JP6985964B2 - Pitot tube type flowmeter for substrate processing equipment, substrate processing equipment, and substrate processing method - Google Patents

Pitot tube type flowmeter for substrate processing equipment, substrate processing equipment, and substrate processing method Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置用のピトー管式流量計、ピトー管式流量計を備える基板処理装置、およびピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法に関する。
処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel Display)用基板などが含まれる。
The present invention relates to a substrate processing method executed by a pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus, a substrate processing apparatus including a pitot tube type flow meter, and a substrate processing apparatus including a pitot tube type flow meter.
The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical magnetic disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and an organic EL (electroluminescence). ) A substrate for FPD (Flat Panel Display) such as a display device is included.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献1には、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を処理する複数の処理ユニットと、複数の処理ユニットから排出された排気から液体を分離する複数の気液分離ボックスと、複数の気液分離ボックスにそれぞれ接続された複数の個別排気ダクトと、各個別排気ダクトに接続された集合排気ダクトとを備えている。
In the manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a substrate processing device for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used.
Patent Document 1 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. This substrate processing apparatus includes a plurality of processing units for processing a substrate, a plurality of gas-liquid separation boxes for separating liquid from exhaust gas discharged from the plurality of processing units, and a plurality of gas-liquid separation boxes connected to each of the plurality of gas-liquid separation boxes. It is equipped with an individual exhaust duct and a collective exhaust duct connected to each individual exhaust duct.

特許文献1に記載の基板処理装置は、さらに、集合排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する集合ダンパーと、集合排気ダクト内を流れる排気の流量を検出する集合流量計とを備えている。特許文献1の段落0081には、集合流量計は、たとえば差圧流量計であり、集合ダンパーの上流で排気圧を検出する第1集合流量計と、集合ダンパーの下流で排気圧を検出する第2集合流量計と、を含む、と記載されている。同段落には、集合流量計は、差圧流量計に限らず、熱式質量流量計、渦流量計、超音波流量計などの他の形式の流量計であってもよい、との記載がある。 The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 further includes a collective damper for adjusting the flow rate of the exhaust flowing in the collective exhaust duct, and a collective flow meter for detecting the flow rate of the exhaust flowing in the collective exhaust duct. In paragraph 1981 of Patent Document 1, the collective flow meter is, for example, a differential pressure flow meter, the first collective flow meter that detects the exhaust pressure upstream of the collective damper, and the first collective flow meter that detects the exhaust pressure downstream of the collective damper. 2 Collective flow meters and are described as including. In the same paragraph, it is stated that the collective flow meter is not limited to the differential pressure flow meter, but may be another type of flow meter such as a thermal mass flow meter, a vortex flow meter, and an ultrasonic flow meter. be.

特開2015−119042号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-119042

基板処理装置から排出される排気には、微量の薬品が含まれていることがある。たとえば、酸性薬液、アルカリ性薬液、および有機薬液などの複数種の薬液を同一の基板に順次供給するときには、酸性薬液を含んだ排気と、アルカリ性薬液を含んだ排気と、有機薬液を含んだ排気とが、排気ダクトを順次通過する。この場合、塩などの結晶が排気ダクト内に発生し、排気ダクト内で徐々に蓄積される。同じ基板に供給される薬液の種類が一つだけであっても、薬液に含まれる水分が失われると、残渣や結晶が排気ダクト内に残り、排気ダクト内で徐々に蓄積される。 The exhaust discharged from the substrate processing equipment may contain trace amounts of chemicals. For example, when multiple types of chemicals such as acidic chemicals, alkaline chemicals, and organic chemicals are sequentially supplied to the same substrate, the exhaust containing the acidic chemicals, the exhaust containing the alkaline chemicals, and the exhaust containing the organic chemicals are used. However, they pass through the exhaust duct in sequence. In this case, crystals such as salt are generated in the exhaust duct and gradually accumulated in the exhaust duct. Even if only one type of chemical solution is supplied to the same substrate, when the water contained in the chemical solution is lost, residues and crystals remain in the exhaust duct and gradually accumulate in the exhaust duct.

特許文献1には、差圧流量計、熱式質量流量計、渦流量計、または超音波流量計等を集合流量計として用いることが記載されているものの、集合流量計がどの形式の流量計であっても、基板の処理を続けると、残渣や結晶などの異物が集合流量計に付着し、集合流量計に徐々に溜まる。付着した異物の量がわずかであれば、流量の測定に殆ど影響しないものの、異物の量が増えると、流量の測定精度に影響をきたすおそれがある。 Patent Document 1 describes that a differential pressure flow meter, a thermal mass flow meter, a vortex flow meter, an ultrasonic flow meter, or the like is used as a collective flow meter, but what type of flow meter is the collective flow meter? Even so, if the processing of the substrate is continued, foreign substances such as residues and crystals adhere to the collective flow meter and gradually accumulate in the collective flow meter. If the amount of foreign matter attached is small, it has almost no effect on the measurement of the flow rate, but if the amount of foreign matter increases, it may affect the measurement accuracy of the flow rate.

そこで、本発明の目的の一つは、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる基板処理装置用のピトー管式流量計、基板処理装置、および基板処理方法を提供することである。 Therefore, one of the objects of the present invention is to provide a Pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method capable of measuring the flow rate of exhaust with stable accuracy over a long period of time.

前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、前記ケーシングの内部に流体を供給する少なくとも一つの流体ノズルと、を備え、前記洗浄液配管は、前記少なくとも一つの流体ノズルに接続されている、基板処理装置用のピトー管式流量計である。
この構成によれば、基板を処理する薬品を含む排気が、ケーシング内を下流に流れる。ピトー管は、ケーシング内に配置されている。ケーシング内を下流に流れる排気の全圧(静圧と動圧の和)および静圧は、ピトー管によって検出される。排気の流量、つまり、単位時間においてケーシングを通過する排気の量は、排気の動圧に基づいて計算される。これにより、ケーシングを通過する排気の流量を測定できる。
The invention according to claim 1 for achieving the above object includes a tubular casing through which an exhaust containing a chemical for treating a substrate passes, and an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, which is arranged in the casing. The pitot tube is provided, a pitot tube for guiding the cleaning liquid to be supplied to the pitot tube, and at least one fluid nozzle for supplying a fluid to the inside of the casing, and the pitot tube is provided with the at least one fluid. that is connected to the nozzle, a Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus.
According to this configuration, the exhaust gas containing the chemicals that process the substrate flows downstream in the casing. The pitot tube is arranged in the casing. The total pressure (sum of static pressure and dynamic pressure) and static pressure of the exhaust gas flowing downstream in the casing are detected by the Pitot tube. The flow rate of the exhaust, that is, the amount of exhaust passing through the casing in a unit time, is calculated based on the dynamic pressure of the exhaust. This makes it possible to measure the flow rate of the exhaust gas passing through the casing.

ケーシング内を下流に流れる排気は、測定孔が設けられたピトー管の外周面に接する。ピトー管が長時間排気に晒されると、塩などの異物がピトー管の測定孔に付着する。洗浄液配管によって案内された洗浄液は、ピトー管の測定孔に供給される。これにより、ピトー管の測定孔が残渣や結晶などの異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。 The exhaust gas flowing downstream in the casing is in contact with the outer peripheral surface of the Pitot tube provided with the measurement hole. When the Pitot tube is exposed to the exhaust for a long time, foreign matter such as salt adheres to the measurement hole of the Pitot tube. The cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe is supplied to the measuring hole of the Pitot tube. As a result, it is possible to prevent the measurement hole of the Pitot tube from being clogged with foreign matter such as residue or crystals, and it is possible to measure the flow rate of the exhaust gas with stable accuracy over a long period of time.

さらに、洗浄液をピトー管やケーシングに供給するので、これらに付着している異物が洗浄液に溶ける場合には、異物を洗浄液で溶かしながら除去することができる。たとえば、酸性薬品とアルカリ性薬品との接触によって発生した塩や、水分の消失によって薬液から析出した結晶は水に溶けるので、水を含む洗浄液をピトー管等に供給すれば、塩や結晶を効果的に除去できる。したがって、洗浄液の代わりに洗浄ガスを用いる場合に比べて異物を確実に除去できる。
この構成によれば、前述の効果(以下、「前者の効果」という。)に加え、次の効果を奏することができる。具体的には、洗浄液が、洗浄液配管から流体ノズルに供給され、流体ノズルから吐出される。これにより、ケーシングの内部に洗浄液が供給される。したがって、ケーシングの内面を洗浄液で洗浄できる。それだけでなく、ピトー管などのケーシングの内部に配置された部材も洗浄液で洗浄できる。これにより、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。
Further, since the cleaning liquid is supplied to the Pitot tube and the casing, when the foreign matter adhering to these is dissolved in the cleaning liquid, the foreign matter can be removed while being dissolved in the cleaning liquid. For example, salts generated by contact between acidic chemicals and alkaline chemicals and crystals precipitated from the chemical solution due to the disappearance of water dissolve in water, so if a cleaning solution containing water is supplied to a pitot tube or the like, the salt or crystals will be effective. Can be removed. Therefore, foreign matter can be reliably removed as compared with the case where a cleaning gas is used instead of the cleaning liquid.
According to this configuration, in addition to the above-mentioned effect (hereinafter, referred to as “the former effect”), the following effects can be achieved. Specifically, the cleaning liquid is supplied to the fluid nozzle from the cleaning liquid pipe and discharged from the fluid nozzle. As a result, the cleaning liquid is supplied to the inside of the casing. Therefore, the inner surface of the casing can be cleaned with the cleaning liquid. Not only that, the members arranged inside the casing such as the Pitot tube can also be washed with the cleaning liquid. As a result, the flow rate of the exhaust gas can be measured with stable accuracy over a long period of time.

基板を処理する薬品は、薬液の蒸気(薬品の気体)またはミスト(薬品の微小な液滴)であってもよいし、薬液(薬品の液体)であってもよい。同様に、排気に含まれる薬品は、薬品の蒸気(薬品の気体)であってもよいし、薬品のミスト(薬品の微小な液滴)であってもよい。
排気の全圧および静圧は、2つのピトー管によって測定されてもよいし、1つのピトー管によって測定されてもよい。つまり、基板処理装置用のピトー管式流量計は、排気の全圧および静圧をそれぞれ測定する2つのピトー管(全圧測定管および静圧測定管)を備えていてもよいし、全圧測定管および静圧測定管が一体化された1つのピトー管を備えていてもよい。
The chemical for treating the substrate may be a vapor of the chemical solution (gas of the chemical) or mist (microdroplets of the chemical), or may be a chemical solution (liquid of the chemical). Similarly, the chemical contained in the exhaust gas may be a vapor of the chemical (gas of the chemical) or a mist of the chemical (small droplets of the chemical).
The total pressure and static pressure of the exhaust gas may be measured by two Pitot tubes or by one Pitot tube. That is, the Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus may be provided with two Pitot tubes (total pressure measuring tube and static pressure measuring tube) for measuring the total pressure and the static pressure of the exhaust, respectively, or the total pressure. It may be provided with one Pitot tube in which a measuring tube and a static pressure measuring tube are integrated.

前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管をさらに備えていてもよい。前記洗浄液配管は、前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されていてもよい
この構成によれば、ピトー管の測定孔に加わる圧力(全圧または静圧)が測定配管を介して差圧計に伝達される。洗浄液配管によって案内された洗浄液は、測定配管を介してピトー管の内部空間に供給される。ピトー管内の洗浄液は、測定孔からピトー管の外に排出される。異物が測定孔に付着していれば、この異物は測定孔から排出される洗浄液によって洗い流される。これにより、ピトー管の測定孔が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。
Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus may further include a connected measured pipe to the Pitot tube. The cleaning liquid pipe may be connected to the Pitot tube via the measurement pipe.
According to this configuration, the pressure (total pressure or static pressure) applied to the measurement hole of the Pitot tube is transmitted to the differential pressure gauge via the measurement pipe. The cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe is supplied to the internal space of the Pitot tube via the measuring pipe. The cleaning liquid in the pitot tube is discharged to the outside of the pitot tube through the measuring hole. If foreign matter adheres to the measuring hole, the foreign matter is washed away by the cleaning liquid discharged from the measuring hole. As a result, it is possible to prevent the measurement hole of the Pitot tube from being clogged with foreign matter, and it is possible to measure the flow rate of the exhaust gas with stable accuracy over a long period of time.

加えて、測定配管を介してピトー管の内部空間に洗浄液を供給するので、洗浄液を吐出する流体ノズルをケーシング内に配置しなくてもよい。流体ノズルをケーシング内に配置すると、わずかではあるが、排気の流れに影響が及ぶ。したがって、排気の流れに影響を及ぼすことなく、ピトー管を洗浄できる。さらに、流体ノズルを設けなくてもよいので、部品点数を減らすことができる。 In addition, since the cleaning liquid is supplied to the internal space of the Pitot tube via the measuring pipe, it is not necessary to arrange the fluid nozzle for discharging the cleaning liquid in the casing. Placing the fluid nozzle inside the casing has a slight effect on the flow of the exhaust. Therefore, the Pitot tube can be cleaned without affecting the flow of exhaust gas. Further, since it is not necessary to provide a fluid nozzle, the number of parts can be reduced.

請求項に記載の発明は、前記少なくとも一つの流体ノズルは、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルを含む、請求項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計である。
この構成によれば、洗浄液配管によって案内された洗浄液が、ケーシング内に配置された流体ノズルに供給され、流体ノズルからピトー管の外周面に向けて吐出される。これにより、洗浄液がピトー管の測定孔に供給される。異物が測定孔に付着していれば、この異物は流体ノズルから吐出された洗浄液によって洗い流される。これにより、ピトー管の測定孔が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。
Invention according to claim 2, wherein said at least one fluid nozzle is disposed in the casing, comprising a fluid nozzle for discharging the fluid toward the outer peripheral surface of the Pitot tube, according to claim 1 It is a Pitot tube type flow meter for a substrate processing device.
According to this configuration, the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe is supplied to the fluid nozzle arranged in the casing, and is discharged from the fluid nozzle toward the outer peripheral surface of the Pitot tube. As a result, the cleaning liquid is supplied to the measuring hole of the Pitot tube. If foreign matter adheres to the measurement hole, the foreign matter is washed away by the cleaning liquid discharged from the fluid nozzle. As a result, it is possible to prevent the measurement hole of the Pitot tube from being clogged with foreign matter, and it is possible to measure the flow rate of the exhaust gas with stable accuracy over a long period of time.

請求項に記載の発明は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、前記ピトー管に接続された測定配管と、前記測定配管を介して前記ピトー管内の流体を吸引する吸引配管と備える基板処理装置用のピトー管式流量計である。
この構成によれば、前者の効果に加え、次の効果を奏することができる。具体的には、ピトー管が洗浄液で洗浄された後に、ピトー管内の流体が、ピトー管に接続された測定配管を介して吸引配管に吸引される。異物や洗浄液がピトー管の中に残留していたとしても、これらは測定配管を介して吸引配管に吸引される。さらに、ピトー管の外から測定孔を介してピトー管の中に入る気流が形成されるので、測定孔に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管を乾燥させることができる。
The invention according to claim 3 includes a tubular casing through which an exhaust containing a chemical for treating a substrate passes, an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and a Pitot tube arranged in the casing. wherein comprising a washing liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the Pitot tube, and connected to the measurement pipe in the Pitot tube, and a suction pipe for sucking the fluid in the pitot tube through said measurement pipe, substrate processing apparatus It is a Pitot tube type flow meter.
According to this configuration, in addition to the former effect, the following effects can be achieved. Specifically, after the Pitot tube is washed with the cleaning liquid, the fluid in the Pitot tube is sucked into the suction pipe via the measurement pipe connected to the Pitot tube. Even if foreign matter or cleaning liquid remains in the Pitot tube, it is sucked into the suction pipe via the measurement pipe. Further, since an air flow is formed from the outside of the Pitot tube into the Pitot tube through the measurement hole, the drying of the cleaning liquid adhering to the measurement hole is promoted. Therefore, the Pitot tube can be dried in a shorter time than when the Pitot tube is dried by the flow of exhaust gas.

請求項に記載の発明は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、前記ピトー管に接続された測定配管と、前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されており、前記測定配管を介して前記ピトー管に供給される気体を案内するガス配管と備える基板処理装置用のピトー管式流量計である。
この構成によれば、前者の効果に加え、次の効果を奏することができる。具体的には、ピトー管が洗浄液で洗浄された後に、ガス配管によって案内された気体が、測定配管を介してピトー管の内部空間に供給される。ピトー管内の気体は、測定孔からピトー管の外に排出される。これにより、測定孔を介してピトー管の中からピトー管の外に出る気流が形成されるので、測定孔に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管を乾燥させることができる。
The invention according to claim 4 includes a tubular casing through which an exhaust containing a chemical for treating a substrate passes, an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and a Pitot tube arranged in the casing. A cleaning liquid pipe that guides the cleaning liquid supplied to the pitot tube, a measuring pipe connected to the pitot tube, and the pitot tube connected to the pitot tube via the measuring pipe, and the pitot tube via the measuring pipe. It is a pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus , which is provided with a gas pipe for guiding the gas supplied to the substrate processing apparatus.
According to this configuration, in addition to the former effect, the following effects can be achieved. Specifically, after the Pitot tube is washed with the cleaning liquid, the gas guided by the gas pipe is supplied to the internal space of the Pitot tube via the measurement pipe. The gas in the pitot tube is discharged to the outside of the pitot tube through the measuring hole. As a result, an air flow is formed from the inside of the Pitot tube to the outside of the Pitot tube through the measurement hole, so that the drying of the cleaning liquid adhering to the measurement hole is promoted. Therefore, the Pitot tube can be dried in a shorter time than when the Pitot tube is dried by the flow of exhaust gas.

請求項に記載の発明は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルと、前記流体ノズルに接続されており、前記流体ノズルに供給される気体を案内するガス配管と備える基板処理装置用のピトー管式流量計である。 The invention according to claim 5 includes a tubular casing through which an exhaust containing a chemical for treating a substrate passes, an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and a Pitot tube arranged in the casing. A cleaning liquid pipe that guides the cleaning liquid supplied to the Pitot tube, a fluid nozzle that is arranged in the casing and discharges a fluid toward the outer peripheral surface of the Pitot tube, and is connected to the fluid nozzle. and a gas pipe for guiding the gas supplied to said fluid nozzle is a Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus.

この構成によれば、前者の効果に加え、次の効果を奏することができる。具体的には、ピトー管が洗浄液で洗浄された後に、ガス配管によって案内された気体が、ケーシング内に配置された流体ノズルに供給され、流体ノズルからピトー管の外周面に向けて吐出される。これにより、測定孔に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管を乾燥させることができる。 According to this configuration, in addition to the former effect, the following effects can be achieved. Specifically, after the Pitot tube is washed with the cleaning liquid, the gas guided by the gas pipe is supplied to the fluid nozzle arranged in the casing and discharged from the fluid nozzle toward the outer peripheral surface of the Pitot tube. .. This promotes the drying of the cleaning liquid adhering to the measurement hole. Therefore, the Pitot tube can be dried in a shorter time than when the Pitot tube is dried by the flow of exhaust gas.

洗浄液配管が流体ノズルに接続される場合、基板処理装置用のピトー管式流量計は、洗浄液配管が接続された洗浄液ノズルと、ガス配管が接続されたガスノズルとを備えていてもよいし、洗浄液配管およびガス配管の両方が1つの流体ノズルに接続されていてもよい。
請求項に記載の発明は、基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計とを備える、基板処理装置である。
When the cleaning liquid pipe is connected to the fluid nozzle, the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device may include a cleaning liquid nozzle to which the cleaning liquid pipe is connected and a gas nozzle to which the gas pipe is connected, or the cleaning liquid. Both the pipe and the gas pipe may be connected to one fluid nozzle.
The invention according to claim 6 is arranged in a processing unit for supplying a chemical for processing a substrate to a substrate, an exhaust passage through which an exhaust containing the chemical passes, and an exhaust passage containing the chemical. A substrate processing apparatus including a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 , which measures a flow rate.

この構成によれば、基板を処理する薬品が基板に供給される。これにより、基板が処理される。薬品を含む排気は、排気通路を通じて排出される。ピトー管式流量計は排気通路に配置されている。これにより、排気通路を流れる排気の流量を測定できる。さらに、ピトー管式流量計のピトー管が洗浄液で洗浄されるので、ピトー管の測定孔が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。加えて、ピトー管式流量計は、オリフィス流量計などの他の形式の流量計と比べて圧力損失が小さいので、エネルギーの消費量を減らすことができる。 According to this configuration, the chemicals for processing the substrate are supplied to the substrate. As a result, the substrate is processed. Exhaust containing chemicals is exhausted through the exhaust passage. The Pitot tube flow meter is located in the exhaust passage. This makes it possible to measure the flow rate of the exhaust gas flowing through the exhaust passage. Further, since the pitot tube of the pitot tube type flow meter is washed with the cleaning liquid, it is possible to prevent the measurement hole of the pitot tube from being clogged with foreign matter, and it is possible to measure the flow rate of the exhaust with stable accuracy for a long period of time. In addition, Pitot tube flowmeters have lower pressure loss than other types of flowmeters, such as orifice flowmeters, which can reduce energy consumption.

請求項に記載の発明は、前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置される、請求項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ピトー管式流量計がクリーンルームの床の下に配置される。作業者が自身の手に持ったノズルやブラシを利用して、ケーシングの内部やピトー管を洗浄することが考えられる。しかしながら、ピトー管式流量計が地下に配置されている場合、ピトー管式流量計を簡単にはこのように洗浄できない。これは、クリーンルームの地下に配置された部材へのアクセスが容易ではないからである。したがって、ピトー管に洗浄液を供給する洗浄液配管を設けることにより、ピトー管式流量計を簡単に洗浄できる。
請求項8に記載の発明は、前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ユニットと、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記気体流量変更ユニットに前記給気流量および排気流量の少なくとも一方を変更させる制御装置とをさらに備える、請求項6または7に記載の基板処理装置である。
前記気体流量変更ユニットは、前記基板処理装置内に気体を送る送風機であってもよいし、前記排気通路の流路断面積を変更する排気ダンパーであってもよいし、これら両方を備えていてもよい。送風機の設定値、つまり、送風機が基板処理装置内に送る気体の流量の設定値が同じであっても、基板処理装置内の気体の流速が一定であり続けるとは限らない。これは、基板処理装置の状態が変わるからである。制御装置は、流量計の測定値に基づいて送風機から基板処理装置内に送られる気体の流量を変更する。したがって、基板処理装置内の気体の流速を一定に維持したり、意図的に変化させたりすることができる。
The invention according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus is arranged under the floor of a clean room in which the substrate processing apparatus is installed. be.
According to this configuration, the Pitot tube flow meter is placed under the floor of the clean room. It is conceivable that the operator uses a nozzle or brush held in his or her hand to clean the inside of the casing and the pitot tube. However, if the Pitot tube flow meter is located underground, the Pitot tube flow meter cannot be easily cleaned in this way. This is because it is not easy to access the members placed in the basement of the clean room. Therefore, the pitot tube type flow meter can be easily cleaned by providing the pitot tube with a cleaning liquid pipe for supplying the cleaning liquid.
The invention according to claim 8 is a gas flow rate that changes at least one of a supply air flow rate representing the flow rate of gas supplied into the substrate processing apparatus and an exhaust flow rate representing the flow rate of gas discharged from the substrate processing apparatus. The claim further comprises a changing unit and a control device for causing the gas flow rate changing unit to change at least one of the supply air flow rate and the exhaust flow rate based on the measured value of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device. 6 or 7 is the substrate processing apparatus.
The gas flow rate changing unit may be a blower that sends gas into the substrate processing device, or may be an exhaust damper that changes the cross-sectional area of the flow path of the exhaust passage, or both of them are provided. May be good. Even if the set value of the blower, that is, the set value of the flow rate of the gas sent by the blower into the substrate processing apparatus is the same, the flow velocity of the gas in the substrate processing apparatus is not always constant. This is because the state of the substrate processing apparatus changes. The control device changes the flow rate of the gas sent from the blower into the substrate processing device based on the measured value of the flow meter. Therefore, the flow velocity of the gas in the substrate processing apparatus can be kept constant or intentionally changed.

請求項に記載の発明は、基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、基板処理装置用のピトー管式流量計とを備え、前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、前記ケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、前記ピトー管は、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置されている基板処理装置である。 The invention according to claim 9 is arranged in a processing unit for supplying a chemical for processing a substrate to a substrate, an exhaust passage through which exhaust containing the chemical passes, and an exhaust including the chemical. A pitot tube type flow meter for a substrate processing device for measuring a flow rate is provided, and the pitot tube type flow meter for the substrate processing device has a tubular casing through which an exhaust containing the chemicals passes and a measurement in contact with the exhaust. A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a hole, and a pitot tube for guiding the pitot tube supplied to the pitot tube are provided, and the casing has a horizontal center line of the casing. The pitot tube is arranged in the exhaust passage in a horizontal posture or an inclined posture in which the center line of the casing is inclined obliquely with respect to the horizontal plane, and the Pitot tube looks at the casing in the direction of the center line of the casing. Sometimes the centerline of the Pitot tube is tilted diagonally with respect to the horizontal plane, or when the casing is viewed in the direction of the centerline of the casing, the centerline of the Pitot tube is in a horizontal horizontal position. It is a substrate processing apparatus arranged in the casing.

この構成によれば、前者の効果に加え、次の効果を奏することができる。具体的には、ケーシングの中心線が、水平に延びている、もしくは、水平面に対して斜めに傾いている。ピトー管は、通常、ケーシングの内周面の直径、つまり、ケーシングの中心線を通り、両端がケーシングの内周面上に配置された線分上に配置される。ケーシングが前述のような姿勢であり、ピトー管の中心線が鉛直である場合、残渣や結晶などの異物がピトー管の下端部に溜まり易い。したがって、ピトー管を鉛直面に対して斜めに傾けるもしくは鉛直面に直交させることにより、このような異物の付着を軽減できる。 According to this configuration, in addition to the former effect, the following effects can be achieved. Specifically, the center line of the casing extends horizontally or is inclined diagonally with respect to the horizontal plane. The pitot tube is usually arranged on the diameter of the inner peripheral surface of the casing, that is, a line segment that passes through the center line of the casing and has both ends arranged on the inner peripheral surface of the casing. When the casing is in the above-mentioned posture and the center line of the Pitot tube is vertical, foreign substances such as residues and crystals tend to collect at the lower end of the Pitot tube. Therefore, by tilting the Pitot tube diagonally with respect to the vertical plane or making it orthogonal to the vertical plane, it is possible to reduce the adhesion of such foreign matter.

請求項10に記載の発明は、基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、基板処理装置用のピトー管式流量計と、前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計と、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値と前記圧力計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する制御装置とを備え、前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備える、基板処理装置である。
この構成によれば、前者の効果に加え、次の効果を奏することができる。具体的には、排気通路に加わる圧力が圧力計によって測定される。排気通路内を流れる排気の流速が一定であれば、ピトー管式流量計の測定値もほぼ一定であり、圧力計の測定値もほぼ一定である。言い換えると、ピトー管の測定孔に詰まりがなく、ピトー管式流量計が適切に機能していれば、ピトー管式流量計の測定値と圧力計の測定値は、一定の関係にある。したがって、ピトー管式流量計の測定値と圧力計の測定値との関係が崩れていると、ピトー管の測定孔に異物が付着している可能性がある。制御装置は、ピトー管式流量計の測定値と圧力計の測定値とに基づいてこれを検知する。これにより、測定孔の詰まりを未然に検知できる。
The invention according to claim 10 is arranged in a processing unit for supplying a chemical for processing a substrate to a substrate, an exhaust passage through which exhaust containing the chemical passes, and an exhaust including the chemical. A pitot tube type flow meter for a substrate processing device that measures the flow rate, a pitot tube type flow meter for measuring the pressure applied to the exhaust passage, a measured value of the pitot tube type flow meter for the substrate processing device, and a measurement of the pressure gauge. The pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus includes the control device for detecting the clogging of the measurement hole of the pitot tube of the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus based on the value, and the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus contains the chemical. A tubular casing through which the included exhaust passes, a pitot tube arranged in the pitot tube including an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and a cleaning liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the pitot tube. It is a substrate processing apparatus provided with.
According to this configuration, in addition to the former effect, the following effects can be achieved. Specifically, the pressure applied to the exhaust passage is measured by a pressure gauge. If the flow velocity of the exhaust flowing in the exhaust passage is constant, the measured value of the Pitot tube type flow meter is also substantially constant, and the measured value of the pressure gauge is also substantially constant. In other words, if the measurement hole of the Pitot tube is not clogged and the Pitot tube type flow meter is functioning properly, the measured value of the Pitot tube type flow meter and the measured value of the pressure gauge have a certain relationship. Therefore, if the relationship between the measured value of the Pitot tube type flow meter and the measured value of the pressure gauge is broken, there is a possibility that foreign matter has adhered to the measurement hole of the Pitot tube. The control device detects this based on the measured value of the Pitot tube type flow meter and the measured value of the pressure gauge. As a result, clogging of the measuring hole can be detected in advance.

請求項11に記載の発明は、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、前記排気流量測定ステップの後に、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、を含む、基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 The invention according to claim 11 is a substrate processing method executed by a substrate processing apparatus including a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the substrate is used. The flow rate of the exhaust containing the chemical is measured by a pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus arranged in a substrate processing step for supplying the chemical to be processed to the substrate and an exhaust passage for guiding the exhaust containing the chemical. After the exhaust flow rate measurement step and the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus, the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus is transferred to the pitot tube of the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus. A substrate processing method comprising a Pitot tube cleaning step of cleaning the Pitot tube by supplying. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項12に記載の発明は、前記排気流量測定ステップは、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む、請求項11に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。
請求項13に記載の発明は、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ステップをさらに含む、請求項11に記載の基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。
請求項14に記載の発明は、基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、前記基板処理方法は、基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された前記ピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、前記排気流量測定ステップの後に、前記ピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記ピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、を含み、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、前記排気流量測定ステップは、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップ、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the exhaust flow rate measuring step, the chemical is applied to a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus, which is arranged under the floor of a clean room in which the substrate processing apparatus is installed. The substrate processing method according to claim 11 , further comprising a step of measuring the flow rate of the included exhaust. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.
The invention according to claim 13 is from a supply air flow rate representing a flow rate of gas supplied into the substrate processing apparatus and from the substrate processing apparatus based on a measured value of a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus. The substrate processing method according to claim 11, further comprising a gas flow rate changing step of changing at least one of the exhaust flow rates representing the flow rate of the discharged gas. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.
The invention according to claim 14 is a substrate processing method executed by a substrate processing apparatus including a Pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus, wherein the Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus has a substrate. It includes a tubular casing through which exhaust containing chemicals to be processed passes, and an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and guides the Pitot tube arranged in the casing and the cleaning liquid supplied to the Pitot tube. The substrate processing method includes a cleaning liquid pipe, a substrate processing step for supplying a chemical for processing the substrate to the substrate, and a Pitot tube type flow meter arranged in an exhaust passage for guiding an exhaust containing the chemical. After the exhaust flow rate measuring step for measuring the flow rate of the exhaust containing the chemical and the pitot tube type flow meter, the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter is supplied to the pitot tube of the pitot tube type flow meter. The pitot tube cleaning step for cleaning the pitot tube is included, and the pitot tube type flow meter casing for the substrate processing apparatus has a horizontal posture in which the center line of the pitot tube is horizontal, or the pitot tube of the casing. The center line is arranged in the exhaust passage in an inclined posture inclined with respect to the horizontal plane, and the exhaust flow rate measuring step is performed on the Pitot tube when the casing is viewed in the direction of the center line of the casing. A step of causing a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus arranged in the casing to measure the flow rate of the exhaust containing the chemical in an inclined posture in which the center line is tilted diagonally with respect to the horizontal plane. When the casing is viewed in the direction of the center line of the casing, the center line of the Pitot tube is in a horizontal horizontal posture, and the Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus is arranged in the casing. It is a substrate processing method including a step of measuring the flow rate of an exhaust containing chemicals. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項15に記載の発明は、基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、前記基板処理方法は、基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された前記ピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、前記排気流量測定ステップの後に、前記ピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記ピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計の測定値と前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する詰まり検知ステップとを含む、基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 The invention according to claim 15 is a substrate processing method executed by a substrate processing apparatus including a Pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus, wherein the Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus has a substrate. It includes a tubular casing through which exhaust containing chemicals to be processed passes, and an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and guides the Pitot tube arranged in the casing and the cleaning liquid supplied to the Pitot tube. The substrate processing method includes a cleaning liquid pipe, a substrate processing step for supplying a chemical for processing the substrate to the substrate, and a Pitot tube type flow meter arranged in an exhaust passage for guiding an exhaust containing the chemical. After the exhaust flow rate measuring step for measuring the flow rate of the exhaust containing the chemical and the pitot tube type flow meter, the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter is supplied to the pitot tube of the pitot tube type flow meter. By doing so, based on the pitot tube cleaning step for cleaning the pitot tube , the measured value of the pitot tube for measuring the pressure applied to the exhaust passage, and the measured value of the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus. It is a substrate processing method including a clogging detection step for detecting the clogging of the measurement hole of the Pitot tube of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

請求項16に記載の発明は、基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、前記基板処理方法は、基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された前記ピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、前記排気流量測定ステップの後に、前記ピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記ピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、前記ピトー管洗浄ステップの後に、流体の吸引および供給の少なくとも一方によって気流を形成することにより、前記ピトー管を乾燥させるピトー管乾燥ステップとを含む、基板処理方法である。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。 The invention according to claim 16 is a substrate processing method executed by a substrate processing apparatus including a pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus, wherein the pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus has a substrate. It includes a tubular casing through which exhaust containing chemicals to be processed passes, and an outer peripheral surface having a measurement hole in contact with the exhaust, and guides the Pitot tube arranged in the casing and the cleaning liquid supplied to the Pitot tube. The substrate processing method includes a cleaning liquid pipe, a substrate processing step for supplying a chemical for processing the substrate to the substrate, and a Pitot tube type flow meter arranged in an exhaust passage for guiding an exhaust containing the chemical. After the exhaust flow rate measuring step for measuring the flow rate of the exhaust containing the chemical and the pitot tube type flow meter, the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter is supplied to the pitot tube of the pitot tube type flow meter. A pitot tube cleaning step for cleaning the pitot tube, and a pitot tube drying step for drying the pitot tube by forming an air flow by at least one of suction and supply of fluid after the pitot tube cleaning step. It is a substrate processing method including and. According to this configuration, the same effect as the above-mentioned effect can be obtained.

本発明の第1実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention from the top. 基板処理装置を側方から見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the substrate processing apparatus from the side. 基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the inside of the processing unit provided in the substrate processing apparatus horizontally. 制御装置のハードウェアを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the hardware of a control device. 基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。It is a process drawing for demonstrating an example of substrate processing performed by a substrate processing apparatus. 基板処理装置の排気システムについて説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the exhaust system of a substrate processing apparatus. ケーシングの中心線を含む平面で切断された流量計の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the flow meter cut in the plane including the center line of a casing. 図7に示す矢印VIIIの方向に流量計を見た図である。It is a figure which looked at the flow meter in the direction of the arrow VIII shown in FIG. 図7に示すIX−IX線に沿う流量計の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the flow meter along the IX-IX line shown in FIG. 7. 図9に示すX−X線に沿うピトー管の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the Pitot tube along the X-X ray shown in FIG. ピトー管を洗浄している状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which the Pitot tube is cleaning. ピトー管を乾燥させている状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which the Pitot tube is dried. 本発明の第1実施形態の第1変形例を示す断面図であり、ケーシングの中心線を含む平面で切断された流量計の断面を示している。It is sectional drawing which shows the 1st modification of 1st Embodiment of this invention, and shows the sectional view of the flow meter cut by the plane including the center line of a casing. 本発明の第1実施形態の第2変形例を示す断面図であり、ケーシングの中心線を含む平面で切断された流量計の断面を示している。It is sectional drawing which shows the 2nd modification of 1st Embodiment of this invention, and shows the sectional view of the flow meter cut by the plane including the center line of a casing. 本発明の第1実施形態の第3変形例を示す断面図であり、ケーシングの中心線に直交する平面で切断された流量計の断面を示している。It is sectional drawing which shows the 3rd modification of 1st Embodiment of this invention, and shows the sectional view of the flow meter cut in the plane orthogonal to the center line of a casing. 本発明の第2実施形態に係るタイムチャートであり、基板の回転速度とFFUからチャンバー内に供給されるクリーンエアーの流量とチャンバーから排出される排気の流量の経時的な変化を示している。It is a time chart which concerns on 2nd Embodiment of this invention, and shows the change with time of the rotation speed of a substrate, the flow rate of clean air supplied from FFU into a chamber, and the flow rate of exhaust gas discharged from a chamber. 本発明の第3実施形態に係るフローチャートであり、制御装置が流量計の洗浄を行うか否かを判断するときの流れを示している。It is a flowchart which concerns on 3rd Embodiment of this invention, and shows the flow at the time of determining whether or not the control device performs cleaning of a flow meter.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。図2は、基板処理装置1を側方から見た模式図である。
図1に示すように、基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、1つのロットを構成する1枚以上の基板Wを収容するキャリアCを保持するロードポートLPと、ロードポートLP上のキャリアCから搬送された基板Wを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット2と、ロードポートLP上のキャリアCと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention as viewed from above. FIG. 2 is a schematic view of the substrate processing apparatus 1 as viewed from the side.
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer processing apparatus that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus 1 uses a load port LP holding a carrier C accommodating one or more substrates W constituting one lot, and a substrate W conveyed from the carrier C on the load port LP as a processing liquid or a processing gas. A plurality of processing units 2 that process with a processing fluid such as, a transfer robot that conveys the substrate W between the carrier C on the load port LP and the processing unit 2, and a control device 3 that controls the substrate processing device 1. I have.

搬送ロボットは、ロードポートLP上のキャリアCに対して基板Wの搬入および搬出を行うインデクサロボットIRと、複数の処理ユニット2に対して基板Wの搬入および搬出を行うセンターロボットCRとを含む。インデクサロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送し、センターロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、基板Wを支持するハンドH1を含み、インデクサロボットIRは、基板Wを支持するハンドH2を含む。 The transfer robot includes an indexer robot IR that carries in and out the board W to the carrier C on the load port LP, and a center robot CR that carries in and out the board W to the plurality of processing units 2. The indexer robot IR conveys the substrate W between the load port LP and the center robot CR, and the center robot CR conveys the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 2. The center robot CR includes a hand H1 that supports the substrate W, and the indexer robot IR includes a hand H2 that supports the substrate W.

複数の処理ユニット2は、平面視でセンターロボットCRのまわりに配置された複数のタワーTWを形成している。図1は、4つのタワーTWが形成されている例を示している。図2に示すように、各タワーTWは、上下に積層された複数(たとえば3つ)の処理ユニット2を含む。各タワーTWは、基板処理装置1が設置されるクリーンルームの床Fの上方に配置されている。 The plurality of processing units 2 form a plurality of tower TWs arranged around the center robot CR in a plan view. FIG. 1 shows an example in which four tower TWs are formed. As shown in FIG. 2, each tower TW includes a plurality (for example, three) processing units 2 stacked one above the other. Each tower TW is arranged above the floor F of the clean room where the substrate processing device 1 is installed.

図3は、基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を水平に見た模式図である。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱型のチャンバー4と、チャンバー4内で1枚の基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック8と、回転軸線A1まわりにスピンチャック8を取り囲む筒状の処理カップ13とを含む。
FIG. 3 is a schematic view of the inside of the processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1 as viewed horizontally.
The processing unit 2 has a box-shaped chamber 4 having an internal space, and a spin chuck 8 that rotates around a vertical rotation axis A1 passing through the central portion of the substrate W while holding one substrate W horizontally in the chamber 4. And a cylindrical processing cup 13 surrounding the spin chuck 8 around the rotation axis A1.

チャンバー4は、基板Wが通過する搬入搬出口5bが設けられた箱型の隔壁5と、搬入搬出口5bを開閉するシャッター7とを含む。処理ユニット2のFFU6(ファン・フィルター・ユニット)は、隔壁5の上部に設けられた送風口5aの上に配置されている。FFU6は、クリーンエアー(フィルターによってろ過された空気)を送風口5aからチャンバー4内に常時供給する。チャンバー4内の気体は、処理カップ13の底部に接続された排気ダクト41を通じてチャンバー4から排出される。これにより、クリーンエアーのダウンフローがチャンバー4内に常時形成される。 The chamber 4 includes a box-shaped partition wall 5 provided with a carry-in / carry-out port 5b through which the substrate W passes, and a shutter 7 for opening / closing the carry-in / carry-out port 5b. The FFU 6 (fan filter unit) of the processing unit 2 is arranged on the air outlet 5a provided in the upper part of the partition wall 5. The FFU 6 constantly supplies clean air (air filtered by a filter) into the chamber 4 from the air outlet 5a. The gas in the chamber 4 is discharged from the chamber 4 through the exhaust duct 41 connected to the bottom of the processing cup 13. As a result, a downflow of clean air is constantly formed in the chamber 4.

スピンチャック8は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース10と、スピンベース10の上方で基板Wを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン9と、スピンベース10の中央部から下方に延びるスピン軸11と、スピン軸11を回転させることによりスピンベース10および複数のチャックピン9を回転させるスピンモータ12とを含む。スピンチャック8は、複数のチャックピン9を基板Wの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース10の上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。 The spin chuck 8 is formed from a disk-shaped spin base 10 held in a horizontal posture, a plurality of chuck pins 9 holding the substrate W in a horizontal posture above the spin base 10, and a central portion of the spin base 10. It includes a spin shaft 11 extending downward and a spin motor 12 that rotates a spin base 10 and a plurality of chuck pins 9 by rotating the spin shaft 11. The spin chuck 8 is not limited to a holding type chuck in which a plurality of chuck pins 9 are brought into contact with the outer peripheral surface of the substrate W, but the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, is attracted to the upper surface of the spin base 10. It may be a vacuum type chuck that holds the substrate W horizontally.

処理カップ13は、基板Wから外方に排出された液体を受け止めるガード14と、ガード14によって下方に案内された液体を受け止めるカップ15と、ガード14およびカップ15を取り囲む円筒状の外壁部材16とを含む。処理カップ13は、複数のガード14と複数のカップ15とを備えていてもよい。
ガード14は、スピンチャック8を取り囲む円筒状の筒状部14bと、筒状部14bの上端部から回転軸線A1に向かって斜め上に延びる円環状の天井部14aとを含む。カップ15は、筒状部14bの下方に配置されている。カップ15は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。ガード14によって受け止められた液体は、受液溝に案内される。
The processing cup 13 includes a guard 14 for receiving the liquid discharged outward from the substrate W, a cup 15 for receiving the liquid guided downward by the guard 14, and a cylindrical outer wall member 16 surrounding the guard 14 and the cup 15. including. The processing cup 13 may include a plurality of guards 14 and a plurality of cups 15.
The guard 14 includes a cylindrical tubular portion 14b surrounding the spin chuck 8 and an annular ceiling portion 14a extending diagonally upward from the upper end portion of the tubular portion 14b toward the rotation axis A1. The cup 15 is arranged below the tubular portion 14b. The cup 15 forms an annular liquid receiving groove that opens upward. The liquid received by the guard 14 is guided to the liquid receiving groove.

処理ユニット2は、ガード14を昇降させるガード昇降ユニット17を含む。ガード昇降ユニット17は、上位置(図3に示す位置)から下位置までの任意の位置にガード14を位置させる。上位置は、ガード14の上端14uがスピンチャック8に保持されている基板Wが配置される保持位置よりも上方に配置される位置である。下位置は、ガード14の上端14uが保持位置よりも下方に配置される位置である。天井部14aの円環状の上端は、ガード14の上端14uに相当する。ガード14の上端14uは、平面視で基板Wおよびスピンベース10を取り囲んでいる。 The processing unit 2 includes a guard elevating unit 17 that elevates and elevates the guard 14. The guard elevating unit 17 positions the guard 14 at an arbitrary position from the upper position (position shown in FIG. 3) to the lower position. The upper position is a position where the upper end 14u of the guard 14 is arranged above the holding position where the substrate W held by the spin chuck 8 is arranged. The lower position is a position where the upper end 14u of the guard 14 is arranged below the holding position. The upper end of the annular shape of the ceiling portion 14a corresponds to the upper end 14u of the guard 14. The upper end 14u of the guard 14 surrounds the substrate W and the spin base 10 in a plan view.

スピンチャック8が基板Wを回転させている状態で、処理液が基板Wに供給されると、基板Wに供給された処理液が基板Wの周囲に振り切られる。処理液が基板Wに供給されるとき、ガード14の上端14uが、基板Wよりも上方に配置される。したがって、基板Wの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、ガード14に受け止められ、カップ15に案内される。 When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 8 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W. When the treatment liquid is supplied to the substrate W, the upper end 14u of the guard 14 is arranged above the substrate W. Therefore, the treatment liquid such as the chemical liquid and the rinsing liquid discharged around the substrate W is received by the guard 14 and guided to the cup 15.

処理ユニット2は、スピンチャック8に保持されている基板Wに向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズルを含む。複数の処理液ノズルは、基板Wに向けて酸性の薬液を吐出する酸性薬液ノズル18と、基板Wに向けてアルカリ性の薬液を吐出するアルカリ性薬液ノズル21と、基板Wに向けて有機薬液を吐出する有機薬液ノズル24と、基板Wに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル27とを含む。 The processing unit 2 includes a plurality of processing liquid nozzles that discharge the processing liquid toward the substrate W held by the spin chuck 8. The plurality of processing liquid nozzles are an acidic chemical liquid nozzle 18 that discharges an acidic chemical liquid toward the substrate W, an alkaline chemical liquid nozzle 21 that discharges an alkaline chemical liquid toward the substrate W, and an organic chemical liquid discharge toward the substrate W. The organic chemical liquid nozzle 24 is included, and the rinse liquid nozzle 27 that discharges the rinse liquid toward the substrate W is included.

酸性薬液ノズル18は、チャンバー4内で水平に移動可能なスキャンノズルであってもよいし、チャンバー4の隔壁5に対して固定された固定ノズルであってもよい。アルカリ性薬液ノズル21、有機薬液ノズル24、およびリンス液ノズル27についても同様である。たとえば酸性薬液ノズル18がスキャンノズルである場合、チャンバー4内で酸性薬液ノズル18を移動させるノズル移動ユニットを処理ユニット2に設ければよい。 The acidic chemical solution nozzle 18 may be a scan nozzle that can move horizontally in the chamber 4, or may be a fixed nozzle fixed to the partition wall 5 of the chamber 4. The same applies to the alkaline chemical solution nozzle 21, the organic chemical solution nozzle 24, and the rinse solution nozzle 27. For example, when the acidic chemical solution nozzle 18 is a scan nozzle, the processing unit 2 may be provided with a nozzle moving unit for moving the acidic chemical solution nozzle 18 in the chamber 4.

処理ユニット2は、酸性薬液ノズル18に接続された酸性薬液配管19と、酸性薬液配管19の内部を開閉する酸性薬液バルブ20とを含む。同様に、処理ユニット2は、アルカリ性薬液ノズル21に接続されたアルカリ性薬液配管22と、アルカリ性薬液配管22の内部を開閉するアルカリ性薬液バルブ23と、有機薬液ノズル24に接続された有機薬液配管25と、有機薬液配管25の内部を開閉する有機薬液バルブ26と、リンス液ノズル27に接続されたリンス液配管28と、リンス液配管28の内部を開閉するリンス液バルブ29とを含む。 The processing unit 2 includes an acidic chemical liquid pipe 19 connected to the acidic chemical liquid nozzle 18 and an acidic chemical liquid valve 20 that opens and closes the inside of the acidic chemical liquid pipe 19. Similarly, the processing unit 2 includes an alkaline chemical liquid pipe 22 connected to the alkaline chemical liquid nozzle 21, an alkaline chemical liquid valve 23 that opens and closes the inside of the alkaline chemical liquid pipe 22, and an organic chemical liquid pipe 25 connected to the organic chemical liquid nozzle 24. Includes an organic chemical liquid valve 26 that opens and closes the inside of the organic chemical liquid pipe 25, a rinse liquid pipe 28 connected to the rinse liquid nozzle 27, and a rinse liquid valve 29 that opens and closes the inside of the rinse liquid pipe 28.

図示はしないが、酸性薬液バルブ20は、液体が流れる内部流路と内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、弁座に対して移動可能な弁体と、弁体が弁座に接触する閉位置と弁体が弁座から離れた開位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置3は、アクチュエータを制御することにより、酸性薬液バルブ20を開閉させる。 Although not shown, the acidic chemical solution valve 20 includes a valve body provided with an internal flow path through which a liquid flows and an annular valve seat surrounding the internal flow path, a valve body movable with respect to the valve seat, and a valve body. Includes an actuator that moves the valve body between a closed position where the valve contacts the valve seat and an open position where the valve body is away from the valve seat. The same applies to other valves. The actuator may be a pneumatic actuator or an electric actuator, or may be an actuator other than these. The control device 3 opens and closes the acidic chemical solution valve 20 by controlling the actuator.

酸性薬液バルブ20が開かれると、酸性薬液供給源からの酸性薬液が、基板Wの上面に向けて酸性薬液ノズル18から吐出される。同様に、アルカリ性薬液バルブ23、有機薬液バルブ26、およびリンス液バルブ29のいずれかが開かれると、アルカリ性薬液、有機薬液、およびリンス液のいずれかが、アルカリ性薬液ノズル21、有機薬液ノズル24、およびリンス液ノズル27のいずれかから基板Wの上面に向けて吐出される。これにより、基板Wの上面に処理液が供給される。 When the acidic chemical solution valve 20 is opened, the acidic chemical solution from the acidic chemical solution supply source is discharged from the acidic chemical solution nozzle 18 toward the upper surface of the substrate W. Similarly, when any of the alkaline chemical solution valve 23, the organic chemical solution valve 26, and the rinse solution valve 29 is opened, any of the alkaline chemical solution, the organic chemical solution, and the rinse solution becomes the alkaline chemical solution nozzle 21, the organic chemical solution nozzle 24, And is discharged from any of the rinse liquid nozzles 27 toward the upper surface of the substrate W. As a result, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W.

酸性薬液の一例は、フッ酸(フッ化水素酸)であり、アルカリ性薬液の一例は、SC−1(アンモニア過酸化水素水)である。有機薬液の一例は、IPA(イソプロピルアルコール)であり、リンス液の一例は、純水(脱イオン水:DIW(Deionized Water))である。IPAは、水よりも表面張力が低く、水よりも揮発性が高い有機溶剤の一例である。 An example of an acidic chemical solution is hydrofluoric acid (hydrofluoric acid), and an example of an alkaline chemical solution is SC-1 (ammonia hydrogen peroxide solution). An example of an organic chemical solution is IPA (isopropyl alcohol), and an example of a rinse solution is pure water (deionized water: DIW (Deionized Water)). IPA is an example of an organic solvent having a lower surface tension than water and a higher volatility than water.

酸性薬液は、硫酸や塩酸などのフッ酸以外の酸性薬液であってもよい。アルカリ性薬液は、TMAH(トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド)などのSC−1以外のアルカリ性薬液であってもよい。有機薬液は、HFE(ハイドロフロロエーテル)などのIPA以外の有機薬液であってもよい。リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水などの純水以外のリンス液であってもよい。 The acidic chemical solution may be an acidic chemical solution other than hydrofluoric acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid. The alkaline chemical solution may be an alkaline chemical solution other than SC-1 such as TMAH (trimethylphenylammonium hydroxide). The organic chemical solution may be an organic chemical solution other than IPA such as HFE (hydrofluoroether). The rinsing solution may be a rinsing solution other than pure water such as carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

図4は、制御装置3のハードウェアを示すブロック図である。
制御装置3は、コンピュータ本体31と、コンピュータ本体31に接続された周辺装置34とを含む、コンピュータである。コンピュータ本体31は、各種の命令を実行するCPU32(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置33とを含む。周辺装置34は、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置35と、リムーバブルメディアMから情報を読み取る読取装置36と、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置37とを含む。
FIG. 4 is a block diagram showing the hardware of the control device 3.
The control device 3 is a computer including a computer main body 31 and a peripheral device 34 connected to the computer main body 31. The computer main body 31 includes a CPU 32 (central processing unit) that executes various instructions and a main storage device 33 that stores information. The peripheral device 34 includes an auxiliary storage device 35 for storing information such as the program P, a reading device 36 for reading information from the removable media M, and a communication device 37 for communicating with other devices such as a host computer.

制御装置3は、入力装置38、表示装置39、および警報装置40に接続されている。入力装置38は、ユーザーやメンテナンス担当者などの操作者が基板処理装置1に情報を入力するときに操作される。情報は、表示装置39の画面に表示される。入力装置38は、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。入力装置38および表示装置39を兼ねるタッチパネルディスプレイが基板処理装置1に設けられていてもよい。警報装置40は、光、音、文字、および図形のうちの1つ以上を用いて警報を発する。入力装置38がタッチパネルディスプレイの場合、入力装置38が、警報装置40を兼ねていてもよい。 The control device 3 is connected to the input device 38, the display device 39, and the alarm device 40. The input device 38 is operated when an operator such as a user or a maintenance person inputs information to the board processing device 1. The information is displayed on the screen of the display device 39. The input device 38 may be any of a keyboard, a pointing device, and a touch panel, or may be a device other than these. A touch panel display that also serves as an input device 38 and a display device 39 may be provided in the substrate processing device 1. The alarm device 40 issues an alarm using one or more of light, sound, letters, and graphics. When the input device 38 is a touch panel display, the input device 38 may also serve as an alarm device 40.

CPU32は、補助記憶装置35に記憶されたプログラムPを実行する。補助記憶装置35内のプログラムPは、制御装置3に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置36を通じてリムーバブルメディアMから補助記憶装置35に送られたものであってもよいし、ホストコンピュータなどの外部装置から通信装置37を通じて補助記憶装置35に送られたものであってもよい。 The CPU 32 executes the program P stored in the auxiliary storage device 35. The program P in the auxiliary storage device 35 may be pre-installed in the control device 3, or may be sent from the removable media M to the auxiliary storage device 35 through the reading device 36. It may be sent from an external device such as a host computer to the auxiliary storage device 35 through the communication device 37.

補助記憶装置35およびリムーバブルメディアMは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。補助記憶装置35は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。リムーバブルメディアMは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアMは、プログラムPが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。 The auxiliary storage device 35 and the removable media M are non-volatile memories that retain storage even when power is not supplied. The auxiliary storage device 35 is, for example, a magnetic storage device such as a hard disk drive. The removable media M is, for example, an optical disk such as a compact disk or a semiconductor memory such as a memory card. The removable media M is an example of a computer-readable recording medium on which the program P is recorded.

補助記憶装置35は、複数のレシピを記憶している。レシピは、基板Wの処理内容、処理条件、および処理手順を規定する情報である。複数のレシピは、基板Wの処理内容、処理条件、および処理手順の少なくとも一つにおいて互いに異なる。制御装置3は、ホストコンピュータによって指定されたレシピにしたがって基板Wが処理されるように基板処理装置1を制御する。以下の各工程は、制御装置3が基板処理装置1を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置3は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。 The auxiliary storage device 35 stores a plurality of recipes. The recipe is information that defines the processing content, processing conditions, and processing procedure of the substrate W. The plurality of recipes differ from each other in at least one of the processing contents, processing conditions, and processing procedures of the substrate W. The control device 3 controls the board processing device 1 so that the board W is processed according to the recipe specified by the host computer. Each of the following steps is executed by the control device 3 controlling the substrate processing device 1. In other words, the control device 3 is programmed to perform each of the following steps.

次に、基板処理装置1によって行われる基板Wの処理の一例について説明する。
図5は、基板処理装置1によって行われる基板Wの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図1、図3および図5を参照する。
基板処理装置1によって基板Wが処理されるときは、チャンバー4内に基板Wを搬入する搬入工程が行われる。
Next, an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1 will be described.
FIG. 5 is a process diagram for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1. In the following, reference will be made to FIGS. 1, 3 and 5.
When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, a carry-in step of carrying the substrate W into the chamber 4 is performed.

具体的には、ガード14が下位置に位置している状態で、センターロボットCRが、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる(図5のステップS1)。その後、センターロボットCRは、ハンドH1上の基板Wをスピンチャック8の上に置く。センターロボットCRは、基板Wをスピンチャック8の上に置いた後、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。 Specifically, with the guard 14 located at the lower position, the center robot CR causes the hand H1 to enter the chamber 4 while supporting the substrate W with the hand H1 (step S1 in FIG. 5). After that, the center robot CR places the substrate W on the hand H1 on the spin chuck 8. After placing the substrate W on the spin chuck 8, the center robot CR retracts the hand H1 from the inside of the chamber 4.

次に、酸性薬液の一例であるフッ酸を基板Wに供給する酸性薬液供給工程が行われる。
具体的には、ガード昇降ユニット17は、ガード14を上位置まで上昇させて、ガード14の内面を基板Wの外周面に水平に対向させる。スピンモータ12は、基板Wがチャックピン9によって把持されている状態で回転を開始する。これにより、基板Wの回転が開始される(図5のステップS2)。この状態で、酸性薬液バルブ20が開かれ、酸性薬液ノズル18がフッ酸の吐出を開始する(図5のステップS3)。
Next, an acidic chemical solution supply step of supplying hydrofluoric acid, which is an example of the acidic chemical solution, to the substrate W is performed.
Specifically, the guard elevating unit 17 raises the guard 14 to an upper position so that the inner surface of the guard 14 horizontally faces the outer peripheral surface of the substrate W. The spin motor 12 starts rotating in a state where the substrate W is gripped by the chuck pin 9. As a result, the rotation of the substrate W is started (step S2 in FIG. 5). In this state, the acidic chemical solution valve 20 is opened, and the acidic chemical solution nozzle 18 starts discharging hydrofluoric acid (step S3 in FIG. 5).

酸性薬液ノズル18から吐出されたフッ酸は、基板Wの上面に着液した後、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Wの上面全域を覆うフッ酸の液膜が基板W上に形成される。酸性薬液バルブ20が開かれてから所定時間が経過すると、酸性薬液バルブ20が閉じられ、酸性薬液ノズル18からのフッ酸の吐出が停止される。
次に、リンス液の一例である純水を基板Wに供給する第1リンス液供給工程が行われる。
The hydrofluoric acid discharged from the acidic chemical solution nozzle 18 lands on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, a liquid film of hydrofluoric acid covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W. When a predetermined time elapses after the acidic chemical solution valve 20 is opened, the acidic chemical solution valve 20 is closed and the discharge of hydrofluoric acid from the acidic chemical solution nozzle 18 is stopped.
Next, a first rinse liquid supply step of supplying pure water, which is an example of the rinse liquid, to the substrate W is performed.

具体的には、リンス液バルブ29が開かれ、リンス液ノズル27が純水の吐出を開始する(図5のステップS4)。リンス液ノズル27から吐出された純水は、基板Wの上面に着液した後、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板W上のフッ酸が純水に置換され、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。その後、リンス液バルブ29が閉じられ、リンス液ノズル27からの純水の吐出が停止される。 Specifically, the rinsing liquid valve 29 is opened, and the rinsing liquid nozzle 27 starts discharging pure water (step S4 in FIG. 5). The pure water discharged from the rinse liquid nozzle 27 has landed on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, hydrofluoric acid on the substrate W is replaced with pure water, and a liquid film of pure water covering the entire upper surface of the substrate W is formed. After that, the rinse liquid valve 29 is closed, and the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 27 is stopped.

次に、アルカリ性薬液の一例であるSC−1を基板Wに供給するアルカリ性薬液供給工程が行われる。
具体的には、アルカリ性薬液バルブ23が開かれ、アルカリ性薬液ノズル21がSC−1の吐出を開始する(図5のステップS5)。アルカリ性薬液ノズル21から吐出されたSC−1は、基板Wの上面に着液した後、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板W上の純水がSC−1に置換され、基板Wの上面全域を覆うSC−1の液膜が形成される。その後、アルカリ性薬液バルブ23が閉じられ、アルカリ性薬液ノズル21からのSC−1の吐出が停止される。
Next, an alkaline chemical solution supply step of supplying SC-1 which is an example of the alkaline chemical solution to the substrate W is performed.
Specifically, the alkaline chemical solution valve 23 is opened, and the alkaline chemical solution nozzle 21 starts discharging SC-1 (step S5 in FIG. 5). The SC-1 discharged from the alkaline chemical solution nozzle 21 lands on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, the pure water on the substrate W is replaced with SC-1, and a liquid film of SC-1 covering the entire upper surface of the substrate W is formed. After that, the alkaline chemical solution valve 23 is closed, and the discharge of SC-1 from the alkaline chemical solution nozzle 21 is stopped.

次に、リンス液の一例である純水を基板Wに供給する第2リンス液供給工程が行われる。
具体的には、リンス液バルブ29が開かれ、リンス液ノズル27が純水の吐出を開始する(図5のステップS6)。リンス液ノズル27から吐出された純水は、基板Wの上面に着液した後、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板W上のSC−1が純水に置換され、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。その後、リンス液バルブ29が閉じられ、リンス液ノズル27からの純水の吐出が停止される。
Next, a second rinsing liquid supply step of supplying pure water, which is an example of the rinsing liquid, to the substrate W is performed.
Specifically, the rinsing liquid valve 29 is opened, and the rinsing liquid nozzle 27 starts discharging pure water (step S6 in FIG. 5). The pure water discharged from the rinse liquid nozzle 27 has landed on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, SC-1 on the substrate W is replaced with pure water, and a liquid film of pure water covering the entire upper surface of the substrate W is formed. After that, the rinse liquid valve 29 is closed, and the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 27 is stopped.

次に、有機薬液の一例であるIPAを基板Wに供給する有機薬液供給工程が行われる。
具体的には、有機薬液バルブ26が開かれ、有機薬液ノズル24がIPAの吐出を開始する(図5のステップS7)。有機薬液ノズル24から吐出されたIPAは、基板Wの上面に着液した後、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板W上の純水がIPAに置換され、基板Wの上面全域を覆うIPAの液膜が形成される。その後、有機薬液バルブ26が閉じられ、有機薬液ノズル24からのIPAの吐出が停止される。
Next, an organic chemical solution supply step of supplying IPA, which is an example of the organic chemical solution, to the substrate W is performed.
Specifically, the organic chemical liquid valve 26 is opened, and the organic chemical liquid nozzle 24 starts discharging the IPA (step S7 in FIG. 5). The IPA discharged from the organic chemical solution nozzle 24 lands on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, the pure water on the substrate W is replaced with IPA, and a liquid film of IPA covering the entire upper surface of the substrate W is formed. After that, the organic chemical liquid valve 26 is closed, and the discharge of IPA from the organic chemical liquid nozzle 24 is stopped.

次に、基板Wの回転によって基板Wを乾燥させる乾燥工程(スピンドライ工程)が行われる。
具体的には、スピンモータ12が基板Wを回転方向に加速させ、第1薬液供給工程から有機薬液供給工程までの期間における基板Wの回転速度よりも大きい乾燥速度(たとえば数千rpm)で基板Wを回転させる。これにより、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する(図5のステップS8)。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ12が回転を停止する。これにより、基板Wの回転が停止される(図5のステップS9)。
Next, a drying step (spin drying step) of drying the substrate W by rotating the substrate W is performed.
Specifically, the spin motor 12 accelerates the substrate W in the rotational direction, and the substrate has a drying speed (for example, several thousand rpm) higher than the rotation speed of the substrate W in the period from the first chemical solution supply step to the organic chemical solution supply step. Rotate W. As a result, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W dries (step S8 in FIG. 5). When a predetermined time has elapsed from the start of high-speed rotation of the substrate W, the spin motor 12 stops rotating. As a result, the rotation of the substrate W is stopped (step S9 in FIG. 5).

次に、基板Wをチャンバー4から搬出する搬出工程が行われる。
具体的には、ガード昇降ユニット17がガード14を下位置まで下降させる。この状態で、センターロボットCRが、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。センターロボットCRは、複数のチャックピン9が基板Wの把持を解除した後、スピンチャック8上の基板WをハンドH1で支持する。その後、センターロボットCRは、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される(図5のステップS10)。
Next, a carry-out step of carrying out the substrate W from the chamber 4 is performed.
Specifically, the guard elevating unit 17 lowers the guard 14 to a lower position. In this state, the center robot CR causes the hand H1 to enter the chamber 4. The center robot CR supports the substrate W on the spin chuck 8 with the hand H1 after the plurality of chuck pins 9 release the grip of the substrate W. After that, the center robot CR retracts the hand H1 from the inside of the chamber 4 while supporting the substrate W with the hand H1. As a result, the processed substrate W is carried out from the chamber 4 (step S10 in FIG. 5).

次に、基板処理装置1の排気システムについて説明する。
図6は、基板処理装置1の排気システムについて説明するための模式図である。以下の説明における上流および下流は、排気通路44内における排気の流れ方向Dfの上流および下流を意味する。
基板処理装置1は、基板処理装置1内で発生した排気を基板処理装置1が設置される工場に設けられた排気処理設備の方に案内する排気ダクト41を備えている。排気ダクト41は、複数の処理ユニット2から排気処理設備の方に延びる排気通路44を形成している。排気ダクト41は、複数の処理ユニット2にそれぞれ対応する複数の個別排気ダクト42と、複数のタワーTWにそれぞれ対応する複数の集合排気ダクト43とを含む。
Next, the exhaust system of the substrate processing device 1 will be described.
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the exhaust system of the substrate processing device 1. In the following description, upstream and downstream mean upstream and downstream of the exhaust flow direction Df in the exhaust passage 44.
The substrate processing apparatus 1 includes an exhaust duct 41 that guides the exhaust generated in the substrate processing apparatus 1 to the exhaust processing equipment provided in the factory where the substrate processing apparatus 1 is installed. The exhaust duct 41 forms an exhaust passage 44 extending from the plurality of processing units 2 toward the exhaust treatment equipment. The exhaust duct 41 includes a plurality of individual exhaust ducts 42 corresponding to the plurality of processing units 2, and a plurality of collective exhaust ducts 43 corresponding to the plurality of tower TWs.

複数の個別排気ダクト42は、それぞれ、複数の処理ユニット2に接続されている。集合排気ダクト43は、1つのタワーTWに対応する全ての個別排気ダクト42に接続されている。言い換えると、1つのタワーTWに含まれる全ての処理ユニット2に接続された全ての個別排気ダクト42が、1つの集合排気ダクト43に接続されている。
各集合排気ダクト43は、基板処理装置1の排気を常時吸引する排気処理設備に接続されている。基板処理装置1は、排気通路44に加わる圧力(負圧)を測定する複数の圧力計45と、排気通路44を流れる排気の流量を測定する複数の流量計46と、排気通路44の流路断面積(排気の流れ方向Dfに直交する断面の面積)を変更する複数の排気ダンパー47とを備えている。排気ダンパー47は、マニュアルダンパーであってもよいし、オートダンパーであってもよい。排気ダンパー47がオートダンパーである場合、排気ダンパー47は、バタフライバルブなどのバルブと、バルブの開度を変更するアクチュエータとを含む。
Each of the plurality of individual exhaust ducts 42 is connected to the plurality of processing units 2. The collective exhaust duct 43 is connected to all the individual exhaust ducts 42 corresponding to one tower TW. In other words, all the individual exhaust ducts 42 connected to all the processing units 2 included in one tower TW are connected to one collective exhaust duct 43.
Each collective exhaust duct 43 is connected to an exhaust treatment facility that constantly sucks the exhaust gas of the substrate treatment device 1. The substrate processing device 1 includes a plurality of pressure gauges 45 for measuring the pressure (negative pressure) applied to the exhaust passage 44, a plurality of flow meters 46 for measuring the flow rate of the exhaust flowing through the exhaust passage 44, and a flow path of the exhaust passage 44. It is provided with a plurality of exhaust dampers 47 for changing the cross-sectional area (the area of the cross section orthogonal to the flow direction Df of the exhaust). The exhaust damper 47 may be a manual damper or an auto damper. When the exhaust damper 47 is an auto damper, the exhaust damper 47 includes a valve such as a butterfly valve and an actuator for changing the opening degree of the valve.

複数の圧力計45は、それぞれ、複数の個別排気ダクト42に対応している。同様に、複数の流量計46は、それぞれ、複数の個別排気ダクト42に対応しており、複数の排気ダンパー47は、それぞれ、複数の個別排気ダクト42に対応している。つまり、圧力計45、流量計46、および排気ダンパー47は、個別排気ダクト42ごとに設けられており、対応する個別排気ダクト42に接続されている。 Each of the plurality of pressure gauges 45 corresponds to a plurality of individual exhaust ducts 42. Similarly, the plurality of flowmeters 46 each correspond to a plurality of individual exhaust ducts 42, and the plurality of exhaust dampers 47 each correspond to a plurality of individual exhaust ducts 42. That is, the pressure gauge 45, the flow meter 46, and the exhaust damper 47 are provided for each individual exhaust duct 42, and are connected to the corresponding individual exhaust duct 42.

図6は、圧力計45、流量計46、および排気ダンパー47が、上流側から圧力計45、流量計46、排気ダンパー47の順番で排気の流れ方向Dfに並んでいる例を示している。圧力計45は、流量計46の上流に配置されており、流量計46は、排気ダンパー47の上流に配置されている。圧力計45、流量計46、および排気ダンパー47の順番は、これに限られない。 FIG. 6 shows an example in which the pressure gauge 45, the flow meter 46, and the exhaust damper 47 are arranged in the order of the pressure gauge 45, the flow meter 46, and the exhaust damper 47 in the flow direction Df of the exhaust from the upstream side. The pressure gauge 45 is arranged upstream of the flow meter 46, and the flow meter 46 is arranged upstream of the exhaust damper 47. The order of the pressure gauge 45, the flow meter 46, and the exhaust damper 47 is not limited to this.

圧力計45、流量計46、および排気ダンパー47は、クリーンルームの床Fの下の空間である床下空間に配置されている。したがって、個別排気ダクト42の一部は、クリーンルームの床下空間に配置されている。個別排気ダクト42の下流端は、クリーンルームの床下空間で集合排気ダクト43に接続されている。集合排気ダクト43は、クリーンルームの床下空間に配置されている。 The pressure gauge 45, the flow meter 46, and the exhaust damper 47 are arranged in the underfloor space, which is the space under the floor F of the clean room. Therefore, a part of the individual exhaust duct 42 is arranged in the underfloor space of the clean room. The downstream end of the individual exhaust duct 42 is connected to the collective exhaust duct 43 in the underfloor space of the clean room. The collective exhaust duct 43 is arranged in the underfloor space of the clean room.

次に、排気の流量を測定する流量計46について説明する。
以下の説明において、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sのいずれでも構わない場合はピトー管55といい、全圧測定孔56tおよび静圧測定孔56sのいずれでも構わない場合は測定孔56という。
図7は、ケーシング51の中心線L1を含む平面で切断された流量計46の断面を示す断面図である。図8は、図7に示す矢印VIIIの方向に流量計46を見た図である。図9は、図7に示すIX−IX線に沿う流量計46の断面を示す断面図である。図10は、図9に示すX−X線に沿うピトー管55の断面を示す断面図である。
Next, the flow meter 46 that measures the flow rate of the exhaust gas will be described.
In the following description, when either the total pressure measuring tube 55t or the static pressure measuring tube 55s may be used, the pitot tube 55 is referred to, and when either the total pressure measuring hole 56t or the static pressure measuring hole 56s may be used, the measuring hole 56 is referred to. That is.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross section of the flow meter 46 cut in a plane including the center line L1 of the casing 51. FIG. 8 is a view of the flow meter 46 in the direction of arrow VIII shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a cross section of the flow meter 46 along the IX-IX line shown in FIG. 7. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a cross section of the Pitot tube 55 along the XX line shown in FIG.

流量計46は、ピトー管式流量計である。図7に示すように、流量計46は、排気通路44の一部を形成するケーシング51と、ケーシング51内を下流に流れる排気の全圧および静圧を測定する2つのピトー管55と、2つのピトー管55にそれぞれ接続された2つの測定配管57と、ケーシング51内を下流に流れる排気の流れを2つのピトー管55の上流で整える整流部材59とを含む。2つのピトー管55は、2つの測定配管57を介して差圧計58に接続されている。 The flow meter 46 is a Pitot tube type flow meter. As shown in FIG. 7, the flow meter 46 includes a casing 51 forming a part of the exhaust passage 44, two Pitot tubes 55 for measuring the total pressure and static pressure of the exhaust flowing downstream in the casing 51, and two. It includes two measuring pipes 57 connected to each of the two Pitot tubes 55, and a rectifying member 59 that regulates the flow of exhaust flowing downstream in the casing 51 upstream of the two Pitot tubes 55. The two Pitot tubes 55 are connected to the differential pressure gauge 58 via two measuring pipes 57.

ケーシング51は、排気通路44の一部を形成するメインチューブ53と、メインチューブ53の上流端からメインチューブ53の径方向外方に延びる環状の上流フランジ52と、メインチューブ53の下流端からメインチューブ53の径方向外方に延びる環状の下流フランジ54とを含む。メインチューブ53の内周面は、排気通路44の一部を形成するケーシング51の内周面51iに相当する。図9に示すように、メインチューブ53の内周面は、円形の断面を有している。メインチューブ53の内周面の断面は、四角形などの円形以外の形状であってもよい。 The casing 51 includes a main tube 53 forming a part of the exhaust passage 44, an annular upstream flange 52 extending radially outward from the upstream end of the main tube 53, and a main from the downstream end of the main tube 53. Includes an annular downstream flange 54 extending radially outward of the tube 53. The inner peripheral surface of the main tube 53 corresponds to the inner peripheral surface 51i of the casing 51 forming a part of the exhaust passage 44. As shown in FIG. 9, the inner peripheral surface of the main tube 53 has a circular cross section. The cross section of the inner peripheral surface of the main tube 53 may have a shape other than a circle such as a quadrangle.

図7に示すように、ケーシング51は、ケーシング51の中心線L1(メインチューブ53の中心線)が水平な水平姿勢で排気通路44上に配置されている。ケーシング51は、個別排気ダクト42の第1ダクト42aおよび第2ダクト42bの間に配置されている。第1ダクト42aは、ケーシング51の上流に配置されており、第2ダクト42bは、ケーシング51の下流に配置されている。ケーシング51は、シールを介して第1ダクト42aおよび第2ダクト42bに連結されている。図8に示すように、ケーシング51の上流フランジ52を第1ダクト42aに固定するボルトは、上流フランジ52を流れ方向Dfに貫通する複数の通り穴h1に挿入される。同様に、ケーシング51の下流フランジ54を第2ダクト42bに固定するボルトは、下流フランジ54を流れ方向Dfに貫通する複数の通り穴に挿入される。 As shown in FIG. 7, in the casing 51, the center line L1 (center line of the main tube 53) of the casing 51 is arranged on the exhaust passage 44 in a horizontal horizontal posture. The casing 51 is arranged between the first duct 42a and the second duct 42b of the individual exhaust duct 42. The first duct 42a is arranged upstream of the casing 51, and the second duct 42b is arranged downstream of the casing 51. The casing 51 is connected to the first duct 42a and the second duct 42b via a seal. As shown in FIG. 8, the bolt for fixing the upstream flange 52 of the casing 51 to the first duct 42a is inserted into a plurality of through holes h1 penetrating the upstream flange 52 in the flow direction Df. Similarly, the bolt for fixing the downstream flange 54 of the casing 51 to the second duct 42b is inserted into a plurality of through holes penetrating the downstream flange 54 in the flow direction Df.

図7に示すように、2つのピトー管55は、ケーシング51内を下流に流れる排気の全圧を測定する全圧測定管55tと、ケーシング51内を下流に流れる排気の静圧を測定する静圧測定管55sとを含む。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、メインチューブ53に挿入されている。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、ケーシング51に取り付けられている。全圧測定管55tは、静圧測定管55sの上流に配置されている。 As shown in FIG. 7, the two Pitot tubes 55 have a total pressure measuring tube 55t for measuring the total pressure of the exhaust flowing downstream in the casing 51 and a static pressure measuring the static pressure of the exhaust flowing downstream in the casing 51. Includes a pressure measuring tube 55s. The total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are inserted into the main tube 53. The total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are attached to the casing 51. The total pressure measuring tube 55t is arranged upstream of the static pressure measuring tube 55s.

全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、メインチューブ53の径方向に延びている。図7は、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sの中心線L2が鉛直である例を示している。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、メインチューブ53をメインチューブ53の径方向に貫通している。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sの両端は、メインチューブ53の外周面からメインチューブ53の径方向外方に突出している。2つの測定配管57は、ケーシング51の外で全圧測定管55tおよび静圧測定管55sに接続されている。 The total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s extend in the radial direction of the main tube 53. FIG. 7 shows an example in which the center line L2 of the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s is vertical. The total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s penetrate the main tube 53 in the radial direction of the main tube 53. Both ends of the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s project radially outward from the outer peripheral surface of the main tube 53. The two measuring pipes 57 are connected to the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s outside the casing 51.

図8に示すように、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、メインチューブ53の内周面の直径、つまり、両端がメインチューブ53の内周面上に配置された線分上に配置されている。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、形状、大きさ、および素材が等しい2つの管である。ケーシング51をケーシング51の上流側からケーシング51の中心線L1の方向(流れ方向Dfと平行な方向)に見ると、全圧測定管55tが静圧測定管55sの全体に重なっており、静圧測定管55sのいずれの部分も見えない。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sは、ケーシング51の中心線L1に重なっている。 As shown in FIG. 8, the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are on the diameter of the inner peripheral surface of the main tube 53, that is, on a line segment having both ends arranged on the inner peripheral surface of the main tube 53. Have been placed. The total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are two tubes having the same shape, size, and material. Looking at the casing 51 from the upstream side of the casing 51 in the direction of the center line L1 of the casing 51 (direction parallel to the flow direction Df), the total pressure measuring tube 55t overlaps the entire static pressure measuring tube 55s, and the static pressure is measured. None of the measuring tubes 55s can be seen. The total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s overlap with the center line L1 of the casing 51.

図9に示すように、全圧測定管55tは、全圧測定管55tの軸方向に並んだ複数の全圧測定孔56tを含む。図9は、6つの全圧測定孔56tが全圧測定管55tに設けられている例を示している。全圧測定管55tの軸方向は、メインチューブ53の径方向に一致している。複数の全圧測定孔56tは、複数の対を構成している。対をなす2つの全圧測定孔56tは、ケーシング51の中心線L1に関して180度回転対称な位置に配置されている。複数の全圧測定孔56tのピッチP1、つまり、隣接する2つの全圧測定孔56tの間隔は、ケーシング51の中心線L1から離れるにしたがって減少している。 As shown in FIG. 9, the total pressure measuring tube 55t includes a plurality of total pressure measuring holes 56t arranged in the axial direction of the total pressure measuring tube 55t. FIG. 9 shows an example in which six total pressure measuring holes 56t are provided in the total pressure measuring tube 55t. The axial direction of the total pressure measuring tube 55t coincides with the radial direction of the main tube 53. The plurality of total pressure measuring holes 56t constitute a plurality of pairs. The two paired total pressure measuring holes 56t are arranged at positions 180 degrees rotationally symmetric with respect to the center line L1 of the casing 51. The pitch P1 of the plurality of total pressure measuring holes 56t, that is, the distance between the two adjacent total pressure measuring holes 56t decreases as the distance from the center line L1 of the casing 51 increases.

図10は、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sの軸方向に直交する平面で切断された全圧測定管55tおよび静圧測定管55sの断面がひし形である例を示している。全圧測定管55tの断面の短い方の対角線Ldは、流れ方向Dfに延びており、静圧測定管55sの断面の短い方の対角線Ldは、流れ方向Dfに延びている。全圧測定管55tおよび静圧測定管55sの断面は、円形などのひし形以外の形状であってもよいし、互いに異なっていてもよい。 FIG. 10 shows an example in which the cross sections of the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s cut in a plane orthogonal to the axial direction of the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are diamond-shaped. The shorter diagonal Ld of the cross section of the total pressure measuring tube 55t extends in the flow direction Df, and the shorter diagonal Ld of the cross section of the static pressure measuring tube 55s extends in the flow direction Df. The cross sections of the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s may have a shape other than a rhombus such as a circle, or may be different from each other.

図10に示すように、全圧測定孔56tは、全圧測定管55tの外周面55oおよび内周面55iで開口しており、全圧測定管55tを貫通している。全圧測定孔56tは、上流に向けられている。静圧測定管55sは、複数(たとえば、複数の全圧測定孔56tと同数)の静圧測定孔56sを含む。静圧測定孔56sは、静圧測定管55sの外周面55oおよび内周面55iで開口しており、静圧測定管55sを貫通している。静圧測定孔56sは、下流に向けられている。 As shown in FIG. 10, the total pressure measuring hole 56t is opened at the outer peripheral surface 55o and the inner peripheral surface 55i of the total pressure measuring tube 55t, and penetrates the total pressure measuring tube 55t. The total pressure measuring hole 56t is directed upstream. The static pressure measuring tube 55s includes a plurality of (for example, the same number as a plurality of total pressure measuring holes 56t) static pressure measuring holes 56s. The static pressure measuring hole 56s is opened at the outer peripheral surface 55o and the inner peripheral surface 55i of the static pressure measuring tube 55s, and penetrates the static pressure measuring tube 55s. The static pressure measuring hole 56s is directed downstream.

図7に示すように、複数の静圧測定孔56sは、メインチューブ53の径方向に一致する静圧測定管55sの軸方向に並んでいる。複数の静圧測定孔56sは、複数の対を構成している。対をなす2つの静圧測定孔56sは、ケーシング51の中心線L1に関して180度回転対称な位置に配置されている。複数の全圧測定孔56tと同様に、複数の静圧測定孔56sのピッチ、つまり、隣接する2つの静圧測定孔56sの間隔は、ケーシング51の中心線L1から離れるにしたがって減少している。 As shown in FIG. 7, the plurality of static pressure measuring holes 56s are arranged in the axial direction of the static pressure measuring tube 55s corresponding to the radial direction of the main tube 53. The plurality of static pressure measuring holes 56s constitute a plurality of pairs. The two paired static pressure measuring holes 56s are arranged at positions 180 degrees rotationally symmetric with respect to the center line L1 of the casing 51. Similar to the plurality of total pressure measuring holes 56t, the pitch of the plurality of static pressure measuring holes 56s, that is, the distance between the two adjacent static pressure measuring holes 56s decreases as the distance from the center line L1 of the casing 51 increases. ..

図7に示すように、整流部材59は、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sの上流に配置されている。整流部材59は、ケーシング51に取り付けられている。整流部材59は、ケーシング51の内周面51iによって取り囲まれている。図8に示すように、ケーシング51をケーシング51の上流側からケーシング51の中心線L1の方向に見ると、整流部材59は、ケーシング51の内周面51iによって取り囲まれた空間を複数の領域に仕切っている。 As shown in FIG. 7, the rectifying member 59 is arranged upstream of the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s. The rectifying member 59 is attached to the casing 51. The rectifying member 59 is surrounded by the inner peripheral surface 51i of the casing 51. As shown in FIG. 8, when the casing 51 is viewed from the upstream side of the casing 51 in the direction of the center line L1 of the casing 51, the rectifying member 59 divides the space surrounded by the inner peripheral surface 51i of the casing 51 into a plurality of regions. It is a partition.

図8は、ケーシング51の中心線L1で交わる2枚の整流板59aが整流部材59に設けられている例を示している。ケーシング51をケーシング51の上流側からケーシング51の中心線L1の方向に見ると、整流板59aは、メインチューブ53の径方向に延びている。整流部材59は、整流板59aに加えてまたは代えて、ケーシング51の中心線L1を取り囲む整流リングを備えていてもよい。また、整流部材59は、格子であってもよいし、網であってもよい。 FIG. 8 shows an example in which two straightening vanes 59a intersecting at the center line L1 of the casing 51 are provided on the straightening vane 59. Looking at the casing 51 from the upstream side of the casing 51 in the direction of the center line L1 of the casing 51, the straightening vane 59a extends in the radial direction of the main tube 53. In addition to or in place of the straightening vane 59a, the straightening vane 59 may include a straightening ring surrounding the center line L1 of the casing 51. Further, the rectifying member 59 may be a grid or a net.

図7に示すように、排気は、ケーシング51の上流端に設けられた入口46iからケーシング51の中に流入する。ケーシング51内に流入した排気は、整流部材59を通過する。これにより、排気の流れが整えられる。整流部材59を通過した排気は、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sを通過する。その後、排気は、ケーシング51の下流端に設けられた出口46oを介してケーシング51から下流に排出される。 As shown in FIG. 7, the exhaust gas flows into the casing 51 from the inlet 46i provided at the upstream end of the casing 51. The exhaust gas that has flowed into the casing 51 passes through the rectifying member 59. As a result, the flow of exhaust gas is adjusted. The exhaust gas that has passed through the rectifying member 59 passes through the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s. After that, the exhaust gas is discharged downstream from the casing 51 through the outlet 46o provided at the downstream end of the casing 51.

ケーシング51内を下流に流れる排気の全圧は、全圧測定管55tの複数の全圧測定孔56tに加わる。排気の全圧は、全圧測定管55tに接続された測定配管57を介して差圧計58に伝達される。同様に、ケーシング51内を下流に流れる排気の静圧は、静圧測定管55sの複数の静圧測定孔56sに加わる。排気の静圧は、静圧測定管55sに接続された測定配管57を介して差圧計58に伝達される。 The total pressure of the exhaust gas flowing downstream in the casing 51 is applied to the plurality of total pressure measuring holes 56t of the total pressure measuring pipe 55t. The total pressure of the exhaust gas is transmitted to the differential pressure gauge 58 via the measuring pipe 57 connected to the total pressure measuring pipe 55t. Similarly, the static pressure of the exhaust gas flowing downstream in the casing 51 is applied to the plurality of static pressure measuring holes 56s of the static pressure measuring pipe 55s. The static pressure of the exhaust gas is transmitted to the differential pressure gauge 58 via the measuring pipe 57 connected to the static pressure measuring pipe 55s.

差圧計58は、2つの測定配管57を介して全圧測定管55tおよび静圧測定管55sから伝達された排気の圧力に基づいて排気の動圧を計算する。差圧計58によって計算された排気の動圧は、制御装置3に入力される。制御装置3は、差圧計58から入力された排気の動圧とケーシング51の流路断面積とに基づいて排気の流量を計算する。排気の流量は、差圧計58によって計算されてもよい。 The differential pressure gauge 58 calculates the dynamic pressure of the exhaust based on the pressure of the exhaust transmitted from the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s via the two measuring pipes 57. The dynamic pressure of the exhaust gas calculated by the differential pressure gauge 58 is input to the control device 3. The control device 3 calculates the flow rate of the exhaust gas based on the dynamic pressure of the exhaust gas input from the differential pressure gauge 58 and the cross-sectional area of the flow path of the casing 51. The flow rate of the exhaust gas may be calculated by the differential pressure gauge 58.

制御装置3は、制御装置3によって計算された排気の流量、または、差圧計58から入力された排気の流量が適切な範囲内に維持されているかを常時監視する。排気の流量が適切な範囲外であれば、制御装置3は、警報装置40(図4参照)に警報を発生させ、排気の流量の異常を基板処理装置1のユーザーに伝える。これにより、排気の流量の異常を即座に検知することができる。 The control device 3 constantly monitors whether the flow rate of the exhaust gas calculated by the control device 3 or the flow rate of the exhaust gas input from the differential pressure gauge 58 is maintained within an appropriate range. If the exhaust flow rate is out of the appropriate range, the control device 3 generates an alarm in the alarm device 40 (see FIG. 4) and notifies the user of the substrate processing device 1 of the abnormality in the exhaust flow rate. As a result, it is possible to immediately detect an abnormality in the flow rate of the exhaust gas.

このように、排気は、ケーシング51の内周面51i、整流部材59の表面、およびピトー管55の表面に接触しながらケーシング51内を下流に流れる。ピトー管55の表面には、ピトー管55の外周面55oおよび内周面55iと、測定孔56の内周面が含まれる。ケーシング51の内周面51i等は、基板Wに供給される薬品に対する耐性を有する樹脂で形成されている。つまり、ケーシング51の内周面51i等は、薬品に接触しても腐食したり変形したりしない性質を有する樹脂で形成されている。 In this way, the exhaust gas flows downstream in the casing 51 while in contact with the inner peripheral surface 51i of the casing 51, the surface of the rectifying member 59, and the surface of the Pitot tube 55. The surface of the Pitot tube 55 includes an outer peripheral surface 55o and an inner peripheral surface 55i of the Pitot tube 55, and an inner peripheral surface of the measurement hole 56. The inner peripheral surface 51i and the like of the casing 51 are made of a resin having resistance to chemicals supplied to the substrate W. That is, the inner peripheral surface 51i and the like of the casing 51 are made of a resin having a property of not being corroded or deformed even if it comes into contact with chemicals.

図7は、メインチューブ53の全体とピトー管55の全体と整流部材59の全体とが耐薬品性を有する樹脂(たとえば、ポリ塩化ビニル)で形成されている例を示している。メインチューブ53は、透明な樹脂で形成されていてもよいし、非透明な樹脂で形成されていてもよい。メインチューブ53が透明であれば、ケーシング51の外からケーシング51の中を見ることができる。したがって、ケーシング51を個別排気ダクト42から外さずに、ケーシング51の中を見ることができる。 FIG. 7 shows an example in which the entire main tube 53, the entire Pitot tube 55, and the entire rectifying member 59 are made of a resin having chemical resistance (for example, polyvinyl chloride). The main tube 53 may be made of a transparent resin or a non-transparent resin. If the main tube 53 is transparent, the inside of the casing 51 can be seen from the outside of the casing 51. Therefore, the inside of the casing 51 can be seen without removing the casing 51 from the individual exhaust duct 42.

次に、流量計46を洗浄および乾燥させる洗浄システムについて説明する。
図7に示すように、流量計46は、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sに供給される洗浄液を案内する洗浄液配管62と、洗浄液配管62を開閉する洗浄液バルブ63と、2つの測定配管57を開閉する2つの常時開弁61とを含む。流量計46は、さらに、2つの測定配管57を介して全圧測定管55tおよび静圧測定管55s内の流体を吸引する吸引配管64と、吸引配管64を開閉する吸引バルブ65とを含む。吸引配管64は、アスピレーターなどの吸引装置66に接続されていてもよいし、基板処理装置1が設置される工場に設けられた吸引設備に接続されていてもよい。
Next, a cleaning system for cleaning and drying the flow meter 46 will be described.
As shown in FIG. 7, the flow meter 46 has two measurements, a cleaning liquid pipe 62 for guiding the cleaning liquid supplied to the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s, and a cleaning liquid valve 63 for opening and closing the cleaning liquid pipe 62. Includes two constantly open valves 61 that open and close the pipe 57. The flow meter 46 further includes a suction pipe 64 for sucking the fluid in the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s via the two measuring pipes 57, and a suction valve 65 for opening and closing the suction pipe 64. The suction pipe 64 may be connected to a suction device 66 such as an aspirator, or may be connected to a suction facility provided in a factory where the substrate processing device 1 is installed.

洗浄液配管62の下流端は、2つの測定配管57のそれぞれに接続されている。吸引配管64の上流端は、2つの測定配管57のそれぞれに接続されている。常時開弁61は、洗浄液配管62と測定配管57との接続位置よりも差圧計58側の位置で測定配管57に介装されている。常時開弁61は、流量計46を洗浄および乾燥させるときだけ閉じられる。常時開弁61は、たとえば、空圧アクチュエータによって開閉されるエアバルブである。洗浄液配管62によって案内される洗浄液は、たとえば純水である。洗浄液は、純水以外の液体であってもよい。たとえば、前述のリンス液の具体例のうちのいずれかを洗浄液として用いてもよい。 The downstream end of the cleaning liquid pipe 62 is connected to each of the two measuring pipes 57. The upstream end of the suction pipe 64 is connected to each of the two measurement pipes 57. The constantly open valve 61 is interposed in the measuring pipe 57 at a position closer to the differential pressure gauge 58 than the connection position between the cleaning liquid pipe 62 and the measuring pipe 57. The constantly open valve 61 is closed only when the flow meter 46 is washed and dried. The constantly open valve 61 is, for example, an air valve that is opened and closed by a pneumatic actuator. The cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe 62 is, for example, pure water. The cleaning liquid may be a liquid other than pure water. For example, any of the above-mentioned specific examples of the rinsing solution may be used as the cleaning solution.

図11Aは、ピトー管55を洗浄している状態を示す断面図である。図11Bは、ピトー管55を乾燥させている状態を示す断面図である。
図11Aに示すように、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sを洗浄するときは、制御装置3が洗浄液バルブ63を開く。これにより、洗浄液の一例である純水が、2つの測定配管57を介して洗浄液配管62から全圧測定管55tおよび静圧測定管55sに供給される。全圧測定管55t内の純水は、複数の全圧測定孔56tから全圧測定管55tの外に排出される。同様に、静圧測定管55s内の純水は、複数の静圧測定孔56sから静圧測定管55sの外に排出される。これにより、全圧測定孔56tおよび静圧測定孔56sに純水が供給され、全圧測定孔56tおよび静圧測定孔56sに付着している異物が洗い流される。
FIG. 11A is a cross-sectional view showing a state in which the Pitot tube 55 is being washed. FIG. 11B is a cross-sectional view showing a state in which the Pitot tube 55 is dried.
As shown in FIG. 11A, when cleaning the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s, the control device 3 opens the cleaning liquid valve 63. As a result, pure water, which is an example of the cleaning liquid, is supplied from the cleaning liquid pipe 62 to the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s via the two measuring pipes 57. The pure water in the total pressure measuring tube 55t is discharged to the outside of the total pressure measuring tube 55t from the plurality of total pressure measuring holes 56t. Similarly, the pure water in the static pressure measuring tube 55s is discharged to the outside of the static pressure measuring tube 55s from the plurality of static pressure measuring holes 56s. As a result, pure water is supplied to the total pressure measuring hole 56t and the static pressure measuring hole 56s, and the foreign matter adhering to the total pressure measuring hole 56t and the static pressure measuring hole 56s is washed away.

洗浄液バルブ63が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置3は、洗浄液バルブ63を閉じる。これにより、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sへの純水の供給が停止される。その後、制御装置3は、吸引バルブ65を開く。これにより、図11Bに示すように、全圧測定管55tおよび静圧測定管55s内の流体が、2つの測定配管57を介して吸引配管64に吸引される。異物や洗浄液がピトー管55の中に残留していたとしても、これらは2つの測定配管57を介して吸引配管64に吸引される。これにより、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sが乾燥する。 When a predetermined time has elapsed after the cleaning liquid valve 63 is opened, the control device 3 closes the cleaning liquid valve 63. As a result, the supply of pure water to the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s is stopped. After that, the control device 3 opens the suction valve 65. As a result, as shown in FIG. 11B, the fluid in the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s is sucked into the suction pipe 64 via the two measuring pipes 57. Even if foreign matter or cleaning liquid remains in the Pitot tube 55, they are sucked into the suction pipe 64 via the two measurement pipes 57. As a result, the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are dried.

流量計46の洗浄は、1枚の基板Wを処理するごとに実行されてもよいし、複数枚の基板Wを処理するごとに実行されてもよいし、一定時間ごとに実行されてもよいし、任意の時期に実行されてもよい。複数枚の基板Wを処理するごとに流量計46を洗浄する場合、1つのロットに含まれる全ての基板Wを処理するごとに流量計46が洗浄されてもよいし、任意の枚数の基板Wを処理するごとに流量計46が洗浄されてもよい。 The cleaning of the flow meter 46 may be executed every time one substrate W is processed, may be executed every time a plurality of substrates W are processed, or may be executed at regular intervals. However, it may be executed at any time. When the flow meter 46 is cleaned every time a plurality of substrates W are processed, the flow meter 46 may be cleaned every time all the substrates W contained in one lot are processed, or an arbitrary number of substrates W may be cleaned. The flow meter 46 may be washed every time.

以上のように本実施形態では、基板Wを処理する薬品を含む排気が、ケーシング51内を下流に流れる。ピトー管55は、ケーシング51内に配置されている。ケーシング51内を下流に流れる排気の全圧(静圧と動圧の和)および静圧は、ピトー管55によって検出される。排気の流量、つまり、単位時間においてケーシング51を通過する排気の量は、排気の動圧に基づいて計算される。これにより、ケーシング51を通過する排気の流量を測定できる。 As described above, in the present embodiment, the exhaust gas containing the chemicals for treating the substrate W flows downstream in the casing 51. The Pitot tube 55 is arranged in the casing 51. The total pressure (sum of static pressure and dynamic pressure) and static pressure of the exhaust gas flowing downstream in the casing 51 are detected by the Pitot tube 55. The flow rate of the exhaust gas, that is, the amount of the exhaust gas passing through the casing 51 in a unit time is calculated based on the dynamic pressure of the exhaust gas. This makes it possible to measure the flow rate of the exhaust gas passing through the casing 51.

ケーシング51内を下流に流れる排気は、測定孔56が設けられたピトー管55の外周面55oに接する。ピトー管55が長時間排気に晒されると、塩などの異物がピトー管55の測定孔56に付着する。洗浄液配管62によって案内された洗浄液は、ピトー管55の測定孔56に供給される。これにより、ピトー管55の測定孔56が残渣や結晶などの異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。 The exhaust gas flowing downstream in the casing 51 comes into contact with the outer peripheral surface 55o of the Pitot tube 55 provided with the measurement hole 56. When the Pitot tube 55 is exposed to the exhaust for a long time, foreign matter such as salt adheres to the measurement hole 56 of the Pitot tube 55. The cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe 62 is supplied to the measuring hole 56 of the Pitot tube 55. As a result, it is possible to prevent the measurement hole 56 of the Pitot tube 55 from being clogged with foreign matter such as residue or crystals, and it is possible to measure the flow rate of the exhaust gas with stable accuracy over a long period of time.

さらに、洗浄液をピトー管55やケーシング51に供給するので、これらに付着している異物が洗浄液に溶ける場合には、異物を洗浄液で溶かしながら除去することができる。たとえば、酸性薬品とアルカリ性薬品との接触によって発生した塩や、水分の消失によって薬液から析出した結晶は水に溶けるので、水を含む洗浄液をピトー管55等に供給すれば、塩や結晶を効果的に除去できる。したがって、洗浄液の代わりに洗浄ガスを用いる場合に比べて異物を確実に除去できる。 Further, since the cleaning liquid is supplied to the Pitot tube 55 and the casing 51, when the foreign matter adhering to these is dissolved in the cleaning liquid, the foreign matter can be removed while being dissolved in the cleaning liquid. For example, salts generated by contact between acidic chemicals and alkaline chemicals and crystals precipitated from the chemical solution due to the disappearance of water are soluble in water, so if a cleaning solution containing water is supplied to the Pitot tube 55 or the like, the salt or crystals will be effective. Can be removed. Therefore, foreign matter can be reliably removed as compared with the case where a cleaning gas is used instead of the cleaning liquid.

本実施形態では、ピトー管55の測定孔56に加わる圧力(全圧または静圧)が測定配管57を介して差圧計58に伝達される。洗浄液配管62によって案内された洗浄液は、測定配管57を介してピトー管55の内部空間に供給される。ピトー管55内の洗浄液は、測定孔56からピトー管55の外に排出される。異物が測定孔56に付着していれば、この異物は測定孔56から排出される洗浄液によって洗い流される。これにより、ピトー管55の測定孔56が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。 In the present embodiment, the pressure (total pressure or static pressure) applied to the measurement hole 56 of the Pitot tube 55 is transmitted to the differential pressure gauge 58 via the measurement pipe 57. The cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe 62 is supplied to the internal space of the Pitot tube 55 via the measuring pipe 57. The cleaning liquid in the pitot tube 55 is discharged to the outside of the pitot tube 55 through the measuring hole 56. If foreign matter adheres to the measuring hole 56, the foreign matter is washed away by the cleaning liquid discharged from the measuring hole 56. As a result, it is possible to prevent the measurement hole 56 of the Pitot tube 55 from being clogged with foreign matter, and it is possible to measure the flow rate of the exhaust gas with stable accuracy over a long period of time.

加えて、測定配管57を介してピトー管55の内部空間に洗浄液を供給するので、洗浄液を吐出する流体ノズル73(図13参照)をケーシング51内に配置しなくてもよい。流体ノズル73をケーシング51内に配置すると、わずかではあるが、排気の流れに影響が及ぶ。したがって、排気の流れに影響を及ぼすことなく、ピトー管55を洗浄できる。さらに、流体ノズル73を設けなくてもよいので、部品点数を減らすことができる。 In addition, since the cleaning liquid is supplied to the internal space of the Pitot tube 55 via the measuring pipe 57, the fluid nozzle 73 (see FIG. 13) for discharging the cleaning liquid does not have to be arranged in the casing 51. Placing the fluid nozzle 73 inside the casing 51 has a slight effect on the flow of exhaust gas. Therefore, the Pitot tube 55 can be cleaned without affecting the flow of exhaust gas. Further, since the fluid nozzle 73 does not have to be provided, the number of parts can be reduced.

本実施形態では、ピトー管55が洗浄液で洗浄された後に、ピトー管55内の流体が、ピトー管55に接続された測定配管57を介して吸引配管64に吸引される。異物や洗浄液がピトー管55の中に残留していたとしても、これらは測定配管57を介して吸引配管64に吸引される。さらに、ピトー管55の外から測定孔56を介してピトー管55の中に入る気流が形成されるので、測定孔56に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管55を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管55を乾燥させることができる。 In the present embodiment, after the pitot tube 55 is washed with the cleaning liquid, the fluid in the pitot tube 55 is sucked into the suction pipe 64 via the measurement pipe 57 connected to the pitot tube 55. Even if foreign matter or cleaning liquid remains in the Pitot tube 55, they are sucked into the suction pipe 64 via the measurement pipe 57. Further, since an air flow is formed from the outside of the Pitot tube 55 into the Pitot tube 55 through the measurement hole 56, the drying of the cleaning liquid adhering to the measurement hole 56 is promoted. Therefore, the Pitot tube 55 can be dried in a shorter time than when the Pitot tube 55 is dried by the flow of exhaust gas.

本実施形態では、基板Wを処理する薬品が基板Wに供給される。これにより、基板Wが処理される。薬品を含む排気は、排気通路44を通じて排出される。流量計46は排気通路44に配置されている。これにより、排気通路44を流れる排気の流量を測定できる。さらに、流量計46のピトー管55が洗浄液で洗浄されるので、ピトー管55の測定孔56が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。加えて、流量計46は、オリフィス流量計などの他の形式の流量計と比べて圧力損失が小さいので、エネルギーの消費量を減らすことができる。 In the present embodiment, the chemicals for processing the substrate W are supplied to the substrate W. As a result, the substrate W is processed. Exhaust gas containing chemicals is discharged through the exhaust passage 44. The flow meter 46 is arranged in the exhaust passage 44. This makes it possible to measure the flow rate of the exhaust gas flowing through the exhaust passage 44. Further, since the pitot tube 55 of the flow meter 46 is washed with the cleaning liquid, it is possible to prevent the measurement hole 56 of the pitot tube 55 from being clogged with foreign matter, and the flow rate of the exhaust gas can be measured with stable accuracy over a long period of time. In addition, since the flow meter 46 has a smaller pressure loss than other types of flow meters such as an orifice flow meter, energy consumption can be reduced.

本実施形態では、流量計46がクリーンルームの床Fの下に配置される。作業者が自身の手に持ったノズルやブラシを利用して、ケーシング51の内部やピトー管55を洗浄することが考えられる。しかしながら、流量計46が地下に配置されている場合、流量計46を簡単にはこのように洗浄できない。これは、クリーンルームの地下に配置された部材へのアクセスが容易ではないからである。したがって、ピトー管55に洗浄液を供給する洗浄液配管62を設けることにより、流量計46を簡単に洗浄できる。 In this embodiment, the flow meter 46 is arranged under the floor F of the clean room. It is conceivable that the inside of the casing 51 and the Pitot tube 55 are cleaned by using a nozzle or a brush held by the operator in his / her own hand. However, when the flow meter 46 is located underground, the flow meter 46 cannot be easily cleaned in this way. This is because it is not easy to access the members placed in the basement of the clean room. Therefore, the flow meter 46 can be easily cleaned by providing the cleaning liquid pipe 62 for supplying the cleaning liquid to the Pitot tube 55.

なお、図12に示すように、流量計46は、吸引配管64に代えてもしくは加えて、2つの測定配管57を介して全圧測定管55tおよび静圧測定管55sに供給される気体を案内するガス配管71と、ガス配管71を開閉するガスバルブ72とを備えていてもよい。
図12に示す構成の場合、制御装置3は、全圧測定管55tおよび静圧測定管55sが洗浄液で洗浄された後に、ガスバルブ72を開いて、クリーンエアーやドライエアーなどの気体を全圧測定管55tおよび静圧測定管55sに供給する。これにより、測定孔56を介してピトー管55の中からピトー管55の外に出る気流が形成されるので、測定孔56に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管55を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管55を乾燥させることができる。
As shown in FIG. 12, the flow meter 46 guides the gas supplied to the total pressure measuring pipe 55t and the static pressure measuring pipe 55s via the two measuring pipes 57 in place of or in addition to the suction pipe 64. A gas pipe 71 for opening and closing the gas pipe 71 may be provided.
In the case of the configuration shown in FIG. 12, the control device 3 opens the gas valve 72 after the total pressure measuring tube 55t and the static pressure measuring tube 55s are washed with the cleaning liquid, and measures the total pressure of a gas such as clean air or dry air. It is supplied to the tube 55t and the static pressure measuring tube 55s. As a result, an air flow that flows out of the Pitot tube 55 from inside the Pitot tube 55 through the measurement hole 56 is formed, so that the drying of the cleaning liquid adhering to the measurement hole 56 is promoted. Therefore, the Pitot tube 55 can be dried in a shorter time than when the Pitot tube 55 is dried by the flow of exhaust gas.

また、図13に示すように、流量計46は、少なくとも一つの流体ノズル73を備えていてもよい。図13は、10個の流体ノズル73a、73b、73c、73d、73eが設けられている例を示している。洗浄液配管62およびガス配管71は、ピトー管55ではなく、各流体ノズル73a、73b、73c、73d、73eに接続されている。洗浄液配管62およびガス配管71は、ピトー管55および流体ノズル73の両方に接続されていてもよい。流量計46は、流体ノズル73の代わりに、洗浄液配管62が接続された洗浄液ノズルと、ガス配管71が接続されたガスノズルとを備えていてもよい。 Further, as shown in FIG. 13, the flow meter 46 may include at least one fluid nozzle 73. FIG. 13 shows an example in which 10 fluid nozzles 73a, 73b, 73c, 73d, and 73e are provided. The cleaning liquid pipe 62 and the gas pipe 71 are connected to the fluid nozzles 73a, 73b, 73c, 73d, 73e instead of the Pitot tube 55. The cleaning liquid pipe 62 and the gas pipe 71 may be connected to both the Pitot tube 55 and the fluid nozzle 73. The flow meter 46 may include a cleaning liquid nozzle to which the cleaning liquid pipe 62 is connected and a gas nozzle to which the gas pipe 71 is connected, instead of the fluid nozzle 73.

2つの流体ノズル73aは、ケーシング51の外に配置されており、残り8つの流体ノズル73b、73c、73d、73eは、ケーシング51の中に配置されている。6つの流体ノズル73b、73c、73dは、2つのピトー管55の上流に配置されており、2つの流体ノズル73eは、2つのピトー管55の下流に配置されている。2つの流体ノズル73dは、整流部材59とピトー管55との間に配置されている。 The two fluid nozzles 73a are arranged outside the casing 51, and the remaining eight fluid nozzles 73b, 73c, 73d, 73e are arranged inside the casing 51. The six fluid nozzles 73b, 73c, 73d are arranged upstream of the two Pitot tubes 55, and the two fluid nozzles 73e are arranged downstream of the two Pitot tubes 55. The two fluid nozzles 73d are arranged between the rectifying member 59 and the Pitot tube 55.

2つの流体ノズル73aは、洗浄液およびガスなどの流体を整流部材59の上流端に向けて吐出する。2つの流体ノズル73bは、ケーシング51の内周面51iに向けて流体を吐出する。2つの流体ノズル73cは、整流部材59の側面に向けて流体を吐出する。2つの流体ノズル73dは、全圧測定管55tの外周面に向けて流体を吐出する。2つの流体ノズル73eは、静圧測定管55sの外周面に向けて流体を吐出する。 The two fluid nozzles 73a discharge fluids such as a cleaning liquid and a gas toward the upstream end of the rectifying member 59. The two fluid nozzles 73b discharge the fluid toward the inner peripheral surface 51i of the casing 51. The two fluid nozzles 73c discharge the fluid toward the side surface of the rectifying member 59. The two fluid nozzles 73d discharge the fluid toward the outer peripheral surface of the total pressure measuring tube 55t. The two fluid nozzles 73e discharge the fluid toward the outer peripheral surface of the static pressure measuring tube 55s.

図13に示す構成の場合、制御装置3は、洗浄液バルブ63を開いて、全ての流体ノズル73に洗浄液を吐出させる。これにより、洗浄液が、ケーシング51の内周面51i、整流部材59の表面、およびピトー管55の外周面に供給される。制御装置3は、洗浄液バルブ63を閉じた後、ガスバルブ72を開いて、全ての流体ノズル73に気体を吐出させる。これにより、ケーシング51の内周面51i、整流部材59の表面、およびピトー管55の外周面が乾燥する。 In the case of the configuration shown in FIG. 13, the control device 3 opens the cleaning liquid valve 63 to discharge the cleaning liquid to all the fluid nozzles 73. As a result, the cleaning liquid is supplied to the inner peripheral surface 51i of the casing 51, the surface of the rectifying member 59, and the outer peripheral surface of the Pitot tube 55. After closing the cleaning liquid valve 63, the control device 3 opens the gas valve 72 to discharge gas to all the fluid nozzles 73. As a result, the inner peripheral surface 51i of the casing 51, the surface of the rectifying member 59, and the outer peripheral surface of the Pitot tube 55 are dried.

このようにして、流量計46が洗浄される。異物がピトー管55の測定孔56に付着していれば、この異物は流体ノズル73から吐出された洗浄液によって洗い流される。その後、全ての流体ノズル73からの気体の吐出によって、測定孔56に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管55を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管55を乾燥させることができる。 In this way, the flow meter 46 is washed. If foreign matter adheres to the measurement hole 56 of the Pitot tube 55, the foreign matter is washed away by the cleaning liquid discharged from the fluid nozzle 73. After that, the discharge of gas from all the fluid nozzles 73 promotes the drying of the cleaning liquid adhering to the measurement hole 56. Therefore, the Pitot tube 55 can be dried in a shorter time than when the Pitot tube 55 is dried by the flow of exhaust gas.

また、図14に示すように、ピトー管55は、ケーシング51をケーシング51の中心線L1の方向に見たときにピトー管55の中心線L2が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢、または、ケーシング51をケーシング51の中心線L1の方向に見たときにピトー管55の中心線L2が水平な水平姿勢で、ケーシング51内に配置されていてもよい。図14は、前者の例を示している。 Further, as shown in FIG. 14, the Pitot tube 55 has an inclined posture in which the center line L2 of the Pitot tube 55 is tilted diagonally with respect to the horizontal plane when the casing 51 is viewed in the direction of the center line L1 of the casing 51. When the casing 51 is viewed in the direction of the center line L1 of the casing 51, the center line L2 of the Pitot tube 55 may be arranged in the casing 51 in a horizontal horizontal posture. FIG. 14 shows an example of the former.

図14中の黒丸は、ケーシング51の内周面51iの下端部に付着した、残渣や結晶などの異物を示している。ケーシング51の中心線L1が水平または水平面に対して斜めに傾いており、ピトー管55の中心線L2が鉛直である場合、残渣や結晶などの異物がピトー管55の下端部に溜まり易い。したがって、ピトー管55を鉛直面に対して斜めに傾けるもしくは鉛直面に直交させることにより、このような異物の付着を軽減できる。 The black circles in FIG. 14 indicate foreign substances such as residues and crystals adhering to the lower end portion of the inner peripheral surface 51i of the casing 51. When the center line L1 of the casing 51 is inclined horizontally or diagonally with respect to the horizontal plane and the center line L2 of the pitot tube 55 is vertical, foreign substances such as residues and crystals tend to collect at the lower end of the pitot tube 55. Therefore, by tilting the Pitot tube 55 diagonally with respect to the vertical plane or making it orthogonal to the vertical plane, it is possible to reduce the adhesion of such foreign matter.

第2実施形態
図15は、本発明の第2実施形態に係るタイムチャートであり、基板Wの回転速度とFFU6からチャンバー4内に供給されるクリーンエアーの流量とチャンバー4から排出される排気の流量の経時的な変化を示している。以下では、図6と図15とを参照する。
第1実施形態に対する第2実施形態の主要な相違点は、流量計46の測定値に基づいて、制御装置3が、FFU6の出力設定値、つまり、FFU6がチャンバー4内に送るクリーンエアーの流量の設定値を変更することである。
Second Embodiment FIG. 15 is a time chart according to the second embodiment of the present invention, in which the rotation speed of the substrate W, the flow rate of clean air supplied from the FFU 6 into the chamber 4, and the exhaust gas discharged from the chamber 4 are shown. It shows the change of the flow rate over time. In the following, reference will be made to FIGS. 6 and 15.
The main difference between the first embodiment and the second embodiment is that the control device 3 sets the output of the FFU 6, that is, the flow rate of clean air sent by the FFU 6 into the chamber 4, based on the measured value of the flow meter 46. Is to change the setting value of.

具体的には、基板Wの処理が行われているとき、基板Wの回転速度は、一定ではなく処理の内容に応じて変化する。図15は、基板Wの回転速度が零から液処理速度に増加し、その後、液処理速度から乾燥速度に増加する例を示している。液処理速度は、薬液やリンス液などの処理液を基板Wに供給しているときの基板Wの回転速度であり、乾燥速度は、基板Wを乾燥させているときの基板Wの回転速度である。基板Wの乾燥が終了すると、基板Wの回転速度は、乾燥速度から零まで減少する。 Specifically, when the substrate W is being processed, the rotation speed of the substrate W is not constant and changes according to the content of the processing. FIG. 15 shows an example in which the rotation speed of the substrate W increases from zero to the liquid treatment speed, and then increases from the liquid treatment speed to the drying speed. The liquid treatment speed is the rotation speed of the substrate W when a treatment liquid such as a chemical solution or a rinsing liquid is supplied to the substrate W, and the drying speed is the rotation speed of the substrate W when the substrate W is being dried. be. When the drying of the substrate W is completed, the rotation speed of the substrate W decreases from the drying speed to zero.

チャンバー4内に流入するクリーンエアーの流量とチャンバー4から排出される排気の流量は、FFU6の出力設定値を変えなくても変化する。これは、チャンバー4内の状態が変化するからである。たとえば、基板Wの回転速度が上昇すると、FFU6の出力設定値が同じであっても、チャンバー4内に流入するクリーンエアーの流量とチャンバー4から排出される排気の流量とが増加する。図15において二点鎖線で示すように、基板Wの回転速度が液処理速度のときは、基板Wの回転速度が零のときよりも排気の流量が大きく、基板Wの回転速度が乾燥速度のときは、基板Wの回転速度が液処理速度のときよりも排気の流量が大きい。 The flow rate of the clean air flowing into the chamber 4 and the flow rate of the exhaust gas discharged from the chamber 4 change without changing the output set value of the FFU 6. This is because the state in the chamber 4 changes. For example, when the rotation speed of the substrate W increases, the flow rate of clean air flowing into the chamber 4 and the flow rate of the exhaust gas discharged from the chamber 4 increase even if the output set value of the FFU 6 is the same. As shown by the two-point chain line in FIG. 15, when the rotation speed of the substrate W is the liquid processing speed, the flow rate of the exhaust is larger than when the rotation speed of the substrate W is zero, and the rotation speed of the substrate W is the drying speed. When the rotation speed of the substrate W is higher than that at the liquid processing speed, the flow rate of the exhaust is larger.

排気の流量が変化すると、流量計46の測定値も変化する。図15に示すように、制御装置3は、流量計46の測定値に基づいてFFU6の出力設定値を変更し、チャンバー4から排出される排気の流量の変動幅を減少させる。たとえば、制御装置3は、基板Wの回転速度が液処理速度のときは、基板Wの回転速度が零のときよりもFFU6の出力設定値を減少させ、基板Wの回転速度が乾燥速度のときは、基板Wの回転速度が液処理速度のときよりもFFU6の出力設定値を減少させる。 When the flow rate of the exhaust gas changes, the measured value of the flow meter 46 also changes. As shown in FIG. 15, the control device 3 changes the output set value of the FFU 6 based on the measured value of the flow meter 46, and reduces the fluctuation range of the flow rate of the exhaust gas discharged from the chamber 4. For example, when the rotation speed of the substrate W is the liquid processing speed, the control device 3 reduces the output set value of the FFU 6 as compared with the case where the rotation speed of the substrate W is zero, and when the rotation speed of the substrate W is the drying speed. Decreases the output set value of FFU 6 as compared with the case where the rotation speed of the substrate W is the liquid processing speed.

FFU6の出力設定値をこのように変化させれば、ダウンフローの速度を安定させながら、FFU6の出力設定値を変更しない場合に比べてFFU6で消費されるエネルギーを減らすことができる。さらに、FFU6の出力設定値をこのように変化させれば、基板処理装置1が必要とするクリーンエアーの最大流量を減らすことができ、クリーンエアーの使用量を減らすことができる。 By changing the output set value of the FFU 6 in this way, it is possible to reduce the energy consumed by the FFU 6 as compared with the case where the output set value of the FFU 6 is not changed while stabilizing the downflow speed. Further, by changing the output set value of the FFU 6 in this way, the maximum flow rate of clean air required by the substrate processing apparatus 1 can be reduced, and the amount of clean air used can be reduced.

第2実施形態では、第1実施形態に係る作用効果に加えて、次の作用効果を奏することができる。具体的には、送風機の一例であるFFU6が気体を基板処理装置1内に送る。FFU6の出力設定値、つまり、FFU6が基板処理装置1内に送る気体の流量の設定値が同じであっても、基板処理装置1内の気体の流速が一定であり続けるとは限らない。これは、基板処理装置1の状態が変わるからである。制御装置3は、流量計46の測定値に基づいてFFU6から基板処理装置1内に送られる気体の流量を変更する。したがって、基板処理装置1内の気体の流速を一定に維持したり、意図的に変化させたりすることができる。 In the second embodiment, in addition to the action and effect according to the first embodiment, the following action and effect can be exerted. Specifically, FFU6, which is an example of a blower, sends gas into the substrate processing apparatus 1. Even if the output set value of the FFU 6, that is, the set value of the flow rate of the gas sent by the FFU 6 into the substrate processing apparatus 1 is the same, the flow velocity of the gas in the substrate processing apparatus 1 is not always constant. This is because the state of the substrate processing apparatus 1 changes. The control device 3 changes the flow rate of the gas sent from the FFU 6 into the substrate processing device 1 based on the measured value of the flow meter 46. Therefore, the flow velocity of the gas in the substrate processing apparatus 1 can be kept constant or intentionally changed.

なお、前述の説明では、流量計46の測定値に基づいてFFU6の出力設定値を変更する場合について説明したが、排気ダンパー47(図6参照)がオートダンパーである場合、FFU6の出力設定値の変更に加えてもしくは代えて、排気ダンパー47の開度を変更してもよい。排気ダンパー47の開度が変わると、排気ダンパー47での圧力損失が変わるので、個別排気ダクト42を通じてチャンバー4内から排出される排気の流量が変化する。排気の流量を調整することで、基板処理装置1が設置される工場に設けられた排気処理設備の負荷を低減することができる。 In the above description, the case where the output set value of the FFU 6 is changed based on the measured value of the flow meter 46 has been described. However, when the exhaust damper 47 (see FIG. 6) is an auto damper, the output set value of the FFU 6 is changed. The opening degree of the exhaust damper 47 may be changed in addition to or instead of the change of. When the opening degree of the exhaust damper 47 changes, the pressure loss in the exhaust damper 47 changes, so that the flow rate of the exhaust gas discharged from the chamber 4 through the individual exhaust duct 42 changes. By adjusting the flow rate of the exhaust gas, it is possible to reduce the load of the exhaust gas treatment equipment provided in the factory where the substrate treatment device 1 is installed.

第3実施形態
図16は、本発明の第3実施形態に係るフローチャートであり、制御装置3が流量計46の洗浄を行うか否かを判断するときの流れを示している。以下では、図6と図16とを参照する。
第1実施形態に対する第3実施形態の主要な相違点は、流量計46の測定値と圧力計45の測定値とに基づいて制御装置3が流量計46の洗浄の必要性を判断することである。
Third Embodiment FIG. 16 is a flowchart according to the third embodiment of the present invention, and shows a flow when the control device 3 determines whether or not to wash the flow meter 46. In the following, reference will be made to FIGS. 6 and 16.
The main difference between the first embodiment and the third embodiment is that the control device 3 determines the necessity of cleaning the flow meter 46 based on the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45. be.

具体的には、排気通路44に加わる圧力は、圧力計45によって測定される。排気通路44内を流れる排気の流速が一定であれば、流量計46の測定値もほぼ一定であり、圧力計45の測定値もほぼ一定である。言い換えると、ピトー管55の測定孔56に詰まりがなく、流量計46が適切に機能していれば、流量計46の測定値と圧力計45の測定値は、一定の関係にある。したがって、流量計46の測定値と圧力計45の測定値との関係が崩れていると、ピトー管55の測定孔56に異物が付着している可能性がある。 Specifically, the pressure applied to the exhaust passage 44 is measured by the pressure gauge 45. If the flow velocity of the exhaust flowing in the exhaust passage 44 is constant, the measured value of the flow meter 46 is also substantially constant, and the measured value of the pressure gauge 45 is also substantially constant. In other words, if the measuring hole 56 of the Pitot tube 55 is not clogged and the flow meter 46 is functioning properly, the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45 have a certain relationship. Therefore, if the relationship between the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45 is broken, there is a possibility that foreign matter has adhered to the measuring hole 56 of the Pitot tube 55.

図16に示すように、制御装置3は、流量計46の測定値と圧力計45の測定値とを取得する(ステップS11)。その後、制御装置3は、流量計46の測定値と圧力計45の測定値との関係に基づいて流量計46の測定値が適切な範囲内であるか否かを判断する(ステップS12)。流量計46の測定値と圧力計45の測定値との関係は、予め測定された実験値に基づいて作成され、制御装置3の補助記憶装置35(図4参照)に記憶される。 As shown in FIG. 16, the control device 3 acquires the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45 (step S11). After that, the control device 3 determines whether or not the measured value of the flow meter 46 is within an appropriate range based on the relationship between the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45 (step S12). The relationship between the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45 is created based on the experimental value measured in advance and stored in the auxiliary storage device 35 (see FIG. 4) of the control device 3.

流量計46の測定値が適切な範囲内であれば(ステップS12でYes)、制御装置3は、流量計46の測定値と圧力計45の測定値とを再び取得する(ステップS11に戻る)。流量計46の測定値が適切な範囲外であれば(ステップS12でNo)、制御装置3は、ピトー管55の測定孔56に異物が付着していると判断し、洗浄システムに流量計46を洗浄させる(ステップS13)。これにより、測定孔56の詰まりを未然に検知でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。 If the measured value of the flow meter 46 is within an appropriate range (Yes in step S12), the control device 3 acquires the measured value of the flow meter 46 and the measured value of the pressure gauge 45 again (returns to step S11). .. If the measured value of the flow meter 46 is out of the appropriate range (No in step S12), the control device 3 determines that foreign matter has adhered to the measurement hole 56 of the Pitot tube 55, and the flow meter 46 is added to the cleaning system. (Step S13). As a result, clogging of the measuring hole 56 can be detected in advance, and the flow rate of the exhaust gas can be measured with stable accuracy over a long period of time.

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、ピトー管55に付着している洗浄液等の液体を排気の流れで蒸発させる場合は、吸引配管64およびガス配管71を省略してもよい。
Other Embodiments The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiments, and various modifications can be made.
For example, when the liquid such as the cleaning liquid adhering to the Pitot tube 55 is evaporated by the flow of the exhaust gas, the suction pipe 64 and the gas pipe 71 may be omitted.

ケーシング51は、ケーシング51の中心線L1が水平な水平姿勢ではなく、ケーシング51の中心線L1が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、排気通路44に配置されていてもよい。もしくは、ケーシング51は、ケーシング51の中心線L1が鉛直な鉛直姿勢で、排気通路44に配置されていてもよい。
ケーシング51のメインチューブ53の全体ではなく、メインチューブ53の内周面だけが耐薬品性を有する樹脂で形成されていてもよい。たとえば、メインチューブ53は、金属などの樹脂以外の材料で形成された外筒と、外筒の内周面の全体にコーティングされた樹脂層とを備えていてもよい。
The casing 51 may be arranged in the exhaust passage 44 in an inclined posture in which the center line L1 of the casing 51 is not a horizontal horizontal posture but the center line L1 of the casing 51 is inclined obliquely with respect to the horizontal plane. Alternatively, the casing 51 may be arranged in the exhaust passage 44 with the center line L1 of the casing 51 in a vertical vertical posture.
Only the inner peripheral surface of the main tube 53, not the entire main tube 53 of the casing 51, may be made of a resin having chemical resistance. For example, the main tube 53 may include an outer cylinder made of a material other than resin such as metal, and a resin layer coated on the entire inner peripheral surface of the outer cylinder.

同様に、ピトー管55の全体ではなく、ピトー管55の表面だけが、耐薬品性を有する樹脂で形成されていてもよい。つまり、流量計46において排気に接するいずれの部分も耐薬品性を有する樹脂で形成されているのであれば、それ以外の部分は、どのような材料で形成されてもよい。
流量計46は、処理ユニット2ごとではなく、タワーTWごとに設けられていてもよい。つまり、集合排気ダクト43だけに流量計46が設けられていてもよい。
Similarly, only the surface of the pitot tube 55, not the entire pitot tube 55, may be formed of a chemical resistant resin. That is, as long as any part of the flow meter 46 in contact with the exhaust is made of a resin having chemical resistance, the other parts may be made of any material.
The flow meter 46 may be provided not for each processing unit 2 but for each tower TW. That is, the flow meter 46 may be provided only in the collective exhaust duct 43.

流量計46は、クリーンルームの床Fの上方に配置されてもよい。たとえば、基板処理装置1の内部に流量計46が配置されていてもよい。
基板処理装置1は、円板状の基板Wを処理する装置に限らず、多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
基板処理装置1は、枚葉式の装置に限らず、複数枚の基板Wを一括して処理するバッチ式の装置であってもよい。
The flow meter 46 may be arranged above the floor F of the clean room. For example, the flow meter 46 may be arranged inside the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing device 1 is not limited to an apparatus for processing a disk-shaped substrate W, and may be an apparatus for processing a polygonal substrate W.
The substrate processing apparatus 1 is not limited to the single-wafer type apparatus, and may be a batch-type apparatus that collectively processes a plurality of substrates W.

前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全てのステップの2つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Two or more of all the above configurations may be combined. Two or more of all the steps described above may be combined.
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

1 :基板処理装置
2 :処理ユニット
3 :制御装置
42 :個別排気ダクト
43 :集合排気ダクト
44 :排気通路
45 :圧力計
46 :流量計
47 :排気ダンパー
51 :ケーシング
51i :ケーシングの内周面
52 :上流フランジ
53 :メインチューブ
54 :下流フランジ
55 :ピトー管
55i :ピトー管の内周面
55o :ピトー管の外周面
55s :静圧測定管
55t :全圧測定管
56 :測定孔
56s :静圧測定孔
56t :全圧測定孔
57 :測定配管
58 :差圧計
61 :常時開弁
62 :洗浄液配管
63 :洗浄液バルブ
64 :吸引配管
65 :吸引バルブ
66 :吸引装置
71 :ガス配管
72 :ガスバルブ
73 :流体ノズル
Df :排気の流れ方向
F :クリーンルームの床
L1 :ケーシングの中心線
L2 :ピトー管の中心線
W :基板
1: Board processing device 2: Processing unit 3: Control device 42: Individual exhaust duct 43: Collective exhaust duct 44: Exhaust passage 45: Pressure gauge 46: Flow meter 47: Exhaust damper 51: Casing 51i: Casing inner peripheral surface 52 : Upstream flange 53: Main tube 54: Downstream flange 55: Pitot tube 55i: Inner peripheral surface of Pitot tube 55o: Outer surface of Pitot tube 55s: Static pressure measuring tube 55t: Total pressure measuring tube 56: Measuring hole 56s: Static pressure Measuring hole 56t: Total pressure measuring hole 57: Measuring pipe 58: Differential pressure gauge 61: Always open valve 62: Cleaning liquid pipe 63: Cleaning liquid valve 64: Suction pipe 65: Suction valve 66: Suction device 71: Gas pipe 72: Gas valve 73: Fluid nozzle Df: Exhaust flow direction F: Clean room floor L1: Casing center line L2: Pitot tube center line W: Substrate

Claims (16)

基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、
前記ケーシングの内部に流体を供給する少なくとも一つの流体ノズルとを備え、
前記洗浄液配管は、前記少なくとも一つの流体ノズルに接続されている基板処理装置用のピトー管式流量計。
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe that guides the cleaning liquid supplied to the Pitot tube, and
And at least one fluid nozzle for supplying a fluid to the interior of the casing,
The washing liquid pipe, the is connected to at least one fluid nozzle, pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus.
前記少なくとも一つの流体ノズルは、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルを含む、請求項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。 The Pitot tube type flow rate for a substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the at least one fluid nozzle is arranged in the casing and includes a fluid nozzle for discharging a fluid toward an outer peripheral surface of the Pitot tube. Total. 基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、
前記ピトー管に接続された測定配管と、
前記測定配管を介して前記ピトー管内の流体を吸引する吸引配管とを備える基板処理装置用のピトー管式流量計。
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe that guides the cleaning liquid supplied to the Pitot tube, and
The measuring pipe connected to the Pitot tube and
And a suction pipe for sucking the fluid in the pitot tube through the measuring pipe, a Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus.
基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、
前記ピトー管に接続された測定配管と、
前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されており、前記測定配管を介して前記ピトー管に供給される気体を案内するガス配管とを備える基板処理装置用のピトー管式流量計。
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe that guides the cleaning liquid supplied to the Pitot tube, and
The measuring pipe connected to the Pitot tube and
Wherein through the measurement pipe is connected to the pitot tube, and a gas pipe for guiding the gas supplied to said pitot tube through the measuring pipe, a Pitot tube type flowmeter for the substrate processing apparatus.
基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、
前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルに接続されており、前記流体ノズルに供給される気体を案内するガス配管とを備える基板処理装置用のピトー管式流量計。
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe that guides the cleaning liquid supplied to the Pitot tube, and
Is disposed in the casing, a fluid nozzle for discharging the fluid toward the outer peripheral surface of the Pitot tube,
It said being connected to the fluid nozzle, and a gas pipe for guiding the gas supplied to the fluid nozzle, pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus.
基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、
前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、
前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計とを備える、基板処理装置。
A processing unit that supplies chemicals that process the board to the board,
An exhaust passage through which the exhaust containing the chemicals passes, and
A pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 , which is arranged in the exhaust passage and measures the flow rate of exhaust gas containing the chemicals. ..
前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置される、請求項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus is arranged under the floor of a clean room in which the substrate processing apparatus is installed. 前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ユニットと、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記気体流量変更ユニットに前記給気流量および排気流量の少なくとも一方を変更させる制御装置とをさらに備える、請求項6または7に記載の基板処理装置。
A gas flow rate changing unit that changes at least one of a supply air flow rate representing the flow rate of the gas supplied into the substrate processing apparatus and an exhaust flow rate representing the flow rate of the gas discharged from the substrate processing apparatus.
6. The substrate processing apparatus described.
基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、
前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、
前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、基板処理装置用のピトー管式流量計とを備え、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、
前記薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、
前記ケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、
前記ピトー管は、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置されている基板処理装置。
A processing unit that supplies chemicals that process the board to the board,
An exhaust passage through which the exhaust containing the chemicals passes, and
It is provided with a Pitot tube type flow meter for a substrate processing device, which is arranged in the exhaust passage and measures the flow rate of the exhaust containing the chemicals.
The Pitot tube type flow meter for the substrate processing device is
A cylindrical casing through which the exhaust containing the chemicals passes, and
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the Pitot tube is provided.
The casing is arranged in the exhaust passage in a horizontal posture in which the center line of the casing is horizontal or in an inclined posture in which the center line of the casing is inclined at an angle with respect to a horizontal plane.
The Pitot tube has an inclined posture in which the center line of the Pitot tube is tilted diagonally with respect to a horizontal plane when the casing is viewed in the direction of the center line of the casing, or the casing is directed toward the center line of the casing. the center line of the Pitot tube in a horizontal horizontal posture, is disposed in the casing, the substrate processing apparatus when viewed in.
基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、
前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、
前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、基板処理装置用のピトー管式流量計と、
前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計と、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値と前記圧力計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する制御装置とを備え、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、
前記薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備える、基板処理装置。
A processing unit that supplies chemicals that process the board to the board,
An exhaust passage through which the exhaust containing the chemicals passes, and
A pitot tube type flow meter for a substrate processing device, which is arranged in the exhaust passage and measures the flow rate of the exhaust containing the chemicals,
A pressure gauge that measures the pressure applied to the exhaust passage, and
A control device that detects clogging of the measurement hole of the Pitot tube of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device based on the measured value of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device and the measured value of the pressure gauge. And with
The Pitot tube type flow meter for the substrate processing device is
A cylindrical casing through which the exhaust containing the chemicals passes, and
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A substrate processing apparatus comprising a cleaning liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the Pitot tube.
請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、
前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、
前記排気流量測定ステップの後に、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、を含む、基板処理方法。
A substrate processing method executed by a substrate processing apparatus including a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
The board processing step that supplies the chemicals that process the board to the board,
An exhaust flow rate measuring step of causing a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus arranged in an exhaust passage for guiding the exhaust containing the chemical to measure the flow rate of the exhaust containing the chemical.
After the exhaust flow rate measurement step, the pitot tube of the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus is supplied with the cleaning liquid guided by the pitot tube of the pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus. A substrate processing method comprising a Pitot tube cleaning step of cleaning a tube.
前記排気流量測定ステップは、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む、請求項11に記載の基板処理方法。 The exhaust flow rate measuring step is a step of causing a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus, which is arranged under the floor of a clean room where the substrate processing apparatus is installed, to measure the flow rate of the exhaust containing the chemicals. The substrate processing method according to claim 11, which includes. 前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ステップをさらに含む、請求項11に記載の基板処理方法。 Based on the measured values of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus, the supply air flow rate representing the flow rate of the gas supplied into the substrate processing apparatus and the exhaust representing the flow rate of the gas discharged from the substrate processing apparatus. The substrate processing method according to claim 11 , further comprising a gas flow rate changing step of changing at least one of the flow rates. 基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、
基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、
前記基板処理方法は、
基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、
前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された前記ピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、
前記排気流量測定ステップの後に、前記ピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記ピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、を含み、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計のケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、
前記排気流量測定ステップは、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップ、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む基板処理方法。
A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus equipped with a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus.
The Pitot tube type flow meter for the substrate processing device is
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the Pitot tube is provided.
The substrate processing method is
The board processing step that supplies the chemicals that process the board to the board,
An exhaust flow rate measuring step of causing the Pitot tube type flow meter arranged in an exhaust passage for guiding the exhaust containing the chemical to measure the flow rate of the exhaust containing the chemical.
After the exhaust flow rate measurement step, a pitot tube cleaning step for cleaning the pitot tube by supplying the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter to the pitot tube of the pitot tube type flow meter. Including
The casing of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device is placed in the exhaust passage in a horizontal posture in which the center line of the casing is horizontal or in an inclined posture in which the center line of the casing is tilted diagonally with respect to a horizontal plane. Have been placed and
The exhaust flow measurement step is arranged in the casing in an inclined posture in which the center line of the Pitot tube is inclined obliquely with respect to a horizontal plane when the casing is viewed in the direction of the center line of the casing. A step of causing a Pitot tube type flow meter for a substrate processing apparatus to measure the flow rate of exhaust containing the chemical, or when the casing is viewed in the direction of the center line of the casing, the center line of the Pitot tube is horizontal. horizontally, disposed within said casing, a Pitot tube type flowmeter for said substrate processing apparatus, comprising the step of measuring the flow rate of the exhaust gas containing the chemicals, substrate processing method.
基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、
基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、
前記基板処理方法は、
基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、
前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された前記ピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、
前記排気流量測定ステップの後に、前記ピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記ピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、
前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計の測定値と前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する詰まり検知ステップとを含む、基板処理方法。
A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus equipped with a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus.
The Pitot tube type flow meter for the substrate processing device is
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the Pitot tube is provided.
The substrate processing method is
The board processing step that supplies the chemicals that process the board to the board,
An exhaust flow rate measuring step of causing the Pitot tube type flow meter arranged in an exhaust passage for guiding the exhaust containing the chemical to measure the flow rate of the exhaust containing the chemical.
After the exhaust flow rate measurement step, a pitot tube cleaning step for cleaning the pitot tube by supplying the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter to the pitot tube of the pitot tube type flow meter.
Measurement of the Pitot tube of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device based on the measured value of the pressure gauge for measuring the pressure applied to the exhaust passage and the measured value of the Pitot tube type flow meter for the substrate processing device. A substrate processing method that includes a clogging detection step that detects clogging of holes.
基板処理装置用のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、
基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備え、
前記基板処理方法は、
基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、
前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された前記ピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、
前記排気流量測定ステップの後に、前記ピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記ピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、
前記ピトー管洗浄ステップの後に、流体の吸引および供給の少なくとも一方によって気流を形成することにより、前記ピトー管を乾燥させるピトー管乾燥ステップとを含む、基板処理方法。
A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus equipped with a Pitot tube type flow meter for the substrate processing apparatus.
The Pitot tube type flow meter for the substrate processing device is
A cylindrical casing through which exhaust gas containing chemicals that process the substrate passes,
A pitot tube arranged in the casing, including an outer peripheral surface having a measuring hole in contact with the exhaust,
A cleaning liquid pipe for guiding the cleaning liquid supplied to the Pitot tube is provided.
The substrate processing method is
The board processing step that supplies the chemicals that process the board to the board,
An exhaust flow rate measuring step of causing the Pitot tube type flow meter arranged in an exhaust passage for guiding the exhaust containing the chemical to measure the flow rate of the exhaust containing the chemical.
After the exhaust flow rate measurement step, a pitot tube cleaning step for cleaning the pitot tube by supplying the cleaning liquid guided by the cleaning liquid pipe of the pitot tube type flow meter to the pitot tube of the pitot tube type flow meter.
After said pitot tube cleaning step, by forming the air flow by at least one of the suction and supply of the fluid, and a pitot tube drying step of drying the Pitot tube, the substrate processing method.
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