JP7003336B1 - 周波数分離器、光量子化回路、光ad変換システム、及び光信号処理システム - Google Patents

周波数分離器、光量子化回路、光ad変換システム、及び光信号処理システム Download PDF

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Abstract

周波数分離器(13)は、各光パルスが複数の周波数(F1~F7)のうちの一つを備える複数の光パルス(HHP(1)~HHP(7))を有する光を、各光成分が前記複数の周波数に対応する複数の周波数帯域(ΔF1~ΔF7)の一つを備えるべき複数の光成分(HS1~HS7)に分離するための複数の濾波器(GR1~GR7)を含み、一の濾波器が有する一の周波数帯域の中心周波数と、他の濾波器が有する、前記一の周波数帯域に隣接する他の周波数帯域の中心周波数とが、各周波数帯域の帯域幅を超過して離隔する。

Description

本開示は、周波数分離器、該周波数分離器を含む光量子化回路、該光量子化回路を含む光AD変換システム、及び、前記光量子化回路を含む光信号処理システムに関する。
特許文献1に開示された光通信での光量子化回路では、例えば、レッドチャープ現象の利用、及び周波数分布が狭いプローブ光信号の併用により、量子化の精度を向上させる。前記した光通信では、一般的に、高速化を企図して光パルスを幅狭化すると、光スペクトルが広帯域化する。
特開2018-138955号公報
本開示の目的は、上記した光スペクトルが広帯域化した下で、光を強度毎に複数の周波数帯域に分離しようとするとき、一の周波数帯域に分離されるべき光成分のエネルギーの一部が、当該一の周波数帯域に隣接する他の周波数帯域に漏洩する結果、上記したレッドチャープ現象の利用、周波数分布が狭いプローブ光信号の併用を行うか否かに拘わらず、上記した量子化に誤差が生じることに鑑み、量子化の誤差の発生を抑制することができる周波数分離器、光量子化回路、光AD変換システム、及び光信号処理システムを提供することにある。
上記した課題を解決すべく、本開示に係る周波数分離器は、各光パルスが複数の周波数のうちの一つを備える複数の光パルスを有する光を、各光成分が前記複数の周波数に対応する複数の周波数帯域の一つを備えるべき複数の光成分に分離、出力するための複数の濾波器を含み、一の濾波器が有する一の周波数帯域の中心周波数と、他の濾波器が有する、前記一の周波数帯域に隣接する他の周波数帯域の中心周波数とが、各周波数帯域の帯域幅を超過して離隔する。
本開示に係る周波数分離器によれば、前記一の周波数帯域に分離されるべき光成分のエネルギーが、前記一の周波数帯域に隣接する他の周波数帯域に漏洩することに起因する量子化の誤差の発生を抑制することができる。
実施形態1の光AD変換システム10の構成を示す。 実施形態1の光電気サンプリング部11の構成を示す。 実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13の出力特性を示す。 実施形態1の光合分配回路14の構成を示す。 実施形態1の光AD変換システム10の動作を示す。 図6Aは、実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13の動作を示す。図6Bは、比較例の周波数分離器の動作を示す。図6Cは、比較例2の周波数分離器の動作を示す。 実施形態1の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。 実施形態1の入力電気信号NDSの振幅と出力電気信号SDS(1)~SDS(3)が示す値との関係を示す。 比較例1の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。 比較例1の入力電気信号NDSの振幅と出力電気信号SDS(1)~SDS(3)が示す値との関係を示す。 比較例2の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。 比較例2の入力電気信号NDSの振幅と出力電気信号SDS(1)~SDS(3)が示す値との関係を示す。 実施形態2の光AD変換システム20の構成を示す。 実施形態2のグレイコード光合分配回路24の構成を示す。 実施形態2の光AD変換システム20の動作を示す。 実施形態2の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。 実施形態2の入力電気信号NDSの振幅と最終出力電気信号SSDSが示す値との関係を示す。 比較例の入力電気信号NDSの振幅と最終出力電気信号SSDSが示す値との関係を示す。
本開示に係る光AD変換システムの実施形態について説明する。
〈実施形態1〉
〈実施形態1の構成〉
〈全体の構成〉
図1は、実施形態1の光AD変換システム10の構成を示す。以下、実施形態1の光AD変換システム10の構成について、図1を参照して説明する。
実施形態1の光AD変換システム10は、アナログ値である入力電気信号NDSを、デジタル値である第1~第3の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)に変換すべく、即ち、AD変換を行うべく、図1に示されるように、光電気サンプリング部11と、光強度-周波数変換部12と、空隙グリッド周波数分離器13と、光合分配回路14と、第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)と、第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)と、を含む。
光強度-周波数変換部12、空隙グリッド周波数分離器13、及び光合分配回路14は、光量子化回路17を構成する。
空隙グリッド周波数分離器13は、「周波数分離器」に対応する。
光量子化回路17は、「光量子化回路」に対応する。光強度-周波数変換部12は、「第1の変換部」に対応する。光合分配回路14は、「第2の変換部」に対応する。
光電気サンプリング部11は、「生成部」に対応する。第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)は、「光電変換部」に対応する。第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)は、「AD変換部」に対応する。
光電気サンプリング部11は、入力電気信号NDSを複数の光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)へ変換する。光電気サンプリング部11は、詳しくは、入力電気信号NDSをサンプリングすることにより、即ち、周期的に抽出することにより、入力電気信号NDSの電圧、即ち、振幅の大きさに対応する光強度を有する光パルスである光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)へ変換する。
光強度-周波数変換部12は、光強度光パルスHHP(1)1~HHP(7)を周波数光パルスSHP(1)~SHP(7へ)変換する。光強度-周波数変換部12は、詳しくは、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)を、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)の光強度に対応する周波数を有する光パルスである周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)へ変換する。
空隙グリッド周波数分離器13は、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)を複数の光成分HS(1)~HS(7)に分離する。空隙グリッド周波数分離器13は、詳しくは、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)の周波数F(1)~F(7)(図3に図示。)に対応する周波数帯域ΔF(1)~ΔF(7)(図3に図示。)を有すべき光成分HS(1)~HS(7)に分離する。
光合分配回路14は、光成分HS(1)~HS(7)を統合し、または分割することにより、第1の光ビットHB(1)、第2の光ビットHB(2)、第3の光ビットHB(3)を生成する。
第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)は、第1~第3の光ビットHB(1)~HB(3)を、アナログ値である第1~第3の中間電気信号CDS(1)~CDS(3)に変換する。詳しくは、第1の光電変換器15(1)は、第1の光ビットHB(1)を第1の中間電気信号CDS(1)に変換する。第2の光電変換器15(2)は、第2の光ビットHB(2)を第2の中間電気信号CDS(2)に変換する。第3の光電変換器15(3)は、第3の光ビットHB(3)を第3の中間電気信号CDS(3)に変換する。
第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)は、アナログ値である第1~第3の中間電気信号CDS(1)~CDS(3)を、デジタル値である第1~第3の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)に変換する。詳しくは、第1の電気AD変換器16(1)は、第1の中間電気信号CDS(1)を第1の出力電気信号SDS(1)に変換する。第2の電気AD変換器16(2)は、第2の中間電気信号CDS(2)を第2の出力電気信号SDS(2)に変換する。第3の電気AD変換器16(3)は、第3の中間電気信号CDS(3)を第3の出力電気信号SDS(3)に変換する。
光合分配回路14に入力される光成分HS(1)~HS(7)の数と光合分配回路14から出力される光ビットHB(1)~HB(3)の数との関係については、前者の数は、後者の数よりも概ね大きい。例えば、前者の数は、(2のM乗-1)であり、他方で、後者の数は、Mであり、例えば、前者の数は、7であり、後者の数は、3である。
〈光電気サンプリング部11の構成〉
図2は、実施形態1の光電気サンプリング部11の構成を示す。
光電気サンプリング部11は、図2に示されるように、モードロックレーザ11Aと、光強度変調器11Bと、フォトダイオード11Cと、を有する。
モードロックレーザ11Aは、光パルス11Pを生成し、光パルス11Pを光強度変調器11B及びフォトダイオード11Cに周期的に出力する。光強度変調器11Bは、入力電気信号NDSの振幅の大きさに応じて、光パルス11Pの強度を変調することにより、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)を生成する。
フォトダイオード11Cは、光パルス11Pを、光パルス11Pのパルス繰り返し周波数と同一の周波数を有し、かつ、電気信号であるサンプリングクロックSCに変換する。
モードロックレーザ11Aは、例えば、電気光学変調器により発生させる光周波数コムでもよい。光強度変調器11Bは、入力電気信号NDSの振幅の大きさに応じて光パルス11Pの光強度を変調することができればよく、例えば、マッハツェンダー型干渉計により強度変調を行う光強度変調器、電界吸収効果により強度変調を行う電界吸収型光強度変調器でもよい。
〈光強度-周波数変換部12の構成〉
図1に戻り、光強度-周波数変換部12は、光強度毎に周波数をシフトさせ、即ち、光強度に対応する周波数へ変換し、例えば、非線形光学効果によるソリトン自己周波数シフト現象(SSFS:Soliton Self Frequency Shift)を用いて行う。ソリトン自己周波数シフト現象を効率良く発生させるためには、例えば、高非線形ファイバ、またはフォトニック結晶を用いるとよい。
光強度-周波数変換部12は、ソリトン自己周波数シフト現象の他には、例えば、光半導体増幅器を用いて、光パルスの光強度に応じて変化する光パルスの立ち上がりの周波数チャープ現象を発生させてもよく、また、光パルスを光増幅するときに生じる周波数チャープ現象を用いてもよい。
〈空隙グリッド周波数分離器13の構成〉
図3は、実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13の出力特性を示す。
空隙グリッド周波数分離器13は、7つの光成分HS(1)~HS(7)を出力すべく、図3に示されるように、空隙グリッド周波数分離器13が抽出する周波数の数、換言すれば、7つのグリッドGR(1)~GR(7)を有する。グリッドGR(1)~GR(7)は、実質的に帯域濾波器の機能を有する。各グリッドGR(1)~GR(7)の幅(-3dB)、即ち、帯域幅は、100GHzであり、グリッドGR(1)~GR(7)の間隔は、500GHzである。
ここで、グリッドの間隔とは、周波数帯域ΔF(1)~ΔF(7)のうち相互に隣接する2つの周波数帯域(例えば、周波数帯域ΔF(1)と周波数帯域ΔF(2))の各中心周波数(例えば、周波数F(1)と周波数F(2))間の距離である。グリッドの間隔は、グリッドの帯域幅より広ければよく、換言すれば、隣接する中心周波数(例えば、F(1)、F(2))が、相互に、周波数帯域(ΔF(1)、ΔF(2))の帯域幅(100GHz)を超過して離隔していればよい。グリッドの間隔は、上記した帯域幅との関係についての条件を満たせば、上記した500GHzより広くても狭くてもよい。
中心周波数F(1)~F(7)のうちで、中心周波数F(1)は、最も低い周波数であり、対照的に、中心周波数F(7)は、最も高い周波数である。周波数帯域ΔF(1)~ΔF(7)の帯域幅は、中心周波数F(1)~F(7)の高低とは無関係に、相互に同一(例えば、100GHz)である。
グリッドの数は、7より大きくても小さくてよい。グリッドGR(1)~GR(7)の幅は、100GHzより広くても狭くてもよい。
空隙グリッド周波数分離器13は、例えば、アレイ導波路回折格子(AWG:Arrayed Waveguide Gratings)、WDM(Wavelength Division Multiplexing:波長分割多重)カプラ、波長選択スイッチ(WSS:Wavelength Selective Switch)であってもよく、また、プレーナ光波回路(PLC:Planar Lightwave Circuit)、シリコンを用いて集積化されてもよい。
〈光合分配回路14の構成〉
図4は、実施形態1の光合分配回路14の構成を示す。
光合分配回路14は、図4に示されるように、7つの第1~第7の光減衰器14A(1)~14A(7)と、4つの第1~第4の光分配器14B(1)~14B(4)と、3つの第1~第3の光合波器14C(1)~14C(3)と、を有する。
第1の光減衰器14A(1)~14A(7)は、空隙グリッド周波数分離器13から出力される光成分HS(1)~HS(7)の光強度を調整し、詳しくは、光強度を減衰させる。
第1~第4の光分配器14B(1)~14B(4)は、一例として、第1の光減衰器14A(1)~14A(7)から出力される減衰される光成分HS(1)~HS(7)のうち、光成分HS(3)、HS(5)、HS(6)、HS(7)を分配する。
上記した光成分HS(3)、HS(5)、HS(6)、HS(7)が分配されて供給され、かつ、他の光成分である光成分HS(1)、HS(2)、HS(4)が分配されることなく供給される。これにより、図4に示されるように、第1の光合波器14C(1)には、光成分HS(A)~HS(D)が入力され、第2の光合波器14C(2)には、光成分HS(E)~HS(H)が入力され、第3の光合波器14C(3)には、光成分HS(i)~HS(L)が入力される。
第1の光合波器14C(1)は、光成分HS(A)~HS(D)を合波することにより、第1の光ビットHB(1)を生成する。第2の光合波器14C(2)は、光成分HS(E)~HS(H)を合波することにより、第2の光ビットHB(2)を生成する。第3の光合波器14C(3)は、光成分HS(i)~HS(L)を合波することにより、第3の光ビットHB(3)を生成する。
ここで、第3のHB(3)は、MSB(Most Significant Bit)であり、第1のHB(1)は、LSB(Least Significant Bit)である。
光合分配回路14は、プレーナ光波回路(PLC:Planar Lightwave Circuit)、シリコンを用いて集積化されてもよく、また、集積されていない、即ち、バラックであってもよい。WDMカプラ、波長選択スイッチを用いて構成してもよい。
〈第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)の構成〉
図1に戻り、第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)は、例えば、フォトダイオード、または、フォトダイオード及びトランスインピーダンスアンプを用いて構成される。
〈第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)の構成〉
第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)は、複数ビットの分解能を備えてもよく、また、1ビットの分解能を備えてもよく、例えば、コンパレータであってもよい。
〈実施形態1の動作〉
図5は、実施形態1の光AD変換システム10の動作を示す。
実施形態1の光AD変換システム10の動作について、図5を参照して説明する。
図2で、光電気サンプリング部11では、モードロックレーザ11Aから光パルス11Pが出力されると、光強度変調器11Bは、光パルス11Pを、入力電気信号NDSに基づき変調する。これにより、図5に示されるように、入力電気信号NDSの振幅の大きさに対応する光強度を有する光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)(HHP(7)のみ図示。)が生成される。
ここで、入力電気信号NDSの電圧の振幅は、図5に示されるように、時間的に線形であり、光強度変調器11Bにおける、入力電気信号NDSと光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)との関係は、線形であり、従って、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)の光強度も、時間的に線形である。
以下では、説明及び理解を容易にすべく、入力電気信号NDSの振幅が、図5に示されるように、1、2、3、4、5、6、7という7つの離散的な値であることを想定する。
光強度-周波数変換部12は、光強度光パルスHHP(1)~(7)が供給されると、ソリトン自己周波数シフト現象(SSFS)を発生させる。これにより、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)の光強度毎に異なる、周波数F(1)~F(7)を有する周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)(SHP(7)のみを図示。)が生成される。
ここで、図5に示されるように、入力電気信号NDSの離散的な振幅の値1~7と、中心周波数F(1)~F(7)とは対応している。例えば、入力電気信号NDSの振幅の値が、1であるとき、中心周波数は、F(1)であり、中心周波数F(1)の周波数光パルスSHP(1)のみが発生し、即ち、「有」であり、他方で、他の周波数光パルスSHP(2)~SHP(7)が発生せず、即ち、「無」である。同様にして、入力電気信号NDSの振幅の値が、2であるとき、中心周波数は、F(2)であり、また、入力電気信号NDSの振幅の値が、7であるとき、中心周波数は、F(7)である。
空隙グリッド周波数分離器13は、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)を、図3に図示されたグリッドGR(1)~GR(7)を用いて分離する。空隙グリッド周波数分離器13は、より詳しくは、図3に図示された、中心周波数がF(1)~F(7)であり、帯域幅ΔF(1)~ΔF(7)が100GHzであり、かつ、隣接するグリッド間の間隔が500GHzであるグリッドGR(1)~GR(7)を用いて分離する。
光合分配回路14は、一例として、以下の式(1)を満たす入出力特性を有する。

Figure 0007003336000001
sが1~7の整数であり、tが1~3の整数であることを想定すると、E_DWDMsは、s番めの光成分HS(s)の光電界であり、E_PDtは、t番めの光ビットHB(t)の光電界である。
ここで、光強度-周波数変換部12に入力される光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)と、光強度-周波数変換部12から出力される周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)とが比例の関係にあることを想定する。前記の想定の下で、光成分HS(1)~HS(7)が、等電界かつ等振幅であることから、光ビットHB(1)~HB(3)は、相互間で立ち上がりが同期する。
上記とは対照的に、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)と、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)とが比例の関係にない場合、または、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)のスペクトルが広がっている場合には、上記した式(1)内の平方根で表された損失値を、前記した比例の関係にない程度、または、前記したスペクトルの広がりの程度に応じて調整することにより、上記した同期を確保する。
光ビットHB(1)~HB(3)は、図1に示されるように、第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)、及び、第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)を経て、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)に変換され、即ち、量子化される。
上述した実施形態1の光AD変換システム10の動作により、例えば、振幅の値が1である、アナログ値の入力電気信号NDSは、0である第3の光ビットHB(3)、0である第2の光ビットHB(2)、及び、1である第1の光ビットHB(1)に変換され、当該変換の後、デジタル値として、0である第3の出力電気信号SDS(3)、0である第2の出力電気信号SDS(2)、及び、1である第1の出力電気信号SDS(1)が、出力される。
また、振幅の値が2である入力電気信号NDSは、0である第3の光ビットHB(3)、1である第2の光ビットHB(2)、及び、0である第1の光ビットHB(1)に変換され、当該変換の後、デジタル値として、0である第3の出力電気信号SDS(3)、1である第2の出力電気信号SDS(2)、及び、0である第1の出力電気信号SDS(1)が、出力される。
同様にして、振幅の値が7である入力電気信号NDSは、1である第3の光ビットHB(3)、1である第2の光ビットHB(2)、及び、1である第1の光ビットHB(1)に変換され、当該変換の後、デジタル値として、1である第3の出力電気信号SDS(3)、1である第2の出力電気信号SDS(2)、及び、1である第1の出力電気信号SDS(1)が、出力される。要約すれば、第1~第3の光ビットHB(1)~HB(3)、及び第1~第3の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)は、入力電気信号NDSの振幅が大きいほど、換言すれば、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)の光強度が大きいほど、より大きい値に変換される。
〈実施形態1の効果〉
上述したように、実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13では、図3に示されるように、
光成分HS(1)~HS(7)を分離すべく、中心周波数F(1)~F(7)のうちの隣接する中心周波数が、相互間で周波数帯域ΔF(1)~ΔF(7)の帯域幅(例えば、100GHz)を超過した距離(例えば、500GHz)を離隔する。これにより、実施形態1の光AD変換システム10では、一の周波数帯域の光エネルギーが、該一の周波数帯域に隣接する他の周波数帯域に漏洩することに起因する量子化の誤差の発生を抑制することができる。
実施形態1の光量子化回路17(図1に図示。)では、光合分配回路14が光成分HS(1)~HS(7)を統合しまたは分割することに先立って、空隙グリッド周波数分離器13により、隣接するグリッド間での光成分HS(1)~HS(7)の漏れ込みが抑制されている。これにより、
光量子化回路17では、光合分配回路14は、光ビットHB(1)~HB(3)の生成を、当該抑制を行わない場合に比して高精度で行うことができる。
実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13は、また、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)をグリッドGR(1)~GR(7)の帯域幅(例えば、100GHz)まで圧縮する。これにより、低利得なスペクトル圧縮器が不要となる。これにより、利得補填用のコンポーネントを削減することができ、その結果、コストを低減することができる。
実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13は、さらに、その帯域幅を、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)のスペクトル幅に対応させる必要が無い。これにより、汎用品を用いた設計が可能となり、換言すれば、設計を容易にし、また、コストを低減することが可能となる。
〈実施形態1と比較例〉
図6は、実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13の動作及び比較例の周波数分離器の動作を示す。
実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13では、図6Aに示されるように、グリッドGR(1)~GR(7)は相互に接しておらず、即ち、グリッドGR(1)~GR(7)の相互間に空隙が存在する。
上記とは相違して、比較例である周波数分離器では、図6B、図6Cに示されるように、グリッドGR(1)~GR(7)は相互に接しており、即ち、グリッドGR(1)~GR(7)の相互間に空隙が存在しない。詳しくは、比較例1の周波数分離器では、図6Bに示されるように、グリッドGR(1)~GR(7)の幅が、空隙グリッド周波数分離器13のグリッド幅(例えば、100GHz)と同一であり、かつ、グリッドGR(1)~GR(7)の相互間に空隙が存在しない。また、比較例2の周波数分離器では、図6Cに示されるように、グリッドGR(1)~GR(7)の幅が、空隙グリッド周波数分離器13のグリッド間の間隔(例えば、500GHz)と同一であり、かつ、グリッドの相互間に空隙が存在しない。
実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13では、図6Aに示されるように、例えば、グリッドGR(4)を通過する、中心周波数F(4)の光成分HS(4)が周波数軸上で広がっていても、上記したグリッド間に空隙が存在することにより、光成分HS(4)のエネルギーが、グリッドGR(4)に隣接するグリッドGR(3)、GR(5)へ漏れることを抑える。
比較例1の周波数分離器では、図6Bに示されるように、光成分HS(4)のエネルギーが、上記した空隙が存在しないことにより、他のグリッドGR(1)、GR(2)、GR(3)、GR(5)、GR(6)、GR(7)へ流入することから、量子化に誤差が生じる。
比較例2の周波数分離器では、図6Cに示されるように、光成分HS(4)のエネルギーが、上記した空隙が存在しないことにより、少なくとも、グリッドGR(4)に隣接する他のグリッドGR(3)、GR(5)へ流入することから、量子化に誤差が生じる。
図7は、実施形態1の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。
図7で、横軸は、入力電気信号NDSのサンプル番号を示す。横軸は、詳しくは、入力電気信号NDSの振幅が0から7まで0.1刻みで線形に掃引された、入力電気信号NDSの57個のサンプル番号を示す。縦軸は、8ビット(255通り)に量子化された、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)の大きさを示す。
出力電気信号SDS(1)~SDS(3)は、閾値THより大きいとき、1であると判定され、他方で、閾値THより小さいとき、0であると判定される。
図8は、実施形態1の入力電気信号NDSの振幅と出力電気信号SDS(1)~SDS(3)が示す値との関係を示す。
実施形態1の光AD変換システム10は、図8に示されるように、アナログ値である入力電気信号NDSを、デジタル値である出力電気信号SDS(1)~SDS(3)へAD変換し、より詳しくは、例えば、線形に変化する入力電気信号NDSを、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)へ誤差無く変換する。
図9は、比較例1の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。
図10は、比較例1の入力電気信号NDSの振幅と出力電気信号SDS(1)~SDS(3)が示す値との関係を示す。
図11は、比較例2の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。
図12は、比較例2の入力電気信号NDSの振幅と出力電気信号SDS(1)~SDS(3)が示す値との関係を示す。
実施形態1では、図8に示されるように、量子化が誤差1以内で行われる。
図7と、図9、図11とを比較すると、比較例1、比較例2の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)(図9、図11に図示。)が、実施形態1の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)(図7に図示。)と極めて相違する。当該相違に起因して、比較例1及び比較例2では、図10、図12に示されるように、量子化が誤差1より大きい範囲で行われる。
従って、実施形態1による量子化は、比較例1による量子化及び比較例2による量子化よりも優れている。
〈変形例〉
第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)は、上記した8ビットでの量子化に代えて、他のビット数での量子化でもよく、例えば、1ビットでの量子化を行うコンパレータを用いてもよい。
入力電気信号NDSは、上記した、時間的に線形に変化することに代えて、時間的に任意に変化してもよい。
〈実施形態2〉
〈実施形態2の構成〉
〈全体の構成〉
図13は、実施形態2の光AD変換システム20の構成を示す。以下、実施形態2の光AD変換システム20の構成について、図13を参照して説明する。
実施形態2の光AD変換システム20は、アナログ値である入力電気信号NDSを、デジタル値である最終出力電気信号SSDSにAD変換を行うべく、図13に示されるように、実施形態1の光AD変換システム10(図1に図示。)と同様に、光電気サンプリング部21と、光強度-周波数変換部22と、空隙グリッド周波数分離器23と、第1~第3の光電変換器25(1)~25(3)と、第1~第3の電気AD変換器26(1)~26(3)と、を含む。
実施形態2の光電気サンプリング部21、光強度-周波数変換部22、空隙グリッド周波数分離器23、第1~第3の光電変換器25(1)~25(3)、及び、第1~第3の電気AD変換器26(1)~26(3)の機能は、実施形態1の光電気サンプリング部11、光強度-周波数変換部12、空隙グリッド周波数分離器13、第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)、及び、第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)の機能と同一である。
実施形態2の光AD変換システム20は、他方で、実施形態1の光AD変換システム10と相違して、光合分配回路14の機能を有さずに、グレイコード光合分配回路24と、デコード処理器28を含む。
光強度-周波数変換部22、空隙グリッド周波数分離器23、及び、グレイコード光合分配回路24は、量子化回路27を構成する。
グレイコード光合分配回路24は、「第2の変換部」に対応する。デコード処理器28は、「デコード部」に対応する。
グレイコード光合分配回路24は、空隙グリッド周波数分離器23から出力される光成分HS(1)~HS(7)を、グレイコードを構成する光ビットHB(1)~HB(3)に合分配する。
デコード処理器28は、第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)から出力される、デジタル値である出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を、デジタル値である最終出力電気信号SSDSにデコードする。
〈グレイコード光合分配回路24の構成〉
図14は、実施形態2のグレイコード光合分配回路24の構成を示す。
グレイコード光合分配回路24は、図14に示されるように、第1~第7の光減衰器24A(1)~24A(7)と、第1~第4の光分配器24B(1)~24B(4)と、第1~第3の光合波器24C(1)~24C(3)と、を有する。
第1~第7の光減衰器24A(1)~24A(7)は、実施形態1の第1~第7の光減衰器14A(1)~14A(7)と同様に、空隙グリッド周波数分離器23から出力される光成分HS(1)~HS(7)の光強度を減衰させる。
第1~第4の光分配器24B(1)~24B(4)は、実施形態1の第1~第4の光分配器14B(1)~14B(4)と相違し、一例として、第1の光減衰器24A(1)~24A(7)から出力される減衰された光成分HS(1)~HS(7)のうち、光成分HS(2)、HS(4)、HS(5)、HS(6)を分配する。
上記した光成分HS(2)、HS(4)、HS(5)、HS(6)が分配されて供給され、かつ、他の光成分である光成分HS(1)、HS(3)、HS(7)が分配されることなく供給される。これにより、図14に示されるように、第1の光合波器24C(1)には、光成分HS(A)~HS(D)が入力され、第2の光合波器24C(2)には、光成分HS(E)~HS(H)が入力され、第3の光合波器24C(3)には、光成分HS(i)~HS(L)が入力される。
第1の光合波器24C(1)は、光成分HS(A)~HS(D)を合波することにより、第1の光ビットHB(1)を生成する。第2の光合波器24C(2)は、光成分HS(E)~HS(H)を合波することにより、第2の光ビットHB(2)を生成する。第3の光合波器24C(3)は、光成分HS(i)~HS(L)を合波することにより、第3の光ビットHB(3)を生成する。
グレイコード光合分配回路24は、プレーナ光波回路、シリコンを用いて集積化されてもよく、また、集積されていない、即ち、バラックであってもよい。WDMカプラ、波長選択スイッチを用いて構成してもよい。
〈デコード処理器28の構成〉
デコード処理器28は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Array)、マイクロコンピュータ、CPU(Central Processing Unit)により構成される。デコード処理器28は、上記したデコードを、順次処理してもよく、また、メモリ等の記憶媒体(図示せず。)に保存した後に一括で処理してもよい。
〈実施形態2の動作〉
図15は、実施形態2の光AD変換システム20の動作を示す。
実施形態2の光AD変換システム20の動作について、図15を参照して説明する。
実施形態2の光電気サンプリング部21~空隙グリッド周波数分離器23までの動作は、実施形態1の光電気サンプリング部11~空隙グリッド周波数分離器13までの動作と同様である。
実施形態2の第1~第3の光電変換器25(1)~25(3)、及び第1~第3の電気AD変換器26(1)~26(3)の動作は、実施形態1の第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)、及び第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)の動作と同様である。
グレイコード光合分配回路24は、一例として、以下の式(2)を満たす入出力特性を有する。

Figure 0007003336000002
実施形態1の式(1)と同様に、sが1~7の整数であり、tが1~3の整数であることを想定すると、E_DWDMsは、s番めの光成分HS(s)の光電界であり、E_PDtは、t番めの光ビットHB(t)の光電界である。
ここで、実施形態1と同様に、光強度-周波数変換部22に入力される光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)と、光強度-周波数変換部12から出力される周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)とが比例の関係にあることを想定する。前記の想定の下で、光成分HS(1)~HS(7)が、等電界かつ等振幅であることから、グレイコードである光ビットHB(1)~HB(3)は、相互間で立ち上がりが同期する。
上記とは対照的に、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)と、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)とが比例の関係にない場合、または、周波数光パルスSHP(1)~SHP(7)のスペクトルが広がっている場合には、実施形態1の式(1)について説明したと同様に、上記した式(2)内の平方根で表された損失値を、前記した比例の関係にない程度、または、前記したスペクトルの広がりの程度に応じて調整することにより、上記した同期を確保する。
グレイコード光合分配回路24は、図15のデコード処理器28の動作から示されるように、例えば、振幅の値が1である入力電気信号NDSに対応する中心周波数F(1)の光成分HS(1)を、0である第3の光ビットHB(3)、0である第2の光ビットHB(2)、1である第1の光ビットHB(1)へ変換する。これにより、光ビットHB(3)~HB(1)は、全体で、「001」を示す。
グレイコード光合分配回路24は、また、例えば、振幅の値が2である入力電気信号NDSに対応する中心周波数F(2)の光成分HS(2)を、0である第3の光ビットHB(3)、1である第2の光ビットHB(2)、1である第1の光ビットHB(1)へ変換する。これにより、光ビットHB(3)~HB(1)は、全体で、「011」を示す。
グレイコード光合分配回路24は、さらに、例えば、振幅の値が3である入力電気信号NDSに対応する中心周波数F(3)の光成分HS(3)を、0である第3の光ビットHB(3)、1である第2の光ビットHB(2)、0である第1の光ビットHB(1)へ変換する。これにより、光ビットHB(3)~HB(1)は、全体で、「010」を示す。
上記した変換により、例えば、入力電気信号NDSの振幅の値1を示す光ビットHB(3)~HB(1)の「001」と、振幅の値1に隣接する振幅の値2を示す光ビットHB(3)~HB(1)の「011」とは、1ビットのみ相違し、即ち、第2の光ビットHB(2)のみ、相違する。
同様に、振幅の値2を示す光ビットHB(3)~HB(1)の「011」と、振幅の値2に隣接する3を示す光ビットHB(3)~HB(1)の「010」とは、1ビットのみ相違し、即ち、光ビットHB(1)のみ相違する。
光ビットHB(1)~HB(3)は、実施形態1と同様に、第1~第3の光電変換器25(1)~25(3)、及び、第1~第3の電気AD変換器26(1)~26(3)を経て、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)に量子化される。
デコード処理器28は、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を二進数または十進数にデコードすることにより、最終出力電気信号SSDSを生成し、出力する。
〈実施形態2の効果〉
上述したように、実施形態2の光AD変換システム20では、空隙グリッド周波数分離器23が、実施形態1の空隙グリッド周波数分離器13と同様の分離を行うことに加えて、グレイコード光合分配回路24が、グレイコードへの変換を行う。これにより、通常のコードへの変換する場合における、相互に隣接する振幅の値の間で、例えば、振幅の値1、及び振幅の値1に隣接する振幅の値2について、前者の振幅の値1に対応する通常のコード「001」と、後者の振幅の値2に対応する通常のコード「010」との間で、2ビットの変化が生じるという事態を回避する。これにより、量子化の誤差をより低減することができる。
〈実施形態2と比較例〉
図16は、実施形態2の出力電気信号SDS(1)~SDS(3)を示す。
図16で、実施形態1の図7と同様に、横軸は、入力電気信号NDSのサンプル番号を示す。横軸は、具体的には、入力電気信号NDSの振幅が0から7まで0.1刻みで線形に掃引された、入力電気信号NDSの57個のサンプル番号を示す。縦軸は、8ビット(255通り)に量子化された、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)の大きさを示す。
実施形態1と同様に、出力電気信号SDS(1)~SDS(3)は、閾値THより大きいとき、1であると判定され、他方で、閾値THより小さいとき、0であると判定される。
図17は、実施形態2の入力電気信号NDSの振幅と最終出力電気信号SSDSが示す値との関係を示す。
実施形態2の光AD変換システム20は、実施形態1の光AD変換システム10の動作(図8に図示。)と同様に、アナログ値である入力電気信号NDSを、デジタル値である出力電気信号SDS(1)~SDS(3)へ誤差無く変換する。
図18は、比較例の入力電気信号NDSの振幅と最終出力電気信号SSDSが示す値との関係を示す。
比較例は、実施形態2と相違して、グレイコードへの変換を用いない。その結果、比較例では、上述したように、入力電気信号NDSの振幅の値1を表す通常のコード「001」と、振幅の値2を表す通常のコード「010」との間で、2つのビットが相違する。比較例では、当該2つのビットが相違することに起因して、図18に示されるように、例えば、点P1~P5で、量子化に誤差が発生する。
〈他の実施形態:光信号処理システム〉
上記した実施形態1の光AD変換システム10及び光AD変システム20が、上述した構成及び機能を有することに代えて、例えば、光信号処理システムが、上述した構成及び機能を有してもよい。
光信号処理システムでは、また、実施形態1の光量子化回路17、または実施形態2の光量子化回路27の入出力である、光強度光パルスHHP(1)~HHP(7)及び光ビットHB(1)~HB(7)が、実施形態1の光量子化回路17、及び実施形態2の光量子化回路27以外の回路、例えば、標本化機能、演算機能、及び記憶機能のうち少なくとも1つを有する回路に接続されてもよい。
光信号処理システムは、さらに、プレーナ光波回路、及びシリコンのうちの少なくとも1つを用いて集積化されてもよい。
なお、上記した実施形態同士を組み合わせること、及び、各実施形態中の構成要素を変形し又は省略することが、可能である。
本開示に係る周波数分離器は、例えば、量子化の誤差の発生を抑制することに利用可能である。
10 光AD変換システム、11 光電気サンプリング部、12 周波数変換部、13 空隙グリッド周波数分離器、14 光合分配回路、第1~第3の光電変換器15(1)~15(3)、第1~第3の電気AD変換器16(1)~16(3)、17 光量子化回路、20 光AD変換システム、21 光電気サンプリング部、22 周波数変換部、23 空隙グリッド周波数分離器、24 グレイコード光合分配回路、第1~第3の光電変換器25(1)~25(3)、26 第1~第3の電気AD変換器26(1)~26(3)、27 量子化回路、28 デコード処理器、GR グリッド、NDS 入力電気信号、CDS 中間電気信号、SDS 出力電気信号、SSDS 最終出力電気信号、HHP 光強度光パルス、SHP 周波数光パルス、HS 光成分、HB 光ビット、F 中心周波数、ΔF 周波数帯域。

Claims (13)

  1. 各光パルスが複数の周波数のうちの一つを備える複数の光パルスを有する光を、各光成分が前記複数の周波数に対応する複数の周波数帯域の一つを備えるべき複数の光成分に分離、出力するための複数の濾波器を含み、一の濾波器が有する一の周波数帯域の中心周波数と、他の濾波器が有する、前記一の周波数帯域に隣接する他の周波数帯域の中心周波数とが、各周波数帯域の帯域幅を超過して離隔する周波数分離器。
  2. 複数の光強度のうちの一つを各第2の光パルスが備える複数の第2の光パルスを、前記複数の光強度に対応する複数の周波数の一つを各光パルスが備える前記複数の前記光パルスに変換する第1の変換部と、
    前記第1の変換部により変換された複数の光パルスを、前記複数の光成分に分離する請求項1に記載の周波数分離器と、
    前記周波数分離器により分離された複数の光成分を、該複数の光成分の有無により表される第1の値に対応する第2の値を表す複数の光ビットに変換する第2の変換部と、
    を含む光量子化回路。
  3. 前記第2の変換部は、前記光強度がより大きいことに対応して前記中心周波数がより大きい前記光成分を、より大きい前記第2の値を表す前記複数の光ビットに変換する、請求項2に記載の光量子化回路。
  4. 前記第2の変換部は、前記複数の光成分から前記複数の光ビットへの変換を、前記複数の光成分のうち一の光成分が有ることにより表される一の第1の値に対応する一の第2の値を表す一の複数のビットと、前記複数の光成分のうち他の光成分が有ることにより表される他の第1の値に対応する他の第2の値を表す他の複数の光ビットとが、1ビットのみ相違するように行う、
    請求項2に記載の光量子化回路。
  5. 前記第2の変換部は、前記複数の光成分から前記複数の光ビットへの変換を、前記複数の光成分を入力としかつ前記複数の光ビットを出力とする、予め定められた入出力特性を有する式を用いて行う、
    請求項4に記載の光量子化回路。
  6. 請求項2に記載の光量子化回路と、
    入力電気信号の振幅に対応して変調することにより、前記複数の光強度を有する前記複数の第2の光パルスを生成する生成部と、
    を含む光AD変換システム。
  7. 請求項2に記載の複数の光ビットをアナログ値である中間電気信号に変換する光電変換部と、
    前記中間電気信号を、デジタル値である出力電気信号に変換するAD変換部と、
    を更に含む、請求項6に記載の光AD変換システム。
  8. 前記出力電気信号を他のデジタル値である最終出力電気信号に変換するデコード部を更に含む、請求項7に記載の光AD変換システム。
  9. 請求項2に記載の第2の光パルスを入力され、かつ、請求項2に記載の複数の光ビットを出力する、標本化機能、演算機能、及び記憶機能のうち少なくとも1つを有する回路を含む、光信号処理システム。
  10. プレーナ光波回路、及びシリコンのうちの少なくとも1つを用いて集積化された請求項1に記載の周波数分離器。
  11. プレーナ光波回路、及びシリコンのうちの少なくとも1つを用いて集積化された請求項2に記載の光量子化回路。
  12. プレーナ光波回路、及びシリコンのうちの少なくとも1つを用いて集積化された請求項6に記載の光AD変換システム。
  13. プレーナ光波回路、及びシリコンのうちの少なくとも1つを用いて集積化された請求項9に記載の光信号処理システム。
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