JP6996153B2 - Manufacturing method of semiconductor devices and molding dies for semiconductor devices - Google Patents

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Description

この発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a molding die for the semiconductor device.

従来、半導体部品を樹脂封止(モールドシール)する方法として、金型の凹部(キャビティ:Cavity)に配置した半導体部品を、軟化させた樹脂材料を加熱しながら圧入して流動させキャビティ内に移送して成形するトランスファー成形(移送成形)法が公知である。トランスファー成形は、金型を高圧力で型締めし、前記金型の内部に高圧力で樹脂を流動させるため、熱硬化樹脂の成形に向いている。トランスファー成形に用いる金型の寸法は、成形品の寸法や、1つの金型で成形可能な成形品数など成形品に起因して、かつ、金型を取り付ける成形装置の性能や機構に起因して、決定される。また、このように金型の寸法を決定するにあたって制約がある場合、一般的に、金型を取り付ける方向や、金型に樹脂材料を圧入する方向にも制約があり、成形品の形状の自由度が低い。 Conventionally, as a method of resin-sealing (mold sealing) a semiconductor part, a semiconductor part placed in a concave portion (cavity) of a mold is press-fitted while heating a softened resin material to flow and transfer into the cavity. A transfer molding (transfer molding) method is known. Transfer molding is suitable for molding thermosetting resin because the mold is fastened with high pressure and the resin is allowed to flow inside the mold with high pressure. The size of the mold used for transfer molding is due to the size of the molded product, the number of molded products that can be molded with one mold, and the performance and mechanism of the molding device to which the mold is attached. ,It is determined. In addition, when there are restrictions in determining the dimensions of the mold in this way, there are generally restrictions on the direction in which the mold is attached and the direction in which the resin material is press-fitted into the mold, and the shape of the molded product is free. The degree is low.

従来の金型として、ポットに結合したセンターブロック、センターブロックの左右両側に配置されたキャビティブロック、これらの部品を支える熱板、および成形品を金型取り出すイジェクト機構を有する金型(上型)と、この上型の下側に位置する金型(下型)と、の対からなるトランスファー成形用の金型が提案されている(例えば、下記特許文献1(第2頁左下欄14行目~第3頁左上欄11行目)参照。)。下記特許文献1では、トランスファー成形装置の熱板に、クランプ機構を介して着脱可能にキャビティブロック(金型)が直接取り付けられており、前記キャビティブロックに、熱板側に備えたイジェクトピンと連動する専用のイジェクト機構が組み込まれている。 As a conventional mold, a mold having a center block connected to a pot, cavity blocks arranged on the left and right sides of the center block, a hot plate supporting these parts, and an eject mechanism for taking out a molded product (upper mold). A mold for transfer molding consisting of a mold (lower mold) located below the upper mold and a mold for transfer molding has been proposed (for example, Patent Document 1 below (page 2, lower left column, line 14). -See page 3, upper left column, line 11).). In Patent Document 1 below, a cavity block (mold) is directly attached to the hot plate of the transfer molding apparatus via a clamp mechanism, and the cavity block is interlocked with an eject pin provided on the hot plate side. A dedicated eject mechanism is built in.

また、従来の別の金型として、射出成形用の金型であって、金型構成部材(個別金型)を金型装着部材(本体金型)の凹部に装着した金型が提案されている(例えば、下記特許文献2(第2頁右下欄3~11行目、第3図)参照。)。図39は、従来の金型の構造の別の一例を示す平面図である。図39は、下記特許文献2の図3(c)である。下記特許文献2では、本体金型243の凹部に4つの個別金型241(太線の矩形部分)を嵌めこんで、各個別金型241のキャビティ244内で樹脂封止を行っている。個別金型241には、キャビティ244に連続する油圧押し出しピン穴242が設けられており、油圧押し出しピン穴242にピン(不図示)を挿入することでキャビティ244の内部の成形品が取り出される。 Further, as another conventional mold, a mold for injection molding, in which a mold constituent member (individual mold) is mounted in a recess of a mold mounting member (main body mold), has been proposed. (For example, see Patent Document 2 below (page 2, lower right column, lines 3 to 11, FIG. 3).) FIG. 39 is a plan view showing another example of the structure of the conventional mold. FIG. 39 is FIG. 3 (c) of Patent Document 2 below. In the following Patent Document 2, four individual molds 241 (rectangular portions of thick wires) are fitted into the recesses of the main body mold 243, and resin sealing is performed in the cavity 244 of each individual mold 241. The individual mold 241 is provided with a hydraulic extrusion pin hole 242 continuous with the cavity 244, and a molded product inside the cavity 244 is taken out by inserting a pin (not shown) into the hydraulic extrusion pin hole 242.

また、従来の別の金型として、射出成形用の金型であって、固定側の本体金型と可動側の本体金型にそれぞれ個別金型を嵌め込んだ金型が提案されている(例えば、下記特許文献3(第0015~0019段落、第1図)参照。)。図40は、従来の金型の構造の別の一例を示す断面図である。図40は、下記特許文献3の図1である。下記特許文献3では、固定盤255に固定された固定側の本体金型251に嵌め込まれた個別金型253(太線の矩形部分)には、キャビティ(凹部)253aが設けられている。可動側の本体金型252に嵌め込まれた個別金型254(太線の矩形部分)には、コア(凸部)254aが設けられている。個別金型253,254は、それぞれ本体金型251,252にねじ止めされている。 Further, as another conventional mold, a mold for injection molding, in which individual molds are fitted into the main body mold on the fixed side and the main body mold on the movable side, has been proposed (a mold). For example, see Patent Document 3 below (paragraphs 0015 to 0019, FIG. 1). FIG. 40 is a cross-sectional view showing another example of the structure of a conventional mold. FIG. 40 is FIG. 1 of Patent Document 3 below. In Patent Document 3 below, a cavity (recess) 253a is provided in the individual mold 253 (the rectangular portion of the thick line) fitted in the main body mold 251 on the fixed side fixed to the fixing plate 255. A core (convex portion) 254a is provided on the individual mold 254 (rectangular portion of the thick line) fitted in the main body mold 252 on the movable side. The individual molds 253 and 254 are screwed to the main body molds 251,252, respectively.

特開平3-244515号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-244515 特開昭62-028219号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-028219 特開2004-050557号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-05557

しかしながら、従来のトランスファー成形では、半導体モジュールを樹脂封止する際、樹脂流動方向や部品配置によって樹脂材料の内部に気泡(ボイド)が残り、この気泡の残存などによる絶縁不良が発生している。そのため、半導体部品の形状に合わせて、樹脂流動の方向を変えられる金型が求められている。また、従来のトランスファー成形では、成形装置の制約があり、上下方向に金型面が対向する一対の金型を有する構造の成形装置のみが用いられる。このため、上述したように樹脂材料の内部に残る気泡などによる絶縁不良が発生する。 However, in the conventional transfer molding, when the semiconductor module is resin-sealed, bubbles (voids) remain inside the resin material depending on the resin flow direction and the arrangement of parts, and insulation defects occur due to the remaining bubbles and the like. Therefore, there is a demand for a mold that can change the direction of resin flow according to the shape of the semiconductor component. Further, in the conventional transfer molding, there are restrictions on the molding apparatus, and only a molding apparatus having a structure having a pair of molds having mold surfaces facing each other in the vertical direction is used. Therefore, as described above, insulation failure occurs due to air bubbles remaining inside the resin material.

上記特許文献2,3のような射出成形では、成形装置の制約が少なく、横方向(上下方向と直交する方向)に金型面が対向する一対の金型を有する横型の成形装置も存在する。しかしながら、トランスファー成形に比べて、金型を低圧力で型締めし、前記金型の内部に低圧力で樹脂を流動させるため、熱可塑樹脂の成形に向いているが、熱硬化樹脂の成形には向いていない。また、射出用の成形装置で一般的に用いる入れ子の技術を従来のトランスファー成形に適用したとしても、樹脂材料の内部に残る気泡などにより発生する絶縁不良は解消されない。 In injection molding as in Patent Documents 2 and 3, there are few restrictions on the molding device, and there is also a horizontal molding device having a pair of molds whose mold surfaces face each other in the horizontal direction (direction orthogonal to the vertical direction). .. However, compared to transfer molding, the mold is compacted at a low pressure and the resin is allowed to flow inside the mold at a low pressure, so that it is suitable for molding thermoplastic resin, but for molding thermosetting resin. Is not suitable. Further, even if the nesting technique generally used in the molding apparatus for injection is applied to the conventional transfer molding, the insulation defect generated by the bubbles remaining inside the resin material is not eliminated.

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、半導体部品の形状に合わせて樹脂の流動方向を最適化可能な金型を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型を提供することを目的とする。 In order to solve the problems caused by the above-mentioned prior art, the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device using a mold capable of optimizing the flow direction of a resin according to the shape of a semiconductor component, and a molding die for the semiconductor device. The purpose is to provide.

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、次の特徴を有する。個別金型は、金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第1型板で構成される。前記2つの第1型板の金型面の間には、第1空洞および第1経路部が設けられている。前記第1空洞の内部には、半導体部品が取り付けられる。前記第1経路部は、前記第1空洞に連結され、前記半導体部品を樹脂封止する際に前記第1空洞へ樹脂を供給する。本体金型は、金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第2型板で構成される。前記2つの第2型板の金型面の間には、樹脂供給部、第2空洞および第2経路部が設けられている。前記樹脂供給部は、前記第1空洞へ前記樹脂を供給する。前記第2空洞の内部には、前記個別金型が取り付けられる。前記第2経路部は、前記樹脂供給部と前記第2空洞とに連結され、前記樹脂供給部から前記第2空洞へ前記樹脂を供給する。前記個別金型および前記本体金型は、前記個別金型が前記第2空洞に押し込まれた場合に前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に向かって前記個別金型を移動させ、前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に前記個別金型を固定する移動機構をさらに有する。前記移動機構は、前記個別金型と前記本体金型との、前記個別金型が前記第2空洞に押し込まれる方向と直交しかつ対向する面に設けられている。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object of the present invention, the molding die for a semiconductor device according to the present invention has the following features. The individual mold is composed of two first mold plates that are overlapped with each other with the mold surfaces facing each other. A first cavity and a first path portion are provided between the mold surfaces of the two first mold plates. A semiconductor component is attached to the inside of the first cavity. The first path portion is connected to the first cavity and supplies resin to the first cavity when the semiconductor component is resin-sealed. The main body mold is composed of two second mold plates that are overlapped with each other with the mold surfaces facing each other. A resin supply portion, a second cavity, and a second path portion are provided between the mold surfaces of the two second mold plates. The resin supply unit supplies the resin to the first cavity. The individual mold is attached to the inside of the second cavity. The second path portion is connected to the resin supply portion and the second cavity, and supplies the resin from the resin supply portion to the second cavity. The individual mold and the main body mold move the individual mold toward a surface having the second path portion inside the second cavity when the individual mold is pushed into the second cavity. Further, it has a moving mechanism for fixing the individual mold to a surface having the second path portion inside the second cavity. The moving mechanism is provided on a surface of the individual mold and the main body mold that is orthogonal to and faces the direction in which the individual mold is pushed into the second cavity.

また、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、上述した発明において、一方の面に設けられた突起部と、対向する他方の面に設けられ前記突起部に嵌め合わせ可能な溝と、を有することを特徴とする。 Further, in the above-described invention, the molding die for a semiconductor device according to the present invention has a protrusion provided on one surface and a groove provided on the opposite surface and can be fitted to the protrusion. It is characterized by having.

また、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、上述した発明において、前記本体金型は、前記第2経路部と前記個別金型の前記第1経路部との間に、前記第2経路部と前記第1経路部とを連結し、かつ前記第2経路部から前記第1経路部へ流れ込む前記樹脂の流入速度を調整するゲートを有する。 Further, in the molding die for a semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, the main body die is placed between the second path portion and the first path portion of the individual mold. It has a gate that connects the path portion and the first path portion and adjusts the inflow rate of the resin flowing from the second path portion to the first path portion.

また、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、上述した発明において、前記本体金型は、前記第2空洞に取り付けられた前記個別金型を前記第2空洞から押し出す押出機構をさらに有することを特徴とする。 Further, in the molding die for a semiconductor device according to the present invention, in the above-mentioned invention, the main body die further has an extrusion mechanism for extruding the individual die attached to the second cavity from the second cavity. It is characterized by that.

また、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、上述した発明において、前記押出機構は、前記本体金型側から前記個別金型側へ突出するように移動し、前記個別金型の少なくとも一部に接触して前記個別金型を前記第2空洞から押し出すイジェクトピンであることを特徴とする。 Further, in the molding die for the semiconductor device according to the present invention, in the above-mentioned invention, the extrusion mechanism moves so as to project from the main body die side to the individual die side, and at least the individual die. It is an eject pin that comes into contact with a part of the mold and pushes out the individual mold from the second cavity.

また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、次の特徴を有する。個別金型は、金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第1型板で構成される。前記2つの第1型板の金型面の間には、第1空洞および第1経路部が設けられている。前記第1空洞の内部には、半導体部品が取り付けられる。前記第1経路部は、前記第1空洞に連結され、前記半導体部品を樹脂封止する際に前記第1空洞へ樹脂を供給する。本体金型は、金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第2型板で構成される。前記2つの第2型板の金型面の間には、樹脂供給部、第2空洞および第2経路部が設けられている。前記樹脂供給部は、前記第1空洞へ前記樹脂を供給する。前記第2空洞の内部には、前記個別金型が取り付けられる。前記第2経路部は、前記樹脂供給部と前記第2空洞とに連結され、前記樹脂供給部から前記第2空洞へ前記樹脂を供給する。前記個別金型の金型面と、前記本体金型の金型面と、が異なる方向を向いている。前記本体金型は、前記第2空洞に取り付けられた前記個別金型を前記第2空洞から押し出す押出機構をさらに有する。 Further, in order to solve the above-mentioned problems and achieve the object of the present invention, the molding die for the semiconductor device according to the present invention has the following features. The individual mold is composed of two first mold plates that are overlapped with each other with the mold surfaces facing each other. A first cavity and a first path portion are provided between the mold surfaces of the two first mold plates. A semiconductor component is attached to the inside of the first cavity. The first path portion is connected to the first cavity and supplies resin to the first cavity when the semiconductor component is resin-sealed. The main body mold is composed of two second mold plates that are overlapped with each other with the mold surfaces facing each other. A resin supply portion, a second cavity, and a second path portion are provided between the mold surfaces of the two second mold plates. The resin supply unit supplies the resin to the first cavity. The individual mold is attached to the inside of the second cavity. The second path portion is connected to the resin supply portion and the second cavity, and supplies the resin from the resin supply portion to the second cavity. The mold surface of the individual mold and the mold surface of the main body mold face different directions. The main body mold further has an extrusion mechanism for pushing out the individual mold attached to the second cavity from the second cavity.

また、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、上述した発明において、前記個別金型の金型面と、前記本体金型の金型面と、が直交することを特徴とする。 Further, the molding die for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the mold surface of the individual mold and the mold surface of the main body mold are orthogonal to each other.

また、この発明にかかる半導体装置用の成形金型は、上述した発明において、前記個別金型は、前記第1型板の金型面において前記第1空洞に対して前記第1経路部の反対側に設けられ、前記第1空洞から溢れた前記樹脂を収容する樹脂収容部をさらに有する。前記個別金型は、前記本体金型の前記第2空洞に前記個別金型が取り付けられた場合に、前記樹脂収容部は、前記第1空洞よりも上方に位置することを特徴とする。 Further, in the molding die for a semiconductor device according to the present invention, in the above-mentioned invention, the individual die is the opposite of the first path portion to the first cavity on the mold surface of the first mold plate. It further has a resin accommodating portion provided on the side and accommodating the resin overflowing from the first cavity. The individual mold is characterized in that, when the individual mold is attached to the second cavity of the main body mold, the resin accommodating portion is located above the first cavity.

また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。まず、2つの第1型板を有する個別金型の、一方の前記第1型板に半導体部品を取り付け、前記2つの第1型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせる第1取付工程を行う。次に、2つの第2型板を有する本体金型の、一方の前記第2型板に前記個別金型を取り付け、前記2つの第2型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせる第2取付工程を行う。次に、前記第2型板の金型面に設けられ、前記個別金型へ樹脂を供給する樹脂供給部から前記樹脂を前記個別金型へ供給して前記半導体部品を前記樹脂で封止する第封止工程を行う。次に、前記本体金型から前記個別金型を取り出す第1取出工程を行う。次に、前記個別金型から前記半導体部品を取り出す第2取出工程を行う。前記第1取付工程では、前記個別金型の一方の前記第1型板の金型面に設けられた第1空洞の内部に前記半導体部品を取り付け、前記2つの第1型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせて、前記半導体部品を前記第1空洞の内部に固定するとともに、前記第1空洞と連結する第1経路部を形成する。前記第2取付工程では、前記本体金型の一方の前記第2型板の金型面に設けられた第2空洞の内部に前記個別金型を取り付け、前記2つの第2型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせて、前記個別金型を前記第2空洞に押し込むとともに、前記第1経路部を介して前記樹脂供給部と前記第1空洞とを連結する第2経路部を形成する。前記個別金型と前記本体金型との、前記個別金型が前記第2空洞に押し込まれる方向と直交しかつ対向する面に設けられた移動機構によって、前記第2空洞に押し込まれた前記個別金型を前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に向かって移動させて、前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に前記個別金型を固定する。前記封止工程では、前記樹脂供給部から前記第2経路部および前記第1経路部を介して前記第1空洞へ前記樹脂を供給する。前記第1取出工程では、前記第2空洞に取り付けられた押出機構によって前記第2空洞から前記個別金型を押し出すことで、前記本体金型から前記個別金型を取り出す。 Further, in order to solve the above-mentioned problems and achieve the object of the present invention, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention has the following features. First, a semiconductor component is attached to one of the first molds of an individual mold having two first molds, and the mold surfaces of the two first molds are overlapped with each other so as to face each other. Perform the mounting process. Next, the individual mold is attached to one of the second molds of the main body mold having two second molds, and the mold surfaces of the two second molds are stacked in a state of facing each other. Perform the second mounting process to match. Next, the resin is supplied to the individual mold from a resin supply unit provided on the mold surface of the second mold and supplying the resin to the individual mold, and the semiconductor component is sealed with the resin. Perform the sealing step. Next, a first take-out step of taking out the individual mold from the main body mold is performed. Next, a second take-out step of taking out the semiconductor component from the individual mold is performed. In the first mounting step, the semiconductor component is mounted inside the first cavity provided on the mold surface of the first mold plate of one of the individual molds, and the mold surfaces of the two first mold plates are mounted. By superimposing the semiconductor parts so as to face each other, the semiconductor component is fixed inside the first cavity and a first path portion connected to the first cavity is formed. In the second mounting step, the individual mold is mounted inside the second cavity provided on the mold surface of one of the main body molds, and the molds of the two second mold plates are used. A second path portion that pushes the individual mold into the second cavity by superimposing the surfaces facing each other and connects the resin supply portion and the first cavity via the first path portion. Form. The individual mold is pushed into the second cavity by a moving mechanism provided on a surface of the individual mold and the main body mold, which is orthogonal to and faces the direction in which the individual mold is pushed into the second cavity. The mold is moved toward a surface having the second path portion inside the second cavity, and the individual mold is fixed to the surface having the second path portion inside the second cavity. In the sealing step, the resin is supplied from the resin supply section to the first cavity via the second path section and the first path section. In the first taking-out step, the individual mold is taken out from the main body mold by pushing out the individual mold from the second cavity by an extrusion mechanism attached to the second cavity.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第1取出工程では、前記本体金型側から前記個別金型側へ突出するように移動して前記個別金型の少なくとも一部に接触するイジェクトピンによって、前記個別金型を前記第2空洞から押し出すことを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2取出工程の前までに前記個別金型を加熱する加熱工程をさらに含むことを特徴とする。 Further, in the above-described invention, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is such that in the first extraction step, the semiconductor device is moved so as to project from the main body mold side to the individual mold side, and at least the individual molds are manufactured. It is characterized in that the individual mold is extruded from the second cavity by an eject pin in contact with a part thereof. Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, a heating step of heating the individual mold is further included before the second take-out step.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第1取付工程の後に、前記加熱工程を行うことを特徴とする。 Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the heating step is performed after the first mounting step.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2取付工程において、加熱された前記本体金型から伝達された熱により前記加熱工程を行うことを特徴とする。 Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the heating step is performed by the heat transferred from the heated main body mold in the second mounting step.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、前記第1取付工程の後、前記第2取付工程の前までに、前記個別金型を回転させて、前記個別金型の内部の前記半導体部品の重力方向に対する向きを、前記第1取付工程時と異なる向きに変える回転工程をさらに含むことを特徴とする。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the individual mold is rotated after the first mounting step and before the second mounting step, and the semiconductor component inside the individual mold is used. It is characterized by further including a rotation step of changing the direction of the above with respect to the gravity direction to a direction different from that at the time of the first mounting step.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記回転工程では、前記重力方向と直交する軸を中心に前記個別金型を180°回転させることを特徴とする。 Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the individual mold is rotated by 180 ° about an axis orthogonal to the direction of gravity in the rotation step.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記回転工程では、前記重力方向と直交する軸を中心に前記個別金型を90°回転させることを特徴とする。 Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the individual mold is rotated by 90 ° about an axis orthogonal to the direction of gravity in the rotation step.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第1取付工程では、前記個別金型の一方の前記第1型板の金型面に設けられた第1空洞の内部に前記半導体部品を取り付け、前記2つの第1型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせる。前記第2取付工程では、前記本体金型の一方の前記第2型板の金型面に設けられた第2空洞の内部に前記個別金型を取り付け、前記2つの第2型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせる。前記封止工程では、前記樹脂供給部から前記第1空洞へ前記樹脂を供給して前記半導体部品を前記樹脂で封止する。前記第1取出工程では、前記本体金型の前記第2空洞から前記個別金型を取り出す。前記第2取出工程では、前記個別金型の前記第1空洞から前記半導体部品を取り出す。 Further, in the above-described invention, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is the inside of the first cavity provided on the mold surface of the first mold plate of one of the individual molds in the first mounting step. The semiconductor component is attached to the above-mentioned semiconductor parts, and the mold surfaces of the two first mold plates are overlapped with each other so as to face each other. In the second mounting step, the individual mold is mounted inside the second cavity provided on the mold surface of one of the main body molds, and the molds of the two second mold plates are used. Overlap with the faces facing each other. In the sealing step, the resin is supplied from the resin supply unit to the first cavity, and the semiconductor component is sealed with the resin. In the first taking-out step, the individual mold is taken out from the second cavity of the main body mold. In the second extraction step, the semiconductor component is extracted from the first cavity of the individual mold.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2取付工程では、前記第1経路部および前記第2経路部が前記第1空洞と同じ高さに位置するように、前記本体金型の前記第2空洞の内部に前記個別金型を取り付けることを特徴とする。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, in the second mounting step, the first path portion and the second path portion are located at the same height as the first cavity. The individual mold is attached to the inside of the second cavity of the main body mold.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2取付工程では、前記第1経路部および前記第2経路部が前記第1空洞よりも上方に位置するように、前記本体金型の前記第2空洞の内部に前記個別金型を取り付けることを特徴とする。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, in the second mounting step, the first path portion and the second path portion are located above the first cavity. It is characterized in that the individual mold is attached to the inside of the second cavity of the main body mold.

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2取付工程では、前記第1経路部および前記第2経路部が前記第1空洞よりも下方に位置するように、前記本体金型の前記第2空洞の内部に前記個別金型を取り付けることを特徴とする。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, in the second mounting step, the first path portion and the second path portion are located below the first cavity. It is characterized in that the individual mold is attached to the inside of the second cavity of the main body mold.

上述した発明によれば、本体金型に個別金型を取り付ける際に個別金型の向きを種々変更することで、本体金型の内部において半導体部品の向きを自由に設計変更することができる。 According to the above-mentioned invention, the orientation of the semiconductor component can be freely changed in the main body mold by changing the orientation of the individual mold in various ways when the individual mold is attached to the main body mold.

本発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型によれば、半導体部品の形状に合わせて樹脂の流動方向を最適化可能な個別金型を用いて半導体部品を樹脂封止することができるという効果を奏する。 According to the method for manufacturing a semiconductor device and the molding die for the semiconductor device according to the present invention, the semiconductor component is resin-sealed using an individual die capable of optimizing the flow direction of the resin according to the shape of the semiconductor component. It has the effect of being able to do it.

実施の形態1にかかる半導体装置用の成形金型の要部の構造を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structure of the main part of the molding die for the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 図1の本体金型の型板を金型面側から見たレイアウトを模式的に示す平面図である。It is a top view schematically showing the layout of the mold plate of the main body mold of FIG. 1 as seen from the mold surface side. 図2の本体金型に配置された個別金型の構造を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structure of the individual mold arranged in the main body mold of FIG. 図3の個別金型の型板を金型面側から見たレイアウトを模式的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing a layout of the mold plate of the individual mold of FIG. 3 as viewed from the mold surface side. 図2の切断線A1-A3における断面構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross-sectional structure in the cutting line A1-A3 of FIG. 図2の切断線A1-A3における断面構造の別の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the cross-sectional structure in the cutting line A1-A3 of FIG. 図2の切断線A1-A3における断面構造の別の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the cross-sectional structure in the cutting line A1-A3 of FIG. 図2の切断線A1-A3における断面構造の別の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the cross-sectional structure in the cutting line A1-A3 of FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state of another example in the process of manufacturing the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state of another example in the process of manufacturing the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state of another example in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state of another example in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state of another example in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態2にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態3にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態3にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態3にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態3にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態4にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 4. FIG. 実施の形態4にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 4. FIG. 図29Aの切断線B1-B2における各部平面形状を示す平面図である。It is a top view which shows the plane shape of each part in the cutting line B1-B2 of FIG. 29A. 実施の形態4にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on Embodiment 4. FIG. 比較例の金型の構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mold of the comparative example. 図31の金型の固定側の型板を金型面側から見たレイアウトを示す平面図である。FIG. 31 is a plan view showing a layout of the mold plate on the fixed side of the mold of FIG. 31 as viewed from the mold surface side. 図32の切断線AA-AA’における断面構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross-sectional structure in the cutting line AA-AA'in FIG. 32. 比較例の半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the outline of the manufacturing method of the semiconductor device of the comparative example. 比較例の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the process of manufacturing of the semiconductor device of the comparative example. 比較例の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the process of manufacturing of the semiconductor device of the comparative example. 比較例の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the process of manufacturing of the semiconductor device of the comparative example. 比較例の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the process of manufacturing of the semiconductor device of the comparative example. 比較例の金型の構造の別の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of the structure of the mold of the comparative example. 比較例の金型の構造の別の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the structure of the mold of the comparative example.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention and a preferred embodiment of a molding die for the semiconductor device will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the embodiment and the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same configurations, and duplicate description will be omitted.

(実施の形態1)
実施の形態1にかかる半導体装置用の成形金型の構造について説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置用の成形金型の要部の構造を模式的に示す斜視図である。図1には、トランスファー成形法により半導体部品を樹脂封止する際に成形装置(不図示)に取り付ける金型(以下、本体金型とする)10を示す。図2は、図1の本体金型の型板を金型面側から見たレイアウトを模式的に示す平面図である。
(Embodiment 1)
The structure of the molding die for the semiconductor device according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the structure of a main part of a molding die for a semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 1 shows a mold (hereinafter referred to as a main body mold) 10 attached to a molding apparatus (not shown) when a semiconductor component is resin-sealed by a transfer molding method. FIG. 2 is a plan view schematically showing the layout of the mold plate of the main body mold of FIG. 1 as viewed from the mold surface side.

図3は、図2の本体金型に配置された個別金型の構造を模式的に示す斜視図である。図4は、図3の個別金型の型板を金型面側から見たレイアウトを模式的に示す平面図である。図5は、図2の切断線A1-A3における断面構造を示す断面図である。図6~8は、図2の切断線A1-A3における断面構造の別の一例を示す断面図である。図5~8は、本体金型10を閉じた状態であり、本体金型10の内部に半導体モジュール(半導体部品)220や樹脂材料片を配置していない状態である。 FIG. 3 is a perspective view schematically showing the structure of the individual molds arranged in the main body mold of FIG. 2. FIG. 4 is a plan view schematically showing the layout of the mold plate of the individual mold of FIG. 3 as viewed from the mold surface side. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of the cutting lines A1-A3 of FIG. 6 to 8 are cross-sectional views showing another example of the cross-sectional structure in the cutting lines A1-A3 of FIG. FIGS. 5 to 8 show a state in which the main body mold 10 is closed, and a state in which the semiconductor module (semiconductor component) 220 and the resin material piece are not arranged inside the main body mold 10.

図1に示す本体金型10は、2つ(2枚)の型板1,2で構成される。本体金型10には、型板1,2の金型面(主面)1a,2a同士を対向させた状態で重ね合わせて内部に個別金型20を配置可能な空洞(後述する凹部11,15で形成された空洞)が形成される。また、本体金型10は、型板1,2間に個別金型20を挟んだ状態で閉じられ、型板1,2の金型面1a,2a同士を押し付ける方向に型板1,2にかけた圧力(型締め力)3により締め付けられた(型締めされた)状態で成形装置に保持される。本体金型10を型締めする圧力(型締め力)3は、成形品の寸法や、1回の成形で処理可能な成形品数により決定される。 The main body mold 10 shown in FIG. 1 is composed of two (two) mold plates 1 and 2. The main body mold 10 has a cavity (recessed portion 11, which will be described later, which will be described later) in which the mold surfaces (main surfaces) 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 are overlapped with each other so that the individual molds 20 can be arranged inside. The cavity formed by 15) is formed. Further, the main body mold 10 is closed with the individual molds 20 sandwiched between the mold plates 1 and 2, and is hung on the mold plates 1 and 2 in a direction in which the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 are pressed against each other. It is held in the molding apparatus in a state of being tightened (molded) by the pressure (molding force) 3. The pressure (molding force) 3 for mold-clamping the main body mold 10 is determined by the dimensions of the molded product and the number of molded products that can be processed in one molding.

本体金型10の型板1,2以外の部品は、例えば、本体金型10の開閉時の位置合わせや、成形装置(不図示)への本体金型10の取り付け等のための図示省略する一般的なモールドベースの部品で構成される。本体金型10を構成する2つの型板1,2のうちの一方の型板1は成形装置の固定盤に固定され、他方の型板2は成形装置の可動盤に取り付けられる。可動側の型板2を可動させることで、本体金型10が開閉される。 Parts other than the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10 are omitted from the illustration for, for example, positioning of the main body mold 10 when opening and closing, mounting of the main body mold 10 on a molding apparatus (not shown), and the like. Consists of common mold-based components. One of the two mold plates 1 and 2 constituting the main body mold 10 is fixed to the fixed plate of the molding apparatus, and the other mold plate 2 is attached to the movable plate of the molding apparatus. By moving the mold plate 2 on the movable side, the main body mold 10 is opened and closed.

本体金型10の型板1,2の金属材料は、熱容量(金属材料の比熱と密度の積)が大きく、高硬度で耐摩耗性の優れた例えば鋼(スチール)等の鉄(Fe)の合金である。具体的には、本体金型10の型板1,2の金属材料は、例えば、炭素工具鋼にモリブデン、クロム、バナジウム等を添加したSKD11(冷間金型用の鋼)であってもよい。本体金型10の型板1,2に、例えば金型寿命を延ばすための焼き入れ処理が行われていてもよい。 The metal material of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10 has a large heat capacity (product of the specific heat and density of the metal material), and is made of iron (Fe) such as steel, which has high hardness and excellent wear resistance. It is an alloy. Specifically, the metal material of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10 may be, for example, SKD11 (steel for cold mold) in which molybdenum, chromium, vanadium or the like is added to carbon tool steel. .. The mold plates 1 and 2 of the main body mold 10 may be subjected to, for example, quenching treatment for extending the life of the mold.

固定側の型板1の金型面1aには、凹部11、カル12、ランナー13およびゲート14が設けられている(図1には不図示、図2,5~8参照)。凹部11、カル12、ランナー13およびゲート14と、後述する凹部15およびポット16は、本体金型10の型板1,2を重ね合せたときに空洞を形成する。これら空洞を形成する凹部11,15、カル12、ランナー13およびゲート14およびポット16のうち、カル12、ランナー13およびゲート14およびポット16を白抜きで示す。凹部11は、本体金型10による1回の成形で処理可能な成形品数分(ここでは4つ)設けられている。 The mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side is provided with a recess 11, a cal 12, a runner 13, and a gate 14 (not shown in FIG. 1, see FIGS. 2, 5 to 8). The recess 11, the cal 12, the runner 13 and the gate 14, and the recess 15 and the pot 16 described later form a cavity when the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10 are overlapped. Of the recesses 11, 15, cal 12, runner 13 and gate 14 and pot 16 forming these cavities, cal 12, runner 13 and gate 14 and pot 16 are shown in white. The recesses 11 are provided as many as the number of molded products (here, four) that can be processed by one molding by the main body mold 10.

すなわち、凹部11は、1つ以上設けられている。各凹部11の内部には、それぞれ個別金型20が嵌め込まれる。図2,5~8には、凹部11(図5,8においては凹部11,15、図7においては凹部15)に個別金型20を嵌め込んだ状態を示す。凹部11の深さd1は、例えば凹部11に嵌め込まれたときの個別金型20の、型板1の金型面1aと直交する方向の長さ(高さ)x11よりも浅い(図5,8参照)。凹部11の底面には、凹部11の底面から本体金型10の外側に貫通するピン孔11aが設けられている。ピン孔11aには、凹部11に嵌め込まれた個別金型20を凹部11から押し出すためのイジェクトピン(不図示)が挿入される。 That is, one or more recesses 11 are provided. An individual mold 20 is fitted inside each recess 11. FIGS. 2 and 5 to 8 show a state in which the individual mold 20 is fitted into the recess 11 (the recesses 11 and 15 in FIGS. 5 and 8 and the recess 15 in FIG. 7). The depth d1 of the recess 11 is shallower than, for example, the length (height) x 11 of the individual mold 20 when fitted into the recess 11 in the direction orthogonal to the mold surface 1a of the mold plate 1 (FIGS. 5 and 5). 8). The bottom surface of the recess 11 is provided with a pin hole 11a that penetrates from the bottom surface of the recess 11 to the outside of the main body mold 10. An eject pin (not shown) for pushing out the individual mold 20 fitted in the recess 11 from the recess 11 is inserted into the pin hole 11a.

カル12は、半導体部品の樹脂封止に用いる熱硬化性の樹脂材料片を配置する溝であり、個別金型20の後述するキャビティ31へ軟化された樹脂を供給する樹脂供給部となる。カル12は、例えば、略円柱状の樹脂材料片を配置可能な略円柱状をなす。ランナー13は、カル12に配置された樹脂材料片が軟化されたときにカル12から個別金型20の後述するキャビティ31へ流動する樹脂材料の流動経路となる溝であり、カル12とすべての凹部11とを繋ぐように形成されている。 The cal 12 is a groove for arranging a thermosetting resin material piece used for resin encapsulation of a semiconductor component, and serves as a resin supply unit for supplying the softened resin to the cavity 31 described later of the individual mold 20. The cal 12 has, for example, a substantially columnar shape on which a substantially columnar resin material piece can be arranged. The runner 13 is a groove that serves as a flow path for the resin material that flows from the cal 12 to the cavity 31 described later of the individual mold 20 when the resin material piece arranged in the cal 12 is softened. It is formed so as to connect to the recess 11.

カル12とキャビティ31とがランナー13を介して連結されていればよく、カル12およびランナー13は、固定側の型板1に設けられていてもよいし(図5,7参照)、可動側の型板2に設けられていてもよい(図6,8参照)。ゲート14は、本体金型10のランナー13と個別金型20の後述するランナー32との間にそれぞれ形成されている。ゲート14は、本体金型10の凹部11に個別金型20が嵌め込まれ本体金型10を閉じた状態(すなわち型板1,2の金型面1a,2a同士が接触した状態)で、本体金型10のランナー13と個別金型20のランナー32とを連結する位置に配置されている。本体金型10のランナー13と個別金型20のランナー32とは、本体金型10の凹部11に個別金型20が嵌め込まれ本体金型10を閉じた状態で、ゲート14を介して隙間なく連続する。ゲート14は、例えば本体金型10のランナー13よりも浅い溝であり、本体金型10のランナー13から個別金型20のランナー32に流れ込む樹脂材料の流入速度を調整する機能を有する。 The cal 12 and the cavity 31 may be connected via the runner 13, and the cal 12 and the runner 13 may be provided on the fixed side template 1 (see FIGS. 5 and 7), and the movable side. It may be provided on the template 2 of the above (see FIGS. 6 and 8). The gate 14 is formed between the runner 13 of the main body mold 10 and the runner 32 described later of the individual mold 20, respectively. The main body of the gate 14 is a state in which the individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the main body mold 10 and the main body mold 10 is closed (that is, a state in which the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 are in contact with each other). It is arranged at a position where the runner 13 of the mold 10 and the runner 32 of the individual mold 20 are connected. The runner 13 of the main body mold 10 and the runner 32 of the individual mold 20 are in a state where the individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the main body mold 10 and the main body mold 10 is closed, and there is no gap through the gate 14. Continuous. The gate 14 is, for example, a groove shallower than the runner 13 of the main body mold 10, and has a function of adjusting the inflow speed of the resin material flowing from the runner 13 of the main body mold 10 to the runner 32 of the individual mold 20.

可動側の型板2には、本体金型10を閉じた状態(すなわち型板1,2の金型面1a,2a同士が接触した状態)で固定側の型板1の凹部11と対向する位置に、凹部15が設けられている(図5,8参照)。本体金型10を閉じたときに、固定側の型板1の凹部11と、可動側の型板2の凹部15と、で形成される略直方体状の空洞に個別金型20が嵌め込まれる。すなわち、可動側の型板2の凹部15には、個別金型20の、凹部11に嵌め込まれた部分以外の残りの部分が嵌め込まれる。 The movable mold plate 2 faces the recess 11 of the fixed side mold plate 1 in a state where the main body mold 10 is closed (that is, a state in which the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 are in contact with each other). A recess 15 is provided at the position (see FIGS. 5 and 8). When the main body mold 10 is closed, the individual mold 20 is fitted into a substantially rectangular parallelepiped cavity formed by the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side and the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side. That is, the remaining portion of the individual mold 20 other than the portion fitted in the recess 11 is fitted in the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side.

型板1,2の凹部11,15で形成される空洞は、個別金型20を収納可能である。凹部11,15に個別金型20を嵌め合せるためのクリアランス(凹部11,15の側壁と個別金型20との間に確保すべき距離)を考慮して、型板1,2の凹部11,15で形成される空洞の平面方向の寸法は、例えば個別金型20の平面方向の外径寸法以上である。型板1,2の凹部11,15で形成される空洞の高さ(深さ)方向の寸法は、例えば個別金型20の厚さ方向の外径寸法と略同じ寸法を有する。 The cavities formed by the recesses 11 and 15 of the mold plates 1 and 2 can accommodate the individual mold 20. Considering the clearance for fitting the individual mold 20 into the recesses 11 and 15 (the distance to be secured between the side wall of the recesses 11 and 15 and the individual mold 20), the recesses 11 of the mold plates 1 and 2 The plane dimension of the cavity formed by 15, for example, is equal to or larger than the plane outer diameter dimension of the individual mold 20. The dimensions in the height (depth) direction of the cavities formed by the recesses 11 and 15 of the mold plates 1 and 2 have substantially the same dimensions as, for example, the outer diameter dimensions in the thickness direction of the individual mold 20.

例えば、型板1,2の凹部11,15で形成される略直方体状の空洞の3辺の寸法のうち、深さ方向の寸法x1は、前記空洞に嵌め合わされる個別金型20の対応する深さ方向の1辺の寸法x11と略同じである(x1≒x11)。型板1,2の凹部11,15で形成される略直方体状の空洞の3辺の寸法のうち、平面方向の2辺の寸法x2,x3は、前記空洞に嵌め合わされる個別金型20の平面方向の対応する2辺の寸法x12,x13以上である(x2≧x12、x3≧x13)。 For example, among the dimensions of the three sides of the substantially rectangular parallelepiped cavity formed by the recesses 11 and 15 of the mold plates 1 and 2, the dimension x1 in the depth direction corresponds to the individual mold 20 fitted in the cavity. It is substantially the same as the dimension x11 of one side in the depth direction (x1≈x11). Of the dimensions of the three sides of the substantially rectangular parallelepiped cavity formed by the recesses 11 and 15 of the mold plates 1 and 2, the dimensions x2 and x3 of the two sides in the plane direction are the dimensions of the individual mold 20 fitted into the cavity. The dimensions of the two corresponding sides in the plane direction are x12, x13 or more (x2 ≧ x12, x3 ≧ x13).

具体的には例えば、凹部11,15の底面の幅x2および奥行きx3とした場合、凹部11の深さd1と凹部15の深さd2との総和が型板1,2の凹部11,15で形成される空洞の高さx1となる。凹部11の深さd1と凹部15の深さd2との総和は、個別金型20の金型面21a,22aと直交する方向の長さx11と略同じである(x1=x11=d1+d2)。 Specifically, for example, when the width x2 and the depth x3 of the bottom surfaces of the recesses 11 and 15, the total sum of the depth d1 of the recess 11 and the depth d2 of the recess 15 is the recesses 11 and 15 of the templates 1 and 2. The height of the formed cavity x 1. The sum of the depth d1 of the recess 11 and the depth d2 of the recess 15 is substantially the same as the length x11 in the direction orthogonal to the mold surfaces 21a and 22a of the individual mold 20 (x1 = x11 = d1 + d2).

可動側の型板2に凹部15が設けられていなくてもよい(図6参照)。この場合、固定側の型板1の凹部11の外形寸法は個別金型20の外径寸法と略同じであり、固定側の型板1の凹部11の内部に個別金型20の全体が嵌め込まれる。また、固定側の型板1に凹部11を設けずに、可動側の型板2の凹部15の内部に個別金型20の全体がはめ込まれてもよい(図7参照)。この場合、可動側の型板2の凹部15の外形寸法は、個別金型20の外径寸法と略同じである。図7の個別金型20の取り出し方法については、実施の形態3,4で説明する。 The concave portion 15 may not be provided on the movable side template 2 (see FIG. 6). In this case, the external dimensions of the recess 11 of the fixed-side mold plate 1 are substantially the same as the outer diameter dimensions of the individual mold 20, and the entire individual mold 20 is fitted inside the recess 11 of the fixed-side mold plate 1. Is done. Further, the entire individual mold 20 may be fitted inside the recess 15 of the movable mold plate 2 without providing the recess 11 in the mold plate 1 on the fixed side (see FIG. 7). In this case, the external dimension of the concave portion 15 of the mold plate 2 on the movable side is substantially the same as the outer diameter dimension of the individual mold 20. The method of taking out the individual mold 20 of FIG. 7 will be described with reference to the third and fourth embodiments.

また、可動側の型板2には、本体金型10を閉じた状態で固定側の型板1のカル12と対向する位置に、ポット(加熱室)16が形成されている。ポット16は、型板2の金型面(一方の主面)2aから他方の主面に貫通する例えば円柱状の貫通孔である。ポット16は、本体金型10を閉じた状態で、固定側の型板1のカル12に連結される。ポット16は、型板1のカル12に配置された樹脂材料片を加熱し軟化(または液状化)させる機能を有する。 Further, on the movable side mold plate 2, a pot (heating chamber) 16 is formed at a position facing the cal 12 of the fixed side mold plate 1 with the main body mold 10 closed. The pot 16 is, for example, a cylindrical through hole that penetrates from the mold surface (one main surface) 2a of the mold plate 2 to the other main surface. The pot 16 is connected to the cal 12 of the mold plate 1 on the fixed side with the main body mold 10 closed. The pot 16 has a function of heating and softening (or liquefying) the resin material piece arranged in the cal 12 of the template 1.

ポット16の内部には、型板1のカル12に配置され樹脂材料片に圧力をかけるブランジャー(不図示)が配置される。ブランジャーは、軟化された樹脂材料片をカル12から個別金型20のキャビティ31へ押し出して流動させる機能を有する。固定側の型板1は、凹部11を形成した金属部材と、カル12を形成した金属部材(カルブロック)と、を接合して形成されていてもよい。可動側の型板2は、ポット16を形成した金属部材(センターブロック)と、センターブロックの周囲を囲む金属部材と、を接合して形成されていてもよい。 Inside the pot 16, a blanger (not shown) arranged on the cal 12 of the template 1 and applying pressure to the resin material piece is arranged. The blanger has a function of pushing the softened resin material piece from the cal 12 into the cavity 31 of the individual mold 20 and causing it to flow. The template 1 on the fixed side may be formed by joining a metal member on which the recess 11 is formed and a metal member (cal block) on which the cal 12 is formed. The template 2 on the movable side may be formed by joining a metal member (center block) forming the pot 16 and a metal member surrounding the center block.

個別金型20は、2つ(2枚)の型板21,22で構成され(図3)、2つの型板21,22を重ねあわせたときに略直方体状をなす。個別金型20には、型板21,22の金型面(主面)21a,22a同士を対向させた状態で重ね合わせて内部に半導体部品を配置可能な空洞が形成される。個別金型20は、本体金型10の型板1,2の凹部11,15(または凹部11,15のいずれかのみ)で形成された略直方体状の空洞の内部に自由な向きで配置可能である(図5~8参照)。個別金型20は、例えば、型板21,22の金型面21a,22aが本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aと平行になるように配置されてもよい(図5,8)。この場合、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に樹脂材料が供給される方向は、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aに平行な方向(以下、横方向とする)になる。 The individual mold 20 is composed of two (two) mold plates 21 and 22 (FIG. 3), and forms a substantially rectangular parallelepiped shape when the two mold plates 21 and 22 are overlapped. In the individual mold 20, a cavity in which semiconductor parts can be placed is formed by superimposing the mold surfaces (main surfaces) 21a and 22a of the mold plates 21 and 22 in a state of facing each other. The individual mold 20 can be arranged in any direction inside a substantially rectangular parallelepiped cavity formed by the recesses 11 and 15 (or only one of the recesses 11 and 15) of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. (See FIGS. 5 to 8). The individual molds 20 may be arranged so that, for example, the mold surfaces 21a and 22a of the mold plates 21 and 22 are parallel to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. Figures 5 and 8). In this case, the direction in which the resin material is supplied from the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20 is a direction parallel to the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 (hereinafter,). , Horizontal direction).

または、個別金型20は、例えば、金型面21a,22aが本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aと直交するように配置されてもよい(図6,7)。図6に示すように本体金型10の固定側の型板1の凹部11の内部に個別金型20のキャビティ31が位置する場合、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に樹脂材料が供給される方向は上側から下側へ向かう方向になる。図7に示すように本体金型10の可動側の型板2の凹部15の内部に個別金型20のキャビティ31が位置する場合、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に樹脂材料が供給される方向は下側から上側へ向かう方向になる。 Alternatively, the individual molds 20 may be arranged so that, for example, the mold surfaces 21a and 22a are orthogonal to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10 (FIGS. 6 and 7). .. As shown in FIG. 6, when the cavity 31 of the individual mold 20 is located inside the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10, the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20 The direction in which the resin material is supplied to is from the upper side to the lower side. As shown in FIG. 7, when the cavity 31 of the individual mold 20 is located inside the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10, the cavity 31 of the individual mold 20 is located from the runner 13 of the main body mold 10. The direction in which the resin material is supplied to is from the lower side to the upper side.

個別金型20の型板21,22の金属材料は、例えば、本体金型10の型板1,2の金属材料と同様である。例えば個別金型20の金型寿命を延ばすために、個別金型20の型板21,22に焼き入れ処理が行われていてもよい。また、個別金型20の金型面21a,22aや型板21,22の凹部11,15の内壁を例えば窒化処理することで、個別金型20と、個別金型20のキャビティ31に充填される樹脂材料と、の離形性が高められていてもよい。 The metal material of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 is, for example, the same as the metal material of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. For example, in order to extend the mold life of the individual mold 20, the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 may be quenched. Further, the individual mold 20 and the cavity 31 of the individual mold 20 are filled by, for example, nitriding the inner walls of the mold surfaces 21a and 22a of the individual mold 20 and the recesses 11 and 15 of the mold plates 21 and 22. The releasability of the resin material may be enhanced.

個別金型20の型板21,22のうちの一方の型板21の金型面(主面)21aには、キャビティ31、ランナー32および樹脂溜り33が形成されている(図4参照)。キャビティ31は、樹脂封止する半導体部品を配置する凹部である。キャビティ31の内部には、樹脂封止する半導体部品が取り付けられる。ランナー32は、固定側の型板1のランナー13からキャビティ31へ流動する樹脂材料の流動経路となる溝であり、固定側の型板1のランナー13に連結されている。樹脂溜り33は、キャビティ31から溢れた樹脂材料を収容する樹脂収容部となる溝である。樹脂溜り33は、例えば、キャビティ31に対して、固定側の型板1のランナー13と反対側に配置される。 A cavity 31, a runner 32, and a resin reservoir 33 are formed on the mold surface (main surface) 21a of one of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 (see FIG. 4). The cavity 31 is a recess for arranging a semiconductor component to be resin-sealed. A semiconductor component to be resin-sealed is attached to the inside of the cavity 31. The runner 32 is a groove that serves as a flow path for the resin material that flows from the runner 13 of the fixed-side template 1 to the cavity 31, and is connected to the runner 13 of the fixed-side template 1. The resin reservoir 33 is a groove serving as a resin accommodating portion for accommodating the resin material overflowing from the cavity 31. The resin reservoir 33 is arranged, for example, on the side opposite to the runner 13 of the template 1 on the fixed side with respect to the cavity 31.

個別金型20の型板21,22のうちの他方の型板22の金型面22aには、溝22bが設けられている(図5~7,11参照)。型板22の金型面22aの溝22bに代えて、型板21のキャビティ31の底面に溝21bが設けられていてもよい(図8,22参照)。これらの溝21b,22bは、個別金型20に後述する半導体モジュール220を取り付ける際に外部接続用端子225を挿入する孔である(図10,11,22,23参照)。また、個別金型20および本体金型10には、本体金型10の型締め時に個別金型20を所定位置に移動(スライド)させるスライド機構(移動機構(不図示):図5~8,11~13,16~20においても同様に不図示)が設けられている。スライド機構の構造については後述する。図5~8には、個別金型20の型板21,22を本体金型10の型板1,2よりも薄いハッチングで示す。また、個別金型20の型板21,22を重ね合せたときに空洞となるキャビティ31、ランナー32および樹脂溜り33を白抜きで示す。 A groove 22b is provided on the mold surface 22a of the other mold plate 22 of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 (see FIGS. 5 to 7 and 11). Instead of the groove 22b on the mold surface 22a of the mold plate 22, the groove 21b may be provided on the bottom surface of the cavity 31 of the mold plate 21 (see FIGS. 8 and 22). These grooves 21b and 22b are holes for inserting the external connection terminal 225 when the semiconductor module 220 described later is attached to the individual mold 20 (see FIGS. 10, 11, 22 and 23). Further, the individual mold 20 and the main body mold 10 have a slide mechanism (movement mechanism (not shown): FIGS. 5 to 8) for moving (sliding) the individual mold 20 to a predetermined position when the main body mold 10 is clamped. 11 to 13, 16 to 20 are also provided (not shown). The structure of the slide mechanism will be described later. In FIGS. 5 to 8, the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 are shown by hatching thinner than the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. Further, the cavity 31, the runner 32, and the resin reservoir 33, which become cavities when the mold plates 21 and 22 of the individual molds 20 are overlapped with each other, are shown in white.

次に、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法(半導体部品の樹脂封止方法)について、積層基板221の主面と直交する方向に突出する外部接続用端子225を有する一般的な構成の半導体モジュール(半導体部品)220を樹脂封止する場合を例に説明する。図9は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図9には、半導体モジュール220の樹脂封止の1サイクルを示す。図10,11A~11C,12,13,14A,14B,16~21は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。図15A,15Bは、実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す平面図である。図15Cは、実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す断面図である。 Next, regarding the method for manufacturing a semiconductor device (method for sealing a resin of a semiconductor component) according to the first embodiment, a general configuration having an external connection terminal 225 protruding in a direction orthogonal to the main surface of the laminated substrate 221. A case where the semiconductor module (semiconductor component) 220 is resin-sealed will be described as an example. FIG. 9 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 9 shows one cycle of resin encapsulation of the semiconductor module 220. FIGS. 10, 11A to 11C, 12, 13, 14A, 14B, 16 to 21 are cross-sectional views showing a state in which the semiconductor device according to the first embodiment is in the process of being manufactured. 15A and 15B are plan views showing a state of another example in the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 15C is a cross-sectional view showing a state of another example in the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.

図10に示す半導体モジュール220は、半導体チップ224、外部接続用端子225および積層基板221を備える。また、半導体モジュール220は、積層基板221の一方の主面の導電性板223a上に半導体チップ224を実装し、前記導電性板223aに外部接続用端子225の一方の端部を接合した構成となっている。図10には、例えば、半導体チップ224を挟んで積層基板221と対向する回路基板226が配置され、半導体チップ224と回路基板226との導体層(不図示)同士を端子ピン227により電気的に接続したピン構造の半導体モジュール220を示す。 The semiconductor module 220 shown in FIG. 10 includes a semiconductor chip 224, an external connection terminal 225, and a laminated substrate 221. Further, the semiconductor module 220 has a configuration in which a semiconductor chip 224 is mounted on a conductive plate 223a on one main surface of a laminated substrate 221 and one end of an external connection terminal 225 is joined to the conductive plate 223a. It has become. In FIG. 10, for example, a circuit board 226 facing the laminated substrate 221 with the semiconductor chip 224 interposed therebetween is arranged, and the conductor layers (not shown) of the semiconductor chip 224 and the circuit board 226 are electrically connected to each other by a terminal pin 227. A semiconductor module 220 having a connected pin structure is shown.

この半導体モジュール220は樹脂封止する半導体部品の一例であり、回路基板226および端子ピン227は設けられていなくてもよい。ピン構造の半導体モジュール220とした場合、外部接続用端子225の他方の端部は、回路基板226を貫通し、回路基板226の、積層基板221側の主面に対して反対側の主面から突出している。積層基板221は、セラミック基板222の両面にそれぞれ導電性板223a,223bを形成してなる。 This semiconductor module 220 is an example of a semiconductor component to be resin-sealed, and the circuit board 226 and the terminal pin 227 may not be provided. In the case of a semiconductor module 220 having a pin structure, the other end of the external connection terminal 225 penetrates the circuit board 226 and is from the main surface of the circuit board 226 opposite to the main surface of the laminated board 221 side. It stands out. The laminated substrate 221 is formed by forming conductive plates 223a and 223b on both sides of the ceramic substrate 222, respectively.

このような積層基板221の主面と直交する方向に突出する外部接続用端子225を有する半導体モジュール220を組立てた後、前記半導体モジュール220を樹脂封止する。ここでは、本体金型10の固定側の型板1の凹部11の内部に個別金型20のキャビティ31が位置するように本体金型10の凹部11,15で形成される空洞に個別金型20を配置し、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に横方向に樹脂材料が供給される場合(すなわち図5の構成)を例に説明する。 After assembling the semiconductor module 220 having the external connection terminal 225 protruding in the direction orthogonal to the main surface of the laminated substrate 221, the semiconductor module 220 is resin-sealed. Here, the individual mold is formed in the cavity formed by the recesses 11 and 15 of the main body mold 10 so that the cavity 31 of the individual mold 20 is located inside the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10. A case where 20 is arranged and the resin material is laterally supplied from the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20 (that is, the configuration of FIG. 5) will be described as an example.

まず、図11Aに示すように、個別金型20の型板22の金型面22aを上側(重力方向Gに対して反対側)にし、溝22bに半導体モジュール220の外部接続用端子225の他方の端部を差し込むことで、前記型板22に半導体モジュール220を固定する。次に、個別金型20の型板21,22同士を金型面21a,22a同士が対向するように重ね合わせて、個別金型20の型板21を半導体モジュール220に被せることで、個別金型20の型板21のキャビティ31の内部に半導体モジュール220を取り付ける(ステップS1)。符号41で示す下向きの矢印の方向は、個別金型20の型板22の溝22bに外部接続用端子225を差し込むときに半導体モジュール220に加える圧力41の方向である。符号42で示す下向きの矢印の方向は、個別金型20の型板21を半導体モジュール220に被せるときの前記型板21の移動方向である。 First, as shown in FIG. 11A, the mold surface 22a of the mold plate 22 of the individual mold 20 is on the upper side (opposite to the gravity direction G), and the groove 22b is the other side of the external connection terminal 225 of the semiconductor module 220. The semiconductor module 220 is fixed to the template 22 by inserting the end portion of the above. Next, the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 are overlapped with each other so that the mold surfaces 21a and 22a face each other, and the mold plate 21 of the individual mold 20 is put on the semiconductor module 220 to cover the individual mold. The semiconductor module 220 is attached to the inside of the cavity 31 of the mold plate 21 of the mold 20 (step S1). The direction of the downward arrow indicated by reference numeral 41 is the direction of the pressure 41 applied to the semiconductor module 220 when the external connection terminal 225 is inserted into the groove 22b of the mold plate 22 of the individual mold 20. The direction of the downward arrow indicated by the reference numeral 42 is the moving direction of the template 21 when the template 21 of the individual mold 20 is placed on the semiconductor module 220.

ステップS1の工程を行うことで、図11Bに示すように、半導体モジュール220は、外部接続用端子225が型板22に固定され、積層基板221の、半導体チップ224を実装した主面に対して反対側の主面の導電性板223bがキャビティ31の底面に接触して固定された状態で、キャビティ31の内部に取り付けられる。このため、半導体モジュール220は、積層基板221の主面(半導体チップ224および外部接続用端子225を実装した面)を下側にして、積層基板221がキャビティ31の上側に位置するように取り付けられた状態になる。 By performing the step S1, as shown in FIG. 11B, the semiconductor module 220 has the external connection terminal 225 fixed to the template 22 with respect to the main surface of the laminated substrate 221 on which the semiconductor chip 224 is mounted. The conductive plate 223b on the opposite main surface is attached to the inside of the cavity 31 in a state of being in contact with and fixed to the bottom surface of the cavity 31. Therefore, the semiconductor module 220 is mounted so that the laminated substrate 221 is located on the upper side of the cavity 31 with the main surface of the laminated substrate 221 (the surface on which the semiconductor chip 224 and the external connection terminal 225 are mounted) facing down. It becomes a state.

次に、図11B、11Cに示すように、重力方向Gと直交する軸(個別金型20の型板21,22の金型面21a,22aに平行な軸)を中心に個別金型20を180°回転Rさせることで、個別金型20を上下反転させる(ステップS2)。すなわち、ステップS1の工程において、溝22bが形成された型板22が他方の型板21よりも下側(重力方向G側)に位置した状態であった個別金型20を、ステップS2の工程において上下反転させることで、溝22bが形成された型板22を他方の型板21よりも上側に位置させた状態にする。図11Bに個別金型20の回転R前の状態を示し、図11Cに個別金型20の回転R後の状態を示す。 Next, as shown in FIGS. 11B and 11C, the individual mold 20 is placed around an axis orthogonal to the gravity direction G (an axis parallel to the mold surfaces 21a and 22a of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20). The individual mold 20 is turned upside down by rotating it 180 ° (step S2). That is, in the step S1, the individual mold 20 in which the template 22 on which the groove 22b is formed is located below the other template 21 (on the G side in the gravity direction) is moved to the step S2. By turning it upside down in the above, the template 22 in which the groove 22b is formed is positioned above the other template 21. FIG. 11B shows the state of the individual mold 20 before the rotation R, and FIG. 11C shows the state of the individual mold 20 after the rotation R.

ステップS2の工程を行うことで、図11Cに示すように、個別金型20は、溝22bが形成された型板22を他方の型板21よりも上側に位置させた状態で、以降の工程で用いる製造装置へ搬送される。こうすることで、後述するステップS3,S4において、半導体モジュール220は、積層基板221の主面を上側にして、積層基板221がキャビティ31の下側に位置するように取り付けられた状態になる。ステップS2の工程は、ステップS1の工程の後、後述するステップS4の工程の前までに行えばよい。 By performing the step S2, as shown in FIG. 11C, the individual mold 20 is in a state where the mold plate 22 in which the groove 22b is formed is positioned above the other mold plate 21, and the subsequent steps are performed. It is transported to the manufacturing equipment used in. By doing so, in steps S3 and S4 described later, the semiconductor module 220 is attached so that the main surface of the laminated substrate 221 is on the upper side and the laminated substrate 221 is located on the lower side of the cavity 31. The step S2 may be performed after the step S1 and before the step S4 described later.

次に、図12に示すように、半導体モジュール220を取り付けた個別金型20を例えば130℃以上180℃以下程度の温度で加熱された恒温槽43内に所定時間保持することで、半導体モジュール220を予備加熱する(ステップS3)。上述したように、個別金型20は熱容量の大きい金属材料で形成されているため、個別金型20に半導体モジュール220を取り付ける前に個別金型20のみを恒温槽43で加熱してもよい。ステップS1~S3の工程は、成形装置の外部で個別金型20のみを用いて行う工程である。 Next, as shown in FIG. 12, the semiconductor module 220 is held by holding the individual mold 20 to which the semiconductor module 220 is attached in a constant temperature bath 43 heated at a temperature of, for example, 130 ° C. or higher and 180 ° C. or lower for a predetermined time. Is preheated (step S3). As described above, since the individual mold 20 is made of a metal material having a large heat capacity, only the individual mold 20 may be heated in the constant temperature bath 43 before the semiconductor module 220 is attached to the individual mold 20. The steps S1 to S3 are steps performed outside the molding apparatus using only the individual mold 20.

次に、図13に示すように、個別金型20のランナー32側の面と本体金型10のゲート面14aとが対向するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を嵌め込む。これにより、本体金型10のランナー13およびゲート14と個別金型20のランナー32とが連続した溝となる。符号44で示す矢印の方向は、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を嵌め込むときに個別金型20に加える圧力44の方向である。かつ、図14Aに示すように、本体金型10の可動側の型板2を可動させて前記可動側の型板2の金型面2aを固定側の型板1の金型面1aに接触させることで、本体金型10を閉じる。このとき、可動側の型板2の凹部15に個別金型20が嵌め込まれる。符号45で示す下向きの矢印の方向は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15を個別金型20に嵌め込むときに可動側の型板2に加える圧力45の方向である。 Next, as shown in FIG. 13, the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 so that the surface of the individual mold 20 on the runner 32 side and the gate surface 14a of the main body mold 10 face each other. The individual mold 20 is fitted into the mold. As a result, the runner 13 and the gate 14 of the main body mold 10 and the runner 32 of the individual mold 20 become a continuous groove. The direction of the arrow indicated by reference numeral 44 is the direction of the pressure 44 applied to the individual mold 20 when the individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10. Further, as shown in FIG. 14A, the movable mold plate 2 of the main body mold 10 is moved so that the mold surface 2a of the movable mold plate 2 comes into contact with the mold surface 1a of the fixed side mold plate 1. By letting it close, the main body mold 10 is closed. At this time, the individual mold 20 is fitted into the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side. The direction of the downward arrow indicated by the reference numeral 45 is the direction of the pressure 45 applied to the movable mold plate 2 when the recess 15 of the movable mold plate 2 of the main body mold 10 is fitted into the individual mold 20.

そして、本体金型10を型締めすることで、型板1,2の金型面1a,2a同士を接触させ、本体金型10の凹部11,15で形成される空洞に個別金型20を取り付ける(ステップS4)。ステップS3,S4の工程において、例えば、個別金型20の型板21が金型面21aを上側(重力方向Gと反対側)にして配置され、かつ個別金型20の型板22が金型面22aを下側(重力方向G側)にして、型板21の上に配置されるように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を嵌め込むことが好ましい。ステップS2の工程において個別金型20の型板21,22の上下位置を変更したことで、ステップS3の工程において前工程からの搬送時と同じ状態のまま個別金型20を本体金型10の固定側の型板1の凹部11の上方から前記凹部11の内部に下降させることで、上記好適な配置で本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を嵌め込むことができる。これにより、個別金型20を介して本体金型10の固定側の型板1の凹部11の内部に、個別金型20のキャビティ31の内部の下側の空間に積層基板221が位置するように半導体モジュール220を取り付けることができる。 Then, by molding the main body mold 10, the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 are brought into contact with each other, and the individual mold 20 is placed in the cavity formed by the recesses 11 and 15 of the main body mold 10. Attach (step S4). In the steps S3 and S4, for example, the mold plate 21 of the individual mold 20 is arranged with the mold surface 21a on the upper side (the side opposite to the gravity direction G), and the mold plate 22 of the individual mold 20 is the mold. The individual mold 20 may be fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 so that the surface 22a is on the lower side (G side in the gravity direction) and is arranged on the mold plate 21. preferable. By changing the vertical positions of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 in the process of step S2, the individual mold 20 is placed in the main body mold 10 in the same state as when being transported from the previous step in the process of step S3. By lowering from above the recess 11 of the fixed-side mold plate 1 into the inside of the recess 11, the individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the fixed-side mold plate 1 of the main body mold 10 in the above-mentioned suitable arrangement. be able to. As a result, the laminated substrate 221 is located in the space below the inside of the cavity 31 of the individual mold 20 inside the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 via the individual mold 20. The semiconductor module 220 can be attached to the.

また、ステップS4の工程において、本体金型10の可動側の型板2の凹部15を個別金型20に嵌め込むときに可動側の型板2に加える圧力45、および、本体金型10の型締め力3(図1参照)により、本体金型10と個別金型20との間でスライド機構60aが機能する。このスライド機構60aにより、本体金型10の固定側の型板1の凹部11の内部を、凹部11の底面に平行な方向(以下、横方向とする)46に個別金型20を移動(スライド)させることができる。図14Aのスライド機構60aを図14Bに拡大して示す。具体的には、図14Bに示すように、スライド機構60aは、本体金型10と個別金型20との接触面において本体金型10および個別金型20にそれぞれ設けられ、互いに嵌め合わせ可能な突起部61およびノッチ(溝)62で構成される。図14A,14Bには、スライド機構60aの突起部61とノッチ62とを嵌め合わせる途中の状態を示す。 Further, in the step S4, the pressure 45 applied to the movable mold plate 2 when the recess 15 of the movable mold plate 2 of the main body mold 10 is fitted into the individual mold 20, and the main body mold 10 Due to the mold clamping force 3 (see FIG. 1), the slide mechanism 60a functions between the main body mold 10 and the individual mold 20. By this slide mechanism 60a, the individual mold 20 is moved (slides) inside the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 in a direction parallel to the bottom surface of the recess 11 (hereinafter referred to as a lateral direction) 46. ) Can be made. The slide mechanism 60a of FIG. 14A is shown enlarged in FIG. 14B. Specifically, as shown in FIG. 14B, the slide mechanism 60a is provided on the main body mold 10 and the individual mold 20 at the contact surface between the main body mold 10 and the individual mold 20, and can be fitted to each other. It is composed of a protrusion 61 and a notch (groove) 62. 14A and 14B show a state in which the protrusion 61 of the slide mechanism 60a and the notch 62 are being fitted.

スライド機構60aの突起部61は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面15dに設けられている。突起部61は、本体金型10のゲート面14a(図14A参照)に対向する側面(以下、傾斜面とする)61aが凹部15の底面15dに対して傾斜していることで、凹部15の底面15dから離れるほど(すなわち高くなるほど)、本体金型10のゲート面14aから傾斜面61aが離れるように幅の狭くなる略台形状の断面形状を有する。すなわち、突起部61の傾斜面61aは、本体金型10のゲート面14a(図14A参照)に対向する。本体金型10のゲート面14aとは、本体金型10の凹部11,15で形成される空洞の、ゲート14側の側壁である。突起部61の、本体金型10のゲート面14aに対向する側面(傾斜面61a)を除く他の側面は、凹部15の底面15dに対して突起部61の幅を狭めるように傾斜を有していてもよいし、凹部15の底面15dに対して垂直であってもよい。 The protrusion 61 of the slide mechanism 60a is provided on the bottom surface 15d of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. The protrusion 61 has a concave portion 15 because the side surface (hereinafter referred to as an inclined surface) 61a facing the gate surface 14a (see FIG. 14A) of the main body mold 10 is inclined with respect to the bottom surface 15d of the concave portion 15. It has a substantially trapezoidal cross-sectional shape in which the width becomes narrower so that the inclined surface 61a is separated from the gate surface 14a of the main body mold 10 as the distance from the bottom surface 15d (that is, the height increases). That is, the inclined surface 61a of the protrusion 61 faces the gate surface 14a (see FIG. 14A) of the main body mold 10. The gate surface 14a of the main body mold 10 is a side wall of the cavity formed by the recesses 11 and 15 of the main body mold 10 on the gate 14 side. The other side surfaces of the protrusion 61 except for the side surface (inclined surface 61a) facing the gate surface 14a of the main body mold 10 have an inclination so as to narrow the width of the protrusion 61 with respect to the bottom surface 15d of the recess 15. It may be perpendicular to the bottom surface 15d of the recess 15.

スライド機構60aのノッチ62は、個別金型20の型板22の、可動側の型板2の凹部15の底面15dに接触する面(すなわち金型面22aに対して反対側の主面:以下、個別金型20の上面とする)22cに、突起部61と対向して設けられている。ノッチ62は、個別金型20の上面22cに対して本体金型10のゲート面14aに対向する側面(以下、傾斜面とする)62aが傾斜していることで、個別金型20の上面22cから離れるほど(すなわち深くなるほど)、本体金型10のゲート面14aから傾斜面62aが離れるように幅の狭くなる略台形状の断面形状を有する。 The notch 62 of the slide mechanism 60a is a surface of the mold plate 22 of the individual mold 20 that contacts the bottom surface 15d of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side (that is, the main surface opposite to the mold surface 22a: the following. 22c (which is the upper surface of the individual mold 20) is provided so as to face the protrusion 61. The notch 62 has an inclined side surface (hereinafter referred to as an inclined surface) 62a facing the gate surface 14a of the main body mold 10 with respect to the upper surface 22c of the individual mold 20, so that the upper surface 22c of the individual mold 20 is inclined. It has a substantially trapezoidal cross-sectional shape in which the width becomes narrower so that the inclined surface 62a is separated from the gate surface 14a of the main body mold 10 as the distance from the main body mold 10 increases (that is, the deeper the depth).

すなわち、ノッチ62の傾斜面62aは、本体金型10のゲート面14a(図14A参照)に対向する。ノッチ62の、本体金型10のゲート面14aに対向する側面(傾斜面62a)を除く他の側面は、個別金型20の上面22cに対してノッチ62の幅を狭めるように傾斜を有していてもよいし、個別金型20の上面22cに対して垂直であってもよい。ノッチ62は、突起部61と略同じ寸法で略同じ略台形状の断面形状を有してもよい。ノッチ62は、本体金型10のゲート面14aに対向する側面に突起部61の傾斜面61aと対向する傾斜面62aを有し、突起部61が嵌められる大きさ、形状であればよい。 That is, the inclined surface 62a of the notch 62 faces the gate surface 14a (see FIG. 14A) of the main body mold 10. The other side surfaces of the notch 62 except for the side surface (inclined surface 62a) facing the gate surface 14a of the main body mold 10 have an inclination so as to narrow the width of the notch 62 with respect to the upper surface 22c of the individual mold 20. It may be perpendicular to the upper surface 22c of the individual mold 20. The notch 62 may have substantially the same dimensions and substantially the same trapezoidal cross-sectional shape as the protrusion 61. The notch 62 may have an inclined surface 62a facing the inclined surface 61a of the protrusion 61 on the side surface of the main body mold 10 facing the gate surface 14a, and may have a size and shape in which the protrusion 61 can be fitted.

本体金型10に個別金型20を嵌め合わせる段階において、凹部11,15に個別金型20を嵌め合せるためのクリアランスを考慮するために、本体金型10と個別金型20の間には隙間がある。このような構成のスライド機構60aを設けることで、本体金型10の可動側の型板2の凹部15を個別金型20に嵌め込むときに可動側の型板2に加える圧力45、および、本体金型10の型締め力3(図1参照)により、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面15dの突起部61が個別金型20のノッチ62に押し込まれる。これにより、突起部61の傾斜面61aとノッチ62の傾斜した側壁(以下、傾斜面とする)62aとが接触して、個別金型20が横方向46に移動し、本体金型10のゲート面14aに強く押し付けられる。このため、本体金型10の型締め後、本体金型10のゲート面14aと個別金型20との間に隙間は生じない。したがって、後述する樹脂封止時に、本体金型10のゲート面14aと個別金型20との間に樹脂材料が流れ込むことを防止することができる。 At the stage of fitting the individual mold 20 to the main body mold 10, there is a gap between the main body mold 10 and the individual mold 20 in order to consider the clearance for fitting the individual mold 20 to the recesses 11 and 15. There is. By providing the slide mechanism 60a having such a configuration, the pressure 45 applied to the movable mold plate 2 when the recess 15 of the movable mold plate 2 of the main body mold 10 is fitted into the individual mold 20 and the pressure 45 applied to the movable mold plate 2 and The protrusion 61 of the bottom surface 15d of the recess 15 of the movable side of the mold 10 of the main body mold 10 is pushed into the notch 62 of the individual mold 20 by the mold tightening force 3 (see FIG. 1) of the main body mold 10. As a result, the inclined surface 61a of the protrusion 61 and the inclined side wall (hereinafter referred to as the inclined surface) 62a of the notch 62 come into contact with each other, the individual mold 20 moves in the lateral direction 46, and the gate of the main body mold 10 It is strongly pressed against the surface 14a. Therefore, after the main body mold 10 is clamped, there is no gap between the gate surface 14a of the main body mold 10 and the individual mold 20. Therefore, it is possible to prevent the resin material from flowing between the gate surface 14a of the main body mold 10 and the individual mold 20 at the time of resin sealing described later.

図14Aには、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の、ゲート面14aから離れた位置にスライド機構60aを設けた場合を図示しているが、スライド機構60aは、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面15dのいずれの位置にも配置可能である。また、スライド機構60aは、個別金型20の上面22c側から見て個別金型20の略矩形状の上面22cの1辺に沿って延在する直線状に配置されていてもよい(図15A参照)。この場合、スライド機構60aの長さは、個別金型20の上面22cの1辺と略同じ長さであってもよいし、個別金型20の上面22cの1辺の略半分の長さであってもよい。 FIG. 14A shows a case where the slide mechanism 60a is provided at a position of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 at a position away from the gate surface 14a. It can be arranged at any position on the bottom surface 15d of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the mold 10. Further, the slide mechanism 60a may be arranged in a straight line extending along one side of the substantially rectangular upper surface 22c of the individual mold 20 when viewed from the upper surface 22c side of the individual mold 20 (FIG. 15A). reference). In this case, the length of the slide mechanism 60a may be substantially the same as one side of the upper surface 22c of the individual mold 20, or substantially half the length of one side of the upper surface 22c of the individual mold 20. There may be.

また、個別金型20の上面22c側から見て個別金型20の略矩形状の上面22cの4つの頂点に対応する付近にそれぞれスライド機構60aのノッチ62(図15B参照)が配置されるようにスライド機構60aを複数配置し、これら複数のスライド機構60aを組合せて個別金型20を本体金型10のゲート面14aに固定してもよい。図15A,15Bには、スライド機構60aのノッチ62のレイアウトのみを図示し、突起部61のレイアウトを図示省略するが、突起部61はノッチ62と同様のレイアウトで本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面15dに配置される。 Further, notches 62 (see FIG. 15B) of the slide mechanism 60a are arranged in the vicinity corresponding to the four vertices of the substantially rectangular upper surface 22c of the individual mold 20 when viewed from the upper surface 22c side of the individual mold 20. A plurality of slide mechanisms 60a may be arranged in the above, and the individual molds 20 may be fixed to the gate surface 14a of the main body mold 10 by combining the plurality of slide mechanisms 60a. 15A and 15B show only the layout of the notch 62 of the slide mechanism 60a, and the layout of the protrusion 61 is omitted. However, the protrusion 61 has the same layout as the notch 62 on the movable side of the main body mold 10. It is arranged on the bottom surface 15d of the recess 15 of the template 2.

また、上述したスライド機構60aに代えて、固定側の型板1の金型面1aと、個別金型20の下面(個別金型20の型板21の、固定側の型板1の金型面1aの凹部11の底面との接触面)と、の間に、スライド機構60aと同じ機能を有するスライド機構(不図示)を設けてもよい。この固定側の型板1の金型面1aと個別金型20の下面との間のスライド機構と、上述したスライド機構60aと、をともに設けてもよい。 Further, instead of the slide mechanism 60a described above, the mold surface 1a of the fixed side mold plate 1 and the lower surface of the individual mold 20 (the mold of the fixed side mold plate 1 of the mold plate 21 of the individual mold 20). A slide mechanism (not shown) having the same function as the slide mechanism 60a may be provided between the surface 1a and the contact surface with the bottom surface of the recess 11. A slide mechanism between the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side and the lower surface of the individual mold 20 and the slide mechanism 60a described above may be provided together.

また、図15Cに示すように、スライド機構60a’の突起部61’を個別金型20の上面22cに設け、ノッチ62’を本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面15dに設けてもよい。この場合、突起部61’およびノッチ62’ともに、本体金型10のゲート面14aに対向する側面に対して反対側の側面(傾斜面)61a’,62a’が傾斜している。突起部61’は、個別金型20の上面22cから離れるほど(すなわち高くなるほど)、本体金型10のゲート面14aに傾斜面61a’が近づくように幅の狭くなる略台形状の断面形状を有する。ノッチ62’は、突起部61’と対向して設けられている。ノッチ62’は、 凹部15の底面15dから離れるほど(すなわち深くなるほど)、本体金型10のゲート面14aに傾斜面62a’が近づくように幅の狭くなる略台形状の断面形状を有する。このように突起部61’およびノッチ62’を設けることで、本体金型10にノッチ62’があり、個別金型20に突起部61’がある場合においても、個別金型20が横方向46に移動し、本体金型10のゲート面14aに強く押し付けられる。 Further, as shown in FIG. 15C, the protrusion 61'of the slide mechanism 60a'is provided on the upper surface 22c of the individual mold 20, and the notch 62'is provided on the bottom surface 15d of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. It may be provided in. In this case, both the protrusion 61'and the notch 62'have inclined side surfaces (inclined surfaces) 61a'and 62a' opposite to the side surface of the main body mold 10 facing the gate surface 14a. The protrusion 61'has a substantially trapezoidal cross-sectional shape in which the width becomes narrower so that the inclined surface 61a'approaches the gate surface 14a of the main body mold 10 as the distance from the upper surface 22c of the individual mold 20 increases (that is, the higher the height). Have. The notch 62'is provided so as to face the protrusion 61'. The notch 62'has a substantially trapezoidal cross-sectional shape in which the width becomes narrower so that the inclined surface 62a'approaches the gate surface 14a of the main body mold 10 as the distance from the bottom surface 15d of the recess 15 increases (that is, the deeper the depth). By providing the protrusion 61'and the notch 62'in this way, even when the main body mold 10 has the notch 62'and the individual mold 20 has the protrusion 61', the individual mold 20 has the protrusion 61'in the lateral direction 46. And is strongly pressed against the gate surface 14a of the main body mold 10.

また、本体金型10の温度は、常時、例えば130℃~180℃程度に保たれている。例えば後述する比較例の製造方法では、半導体モジュール220を樹脂封止する前に、半導体モジュール220を加熱するために、半導体モジュール220を成形装置(金型200)に取り付けた状態で所定時間放置する必要がある(図34のステップS102参照)。一方、本発明においては、半導体モジュール220は、ステップS4の工程を行う段階において既に個別金型20の内部で加熱されている。そのため、比較例の製造方法のように半導体モジュール220を成形装置に取り付けた状態で放置する必要がない。したがって、成形装置での処理の1サイクルに要する時間(サイクルタイム)を短縮することができる。 Further, the temperature of the main body mold 10 is always maintained at, for example, about 130 ° C. to 180 ° C. For example, in the manufacturing method of the comparative example described later, before the semiconductor module 220 is resin-sealed, the semiconductor module 220 is left attached to the molding apparatus (mold 200) for a predetermined time in order to heat the semiconductor module 220. It is necessary (see step S102 in FIG. 34). On the other hand, in the present invention, the semiconductor module 220 is already heated inside the individual mold 20 at the stage of performing the step S4. Therefore, unlike the manufacturing method of the comparative example, it is not necessary to leave the semiconductor module 220 attached to the molding apparatus. Therefore, the time (cycle time) required for one cycle of processing in the molding apparatus can be shortened.

次に、固定側の型板1のカル12に、例えば略円柱状の樹脂材料片を配置する。この樹脂材料片は、可動側の型板2のポット16により加熱されて軟化される。そして、図16に示すように、可動側の型板2のポット16の内部に装着されたブランジャー4により、軟化された樹脂材料47に圧力をかけて前記樹脂材料47を本体金型10のカル12からランナー13およびゲート14へ流動させて、個別金型20のランナー32からキャビティ31の内部へ圧入する。これにより、個別金型20のキャビティ31の内部の半導体モジュール220が樹脂材料47で覆われ、半導体モジュール220が樹脂封止される(ステップS5)。 Next, for example, a substantially columnar resin material piece is arranged on the cal 12 of the template 1 on the fixed side. This resin material piece is heated and softened by the pot 16 of the template 2 on the movable side. Then, as shown in FIG. 16, pressure is applied to the softened resin material 47 by the blanger 4 mounted inside the pot 16 of the movable mold plate 2, and the resin material 47 is used in the main body mold 10. It is flowed from the cal 12 to the runner 13 and the gate 14, and is press-fitted into the inside of the cavity 31 from the runner 32 of the individual mold 20. As a result, the semiconductor module 220 inside the cavity 31 of the individual mold 20 is covered with the resin material 47, and the semiconductor module 220 is resin-sealed (step S5).

ステップS5の工程において、可動側の型板2のポット16により加熱され軟化した樹脂材料47は、本体金型10および個別金型20の内部に形成された流動経路(ランナー13,32)を進むごとに、硬化が進行する。このため、本体金型10は、個別金型20のキャビティ31の内部で樹脂材料47の硬化が進行する温度に保持されていることが好ましい。個別金型20のキャビティ31から溢れた樹脂材料47や、樹脂材料47の流動時に樹脂材料47の内部に生じた気泡(ボイド)47aは、キャビティ31に隣接する樹脂溜り33に収容される。符号47cは、樹脂溜り33まで移動した気泡47aが溜まってなるエア溜りである。 In the step S5, the resin material 47 heated and softened by the pot 16 of the mold plate 2 on the movable side advances along the flow paths (runners 13 and 32) formed inside the main body mold 10 and the individual mold 20. Hardening progresses each time. Therefore, it is preferable that the main body mold 10 is held at a temperature at which the resin material 47 is cured inside the cavity 31 of the individual mold 20. The resin material 47 overflowing from the cavity 31 of the individual mold 20 and the bubbles (voids) 47a generated inside the resin material 47 when the resin material 47 flows are housed in the resin reservoir 33 adjacent to the cavity 31. Reference numeral 47c is an air reservoir in which bubbles 47a that have moved to the resin reservoir 33 are accumulated.

また、ここでは、軟化した樹脂材料47を後述する比較例の製造方法(図36~38参照)と同様に重力方向Gと直交する方向47bに流動させる例を示す。樹脂材料47の流動時に樹脂材料47に発生した気泡47aは、浮力により個別金型20のキャビティ31の内部の上側の空間に移動する。そのため、比較例の製造方法においては、個別金型20のキャビティ31の内部の上側の空間に位置する半導体チップ224表面や、半導体チップ224を実装した導電性板223a上に、気泡47aが残りやすい。これらは、半導体モジュール220に絶縁不良を発生させる原因となる。一方、本発明においては、上述したように個別金型20のキャビティ31の内部の下側の空間に積層基板221が位置するように半導体モジュール220が配置されている。このため、個別金型20のキャビティ31の内部において樹脂材料47の内部に気泡47aが残ったとしても、半導体チップ224表面や、半導体チップ224を実装した導電性板223a上には、気泡47aが残らない。そのため、半導体モジュール220の絶縁不良を防止することができる。 Further, here, an example in which the softened resin material 47 is flowed in the direction 47b orthogonal to the gravity direction G is shown in the same manner as in the manufacturing method (see FIGS. 36 to 38) of the comparative example described later. Bubbles 47a generated in the resin material 47 when the resin material 47 flows move to the upper space inside the cavity 31 of the individual mold 20 due to buoyancy. Therefore, in the manufacturing method of the comparative example, bubbles 47a tend to remain on the surface of the semiconductor chip 224 located in the upper space inside the cavity 31 of the individual mold 20 and on the conductive plate 223a on which the semiconductor chip 224 is mounted. .. These cause insulation defects in the semiconductor module 220. On the other hand, in the present invention, as described above, the semiconductor module 220 is arranged so that the laminated substrate 221 is located in the space below the inside of the cavity 31 of the individual mold 20. Therefore, even if the bubbles 47a remain inside the resin material 47 inside the cavity 31 of the individual mold 20, the bubbles 47a are formed on the surface of the semiconductor chip 224 or on the conductive plate 223a on which the semiconductor chip 224 is mounted. It does not remain. Therefore, it is possible to prevent the insulation failure of the semiconductor module 220.

次に、図17に示すように、本体金型10の可動側の型板2を可動させることで、本体金型10を開く(型開き)。符号48で示す上向きの矢印の方向は、本体金型10の可動側の型板2の移動方向である。次に、図18に示すように、本体金型10の固定側の型板1のピン孔11aに挿入されたイジェクトピン49により個別金型20を押し上げて、本体金型10の固定側の型板1の凹部11から個別金型20を取り出す(ステップS6)。符号50で示す上向きの矢印の方向は、イジェクトピン49の移動方向である。次に、本体金型10に付着した樹脂材料47の残渣(残樹脂)等を清掃する(ステップS7)。ステップS4~S7の工程は、成形装置で行う工程である。 Next, as shown in FIG. 17, the main body mold 10 is opened (mold opening) by moving the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. The direction of the upward arrow indicated by reference numeral 48 is the moving direction of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. Next, as shown in FIG. 18, the individual mold 20 is pushed up by the eject pin 49 inserted into the pin hole 11a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10, and the mold on the fixed side of the main body mold 10 is pushed up. The individual mold 20 is taken out from the recess 11 of the plate 1 (step S6). The direction of the upward arrow indicated by reference numeral 50 is the moving direction of the eject pin 49. Next, the residue (residual resin) of the resin material 47 adhering to the main body mold 10 is cleaned (step S7). The steps S4 to S7 are steps performed by the molding apparatus.

次に、図19に示すように、個別金型20を例えば加熱庫51に挿入して、例えば130℃以上180℃程度の温度で樹脂材料47を1次硬化させる(ステップS8)。比較例の製造方法(図34参照)では、成形装置(金型200)から半導体モジュール220を取り出す前に樹脂材料231を1次硬化させていたが(図34のステップS104参照)、本発明においては、成形装置(本体金型10)から半導体モジュール220(個別金型20)を取り出した後に樹脂材料47を1次硬化させる。このため、成形装置での処理のサイクルタイムを比較例の製造方法よりも短縮することができる。また、例えば、ステップS7の工程(成形装置の清掃)と、ステップS8の工程(樹脂材料47の1次硬化)と、を並行して行うことができる。このため、成形装置での処理の1サイクルを連続して行うライン作業に要する時間を比較例の製造方法よりも短縮することができる。なお、ステップS8の工程は、必要に応じて行えばよく、省略可能である。 Next, as shown in FIG. 19, the individual mold 20 is inserted into, for example, a heating chamber 51, and the resin material 47 is primarily cured at a temperature of, for example, 130 ° C. or higher and 180 ° C. (step S8). In the manufacturing method of the comparative example (see FIG. 34), the resin material 231 was primarily cured before the semiconductor module 220 was taken out from the molding apparatus (mold 200) (see step S104 of FIG. 34), but in the present invention. Takes out the semiconductor module 220 (individual mold 20) from the molding apparatus (main body mold 10) and then first cures the resin material 47. Therefore, the cycle time of the processing in the molding apparatus can be shortened as compared with the manufacturing method of the comparative example. Further, for example, the step S7 (cleaning of the molding apparatus) and the step S8 (primary curing of the resin material 47) can be performed in parallel. Therefore, the time required for the line work in which one cycle of the processing in the molding apparatus is continuously performed can be shortened as compared with the manufacturing method of the comparative example. The step S8 may be performed as needed and can be omitted.

次に、図20に示すように、個別金型20を開く(型開き)ことで、成形品(樹脂材料47で樹脂封止された半導体モジュール220)から個別金型20の型板22を外す。例えば、個別金型20の型板22に設けたピン孔(不図示)に挿入したイジェクトピンにより樹脂材料47側から成形品を押し出して、個別金型20の型板22の溝22bから外部接続用端子225を外すことで、成形品から個別金型20の型板22を外してもよい。符号52で示す上向きの矢印の方向は、個別金型20の型板22の移動方向である。 Next, as shown in FIG. 20, by opening (mold opening) the individual mold 20, the mold plate 22 of the individual mold 20 is removed from the molded product (semiconductor module 220 resin-sealed with the resin material 47). .. For example, the molded product is extruded from the resin material 47 side by an eject pin inserted into a pin hole (not shown) provided in the mold plate 22 of the individual mold 20, and is externally connected from the groove 22b of the mold plate 22 of the individual mold 20. By removing the terminal 225, the mold plate 22 of the individual mold 20 may be removed from the molded product. The direction of the upward arrow indicated by reference numeral 52 is the moving direction of the mold plate 22 of the individual mold 20.

次に、図21に示すように、個別金型20の型板21のキャビティ31から成形品を取り出す(ステップS9)。符号53で示す上向きの矢印の方向は成形品の移動方向である。外部接続用端子225の他方の端部は、ステップS5の工程(樹脂封止)において個別金型20の型板22の溝22bに差し込まれているため、樹脂封止されない。これによって、外部接続用端子225の他方の端部を通して、外部と半導体モジュール220とを導通させることができる。 Next, as shown in FIG. 21, the molded product is taken out from the cavity 31 of the mold plate 21 of the individual mold 20 (step S9). The direction of the upward arrow indicated by reference numeral 53 is the moving direction of the molded product. The other end of the external connection terminal 225 is not resin-sealed because it is inserted into the groove 22b of the mold plate 22 of the individual mold 20 in the step (resin sealing) of step S5. As a result, the semiconductor module 220 can be made conductive with the outside through the other end of the external connection terminal 225.

また、積層基板221の、半導体チップ224および外部接続用端子225を実装した主面に対した反対側の主面は、ステップS5の工程において個別金型20の型板21のキャビティ31の底面に接しているため、樹脂封止されない。これによって、半導体モジュール220は、積層基板221の裏面から、半導体チップで発せられた熱を放熱させることができる。ステップS8,S9の工程は、成形装置の外部で個別金型20のみを用いて行う工程である。これによって、半導体モジュール220の樹脂封止の1サイクルが完了する。これらステップS1~S9の工程を繰り返し行うことで、半導体モジュール220の樹脂封止が連続して行われる。 Further, the main surface of the laminated substrate 221 opposite to the main surface on which the semiconductor chip 224 and the external connection terminal 225 are mounted is on the bottom surface of the cavity 31 of the mold plate 21 of the individual mold 20 in the step S5. Since it is in contact, it is not sealed with resin. As a result, the semiconductor module 220 can dissipate heat generated by the semiconductor chip from the back surface of the laminated substrate 221. The steps S8 and S9 are steps performed outside the molding apparatus using only the individual mold 20. This completes one cycle of resin encapsulation of the semiconductor module 220. By repeating these steps S1 to S9, the resin sealing of the semiconductor module 220 is continuously performed.

また、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法を適用することで、例えば、本体金型10の可動側の型板2の凹部15に個別金型20のキャビティ31が配置される場合(すなわち図8の構成)においても、半導体モジュール220を樹脂封止可能である。この場合においても、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の内部において、個別金型20のキャビティ31の内部の下側の空間に積層基板221が位置するように半導体モジュール220が配置されることが好ましい。 Further, by applying the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, for example, when the cavity 31 of the individual mold 20 is arranged in the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 (that is,). Also in the configuration of FIG. 8), the semiconductor module 220 can be resin-sealed. Also in this case, the semiconductor module 220 is placed so that the laminated substrate 221 is located in the space below the inside of the cavity 31 of the individual mold 20 inside the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. It is preferable to be arranged.

具体的には、例えば、図8の個別金型20を用いる場合の実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法は、上述した実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法において、ステップS1の工程と,ステップS4の工程における個別金型20の型板21,22の上下位置と、が異なる以外は図5の個別金型20を用いた場合と同様である。具体的には、図8の個別金型20を用いる場合、次のようにステップS1,S4の工程を行えばよい。図22,23は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造途中の別の一例の状態を示す断面図である。ステップS1の工程においては、図22に示すように、個別金型20の型板21の金型面21aを上側にし、前記型板21のキャビティ31の底部の溝21bに半導体モジュール220の外部接続用端子225の他方の端部を差し込むことで、前記キャビティ31の内部に半導体モジュール220を取り付ける。 Specifically, for example, the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment when the individual mold 20 of FIG. 8 is used is the step S1 in the method for manufacturing a semiconductor device according to the above-described first embodiment. It is the same as the case where the individual mold 20 of FIG. 5 is used, except that the vertical positions of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 in the step S4 are different. Specifically, when the individual mold 20 shown in FIG. 8 is used, the steps S1 and S4 may be performed as follows. 22 and 23 are cross-sectional views showing a state of another example in the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment. In the step S1, as shown in FIG. 22, the mold surface 21a of the mold plate 21 of the individual mold 20 is on the upper side, and the semiconductor module 220 is externally connected to the groove 21b at the bottom of the cavity 31 of the mold plate 21. The semiconductor module 220 is attached to the inside of the cavity 31 by inserting the other end of the terminal 225.

次に、個別金型20の型板21,22同士を金型面21a,22a同士が対向するように重ね合わせて、個別金型20の型板22を半導体モジュール220に被せる。これにより、半導体モジュール220は、外部接続用端子225が型板21のキャビティ31の底面に固定され、積層基板221の、半導体チップ224を実装した主面に対して反対側の主面の導電性板223bが型板22の金型面22aに接触して固定された状態で、キャビティ31の内部に取り付けられる。符号41’で示す下向きの矢印の方向は、個別金型20の型板21のキャビティ31の底部の溝21bに外部接続用端子225を差し込むときに半導体モジュール220に加える圧力41’の方向である。符号42’で示す下向きの矢印の方向は、個別金型20の型板22を半導体モジュール220に被せるときの前記型板22の移動方向である。 Next, the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 are overlapped with each other so that the mold surfaces 21a and 22a face each other, and the mold plate 22 of the individual mold 20 is put on the semiconductor module 220. As a result, in the semiconductor module 220, the external connection terminal 225 is fixed to the bottom surface of the cavity 31 of the template 21, and the conductivity of the main surface of the laminated substrate 221 opposite to the main surface on which the semiconductor chip 224 is mounted. The plate 223b is attached to the inside of the cavity 31 in a state where the plate 223b is in contact with and fixed to the mold surface 22a of the mold plate 22. The direction of the downward arrow indicated by reference numeral 41'is the direction of the pressure 41'applied to the semiconductor module 220 when the external connection terminal 225 is inserted into the groove 21b at the bottom of the cavity 31 of the mold plate 21 of the individual mold 20. .. The direction of the downward arrow indicated by the reference numeral 42'is the moving direction of the template 22 when the template 22 of the individual mold 20 is placed on the semiconductor module 220.

ここまでの工程で、図5の個別金型20を用いた場合と同様に、半導体モジュール220は、積層基板221の主面(半導体チップ224および外部接続用端子225を実装した面)を下側にして、積層基板221がキャビティ31の上側に位置するように取り付けられた状態になる。このため、図5の個別金型20を用いた場合と同様に、ステップS2の工程において個別金型20を回転させて、型板21,22を上下反転させた状態で、以降の工程の製造装置へ個別金型20を搬送することができる。 In the steps up to this point, as in the case of using the individual mold 20 of FIG. 5, the semiconductor module 220 has the main surface (the surface on which the semiconductor chip 224 and the external connection terminal 225 are mounted) of the laminated substrate 221 on the lower side. Then, the laminated substrate 221 is attached so as to be located on the upper side of the cavity 31. Therefore, as in the case of using the individual mold 20 of FIG. 5, the individual mold 20 is rotated in the step S2, and the mold plates 21 and 22 are turned upside down, and the subsequent steps are manufactured. The individual mold 20 can be transported to the device.

ステップS4の工程においては、図23に示すように、図5の個別金型20を用いた場合と同様に、個別金型20のランナー32側の面と本体金型10のゲート面14aとが対向するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を嵌め込む。図5の個別金型20を用いた場合と同様に、ステップS2の工程において個別金型20の型板21,22の上下位置を変更しているため、個別金型20の、キャビティ31を有する型板21の下側に型板22が位置するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20が嵌め込まれる。 In the step S4, as shown in FIG. 23, the surface of the individual mold 20 on the runner 32 side and the gate surface 14a of the main body mold 10 are formed in the same manner as in the case of using the individual mold 20 of FIG. The individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 so as to face each other. Similar to the case where the individual mold 20 of FIG. 5 is used, since the vertical positions of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 are changed in the step S2, the individual mold 20 has a cavity 31. The individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 so that the mold plate 22 is located on the lower side of the mold plate 21.

したがって、半導体モジュール220は、図5の個別金型20を用いた場合と同様に、積層基板221の主面を上側にして、積層基板221がキャビティ31の下側に位置するように取り付けられた状態になる。符号44’で示す矢印の方向は、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を嵌め込むときに個別金型20に加える圧力44’の方向である。その後、図5の個別金型20を用いた場合と同様に、本体金型10の可動側の型板2を可動させて本体金型10を閉じた後、本体金型10を型締めすればよい。 Therefore, the semiconductor module 220 is mounted so that the laminated substrate 221 is located on the lower side of the cavity 31 with the main surface of the laminated substrate 221 facing up, as in the case of using the individual mold 20 of FIG. Become a state. The direction of the arrow indicated by the reference numeral 44'is the direction of the pressure 44'applied to the individual mold 20 when the individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10. After that, as in the case of using the individual mold 20 of FIG. 5, the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 is moved to close the main body mold 10, and then the main body mold 10 is clamped. good.

以上、説明したように、実施の形態1によれば、半導体部品を取り付けるキャビティを個別金型に設け、本体金型には、個別金型を取り付ける空洞(凹部)と、個別金型に樹脂を供給するカルおよびランナーと、のみを設けた構成とする。これによって、本体金型に個別金型を取り付ける向きを種々変更することで、本体金型の内部における半導体部品の向きを自由に設計することができる。さらに、本体金型の内部における個別金型の位置、を種々変更することで、本体金型のランナーと個別金型のキャビティとの位置を自由に設計することができる。これにより、本体金型のランナーから個別金型のキャビティへ注入する樹脂の注入方向を自由に設計することができる。 As described above, according to the first embodiment, the cavity for attaching the semiconductor component is provided in the individual mold, the main body mold is provided with the cavity (recess) for attaching the individual mold, and the individual mold is provided with resin. The configuration is such that only the cal and runner to be supplied are provided. As a result, the orientation of the semiconductor parts inside the main body mold can be freely designed by changing the orientation of attaching the individual molds to the main body mold in various ways. Further, by variously changing the positions of the individual molds inside the main body mold, the positions of the runner of the main body mold and the cavity of the individual mold can be freely designed. This makes it possible to freely design the injection direction of the resin to be injected from the runner of the main body mold into the cavity of the individual mold.

また、本体金型に個別金型を嵌め合わせる段階では、本体金型と個別金型との間にはクリアランスによる隙間がある。このような状態で樹脂封止を行うと本体金型と個別金型との隙間に樹脂が流入し、個別金型が取り出せなくなる場合がある。それに対して、実施の形態1によれば、スライド機構を有することで、本体金型の型締め後、本体金型のゲート面と個別金型との間に隙間は生じない。したがって、樹脂封止時に、本体金型と個別金型との間に樹脂材料が流れ込むことを防止することができる。そのため、1サイクルの樹脂成型ごとに、個別金型の取り付けおよび取り外しを行うことができる。そのため、最適な向きで取り付けた半導体部品を有する個別金型を、最適な向きで成形金型に取り付けることができる。 Further, at the stage of fitting the individual molds to the main body molds, there is a gap due to the clearance between the main body molds and the individual molds. If the resin is sealed in such a state, the resin may flow into the gap between the main body mold and the individual mold, and the individual mold may not be taken out. On the other hand, according to the first embodiment, by having the slide mechanism, there is no gap between the gate surface of the main body mold and the individual molds after the main body mold is fastened. Therefore, it is possible to prevent the resin material from flowing between the main body mold and the individual mold at the time of resin sealing. Therefore, individual molds can be attached and detached for each cycle of resin molding. Therefore, the individual mold having the semiconductor parts mounted in the optimum orientation can be attached to the molding mold in the optimum orientation.

また、実施の形態1によれば、半導体部品に対して行う事前処理(半導体部品の予備加熱等)や事後処理(半導体部品の1次硬化等)を、成形装置から個別金型を取り外した状態で行うことができる。このため、成形装置での処理の1サイクルに要する時間(サイクルタイム)を短縮することができる。また、実施の形態1によれば、同一構成の個別金型を複数用意することで、1つの個別金型で事後処理を行っている間に、前記個別金型での事後処理と並行して、他の個別金型を用いてで成形装置での処理を行うことができる。このため、成形装置での処理でのサイクルタイムをさらに短縮することができる。また、実施の形態1によれば、半導体部品ごと個別金型を用意することができるため、半導体部品の形状に合わせて個別金型を最適化可能である。また、実施の形態1によれば、本体金型の構成を変更しないため、金型変更に伴う成形装置での段取り変更を行う必要がない。 Further, according to the first embodiment, the pretreatment (preheating of the semiconductor component, etc.) and the posttreatment (primary curing of the semiconductor component, etc.) performed on the semiconductor component are performed in a state where the individual mold is removed from the molding apparatus. Can be done at. Therefore, the time (cycle time) required for one cycle of processing in the molding apparatus can be shortened. Further, according to the first embodiment, by preparing a plurality of individual molds having the same configuration, while performing the post-processing with one individual mold, in parallel with the post-processing with the individual mold. , It can be processed in the molding apparatus by using other individual molds. Therefore, the cycle time in the processing in the molding apparatus can be further shortened. Further, according to the first embodiment, since an individual mold can be prepared for each semiconductor component, the individual mold can be optimized according to the shape of the semiconductor component. Further, according to the first embodiment, since the configuration of the main body mold is not changed, it is not necessary to change the setup in the molding apparatus due to the mold change.

(実施の形態2)
次に、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法として、金型面21a,22aが本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aと直交するように本体金型10の固定側の型板1の凹部11のみに個別金型20を配置し、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に上側から下側へ向かう方向に樹脂材料47が供給される場合における半導体部品の樹脂封止方法を説明する。実施の形態2の本体金型10は、実施の形態1の図6に相当し、可動側の型板2に凹部15を有していない。図24は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
(Embodiment 2)
Next, as a method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment, the main body mold 10 is arranged so that the mold surfaces 21a and 22a are orthogonal to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. The individual mold 20 is arranged only in the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side, and the resin material 47 is supplied from the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20 in the direction from the upper side to the lower side. The resin sealing method of the semiconductor component in the case will be described. The main body mold 10 of the second embodiment corresponds to FIG. 6 of the first embodiment, and the mold plate 2 on the movable side does not have a recess 15. FIG. 24 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.

実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法は、ステップS2の工程(個別金型20を回転させる工程)における個別金型20の回転角度、ステップS4の工程(個別金型20の取り付け)における本体金型10への個別金型20の取り付け方向と、ステップS5の工程(樹脂封止)の樹脂材料47の流動方向54と、が異なる以外は実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法(図9参照)と同様である。また、実施の形態2においては、本体金型10への個別金型20の取り付け方向が異なることで、個別金型20の各部の配置が後述するように実施の形態1の個別金型20と若干異なる。半導体モジュール220の構成(図10参照)は、実施の形態1と同様である。 The method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment is the rotation angle of the individual mold 20 in the step S2 (step of rotating the individual mold 20) and the main body in the step S4 (mounting of the individual mold 20). The method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment (FIG. 1) except that the mounting direction of the individual mold 20 to the mold 10 and the flow direction 54 of the resin material 47 in the step (resin sealing) of step S5 are different. 9) is the same. Further, in the second embodiment, since the mounting direction of the individual mold 20 to the main body mold 10 is different, the arrangement of each part of the individual mold 20 is different from that of the individual mold 20 of the first embodiment as described later. Slightly different. The configuration of the semiconductor module 220 (see FIG. 10) is the same as that of the first embodiment.

具体的には、まず、実施の形態1と同様にステップS1~S3の工程を順に行う。このとき、ステップS2の工程において、重力方向Gと直交する軸を中心に個別金型20を90°回転させる。すなわち、実施の形態1においては、ステップS2の工程の後、個別金型20の型板21,22のうちの一方の型板が他方の型板よりも下側(重力方向G側)に位置する状態であった(例えば型板22が型板21よりも下側:図11B参照)。それに対して、実施の形態2においては、ステップS2の工程において重力方向Gと直交する軸を中心に個別金型20を90°回転させることで、型板21,22の金型面21a,22aが重力方向Gに対して水平になり、型板21,22ともに同じ高さに位置した状態となる。こうすることで、半導体モジュール220の積層基板221の主面が重力方向Gに対して水平になった状態で、個別金型20が以降の工程へ搬送される(図24参照)。 Specifically, first, the steps of steps S1 to S3 are sequentially performed in the same manner as in the first embodiment. At this time, in the step S2, the individual mold 20 is rotated by 90 ° about an axis orthogonal to the gravity direction G. That is, in the first embodiment, after the step S2, one of the molds 21 and 22 of the individual mold 20 is located below the other mold (G side in the gravity direction). (For example, the template 22 is below the template 21: see FIG. 11B). On the other hand, in the second embodiment, the mold surfaces 21a and 22a of the mold plates 21 and 22 are rotated by 90 ° about the axis orthogonal to the gravity direction G in the step S2. Is horizontal to the direction of gravity G, and both the mold plates 21 and 22 are located at the same height. By doing so, the individual mold 20 is conveyed to the subsequent steps in a state where the main surface of the laminated substrate 221 of the semiconductor module 220 is horizontal with respect to the gravity direction G (see FIG. 24).

図24に示すように、ステップS4の工程においては、金型面21a,22aが本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aと直交するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20を配置する。この場合においても、実施の形態1と同様に(図13~15参照)、本体金型10の可動側の型板2と個別金型20との間にスライド機構(不図示)を設けることで、個別金型20を本体金型10のゲート面14aに押し付けるように嵌め込むことができる。個別金型20の取り出し方法は、実施の形態1と同様に、イジェクトピン(不図示)により個別金型20を押し上げればよい。 As shown in FIG. 24, in the step S4, the main body mold 10 is fixed so that the mold surfaces 21a and 22a are orthogonal to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. The individual mold 20 is arranged in the recess 11 of the mold plate 1 on the side. Also in this case, as in the first embodiment (see FIGS. 13 to 15), a slide mechanism (not shown) is provided between the movable mold plate 2 of the main body mold 10 and the individual mold 20. , The individual mold 20 can be fitted so as to be pressed against the gate surface 14a of the main body mold 10. As for the method of taking out the individual mold 20, the individual mold 20 may be pushed up by an eject pin (not shown) as in the first embodiment.

実施の形態2の個別金型20は、実施の形態1の個別金型20(図12参照)と次の2点が異なる。1つ目の相違点は、個別金型20の型板21,22の、本体金型10の可動側の型板2の金型面22aに対向する側面にそれぞれ樹脂溜り33およびランナー32が形成されている点である。2つ目の相違点は、個別金型20の型板22の側の金型面22aに対して反対側の主面と、本体金型10のゲート面14aと、が対向するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20が嵌め込まれる点である。すなわち、積層基板221の、半導体チップ224を実装した導電性板223aと本体金型10のゲート面14aとが対向するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20が嵌め込まれている。 The individual mold 20 of the second embodiment is different from the individual mold 20 of the first embodiment (see FIG. 12) in the following two points. The first difference is that the resin reservoir 33 and the runner 32 are formed on the side surfaces of the mold plates 21 and 22 of the individual mold 20 facing the mold surface 22a of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10, respectively. It is a point that has been done. The second difference is that the main body faces the main surface opposite to the mold surface 22a on the side of the mold plate 22 of the individual mold 20 and the gate surface 14a of the main body mold 10. The point is that the individual mold 20 is fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the mold 10. That is, the individual metal is formed in the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 so that the conductive plate 223a on which the semiconductor chip 224 is mounted and the gate surface 14a of the main body mold 10 of the laminated substrate 221 face each other. The mold 20 is fitted.

また、積層基板221の主面が本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aに垂直になっていればよく、例えば、積層基板221の、半導体チップ224を実装していない導電性板223bと本体金型10のゲート面14aとが対向するように、本体金型10の固定側の型板1の凹部11に個別金型20が嵌め込まれていてもよい。この場合、個別金型20の型板21(本体金型10のゲート面14aと接する型板)の、本体金型10の可動側の型板2の金型面22aに対向する側面にランナー32が形成される。かつ、個別金型20の型板22の、本体金型10の可動側の型板2の金型面22aに対向する側面に樹脂溜り33が形成される。 Further, the main surface of the laminated substrate 221 may be perpendicular to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10, and for example, the semiconductor chip 224 of the laminated substrate 221 is not mounted. The individual mold 20 may be fitted into the recess 11 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 so that the conductive plate 223b and the gate surface 14a of the main body mold 10 face each other. In this case, the runner 32 is on the side surface of the mold plate 21 of the individual mold 20 (the mold plate in contact with the gate surface 14a of the main body mold 10) facing the mold surface 22a of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. Is formed. Further, a resin reservoir 33 is formed on the side surface of the mold plate 22 of the individual mold 20 facing the mold surface 22a of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10.

上述したように本体金型10に個別金型20を取り付けることで、ステップS5の工程において、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に上側から下側へ向かう流動方向54で樹脂材料47が供給される。このため、重力により個別金型20のキャビティ31への樹脂材料47の充填が容易になる。また、樹脂材料47の流動時に樹脂材料47に発生した気泡47aは、浮力により個別金型20のキャビティ31の内部の上側の空間に移動する。このため、実施の形態1と同様に、積層基板221の、半導体チップ224表面や、半導体チップ224を実装した導電性板223a上に気泡47aが残ることを防止することができる。また、積層基板221の主面が樹脂材料47の流動方向54に略平行に位置するため、積層基板221上や、積層基板221と回路基板226との間の樹脂材料47の流れも阻害されにくい。 By attaching the individual mold 20 to the main body mold 10 as described above, in the step S5, in the flow direction 54 from the upper side to the lower side from the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20. The resin material 47 is supplied. Therefore, gravity facilitates filling of the resin material 47 into the cavity 31 of the individual mold 20. Further, the bubbles 47a generated in the resin material 47 when the resin material 47 flows move to the upper space inside the cavity 31 of the individual mold 20 due to buoyancy. Therefore, similarly to the first embodiment, it is possible to prevent bubbles 47a from remaining on the surface of the semiconductor chip 224 of the laminated substrate 221 and the conductive plate 223a on which the semiconductor chip 224 is mounted. Further, since the main surface of the laminated substrate 221 is located substantially parallel to the flow direction 54 of the resin material 47, the flow of the resin material 47 on the laminated substrate 221 and between the laminated substrate 221 and the circuit board 226 is not easily obstructed. ..

以上、説明したように、実施の形態2によれば、半導体部品を取り付けたキャビティ内部への樹脂材料の流動方向が異なる場合においても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態2によれば、個別金型の金型面と、本体金型の金型面と、が異なる方向を向いていることで、半導体部品の積層基板や回路基板を重力に平行な方向に配置され、樹脂や気泡の流動をよりスムーズにすることができる。 As described above, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained even when the flow direction of the resin material into the cavity to which the semiconductor component is attached is different. Further, according to the second embodiment, the mold surface of the individual mold and the mold surface of the main body mold are oriented in different directions, so that the laminated substrate and the circuit board of the semiconductor component are parallel to the gravity. It is arranged in various directions, and the flow of resin and bubbles can be made smoother.

(実施の形態3)
次に、実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法として、金型面21a,22aが本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aと直交するように本体金型10の可動側の型板2の凹部15のみに個別金型20を配置し、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に下側から上側へ向かう流動方向74で樹脂材料47が供給される場合における半導体部品の樹脂封止方法を説明する。実施の形態3の本体金型10は、実施の形態1の図7に相当し、固定側の型板1に凹部11を有していない。図25,26A,26B,27は、実施の形態3にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
(Embodiment 3)
Next, as a method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment, the main body mold 10 is arranged so that the mold surfaces 21a and 22a are orthogonal to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 2 of the main body mold 10. The individual mold 20 is arranged only in the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side, and the resin material 47 is supplied from the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20 in the flow direction 74 from the lower side to the upper side. A resin sealing method for semiconductor parts will be described. The main body mold 10 of the third embodiment corresponds to FIG. 7 of the first embodiment, and the mold plate 1 on the fixed side does not have a recess 11. 25, 26A, 26B, and 27 are cross-sectional views showing a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment.

実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法は、個別金型20を回転させる工程、ステップS4の工程(個別金型20の取り付け)と、ステップS5の工程(樹脂封止)の樹脂材料47の流動方向74と、ステップS6の工程(個別金型5の取り出し)と、が実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法(図9参照)と異なる。個別金型20の構成は、後述するようにスライド機構60b,60cを設ける位置が異なる以外は実施の形態1と同様である。半導体モジュール220の構成(図10参照)は、実施の形態1と同様である。 The method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment is a step of rotating the individual mold 20, a step of step S4 (attachment of the individual mold 20), and a step of step S5 (resin sealing) of the resin material 47. The flow direction 74 and the process of step S6 (taking out the individual mold 5) are different from the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment (see FIG. 9). The configuration of the individual mold 20 is the same as that of the first embodiment except that the positions where the slide mechanisms 60b and 60c are provided are different as described later. The configuration of the semiconductor module 220 (see FIG. 10) is the same as that of the first embodiment.

具体的には、まず、実施の形態1と同様にステップS1~S3の工程を順に行う。このとき、ステップS2の工程において、実施の形態2と同様に、重力方向Gと直交する軸を中心に個別金型20を90°回転させる。これにより、実施の形態2と同様に、半導体モジュール220の積層基板221の主面が重力方向Gに対して水平になった状態で、個別金型20が以降の工程へ搬送される(図25参照)。 Specifically, first, the steps of steps S1 to S3 are sequentially performed in the same manner as in the first embodiment. At this time, in the step S2, the individual mold 20 is rotated by 90 ° about an axis orthogonal to the gravity direction G, as in the second embodiment. As a result, as in the second embodiment, the individual mold 20 is conveyed to the subsequent steps in a state where the main surface of the laminated substrate 221 of the semiconductor module 220 is horizontal with respect to the gravity direction G (FIG. 25). reference).

次に、図25に示すように、ステップS4の工程において、本体金型10の可動側の型板2の凹部15に、ランナー32を下側にして個別金型20を嵌め込む。このとき、個別金型20は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面に埋め込まれた電磁石18の電磁力をオンすることにより前記凹部15の内部に固定される。符号71で示す上向きの矢印の方向は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15に個別金型20を嵌め込むときの個別金型20の移動方向である。 Next, as shown in FIG. 25, in the step S4, the individual mold 20 is fitted into the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 with the runner 32 facing down. At this time, the individual mold 20 is fixed to the inside of the recess 15 by turning on the electromagnetic force of the electromagnet 18 embedded in the bottom surface of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. The direction of the upward arrow indicated by reference numeral 71 is the moving direction of the individual mold 20 when the individual mold 20 is fitted into the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10.

実施の形態3においては、実施の形態2と同様に、個別金型20を介して本体金型10の可動側の型板2の凹部15の内部に、積層基板221の主面が本体金型10の型板1,2の金型面1a,2aに垂直になるように半導体モジュール220が取り付けられる。かつ、本体金型10の可動側の型板2の凹部15に個別金型20を取り付けた状態で、樹脂溜り33はキャビティ31の上側に位置し、ランナー32はキャビティ31の下側に位置する。 In the third embodiment, as in the second embodiment, the main surface of the laminated substrate 221 is the main body mold inside the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 via the individual mold 20. The semiconductor module 220 is attached so as to be perpendicular to the mold surfaces 1a and 2a of the mold plates 1 and 10 of 10. The resin reservoir 33 is located above the cavity 31 and the runner 32 is located below the cavity 31 with the individual mold 20 attached to the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. ..

本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面と、個別金型20の型板22の、前記凹部15の底面に対向する側面と、の間には、スライド機構60bが設けられている。スライド機構60bの突起部63は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面に設けられている。スライド機構60bのノッチ64は、個別金型20の型板22の、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面に接触する側面(以下、個別金型20の型板22の上側の側面とする)に、突起部63と対向して設けられている。スライド機構60bの突起部63およびノッチ64の構成は、実施の形態1のスライド機構(図14A,14B参照)と同様である。本体金型10の可動側の型板2の凹部15に個別金型20を嵌め込んだときに、スライド機構60bを構成する突起部63がノッチ64に押し込まれる。 A slide mechanism 60b is provided between the bottom surface of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 and the side surface of the mold plate 22 of the individual mold 20 facing the bottom surface of the recess 15. ing. The protrusion 63 of the slide mechanism 60b is provided on the bottom surface of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. The notch 64 of the slide mechanism 60b is a side surface of the mold plate 22 of the individual mold 20 that contacts the bottom surface of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 (hereinafter, the mold plate 22 of the individual mold 20). It is provided on the upper side surface) so as to face the protrusion 63. The configuration of the protrusion 63 and the notch 64 of the slide mechanism 60b is the same as that of the slide mechanism of the first embodiment (see FIGS. 14A and 14B). When the individual mold 20 is fitted into the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10, the protrusion 63 constituting the slide mechanism 60b is pushed into the notch 64.

次に、図26Aに示すように、本体金型10の可動側の型板2を可動させて前記可動側の型板2の金型面2aを固定側の型板1の金型面1aに接触させることで、本体金型10を閉じる。本体金型10の固定側の型板1の金型面1aと、個別金型20の型板22の、本体金型10の固定側の型板1に対向する側面と、の間には、スライド機構60cが設けられている。スライド機構60cは、スライド機構60bと同様に、互いに嵌め合わせ可能な突起部65およびノッチ66で構成される。図26Aのスライド機構60cの突起部65とノッチ66とを嵌め合わせる途中の状態を図26Bに拡大して示す。 Next, as shown in FIG. 26A, the movable side mold plate 2 of the main body mold 10 is moved so that the mold surface 2a of the movable side mold plate 2 becomes the mold surface 1a of the fixed side mold plate 1. By contacting them, the main body mold 10 is closed. Between the mold surface 1a of the fixed side mold plate 1 of the main body mold 10 and the side surface of the mold plate 22 of the individual mold 20 facing the fixed side mold plate 1 of the main body mold 10 A slide mechanism 60c is provided. Like the slide mechanism 60b, the slide mechanism 60c is composed of a protrusion 65 and a notch 66 that can be fitted to each other. FIG. 26B shows an enlarged state in the process of fitting the protrusion 65 and the notch 66 of the slide mechanism 60c of FIG. 26A.

図26Bに示すように、スライド機構60cの突起部65は、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aに設けられている。突起部65は、本体金型10のゲート面14a(図24参照)に対向する側面(傾斜面)65aが本体金型10の固定側の型板1の金型面1aに対して傾斜していることで、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aから離れるほど(すなわち高くなるほど)、本体金型10のゲート面14aから傾斜面65aが離れるように幅の狭くなる略台形状の断面形状を有する。すなわち、突起部65の傾斜面65aは、本体金型10のゲート面14b(図26A参照)に対向する。本体金型10のゲート面14aとは、本体金型10の可動側の型板2の凹部15のゲート14側の側壁である。本体金型10の固定側の型板1のゲート14は、例えば、固定側の型板1の金型面1aと直交する方向に、個別金型20のランナー32に対向する位置まで延在している。 As shown in FIG. 26B, the protrusion 65 of the slide mechanism 60c is provided on the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10. In the protrusion 65, the side surface (inclined surface) 65a facing the gate surface 14a (see FIG. 24) of the main body mold 10 is inclined with respect to the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10. As a result, the width becomes narrower as the distance from the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 (that is, the higher the height), the more the inclined surface 65a separates from the gate surface 14a of the main body mold 10. It has a trapezoidal cross-sectional shape. That is, the inclined surface 65a of the protrusion 65 faces the gate surface 14b (see FIG. 26A) of the main body mold 10. The gate surface 14a of the main body mold 10 is a side wall on the gate 14 side of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. The gate 14 of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 extends to a position facing the runner 32 of the individual mold 20 in a direction orthogonal to the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side, for example. ing.

スライド機構60cのノッチ66は、個別金型20の型板22の、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aに接触する面(以下、個別金型20の型板22の下側の側面とする)22dに、突起部65と対向して設けられている。ノッチ66は、個別金型20の型板22の下側の側面22dに対して本体金型10のゲート面14aに対向する側面(傾斜面)66aが傾斜していることで、個別金型20の型板22の下側の側面22dから離れるほど(すなわち深くなるほど)、本体金型10のゲート面14aから傾斜面66aが離れるように幅の狭くなる略台形状の断面形状を有する。すなわち、ノッチ66は、実施の形態1と同様に、突起部65と略同じ寸法で略同じ略台形状の断面形状を有する。このような構成のスライド機構60cを設けることで、本体金型10を閉じるときに本体金型10の可動側の型板2から固定側の型板1に加わる圧力72、および、本体金型10の型締め力3(図1参照)により、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aの突起部65が個別金型20のノッチ66に押し込まれる。 The notch 66 of the slide mechanism 60c is a surface of the mold plate 22 of the individual mold 20 that contacts the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 (hereinafter, the mold plate 22 of the individual mold 20). The 22d (which is the lower side surface) is provided so as to face the protrusion 65. The notch 66 has an individual mold 20 because the side surface (inclined surface) 66a facing the gate surface 14a of the main body mold 10 is inclined with respect to the lower side surface 22d of the mold plate 22 of the individual mold 20. It has a substantially trapezoidal cross-sectional shape in which the width becomes narrower so that the inclined surface 66a separates from the gate surface 14a of the main body mold 10 as the distance from the lower side surface 22d of the template 22 increases (that is, the deeper the depth). That is, the notch 66 has substantially the same dimensions as the protrusion 65 and has substantially the same substantially trapezoidal cross-sectional shape as in the first embodiment. By providing the slide mechanism 60c having such a configuration, the pressure 72 applied from the movable side mold plate 2 of the main body mold 10 to the fixed side mold plate 1 when the main body mold 10 is closed, and the main body mold 10 The protrusion 65 of the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 is pushed into the notch 66 of the individual mold 20 by the mold tightening force 3 (see FIG. 1).

次に、実施の形態1と同様に、本体金型10の型締めを行う。このとき、本体金型10の型締めの終盤において、電磁石18の電磁力をオフする。電磁石18の電磁力をオフすることで、本体金型10の型締め時、実施の形態1と同様にスライド機構60b,60cにより個別金型20が本体金型10のゲート面14bに強く押し付けられる。符号73は、本体金型10の型締め時に、スライド機構60cの突起部65の傾斜面65aとノッチ66の傾斜面66aとが接触したときに(図26B参照)、個別金型20が移動する方向(横方向)である。スライド機構60b,60cのいずれか一方のみが設けられていてもよい。 Next, as in the first embodiment, the main body mold 10 is molded. At this time, the electromagnetic force of the electromagnet 18 is turned off at the final stage of mold clamping of the main body mold 10. By turning off the electromagnetic force of the electromagnet 18, when the main body mold 10 is clamped, the individual mold 20 is strongly pressed against the gate surface 14b of the main body mold 10 by the slide mechanisms 60b and 60c as in the first embodiment. .. Reference numeral 73 indicates that the individual mold 20 moves when the inclined surface 65a of the protrusion 65 of the slide mechanism 60c and the inclined surface 66a of the notch 66 come into contact with each other during mold clamping of the main body mold 10 (see FIG. 26B). Direction (horizontal direction). Only one of the slide mechanisms 60b and 60c may be provided.

本体金型10に個別金型20を取り付けることで、ステップS5の工程において、図27に示すように、本体金型10のランナー13から個別金型20のキャビティ31に下側から上側へ向かう流動方向74で樹脂材料47が供給される。したがって、樹脂材料47の流動時に樹脂材料47に発生した気泡47aは、重力により個別金型20の上側の空間(すなわち樹脂溜り33)に移動しやすい。また、積層基板221の主面が樹脂材料47の流動方向74に略平行に位置するため、積層基板221上や、積層基板221と回路基板226との間の樹脂材料47の流れも阻害されにくい。 By attaching the individual mold 20 to the main body mold 10, in the step S5, as shown in FIG. 27, the flow from the lower side to the upper side from the runner 13 of the main body mold 10 to the cavity 31 of the individual mold 20. The resin material 47 is supplied in the direction 74. Therefore, the bubbles 47a generated in the resin material 47 when the resin material 47 flows easily move to the space above the individual mold 20 (that is, the resin reservoir 33) due to gravity. Further, since the main surface of the laminated substrate 221 is located substantially parallel to the flow direction 74 of the resin material 47, the flow of the resin material 47 on the laminated substrate 221 and between the laminated substrate 221 and the circuit board 226 is not easily obstructed. ..

ステップS6の工程においては、可動側の型板2が可動させて本体金型10を型開きしたときに、電磁石18の電磁力をオフにしておく。これにより、本体金型10の固定側の型板1の金型面1a上に個別金型20を残した状態で本体金型10を型開きすることができ、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の内部から個別金型20を容易に取り出すことができる。電磁石18の電磁力をオンにしたまま、可動側の型板2を可動させて本体金型10を型開きしてもよい。この場合、本体金型10を型開きした後に電磁石18の電磁力をオフにして、可動側の型板2の凹部15の内部から個別金型20を取り出せばよい。 In the step S6, the electromagnetic force of the electromagnet 18 is turned off when the mold 2 on the movable side is moved to open the main body mold 10. As a result, the main body mold 10 can be opened with the individual mold 20 left on the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10, and the movable side of the main body mold 10 can be opened. The individual mold 20 can be easily taken out from the inside of the recess 15 of the template 2. The main body mold 10 may be opened by moving the mold plate 2 on the movable side while the electromagnetic force of the electromagnet 18 is turned on. In this case, after the main body mold 10 is opened, the electromagnetic force of the electromagnet 18 may be turned off, and the individual mold 20 may be taken out from the inside of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side.

以上、説明したように、実施の形態3によれば、半導体部品を取り付けたキャビティ内部への樹脂材料の流動方向が異なる場合においても、実施の形態1,2と同様の効果を得ることができる。 As described above, according to the third embodiment, the same effect as that of the first and second embodiments can be obtained even when the flow direction of the resin material into the cavity to which the semiconductor component is attached is different. ..

(実施の形態4)
次に、実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図28,29A,30は、実施の形態4にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。図29Bは、図29Aの切断線B1-B2における各部平面形状を示す平面図である。実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法は、ステップS4の工程(個別金型20の取り付け)と、ステップS6の工程(個別金型5の取り出し)と、が実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法(図9参照)と異なる。かつ、ステップS4,S6の工程が実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法と異なることで、本体金型10の次の2点の構成が実施の形態3の本体金型10と異なる。
(Embodiment 4)
Next, a method of manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment will be described. 28, 29A, and 30 are cross-sectional views showing a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment. FIG. 29B is a plan view showing the plan shape of each part in the cutting lines B1-B2 of FIG. 29A. In the method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment, the step S4 (attachment of the individual mold 20) and the step S6 (removal of the individual mold 5) are the semiconductor devices according to the third embodiment. (See FIG. 9). Moreover, since the steps S4 and S6 are different from the method for manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment, the following two configurations of the main body mold 10 are different from the main body mold 10 of the third embodiment.

1つ目の相違点は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面の幅x2を、個別金型20の、前記凹部15の底面に対向する面の長さ(個別金型20の金型面21a,22aと直交する方向の長さx11)よりも広くした点である。これによって、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の内部には、半導体モジュール220を樹脂封止するために個別金型20を配置する空間(以下、第2空間とする)15bに連続して、前記凹部15に個別金型20を出し入れするための空間(以下、第1空間とする)15aが設けられている。 The first difference is that the width x2 of the bottom surface of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 is the length of the surface of the individual mold 20 facing the bottom surface of the recess 15 (individual mold). This is a point wider than the length x11) in the direction orthogonal to the mold surfaces 21a and 22a of the mold 20. As a result, inside the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10, a space (hereinafter referred to as a second space) 15b in which the individual mold 20 is arranged for resin-sealing the semiconductor module 220 is used. A space (hereinafter referred to as a first space) 15a for inserting and removing the individual mold 20 is provided in the recess 15 in succession to the above.

2つ目の相違点は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の開口側に、本体金型10のゲート面14bと直交するように突出する支持部15cが設けられている点である。支持部15cは、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の第2空間15bに配置された個別金型20の一部に接触して個別金型20を支持し、前記凹部15の内部からの個別金型20の落下を防止する機能を有する。半導体モジュール220を樹脂封止する際に、本体金型10のゲート面14bと、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の底面15dと、支持部15cとに囲まれた第2空間15bに個別金型20が嵌め込まれる(図29A,29B参照)。 The second difference is that a support portion 15c that protrudes so as to be orthogonal to the gate surface 14b of the main body mold 10 is provided on the opening side of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. It is a point. The support portion 15c contacts a part of the individual mold 20 arranged in the second space 15b of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 to support the individual mold 20, and the recess 15 It has a function of preventing the individual mold 20 from falling from the inside of the. When the semiconductor module 220 is resin-sealed, a second surface surrounded by the gate surface 14b of the main body mold 10, the bottom surface 15d of the recess 15 of the movable side mold plate 2 of the main body mold 10, and the support portion 15c. The individual mold 20 is fitted into the space 15b (see FIGS. 29A and 29B).

このように本体金型10の可動側の型板2の凹部15に第1,2空間15a,15bを設けることで、ステップS4の工程において、まず、図28に示すように、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の第1空間15aに個別金型20を押し入れる。符号81で示す上向きの矢印の方向は、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の第1空間15aに個別金型20を押し入れるときの個別金型20の移動方向である。 By providing the first and second spaces 15a and 15b in the recesses 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 in this way, in the step S4, first, as shown in FIG. 28, the main body mold 10 The individual mold 20 is pushed into the first space 15a of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the above. The direction of the upward arrow indicated by reference numeral 81 is the moving direction of the individual mold 20 when the individual mold 20 is pushed into the first space 15a of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10.

次に、図29A、29Bに示すように、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の第2空間15bに個別金型20を嵌め込む。このとき、本体金型10の可動側の型板2の凹部15の第2空間15bに個別金型20を嵌め込むときの個別金型20にかかる横方向の圧力82により、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aの突起部65が個別金型20のノッチ66に押し込まれる。これによって、個別金型20が本体金型10のゲート面14bに強く押し付けられる。 Next, as shown in FIGS. 29A and 29B, the individual mold 20 is fitted into the second space 15b of the recess 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10. At this time, the lateral pressure 82 applied to the individual mold 20 when the individual mold 20 is fitted into the second space 15b of the recess 15 of the concave portion 15 of the mold plate 2 on the movable side of the main body mold 10 causes the main body mold 10 to be formed. The protrusion 65 of the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side is pushed into the notch 66 of the individual mold 20. As a result, the individual mold 20 is strongly pressed against the gate surface 14b of the main body mold 10.

個別金型20の構成は、本体金型10の固定側の型板1の金型面1aと、個別金型20の型板22の、本体金型10の固定側の型板1に対向する側面と、の間にのみスライド機構60cを設ける以外は実施の形態3の個別金型20と同様である。図示省略するが、ステップS6の工程においては、本体金型10の型開き後に、第2空間15bから第1空間15aに個別金型20を引き出す。そして、第1空間15aから凹部15の外部へ個別金型20を取り出せばよい。 The configuration of the individual mold 20 faces the mold surface 1a of the mold plate 1 on the fixed side of the main body mold 10 and the mold plate 1 of the mold plate 22 of the individual mold 20 on the fixed side of the main body mold 10. It is the same as the individual mold 20 of the third embodiment except that the slide mechanism 60c is provided only between the side surface and the side surface. Although not shown, in the step S6, after the main body mold 10 is opened, the individual mold 20 is pulled out from the second space 15b to the first space 15a. Then, the individual mold 20 may be taken out from the first space 15a to the outside of the recess 15.

以上、説明したように、実施の形態4によれば、本体金型10への個別金型の取り付け方法を変更した場合であっても、半導体部品を取り付けたキャビティ内部への樹脂材料の流動方向が同じ実施の形態3と同様の効果を得ることができる。 As described above, according to the fourth embodiment, the flow direction of the resin material into the cavity to which the semiconductor component is attached even when the method of attaching the individual mold to the main body mold 10 is changed. Can obtain the same effect as that of the third embodiment.

(比較例)
次に、比較例の金型の構造について説明する。図31は、比較例の金型の構造を示す斜視図である。図32は、図31の金型の固定側の型板を金型面側から見たレイアウトを示す平面図である。図33は、図32の切断線AA-AA’における断面構造を示す断面図である。図33には、金型200を閉じた状態を示す。図31に示すように、比較例の金型200は、金型面(主面)201a,202a同士を対向させた状態で樹脂封止する半導体部品を内部に配置可能な空洞(後述するキャビティ211)を形成する2つ(2枚)の型板201,202で構成される。2つの型板201,202のうちの一方の型板201は成形装置の固定盤に取り付けられ、他方の型板202は成形装置の可動盤に取り付けられる。
(Comparative example)
Next, the structure of the mold of the comparative example will be described. FIG. 31 is a perspective view showing the structure of the mold of the comparative example. FIG. 32 is a plan view showing a layout of the mold plate on the fixed side of the mold of FIG. 31 as viewed from the mold surface side. FIG. 33 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure at the cutting line AA-AA'of FIG. 32. FIG. 33 shows a state in which the mold 200 is closed. As shown in FIG. 31, the mold 200 of the comparative example has a cavity (cavity 211 described later) in which semiconductor parts for resin sealing can be arranged inside with the mold surfaces (main surfaces) 201a and 202a facing each other. ) Is formed of two (two) mold plates 201 and 202. One of the two templates 201, 202 is attached to the fixed plate of the molding apparatus, and the other template 202 is attached to the movable plate of the forming apparatus.

固定側の型板201の金型面201aには、キャビティ211、カル212、ランナー213、ゲート214および樹脂溜り215が形成されている(図31には不図示、図32参照)。キャビティ211は、樹脂封止する半導体部品を配置する凹部である。カル212は、半導体部品の樹脂封止に用いる樹脂材料片を配置する溝である。ランナー213は、カル212からキャビティ211へ流動する樹脂材料の流動経路となる溝であり、カル212とすべて(ここでは4つ)のキャビティ211とを繋ぐように形成される。ゲート214は、ランナー213とキャビティ211との間に形成され、キャビティ211に流れ込む樹脂材料の速度を調整する機能を有する。樹脂溜り215は、キャビティ211へ流動しキャビティ211から溢れた樹脂材料を収容する溝である。 A cavity 211, a cal 212, a runner 213, a gate 214, and a resin reservoir 215 are formed on the mold surface 201a of the mold plate 201 on the fixed side (not shown in FIG. 31, see FIG. 32). The cavity 211 is a recess for arranging a semiconductor component to be resin-sealed. The cal 212 is a groove for arranging a resin material piece used for resin encapsulation of a semiconductor component. The runner 213 is a groove that serves as a flow path for the resin material that flows from the cal 212 to the cavity 211, and is formed so as to connect the cal 212 and all (here, four) cavities 211. The gate 214 is formed between the runner 213 and the cavity 211, and has a function of adjusting the speed of the resin material flowing into the cavity 211. The resin reservoir 215 is a groove that flows into the cavity 211 and accommodates the resin material that overflows from the cavity 211.

可動側の型板202には、金型200を閉じたとき(すなわち型板201,202の金型面201a,202a同士が接触したとき)に、型板201のカル212と対向する位置にポット(加熱室)216が形成されている。型板202のポット216は、型板202の金型面202aから他方の主面に貫通する貫通孔である。型板202のポット216の内部には、型板201のカル212に配置され軟化された樹脂材料片を前記カル212からキャビティ211へ圧入するために樹脂材料片に圧力をかけるブランジャー(不図示)が配置される。半導体部品の樹脂封止時に金型200が閉じた状態が維持されるように金型200を締め付ける(型締めする)圧力(型締め力)203は、成形品の寸法や、金型200による1回の成形で処理可能な成形品数により決定される。 The movable mold plate 202 has a pot at a position facing the cal 212 of the mold plate 201 when the mold 200 is closed (that is, when the mold surfaces 201a, 202a of the mold plates 201, 202 come into contact with each other). (Heating chamber) 216 is formed. The pot 216 of the template 202 is a through hole penetrating from the mold surface 202a of the template 202 to the other main surface. Inside the pot 216 of the template 202, a blanger (not shown) that applies pressure to the resin material piece arranged in the cal 212 of the template 201 to press the softened resin material piece from the cal 212 into the cavity 211. ) Is placed. The pressure (mold tightening force) 203 for tightening (molding) the mold 200 so that the mold 200 is maintained in the closed state when the semiconductor component is sealed with resin depends on the size of the molded product and 1 according to the mold 200. It is determined by the number of molded products that can be processed in one molding.

この比較例の金型200では、例えば固定側の型板201上に可動側の型板202を配置した場合、型締め力203の方向は型板201,202の金型面201a,202aと直交する上下方向(重力の方向に平行する方向)となる。この場合、固定側の型板201のキャビティ211に配置される半導体部品の取り付け方や、キャビティ211へ樹脂材料231を流動させる方向233(図37参照)が制約される。 In the mold 200 of this comparative example, for example, when the movable mold plate 202 is arranged on the fixed side mold plate 201, the direction of the mold tightening force 203 is orthogonal to the mold surfaces 201a, 202a of the mold plates 201, 202. It becomes the vertical direction (the direction parallel to the direction of gravity). In this case, the method of attaching the semiconductor component arranged in the cavity 211 of the template 201 on the fixed side and the direction 233 (see FIG. 37) in which the resin material 231 flows into the cavity 211 are restricted.

比較例の金型200を用いた半導体部品の樹脂封止法について、一般的な構成の半導体モジュール(半導体部品)220を樹脂封止する場合を例に説明する。図34は、比較例の半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図34には、比較例の金型200を用いた半導体モジュール220の樹脂封止の1サイクルを示す。図35~38は、比較例の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。図35~38には、比較例の金型200を用いた半導体モジュール220の樹脂封止途中の状態を示す。 A resin sealing method for semiconductor parts using the mold 200 of the comparative example will be described by taking as an example a case where a semiconductor module (semiconductor part) 220 having a general configuration is resin-sealed. FIG. 34 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing a semiconductor device of a comparative example. FIG. 34 shows one cycle of resin encapsulation of the semiconductor module 220 using the mold 200 of the comparative example. 35 to 38 are cross-sectional views showing a state in which the semiconductor device of the comparative example is in the process of being manufactured. FIGS. 35 to 38 show a state in which the semiconductor module 220 using the mold 200 of the comparative example is in the process of being sealed with resin.

図35に示すように、一般的な半導体モジュール220は、半導体チップ224、外部接続用端子225および積層基板221を備える。外部接続用端子225は、積層基板221の、半導体チップ224を実装した導電性板223aに一方の端部を接合している。また、外部接続用端子225は、積層基板221の主面に対して垂直に配置した構成となっている。積層基板221は、セラミック基板222の両面にそれぞれ導電性板223a,223bを形成してなる。また、図35に示す半導体モジュール220は、回路配線を行う回路基板226および端子ピン227を備える。 As shown in FIG. 35, a general semiconductor module 220 includes a semiconductor chip 224, an external connection terminal 225, and a laminated substrate 221. One end of the external connection terminal 225 is bonded to the conductive plate 223a on which the semiconductor chip 224 is mounted on the laminated substrate 221. Further, the external connection terminal 225 is arranged so as to be perpendicular to the main surface of the laminated board 221. The laminated substrate 221 is formed by forming conductive plates 223a and 223b on both sides of the ceramic substrate 222, respectively. Further, the semiconductor module 220 shown in FIG. 35 includes a circuit board 226 and terminal pins 227 for circuit wiring.

この半導体モジュール220を樹脂封止するにあたって、まず、半導体モジュール220を組立てた後、外部接続用端子225の他方の端部を、金型200の下側(重力方向G側)に位置する固定側の型板201のキャビティ211の底面の溝211aに差し込むことで、キャビティ211の内部に半導体モジュール220を取り付ける(ステップS101)。すなわち、ステップS101においては、半導体モジュール220は、外部接続用端子225により金型200の固定側の型板201のキャビティ211の内部に固定される。 In sealing the semiconductor module 220 with resin, first, after assembling the semiconductor module 220, the other end of the external connection terminal 225 is a fixed side located on the lower side (gravity direction G side) of the mold 200. The semiconductor module 220 is attached to the inside of the cavity 211 by inserting it into the groove 211a on the bottom surface of the cavity 211 of the template 201 (step S101). That is, in step S101, the semiconductor module 220 is fixed inside the cavity 211 of the mold plate 201 on the fixed side of the mold 200 by the external connection terminal 225.

次に、金型200を閉じた後、金型200を型締めする。このとき、金型200の固定側の型板201は、金型面201aを上側(重力方向Gに対して反対側)にして配置される。かつ、金型200の可動側の型板202は、金型面202aを下側(重力方向G側)にして、固定側の型板201の上に配置される。このため、半導体モジュール220は、積層基板221の半導体チップ224および外部接続用端子225を実装した主面を下側にして、キャビティ211の内部に取り付けられる。 Next, after closing the mold 200, the mold 200 is clamped. At this time, the mold plate 201 on the fixed side of the mold 200 is arranged with the mold surface 201a on the upper side (opposite to the gravity direction G). Further, the mold plate 202 on the movable side of the mold 200 is arranged on the mold plate 201 on the fixed side with the mold surface 202a on the lower side (G side in the gravity direction). Therefore, the semiconductor module 220 is mounted inside the cavity 211 with the main surface on which the semiconductor chip 224 of the laminated substrate 221 and the external connection terminal 225 mounted are facing down.

例えば、金型200の下側に位置する固定側の型板201のキャビティ211の底面に、積層基板221の裏面(半導体チップ224および外部接続用端子225を実装した主面に対して反対の面)を下側にして、半導体モジュール220を取り付けることは、好ましくない。その理由は、固定側の型板201の上側に位置する可動側の型板202の金型面202aに、外部接続用端子225の他方の端部(積層基板221に接合していない側の端部であって、成形樹脂から露出されるべき部分)を差し込む溝(不図示)が形成され、前記溝に、金型200の型締め時に外部接続用端子225の他方の端部が差し込まれることになるからである。この場合、可動側の型板202の金型面202aの溝に外部接続用端子225の他方の端部を差し込む際に、外部接続用端子225が折れたり、曲がったりする虞ある。 For example, the back surface of the laminated substrate 221 (the surface opposite to the main surface on which the semiconductor chip 224 and the external connection terminal 225 are mounted) is on the bottom surface of the cavity 211 of the fixed side template 201 located below the mold 200. ) Is on the lower side, and it is not preferable to mount the semiconductor module 220. The reason is that the other end of the external connection terminal 225 (the end on the side not joined to the laminated substrate 221) is attached to the mold surface 202a of the movable mold plate 202 located above the fixed side mold plate 201. A groove (not shown) for inserting a portion (a portion to be exposed from the molding resin) is formed, and the other end portion of the external connection terminal 225 is inserted into the groove when the mold 200 is molded. Because it becomes. In this case, when the other end of the external connection terminal 225 is inserted into the groove of the mold surface 202a of the movable mold plate 202, the external connection terminal 225 may be broken or bent.

また、例えば、金型200の上側の型板である可動側の型板202の金型面202aに溝を形成し、前記溝に外部接続用端子225の他方の端部を差し込むことは、好ましくない。その理由は、金型200の型締めを始める前までに、可動側の型板202の金型面202aの溝から半導体モジュール220の外部接続用端子225が抜け落ちて、半導体モジュール220が落下する虞があるからである。このため、半導体モジュール220は、外部接続用端子225の他方の端部を、金型200の下側の型板である固定側の型板201の溝211aに差し込んで取り付けられる。結果として、半導体モジュール220は、積層基板221の主面(半導体チップ224および外部接続用端子225を実装した面)を下側にして、積層基板221がキャビティ31の上側に位置するように取り付けられた状態になる。 Further, for example, it is preferable to form a groove on the mold surface 202a of the movable mold plate 202, which is the upper mold plate of the mold 200, and insert the other end portion of the external connection terminal 225 into the groove. do not have. The reason is that the external connection terminal 225 of the semiconductor module 220 may fall out from the groove of the mold surface 202a of the movable mold plate 202 and the semiconductor module 220 may fall before starting the mold clamping of the mold 200. Because there is. Therefore, the semiconductor module 220 is attached by inserting the other end portion of the external connection terminal 225 into the groove 211a of the fixed side mold plate 201 which is the lower mold plate of the mold 200. As a result, the semiconductor module 220 is mounted so that the laminated substrate 221 is located on the upper side of the cavity 31 with the main surface of the laminated substrate 221 (the surface on which the semiconductor chip 224 and the external connection terminal 225 are mounted) facing down. It becomes a state.

次に、金型200に取り付けた状態で半導体モジュール220を所定時間放置する(ステップS102)。金型200の温度は、常時、例えば130℃~180℃程度に保たれている。このため、ステップS103に進む前に、金型200に取り付けた状態で半導体モジュール220を所定時間放置することで、金型200の内部の半導体モジュール220も加熱される。次に、固定側の型板201のカル212に樹脂材料片を配置する。樹脂材料片は、ポット216で加熱されて軟化し、軟化した樹脂材料231がキャビティ211の内部に流動する(図36)。符号232は、キャビティ211の内部に流動した樹脂材料231の内部に残る気泡(ボイド)である。 Next, the semiconductor module 220 is left for a predetermined time while being attached to the mold 200 (step S102). The temperature of the mold 200 is always maintained at, for example, about 130 ° C. to 180 ° C. Therefore, by leaving the semiconductor module 220 attached to the mold 200 for a predetermined time before proceeding to step S103, the semiconductor module 220 inside the mold 200 is also heated. Next, the resin material piece is placed on the cal 212 of the template 201 on the fixed side. The resin material piece is heated and softened in the pot 216, and the softened resin material 231 flows into the cavity 211 (FIG. 36). Reference numeral 232 is a bubble remaining inside the resin material 231 that has flowed inside the cavity 211.

次に、ブランジャー204により、固定側の型板201のカル212の内部の軟化された樹脂材料231に圧力をかけて流動させ、樹脂材料231をキャビティ211へ圧入することで、キャビティ211の内部に樹脂材料231を充填させる(図37)。これにより、キャビティ211の内部の半導体モジュール220が樹脂材料231で覆われ、半導体モジュール220が樹脂封止される(ステップS103)。キャビティ211から溢れた樹脂材料231は、キャビティ211に対してランナー213の反対側においてキャビティ211に隣接する樹脂溜り215に収容される。符号234は、樹脂溜り215まで移動した気泡232が溜まってなるエア溜りである(図38)。 Next, the blanger 204 applies pressure to the softened resin material 231 inside the cal 212 of the fixed-side template 201 to allow the resin material 231 to flow, and the resin material 231 is press-fitted into the cavity 211 to create the inside of the cavity 211. Is filled with the resin material 231 (FIG. 37). As a result, the semiconductor module 220 inside the cavity 211 is covered with the resin material 231 and the semiconductor module 220 is resin-sealed (step S103). The resin material 231 overflowing from the cavity 211 is housed in a resin reservoir 215 adjacent to the cavity 211 on the opposite side of the runner 213 with respect to the cavity 211. Reference numeral 234 is an air reservoir in which bubbles 232 that have moved to the resin reservoir 215 are accumulated (FIG. 38).

次に、樹脂材料231で樹脂封止された半導体モジュール220をキャビティ211の内部で所定時間保持することで、樹脂材料231を1次硬化させる(ステップS104)。次に、金型200を開けて(型開きして)成形品(樹脂材料231で樹脂封止された半導体モジュール220)を取り出す(ステップS105)。こうして外部接続用端子225の他方の端部および積層基板221の裏面が露出され、それ以外の部分が樹脂封止された半導体モジュール220が成形される。次に、成形装置や金型200に付着した樹脂材料の残渣(残樹脂)等を清掃することで(ステップS106)、半導体モジュール220の樹脂封止の1サイクルが完了する。これらステップS101~S106の工程を繰り返し行うことで、半導体モジュール220の樹脂封止が連続して行われる。 Next, the resin material 231 is first cured by holding the semiconductor module 220 resin-sealed with the resin material 231 inside the cavity 211 for a predetermined time (step S104). Next, the mold 200 is opened (opened) and the molded product (semiconductor module 220 resin-sealed with the resin material 231) is taken out (step S105). In this way, the other end of the external connection terminal 225 and the back surface of the laminated substrate 221 are exposed, and the semiconductor module 220 in which the other portions are resin-sealed is formed. Next, by cleaning the residue (residual resin) of the resin material adhering to the molding apparatus and the mold 200 (step S106), one cycle of resin sealing of the semiconductor module 220 is completed. By repeating these steps S101 to S106, the resin sealing of the semiconductor module 220 is continuously performed.

この比較例の金型200(図31~33)では、上述したように金型200の固定側の型板201が金型面201aを上側にして配置され、可動側の型板202が金型面202aを下側(重力方向側)にして固定側の型板201の上に配置される。この場合、半導体モジュール220の樹脂封止時、軟化した樹脂材料231は、重力方向と直交する方向233に流動することとなる。このため、樹脂材料231は、重力によりキャビティ211の内部の下側の空間を優先的に流れる。これによって、キャビティ211の内部の中間の高さ位置から上側(重力方向側に対して反対側)の高さ位置までの空間では、キャビティ211の内部の下側の空間よりも樹脂材料231の流動速度が遅くなる。 In the mold 200 (FIGS. 31 to 33) of this comparative example, as described above, the mold plate 201 on the fixed side of the mold 200 is arranged with the mold surface 201a facing up, and the mold plate 202 on the movable side is the mold. The surface 202a is placed on the fixed side template 201 with the surface 202a on the lower side (gravity direction side). In this case, when the semiconductor module 220 is sealed with the resin, the softened resin material 231 flows in the direction 233 orthogonal to the direction of gravity. Therefore, the resin material 231 preferentially flows in the lower space inside the cavity 211 due to gravity. As a result, in the space from the middle height position inside the cavity 211 to the height position on the upper side (opposite to the gravity direction side), the flow of the resin material 231 is higher than the lower space inside the cavity 211. The speed slows down.

例えば、キャビティ211の内部で樹脂材料231の流動速度に差が生じた場合、キャビティ211の内部の、樹脂材料231の流動速度の遅い上側の空間に気泡232が残ってしまう。このため、上述したように、半導体モジュール220の位置精度確保や固定のために、キャビティ211の内部の上側の空間に積層基板221が位置するように半導体モジュール220が配置された場合(図36~38参照)、積層基板221の、半導体チップ224を実装した導電性板223a上に気泡232が残った状態で半導体モジュール220が樹脂封止されてしまう虞がある。導電性板223a上に残る気泡232は、半導体モジュール220に絶縁不良を発生させる原因となる。すなわち、比較例の金型200は、半導体部品の形状に合わせて最適化することが困難である。 For example, if there is a difference in the flow velocity of the resin material 231 inside the cavity 211, bubbles 232 will remain in the space above the cavity 211 where the flow velocity of the resin material 231 is slow. Therefore, as described above, when the semiconductor module 220 is arranged so that the laminated substrate 221 is located in the space above the inside of the cavity 211 in order to secure and fix the position accuracy of the semiconductor module 220 (FIGS. 36 to 36). 38), the semiconductor module 220 may be resin-sealed with the bubbles 232 remaining on the conductive plate 223a on which the semiconductor chip 224 is mounted on the laminated substrate 221. The bubbles 232 remaining on the conductive plate 223a cause insulation defects in the semiconductor module 220. That is, it is difficult to optimize the mold 200 of the comparative example according to the shape of the semiconductor component.

それに対して、本発明によれば、上述したように、本体金型10に個別金型20を取り付ける向きを種々変更することで、本体金型10の内部における半導体モジュール220の向きを自由に設計することができる。このため、例えば、個別金型20のキャビティ31の内部の下側の空間に積層基板221が位置するように半導体モジュール220を配置することで、比較例の金型200で生じた上記問題が生じない。 On the other hand, according to the present invention, as described above, the orientation of the semiconductor module 220 inside the main body mold 10 can be freely designed by changing the orientation of attaching the individual mold 20 to the main body mold 10 in various ways. can do. Therefore, for example, by arranging the semiconductor module 220 so that the laminated substrate 221 is located in the space below the inside of the cavity 31 of the individual mold 20, the above-mentioned problem caused by the mold 200 of the comparative example occurs. do not have.

以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、凹部、ランナーおよび樹脂溜りの配置や形状、寸法が異なる個別金型であっても、外形寸法が同じ個別金型である場合には、1つの本体金型に、各種の半導体モジュールに対応した個別金型を嵌めこんでもよい。また、直方体状の個別金型が例えば0度(=180度)回転させた場合と90度回転させた場合とで同じ寸法である場合、1つの本体金型に同じ構成の個別金型を嵌め込む際に、その都度異なる向きで個別金型を本体金型に嵌めこんでもよい。 As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, even if individual molds have different arrangements, shapes, and dimensions of recesses, runners, and resin reservoirs, if the individual molds have the same external dimensions, one main body mold can be used with various semiconductor modules. You may fit the individual molds that have been made. Further, if the rectangular parallelepiped individual molds have the same dimensions when rotated by 0 degrees (= 180 degrees) and 90 degrees, for example, the individual molds having the same configuration are fitted into one main body mold. When inserting, the individual molds may be fitted into the main body molds in different directions each time.

以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型は、トランスファー成形法により半導体装置を製造する場合に有用であり、特に半導体モジュールの樹脂封止を行う場合に適している。 As described above, the method for manufacturing a semiconductor device and the molding die for the semiconductor device according to the present invention are useful when manufacturing the semiconductor device by the transfer molding method, and particularly when the semiconductor module is resin-sealed. Are suitable.

1 本体金型の固定側の型板
1a 本体金型の固定側の金型面
2 本体金型の可動側の型板
2a 本体金型の可動側の金型面
3 型締め力
4 ブランジャー
5 個別金型
10 本体金型
11 本体金型の固定側の凹部
11a ピン孔
12 カル
13 ランナー
14 ゲート
14a,14b 本体金型のゲート面
15 本体金型の可動側の凹部
15a 本体金型の可動側の凹部の第1空間
15b 本体金型の可動側の凹部の第2空間
15c 本体金型の可動側の凹部の支持部
15d 本体金型の可動側の凹部の底面
16 ポット
18 電磁石
20 個別金型
21,22 個別金型の型板
21a,22a 個別金型の型板の金型面
22b 個別金型の型板の外部接続用端子を挿入する溝
22c,22d 個別金型の型板の側面
31 個別金型のキャビティ
32 個別金型のランナー
33 個別金型の樹脂溜り
41,41’,44,44’,45,72,82 圧力
43 恒温槽
46 本体金型の固定側の型板の凹部の底面に平行な方向
47 樹脂材料
47a 樹脂材料の内部に発生した気泡
47b 重力方向と直交する方向
49 イジェクトピン
51 加熱庫
54,74 樹脂材料の流動方向
60a,60a’,60b,60c スライド機構
61,61’,63,65 スライド機構の突起部
61a,61a’,65a スライド機構の突起部の傾斜面
62,62’,64,66 スライド機構のノッチ
62a,62a’,66a スライド機構のノッチの傾斜面
220 半導体モジュール
221 積層基板
222 セラミック基板
223a,223b 導電性板
224 半導体チップ
225 外部接続用端子
226 回路基板
227 端子ピン
G 重力方向
R 個別金型の回転方向
x1~x3 本体金型の型板の凹部で形成される略直方体状の空洞の3辺の寸法
x11~x13 略直方体状の個別金型の3辺の寸法
1 Mold plate on the fixed side of the main body mold 1a Mold surface on the fixed side of the main body mold 2 Mold surface on the movable side of the main body mold 2a Mold surface on the movable side of the main body mold 3 Mold tightening force 4 Brander 5 Individual mold 10 Main body mold 11 Recess on the fixed side of the main body mold 11a Pin hole 12 Cal 13 Runner 14 Gate 14a, 14b Gate surface of the main body mold 15 Recess on the movable side of the main body mold 15a Movable side of the main body mold 1st space of the concave part of the main body 15b 2nd space of the concave part on the movable side of the main body mold 15c Support part of the concave part on the movable side of the main body mold 15d Bottom of the concave part on the movable side of the main body mold 16 Pot 18 Electromagnet 20 Individual mold 21,22 Individual mold mold plates 21a, 22a Individual mold mold plate mold surface 22b Grooves for inserting external connection terminals of individual mold mold plates 22c, 22d Individual mold mold plate side surface 31 Cavity of individual mold 32 Runner of individual mold 33 Resin reservoir of individual mold 41, 41', 44, 44', 45, 72, 82 Pressure 43 Constant temperature bath 46 In the recess of the mold plate on the fixed side of the main body mold Direction parallel to the bottom surface 47 Resin material 47a Bubbles generated inside the resin material 47b Direction perpendicular to the gravity direction 49 Eject pin 51 Heater 54,74 Flow direction of the resin material 60a, 60a', 60b, 60c Slide mechanism 61, 61', 63, 65 Slide mechanism protrusions 61a, 61a', 65a Slide mechanism protrusion inclined surfaces 62, 62', 64,66 Slide mechanism notches 62a, 62a', 66a Slide mechanism notch inclined surfaces 220 Semiconductor module 221 Laminated board 222 Ceramic board 223a, 223b Conductive plate 224 Semiconductor chip 225 External connection terminal 226 Circuit board 227 Terminal pin G Gravity direction R Direction of rotation of individual mold x1 to x3 Recessed part of mold plate of main body Dimensions of three sides of a substantially rectangular cavity formed by x11 to x13 Dimensions of three sides of an individual mold having a substantially rectangular shape

Claims (19)

個別金型は、
金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第1型板と、
前記2つの第1型板の金型面の間に設けられ、内部に半導体部品が取り付けられる第1空洞と、
前記2つの第1型板の金型面の間に設けられて前記第1空洞に連結され、前記半導体部品を樹脂封止する際に前記第1空洞へ樹脂を供給する第1経路部と、を有し、
本体金型は、
金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第2型板と、
前記2つの第2型板の金型面の間に設けられ、前記第1空洞へ前記樹脂を供給する樹脂供給部と、
前記2つの第2型板の金型面の間に設けられ、内部に前記個別金型が取り付けられる第2空洞と、
前記2つの第2型板の金型面の間に設けられ、前記樹脂供給部と前記第2空洞とに連結され、前記樹脂供給部から前記第2空洞へ前記樹脂を供給する第2経路部と、を有し、
前記個別金型および前記本体金型は、前記個別金型が前記第2空洞に押し込まれた場合に前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に向かって前記個別金型を移動させ、前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に前記個別金型を固定する移動機構をさらに有し、
前記移動機構は、前記個別金型と前記本体金型との、前記個別金型が前記第2空洞に押し込まれる方向と直交しかつ対向する面に設けられており、
前記本体金型は、前記第2空洞に取り付けられた前記個別金型を前記第2空洞から押し出す押出機構をさらに有することを特徴とする半導体装置用の成形金型。
Individual molds
Two first mold plates that are overlapped with the mold surfaces facing each other,
A first cavity provided between the mold surfaces of the two first mold plates and to which semiconductor components are mounted inside,
A first path portion provided between the mold surfaces of the two first mold plates, connected to the first cavity, and supplying resin to the first cavity when the semiconductor component is resin-sealed. Have,
The main body mold is
Two second mold plates that are overlapped with the mold surfaces facing each other,
A resin supply unit provided between the mold surfaces of the two second mold plates and supplying the resin to the first cavity, and a resin supply unit.
A second cavity provided between the mold surfaces of the two second mold plates and to which the individual mold is mounted inside,
A second path portion provided between the mold surfaces of the two second mold plates, connected to the resin supply section and the second cavity, and supplying the resin from the resin supply section to the second cavity. And have
The individual mold and the main body mold move the individual mold toward a surface having the second path portion inside the second cavity when the individual mold is pushed into the second cavity. Further, it has a moving mechanism for fixing the individual mold to a surface having the second path portion inside the second cavity.
The moving mechanism is provided on a surface of the individual mold and the main body mold that is orthogonal to and faces the direction in which the individual mold is pushed into the second cavity .
The main body mold is a molding mold for a semiconductor device, further comprising an extrusion mechanism for extruding the individual mold attached to the second cavity from the second cavity .
前記移動機構は、一方の面に設けられた突起部と、対向する他方の面に設けられ前記突起部に嵌め合わせ可能な溝と、を有する請求項1に記載の半導体装置用の成形金型。 The molding die for a semiconductor device according to claim 1, wherein the moving mechanism has a protrusion provided on one surface and a groove provided on the opposite surface and fitted to the protrusion. .. 前記本体金型は、前記第2経路部と前記個別金型の前記第1経路部との間に、前記第2経路部と前記第1経路部とを連結し、かつ前記第2経路部から前記第1経路部へ流れ込む前記樹脂の流入速度を調整するゲートを有する請求項1または2に記載の半導体装置用の成形金型。 The main body mold connects the second path portion and the first path portion between the second path portion and the first path portion of the individual mold, and from the second path portion. The molding die for a semiconductor device according to claim 1 or 2, which has a gate for adjusting the inflow rate of the resin flowing into the first path portion. 個別金型は、Individual molds
金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第1型板と、Two first mold plates that are overlapped with the mold surfaces facing each other,
前記2つの第1型板の金型面の間に設けられ、内部に半導体部品が取り付けられる第1空洞と、A first cavity provided between the mold surfaces of the two first mold plates and to which semiconductor components are mounted inside,
前記2つの第1型板の金型面の間に設けられて前記第1空洞に連結され、前記半導体部品を樹脂封止する際に前記第1空洞へ樹脂を供給する第1経路部と、を有し、A first path portion provided between the mold surfaces of the two first mold plates, connected to the first cavity, and supplying resin to the first cavity when the semiconductor component is resin-sealed. Have,
本体金型は、The main body mold is
金型面同士を対向させた状態で重ね合わせた2つの第2型板と、Two second mold plates that are overlapped with the mold surfaces facing each other,
前記2つの第2型板の金型面の間に設けられ、前記第1空洞へ前記樹脂を供給する樹脂供給部と、A resin supply unit provided between the mold surfaces of the two second mold plates and supplying the resin to the first cavity, and a resin supply unit.
前記2つの第2型板の金型面の間に設けられ、内部に前記個別金型が取り付けられる第2空洞と、A second cavity provided between the mold surfaces of the two second mold plates and to which the individual mold is mounted inside,
前記2つの第2型板の金型面の間に設けられ、前記樹脂供給部と前記第2空洞とに連結され、前記樹脂供給部から前記第2空洞へ前記樹脂を供給する第2経路部と、を有し、A second path portion provided between the mold surfaces of the two second mold plates, connected to the resin supply section and the second cavity, and supplying the resin from the resin supply section to the second cavity. And have
前記個別金型の金型面と、前記本体金型の金型面と、が異なる方向を向いており、The mold surface of the individual mold and the mold surface of the main body mold face different directions.
前記本体金型は、前記第2空洞に取り付けられた前記個別金型を前記第2空洞から押し出す押出機構をさらに有することを特徴とする半導体装置用の成形金型。The main body mold is a molding mold for a semiconductor device, further comprising an extrusion mechanism for extruding the individual mold attached to the second cavity from the second cavity.
前記個別金型の金型面と、前記本体金型の金型面と、が直交する請求項4に記載の半導体装置用の成形金型。The molding die for a semiconductor device according to claim 4, wherein the mold surface of the individual mold and the mold surface of the main body mold are orthogonal to each other. 前記個別金型は、The individual mold is
前記第1型板の金型面において前記第1空洞に対して前記第1経路部の反対側に設けられ、前記第1空洞から溢れた前記樹脂を収容する樹脂収容部をさらに有し、Further having a resin accommodating portion provided on the opposite side of the first path portion with respect to the first cavity on the mold surface of the first mold plate and accommodating the resin overflowing from the first cavity.
前記本体金型の前記第2空洞に前記個別金型が取り付けられた場合に、前記樹脂収容部は、前記第1空洞よりも上方に位置する請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体装置用の成形金型。The invention according to any one of claims 1 to 4, wherein when the individual mold is attached to the second cavity of the main body mold, the resin accommodating portion is located above the first cavity. Molding dies for semiconductor devices.
前記押出機構は、前記本体金型側から前記個別金型側へ突出するように移動し、前記個別金型の少なくとも一部に接触して前記個別金型を前記第2空洞から押し出すイジェクトピンである請求項1~6のいずれか一つに記載の半導体装置用の成形金型。The extrusion mechanism is an eject pin that moves so as to project from the main body mold side to the individual mold side, contacts at least a part of the individual mold, and pushes the individual mold out of the second cavity. The molding die for a semiconductor device according to any one of claims 1 to 6. 2つの第1型板を有する個別金型の、一方の前記第1型板に半導体部品を取り付け、前記2つの第1型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせる第1取付工程と、
2つの第2型板を有する本体金型の、一方の前記第2型板に前記個別金型を取り付け、前記2つの第2型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせる第2取付工程と、
前記第2型板の金型面に設けられ、前記個別金型へ樹脂を供給する樹脂供給部から前記樹脂を前記個別金型へ供給して前記半導体部品を前記樹脂で封止する封止工程と、
前記本体金型から前記個別金型を取り出す第1取出工程と、
前記個別金型から前記半導体部品を取り出す第2取出工程と、
を順に行い、
前記第1取付工程では、前記個別金型の一方の前記第1型板の金型面に設けられた第1空洞の内部に前記半導体部品を取り付け、前記2つの第1型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせて、前記半導体部品を前記第1空洞の内部に固定するとともに、前記第1空洞と連結する第1経路部を形成し
前記第2取付工程では、
前記本体金型の一方の前記第2型板の金型面に設けられた第2空洞の内部に前記個別金型を取り付け、前記2つの第2型板の金型面同士を対向させた状態で重ね合わせて、前記個別金型を前記第2空洞に押し込むとともに、前記第1経路部を介して前記樹脂供給部と前記第1空洞とを連結する第2経路部を形成し
前記個別金型と前記本体金型との、前記個別金型が前記第2空洞に押し込まれる方向と直交しかつ対向する面に設けられた移動機構によって、前記第2空洞に押し込まれた前記個別金型を前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に向かって移動させて、前記第2空洞の内部の前記第2経路部のある面に前記個別金型を固定し、
前記封止工程では、前記樹脂供給部から前記第2経路部および前記第1経路部を介して前記第1空洞へ前記樹脂を供給し、
前記第1取出工程では、前記第2空洞に取り付けられた押出機構によって前記第2空洞から前記個別金型を押し出すことで、前記本体金型から前記個別金型を取り出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
A first mounting process in which semiconductor parts are attached to one of the first molds of an individual mold having two first molds, and the mold surfaces of the two first molds are overlapped with each other facing each other. When,
A second mold having two second molds, the individual mold is attached to one of the second molds, and the mold surfaces of the two second molds are overlapped with each other so as to face each other. Installation process and
A sealing step provided on the mold surface of the second mold plate, in which the resin is supplied to the individual mold from a resin supply unit that supplies the resin to the individual mold, and the semiconductor parts are sealed with the resin. When,
The first take-out step of taking out the individual mold from the main body mold, and
A second extraction step of extracting the semiconductor component from the individual mold, and
In order,
In the first mounting step, the semiconductor component is mounted inside the first cavity provided on the mold surface of the first mold plate of one of the individual molds, and the mold surfaces of the two first mold plates are mounted. By superimposing the semiconductor parts so as to face each other, the semiconductor component is fixed inside the first cavity and a first path portion connected to the first cavity is formed .
In the second mounting step,
A state in which the individual mold is attached to the inside of a second cavity provided on the mold surface of one of the main body molds, and the mold surfaces of the two second mold plates face each other. The individual molds are pushed into the second cavity, and a second path portion connecting the resin supply portion and the first cavity is formed via the first path portion .
The individual mold is pushed into the second cavity by a moving mechanism provided on a surface of the individual mold and the main body mold, which is orthogonal to and faces the direction in which the individual mold is pushed into the second cavity. The mold is moved toward the surface of the second path portion inside the second cavity, and the individual mold is fixed to the surface of the second path portion inside the second cavity.
In the sealing step, the resin is supplied from the resin supply section to the first cavity via the second path section and the first path section.
In the first extraction step, the semiconductor device is characterized in that the individual mold is taken out from the main body mold by extruding the individual mold from the second cavity by an extrusion mechanism attached to the second cavity. Manufacturing method.
前記第1取出工程では、前記本体金型側から前記個別金型側へ突出するように移動して前記個別金型の少なくとも一部に接触するイジェクトピンによって、前記個別金型を前記第2空洞から押し出すことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。In the first taking-out step, the individual mold is closed to the second cavity by an eject pin that moves so as to project from the main body mold side to the individual mold side and comes into contact with at least a part of the individual mold. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the semiconductor device is extruded from the surface. 前記第2取出工程の前までに前記個別金型を加熱する加熱工程をさらに含む請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8 or 9, further comprising a heating step of heating the individual mold before the second take-out step. 前記第1取付工程の後に、前記加熱工程を行う請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 10, wherein the heating step is performed after the first mounting step. 前記第2取付工程において、加熱された前記本体金型から伝達された熱により前記加熱工程を行う請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 10, wherein in the second mounting step, the heating step is performed by the heat transferred from the heated main body mold. 前記第1取付工程の後、前記第2取付工程の前までに、前記個別金型を回転させて、前記個別金型の内部の前記半導体部品の重力方向に対する向きを、前記第1取付工程時と異なる向きに変える回転工程をさらに含む請求項~12のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 After the first mounting step and before the second mounting step, the individual mold is rotated to determine the direction of the semiconductor component inside the individual mold with respect to the gravity direction during the first mounting step. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 8 to 12, further comprising a rotation step of changing the direction to a different direction from the above. 前記回転工程では、前記重力方向と直交する軸を中心に前記個別金型を180°回転させる請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein in the rotation step, the individual mold is rotated by 180 ° about an axis orthogonal to the direction of gravity. 前記回転工程では、前記重力方向と直交する軸を中心に前記個別金型を90°回転させる請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein in the rotation step, the individual mold is rotated by 90 ° about an axis orthogonal to the direction of gravity. 記封止工程では、前記樹脂供給部から前記第1空洞へ前記樹脂を供給して前記半導体部品を前記樹脂で封止し、
前記第1取出工程では、前記本体金型の前記第2空洞から前記個別金型を取り出し、
前記第2取出工程では、前記個別金型の前記第1空洞から前記半導体部品を取り出す請求項~15のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
In the sealing step, the resin is supplied from the resin supply unit to the first cavity, and the semiconductor component is sealed with the resin.
In the first taking-out step, the individual mold is taken out from the second cavity of the main body mold.
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 8 to 15, wherein in the second extraction step, the semiconductor component is taken out from the first cavity of the individual mold.
前記第2取付工程では、前記第1経路部および前記第2経路部が前記第1空洞と同じ高さに位置するように、前記本体金型の前記第2空洞の内部に前記個別金型を取り付ける請求項8~16のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 In the second mounting step, the individual mold is placed inside the second cavity of the main body mold so that the first path portion and the second path portion are located at the same height as the first cavity. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 8 to 16. 前記第2取付工程では、前記第1経路部および前記第2経路部が前記第1空洞よりも上方に位置するように、前記本体金型の前記第2空洞の内部に前記個別金型を取り付ける請求項8~16のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 In the second mounting step, the individual mold is mounted inside the second cavity of the main body mold so that the first path portion and the second path portion are located above the first cavity. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 8 to 16. 前記第2取付工程では、前記第1経路部および前記第2経路部が前記第1空洞よりも下方に位置するように、前記本体金型の前記第2空洞の内部に前記個別金型を取り付ける請求項8~16のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 In the second mounting step, the individual mold is mounted inside the second cavity of the main body mold so that the first path portion and the second path portion are located below the first cavity. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 8 to 16.
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