JP7001776B2 - タッチディスプレイ装置 - Google Patents

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Description

本明細書はディスプレイ装置に関し、特にタッチライン及びタッチ電極の間に形成される寄生キャパシタンスを低減することができるタッチディスプレイ装置に関する。
タッチスクリーンは、ディスプレイ装置などの画面に現れた指示内容を人の手又は物体で選択して使用者の命令を入力することができるようにした入力装置である。すなわち、タッチスクリーンは、人の手又は物体が直接接触した接触位置を電気的信号に変換し、接触位置で選択された指示内容が入力信号として受け入れられる。このようなタッチスクリーンはキーボード及びマウスのようにディスプレイ装置に連結されて動作する別途の入力装置を代替することができるから、その利用範囲が徐々に拡張している。
このようなタッチスクリーンは、多数のタッチ電極と、多数のタッチラインとを備える。タッチラインは、タッチ電極と接触していない非接触領域でもタッチ電極と重畳する形態に配置される。これにより、タッチラインとタッチ電極の間に形成される寄生キャパシタンスが増加することになるので、RC遅延も増加してタッチ性能が低下する問題点がある。
特開2016-192227号公報
本発明は前記問題点を解決するためのものであり、本発明はタッチライン及びタッチ電極の間に形成される寄生キャパシタンスを低減することができるタッチディスプレイ装置を提供することをその目的とする。
前記目的を達成するために、本発明によるタッチディスプレイ装置は、各サブ画素に配置される発光素子を封止する封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、タッチ電極から離隔するようにタッチ電極の間に配置され、タッチラインに沿って配置されるリダンダンシー電極とを備えることにより、タッチライン及びタッチ電極の間に形成される寄生キャパシタンスを低減することができる。
本発明では、タッチラインとタッチ電極の非接触領域で、タッチラインがタッチ電極から離隔したリダンダンシー電極と重畳することにより、タッチラインとタッチ電極の間の重畳面積を減らすことができるので、タッチラインとタッチ電極との間に形成される寄生キャパシタンスを低減することができる。
また、本発明では、タッチラインとタッチ電極の非接触領域で、タッチラインがそのタッチラインと等電位を成すリダンダンシー電極と重畳する。これにより、タッチラインの抵抗及び寄生キャパシタンスを減少させることができるので、RC遅延を減少させることができ、タッチ性能の低下を防止することができる。
さらに、本発明では、タッチラインとタッチ電極の非接触領域で、タッチラインが多数のリダンダンシー電極と電気的に接触することによりマルチパス(Multi path)を形成する。これにより、リダンダンシー電極はタッチラインの断線を防止する役割によって不良を減少させるとともに収率を向上させることができる。
本発明によるタッチディスプレイ装置を示す斜視図である。 図1の線“I-I’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 図1のA領域を拡大した平面図である。 図2に示したタッチパッドの他の実施例を示す断面図である。 本発明によるタッチセンサーの第1実施例を示す平面図である。 図5の線“II-II’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 図5に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図5に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図5に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図5に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 本発明によるタッチセンサーの第2実施例を示す平面図である。 図8の線“III-III’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 比較例と本発明によるタッチ電極及びタッチラインの配置関係を示す等価回路図である。 比較例と本発明によるタッチ電極及びタッチラインの配置関係を示す等価回路図である。 図8に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図8に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図8に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図8に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 本発明によるタッチセンサーの第3実施例を示す平面図である。 図12の線“IV-IV’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 本発明によるタッチセンサーの第4実施例を示す平面図である。 図14の線“V-V’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 図14に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図14に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図14に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図14に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図14に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 本発明によるタッチセンサーの第5実施例を示す平面図である。 図17に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 図17に示したタッチ電極、サブ画素及びタッチラインの配置関係を示す平面図である。 本発明によるタッチセンサーの第6実施例を示す平面図である。 リダンダンシーコンタクトホールを備える本発明によるタッチセンサーの第6実施例を示す平面図である。 本発明によるタッチセンサーの第7実施例を示す平面図である。 図21の線“VIa-VIa’”及び“VIb-VIb’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 本発明によるタッチセンサーの第8実施例を示す平面図である。 図23の線“VII-VII’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 本発明によるタッチセンサーの第9実施例を示す平面図である。 図25の線“VIII-VIII’”に沿って切断したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。 本発明によるタッチライン及びタッチ電極の他の実施例を示す平面図である。 本発明によるタッチライン及びタッチ電極の他の実施例を示す平面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
図1は本発明によるタッチディスプレイ装置を示す斜視図、図2は図1に示したタッチディスプレイ装置を示す断面図である。
図1及び図2に示したタッチディスプレイ装置は、タッチセンシング機能及びディスプレイ機能を果たす。すなわち、タッチディスプレイ装置は、マトリックス状に配列されたサブ画素からなる単位画素を介して映像を表示し、多数のタッチ電極を用いてタッチセンシング機能を果たす。
タッチディスプレイ装置は、基板101上にマトリックス状に配列された多数のサブ画素と、多数のサブ画素上に配置された封止ユニット140と、封止ユニット140上に配置されたタッチ電極150とを備える。
基板101は、フォルディング(folding)又はベンディング(bending)ができるように可撓性(flexibility)を有するプラスチック素材又はガラス素材から形成される。例えば、基板101は、PI(Polyimide)、PET(polyethylene terephthalate)、PEN(polyethylene naphthalate)、PC(polycarbonate)、PES(polyethersulfone)、PAR(polyarylate)、PSF(polysulfone)、COC(ciclic-olefin copolymer)などの素材から形成される。
単位画素は、図3に示したように、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)及び白色(W)のサブ画素SPの少なくとも3個のサブ画素から構成される。多数のサブ画素のそれぞれは、図2に示したように、多数の薄膜トランジスタ130を含む画素駆動回路と、画素駆動回路と接続される発光素子120とを備える。
画素駆動回路に含まれる駆動薄膜トランジスタ130は、その駆動トランジスタT2のゲート電極に供給されるデータ信号に応じて、高電圧供給ラインから発光素子120に供給される電流を制御することにより発光素子120の発光量を調節するようになる。
このような駆動薄膜トランジスタ130は、図2に示したように、バッファー層112上に配置される半導体層134と、ゲート絶縁膜114を挟んで半導体層134と重畳するゲート電極132と、少なくとも一つの層間絶縁膜114、116上に形成されて半導体層134と接触するソース及びドレイン電極136、138とを備える。ここで、半導体層134は、非晶質半導体物質、多結晶半導体物質及び酸化物半導体物質の少なくとも1種から形成される。
発光素子120は、アノード電極122と、アノード電極122上に形成される少なくとも一つの発光スタック124と、発光スタック124上に形成されたカソード電極126とを備える。
アノード電極122は層間絶縁膜114、116及び画素平坦化層166を貫通する画素コンタクトホールを通して露出された駆動薄膜トランジスタ130のドレイン電極138と電気的に接続される。
少なくとも一つの発光スタック124はバンク128によって設けられた発光領域のアノード電極122上に形成される。少なくとも一つの発光スタック124は、アノード電極122上に正孔関連層、有機発光層、電子関連層の順に又は逆順に積層されて形成される。その他にも、発光スタック124は電荷生成層を挟んで対向する第1及び第2発光スタックを備えることもできる。この場合、第1及び第2発光スタックのいずれか一つの有機発光層は青色光を生成し、第1及び第2発光スタックの残りの一つの有機発光層は黄色-緑色光を生成することにより、第1及び第2発光スタックを介して白色光が生成される。この発光スタック124で生成された白色光は、発光スタック124の上部又は下部に位置するカラーフィルターに入射するので、カラー映像を具現することができる。その他にも、別途のカラーフィルターなしに各発光スタック124で各サブ画素に相応するカラー光を生成してカラー映像を具現することもできる。すなわち、赤色サブ画素の発光スタック124は赤色光を、緑色サブ画素の発光スタック124は緑色光を、青色サブ画素の発光スタック124は青色光を生成することもできる。
カソード電極126は発光スタック124を挟んでアノード電極122と対向するように形成される。このカソード電極126は第1及び第2補助電極162a、162bを介して低電圧VSS供給ラインと接続される。第1補助電極162aはソース及びドレイン電極136、138と同じ素材から形成され、上部層間絶縁膜118上に配置される。この第1補助電極162aは上部層間絶縁膜118上で多数のダム110の少なくとも一つと重畳するように配置される。
第2補助電極162bはアノード電極122と同じ素材から形成され、画素平坦化層166上に配置される。この第2補助電極162bは、最外殻に配置される画素平坦化層166と第2ダム1102の第1サブダム層110aとの間に露出された第1補助電極162aと接続される。この場合、第2補助電極162bは最外殻に配置される画素平坦化層166の上面、側面、第1補助電極162aの上面、第2ダム1102の第1サブダム層110aの側面を経由するように形成される。また、バンク128の間に露出された第2補助電極164は画素平坦化層166上でカソード電極126と接続される。
封止ユニット140は外部の水分や酸素に脆弱な発光素子120であり、外部の水分や酸素が浸透することを遮断する。このために、封止ユニット140は、少なくとも1層の無機封止層142と、少なくとも1層の有機封止層144とを備える。本発明では、第1無機封止層142、有機封止層144及び第2無機封止層146が順次積層された封止ユニット140の構造を例として説明する。
第1無機封止層142は、カソード電極126が形成された基板101上に形成される。第2無機封止層146は有機封止層144が形成された基板101上に形成され、第1無機封止層142とともに有機封止層144の上面、下面及び側面を取り囲むように形成される。
このような第1及び第2無機封止層142、146は外部の水分や酸素が発光スタック124に浸透することを最小化するか遮断する。この第1及び第2無機封止層142、146は、窒化シリコン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiON)又は酸化アルミニウム(Al)のような低温蒸着可能な無機絶縁素材から形成される。これにより、第1及び第2無機封止層142、146は低温雰囲気で蒸着されるので、第1及び第2無機封止層142、146の蒸着工程の際、高温雰囲気に脆弱な発光スタック124が損傷することを防止することができる。
有機封止層144は有機発光ディスプレイ装置の撓みによる各層間の応力を緩和させる緩衝の役割を果たし、平坦化性能を強化する。この有機封止層144は、第1無機封止層142が形成された基板101上にPCL、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン又はシリコンオキシカーボン(SiOC)のような非感光性有機絶縁素材又はフォトアクリルのような感光性有機絶縁素材から形成される。このような有機封止層144はノンアクティブ領域を除いたアクティブ領域に配置される。このために、少なくとも一つのダム110は有機封止層144がノンアクティブ領域NAに拡散することを遮断するように配置される。少なくとも一つのダム110は、画素平坦化層166、バンク128及びスペーサー(図示せず)の少なくとも一つと同じ素材から形成される。例えば、ダム110が3個の場合、アクティブ領域AAに最も隣接した第1ダム1101は、バンク128と同じ素材からなる第2サブダム層110bとスペーサーと同じ素材からなる第3サブダム層110cが順次積層されて形成される。アクティブ領域AAから最も遠い第3ダム1103は、画素平坦化層166と同じ素材からなる第1サブダム層110aとバンク128と同じ素材からなる第2サブダム層110bが順次積層されて形成される。第1及び第3ダム1101、1103の間に配置される第2ダム1102は、画素平坦化層166と同じ素材からなる第1サブダム層110aと、バンク128と同じ素材からなる第2サブダム層110bと、スペーサーと同じ素材からなる第3サブダム層110cとが順次積層されて形成される。一方、アクティブ領域AAに最も隣接した第1ダム1101の少なくとも一部上に有機封止層144が配置されるので、有機封止層144は、画素平坦化層166及びバンク128のそれぞれとダム110との間の段差を補償するようになる。また、第1~第3ダム1101、1102、1103の中で高さが一番低い第1ダム1101なしに、第2及び第3ダム1102、1103のみで有機封止層144の形成領域を限定することもできる。
このような封止ユニット140の上部には多数のタッチ電極150が配置される。多数のタッチ電極150のそれぞれはそのタッチ電極150自体に形成された静電容量を含むので、使用者のタッチによる静電容量の変化を感知する自己容量(Self-Capacitance)方式のタッチセンサーとして用いられる。このようなタッチ電極150を用いる自己容量センシング方法は、タッチパッド170を介して供給される駆動信号がタッチライン152を介してタッチ電極150に印加されれば、電荷Qがタッチセンサーに蓄積される。ここで、使用者の指や伝導性物体がタッチ電極150に接触すれば、自己容量センサーにさらに寄生容量が連結されることによりキャパシタンス値が変わる。よって、指がタッチされたタッチセンサーとそうではないタッチセンサーとの間にキャパシタンス(Capacitance)値が異なることによりタッチ有無を判断することができる。
このために、多数のタッチ電極150は互いに交差する第1及び第2方向に分割されて独立的に形成される。多数のタッチ電極150のそれぞれは、使用者のタッチ面積を考慮して、多数のサブ画素に対応する大きさに形成される。例えば、1個のタッチ電極150は1個のサブ画素の数倍乃至数百倍以上の大きさを有する。
タッチ電極150は、Ta、Ti、Cu、Mo、Alのような耐食性及び耐酸性が強くて伝導性が良い不透明金属から単層又は多層の構造を有するように形成される。例えば、タッチ電極150はTi/Al/Tiから形成される。この不透明金属を用いるタッチ電極150及びリダンダンシー電極160は、図3に示したように、各サブ画素SPの発光領域EAと重畳せず、バンク128が配置される非発光領域NEAと重畳するメッシュ状に形成されるので、タッチ電極150によって開口率及び透過率が低下することを防止することができる。このようなメッシュ状のタッチ電極150は透明導電膜より伝導性が良いので、タッチ電極150を低抵抗電極に形成することができる。これにより、タッチ電極150自体の抵抗とキャパシタンスが減少してRC遅延が減少するので、タッチ感度を向上できる。
多数のタッチ電極150のそれぞれはタッチライン152のそれぞれと一対一で接続される。すなわち、多数のタッチ電極150のそれぞれはそのタッチ電極150を横切る多数のタッチライン152のいずれか一つと電気的に接続され、残りのタッチライン152とは電気的に絶縁される。例えば、第m(ここで、mは自然数)タッチ電極150は少なくとも一つのタッチコンタクトホールを介して第mタッチライン152と電気的に接続され、第mタッチライン152を除いた残りのタッチライン152とは電気的に絶縁される。第m+1タッチ電極150は少なくとも一つのタッチコンタクトホールを介して第m+1タッチライン152と電気的に接続され、第m+1タッチライン152を除いた残りのタッチライン152とは電気的に絶縁される。
多数のタッチ電極150を横切るタッチライン152はバンク128と重畳するように配置されることにより、タッチライン152によって開口率が損傷することを防止できる。また、タッチライン152は封止ユニット140の最上層である第2無機封止層146の上面及び側面上に配置される。これにより、タッチライン152を通して外部の酸素や水分が浸透しても封止ユニット140によって酸素や水分が遮断されることにより、酸素や水分から発光スタック124を保護できる。例えば、タッチライン152を第2無機封止層146上に配置されるタッチバッファー膜148上にタッチバッファー膜148と接触するように配置するか、別途のタッチバッファー膜なしに第2無機封止層146上に第2無機封止層146と接触するように配置できる。
タッチライン152のそれぞれはタッチパッド170と電気的に接続される。このタッチパッド170は、図2又は図4に示したように、少なくとも一つのタッチパッド電極172、174を備える。
図2に示したタッチパッド170に含まれた第1及び第2タッチパッド電極172、174のいずれか一つは封止ユニット上に配置される導電膜と同じ金属から形成される。例えば、第2タッチパッド電極174はタッチバッファー膜上でタッチライン152から延設されるので、タッチライン152と同じ素材からなる。第1タッチパッド電極172はタッチ絶縁膜158上でタッチ電極150と同じ素材からなる。このような第1タッチパッド電極172はタッチ絶縁膜158を貫通するパッドコンタクトホール178を通して露出された第2タッチパッド電極174と電気的に接続される。
図4に示したタッチパッド170に含まれた第1及び第2タッチパッド電極172、174の少なくとも一つは封止ユニットの下部に配置される導電膜と同じ金属から形成される。例えば、図4に示した第2タッチパッド電極174はソース及びドレイン電極136、138と同じ素材から同一平面上に配置される。第1タッチパッド電極172はタッチ絶縁膜158上にタッチ電極150と同じ素材からなる。このような第1タッチパッド電極172はタッチバッファー膜148及びタッチ絶縁膜158を貫通するパッドコンタクトホール178を通して露出された第2タッチパッド電極174と電気的に接続される。また、第1タッチパッド電極172はタッチ絶縁膜158を貫通するダミーコンタクトホール176を通して露出されたタッチライン152と電気的に接続されるか(図4)、あるいは第2タッチパッド電極174はタッチバッファー膜148及びタッチ絶縁膜158を貫通するダミーコンタクトホール176を通して露出されてタッチライン152と電気的に接続される(図示せず)。
このようなタッチパッド170及びディスプレイパッド180をタッチ保護膜198によって露出されるように形成することにより、タッチ駆動回路(図示せず)が実装された信号伝送フィルムと接続される。ここで、タッチ保護膜198はタッチ電極150を覆うように形成され、タッチ電極150が外部の水分などによって腐食することを防止する。このようなタッチ保護膜198はエポキシ又はアクリルのような有機絶縁素材から薄膜又はフィルム形態に形成されるか、SiNx又はSiOxのような無機絶縁素材から形成される。
このような本発明では、タッチ電極150とタッチライン152との間の寄生キャパシタンスを減らすために、タッチライン152と重畳するタッチ電極150の面積を減少させる。
図5及び図6は本発明によるタッチセンサーの第1実施例を示す平面図及び断面図である。
図5及び図6に示した多数のタッチ電極150のそれぞれは互いに交差する第1及び第2電極部150a、150bを備えることによりメッシュ状に形成される。第1電極部150aは第1方向に延び、第2電極部150bは第1方向と交差する第2方向に延びる。例えば、第1電極部150aは垂直方向に延び、第2電極部150bは水平方向に延びる。
多数のタッチ電極150のそれぞれ内に互いに独立して配置されるリダンダンシー電極160が配置される。このリダンダンシー電極160はフローティングされた状態でタッチ電極から離隔する。また、リダンダンシー電極160は封止ユニット140上で単位画素内に配置される。
リダンダンシー電極160はタッチ電極150と同じ素材からタッチ電極150と同一平面上に配置されるので、リダンダンシー電極160はタッチ絶縁膜158を挟んでタッチライン152と重畳するように配置される。このようなリダンダンシー電極160はタッチ電極150と同様にバンク128より小さい線幅で形成され、非発光領域に配置されるバンク128と重畳する。そして、第1電極部150aの間の水平離隔距離HL1と、リダンダンシー電極160と第1電極部150aとの間の水平離隔距離HL2は同一又は同様である。これにより、リダンダンシー電極160は第1方向に延びるタッチ電極の第1電極部150aと一列に配置されることにより、リダンダンシー電極160が視認されることを防止することができる。
タッチライン152はタッチ電極150と一対一で接続される。例えば、第1タッチラインT1は第1タッチ電極E1と接続され、第1タッチ電極E1と一列に配置される残りのタッチ電極E2、・・・、Emとは接続されない。第2タッチラインT2は第2タッチ電極E2と接続され、第2タッチ電極E2と一列に配置される残りのタッチ電極E1、E3、・・・、Emとは接続されない。
このようなタッチライン152は、一つのタッチ電極150当たり配置されるサブ画素行の数によって、一列に配置される多数のタッチ電極150を経由するタッチラインT1、T2、・・・、Tmの数及び配置が決定される。例えば、一つのタッチ電極150当たり配置されるサブ画素行の数がタッチラインT1、T2、・・・、Tmの数と同一であるかタッチラインT1、T2、・・・、Tmの数より1個少ない場合、タッチラインT1、T2、・・・、Tmは図7aに示した構造を有するように形成される。そして、一つのタッチ電極150当たり配置されるサブ画素行の数がタッチラインT1、T2、・・・、Tmの数より多い場合、タッチラインT1、T2、・・・、Tmは図7b~図7dのいずれか一つの構造を有するように形成される。
図7aに示したタッチラインT1、T2、・・・、Tmは縦方向に沿って多数のサブ画素SPが一列に配置される1個のサブ画素行ごとに配置される。この場合、リダンダンシー電極160は横方向に配列される1個のサブ画素SPごとに1個ずつ配置されるので、横方向に配列されるサブ画素SPとリダンダンシー電極160が交互に配置される。すなわち、多数のタッチラインT1、T2、・・・、Tm及びリダンダンシー電極160のそれぞれは発光素子を含む一つのサブ画素SPを挟んで離隔するように配置される。
図7bに示したタッチラインT1、T2、・・・、Tmは2個のサブ画素行ごとに配置され、リダンダンシー電極160は横方向に配列される2個のサブ画素SPごとに1個ずつ配置される。すなわち、多数のタッチラインT1、T2、・・・、Tm及びリダンダンシー電極160のそれぞれは横方向に配列された2個のサブ画素SPを挟んで離隔するように配置される。図7cに示したタッチラインT1、T2、・・・、Tmは3個のサブ画素行ごとに配置され、リダンダンシー電極160は横方向に配列される3個のサブ画素SPごとに1個ずつ配置される。すなわち、多数のタッチラインT1、T2、・・・、Tm及びリダンダンシー電極160のそれぞれは横方向に配列された3個のサブ画素SPを挟んで離隔するように配置される。図7dに示したタッチラインT1、T2、・・・、Tmは各タッチ電極150の左側領域及び右側領域を除いた中央領域を経由するように配置される。この場合、リダンダンシー電極160は各タッチ電極150の中央領域に配置されるサブ画素SPの間に配置される。
タッチライン152はタッチ電極150との接触領域CAでタッチ絶縁膜158を貫通するタッチコンタクトホール154を通して露出されてタッチ電極150と接続される。また、タッチライン152はタッチ電極150との非接触領域NCAでタッチ電極150及びリダンダンシー電極160を横切るように配置される。この場合、タッチライン152はタッチ電極150との非接触領域NCAでフローティング状態のリダンダンシー電極160と重畳する。すなわち、タッチライン152はタッチ電極150との非接触領域NCAでタッチ電極150の第1電極部150aを除いた第2電極部150bと重畳するので、タッチライン152はタッチ電極150との非接触領域NCAでタッチ電極150との重畳面積を減らすことができる。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、RC遅延が減少してタッチ性能を向上させることができる。
図8及び図9は本発明によるタッチセンサーの第2実施例を示す平面図及び断面図である。
図8及び図9に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、リダンダンシー電極160がタッチライン152と電気的に接続されることを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
リダンダンシー電極160はタッチ絶縁膜158を貫通するリダンダンシーコンタクトホール164を通して露出されたタッチライン152と電気的に接続されるので、タッチライン152とリダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタンスが形成されない。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAでタッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。
また、多数のリダンダンシー電極160がタッチライン152と電気的に接続されるので、多数のリダンダンシー電極160がタッチライン152と並列で連結される。これにより、タッチライン152を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。これについて、図10aに示した比較例と図10bに示した実施例の等価回路図を用いて説明する。
図10aに示した比較例の場合、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152とタッチ電極150はタッチ絶縁膜158を挟んで重畳する。これにより、タッチライン152とタッチ電極150との間の寄生キャパシタンスCpが増加してタッチ性能が低下する。
一方、図10bに示した実施例の場合、リダンダンシー電極160はタッチライン152と電気的に接続されるので、リダンダンシー電極160とタッチライン152は等電位を成す。これにより、タッチライン152の自体抵抗(self-resistance)R152はリダンダンシー電極160の自体抵抗R160と並列で連結されるので、タッチライン152の全体自体抵抗が小さくなる。また、タッチライン152とそのタッチライン152と等電位を成すリダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタンスが形成されない。このように、タッチライン152全体の自体抵抗及び寄生キャパシタンスが小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチライン152を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
さらに、多数のリダンダンシー電極160のそれぞれがタッチライン152と電気的に接続されてマルチパス(Multi path)を形成する。これにより、リダンダンシー電極160は、タッチライン152の断線に備えて予め備えられたリダンダンシー(Redundancy)として用いられるので、収率を向上させることができる。
このような多数のリダンダンシー電極160と接続されるタッチライン152は図11a~図11dのいずれか一つの構造を有するように形成される。図11a~図11cに示したタッチラインT1、T2、・・・、Tmは縦方向に沿って多数のサブ画素が一列に配置されるi(ここで、iは自然数)個のサブ画素行ごとに配置される。この場合、リダンダンシー電極160は横方向に配列されるi個のサブ画素SPごとに1個ずつ配置される。図11dに示したタッチラインT1、T2、・・・、Tmは各タッチ電極150の左側領域及び右側領域を除いた中央領域を経由するように配置される。この場合、リダンダンシー電極160は各タッチ電極150の中央領域に配置されるサブ画素SPの間に配置される。
図12及び図13は本発明によるタッチセンサーの第3実施例を示す平面図及び断面図である。
図12及び図13に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、リダンダンシー電極160が同一平面上に配置される第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bを備えることを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
第1リダンダンシー電極160aはタッチライン152と電気的に接続されてタッチライン152と等電位を成すので、タッチライン152とリダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタが形成されない。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上できる。
第2リダンダンシー電極160bは第1リダンダンシー電極160aと交互に配置されるので、第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bの間にはタッチ電極150の第2電極部150bが配置される。このような第2リダンダンシー電極160bは第1リダンダンシー電極160aとともにタッチ電極の第1電極部150aと一列に配置される。この第2リダンダンシー電極160bはタッチ電極150及び第1リダンダンシー電極160aから分離され、信号が印加されなかったフローティング状態に形成される。
この第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bはタッチ電極150と同じ素材から同一平面上に配置される。例えば、第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bとタッチ電極150はタッチ絶縁膜158上にタッチ金属層を用いたマスク工程によって一緒に形成される。
このような第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bはタッチライン152に沿って一列に配置される。タッチラインT1、T2、・・・、Tmは一つのタッチ電極150当たり配置されるサブ画素行の数によって一列に配置される多数のタッチ電極150を経由するタッチラインT1、T2、・・・、Tmの数及び配置が決定される。例えば、タッチラインT1、T2、・・・、Tmは縦方向に沿って多数のサブ画素が一列に配置されるi(ここで、iは自然数)個のサブ画素行ごとに配置されるか、各タッチ電極150の左側領域及び右側領域を除いた中央領域を経由するように配置される。
タッチライン152は、タッチ電極150との非接触領域NCAで、フローティング状態の第2リダンダンシー電極160b、及びタッチライン152と等電位を成す第1リダンダンシー電極160aと重畳する領域の分だけタッチ電極150との重畳面積を減らすことができる。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。
図14及び図15は本発明によるタッチセンサーの第4実施例を示す平面図及び断面図である。
図14及び図15に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、互いに異なる平面上に配置される第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bを備えることを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
第1リダンダンシー電極160aは、図14、図16a~図16eに示したように、タッチラインT1、T2、・・・、Tmに沿って一列に配置され、タッチラインT1、T2、・・・、Tmと重畳するように配置される。このような第1リダンダンシー電極160aはタッチ電極150と同じ素材からタッチ電極150と同一平面上に配置される。例えば、第1リダンダンシー電極160aはタッチ電極150と同じ素材からタッチ絶縁膜158上に配置される。この第1リダンダンシー電極160aは、図15に示したように、タッチ絶縁膜158を貫通する第1リダンダンシーコンタクトホール164を通して露出されたタッチライン152と電気的に接続される。タッチライン152と電気的に接続された第1リダンダンシー電極160aはタッチライン152と等電位を成すので、タッチライン152と第1リダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタが形成されない。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。また、多数の第1リダンダンシー電極160aがタッチライン152と電気的に接続されるので、多数の第1リダンダンシー電極160aがタッチライン152と並列で連結される。これにより、タッチライン152の全体内部抵抗が小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチライン152を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
第2リダンダンシー電極160bはタッチラインT1、T2、・・・、Tmと重畳しないタッチ電極150と重畳するように配置される。このような第2リダンダンシー電極160bはタッチラインT1、T2、・・・、Tmと同じ素材からタッチラインT1、T2、・・・、Tmと同一平面上に配置される。例えば、第2リダンダンシー電極160bは第1リダンダンシー電極160aと違う平面であるタッチバッファー層148及び封止ユニット140上に配置される。この第2リダンダンシー電極160bはタッチ絶縁膜158を貫通する第2リダンダンシーコンタクトホール184を通して露出されてタッチ電極150と電気的に接続される。タッチ電極150と電気的に接続された第2リダンダンシー電極160bはタッチ電極150と等電位を成すので、タッチ電極150及び第2リダンダンシー電極160bの間には寄生キャパシタが形成されない。これにより、タッチ電極150及び第2リダンダンシー電極160bの間の非接触領域NCAで、タッチ電極150及び第2リダンダンシー電極160bの間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。また、多数の第2リダンダンシー電極160bがタッチ電極150と電気的に接続されるので、多数の第2リダンダンシー電極160bがタッチ電極150と並列で連結される。これにより、タッチ電極150の全体内部抵抗が小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチ電極150を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
その他にも、第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bの少なくとも一つはフローティング状態に形成され得る。例えば、図16c~図16eに示したように、第2リダンダンシー電極160bはタッチ電極150から電気的に分離され、信号が印加されなかったフローティング状態に形成され得る。
このような第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bはタッチ電極150と同様にバンク128より小さい線幅で形成され、非発光領域に配置されるバンク128と重畳する。これにより、第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bが使用者に視認されることを防止できる。
タッチラインT1、T2、・・・、Tmは、図14及び図16cに示したように、縦方向に沿って多数のサブ画素SPが一列に配置される2個のサブ画素行ごとに配置されるか、図16a及び図16dに示したように、3個のサブ画素行ごとに配置されるか、図16b及び図16eに示したように、各タッチ電極150の左側領域及び右側領域を除いた中央領域を経由するように配置される。タッチラインT1、T2、・・・、Tmは、第1リダンダンシー電極160aと重畳する領域の分だけタッチ電極150との重畳面積を減らすことができる。これにより、タッチラインT1、T2、・・・、Tm及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上できる。
図17は本発明によるタッチセンサーの第5実施例を示す平面図である。
図17に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、リダンダンシー電極160が互いに異なる長さを有する第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bを備えることを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
タッチラインT1、T2、・・・、Tmは縦方向に沿って多数のサブ画素SPが一列に配置されるj(ここで、jは2以上の自然数)個のサブ画素行ごとに配置される。タッチラインT1、T2、・・・、Tmに沿って配置される第1リダンダンシー電極160aはタッチラインT1、T2、・・・、Tmと重畳するように配置される。
第1リダンダンシー電極160aは一つのサブ画素SP及び第2リダンダンシー電極160bのそれぞれの長さより長い長さを有する。例えば、第1リダンダンシー電極160aは縦方向に配列される2個のサブ画素SPに対応する長さを有するので、第1リダンダンシー電極160aは縦方向に配列される2個のサブ画素SP及び横方向に配列される2個のサブ画素SPごとに一つずつ配置される。
このような第1リダンダンシー電極160aはタッチ電極150と同じ素材からタッチ電極150と同一平面であるタッチ絶縁膜158上に配置される。この第1リダンダンシー電極160aは、図15に示したように、タッチ絶縁膜158を貫通する第1リダンダンシーコンタクトホール164を通して露出されたタッチライン152と電気的に接続される。タッチライン152と電気的に接続された第1リダンダンシー電極160aはタッチライン152と等電位を成すので、タッチライン152と第1リダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタが形成されない。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。また、多数の第1リダンダンシー電極160aがタッチライン152と電気的に接続されるので、多数の第1リダンダンシー電極160aがタッチライン152と並列で連結される。これにより、タッチライン152の全体内部抵抗が小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチライン152を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
第2リダンダンシー電極160bは第1リダンダンシー電極160aの長さより短い長さを有する。例えば、第2リダンダンシー電極160bは縦方向に配列される1個のサブ画素SPに対応する長さを有するので、第2リダンダンシー電極160bは縦方向に配列される1個のサブ画素SP及び横方向に配列される2個のサブ画素SPごとに一つずつ配置される。この第2リダンダンシー電極160bはタッチラインT1、T2、・・・、Tmと重畳しないタッチ電極150と重畳するように配置される。このような第2リダンダンシー電極160bはタッチラインT1、T2、・・・、Tmと同じ素材からタッチラインT1、T2、・・・、Tmと同一平面上に配置される。例えば、第2リダンダンシー電極160bは第1リダンダンシー電極160aと違う平面であるタッチバッファー層148及び封止ユニット140上に配置される。この第2リダンダンシー電極160bはタッチ絶縁膜158を貫通する第2リダンダンシーコンタクトホール184を通して露出されてタッチ電極150と電気的に接続される。タッチ電極150と電気的に接続された第2リダンダンシー電極160bはタッチ電極150と等電位を成すので、タッチ電極150及び第2リダンダンシー電極160bの間には寄生キャパシタが形成されない。これにより、タッチ電極150及び第2リダンダンシー電極160bの間の非接触領域NCAで、タッチ電極150及び第2リダンダンシー電極160bの間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。また、多数の第2リダンダンシー電極160bがタッチ電極150と電気的に接続されるので、多数の第2リダンダンシー電極160bがタッチ電極150と並列で連結される。これにより、タッチ電極150の全体内部抵抗が小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチ電極150を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
その他にも、第1及び第2リダンダンシー電極160a、160bの少なくとも一つは、図18aに示したように、フローティング状態に形成されることもできる。例えば、第2リダンダンシー電極160bはタッチ電極150から電気的に分離され、信号が印加されなかったフローティング状態に形成されることもできる。また、リダンダンシー電極160は、図18bに示したように、第2リダンダンシー電極160bなしに第1リダンダンシー電極160aのみで構成され得る。
図19及び図20は本発明によるタッチセンサーの第6実施例を示す平面図である。
図19及び図20に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、リダンダンシー電極が長辺及び短辺を備えることを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
リダンダンシー電極160は長辺領域LA及び短辺領域SAを備える。長辺領域LAはタッチラインに沿って縦方向に配列される2個のサブ画素ごとに配置されるので、長辺領域LAは縦方向に配列される2個のサブ画素SPに対応する長さを有する。短辺領域は長辺領域から、縦方向に配列される2個のサブ画素の間に突出する。このような短辺領域及び長辺領域を備えるリダンダンシー電極160は“T”字形に形成される。
このようなリダンダンシー電極160はタッチ電極150と同じ素材からタッチ電極150と同一平面であるタッチ絶縁膜158上に配置される。このリダンダンシー電極160は、図15に示したように、タッチ絶縁膜158を貫通する第1リダンダンシーコンタクトホール164を通して露出されたタッチライン152と電気的に接続される。タッチライン152と電気的に接続されたリダンダンシー電極160はタッチライン152と等電位を成すので、タッチライン152と第1リダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタが形成されない。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。また、多数のリダンダンシー電極160がタッチライン152と電気的に接続されるので、多数のリダンダンシー電極160がタッチライン152と並列で連結される。これにより、タッチライン152の全体内部抵抗が小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチライン152を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
その他にも、リダンダンシー電極160は、図20に示したように、フローティング状態に形成されることもできる。例えば、リダンダンシー電極160はタッチ電極150から電気的に分離され、信号が印加されなかったフローティング状態に形成されることもできる。
図21及び図22は本発明によるタッチセンサーの第7実施例を示す平面図及び断面図である。
図21及び図22に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、タッチライン152がメッシュ状に形成されることを除き、同じ構成要素を備える。
図21及び図22に示したタッチライン152は第1~第3タッチライン152a、152b、152cを用いてメッシュ状に形成される。
第1及び第2タッチライン152a、152bはタッチ電極150の第1電極部150aに平行に形成される。第3タッチライン152cは第1及び第2タッチライン152a、152bの間でリダンダンシー電極160及びタッチ電極150の第2電極部150bの少なくとも一つと重畳するように形成される。
ここで、第1~第3タッチライン152a、152b、152cのそれぞれは非発光領域に配置されるバンク128より小さい線幅でバンク128と重畳するように形成される。例えば、第1及び第2タッチライン152a、152bの少なくとも一つと、第1電極部150aの線幅は第2電極部150bの線幅より小さく形成される。この場合、タッチ電極150の第1電極部150aの一側(つまり、左側)と第1タッチライン152aの他側(つまり、右側)との間の離隔距離d1はバンク128の線幅より小さく形成され、タッチ電極150の第1電極部150a の他側(つまり、右側)と第2タッチライン152bの一側(つまり、左側)との間の離隔距離d2はバンク128の線幅より小さく形成される。これにより、第1及び第2タッチライン152a、152bがバンク128と重畳することにより、第1及び第2タッチライン152a、152bによって開口率が損傷することを防止することができる。
そして、リダンダンシー電極160と第1電極部150aとの間の水平離隔距離HL2は第1電極部150aの間の水平離隔距離HL1より小さく形成される。ここで、リダンダンシー電極160と第1電極部150aとの間の水平離隔距離HL2はバンク128と重畳し、リダンダンシー電極160は第1方向に延びるタッチ電極の第1電極部150aと一列に配置されることにより、リダンダンシー電極160が視認されることを防止することができる。
タッチ電極150は第1電極部150aを除いた第2電極部150bのみタッチライン152と重畳する。ここで、タッチ電極150の第2電極部150bはタッチライン152との接触領域CAでタッチ絶縁膜158を貫通するタッチコンタクトホール154を通して露出されたタッチライン152と接続される。
また、メッシュ状のタッチライン152はタッチ電極150の第1電極部150aを除いたリダンダンシー電極160及び第2電極部150bの少なくとも一つと重畳することにより、タッチライン152とタッチ電極150との間の重畳面積が最小化する。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上させることができる。
図23及び図24は本発明によるタッチセンサーの第8実施例を示す平面図及び断面図である。
図23及び図24に示したタッチセンサーは、図21及び図22に示したタッチセンサーに比べて、タッチライン152が独立したリダンダンシー電極160と接触することを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
リダンダンシー電極160はタッチ絶縁膜158を貫通するリダンダンシーコンタクトホール164を通して露出されたタッチライン152と電気的に接続されるので、タッチライン152とリダンダンシー電極160との間には寄生キャパシタンスが形成されない。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上できる。
また、多数のリダンダンシー電極160がタッチライン152と電気的に接続されるので、多数のリダンダンシー電極160がタッチライン152と並列で連結される。これにより、タッチライン152の全体内部抵抗が小さくなれば、RC遅延の大きさが小さくなり、タッチライン152を介して伝送されるタッチ信号の歪みを減らすことができる。
さらに、多数のリダンダンシー電極160のそれぞれがタッチライン152と電気的に接続されてマルチパス(Multi path)を形成する。これにより、リダンダンシー電極160はタッチライン152の断線も備えて予め備えられたリダンダンシー(Redundancy)として用いられるので、収率を向上できる。
図25及び図26は本発明によるタッチセンサーの第9実施例を示す平面図及び断面図である。
図25及び図26に示したタッチセンサーは、図5及び図6に示したタッチセンサーに比べて、リダンダンシー電極を備えないことを除き、同じ構成要素を備える。よって、同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
図25及び図26に示したタッチライン152はタッチ電極150との接触領域CAでタッチ絶縁膜158を貫通するタッチコンタクトホール154を通して露出されてタッチ電極150と接続される。
また、タッチライン152はタッチ電極150との非接触領域NCAでタッチ電極150を横切るように配置される。すなわち、タッチライン152はタッチ電極150との非接触領域NCAでタッチ電極の第1電極部150aと重畳せず、タッチ電極の第2電極部150bと重畳する。これにより、タッチライン152及びタッチ電極150の間の非接触領域NCAで、タッチライン152及びタッチ電極150の間の寄生キャパシタンスを減らすことができるので、タッチ性能を向上できる。
一方、本発明ではタッチライン152がストライプ状に形成される構造を例として説明したが、その他にも、図27a及び図27bに示したように、バンク128の形状よってタッチライン152はジグザグ状に形成されることもできる。この場合、図27a及び図27bに示したリダンダンシー電極160はタッチ電極150から分離され、リダンダンシーコンタクトホール164を介してタッチライン152と電気的に接続される。このようなタッチ電極150、リダンダンシー電極160及びタッチライン152はバンクと重畳するように形成される。
また、本発明では単位画素が、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)のサブ画素SPから構成された構造を例として説明したが、その他にも、単位画素は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)及び白色(W)のサブ画素SPから構成されるか、一つの赤色(R)、二つの緑色(G)及び一つの青色(B)のサブ画素SPから構成されるか、一つの赤色(R)、一つの緑色(G)及び二つの青色(B)のサブ画素SPから構成されることもできる。
以上の説明は本発明を例示的に説明したものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様な変形が可能であろう。したがって、本発明の明細書に開示された実施例は本発明を限定するものではない。本発明の範囲は下記の特許請求範囲によって解釈されなければならなく、それと均等な範囲内にある全ての技術も本発明の範囲に含まれるものに解釈さなければならないであろう。
120 発光素子
128 バンク
130 トランジスタ
140 封止ユニット
150 タッチ電極
152 タッチライン
160 リダンダンシー電極
170 タッチパッド

Claims (23)

  1. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔し、前記多数のタッチ電極のそれぞれ内で互いに独立して配置され、前記単位画素内に配置される少なくとも一つのリダンダンシー電極と
    を備え
    前記リダンダンシー電極は前記タッチラインと重畳しながら前記タッチラインに沿って配置される、
    タッチディスプレイ装置。
  2. 前記多数のタッチ電極のそれぞれは互いに交差するように配置される第1電極部及び第2電極部を備え、
    前記リダンダンシー電極は前記多数のタッチ電極のそれぞれの前記第1電極部の間または第2電極部の間で前記第1及び第2電極部の少なくとも一つに平行に配置される、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  3. 前記発光素子の発光領域を備えるバンクをさらに備え、
    前記第1及び第2電極部と前記リダンダンシー電極は前記バンクと重畳する、請求項に記載のタッチディスプレイ装置。
  4. 前記リダンダンシー電極はフローティングされる、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  5. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔し、前記多数のタッチ電極のそれぞれ内で互いに独立して配置され、前記単位画素内に配置される少なくとも一つのリダンダンシー電極と
    を備え、
    前記リダンダンシー電極は前記タッチラインと電気的に接続される
    ッチディスプレイ装置。
  6. 前記多数のタッチラインは前記多数のサブ画素の少なくとも一つのサブ画素を挟んで平行に配置される、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  7. 前記リダンダンシー電極は縦方向に配列される少なくとも一つの前記サブ画素単位で配置される、請求項に記載のタッチディスプレイ装置。
  8. 前記リダンダンシー電極は、
    縦方向に配列される2個の前記サブ画素と同じ長さを有する長辺領域と、
    前記長辺領域から横方向に突出する短辺領域と
    を有する、請求項に記載のタッチディスプレイ装置。
  9. 前記多数のタッチラインは前記タッチ電極の左側領域及び右側領域を除いた中央領域を経由するように配置される、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  10. 前記リダンダンシー電極は前記タッチ電極と同じ素材から前記タッチ電極と同一平面上に配置される、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  11. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔し、前記多数のタッチ電極のそれぞれ内で互いに独立して配置され、前記単位画素内に配置される少なくとも一つのリダンダンシー電極と
    を備え、
    前記リダンダンシー電極は、
    前記タッチラインと電気的に接続される第1リダンダンシー電極と、
    前記第1リダンダンシー電極から離隔してフローティングされた第2リダンダンシー電極と
    を備える、タッチディスプレイ装置。
  12. 前記第1及び第2リダンダンシー電極は前記タッチ電極と同じ素材から前記タッチ電極と同一平面上に配置される、請求項11に記載のタッチディスプレイ装置。
  13. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔し、前記多数のタッチ電極のそれぞれ内で互いに独立して配置され、前記単位画素内に配置される少なくとも一つのリダンダンシー電極と
    を備え、
    前記リダンダンシー電極は、
    前記タッチラインと重畳するように配置される多数の第1リダンダンシー電極と、
    前記タッチ電極と重畳するように配置される多数の第2リダンダンシー電極と
    を備える、タッチディスプレイ装置。
  14. 前記第1リダンダンシー電極は前記タッチ電極と同じ素材から前記タッチ電極と同一平面上に配置され、
    前記第2リダンダンシー電極は前記タッチラインと同じ素材から前記タッチラインと同一平面上に配置される、請求項13に記載のタッチディスプレイ装置。
  15. 前記タッチラインは前記発光素子の発光領域に沿ってストライプ状、ジグザグ状又はメッシュ状になる、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  16. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置される多数のタッチ電極と、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれと接続され、前記タッチ電極を経由するタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔し、前記多数のタッチ電極のそれぞれ内で互いに独立して配置され、前記単位画素内に配置される少なくとも一つのリダンダンシー電極と
    を備え、
    前記タッチ電極は、
    1方向に延びる第1電極部と、
    前記第1方向と違う第2方向に延びる第2電極部とを備え、
    前記タッチラインは、
    前記タッチ電極の第1電極部と重畳しない第1及び第2タッチラインと、
    前記第1及び第2タッチラインの間に配置され、前記第2電極部と重畳する第3タッチラインと
    を備える、タッチディスプレイ装置。
  17. 前記第1電極部と前記第1及び第2タッチラインの少なくとも一つの線幅は前記第2電極部の線幅より小さい、請求項16に記載のタッチディスプレイ装置。
  18. 前記単位画素は、少なくとも一つの赤色サブ画素、少なくとも一つの緑色サブ画素、少なくとも一つの青色サブ画素及び少なくとも一つの白色サブ画素の少なくとも3個のサブ画素を含む、請求項1に記載のタッチディスプレイ装置。
  19. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置されるタッチ電極と、
    前記タッチ電極と接続されるタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔するように前記タッチ電極の間に配置され、前記タッチラインに沿って配置されるリダンダンシー電極と
    を備え
    前記リダンダンシー電極は前記発光素子の発光領域を備えるバンクと重畳し、
    前記リダンダンシー電極は前記タッチラインと電気的に接続される、
    タッチディスプレイ装置。
  20. 前記リダンダンシー電極はフローティングされる、請求項19に記載のタッチディスプレイ装置。
  21. 前記リダンダンシー電極は前記タッチ電極と同じ素材から前記タッチ電極と同一平面上に配置される、請求項19に記載のタッチディスプレイ装置。
  22. 基板上に配置され、多数のサブ画素からなる単位画素と、
    前記多数のサブ画素のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止ユニットと、
    前記封止ユニット上に配置されるタッチ電極と、
    前記タッチ電極と接続されるタッチラインと、
    前記タッチ電極から離隔するように前記タッチ電極の間に配置され、前記タッチラインに沿って配置されるリダンダンシー電極と
    を備え、
    前記リダンダンシー電極は、
    前記タッチラインと重畳するように配置される多数の第1リダンダンシー電極と、
    前記タッチ電極と重畳するように配置される多数の第2リダンダンシー電極と
    を備える、タッチディスプレイ装置。
  23. 前記第1リダンダンシー電極は前記タッチ電極と同じ素材から前記タッチ電極と同一平面上に配置され、
    前記第2リダンダンシー電極は前記タッチラインと同じ素材から前記タッチラインと同一平面上に配置される、請求項22に記載のタッチディスプレイ装置。
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