に配置し、上流側のリアクトルに対応するコンバータから順に選択して、駆動すればよい。 When the converter unit 2 has three or more converters, each reactor may be arranged from the upstream side to the downstream side, selected in order from the converter corresponding to the upstream reactor, and driven.

このように、冷却部4によるコンバータ部2の冷却性能に着目することで、制御部3により効果的な駆動制御が可能となる。すなわち、要求される電力が小さいときには、コンバータ部2の2つの相の一方を停止することで損失を抑制し、かつ、駆動するもう一方をより冷却性能の高い相とすることで、さらなる損失の低減が可能になる。また、冷却部4は、第1冷却部41による第1リアクトルL1と第2リアクトルL2の冷却性能に加えて、第2冷却部42による半導体素子の冷却性能を考慮した構成であると、より好ましい。第2冷却部42の構成と、制御部3による制御の詳細例については、後述する。 By paying attention to the cooling performance of the converter unit 2 by the cooling unit 4 in this way, the control unit 3 enables effective drive control. That is, when the required power is small, the loss is suppressed by stopping one of the two phases of the converter unit 2, and the other phase to be driven is used as the phase with higher cooling performance to further reduce the loss. Reduction is possible. Further, it is more preferable that the cooling unit 4 has a configuration in which the cooling performance of the semiconductor element by the second cooling unit 42 is taken into consideration in addition to the cooling performance of the first reactor L1 and the second reactor L2 by the first cooling unit 41. .. The configuration of the second cooling unit 42 and a detailed example of control by the control unit 3 will be described later.

図3に示すように、電力変換装置1は、例えば、電動車両の一例であるハイブリッド自動車用の車両システム10に適用されて、負荷である複数のモータジェネレータMG1、MG2に電力を供給することができる。車両システム10は、電力変換装置1のコンバータ部2とモータジェネレータMG1、MG2の間に、インバータ部5を備える。インバータ部5は、モータジェネレータMG1に接続される第1インバータ51と、モータジェネレータMG2に接続される第2インバータ52を有し、コンバータ部2から出力される直流電力を交流電力に変換して、モータジェネレータMG1、MG2を駆動する。第1インバータ51、第2インバータ52は、正極側電力線15と負極側電力線16との間に、互いに並列に接続される。 As shown in FIG. 3, the power conversion device 1 is applied to, for example, a vehicle system 10 for a hybrid vehicle, which is an example of an electric vehicle, and can supply electric power to a plurality of motor generators MG1 and MG2 which are loads. can. The vehicle system 10 includes an inverter unit 5 between the converter unit 2 of the power converter 1 and the motor generators MG1 and MG2. The inverter unit 5 has a first inverter 51 connected to the motor generator MG1 and a second inverter 52 connected to the motor generator MG2, and converts the DC power output from the converter unit 2 into AC power. It drives the motor generators MG1 and MG2. The first inverter 51 and the second inverter 52 are connected in parallel to each other between the positive electrode side power line 15 and the negative electrode side power line 16.

車両システム10は、モータジェネレータMG1、MG2及びエンジンENGを動力源として備えるハイブリッド自動車に搭載されて、その駆動を制御する。モータジェネレータMG1、MG2は、3相交流電動発電機として構成されており、動力分割機構17を介して、エンジンENGと接続されている。動力分割機構17は、例えば、遊星歯車機構を有する公知の構成であり、エンジンENGからの動力を、発電機となるモータジェネレータMG1と、モータジェネレータMG2が接続される車輪18とに分配可能となっている。モータジェネレータMG1は、エンジンENGの始動時に電動機として機能することも可能であり、回生制動時には、モータジェネレータMG2において、車輪18の回転力による発電を行うことも可能である。モータジェネレータMG1、MG2による発電電力は、インバータ部5を介して、電力変換装置1へ入力され、蓄電装置Bを充電する。 The vehicle system 10 is mounted on a hybrid vehicle equipped with motor generators MG1 and MG2 and engine ENG as power sources, and controls the drive thereof. The motor generators MG1 and MG2 are configured as a three-phase AC motor generator, and are connected to the engine ENG via a power split mechanism 17. The power split mechanism 17 has, for example, a known configuration having a planetary gear mechanism, and can distribute the power from the engine ENG to the motor generator MG1 serving as a generator and the wheels 18 to which the motor generator MG2 is connected. ing. The motor generator MG1 can also function as an electric motor when the engine ENG is started, and can also generate electricity by the rotational force of the wheels 18 in the motor generator MG2 during regenerative braking. The electric power generated by the motor generators MG1 and MG2 is input to the power conversion device 1 via the inverter unit 5 to charge the power storage device B.

図4に示すように、インバータ部5の第1インバータ51、第2インバータ52は、それぞれ、U相、V相及びW相の上下アームを構成する6つの半導体スイッチング素子Sup、Sun、Svp、Svn、Swp、Swnを有する3相のインバータとして構成される。第1インバータ51は、半導体スイッチング素子Sup、Sunの直列接続体からなる第1U相アーム511と、半導体スイッチング素子Svp、Svnの直列接続体からなる第1V相アーム512と、半導体スイッチング素子Swp、Swnの直列接続体からなる第1W相アーム513とを有し、これら3相のアーム511、512、513は、正極側電力線15と負極側電力線16との間において、互いに並列に接続される。 As shown in FIG. 4, the first inverter 51 and the second inverter 52 of the inverter unit 5 have six semiconductor switching elements Sup, Sun, Sbp, and Svn, which form the upper and lower arms of the U phase, the V phase, and the W phase, respectively. , Swp, Swn are configured as a three-phase inverter. The first inverter 51 includes a first U-phase arm 511 composed of a series connection of semiconductor switching elements Sup and Sun, a first V-phase arm 512 composed of a series connection of semiconductor switching elements Sbp and Svn, and semiconductor switching elements Swp and Swn. It has a first W phase arm 513 composed of a series connection body of the above, and these three phase arms 511, 512, and 513 are connected in parallel to each other between the positive electrode side power line 15 and the negative electrode side power line 16.

同様に、第2インバータ52は、半導体スイッチング素子Sup、Sunの直列接続体からなる第2U相アーム521と、半導体スイッチング素子Svp、Svnの直列接続体からなる第2V相アーム522と、半導体スイッチング素子Swp、Swnの直列接続体からなる第2W相アーム523とを有し、これら3相のアーム521、522、523は、正極側電力線15と負極側電力線16との間において、互いに並列に接続される。 Similarly, the second inverter 52 includes a second U-phase arm 521 composed of a series connection of semiconductor switching elements Sup and Sun, a second V-phase arm 522 composed of a series connection of semiconductor switching elements Sbp and Svn, and a semiconductor switching element. It has a second W phase arm 523 composed of a series connection body of Swp and Swn, and these three phase arms 521, 522, and 523 are connected in parallel to each other between the positive electrode side power line 15 and the negative electrode side power line 16. To.

半導体スイッチング素子Sup、Sun、Svp、Svn、Swp、Swnは、例えば、図示するIGBTの他、MOSFET、バイポーラトランジスタ等の電力用半導体スイッチング素子を用いることができる。半導体スイッチング素子Sup、Sun、Svp、Svn、Swp、Swnには、それぞれ、ダイオードDup、Dun、Dvp、Dvn、Dwp、Dwnが、逆並列に接続される。 As the semiconductor switching elements Sup, Sun, Swp, Svn, Swp, and Swn, for example, in addition to the indicated IGBTs, power semiconductor switching elements such as MOSFETs and bipolar transistors can be used. Diodes Dup, Dun, Dbp, Dvn, Dwp, and Dwn are connected in antiparallel to each of the semiconductor switching elements Sup, Sun, Sbp, Svn, Swp, and Swn, respectively.

第1インバータ51、第2インバータ52は、各相の半導体スイッチング素子のオンオフを制御することにより、コンバータ部2から供給される直流電力を、3相交流電力に変換する。第1インバータ51、第2インバータ52は、U相の半導体スイッチング素子Sup、Sunの接続点51u、52uが、モータジェネレータMG1、MG2の図示しないU相コイルへの電力線531、532に接続されて、U相電流を出力する。同様に、V相の半導体スイッチSvp、Swpの接続点51v、52v、W相の半導体スイッチSvn、Swnの接続点51w、52wは、それぞれモータジェネレータMG1、MG2の図示しないV相コイル、W相コイルへの電力線541、542、551、552に接続されて、V相電流、W相電流を出力する。 The first inverter 51 and the second inverter 52 convert the DC power supplied from the converter unit 2 into three-phase AC power by controlling the on / off of the semiconductor switching elements of each phase. In the first inverter 51 and the second inverter 52, the connection points 51u and 52u of the U-phase semiconductor switching elements Sup and Sun are connected to the power lines 531 and 532 to the U-phase coils of the motor generators MG1 and MG2 (not shown). Outputs U-phase current. Similarly, the connection points 51v and 52v of the V-phase semiconductor switches Svp and Swp, and the connection points 51w and 52w of the W-phase semiconductor switches Svn and Swn are the V-phase coils and W-phase coils of the motor generators MG1 and MG2, respectively, which are not shown. It is connected to the power lines 541, 542, 551, and 552 to output V-phase current and W-phase current.

インバータ部5は、電力線531、532、541、542、551、552に供給されるモータジェネレータMG1、MG2からの回生電力又は発電電力を、直流電力に変換して、コンバータ部2に供給することもできる。 The inverter unit 5 may also convert the regenerative power or generated power from the motor generators MG1 and MG2 supplied to the power lines 531, 532, 541, 542, 551, and 552 into DC power and supply it to the converter unit 2. can.

図5に示すように、コンバータ部2の第1アーム211及び第2アーム221と、インバータ部5の各相アーム511~513、521~523は、パワー半導体素子を内蔵するパワーカードPC1~PC5を用いた半導体積層ユニットUを構成している。半導体積層ユニットUは、冷却部4の一部となる第2冷却部42と一体的に設けられて、コンバータ部2及びインバータ部5の発熱を抑制する。 As shown in FIG. 5, the first arm 211 and the second arm 221 of the converter unit 2 and the phase arms 511 to 513 to 521 to 523 of the inverter unit 5 have power cards PC1 to PC5 having a built-in power semiconductor element. The semiconductor laminated unit U used is configured. The semiconductor laminated unit U is integrally provided with the second cooling unit 42, which is a part of the cooling unit 4, and suppresses heat generation of the converter unit 2 and the inverter unit 5.

パワーカードPC1は、第1アーム211の2つの半導体スイッチング素子S1、S2とダイオードD1、D2を樹脂モールドして構成される本体部と、図示しない端子部とを有する。同様に、パワーカードPC2は、第2アーム221の2つの半導体スイッチング素子S3、S4とダイオードD3、D4を本体部に内蔵する。また、パワーカードPC3~PC5は、第1インバータ51の各相アーム511~513を構成する半導体スイッチング素子Sup、Sun、Svp、Svn、Swp、SwnとダイオードDup、Dun、Dvp、Dvn、Dwp、Dwnを本体部に内蔵する。また、第2インバータ52の各相アーム521~523を構成する半導体スイッチング素子Sup、Sun、Svp、Svn、Swp、SwnとダイオードDup、Dun、Dvp、Dvn、Dwp、Dwnも、同様のパワーカードとして構成されるが、ここでは図示を省略する。 The power card PC1 has a main body portion formed by resin-molding two semiconductor switching elements S1 and S2 of the first arm 211, diodes D1 and D2, and a terminal portion (not shown). Similarly, the power card PC2 incorporates two semiconductor switching elements S3 and S4 of the second arm 221 and diodes D3 and D4 in the main body. Further, the power cards PC3 to PC5 include semiconductor switching elements Sup, Sun, Swp, Svn, Swp, Swn and diodes Dup, Dun, Dbp, Dvn, Dwp, Dwn constituting each phase arm 511 to 513 of the first inverter 51. Is built into the main body. Further, the semiconductor switching elements Sup, Sun, Sbp, Svn, Swp, Swn and the diodes Dup, Dun, Dvp, Dvn, Dwp, Dwn constituting each phase arm 521 to 523 of the second inverter 52 are also used as the same power card. Although it is configured, the illustration is omitted here.

第2冷却部42は、パワーカードPC1~PC5と交互に積層される複数の冷却管421と、複数の冷却管421の両側に接続される一対の導出入用冷却管422、423を有している。第2冷却部42の冷却管421~423は、例えば、熱伝導性の良好な金属にて構成される。複数の冷却管421は、それぞれ、両端が開口する偏平管にて構成されて、中空とした内部を冷却媒体流路としており、各パワーカードPC1~PC5を両側から挟むように密接配置される。一対の導出入用冷却管422、423は、それぞれ、一端(例えば、図の右端)が閉鎖する円筒管で、開口端(例えば、図の左端)が、図示しない冷却媒体循環流路と接続されている。ここでは、一方(例えば、図の上方)を導入用冷却管422とし、もう一方(例えば、図の下方)を、導出用冷却管423として、平行配設された複数の冷却管421の両端に接続する。 The second cooling unit 42 has a plurality of cooling pipes 421 alternately laminated with the power cards PC1 to PC5, and a pair of outlet cooling pipes 422 and 423 connected to both sides of the plurality of cooling pipes 421. There is. The cooling pipes 421 to 423 of the second cooling unit 42 are made of, for example, a metal having good thermal conductivity. Each of the plurality of cooling pipes 421 is composed of flat pipes having both ends open, and has a hollow interior as a cooling medium flow path, and is closely arranged so as to sandwich the power cards PC1 to PC5 from both sides. Each of the pair of lead-in cooling pipes 422 and 423 is a cylindrical tube whose one end (for example, the right end in the figure) is closed, and the open end (for example, the left end in the figure) is connected to a cooling medium circulation flow path (not shown). ing. Here, one (for example, the upper part of the figure) is used as an introduction cooling pipe 422, and the other (for example, the lower part of the figure) is used as a lead-out cooling pipe 423 at both ends of a plurality of cooling pipes 421 arranged in parallel. Connecting.

このとき、複数の冷却管421の内部には、導入用冷却管422から導出用冷却管423へ向けて、同一方向(例えば、図の上方から下方へ向かう方向)に冷却媒体が流れる。また、パワーカードPC1~PC5は、導入用冷却管422の開口端に近いパワーカードPC1側が上流側、閉鎖端に近いパワーカードPC5側が下流側に位置する。図6に示されるように、第2冷却部42内に形成される冷却媒体流路の流路抵抗は、流路が長くなるほど大きくなるので、複数の冷却管421の積層段数が多くなる下流側ほど、冷却媒体が流れにくくなる。すなわち、第2冷却部42は、パワーカードPC1側において、冷却媒体の流量がより多くなり、パワーカードPC5側へ向けて、冷却媒体の流量が徐々に減少することになる。 At this time, inside the plurality of cooling pipes 421, the cooling medium flows in the same direction (for example, from the upper side to the lower side in the figure) from the introduction cooling pipe 422 toward the outlet cooling pipe 423. Further, in the power cards PC1 to PC5, the power card PC1 side near the opening end of the introduction cooling pipe 422 is located on the upstream side, and the power card PC5 side near the closed end is located on the downstream side. As shown in FIG. 6, the flow path resistance of the cooling medium flow path formed in the second cooling unit 42 increases as the flow path becomes longer, so that the downstream side where the number of stacked stages of the plurality of cooling pipes 421 increases. The more difficult it is for the cooling medium to flow. That is, in the second cooling unit 42, the flow rate of the cooling medium becomes larger on the power card PC1 side, and the flow rate of the cooling medium gradually decreases toward the power card PC5 side.

図7に示されるように、第2冷却部42において、複数の冷却管421の積層段数が増加するのに伴い、熱伝達率は低下する。図中の1段目は、パワーカードPC1に接する最上流の冷却管421であり、2段目以降、数字が大きくなるほど下流側の冷却管421となる。このとき、流速及び流量が低下する下流側の冷却管421よりも、流速及び流量が増加する上流側の冷却管421において、熱伝達率が良好となり、半導体積層ユニットUにおける冷却性能は、パワーカードPC1側ほど良好となる。コンバータ部2のパワーカードPC1、PC2では、上流側のパワーカードPC1に対する冷却性能がより良好となる。 As shown in FIG. 7, in the second cooling unit 42, the heat transfer coefficient decreases as the number of laminated stages of the plurality of cooling pipes 421 increases. The first stage in the figure is the most upstream cooling pipe 421 in contact with the power card PC1, and from the second stage onward, the larger the number, the downstream cooling pipe 421. At this time, the heat transfer coefficient is better in the cooling pipe 421 on the upstream side where the flow velocity and the flow rate increase than in the cooling pipe 421 on the downstream side where the flow velocity and the flow rate decrease, and the cooling performance in the semiconductor laminated unit U is a power card. The PC1 side is better. In the power card PC1 and PC2 of the converter unit 2, the cooling performance with respect to the power card PC1 on the upstream side becomes better.

このように、冷却部4は、第1冷却部41における第1リアクトルL1、第2リアクトルL2と、第2冷却部42におけるパワーカードPC1、PC2とが、それぞれ接続されると共に、いずれも、コンバータ部2が駆動される順に、冷却性能が良好な配置とすることが好ましい。すなわち、第1コンバータ21の第1リアクトルL1に接続されるパワーカードPC1を、第2コンバータ22の第2リアクトルL2に接続されるパワーカードPC2よりも、上流側に配置することで、先に駆動される第1コンバータ21の冷却効率を、より高めることができる。そして、第1冷却部41と第2冷却部42とを組み合わせて、第1コンバータ21を効果的に冷却して損失をさらに低減し、効率よい電力変換が可能となる。 In this way, the cooling unit 4 is connected to the first reactor L1 and the second reactor L2 in the first cooling unit 41 and the power cards PC1 and PC2 in the second cooling unit 42, respectively, and both are converters. It is preferable to arrange the parts 2 in the order in which they are driven so that the cooling performance is good. That is, by arranging the power card PC1 connected to the first reactor L1 of the first converter 21 on the upstream side of the power card PC2 connected to the second reactor L2 of the second converter 22, it is driven first. The cooling efficiency of the first converter 21 is further increased. Then, by combining the first cooling unit 41 and the second cooling unit 42, the first converter 21 is effectively cooled to further reduce the loss, and efficient power conversion becomes possible.

図8に示すように、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2のインダクタンス-直流電流特性(すなわち、直流重畳特性)は、冷却部3による冷却性能の影響を受ける。上述したように、第1コンバータ21と第2コンバータ22とが、同等のインダクタンス特性の第1リアクトルL1と第2リアクトルL2を用いている場合、直流電流の増加によりインダクタンス値が低下する割合(すなわち、直流重畳特性の傾き)は同じになるが、低温側の第1リアクトルL1の特性線は、高温側の第2リアクトルL2の特性線よりも、高インダクタンス側へシフトする。 As shown in FIG. 8, the inductance-DC current characteristics (that is, DC superimposition characteristics) of the first reactor L1 and the second reactor L2 are affected by the cooling performance by the cooling unit 3. As described above, when the first converter 21 and the second converter 22 use the first reactor L1 and the second reactor L2 having the same inductance characteristics, the rate at which the inductance value decreases due to the increase in direct current (that is,). , The slope of the DC superimposition characteristic) is the same, but the characteristic line of the first reactor L1 on the low temperature side shifts to the higher inductance side than the characteristic line of the second reactor L2 on the high temperature side.

図9に示すように、第1コンバータ21及び第2コンバータ22を昇圧動作に伴って、第1リアクトルL1、第2リアクトルL2を流れる電流IL1、IL2は、半導体スイッチング素子S1~S4のオンオフに伴って増減する三角波となる。また、電流IL1、IL2は、リプル成分を含み、リプル成分の大きさは、第1リアクトルL1、第2リアクトルL2のインダクタンスに反比例する。すなわち、インダクタンスが大きいほどリプル成分は小さくなり、高インダクタンスの第1リアクトルL1の方が、第2リアクトルL2よりも、スイッチングに伴う損失(例えば、オン時のスイッチング損失Eon、オフ時のスイッチング損失Eoff)を低減できる。 As shown in FIG. 9, the currents IL1 and IL2 flowing through the first reactor L1 and the second reactor L2 are accompanied by the on / off of the semiconductor switching elements S1 to S4 while the first converter 21 and the second converter 22 are boosted. It becomes a triangular wave that increases and decreases. Further, the currents IL1 and IL2 include a ripple component, and the magnitude of the ripple component is inversely proportional to the inductance of the first reactor L1 and the second reactor L2. That is, the larger the inductance, the smaller the ripple component, and the higher inductance first reactor L1 has more switching loss (for example, switching loss Eon when on and switching loss Eoff when off) than the second reactor L2. ) Can be reduced.

さらに、図10に抵抗温度特性を示すように、一般に温度が低くなるほど抵抗も低下する。低温側の第1リアクトルL1は、抵抗も小さくなるため、さらに損失低減につながる。これらにより、コンバータ部2を1相駆動する際には、第1コンバータ21を選択し、冷却部3により効率よく冷却することで、損失を大きく低減できる。 Further, as shown in FIG. 10, the resistance temperature characteristic generally decreases as the temperature decreases. Since the resistance of the first reactor L1 on the low temperature side is also small, the loss is further reduced. As a result, when the converter unit 2 is driven in one phase, the first converter 21 is selected and the cooling unit 3 efficiently cools the converter unit 2, so that the loss can be greatly reduced.

なお、本形態では、コンバータ部2の第1コンバータ21を、より冷却性能が良好な側に配置したが、第2コンバータ22の冷却性能がより良好となるように配置することも、もちろんできる。その場合には、制御部3によって、第2コンバータ22が先に選択されて駆動される。 In this embodiment, the first converter 21 of the converter unit 2 is arranged on the side where the cooling performance is better, but of course, it can be arranged so that the cooling performance of the second converter 22 is better. In that case, the control unit 3 first selects and drives the second converter 22.

次に、制御部3の詳細を説明する。図3において、制御部3は、コンバータ部2及びインバータ部5における電圧変換動作を制御して、モータジェネレータMG1、MG2の駆動を制御するMG-ECU31と、モータジェネレータMG1、MG2及びエンジンENGを含むハイブリッド自動車の運転全体を制御するHV-ECU32を有している。HV-ECU32は、各種検出装置からの信号に基づいて、モータジェネレータMG1、MG2及びエンジンENG等の情報を取得し、MG-ECU31へモータジェネレータMG1、MG2の駆動信号を出力すると共に、エンジンENGを駆動する。 Next, the details of the control unit 3 will be described. In FIG. 3, the control unit 3 includes an MG-ECU 31 that controls voltage conversion operations in the converter unit 2 and the inverter unit 5 to control the drive of the motor generators MG1 and MG2, and the motor generators MG1, MG2 and the engine ENG. It has an HV-ECU 32 that controls the entire operation of the hybrid vehicle. The HV-ECU 32 acquires information on the motor generators MG1, MG2, the engine ENG, etc. based on the signals from various detection devices, outputs the drive signals of the motor generators MG1 and MG2 to the MG-ECU 31, and outputs the engine ENG. Drive.

MG-ECU31には、第1コンバータ21の第1リアクトルL1を流れる電流IL1を検出する電流センサ61と、第2コンバータ22の第2リアクトルL2を流れる電流IL2を検出する電流センサ62からの検出信号が入力される。また、コンバータ部2と平滑コンデンサ14との間において、正極側電力線11と負極側電力線12の間の電圧VHを検出する電圧センサ63からの検出信号が入力される。また、図示しない検出装置からモータジェネレータMG1、MG2の回転数等の情報が入力される。 The MG-ECU 31 has a detection signal from a current sensor 61 that detects the current IL1 flowing through the first reactor L1 of the first converter 21 and a current sensor 62 that detects the current IL2 flowing through the second reactor L2 of the second converter 22. Is entered. Further, between the converter unit 2 and the smoothing capacitor 14, a detection signal from the voltage sensor 63 that detects the voltage VH between the positive electrode side power line 11 and the negative electrode side power line 12 is input. Further, information such as the rotation speeds of the motor generators MG1 and MG2 is input from a detection device (not shown).

HV-ECU32は、MG-ECU31の検出信号や、図示しない検出装置からの信号、例えば、アクセル開度や車両速度等の信号に基づいてハイブリッド自動車の運転状態を判断し、モータジェネレータMG1、MG2及びエンジンENGの動力を調整する。例えば、ハイブリッド自動車の走行時には、主にモータジェネレータMG2による走行、エンジンENGによる走行、エンジンENGとモータジェネレータMG2による走行が可能である。HV-ECU32は、調整された動力に基づいてモータジェネレータMG1、MG2のトルク指令値を算出し、MG-ECU31に出力する。 The HV-ECU 32 determines the operating state of the hybrid vehicle based on the detection signal of the MG-ECU 31 and a signal from a detection device (not shown), for example, a signal such as an accelerator opening degree and a vehicle speed, and the motor generators MG1, MG2 and Adjust the power of the engine ENG. For example, when the hybrid vehicle is traveling, it is possible to travel mainly by the motor generator MG2, by the engine ENG, and by the engine ENG and the motor generator MG2. The HV-ECU 32 calculates the torque command values of the motor generators MG1 and MG2 based on the adjusted power, and outputs the torque command values to the MG-ECU 31.

MG-ECU31は、入力されたトルク指令値と回転数等の情報に基づいて、モータジェネレータMG1、MG2へ出力されるべき電力(以下、要求パワーPrと称する)を算出し、コンバータ部2及びインバータ部5を駆動するための制御信号を生成する。具体的には、要求パワーPrに応じて、コンバータ部2の第1コンバータ21及び第2コンバータ22の駆動の要否を判断し、第1コンバータ21、又は、第1コンバータ21及び第2コンバータ22に、例えば、PWM(すなわち、パルス幅変調)制御のための信号を出力する。また、トルク指令値に応じた出力トルクが得られるように、インバータ部5の第1インバータ51及び第2インバータ52に、PWM制御のための信号を出力する。 The MG-ECU 31 calculates the power to be output to the motor generators MG1 and MG2 (hereinafter referred to as the required power Pr) based on the input torque command value and information such as the rotation speed, and the converter unit 2 and the inverter. A control signal for driving the unit 5 is generated. Specifically, it is determined whether or not the first converter 21 and the second converter 22 of the converter unit 2 need to be driven according to the required power Pr, and the first converter 21 or the first converter 21 and the second converter 22 are used. For example, a signal for PWM (that is, pulse width modulation) control is output. Further, a signal for PWM control is output to the first inverter 51 and the second inverter 52 of the inverter unit 5 so that the output torque corresponding to the torque command value can be obtained.

図11のフローチャートにより、MG-ECU31にて実行されるコンバータ部2の制御手順の一例を説明する。まず、ステップ101において、要求パワーPrが取得されると、次いで、ステップ102において、要求パワーPrが基準値Pthより低い値か否か(すなわち、Pr<Pth?)を判定する。基準値Pthは、予め設定されるもので、例えば、市街地や定速走行等の要求パワーPrが比較的小さい運転条件において、コンバータ部2の一方の相を停止の可否を判断するための基準となる。 An example of the control procedure of the converter unit 2 executed by the MG-ECU 31 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step 101, when the required power Pr is acquired, then in step 102, it is determined whether or not the required power Pr is lower than the reference value Pth (that is, Pr <Pth?). The reference value Pth is set in advance, and is used as a reference for determining whether or not one phase of the converter unit 2 can be stopped under operating conditions where the required power Pr is relatively small, for example, in urban areas or constant speed driving. Become.

ステップ102が肯定判定されたときは(すなわち、Pr<Pth)、ステップ103へ進み、コンバータ部2のうち冷却性能が良好な一方、すなわち、第1コンバータ21を選択する。続いて、ステップ104において、要求パワーPrが得られるように、第1コンバータ21による昇圧動作を行い、インバータ部5側の正極側電極線15へ出力する。具体的には、例えば、要求パワーPrに応じて、第1コンバータ21における昇圧後の目標電圧VH0を設定し、蓄電装置Bの電圧VBに対する昇圧比VH0/VBに応じて、第1コンバータ21の第1リアクトルL1の目標電流IL0を設定する。そして、第1リアクトルL1を流れる電流IL1が、昇圧比VH0/VBに応じた目標電流IL0となるように、電流制御を行う。 When the affirmative determination is made in step 102 (that is, Pr <Pth), the process proceeds to step 103, and one of the converter units 2 having a good cooling performance, that is, the first converter 21 is selected. Subsequently, in step 104, a boosting operation is performed by the first converter 21 so that the required power Pr can be obtained, and the voltage is output to the positive electrode wire 15 on the inverter section 5 side. Specifically, for example, the target voltage VH0 after boosting in the first converter 21 is set according to the required power Pr, and the boost ratio VH0 / VB with respect to the voltage VB of the power storage device B of the first converter 21. The target current IL0 of the first reactor L1 is set. Then, the current is controlled so that the current IL1 flowing through the first reactor L1 becomes the target current IL0 according to the step-up ratio VH0 / VB.

これにより、第1コンバータ21の半導体スイッチング素子S1、S2に、PWM信号に基づく所定のタイミングでゲート電圧信号が出力され、半導体スイッチング素子S1、S2が交互にオンオフして、所望の要求パワーPrが出力される。 As a result, a gate voltage signal is output to the semiconductor switching elements S1 and S2 of the first converter 21 at a predetermined timing based on the PWM signal, and the semiconductor switching elements S1 and S2 are alternately turned on and off to obtain a desired required power Pr. It is output.

ステップ103において、選択されなかった第2コンバータ22は、停止される。もしくは、電流IL2=0となるように電流制御される。 In step 103, the second converter 22 that is not selected is stopped. Alternatively, the current is controlled so that the current IL2 = 0.

ステップ102が否定判定されたときは(すなわち、Pr≧Pth)、ステップ105へ進む。ステップ105では、第1コンバータ21及び第2コンバータ22の両方を選択する。続いて、ステップ106において、要求パワーPrが得られるように、第1コンバータ21及び第2コンバータ22による昇圧動作を行い、インバータ部5側の正極側電極線15へ出力する。この場合は、例えば、要求パワーPrに応じて、第1コンバータ21を及び第2コンバータ22による昇圧動作を均等に行う。 When the negative determination is made in step 102 (that is, Pr ≧ Pth), the process proceeds to step 105. In step 105, both the first converter 21 and the second converter 22 are selected. Subsequently, in step 106, a boosting operation is performed by the first converter 21 and the second converter 22 so that the required power Pr can be obtained, and the voltage is output to the positive electrode wire 15 on the inverter section 5 side. In this case, for example, the boosting operation by the first converter 21 and the second converter 22 is evenly performed according to the required power Pr.

具体的には、昇圧比VH0/VBに応じた目標電流IL0が、第1コンバータ21及び第2コンバータ22の2相に均等分配されるように、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2を流れる電流IL1、IL2を制御することができる。上記図8に示したように、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2を流れる電流IL1、IL2が小さいほど、インダクタンス値は大きくなるので、電流IL1、IL2を適切に分配することで、損失を抑制することが可能になる。 Specifically, the current flowing through the first reactor L1 and the second reactor L2 so that the target current IL0 corresponding to the step-up ratio VH0 / VB is evenly distributed to the two phases of the first converter 21 and the second converter 22. IL1 and IL2 can be controlled. As shown in FIG. 8, the smaller the currents IL1 and IL2 flowing through the first reactor L1 and the second reactor L2, the larger the inductance value. Therefore, the loss is suppressed by appropriately distributing the currents IL1 and IL2. It will be possible to do.

以上のように、要求パワーPrが小さい小電流域では、コンバータ部2の冷却性能に着目して、第1コンバータ21を選択し、第2コンバータ22を停止することで、冷却部4によって第1コンバータ21を効率よく冷却しながら、昇圧動作を行うことができる。また、要求パワーPrがより大きい場合においても、第1コンバータ21及び第2コンバータ22のそれぞれに流れる電流を制御することで、損失を抑制しながら、昇圧動作を行うことができる。したがって、昇圧動作に伴うスイッチング損失や導通損失を最小限とすることができ、電圧変換効率を向上させることができる。 As described above, in the small current region where the required power Pr is small, the first converter 21 is selected and the second converter 22 is stopped, paying attention to the cooling performance of the converter unit 2, so that the cooling unit 4 first uses the cooling unit 4. The boosting operation can be performed while efficiently cooling the converter 21. Further, even when the required power Pr is larger, the boosting operation can be performed while suppressing the loss by controlling the current flowing through each of the first converter 21 and the second converter 22. Therefore, the switching loss and the conduction loss associated with the step-up operation can be minimized, and the voltage conversion efficiency can be improved.

(実施形態2)
電力変換装置に係る実施形態2について、図12~図13を参照して説明する。本形態の電力変換装置1の基本構成は、上記参考形態1と同様であり、以下、相違点である冷却部4の構成を中心に説明する。上記参考形態では、第1冷却部41の冷媒流れ方向Fに対して、第1リアクトルL1を上流側に配置して、第2リアクトルL1より冷却性能が良好となるようにしたが、冷却媒体との熱伝達率を高くすることによって、冷却性能が良好となるようにしてもよい。
なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の参考形態、実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の参考形態、実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
(Embodiment 2)
The second embodiment according to the power conversion device will be described with reference to FIGS. 12 to 13. The basic configuration of the power conversion device 1 of this embodiment is the same as that of the reference embodiment 1, and the configuration of the cooling unit 4, which is a difference, will be mainly described below. In the above reference embodiment 1 , the first reactor L1 is arranged on the upstream side with respect to the refrigerant flow direction F of the first cooling unit 41 so that the cooling performance is better than that of the second reactor L1, but the cooling medium. By increasing the heat transfer coefficient with, the cooling performance may be improved.
Of the codes used in the second and subsequent embodiments, the same reference numerals as those used in the above-mentioned reference embodiments and embodiments are the same components as those in the above-mentioned reference embodiments and embodiments, unless otherwise specified. Represents.

図12に示すように、コンバータ部2を冷却する第1冷却部41は、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2に接する壁面部412内に、冷却媒体の流路411を有している。流路411内には、第1リアクトルL1の載置面413の直下となる位置に、波板状のフィン414が配置されている。これにより、冷却媒体との熱伝達率を高くして、第1リアクトルL1側の冷却性能をより高めることができる。 As shown in FIG. 12, the first cooling unit 41 for cooling the converter unit 2 has a cooling medium flow path 411 in the wall surface portion 412 in contact with the first reactor L1 and the second reactor L2. In the flow path 411, a corrugated plate-shaped fin 414 is arranged at a position directly below the mounting surface 413 of the first reactor L1. As a result, the heat transfer coefficient with the cooling medium can be increased, and the cooling performance on the first reactor L1 side can be further enhanced.

この場合は、必ずしも第1リアクトルL1が上流側となるように、流路411を構成する必要はなく、流路411に対して、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2が並列に配置されていてもよい。このとき、第1リアクトルL1側に、波板状のフィン414の山部と谷部に囲まれた流路が形成されて、フィン414に沿って冷却媒体が流通する。 In this case, it is not always necessary to configure the flow path 411 so that the first reactor L1 is on the upstream side, and the first reactor L1 and the second reactor L2 are arranged in parallel with respect to the flow path 411. May be good. At this time, a flow path surrounded by the peaks and valleys of the corrugated plate-shaped fins 414 is formed on the first reactor L1 side, and the cooling medium flows along the fins 414.

フィン414は、任意の形状とすることができ、例えば、図13に示すように、流路411の冷媒流れ方向Fに延びる複数のフィン414を配置することもできる。この場合も、流路411に対して、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2を並列配置し、一側面(例えば、図の上側面)側から対向する一側面(例えば、図の下側面)側へ向けて、冷却媒体が流れるように、流路411を構成している。 The fins 414 can have any shape, and for example, as shown in FIG. 13, a plurality of fins 414 extending in the refrigerant flow direction F of the flow path 411 can be arranged. Also in this case, the first reactor L1 and the second reactor L2 are arranged in parallel with respect to the flow path 411, and one side surface (for example, the lower side surface in the figure) facing from one side surface (for example, the upper side surface in the figure) side. The flow path 411 is configured so that the cooling medium flows toward the direction.

フィン414を設けることにより、流れ方向によらず、第1リアクトルL1の冷却性能をより良好とすることができる。そして、制御部3によりコンバータ部2を1相駆動する際に、第1コンバータ21を選択して昇圧動作を制御することで、上記参考形態1と同様に冷却性能が良好な順に選択される。このような構成とすることで、冷媒流れ方向Fの上流側に位置する第1リアクトルL1の冷却性能をさらに高めて、損失の低減効果を向上させることができる。 By providing the fins 414, the cooling performance of the first reactor L1 can be improved regardless of the flow direction. Then, when the converter unit 2 is driven in one phase by the control unit 3, the first converter 21 is selected to control the boosting operation, so that the cooling performance is selected in the order of good cooling performance as in the reference embodiment 1. With such a configuration, the cooling performance of the first reactor L1 located on the upstream side in the refrigerant flow direction F can be further enhanced, and the loss reduction effect can be improved.

なお、フィン414を設けた構成において、第1リアクトルL1が上流側となるように配置してもよい。例えば、図13において、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2の間に、仕切り壁を設けて、第1リアクトルL1側を通過した後に第2リアクトルL2側へ冷却媒体が流れるように、流路411を構成することもできる。 In the configuration provided with the fins 414, the first reactor L1 may be arranged so as to be on the upstream side. For example, in FIG. 13, a partition wall is provided between the first reactor L1 and the second reactor L2 so that the cooling medium flows to the second reactor L2 side after passing through the first reactor L1 side. Can also be configured .

(実施形態3)
図14に実施形態3として示すように、上記参考形態1における第1冷却部41にフィン414を設けた実施形態2の構成において(例えば、図2、図12参照)、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2の近傍に、第1冷却部41により冷却される他の発熱部品71を配置することもできる。その場合には、第1リアクトルL1を流路411の最上流側に、発熱部品71を最下流側に配置して、第2リアクトルL2を挟んで、第1リアクトルL1を発熱部品71からより遠い位置となるようにするとよい。本形態の電力変換装置1の基本構成は、上記参考形態1と同様であり、説明を省略する。
(Embodiment 3)
As shown in the third embodiment in FIG. 14, in the configuration of the second embodiment in which the fins 414 are provided in the first cooling unit 41 in the reference embodiment 1 (see, for example, FIGS. 2 and 12 ), the first reactor L1 and the first reactor L1 and the first 2 Another heat generating component 71 cooled by the first cooling unit 41 may be arranged in the vicinity of the reactor L2. In that case, the first reactor L1 is arranged on the most upstream side of the flow path 411, the heat generating component 71 is arranged on the most downstream side, the second reactor L2 is sandwiched, and the first reactor L1 is farther from the heat generating component 71. It is good to make it a position. The basic configuration of the power conversion device 1 of this embodiment is the same as that of the reference embodiment 1, and the description thereof will be omitted.

この構成によれば、制御部3により第1コンバータ21が1相駆動される際に、停止される第2リアクトルL2を挟んで、発熱部品71と反対側に位置するので、発熱部品71からの受熱をなくすことができる。これにより、第1リアクトルL1の冷却性能をさらに高めて、損失の低減効果を向上させることができる。 According to this configuration, when the first converter 21 is driven in one phase by the control unit 3, it is located on the opposite side of the heat generating component 71 with the second reactor L2 to be stopped, so that the heat generating component 71 is used. The heat reception can be eliminated. As a result, the cooling performance of the first reactor L1 can be further enhanced, and the effect of reducing loss can be improved.

(実施形態4)
図15に実施形態4として示すように、第1冷却部41において(例えば、図2参照)、第1リアクトルL1及び第2リアクトルL2を冷却するための流路411の構成は、特に制限されず、第1リアクトルL1に対する冷却性能がより良好となるように構成されていればよい。具体的には、流路411となる空間部を、壁面部412の一端(例えば、図の左端)側のみに開口させ、空間部内には、開口端から閉鎖端(例えば、図の右端)の近傍にかけて、冷媒流れ方向Fに沿う仕切り壁415を設ける。これにより、図中に矢印で示すように、開口端側の導入口411aから冷却媒体が流路411内に導入され、閉鎖端側で折り返して導出口411bへ向かう、U字路状の流路411が形成される。
(Embodiment 4)
As shown in FIG. 15 as the fourth embodiment, the configuration of the flow path 411 for cooling the first reactor L1 and the second reactor L2 in the first cooling unit 41 (see, for example, FIG. 12) is particularly limited. Instead, it may be configured so that the cooling performance with respect to the first reactor L1 is better. Specifically, the space portion to be the flow path 411 is opened only on one end (for example, the left end in the figure) side of the wall surface portion 412, and the space portion is from the open end to the closed end (for example, the right end in the figure). A partition wall 415 along the refrigerant flow direction F is provided in the vicinity. As a result, as shown by the arrow in the figure, the cooling medium is introduced into the flow path 411 from the introduction port 411a on the open end side, and is folded back on the closed end side toward the outlet port 411b, which is a U-shaped flow path. 411 is formed.

この場合、第1リアクトルL1を、例えば、載置面413の中央部に配置することもできる。第2リアクトルL2は、流路411の閉鎖端側に配置され、例えば、第2リアクトルL2の一部は、流路411の閉鎖端より外側に位置してもよい。このとき、第1リアクトルL1に接する流路411の面積は、第2リアクトルL2に接する流路411の面積よりも大きくなる。 In this case, the first reactor L1 may be arranged, for example, in the central portion of the mounting surface 413. The second reactor L2 may be arranged on the closed end side of the flow path 411, for example, a part of the second reactor L2 may be located outside the closed end of the flow path 411. At this time, the area of the flow path 411 in contact with the first reactor L1 is larger than the area of the flow path 411 in contact with the second reactor L2.

このように、流路411との接触面積を大きくすることで、熱伝達率を高くすることができるので、接触面積がより大きい側に配置される第1リアクトルL1の冷却性能を、より向上させることができる。 In this way, by increasing the contact area with the flow path 411, the heat transfer coefficient can be increased, so that the cooling performance of the first reactor L1 arranged on the side having the larger contact area is further improved. be able to.

例えば、図16に示すように、流路411内の仕切り壁415の壁厚が、流路411の導入口411a及び導出口411b側へ向けて大きくなるように構成した場合には、流路411と接する載置面413の面積は、開口端側で小さくなる。この場合には、第1リアクトルL1を、載置面413の中央部に配置し、第2リアクトルL2を、流路411の開口端側に配置することもできる。これにより、第1リアクトルL1側の接触面積がより大きくなり、熱伝達率が高くなるようにすることで、同様の効果が得られる。 For example, as shown in FIG. 16, when the wall thickness of the partition wall 415 in the flow path 411 is configured to increase toward the introduction port 411a and the outlet port 411b of the flow path 411, the flow path 411 The area of the mounting surface 413 in contact with the opening surface becomes smaller on the opening end side. In this case, the first reactor L1 may be arranged at the central portion of the mounting surface 413, and the second reactor L2 may be arranged on the open end side of the flow path 411. As a result, the contact area on the first reactor L1 side becomes larger and the heat transfer coefficient becomes higher, so that the same effect can be obtained.

(実施形態5)
図17に実施形態5として示すように、電力変換装置1は、コンバータ部2の第1コンバータ21及び第2コンバータ22を、それぞれ、並列接続された2つのアームを用いて構成することもできる。具体的には、第1コンバータ21の第1アーム211に、同等構成の半導体スイッチング素子S5、S6の直列接続体を含む第3アーム212を並列接続して、第1リアクトルL1による昇圧動作を行う。同様に、第2コンバータ22の第2アーム221に、同等構成の半導体スイッチング素子S7、S8の直列接続体を含む第4アーム222を並列接続して、第2リアクトルL2による昇圧動作を行う。半導体スイッチング素子S5、S6、S7、S8には、それぞれダイオードD5、D6、D7、D8が逆並列に接続される。
(Embodiment 5)
As shown in the fifth embodiment in FIG. 17, the power conversion device 1 can also configure the first converter 21 and the second converter 22 of the converter unit 2 by using two arms connected in parallel, respectively. Specifically, a third arm 212 including a series connector of semiconductor switching elements S5 and S6 having the same configuration is connected in parallel to the first arm 211 of the first converter 21, and a boosting operation is performed by the first reactor L1. .. Similarly, a fourth arm 222 including a series connector of semiconductor switching elements S7 and S8 having the same configuration is connected in parallel to the second arm 221 of the second converter 22, and a boosting operation is performed by the second reactor L2. Diodes D5, D6, D7, and D8 are connected in antiparallel to the semiconductor switching elements S5, S6, S7, and S8, respectively.

制御部3における要求パワーPrが大きく、コンバータ部2が大出力となる場合には、第1コンバータ21及び第2コンバータ22に分配される電流を、それぞれ2つのアーム211、212、221、222に、さらに分配して出力させることができる。 When the required power Pr in the control unit 3 is large and the converter unit 2 has a large output, the current distributed to the first converter 21 and the second converter 22 is distributed to the two arms 211, 212, 211 and 222, respectively. , Can be further distributed and output.

この場合には、図18に示すように、第2冷却部42において、第1コンバータ21を構成する第1アーム211と第3アーム212の配置を、冷却性能を考慮して決定することが好ましい。図中、第2冷却部42は、金属製のケースCの上半部内に収容される半導体積層ユニットUを備えており、その上方に、制御部3を構成する制御回路基板が配置されている。ケースCの下半部内には、ケース底部の第1冷却部41に接して、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2が収容されている。第1冷却部41は、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2の載置面413を含む壁面部412の内部に、冷却媒体の流路411を形成している。 In this case, as shown in FIG. 18, in the second cooling unit 42, it is preferable to determine the arrangement of the first arm 211 and the third arm 212 constituting the first converter 21 in consideration of the cooling performance. .. In the figure, the second cooling unit 42 includes a semiconductor laminated unit U housed in the upper half of the metal case C, and a control circuit board constituting the control unit 3 is arranged above the semiconductor laminated unit U. .. In the lower half of the case C, the first reactor L1 and the second reactor L2 are housed in contact with the first cooling portion 41 at the bottom of the case. The first cooling unit 41 forms a flow path 411 for the cooling medium inside the wall surface portion 412 including the mounting surface 413 of the first reactor L1 and the second reactor L2.

半導体積層ユニットUは、例えば、第1コンバータ21の第1アーム211に対応するパワーカードPC1と、第3アーム212に対応するパワーカードPC6とが、冷却管421を挟んで隣接配置されている。半導体積層ユニットUは、導出入用冷却管422、423が接続される一端側(例えば、図の左端側)に、パワーカードPC1が位置しその下流にパワーカードPC6が位置しており、パワーカードPC1、PC6は、下方に位置する第1リアクトルL1と接続される。 In the semiconductor laminated unit U, for example, the power card PC1 corresponding to the first arm 211 of the first converter 21 and the power card PC6 corresponding to the third arm 212 are arranged adjacent to each other with the cooling pipe 421 interposed therebetween. In the semiconductor laminated unit U, the power card PC1 is located on one end side (for example, the left end side in the figure) to which the lead-in cooling tubes 422 and 423 are connected, and the power card PC6 is located downstream thereof. PC1 and PC6 are connected to the first reactor L1 located below.

第2コンバータ22の第2アーム221に対応するパワーカードPC2と、第4アーム222に対応するパワーカードPC7は、インバータ部5を構成するパワーカードを挟んで、より下流側に配置され、下方に位置する第2リアクトルL2と接続される。 The power card PC2 corresponding to the second arm 221 of the second converter 22 and the power card PC7 corresponding to the fourth arm 222 are arranged on the downstream side of the power card constituting the inverter section 5 and are arranged downward. It is connected to the second reactor L2 located.

この構成によれば、第1冷却部41及び第2冷却部42により、第1リアクトルL1及びパワーカードPC1、PC6が効果的に冷却されるので、冷却部4による第1コンバータ21の冷却性能を最大限に発揮させて、さらなる低損失化を図ることが可能になる。 According to this configuration, the first reactor L1 and the power cards PC1 and PC6 are effectively cooled by the first cooling unit 41 and the second cooling unit 42, so that the cooling performance of the first converter 21 by the cooling unit 4 can be improved. It will be possible to maximize the loss and further reduce the loss.

また、図19に示すように、電力変換装置1が適用される車両システム10を、2つの蓄電装置B1、B2を含む構成とすることもできる。蓄電装置B1は、フィルタコンデンサ11aを介して第1コンバータ21に接続され、蓄電装置B2は、フィルタコンデンサ11bを介して第2コンバータ22に接続される。フィルタコンデンサ11aは、蓄電装置B1の正極側電力線13aと負極側電力線14aとの間に配置されており、フィルタコンデンサ11bは、蓄電装置B2の正極側電力線13bと負極側電力線14bとの間に配置される。 Further, as shown in FIG. 19, the vehicle system 10 to which the power conversion device 1 is applied may be configured to include two power storage devices B1 and B2. The power storage device B1 is connected to the first converter 21 via the filter capacitor 11a, and the power storage device B2 is connected to the second converter 22 via the filter capacitor 11b. The filter capacitor 11a is arranged between the positive electrode side power line 13a and the negative electrode side power line 14a of the power storage device B1, and the filter capacitor 11b is arranged between the positive electrode side power line 13b and the negative electrode side power line 14b of the power storage device B2. Will be done.

(実施形態6)
図20に実施形態6として示すように、コンバータ部2に接続されるインバータ部5に、モータジェネレータMG1、MG2を駆動する第1インバータ51、第2インバータ52に加えて、モータジェネレータMG3を駆動する第3インバータ56を設けることもできる。第3インバータ56は、第3U相アーム561、第3V相アーム562、第3W相アーム563を有し、第1インバータ51、第2インバータ52と並列に、正極側電力線15と負極側電力線16との間に、並列接続されている。
(Embodiment 6)
As shown as the sixth embodiment in FIG. 20, the inverter unit 5 connected to the converter unit 2 drives the motor generator MG3 in addition to the first inverter 51 and the second inverter 52 for driving the motor generators MG1 and MG2. A third inverter 56 can also be provided. The third inverter 56 has a third U phase arm 561, a third V phase arm 562, and a third W phase arm 563, and has a positive electrode side power line 15 and a negative electrode side power line 16 in parallel with the first inverter 51 and the second inverter 52. Are connected in parallel between.

第3インバータ56の各アーム561~563の構成は、第1インバータ51、第2インバータ52と同様であり、説明を省略する。モータジェネレータMG3は、第3インバータ56と電力線533、543、553を介して接続され、例えば、エンジン補機等の動力源として用いられる。 The configurations of the arms 561 to 563 of the third inverter 56 are the same as those of the first inverter 51 and the second inverter 52, and the description thereof will be omitted. The motor generator MG3 is connected to the third inverter 56 via power lines 533, 543, 552, and is used as a power source for, for example, an engine auxiliary machine.

コンバータ部2は、第1リアクトルL1に第1アーム211が接続される第1コンバータ21と、第2リアクトルL2に第2アーム221が接続される第2コンバータ22を有する。このとき、上記実施形態では、第1アーム211を含むパワーカードPC1と、第2アーム221を含むパワーカードPC2とを、冷却性能を考慮した配置とすることで、損失の低減を図ったが、使用する半導体素子の損失特性を考慮してもよい。 The converter unit 2 has a first converter 21 to which the first arm 211 is connected to the first reactor L1 and a second converter 22 to which the second arm 221 is connected to the second reactor L2. At this time, in the above embodiment, the power card PC 1 including the first arm 211 and the power card PC 2 including the second arm 221 are arranged in consideration of the cooling performance to reduce the loss. The loss characteristics of the semiconductor element used may be taken into consideration.

例えば、第1アーム211は、半導体スイッチング素子S1、S2、ダイオードD1、D2といった半導体素子によって構成されている。半導体スイッチング素子S1、S2の損失には、一般に、オン時のスイッチング損失Eon、オフ時のスイッチング損失Eoffの他、オン動作中の導通損失Vonがあり、ダイオードD1、D2の損失には、リカバリ損失Err、オン動作中の導通損失Vfがある。したがって、要求される特性の範囲で、これら特性のより小さい半導体素子を組み合わせることによって、例えば、第1アーム211における損失特性が、第2アーム221における損失特性よりも、良好となるようにすることができる。 For example, the first arm 211 is composed of semiconductor elements such as semiconductor switching elements S1 and S2 and diodes D1 and D2. The losses of the semiconductor switching elements S1 and S2 generally include the switching loss Eon when on and the switching loss Eoff when off, as well as the conduction loss Von during on operation, and the loss of the diodes D1 and D2 includes the recovery loss. There is a conduction loss Vf during Err and ON operation. Therefore, by combining semiconductor devices having smaller characteristics within the required characteristic range, for example, the loss characteristic in the first arm 211 is made better than the loss characteristic in the second arm 221. Can be done.

このように、第1冷却部41による冷却性能が良好な第1リアクトルL1に、損失特性が良好な第1アーム211を接続して、第1コンバータ21を構成することができる。そして、制御部3において、1相駆動される際に、第1コンバータ21を選択することで、冷却部4による冷却性能と、半導体素子自体の損失特性の低下によって、低損失化を実現できる。このとき、例えば、第2冷却部42による第1アーム211と第2アーム221の冷却性能を考慮してもよく、さらなる損失低減が可能になる。 As described above, the first converter 21 can be configured by connecting the first arm 211 having good loss characteristics to the first reactor L1 having good cooling performance by the first cooling unit 41. Then, by selecting the first converter 21 when the control unit 3 is driven in one phase, it is possible to realize low loss by reducing the cooling performance by the cooling unit 4 and the loss characteristic of the semiconductor element itself. At this time, for example, the cooling performance of the first arm 211 and the second arm 221 by the second cooling unit 42 may be taken into consideration, and further loss reduction becomes possible.

(実施形態7)
図21、図22に実施形態7として示すように、上記実施形態5における冷却部4の構成において(例えば、図18参照)、例えば、ケースCの下半部内に、電気的ノイズの影響を受ける電子部品72が配置される構成とすることもできる。第1リアクトルL1と第2リアクトルL2は、ケース底部の第1冷却部41に接して配置されており、これらに隣接して、電子部品72が配置される。電子部品72は、特に限定されないが、例えば、エンジン補機の駆動用のDC-DCコンバータ等である。
(Embodiment 7)
As shown in FIGS. 21 and 22, in the configuration of the cooling unit 4 in the fifth embodiment (see, for example, FIG. 18), for example, the lower half of the case C is affected by electrical noise. It is also possible to configure the structure in which the electronic component 72 is arranged. The first reactor L1 and the second reactor L2 are arranged in contact with the first cooling portion 41 at the bottom of the case, and the electronic component 72 is arranged adjacent to them. The electronic component 72 is not particularly limited, but is, for example, a DC-DC converter for driving an engine auxiliary machine or the like.

第1冷却部41は、例えば、第1リアクトルL1と第2リアクトルL2の載置面413を含む壁面部412の内部に、U字路状の冷却媒体の流路411を形成している。この場合には、第1リアクトルL1を流路411の最上流側に、電子部品72を最下流側に配置して、第2リアクトルL2を挟んで、第1リアクトルL1を電子部品72からより遠い位置となるようにするとよい。電子部品72は、一部が流路411と接するように、載置面413上に載置されている。 The first cooling unit 41 forms, for example, a U-shaped cooling medium flow path 411 inside the wall surface portion 412 including the mounting surface 413 of the first reactor L1 and the second reactor L2. In this case, the first reactor L1 is arranged on the most upstream side of the flow path 411, the electronic component 72 is arranged on the most downstream side, the second reactor L2 is sandwiched, and the first reactor L1 is farther from the electronic component 72. It is good to make it a position. The electronic component 72 is placed on the mounting surface 413 so that a part of the electronic component 72 is in contact with the flow path 411.

この構成によれば、制御部3により第1コンバータ21が1相駆動される際に、電子部品72が、停止される第2リアクトルL2に隣接するので、第1リアクトルL1の駆動に伴う電気的ノイズが電子部品72に伝達されるのを抑制することができる。これにより、電力変換装置1の損失低減を図ると共に、電力変換装置1を含む車両システムを良好に動作させることができる。 According to this configuration, when the first converter 21 is driven in one phase by the control unit 3, the electronic component 72 is adjacent to the second reactor L2 to be stopped, so that the electric component 72 is electrically accompanied by the drive of the first reactor L1. It is possible to suppress the transmission of noise to the electronic component 72. As a result, the loss of the power conversion device 1 can be reduced, and the vehicle system including the power conversion device 1 can be operated satisfactorily.

なお、本形態の構成は、上記各実施形態のいずれに適用してもよい。また、上記各実施形態の構成を、それぞれ組み合わせてもよく、例えば、実施形態6に示したように、インバータ部5に、モータジェネレータMG1、MG2、MG3を駆動する第1インバータ51、第2インバータ52、第3インバータ56を設けた構成において(すなわち、図19参照)、インバータ部5に接続されるコンバータ部2を、実施形態5に示したように、第1コンバータ21及び第2コンバータ22が、それぞれ、並列接続された2つのアームを有する構成としてもよい(すなわち、図17参照)。 The configuration of this embodiment may be applied to any of the above embodiments. Further, the configurations of the above embodiments may be combined, and for example, as shown in the sixth embodiment, the inverter section 5 has the first inverter 51 and the second inverter for driving the motor generators MG1, MG2, and MG3. 52. In the configuration provided with the third inverter 56 (that is, see FIG. 19), the converter unit 2 connected to the inverter unit 5 is provided with the first converter 21 and the second converter 22 as shown in the fifth embodiment. , Each may have two arms connected in parallel (ie, see FIG. 17).

本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。例えば、上記各実施形態では、ハイブリッド自動車を例示して説明したが、これに限るものではなく、例えば、電気自動車等のモータ走行可能な電動車両であれば適用可能である。また、電源を、充放電可能な蓄電装置とし、コンバータ部を、昇降圧コンバータを用いた構成としたが、放電のみが可能な電源を用い、コンバータ部を、昇圧コンバータとして構成することもできる。 The present invention is not limited to each of the above embodiments, and can be applied to various embodiments without departing from the gist thereof. For example, in each of the above embodiments, the hybrid vehicle has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and for example, it can be applied to any electric vehicle capable of traveling by a motor such as an electric vehicle. Further, although the power supply is a power storage device capable of charging and discharging and the converter unit is configured to use a buck-boost converter, a power source capable of only discharging can be used and the converter unit can be configured as a boost converter.

B、B1、B2 電源(蓄電装置)
MG1、MG2、MG3 モータジェネレータ(負荷)
L1 第1リアクトル(リアクトル)
L2 第2リアクトル(リアクトル)
S1~S8 半導体スイッチング素子
1 電力変換装置
2 コンバータ部
21 第1コンバータ(コンバータ)
22 第2コンバータ(コンバータ)
3 制御部
4 冷却部
B, B1, B2 power supply (power storage device)
MG1, MG2, MG3 motor generator (load)
L1 1st reactor (reactor)
L2 2nd reactor (reactor)
S1 to S8 Semiconductor switching element 1 Power converter 2 Converter section 21 First converter (converter)
22 Second converter (converter)
3 Control unit 4 Cooling unit

Claims (9)

電源(B、B1、B2)と負荷(MG1、MG2、MG3)との間に接続されるコンバータ部(2)と、上記コンバータ部の駆動を制御する制御部(3)と、冷却部(4)とを備える電力変換装置(1)であって、
上記コンバータ部は、並列に接続された複数相のコンバータ(21、22)を有し、上記コンバータは、それぞれ、リアクトル(L1、L2)と半導体スイッチング素子(S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8)とを含んで構成され、上記冷却部は、上記リアクトルを冷却する冷却媒体が流通する流路(411)を備えており、
上記制御部は、電力要求に応じて、複数相の上記コンバータのうち1相以上を駆動すると共に、駆動される上記コンバータを、上記リアクトルと冷却媒体との熱伝達率がより高く、上記リアクトルに対する冷却性能が良好な順に選択する、電力変換装置。
The converter unit (2) connected between the power supply (B, B1, B2) and the load (MG1, MG2, MG3), the control unit (3) that controls the drive of the converter unit, and the cooling unit (4). ), Which is a power conversion device (1).
The converter unit has a multi-phase converter (21, 22) connected in parallel, and the converters have a reactor (L1, L2) and a semiconductor switching element (S1, S2, S3, S4, S5, respectively). It is configured to include S6, S7, S8), and the cooling unit includes a flow path (411) through which a cooling medium for cooling the reactor flows .
The control unit drives one or more of the plurality of phases of the converter in response to the power requirement, and the driven converter has a higher heat transfer coefficient between the reactor and the cooling medium, and the heat transfer coefficient is higher with respect to the reactor. A power converter that selects in order of best cooling performance.
記制御部は、上記コンバータの1相以上を駆動する際に、冷却媒体の流れに対して、上記リアクトルがより上流側に位置する上記コンバータから順に選択する、請求項1に記載の電力変換装置。 The power conversion according to claim 1, wherein the control unit sequentially selects from the converter in which the reactor is located on the upstream side with respect to the flow of the cooling medium when driving one or more phases of the converter. Device. 上記冷却部は、上記リアクトルと共に上記流路に沿って配置される発熱部品(71)を冷却し、上記リアクトルは、上記制御部によって選択される順に、上記発熱部品からより遠い位置に配置される、請求項1又は2に記載の電力変換装置。 The cooling unit cools the heat generating component (71) arranged along the flow path together with the reactor, and the reactor is arranged at a position farther from the heat generating component in the order selected by the control unit. , The power conversion device according to claim 1 or 2 . 上記流路は、上記コンバータ部が収容されるケース(C)内において、上記リアクトルに接する壁面部(412)内に形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 3, wherein the flow path is formed in a wall surface portion (412) in contact with the reactor in the case (C) in which the converter portion is housed. .. 複数相の上記コンバータは、上記リアクトルに対する冷却性能が良好な順に、上記半導体スイッチング素子に対する冷却性能が良好となる構成を有している、請求項~4のいずれか1項に記載の電力変換装置。 The power conversion according to any one of claims 1 to 4, wherein the multi-phase converter has a configuration in which the cooling performance for the semiconductor switching element is improved in the order of the cooling performance for the reactor. Device. 上記冷却部は、上記半導体スイッチング素子を冷却する冷却媒体が流通する複数の冷却管(421)を備えている、請求項に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 5 , wherein the cooling unit includes a plurality of cooling pipes (421) through which a cooling medium for cooling the semiconductor switching element is circulated . 上記コンバータ部は、複数相の上記コンバータに対応する上記半導体スイッチング素子を含む複数のパワーカード(PC1、PC2、PC6、PC7)を有しており、上記冷却管は、複数の上記パワーカードのそれぞれに接して配置される、請求項6に記載の電力変換装置。 The converter unit has a plurality of power cards (PC1, PC2, PC6, PC7) including the semiconductor switching element corresponding to the converter having a plurality of phases, and the cooling tube is a plurality of power cards, respectively. The power conversion device according to claim 6, which is arranged in contact with . 複数相の上記コンバータは、上記リアクトルに対する冷却性能が良好な順に、上記半導体スイッチング素子の損失特性が良好となる構成を有している、請求項1~7のいずれか1項に記載の電力変換装置。 The power conversion according to any one of claims 1 to 7 , wherein the multi-phase converter has a configuration in which the loss characteristics of the semiconductor switching element become better in the order of better cooling performance with respect to the reactor. Device. 上記冷却部に隣接して、上記リアクトルと共に電子部品(72)が並んで配置されており、上記リアクトルは、上記制御部によって選択される順に、上記電子部品からより遠い位置に配置される、請求項1~8のいずれか1項に記載の電力変換装置。 An electronic component (72) is arranged side by side with the reactor adjacent to the cooling unit, and the reactor is arranged at a position farther from the electronic component in the order selected by the control unit. Item 6. The power conversion device according to any one of Items 1 to 8.
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