JP6987999B2 - キャビティ構造のアンテナパッケージ - Google Patents

Description

本発明は、キャビティ構造のアンテナパッケージに係り、より詳しくは、第５世代移動通信のためのキャビティ構造のアンテナパッケージに関する。

移動通信業界は、第４世代ネットワークを通じて使用者に多様なマルチメディアサービスを提供している。第４世代ネットワークは、およそ２ＧＨｚ以下の周波数を用いて高速データ伝送及びネットワーク容量を支援してきている。

移動通信業界では、持続的な技術開発を通じて、ネットワーク容量を２０倍以上増加させた。同期間、スマート機器の普及が急速に増加するにつれて、ネットワーク需要が１００倍以上増加した。

移動通信業界では、やがてネットワーク容量が限界に達すると判断して、ネットワーク容量及びデータ伝送速度を向上した第５世代ネットワークに関する研究を続けている。

第５世代ネットワークは、２８ＧＨｚ程度の超高帯域周波数を用いるデータを送受信する。第５世代ネットワークは、既存の４Ｇネットワークに比べて、より速いデータ伝送速度及びより大きいネットワーク容量を支援する。

移動通信業界が第５世代ネットワークに転換されることによって、アンテナ業界では、第５世代ネットワークを支援するためのアンテナに関する研究が進行されている。

本発明は、上述した事情に鑑みて提案されたものであって、信号処理素子が形成されたアンテナ基板の一面に収容部が形成されたキャビティ基板を配置して、アンテナパッケージの実装工程で変形及び破損の発生を防止するようにした、キャビティ構造のアンテナパッケージを提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の実施例に係るキャビティ構造のアンテナパッケージは、上面に複数の放射パッチが形成され、下面に複数の信号処理素子が形成されたアンテナ基板と、前記複数の信号処理素子が収容される収容部が形成され、前記アンテナ基板の下面に配置されたキャビティ基板と、を含む。前記キャビティ基板は、一つの前記収容部が形成された四角枠状であるか、複数の前記収容部が形成された格子状であってもよい。

本発明によれば、キャビティ構造のアンテナパッケージは、信号処理素子が形成されたアンテナ基板の一面に収容部が形成されたキャビティ基板を配置することにより、アンテナパッケージの実装工程で変形及び破損の発生を防止することができる効果がある。

また、キャビティ構造のアンテナパッケージは、信号処理素子が形成されたアンテナ基板の一面に収容部が形成されたキャビティ基板を配置して、変形及び破損の発生を防止することにより、アンテナパッケージの量産性及びアンテナ性能が低下することを最小限に抑えることができる。

また、キャビティ構造のアンテナパッケージは、ウィルキンソン分配器及びＴジャンクション分配器を構成して、誘電損失を最小限に抑えられる効果がある。

第５世代ネットワーク用アンテナを説明するための図である。 第５世代ネットワーク用アンテナを説明するための図である。 本発明の実施例に係るキャビティ構造のアンテナパッケージを説明するための図である。 図３のアンテナ基板を説明するための図である。 図３のアンテナ基板を説明するための図である。 図３のアンテナ基板を説明するための図である。 図３のアンテナ基板を説明するための図である。 図３のキャビティ基板を説明するための図である。 図３のキャビティ基板を説明するための図である。 図３のキャビティ基板を説明するための図である。 図３のキャビティ基板を説明するための図である。 図３のキャビティ基板を説明するための図である。 本発明の実施例に係るキャビティ構造のアンテナパッケージを説明するための図である。

以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施例を添付の図面を参照して説明する。まず、各図面の構成要素に参照符号を付するにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ異なる図面上に表示されるとしても、できるだけ同一の符号を有するようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知の構成又は機能に関する具体的な説明が、本発明の要旨を不明にし得ると判断する場合には、その詳細な説明は省略する。

図１及び図２を参照すれば、第５世代ネットワーク用アンテナ（以下、第５世代アンテナ）は、基地局に設けられる。第５世代アンテナは、複数のアンテナパッケージ２０を行列配置して、超高帯域周波数を用いた通信を支援する。

第５世代アンテナは、メイン基板１０に複数のアンテナパッケージ２０を実装して構成される。メイン基板１０は、ＬＴＣＣ、ＦＲ４などの有機（Ｏｒｇａｎｉｃ）又は無機（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ）材質から形成される。メイン基板１０は、アンテナパッケージ２０を収容するための複数の収容溝１２が形成される。複数の収容溝１２は、行列配置される。複数の収容溝１２には、それぞれアンテナパッケージ２０が実装される。第５世代アンテナには、４行４列に配置された１６個の収容溝１２が形成され、各収容溝１２には、アンテナパッケージ２０が実装されたことを一例とする。

第５世代アンテナは、アンテナパッケージ２０を収容溝１２上に配置した後、所定の圧力をかけて、収容溝１２内にアンテナパッケージ２０を安着させて製造される。

アンテナパッケージ２０は、収容溝１２の底面と向い合う面に信号処理素子が実装されるため、収容溝１２の底面とアンテナパッケージ２０との間に離隔空間が形成される。

第５世代アンテナは、アンテナパッケージ２０を収容溝１２に挿入する工程で離隔空間に圧力が加えられて、アンテナパッケージ２０が押され、歪みなどの変形又は破損が発生することによって、量産性が低下するか、アンテナ性能が低下する問題点がある。

そこで、本発明の実施例では、収容溝に挿入する工程で変形及び破損が発生することを防止する、キャビティ構造のアンテナパッケージ（以下、キャビティアンテナパッケージ）を提示する。

図３を参照すれば、本発明の実施例に係るキャビティアンテナパッケージ１００は、アンテナ基板２００及びキャビティ基板３００を含む。

アンテナ基板２００は、５Ｇネットワーク周波数帯域信号（以下、５Ｇ信号）を受信する。アンテナ基板２００は、複数の放射パターン及び信号処理素子２３０を含む。アンテナ基板２００は、放射パターンを通じて受信した５Ｇ信号を信号処理素子２３０で処理した後、アンテナのメイン基板１０へ伝送する。

図４及び図５を参照すれば、アンテナ基板２００は、セラミック基材２１０、放射パッチ２２０、信号処理素子２３０、第１の制御信号伝送用電極２４０を含む。アンテナ基板２００は、５Ｇアンテナのメイン基板１０に形成された収容溝１２に挿入される。アンテナ基板２００は、下面が収容溝１２の底面と向かい合う。

セラミック基材２１０は、セラミック材質から形成された板状基材である。セラミック基材２１０は、セラミック材質を低温焼成したＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）基材である。

セラミック基材２１０は、ＺＴＡ（Ｚｉｒｃｏｎｉａ Ｔｏｕｇｈｅｎｅｄ Ａｌｕｍｉｎａ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４）のうち一つであることを一例とする。セラミック基材２１０は、ＺＴＡ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素のうち一つ以上を含む合成セラミック材質であってもよい。

セラミック基材２１０は、これ以外にもアンテナの基板のために低い誘電率及び誘電損失を有するセラミック材質に変形実施可能である。

放射パッチ２２０は、セラミック基材２１０の上面に形成される。放射パッチ２２０は、５Ｇ信号を送受信する。放射パッチ２２０は、銅、アルミニウム、金、銀などのように電気伝導度の高い導電性材質の薄板であることを一例とする。

放射パッチ２２０は、複数構成されて、セラミック基材２１０の上面に行列配置される。一例として、放射パッチ２２０は、第１の放射パッチ〜第１６の放射パッチを含む。

第１の放射パッチ〜第４の放射パッチは、第１行を形成し、第５の放射パッチ〜第８の放射パッチは、第２行を形成し、第９の放射パッチ〜第１２の放射パッチは、第３行を形成し、第１３の放射パッチ〜第１６の放射パッチは、第４行を形成する。

第１の放射パッチ、第５の放射パッチ、第９の放射パッチ及び第１３の放射パッチは、第１列を形成し、第２の放射パッチ、第６の放射パッチ、第１０の放射パッチ及び第１４の放射パッチは、第２列を形成し、第３の放射パッチ、第７の放射パッチ、第１１の放射パッチ及び第１５の放射パッチは、第３列を形成し、第４の放射パッチ、第８の放射パッチ、第１２の放射パッチ及び第１６の放射パッチは、第４列を形成する。これを通じて、第１の放射パッチ〜第１６の放射パッチは、セラミック基材２１０の上面に４×４配列のマトリックスを形成する。

信号処理素子２３０は、セラミック基材２１０の下面に形成される。信号処理素子２３０は、複数構成され、セラミック基材２１０の下面に行列配置される。信号処理素子２３０は、複数の放射パッチ２２０で受信した５Ｇ信号を信号処理する。信号処理素子２３０は、放射パッチ２２０を通じて、５Ｇ信号を送出する。

一例として、信号処理素子２３０は、第１の信号処理素子〜第４の信号処理素子を含む。第１の信号処理素子は、セラミック基材２１０の第１の側面及び第２の側面に近接して配置され、第２の信号処理素子は、第２の側面及び第３の側面に近接して配置され、第３の信号処理素子は、セラミック基材２１０の第１の側面及び第４の側面に近接して配置され、第４の信号処理素子は、第３の側面及び第４の側面に近接して配置される。これを通じて、第１の信号処理素子〜第４の信号処理素子は、２×２配列のマトリックスを形成する。

信号処理素子２３０は、複数の放射パッチ２２０と連結される。信号処理素子２３０は、セラミック基材２１０の内部に形成された給電ライン（図示せず）を通じて複数の放射パッチ２２０に給電する。

一例として、第１の信号処理素子は、第１の放射パターン、第２の放射パターン、第５の放射パターン及び第６の放射パターンと連結される。第２の信号処理素子は、第３の放射パターン、第４の放射パターン、第７の射パターン及び第８の放射パターンと連結される。第３の信号処理素子は、第９の放射パターン、第１０の放射パターン、第１３の放射パターン及び第１４の放射パターンと連結される。第４の信号処理素子は、第１１の放射パターン、第１２の放射パターン、第１５の放射パターン及び第１６の放射パターンと連結される。これを通じて、信号処理素子２３０は、４個の放射パターンと連結される。

信号処理素子２３０は、セラミック基材２１０の内部に形成された給電パターン（図示せず）と連結されることもできる。給電パターンは、給電ラインを通じて信号処理素子２３０と連結される。信号処理素子２３０は、無線信号伝送のための信号を給電パターンに供給する。給電パターンは、カップリングを通じて放射パッチ２２０に給電することができる。ここで、カップリングは、給電パターンと放射パターンとが直接接触せずに離隔した状態で電気的に連結されていることを意味する。

第１の制御信号伝送用電極２４０は、セラミック基材２１０の下面に形成される。第１の制御信号伝送用電極２４０は、複数の電極から構成され、相互離隔して配置される。第１の制御信号伝送用電極２４０は、セラミック信号処理素子２３０の外周とセラミック基材２１０の外周との間に位置する。

第１の制御信号伝送用電極２４０は、セラミック基材２１０の内部に形成された電極（図示せず）を通じて信号処理素子２３０と連結される。一つの信号処理素子２３０に複数の第１の制御信号伝送用電極２４０が連結される。第１の制御信号伝送用電極２４０は、５Ｇアンテナのメイン基板１０から伝送された信号処理素子制御信号を信号処理素子２３０へ伝送する。

図６を参照すれば、アンテナ基板２００は、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０及びＲＦ信号分配器２６０をさらに含むことができる。

第１のＲＦ信号伝送パターン２５０は、セラミック基材２１０の下面又は内部に形成される。第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の一端は、セラミック基材２１０の一側辺に位置する。第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の一端は、キャビティ基板３００に形成されたビアホールを介してキャビティ基板３００に形成されたＲＦ信号伝送電極３４０と連結される。第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の他端は、ＲＦ信号分配器２６０の入力端に連結される。

ＲＦ信号分配器２６０は、一つの入力端と複数の出力端とを有する分配器から構成される。入力端は、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０と連結される。複数の出力端は、複数の信号処理素子２３０と一対一で連結される。

ＲＦ信号分配器２６０は、セラミック基材２１０の下面中央に形成される。ＲＦ信号分配器２６０は、第１の信号処理素子〜第４の信号処理素子の間の離隔空間に配置されることを一例とする。

ＲＦ信号分配器２６０は、セラミック基材２１０の内部に形成されることもできる。このとき、複数の出力端は、ビアホールを介して信号処理素子２３０と連結される。

ＲＦ信号分配器２６０は、５Ｇ信号を分岐して、第１の信号処理素子〜第４の信号処理素子に伝送する。ＲＦ信号分配器２６０は、第１の信号処理素子〜第４の信号処理素子で信号処理された５Ｇ周波数帯域信号（すなわち、放射パッチ２２０で受信した信号）をメイン基板１０に伝送する。

ＲＦ信号分配器２６０は、４−Ｗａｙウィルキンソン分配器であることを一例とする。４−Ｗａｙウィルキンソン分配器は、４個の出力端から構成される。４個の出力端には、第１の信号処理素子〜第４の信号処理素子がそれぞれ連結される。

図７を参照すれば、アンテナ基板２００は、第１のＲＦ信号分配器２６２、 第２のＲＦ信号分配器２６４及び第１のＲＦ信号伝送パターン２５０をさらに含むこともできる。

第１のＲＦ信号分配器２６２及び第２のＲＦ信号分配器２６４は、セラミック基材２１０の下面又は内部に形成される。第１のＲＦ信号分配器２６２は、第１の信号処理素子及び第３の信号処理素子の間の離隔空間に配置される。

第１のＲＦ信号分配器２６２は、一つの入力端と一対の出力端とを有する分配器から構成される。入力端は、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の一端と連結される。一対の出力端は、それぞれ信号処理素子２３０と一対一で連結される。

第１のＲＦ信号分配器２６２は、２個の出力端を有する２−Ｗａｙウィルキンソン分配器であることを一例とする。２−Ｗａｙウィルキンソン分配器の入力端は、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の一端と連結される。２−Ｗａｙウィルキンソン分配器の第１の出力端は、第１の信号処理素子と連結され、第２の出力端は、第３の信号処理素子と連結される。

第２のＲＦ信号分配器２６４及び第２のＲＦ信号分配器２６４は、セラミック基材２１０の下面又は内部に形成される。第２のＲＦ信号分配器２６４は、第２の信号処理素子及び第４の信号処理素子の間の離隔空間に配置される。

第２のＲＦ信号分配器２６４は、一つの入力端と一対の出力端とを有する分配器から構成される。入力端は、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の他端と連結される。一対の出力端は、それぞれ信号処理素子２３０と一対一で連結される。

第２のＲＦ信号分配器２６４は、２個の出力端を有する２−Ｗａｙウィルキンソン分配器であることを一例とする。２−Ｗａｙウィルキンソン分配器の入力端は、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の他端と連結される。２−Ｗａｙウィルキンソン分配器の第１の出力端は、第２の信号処理素子と連結され、第２の出力端は、第４の信号処理素子と連結される。

第１のＲＦ信号伝送パターン２５０は、セラミック基材２１０の下面又は内部に形成される。第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の一端は、第１のＲＦ信号分配器２６２の入力端に連結される。第１のＲＦ信号伝送パターン２５０の他端は、第２のＲＦ信号分配器２６４の入力端に連結される。第１のＲＦ信号伝送パターン２５０は、キャビティ基板３００に形成されたビアホールを介してキャビティ基板３００に形成された第２のＲＦ信号伝送パターン３５０と連結される。

本発明の実施例に係るキャビティ構造のアンテナパッケージ１００は、２−Ｗａｙウィルキンソン分配器を用いてＲＦ信号を分岐することにより、誘電損失を最小限に抑えられる効果がある。

キャビティ基板３００は、アンテナ基板２００の下面に位置する。キャビティ基板３００は、キャビティアンテナパッケージ１００をメイン基板１０の収容溝１２に挿入実装時に加えられる圧力による変形及び破損を防止するための補強部材である。

キャビティ基板３００は、アンテナ基板２００と一体に形成される。キャビティ基板３００は、アンテナ基板２００と同一のセラミック材質から形成され、ＬＴＣＣ工程を通じてアンテナ基板２００と同時に形成される。

キャビティ基板３００は、アンテナ基板２００と分離した状態で製造された後、アンテナ基板２００の下面に接着されることもできる。キャビティ基板３００は、アンテナ基板２００と同一のセラミック材質から形成されることができる。キャビティ基板３００は、製造コスト削減及び量産性向上のために、アンテナ基板２００と異種の材質（例えば、ＦＲ４など）から形成されることもできる。

キャビティ基板３００の厚さは、アンテナ基板２００の下面に露出した信号処理素子２３０の厚さ以上であることが好ましい。これはキャビティアンテナパッケージ１００をメイン基板１０に挿入するとき、離隔空間の発生を防止して、キャビティアンテナパッケージ１００の変形及び破損を防止するためである。

図８及び図９を参照すれば、キャビティ基板３００は、キャビティフレーム３１０を含む。
キャビティフレーム３１０は、四角形板状のフレームである。キャビティフレーム３１０は、アンテナ基板２００の下面に形成された信号処理素子２３０を収容する収容部３２０が形成される。収容部３２０は、上下端が開口された四角形ホール状に形成されて、アンテナ基板２００の下面に形成された信号処理素子２３０を全部収容する。それによって、キャビティフレーム３１０は、四角枠状に形成される。

キャビティフレーム３１０の下面には、第２の制御信号伝送用電極３３０が形成される。第２の制御信号伝送用電極３３０は、キャビティフレーム３１０の外周に近接して配置される。第２の制御信号伝送用電極３３０は、複数の電極から構成され、キャビティフレーム３１０の下面に相互離隔して形成される。第２の制御信号伝送用電極３３０は、キャビティフレーム３１０を貫通するビアホールを介してアンテナ基板２００に形成された第１の制御信号伝送用電極２４０と一対一で連結される。

キャビティフレーム３１０の下面には、ＲＦ信号伝送電極３４０が形成される。ＲＦ信号伝送電極３４０は、第２の制御信号伝送用電極３３０と離隔して形成される。ＲＦ信号伝送電極３４０は、ビアホールを介してアンテナ基板２００の第１のＲＦ信号伝送パターン２５０（図６参照）と連結される。これを通じて、キャビティアンテナパッケージ１００は、４−Ｗａｙウィルキンソン分配器を形成する。

図１０を参照すれば、キャビティフレーム３１０には、複数の収容部３２０が形成されることもできる。
複数の収容部３２０は、それぞれ一つの信号処理素子２３０が収容される。一例として、キャビティ基板３００は、第１の収容部〜第４の収容部が形成された格子構造のキャビティフレーム３１０を含む。複数の収容部３２０は、上下端が開口された四角形ホール状に形成される。それによって、キャビティフレーム３１０は、格子構造に形成される。

一例として、キャビティフレーム３１０は、横方向隔板と縦方向隔板とが結合して、４個の収容部３２０（すなわち、第１の収容部〜第４の収容部）が格子状に配置された構成をなす。キャビティフレーム３１０は、横方向隔板と縦方向隔板とが直交する方向に連結されることにより、全体的に四角枠状をなすと共に、それぞれの収容部３２０は、四角形ホール状とされる。第１の収容部には第１の信号処理素子が収容され、第２の収容部には第２の信号処理素子が収容され、第３の収容部には第３の信号処理素子が収容され、第４の収容部には第４の信号処理素子が収容される。

このように、キャビティ基板３００は、複数の収容部３２０を形成して格子構造のキャビティフレーム３１０を形成することにより、アンテナパッケージの補強強度を増加させることができる。

図１１及び図１２を参照すれば、キャビティフレーム３１０の下面には、第２のＲＦ信号伝送パターン３５０が形成されることができる。第２のＲＦ信号伝送パターン３５０の一端は、 ＲＦ信号伝送電極３４０と連結される。第２のＲＦ信号伝送パターン３５０の他端は、キャビティフレーム３１０の中心に延びて形成され、ビアホールを介してアンテナ基板２００の第１のＲＦ信号伝送パターン２５０（図７参照）と連結される。

これを通じて、第１のＲＦ信号伝送パターン２５０及び第２のＲＦ信号伝送パターン３５０は、Ｔジャンクション分配器を形成する。

キャビティアンテナパッケージ１００は、２−Ｗａｙウィルキンソン分配器とＴジャンクション分配器を形成して信号を分配することにより、４−Ｗａｙウィルキンソン分配器が形成された構造に比べて、誘電損失を最小限に抑えることができる。

図１３を参照すれば、キャビティアンテナパッケージ１００は、アンテナ基板２００にキャビティ基板３００を形成することにより、アンテナ基板２００と収容溝１２の底面間の離隔空間をキャビティ基板３００が支持して、アンテナパッケージをメイン基板１０の収容溝１２に挿入する工程で、アンテナパッケージの変形及び破損が発生することを防止することができる。

以上、本発明に係る好ましい実施例について説明したが、種々の形態への変形が可能であり、本技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の特許請求の範囲を逸脱することなく、多様な変形例及び修正例を実施できることと理解される。

１０ メイン基板
１２ 収容溝
２０ アンテナパッケージ
１００ キャビティアンテナパッケージ
２００ アンテナ基板
２１０ セラミック基材
２２０ 放射パッチ
２３０ 信号処理素子
２４０ 第１の制御信号伝送用電極
２５０ 第１のＲＦ信号伝送パターン
２６０ ＲＦ信号分配器
２６２、２６４ 第１のＲＦ信号分配器
３００ キャビティ基板
３１０ キャビティフレーム
３２０ 収容部
３３０ 第２の制御信号伝送用電極
３４０ ＲＦ信号伝送電極
３５０ 第２のＲＦ信号伝送パターン

Claims (15)

1. 上面に複数の放射パッチが形成され、下面に複数の信号処理素子が形成されたアンテナ基板と、
   前記複数の信号処理素子が収容される収容部が形成され、前記アンテナ基板の下面に配置されたキャビティ基板と、を含み、
   前記アンテナ基板は、
   板状のセラミック基材と、
   前記セラミック基材の下面に形成され、前記セラミック基材の外周に沿って相互離隔して配置された複数の第１の制御信号伝送用電極と、を含み、
   前記複数の放射パッチは、前記セラミック基材の上面に行列配置され、
   前記複数の信号処理素子は、前記セラミック基材の下面に行列配置されている、ことを特徴とするキャビティ構造のアンテナパッケージ。
2. 前記アンテナ基板は、前記セラミック基材に形成された第１のＲＦ信号伝送パターンをさらに含み、
   前記第１のＲＦ信号伝送パターンの一端は、ビアホールを介して前記キャビティ基板のＲＦ信号伝送電極と連結されている、ことを特徴とする請求項１に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
3. 前記アンテナ基板は、入力端と複数の出力端とを備え、前記セラミック基材に形成されたＲＦ信号分配器をさらに含み、
   前記入力端は、前記第１のＲＦ信号伝送パターンの他端と連結され、前記複数の出力端は、前記複数の信号処理素子と一対一で連結されている、ことを特徴とする請求項２に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
4. 前記ＲＦ信号分配器は、４−Ｗａｙウィルキンソン分配器である、請求項３に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
5. 前記アンテナ基板は、
   前記セラミック基材に形成された第１のＲＦ信号伝送パターンと、
   前記セラミック基材に形成され、前記第１のＲＦ信号伝送パターンの一端と連結された入力端と、前記複数の信号処理素子のうち一部と連結された複数の出力端とを備えた第１のＲＦ信号分配器と、
   前記セラミック基材に前記第１のＲＦ信号分配器と離隔して形成され、前記第１のＲＦ信号伝送パターンの他端と連結された入力端、前記複数の信号処理素子のうち残りと連結された複数の出力端を備えた第２のＲＦ信号分配器と、をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
6. 前記第１のＲＦ信号分配器及び前記第２のＲＦ信号分配器は、２−Ｗａｙウィルキンソン分配器である、ことを特徴とする請求項５に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
7. 前記キャビティ基板は、前記収容部が形成されたキャビティフレームを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
8. 前記キャビティフレームは、一つの収容部が形成された四角枠状である、ことを特徴とする請求項７に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
9. 前記キャビティ基板は、
   前記キャビティフレームの下面に形成され、前記アンテナ基板に形成された第１の制御信号伝送用電極と連結された第２の制御信号伝送用電極をさらに含む、ことを特徴とする請求項７に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
10. 前記キャビティフレームの下面に、前記第２の制御信号伝送用電極と離隔して形成されたＲＦ信号伝送電極をさらに含み、
    前記ＲＦ信号伝送電極は、前記アンテナ基板の第１のＲＦ信号伝送パターンと連結されている、ことを特徴とする請求項９に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
11. 前記キャビティフレームは、複数の収容部が行列配置された格子状である、ことを特徴とする請求項７に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
12. 前記キャビティ基板は、前記キャビティフレームの下面に形成された第２のＲＦ信号伝送パターンをさらに含み、
    前記第２のＲＦ信号伝送パターンの一端は、ＲＦ信号伝送電極と連結され、
    前記第２のＲＦ信号伝送パターンの他端は、前記キャビティフレームの中心に延びて形成されている、ことを特徴とする請求項１１に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
13. 前記第２のＲＦ信号伝送パターンの他端は、ビアホールを介して前記アンテナ基板の第１のＲＦ信号伝送パターンと連結されている、ことを特徴とする請求項１２に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
14. 前記キャビティ基板は、前記アンテナ基板と同一のセラミック材質から形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
15. 前記キャビティ基板は、前記アンテナ基板と異種の材質から形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のキャビティ構造のアンテナパッケージ。
    

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